JP2001143039A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非接触型の通信機能を持つ半導体装置におい
て、安価で量産性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置１内部には、ＩＣチップ３の
入出力端子であるパッド部（図示せず）にアンテナ２が
金バンプ１２を介して接続される。次いでＩＣチップ３
とリード端子部７とを樹脂封止部４により一体に封止
し、リードフレーム６の不要部を切断することにより半
導体装置１を得る。半導体装置１の外周には位置決め用
のアウタリード５が設けられており、このアウタリード
５により通常の電子部品と同様にマウンタによるブース
ター機能を備えた基板等への搭載やリフロー実装が可能
となるので、特別な工程を必要とせず工程の簡略化が可
能となる。
て、安価で量産性に優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置１内部には、ＩＣチップ３の
入出力端子であるパッド部（図示せず）にアンテナ２が
金バンプ１２を介して接続される。次いでＩＣチップ３
とリード端子部７とを樹脂封止部４により一体に封止
し、リードフレーム６の不要部を切断することにより半
導体装置１を得る。半導体装置１の外周には位置決め用
のアウタリード５が設けられており、このアウタリード
５により通常の電子部品と同様にマウンタによるブース
ター機能を備えた基板等への搭載やリフロー実装が可能
となるので、特別な工程を必要とせず工程の簡略化が可
能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リーダライタから
の電力の受給と信号の送受信とを無線で行う機能を有す
る非接触型の半導体装置、その半導体装置を用いた電子
デバイス、その半導体装置の製造方法、ならびにその半
導体装置を用いた電子デバイスの製造方法に関する。
の電力の受給と信号の送受信とを無線で行う機能を有す
る非接触型の半導体装置、その半導体装置を用いた電子
デバイス、その半導体装置の製造方法、ならびにその半
導体装置を用いた電子デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップを内蔵したカード形、タグ形
又はコイン形などの半導体装置は、豊富な情報量と高い
セキュリティ性を備えていることから、交通、流通及び
情報通信などの分野で普及が進んでいる。中でも、近年
開発された非接触型の半導体装置は、基体に外部端子を
設けず、リーダライタからの電力の供給と信号の送受信
とを無線で行う。そのため接触型の半導体装置のように
外部端子の損壊ということが本質的に起こらないことか
ら、データの保存などが非常に容易で長期間の使用に耐
えるばかりでなく、データの改ざんが行われ難いことか
らセキュリティ性に優れるという特長を有しており、今
後より広範囲な分野への普及が予想されている。
又はコイン形などの半導体装置は、豊富な情報量と高い
セキュリティ性を備えていることから、交通、流通及び
情報通信などの分野で普及が進んでいる。中でも、近年
開発された非接触型の半導体装置は、基体に外部端子を
設けず、リーダライタからの電力の供給と信号の送受信
とを無線で行う。そのため接触型の半導体装置のように
外部端子の損壊ということが本質的に起こらないことか
ら、データの保存などが非常に容易で長期間の使用に耐
えるばかりでなく、データの改ざんが行われ難いことか
らセキュリティ性に優れるという特長を有しており、今
後より広範囲な分野への普及が予想されている。
【０００３】この非接触型半導体装置は、ＩＣチップと
無線通信用のアンテナコイルを含んで構成される回路モ
ジュールを基体内に埋設してなる。従来の非接触型半導
体装置は、この回路モジュールとして、アンテナコイル
がパターン形成された配線基板にＩＣチップをワイヤボ
ンディング又はフリップチップ接合などにより接続した
後、全体を樹脂封止したものが提案されている。
無線通信用のアンテナコイルを含んで構成される回路モ
ジュールを基体内に埋設してなる。従来の非接触型半導
体装置は、この回路モジュールとして、アンテナコイル
がパターン形成された配線基板にＩＣチップをワイヤボ
ンディング又はフリップチップ接合などにより接続した
後、全体を樹脂封止したものが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の構造で
は、ＩＣチップと無線通信用のアンテナコイルを含む回
路モジュールを、一般に電子機器中の基板などに用いら
れるマウンタによる基板への搭載やリフロー実装するこ
とは不可能である。そのため半導体装置を作製する工程
とは別に、この半導体装置をブースター機能を備えた基
板等に搭載する工程が必要となり、生産効率が悪い。
は、ＩＣチップと無線通信用のアンテナコイルを含む回
路モジュールを、一般に電子機器中の基板などに用いら
れるマウンタによる基板への搭載やリフロー実装するこ
とは不可能である。そのため半導体装置を作製する工程
とは別に、この半導体装置をブースター機能を備えた基
板等に搭載する工程が必要となり、生産効率が悪い。
【０００５】本発明は、安価で量産性に優れた半導体装
置及びその製造方法を提供することを目的とする。
置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の手段は、半導体素子と無線通信用アンテナを
例えば合成樹脂などからなる封止部中に埋設した半導体
装置において、上記封止部に例えば金属製のアウタリー
ドなどからなる位置決め部を設けたことを特徴とするも
のである。
め、第１の手段は、半導体素子と無線通信用アンテナを
例えば合成樹脂などからなる封止部中に埋設した半導体
装置において、上記封止部に例えば金属製のアウタリー
ドなどからなる位置決め部を設けたことを特徴とするも
のである。
【０００７】第２の手段は、第１の手段の半導体装置に
おいて、上記位置決め部が例えば封止部の四隅などのよ
うに所定の間隔をおいて複数設けられていることを特徴
とするものである。
おいて、上記位置決め部が例えば封止部の四隅などのよ
うに所定の間隔をおいて複数設けられていることを特徴
とするものである。
【０００８】第３の手段は、第１の手段の半導体装置に
おいて、上記半導体素子の上に上記無線通信用アンテナ
が形成されていることを特徴とするものである。
おいて、上記半導体素子の上に上記無線通信用アンテナ
が形成されていることを特徴とするものである。
【０００９】第４の手段は、第１の手段の半導体装置に
おいて、上記封止部に設けられた位置決め部が例えば金
属製のアウタリードなどの導電性部材で構成され、その
導電性位置決め部が半導体素子と無線通信用アンテナと
の接続部と電気的に接続されていることを特徴とするも
のである。
おいて、上記封止部に設けられた位置決め部が例えば金
属製のアウタリードなどの導電性部材で構成され、その
導電性位置決め部が半導体素子と無線通信用アンテナと
の接続部と電気的に接続されていることを特徴とするも
のである。
【００１０】第５の手段は、複数のリード端子部とこれ
らリード端子部と連結して形成された無線通信用アンテ
ナと支持部を有するリードフレーム又はタブの上記リー
ド端子部に半導体素子を接続する工程と、上記リード端
子部と上記半導体素子との接合部をともに一体に例えば
合成樹脂などで封止する工程と、位置決め部を除いてリ
ードフレーム又はタブの不要部を切断する工程とを経る
ことにより、上記半導体素子と無線通信用アンテナを封
止部中に埋設するとともに、その封止部に例えば金属製
のアウタリードなどの位置決め部を設けた半導体装置を
得ることを特徴とするものである。
らリード端子部と連結して形成された無線通信用アンテ
ナと支持部を有するリードフレーム又はタブの上記リー
ド端子部に半導体素子を接続する工程と、上記リード端
子部と上記半導体素子との接合部をともに一体に例えば
合成樹脂などで封止する工程と、位置決め部を除いてリ
ードフレーム又はタブの不要部を切断する工程とを経る
ことにより、上記半導体素子と無線通信用アンテナを封
止部中に埋設するとともに、その封止部に例えば金属製
のアウタリードなどの位置決め部を設けた半導体装置を
得ることを特徴とするものである。
【００１１】第６の手段は、半導体素子上に無線通信用
アンテナを形成する工程と、そのアンテナが形成された
半導体素子をリードフレーム又はタブのリード端子部に
接続する工程と、そのリード端子部と上記半導体素子と
の接続部をともに一体に例えば合成樹脂などで封止する
工程と、位置決め部を除いてリードフレーム又はタブの
不要部を切断する工程とを経ることにより、上記半導体
素子と無線通信用アンテナを封止部中に埋設するととも
に、その封止部に例えば金属製のアウタリードなどの位
置決め部を設けた半導体装置を得ることを特徴とするも
のである。
アンテナを形成する工程と、そのアンテナが形成された
半導体素子をリードフレーム又はタブのリード端子部に
接続する工程と、そのリード端子部と上記半導体素子と
の接続部をともに一体に例えば合成樹脂などで封止する
工程と、位置決め部を除いてリードフレーム又はタブの
不要部を切断する工程とを経ることにより、上記半導体
素子と無線通信用アンテナを封止部中に埋設するととも
に、その封止部に例えば金属製のアウタリードなどの位
置決め部を設けた半導体装置を得ることを特徴とするも
のである。
【００１２】第７の手段は、第１ないし４のいずれかの
手段の半導体装置を基板上に搭載して電子デバイスを構
成したことを特徴とするものである。
手段の半導体装置を基板上に搭載して電子デバイスを構
成したことを特徴とするものである。
【００１３】第８の手段は、第１ないし４のいずれかの
手段の半導体装置をブースター機能を有する基板上に搭
載して電子デバイスを構成したことを特徴とするもので
ある。
手段の半導体装置をブースター機能を有する基板上に搭
載して電子デバイスを構成したことを特徴とするもので
ある。
【００１４】第９の手段は、複数のリード端子部とこれ
らリード端子部と連結して形成された無線通信用アンテ
ナと支持部を有するリードフレーム又はタブの上記リー
ド端子部に半導体素子を接続する工程と、上記リード端
子部と上記半導体素子との接合部をともに一体に封止す
る工程と、位置決め部を除いてリードフレーム又はタブ
の不要部を切断することにより、上記半導体素子と無線
通信用アンテナを封止部中に埋設するとともに、その封
止部に位置決め部を設けた半導体装置を得る工程と、そ
の半導体装置を基板に実装する工程とを含んで電子デバ
イスを得ることを特徴とするものである。
らリード端子部と連結して形成された無線通信用アンテ
ナと支持部を有するリードフレーム又はタブの上記リー
ド端子部に半導体素子を接続する工程と、上記リード端
子部と上記半導体素子との接合部をともに一体に封止す
る工程と、位置決め部を除いてリードフレーム又はタブ
の不要部を切断することにより、上記半導体素子と無線
通信用アンテナを封止部中に埋設するとともに、その封
止部に位置決め部を設けた半導体装置を得る工程と、そ
の半導体装置を基板に実装する工程とを含んで電子デバ
イスを得ることを特徴とするものである。
【００１５】第１０の手段は、半導体素子上に無線通信
用アンテナを形成する工程と、そのアンテナが形成され
た半導体素子をリードフレーム又はタブのリード端子部
に接続する工程と、そのリード端子部と上記半導体素子
との接続部をともに一体に封止する工程と、位置決め部
を除いてリードフレーム又はタブの不要部を切断するこ
とにより、上記半導体素子と無線通信用アンテナを封止
部中に埋設するとともに、その封止部に位置決め部を設
けた半導体装置を得る工程と、その半導体装置を基板に
実装する工程とを含んで電子デバイスを得ることを特徴
とするものである。
用アンテナを形成する工程と、そのアンテナが形成され
た半導体素子をリードフレーム又はタブのリード端子部
に接続する工程と、そのリード端子部と上記半導体素子
との接続部をともに一体に封止する工程と、位置決め部
を除いてリードフレーム又はタブの不要部を切断するこ
とにより、上記半導体素子と無線通信用アンテナを封止
部中に埋設するとともに、その封止部に位置決め部を設
けた半導体装置を得る工程と、その半導体装置を基板に
実装する工程とを含んで電子デバイスを得ることを特徴
とするものである。
【００１６】上述のように本発明は、半導体素子及び無
線通信用のアンテナを封止した半導体装置において、こ
の半導体装置の封止部の外部に電子機器中の基板などに
実装するための位置決め部を設けている。そのため電子
機器に用いられる通常の電子部品と同様に、マウンタに
よるブースター機能を備えた基板への搭載やリフロー実
装が可能となるので、通常の電子部品と同様に供給する
ことにより工程の簡略化が可能となる。
線通信用のアンテナを封止した半導体装置において、こ
の半導体装置の封止部の外部に電子機器中の基板などに
実装するための位置決め部を設けている。そのため電子
機器に用いられる通常の電子部品と同様に、マウンタに
よるブースター機能を備えた基板への搭載やリフロー実
装が可能となるので、通常の電子部品と同様に供給する
ことにより工程の簡略化が可能となる。
【００１７】また、リードフレーム又はタブを用いて封
止を行い半導体装置を形成するため、上記回路モジュー
ルを基体内に埋設する半導体装置の作製工程に比べて量
産性にも優れている。
止を行い半導体装置を形成するため、上記回路モジュー
ルを基体内に埋設する半導体装置の作製工程に比べて量
産性にも優れている。
【００１８】この半導体装置自体に通信機能があるた
め、非接触での通信機能を持つ電子デバイスを容易に量
産性良く提供することが可能となる。
め、非接触での通信機能を持つ電子デバイスを容易に量
産性良く提供することが可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図と
ともに説明する。図１は、本発明の第１の実施形態例に
係る半導体装置の一部を切除した平面図である。半導体
装置１の内部に、アンテナ２とこれに接続されたＩＣチ
ップ３が合成樹脂からなる樹脂封止部４により封止され
ている。半導体装置１はこのアンテナ２により非接触で
通信可能である。樹脂封止部４の四隅には比較的幅広の
アウタリード５が突設され、この位置決め用アウタリー
ド５により通常の表面実装デバイスと変わりが無い方法
（例えばリフローによる一括実装）で実装可能となる。
ともに説明する。図１は、本発明の第１の実施形態例に
係る半導体装置の一部を切除した平面図である。半導体
装置１の内部に、アンテナ２とこれに接続されたＩＣチ
ップ３が合成樹脂からなる樹脂封止部４により封止され
ている。半導体装置１はこのアンテナ２により非接触で
通信可能である。樹脂封止部４の四隅には比較的幅広の
アウタリード５が突設され、この位置決め用アウタリー
ド５により通常の表面実装デバイスと変わりが無い方法
（例えばリフローによる一括実装）で実装可能となる。
【００２０】図２は、この実施形態例に係るリードフレ
ーム６の平面図である。リードフレーム６上には、通信
用のアンテナ２、ＩＣチップ３が接続されるリード端子
部７、アウタリード５、位置決め孔８、吊りリード９、
タイバ１０がそれぞれ所定の位置に形成されている。
ーム６の平面図である。リードフレーム６上には、通信
用のアンテナ２、ＩＣチップ３が接続されるリード端子
部７、アウタリード５、位置決め孔８、吊りリード９、
タイバ１０がそれぞれ所定の位置に形成されている。
【００２１】図３は、このリードフレーム６にＩＣチッ
プ３を搭載した状態の平面図で、ＩＣチップ３は回路形
成面を下にしてリードフレーム６上に搭載される。ＩＣ
チップ３を搭載後、太線で示したモールドライン１１の
内側が樹脂封止される。
プ３を搭載した状態の平面図で、ＩＣチップ３は回路形
成面を下にしてリードフレーム６上に搭載される。ＩＣ
チップ３を搭載後、太線で示したモールドライン１１の
内側が樹脂封止される。
【００２２】図４は、図３に示すＩＣチップ３搭載部の
Ａ−Ａ線拡大断面図である。ＩＣチップ３のパッド部
（図示せず）には金バンプ１２が接続されている。この
ＩＣチップ３をリードフレーム６上のリード端子部７に
金バンプ１２を介して熱圧着している。
Ａ−Ａ線拡大断面図である。ＩＣチップ３のパッド部
（図示せず）には金バンプ１２が接続されている。この
ＩＣチップ３をリードフレーム６上のリード端子部７に
金バンプ１２を介して熱圧着している。
【００２３】図５は、ＩＣチップ３を搭載したリードフ
レーム６を樹脂封止部４により封止した平面図である。
ＩＣチップ３及びアンテナ２は樹脂封止部４により一体
に封止される。樹脂封止後、太線で示した切断線１４に
沿って吊りリード９、タイバ１０等の不要部を切断し、
樹脂封止部４より突出したアウタリード５を成形するこ
とにより、図１に示すような非接触で通信可能な半導体
装置１が得られる。
レーム６を樹脂封止部４により封止した平面図である。
ＩＣチップ３及びアンテナ２は樹脂封止部４により一体
に封止される。樹脂封止後、太線で示した切断線１４に
沿って吊りリード９、タイバ１０等の不要部を切断し、
樹脂封止部４より突出したアウタリード５を成形するこ
とにより、図１に示すような非接触で通信可能な半導体
装置１が得られる。
【００２４】アウタリード５の一部をＩＣチップ３のパ
ッド部（図示せず）と電気的に接合しているダミーパッ
ド（図示せず）と例えばウエッジボンディング、熱圧着
などの方法で電気的に接続して樹脂封止することで、従
来の電子デバイスと同様にテストボードを用いたりプロ
ーブ検査を行うことが可能である。そのためＩＣチップ
３とリード端子部７の接合状態を容易に検査することが
出来る。
ッド部（図示せず）と電気的に接合しているダミーパッ
ド（図示せず）と例えばウエッジボンディング、熱圧着
などの方法で電気的に接続して樹脂封止することで、従
来の電子デバイスと同様にテストボードを用いたりプロ
ーブ検査を行うことが可能である。そのためＩＣチップ
３とリード端子部７の接合状態を容易に検査することが
出来る。
【００２５】ここではＩＣチップ３とリード端子部７の
接合に金バンプ１２を用いたが、それに限るものではな
く、例えば半田や導電性接着剤などを用いて接合しても
よい。ＩＣチップ３とアンテナ２は樹脂封止部４により
全面を封止したが、それに限るものではなく、アンテナ
２を含むＩＣチップ３のリード端子部７との接合面側の
みを封止することも可能である。また合成樹脂による封
止について述べたが、それに限るものではなく、例えば
セラミックなどにより封止することも可能である。
接合に金バンプ１２を用いたが、それに限るものではな
く、例えば半田や導電性接着剤などを用いて接合しても
よい。ＩＣチップ３とアンテナ２は樹脂封止部４により
全面を封止したが、それに限るものではなく、アンテナ
２を含むＩＣチップ３のリード端子部７との接合面側の
みを封止することも可能である。また合成樹脂による封
止について述べたが、それに限るものではなく、例えば
セラミックなどにより封止することも可能である。
【００２６】図６は、本発明の第２の実施形態例に係る
半導体装置の一部を切除した平面図である。半導体装置
１０１内部には、アンテナコイル１０２、ダミーパッド
（図示せず）が形成されたＩＣチップ１０３が樹脂封止
部１０４により封止されている。半導体装置１０１は、
アンテナコイル１０２を有するＩＣチップ１０３を内蔵
しているため、非接触で通信可能である。半導体装置１
０１の四隅には比較的幅広の位置決め用アウタリード１
０５が突設され、このアウタリード１０５により通常の
表面実装デバイスと変わりが無い方法で実装可能とな
る。
半導体装置の一部を切除した平面図である。半導体装置
１０１内部には、アンテナコイル１０２、ダミーパッド
（図示せず）が形成されたＩＣチップ１０３が樹脂封止
部１０４により封止されている。半導体装置１０１は、
アンテナコイル１０２を有するＩＣチップ１０３を内蔵
しているため、非接触で通信可能である。半導体装置１
０１の四隅には比較的幅広の位置決め用アウタリード１
０５が突設され、このアウタリード１０５により通常の
表面実装デバイスと変わりが無い方法で実装可能とな
る。
【００２７】図７は、この第２の実施形態例に係るリー
ドフレーム１０６の平面図である。リードフレーム１０
６上には、ＩＣチップ１０３が接続されるリード端子部
１０７、アウタリード１０５、位置決め孔１０８、タイ
バ１１０がそれぞれ所定の位置に形成されている。
ドフレーム１０６の平面図である。リードフレーム１０
６上には、ＩＣチップ１０３が接続されるリード端子部
１０７、アウタリード１０５、位置決め孔１０８、タイ
バ１１０がそれぞれ所定の位置に形成されている。
【００２８】図８は、このリードフレーム１０６にＩＣ
チップ１０３を搭載した状態の平面図である。ＩＣチッ
プ１０３を搭載後、太線で示したモールドライン１１１
の内側が樹脂封止される。
チップ１０３を搭載した状態の平面図である。ＩＣチッ
プ１０３を搭載後、太線で示したモールドライン１１１
の内側が樹脂封止される。
【００２９】図９は、図８に示すＩＣチップ１０３搭載
部のＢ−Ｂ線拡大断面図である。ＩＣチップ１０３のパ
ッド部（図示せず）に金バンプ１１２が設けられ、金バ
ンプ１１２を介してＩＣチップ１０３をリードフレーム
１０６上のリード端子部７に熱圧着している。
部のＢ−Ｂ線拡大断面図である。ＩＣチップ１０３のパ
ッド部（図示せず）に金バンプ１１２が設けられ、金バ
ンプ１１２を介してＩＣチップ１０３をリードフレーム
１０６上のリード端子部７に熱圧着している。
【００３０】図１０は、ＩＣチップ１０３を搭載したリ
ードフレーム１０６を樹脂封止部１０４により封止した
平面図である。ＩＣチップ１０３及びリード端子部１０
７の接続部は樹脂封止部１０４により一体に封止されて
いる。樹脂封止後、太線で示した切断線１１４に沿って
タイバ１１０等の不要部を切断することにより、図６に
示す非接触で通信可能な半導体装置１０１が得られる。
ードフレーム１０６を樹脂封止部１０４により封止した
平面図である。ＩＣチップ１０３及びリード端子部１０
７の接続部は樹脂封止部１０４により一体に封止されて
いる。樹脂封止後、太線で示した切断線１１４に沿って
タイバ１１０等の不要部を切断することにより、図６に
示す非接触で通信可能な半導体装置１０１が得られる。
【００３１】本発明の半導体装置は樹脂封止部１０４の
外部に電子機器中の基板などに実装するための位置決め
用のアウタリード１０５を設けたため、電子機器に用い
られる通常の電子部品と同様に、マウンタによる基板へ
の搭載やリフロー実装が可能である。
外部に電子機器中の基板などに実装するための位置決め
用のアウタリード１０５を設けたため、電子機器に用い
られる通常の電子部品と同様に、マウンタによる基板へ
の搭載やリフロー実装が可能である。
【００３２】図１１は本発明の半導体装置１を基板１５
に実装した状態の斜視図である。基板１５上に半導体装
置１の実装用のパッド（図示せず）があり、基板１５へ
リフロー実装される。
に実装した状態の斜視図である。基板１５上に半導体装
置１の実装用のパッド（図示せず）があり、基板１５へ
リフロー実装される。
【００３３】図１２は図１１に示すＣ−Ｃの斜線面で切
断された半導体装置１の断面図である。半導体装置１は
基板１５上のパッド（図示せず）に半田１６を用いてリ
フロー実装される。半導体装置１のアンテナ２によりリ
ーダライタからの電力の受給と信号の送受信を無線で行
うことができる。
断された半導体装置１の断面図である。半導体装置１は
基板１５上のパッド（図示せず）に半田１６を用いてリ
フロー実装される。半導体装置１のアンテナ２によりリ
ーダライタからの電力の受給と信号の送受信を無線で行
うことができる。
【００３４】図１３は、半導体装置１をブースター機能
を備えた基板１７に実装した状態の斜視図である。半導
体装置１は基板１７上にある実装用のパッド（図示せ
ず）へリフロー実装される。また基板１７はブースター
アンテナ１８を備えている。
を備えた基板１７に実装した状態の斜視図である。半導
体装置１は基板１７上にある実装用のパッド（図示せ
ず）へリフロー実装される。また基板１７はブースター
アンテナ１８を備えている。
【００３５】図１４は、ブースター機能を備えた基板１
７の斜視図である。ブースターアンテナ１８はリーダラ
イタからの電力受信用アンテナ１９と半導体装置１への
電力送信用アンテナ２０からなる。電力送信用アンテナ
２０の周辺には半導体装置１の実装用のパッド２１があ
り、リフロー実装を可能としている。半導体装置１はそ
れ自体で通信機能を有しているが、ブースター機能を備
えた基板１７に実装することでより通信距離を伸ばすこ
とができる。
７の斜視図である。ブースターアンテナ１８はリーダラ
イタからの電力受信用アンテナ１９と半導体装置１への
電力送信用アンテナ２０からなる。電力送信用アンテナ
２０の周辺には半導体装置１の実装用のパッド２１があ
り、リフロー実装を可能としている。半導体装置１はそ
れ自体で通信機能を有しているが、ブースター機能を備
えた基板１７に実装することでより通信距離を伸ばすこ
とができる。
【００３６】図１５は、図１３に示すＤ−Ｄ切断面で切
断された半導体装置１の断面図である。半導体装置１は
基板１７上のパッド（図示せず）に半田１６を用いてリ
フロー実装される。リーダライタからの電力の受給と信
号の受信は電力受信用アンテナ１９から電力送信用アン
テナ２０を介して非接触で半導体装置１へと送られる。
そして半導体装置１からの信号の送信は受信とは逆の経
路を使って行われる。半導体装置１をブースター機能を
備えた基板１７に実装することにより、半導体装置１単
体の場合より通信距離を伸ばすことができる。
断された半導体装置１の断面図である。半導体装置１は
基板１７上のパッド（図示せず）に半田１６を用いてリ
フロー実装される。リーダライタからの電力の受給と信
号の受信は電力受信用アンテナ１９から電力送信用アン
テナ２０を介して非接触で半導体装置１へと送られる。
そして半導体装置１からの信号の送信は受信とは逆の経
路を使って行われる。半導体装置１をブースター機能を
備えた基板１７に実装することにより、半導体装置１単
体の場合より通信距離を伸ばすことができる。
【００３７】ここでは半導体装置１を基板にリフロー実
装する場合について述べたが、それに限定するものでは
なく、例えばスルーホール付きの基板に挿入したり、接
着剤で固定することなども可能である。
装する場合について述べたが、それに限定するものでは
なく、例えばスルーホール付きの基板に挿入したり、接
着剤で固定することなども可能である。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、無線により非接触で通
信機能を持つ半導体装置において、半導体装置の外周に
基板などへ搭載するための位置決め部を設けることによ
り、通常の電子部品と同様にマウンタによるブースター
機能を備えた基板等への搭載やリフロー実装が可能とな
るため、特別な工程を必要とせず工程の簡略化が可能と
なる。
信機能を持つ半導体装置において、半導体装置の外周に
基板などへ搭載するための位置決め部を設けることによ
り、通常の電子部品と同様にマウンタによるブースター
機能を備えた基板等への搭載やリフロー実装が可能とな
るため、特別な工程を必要とせず工程の簡略化が可能と
なる。
【００３９】また、リードフレーム又はタブを用いて樹
脂封止によって半導体装置の成形を同時に行うことか
ら、工程数が少なく量産に極めて適しており、製造コス
トの低減を図ることが可能となる。
脂封止によって半導体装置の成形を同時に行うことか
ら、工程数が少なく量産に極めて適しており、製造コス
トの低減を図ることが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態例に係る半導体装置の
一部を切除した平面図である。
一部を切除した平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態例に係るリードフレー
ムの平面図である。
ムの平面図である。
【図３】そのリードフレームにＩＣチップを搭載した状
態の平面図である。
態の平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ切断面で切断されたＩＣチップ搭
載部の拡大断面図である。
載部の拡大断面図である。
【図５】図３に示すＩＣチップを搭載したリードフレー
ムを樹脂により封止した状態の平面図である。
ムを樹脂により封止した状態の平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態例に係る半導体装置の
一部を切除した平面図である。
一部を切除した平面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態例に係るリードフレー
ムの平面図である。
ムの平面図である。
【図８】そのリードフレームにＩＣチップを搭載した時
の平面図である。
の平面図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ切断面で切断されたＩＣチップ搭
載部の拡大断面図である。
載部の拡大断面図である。
【図１０】図８に示すＩＣチップを搭載したリードフレ
ームを樹脂により封止した状態の平面図である。
ームを樹脂により封止した状態の平面図である。
【図１１】本発明に係る半導体装置を搭載した基板の斜
視図である。
視図である。
【図１２】図１１のＣ−Ｃ切断面で切断された半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１３】本発明に係る半導体装置をブースター機能を
備えた基板に搭載した状態の斜視図である。
備えた基板に搭載した状態の斜視図である。
【図１４】ブースター機能を備えた基板の斜視図であ
る。
る。
【図１５】図１３のＤ−Ｄ切断面で切断された半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
１ 半導体装置 ２ アンテナ ３ ＩＣチップ ４ 樹脂封止部 ５ アウタリード ６ リードフレーム ７ リード端子部 ８ 位置決め孔 ９ 吊りリード １０ タイバ １１ モールドライン １２ 金バンプ １４ 切断線 １５ 基板 １６ 半田 １７ ブースター機能を備えた基板 １８ ブースターアンテナ １９ 電力受信用アンテナ ２０ 電力送信用アンテナ
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体素子と無線通信用アンテナを封止
部中に埋設した半導体装置において、上記封止部に位置
決め部を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、
上記位置決め部が所定の間隔をおいて複数設けられてい
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体装置において、
上記半導体素子の上に上記無線通信用アンテナが形成さ
れていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の半導体装置において、
上記封止部に設けられた位置決め部が導電性部材で構成
され、その導電性位置決め部が半導体素子と無線通信用
アンテナとの接続部と電気的に接続されていることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 複数のリード端子部とこれらリード端子
部と連結して形成された無線通信用アンテナと支持部を
有するリードフレーム又はタブの上記リード端子部に半
導体素子を接続する工程と、 上記リード端子部と上記半導体素子との接合部をともに
一体に封止する工程と、 位置決め部を除いてリードフレーム又はタブの不要部を
切断する工程とを経ることにより、 上記半導体素子と無線通信用アンテナを封止部中に埋設
するとともに、その封止部に位置決め部を設けた半導体
装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 半導体素子上に無線通信用アンテナを形
成する工程と、 そのアンテナが形成された半導体素子をリードフレーム
又はタブのリード端子部に接続する工程と、 そのリード端子部と上記半導体素子との接続部をともに
一体に封止する工程と、 位置決め部を除いてリードフレーム又はタブの不要部を
切断する工程とを経ることにより、 上記半導体素子と無線通信用アンテナを封止部中に埋設
するとともに、その封止部に位置決め部を設けた半導体
装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１から４記載のいずれかの半導体
装置を搭載したことを特徴とする電子デバイス。 - 【請求項８】 請求項１から４記載のいずれかの半導体
装置をブースター機能を有する基板上に搭載したことを
特徴とする電子デバイス。 - 【請求項９】 複数のリード端子部とこれらリード端子
部と連結して形成された無線通信用アンテナと支持部を
有するリードフレーム又はタブの上記リード端子部に半
導体素子を接続する工程と、 上記リード端子部と上記半導体素子との接合部をともに
一体に封止する工程と、 位置決め部を除いてリードフレーム又はタブの不要部を
切断することにより、上記半導体素子と無線通信用アン
テナを封止部中に埋設するとともに、その封止部に位置
決め部を設けた半導体装置を得る工程と、 その半導体装置を基板に実装する工程とを含むことを特
徴とする電子デバイスの製造方法。 - 【請求項１０】 半導体素子上に無線通信用アンテナを
形成する工程と、 そのアンテナが形成された半導体素子をリードフレーム
又はタブのリード端子部に接続する工程と、 そのリード端子部と上記半導体素子との接続部をともに
一体に封止する工程と、 位置決め部を除いてリードフレーム又はタブの不要部を
切断することにより、上記半導体素子と無線通信用アン
テナを封止部中に埋設するとともに、その封止部に位置
決め部を設けた半導体装置を得る工程と、 その半導体装置を基板に実装する工程とを含むことを特
徴とする電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32716499A JP2001143039A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32716499A JP2001143039A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001143039A true JP2001143039A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18196033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32716499A Withdrawn JP2001143039A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001143039A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083770A1 (fr) * | 2002-04-01 | 2003-10-09 | K-Ubique Id Corporation | Dispositif de communication et son boitier |
| US6975029B2 (en) | 2003-11-04 | 2005-12-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Antenna-incorporated semiconductor device |
| TWI485788B (zh) * | 2012-01-13 | 2015-05-21 | Chi Ming Chan | Near-field communication components of the substrate tilt flip-chip process |
-
1999
- 1999-11-17 JP JP32716499A patent/JP2001143039A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083770A1 (fr) * | 2002-04-01 | 2003-10-09 | K-Ubique Id Corporation | Dispositif de communication et son boitier |
| EP1498842A4 (en) * | 2002-04-01 | 2006-02-15 | Ubique Id Corp K | COMMUNICATION DEVICE AND ITS HOUSING |
| US6975029B2 (en) | 2003-11-04 | 2005-12-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Antenna-incorporated semiconductor device |
| TWI485788B (zh) * | 2012-01-13 | 2015-05-21 | Chi Ming Chan | Near-field communication components of the substrate tilt flip-chip process |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070206 |