JP2001131121A - ビフェニル誘導体の製造法 - Google Patents
ビフェニル誘導体の製造法Info
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- JP2001131121A JP2001131121A JP2000240642A JP2000240642A JP2001131121A JP 2001131121 A JP2001131121 A JP 2001131121A JP 2000240642 A JP2000240642 A JP 2000240642A JP 2000240642 A JP2000240642 A JP 2000240642A JP 2001131121 A JP2001131121 A JP 2001131121A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】安価な原料を用いた高選択的かつ高収率なビフ
ェニル誘導体の製造法を提供する。 【解決手段】一般式（１）と一般式（２）又は一般式
（３）を反応させ、その後環化反応、環元反応、脱離基
の導入、脱離反応、脱水素反応を行ない一般式（９）で
表わされるビフェニル誘導体を製造する。 （式中ＸはＨ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基などを、ＹはＣＯ
ＯＲ（Ｒはアルキル基又はフェニル基）などを、Ｚは脱
離基を、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はＯＨ以外はＸと同じものを
示す。）
ェニル誘導体の製造法を提供する。 【解決手段】一般式（１）と一般式（２）又は一般式
（３）を反応させ、その後環化反応、環元反応、脱離基
の導入、脱離反応、脱水素反応を行ない一般式（９）で
表わされるビフェニル誘導体を製造する。 （式中ＸはＨ、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基などを、ＹはＣＯ
ＯＲ（Ｒはアルキル基又はフェニル基）などを、Ｚは脱
離基を、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はＯＨ以外はＸと同じものを
示す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は医薬中間体、とくに
アンジオテンシンII受容体拮抗薬（特開昭６３−２３８
６８号）等の中間体として非常に有用なビフェニル誘導
体とその製造に関する。また本発明のビフェニル誘導体
は農薬、液晶、耐熱性高分子、及び液晶性高分子等の中
間体としても有用である。
アンジオテンシンII受容体拮抗薬（特開昭６３−２３８
６８号）等の中間体として非常に有用なビフェニル誘導
体とその製造に関する。また本発明のビフェニル誘導体
は農薬、液晶、耐熱性高分子、及び液晶性高分子等の中
間体としても有用である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ビフェニル誘導体の製造法とし
て、１）Ullman反応による方法（特開平４−２５７５６
４号）、２）有機金属化合物とハロゲン化アリール化合
物をPd錯体等の触媒存在下カップリングさせる方法（特
開平５−９７８１３号、特開平６−２３４６９０号）、
３）ハロゲン化アリール化合物をNi触媒および金属粉の
存在下カップリングさせる方法（特開平６−６５１５３
号）、４）a-シアノケイ皮酸エステル類とブタジエンを
環化反応させてテトラヒドロビフェニル誘導体を合成
し、さらに脱水素、脱炭酸することにより製造する方法
（特開平９−８７２３８号）、５）シクロヘキセノン誘
導体から変換されるシクロヘキセノール誘導体を脱水し
て、シクロヘキサジエン誘導体とし、さらに脱水素反応
を行うことにより製造する方法（特開平１１−４９７２
１号）、６）シクロヘキセノン誘導体からクロロシクロ
ヘキサジエン誘導体へ変換し、脱塩化水素反応を行うこ
とにより製造する方法（特開平１１−４９７２２号）な
どが知られている。
て、１）Ullman反応による方法（特開平４−２５７５６
４号）、２）有機金属化合物とハロゲン化アリール化合
物をPd錯体等の触媒存在下カップリングさせる方法（特
開平５−９７８１３号、特開平６−２３４６９０号）、
３）ハロゲン化アリール化合物をNi触媒および金属粉の
存在下カップリングさせる方法（特開平６−６５１５３
号）、４）a-シアノケイ皮酸エステル類とブタジエンを
環化反応させてテトラヒドロビフェニル誘導体を合成
し、さらに脱水素、脱炭酸することにより製造する方法
（特開平９−８７２３８号）、５）シクロヘキセノン誘
導体から変換されるシクロヘキセノール誘導体を脱水し
て、シクロヘキサジエン誘導体とし、さらに脱水素反応
を行うことにより製造する方法（特開平１１−４９７２
１号）、６）シクロヘキセノン誘導体からクロロシクロ
ヘキサジエン誘導体へ変換し、脱塩化水素反応を行うこ
とにより製造する方法（特開平１１−４９７２２号）な
どが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のカップリングに
よる方法（特開平４−２５７５６４号、特開平５−９７
８１３号、特開平６−２３４６９０号、特開平６−６５
１５３号）では有機金属化合物等を用いる無水条件下で
の反応や高温・高圧条件下での反応、また高価な触媒等
を必要とするなど製造上設備及びコスト面において多く
の問題があった。また、特開平９−８７２３８号の製造
法では高温・高圧の反応条件が必要であった。これらの
製造法は反応の選択性が必ずしも高くないことから、副
生成物が多く生成し、単離精製が煩雑であるなどの問題
もあった。さらに特開平１１−４９７２１号の製造法で
は、シクロヘキセノール誘導体からシクロヘキサジエン
誘導体へ変換する際の脱水反応において反応収率が４３
％と合成収率等に問題があり、特開平１１−４９７２２
号の製造法ではクロロシクロヘキサジエン誘導体の脱塩
化水反応において生成物中に塩素が残留したクロロビフ
ェニル誘導体が混入するなどの問題点があった。
よる方法（特開平４−２５７５６４号、特開平５−９７
８１３号、特開平６−２３４６９０号、特開平６−６５
１５３号）では有機金属化合物等を用いる無水条件下で
の反応や高温・高圧条件下での反応、また高価な触媒等
を必要とするなど製造上設備及びコスト面において多く
の問題があった。また、特開平９−８７２３８号の製造
法では高温・高圧の反応条件が必要であった。これらの
製造法は反応の選択性が必ずしも高くないことから、副
生成物が多く生成し、単離精製が煩雑であるなどの問題
もあった。さらに特開平１１−４９７２１号の製造法で
は、シクロヘキセノール誘導体からシクロヘキサジエン
誘導体へ変換する際の脱水反応において反応収率が４３
％と合成収率等に問題があり、特開平１１−４９７２２
号の製造法ではクロロシクロヘキサジエン誘導体の脱塩
化水反応において生成物中に塩素が残留したクロロビフ
ェニル誘導体が混入するなどの問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は安価な原料を用
いた穏和な反応条件での高選択的かつ高収率なビフェニ
ル化合物の新規製造法を提供し、上記課題を解決するも
のである。即ち、本発明は、一般式（１）
いた穏和な反応条件での高選択的かつ高収率なビフェニ
ル化合物の新規製造法を提供し、上記課題を解決するも
のである。即ち、本発明は、一般式（１）
【化５０】 （式中XはH、OH、置換されていてもよいC1〜C6アルキル
基、置換されていてもよいC2〜C6アルケニル基、置換さ
れていてもよいC2〜C6アルキニル基、置換されていても
よいC1〜C6アルコキシ基、置換されていてもよいC1〜C6
アルキルチオ基、NR4R5、NR4COR6、ハロゲン、NO2、C
N、COR6、CO2R6、CONR4R5、SO3R6、SO2NR4R5、SOR6、SO
2R6、OCOR6、OCO2R6、OCONR4R5、OSO2R6、置換されてい
てもよいフェニル基、置換されていてもよいフェノキシ
基、置換されていてもよいヘテロアリール基または置換
されていてもよいヘテロアリールオキシ基を示し、Xは
同一であっても異なっていてもよく、またさらに隣り合
う置換基によって４〜７員環を形成してもよく、YはCO2
R6、CN、NO2、SO3R6、SO2NR4R5、SOR6、SO2R6を示し、R
4、R5およびR6はH、置換されていてもよいC1〜C6アルキ
ル基または置換されていてもよいフェニル基を示し、R4
およびR5で４〜７の環を形成してもよく、nは１〜５を
示す。）と一般式（２）
基、置換されていてもよいC2〜C6アルケニル基、置換さ
れていてもよいC2〜C6アルキニル基、置換されていても
よいC1〜C6アルコキシ基、置換されていてもよいC1〜C6
アルキルチオ基、NR4R5、NR4COR6、ハロゲン、NO2、C
N、COR6、CO2R6、CONR4R5、SO3R6、SO2NR4R5、SOR6、SO
2R6、OCOR6、OCO2R6、OCONR4R5、OSO2R6、置換されてい
てもよいフェニル基、置換されていてもよいフェノキシ
基、置換されていてもよいヘテロアリール基または置換
されていてもよいヘテロアリールオキシ基を示し、Xは
同一であっても異なっていてもよく、またさらに隣り合
う置換基によって４〜７員環を形成してもよく、YはCO2
R6、CN、NO2、SO3R6、SO2NR4R5、SOR6、SO2R6を示し、R
4、R5およびR6はH、置換されていてもよいC1〜C6アルキ
ル基または置換されていてもよいフェニル基を示し、R4
およびR5で４〜７の環を形成してもよく、nは１〜５を
示す。）と一般式（２）
【化５１】 （式中R1、R2およびR3はOH以外はXと同じものを示
す。）又は一般式（３）
す。）又は一般式（３）
【化５２】 （式中R1、R2およびR3は上記を示し、Zは脱離基を示
す。）を縮合剤の存在下反応させて、一般式（４）
す。）を縮合剤の存在下反応させて、一般式（４）
【化５３】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは上記を示す。）で示
される化合物を合成した後、次いで環化反応を行い一般
式（５）
される化合物を合成した後、次いで環化反応を行い一般
式（５）
【化５４】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは上記を示す。）で表
されるシクロヘキセノン誘導体とし、無機塩類の存在ま
たは非存在下、水素化ホウ素化合物、水素化アルミニウ
ム化合物等の還元剤にて還元反応を行い、一般式（６）
されるシクロヘキセノン誘導体とし、無機塩類の存在ま
たは非存在下、水素化ホウ素化合物、水素化アルミニウ
ム化合物等の還元剤にて還元反応を行い、一般式（６）
【化５５】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは上記を示す。）で表
されるシクロヘキセノール誘導体を合成し、さらに塩基
の存在下または非存在下に脱離基を導入して一般式
（７）
されるシクロヘキセノール誘導体を合成し、さらに塩基
の存在下または非存在下に脱離基を導入して一般式
（７）
【化５６】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは上記を示し、Wはハロ
ゲン、OCOR7、OCO2R7、OCONR4R5、OSO2R7を示し、R7は
H、置換されていてもよいアルキル基、置換されていて
もよいフェニル基を示し、R4およびR5は上記を示す。）
で表される化合物へ変換した後、塩基存在下脱離反応を
行い、一般式（８）
ゲン、OCOR7、OCO2R7、OCONR4R5、OSO2R7を示し、R7は
H、置換されていてもよいアルキル基、置換されていて
もよいフェニル基を示し、R4およびR5は上記を示す。）
で表される化合物へ変換した後、塩基存在下脱離反応を
行い、一般式（８）
【化５７】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは上記を示す。）で表
されるシクロヘキサジエン誘導体とし、さらに脱水素反
応を行うことを特徴とする一般式（９）
されるシクロヘキサジエン誘導体とし、さらに脱水素反
応を行うことを特徴とする一般式（９）
【化５８】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは上記を示す。）で表
されるビフェニル誘導体の製造法、それら中間体および
ビフェニル誘導体に関する。
されるビフェニル誘導体の製造法、それら中間体および
ビフェニル誘導体に関する。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の一般式（１）から一般式
（９）において、Xとしては例えばH、置換されていても
よいC1〜C6アルキル基としてはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert-ブチル
基、ペンチル基、へキシル基、トリフルオロメチル基、
クロロメチル基、ブロモメチル基、ベンジル基など、置
換されていてもよいC2〜C6アルケニル基としてはビニル
基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテ
ニル基、ヘキセニル基、スチリル基など、置換されてい
てもよいC2〜C6アルキニル基としてはエチニル基、プロ
ピニル基、ブチニル基、ペンチニル基など、置換されて
いてもよいC1〜C6アルコキシ基としてはメトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ
基、tert-ブトキシ基、トリフルオロメトキシ基、ベン
ジルオキシ基など、置換されていてもよいC1〜C6アルキ
ルチオ基としてはメチルチオ基、エチルチオ基、プロピ
ルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、へキシルチ
オ基、ベンジルチオ基など、NR4R5としてはアミノ基、
メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、
ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルア
ミノ基、ブチルアミノ基、tert-ブチルアミノ基、ペン
チルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ピロリジノ基、ピペ
リジノ基、モルホリノ基、アニリノ基など、NR4COR6と
してはアセチルメチルアミノ基、プロピオニルメチルア
ミノ基、ピバロイルメチルアミノ基、ベンゾイルメチル
アミノ基、アセチルエチルアミノ基、アセチルアニリノ
基、アセチルベンジルアミノ基など、ハロゲンとしては
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、NO2、CN、COR6としては
ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル
基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基、ベン
ゾイル基、トルオイル基、フラノイル基、ニコチノイル
基、イソニコチノイル基、シンナモイル基など、CO2R6
としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、
tert-ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニ
ル基、フェノキシカルボニル基など、CONR4R5としては
メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル
基、エチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボ
ニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニ
ル基、モルホリノカルボニル基、アニリノカルボニル基
など、SO3R6としてはメトキシスルフォニル基、エトキ
シスルフォニル基、プロポキシスルフォニル基、ブトキ
シスルフォニル基、ベンジルオキシスルフォニル基、フ
ェノキシスルフォニル基など、SO2NR4R5としてはスルフ
ァモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルフ
ァモイル基、エチルスルファモイル基、ジエチルスルフ
ァモイル基、プロピルスルファモイル基、イソプロピル
スルファモイル基、ブチルスルファモイル基、tert-ブ
チルスルファモイル基、ペンチルスルファモイル基、ヘ
キシルスルファモイル基、ピロリジノスルファモイル
基、ピペリジノスルファモイル基、モルホリノスルファ
モイル基、アニリノスルファモイル基など、SOR6として
はメチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、プロ
ピルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、ベンジル
スルフィニル基、フェニルスルフィニル基など、SO2R6
としてはメチルスルフォニル基、エチルスルフォニル
基、プロピルスルフォニル基、ブチルスルフォニル基、
ベンジルスルフォニル基、フェニルスルフォニル基な
ど、OCOR6としては、アセチルオキシ基、プロピオニル
オキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、
バレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオ
キシ基、トルオイルオキシ基、フラノイルオキシ基、ニ
コチノイルオキシ基、イソニコチノイルオキシ基、シン
ナモイルオキシ基など、OCO2R6としてはメトキシカルボ
ニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、プロポキ
シカルボニルオキシ基、ブトキシカルボニルオキシ基、
tert-ブトキシカルボニルオキシ基、ベンジルオキシカ
ルボニルオキシ基、フェノキシカルボニルオキシ基な
ど、OCONR4R5としてはメチルアミノカルボニルオキシ
基、ジメチルアミノカルボニルオキシ基、エチルアミノ
カルボニルオキシ基、ジエチルアミノカルボニルオキシ
基、ピロリジノカルボニルオキシ基、ピペリジノカルボ
ニルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、アニリ
ノカルボニルオキシ基など、OSO2R6としてはメタンスル
フォニルオキシ基、エタンスルフォニルオキシ基、プロ
パンスルフォニルオキシ基、ブタンスルフォニルオキシ
基、ペンタンスルフォニルオキシ基、ヘキサンスルフォ
ニルオキシ基、ベンゼンスルフォニルオキシ基、トルエ
ンスルフォニルオキシ基など、置換されていてもよいフ
ェニル基としてはヒドロキシフェニル基、クロロフェニ
ル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル
基、メトキシフェニル基、tert-ブトキシフェニル基、
ベンジルオキシフェニル基、トリフルオロメトキシフェ
ニル基、フェノキシフェニル基など、置換されていても
よいフェノキシ基としてはフェノキシ基、ヒドロキシフ
ェノキシ基、クロロフェノキシ基、メチルフェノキシ
基、トリフルオロメチルフェノキシ基、メトキシフェノ
キシ基、トリフルオロメトキシフェノキシ基、フェノキ
シフェノキシ基など、置換されていてもよいヘテロアリ
ール基としてはフラニル基、チエニル基、アゾリル基、
ピリジル基、インドリル基、置換されていてもよいヘテ
ロアリールオキシ基としてはフラニルオキシ基、チエニ
ルオキシ基、アゾリルオキシ基、ピリジルオキシ基、イ
ンドリルオキシ基などが挙げられる。好ましくはH、置
換されていてもよいC1〜C6アルキル基、置換されていて
もよいC 1〜C6アルコキシ基、ハロゲン、NO2、NR4R5、置
換されていてもよいフェニル基、置換されていてもよい
フェノキシ基、COR6、CO2R6、OCOR6、OCO2R6であり、特
に好ましくはH、メチル基、メトキシ基、フェノキシ
基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、NO
2、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基である。
（９）において、Xとしては例えばH、置換されていても
よいC1〜C6アルキル基としてはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert-ブチル
基、ペンチル基、へキシル基、トリフルオロメチル基、
クロロメチル基、ブロモメチル基、ベンジル基など、置
換されていてもよいC2〜C6アルケニル基としてはビニル
基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテ
ニル基、ヘキセニル基、スチリル基など、置換されてい
てもよいC2〜C6アルキニル基としてはエチニル基、プロ
ピニル基、ブチニル基、ペンチニル基など、置換されて
いてもよいC1〜C6アルコキシ基としてはメトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ
基、tert-ブトキシ基、トリフルオロメトキシ基、ベン
ジルオキシ基など、置換されていてもよいC1〜C6アルキ
ルチオ基としてはメチルチオ基、エチルチオ基、プロピ
ルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、へキシルチ
オ基、ベンジルチオ基など、NR4R5としてはアミノ基、
メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、
ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルア
ミノ基、ブチルアミノ基、tert-ブチルアミノ基、ペン
チルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ピロリジノ基、ピペ
リジノ基、モルホリノ基、アニリノ基など、NR4COR6と
してはアセチルメチルアミノ基、プロピオニルメチルア
ミノ基、ピバロイルメチルアミノ基、ベンゾイルメチル
アミノ基、アセチルエチルアミノ基、アセチルアニリノ
基、アセチルベンジルアミノ基など、ハロゲンとしては
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、NO2、CN、COR6としては
ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル
基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基、ベン
ゾイル基、トルオイル基、フラノイル基、ニコチノイル
基、イソニコチノイル基、シンナモイル基など、CO2R6
としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、
tert-ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニ
ル基、フェノキシカルボニル基など、CONR4R5としては
メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル
基、エチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボ
ニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニ
ル基、モルホリノカルボニル基、アニリノカルボニル基
など、SO3R6としてはメトキシスルフォニル基、エトキ
シスルフォニル基、プロポキシスルフォニル基、ブトキ
シスルフォニル基、ベンジルオキシスルフォニル基、フ
ェノキシスルフォニル基など、SO2NR4R5としてはスルフ
ァモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルフ
ァモイル基、エチルスルファモイル基、ジエチルスルフ
ァモイル基、プロピルスルファモイル基、イソプロピル
スルファモイル基、ブチルスルファモイル基、tert-ブ
チルスルファモイル基、ペンチルスルファモイル基、ヘ
キシルスルファモイル基、ピロリジノスルファモイル
基、ピペリジノスルファモイル基、モルホリノスルファ
モイル基、アニリノスルファモイル基など、SOR6として
はメチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、プロ
ピルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、ベンジル
スルフィニル基、フェニルスルフィニル基など、SO2R6
としてはメチルスルフォニル基、エチルスルフォニル
基、プロピルスルフォニル基、ブチルスルフォニル基、
ベンジルスルフォニル基、フェニルスルフォニル基な
ど、OCOR6としては、アセチルオキシ基、プロピオニル
オキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、
バレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオ
キシ基、トルオイルオキシ基、フラノイルオキシ基、ニ
コチノイルオキシ基、イソニコチノイルオキシ基、シン
ナモイルオキシ基など、OCO2R6としてはメトキシカルボ
ニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、プロポキ
シカルボニルオキシ基、ブトキシカルボニルオキシ基、
tert-ブトキシカルボニルオキシ基、ベンジルオキシカ
ルボニルオキシ基、フェノキシカルボニルオキシ基な
ど、OCONR4R5としてはメチルアミノカルボニルオキシ
基、ジメチルアミノカルボニルオキシ基、エチルアミノ
カルボニルオキシ基、ジエチルアミノカルボニルオキシ
基、ピロリジノカルボニルオキシ基、ピペリジノカルボ
ニルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、アニリ
ノカルボニルオキシ基など、OSO2R6としてはメタンスル
フォニルオキシ基、エタンスルフォニルオキシ基、プロ
パンスルフォニルオキシ基、ブタンスルフォニルオキシ
基、ペンタンスルフォニルオキシ基、ヘキサンスルフォ
ニルオキシ基、ベンゼンスルフォニルオキシ基、トルエ
ンスルフォニルオキシ基など、置換されていてもよいフ
ェニル基としてはヒドロキシフェニル基、クロロフェニ
ル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル
基、メトキシフェニル基、tert-ブトキシフェニル基、
ベンジルオキシフェニル基、トリフルオロメトキシフェ
ニル基、フェノキシフェニル基など、置換されていても
よいフェノキシ基としてはフェノキシ基、ヒドロキシフ
ェノキシ基、クロロフェノキシ基、メチルフェノキシ
基、トリフルオロメチルフェノキシ基、メトキシフェノ
キシ基、トリフルオロメトキシフェノキシ基、フェノキ
シフェノキシ基など、置換されていてもよいヘテロアリ
ール基としてはフラニル基、チエニル基、アゾリル基、
ピリジル基、インドリル基、置換されていてもよいヘテ
ロアリールオキシ基としてはフラニルオキシ基、チエニ
ルオキシ基、アゾリルオキシ基、ピリジルオキシ基、イ
ンドリルオキシ基などが挙げられる。好ましくはH、置
換されていてもよいC1〜C6アルキル基、置換されていて
もよいC 1〜C6アルコキシ基、ハロゲン、NO2、NR4R5、置
換されていてもよいフェニル基、置換されていてもよい
フェノキシ基、COR6、CO2R6、OCOR6、OCO2R6であり、特
に好ましくはH、メチル基、メトキシ基、フェノキシ
基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、NO
2、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基である。
【０００６】Yとしては例えばCO2R6としてはメトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボ
ニル基、ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボ
ニル基、ベンジルオキシカルボニル基など、CN、NR4R5
としてはアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ
基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミ
ノ基、イソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、tert-
ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ
基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、アニ
リノ基など、NO2、SO3R6としてはメトキシスルフォニル
基、エトキシスルフォニル基、プロポキシスルフォニル
基、ブトキシスルフォニル基、ベンジルオキシスルフォ
ニル基、フェノキシスルフォニル基など、SO2NR4R5とし
てはスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメ
チルスルファモイル基、エチルスルファモイル基、ジエ
チルスルファモイル基、プロピルスルファモイル基、イ
ソプロピルスルファモイル基、ブチルスルファモイル
基、tert-ブチルスルファモイル基、ペンチルスルファ
モイル基、ヘキシルスルファモイル基、ピロリジノスル
ファモイル基、ピペリジノスルファモイル基、モルホリ
ノスルファモイル基、アニリノスルファモイル基など、
SOR6としてはメチルスルフィニル基、エチルスルフィニ
ル基、プロピルスルフィニル基、ブチルスルフィニル
基、ベンジルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基
など、SO2R6としてはメチルスルフォニル基、エチルス
ルフォニル基、プロピルスルフォニル基、ブチルスルフ
ォニル基、ベンジルスルフォニル基、フェニルスルフォ
ニル基などが挙げられる。好ましくはCN、CO2R6、NO2、
SO3R6、SO2NR4R5であり、特に好ましくはCN、メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基である。
ルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボ
ニル基、ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボ
ニル基、ベンジルオキシカルボニル基など、CN、NR4R5
としてはアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ
基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミ
ノ基、イソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、tert-
ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ
基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、アニ
リノ基など、NO2、SO3R6としてはメトキシスルフォニル
基、エトキシスルフォニル基、プロポキシスルフォニル
基、ブトキシスルフォニル基、ベンジルオキシスルフォ
ニル基、フェノキシスルフォニル基など、SO2NR4R5とし
てはスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメ
チルスルファモイル基、エチルスルファモイル基、ジエ
チルスルファモイル基、プロピルスルファモイル基、イ
ソプロピルスルファモイル基、ブチルスルファモイル
基、tert-ブチルスルファモイル基、ペンチルスルファ
モイル基、ヘキシルスルファモイル基、ピロリジノスル
ファモイル基、ピペリジノスルファモイル基、モルホリ
ノスルファモイル基、アニリノスルファモイル基など、
SOR6としてはメチルスルフィニル基、エチルスルフィニ
ル基、プロピルスルフィニル基、ブチルスルフィニル
基、ベンジルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基
など、SO2R6としてはメチルスルフォニル基、エチルス
ルフォニル基、プロピルスルフォニル基、ブチルスルフ
ォニル基、ベンジルスルフォニル基、フェニルスルフォ
ニル基などが挙げられる。好ましくはCN、CO2R6、NO2、
SO3R6、SO2NR4R5であり、特に好ましくはCN、メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基である。
【０００７】Zとしては脱離基の機能を有する置換基で
あればよく、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素などの
ハロゲン、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ
基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミ
ノ基、イソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、tert-
ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ
基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、アニ
リノ基などのアミノ基、メタンスルフォニルオキシ基、
エタンスルフォニルオキシ基、プロパンスルフォニルオ
キシ基、ブタンスルフォニルオキシ基、ペンタンスルフ
ォニルオキシ基、ヘキサンスルフォニルオキシ基、ベン
ゼンスルフォニルオキシ基、トルエンスルフォニルオキ
シ基などのスルフォニルオキシ基としては、アセチルオ
キシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イ
ソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオ
キシ基、ベンゾイルオキシ基、トルオイルオキシ基、フ
ラノイルオキシ基、ニコチノイルオキシ基、イソニコチ
ノイルオキシ基、シンナモイルオキシ基などのアシルオ
キシ基、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボ
ニルオキシ基、プロポキシカルボニルオキシ基、ブトキ
シカルボニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルオキ
シ基、ベンジルオキシカルボニルオキシ基などのアルコ
シキカルボニル基、フェノキシカルボニルオキシ基、メ
チルアミノカルボニルオキシ基、ジメチルアミノカルボ
ニルオキシ基、エチルアミノカルボニルオキシ基、ジエ
チルアミノカルボニルオキシ基、ピロリジノカルボニル
オキシ基、ピペリジノカルボニルオキシ基、モルホリノ
カルボニルオキシ基、アニリノカルボニルオキシ基など
のアミノカルボニルオキシ基などが挙げられる。
あればよく、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素などの
ハロゲン、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ
基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミ
ノ基、イソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、tert-
ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ
基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、アニ
リノ基などのアミノ基、メタンスルフォニルオキシ基、
エタンスルフォニルオキシ基、プロパンスルフォニルオ
キシ基、ブタンスルフォニルオキシ基、ペンタンスルフ
ォニルオキシ基、ヘキサンスルフォニルオキシ基、ベン
ゼンスルフォニルオキシ基、トルエンスルフォニルオキ
シ基などのスルフォニルオキシ基としては、アセチルオ
キシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イ
ソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオ
キシ基、ベンゾイルオキシ基、トルオイルオキシ基、フ
ラノイルオキシ基、ニコチノイルオキシ基、イソニコチ
ノイルオキシ基、シンナモイルオキシ基などのアシルオ
キシ基、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボ
ニルオキシ基、プロポキシカルボニルオキシ基、ブトキ
シカルボニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルオキ
シ基、ベンジルオキシカルボニルオキシ基などのアルコ
シキカルボニル基、フェノキシカルボニルオキシ基、メ
チルアミノカルボニルオキシ基、ジメチルアミノカルボ
ニルオキシ基、エチルアミノカルボニルオキシ基、ジエ
チルアミノカルボニルオキシ基、ピロリジノカルボニル
オキシ基、ピペリジノカルボニルオキシ基、モルホリノ
カルボニルオキシ基、アニリノカルボニルオキシ基など
のアミノカルボニルオキシ基などが挙げられる。
【０００８】Wとしては例えばハロゲンとしてはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素、OCOR7としては、アセチルオ
キシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イ
ソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオ
キシ基、ベンゾイルオキシ基、トルオイルオキシ基、フ
ラノイルオキシ基、ニコチノイルオキシ基、イソニコチ
ノイルオキシ基、シンナモイルオキシ基など、OCO2R7と
してはメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニ
ルオキシ基、プロポキシカルボニルオキシ基、ブトキシ
カルボニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルオキシ
基、ベンジルオキシカルボニルオキシ基、フェノキシカ
ルボニルオキシ基など、OCONR4R5としてはメチルアミノ
カルボニルオキシ基、ジメチルアミノカルボニルオキシ
基、エチルアミノカルボニルオキシ基、ジエチルアミノ
カルボニルオキシ基、ピロリジノカルボニルオキシ基、
ピペリジノカルボニルオキシ基、モルホリノカルボニル
オキシ基、アニリノカルボニルオキシ基など、OSO2R7と
してはメタンスルフォニルオキシ基、エタンスルフォニ
ルオキシ基、プロパンスルフォニルオキシ基、ブタンス
ルフォニルオキシ基、ペンタンスルフォニルオキシ基、
ヘキサンスルフォニルオキシ基、トリフルオロメタンス
ルフォニルオキシ基、ベンゼンスルフォニルオキシ基、
トルエンスルフォニルオキシ基などが挙げられる。
素、塩素、臭素、ヨウ素、OCOR7としては、アセチルオ
キシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イ
ソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオ
キシ基、ベンゾイルオキシ基、トルオイルオキシ基、フ
ラノイルオキシ基、ニコチノイルオキシ基、イソニコチ
ノイルオキシ基、シンナモイルオキシ基など、OCO2R7と
してはメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニ
ルオキシ基、プロポキシカルボニルオキシ基、ブトキシ
カルボニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルオキシ
基、ベンジルオキシカルボニルオキシ基、フェノキシカ
ルボニルオキシ基など、OCONR4R5としてはメチルアミノ
カルボニルオキシ基、ジメチルアミノカルボニルオキシ
基、エチルアミノカルボニルオキシ基、ジエチルアミノ
カルボニルオキシ基、ピロリジノカルボニルオキシ基、
ピペリジノカルボニルオキシ基、モルホリノカルボニル
オキシ基、アニリノカルボニルオキシ基など、OSO2R7と
してはメタンスルフォニルオキシ基、エタンスルフォニ
ルオキシ基、プロパンスルフォニルオキシ基、ブタンス
ルフォニルオキシ基、ペンタンスルフォニルオキシ基、
ヘキサンスルフォニルオキシ基、トリフルオロメタンス
ルフォニルオキシ基、ベンゼンスルフォニルオキシ基、
トルエンスルフォニルオキシ基などが挙げられる。
【０００９】R1、R2およびR3としては例えば置換されて
いてもよいC1〜C6アルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert-ブ
チル基、ペンチル基、へキシル基、トリフルオロメチル
基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ベンジル基な
ど、置換されていてもよいC2〜C6アルケニル基としては
ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、
ペンテニル基、ヘキセニル基、スチリル基など、置換さ
れていてもよいC2〜C6アルキニル基としてはエチニル
基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基など、置
換されていてもよいC1〜C6アルコキシ基としてはメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、
ブトキシ基、tert-ブトキシ基、トリフルオロメトキシ
基、ベンジルオキシ基など、置換されていてもよいC1〜
C6アルキルチオ基としてはメチルチオ基、エチルチオ
基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、
へキシルチオ基、ベンジルチオ基など、NR4R5としては
アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソ
プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、tert-ブチルアミ
ノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ピロリジ
ノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、アニリノ基など、
ハロゲンとしてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素、NO2、C
N、COR6としてはホルミル基、アセチル基、プロピオニ
ル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバ
ロイル基、ベンゾイル基、トルオイル基、フラノイル
基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、シンナモイ
ル基など、CO2R6としてはメトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシ
カルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、ベンジル
オキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基など、CO
NR4R5としてはメチルアミノカルボニル基、ジメチルア
ミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ジエチ
ルアミノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペ
リジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、アニリ
ノカルボニル基など、SO3R6としてはメトキシスルフォ
ニル基、エトキシスルフォニル基、プロポキシスルフォ
ニル基、ブトキシスルフォニル基、ベンジルオキシスル
フォニル基、フェノキシスルフォニル基など、SO2NR4R5
としてはスルファモイル基、メチルスルファモイル基、
ジメチルスルファモイル基、エチルスルファモイル基、
ジエチルスルファモイル基、プロピルスルファモイル
基、イソプロピルスルファモイル基、ブチルスルファモ
イル基、tert-ブチルスルファモイル基、ペンチルスル
ファモイル基、ヘキシルスルファモイル基、ピロリジノ
スルファモイル基、ピペリジノスルファモイル基、モル
ホリノスルファモイル基、アニリノスルファモイル基な
ど、SOR6としてはメチルスルフィニル基、エチルスルフ
ィニル基、プロピルスルフィニル基、ブチルスルフィニ
ル基、ベンジルスルフィニル基、フェニルスルフィニル
基など、SO2R6としてはメチルスルフォニル基、エチル
スルフォニル基、プロピルスルフォニル基、ブチルスル
フォニル基、ベンジルスルフォニル基、フェニルスルフ
ォニル基など、OCOR6としては、アセチルオキシ基、プ
ロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリル
オキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベ
ンゾイルオキシ基、トルオイルオキシ基、フラノイルオ
キシ基、ニコチノイルオキシ基、イソニコチノイルオキ
シ基、シンナモイルオキシ基など、OCO2R6としてはメト
キシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ
基、プロポキシカルボニルオキシ基、ブトキシカルボニ
ルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルオキシ基、ベン
ジルオキシカルボニルオキシ基、フェノキシカルボニル
オキシ基など、OCONR4R5としてはメチルアミノカルボニ
ルオキシ基、ジメチルアミノカルボニルオキシ基、エチ
ルアミノカルボニルオキシ基、ジエチルアミノカルボニ
ルオキシ基、ピロリジノカルボニルオキシ基、ピペリジ
ノカルボニルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ
基、アニリノカルボニルオキシ基など、OSO2R6としては
メタンスルフォニルオキシ基、エタンスルフォニルオキ
シ基、プロパンスルフォニルオキシ基、ブタンスルフォ
ニルオキシ基、ペンタンスルフォニルオキシ基、ヘキサ
ンスルフォニルオキシ基、ベンゼンスルフォニルオキシ
基、トルエンスルフォニルオキシ基など、置換されてい
てもよいフェニル基としてはヒドロキシフェニル基、ク
ロロフェニル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチ
ルフェニル基、メトキシフェニル基、tert-ブトキシフ
ェニル基、ベンジルオキシフェニル基、トリフルオロメ
トキシフェニル基、フェノキシフェニル基など、置換さ
れていてもよいフェノキシ基としてはフェノキシ基、ヒ
ドロキシフェノキシ基、クロロフェノキシ基、メチルフ
ェノキシ基、トリフルオロメチルフェノキシ基、メトキ
シフェノキシ基、トリフルオロメトキシフェノキシ基、
フェノキシフェノキシ基など、置換されていてもよいヘ
テロアリール基としてはフラニル基、チエニル基、アゾ
リル基、ピリジル基、インドリル基、置換されていても
よいヘテロアリールオキシ基としてはフラニルオキシ
基、チエニルオキシ基、アゾリルオキシ基、ピリジルオ
キシ基、インドリルオキシ基などが挙げられる。
いてもよいC1〜C6アルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert-ブ
チル基、ペンチル基、へキシル基、トリフルオロメチル
基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ベンジル基な
ど、置換されていてもよいC2〜C6アルケニル基としては
ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、
ペンテニル基、ヘキセニル基、スチリル基など、置換さ
れていてもよいC2〜C6アルキニル基としてはエチニル
基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基など、置
換されていてもよいC1〜C6アルコキシ基としてはメトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、
ブトキシ基、tert-ブトキシ基、トリフルオロメトキシ
基、ベンジルオキシ基など、置換されていてもよいC1〜
C6アルキルチオ基としてはメチルチオ基、エチルチオ
基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、
へキシルチオ基、ベンジルチオ基など、NR4R5としては
アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソ
プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、tert-ブチルアミ
ノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ピロリジ
ノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、アニリノ基など、
ハロゲンとしてはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素、NO2、C
N、COR6としてはホルミル基、アセチル基、プロピオニ
ル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバ
ロイル基、ベンゾイル基、トルオイル基、フラノイル
基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、シンナモイ
ル基など、CO2R6としてはメトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシ
カルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、ベンジル
オキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基など、CO
NR4R5としてはメチルアミノカルボニル基、ジメチルア
ミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ジエチ
ルアミノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペ
リジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基、アニリ
ノカルボニル基など、SO3R6としてはメトキシスルフォ
ニル基、エトキシスルフォニル基、プロポキシスルフォ
ニル基、ブトキシスルフォニル基、ベンジルオキシスル
フォニル基、フェノキシスルフォニル基など、SO2NR4R5
としてはスルファモイル基、メチルスルファモイル基、
ジメチルスルファモイル基、エチルスルファモイル基、
ジエチルスルファモイル基、プロピルスルファモイル
基、イソプロピルスルファモイル基、ブチルスルファモ
イル基、tert-ブチルスルファモイル基、ペンチルスル
ファモイル基、ヘキシルスルファモイル基、ピロリジノ
スルファモイル基、ピペリジノスルファモイル基、モル
ホリノスルファモイル基、アニリノスルファモイル基な
ど、SOR6としてはメチルスルフィニル基、エチルスルフ
ィニル基、プロピルスルフィニル基、ブチルスルフィニ
ル基、ベンジルスルフィニル基、フェニルスルフィニル
基など、SO2R6としてはメチルスルフォニル基、エチル
スルフォニル基、プロピルスルフォニル基、ブチルスル
フォニル基、ベンジルスルフォニル基、フェニルスルフ
ォニル基など、OCOR6としては、アセチルオキシ基、プ
ロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリル
オキシ基、バレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベ
ンゾイルオキシ基、トルオイルオキシ基、フラノイルオ
キシ基、ニコチノイルオキシ基、イソニコチノイルオキ
シ基、シンナモイルオキシ基など、OCO2R6としてはメト
キシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ
基、プロポキシカルボニルオキシ基、ブトキシカルボニ
ルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルオキシ基、ベン
ジルオキシカルボニルオキシ基、フェノキシカルボニル
オキシ基など、OCONR4R5としてはメチルアミノカルボニ
ルオキシ基、ジメチルアミノカルボニルオキシ基、エチ
ルアミノカルボニルオキシ基、ジエチルアミノカルボニ
ルオキシ基、ピロリジノカルボニルオキシ基、ピペリジ
ノカルボニルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ
基、アニリノカルボニルオキシ基など、OSO2R6としては
メタンスルフォニルオキシ基、エタンスルフォニルオキ
シ基、プロパンスルフォニルオキシ基、ブタンスルフォ
ニルオキシ基、ペンタンスルフォニルオキシ基、ヘキサ
ンスルフォニルオキシ基、ベンゼンスルフォニルオキシ
基、トルエンスルフォニルオキシ基など、置換されてい
てもよいフェニル基としてはヒドロキシフェニル基、ク
ロロフェニル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチ
ルフェニル基、メトキシフェニル基、tert-ブトキシフ
ェニル基、ベンジルオキシフェニル基、トリフルオロメ
トキシフェニル基、フェノキシフェニル基など、置換さ
れていてもよいフェノキシ基としてはフェノキシ基、ヒ
ドロキシフェノキシ基、クロロフェノキシ基、メチルフ
ェノキシ基、トリフルオロメチルフェノキシ基、メトキ
シフェノキシ基、トリフルオロメトキシフェノキシ基、
フェノキシフェノキシ基など、置換されていてもよいヘ
テロアリール基としてはフラニル基、チエニル基、アゾ
リル基、ピリジル基、インドリル基、置換されていても
よいヘテロアリールオキシ基としてはフラニルオキシ
基、チエニルオキシ基、アゾリルオキシ基、ピリジルオ
キシ基、インドリルオキシ基などが挙げられる。
【００１０】R4、R5およびR6としては例えばH、置換さ
れていてもよいアルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert-ブ
チル基、ペンチル基、へキシル基、置換されていてもよ
いフェニル基としてはヒドロキシフェニル基、クロロフ
ェニル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチルフェ
ニル基、メトキシフェニル基、トリフルオロメトキシフ
ェニル基、フェノキシフェニル基などが挙げられ、NR4R
5としてはピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリ
ニル基などが挙げられる。
れていてもよいアルキル基としてはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert-ブ
チル基、ペンチル基、へキシル基、置換されていてもよ
いフェニル基としてはヒドロキシフェニル基、クロロフ
ェニル基、メチルフェニル基、トリフルオロメチルフェ
ニル基、メトキシフェニル基、トリフルオロメトキシフ
ェニル基、フェノキシフェニル基などが挙げられ、NR4R
5としてはピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリ
ニル基などが挙げられる。
【００１１】一般式（４）〜（９）の好ましい化合物と
しては、以下のものが挙げられる。一般式（４）で表さ
れる化合物としては２−（（４−ニトロフェニル）カル
ボニル）−５−オキソヘキサン酸エチルエステル、２−
（（４−クロロフェニル）カルボニル）−５−オキソヘ
キサン酸エチルエステル、２−（（４−ブロモフェニ
ル）カルボニル）−５−オキソヘキサン酸エチルエステ
ル、２−（（４−ヒドロキシフェニル）カルボニル）−
５−オキソヘキサン酸エチルエステル、２−（（４−ニ
トロフェニル）カルボニル）−５−オキソヘキサン酸メ
チルエステル、２−（（４−クロロフェニル）カルボニ
ル）−５−オキソヘキサン酸メチルエステル、２−
（（４−ブロモフェニル）カルボニル）−５−オキソヘ
キサン酸メチルエステル、２−（（４−ヒドロキシフェ
ニル）カルボニル）−５−オキソヘキサン酸メチルエス
テル、２−（（４−ニトロフェニル）カルボニル）−５
−オキソヘキサンニトリル、２−（（４−クロロフェニ
ル）カルボニル）−５−オキソヘキサンニトリル、２−
（（４−ブロモフェニル）カルボニル）−５−オキソヘ
キサンニトリル、２−（（４−ヒドロキシフェニル）カ
ルボニル）−５−オキソヘキサンニトリルなどが、一般
式（５）で表される化合物としては２−（４−ニトロフ
ェニル）−４−オキソシクロヘキシ−２−エンカルボン
酸エチルエステル、２−（４−クロロフェニル）−４−
オキソシクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステ
ル、２−（４−ブロモフェニル）−４−オキソシクロヘ
キシ−２−エンカルボン酸エチルエステル、２−（４−
ヒドロキシフェニル）−４−オキソシクロヘキシ−２−
エンカルボン酸エチルエステル、２−（４−ニトロフェ
ニル）−４−オキソシクロヘキシ−２−エンカルボン酸
メチルエステル、２−（４−クロロフェニル）−４−オ
キソシクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステ
ル、２−（４−ブロモフェニル）−４−オキソシクロヘ
キシ−２−エンカルボン酸メチルエステル、２−（４−
ヒドロキシフェニル）−４−オキソシクロヘキシ−２−
エンカルボン酸メチルエステル、２−（４−ニトロフェ
ニル）−４−オキソシクロヘキシ−２−エンカルボニト
リル、２−（４−クロロフェニル）−４−オキソシクロ
ヘキシ−２−エンカルボニトリル、２−（４−ブロモフ
ェニル）−４−オキソシクロヘキシ−２−エンカルボニ
トリル、２−（４−ヒドロキシフェニル）−４−オキソ
シクロヘキシ−２−エンカルボニトリルなどが、一般式
（６）で表される化合物としては４−ヒドロキシ−２−
フェニルシクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエス
テル、４−ヒドロキシ−２−（４−メチルフェニル）シ
クロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステル、４−
ヒドロキシ−２−（４−ニトロフェニル）シクロヘキシ
−２−エンカルボン酸エチルエステル、４−ヒドロキシ
−２−（４−メトキシフェニル）シクロヘキシ−２−エ
ンカルボン酸エチルエステル、４−ヒドロキシ−２−
（４−クロロフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボ
ン酸エチルエステル、４−ヒドロキシ−２−（４−ブロ
モフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチル
エステル、４−ヒドロキシ−２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステ
ル、４−ヒドロキシ−２−フェニルシクロヘキシ−２−
エンカルボン酸メチルエステル、４−ヒドロキシ−２−
（４−メチルフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボ
ン酸メチルエステル、４−ヒドロキシ−２−（４−ニト
ロフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチル
エステル、４−ｖ−２−（４−メトキシフェニル）シク
ロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステル、４−ヒ
ドロキシ−２−（４−クロロフェニル）シクロヘキシ−
２−エンカルボン酸メチルエステル、４−ヒドロキシ−
２−（４−ブロモフェニル）シクロヘキシ−２−エンカ
ルボン酸メチルエステル、４−ヒドロキシ−２−（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン
酸メチルエステル、４−ヒドロキシ−２−フェニルシク
ロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−ヒドロキシ−
２−（４−メチルフェニル）シクロヘキシ−２−エンカ
ルボニトリル、４−ヒドロキシ−２−（４−ニトロフェ
ニル）シクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−ヒ
ドロキシ−２−（４−メトキシフェニル）シクロヘキシ
−２−エンカルボニトリル、４−ヒドロキシ−２−（４
−クロロフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボニト
リル、４−ヒドロキシ−２−（４−ブロモフェニル）シ
クロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−ヒドロキシ
−２−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシ−２−
エンカルボニトリルなどが、一般式（７）で表される化
合物としては４−クロロ−２−フェニルシクロヘキシ−
２−エンカルボン酸エチルエステル、４−クロロ−２−
（４−メチルフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボ
ン酸エチルエステル、４−クロロ−２−（４−ニトロフ
ェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエス
テル、４−クロロ−２−（４−メトキシフェニル）シク
ロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステル、４−ク
ロロ−２−（４−クロロフェニル）シクロヘキシ−２−
エンカルボン酸エチルエステル、４−クロロ−２−（４
−ブロモフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸
エチルエステル、４−クロロ−２−（４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエス
テル、４−クロロ−２−フェニルシクロヘキシ−２−エ
ンカルボン酸メチルエステル、４−クロロ−２−（４−
メチルフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メ
チルエステル、４−クロロ−２−（４−ニトロフェニ
ル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステ
ル、４−クロロ−２−（４−メトキシフェニル）シクロ
ヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステル、４−クロ
ロ−２−（４−クロロフェニル）シクロヘキシ−２−エ
ンカルボン酸メチルエステル、４−クロロ−２−（４−
ブロモフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メ
チルエステル、４−クロロ−２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステ
ル、４−クロロ−２−フェニルシクロヘキシ−２−エン
カルボニトリル、４−クロロ−２−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−クロ
ロ−２−（４−ニトロフェニル）シクロヘキシ−２−エ
ンカルボニトリル、４−クロロ−２−（４−メトキシフ
ェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−
クロロ−２−（４−クロロフェニル）シクロヘキシ−２
−エンカルボニトリル、４−クロロ−２−（４−ブロモ
フェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４
−クロロ−２−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
シ−２−エンカルボニトリル、４−メタンスルフォニル
オキシ−２−フェニルシクロヘキシ−２−エンカルボン
酸エチルエステル、４−メタンスルフォニルオキシ−２
−（４−メチルフェニル）シクロヘキシ−２−エンカル
ボン酸エチルエステル、４−メタンスルフォニルオキシ
−２−（４−ニトロフェニル）シクロヘキシ−２−エン
カルボン酸エチルエステル、４−メタンスルフォニルオ
キシ−２−（４−メトキシフェニル）シクロヘキシ−２
−エンカルボン酸エチルエステル、４−メタンスルフォ
ニルオキシ−２−（４−クロロフェニル）シクロヘキシ
−２−エンカルボン酸エチルエステル、４−メタンスル
フォニルオキシ−２−（４−ブロモフェニル）シクロヘ
キシ−２−エンカルボン酸エチルエステル、４−メタン
スルフォニルオキシ−２−（４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステル、４
−メタンスルフォニルオキシ−２−フェニルシクロヘキ
シ−２−エンカルボン酸メチルエステル、４−メタンス
ルフォニルオキシ−２−（４−メチルフェニル）シクロ
ヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステル、４−メタ
ンスルフォニルオキシ−２−（４−ニトロフェニル）シ
クロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステル、４−
メタンスルフォニルオキシ−２−（４−メトキシフェニ
ル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステ
ル、４−メタンスルフォニルオキシ−２−（４−クロロ
フェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエ
ステル、４−メタンスルフォニルオキシ−２−（４−ブ
ロモフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチ
ルエステル、４−メタンスルフォニルオキシ−２−（４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボ
ン酸メチルエステル、４−メタンスルフォニルオキシ−
２−フェニルシクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、
４−メタンスルフォニルオキシ−２−（４−メチルフェ
ニル）シクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−メ
タンスルフォニルオキシ−２−（４−ニトロフェニル）
シクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−メタンス
ルフォニルオキシ−２−（４−メトキシフェニル）シク
ロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−メタンスルフ
ォニルオキシ−２−（４−クロロフェニル）シクロヘキ
シ−２−エンカルボニトリル、４−メタンスルフォニル
オキシ−２−（４−ブロモフェニル）シクロヘキシ−２
−エンカルボニトリル、４−メタンスルフォニルオキシ
−２−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシ−２−
エンカルボニトリルなどが、一般式（８）で表される化
合物としては２−フェニルシクロヘキサ−１，３−ジエ
ンカルボン酸エチルエステル、２−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカルボン酸エチルエ
ステル、２−（４−ニトロフェニル）シクロヘキサ−
１，３−ジエンカルボン酸エチルエステル、２−（４−
メトキシフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカル
ボン酸エチルエステル、２−（４−クロロフェニル）シ
クロヘキサ−１，３−ジエンカルボン酸エチルエステ
ル、２−（４−ブロモフェニル）シクロヘキサ−１，３
−ジエンカルボン酸エチルエステル、２−（４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカルボン
酸エチルエステル、２−フェニルシクロヘキサ−１，３
−ジエンカルボン酸メチルエステル、２−（４−メチル
フェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカルボン酸メ
チルエステル、２−（４−ニトロフェニル）シクロヘキ
サ−１，３−ジエンカルボン酸メチルエステル、２−
（４−メトキシフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエ
ンカルボン酸メチルエステル、２−（４−クロロフェニ
ル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカルボン酸メチルエ
ステル、２−（４−ブロモフェニル）シクロヘキサ−
１，３−ジエンカルボン酸メチルエステル、２−（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカ
ルボン酸メチルエステル、２−フェニルシクロヘキサ−
１，３−ジエンカルボニトリル、２−（４−メチルフェ
ニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカルボニトリル、
２−（４−ニトロフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジ
エンカルボニトリル、２−（４−メトキシフェニル）シ
クロヘキサ−１，３−ジエンカルボニトリル、２−（４
−クロロフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカル
ボニトリル、２−（４−ブロモフェニル）シクロヘキサ
−１，３−ジエンカルボニトリル、２−（４−ヒドロキ
シフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカルボニト
リルなどが、一般式（９）で表される化合物としてはビ
フェニル−２−カルボン酸エチルエステル、４’−メチ
ルビフェニル−２−カルボン酸エチルエステル、４’−
ニトロビフェニル−２−カルボン酸エチルエステル、
４’−クロロビフェニル−２−カルボン酸エチルエステ
ル、４’−ブロモビフェニル−２−カルボン酸エチルエ
ステル、４’−ヒドロキシビフェニル−２−カルボン酸
エチルエステル、ビフェニル−２−カルボン酸メチルエ
ステル、４’−メチルビフェニル−２−カルボン酸メチ
ルエステル、４’−ニトロビフェニル−２−カルボン酸
メチルエステル、４’−クロロビフェニル−２−カルボ
ン酸メチルエステル、４’−ブロモビフェニル−２−カ
ルボン酸メチルエステル、４’−ヒドロキシビフェニル
−２−カルボン酸メチルエステル、ビフェニル−２−カ
ルボニトリル、４’−メチルビフェニル−２−カルボニ
トリル、４’−ニトロビフェニル−２−カルボニトリ
ル、４’−クロロビフェニル−２−カルボニトリル、
４’−ブロモビフェニル−２−カルボニトリル、４’−
ヒドロキシビフェニル−２−カルボニトリルなどが挙げ
られる。
しては、以下のものが挙げられる。一般式（４）で表さ
れる化合物としては２−（（４−ニトロフェニル）カル
ボニル）−５−オキソヘキサン酸エチルエステル、２−
（（４−クロロフェニル）カルボニル）−５−オキソヘ
キサン酸エチルエステル、２−（（４−ブロモフェニ
ル）カルボニル）−５−オキソヘキサン酸エチルエステ
ル、２−（（４−ヒドロキシフェニル）カルボニル）−
５−オキソヘキサン酸エチルエステル、２−（（４−ニ
トロフェニル）カルボニル）−５−オキソヘキサン酸メ
チルエステル、２−（（４−クロロフェニル）カルボニ
ル）−５−オキソヘキサン酸メチルエステル、２−
（（４−ブロモフェニル）カルボニル）−５−オキソヘ
キサン酸メチルエステル、２−（（４−ヒドロキシフェ
ニル）カルボニル）−５−オキソヘキサン酸メチルエス
テル、２−（（４−ニトロフェニル）カルボニル）−５
−オキソヘキサンニトリル、２−（（４−クロロフェニ
ル）カルボニル）−５−オキソヘキサンニトリル、２−
（（４−ブロモフェニル）カルボニル）−５−オキソヘ
キサンニトリル、２−（（４−ヒドロキシフェニル）カ
ルボニル）−５−オキソヘキサンニトリルなどが、一般
式（５）で表される化合物としては２−（４−ニトロフ
ェニル）−４−オキソシクロヘキシ−２−エンカルボン
酸エチルエステル、２−（４−クロロフェニル）−４−
オキソシクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステ
ル、２−（４−ブロモフェニル）−４−オキソシクロヘ
キシ−２−エンカルボン酸エチルエステル、２−（４−
ヒドロキシフェニル）−４−オキソシクロヘキシ−２−
エンカルボン酸エチルエステル、２−（４−ニトロフェ
ニル）−４−オキソシクロヘキシ−２−エンカルボン酸
メチルエステル、２−（４−クロロフェニル）−４−オ
キソシクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステ
ル、２−（４−ブロモフェニル）−４−オキソシクロヘ
キシ−２−エンカルボン酸メチルエステル、２−（４−
ヒドロキシフェニル）−４−オキソシクロヘキシ−２−
エンカルボン酸メチルエステル、２−（４−ニトロフェ
ニル）−４−オキソシクロヘキシ−２−エンカルボニト
リル、２−（４−クロロフェニル）−４−オキソシクロ
ヘキシ−２−エンカルボニトリル、２−（４−ブロモフ
ェニル）−４−オキソシクロヘキシ−２−エンカルボニ
トリル、２−（４−ヒドロキシフェニル）−４−オキソ
シクロヘキシ−２−エンカルボニトリルなどが、一般式
（６）で表される化合物としては４−ヒドロキシ−２−
フェニルシクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエス
テル、４−ヒドロキシ−２−（４−メチルフェニル）シ
クロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステル、４−
ヒドロキシ−２−（４−ニトロフェニル）シクロヘキシ
−２−エンカルボン酸エチルエステル、４−ヒドロキシ
−２−（４−メトキシフェニル）シクロヘキシ−２−エ
ンカルボン酸エチルエステル、４−ヒドロキシ−２−
（４−クロロフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボ
ン酸エチルエステル、４−ヒドロキシ−２−（４−ブロ
モフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチル
エステル、４−ヒドロキシ−２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステ
ル、４−ヒドロキシ−２−フェニルシクロヘキシ−２−
エンカルボン酸メチルエステル、４−ヒドロキシ−２−
（４−メチルフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボ
ン酸メチルエステル、４−ヒドロキシ−２−（４−ニト
ロフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチル
エステル、４−ｖ−２−（４−メトキシフェニル）シク
ロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステル、４−ヒ
ドロキシ−２−（４−クロロフェニル）シクロヘキシ−
２−エンカルボン酸メチルエステル、４−ヒドロキシ−
２−（４−ブロモフェニル）シクロヘキシ−２−エンカ
ルボン酸メチルエステル、４−ヒドロキシ−２−（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン
酸メチルエステル、４−ヒドロキシ−２−フェニルシク
ロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−ヒドロキシ−
２−（４−メチルフェニル）シクロヘキシ−２−エンカ
ルボニトリル、４−ヒドロキシ−２−（４−ニトロフェ
ニル）シクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−ヒ
ドロキシ−２−（４−メトキシフェニル）シクロヘキシ
−２−エンカルボニトリル、４−ヒドロキシ−２−（４
−クロロフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボニト
リル、４−ヒドロキシ−２−（４−ブロモフェニル）シ
クロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−ヒドロキシ
−２−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシ−２−
エンカルボニトリルなどが、一般式（７）で表される化
合物としては４−クロロ−２−フェニルシクロヘキシ−
２−エンカルボン酸エチルエステル、４−クロロ−２−
（４−メチルフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボ
ン酸エチルエステル、４−クロロ−２−（４−ニトロフ
ェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエス
テル、４−クロロ−２−（４−メトキシフェニル）シク
ロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステル、４−ク
ロロ−２−（４−クロロフェニル）シクロヘキシ−２−
エンカルボン酸エチルエステル、４−クロロ−２−（４
−ブロモフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸
エチルエステル、４−クロロ−２−（４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエス
テル、４−クロロ−２−フェニルシクロヘキシ−２−エ
ンカルボン酸メチルエステル、４−クロロ−２−（４−
メチルフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メ
チルエステル、４−クロロ−２−（４−ニトロフェニ
ル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステ
ル、４−クロロ−２−（４−メトキシフェニル）シクロ
ヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステル、４−クロ
ロ−２−（４−クロロフェニル）シクロヘキシ−２−エ
ンカルボン酸メチルエステル、４−クロロ−２−（４−
ブロモフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メ
チルエステル、４−クロロ−２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステ
ル、４−クロロ−２−フェニルシクロヘキシ−２−エン
カルボニトリル、４−クロロ−２−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−クロ
ロ−２−（４−ニトロフェニル）シクロヘキシ−２−エ
ンカルボニトリル、４−クロロ−２−（４−メトキシフ
ェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−
クロロ−２−（４−クロロフェニル）シクロヘキシ−２
−エンカルボニトリル、４−クロロ−２−（４−ブロモ
フェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４
−クロロ−２−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
シ−２−エンカルボニトリル、４−メタンスルフォニル
オキシ−２−フェニルシクロヘキシ−２−エンカルボン
酸エチルエステル、４−メタンスルフォニルオキシ−２
−（４−メチルフェニル）シクロヘキシ−２−エンカル
ボン酸エチルエステル、４−メタンスルフォニルオキシ
−２−（４−ニトロフェニル）シクロヘキシ−２−エン
カルボン酸エチルエステル、４−メタンスルフォニルオ
キシ−２−（４−メトキシフェニル）シクロヘキシ−２
−エンカルボン酸エチルエステル、４−メタンスルフォ
ニルオキシ−２−（４−クロロフェニル）シクロヘキシ
−２−エンカルボン酸エチルエステル、４−メタンスル
フォニルオキシ−２−（４−ブロモフェニル）シクロヘ
キシ−２−エンカルボン酸エチルエステル、４−メタン
スルフォニルオキシ−２−（４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステル、４
−メタンスルフォニルオキシ−２−フェニルシクロヘキ
シ−２−エンカルボン酸メチルエステル、４−メタンス
ルフォニルオキシ−２−（４−メチルフェニル）シクロ
ヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステル、４−メタ
ンスルフォニルオキシ−２−（４−ニトロフェニル）シ
クロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステル、４−
メタンスルフォニルオキシ−２−（４−メトキシフェニ
ル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエステ
ル、４−メタンスルフォニルオキシ−２−（４−クロロ
フェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチルエ
ステル、４−メタンスルフォニルオキシ−２−（４−ブ
ロモフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボン酸メチ
ルエステル、４−メタンスルフォニルオキシ−２−（４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシ−２−エンカルボ
ン酸メチルエステル、４−メタンスルフォニルオキシ−
２−フェニルシクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、
４−メタンスルフォニルオキシ−２−（４−メチルフェ
ニル）シクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−メ
タンスルフォニルオキシ−２−（４−ニトロフェニル）
シクロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−メタンス
ルフォニルオキシ−２−（４−メトキシフェニル）シク
ロヘキシ−２−エンカルボニトリル、４−メタンスルフ
ォニルオキシ−２−（４−クロロフェニル）シクロヘキ
シ−２−エンカルボニトリル、４−メタンスルフォニル
オキシ−２−（４−ブロモフェニル）シクロヘキシ−２
−エンカルボニトリル、４−メタンスルフォニルオキシ
−２−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシ−２−
エンカルボニトリルなどが、一般式（８）で表される化
合物としては２−フェニルシクロヘキサ−１，３−ジエ
ンカルボン酸エチルエステル、２−（４−メチルフェニ
ル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカルボン酸エチルエ
ステル、２−（４−ニトロフェニル）シクロヘキサ−
１，３−ジエンカルボン酸エチルエステル、２−（４−
メトキシフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカル
ボン酸エチルエステル、２−（４−クロロフェニル）シ
クロヘキサ−１，３−ジエンカルボン酸エチルエステ
ル、２−（４−ブロモフェニル）シクロヘキサ−１，３
−ジエンカルボン酸エチルエステル、２−（４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカルボン
酸エチルエステル、２−フェニルシクロヘキサ−１，３
−ジエンカルボン酸メチルエステル、２−（４−メチル
フェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカルボン酸メ
チルエステル、２−（４−ニトロフェニル）シクロヘキ
サ−１，３−ジエンカルボン酸メチルエステル、２−
（４−メトキシフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエ
ンカルボン酸メチルエステル、２−（４−クロロフェニ
ル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカルボン酸メチルエ
ステル、２−（４−ブロモフェニル）シクロヘキサ−
１，３−ジエンカルボン酸メチルエステル、２−（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカ
ルボン酸メチルエステル、２−フェニルシクロヘキサ−
１，３−ジエンカルボニトリル、２−（４−メチルフェ
ニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカルボニトリル、
２−（４−ニトロフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジ
エンカルボニトリル、２−（４−メトキシフェニル）シ
クロヘキサ−１，３−ジエンカルボニトリル、２−（４
−クロロフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカル
ボニトリル、２−（４−ブロモフェニル）シクロヘキサ
−１，３−ジエンカルボニトリル、２−（４−ヒドロキ
シフェニル）シクロヘキサ−１，３−ジエンカルボニト
リルなどが、一般式（９）で表される化合物としてはビ
フェニル−２−カルボン酸エチルエステル、４’−メチ
ルビフェニル−２−カルボン酸エチルエステル、４’−
ニトロビフェニル−２−カルボン酸エチルエステル、
４’−クロロビフェニル−２−カルボン酸エチルエステ
ル、４’−ブロモビフェニル−２−カルボン酸エチルエ
ステル、４’−ヒドロキシビフェニル−２−カルボン酸
エチルエステル、ビフェニル−２−カルボン酸メチルエ
ステル、４’−メチルビフェニル−２−カルボン酸メチ
ルエステル、４’−ニトロビフェニル−２−カルボン酸
メチルエステル、４’−クロロビフェニル−２−カルボ
ン酸メチルエステル、４’−ブロモビフェニル−２−カ
ルボン酸メチルエステル、４’−ヒドロキシビフェニル
−２−カルボン酸メチルエステル、ビフェニル−２−カ
ルボニトリル、４’−メチルビフェニル−２−カルボニ
トリル、４’−ニトロビフェニル−２−カルボニトリ
ル、４’−クロロビフェニル−２−カルボニトリル、
４’−ブロモビフェニル−２−カルボニトリル、４’−
ヒドロキシビフェニル−２−カルボニトリルなどが挙げ
られる。
【００１２】本発明の反応工程は次に示すとおりであ
る。
る。
【化５９】 （式中X、Y、W、R1、R2、R3およびnは上記を示す。） 本発明の出発物質となる一般式（1）
【化６０】 で示されるベンゾイル酢酸エステル誘導体はOrg. Synth
eses Coll. Vol. 3, 379(1955)、Org. Syntheses Coll.
Vol. 4, 415 (1963)およびJ.Med.Chem., 28, 1558 (19
85)、J.Org.Chem., 29, 1970 (1964)などの方法を応用
して合成することができ、一般式（２）
eses Coll. Vol. 3, 379(1955)、Org. Syntheses Coll.
Vol. 4, 415 (1963)およびJ.Med.Chem., 28, 1558 (19
85)、J.Org.Chem., 29, 1970 (1964)などの方法を応用
して合成することができ、一般式（２）
【化６１】 で示される化合物は、Synth.Commun., 17, 809 (198
7)、Synth.Commun., 21, 271 (1991)およびTetrahedron
Letters, 24, 3477 (1983)などの方法を応用して合成
することができ、一般式（３）
7)、Synth.Commun., 21, 271 (1991)およびTetrahedron
Letters, 24, 3477 (1983)などの方法を応用して合成
することができ、一般式（３）
【化６２】 で示される化合物はChemistry Letters, 1663 (1993)お
よびOrg. Syntheses Coll. Vol. 3, 305 (1955)などの
方法を応用して合成することができる。
よびOrg. Syntheses Coll. Vol. 3, 305 (1955)などの
方法を応用して合成することができる。
【００１３】第１工程：一般式（１）の化合物から一般
式（４）の化合物の製造 一般式（４）
式（４）の化合物の製造 一般式（４）
【化６３】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物は一般式（１）
の化合物は一般式（１）
【化６４】 （式中X、Yおよびnは前記のものを示す）の化合物また
はその塩を塩基存在または非存在下溶媒中で一般式
（２）
はその塩を塩基存在または非存在下溶媒中で一般式
（２）
【化６５】 （式中R1、R2およびR3は前記のものを示す）、または一
般式（３）
般式（３）
【化６６】 （式中R1、R2、R3およびZは前記のものを示す）と反応
させることにより製造することができる。一般式（２）
または一般式（3）で表される化合物の使用料は一般式
（１）で表される化合物に対して通常０．５から３当量
であり、好ましくは０．８から２当量である。上記反応
に用いる溶媒としては、例えばメタノールやエタノール
などの脂肪族低級アルコール、トルエンなどの芳香族炭
化水素、酢酸エチルエステルなどの脂肪族エステル、テ
トラヒドロフランなどのエーテル系炭化水素、ジクロロ
メタンなどの有機塩素系炭化水素、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキド、アセトニトリル、水及びそれ
らの混合物が挙げられる。好ましくは、脂肪族低級アル
コール、芳香族炭化水素、エーテル系炭化水素、水及び
それらの混合物が挙げられる。反応温度は通常−２０℃
から溶媒還流温度であり、好ましくは０℃から溶媒還流
温度である。また本反応は無溶媒で行うこともできる。
塩基としてはKOHやNaOHなどのアルカリ金属水酸化物、K
2CO3やNa2CO3などのアルカリ金属炭酸塩、MeONaやEtONa
やt-BuOKなどの脂肪族低級アルコールのアルカリ金属
塩、NaHなどのアルカリ金属水素化物、ピリジンやトリ
エチルアミンなどの有機塩基、Triton Bなどの４級アン
モニウム塩などであり、好ましくはアルカリ金属水酸化
物、アルカリ金属炭酸塩、脂肪族低級アルコールのアル
カリ金属塩、有機塩基、４級アンモニウム塩である。ま
た、その使用量は一般式（１）で表される化合物に対し
て通常０.００１から１０当量であり、好ましくは０.０
５から５当量である。その精製法としては再結晶、蒸留
およびシリカゲル等を用いたクロマトグラフィーなどの
通常用いられる方法により精製することができる。なお
一般式（４）
させることにより製造することができる。一般式（２）
または一般式（3）で表される化合物の使用料は一般式
（１）で表される化合物に対して通常０．５から３当量
であり、好ましくは０．８から２当量である。上記反応
に用いる溶媒としては、例えばメタノールやエタノール
などの脂肪族低級アルコール、トルエンなどの芳香族炭
化水素、酢酸エチルエステルなどの脂肪族エステル、テ
トラヒドロフランなどのエーテル系炭化水素、ジクロロ
メタンなどの有機塩素系炭化水素、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキド、アセトニトリル、水及びそれ
らの混合物が挙げられる。好ましくは、脂肪族低級アル
コール、芳香族炭化水素、エーテル系炭化水素、水及び
それらの混合物が挙げられる。反応温度は通常−２０℃
から溶媒還流温度であり、好ましくは０℃から溶媒還流
温度である。また本反応は無溶媒で行うこともできる。
塩基としてはKOHやNaOHなどのアルカリ金属水酸化物、K
2CO3やNa2CO3などのアルカリ金属炭酸塩、MeONaやEtONa
やt-BuOKなどの脂肪族低級アルコールのアルカリ金属
塩、NaHなどのアルカリ金属水素化物、ピリジンやトリ
エチルアミンなどの有機塩基、Triton Bなどの４級アン
モニウム塩などであり、好ましくはアルカリ金属水酸化
物、アルカリ金属炭酸塩、脂肪族低級アルコールのアル
カリ金属塩、有機塩基、４級アンモニウム塩である。ま
た、その使用量は一般式（１）で表される化合物に対し
て通常０.００１から１０当量であり、好ましくは０.０
５から５当量である。その精製法としては再結晶、蒸留
およびシリカゲル等を用いたクロマトグラフィーなどの
通常用いられる方法により精製することができる。なお
一般式（４）
【化６７】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物はその塩であってもよく、例えばナトリウム
塩、カリウム塩などが挙げられる。
の化合物はその塩であってもよく、例えばナトリウム
塩、カリウム塩などが挙げられる。
【００１４】第２工程：一般式（４）の化合物から一般
式（５）の化合物の製造 一般式（５）
式（５）の化合物の製造 一般式（５）
【化６８】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物は一般式（４）
の化合物は一般式（４）
【化６９】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物またはその塩を溶媒中にて塩基または酸の存在
下もしくはその混在下環化反応を行うことにより製造す
ることができる。上記反応に用いる溶媒としては、例え
ばメタノールやエタノールなどの脂肪族低級アルコー
ル、トルエンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチルエステ
ルなどの脂肪族エステル、テトラヒドロフランなどのエ
ーテル系炭化水素、ジクロロメタンなどの有機塩素系炭
化水素、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキド、
アセトニトリル、水及びそれらの混合物が挙げられる。
好ましくは、脂肪族低級アルコール、芳香族炭化水素、
エーテル系炭化水素、水及びそれらの混合物が挙げられ
る。反応温度は通常０℃から溶媒還流温度であり、好ま
しくは２０℃から溶媒還流温度である。また本反応は無
溶媒で行うこともできる。塩基としては、KOHやNaOHな
どのアルカリ金属水酸化物、K2CO3やNa2CO3などのアル
カリ金属炭酸塩、MeONaやEtONaやt-BuOKなどの脂肪族低
級アルコールのアルカリ金属塩、NaHなどのアルカリ金
属水素化物、ピリジンやトリエチルアミンやピロリジン
やピペリジンなどの有機塩基、Triton Bなどの４級アン
モニウム塩などであり、好ましくはアルカリ金属水酸化
物、アルカリ金属炭酸塩、脂肪族低級アルコールのアル
カリ金属塩、有機塩基、４級アンモニウム塩である。ま
た、その使用量は一般式（４）で表される化合物に対し
て通常０.０１から１０当量であり、好ましくは０.１か
ら５当量である。酸としてはギ酸、酢酸など有機酸、塩
酸、硫酸などの無機酸であり、好ましくは有機酸であ
る。また、その使用量は一般式（４）で表される化合物
に対して通常０.０１から１０当量であり、好ましくは
０.１から５当量である。上記塩基および酸を混合して
使用することもでき、好ましくは有機塩基と有機酸の混
在である。その混在比としては有機塩基：有機酸が１：
１０から１０：１であり、好ましくは１：５から５：１
である。また第１工程、第２工程を同一反応条件で行う
ことにより、一般式（４）
の化合物またはその塩を溶媒中にて塩基または酸の存在
下もしくはその混在下環化反応を行うことにより製造す
ることができる。上記反応に用いる溶媒としては、例え
ばメタノールやエタノールなどの脂肪族低級アルコー
ル、トルエンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチルエステ
ルなどの脂肪族エステル、テトラヒドロフランなどのエ
ーテル系炭化水素、ジクロロメタンなどの有機塩素系炭
化水素、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキド、
アセトニトリル、水及びそれらの混合物が挙げられる。
好ましくは、脂肪族低級アルコール、芳香族炭化水素、
エーテル系炭化水素、水及びそれらの混合物が挙げられ
る。反応温度は通常０℃から溶媒還流温度であり、好ま
しくは２０℃から溶媒還流温度である。また本反応は無
溶媒で行うこともできる。塩基としては、KOHやNaOHな
どのアルカリ金属水酸化物、K2CO3やNa2CO3などのアル
カリ金属炭酸塩、MeONaやEtONaやt-BuOKなどの脂肪族低
級アルコールのアルカリ金属塩、NaHなどのアルカリ金
属水素化物、ピリジンやトリエチルアミンやピロリジン
やピペリジンなどの有機塩基、Triton Bなどの４級アン
モニウム塩などであり、好ましくはアルカリ金属水酸化
物、アルカリ金属炭酸塩、脂肪族低級アルコールのアル
カリ金属塩、有機塩基、４級アンモニウム塩である。ま
た、その使用量は一般式（４）で表される化合物に対し
て通常０.０１から１０当量であり、好ましくは０.１か
ら５当量である。酸としてはギ酸、酢酸など有機酸、塩
酸、硫酸などの無機酸であり、好ましくは有機酸であ
る。また、その使用量は一般式（４）で表される化合物
に対して通常０.０１から１０当量であり、好ましくは
０.１から５当量である。上記塩基および酸を混合して
使用することもでき、好ましくは有機塩基と有機酸の混
在である。その混在比としては有機塩基：有機酸が１：
１０から１０：１であり、好ましくは１：５から５：１
である。また第１工程、第２工程を同一反応条件で行う
ことにより、一般式（４）
【化７０】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物を単離することなく、一般式（５）
の化合物を単離することなく、一般式（５）
【化７１】 の化合物を製造することもできる。その精製法としては
再結晶、蒸留およびシリカゲル等を用いたクロマトグラ
フィーなどの通常用いられる方法により精製することが
できる。
再結晶、蒸留およびシリカゲル等を用いたクロマトグラ
フィーなどの通常用いられる方法により精製することが
できる。
【００１５】第３工程：一般式（５）の化合物から一般
式（６）の製造 一般式（６）
式（６）の製造 一般式（６）
【化７２】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物は一般式（５）
の化合物は一般式（５）
【化７３】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物を溶媒中無機塩類の存在または非存在下、水素
化ホウ素化合物または水素化アルミニウム化合物などの
還元剤にて還元反応を行うことにより製造することがで
きる。上記反応に用いる溶媒としては例えばメタノール
やエタノールなどの脂肪族低級アルコール、トルエンな
どの芳香族炭化水素、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル系炭化水素、水及びそれらの混合物が挙げられる。好
ましくは、脂肪族低級アルコール、エーテル系炭化水
素、水及びそれらの混合物が挙げられる。また本反応は
無溶媒で行うこともできる。反応温度は通常−４０℃か
ら溶媒還流温度であり、好ましくは−２０℃から４０℃
である。無機塩類としてはCeCl3などが挙げられる。ま
たその使用量は一般式（５）で表される化合物に対して
通常０.1から５当量であり、好ましくは０.５から２当
量である。水素化ホウ素化合物としてはNaBH4、NaBH3CN
などが挙げられ、水素化アルミニウム化合物としてはLi
AlH4などが挙げられる。好ましくはNaBH4が挙げられ
る。またその使用量は一般式（５）で表される化合物に
対して通常０.２から５当量であり、好ましくは０.２５
から４当量である。その精製法としては再結晶、蒸留お
よびシリカゲル等を用いたクロマトグラフィーなどの通
常用いられる方法により精製することができる。
の化合物を溶媒中無機塩類の存在または非存在下、水素
化ホウ素化合物または水素化アルミニウム化合物などの
還元剤にて還元反応を行うことにより製造することがで
きる。上記反応に用いる溶媒としては例えばメタノール
やエタノールなどの脂肪族低級アルコール、トルエンな
どの芳香族炭化水素、テトラヒドロフランなどのエーテ
ル系炭化水素、水及びそれらの混合物が挙げられる。好
ましくは、脂肪族低級アルコール、エーテル系炭化水
素、水及びそれらの混合物が挙げられる。また本反応は
無溶媒で行うこともできる。反応温度は通常−４０℃か
ら溶媒還流温度であり、好ましくは−２０℃から４０℃
である。無機塩類としてはCeCl3などが挙げられる。ま
たその使用量は一般式（５）で表される化合物に対して
通常０.1から５当量であり、好ましくは０.５から２当
量である。水素化ホウ素化合物としてはNaBH4、NaBH3CN
などが挙げられ、水素化アルミニウム化合物としてはLi
AlH4などが挙げられる。好ましくはNaBH4が挙げられ
る。またその使用量は一般式（５）で表される化合物に
対して通常０.２から５当量であり、好ましくは０.２５
から４当量である。その精製法としては再結晶、蒸留お
よびシリカゲル等を用いたクロマトグラフィーなどの通
常用いられる方法により精製することができる。
【００１６】第４工程：一般式（６）の化合物から一般
式（７）の化合物の製造 一般式（７）
式（７）の化合物の製造 一般式（７）
【化７４】 （式中X、Y、R1、R2、R3、Wおよびnは前記のものを示
す）の化合物は一般式（６）
す）の化合物は一般式（６）
【化７５】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物を溶媒中にて、塩基の存在下または非存在下に
ハロゲン化剤、アシル化剤、スルホニル化剤等を反応さ
せることにより製造することができる。上記反応に用い
る溶媒としては、例えばメタノールやエタノールなどの
脂肪族低級アルコール、トルエンなどの芳香族炭化水
素、酢酸エチルエステルなどの脂肪族エステル、テトラ
ヒドロフランなどのエーテル系炭化水素、ジクロロメタ
ン、1,2-ジクロロエタンなどの有機塩素系炭化水素、n-
ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、水及びそれらの混合物
が挙げられる。好ましくは、芳香族炭化水素、脂肪族炭
化水素、有機塩素系炭化水素及びそれらの混合物が挙げ
られる。反応温度は通常−３０℃から溶媒還流温度であ
り、好ましくは−１０℃から溶媒還流温度である。また
本反応は無溶媒で行うこともできる。塩基としてはKOH
やNaOHなどのアルカリ金属水酸化物、K2CO3やNa2CO3な
どのアルカリ金属炭酸塩、MeONaやEtONaやt-BuOKなどの
脂肪族低級アルコールのアルカリ金属塩、NaHなどのア
ルカリ金属水素化物、ピリジンやトリエチルアミンなど
の有機塩基などであり、好ましくはアルカリ金属水酸化
物、アルカリ金属炭酸塩、脂肪族低級アルコールのアル
カリ金属塩、有機塩基、４級アンモニウム塩である。そ
の使用量は一般式（６）で表される化合物に対して通常
０．５から３当量であり、好ましくは０．８から２当量
であるが、使用しなくても良い。ハロゲン化剤としては
塩化チオニル、ホスゲン、オキザリルクロリド、オキシ
塩化リン、５塩化リン等の塩素化剤、臭化チオニル、オ
キシ臭化リンなどの臭素化剤等が挙げられ、好ましくは
塩化チオニル、ホスゲン、オキシ塩化リンである。また
その使用量は一般式（６）で表される化合物に対して通
常０.５から１０当量であり、好ましくは０.８から５当
量である。アシル化剤としては無水酢酸、塩化アセチ
ル、塩化ベンゾイル等が挙げられる。またその使用量は
一般式（６）で表される化合物に対して通常０.５から
１０当量であり、好ましくは０.８から５当量である。
スルホニル化剤としては塩化メタンスルホニル、無水ト
リフルオロメタンスルホン酸、塩化ベンゼンスルホニ
ル、塩化p-トルエンスルホニル等が挙げられる。またそ
の使用量は一般式（６）で表される化合物に対して通常
０.５から１０当量であり、好ましくは０.８から５当量
である。本製造工程の反応条件によっては一般式（６）
の化合物を溶媒中にて、塩基の存在下または非存在下に
ハロゲン化剤、アシル化剤、スルホニル化剤等を反応さ
せることにより製造することができる。上記反応に用い
る溶媒としては、例えばメタノールやエタノールなどの
脂肪族低級アルコール、トルエンなどの芳香族炭化水
素、酢酸エチルエステルなどの脂肪族エステル、テトラ
ヒドロフランなどのエーテル系炭化水素、ジクロロメタ
ン、1,2-ジクロロエタンなどの有機塩素系炭化水素、n-
ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、水及びそれらの混合物
が挙げられる。好ましくは、芳香族炭化水素、脂肪族炭
化水素、有機塩素系炭化水素及びそれらの混合物が挙げ
られる。反応温度は通常−３０℃から溶媒還流温度であ
り、好ましくは−１０℃から溶媒還流温度である。また
本反応は無溶媒で行うこともできる。塩基としてはKOH
やNaOHなどのアルカリ金属水酸化物、K2CO3やNa2CO3な
どのアルカリ金属炭酸塩、MeONaやEtONaやt-BuOKなどの
脂肪族低級アルコールのアルカリ金属塩、NaHなどのア
ルカリ金属水素化物、ピリジンやトリエチルアミンなど
の有機塩基などであり、好ましくはアルカリ金属水酸化
物、アルカリ金属炭酸塩、脂肪族低級アルコールのアル
カリ金属塩、有機塩基、４級アンモニウム塩である。そ
の使用量は一般式（６）で表される化合物に対して通常
０．５から３当量であり、好ましくは０．８から２当量
であるが、使用しなくても良い。ハロゲン化剤としては
塩化チオニル、ホスゲン、オキザリルクロリド、オキシ
塩化リン、５塩化リン等の塩素化剤、臭化チオニル、オ
キシ臭化リンなどの臭素化剤等が挙げられ、好ましくは
塩化チオニル、ホスゲン、オキシ塩化リンである。また
その使用量は一般式（６）で表される化合物に対して通
常０.５から１０当量であり、好ましくは０.８から５当
量である。アシル化剤としては無水酢酸、塩化アセチ
ル、塩化ベンゾイル等が挙げられる。またその使用量は
一般式（６）で表される化合物に対して通常０.５から
１０当量であり、好ましくは０.８から５当量である。
スルホニル化剤としては塩化メタンスルホニル、無水ト
リフルオロメタンスルホン酸、塩化ベンゼンスルホニ
ル、塩化p-トルエンスルホニル等が挙げられる。またそ
の使用量は一般式（６）で表される化合物に対して通常
０.５から１０当量であり、好ましくは０.８から５当量
である。本製造工程の反応条件によっては一般式（６）
【化７６】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物から一般式（８）
の化合物から一般式（８）
【化７７】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物を製造することができる。その精製法としては
再結晶、蒸留およびシリカゲル等を用いたクロマトグラ
フィーなどの通常用いられる方法により精製することが
できる。
の化合物を製造することができる。その精製法としては
再結晶、蒸留およびシリカゲル等を用いたクロマトグラ
フィーなどの通常用いられる方法により精製することが
できる。
【００１７】第５工程：一般式（７）の化合物から一般
式（８）の化合物の製造 一般式（８）
式（８）の化合物の製造 一般式（８）
【化７８】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物は一般式（７）
の化合物は一般式（７）
【化７９】 （式中X、Y、R1、R2、R3、Wおよびnは前記のものを示
す）の化合物を溶媒中にて塩基で処理することにより製
造することができる。上記反応に用いる溶媒としては、
例えばメタノールやエタノールなどの脂肪族低級アルコ
ール、トルエンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチルエス
テルなどの脂肪族エステル、テトラヒドロフランなどの
エーテル系炭化水素、ジクロロメタンなどの有機塩素系
炭化水素、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
ド、アセトニトリル、水及びそれらの混合物が挙げられ
る。好ましくは、脂肪族低級アルコール、芳香族炭化水
素、エーテル系炭化水素、水及びそれらの混合物が挙げ
られる。反応温度は通常−２０℃から溶媒還流温度であ
り、好ましくは−１０℃から溶媒還流温度である。また
本反応は無溶媒で行うこともできる。塩基としては、KO
HやNaOHなどのアルカリ金属水酸化物、K2CO3やNa2CO3な
どのアルカリ金属炭酸塩、MeONaやEtONaやt-BuOKなどの
脂肪族低級アルコールのアルカリ金属塩、NaHなどのア
ルカリ金属水素化物、ピリジンやトリエチルアミや、DB
Uなどの有機塩基、Triton Bなどの４級アンモニウム塩
等であり、好ましくはアルカリ金属水酸化物、アルカリ
金属炭酸塩、脂肪族低級アルコールのアルカリ金属塩で
ある。また、その使用量は一般式（７）で表される化合
物に対して通常０.５から１０当量であり、好ましくは
０.８から５当量である。その精製法としては再結晶、
蒸留およびシリカゲル等を用いたクロマトグラフィーな
どの通常用いられる方法により精製することができる。
す）の化合物を溶媒中にて塩基で処理することにより製
造することができる。上記反応に用いる溶媒としては、
例えばメタノールやエタノールなどの脂肪族低級アルコ
ール、トルエンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチルエス
テルなどの脂肪族エステル、テトラヒドロフランなどの
エーテル系炭化水素、ジクロロメタンなどの有機塩素系
炭化水素、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
ド、アセトニトリル、水及びそれらの混合物が挙げられ
る。好ましくは、脂肪族低級アルコール、芳香族炭化水
素、エーテル系炭化水素、水及びそれらの混合物が挙げ
られる。反応温度は通常−２０℃から溶媒還流温度であ
り、好ましくは−１０℃から溶媒還流温度である。また
本反応は無溶媒で行うこともできる。塩基としては、KO
HやNaOHなどのアルカリ金属水酸化物、K2CO3やNa2CO3な
どのアルカリ金属炭酸塩、MeONaやEtONaやt-BuOKなどの
脂肪族低級アルコールのアルカリ金属塩、NaHなどのア
ルカリ金属水素化物、ピリジンやトリエチルアミや、DB
Uなどの有機塩基、Triton Bなどの４級アンモニウム塩
等であり、好ましくはアルカリ金属水酸化物、アルカリ
金属炭酸塩、脂肪族低級アルコールのアルカリ金属塩で
ある。また、その使用量は一般式（７）で表される化合
物に対して通常０.５から１０当量であり、好ましくは
０.８から５当量である。その精製法としては再結晶、
蒸留およびシリカゲル等を用いたクロマトグラフィーな
どの通常用いられる方法により精製することができる。
【００１８】第６工程：一般式（８）の化合物から一般
式（９）の化合物の製造 一般式（９）
式（９）の化合物の製造 一般式（９）
【化８０】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物は一般式（８）
の化合物は一般式（８）
【化８１】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは前記のものを示す）
の化合物を溶媒中にて脱水素反応を行うことにより製造
することができる。上記反応に用いる溶媒としては、例
えばメタノールやエタノールなどの脂肪族アルコール、
トルエンやクメンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチルエ
ステルや安息香酸メチルエステルなどの脂肪族および芳
香族エステル、テトラヒドロフランやジグライムなどの
エーテル系炭化水素、ジクロロメタンや1,2-ジクロロエ
タンなどの有機塩素系炭化水素、n-ヘキサンなどの脂肪
族炭化水素、酢酸などの有機酸、アセトニトリルやフェ
ニルニトリルなどの脂肪族および芳香族ニトリル、水及
びそれらの混合物が挙げられる。好ましくは、芳香族炭
化水素、エーテル系炭化水素、脂肪族炭化水素、有機塩
素系炭化水素、脂肪族および芳香族ニトリル、有機酸、
水及びそれらの混合物が挙げられる。反応温度は通常室
温から４００℃であり、好ましくは５０℃から３００℃
である。また本反応は無溶媒で行うこともできる。酸化
剤としてはKMnO4やMnO2、CrO2などの金属酸化物、白
金、パラジウム、オスミウム、イリジウム、ルテニウム
およびロジウムなどの白金族元素の単体またはその塩、
チオニルクロライドや塩化スルフリルなどのハロゲン化
剤、DDQなどのキノン誘導体、硫黄、酸素などが挙げら
れる。白金族元素の塩としては塩酸塩等の鉱酸塩が挙げ
られる。白金族元素の単体またはそれらの塩酸等の塩は
活性炭、グラファイト、シリカ、アルミナ、シリカ-ア
ルミナ、ゼオライト、チタニア、マグネシア、ジルコニ
ア、けいそう土、硫酸バリウム等の適当な単体に坦侍さ
れた形態であってもよい。その使用量は一般式（８）で
表される化合物に対して通常０.００１から２０当量で
あり、好ましくは０.０５から１０当量である。またこ
れら酸化反応は酸素の共存下で行うこともできる。その
精製法としては再結晶、蒸留およびシリカゲル等を用い
たクロマトグラフィーなどの通常用いられる方法により
精製することができる。
の化合物を溶媒中にて脱水素反応を行うことにより製造
することができる。上記反応に用いる溶媒としては、例
えばメタノールやエタノールなどの脂肪族アルコール、
トルエンやクメンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチルエ
ステルや安息香酸メチルエステルなどの脂肪族および芳
香族エステル、テトラヒドロフランやジグライムなどの
エーテル系炭化水素、ジクロロメタンや1,2-ジクロロエ
タンなどの有機塩素系炭化水素、n-ヘキサンなどの脂肪
族炭化水素、酢酸などの有機酸、アセトニトリルやフェ
ニルニトリルなどの脂肪族および芳香族ニトリル、水及
びそれらの混合物が挙げられる。好ましくは、芳香族炭
化水素、エーテル系炭化水素、脂肪族炭化水素、有機塩
素系炭化水素、脂肪族および芳香族ニトリル、有機酸、
水及びそれらの混合物が挙げられる。反応温度は通常室
温から４００℃であり、好ましくは５０℃から３００℃
である。また本反応は無溶媒で行うこともできる。酸化
剤としてはKMnO4やMnO2、CrO2などの金属酸化物、白
金、パラジウム、オスミウム、イリジウム、ルテニウム
およびロジウムなどの白金族元素の単体またはその塩、
チオニルクロライドや塩化スルフリルなどのハロゲン化
剤、DDQなどのキノン誘導体、硫黄、酸素などが挙げら
れる。白金族元素の塩としては塩酸塩等の鉱酸塩が挙げ
られる。白金族元素の単体またはそれらの塩酸等の塩は
活性炭、グラファイト、シリカ、アルミナ、シリカ-ア
ルミナ、ゼオライト、チタニア、マグネシア、ジルコニ
ア、けいそう土、硫酸バリウム等の適当な単体に坦侍さ
れた形態であってもよい。その使用量は一般式（８）で
表される化合物に対して通常０.００１から２０当量で
あり、好ましくは０.０５から１０当量である。またこ
れら酸化反応は酸素の共存下で行うこともできる。その
精製法としては再結晶、蒸留およびシリカゲル等を用い
たクロマトグラフィーなどの通常用いられる方法により
精製することができる。
【００１９】
【実施例】以下に実施例を示し本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００２０】実施例１ ４−ヒドロキシ−２−フェニル
シクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステルの製
造 特開平１１−４９７２２号に記載の方法により調製した
４−オキソ−２−フェニルシクロヘキシ−２−エンカル
ボン酸エチルエステル（５００ｍｇ、２．０５ｍｍｏ
ｌ）のメタノール溶液（１０ｍｌ）に、０℃にてナトリ
ウムボロハイドライド（７７．５ｍｇ、２．０５ｍｍｏ
ｌ）を少量ずつ添加し、同温にて４５分間撹拌した。５
％ＨＣｌ水を加えた後減圧下溶媒を留去し、残留物に水
を加えた後酢酸エチルエステルにて抽出した。水及び飽
和食塩水により順次洗浄した後、有機層を無水硫酸マグ
ネシウムにより乾燥し、減圧下溶媒を留去することによ
り目的物である４−ヒドロキシ−２−フェニル−２−シ
クロヘキセンカルボン酸エチルエステルを淡黄色結晶と
して得た。（５０４ｍｇ、収率１００％）１ Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３） δ７．２３−７．３４（５Ｈ，ｍ） ６．１０−６．２２（１Ｈ，ｍ） ４．３０−４．５０（１Ｈ，ｍ） ３．９０−４．０８（２Ｈ，ｍ） ３．７２ ａｎｄ ３．６４（１Ｈ，ｔ ａｎｄ ｔ，Ｊ＝５．８ ａｎｄ ５．３ Ｈｚ） １．６０−２．３０（４Ｈ，ｍ） １．００ ａｎｄ １．１０（３Ｈ，ｍ）
シクロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステルの製
造 特開平１１−４９７２２号に記載の方法により調製した
４−オキソ−２−フェニルシクロヘキシ−２−エンカル
ボン酸エチルエステル（５００ｍｇ、２．０５ｍｍｏ
ｌ）のメタノール溶液（１０ｍｌ）に、０℃にてナトリ
ウムボロハイドライド（７７．５ｍｇ、２．０５ｍｍｏ
ｌ）を少量ずつ添加し、同温にて４５分間撹拌した。５
％ＨＣｌ水を加えた後減圧下溶媒を留去し、残留物に水
を加えた後酢酸エチルエステルにて抽出した。水及び飽
和食塩水により順次洗浄した後、有機層を無水硫酸マグ
ネシウムにより乾燥し、減圧下溶媒を留去することによ
り目的物である４−ヒドロキシ−２−フェニル−２−シ
クロヘキセンカルボン酸エチルエステルを淡黄色結晶と
して得た。（５０４ｍｇ、収率１００％）１ Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３） δ７．２３−７．３４（５Ｈ，ｍ） ６．１０−６．２２（１Ｈ，ｍ） ４．３０−４．５０（１Ｈ，ｍ） ３．９０−４．０８（２Ｈ，ｍ） ３．７２ ａｎｄ ３．６４（１Ｈ，ｔ ａｎｄ ｔ，Ｊ＝５．８ ａｎｄ ５．３ Ｈｚ） １．６０−２．３０（４Ｈ，ｍ） １．００ ａｎｄ １．１０（３Ｈ，ｍ）
【００２１】実施例２ ４−クロロ−２−フェニルシク
ロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステルの製造 ４−ヒドロキシ−２−フェニルシクロヘキシ−２−エン
カルボン酸エチルエステル（１００ｍｇ，０．４０７ｍ
ｍｏｌ）をトルエン（２ｍｌ）に溶解し、５℃にて塩化
チオニル（０．０７４ｍｌ，１．０２ｍｍｏｌ）を加え
た。室温にて３時間撹拌した後水を加え、酢酸エチルエ
ステルにて抽出した。有機層を飽和NaHCO3水、飽和食塩
水にて順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した
後溶媒を留去し、４−クロロ−２−フェニルシクロヘキ
シ−２−エンカルボン酸エチルエステルを淡黄色油状物
として得た。（１１０ｍｇ，１００％）１ Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３） δ７．２５−７．３７（５Ｈ，ｍ） ６．２７ ａｎｄ ６．１８（１Ｈ，ｄ ａｎｄ ｔ，Ｊ＝４．６ ａｎｄ １．７ Ｈｚ） ４．８７−４．９１ ａｎｄ ４．７４−４．７９（１Ｈ，ｍ） ４．０３ ａｎｄ ３．９６（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝６．９ ａｎｄ ７．１Ｈｚ） ３．６８−３．７６（１Ｈ，ｍ） ２．０５−２．３７（４Ｈ，ｍ） １．０９ ａｎｄ ０．９７（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．９ ａｎｄ ７．１Ｈｚ）
ロヘキシ−２−エンカルボン酸エチルエステルの製造 ４−ヒドロキシ−２−フェニルシクロヘキシ−２−エン
カルボン酸エチルエステル（１００ｍｇ，０．４０７ｍ
ｍｏｌ）をトルエン（２ｍｌ）に溶解し、５℃にて塩化
チオニル（０．０７４ｍｌ，１．０２ｍｍｏｌ）を加え
た。室温にて３時間撹拌した後水を加え、酢酸エチルエ
ステルにて抽出した。有機層を飽和NaHCO3水、飽和食塩
水にて順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した
後溶媒を留去し、４−クロロ−２−フェニルシクロヘキ
シ−２−エンカルボン酸エチルエステルを淡黄色油状物
として得た。（１１０ｍｇ，１００％）１ Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３） δ７．２５−７．３７（５Ｈ，ｍ） ６．２７ ａｎｄ ６．１８（１Ｈ，ｄ ａｎｄ ｔ，Ｊ＝４．６ ａｎｄ １．７ Ｈｚ） ４．８７−４．９１ ａｎｄ ４．７４−４．７９（１Ｈ，ｍ） ４．０３ ａｎｄ ３．９６（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝６．９ ａｎｄ ７．１Ｈｚ） ３．６８−３．７６（１Ｈ，ｍ） ２．０５−２．３７（４Ｈ，ｍ） １．０９ ａｎｄ ０．９７（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．９ ａｎｄ ７．１Ｈｚ）
【００２２】実施例３ ２−フェニルシクロヘキサ−
１，３−ジエンカルボン酸エチルエステルの製造 ４−クロロ−２−フェニルシクロヘキシ−２−エンカル
ボン酸エチルエステル（１１０ｍｇ，０．４０７ｍｍｏ
ｌ）をtert-ブタノール（２ｍｌ）に溶解し、水冷下カ
リウム tert-ブトキシド（９３ｍｇ，０．８３２ｍｍ
ｏｌ）を添加した。室温にて１時間撹拌した後水を加
え、５％ＨＣｌ水にて酸性とした後に酢酸エチルエステ
ルにて抽出した。有機層を飽和食塩水にて洗浄し、無水
硫酸マグネシウムにて乾燥した後溶媒を留去して２−フ
ェニルシクロヘキサ−１，３−ジエンカルボン酸エチル
エステルを淡黄色油状物として得た。（７０ｍｇ，７４
％）
１，３−ジエンカルボン酸エチルエステルの製造 ４−クロロ−２−フェニルシクロヘキシ−２−エンカル
ボン酸エチルエステル（１１０ｍｇ，０．４０７ｍｍｏ
ｌ）をtert-ブタノール（２ｍｌ）に溶解し、水冷下カ
リウム tert-ブトキシド（９３ｍｇ，０．８３２ｍｍ
ｏｌ）を添加した。室温にて１時間撹拌した後水を加
え、５％ＨＣｌ水にて酸性とした後に酢酸エチルエステ
ルにて抽出した。有機層を飽和食塩水にて洗浄し、無水
硫酸マグネシウムにて乾燥した後溶媒を留去して２−フ
ェニルシクロヘキサ−１，３−ジエンカルボン酸エチル
エステルを淡黄色油状物として得た。（７０ｍｇ，７４
％）
【００２３】実施例４ ２−ビフェニルカルボン酸エチ
ルエステルの製造 ２−フェニルシクロヘキサ−１，３−ジエンカルボン酸
エチルエステル（９０ｍｇ，０．３９５ｍｍｏｌ）を酢
酸（１．５ｍｌ）と水（１．５ｍｌ）の混合溶液に溶解
し、５％Ｐｄ／Ｃ（５０ｍｇ）を加えて、２時間加熱還
流した。冷却後触媒をろ去し、溶媒を留去した。残留物
にトルエンを加えた後無水硫酸マグネシウムにて乾燥
し、溶媒を留去して２−ビフェニルカルボン酸エチルエ
ステルを淡黄色油状物として得た。（７１ｍｇ，８０
％）１ Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３） δ７．８２（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１．４ ａｎｄ ７．７Ｈｚ） ７．１０−７．６０（８Ｈ） ４．０８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ） ０．９８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）
ルエステルの製造 ２−フェニルシクロヘキサ−１，３−ジエンカルボン酸
エチルエステル（９０ｍｇ，０．３９５ｍｍｏｌ）を酢
酸（１．５ｍｌ）と水（１．５ｍｌ）の混合溶液に溶解
し、５％Ｐｄ／Ｃ（５０ｍｇ）を加えて、２時間加熱還
流した。冷却後触媒をろ去し、溶媒を留去した。残留物
にトルエンを加えた後無水硫酸マグネシウムにて乾燥
し、溶媒を留去して２−ビフェニルカルボン酸エチルエ
ステルを淡黄色油状物として得た。（７１ｍｇ，８０
％）１ Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３） δ７．８２（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１．４ ａｎｄ ７．７Ｈｚ） ７．１０−７．６０（８Ｈ） ４．０８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ） ０．９８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば医農薬、液晶、耐熱性高
分子及び液晶性高分子等の中間体として有用であるビフ
ェニル誘導体を製造できる。本合成法は安価な原料を用
い、特殊な設備や反応条件を必要としない選択的かつ高
収率なビフェニル誘導体の工業的製造法を提供する。
分子及び液晶性高分子等の中間体として有用であるビフ
ェニル誘導体を製造できる。本合成法は安価な原料を用
い、特殊な設備や反応条件を必要としない選択的かつ高
収率なビフェニル誘導体の工業的製造法を提供する。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 69/76 Ｃ０７Ｃ 69/76 Ａ
Claims (25)
- 【請求項１】一般式（１） 【化１】 （式中XはH、OH、置換されていてもよいC1〜C6アルキル
基、置換されていてもよいC2〜C6アルケニル基、置換さ
れていてもよいC2〜C6アルキニル基、置換されていても
よいC1〜C6アルコキシ基、置換されていてもよいC1〜C6
アルキルチオ基、NR4R5、NR4COR6、ハロゲン、NO2、C
N、COR6、CO2R6、CONR4R5、SO3R6、SO2NR4R5、SOR6、SO
2R6、OCOR6、OCO2R6、OCONR4R5、OSO2R6、置換されてい
てもよいフェニル基、置換されていてもよいフェノキシ
基、置換されていてもよいヘテロアリール基または置換
されていてもよいヘテロアリールオキシ基を示し、Xは
同一であっても異なっていてもよく、またさらに隣り合
う置換基によって４〜７員環を形成してもよく、YはCO2
R6、CN、NO2、SO3R6、SO2NR4R5、SOR6またはSO2R6を示
し、R4、R5およびR6は各々独立してH、置換されていて
もよいC1〜C6アルキル基または置換されていてもよいフ
ェニル基を示し、R4およびR5で４〜７の環を形成しても
よく、nは１〜５を示す。）と一般式（２） 【化２】 （式中R1、R2およびR3はOH以外はXと同じものを示
す。）を縮合剤の存在下反応させて、一般式（４） 【化３】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは上記を示す。）で示
されるジケトン化合物を合成した後、次いで環化反応を
行い一般式（５） 【化４】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは上記を示す。）で表
されるシクロヘキセノン誘導体とし、次いで還元反応を
行い、一般式（６） 【化５】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは上記を示す。）で表
されるシクロヘキセノール誘導体を合成し、さらに塩基
の存在下または非存在下に脱離基を導入して一般式
（７） 【化６】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは上記を示し、Wはハロ
ゲン、OCOR7、OCO2R7、OCONR4R5または、OSO2R7を示
し、R7は置換されていてもよいアルキル基または置換さ
れていてもよいフェニル基を示し、R4およびR5は上記を
示す。）で表されるシクロヘキセン誘導体へ変換した
後、塩基存在下脱離反応を行い、一般式（８） 【化７】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは上記を示す。）で表
されるシクロヘキサジエン誘導体とし、さらに脱水素反
応を行うことを特徴とする一般式（９） 【化８】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは上記を示す。）で表
されるビフェニル誘導体の製造法。 - 【請求項２】一般式（１） 【化９】 （式中X、Yおよびnは請求項１に記載のものと同じ。）
と一般式（３） 【化１０】 （式中R1、R2およびR3は請求項１に記載のものと同じで
あり、Zは脱離基を示す。）を縮合剤の存在下反応させ
て、一般式（４） 【化１１】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で示されるジケトン化合物を合成した後、
次いで環化反応を行い一般式（５） 【化１２】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキセノン誘導体とし、
次いで還元反応を行い、一般式（６） 【化１３】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキセノール誘導体を合
成し、さらに塩基の存在下または非存在下に脱離基を導
入して一般式（７） 【化１４】 （式中X、Y、W、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載の
ものと同じ。）で表されるシクロヘキセン誘導体へ変換
した後、塩基存在下脱離反応を行い、一般式（８） 【化１５】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキサジエン誘導体と
し、さらに脱水素反応を行うことを特徴とする一般式
（９） 【化１６】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるビフェニル誘導体の製造法。 - 【請求項３】一般式（１） 【化１７】 （式中X、Yおよびnは請求項１に記載のものと同じ。）
と一般式（２） 【化１８】 （式中R1、R2およびR3は請求項１に記載のものと同
じ。）を縮合剤の存在下反応させて、一般式（４） 【化１９】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で示されるジケトン化合物を合成した後、
次いで環化反応を行うことを特徴とする一般式（５） 【化２０】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。ただし、XがH、アルキル基またはアルコキシ
基、YがCO2RまたはCN、RがH、アルキル基、nが１で、か
つR1、R2およびR3がHの場合を除く。）で表されるシク
ロヘキセノン誘導体の製造法。 - 【請求項４】一般式（１） 【化２１】 （式中X、Yおよびnは請求項１に記載のものと同じ。）
と一般式（３） 【化２２】 （式中R1、R2、R3は請求項１に記載のものと同じであ
り、zは脱離基を示す。）を縮合剤の存在下反応させ
て、一般式（４） 【化２３】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で示されるジケトン化合物を合成した後、
次いで環化反応を行うことを特徴とする一般式（５） 【化２４】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキセノン誘導体の製造
法。 - 【請求項５】一般式（５） 【化２５】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキセノン誘導体を、次
いで還元反応を行い、一般式（６） 【化２６】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキセノール誘導体を合
成し、塩基の存在下または非存在下に脱離基を導入して
一般式（７） 【化２７】 （式中X、Y、W、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載の
ものと同じ。）で表されるシクロヘキセン誘導体へ変換
した後、塩基存在下脱離反応を行い、一般式（８） 【化２８】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキサジエン誘導体と
し、さらに脱水素反応を行うことを特徴とする一般式
（９） 【化２９】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるビフェニル誘導体の製造法。 - 【請求項６】一般式（６） 【化３０】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキセノール誘導体を合
成し、脱離基を導入して一般式（７） 【化３１】 （式中X、Y、W、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載の
ものと同じ。）で表されるシクロヘキセン誘導体へ変換
した後、塩基存在下脱離反応を行い一般式（８） 【化３２】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキサジエン誘導体に脱
水素反応を行うことを特徴とする一般式（９） 【化３３】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるビフェニル誘導体の製造法。 - 【請求項７】一般式（８） 【化３４】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキサジエン誘導体に脱
水素反応を行うことを特徴とする一般式（９） 【化３５】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるビフェニル誘導体の製造法。 - 【請求項８】一般式（７） 【化３６】 （式中X、Y、W、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載の
ものと同じ。）で表されるシクロヘキセン誘導体に塩基
存在下脱離反応を行うことを特徴とする、一般式（８） 【化３７】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキサジエン誘導体の製
造法。 - 【請求項９】一般式（６） 【化３８】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキセノール誘導体を合
成し、脱離基を導入することを特徴とする一般式（７） 【化３９】 （式中X、Y、W、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載の
ものと同じ。）で表されるシクロヘキセン誘導体の製造
法。 - 【請求項１０】請求項８の方法により一般式（８） 【化４０】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキサジエン誘導体を合
成し、次いで請求項７の方法により一般式（９） 【化４１】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるビフェニル誘導体の製造法。 - 【請求項１１】請求項９の方法により一般式（７） 【化４２】 （式中X、Y、W、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載の
ものと同じ。）で表されるシクロヘキセン誘導体を合成
し、次いで請求項８の方法により一般式（８） 【化４３】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキサジエン誘導体の製
造法。 - 【請求項１２】Xがニトロ基であり、YがCO2Me、CO2Etま
たはCNであり、R1、R2およびR3がHである請求項１〜６
のいずれか１項に記載の製造法。 - 【請求項１３】XがH、置換されていてもよいアルキル
基、置換されていてもよいアルコキシ基またはニトロ基
であり、YがCNであり、R1、R2およびR3がHである請求項
７〜１１のいずれか１項に記載の製造法。 - 【請求項１４】XがH、置換されていてもよいアルキル
基、置換されていてもよいアルコキシ基またはニトロ基
であり、YがCO2R8（R8はH、置換されていてもよいアル
キル基または置換されていてもよいフェニル基を示
す。）であり、R1、R2およびR3がHである請求項７〜１
１のいずれか１項に記載の製造法。 - 【請求項１５】XがHまたはメチル基であり、YがCNであ
り、R1、R2およびR3がHである請求項７〜１１のいずれ
か１項に記載の製造法。 - 【請求項１６】XがHまたはメチル基であり、YがCO2Etま
たはCO2Meであり、R1、R 2およびR3がHである請求項７〜
８、１０〜１１のいずれか１項に記載の製造法。 - 【請求項１７】一般式（４） 【化４４】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。ただしXがH、アルキル基またはアルコキシ
基、YがCO2RまたはCN、RがHまたはアルキル基、nが１
で、かつR1、R2、R3がHの場合を除く。）で表されるジ
ケトン化合物。 - 【請求項１８】一般式（５） 【化４５】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。ただしXがH、アルキル基またはアルコキシ
基、YがCO2RまたはCN、RがHまたはアルキル基、nが１
で、かつR1、R2、R3がHの場合を除く。）で表されるシ
クロへキセノン化合物。 - 【請求項１９】一般式（６） 【化４６】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。ただしXがアルキル基またはアルコキシ基、Y
がCO2RまたはCN、RがHまたはアルキル基、nが１で、か
つR1、R2、R3がHの場合を除く。）で表されるシクロヘ
キセノール化合物。 - 【請求項２０】一般式（７） 【化４７】 （式中X、Y、W、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載の
ものと同じ。）で表されるシクロヘキセン化合物。 - 【請求項２１】一般式（８） 【化４８】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。）で表されるシクロヘキサジエン化合物。 - 【請求項２２】一般式（９） 【化４９】 （式中X、Y、R1、R2、R3およびnは請求項１に記載のも
のと同じ。ただしXがアルキル基またはアルコキシ基、Y
がCO2RまたはCN、RがHまたはアルキル基、nが１で、か
つR1、R2、R3がHの場合を除く。）で表されるビフェニ
ル誘導体。 - 【請求項２３】Xがニトロ基であり、YがCO2Me、CO2Etま
たはCNであり、R1、R2およびR3がHである請求項１７〜
１９のいずれか１項に記載の化合物。 - 【請求項２４】XがH、メチル基またはニトロ基であり、
YがCO2Me、CO2EtまたはCNであり、R1、R2およびR3がHで
ある請求項２０〜２１のいずれか１項に記載の化合物。 - 【請求項２５】Xがメチル基であり、YがCO2Etであり、R
1、R2およびR3がHである請求項２０〜２１のいずれか１
項に記載の化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000240642A JP2001131121A (ja) | 1999-08-20 | 2000-08-09 | ビフェニル誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23455599 | 1999-08-20 | ||
| JP11-234555 | 1999-08-20 | ||
| JP2000240642A JP2001131121A (ja) | 1999-08-20 | 2000-08-09 | ビフェニル誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001131121A true JP2001131121A (ja) | 2001-05-15 |
Family
ID=26531631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000240642A Pending JP2001131121A (ja) | 1999-08-20 | 2000-08-09 | ビフェニル誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001131121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018197218A (ja) * | 2017-05-25 | 2018-12-13 | エヌ・イーケムキャット株式会社 | 不均一系パラジウム触媒を用いたシクロアルカジエンまたはシクロアルケン構造を有する化合物の脱水素反応による芳香族化合物の製造方法 |
| JP2021134141A (ja) * | 2020-02-21 | 2021-09-13 | エヌ・イーケムキャット株式会社 | 不均一系貴金属触媒を用いた芳香族化合物の製造方法 |
-
2000
- 2000-08-09 JP JP2000240642A patent/JP2001131121A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018197218A (ja) * | 2017-05-25 | 2018-12-13 | エヌ・イーケムキャット株式会社 | 不均一系パラジウム触媒を用いたシクロアルカジエンまたはシクロアルケン構造を有する化合物の脱水素反応による芳香族化合物の製造方法 |
| JP2021134141A (ja) * | 2020-02-21 | 2021-09-13 | エヌ・イーケムキャット株式会社 | 不均一系貴金属触媒を用いた芳香族化合物の製造方法 |
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