JP2001148506A - Infrared data communication module and manufacturing method therefor - Google Patents

Infrared data communication module and manufacturing method therefor

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JP2001148506A
JP2001148506A JP2000262527A JP2000262527A JP2001148506A JP 2001148506 A JP2001148506 A JP 2001148506A JP 2000262527 A JP2000262527 A JP 2000262527A JP 2000262527 A JP2000262527 A JP 2000262527A JP 2001148506 A JP2001148506 A JP 2001148506A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance a molding die in adhesion to a board, so as to prevent resin from spreading to the rear of the board when a resin package is formed on the surface of the board using the molding die. SOLUTION: An infrared data communication module is manufactured through such a method, in which a chip area 19 including a wiring pattern 70 is provided on a surface 10a of a board 1, a through-hole is previously provided in the chip area 19, and a resin package is formed on the surface 10a of the board 1 by the use of a resin molding die, when a light emitting element and a photodetector mounted in the chip areas 19 are sealed up with the resin. Before the resin package is formed on the surface 10a of the board 1, a dummy area 21 including a dummy pattern 22, that corresponds to the wiring patter 70 as a whole, is formed as large in area as the chip area 19 ion the rear surface 10b at a position and counterposes it.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本願発明は、いわゆるIrD
A(Infrared Data Association )規格に準じた赤外線
データ通信などを行うために用いられる赤外線データ通
信モジュールに関する。
The present invention relates to a so-called IrD
The present invention relates to an infrared data communication module used for performing infrared data communication according to the A (Infrared Data Association) standard.

【0002】[0002]

【従来の技術】IrDA準拠の赤外線データ通信モジュ
ールは、ノートパソコンの分野においてその普及が著し
く、最近においては、携帯電話や電子手帳などにも普及
しつつある。この種の赤外線データ通信モジュールは、
赤外線LED、フォトダイオード、変復調回路などをワ
ンパッケージ化して双方向にワイヤレス通信を可能とし
たものであり、通信速度や通信距離などがバージョンに
より統一規格として定められている。このような赤外線
データ通信機能の高性能化が推進されるなか、モジュー
ル全体の形態は、ダウンサイジングによりますます小型
化され、製造プロセスにおいては、厳しい寸法精度が要
求されるとともにコスト低減が叫ばれている。
2. Description of the Related Art IrDA-compliant infrared data communication modules have become very popular in the field of notebook personal computers, and have recently become widespread in mobile phones and electronic organizers. This kind of infrared data communication module is
Infrared LEDs, photodiodes, modulation / demodulation circuits, and the like are integrated into a single package to enable bidirectional wireless communication. Communication speeds, communication distances, and the like are defined as uniform standards by version. As the performance of infrared data communication functions has been enhanced, the size of the entire module has become smaller and smaller due to downsizing.In the manufacturing process, strict dimensional accuracy is required and cost reduction is called for. I have.

【0003】そのため、この種の分野で鋭意研究・開発
に努めてきた本願発明者は、赤外線データ通信モジュー
ルの製造方法として優れた方法を新たに完成し、その製
造方法を本願とは別の出願によってすでに開示した。そ
の製造方法の概要について説明すると、まず第1の工程
では、基板の表面に赤外線LEDおよびフォトダイオー
ドの組を各組ごとに区画化して搭載するためのチップエ
リアを規則正しく並べた状態に設ける。このチップエリ
アとは、エリア内に赤外線LEDやフォトダイオード用
などのパッド部や電極などからなる配線パターンを有す
るのに加え、エリア境界付近に基板の厚み方向に貫通す
るスルーホールが設けられた一定区画の領域をいう。続
いて第2の工程では、上記チップエリア内の配線パター
ンと接続するようにして赤外線LEDやフォトダイオー
ドなどを搭載する。次いで第3の工程では、各チップエ
リアに搭載された赤外線LEDやフォトダイオードなど
を封止するものとして、基板の表面に樹脂成形用の金型
を用いて樹脂パッケージを形成する。この際、赤外線L
EDおよびフォトダイオードの組は、その2組以上が一
括して互いに共通する1つの樹脂パッケージにより封止
される。そして最終的には、赤外線LEDおよびフォト
ダイオードの2組を各組に分離させるように樹脂パッケ
ージと基板とが切断され、さらにシールド部品などを設
けて赤外線LEDおよびフォトダイオードの1組からな
る赤外線データ通信モジュールの単品が得られる。以上
の製造方法によれば、製造過程において赤外線LEDお
よびフォトダイオードの組を2組ごとにワンパッケージ
とすることにより、生産効率を高めて製造コストを低減
することができるのである。
[0003] Therefore, the inventor of the present invention, who has been diligently researching and developing in this kind of field, has completed a new excellent method as a method of manufacturing an infrared data communication module, and has described the manufacturing method in another application. Already disclosed by. The outline of the manufacturing method will be described. First, in a first step, a chip area for partitioning and mounting a set of an infrared LED and a photodiode for each set is provided on a surface of a substrate in a state of being regularly arranged. This chip area is a fixed area having a wiring pattern formed of pads and electrodes for infrared LEDs and photodiodes in the area, and a through hole penetrating in the thickness direction of the substrate near an area boundary. Refers to the area of the section. Subsequently, in a second step, an infrared LED, a photodiode, and the like are mounted so as to be connected to the wiring pattern in the chip area. Next, in a third step, a resin package is formed on a surface of the substrate by using a resin molding die as a device for sealing an infrared LED, a photodiode, and the like mounted on each chip area. At this time, the infrared L
Two or more sets of the ED and the photodiode are collectively sealed by one resin package common to each other. Finally, the resin package and the substrate are cut so that the two sets of the infrared LED and the photodiode are separated into each set, and further, a shielding part is provided to provide infrared data composed of one set of the infrared LED and the photodiode. A single communication module can be obtained. According to the above-described manufacturing method, the production efficiency can be increased and the production cost can be reduced by forming two sets of the infrared LED and the photodiode into one package in the production process.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ここで、上記第3の工
程において樹脂パッケージを形成する際、基板の表面に
は、樹脂パッケージの形状に応じたかたちの表面用の金
型が圧接される一方、基板の裏面には、樹脂パッケージ
を形成する必要がないため、平坦な押圧面を有する裏面
用の金型が圧接させられる。つまり、基板の表面側にお
いては、表面用の金型と基板との間に充填された樹脂が
固化して樹脂パッケージが形成される一方、基板の裏面
側には、裏面用の金型が基板の裏面全体に面して密着し
た状態とされる。
Here, when the resin package is formed in the third step, a surface mold in a shape corresponding to the shape of the resin package is pressed against the surface of the substrate. Since there is no need to form a resin package on the back surface of the substrate, a back mold having a flat pressing surface is pressed against the back surface. In other words, on the front surface side of the substrate, the resin filled between the front surface mold and the substrate is solidified to form a resin package, while on the back surface side of the substrate, the back surface mold is provided. Is in a state of being in close contact with the entire rear surface of the substrate.

【0005】ところが、基板の裏面には、スルーホール
の開口部に繋がる端子が形成されるのみであって、この
端子は極めて薄膜の導体といえども厚みを有するため、
基板の裏面にわずかな起伏を生じるので、基板に対する
裏面用の金型の密着性に問題があった。要するに、裏面
用の金型と基板との密着性が悪い状態では、基板の裏面
側におけるスルーホール付近の面圧が不十分となり、特
に裏面側の基板と金型に隙間が生じるおそれがある。こ
のようなおそれを抱えた状態で表面用の金型と基板との
間に樹脂を充填すると、基板の表面側にあるべき樹脂が
スルーホールを通じて基板の裏面側へと回り込んでしま
い、基板の裏面側に不要な樹脂が付着してしまうおそれ
があった。
However, on the back surface of the substrate, only a terminal connected to the opening of the through hole is formed, and since this terminal has a thickness even though it is an extremely thin conductor,
Since a slight undulation occurs on the back surface of the substrate, there is a problem in the adhesion of the back surface mold to the substrate. In short, when the adhesion between the backside mold and the substrate is poor, the surface pressure near the through hole on the backside of the substrate becomes insufficient, and there is a possibility that a gap may be generated between the backside substrate and the mold. When resin is filled between the front mold and the substrate in a state where there is such a fear, the resin that should be on the front surface of the substrate goes around the back surface of the substrate through through holes, and Unnecessary resin may adhere to the back surface side.

【0006】そこで、本願発明は、上記した事情のもと
で考え出されたものであって、金型を用いて基板の表面
に樹脂パッケージを形成する際、基板に対する金型の密
着性を高め、スルーホールを通じた基板の裏面側への樹
脂の回り込みを十分に防ぐことができる赤外線データ通
信モジュールの製造方法、および赤外線データ通信モジ
ュールを提供することをその課題とする。
Accordingly, the present invention was conceived under the circumstances described above, and when forming a resin package on the surface of a substrate using a mold, the adhesion of the mold to the substrate is improved. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an infrared data communication module and a method of manufacturing an infrared data communication module that can sufficiently prevent the resin from sneaking into the back surface of the substrate through the through hole.

【0007】[0007]

【発明の開示】上記課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
DISCLOSURE OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention employs the following technical means.

【0008】すなわち、本願発明の第1の側面により提
供される赤外線データ通信モジュールの製造方法は、基
板の表面に、発光素子および受光素子の組を各組ごとに
区画化して搭載するためのチップエリアを設けるととも
に、これらのチップエリアに上記基板の厚み方向に貫通
するスルーホールを設けておき、上記各チップエリアに
搭載された上記発光素子および受光素子を封止する際に
は、上記基板の表面に樹脂成形用の金型を用いて樹脂パ
ッケージを形成する、赤外線データ通信モジュールの製
造方法であって、上記基板の表面に上記樹脂パッケージ
を形成する前、上記基板の裏面にあって上記チップエリ
アと対極する各箇所には、そのチップエリアと同大のダ
ミーエリアを区画形成しておくことを特徴としている。
In other words, the method for manufacturing an infrared data communication module provided by the first aspect of the present invention provides a chip for mounting a set of light-emitting elements and light-receiving elements on a surface of a substrate by partitioning each set. Areas are provided and through holes are provided in these chip areas in the thickness direction of the substrate, and when the light emitting element and the light receiving element mounted on each of the chip areas are sealed, A method for manufacturing an infrared data communication module, wherein a resin package is formed using a resin molding die on the surface, wherein the chip is formed on the back surface of the substrate before the resin package is formed on the surface of the substrate. At each location opposite to the area, a dummy area of the same size as the chip area is formed.

【0009】上記技術的手段が講じられた本願発明の第
1の側面により提供される赤外線データ通信モジュール
の製造方法によれば、樹脂パッケージが形成されるべき
基板の表面におけるチップエリアに対し、基板の裏面に
は、上記チップエリアと同じ大きさで対極する箇所にダ
ミーエリアが設けられ、金型を用いて樹脂パッケージを
形成する際には、基板のチップエリアおよびダミーエリ
アとして設けられた部分が他の部分よりも厚手となって
金型により強く押圧される。したがって、基板のチップ
エリアおよびダミーエリアが設けられた部分には、金型
により付与される面圧が十分とされ、たとえ基板の表面
側からスルーホール内に樹脂が流れ込んでも、基板の裏
面側においては、スルーホール付近を含むダミーエリア
全体が金型に強く密着するので、スルーホールを通じた
基板の裏面側への樹脂の回り込みを十分に防ぐことがで
きる。
According to the method for manufacturing an infrared data communication module provided by the first aspect of the present invention in which the above technical means are employed, the substrate is provided with a chip area on the surface of the substrate on which the resin package is to be formed. A dummy area is provided on the back surface of the same size as the above-mentioned chip area at a location opposite to the chip area, and when a resin package is formed using a mold, portions provided as a chip area and a dummy area of the substrate are provided. It is thicker than the other parts and is strongly pressed by the mold. Therefore, the surface pressure applied by the mold is sufficient in the portion where the chip area and the dummy area are provided on the substrate, and even if the resin flows into the through hole from the front surface side of the substrate, the resin is applied to the back surface side of the substrate. Since the entire dummy area including the vicinity of the through hole strongly adheres to the mold, it is possible to sufficiently prevent the resin from sneaking into the back surface of the substrate through the through hole.

【0010】上記第1の側面に係る赤外線データ通信モ
ジュールの製造方法の好ましい実施の形態としては、上
記チップエリア内には、配線パターンが形成されるとと
もに、上記ダミーエリア内には、上記配線パターンに対
極しつつ、その配線パターンの全体的形状に対応したダ
ミーパターンを形成しておく構成とすることができる。
In a preferred embodiment of the method for manufacturing an infrared data communication module according to the first aspect, a wiring pattern is formed in the chip area, and the wiring pattern is formed in the dummy area. , A dummy pattern corresponding to the overall shape of the wiring pattern may be formed.

【0011】このような構成によれば、基板の表面側に
おけるチップエリアには、部分的に厚みを有して配線パ
ターンが設けられる一方、基板の裏面側におけるダミー
エリアには、上記配線パターンに対応して部分的に厚み
を有するダミーパターンが設けられるので、基板のチッ
プエリアおよびダミーエリアが設けられた部分がわずか
ながらも全体的に厚手とされ、そのような厚手の部分に
おける面圧が十分高められることから、基板と金型との
密着性がより良好に保たれるとともに、スルーホールを
通じた基板の裏面側への樹脂の回り込みを確実に防ぐこ
とができる。
According to such a configuration, the chip area on the front surface side of the substrate is provided with a wiring pattern having a certain thickness, while the dummy area on the rear surface side of the substrate is provided with the wiring pattern. Since a dummy pattern having a partial thickness is provided correspondingly, the portion where the chip area and the dummy area are provided on the substrate is slightly thick overall, and the surface pressure in such a thick portion is sufficient. As a result, the adhesion between the substrate and the mold can be kept better, and the resin can be reliably prevented from flowing around the back surface of the substrate through the through holes.

【0012】他の好ましい実施の形態としては、上記ダ
ミーパターンは、上記スルーホールの下部周辺を含んで
上記ダミーエリアの外形を縁取る導体層と同等の厚みを
有する構成とすることができる。
In another preferred embodiment, the dummy pattern may have a thickness equal to a thickness of a conductor layer bordering the outer shape of the dummy area including the lower periphery of the through hole.

【0013】このような構成によれば、基板の裏面側
は、ダミーパターンを含むダミーエリアと、これを縁取
る導体層とによって全体的に平坦な面とされるので、樹
脂成形に際して基板の裏面側に平坦面を有する部材を密
着させた場合、スルーホール付近を含めて基板の裏面側
全体が均一に押圧され、スルーホールを通じた基板の裏
面側への樹脂の回り込みを確実に防ぐことができる。
According to this structure, the rear surface of the substrate is entirely flat by the dummy area including the dummy pattern and the conductor layer surrounding the dummy area. When a member having a flat surface is closely attached to the side, the entire back surface of the substrate including the vicinity of the through hole is uniformly pressed, and it is possible to reliably prevent the resin from flowing to the back surface of the substrate through the through hole. .

【0014】他の好ましい実施の形態としては、上記樹
脂パッケージを形成する際には、上記発光素子および受
光素子の組を2組以上一括にして、互いに共通する1つ
の樹脂パッケージにより封止する構成とすることができ
る。
In another preferred embodiment, when the resin package is formed, two or more sets of the light emitting element and the light receiving element are collectively sealed by one common resin package. It can be.

【0015】このような構成によれば、樹脂パッケージ
と基板とを切断する工程数を少なくし、赤外線データ通
信モジュールの生産効率を高めることができる。
According to such a configuration, the number of steps for cutting the resin package and the substrate can be reduced, and the production efficiency of the infrared data communication module can be increased.

【0016】本願発明の第2の側面により提供される赤
外線データ通信モジュールは、本願発明の第1の側面に
よって提供される赤外線データ通信モジュールの製造方
法により製造されたことを特徴としている。
The infrared data communication module provided by the second aspect of the present invention is characterized by being manufactured by the method for manufacturing an infrared data communication module provided by the first aspect of the present invention.

【0017】このような本願発明の第2の側面により提
供される赤外線データ通信モジュールによれば、上記第
1の側面によって得られるのと同様な効果を期待でき
る。
According to the infrared data communication module provided by the second aspect of the present invention, the same effect as that obtained by the first aspect can be expected.

【0018】本願発明のその他の特徴および利点につい
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。
Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of embodiments of the present invention.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照して具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

【0020】図1〜図12は、本願発明に係る赤外線デ
ータ通信モジュールの製造方法の一例を示す。赤外線デ
ータ通信モジュールを製造するには、まず図1および図
2に示すような基板1を用いる。図1は、基板1の表面
側を表した図であり、図2は、基板1の裏面側を表した
図である。この基板1は、たとえばガラスエポキシ樹脂
製であり、一定方向に延びる帯状または長矩形状を有し
ている。基板1の表面10aには、1つの赤外線データ
通信モジュールに必要とされる配線パターン(その一部
は図示略)70が各チップエリア19ごとに区切って形
成されている。この配線パターン70は、後述する発光
素子、受光素子、LSIチップを搭載するためのパッド
部や、電極端子部などを有したものであり、図1におい
ては、パッド部のみが示されている。チップエリア19
は、基板1の長手方向および幅方向のそれぞれに複数並
べて設けられている。このようなチップエリア19とし
て区画された長手方向境界付近には、基板1の厚み方向
に貫通するスルーホール7が一列に並んだ状態に設けら
れている。一方、基板1の裏面10bには、上記チップ
エリア19と対極するように、そのチップエリア19と
同じ大きさのダミーエリア21が形成されている。ダミ
ーエリア21内には、チップエリア19内における配線
パターン70の全体面積と同程度の大きさを有したダミ
ーパターン22が設けられている。そして、ダミーエリ
ア21の境界付近にも、基板1の厚み方向に貫通形成さ
れたスルーホール7が位置している。
1 to 12 show an example of a method for manufacturing an infrared data communication module according to the present invention. To manufacture an infrared data communication module, first, a substrate 1 as shown in FIGS. 1 and 2 is used. FIG. 1 is a diagram illustrating the front side of the substrate 1, and FIG. 2 is a diagram illustrating the rear side of the substrate 1. The substrate 1 is made of, for example, glass epoxy resin, and has a band shape or an elongated rectangular shape extending in a certain direction. On the front surface 10a of the substrate 1, a wiring pattern (a part of which is not shown) required for one infrared data communication module is formed for each chip area 19. The wiring pattern 70 has a pad portion for mounting a light emitting element, a light receiving element, and an LSI chip described later, an electrode terminal portion, and the like. FIG. 1 shows only the pad portion. Tip area 19
Are provided side by side in the longitudinal direction and the width direction of the substrate 1. In the vicinity of a longitudinal boundary defined as such a chip area 19, through holes 7 penetrating in the thickness direction of the substrate 1 are provided in a line. On the other hand, a dummy area 21 having the same size as the chip area 19 is formed on the back surface 10 b of the substrate 1 so as to be opposite to the chip area 19. In the dummy area 21, a dummy pattern 22 having the same size as the entire area of the wiring pattern 70 in the chip area 19 is provided. Also, near the boundary of the dummy area 21, a through hole 7 penetratingly formed in the thickness direction of the substrate 1 is located.

【0021】さらに図3および図4も参照して詳しく説
明すると、基板1の表面10aにおけるチップエリア1
9は、その表面10a全体に導体層10を薄膜形成した
後、チップエリア19に相当する矩形区画領域をエッチ
ング処理などで除去して形成されたものである。このエ
ッチング処理などの際、チップエリア19内には、配線
パターン70として必要な導体部分が残された状態とさ
れる。また、スルーホール7は、軸方向に沿う内壁部分
に導体膜7aを有するとともに、その導体膜7aが導体
層10に繋がったかたちとされている。一方、基板1の
裏面10bにおけるダミーエリア21は、上記チップエ
リア19と同様に、基板1の裏面10b全体に導体層2
0を薄膜形成した後、ダミーエリア20に相当する矩形
区画領域をエッチング処理などで除去して形成されたも
のである。このエッチング処理などの際、ダミーエリア
21内には、ダミーパターン22として必要な部分が残
された状態とされる。そして、スルーホール7は、その
内壁部分の導体膜7aが導体層20に繋がったかたちと
されている。つまり、基板1の表面10aには、チップ
エリア19の外形を縁取ってスルーホール7の上部周辺
にまで至る導体層10と、チップエリア19内の配線パ
ターン70とが、互いに同等の厚みを有して形成され
る。一方、基板1の裏面10bには、ダミーエリア21
の外形を縁取ってスルーホール7の下部周辺にまで至る
導体層20と、ダミーエリア21内のダミーパターン2
2とが、互いに同等の厚みを有して形成される。したが
って、基板1の裏面10b側は、ダミーパターン22を
含む多数のダミーエリア21と、これらを縁取る導体層
20とによって全体的に起伏の少ないほぼ平坦な面とさ
れる。なお、ダミーエリア21を設けた理由について
は、後述する。
3 and FIG. 4, the chip area 1 on the surface 10a of the substrate 1 will be described in detail.
Numeral 9 is formed by forming a thin film of the conductor layer 10 on the entire surface 10a, and then removing the rectangular partition area corresponding to the chip area 19 by etching or the like. At the time of this etching or the like, a conductor portion required as the wiring pattern 70 is left in the chip area 19. The through hole 7 has a conductor film 7 a on an inner wall portion along the axial direction, and the conductor film 7 a is connected to the conductor layer 10. On the other hand, like the chip area 19, the dummy area 21 on the back surface 10b of the substrate 1
0 is formed by forming a thin film, and then removing a rectangular section area corresponding to the dummy area 20 by an etching process or the like. At the time of this etching process or the like, a portion required as the dummy pattern 22 is left in the dummy area 21. The through hole 7 has a shape in which the conductor film 7 a on the inner wall portion is connected to the conductor layer 20. In other words, on the surface 10 a of the substrate 1, the conductor layer 10 that borders the outer shape of the chip area 19 and extends to the upper periphery of the through hole 7 and the wiring pattern 70 in the chip area 19 have the same thickness. Formed. On the other hand, on the back surface 10b of the substrate 1, a dummy area 21 is provided.
A conductor layer 20 which borders the outer shape of FIG.
2 are formed with the same thickness as each other. Therefore, the back surface 10b side of the substrate 1 is formed as a substantially flat surface with few undulations as a whole by the large number of dummy areas 21 including the dummy patterns 22 and the conductor layer 20 surrounding these. The reason for providing the dummy area 21 will be described later.

【0022】また、基板1には、その長手方向に間隔を
隔てて複数のスリット18が設けられており、これら複
数のスリット18は基板1の幅方向に延びている。これ
ら複数のスリット18は、後述するように基板1上に樹
脂パッケージを形成した際に、基板1がその長手方向に
反り変形することを防止するのに役立つ。
Further, the substrate 1 is provided with a plurality of slits 18 at intervals in the longitudinal direction, and these slits 18 extend in the width direction of the substrate 1. The plurality of slits 18 help prevent the substrate 1 from warping and deforming in the longitudinal direction when a resin package is formed on the substrate 1 as described later.

【0023】続いて基板1の表面10aにおける各チッ
プエリア19には、図5ないし図7によく表れているよ
うに、上記配線パターン70のパッド部に面して発光素
子2、受光素子3およびLSIチップ6が搭載される。
発光素子2は、たとえば赤外線発光ダイオードからな
る。受光素子3は、たとえば赤外線を感知可能なPIN
フォトダイオードからなる。LSIチップ6は、発光素
子2および受光素子3による赤外線の送受信動作を制御
するものであり、具体的には、変復調回路や波形整形回
路などが造り込まれたものである。さらに、発光素子
2、受光素子3およびLSIチップ6は、配線パターン
70の電極端子部に対してワイヤボンディングにより接
続される。このような発光素子2、受光素子3、および
LSIチップ6は、配線パターン70を介してスルーホ
ール7と電気的に接続された状態とされている。なお、
基板1の裏面10bにおいて各スルーホール7の導体膜
7aに繋がった導体層20の一部を端子71という。
Subsequently, in each chip area 19 on the surface 10a of the substrate 1, as shown in FIGS. 5 to 7, the light emitting element 2, the light receiving element 3 and the light receiving element 3 face the pad portion of the wiring pattern 70. The LSI chip 6 is mounted.
The light emitting element 2 is composed of, for example, an infrared light emitting diode. The light receiving element 3 is, for example, a PIN capable of sensing infrared rays.
It consists of a photodiode. The LSI chip 6 controls transmission and reception of infrared rays by the light emitting element 2 and the light receiving element 3, and specifically includes a modulation / demodulation circuit, a waveform shaping circuit, and the like. Further, the light emitting element 2, the light receiving element 3, and the LSI chip 6 are connected to the electrode terminals of the wiring pattern 70 by wire bonding. The light emitting element 2, the light receiving element 3, and the LSI chip 6 are electrically connected to the through hole 7 via the wiring pattern 70. In addition,
A part of the conductor layer 20 connected to the conductor film 7a of each through hole 7 on the back surface 10b of the substrate 1 is called a terminal 71.

【0024】次に、図8によく表れているように、基板
1の表面10a上には、複数の樹脂パッケージ4を形成
する。各樹脂パッケージ4は、たとえば顔料を含んだエ
ポキシ樹脂からなり、可視光に対しては透光性を有しな
い反面、赤外線については十分良好に透過させるように
なっている。各樹脂パッケージ4には、1つのエリア1
9上の1組の電子部品群のみを封止するのではなく、基
板1の長手方向において互いに隣り合う2つのチップエ
リア19上の組の電子部品群、すなわち2つずつの発光
素子2、受光素子3、LSIチップ6およびそれらの周
辺領域を一括して封止するように形成されている。した
がって、基板1の表面10a上にたとえば8つのチップ
エリア19が並んで設けられている場合には、その方向
に計4つの樹脂パッケージ4が並べて形成されることと
なり、それら4つの樹脂パッケージ4の各間の隙間92
は、合計3箇所となる。
Next, as shown in FIG. 8, a plurality of resin packages 4 are formed on the surface 10a of the substrate 1. Each resin package 4 is made of, for example, an epoxy resin containing a pigment, and does not transmit visible light, but transmits infrared light sufficiently well. Each resin package 4 has one area 1
9 are not sealed, but a set of electronic components on two chip areas 19 adjacent to each other in the longitudinal direction of the substrate 1, that is, two light emitting elements 2 and two light receiving elements The element 3, the LSI chip 6, and their peripheral regions are formed so as to be collectively sealed. Therefore, when, for example, eight chip areas 19 are provided side by side on the surface 10a of the substrate 1, a total of four resin packages 4 are formed side by side in that direction. Gap 92 between each
Are three places in total.

【0025】このように、上記した樹脂パッケージ4の
形成工程によれば、1つのチップエリア19の電子部品
群ごとに独立して樹脂パッケージを形成する場合と比較
すると、隙間92の総数を少なくすることができる。こ
のため、本実施形態においては、基板1上の無駄なスペ
ースを少なくし、基板1の長手方向における赤外線デー
タ通信モジュールの取り数を増加させることが可能とな
る。また、基板1の長手方向おいて、隙間92が適当数
設けられていれば、基板1の表面10aのみに樹脂パッ
ケージ4が密着して設けられたことに起因して基板1が
その長手方向に反り変形することを適切に防止し、また
は抑制する効果が得られることとなる。
As described above, according to the process of forming the resin package 4, the total number of the gaps 92 is reduced as compared with the case where the resin package is formed independently for each electronic component group in one chip area 19. be able to. Therefore, in the present embodiment, it is possible to reduce a useless space on the board 1 and increase the number of infrared data communication modules in the longitudinal direction of the board 1. If an appropriate number of gaps 92 are provided in the longitudinal direction of the substrate 1, the substrate 1 is moved in the longitudinal direction due to the resin package 4 being provided in close contact with only the surface 10 a of the substrate 1. The effect of appropriately preventing or suppressing warping deformation can be obtained.

【0026】一方、基板1の幅方向においては、1つの
チップエリア19に1つの樹脂パッケージ4が対応する
ように、複数の樹脂パッケージ4を形成する。このた
め、基板1の幅方向においても、複数の樹脂パッケージ
4どうしの間の隙間93が適当数設けられることとな
る。このようにすれば、基板1上に樹脂パッケージ4を
設けたことに起因して基板1がその幅方向に反り変形す
ることも適切に防止し、または抑制することができるこ
ととなる。
On the other hand, in the width direction of the substrate 1, a plurality of resin packages 4 are formed so that one chip area 19 corresponds to one resin package 4. Therefore, an appropriate number of gaps 93 are provided between the plurality of resin packages 4 also in the width direction of the substrate 1. This makes it possible to appropriately prevent or suppress the substrate 1 from being warped and deformed in the width direction due to the provision of the resin package 4 on the substrate 1.

【0027】このような各樹脂パッケージ4は、図9に
よく表れているように、表面用および裏面用の金型P
1,P2を用いてたとえばトランスファモールド法によ
り成形することができ、たとえば次のように形成する。
すなわち、表面用の金型P1には、樹脂パッケージ4の
形状に応じたキャビティ部4aを有するものが用いられ
るが、裏面用の金型P2には、基板1の裏面10b側に
面して平坦な押圧面P2aを有するものが用いられる。
表面用の金型P1におけるキャビティ部4aは、そのう
ちの基板1の幅方向に沿う各列がゲート(図示略)を介
して空間を共有するように繋げられている。そして、表
面用の金型P1は、各キャビティ部4aがチップエリア
19の2つ分を包囲するように、基板1の表面10a上
において正確に位置合わせされる。一方、裏面側の金型
P2は、基板1の裏面10b全体に面して単に押圧する
だけである。このようにして両金型P1,P2の間にお
いては、基板1が両金型P1,P2によって押圧保持さ
れた状態とされ、ライナー4bを通じてキャビティ部4
a内に樹脂を注入した後、樹脂が硬化してから両金型P
1,P2を開くことにより図8に示す成形品を得る。
As shown in FIG. 9, each of the resin packages 4 has a mold P for the front surface and the back surface.
For example, it can be formed by transfer molding using P1, P2, and formed, for example, as follows.
That is, a mold having a cavity 4a corresponding to the shape of the resin package 4 is used for the front mold P1, but a mold P2 for the back is flat facing the back 10b side of the substrate 1. What has the pressing surface P2a is used.
The cavities 4a in the front surface mold P1 are connected so that the respective rows along the width direction of the substrate 1 share a space via a gate (not shown). Then, the surface mold P1 is accurately positioned on the surface 10a of the substrate 1 such that each cavity 4a surrounds two chip areas 19. On the other hand, the mold P2 on the back side simply faces the entire back side 10b of the substrate 1 and is simply pressed. In this way, between the two dies P1 and P2, the substrate 1 is pressed and held by the two dies P1 and P2, and the cavity 4 is formed through the liner 4b.
After the resin is injected into a, the two molds P
By opening 1, P2, a molded product shown in FIG. 8 is obtained.

【0028】このような樹脂パッケージ4の成形の際、
チップエリア19上にある樹脂は、図10によく表れて
いるように、スルーホール7を通じて基板1の裏面10
b側に回り込む可能性が考えられる。しかしながら、基
板1の裏面10b側におけるスルーホール7の近傍に
は、導体層20や端子71に加えてそれらと同じ厚みを
有するダミーパターン22により、できる限り起伏の少
ない平坦な面が形成されている。したがって、両金型P
1,P2が基板1を押圧する状態では、基板1の表裏両
面10a,10bに向けて均一に押圧力が作用するとと
もに、チップエリア19とダミーエリア21との重なる
部分の面圧が十分高められる。特に、裏面用の金型P2
の押圧面P2aは、基板1の裏面10b上におけるスル
ーホール7付近を含む導体層20、端子71、ならびに
ダミーパターン22と隙間なくぴったりと密着した状態
とされる。要するに、スルーホール7は、基板1の裏面
10bにおいて金型P2の平坦な押圧面P2aにより確
実に塞がれ、たとえ基板1の表面10a側からスルーホ
ール7内に樹脂が流れ込んでも、裏面10b側において
は、スルーホール7外に樹脂が溢れることなく樹脂の回
り込みが防止されるのである。
When molding such a resin package 4,
As shown in FIG. 10, the resin on the chip area 19 passes through the through hole 7 and
It is conceivable that there is a possibility of wraparound to the b side. However, in the vicinity of the through hole 7 on the back surface 10b side of the substrate 1, a flat surface with as little undulation as possible is formed by the dummy pattern 22 having the same thickness as the conductor layer 20 and the terminals 71 in addition to the conductor layer 20 and the terminals 71. . Therefore, both molds P
In the state where the substrate 1 and the substrate P2 press the substrate 1, the pressing force acts uniformly on the front and back surfaces 10a and 10b of the substrate 1, and the surface pressure of the overlapping portion between the chip area 19 and the dummy area 21 is sufficiently increased. . In particular, the mold P2 for the back side
The pressing surface P2a is in close contact with the conductor layer 20 including the vicinity of the through hole 7 on the back surface 10b of the substrate 1, the terminal 71, and the dummy pattern 22 without any gap. In short, the through hole 7 is reliably closed by the flat pressing surface P2a of the mold P2 on the back surface 10b of the substrate 1, and even if the resin flows into the through hole 7 from the front surface 10a side of the substrate 1, the back surface 10b side In this case, the resin does not overflow to the outside of the through-hole 7, thereby preventing the resin from flowing around.

【0029】こうして成形された各樹脂パッケージ4
は、図10および図11によく表れているように、基板
1の表面10aから上方に起立した複数の側面40と、
これら複数の側面40の上端42に繋がった天井面41
とを有している。複数の側面40は、表面用の金型P1
におけるキャビティ部4aに抜き勾配が設けられている
ことに起因してそれらのいずれもが傾斜面となってい
る。天井面41は、発光素子2および受光素子3の上方
に位置しており、この天井面41には、その一部分を上
向きの半球状に膨出させた一対のレンズ43a,43b
が設けられている。これら一対のレンズ43a,43b
は、発光素子2の発光特性および受光素子3の受光特性
に指向性を付与するためのものである。なお、図10に
よく表れているように、各スルーホール7内には、その
開口部を適当なレジスト膜(図示略)によって塞ぐこと
により通常は樹脂が流入しない形態とされる。そうした
形態でもレジスト膜が高温の樹脂とともに溶融する場合
などがあり、そうすると基板1の裏面10b側にスルー
ホール7を通じて樹脂が回り込もうとする。しかしなが
ら、スルーホール7の開口部は、裏面用の金型P2の押
圧面P2aが密着することで確実に塞がれていることか
ら、基板1の裏面10b側に樹脂が付着することはな
い。
Each resin package 4 thus molded
10 and 11, a plurality of side surfaces 40 rising upward from the surface 10a of the substrate 1,
The ceiling surface 41 connected to the upper end 42 of the plurality of side surfaces 40
And The plurality of side surfaces 40 are provided in the surface mold P1.
All of them are inclined surfaces due to the draft angle provided in the cavity portion 4a. The ceiling surface 41 is located above the light emitting element 2 and the light receiving element 3. The ceiling surface 41 has a pair of lenses 43a and 43b, each of which is partly bulged upward.
Is provided. These pair of lenses 43a, 43b
Is for imparting directivity to the light emitting characteristics of the light emitting element 2 and the light receiving characteristics of the light receiving element 3. As shown in FIG. 10, the openings are closed by a suitable resist film (not shown) in each through-hole 7, so that the resin does not normally flow into the through-hole. Even in such a form, the resist film may be melted together with the high-temperature resin, and then the resin tends to flow around the back surface 10 b of the substrate 1 through the through hole 7. However, since the opening of the through hole 7 is securely closed by the close contact of the pressing surface P2a of the mold P2 for the back surface, the resin does not adhere to the back surface 10b side of the substrate 1.

【0030】上記樹脂パッケージ4を形成した後には、
基板1の切断作業を行う。ただし、その際には、樹脂パ
ッケージ4の切断作業をも併せて行う。より具体的に
は、図12の仮想線La〜Ldで示す位置において、基
板1および樹脂パッケージ4を切断する。仮想線Laで
示す位置を切断する第1の切断工程は、樹脂パッケージ
4の天井面41を、レンズ43a,43bの基部45
(本実施形態において、基部45は、天井面41の平坦
な部分とレンズ43a,43bとの境界部分を意味す
る)または近傍において切断するようにして、樹脂パッ
ケージ4および基板1をそれらの厚み方向に切断する工
程である。その切断箇所は、側面40の上端42よりも
適当な寸法Saだけ樹脂パッケージ4の幅方向内方寄り
である。この切断作業は、後述する所定の厚みを有する
駆動回転可能なブレード5を用いて行うことが可能であ
り、そのブレード5の一側面を仮想線Laに沿わせて移
動させて行う。なお、スルーホール7は、仮想線La上
に位置するように設けられており、上記第1の切断工程
は、スルーホール7を分割するようにして行う。
After the resin package 4 is formed,
The substrate 1 is cut. However, in this case, the cutting operation of the resin package 4 is also performed. More specifically, the substrate 1 and the resin package 4 are cut at positions indicated by virtual lines La to Ld in FIG. In a first cutting step for cutting the position indicated by the virtual line La, the ceiling surface 41 of the resin package 4 is attached to the base 45 of the lenses 43a and 43b.
(In the present embodiment, the base portion 45 means a boundary portion between the flat portion of the ceiling surface 41 and the lenses 43a and 43b) or in the vicinity thereof, so that the resin package 4 and the substrate 1 are cut in their thickness direction. This is the step of cutting into pieces. The cut portion is located closer to the widthwise inner side of the resin package 4 by an appropriate dimension Sa than the upper end 42 of the side surface 40. This cutting operation can be performed using a drive-rotatable blade 5 having a predetermined thickness, which will be described later, and is performed by moving one side surface of the blade 5 along a virtual line La. The through hole 7 is provided so as to be located on the virtual line La, and the first cutting step is performed so as to divide the through hole 7.

【0031】第2の切断工程は、樹脂パッケージ4の幅
方向中央部に相当する箇所を切断する工程であり、仮想
線Lb,Lcで示す位置を切断する。仮想線Lb,Lc
は、いずれもレンズ43a,43bの基部45またはそ
の近傍を通過するが、仮想線Lcはスルーホール7をも
通過する。ブレード5の厚みtは、2つの仮想線Lb,
Lcの間隔と同寸法である。したがって、この第2の切
断工程においては、1回の切断作業により、2つの仮想
線Lb,Lcの位置で樹脂パッケージ4および基板1を
切断することができる。第3の切断工程は、仮想線Ld
で示す位置を切断する工程であり、この工程は実質的に
は上記した第1の切断工程と同様である。基板1の長手
方向においては、以下上記と同様にして樹脂パッケージ
4および基板1をそれらの厚み方向に切断していく。
The second cutting step is a step of cutting a portion corresponding to the center of the resin package 4 in the width direction, and cuts the positions indicated by the imaginary lines Lb and Lc. Virtual lines Lb, Lc
Pass through or near the base 45 of the lenses 43a and 43b, but the imaginary line Lc also passes through the through hole 7. The thickness t of the blade 5 is determined by two imaginary lines Lb,
It is the same size as the interval of Lc. Therefore, in the second cutting step, the resin package 4 and the substrate 1 can be cut at the positions of the two virtual lines Lb and Lc by one cutting operation. In the third cutting step, the virtual line Ld
Is a step of cutting the position indicated by, and this step is substantially the same as the above-described first cutting step. In the longitudinal direction of the substrate 1, the resin package 4 and the substrate 1 are cut in the thickness direction in the same manner as described above.

【0032】基板1の切断作業は、基板1の幅方向にお
いても行う。この場合、たとえば図11に示す仮想線L
eの位置で樹脂パッケージ4および基板1を切断する。
この切断作業は、図12に示した仮想線La,Ldを切
断箇所とする切断工程と同様に、レンズ43aあるいは
43bの基部45またはその近傍において、樹脂パッケ
ージ4および基板1を切断する作業である。
The work of cutting the substrate 1 is also performed in the width direction of the substrate 1. In this case, for example, a virtual line L shown in FIG.
The resin package 4 and the substrate 1 are cut at the position e.
This cutting operation is an operation of cutting the resin package 4 and the substrate 1 at or near the base 45 of the lens 43a or 43b, similarly to the cutting step using the imaginary lines La and Ld shown in FIG. .

【0033】このような一連の作業工程によれば、図1
3〜図15に示す赤外線データ通信モジュールAが複数
個製造されることとなる。この赤外線データ通信モジュ
ールAは、矩形状に切断された基板1a上に、発光素子
2、受光素子3およびLSIチップ6のそれぞれが1つ
ずつ搭載され、かつこれらがその四方を切断された樹脂
パッケージ4aによって封止された構造となっている。
樹脂パッケージ4からは、基板1aに対して傾斜してい
た複数の側面40がいずれも除去されている。樹脂パッ
ケージ4aの複数の側面40aは、いずれも滑らかな平
面状の切断面であり、基板1aの切断面11と面一とな
っている。したがって、赤外線データ通信モジュールA
の複数の外面としては、切断面11と側面40aとが面
一状に繋がった2つずつの平面8A,8Bがある。各平
面8Aは、この赤外線データ通信モジュールAの長手方
向に延びており、各平面8Bはそれと直交する面であ
る。1つの平面8Aには、複数のスルーホール7が分割
されることによって形成された複数の凹部7Aが設けら
れており、複数の端子71に繋がったそれらの導体膜7
aが外部に露出した構造となっている。
According to such a series of working steps, FIG.
A plurality of infrared data communication modules A shown in FIGS. 3 to 15 will be manufactured. This infrared data communication module A is a resin package in which a light emitting element 2, a light receiving element 3, and an LSI chip 6 are mounted one by one on a substrate 1a cut into a rectangular shape, and these are cut on all sides. The structure is sealed by 4a.
From the resin package 4, all of the plurality of side surfaces 40 inclined with respect to the substrate 1a are removed. The plurality of side surfaces 40a of the resin package 4a are all smooth planar cut surfaces, and are flush with the cut surface 11 of the substrate 1a. Therefore, the infrared data communication module A
The plurality of outer surfaces include two flat surfaces 8A and 8B in which the cut surface 11 and the side surface 40a are connected in a plane. Each plane 8A extends in the longitudinal direction of the infrared data communication module A, and each plane 8B is a plane orthogonal to the plane. A plurality of recesses 7A formed by dividing the plurality of through holes 7 are provided in one plane 8A, and the conductor films 7 connected to the plurality of terminals 71 are provided.
a has a structure exposed to the outside.

【0034】上述した一連の作業工程によれば、図13
〜図15に示すような赤外線データ通信モジュールAの
単品を複数個製造できるが、特に樹脂パッケージ4を形
成する工程においては、基板1のチップエリア19およ
びダミーエリア21の部分に金型P1,P2による面圧
が十分付与される。したがって、基板1の裏面10b側
においては、スルーホール7付近の端子71とともにダ
ミーパターン22が形成されているダミーエリア21全
体に裏面用の金型P2が強く密着した状態とされ、スル
ーホール7を通じて基板1の裏面10b側へと樹脂が回
り込むことなく、基板1の表面10a側にのみ樹脂パッ
ケージ4aを有した赤外線データ通信モジュールAを得
ることができる。
According to the above series of working steps, FIG.
15 can be manufactured separately, but in particular, in the step of forming the resin package 4, the molds P1 and P2 are formed in the chip area 19 and the dummy area 21 of the substrate 1. Surface pressure is sufficiently applied. Therefore, on the back surface 10 b side of the substrate 1, the back surface mold P <b> 2 is brought into tight contact with the terminal 71 near the through hole 7 and the entire dummy area 21 where the dummy pattern 22 is formed. The infrared data communication module A having the resin package 4a only on the front surface 10a side of the substrate 1 can be obtained without the resin wrapping around the back surface 10b side of the substrate 1.

【0035】なお、本願発明は、上述の実施形態に限定
されるものではない。
The present invention is not limited to the above embodiment.

【0036】たとえば、樹脂パッケージ4を形成して発
光素子2や受光素子3を封止する場合には、必ずしもそ
れらを2組にして一括封止させる必要もない。たとえ
ば、3組あるいはそれ以上の組数の発光素子および受光
素子を一括して封止するようにしてもかまわない。本願
発明においては、1つの樹脂パッケージによって封止さ
れる発光素子および受光素子の組合せ数を増やすほど、
複数の樹脂パッケージの相互間に形成される隙間の数を
減らすことができ、1つの成形品から取り出される赤外
線データ通信モジュールの単品数を増加させることが可
能である。
For example, when the resin package 4 is formed to seal the light-emitting element 2 and the light-receiving element 3, it is not always necessary to form two sets of them and collectively seal them. For example, three or more sets of light emitting elements and light receiving elements may be collectively sealed. In the present invention, as the number of combinations of the light emitting element and the light receiving element sealed by one resin package is increased,
The number of gaps formed between a plurality of resin packages can be reduced, and the number of single infrared data communication modules taken out from one molded product can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本願発明にかかる赤外線データ通信モジュール
の製造方法に用いられる基板の表面側を示す斜視図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view showing a front side of a substrate used in a method of manufacturing an infrared data communication module according to the present invention.

【図2】図1に示す基板の裏面側を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the back side of the substrate shown in FIG. 1;

【図3】図1のII−II断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line II-II of FIG.

【図4】図1のIII−III断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line III-III of FIG. 1;

【図5】図1に示す基板上に電子部品群を搭載した状態
を示す斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing a state where an electronic component group is mounted on the substrate shown in FIG. 1;

【図6】図5のIV−IV断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line IV-IV of FIG. 5;

【図7】図5のV−V断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along line VV of FIG. 5;

【図8】図5に示す基板上に樹脂パッケージを形成した
状態を示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view showing a state in which a resin package is formed on the substrate shown in FIG.

【図9】図8に示す成形品を金型を用いて成形する際の
状態を示した斜視図である。
9 is a perspective view showing a state when the molded article shown in FIG. 8 is molded using a mold.

【図10】図8のVI−VI断面図である。FIG. 10 is a sectional view taken along line VI-VI of FIG. 8;

【図11】図8のVII−VII断面図である。11 is a sectional view taken along line VII-VII of FIG.

【図12】樹脂パッケージおよび基板の切断工程を示す
断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a cutting step of the resin package and the substrate.

【図13】本願発明にかかる製造方法を経て製作された
赤外線データ通信モジュールの一例を示す断面図であ
る。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing an example of an infrared data communication module manufactured through a manufacturing method according to the present invention.

【図14】図13のIX−IX断面図である。FIG. 14 is a sectional view taken along line IX-IX of FIG.

【図15】図13の左側面図である。FIG. 15 is a left side view of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A 赤外線データ通信モジュール P1 金型(表面用の) P2 金型(裏面用の) 1,1a 基板 2 発光素子 3 受光素子 4,4a 樹脂パッケージ 6 LSIチップ 10 導体層 19 チップエリア 20 導体層 21 ダミーエリア 22 ダミーパターン 70 配線パターン A Infrared data communication module P1 Mold (for front surface) P2 Mold (for back surface) 1,1a Substrate 2 Light emitting element 3 Light receiving element 4,4a Resin package 6 LSI chip 10 Conductive layer 19 Chip area 20 Conductive layer 21 Dummy Area 22 Dummy pattern 70 Wiring pattern

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の表面に、発光素子および受光素子
の組を各組ごとに区画化して搭載するためのチップエリ
アを設けるとともに、これらのチップエリアに上記基板
の厚み方向に貫通するスルーホールを設けておき、上記
各チップエリアに搭載された上記発光素子および受光素
子を封止する際には、上記基板の表面に樹脂成形用の金
型を用いて樹脂パッケージを形成する、赤外線データ通
信モジュールの製造方法であって、 上記基板の表面に上記樹脂パッケージを形成する前、上
記基板の裏面にあって上記チップエリアと対極する各箇
所には、そのチップエリアと同大のダミーエリアを区画
形成しておくことを特徴とする、赤外線データ通信モジ
ュールの製造方法。
1. A chip area for mounting a set of a light emitting element and a light receiving element by partitioning each set on a surface of a substrate, and a through hole penetrating through the chip area in a thickness direction of the substrate. When encapsulating the light emitting element and the light receiving element mounted on each of the chip areas, a resin package is formed on a surface of the substrate using a resin molding die. In a method for manufacturing a module, before forming the resin package on the front surface of the substrate, a dummy area of the same size as the chip area is defined at each location on the back surface of the substrate opposite to the chip area. A method of manufacturing an infrared data communication module, characterized in that the module is formed.
【請求項2】 上記チップエリア内には、配線パターン
が形成されるとともに、上記ダミーエリア内には、上記
配線パターンに対極しつつ、その配線パターンの全体的
形状に対応したダミーパターンを形成しておく、請求項
1に記載の赤外線データ通信モジュールの製造方法。
2. A wiring pattern is formed in the chip area, and a dummy pattern corresponding to the overall shape of the wiring pattern is formed in the dummy area while being opposite to the wiring pattern. The method for manufacturing an infrared data communication module according to claim 1.
【請求項3】 上記ダミーパターンは、上記スルーホー
ルの下部周辺を含んで上記ダミーエリアの外形を縁取る
導体層と同等の厚みを有する、請求項2に記載の赤外線
データ通信モジュールの製造方法。
3. The method of manufacturing an infrared data communication module according to claim 2, wherein said dummy pattern has a thickness equal to a thickness of a conductor layer bordering an outline of said dummy area including a lower periphery of said through hole.
【請求項4】 上記樹脂パッケージを形成する際には、
上記発光素子および受光素子の組を2組以上一括にし
て、互いに共通する1つの樹脂パッケージにより封止す
る、請求項1ないし3のいずれかに記載の赤外線データ
通信モジュールの製造方法。
4. When forming the resin package,
4. The method of manufacturing an infrared data communication module according to claim 1, wherein two or more sets of the light emitting element and the light receiving element are collectively sealed with one common resin package.
【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかに記載の赤
外線データ通信モジュールの製造方法により製造された
ことを特徴とする、赤外線データ通信モジュール。
5. An infrared data communication module manufactured by the method for manufacturing an infrared data communication module according to claim 1. Description:
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