JP2001135683A - ウエハプローバ - Google Patents
ウエハプローバInfo
- Publication number
- JP2001135683A JP2001135683A JP2000251110A JP2000251110A JP2001135683A JP 2001135683 A JP2001135683 A JP 2001135683A JP 2000251110 A JP2000251110 A JP 2000251110A JP 2000251110 A JP2000251110 A JP 2000251110A JP 2001135683 A JP2001135683 A JP 2001135683A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer prober
- ceramic substrate
- wafer
- ceramic
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
定されるため、ソケット等の着脱により接合部分の界面
で剥離することがなく、プローブカードを押圧した場合
にも反りがなく、ウエハの破損や測定ミスを防止し、か
つ昇温、降温特性に優れるウエハプローバを提供するこ
と。 【解決手段】 セラミック基板の表面にはチャックトッ
プ導体層が形成され、前記セラミック基板の内部には、
ガード電極および/またはグランド電極が形成されたウ
エハプローバであって、前記ガード電極と前記グランド
電極との一方または両方と電気的に接続し、かつ、外部
端子と電気的に接続するスルーホールと、このスルーホ
ールを露出させる袋孔とが設けられてなることを特徴と
するウエハプローバ。
Description
る極めて重要な製品であり、半導体チップは、例えば、
シリコン単結晶を所定の厚さにスライスしてシリコンウ
エハを作製した後、このシリコンウエハに種々の回路等
を形成することにより製造される。この半導体チップの
製造工程においては、シリコンウエハの段階でその電気
的特性が設計通りに動作するか否かを測定してチェック
するプロービング工程が必要であり、そのために所謂プ
ローバが用いられる。
第2587289号公報、特公平3−40947号公
報、特開平11−31724号公報等には、アルミニウ
ム合金やステンレス鋼などの金属製チャックトップを有
するウエハプローバが開示されている(図13参照)。
このようなウエハプローバでは、例えば、図12に示す
ように、ウエハプローバ501上にシリコンウエハWを
載置し、このシリコンウエハWにテスタピンを持つプロ
ーブカード601を押しつけ、加熱、冷却しながら電圧
を印加して導通テストを行う。なお、図12は、ウエハ
プローバに電源を接続した状態を模式的に示す断面図で
ある。ウエハプローバのチャックトップ電極(チャック
トップ導体層)2、グランド電極6およびガード電極5
には、スルーホール16、17を介して電源V1が接続
されている。グランド電極6は、接地され、0電位とな
っている。また、チャックトップ導体層2とガード電極
5とは、等電位である。発熱体41には、電源V2 が、
プローブ601には、電源V3 が、それぞれ接続されて
いる。
金属製のチャックトップを有するウエハプローバには、
次のような問題があった。まず、金属製であるため、チ
ャックトップの厚みは15mm程度と厚くしなければな
らない。このようにチャックトップを厚くするのは、薄
い金属板では、プローブカードのテスタピンによりチャ
ックトップが押され、チャックトップの金属板に反りや
歪みが発生してしまい、金属板上に載置されるシリコン
ウエハが破損したり傾いたりしてしてしまうからであ
る。このため、チャックトップを厚くする必要がある
が、その結果、チャックトップの重量が大きくなり、ま
たかさばってしまう。
にもかかわらず、昇温、降温特性が悪く、電圧や電流量
の変化に対してチャックトップ板の温度が迅速に追従し
ないため温度制御をしにくく、高温でシリコンウエハを
載置すると温度制御不能になってしまう。
属製のチャックトップに代えて、剛性の高いセラミック
を用い、このセラミック基板の表面にチャックトップ導
体層が形成され、このセラミック基板の内部にガード電
極および/またはグランド電極が形成され、さらに、こ
れらガード電極、グランド電極を独自に制御するスルー
ホールが設けられたウエハプローバを想起するに至った
が、スルーホールを露出させ、そこにろう材で外部端子
を接合する場合に、この外部端子にソケット等を何度も
着脱すると外部端子が接合部分から剥離してしまうとい
う課題があり、さらなる改良が必要となった。
鋭意研究した結果、このセラミック基板の内部に、ガー
ド電極とグランド電極の一方または両方と電気的に接続
し、かつ、外部端子と電気的に接続するスルーホールを
設けるとともに、このスルーホールを露出させる袋孔を
設け、この袋孔の内部でスルーホールと外部端子とを接
続することにより、ソケット等の脱着に起因して接合部
分の界面で剥離等が発生するのを防止することができる
ことを見いだし本発明を完成するに至った。
チャックトップ導体層が形成され、上記セラミック基板
の内部には、ガード電極および/またはグランド電極が
形成されたウエハプローバであって、上記ガード電極と
上記グランド電極の一方または両方と電気的に接続し、
かつ、外部端子と電気的に接続するスルーホールと、こ
のスルーホールを露出させる袋孔とが設けられてなるこ
とを特徴とするウエハプローバである。上記ウエハプロ
ーバにおいて、上記セラミック基板には温度制御手段が
設けられていることが望ましい。
セラミック基板は、窒化物セラミック、炭化物セラミッ
クおよび酸化物セラミックに属するセラミックから選ば
れる少なくとも1種であることが望ましい。また、上記
温度制御手段は、ペルチェ素子であるか、または、発熱
体であることが望ましい。
ド電極および/またはグランド電極が形成されているこ
とが望ましい。また、上記セラミック基板の表面には溝
が形成され、その溝には、空気の吸引孔が形成されてい
ることが望ましい。上記スルーホールを露出させる袋孔
には、外部端子が挿入されていることが望ましい。
ミック基板の表面にはチャックトップ導体層が形成さ
れ、上記セラミック基板の内部には、ガード電極および
/またはグランド電極が形成されたウエハプローバであ
って、上記ガード電極と上記グランド電極の一方または
両方と電気的に接続し、かつ、外部端子と電気的に接続
するスルーホールと、このスルーホールを露出させる袋
孔とが設けられてなることを特徴とする。
使用し、このセラミック基板の内部にガード電極および
/またはグランド電極を埋設することにより、これらが
補強的効果を有し、プローブカードのテスタピンが押圧
された場合でも、反りを防止することができる。そのた
め、チャックトップの厚さを金属に比べて小さくするこ
とができる。
またはグランド電極に接続することにより、チャックト
ップ導体層(電極)、ガード電極、グランド電極をそれ
ぞれ独自に制御することができる。なお、スルーホール
は、セラミック基板の補強効果をも有し、テスタピンの
押圧による反りや破損を防止する効果を有する。
露出せしめる袋孔を形成し、該袋孔の内部でスルーホー
ルと外部端子ピンとを接続するので、上記外部端子ピン
はしっかりと固定され、ソケット等の着脱により接合部
分の界面で剥離することがない。
一実施形態を模式的に示した断面図であり、(b)は、
その部分拡大断面図である。また、図2は、図1に示し
たウエハプローバの平面図であり、図3は、その底面図
であり、図4は、図1に示したウエハプローバにおける
A−A線断面図である。
セラミック基板3の表面に、同心円形状の溝7が形成さ
れるとともに、溝7の一部にシリコンウエハを吸引する
ための複数の吸引孔8が設けられており、溝7を含むセ
ラミック基板3の大部分にシリコンウエハの電極と接続
するためのチャックトップ導体層2が円形状に形成され
ている。
コンウエハの温度をコントロールするために、図3に示
したような平面視同心円形状の発熱体41が設けられて
おり、発熱体41の両端には、外部端子ピン191が接
続、固定されている。さらに、図1(b)に示したよう
に、セラミック基板3の内部には、ストレイキャパシタ
をキャンセルするためのガード電極5が設けられるとと
もに、温度制御手段からのノイズをキャンセルするため
のグランド電極6が設けられ、ガード電極5およびグラ
ンド電極6に接続されたスルーホール16、17は、こ
のスルーホール16、17を露出させる袋孔180の内
部に設けられた外部端子ピン19、190を介して電源
等(図示せず)と接続されている。
〜4に示したような構成を有するものである。以下にお
いて、上記ウエハプローバを構成する各部材、および、
本発明のウエハプローバの他の実施形態について、順次
詳細に説明していくことにする。
路内に介在するストレイキャパシタをキャンセルするた
めの電極であり、測定回路(即ち図1のチャックトップ
導体層2)の接地電位が与えられている。また、グラン
ド電極6は、温度制御手段からのノイズをキャンセルす
るために設けられている。
例えば、銅、チタン、クロム、ニッケル、貴金属(金、
銀、白金等)、タングステン、モリブデンなどの高融点
金属から選ばれる少なくとも1種、または、タングステ
ンカーバイド、モリブデンカーバイドなどの導電性セラ
ミックから選ばれる少なくとも1種を使用することがで
きる。
うに格子状に設けられていることが望ましい。導体層上
下のセラミック同士の密着性を改善でき、熱衝撃が加え
られた場合でもクラックが発生したり、ガード電極5、
グランド電極6とセラミックの界面で剥離が生じないか
らである。
電極5との間にコンデンサが構成されるが、ガード電極
5を格子状とすると無用な静電容量を小さくすることが
できる。格子の導体非形成部分は、図2に示したような
方形であってもよく、円、楕円であってもよい。また、
導体非形成部分が方形の場合には、その角にアールが設
けられていてもよい。
は、1〜20μmが望ましい。これらの電極の厚さが1
μm未満では抵抗が高くなり、一方、20μmを超える
と耐熱衝撃性が低下するからである。
5、グランド電極6の端部付近から延設され、袋孔18
0によりセラミック基板の底部に露出し、外部端子ピン
19、190により接続されていてもよく、側面の付近
に袋孔(図示せず)により露出し、外部端子により接続
されていてもよい。スルーホール16、17は、タング
ステンペースト、モリブデンペーストなどの高融点金
属、タングステンカーバイド、モリブデンカーバイドな
どの導電性セラミックからなるものであることが望まし
い。また、スルーホール16、17の直径は、0.1〜
10mmが望ましい。断線を防止しつつ、クラックや歪
みを防止できるからである。
ートを作製した後、このグリーンシートにパンチング等
により袋孔180となる貫通孔を設けてもよく、セラミ
ック基板を作製した後、サンドブラスト、ドリル等によ
り袋孔180を形成してもよい。
ミック基板は、窒化物セラミック、炭化物セラミックお
よび酸化物セラミックに属するセラミックから選ばれる
少なくとも1種であることが望ましい。
物セラミック、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ
素、窒化ホウ素、窒化チタン等が挙げられる。また、上
記炭化物セラミックとしては、金属炭化物セラミック、
例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、
炭化タンタル、炭化タングステン等が挙げられる。
物セラミック、例えば、アルミナ、ジルコニア、コージ
ェライト、ムライト等が挙げられる。これらのセラミッ
クは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
ミック、炭化物セラミックの方が酸化物セラミックに比
べて望ましい。熱伝導率が高いからである。また、窒化
物セラミックの中では窒化アルミニウムが最も好適であ
る。熱伝導率が180W/m・Kと最も高いからであ
る。
〜2000ppm含むことが望ましい。セラミック内の
電極パターンを隠蔽し、かつ、高輻射熱が得られるから
である。カーボンは、X線回折で検出可能な結晶質また
は検出不能な非晶質の一方または両方であってもよい。
ク基板の厚さは、チャックトップ導体層より厚いことが
必要であり、具体的には1〜10mmが望ましい。ま
た、本発明においては、シリコンウエハの裏面を電極と
して使用するため、セラミック基板の表面にチャックト
ップ導体層が形成されている。
20μmが望ましい。1μm未満では抵抗値が高くなり
すぎて電極として働かず、一方、20μmを超えると導
体の持つ応力によって剥離しやすくなってしまうからで
ある。
銅、チタン、クロム、ニッケル、貴金属(金、銀、白金
等)、タングステン、モリブデンなどの高融点金属から
選ばれる少なくとも1種の金属を使用することができ
る。
ラミックからなる多孔質体であってもよい。多孔質体の
場合は、後述するような吸引吸着のための溝を形成する
必要がなく、溝の存在を理由としたウエハの破損を防止
することができるだけでなく、表面全体で均一な吸引吸
着を実現できるからである。
を使用することができる。また、多孔質体を使用した場
合は、その厚さは、1〜200μmで使用することがで
きる。多孔質体とセラミック基板との接合は、半田やろ
う材を用いる。
を含むものであることが望ましい。硬度が高く、テスタ
ピンの押圧に対しても変形等しにくいからである。チャ
ックトップ導体層の具体的な構成としては、例えば、初
めにニッケルスパッタリング層を形成し、その上に無電
解ニッケルめっき層を設けたものや、チタン、モリブデ
ン、ニッケルをこの順序でスパッタリングし、さらにそ
の上にニッケルを無電解めっきもしくは電解めっきで析
出させたもの等が挙げられる。
の順序でスパッタリングし、さらにその上に銅およびニ
ッケルを無電解めっきで析出させたものであってもよ
い。銅層を形成することでチャックトップ電極の抵抗値
を低減させることができるからである。
ングし、さらにその上にニッケルを無電解めっきもしく
は電解めっきで析出させたものであってもよい。また、
クロム、銅をこの順でスパッタリングし、さらにその上
にニッケルを無電解めっきもしくは電解めっきで析出さ
せたものとすることも可能である。
着性を向上させることができ、また、モリブデンはニッ
ケルとの密着性を改善することができる。チタン、クロ
ムの厚みは0.1〜0.5μm、モリブデンの厚みは
0.5〜7.0μm、ニッケルの厚みは0.4〜2.5
μmが望ましい。
金属層(金、銀、白金、パラジウム)が形成されている
ことが望ましい。貴金属層は、卑金属のマイグレーショ
ンによる汚染を防止することができるからである。貴金
属層の厚さは、0.01〜15μmが望ましい。
制御手段を設けておくことが望ましい。加熱または冷却
しながらシリコンウエハの導通試験を行うことができる
からである。
熱体41のほかに、ペルチェ素子であってもよい。発熱
体を設ける場合は、冷却手段としてエアー等の冷媒の吹
きつけ口などを設けておいてもよい。発熱体は、複数層
設けてもよい。この場合は、各層のパターンは相互に補
完するように形成されて、加熱面からみるとどこかの層
にパターンが形成された状態が望ましい。例えば、互い
に千鳥の配置になっている構造である。
性セラミックの焼結体、金属箔、金属線等が挙げられ
る。金属焼結体としては、タングステン、モリブデンか
ら選ばれる少なくとも1種が好ましい。これらの金属は
比較的酸化しにくく、発熱するに充分な抵抗値を有する
からである。
ステン、モリブデンの炭化物から選ばれる少なくとも1
種を使用することができる。さらに、セラミック基板の
外側に発熱体を形成する場合には、金属焼結体として
は、貴金属(金、銀、パラジウム、白金)、ニッケルを
使用することが望ましい。具体的には銀、銀−パラジウ
ムなどを使用することができる。上記金属焼結体に使用
される金属粒子は、球状、リン片状、もしくは球状とリ
ン片状の混合物を使用することができる。
もよい。上記金属酸化物を使用するのは、窒化物セラミ
ックまたは炭化物セラミックと金属粒子を密着させるた
めである。上記金属酸化物により、窒化物セラミックま
たは炭化物セラミックと金属粒子との密着性が改善され
る理由は明確ではないが、金属粒子表面および窒化物セ
ラミックまたは炭化物セラミックの表面はわずかに酸化
膜が形成されており、この酸化膜同士が金属酸化物を介
して焼結して一体化し、金属粒子と窒化物セラミックま
たは炭化物セラミックが密着するのではないかと考えら
れる。
鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素(B 2 O3 )、アル
ミナ、イットリア、チタニアから選ばれる少なくとも1
種が好ましい。これらの酸化物は、発熱体の抵抗値を大
きくすることなく、金属粒子と窒化物セラミックまたは
炭化物セラミックとの密着性を改善できるからである。
1重量%以上10重量%未満であることが望ましい。抵
抗値が大きくなりすぎず、金属粒子と窒化物セラミック
または炭化物セラミックとの密着性を改善することがで
きるからである。
ウ素(B2 O3 )、アルミナ、イットリア、チタニアの
割合は、金属酸化物の全量を100重量部とした場合
に、酸化鉛が1〜10重量部、シリカが1〜30重量
部、酸化ホウ素が5〜50重量部、酸化亜鉛が20〜7
0重量部、アルミナが1〜10重量部、イットリアが1
〜50重量部、チタニアが1〜50重量部が好ましい。
但し、これらの合計が100重量部を超えない範囲で調
整されることが望ましい。これらの範囲が特に窒化物セ
ラミックとの密着性を改善できる範囲だからである。
合は、発熱体の表面は、金属層410で被覆されている
ことが望ましい(図11(e)参照)。発熱体は、金属
粒子の焼結体であり、露出していると酸化しやすく、こ
の酸化により抵抗値が変化してしまう。そこで、表面を
金属層で被覆することにより、酸化を防止することがで
きるのである。
しい。発熱体の抵抗値を変化させることなく、発熱体の
酸化を防止することができる範囲だからである。被覆に
使用される金属は、非酸化性の金属であればよい。具体
的には、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルから選ば
れる少なくとも1種以上が好ましい。なかでもニッケル
がさらに好ましい。発熱体には電源と接続するための端
子が必要であり、この端子は、半田を介して発熱体に取
り付けるが、ニッケルは半田の熱拡散を防止するからで
ある。接続端子しては、コバール製の端子ピンを使用す
ることができる。なお、発熱体をヒータ板内部に形成す
る場合は、発熱体表面が酸化されることがないため、被
覆は不要である。発熱体をヒータ板内部に形成する場
合、発熱体の表面の一部が露出していてもよい。
ッケル箔、ステンレス箔をエッチング等でパターン形成
して発熱体としたものが望ましい。パターン化した金属
箔は、樹脂フィルム等ではり合わせてもよい。金属線と
しては、例えば、タングステン線、モリブデン線等が挙
げられる。
る場合は、電流の流れる方向を変えることにより発熱、
冷却両方行うことができるため有利である。ペルチェ素
子は、図7に示すように、p型、n型の熱電素子440
を直列に接続し、これをセラミック板441などに接合
させることにより形成される。ペルチェ素子としては、
例えば、シリコン・ゲルマニウム系、ビスマス・アンチ
モン系、鉛・テルル系材料等が挙げられる。
導体層形成面には図2に示したように溝7と空気の吸引
孔8とが形成されていることが望ましい。吸引孔8は、
複数設けられて均一な吸着が図られる。シリコンウエハ
Wを載置して吸引孔8から空気を吸引してシリコンウエ
ハWを吸着させることができるからである。
例えば、図1に示すようにセラミック基板3の底面に発
熱体41が設けられ、発熱体41とチャックトップ導体
層2との間にガード電極5の層とグランド電極6の層と
がそれぞれ設けられた構成のウエハプローバ101、図
5に示すようにセラミック基板3の内部に扁平形状の発
熱体42が設けられ、発熱体42とチャックトップ導体
層2との間にガード電極5とグランド電極6とが設けら
れた構成のウエハプローバ201、図6に示すようにセ
ラミック基板3の内部に発熱体である金属線43が埋設
され、金属線43とチャックトップ導体層2との間にガ
ード電極5とグランド電極6とが設けられた構成のウエ
ハプローバ301、図7に示すようにペルチェ素子44
(熱電素子440とセラミック基板441とからなる)
がセラミック基板3の外側に形成され、ペルチェ素子4
4とチャックトップ導体層2との間にガード電極5とグ
ランド電極6とが設けられた構成のウエハプローバ40
1等が挙げられる。いずれのウエハプローバも、溝7と
吸引孔8とを必ず有している。
ミック基板3の内部に発熱体42、43が形成され(図
5〜6)、セラミック基板3の内部にガード電極5、グ
ランド電極6(図1〜7)が形成されるため、これらと
外部端子とを接続するための接続部(スルーホール)1
6、17、18が必要となる。
ステンペースト、モリブデンペーストなどの高融点金
属、タングステンカーバイド、モリブデンカーバイドな
どの導電性セラミックからなるものであることが望まし
い。このスルーホールを接続パッドとして外部端子ピン
を接続する(図11(g)参照)。
としては銀ろう、パラジウムろう、アルミニウムろう、
金ろうを使用する。金ろうとしては、Au−Ni合金が
望ましい。Au−Ni合金は、タングステンとの密着性
に優れるからである。
5(重量%)〕/〔18.5〜17.5(重量%)〕が
望ましい。Au−Ni層の厚さは、0.1〜50μmが
望ましい。接続を確保するに充分な範囲だからである。
また、10-6〜10-5Paの高真空で500℃〜100
0℃の高温で使用するとAu−Cu合金では劣化する
が、Au−Ni合金ではこのような劣化がなく有利であ
る。また、Au−Ni合金中の不純物元素量は全量を1
00重量部とした場合に1重量部未満であることが望ま
しい。
に熱電対を埋め込んでおくことができる。熱電対により
発熱体の温度を測定し、そのデータをもとに電圧、電流
量を変えて、温度を制御することができるからである。
熱電対の金属線の接合部位の大きさは、各金属線の素線
径と同一か、もしくは、それよりも大きく、かつ、0.
5mm以下がよい。このような構成によって、接合部分
の熱容量が小さくなり、温度が正確に、また、迅速に電
流値に変換されるのである。このため、温度制御性が向
上してウエハの加熱面の温度分布が小さくなるのであ
る。上記熱電対としては、例えば、JIS−C−160
2(1980)に挙げられるように、K型、R型、B
型、S型、E型、J型、T型熱電対が挙げられる。
せ、R型はPt−13%Rh合金とPtの組合せ、B型
は、Pt−30%Rh合金とPt−65%Rh合金の組
合せ、S型は、Pt−10%Rh合金とPtの組合せ、
E型は、Ni/Cr合金とCu/Ni合金の組合せ、J
型はFeとCu/Ni合金の組合せ、T型は、CuとC
u/ni合金の組合せである。
ハプローバを設置するための支持台11を模式的に示し
た断面図である。この支持台11には、冷媒の吹き出し
口12が形成されており、冷媒注入口14から冷媒が吹
き込まれる。また、吸引口13から空気を吸引して吸引
孔8を介してウエハプローバ上に載置されたシリコンウ
エハ(図示せず)を溝7に吸い付けるのである。
に示した縦断面図であり、(b)は、(a)図における
B−B線断面図である。図9に示したように、この支持
台では、ウエハプローバがプローブカードのテスタピン
の押圧によって反らないように、多数の支持柱15が設
けられている。支持台は、アルミニウム合金、ステンレ
スなどを使用することができる。
の一例を図10〜11に示した断面図に基づき説明す
る。 (1)まず、酸化物セラミック、窒化物セラミック、炭
化物セラミックなどのセラミックの粉体をバインダおよ
び溶剤と混合してグリーンシート30を得る。前述した
セラミック粉体としては、例えば、窒化アルミニウム、
炭化ケイ素などを使用することができ、必要に応じて、
イットリアなどの焼結助剤などを加えてもよい。
ンダ、エチルセルロース、ブチルセロソルブ、ポリビニ
ルアルコールから選ばれる少なくとも1種が望ましい。
さらに、溶媒としては、α−テルピネオール、グリコー
ルから選ばれる少なくとも1種が望ましい。これらを混
合して得られるペーストをドクターブレード法でシート
状に成形してグリーンシート30を作製する。
コンウエハの支持ピンを挿入する貫通孔や熱電対を埋め
込む凹部を設けておくことができる。貫通孔や凹部は、
パンチングなどで形成することができる。グリーンシー
ト30の厚さは、0.1〜5mm程度が好ましい。
グランド電極を印刷する。印刷は、グリーンシート30
の収縮率を考慮して所望のアスペクト比が得られるよう
に行い、これによりガード電極印刷体50、グランド電
極印刷体60を得る。印刷体は、導電性セラミック、金
属粒子などを含む導体ペーストを印刷することにより形
成する。
セラミック粒子としては、タングステンまたはモリブデ
ンの炭化物が最適である。酸化しにくく熱伝導率が低下
しにくいからである。また、金属粒子としては、例え
ば、タングステン、モリブデン、白金、ニッケルなどを
使用することができる。
子径は0.1〜5μmが好ましい。これらの粒子は、大
きすぎても小さすぎてもペーストを印刷しにくいからで
ある。このようなペーストとしては、金属粒子または導
電性セラミック粒子85〜97重量部、アクリル系、エ
チルセルロース、ブチルセロソルブおよびポリビニルア
ルコールから選ばれる少なくとも1種のバインダ1.5
〜10重量部、α−テルピネオール、グリコール、エチ
ルアルコールおよびブタノールから選ばれる少なくとも
1種の溶媒を1.5〜10重量部混合して調製したぺー
ストが最適である。さらに、パンチング等で形成した孔
に、導体ペーストを充填してスルーホール印刷体16
0、170を得る。
50、60、160、170を有するグリーンシート3
0と、印刷体を有さないグリーンシート30を積層す
る。発熱体形成側に印刷体を有さないグリーンシート3
0を積層するのは、スルーホールの端面が露出して、発
熱体形成の焼成の際に酸化してしまうことを防止するた
めである。もしスルーホールの端面が露出したまま、発
熱体形成の焼成を行うのであれば、ニッケルなどの酸化
しにくい金属をスパッタリングする必要があり、さらに
好ましくは、Au−Niの金ろうで被覆してもよい。
積層体の加熱および加圧を行い、グリーンシートおよび
導体ペーストを焼結させる。加熱温度は、1000〜2
000℃、加圧は10〜20MPa(100〜200k
g/cm2 )が好ましく、これらの加熱および加圧は、
不活性ガス雰囲気下で行う。不活性ガスとしては、アル
ゴン、窒素などを使用することができる。この工程でス
ルーホール16、17、ガード電極5、グランド電極6
が形成される。
焼結体の表面に溝7を設ける。溝7は、ドリル、サンド
ブラスト等により形成する。 (4)次に、図10(d)に示すように、焼結体の底面
に導体ペーストを印刷してこれを焼成し、発熱体41を
作製する。
ウエハ載置面(溝形成面)にチタン、モリブデン、ニッ
ケル等をスパッタリングした後、無電解ニッケルめっき
等を施しチャックトップ導体層2を設ける。このとき同
時に、発熱体41の表面にも無電解ニッケルめっき等に
より保護層410を形成する。
溝7から裏面にかけて貫通する吸引孔8や、外部端子接
続のための袋孔180をドリル、サンドブラスト等によ
り形成する。袋孔180の内壁は、その少なくとも一部
が導電化され、その導電化された内壁は、ガード電極、
グランド電極などと接続されていることが望ましい。内
壁を導電化するためには、グリーンシート30を作製し
た際、袋孔180の内壁となる部分に、導体ペースト層
を形成しておく必要がある。 (7)最後に、図11(g)に示すように、発熱体41
表面の取りつけ部位に半田ペーストを印刷した後、外部
端子ピン191を乗せて、加熱してリフローする。加熱
温度は、200〜500℃が好適である。
端子19、190を設ける。さらに、必要に応じて、有
底孔を設け、その内部に熱電対を埋め込むことができ
る。半田は銀−鉛、鉛−スズ、ビスマス−スズなどの合
金を使用することができる。なお、半田層の厚さは、
0.1〜50μmが望ましい。半田による接続を確保す
るに充分な範囲だからである。
(図1参照)を例にしたが、ウエハプローバ201(図
5参照)を製造する場合は、発熱体をグリーンシートに
印刷すればよい。また、ウエハプローバ301(図6参
照)を製造する場合は、セラミック粉体にガード電極、
グランド電極として金属板を、また金属線を発熱体にし
て埋め込み、焼結すればよい。さらに、ウエハプローバ
401(図7参照)を製造する場合は、ペルチェ素子を
溶射金属層を介して接合すればよい。
1.1μm)100重量部、イットリア(平均粒径0.
4μm)4重量部、アクリルバインダ11.5重量部、
分散剤0.5重量部および1−ブタノールとエタノール
とからなるアルコール53重量部を混合した組成物を用
い、ドクターブレード法により成形を行って厚さ0.4
7mmのグリーンシートを得た。
間乾燥させた後、パンチングにて発熱体と外部端子ピン
と接続するためのスルーホール用の貫通孔を設けた。 (3)平均粒子径1μmのタングステンカーバイド粒子
100重量部、アクリル系バインダ3.0重量部、α−
テルピネオール溶媒3.5重量および分散剤0.3重量
部を混合して導体ペーストAとした。
子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α
−テルピネオール溶媒3.7重量および分散剤0.2重
量部を混合して導体ペーストBとした。
トAを用いたスクリーン印刷で、格子状のガード電極用
印刷体50、グランド電極用印刷体60を印刷した。ま
た、端子ピンと接続するためのスルーホール用の貫通孔
に導体ペーストBを充填した。
印刷がされていないグリーンシートを50枚積層して1
30℃、8MPa(80kg/cm2 )の圧力で一体化
することにより積層体を作製した(図10(a)参
照)。
00℃で5時間脱脂し、1890℃、圧力15MPa
(150kg/cm2 )で3時間ホットプレスし、厚さ
3mmの窒化アルミニウム板状体を得た。得られた板状
体を、直径230mmの円形状に切り出してセラミック
製の板状体とした(図10(b)参照)。スルーホール
16、17の大きさは、直径0.2mmであった。ま
た、ガード電極5、グランド電極6の厚さは10μm、
ガード電極5の形成位置は、ウエハ載置面から1mm、
グランド電極6の形成位置は、ウエハ載置面から1.2
mmであった。また、ガード電極5、グランド電極6の
導体非形成領域の1辺の大きさは、0.5mmであっ
た。
モンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、SiC等に
よるブラスト処理で表面に熱電対のための凹部(図示せ
ず)およびシリコンウエハ吸着用の溝7(幅0.5m
m、深さ0.5mm)を設けた(図10(c)参照)。
に発熱体41を印刷した。印刷は導体ペーストを用い
た。導体ペーストは、プリント配線板のスルーホール形
成に使用されている徳力化学研究所製のソルベストPS
603Dを使用した。この導体ペーストは、銀/鉛ペー
ストであり、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素、
アルミナからなる金属酸化物(それぞれの重量比率は、
5/55/10/25/5)を銀100重量部に対して
7.5重量部含むものであった。また、銀の形状は平均
粒径4.5μmでリン片状のものであった。
780℃で加熱焼成して、導体ペースト中の銀、鉛を焼
結させるとともにセラミック基板3に焼き付けた(図1
0(d))。さらに硫酸ニッケル30g/l、ほう酸3
0g/l、塩化アンモニウム30g/lおよびロッシェ
ル塩60g/lを含む水溶液からなる無電解ニッケルめ
っき浴にヒータ板を浸漬して、銀の焼結体41の表面に
厚さ1μm、ホウ素の含有量が1重量%以下のニッケル
層410を析出させた。この後、ヒータ板は、120℃
で3時間アニーリング処理を施した。銀の焼結体からな
る発熱体は、厚さが5μm、幅2.4mmであり、面積
抵抗率が7.7mΩ/□であった。
ング法により、順次、チタン層、モリブデン層、ニッケ
ル層を形成した。スパッタリングのための装置は、日本
真空技術株式会社製のSV−4540を使用した。スパ
ッタリングの条件は気圧0.6Pa、温度100℃、電
力200Wであり、スパッタリング時間は、30秒から
1分の範囲内で、各金属によって調整した。得られた膜
の厚さは、蛍光X線分析計の画像から、チタン層は0.
3μm、モリブデン層は2μm、ニッケル層は1μmで
あった。
0g/l、塩化アンモニウム30g/lおよびロッシェ
ル塩60g/lを含む水溶液からなる無電解ニッケルめ
っき浴、および、硫酸ニッケル250〜350g/l、
塩化ニッケル40〜70g/l、ホウ酸30〜50g/
lを含み、硫酸でpH2.4〜4.5に調整した電解ニ
ッケルめっき浴を用いて、上記(8)で得られたセラミ
ック板を浸漬し、スパッタリングにより形成された金属
層の表面に厚さ7μm、ホウ素の含有量が1重量%以下
のニッケル層を析出させ、120℃で3時間アニーリン
グした。発熱体表面は、電流を流さず、電解ニッケルめ
っきで被覆されない。
l、塩化アンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム
50g/lおよび次亜リン酸ナトリウム10g/lを含
む無電解金めっき液に、93℃の条件で1分間浸漬し、
ニッケルめっき層上に厚さ1μmの金めっき層を形成し
た(図11(e)参照)。
8をドリル加工により形成し、さらにスルーホール1
6、17を露出させるための袋孔180を同様にドリル
加工により設けた(図11(f)参照)。この袋孔18
0にNi−Au合金(Au81.5重量%、Ni18.
4重量%、不純物0.1重量%)からなる金ろうを用
い、970℃で加熱リフローしてコバール製の外部端子
ピン19、190を接続させた(図11(g)参照)。
また、発熱体に半田(スズ9/鉛1)を介してコバール
製の外部端子ピン191を形成した。
対を凹部に埋め込み、ウエハプローバヒータ101を得
た。 (12)このウエハプローバ101を図8の断面形状を
有するステンレス製の支持台にセラミックファイバー
(イビデン社製 商品名 イビウール)からなる断熱材
10を介して組み合わせた。この支持台11は冷媒吹き
出し口12を有し、ウエハプローバ101の温度調整を
行うことができる。また、吸引口13から冷媒や空気を
吸引してシリコンウエハの吸着を行う。
参照)の製造 (1)窒化アルミニウム粉末(トクヤマ社製、平均粒径
1.1μm)100重量部、イットリア(平均粒径0.
4μm)4重量部、アクリルバイダー11.5重量部、
分散剤0.5重量部および1−ブタノールとエタノール
とからなるアルコール53重量部を混合した組成物を、
ドクターブレード法により成形し、厚さ0.47mmの
グリーンシートを得た。
間乾燥させた後、パンチングにて発熱体と外部端子ピン
と接続するためのスルーホール用の貫通孔を設けた。 (3)平均粒子径1μmのタングステンカーバイド粒子
100重量部、アクリル系バインダ3.0重量部、α−
テルピネオール溶媒3.5重量および分散剤0.3重量
部を混合して導体ペーストAとした。
子100重量部、アクリル系バインダ1.9重量部、α
−テルピネオール溶媒3.7重量および分散剤0.2重
量部を混合して導体ペーストBとした。
トAを用いたスクリーン印刷で、格子状のガード電極用
印刷体、グランド電極用印刷体を印刷した。さらに、発
熱体を図3に示すように同心円パターンとして印刷し
た。
ール用の貫通孔に導体ペーストBを充填した。さらに、
印刷されたグリーンシートおよび印刷がされていないグ
リーンシートを50枚積層して130℃、8MPa(8
0kg/cm2 )の圧力で一体化し、積層体を作製し
た。
00℃で5時間脱脂し、1890℃、圧力15MPa
(150kg/cm2 )で3時間ホットプレスし、厚さ
3mmの窒化アルミニウム板状体を得た。これを直径2
30mmの円状に切り出してセラミック製の板状体とし
た。スルーホールの大きさは直径2.0mm、深さ3.
0mmであった。また、ガード電極5、グランド電極6
の厚さは6μm、ガード電極5の形成位置は、ウエハ載
置面から0.7mm、グランド電極6の形成位置は、ウ
エハ載置面から1.4mm、発熱体の形成位置は、ウエ
ハ載置面から2.8mmであった。また、ガード電極
5、グランド電極6の導体非形成領域の1辺の大きさ
は、0.5mmであった。
モンド砥石で研磨した後、マスクを載置し、SiC等に
よるブラスト処理で表面に熱電対のための凹部(図示せ
ず)およびシリコンウエハ吸着用の溝7(幅0.5m
m、深さ0.5mm)を設けた。
グにてチタン、モリブデン、ニッケル層を形成した。ス
パッタリングのための装置は、日本真空技術株式会社製
のSV−4540を使用した。スパッタリングの条件は
気圧0.6Pa、温度100℃、電力200Wで、スパ
ッタリングの時間は、30秒から1分の間で、各金属に
より調整した。得られた膜は、蛍光X線分析計の画像か
らチタンは0.5μm、モリブデンは4μm、ニッケル
は1.5μmであった。
0g/l、塩化アンモニウム30g/l、ロッシェル塩
60g/lを含む水溶液からなる無電解ニッケルめっき
浴に(6)で得られたセラミック板3を浸漬して、スパ
ッタリングにより形成された金属層の表面に厚さ7μ
m、ホウ素の含有量が1重量%以下のニッケル層を析出
させ、120℃で3時間アニーリングした。
l、塩化アンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム
50g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/lからなる
無電解金めっき液に93℃の条件で1分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層上に厚さ1μmの金めっき層を形成し
た。
をドリル加工により形成し、さらにスルーホール16、
17、18を露出させるための袋孔180を同様にドリ
ル加工により設けた。この袋孔180にNi−Au合金
(Au81.5重量%、Ni18.4重量%、不純物
0.1重量%)からなる金ろうを用い、970℃で加熱
リフローしてコバール製の外部端子ピン19、190、
191を接続させた。外部端子19、190、191
は、W製でもよい。
に埋め込み、ウエハプローバヒータ201を得た。 (10)このウエハプローバ201を図9の断面形状を
持つステンレス製の支持台にセラミックファイバー(イ
ビデン社製:商品名 イビウール)からなる断熱材10
を介して組み合わせた。この支持台21には、ウエハプ
ローバの反り防止のための支持柱15が形成されてい
る。また、吸引口13から空気を吸引してシリコンウエ
ハの吸着を行う。
6参照)の製造 (1)厚さ10μmのタングステン箔を打抜き加工する
ことにより格子状の電極を形成した。格子状の電極2枚
(ぞれぞれガード電極5、グランド電極6となるもの)
およびタングステン線を窒化アルミニウム粉末(トクヤ
マ社製、平均粒径1.1μm)100重量部、イットリ
ア(平均粒径0.4μm)4重量部とともに、成形型中
に入れて窒素ガス中で1890℃、圧力15MPa(1
50kg/cm2 )で3時間ホットプレスし、厚さ3m
mの窒化アルミニウム板状体を得た。これを直径230
mmの円状に切り出して板状体とした。 (2)この板状体に対し、実施例2の(5)〜(10)
の工程を実施し、ウエハプローバ301を得、実施例1
と同様にウエハプローバ301を図8に示した支持台1
1上に載置した。
7参照)の製造 実施例1の(1)〜(5)、および、(8)〜(10)
を実施した後、さらにウエハ載置面に対向する面にニッ
ケルを溶射し、この後、鉛・テルル系のペルチェ素子を
接合させ、ウエハプローバ401を得、実施例1と同様
にウエハプローバ401を図8に示した支持台11上に
載置した。
とするウエハプローバの製造 以下に記載する事項または条件以外は、実施例3の場合
と同様にして、ウエハプローバを製造した。即ち、平均
粒径1.0μmの炭化ケイ素粉末100重量部を使用
し、また、格子状の電極2枚(ぞれぞれガード電極5、
グランド電極6となるもの)、および、表面にテトラエ
トキシシラン10重量%、塩酸0.5重量%および水8
9.5重量%からなるゾル溶液を塗布したタングステン
線を使用し、1900℃の温度で焼成した。なお、ゾル
溶液は焼成でSiO2 となって絶縁層を構成する。次
に、実施例5で得られたウエハプローバ401を、実施
例1と同様に図8に示した支持台11上に載置した。
とするウエハプローバの製造 以下に記載する工程または条件以外は、実施例1の場合
と同様にして、ウエハプローバを製造した。アルミナ粉
末(トクヤマ製、平均粒径1.5μm)100重量部、
アクリルバイダー11.5重量部、分散剤0.5重量部
および1−ブタノールとエタノールとからなるアルコー
ル53重量部を混合した組成物を、ドクターブレード法
を用いて成形し、厚さ0.5mmのグリーンシートを得
た。また、焼成温度を1000℃とした。次に、実施例
6で得られたウエハプローバを、実施例1と同様に図8
に示した支持台11上に載置した。
成形治具に入れて、窒素ガス中で温度1890℃、圧力
15MPa(150kg/cm2 )で3時間ホットプレ
スして、直径200mm、厚さ110μmのタングステ
ン製の多孔質チャックトップ導体層を得た。
同様の工程を実施し、ガード電極、グランド電極、発熱
体を有するセラミック基板を得た。
ップ導体層を金ろう(実施例1の(10)と同じもの)
の粉末を介してセラミック基板に載置し、970℃でリ
フローした。 (4)実施例1の(10)〜(12)と同様の工程を実
施してウエハプローバを得た。この実施例で得られたウ
エハプローバは、チャックトップ導体層に半導体ウエハ
が均一に吸着する。
ほかは、実施例1と同様にして、ウエハプローバを製造
し、得られたウエハプローバを実施例1と同様に図8に
示した支持台11上に載置した。
たウエハプローバの上に、図12に示したようにシリコ
ンウエハWを載置し、加熱などの温度制御を行いなが
ら、プローブカード601を押圧して導通テストを行っ
た。この導通テストでは、チャックトップ導体層および
ガード電極にそれぞれ100Vを印加した。また、グラ
ンド電極は、接地した。ガード電極には、必要に応じて
電圧を印加することができる。
び比較例1に係るウエハプローバでは、セラミック基板
には殆ど反りが発生せず、良好に導通テストを行うこと
ができた。次に、実施例1〜7および比較例1に係るウ
エハプローバについて、ソケットの脱着試験を1000
回繰り返し、剥離の有無を調べた。その結果を下記の表
1に示した。
ローバは、ガード電極、グランド電極と接続するスルー
ホールを用いることにより電極を個別に制御できるため
制御性に優れ、しかも、該スルーホールを露出する袋孔
の内部に外部端子ピンを接続することができるので、上
記外部端子ピンはしっかりと固定され、ソケット等の着
脱により接合部分の界面で剥離することがない。また、
本発明のウエハプローバは、プローブカードを押圧した
場合でも反りがなく、ウエハの破損や測定ミスを防止
し、かつ昇温、降温特性に優れる。
式的に示す断面図であり、(b)は、その部分拡大断面
図である。
である。
断面図である。
断面図である。
断面図である。
た場合を模式的に示す断面図である。
台と組み合わせた場合を模式的に示す縦断面図であり、
(b)は、そのB−B線断面図である。
の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。
の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。
を行っている状態を模式的に示す断面図である。
である。
Claims (9)
- 【請求項1】 セラミック基板の表面にはチャックトッ
プ導体層が形成され、前記セラミック基板の内部には、
ガード電極および/またはグランド電極が形成されたウ
エハプローバであって、前記ガード電極と前記グランド
電極の一方または両方と電気的に接続し、かつ、外部端
子と電気的に接続するスルーホールと、このスルーホー
ルを露出させる袋孔とが設けられてなることを特徴とす
るウエハプローバ。 - 【請求項2】 前記セラミック基板には温度制御手段が
設けられてなる請求項1に記載のウエハプローバ。 - 【請求項3】 前記セラミック基板は、窒化物セラミッ
ク、炭化物セラミックおよび酸化物セラミックに属する
セラミックから選ばれる少なくとも1種である請求項1
または2に記載のウエハプローバ。 - 【請求項4】 前記温度制御手段は、ペルチェ素子であ
る請求項1〜3のいずれか1に記載のウエハプローバ。 - 【請求項5】 前記温度制御手段は、発熱体である請求
項1〜4のいずれか1に記載のウエハプローバ。 - 【請求項6】 前記セラミック基板中には、格子状のガ
ード電極および/またはグランド電極が形成されてなる
請求項1〜5のいずれか1に記載のウエハプローバ。 - 【請求項7】 前記セラミック基板の表面には溝が形成
されてなる請求項1〜6のいずれか1に記載のウエハプ
ローバ。 - 【請求項8】 前記セラミック基板の表面には溝が形成
され、その溝には空気の吸引孔が形成されてなる請求項
1〜7のいずれか1に記載のウエハプローバ。 - 【請求項9】 前記袋孔には、外部端子が挿入されてな
る請求項1〜8のいずれか1に記載のウエハプローバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000251110A JP3670200B2 (ja) | 1999-08-23 | 2000-08-22 | ウエハプローバ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23614599 | 1999-08-23 | ||
JP11-236145 | 1999-08-23 | ||
JP2000251110A JP3670200B2 (ja) | 1999-08-23 | 2000-08-22 | ウエハプローバ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003407991A Division JP2004104151A (ja) | 1999-08-23 | 2003-12-05 | ウエハプローバ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001135683A true JP2001135683A (ja) | 2001-05-18 |
JP3670200B2 JP3670200B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=26532512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000251110A Expired - Fee Related JP3670200B2 (ja) | 1999-08-23 | 2000-08-22 | ウエハプローバ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3670200B2 (ja) |
-
2000
- 2000-08-22 JP JP2000251110A patent/JP3670200B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3670200B2 (ja) | 2005-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2002101816A1 (fr) | Dispositif d'etalonnage de tranche | |
JP3565496B2 (ja) | セラミックヒータ、静電チャックおよびウエハプローバ | |
JP2001033484A (ja) | ウエハプローバ | |
JP2004153288A (ja) | ウエハプローバ装置 | |
JP3813421B2 (ja) | ウエハプローバ装置 | |
JP3320706B2 (ja) | ウエハプローバ、ウエハプローバに使用されるセラミック基板およびウエハプローバ装置 | |
JP3813420B2 (ja) | ウエハプローバ装置 | |
JP3514384B2 (ja) | ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板 | |
JP3396468B2 (ja) | ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板 | |
JP3681628B2 (ja) | ウエハプローバ装置およびウエハプローバ装置に使用されるセラミック基板 | |
JP3320705B2 (ja) | ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板 | |
JP3320704B2 (ja) | ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板 | |
JP3670200B2 (ja) | ウエハプローバ | |
JP3614764B2 (ja) | ウエハプローバ、および、ウエハプローバに使用されるセラミック基板 | |
JP3396469B2 (ja) | ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板 | |
JP2001196425A (ja) | ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板 | |
JP3847537B2 (ja) | ウエハプローバ用チャックトップおよびウエハプローバ用チャックトップに使用されるセラミック基板 | |
JP3810992B2 (ja) | ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板 | |
JP2004104152A (ja) | ウエハプローバ装置 | |
JP2004104150A (ja) | ウエハプローバおよびウエハプローバに使用されるセラミック基板 | |
JP2004104151A (ja) | ウエハプローバ | |
JP2001135685A (ja) | ウエハプローバ | |
JP2001176938A (ja) | ウエハプローバ | |
JP2001230284A (ja) | ウエハプローバ | |
JP2003075507A (ja) | ウエハプローバ、および、ウエハプローバに使用されるセラミック基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040301 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040318 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050412 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080422 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090422 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100422 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110422 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120422 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130422 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |