JP2001144246A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係
り、特に、半導体チップ内で生じる電源ノイズなどを抑
制するためのフィルタ回路素子実装端子をパッケージ本
体に有する半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a semiconductor device having a filter circuit element mounting terminal for suppressing power supply noise or the like generated in a semiconductor chip in a package body.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置、例えば、LSIには、高速
でスイッチング動作する電源部が設けられているものが
ある。この種のLSIにおいては、高速スイッチング動
作に伴って発生する電源ノイズを低減するために、通
常、インダクタ素子とコンデンサ素子でフィルタ回路を
構成し、これらフィルタ回路素子を電源部に実装するこ
とが行なわれている。2. Description of the Related Art Some semiconductor devices, for example, LSIs, are provided with a power supply unit which performs high-speed switching operation. In this type of LSI, a filter circuit is usually configured with an inductor element and a capacitor element in order to reduce power supply noise generated by high-speed switching operation, and these filter circuit elements are mounted on a power supply unit. Have been.
【0003】プリント基板にフィルタ回路を構成する場
合、例えば、特開平9−139573号公報、特開平9
−326451号公報に記載されているように、プリン
ト基板にインダクタ素子を直接実装する代わりに、プリ
ント基板の電源層に螺旋状やつづら折り状などのパター
ンを形成することでインダクタンスを得ているものがあ
る。[0003] When a filter circuit is formed on a printed circuit board, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Hei 9-139573 and Hei 9
As described in JP-A-326451, instead of directly mounting an inductor element on a printed circuit board, one that obtains inductance by forming a spiral or serpentine pattern on a power supply layer of the printed circuit board is known. is there.
【0004】また、パッケージ内にフィルタ回路を構成
する場合、パッケージ内にパターンでインダクタンスを
得る方法や、特開平9−326451号公報に記載され
ているように、複数の電源ピンに直接インダクタ素子や
コンデンサ素子をそれぞれ実装する構成を採用したもの
が提案されている。Further, when a filter circuit is formed in a package, a method of obtaining an inductance by a pattern in the package, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-326451, an inductor element or a direct There has been proposed a configuration employing a configuration in which capacitor elements are mounted.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、プリン
ト基板またはパッケージ内にフィルタ回路を構成する場
合、インダクタ素子を、プリント基板やパッケージ内に
パターンで形成しているため、基板の電源層にインダク
タ素子用のパターンを形成するために余分なスペースを
確保しなければならず、フィルタ回路素子を高密度に実
装することが困難である。さらに形成されたインダクタ
のパターンに近接して導体層がある場合、インダクタ用
パターンと導体層との間の相互インダクタンスの影響を
受けて、インダクタ用パターンとして大きなインダクタ
ンスを得ることが難しく、電源ノイズを十分に低減する
ことが困難になる。According to the prior art, when a filter circuit is formed in a printed circuit board or a package, the inductor element is formed in a pattern in the printed circuit board or the package. An extra space must be secured for forming a pattern for the element, and it is difficult to mount the filter circuit element at high density. Furthermore, if there is a conductor layer close to the formed inductor pattern, it is difficult to obtain a large inductance as the inductor pattern due to the influence of the mutual inductance between the inductor pattern and the conductor layer, which reduces power supply noise. It is difficult to sufficiently reduce it.
【0006】一方、パッケージ内にインダクタ素子やコ
ンデンサ素子を直接実装する場合、複数の電源ピンにそ
れぞれインダクタ素子やコンデンサ素子を実装しなけれ
ばならず、BGA(Ball Grid Array)
やPGA(Pin GridArray)パッケージで
は、そのサイズが数cmのオーダとなり、複数のインダ
クタ素子やコンデンサ素子を実装するためのスペースを
確保することが困難となる。また、半導体チップに複数
の電源部が設けられている場合、各電源部の電源ピン
(電源ライン用のピンと接地ライン用のピン)にそれぞ
れインダクタ素子とコンデンサ素子を実装するので、部
品点数が増え製造コストが高くなる。さらに、インダク
タ素子やコンデンサ素子を絶縁性の樹脂などでパッケー
ジ内に完全にモールドしているので、後で素子を交換す
ることができない。On the other hand, when an inductor element or a capacitor element is directly mounted in a package, an inductor element or a capacitor element must be mounted on each of a plurality of power supply pins, resulting in a BGA (Ball Grid Array).
In a PGA (Pin Grid Array) package, the size is on the order of several centimeters, and it is difficult to secure a space for mounting a plurality of inductor elements and capacitor elements. In addition, when a semiconductor chip is provided with a plurality of power supply units, an inductor element and a capacitor element are mounted on power supply pins (a power supply line pin and a ground line pin) of each power supply unit. Manufacturing costs increase. Further, since the inductor element and the capacitor element are completely molded in the package with an insulating resin or the like, the element cannot be replaced later.
【0007】本発明の目的は、ノイズ除去用フィルタ回
路素子を高密度に実装することができる半導体装置を提
供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of mounting a noise removing filter circuit element at a high density.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、半導体チップが実装されたチップ層と、
前記半導体チップの電源部のうち接地ラインに接続され
たグラウンド層と、前記半導体チップの電源部のうち前
記接地ラインとは異なる電位を示す電源ラインに接続さ
れて前記半導体チップに電流を供給する電源層とを備
え、前記半導体チップと前記グラウンド層および電源層
が互いに絶縁物質を間にしてパッケージに収納され、前
記パッケージの実装面のうち前記半導体チップを臨むチ
ップ対応領域に、前記電源層に接続されたフィルタ回路
素子実装端子と前記グラウンド層に接続されたフィルタ
回路素子実装端子とが配置され、前記チップ対応領域と
は異なる領域に前記半導体チップに接続された外部接続
用端子が配置されてなる半導体装置を構成したものであ
る。In order to achieve the above object, the present invention provides a chip layer on which a semiconductor chip is mounted,
A ground layer connected to a ground line in a power supply unit of the semiconductor chip, and a power supply connected to a power supply line having a different potential from the ground line in the power supply unit of the semiconductor chip to supply current to the semiconductor chip Wherein the semiconductor chip, the ground layer, and the power supply layer are housed in a package with an insulating material interposed therebetween, and are connected to the power supply layer in a chip-corresponding region of the package mounting surface facing the semiconductor chip. And a filter circuit element mounting terminal connected to the ground layer are arranged, and an external connection terminal connected to the semiconductor chip is arranged in a region different from the chip corresponding region. This constitutes a semiconductor device.
【0009】前記半導体装置を構成するに際しては、電
源層に接続されたフィルタ回路素子実装端子として、第
1のコンデンサ素子実装端子および複数のインダクタ素
子実装端子を配置し、グラウンド層に接続されたフィル
タ回路素子実装端子として、第2のコンデンサ素子実装
端子を配置することができる。In configuring the semiconductor device, a first capacitor element mounting terminal and a plurality of inductor element mounting terminals are arranged as filter circuit element mounting terminals connected to a power supply layer, and a filter connected to a ground layer is provided. A second capacitor element mounting terminal can be disposed as a circuit element mounting terminal.
【0010】前記各半導体装置を構成するに際しては、
以下の要素を付加することができる。In constructing each of the semiconductor devices,
The following elements can be added:
【0011】(1)前記電源層は複数の領域に分離さ
れ、前記電源層の一方の領域に前記複数のインダクタ素
子実装端子のうち一方のインダクタ素子実装端子が接続
され、前記電源層の他方の領域に前記複数のインダクタ
素子実装端子のうち他方のインダクタ素子実装端子と前
記第1のコンデンサ素子実装端子が接続されてなる。(1) The power supply layer is divided into a plurality of regions, one of the plurality of inductor element mounting terminals is connected to one of the regions of the power supply layer, and the other of the power supply layers is connected to one of the plurality of inductor element mounting terminals. The other one of the plurality of inductor element mounting terminals and the first capacitor element mounting terminal are connected to the region.
【0012】(2)前記第1のコンデンサ素子実装端子
と前記第2のコンデンサ素子実装端子はコンデンサ素子
を複数個並列に実装可能な端子構造である。(2) The first capacitor element mounting terminal and the second capacitor element mounting terminal have a terminal structure capable of mounting a plurality of capacitor elements in parallel.
【0013】前記した手段によれば、パッケージの実装
面のうち半導体チップを臨むチップ対応領域に、電源層
に接続されたフィルタ回路素子実装端子とグラウンド層
に接続されたフィルタ回路素子実装端子を配置し、チッ
プ対応領域とは異なる領域に半導体チップに接続された
外部接続用端子を配置し、外部接続用端子が配置される
領域を除いたチップ対応領域をフィルタ回路素子実装端
子の配置領域として用いているため、フィルタ回路素子
実装端子にフィルタ回路素子、例えば、コンデンサ素子
やインダクタ素子を接続することで、フィルタ回路素子
を実装することができ、ノイズ除去用フィルタ回路素子
を高密度に実装することができる。According to the above-described means, the filter circuit element mounting terminal connected to the power supply layer and the filter circuit element mounting terminal connected to the ground layer are arranged in the chip corresponding area facing the semiconductor chip on the mounting surface of the package. Then, an external connection terminal connected to the semiconductor chip is arranged in a region different from the chip corresponding region, and the chip corresponding region excluding the region where the external connection terminal is arranged is used as an arrangement region of the filter circuit element mounting terminal. Therefore, by connecting a filter circuit element, for example, a capacitor element or an inductor element, to the filter circuit element mounting terminal, the filter circuit element can be mounted, and the noise removal filter circuit element can be mounted at a high density. Can be.
【0014】また、パッケージの実装面(裏面)に露出
されたフィルタ回路素子実装端子にコンデンサ素子やイ
ンダクタ素子を実装することができるため、必要に応じ
てコンデンサ素子やインダクタ素子などのフィルタ回路
素子を交換することができる。Further, since the capacitor element and the inductor element can be mounted on the filter circuit element mounting terminal exposed on the package mounting surface (back surface), the filter circuit element such as the capacitor element and the inductor element can be mounted as necessary. Can be exchanged.
【0015】また、半導体チップに複数個の電源部が設
けられている場合でも、各電源部の電源ラインと接地ラ
インを共有することで、フィルタ回路素子としてのイン
ダクタ素子やコンデンサ素子の数を少なくすることがで
き、部品点数の低減および製造コストの低減を図ること
ができる。Further, even when a plurality of power supply sections are provided on the semiconductor chip, the number of inductor elements and capacitor elements as filter circuit elements can be reduced by sharing the power supply line and the ground line of each power supply section. It is possible to reduce the number of parts and the manufacturing cost.
【0016】さらに、コンデンサ素子実装端子に複数個
のコンデンサ素子を並列に実装することで、コンデンサ
の寄生インダクタンスを小さくすることができ、ノイズ
低減効果をさらに高めることができる。Further, by mounting a plurality of capacitor elements in parallel on the capacitor element mounting terminal, the parasitic inductance of the capacitor can be reduced, and the noise reduction effect can be further enhanced.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。図1は本発明の一実施形態を示す
半導体装置の裏面側から見た斜視図、図2は半導体装置
の分解斜視図である。図1および図2において、半導体
装置はグリッドアレイパッケージ10を備えており、グ
リッドアレイパッケージ10は、絶縁性の材料であるモ
ールド樹脂を用いてほぼ直方体形状に形成されている。
このグリッドアレイパッケージ10内には、半導体チッ
プ12、グラウンド層14、電源層16が互いに絶縁物
質を間にして収納されており、グリッドアレイパッケー
ジ10のプリント基板との実装面(裏面)は半導体チッ
プ12を臨むチップ対応領域18とそれ以外の領域20
とに分離されている。チップ対応領域18はほぼ正方形
形状に形成されており、このチップ対応領域18にはフ
ィルタ回路素子実装端子として、インダクタ素子実装端
子22、24、コンデンサ素子実装端子26、28が配
置されている。領域20には、プリント基板との接続用
端子となる外部接続用信号配線端子30、外部接続用グ
ラウンド端子30a、30d、外部接続用電源端子30
b、30cが複数個グリッドとしてマトリクス状に配置
されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention as viewed from the back side, and FIG. 2 is an exploded perspective view of the semiconductor device. 1 and 2, the semiconductor device includes a grid array package 10. The grid array package 10 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape using a mold resin that is an insulating material.
In this grid array package 10, a semiconductor chip 12, a ground layer 14, and a power supply layer 16 are housed with an insulating material therebetween, and the mounting surface (rear surface) of the grid array package 10 with a printed circuit board is a semiconductor chip. 12 corresponding to chip 12 and other area 20
And are separated into The chip-corresponding region 18 is formed in a substantially square shape. In this chip-corresponding region 18, inductor element mounting terminals 22 and 24 and capacitor element mounting terminals 26 and 28 are arranged as filter circuit element mounting terminals. The area 20 includes an external connection signal wiring terminal 30 serving as a connection terminal with the printed circuit board, external connection ground terminals 30a and 30d, and an external connection power supply terminal 30.
b and 30c are arranged in a matrix as a plurality of grids.
【0018】半導体チップ12は、信号配線32などと
ともにチップ層(図示省略)に実装されている。この半
導体チップ12は複数の電源部を備えており、各電源部
のうちグラウンド層14に対してプラスの電位を示す電
源ライン34、36はグラウンド層14のホールH1、
H2を通過して電源層16の内側の領域16aに接続さ
れている。また電源部のうち接地ライン38、40はグ
ラウンド層14に接続されている。さらに各信号配線3
2はグラウンド層14の信号配線用ホールH0と電源層
16の信号配線用ホールh0を通過して外部接続用信号
配線端子30に接続されている。The semiconductor chip 12 is mounted on a chip layer (not shown) together with the signal wiring 32 and the like. The semiconductor chip 12 includes a plurality of power supply units. Of the power supply units, power supply lines 34 and 36 indicating a positive potential with respect to the ground layer 14 are provided with holes H1 in the ground layer 14,
It passes through H2 and is connected to the region 16a inside the power supply layer 16. The ground lines 38 and 40 of the power supply section are connected to the ground layer 14. Further, each signal wiring 3
2 is connected to the external connection signal wiring terminal 30 through the signal wiring hole H0 of the ground layer 14 and the signal wiring hole h0 of the power supply layer 16.
【0019】グラウンド層14は絶縁物質を間にしてチ
ップ層と電源層16との間に配置されており、このグラ
ウンド層14は配線が電源層16のホールh1、h2を
通過して外部接続用グラウンド端子30a、30dに接
続されている。電源層16はほぼ長方形形状の切欠き4
2を間にして内側の領域16aと外側の領域16bとに
分離されており、外側の領域16bが外部接続用電源端
子30b、30cに接続されている。外側の領域16b
の裏面側にはインダクタ素子実装端子22が固定され、
内側の領域16aにはインダクタ素子実装端子24、コ
ンデンサ素子実装端子(第1のコンデンサ素子実装端
子)26が固定されるようになっている。また外側の領
域16bには信号配線を挿通するためのホールhiが複
数個形成されているとともに、コンデンサ素子の端子を
挿通するためのホールh3が形成されている。すなわ
ち、コンデンサ素子実装端子(第2のコンデンサ素子実
装端子)28はグラウンド層14の裏面側に固定され、
コンデンサ素子の一方の端子がホールh3を介してコン
デンサ素子実装端子28に接続されるようになってい
る。The ground layer 14 is disposed between the chip layer and the power supply layer 16 with an insulating material interposed therebetween. The ground layer 14 is connected to the wiring through the holes h1 and h2 of the power supply layer 16 for external connection. It is connected to ground terminals 30a and 30d. The power supply layer 16 has a substantially rectangular notch 4
The area 2 is separated into an inner area 16a and an outer area 16b, and the outer area 16b is connected to external connection power terminals 30b and 30c. Outer area 16b
The inductor element mounting terminal 22 is fixed on the back side of
An inductor element mounting terminal 24 and a capacitor element mounting terminal (first capacitor element mounting terminal) 26 are fixed to the inner region 16a. In the outer region 16b, a plurality of holes hi for inserting signal wires are formed, and a hole h3 for inserting terminals of the capacitor element is formed. That is, the capacitor element mounting terminal (second capacitor element mounting terminal) 28 is fixed to the back side of the ground layer 14,
One terminal of the capacitor element is connected to the capacitor element mounting terminal 28 via the hole h3.
【0020】上記構成において、インダクタ素子実装端
子22、24にインダクタ素子を実装する場合、図3に
示すように、インダクタ素子44の一方の端子がインダ
クタ素子実装端子22にハンダ付けされ、インダクタ素
子44の他方の端子がインダクタ素子実装端子24にハ
ンダ付けされる。またフィルタ回路素子としてコンデン
サ素子をコンデンサ素子実装端子26、28に実装する
に際しては、コンデンサ素子の一方の端子をコンデンサ
素子実装端子26にハンダ付けし、コンデンサ素子の他
方の端子をホールh3を介してコンデンサ素子実装端子
28にハンダ付けする。これにより半導体チップ12に
フィルタ回路素子を接続することができる。In the above configuration, when an inductor element is mounted on the inductor element mounting terminals 22 and 24, one terminal of the inductor element 44 is soldered to the inductor element mounting terminal 22, as shown in FIG. Is soldered to the inductor element mounting terminal 24. When mounting the capacitor element as the filter circuit element on the capacitor element mounting terminals 26 and 28, one terminal of the capacitor element is soldered to the capacitor element mounting terminal 26, and the other terminal of the capacitor element is connected via the hole h3. Solder to the capacitor element mounting terminal 28. Thus, the filter circuit element can be connected to the semiconductor chip 12.
【0021】具体的には、図4に示すように、フィルタ
回路素子としてのコンデンサ素子46がコンデンサ素子
実装端子26、28に接続され、インダクタ素子44が
インダクタ素子実装端子22、24にそれぞれ接続さ
れ、半導体チップ12の電源部から発生するノイズをフ
ィルタ回路素子によって除去することができる。More specifically, as shown in FIG. 4, a capacitor element 46 as a filter circuit element is connected to capacitor element mounting terminals 26 and 28, and an inductor element 44 is connected to inductor element mounting terminals 22 and 24, respectively. In addition, noise generated from the power supply unit of the semiconductor chip 12 can be removed by the filter circuit element.
【0022】なお、半導体チップ12は電源ライン3
4、36、接地ライン38、40、信号配線32とはワ
イヤボンディングで接続されている。そして電源端子3
0b、30cとグラウンド端子30a、30dがそれぞ
れ電源に接続されると、電源端子30b、30cからの
電流が電源層16の外側の領域16bに流れ、外側の領
域16bからインダクタ素子44を介して内側の領域1
6aに電流が流れる。この後、グラウンド層14のホー
ルH1、H2を通過して電源ライン34、36から半導
体チップ12に電流が流れる。そして半導体チップ12
に供給された電流は接地ライン38、40を介してグラ
ウンド層14に流れ、さらに、このグラウンド層14か
らホールh1、h2を通過してグラウンド端子30a、
30dに流れる。The semiconductor chip 12 is connected to the power line 3
4, 36, ground lines 38 and 40, and signal wiring 32 are connected by wire bonding. And power terminal 3
When the power supply terminals 0b, 30c and the ground terminals 30a, 30d are respectively connected to the power supply, the current from the power supply terminals 30b, 30c flows to the region 16b outside the power supply layer 16, and the current flows from the outside region 16b through the inductor element 44 Region 1 of
A current flows through 6a. Thereafter, a current flows from the power supply lines 34 and 36 to the semiconductor chip 12 through the holes H1 and H2 of the ground layer 14. And the semiconductor chip 12
Is supplied to the ground layer 14 via the ground lines 38 and 40, and further passes from the ground layer 14 through the holes h1 and h2 to the ground terminals 30a,
It flows to 30d.
【0023】本実施形態によれば、チップ対応領域18
にインダクタ素子実装端子22、24、コンデンサ素子
実装端子26、28を配置し、インダクタ素子実装端子
22、24にインダクタ素子44を接続し、コンデンサ
実装端子26、28にコンデンサ素子26を接続するよ
うにしたため、ノイズ除去用フィルタ回路素子を高密度
に実装することができる。According to the present embodiment, the chip corresponding area 18
, The inductor element mounting terminals 22 and 24 and the capacitor element mounting terminals 26 and 28 are arranged, the inductor element mounting terminals 22 and 24 are connected to the inductor element 44, and the capacitor element terminals 26 and 28 are connected to the capacitor element 26. Therefore, the filter circuit element for noise removal can be mounted at a high density.
【0024】また、パッケージ10が完成した後、フィ
ルタ回路素子をハンダで実装することができるため、パ
ッケージ10が実装されるプリント基板に最適なインダ
クタ素子44やコンデンサ素子46を実装することがで
き、コストの低減を図ることができるとともに、必要に
応じて後からインダクタ素子44やコンデンサ素子46
を交換することができる。Further, after the package 10 is completed, the filter circuit element can be mounted by soldering, so that the inductor element 44 and the capacitor element 46 optimal for the printed circuit board on which the package 10 is mounted can be mounted. The cost can be reduced, and the inductor element 44 and the capacitor element 46
Can be replaced.
【0025】また、電源ライン34、36に接続された
電源引込み線48、50は電源層16の内側の領域16
aにのみ接続されており、電源端子30b、30cから
の電流はインダクタ素子44を介して全て供給されるた
め、インダクタ素子の数を1個にすることができる。さ
らに電源層の内側の領域16aとグラウンド層14とを
コンデンサ素子46でつなぐ構造になっているため、各
電源引込み線48、50にそれぞれコンデンサを実装す
る構造のものに比べてコンデンサ素子の数を減らすこと
ができ、部品点数およびコスト低減に寄与することがで
きる。The power supply lines 48 and 50 connected to the power supply lines 34 and 36 are connected to the region 16 inside the power supply layer 16.
a, and all the currents from the power supply terminals 30b and 30c are supplied via the inductor element 44, so that the number of inductor elements can be reduced to one. Further, since the structure is such that the region 16a inside the power supply layer and the ground layer 14 are connected by the capacitor element 46, the number of the capacitor elements is smaller than that of the structure in which the capacitors are mounted on the power supply lines 48 and 50, respectively. It is possible to reduce the number of parts and cost.
【0026】次に、本発明の他の実施形態を図5および
図6にしたがって説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【0027】本実施形態は、コンデンサ素子実装端子2
6a、28aを、複数個のコンデンサ素子46a、46
b、46cが並列に実装可能な端子構造としたものであ
る。In this embodiment, the capacitor element mounting terminal 2
6a, 28a are replaced with a plurality of capacitor elements 46a, 46
b and 46c are terminal structures that can be mounted in parallel.
【0028】本実施形態においては、寄生インダクタン
スがLで、容量Cのコンデンサ素子46a、46b、4
6cを3個並列にコンデンサ素子実装端子26a、28
aに実装した場合、図6に示すように、コンデンサ素子
46a、46b、46cを3個並列に実装することによ
ってコンデンサ素子のみかけの寄生インダクタンスを3
分の1に減らすことができる。In this embodiment, the capacitor elements 46a, 46b,
6c in parallel with the capacitor element mounting terminals 26a, 28
6A, the apparent parasitic inductance of the capacitor element is reduced to 3 by mounting three capacitor elements 46a, 46b, 46c in parallel as shown in FIG.
It can be reduced by a factor of one.
【0029】したがって、本実施形態によれば、コンデ
ンサ実装端子26a、28aに3個のコンデンサ素子4
6a、46b、46cを並列に実装することで、高周波
電流が通りやすくなり、コンデンサ素子を1個実装する
ものに比べて、ノイズの原因となる高周波電流をパッケ
ージ10内に閉じ込めることができるとともに、プリン
ト基板への伝播を抑えることができ、ノイズ低減効果を
高めることができる。Therefore, according to the present embodiment, three capacitor elements 4 are connected to the capacitor mounting terminals 26a and 28a.
By mounting 6a, 46b, and 46c in parallel, high-frequency current can easily pass, and high-frequency current that causes noise can be confined in the package 10 as compared with the case where one capacitor element is mounted. Propagation to the printed circuit board can be suppressed, and the noise reduction effect can be enhanced.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パッケージの実装面のうち半導体チップを臨むチップ対
応領域に、電源層に接続されたフィルタ回路素子実装端
子とグラウンド層に接続されたフィルタ回路素子実装端
子を配置し、チップ対応領域とは異なる領域に半導体チ
ップに接続された外部接続用端子を配置し、チップ対応
領域をフィルタ回路素子実装端子の配置領域として用い
ているため、フィルタ回路素子実装端子にフィルタ回路
素子を接続することで、フィルタ回路素子を実装するこ
とができ、ノイズ除去用フィルタ回路素子を高密度に実
装することができる。As described above, according to the present invention,
A filter circuit element mounting terminal connected to the power supply layer and a filter circuit element mounting terminal connected to the ground layer are arranged in a chip-corresponding area of the package mounting surface facing the semiconductor chip. Since the external connection terminals connected to the semiconductor chip are arranged and the chip-corresponding area is used as the arrangement area for the filter circuit element mounting terminals, the filter circuit elements are connected to the filter circuit element mounting terminals, so that the filter circuit elements are connected. Can be mounted, and the noise removing filter circuit element can be mounted at a high density.
【図1】本発明の一実施形態を示す半導体装置の裏面側
からみた斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, as viewed from the back surface side.
【図2】本発明の一実施形態を示す半導体装置の分解斜
視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a semiconductor device showing one embodiment of the present invention.
【図3】インダクタ素子の実装状態を示す斜視図であ
る。FIG. 3 is a perspective view showing a mounted state of the inductor element.
【図4】半導体装置にフィルタ回路素子を実装したとき
の等価回路を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit when a filter circuit element is mounted on a semiconductor device.
【図5】3個のコンデンサ素子を並列に実装したときの
斜視図である。FIG. 5 is a perspective view when three capacitor elements are mounted in parallel.
【図6】コンデンサ素子を3個並列に実装したときの等
価回路を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an equivalent circuit when three capacitor elements are mounted in parallel.
10 グリッドアレイパッケージ 12 半導体チップ 14 グラウンド層 16 電源層 18 チップ対応領域 20 領域 22、24 インダクタ素子実装端子 26、28 コンデンサ素子実装端子 30 外部接続用信号配線端子 32 信号配線 34、36 電源ライン 38、40 接地ライン 42 切欠き 44 インダクタ素子 46 コンデンサ素子 48、50 電源引込み線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Grid array package 12 Semiconductor chip 14 Ground layer 16 Power supply layer 18 Chip corresponding area 20 Area 22, 24 Inductor element mounting terminal 26, 28 Capacitor element mounting terminal 30 External connection signal wiring terminal 32 Signal wiring 34, 36 Power supply line 38, 40 ground line 42 notch 44 inductor element 46 capacitor element 48, 50 power supply lead-in
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 篤 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 片桐 光昭 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 林 亨 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Atsushi Nakamura 5-2-1, Josuihonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Within the Semiconductor Group, Hitachi, Ltd. Hitachi, Ltd. Semiconductor Group, Ltd. (72) Inventor Toru Hayashi 5-2-1, Kamimizu Honcho, Kodaira-shi, Tokyo In the Semiconductor Group, Hitachi, Ltd.
Claims (4)
前記半導体チップの電源部のうち接地ラインに接続され
たグラウンド層と、前記半導体チップの電源部のうち前
記接地ラインとは異なる電位を示す電源ラインに接続さ
れて前記半導体チップに電流を供給する電源層とを備
え、前記半導体チップと前記グラウンド層および電源層
が互いに絶縁物質を間にしてパッケージに収納され、前
記パッケージの実装面のうち前記半導体チップを臨むチ
ップ対応領域に、前記電源層に接続されたフィルタ回路
素子実装端子と前記グラウンド層に接続されたフィルタ
回路素子実装端子とが配置され、前記チップ対応領域と
は異なる領域に前記半導体チップに接続された外部接続
用端子が配置されてなる半導体装置。A chip layer on which a semiconductor chip is mounted;
A ground layer connected to a ground line in a power supply unit of the semiconductor chip, and a power supply connected to a power supply line having a different potential from the ground line in the power supply unit of the semiconductor chip to supply current to the semiconductor chip Wherein the semiconductor chip, the ground layer, and the power supply layer are housed in a package with an insulating material interposed therebetween, and are connected to the power supply layer in a chip-corresponding region of the package mounting surface facing the semiconductor chip. And a filter circuit element mounting terminal connected to the ground layer are arranged, and an external connection terminal connected to the semiconductor chip is arranged in a region different from the chip corresponding region. Semiconductor device.
前記半導体チップの電源部のうち接地ラインに接続され
たグラウンド層と、前記半導体チップの電源部のうち前
記接地ラインとは異なる電位を示す電源ラインに接続さ
れて前記半導体チップに電流を供給する電源層とを備
え、前記半導体チップと前記グラウンド層および電源層
が互いに絶縁物質を間にしてパッケージに収納され、前
記パッケージの実装面のうち前記半導体チップを臨むチ
ップ対応領域に、前記電源層に接続された第1のコンデ
ンサ素子実装端子および複数のインダクタ素子実装端子
と、前記グラウンド層に接続された第2のコンデンサ素
子実装端子とが配置され、前記チップ対応領域とは異な
る領域に前記半導体チップに接続された外部接続用端子
が配置されてなる半導体装置。2. A chip layer on which a semiconductor chip is mounted;
A ground layer connected to a ground line in a power supply unit of the semiconductor chip, and a power supply connected to a power supply line having a different potential from the ground line in the power supply unit of the semiconductor chip to supply current to the semiconductor chip Wherein the semiconductor chip, the ground layer, and the power supply layer are housed in a package with an insulating material interposed therebetween, and are connected to the power supply layer in a chip-corresponding region of the package mounting surface facing the semiconductor chip. The first capacitor element mounting terminal and the plurality of inductor element mounting terminals, and the second capacitor element mounting terminal connected to the ground layer are arranged on the semiconductor chip in a region different from the chip corresponding region. A semiconductor device in which connected external connection terminals are arranged.
記電源層の一方の領域に前記複数のインダクタ素子実装
端子のうち一方のインダクタ素子実装端子が接続され、
前記電源層の他方の領域に前記複数のインダクタ素子実
装端子のうち他方のインダクタ素子実装端子と前記第1
のコンデンサ素子実装端子が接続されてなることを特徴
とする請求項2に記載の半導体装置。3. The power supply layer is separated into a plurality of regions, and one of the plurality of inductor element mounting terminals is connected to one region of the power supply layer,
The other of the plurality of inductor element mounting terminals and the first inductor element mounting terminal in the other region of the power supply layer;
3. The semiconductor device according to claim 2, wherein said capacitor element mounting terminals are connected.
記第2のコンデンサ素子実装端子はコンデンサ素子を複
数個並列に実装可能な端子構造であることを特徴とする
請求項2または3に記載の半導体装置。4. The terminal according to claim 2, wherein the first capacitor element mounting terminal and the second capacitor element mounting terminal have a terminal structure capable of mounting a plurality of capacitor elements in parallel. Semiconductor device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32681299A JP2001144246A (en) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32681299A JP2001144246A (en) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | Semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001144246A true JP2001144246A (en) | 2001-05-25 |
Family
ID=18191993
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP32681299A Pending JP2001144246A (en) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | Semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001144246A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003282781A (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Minolta Co Ltd | Circuit board |
US7167374B2 (en) | 2002-09-25 | 2007-01-23 | Fujitsu Limited | Circuit substrate and electronic equipment |
CN108604587A (en) * | 2015-12-26 | 2018-09-28 | 英特尔公司 | On piece integrated passive devices |
-
1999
- 1999-11-17 JP JP32681299A patent/JP2001144246A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003282781A (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Minolta Co Ltd | Circuit board |
US7167374B2 (en) | 2002-09-25 | 2007-01-23 | Fujitsu Limited | Circuit substrate and electronic equipment |
CN108604587A (en) * | 2015-12-26 | 2018-09-28 | 英特尔公司 | On piece integrated passive devices |
CN108604587B (en) * | 2015-12-26 | 2023-01-13 | 英特尔公司 | On-chip integrated passive device |
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