JP2001153619A - 薄膜の膜厚分布測定方法 - Google Patents
薄膜の膜厚分布測定方法Info
- Publication number
- JP2001153619A JP2001153619A JP33485699A JP33485699A JP2001153619A JP 2001153619 A JP2001153619 A JP 2001153619A JP 33485699 A JP33485699 A JP 33485699A JP 33485699 A JP33485699 A JP 33485699A JP 2001153619 A JP2001153619 A JP 2001153619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film thickness
- film
- thin film
- thickness distribution
- absolute
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ上等に形成された薄膜の絶対的膜厚分
布を短時間で簡易に測定する。 【解決手段】 光干渉縞よりウエハ上の薄膜全体の相対
的膜厚分布を得るとともに、上記相対的膜厚分布におい
て膜厚が異なる二以上の薄膜部分の膜厚の絶対値を測定
し、当該絶対値からの膜厚の相対的変化量より上記薄膜
全体の絶対的膜厚分布を得る。
布を短時間で簡易に測定する。 【解決手段】 光干渉縞よりウエハ上の薄膜全体の相対
的膜厚分布を得るとともに、上記相対的膜厚分布におい
て膜厚が異なる二以上の薄膜部分の膜厚の絶対値を測定
し、当該絶対値からの膜厚の相対的変化量より上記薄膜
全体の絶対的膜厚分布を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜の膜厚分布測定
方法に関し、特に薄膜の絶対的膜厚分布を手間を要さず
簡易に測定できる膜厚分布測定方法に関する。
方法に関し、特に薄膜の絶対的膜厚分布を手間を要さず
簡易に測定できる膜厚分布測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の大容量化を実現する
ために接触型磁気ヘッドが注目されており、これをプレ
ーナ技術によって、フォトリソグラフによるコイル等の
配線パターンの形成と、配線パターンを絶縁するための
Ａｌ2Ｏ3材等のスパッタ成膜を繰り返して積層構造で実
現することが試みられている。この場合、コイルの上下
間隔（すなわち絶縁膜の膜厚）を十分小さくしないと電
磁変換効率が低下する上に、この上下間隔が変動すると
電磁変換効率が変動してしまうため、積層される各絶縁
膜の膜厚管理を高精度に行なう必要がある。また、積層
された絶縁膜の全体厚さは最終的に磁気ヘッド本体の厚
みになるから、当該本体の柔軟性を確保しつつ機械的安
定性を均一にして接触走行時の安定性を確保するために
は上記全体厚さも高精度に管理する必要がある。
ために接触型磁気ヘッドが注目されており、これをプレ
ーナ技術によって、フォトリソグラフによるコイル等の
配線パターンの形成と、配線パターンを絶縁するための
Ａｌ2Ｏ3材等のスパッタ成膜を繰り返して積層構造で実
現することが試みられている。この場合、コイルの上下
間隔（すなわち絶縁膜の膜厚）を十分小さくしないと電
磁変換効率が低下する上に、この上下間隔が変動すると
電磁変換効率が変動してしまうため、積層される各絶縁
膜の膜厚管理を高精度に行なう必要がある。また、積層
された絶縁膜の全体厚さは最終的に磁気ヘッド本体の厚
みになるから、当該本体の柔軟性を確保しつつ機械的安
定性を均一にして接触走行時の安定性を確保するために
は上記全体厚さも高精度に管理する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、薄膜の絶対的膜
厚分布を正確に管理するために光学式膜厚測定装置が使
用されている。ここで、「絶対的膜厚分布」とは膜厚の
絶対値の分布をいう。ところで、上記膜厚測定装置は薄
膜からの反射光の分光スペクトルより膜厚絶対値を算出
するものであるが、この方法は点測定であるためにウエ
ハ面全面の膜厚分布を知るには多数点で測定を行なっ
て、これら測定結果から同一膜厚点を連ねた等厚線を作
図する必要があるため多大の手間を要するという問題が
あった。
厚分布を正確に管理するために光学式膜厚測定装置が使
用されている。ここで、「絶対的膜厚分布」とは膜厚の
絶対値の分布をいう。ところで、上記膜厚測定装置は薄
膜からの反射光の分光スペクトルより膜厚絶対値を算出
するものであるが、この方法は点測定であるためにウエ
ハ面全面の膜厚分布を知るには多数点で測定を行なっ
て、これら測定結果から同一膜厚点を連ねた等厚線を作
図する必要があるため多大の手間を要するという問題が
あった。
【０００４】そこで本発明はこのような課題を解決する
もので、ウエハ上等に形成された薄膜の絶対的膜厚分布
を短時間で簡易に測定することができる薄膜の膜厚分布
測定方法を提供することを目的とする。
もので、ウエハ上等に形成された薄膜の絶対的膜厚分布
を短時間で簡易に測定することができる薄膜の膜厚分布
測定方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の測定方法は、光干渉縞より薄膜全体の相対
的膜厚分布を得るとともに、上記相対的膜厚分布におい
て膜厚が異なる二以上の薄膜部分の膜厚の絶対値を測定
し、当該絶対値からの膜厚の相対的変化量より上記薄膜
全体の絶対的膜厚分布を得るものである。ここで、「相
対的膜厚分布」とは、膜厚の相対値の分布をいう。
に、本発明の測定方法は、光干渉縞より薄膜全体の相対
的膜厚分布を得るとともに、上記相対的膜厚分布におい
て膜厚が異なる二以上の薄膜部分の膜厚の絶対値を測定
し、当該絶対値からの膜厚の相対的変化量より上記薄膜
全体の絶対的膜厚分布を得るものである。ここで、「相
対的膜厚分布」とは、膜厚の相対値の分布をいう。
【０００６】本発明の測定方法においては、光干渉縞に
よって薄膜全体の相対的膜厚分布を一時に得て、その分
布に基づいて必要な薄膜部分でのみ膜厚絶対値を測定す
ることにより薄膜全体の絶対的膜厚分布を得ている。し
たがって、時間を要する膜厚絶対値の測定点数を最小限
にすることができるから、絶対的膜厚分布を短時間で簡
易に測定することが可能となる。
よって薄膜全体の相対的膜厚分布を一時に得て、その分
布に基づいて必要な薄膜部分でのみ膜厚絶対値を測定す
ることにより薄膜全体の絶対的膜厚分布を得ている。し
たがって、時間を要する膜厚絶対値の測定点数を最小限
にすることができるから、絶対的膜厚分布を短時間で簡
易に測定することが可能となる。
【０００７】接触型磁気ヘッドの本体はその全体厚さ、
およびヘッド内に形成した配線を覆って積層される絶縁
膜の絶対的膜厚分布を厳格に管理する必要があり、本発
明方法を適用することによって、その製造工数を大幅に
削減することができる。
およびヘッド内に形成した配線を覆って積層される絶縁
膜の絶対的膜厚分布を厳格に管理する必要があり、本発
明方法を適用することによって、その製造工数を大幅に
削減することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の膜厚分布測定方法を適用
して製造される接触型磁気ヘッドの一例を図１に示す。
図１において、磁気ヘッド１は５０μｍ厚程度の台形状
の本体１１を有し、本体１１の短辺中央に近い板面に
は、一対の磁極２１，２２を露出させた磁気接触パッド
１２が突出形成されている。本体１１の長辺両端に近い
板面には３点支持を可能とするための補助パッド１３が
それぞれ突出形成されている。このような磁気ヘッド１
は図２に示すように、磁気接触パッド１２や補助パッド
１３を形成した面を下側にしてこれらパッド１２，１３
を磁気記録面ＭＲに接触させた状態で使用される。
して製造される接触型磁気ヘッドの一例を図１に示す。
図１において、磁気ヘッド１は５０μｍ厚程度の台形状
の本体１１を有し、本体１１の短辺中央に近い板面に
は、一対の磁極２１，２２を露出させた磁気接触パッド
１２が突出形成されている。本体１１の長辺両端に近い
板面には３点支持を可能とするための補助パッド１３が
それぞれ突出形成されている。このような磁気ヘッド１
は図２に示すように、磁気接触パッド１２や補助パッド
１３を形成した面を下側にしてこれらパッド１２，１３
を磁気記録面ＭＲに接触させた状態で使用される。
【０００９】本体１１はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2材等の絶縁
材より構成されており、磁気接触パッド１２内の磁極２
１，２２は本体１１内に形成された馬蹄形コア２(図
２）の端面が露出したものである。パーマロイ等の軟磁
性材よりなる上記コア２の両脚部周囲には、銅材よりな
るコイル３１，３２が巻回形成され、各コイル３１，３
２は一端が互いに導通するとともに他端はそれぞれ本体
１１上面に形成された各電極パッド４１（一方のみ図
示）に至ってこれらに接続されている。電極パッド４１
には、途中で折り返された、信号線を兼ねる支持ビーム
４２の先端が接合されて、これにより本体１１は弾性的
に支持されている。
材より構成されており、磁気接触パッド１２内の磁極２
１，２２は本体１１内に形成された馬蹄形コア２(図
２）の端面が露出したものである。パーマロイ等の軟磁
性材よりなる上記コア２の両脚部周囲には、銅材よりな
るコイル３１，３２が巻回形成され、各コイル３１，３
２は一端が互いに導通するとともに他端はそれぞれ本体
１１上面に形成された各電極パッド４１（一方のみ図
示）に至ってこれらに接続されている。電極パッド４１
には、途中で折り返された、信号線を兼ねる支持ビーム
４２の先端が接合されて、これにより本体１１は弾性的
に支持されている。
【００１０】上記本体１１は、ＡｌＴｉＣ等のセラミッ
クウエハ上にデバイス層を膜成形した後、このデバイス
層を剥離して台形状に切り出したもので、フォトリソグ
ラフによるコイル３１，３２等の配線パターンの形成
と、これらを絶縁するＡｌ2Ｏ3材等の絶縁材のスパッタ
成膜を繰り返した積層構造となっている。図３はウエハ
上での積層工程を概念的に示すもので、先に形成された
配線６１を覆う薄膜としての絶縁膜５１上に、新たな配
線６２をパターン形成した後（図３の（イ））、これら
を覆うように新たな絶縁膜５２を形成する（図３の
（ロ））。
クウエハ上にデバイス層を膜成形した後、このデバイス
層を剥離して台形状に切り出したもので、フォトリソグ
ラフによるコイル３１，３２等の配線パターンの形成
と、これらを絶縁するＡｌ2Ｏ3材等の絶縁材のスパッタ
成膜を繰り返した積層構造となっている。図３はウエハ
上での積層工程を概念的に示すもので、先に形成された
配線６１を覆う薄膜としての絶縁膜５１上に、新たな配
線６２をパターン形成した後（図３の（イ））、これら
を覆うように新たな絶縁膜５２を形成する（図３の
（ロ））。
【００１１】成膜直後の絶縁膜５２の表面は１０μｍ程
度と１５μｍ程度の凹凸形状になるため、膜表面を機械
的に研磨して５μｍ±０．２μｍ（ウエハ面内偏差）の
均一な膜厚とする（図３の（ハ））。このように厳格な
膜厚管理を要するのは、上下の層間隔Ｄを十分小さくし
ないと電磁変換効率が低下する上に、層間隔Ｄが変動す
ると電磁変換効率が変動してしまうからである。また、
積層された絶縁膜５１，５２，…の全体厚さが最終的に
磁気ヘッド本体１１の厚みになるから、本体１１の柔軟
性を確保しつつ機械的安定性を均一にして接触走行安定
性を確保するためには上記全体厚さも５０μｍ±１μｍ
（ウエハ面内偏差）と高精度に管理する必要がある。
度と１５μｍ程度の凹凸形状になるため、膜表面を機械
的に研磨して５μｍ±０．２μｍ（ウエハ面内偏差）の
均一な膜厚とする（図３の（ハ））。このように厳格な
膜厚管理を要するのは、上下の層間隔Ｄを十分小さくし
ないと電磁変換効率が低下する上に、層間隔Ｄが変動す
ると電磁変換効率が変動してしまうからである。また、
積層された絶縁膜５１，５２，…の全体厚さが最終的に
磁気ヘッド本体１１の厚みになるから、本体１１の柔軟
性を確保しつつ機械的安定性を均一にして接触走行安定
性を確保するためには上記全体厚さも５０μｍ±１μｍ
（ウエハ面内偏差）と高精度に管理する必要がある。
【００１２】そこで、膜厚管理を以下の方法で行なう。
すなわち、新たな絶縁膜を形成する毎に、ウエハＷの板
面に単波長光を当てて光干渉縞を生じさせる。その一例
を図４に示す。厚さｄの絶縁膜の光路長は２ｄｎ（ｎは
屈折率）であり、波長×整数倍＝２ｄｎを満足する膜厚
部分で明るい縞が生じ、波長×（整数＋１／２）倍＝２
ｄｎを満足する膜厚部分で暗い縞が生じる。したがっ
て、波長０．６３３μｍのＨｅ−Ｎｅレーザ光を屈折率
１．６２のＡｌ2Ｏ3の絶縁膜に当てた場合に生じる干渉
縞では、下式（１）よりｄはおよそ０．２（μｍ）とな
って、縞１本が約０．２μｍの膜厚差に相当する。
すなわち、新たな絶縁膜を形成する毎に、ウエハＷの板
面に単波長光を当てて光干渉縞を生じさせる。その一例
を図４に示す。厚さｄの絶縁膜の光路長は２ｄｎ（ｎは
屈折率）であり、波長×整数倍＝２ｄｎを満足する膜厚
部分で明るい縞が生じ、波長×（整数＋１／２）倍＝２
ｄｎを満足する膜厚部分で暗い縞が生じる。したがっ
て、波長０．６３３μｍのＨｅ−Ｎｅレーザ光を屈折率
１．６２のＡｌ2Ｏ3の絶縁膜に当てた場合に生じる干渉
縞では、下式（１）よりｄはおよそ０．２（μｍ）とな
って、縞１本が約０．２μｍの膜厚差に相当する。
【００１３】２×ｄ×１．６２＝０．６３３…（１）
【００１４】このような光干渉縞は絶縁膜の同一膜厚点
を連ねた等厚線であるから、図４に示す絶縁膜では図の
Ｘ点からＹ点へ向けて最大０．２×１０（本）＝２μｍ
の単調に増加ないし減少する膜厚差を生じていることが
わかる。しかしこれは相対的な膜厚分布であるから絶縁
膜表面がＸ点からＹ点へ上がり傾斜しているか下がり傾
斜しているかは定かでない。
を連ねた等厚線であるから、図４に示す絶縁膜では図の
Ｘ点からＹ点へ向けて最大０．２×１０（本）＝２μｍ
の単調に増加ないし減少する膜厚差を生じていることが
わかる。しかしこれは相対的な膜厚分布であるから絶縁
膜表面がＸ点からＹ点へ上がり傾斜しているか下がり傾
斜しているかは定かでない。
【００１５】そこで次に、相対的な膜厚が最大値と最小
値を示す上記Ｘ点とＹ点の膜厚の絶対値を測定する。こ
の膜厚測定に使用する装置の構成を図５に示す。図５に
おいて、光源７１から出た４００ｎｍ〜８００ｎｍの広
帯域光はビームスプリッタ７２で下方へ反射されて対物
レンズ７３に入射し、ここでウエハＷ上の絶縁膜の一点
に絞られて、この部分の絶縁膜の上面と下面で反射され
た後、ビームスプリッタ７２を通過してホログラフィッ
ク回折格子７４へ入射する。回折格子７４で波長に応じ
た角度へ回折された広帯域光は、ミラー７５を経てリニ
アアレー素子７６に入力する。絶縁膜へ入射した際に広
帯域光は、波長×整数倍＝２ｄｎ（ｄは絶縁膜の厚さ、
ｎは絶縁膜の屈折率）の関係を満足した波長光のみが干
渉によってその光強度が増すから、波長に応じて異なる
位置に入射する光の強度をリニアアレー７６で検出する
ことにより、絶縁膜の膜厚絶対値を算出することができ
る。
値を示す上記Ｘ点とＹ点の膜厚の絶対値を測定する。こ
の膜厚測定に使用する装置の構成を図５に示す。図５に
おいて、光源７１から出た４００ｎｍ〜８００ｎｍの広
帯域光はビームスプリッタ７２で下方へ反射されて対物
レンズ７３に入射し、ここでウエハＷ上の絶縁膜の一点
に絞られて、この部分の絶縁膜の上面と下面で反射され
た後、ビームスプリッタ７２を通過してホログラフィッ
ク回折格子７４へ入射する。回折格子７４で波長に応じ
た角度へ回折された広帯域光は、ミラー７５を経てリニ
アアレー素子７６に入力する。絶縁膜へ入射した際に広
帯域光は、波長×整数倍＝２ｄｎ（ｄは絶縁膜の厚さ、
ｎは絶縁膜の屈折率）の関係を満足した波長光のみが干
渉によってその光強度が増すから、波長に応じて異なる
位置に入射する光の強度をリニアアレー７６で検出する
ことにより、絶縁膜の膜厚絶対値を算出することができ
る。
【００１６】上記装置を使用してＸ点とＹ点（図４）の
膜厚絶対値を得れば、その中間にある絶縁膜各部の膜厚
絶対値は、等厚線としての光干渉縞を観察して相対的変
化量を知ることにより決定することができる。このよう
にして絶対的膜厚分布が明らかになった絶縁膜に対して
適当な機械研磨を行なうことにより、図６に示すよう
に、干渉縞が一本だけの（すなわち膜厚差０．２μｍ以
内の）均一な膜厚の絶縁膜を得ることができる。このよ
うな膜厚管理を、新たな絶縁膜を形成する毎に行なうこ
とによって、前述した各絶縁膜に要求される膜厚５μｍ
±０．２μｍ、および全体膜厚５０μｍ±１μｍの条件
を満足させることができる。
膜厚絶対値を得れば、その中間にある絶縁膜各部の膜厚
絶対値は、等厚線としての光干渉縞を観察して相対的変
化量を知ることにより決定することができる。このよう
にして絶対的膜厚分布が明らかになった絶縁膜に対して
適当な機械研磨を行なうことにより、図６に示すよう
に、干渉縞が一本だけの（すなわち膜厚差０．２μｍ以
内の）均一な膜厚の絶縁膜を得ることができる。このよ
うな膜厚管理を、新たな絶縁膜を形成する毎に行なうこ
とによって、前述した各絶縁膜に要求される膜厚５μｍ
±０．２μｍ、および全体膜厚５０μｍ±１μｍの条件
を満足させることができる。
【００１７】なお、膜厚測定装置は膜厚が２０μｍを越
えると測定精度が悪化するから、図７に示すように、膜
厚Ｄ１が２０μｍを越える前に適宜、絶縁膜５上に極く
薄い（０．０５μｍ以下）反射膜５３を形成して、それ
までに測定された膜厚Ｄ１に、これ以後に測定される膜
厚Ｄ２を足して全体膜厚を求めるようにすれば、全体膜
厚が２０μｍを越える場合でも正確な測定値を得ること
ができる。上記実施形態において、膜厚絶対値を測定す
る点としては、相対的な膜厚が最大値と最小値を示す上
記Ｘ点とＹ点に限らず、膜厚が異なる適当な２点、ある
いは正確を期すために適当な３，４点を選んで膜厚絶対
値を測定するようにしても良い。
えると測定精度が悪化するから、図７に示すように、膜
厚Ｄ１が２０μｍを越える前に適宜、絶縁膜５上に極く
薄い（０．０５μｍ以下）反射膜５３を形成して、それ
までに測定された膜厚Ｄ１に、これ以後に測定される膜
厚Ｄ２を足して全体膜厚を求めるようにすれば、全体膜
厚が２０μｍを越える場合でも正確な測定値を得ること
ができる。上記実施形態において、膜厚絶対値を測定す
る点としては、相対的な膜厚が最大値と最小値を示す上
記Ｘ点とＹ点に限らず、膜厚が異なる適当な２点、ある
いは正確を期すために適当な３，４点を選んで膜厚絶対
値を測定するようにしても良い。
【００１８】ウエハＷ上に形成された絶縁膜の光干渉縞
が例えば図８に示すような模様を描く場合には、光干渉
縞（等厚線）で囲まれ相対的膜厚が極値を示すウエハの
周方向の４点Ｒ，Ｓ，Ｔ，Ｕで膜厚絶対値を測定するこ
とによって、ウエハ全面の絶対的膜厚分布を知ることが
できる。
が例えば図８に示すような模様を描く場合には、光干渉
縞（等厚線）で囲まれ相対的膜厚が極値を示すウエハの
周方向の４点Ｒ，Ｓ，Ｔ，Ｕで膜厚絶対値を測定するこ
とによって、ウエハ全面の絶対的膜厚分布を知ることが
できる。
【００１９】干渉縞の縞１本の膜厚差、すなわち膜厚分
解能は測定に使用する単波長光の波長が短い程高くな
る。例えば絶縁膜としてＳｉＯ2を使用すると、これは
波長０．１５μｍ以上の光に対して透明であるから、波
長０．３２５μｍのヘリウムカドミウムレーザ光を使用
すれば、膜厚分解能は干渉縞１本当り約０．１μｍまで
上げることができる。また、ＫｒＦエキシマレーザの
０．２４８μｍ波長光を使用すれば干渉縞１本当り０．
０８μｍまで膜厚分解能を上げることが可能である。
解能は測定に使用する単波長光の波長が短い程高くな
る。例えば絶縁膜としてＳｉＯ2を使用すると、これは
波長０．１５μｍ以上の光に対して透明であるから、波
長０．３２５μｍのヘリウムカドミウムレーザ光を使用
すれば、膜厚分解能は干渉縞１本当り約０．１μｍまで
上げることができる。また、ＫｒＦエキシマレーザの
０．２４８μｍ波長光を使用すれば干渉縞１本当り０．
０８μｍまで膜厚分解能を上げることが可能である。
【００２０】なお、干渉縞の観測には可視光の範囲外は
もちろんのこと、肉眼に対する悪影響を避けるために可
視光の範囲内でもＣＣＤカメラを使用する。
もちろんのこと、肉眼に対する悪影響を避けるために可
視光の範囲内でもＣＣＤカメラを使用する。
【００２１】上記実施形態では本発明の測定方法を接触
型磁気ヘッドにおける薄膜形成に適用したが、他の薄膜
形成の用途にも広く適用できることはもちろんである。
型磁気ヘッドにおける薄膜形成に適用したが、他の薄膜
形成の用途にも広く適用できることはもちろんである。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明に係る薄膜の膜厚分
布測定方法によれば、ウエハ上等に形成された薄膜の絶
対的膜厚分布を短時間で簡易に測定することができる。
布測定方法によれば、ウエハ上等に形成された薄膜の絶
対的膜厚分布を短時間で簡易に測定することができる。
【図１】接触型磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】接触型磁気ヘッドの断面図である。
【図３】薄膜形成工程を示す部分拡大断面図である。
【図４】ウエハ上の光干渉縞の正面図である。
【図５】膜厚測定装置の機器構成図である。
【図６】ウエハ上の光干渉縞の正面図である。
【図７】積層された絶縁膜の一部省略断面図である。
【図８】ウエハ上の光干渉縞の正面図である。
１…磁気ヘッド、１１…本体、２…コア、３１，３２…
コイル、５，５１，５２…絶縁膜、６１，６２…配線、
Ｗ…ウエハ。
コイル、５，５１，５２…絶縁膜、６１，６２…配線、
Ｗ…ウエハ。
Claims (2)
- 【請求項１】 光干渉縞より薄膜全体の相対的膜厚分布
を得るとともに、前記相対的膜厚分布において膜厚が異
なる二以上の薄膜部分の膜厚の絶対値を測定し、当該絶
対値からの膜厚の相対的変化量より前記薄膜全体の絶対
的膜厚分布を得ることを特徴とする薄膜の膜厚分布測定
方法。 - 【請求項２】 前記薄膜は接触型磁気ヘッドの本体を構
成する積層された絶縁膜である請求項１に記載の薄膜の
膜厚分布測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33485699A JP2001153619A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 薄膜の膜厚分布測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33485699A JP2001153619A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 薄膜の膜厚分布測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001153619A true JP2001153619A (ja) | 2001-06-08 |
Family
ID=18281994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33485699A Pending JP2001153619A (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 薄膜の膜厚分布測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001153619A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038327A1 (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-06 | Hitachi, Ltd. | 薄膜デバイスの膜厚検査方法及びそれを用いた薄膜デバイスの製造方法 |
-
1999
- 1999-11-25 JP JP33485699A patent/JP2001153619A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038327A1 (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-06 | Hitachi, Ltd. | 薄膜デバイスの膜厚検査方法及びそれを用いた薄膜デバイスの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100318159B1 (ko) | 적층형근접장광헤드및광정보기록재생장치 | |
| EP0006052B1 (fr) | Structure optique compacte à source intégrée | |
| CN101047003B (zh) | 磁盘装置 | |
| JP2891332B2 (ja) | 位相格子および位相格子の作製方法 | |
| EP0323238A2 (en) | Diffraction grating and manufacturing method thereof | |
| JPH056853A (ja) | 近接リソグラフイツクシステムにおける横位置測定装置及びその方法 | |
| WO2015082363A1 (fr) | Dispositif et procede de positionnement de masque de photolithographie par methode optique sans contact | |
| JP5190165B2 (ja) | 整列マーク並びにこれを用いた露光整列システム及び整列方法 | |
| JP2001153619A (ja) | 薄膜の膜厚分布測定方法 | |
| KR100892017B1 (ko) | 주입동기형 펄스 레이저 장치, 간섭계측장치, 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
| US20120099090A1 (en) | System and methods related to generating electromegnetic radiation interference patterns | |
| US8374067B2 (en) | Method and apparatus for recording interference fringe pattern | |
| US6831277B1 (en) | Method for measuring dimensions and alignment of thin film magnetic head and apparatus therefor | |
| JP2006209891A (ja) | 光ピックアップ用光学素子 | |
| JP2000056135A (ja) | 全反射（ｔｉｒ）ホログラフィ装置、その方法及び使用される光学アセンブリ | |
| JP4802431B2 (ja) | 膜厚測定方法及び光ディスクにおける膜厚測定方法 | |
| JP3187041B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPS5973712A (ja) | 平面度測定装置 | |
| JP3695017B2 (ja) | 回折光を利用した溝形状測定方法 | |
| JP3933881B2 (ja) | 固体を伝搬するレーザ光による測長方法 | |
| JPH0764024A (ja) | 集積型光学装置及びその製造方法 | |
| JP2945405B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH06331320A (ja) | 膜厚測定装置 | |
| JP2000076630A (ja) | 磁気抵抗型磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッド | |
| JP2002258725A (ja) | ホログラム素子製造方法、ホログラム素子および光ピックアップ装置 |