JP2001134208A - 発光素子用電源装置、照明装置および液晶装置 - Google Patents
発光素子用電源装置、照明装置および液晶装置Info
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Abstract
さらに、広い電圧範囲での安定動作、構成の簡略化小型
化、低消費電力化を図る。 【解決手段】 トランジスタ412がオンしたときにエ
ネルギーを蓄積する一方、トランジスタ412がオフし
たときにエネルギーを放出するインダクタ414と、こ
こから放出されたエネルギーを吸収して、電圧Voutと
して保持するコンデンサ418と、LED1、2および
抵抗420からなり、電圧Voutを分圧する直列回路
と、分圧電圧Vdivと参照電圧Vrefとを比較して、その
大小関係を判別する比較器424と、分圧電圧Vdivが
参照電圧Vrefを下回ったときに、トランジスタ412
をオンオフさせるラッチ回路426と、信号ENBがL
レベルとなってLED1、2の消灯が指示されると、L
ED1、2の電流経路を遮断するトランジスタ422と
を備える。
Description
とともに、消費電力を低く抑えた発光素子用電源装置、
照明装置、および、液晶装置に関する。
情報をユーザに示すために表示装置が設けられる。そし
て、この種の表示装置としては、消費電力が極めて小さ
い反射型の液晶装置が広く用いられている。ただし、反
射型の液晶装置は、外光を利用するため、暗い場所では
表示を読み取ることができない、という欠点がある。そ
こで、透過型のように内部に照明装置を持たせて、暗い
場所では、当該照明装置を点灯させることにより透過型
として用いて、その照射光により表示を視認する一方、
明るい場所では、当該照明装置を非点灯とすることによ
り反射型として用いて、外光により表示を視認する、い
わゆる半透過型(半反射型)の液晶装置が提案されてい
る。
置の光源には、一般的に冷陰極蛍光管が用いられるため
に、点灯速度が遅い。このため、半透過型の液晶装置の
照明装置として用いると、反射型から透過型への切り替
わり時に一時的に表示が視認しにくくなる、という問題
があった。一方、携帯用の電子機器における電源は一般
的に電池であるため、低消費電力であることが強く求め
られるが、消費電力の大きい冷陰極蛍光管は、この点で
も不利である。
LED(発光ダイオード)のような発光素子を用いるこ
とにより点灯の高速化を図り、さらに、広い電圧範囲で
の安定動作、構成の簡略化・小型化、発光素子を用いた
こと以上の低消費電力化を可能とする発光素子用電源装
置、照明装置、および、これを用いた液晶装置を提供す
ることにある。
に本件第1の発明にあっては、電圧を保持する保持素子
と、発光素子および抵抗素子からなる直列回路であっ
て、前記保持素子により保持された電圧を分圧する直列
回路と、前記直列回路による分圧電圧と、予め基準とな
る電圧に設定された参照電圧とを比較して、その大小関
係を判別する比較器と、前記分圧電圧が前記参照電圧以
下であると前記比較器によって判別された場合に、前記
保持素子により保持される電圧の絶対値を大きくさせる
制御回路と、前記発光素子を消灯させる旨の信号を入力
すると、前記直列回路の電流経路を遮断する第1のスイ
ッチング素子とを具備することを特徴としている。
のフィードバックにより、保持素子に保持される電圧が
制御されるので、発光素子に印加される電圧を安定化さ
せることが可能となる。この際、発光素子と抵抗素子と
の分圧電圧が比較の対象となるので、比較器の電源電圧
が低く抑えられるとともに、分圧のための抵抗素子は1
つだけで済む結果、構成の簡略化・小型化がそれだけ容
易となる。さらに、発光素子を消灯させる旨の信号を入
力すると、直列回路の電流経路が第1のスイッチング素
子によって遮断されるので、インダクタを介して発光素
子に電流が流れるのが防止される結果、その分、低消費
電力化が可能となる。
スイッチング素子はトランジスタであって、そのオン抵
抗を、前記抵抗素子の一部または全部として用いる構成
が望ましい。特に、オン抵抗を抵抗素子として用いれ
ば、分圧のための抵抗素子が不要となるので、さらに、
構成の簡略化・小型化を図ることが可能となる。
を消灯させる旨の信号を入力すると、前記比較器は、比
較動作を停止する構成が望ましい。これにより、不要な
比較動作が抑えられるので、その分、消費電力を抑える
ことができる。
チング素子に接続されたインダクタであって、前記第2
のスイッチング素子がオンしたときにエネルギーを蓄積
する一方、前記第2のスイッチング素子がオフしたとき
にエネルギーを放出するインダクタを備えて、前記制御
回路は、前記第2のスイッチング素子をオンオフさせる
ことにより、前記保持素子により保持される電圧の絶対
値を大きくさせる構成が望ましい。これにより、安定化
した昇圧電圧を用いることが可能となる。
せる旨の信号を入力すると、前記制御回路は、前記第2
のスイッチング素子のオンオフを禁止させることが望ま
しい。これにより、不要なオンオフ動作が抑えられるの
で、その分、消費電力を抑えることができる。
の発明は、電圧を保持する保持素子と、発光素子および
抵抗素子からなる直列回路であって、前記保持素子によ
り保持された電圧を分圧する直列回路と、前記直列回路
による分圧電圧と、予め基準となる電圧に設定された参
照電圧とを比較して、その大小関係を判別する比較器
と、前記分圧電圧が前記参照電圧以下であると前記比較
器によって判別された場合に、前記保持素子により保持
される電圧の絶対値を大きくさせる制御回路と、前記発
光素子を消灯させる旨の信号を入力すると、前記直列回
路の電流経路を遮断する第1のスイッチング素子とを具
備し、前記発光素子による光を照射することを特徴して
いる。この構成によれば、上記第1の発明と同様に、広
い電圧範囲での安定動作、構成の簡略化・小型化、さら
には低消費電力化が可能となる。
3の発明は、電圧を保持する保持素子と、発光素子およ
び抵抗素子からなる直列回路であって、前記保持素子に
より保持された電圧を分圧する直列回路と、前記直列回
路による分圧電圧と、予め基準となる電圧に設定された
参照電圧とを比較して、その大小関係を判別する比較器
と、前記分圧電圧が前記参照電圧以下であると前記比較
器によって判別された場合に、前記保持素子により保持
される電圧の絶対値を大きくさせる制御回路と、前記発
光素子を消灯させる旨の信号を入力すると、前記直列回
路の電流経路を遮断する第1のスイッチング素子と、互
いに対向する2枚の基板間に液晶が挟持されてなる液晶
パネルであって、前記発光素子により照射される光の透
過率または反射率を変化させる液晶パネルとを具備する
ことを特徴としている。この構成によっても、上記第1
の発明と同様に、広い電圧範囲での安定動作、構成の簡
略化・小型化、さらには低消費電力化が可能となる。
て図面を参照して説明する。
に係るバックライトについて説明する。図1は、このバ
ックライトの電気的な構成を示すブロック図である。こ
の図に示されるように、バックライトは、単一の電圧
「Vdd−GND」を電源回路によって昇圧するととも
に、この昇圧電圧「Vout−GND」を用いて、発光素
子たるLED1およびLED2を点灯させるものであ
る。
は、そのゲートに供給されている信号CTRがHレベル
である場合にオンするものであり、そのドレインは、イ
ンダクタ(コイル)414の一端に接続され、そのソー
スは、基準電位GNDの接地ラインに接続されている。
インダクタ414の他端は、高位側の電圧Vddが印加さ
れる給電ラインに接続されている。また、インダクタ4
14の他端(トランジスタ412のソース)は、ダイオ
ード416の順方向を介して、コンデンサの418の一
端に接続されている。ここで、コンデンサ418の他端
は接地ラインに接続されている。そして、このコンデン
サ418の両端電圧が出力電圧「Vout−GND」とし
て出力される構成となっている。
て、発光素子たるLED1、LED2、抵抗420およ
びトランジスタ422からなる直列回路が接続されてい
る。このうち、LED1およびLED2は、白色の光を
発するものであり、それぞれ後述するようにバックライ
トの光源として用いられる。また、トランジスタ422
は、そのゲートに供給されている信号ENBがHレベル
である場合にオンするものである。ここで、信号ENB
は、信号生成回路(図1では省略)から供給される信号
であり、Hレベルの場合にはLED1およびLED2の
点灯を、Lレベルの場合にはその非点灯を、それぞれ指
示する。さらに、この直列回路のうち、LED2および
抵抗420の接続点Bにおける分圧電圧Vdivが、コン
パレータ424の負入力端に印加される一方、GND<
Vref<Vddの範囲において予め固定された参照電圧Vr
efが、コンパレータ424の正入力端に印加されてい
る。
BがHレベルの場合において、負入力端に印加されてい
る分圧電圧Vdivと、正入力端に印加されている参照電
圧Vrefとの比較動作が許可されるものである。詳細に
は、コンパレータ424は、比較動作が許可されている
場合に、分圧電圧Vdivが参照電圧Vrefよりも上回ると
き、Lレベルの信号Cmpを出力する一方、分圧電圧Vdi
vが参照電圧Vrefよりも下回るとき、Hレベルの信号C
mpを出力する。なお、参照電圧Vrefは、図1では固定
化されているが、温度などの環境変数に応じて可変設定
される場合もある。
は、制御回路たるラッチ回路426の入力端Dに供給さ
れている。このラッチ回路426は、信号生成回路(図
1では省略)からのクロック信号CLKの立ち上がりに
おいて、入力端Dに供給される信号Cmpをラッチして、
出力端Qから信号Q1として出力するものである。ただ
し、ラッチ回路426のリセット入力端Rstには、イ
ンバータ428による信号ENBの反転信号が供給され
ているので、信号ENBがLレベルの場合には、信号Q
1がリセットされる構成となっている。また、ラッチ回
路426のプリセット入力端Prstには、インバータ
430によりHレベルの反転信号が供給されているの
で、リセット後における信号Q1の初期値はLレベルで
ある。そして、アンド回路432は、信号Q1とクロッ
ク信号CLKとの論理積信号を求めて、これをトランジ
スタ412へのゲートに信号CTRとして供給するもの
である。
明する。まず、説明の便宜上、信号ENBがHレベルで
ある場合、すなわち、LED1およびLED2の点灯が
指示されている場合の動作について説明する。
と、インダクタ414には、電流Ionが電圧Vddの給電
ラインから接地ライン方向に流れるので、エネルギーが
蓄積されることとなる。この後、スイッチ412がオフ
すると、インダクタ414にはオフ電流Ioffが流れる
ので、蓄積されたエネルギーは、ダイオード416を介
し、かつ、電圧Vddを基準に底上げされてコンデンサ4
18に移動することとなる。このため、コンデンサ41
8の両端電圧Voutは、電圧Vddよりも高くなる。な
お、インダクタ414に蓄積されたエネルギーが全てコ
ンデンサ418に移動すると、ダイオード416は逆バ
イアスとなるので、コンデンサ418に蓄積されたエネ
ルギーがダイオード416を逆流することはない。
ルギーは負荷により消費されるため、出力電圧Voutは
徐々に低下することになる。そして、図2に示されるよ
うに、出力電圧Voutの分圧電圧Vdivが、参照電圧Vre
fよりも下回ると、コンパレータ424の出力信号Cmp
は、LレベルからHレベルに遷移する。これに伴って、
ラッチ回路426は、クロック信号CLKの立ち上がり
においてHレベルの信号Cmpをラッチするので、その出
力信号Q1もHレベルとなる。このため、アンド回路4
32は開いて、クロック信号CLKがそのまま信号CT
Rとしてトランジスタ412のゲートに供給される。し
たがって、スイッチ412がオンしてインダクタ414
にエネルギーが蓄積された後に、スイッチ412がオフ
してエネルギーがコンデンサ418に移動するので、出
力電圧Voutが上昇することとなる。すなわち、分圧電
圧Vdivが参照電圧Vrefよりも下回ると、出力電圧Vou
tを上昇させる方向への制御が行われることとなる。な
お、図2において、B点の分圧電圧を示すVdiv(参照
電圧Vrefを含む)の縦スケールと、それ以外の信号波
形の縦スケールとは、説明の便宜上、異なっている。す
なわち、分圧電圧Vdivも参照電圧Vrefも、実際にはG
NDからVddまでの範囲内にある。
に示されるように、分圧電圧Vdivが参照電圧Vrefより
も上回ると、コンパレータ424の出力信号CmpはLレ
ベルとなるので、ラッチ回路426による信号Q1もL
レベルとなる。このため、アンド回路432が閉じるの
で、トランジスタ412はオンオフしない。したがっ
て、コンデンサ418が負荷に応じて放電するので、出
力電圧Voutは、徐々に低下することとなる。すなわ
ち、分圧電圧Vdivが参照電圧Vrefよりも上回ると、出
力電圧Voutを低下させる方向への制御がコンデンサ4
18の放電により行われることとなる。
両方向への制御が均衡する地点、すなわち、電圧Vdiv
イコール参照電圧Vrefとなる近辺で安定化することと
なる。ここで、電圧Vdivは、出力電圧Voutを、LED
1・LED2の抵抗分と抵抗422・トランジスタ42
4の抵抗分とで分圧した電圧であるから、前者に係る抵
抗分をR1とし、後者に係る抵抗分をR2とすれば、V
div=Vout・R2/(R1+R2)が成立する。そし
て、この電圧Vdivが参照電圧Vrefで均衡するので、電
圧Vddを昇圧した電圧Voutは、Vref(R1+R2)/
R2で安定化することになる。したがって、LED1お
よびLED2の両端には、電圧(Vdd−Vdiv)が印加
されるので、安定した点灯を得ることができる。
すなわち、LED1およびLED2の非点灯が指示され
ている場合、トランジスタ422がオフする結果、LE
D1、LED2に流れる電流経路が遮断される。また、
この場合、比較器424の比較動作が停止する一方、ラ
ッチ回路426はリセットされるので、電圧Vdivと参
照電圧Vrefとの大小関係にかかわらず、ゲート回路4
32は閉じる結果、トランジスタ412のオンオフが禁
止される。したがって、信号ENBがLレベルである場
合には、LED1、LED2は非点灯となるとともに、
トランジスタ412のオンオフに伴って消費される電力
のほか、比較器424、ラッチ回路426で消費される
電力も抑えられることとなる。
出力電圧Voutと目標電圧とを直接的に比較せずに、こ
れを分圧した電圧Vdivと参照電圧Vrefとを間接的に比
較する構成となっている。この理由は、比較器424の
電源として「Vin−GND」を用いているため、比較器
424においては、比較の対象となる電圧も「Vdd−G
ND」の範囲内になければならないからである。そこ
で、本実施形態に係るバックライトでは、第1に、電圧
Vddを昇圧した電圧Voutを、一種の抵抗分割により分
圧して、この分圧電圧Vdivを比較器424において比
較の対象としているのである。
は、少なくとも抵抗素子を2つ設けなければならない
が、このことは、構成の小型化や部品点数の極少化の要
求とは、相反するものである。そこで、本実施形態に係
るバックライトでは、第2に、電圧Voutを分圧する2
つの抵抗素子のうち、一方をLED1およびLED2に
置換して、そのオン抵抗を等価的に用いている。
成を想定した場合、電流が、分圧のための素子を介して
常に流れてしまうので、バックライトの消費電力が大き
くなってしまうだけでなく、電流が常に流れる結果、バ
ックライトを非点灯とさせるときでも、LED1、LE
D2が薄暗い状態で点灯してしまうことにもなる。特
に、入力電圧「Vdd−GND」に、リチウム電池などの
電圧幅が広いもの(例えば2.2〜5.5ボルト)を用いた場
合に、その電池の電圧が高い(例えば5.5ボルト)と
き、トランジスタ412がオフしていても、トランジス
タ422がなければ、電流が、インダクタ414→ダイ
オード416→LED1→LED2→抵抗420という
経路で流れてしまう。そこで、本実施形態に係るバック
ライトでは、第3に、LED1、LED2の電流経路
に、トランジスタ422を設けるとともに、バックライ
トを非点灯とするときには、当該トランジスタ422を
オフさせることにより、電流がLED1、LED2に流
れるのを防止して、消費電力の低減化とともに、バック
ライトの完全非点灯を図っているのである。
そもそも、トランジスタ412をスイッチングのほか、
ラッチ回路426による信号Cmpのラッチや、比較器4
24における分圧電圧Vdivと参照電圧との比較は不要
である。そこで、本実施形態に係るバックライトでは、
第4に、信号ENBがLレベルである場合、すなわち、
バックライトの非点灯を指示する場合には、ラッチ回路
426をリセットする一方、比較器424の比較を禁止
して、これらにおいて消費される電力をも抑えているの
である。
LED1およびLED2の抵抗分と、抵抗420および
トランジスタ422の抵抗分とによって、電圧Voutを
分圧する構成としたが、トランジスタ422のオン抵抗
を調整すれば、抵抗420が不要となるので、構成の小
型化や部品点数の極少化に、大いに寄与することができ
る。また、このバックライトにおいては、入力電圧Vdd
を昇圧したが、入力電圧よりも低い電圧を出力する降圧
型や、入力電圧の極性を反転して出力する反転型にも適
用可能である。
るバックライトを適用した液晶装置について説明する。
図3は、この液晶装置の電気的構成を示すブロック図で
ある。この図において、液晶パネル100には、行
(X)方向に形成された複数m本の走査線312と、列
(Y)方向に形成された複数n本のデータ線212との
各交差点において画素116が形成されている。そし
て、各画素116は、液晶表示要素(液晶層)118と
TFD(Thin Film Diode)220とが直列に接続され
た構成となっている。
いて説明する。図4は、この液晶パネルの要部構成を摸
式的に示す部分破断斜視図である。この図に示されるよ
うに、液晶パネル100は、素子基板200と、これに
対向配置される対向基板300とを備えている。このう
ち、素子基板200の上面には、半透過反射層202、
保護絶縁層204が順に形成されて、さらに、この表面
にデータ線212や、TFD220、画素電極234な
どが形成されている。
ニウムなどの反射性金属の薄膜や、複数のスリットを有
する反射性金属層などからなり、図において下側からの
入射光を透過して上側に出射する一方、上側からの入射
光を反射して出射するものである。また、保護絶縁層2
04は、SiO2などの透明性を有するものであり、そ
の上面に形成される画素電極234等と、その下面に形
成される半透過反射層202との絶縁を図るものであ
る。
Tin Oxide)などの透明金属からなり、XY方向に対し
てマトリクス状に複数配列している。ここで、同一列に
配列する画素電極234は、列方向に短冊状に延在する
データ線212の1本に、それぞれTFD220を介し
て接続されている。また、TFD220は、基板側から
みると、データ線212から分岐した第1金属膜222
と、この第1金属膜222を陽極酸化した酸化膜224
と、第2金属膜226とから構成されて、金属/絶縁体
/金属のサンドイッチ構造を採る。このため、TFD2
20は、正負双方向にわたるダイオードスイッチング特
性を有することになる。
Oなどからなる走査線312が、データ線212とは直
交する行方向に延在し、かつ、画素電極234の対向す
る位置に配列している。すなわち、走査線312は、画
素電極234の対向電極となっている。
基板300とは、基板周辺に沿って塗布されるシール剤
(図示省略)と、適切に散布されたスペーサ(図示省
略)とによって、一定の間隙を保っており、この閉空間
に例えば、TN(Twisted Nematic)型の液晶105が
封入されている。したがって、図3における液晶層11
8は、データ線212と走査線312との交差部分にお
いて、当該走査線312と、画素電極234と、両者の
間に位置する液晶105とで構成されることになる。
100の用途に応じて、例えば、ストライプ状や、モザ
イク状、トライアングル状等に配列されたカラーフィル
タが設けられ、それ以外の領域には遮光のためブラック
マトリクスが設けられる。くわえて、素子基板200お
よび対向基板300の各対向面には、それぞれ所定の方
向にラビング処理された配向膜などが設けられる一方、
各基板の背面には配向方向に応じた偏光子や、色補償
板、位相板などがそれぞれ設けられる(いずれも図示省
略、後述する図5においても同じ)。
は、一般には走査線駆動回路と呼ばれ、走査信号Y1〜
Ymを対応する走査線312に供給するものであって、
詳細には、走査線312を1本毎に順次選択して、その
選択期間に選択電圧を印加する一方、それ以外の非選択
期間に非選択電圧を印加するものである。また、Xドラ
イバ250は、一般にはデータ線駆動回路と呼ばれ、Y
ドライバ350により選択された走査線312との交差
部に位置する画素116に対し、表示内容に応じたデー
タ信号X1〜Xnを、それぞれ対応するデータ線212
を介して供給するものである。
100の背面側から光を照射するものであり、その電気
的な構成については、すでに述べた通りである。信号生
成回路500は、Xドライバ250およびYドライバ3
50に対しては、その動作のために必要なクロック信号
や制御信号などを供給する一方、バックライト400に
対しては、上述したクロック信号CLKおよび信号EN
Bを供給して、各部を制御するものである。なお、信号
生成回路500が、信号ENBのレベルを規定する(す
なわち、バックライト400の点灯・非点灯を指示す
る)際の判断の基準としては、例えば、別途スイッチ
を設けて、当該スイッチをユーザが操作したか否かを判
別する、外光の強度を検出して、当該強度が十分であ
るか否かを判別する、電圧Vddを検出して、電池残量
が十分であるかを否かを判別する、などが考えられる。
説明する。図5は、この液晶装置の構成について、バッ
クライト400の構成を含めて示す斜視図である。この
図に示されるように、バックライト400は、素子基板
200の背面側(図において下側)に、シリコンゴムな
どの緩衝材(図示省略)を介して設けられる。
上述したLED1およびLED2が、取付基板402に
並設されて、それらの照射光が導光板404における一
方の側面404aに入射する構成となっている。ここ
で、導光板404における一方の側面404aは厚く、
他方の側面404bは薄くなっている。また、導光板4
04の背面には、反射板406が密着している一方、導
光板404の上面たる出射面には、拡散板408が密着
している。このため、側面404aからの入射した光
は、反射板406により図において上方向に反射すると
ともに、拡散板408により散乱して、液晶パネル10
0に対して均一に入射することとなる。
ベルである場合(すなわち、LED1およびLED2の
点灯が指示されている場合)には、バックライトユニッ
ト400からの光が半透過反射層202(図4参照)を
透過することによって、透過型として機能する一方、信
号ENBがLレベルである場合(LED1およびLED
2の非点灯が指示されている場合)には、対向基板30
0の側からの入射した光が半透過反射層202で反射す
ることによって反射型として機能することになる。
基板200の対向面において対向基板300から張り出
した端子部分には、ベアチップのXドライバ250がC
OG(Chip On Glass)技術により実装されるととも
に、Xドライバ250に各種信号を供給するためにFP
C(Flexible Printed Circuit)基板260が接続され
る。同様に、対向基板300の対向面において素子基板
200から張り出した端子部分には、ベアチップのYド
ライバ350がCOG技術により実装されるとともに、
Yドライバ350に各種信号を供給するためにFPC基
板360が接続される。なお、FPC基板260、36
0の他端には、信号生成回路500(図3参照)が接続
される。
バ350における実装は、それぞれ、第1に、基板との
所定位置において、接着材中に導電性微粒子を均一に分
散させたフィルム状の異方性導電膜を挟持し、第2に、
ベアチップたるドライバを基板に加圧・加熱することに
より行われる。FPC基板260、360の接続も同様
にして行われる。なお、Xドライバ250およびYドラ
イバ350を、それぞれ素子基板200および対向基板
300に実装する替わりに、例えば、TAB(Tape Aut
omated Bonding)技術を用いて、ドライバが実装された
TCP(Tape Carrier Package)を、基板の所定位置に
設けられる異方性導電膜により電気的および機械的に接
続する構成としても良い。
2が選択されて、その選択期間において選択電圧が印加
されると、対応するTFD220が導通状態となる。こ
の導通状態の際に、データ線212を介してデータ信号
が印加されると、当該TFD220に接続された液晶層
118に所定の電荷が蓄積される。電荷蓄積後、非選択
電圧が印加されて、当該TFD220が非導通状態とな
っても、当該TFD220のリーク(オフリーク)が少
なく、かつ、液晶層118の抵抗が十分に高ければ、当
該液晶層118における電荷の蓄積が維持される。この
ように、各TFD220を駆動して蓄積させる電荷の量
を制御すると、画素毎に液晶の配向状態が変化して、透
過型でも反射型でも所定の情報を表示することが可能と
なる。すなわち、透過型では画素毎に透過率が変化し、
反射型では画素毎に反射率が変化することになる。
は半透過型としたが、透過型をとしても良い。透過型と
する場合には、画像信号のないときや、電源オンまたは
オフ直後のとき、なんら操作が加えられないで一定時間
経過したときなどに、信号ENBをLレベルにして、バ
ックライト400を非点灯とする構成とすれば良い。ま
た、上述したバックライト400にあっては、液晶パネ
ル100の背面側に設けられたが、液晶パネル100を
反射型として、液晶パネル100の前面側に設けても良
い。すなわち、いわゆるフロントライトとして用いても
良い。
ータ線212の側に接続され、液晶層118が走査線3
12の側に接続されているが、これとは逆に、TFD2
20が走査線312の側に、液晶層118がデータ線2
12の側に、それぞれ接続される構成でも同じことであ
る。
TFD220は、二端子型非線形素子の一例であり、他
に、ZnO(酸化亜鉛)バリスタや、MSI(Metal Se
mi-Insulator)などを用いた素子や、これら素子を2つ
逆向きに直列接続または並列接続したものなどが適用可
能である。さらに、これらの二端子型非線形素子のほか
に、三端子型非線形素子、例えばTFT(Thin Film Tr
ansistor:薄膜トランジスタ)を用いても良い。ただ
し、TFTを用いる場合には、一方の基板において走査
線、データ線を設けるとともに、それらの各交差点にお
いてゲートが走査線に、ソースがデータ線に、ドレイン
が画素電極に、それぞれ接続される構成となる。くわえ
て、これら非線形素子を用いずに、STN(Super Twis
ted Nematic)型液晶を用いたパッシィブ型液晶などに
も適用可能である。
体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明す
る。
に、上述した液晶装置を、モバイル型のパーソナルコン
ピュータの表示部に適用した例について説明する。図6
は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図で
ある。図において、コンピュータ2200は、キーボー
ド2202を備えた本体部2204と、表示部として用
いられる液晶パネル100とを備えている。なお、この
液晶パネル100の背面には、視認性を高めるためのバ
ックライト400が上述したように設けられるが、外観
には表れないので、図6では省略している。
晶装置を、携帯電話の表示部に適用した例について説明
する。図7は、この携帯電話の構成を示す斜視図であ
る。図において、携帯電話2300は、複数の操作ボタ
ン2302のほか、受話口2304、送話口2306と
ともに、上述した液晶パネル100を備えるものであ
る。なお、この液晶パネル100の背面にも、視認性を
高めるためのバックライトが設けられるが、外観には表
れないので、図7では省略している。
を参照して説明した他にも、液晶テレビや、ビューファ
インダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カー
ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワー
ドプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、PO
S端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられ
る。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上
述した液晶装置が適用可能なのは言うまでもない。
明装置において、広い電圧範囲での安定動作、構成の簡
略化・小型化、さらには低消費電力化が可能となる。
的な構成を示す回路図である。
ある。
示すブロック図である。
摸式的に示す部分破断斜視図である。
ある。
ーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
帯電話の構成を示す斜視図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 電圧を保持する保持素子と、 発光素子および抵抗素子からなる直列回路であって、前
記保持素子により保持された電圧を分圧する直列回路
と、 前記直列回路による分圧電圧と、予め基準となる電圧に
設定された参照電圧とを比較して、その大小関係を判別
する比較器と、 前記分圧電圧が前記参照電圧以下であると前記比較器に
よって判別された場合に、前記保持素子により保持され
る電圧の絶対値を大きくさせる制御回路と、 前記発光素子を消灯させる旨の信号を入力すると、前記
直列回路の電流経路を遮断する第1のスイッチング素子
とを具備することを特徴とする発光素子用電源装置。 - 【請求項2】 前記第1のスイッチング素子はトランジ
スタであって、そのオン抵抗を、前記抵抗素子の一部ま
たは全部として用いることを特徴とする請求項1に記載
の発光素子用電源装置。 - 【請求項3】 前記発光素子を消灯させる旨の信号を入
力すると、前記比較器は、比較動作を停止することを特
徴とする請求項1に記載の発光素子用電源装置。 - 【請求項4】 第2のスイッチング素子に接続されたイ
ンダクタであって、 前記第2のスイッチング素子がオンしたときにエネルギ
ーを蓄積する一方、前記第2のスイッチング素子がオフ
したときにエネルギーを放出するインダクタを備えて、 前記制御回路は、前記第2のスイッチング素子をオンオ
フさせることにより、前記保持素子により保持される電
圧の絶対値を大きくさせることを特徴とする請求項1に
記載の発光素子用電源装置。 - 【請求項5】 前記発光素子を消灯させる旨の信号を入
力すると、前記制御回路は、前記第2のスイッチング素
子のオンオフを禁止させることを特徴とする請求項4に
記載の発光素子用電源装置。 - 【請求項6】 電圧を保持する保持素子と、 発光素子および抵抗素子からなる直列回路であって、前
記保持素子により保持された電圧を分圧する直列回路
と、 前記直列回路による分圧電圧と、予め基準となる電圧に
設定された参照電圧とを比較して、その大小関係を判別
する比較器と、 前記分圧電圧が前記参照電圧以下であると前記比較器に
よって判別された場合に、前記保持素子により保持され
る電圧の絶対値を大きくさせる制御回路と、 前記発光素子を消灯させる旨の信号を入力すると、前記
直列回路の電流経路を遮断する第1のスイッチング素子
とを具備し、前記発光素子による光を照射することを特
徴とする照明装置。 - 【請求項7】 電圧を保持する保持素子と、 発光素子および抵抗素子からなる直列回路であって、前
記保持素子により保持された電圧を分圧する直列回路
と、 前記直列回路による分圧電圧と、予め基準となる電圧に
設定された参照電圧とを比較して、その大小関係を判別
する比較器と、 前記分圧電圧が前記参照電圧以下であると前記比較器に
よって判別された場合に、前記保持素子により保持され
る電圧の絶対値を大きくさせる制御回路と、 前記発光素子を消灯させる旨の信号を入力すると、前記
直列回路の電流経路を遮断する第1のスイッチング素子
と、 互いに対向する2枚の基板間に液晶が挟持されてなる液
晶パネルであって、前記発光素子により照射される光の
透過率または反射率を変化させる液晶パネルとを具備す
ることを特徴とする液晶装置。
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- 1999-11-02 JP JP31293099A patent/JP3767286B2/ja not_active Expired - Fee Related
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