JP2001129494A - Apparatus for supplying treating liquid - Google Patents

Apparatus for supplying treating liquid

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JP2001129494A
JP2001129494A JP31701199A JP31701199A JP2001129494A JP 2001129494 A JP2001129494 A JP 2001129494A JP 31701199 A JP31701199 A JP 31701199A JP 31701199 A JP31701199 A JP 31701199A JP 2001129494 A JP2001129494 A JP 2001129494A
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JP
Japan
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pipe
processing liquid
substrate
supply
processing
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JP31701199A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomoaki Aihara
友明 相原
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the occurrence of abnormality in parts such as valves interposed in a pipeline route by the inflow of a second treating liquid into the pipeline route for supplying a first treating liquid to a substrate in the apparatus for supplying treating liquid which supplies the first treating liquid having relatively low temperature and low reactivity and the second treating liquid having relatively high temperature or high reactivity to the substrate. SOLUTION: In this apparatus for supplying treating liquid, a branch part B1 between a first pipeline L1 which is connected in a flow passage with a pure water (first treating liquid) supply source and a second pipeline L2 which is connected in a flow passage with a treating vessel 30 is disposed on the side of a first supply source 10 from a confluent part B2a between a third pipeline L3 which is connected in a flow passage with an ozonic water (second treating liquid) supply source 24 and the second pipeline L2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示器用基板等のFPD(Flat PanelDis
play)用基板およびフォトマスク用基板などの各種
の基板に、複数の処理液を供給する処理液供給装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display (FPD) such as a semiconductor substrate or a substrate for a liquid crystal display.
The present invention relates to a processing liquid supply device that supplies a plurality of processing liquids to various substrates such as a substrate for play and a substrate for a photomask.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の処理液供給装置の一つとして、図
4に示すように純水、温水およびオゾン水(O水)な
どの処理液TLを貯留するための処理槽70にその下方
から処理液を供給するとともに、その上方から純水をシ
ャワー状に供給するものが知られている。この処理液供
給装置は、半導体製造工場内に設備として設けられた純
水供給源50と処理槽70内に設けられた図示しない処
理液供給パイプとを流路接続する配管51とを備える。
この配管51からは配管60が分岐しており、この配管
60はシャワーノズル62と流路接続されている。配管
50の途中には、オゾン水供給源53と流路接続された
配管54と温水供給源56と流路接続された配管57と
が流路接続されている。また、各配管51,54,5
7,60の途中にはそれぞれの流路を開閉するためのバ
ルブ52,55,58,59,61がそれぞれ介設され
ている。排液機構80は処理槽70内の処理液TLを処
理槽70外へ排液する。
As one of a conventional process liquid supply apparatus, the lower the processing tank 70 for storing pure water, a processing liquid TL such hot and ozone water (O 3 water) as shown in FIG. 4 Is known that supplies a processing liquid from above and supplies pure water in a shower form from above. The processing liquid supply device includes a pipe 51 that connects a pure water supply source 50 provided as equipment in a semiconductor manufacturing plant and a processing liquid supply pipe (not shown) provided in a processing tank 70.
A pipe 60 branches off from the pipe 51, and the pipe 60 is connected to a shower nozzle 62 in a flow path. In the middle of the pipe 50, a pipe 54 connected to the ozone water supply source 53 and a pipe 57 connected to the hot water supply source 56 are connected. In addition, each pipe 51, 54, 5
Valves 52, 55, 58, 59, and 61 for opening and closing the respective flow paths are provided in the middle of 7, 60, respectively. The drainage mechanism 80 drains the processing liquid TL in the processing tank 70 out of the processing tank 70.

【0003】また、上述の処理液供給装置によると、各
バルブ52,55,58,59,61の開閉状態を制御
することによって、処理槽70内の処理液供給パイプか
ら純水、オゾン水および温水を適宜に供給して、処理槽
70内に搬入された基板Wを処理液(純水、オゾン水ま
たは温水)中に浸漬させる。また、シャワーノズル60
から処理槽70内に純水が適宜に供給される。
Further, according to the processing liquid supply apparatus described above, by controlling the open / close state of each of the valves 52, 55, 58, 59, 61, pure water, ozone water and ozone water are supplied from the processing liquid supply pipe in the processing tank 70. Hot water is supplied appropriately, and the substrate W carried into the processing tank 70 is immersed in a processing liquid (pure water, ozone water, or hot water). Also, the shower nozzle 60
Then, pure water is appropriately supplied into the processing tank 70.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
処理液供給装置によると、シャワーノズル62から純水
を供給するときに、配管51内に残留するオゾン水また
は温水が配管60に向けて流れる純水中に混入する。こ
の混入した温水の熱によってバルブ61内のオリフィス
径が広がり、シャワーノズル60から供給される純水の
流量が増して処理槽70外に温水やオゾン水を含む純水
が飛び散り、処理槽70を含む基板処理装置の故障の原
因となるという問題が発生する。また、純水に混入した
オゾン水の酸化力によりバルブ61が徐々に破損して、
バルブ61からオゾン水や温水を含む純水が漏れ出し基
板処理装置の故障の原因となるという問題が発生する。
However, according to the processing liquid supply apparatus described above, when pure water is supplied from the shower nozzle 62, ozone water or hot water remaining in the pipe 51 flows toward the pipe 60. Mix in water. Due to the heat of the mixed hot water, the diameter of the orifice in the valve 61 increases, the flow rate of the pure water supplied from the shower nozzle 60 increases, and pure water containing hot water or ozone water scatters outside the processing tank 70, causing the processing tank 70 to flow. This causes a problem of causing a failure of the substrate processing apparatus including the above. Also, the valve 61 is gradually damaged by the oxidizing power of the ozone water mixed into the pure water,
There is a problem that pure water including ozone water and hot water leaks out from the valve 61 and causes a failure of the substrate processing apparatus.

【0005】バルブ61を熱対策や酸対策が施させれた
バルブ55,58,59と同様のものとすれば上記の問
題を解決できるが、熱対策や酸対策が施されたバルブは
高価なため処理液供給装置の装置コストが高くなるとい
う別の問題が発生する。本発明の目的は、上述のような
部に鑑み、装置コストを高くすることなく、常温の純水
などの比較低温かつ反応性の低い第1処理液と、温水や
オゾン水などの比較的高温である第2処理液または反応
性の高い第2処理液とを基板処理装置内に配置された基
板に供給する処理液供給装置において、第1処理液を基
板に供給するための配管経路に、第2処理液が流れ込む
ことにより、前記配管経路に介設されたバルブなどの部
品に異常が発生することを防止することにある。
The above problem can be solved by making the valve 61 the same as the valves 55, 58, and 59 provided with measures against heat and acid. However, valves provided with measures against heat and acid are expensive. This causes another problem that the cost of the processing liquid supply device increases. An object of the present invention is to provide a first processing solution having relatively low reactivity and relatively low temperature, such as pure water at normal temperature, and a relatively high temperature, such as hot water or ozone water, without increasing the apparatus cost in view of the above-described parts. In a processing liquid supply device for supplying a second processing liquid or a highly reactive second processing liquid to a substrate disposed in the substrate processing apparatus, a pipe path for supplying the first processing liquid to the substrate is An object of the present invention is to prevent the occurrence of an abnormality in a component such as a valve interposed in the piping path due to the flow of the second processing liquid.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに請求項1に係る発明は、比較的低温かつ反応性の低
い第1処理液を基板処理装置内に配置された基板に供給
するための第1供給手段と、比較的高温である第2処理
液または反応性の高い第2処理液と前記第1処理液とを
前記基板に順次供給するための第2供給手段とを備えた
処理液供給装置において、第1処理液の供給源である第
1供給源と第1供給手段とを流路接続する第1配管と、
第1供給源と第2供給手段とを流路接続する第2配管
と、第2処理液の供給源である第2供給源と第2配管と
を流路接続する第3配管とを備え、第2配管と第3配管
との合流部が前記基板処理装置内に設けられるととも
に、第1配管の流路と第2配管及び第3配管の流路と
が、前記基板処理装置内において分離していることを特
徴とする。この発明によると、第1配管の流路と第2配
管及び第3配管の流路とが、基板処理装置内において分
離していることにより、第1配管に第2処理液が混入し
た第1処理液が流れ込まない。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an apparatus for supplying a first processing liquid having a relatively low temperature and low reactivity to a substrate disposed in a substrate processing apparatus. And a second supply means for sequentially supplying the second treatment liquid having a relatively high temperature or the second treatment liquid having a high reactivity and the first treatment liquid to the substrate. A liquid supply device, a first pipe connecting a first supply source, which is a supply source of the first processing liquid, and a first supply unit, and a first pipe;
A second pipe for connecting the first supply source and the second supply means in a flow path, and a third pipe for connecting the second supply source, which is a supply source of the second processing liquid, and the second pipe in a flow path, A junction of the second pipe and the third pipe is provided in the substrate processing apparatus, and the flow path of the first pipe and the flow paths of the second pipe and the third pipe are separated in the substrate processing apparatus. It is characterized by having. According to the present invention, since the flow path of the first pipe and the flow paths of the second pipe and the third pipe are separated in the substrate processing apparatus, the first pipe in which the second processing liquid is mixed into the first pipe. Processing liquid does not flow.

【0007】請求項2に係る発明は、比較的低温かつ反
応性の低い第1処理液を基板に供給する第1供給手段
と、比較的高温である第2処理液または反応性の高い第
2処理液と前記第1処理液とを前記基板に順次供給する
第2供給手段とを備えた処理液供給装置において、第1
処理液の供給源である第1供給源と第1供給手段とを流
路接続する第1配管と、第1供給源と第2供給手段とを
流路接続する第2配管と、第2処理液の供給源である第
2供給源と第2配管とを流路接続する第3配管とを備
え、第1配管と第2配管とは所定の分岐部で分岐してお
り、この分岐部は第2
According to a second aspect of the present invention, there is provided a first supply means for supplying a relatively low-temperature and low-reactivity first processing liquid to a substrate, and a relatively high-temperature second processing liquid or a highly reactive second processing liquid. A processing liquid supply device comprising: a second supply unit configured to sequentially supply the processing liquid and the first processing liquid to the substrate;
A first pipe for connecting the first supply source and the first supply means, which are supply sources of the processing liquid, in a flow path, a second pipe for connecting the first supply source and the second supply means in a flow path, A third pipe for connecting a second supply source, which is a liquid supply source, and a second pipe is provided, and the first pipe and the second pipe are branched at a predetermined branch portion. Second

【0008】配管と第3配管との合流部よりも第1供給
源側にあることを特徴とする。この発明によると、第2
配管と第3配管との合流部から第1配管と第2配管との
分岐部に向けて第2処理液が流れることが抑制され、第
1配管に第2処理液が混入した第1処理液が流れ込まな
い。
[0008] It is characterized in that it is located closer to the first supply source than the junction of the pipe and the third pipe. According to the present invention, the second
The first processing liquid in which the second processing liquid is prevented from flowing from the junction of the pipe and the third pipe toward the branch between the first pipe and the second pipe, and the second processing liquid is mixed into the first pipe Does not flow.

【0009】請求項3に係る発明は、請求項1または請
求項2に記載の処理液供給装置において、第1供給手段
は、処理槽内に向けて第2処理液を吐出する手段であ
り、第2供給手段は、第1処理液中または第2処理液中
に基板を浸漬させるための処理槽内に第1処理液と第2
処理液とを順次供給する手段であることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the processing liquid supply device according to the first or second aspect, the first supply means is means for discharging the second processing liquid into the processing tank. The second supply means includes a first processing liquid and a second processing liquid in a processing tank for immersing the substrate in the first processing liquid or the second processing liquid.
It is a means for sequentially supplying a processing liquid.

【0010】請求項4に係る発明は、請求項1から請求
項3のいずれかに記載の処理液供給装置において、第1
供給手段が基板に第1処理液を供給するときに比較的大
きな流量の第1処理液が第1配管内を流れるとともに、
第1処理液を供給すべき基板が存在しないときに比較的
小さな流量の第1処理液が第1配管内を流れるように、
第1処理液の流量を調節する流量調節用バルブが第1配
管に介設されていることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the processing liquid supply apparatus according to any one of the first to third aspects, the first processing liquid
When the supply means supplies the first processing liquid to the substrate, a relatively large flow rate of the first processing liquid flows through the first pipe, and
A relatively small flow rate of the first processing liquid flows through the first pipe when there is no substrate to which the first processing liquid is to be supplied.
A flow control valve for controlling the flow rate of the first processing liquid is interposed in the first pipe.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図面を参照しながら説明する。 <第1実施形態>図1はこの発明の実施形態の一つであ
る第1実施形態を説明するための模式図である。図1に
おいて複数の基板Wは、基板処理装置90の処理槽30
内に配置された図示しない支持部材により紙面を貫く方
向に沿って互いに平行に配列されている。処理槽30の
上部外周には、処理槽30から溢れ出た純水、温水、オ
ゾン水(O水)などの処理液TLを一旦受け止める外
槽32が取り付けられている。処理槽30、外槽32に
は処理液TLを各槽外へ排液するための排液管L5,L
6がそれぞれ流路接続されている。排液管L6には流路
を開閉するバルブ40が介設され、このバルブ40を開
閉制御することにより処理槽30内の処理液TLの排液
タイミングが制御される。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. <First Embodiment> FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a first embodiment which is one of the embodiments of the present invention. In FIG. 1, a plurality of substrates W are stored in a processing tank 30 of a substrate processing apparatus 90.
Are arranged in parallel with each other along a direction penetrating the paper by a support member (not shown) arranged therein. An outer tank 32 for temporarily receiving a processing liquid TL such as pure water, hot water, ozone water (O 3 water), etc., which overflows from the processing tank 30 is attached to the upper outer periphery of the processing tank 30. Drain pipes L5 and L for draining the processing liquid TL out of the respective tanks are provided in the processing tank 30 and the outer tank 32.
6 are connected to the respective channels. A valve 40 for opening and closing the flow path is interposed in the drainage pipe L6, and the timing for draining the processing liquid TL in the processing tank 30 is controlled by controlling the opening and closing of the valve 40.

【0012】次に処理槽30に処理液を供給する処理液
供給機構(処理液供給装置)の構成を説明する。この処
理液供給機構は、処理槽30などを備えた基板処理装置
90の装置外に半導体製造工場の設備として配備された
純水供給源10と、処理槽30の上方に配置され処理槽
30内に純水をシャワー状に吐出するノズル16とを流
路接続する第1配管L1を備える。この第1配管L1に
はその流路を開閉するバルブ14とその流路を流れる純
水の流量を調節する流量調整バルブ12とが介設されて
いる。流量調整バルブ12はその内部に設けられたオリ
フィスの径を電気信号に応じて自動的に変更できるもの
である。なお、図1において上記の基板処理装置90内
と同装置90外との境界線を一点鎖線で示している。
Next, the structure of a processing liquid supply mechanism (processing liquid supply device) for supplying a processing liquid to the processing tank 30 will be described. The processing liquid supply mechanism includes a pure water supply source 10 provided as equipment of a semiconductor manufacturing plant outside a substrate processing apparatus 90 having a processing tank 30 and the like, and a processing water supply mechanism 10 disposed above the processing tank 30 and And a first pipe L1 for connecting a flow path to a nozzle 16 for discharging pure water in a shower shape. The first pipe L1 is provided with a valve 14 for opening and closing the flow path and a flow control valve 12 for adjusting the flow rate of pure water flowing through the flow path. The flow control valve 12 can automatically change the diameter of the orifice provided therein according to an electric signal. In FIG. 1, the boundary between the inside of the substrate processing apparatus 90 and the outside of the apparatus 90 is indicated by a dashed line.

【0013】また、処理液供給機構は純水供給源10と
処理槽30内に配置された処理液供給用の液中パイプ3
3とを流路接続する第2配管L2を備える。第2配管L
2にはその流路を開閉するバルブ21,22とその流路
を流れる処理液(純水、温水、オゾン水)を清浄化する
フィルタ23とが介設されている。第2配管L2の途中
にはオゾン水供給源24に流路接続された第3配管L3
と、温水供給源26に流路接続された第4配管L4とが
それぞれ流路接続されている。各配管L3,L4にはそ
の流路を開閉するバルブ25,27がそれぞれ介設され
ている。第1配管L1、第2配管L2は本発明の第1配
管、第2配管に相当し、第3配管L3または第4配管L
4は本発明の第3配管に相当する。
The processing liquid supply mechanism includes a pure water supply source 10 and a processing liquid supply pipe 3 disposed in the processing tank 30.
3 is provided with a second pipe L2 for connecting the flow path to the second pipe L3. Second pipe L
The valve 2 is provided with valves 21 and 22 for opening and closing the flow path and a filter 23 for purifying the processing liquid (pure water, hot water, ozone water) flowing through the flow path. In the middle of the second pipe L2, a third pipe L3 connected to the ozone water supply source 24 in a flow path.
And the fourth pipe L4, which is connected to the hot water supply source 26, is connected to each other. Valves 25 and 27 for opening and closing the flow paths are provided in the respective pipes L3 and L4. The first pipe L1 and the second pipe L2 correspond to the first pipe and the second pipe of the present invention, and the third pipe L3 or the fourth pipe L
Reference numeral 4 corresponds to a third pipe of the present invention.

【0014】なお、各バルブ14,21,22,25,
27,40の開閉制御等は、基板処理装置90内に設け
られた、CPU,ROM及びRAM等を含む既知のマイ
クロコンピュータなどから構成される図示しない制御部
によって実行される。
Each of the valves 14, 21, 22, 25,
The control of opening and closing of the substrates 27 and 40 is performed by a control unit (not shown) including a known microcomputer including a CPU, a ROM, a RAM, and the like provided in the substrate processing apparatus 90.

【0015】第1配管L1および第2配管L2は純水供
給源10に流路接続されているが、同じ純水供給源に流
路接続されなくても良く、それぞれ別個の純水供給源に
流路接続されていても良い。さらに、基板処理装置90
外において第1配管L1と第2配管L2が純水供給源に
流路接続された配管から分岐している構成でも良い。ま
た、オゾン水供給源24、温水供給源26は工場設備と
して基板処理装置90外に配備されている場合と基板処
理装置90が備える機構の一つとして基板処理装置90
内に設けられる場合とがある。
Although the first pipe L1 and the second pipe L2 are connected to the pure water supply source 10 in a flow path, they need not be connected to the same pure water supply source. It may be connected in a flow path. Further, the substrate processing apparatus 90
Outside, the first pipe L1 and the second pipe L2 may be branched from a pipe connected to a pure water supply source. The ozone water supply source 24 and the hot water supply source 26 are provided outside the substrate processing apparatus 90 as factory equipment, and the substrate processing apparatus 90 is provided as one of the mechanisms provided in the substrate processing apparatus 90.
In some cases.

【0016】次に第1実施形態の動作の一例について、
図2に示すフローチャートに基づき説明する。まず、ス
テップS1で図示しない制御部からの制御信号によって
バルブ22およびバルブ27が開けられ、他のバルブ1
4,21,25,40は閉じられて、温水供給源26か
ら第4配管L4および第2配管L2、液中パイプ33を
介して処理槽30内に例えば60℃以上の温水が供給さ
れる。処理槽30内に供給された温水は次第にその水位
を増した後、処理槽30の上端から外槽32に向けて溢
れ出す。外槽32に溢れ出した温水は、排液管L5を介
して基板処理装置90外へ排液される。
Next, an example of the operation of the first embodiment will be described.
This will be described with reference to the flowchart shown in FIG. First, in step S1, the valve 22 and the valve 27 are opened by a control signal from a control unit (not shown), and the other valves 1 and 2 are opened.
4, 21, 25, and 40 are closed, and hot water of, for example, 60 ° C. or higher is supplied from the hot water supply source 26 into the processing tank 30 via the fourth pipe L4, the second pipe L2, and the submerged pipe 33. The warm water supplied into the processing tank 30 gradually increases its water level, and then overflows from the upper end of the processing tank 30 toward the outer tank 32. The warm water that has overflowed into the outer tank 32 is drained out of the substrate processing apparatus 90 via the drain pipe L5.

【0017】次にステップS2に移り、制御部からの制
御信号によってバルブ22およびバルブ25が開けら
れ、他のバルブ14,21,27,40は閉じられて、
オゾン水供給源24から第3配管L3および第2配管L
2を介して処理槽30内に酸化力を有するオゾン水が所
定量だけ供給される。
Next, in step S2, the valves 22 and 25 are opened and the other valves 14, 21, 27 and 40 are closed according to a control signal from the control unit.
From the ozone water supply source 24 to the third pipe L3 and the second pipe L
A predetermined amount of ozone water having oxidizing power is supplied into the processing tank 30 through the second tank 2.

【0018】ステップS3に移り、図示しない基板搬入
搬出機構により複数の基板Wが処理槽30内の上方に配
置された図示しない支持部材に受け渡される。複数の基
板Wを受け取った支持部材は処理槽30内に向けて下降
して、処理槽30内に複数の基板Wが搬入されて、基板
Wがオゾン水中に所定時間だけ浸漬される。このように
基板Wがオゾン水中に浸漬されることによって、基板W
の表面に付着した有機物がオゾン水の酸化力により除去
される。
In step S3, a plurality of substrates W are transferred to a support member (not shown) disposed above the processing tank 30 by a substrate carry-in / out mechanism (not shown). The support member that has received the plurality of substrates W descends into the processing bath 30, carries the plurality of substrates W into the processing bath 30, and immerses the substrate W in ozone water for a predetermined time. By immersing the substrate W in ozone water in this manner, the substrate W
Organic substances attached to the surface of the substrate are removed by the oxidizing power of ozone water.

【0019】ステップS4に移り、バルブ40が開けら
れ、他のバルブ14,21,22,25,27は閉じら
れて、処理槽30内のオゾン水が急速排液される。処理
槽30内のオゾン水がほぼ完全に排液されるとバルブ4
0が閉じられる。なお、このステップS4が後述するス
テップS6に続く処理として実行されるときは、処理槽
30内の純水が排液される。
In step S4, the valve 40 is opened, the other valves 14, 21, 22, 25 and 27 are closed, and the ozone water in the processing tank 30 is quickly drained. When the ozone water in the processing tank 30 is almost completely drained, the valve 4
0 is closed. When step S4 is performed as a process subsequent to step S6 described later, the pure water in the processing tank 30 is drained.

【0020】ステップS5に移り、バルブ14が開けら
れるとともに流量調整バルブ12内のオリフィス径が開
けられてノズル16から処理槽30内の基板Wに向けて
シャワー状に常温の純水が吐出される。このノズル16
からの純水供給と同時に、バルブ21,22が開けられ
て第2配管L2および液中パイプ33を介して処理槽3
0の下方から常温の純水が供給される。このとき、バル
ブ25,27は閉じられている。ノズル16及び液中パ
イプ33から処理槽30内に供給された純水は処理槽3
0の上端から外槽32に溢れ出した後、排液管L5を介
して排液される。
In step S5, the valve 14 is opened and the orifice diameter in the flow control valve 12 is opened, and pure water at room temperature is discharged from the nozzle 16 toward the substrate W in the processing tank 30 in a shower shape. . This nozzle 16
The valves 21 and 22 are opened at the same time as the pure water is supplied from the processing tank 3 via the second pipe L2 and the submerged pipe 33.
From below 0, pure water at normal temperature is supplied. At this time, the valves 25 and 27 are closed. Pure water supplied into the processing tank 30 from the nozzle 16 and the submerged pipe 33 is supplied to the processing tank 3.
After overflowing from the upper end of the outer tank 32 to the outer tank 32, the liquid is drained through the drain pipe L5.

【0021】ステップS6に移り、ステップS4及びス
テップS5による基板Wの水洗処理が終了したか否かが
判断される。この判断方法として例えば、予め制御部内
のROMに記憶されたステップS4及びステップS5の
繰り返し回数に達したか否かが判断される。水洗処理が
終了していないと判断された場合は、ステップS4から
ステップS6の処理が繰り返される。このステップS4
からステップS6の一連の処理は一般にクィックダンプ
リンス(QDR)処理と称される。
In step S6, it is determined whether or not the water washing of the substrate W in steps S4 and S5 has been completed. As this determination method, for example, it is determined whether or not the number of repetitions of step S4 and step S5 stored in the ROM in the control unit has been reached. If it is determined that the washing process has not been completed, the processes from step S4 to step S6 are repeated. This step S4
To S6 is generally called a quick dump rinse (QDR) process.

【0022】ステップ6で水洗処理が終了したと判断さ
れるとステップS7に移る。ステップS7では、ステッ
プS3と逆の手順で、支持部材の昇降および基板搬入搬
出機構の移動によって、処理槽30内の複数の基板Wが
搬出される。
If it is determined in step 6 that the water washing process has been completed, the process proceeds to step S7. In step S7, a plurality of substrates W in the processing tank 30 are unloaded by lifting and lowering the support member and moving the substrate loading and unloading mechanism in the reverse procedure of step S3.

【0023】ステップS8に移り、次に処理すべき基板
W(次ロット)の存在の有無が判断される。次ロットが
あるときは、ステップS1からの処理を繰り返す。次ロ
ットが無いときは、ステップS9に移り基板処理装置9
0等は次ロットが発生するまで待機状態を維持する。
In step S8, it is determined whether there is a substrate W (next lot) to be processed next. If there is a next lot, the processing from step S1 is repeated. If there is no next lot, the process proceeds to step S9 and the substrate processing apparatus 9
For 0, etc., the standby state is maintained until the next lot occurs.

【0024】流量調整バルブ12内のオリフィス径はス
テップS5でノズル16から純水を吐出するとき以外の
各ステップにおいては絞られている。すなわち、ステッ
プS5を除くステップS1からステップS9において、
ノズル16からは少量の純水が常時流下している。その
結果、第1配管L1内、第1配管L1に介設された流量
調整バルブ12内およびバルブ14内、ノズル16内に
純水が滞留することが防止される。このように純水の滞
留を防止することにより、滞留した純水内でバクテリア
が発生し、この純水がステップS5でノズル16から基
板Wに供給されて基板Wの処理に悪影響を与えることを
防止できる。
The orifice diameter in the flow control valve 12 is reduced in each step other than when pure water is discharged from the nozzle 16 in step S5. That is, in steps S1 to S9 excluding step S5,
A small amount of pure water always flows down from the nozzle 16. As a result, pure water is prevented from staying in the first pipe L1, the flow control valve 12, the valve 14, and the nozzle 16 provided in the first pipe L1. By preventing the pure water from staying in this way, bacteria are generated in the stayed pure water, and this pure water is supplied from the nozzle 16 to the substrate W in step S5 to adversely affect the processing of the substrate W. Can be prevented.

【0025】<第2実施形態>次にこの発明の他の実施
形態である第2実施形態について説明する。図3は第2
実施形態を説明するための模式図であって、図1に図示
される符号と同じ符号が付されたものは、第1実施形態
で説明されたものと同一のものであり、以下においてそ
の詳細な説明は省略する。
<Second Embodiment> Next, a second embodiment which is another embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 shows the second
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the embodiment, in which components denoted by the same reference numerals as those shown in FIG. 1 are the same as those described in the first embodiment, and will be described in detail below. Detailed description is omitted.

【0026】第2実施形態においては、第1実施形態と
異なり、第1配管L1と第2配管L2とが基板処理装置
90内の分岐部B1で分岐している。この分岐部B1
は、第2配管L2と第3配管L3とが合流している合流
部B2a、および、第2配管L2と第4配管L4とが合
流している合流部B2bよりも純水供給源10側に設定
されている。なお、分岐部B1は本発明の請求項2に記
載の分岐部に相当し、合流部B2aまたは合流部B2b
は本発明の請求項2に記載の合流部に相当する。
In the second embodiment, unlike the first embodiment, the first pipe L1 and the second pipe L2 are branched at a branch B1 in the substrate processing apparatus 90. This branch B1
Is closer to the pure water supply source 10 than the junction B2a where the second pipe L2 and the third pipe L3 join and the junction B2b where the second pipe L2 and the fourth pipe L4 join. Is set. Note that the branch portion B1 corresponds to the branch portion described in claim 2 of the present invention, and the junction B2a or the junction B2b
Corresponds to the junction according to claim 2 of the present invention.

【0027】上述のように、各合流部B2a,B2bよ
りも純水供給源10側に、第1配管L1と第2配管L2
との分岐部B1が設けられているので、オゾン水供給源
24からのオゾン水、または、温水供給源26からの温
水が、第1配管L1に流れ込むことが防止できる。ま
た、合流部B2aまたは合流部B2bと分岐部B1との
間に設けられたバルブ21を、バルブ25またはバルブ
27が開けられたときに、閉じることにより、オゾン水
または温水が第1配管L1に流れ込むことがより確実に
防止できる。
As described above, the first pipe L1 and the second pipe L2 are located closer to the pure water supply source 10 than the respective junctions B2a and B2b.
Is provided, ozone water from the ozone water supply source 24 or hot water from the hot water supply source 26 can be prevented from flowing into the first pipe L1. Further, by closing the valve 21 provided between the junction B2a or the junction B2b and the branch B1 when the valve 25 or the valve 27 is opened, ozone water or hot water flows to the first pipe L1. Inflow can be more reliably prevented.

【0028】図3に示すように分岐部B1、合流部B2
a,B2bは基板処理装置90内に設けなくてもよく、
これらの合流部B2a,B2bの両方が基板処理装置9
0外に設けられるか、どちらか一方が基板処理装置90
外に設けられても良い。
As shown in FIG. 3, the branch part B1 and the junction B2
a and B2b need not be provided in the substrate processing apparatus 90;
Both of these junctions B2a and B2b are connected to the substrate processing apparatus 9
0 or one of them is provided in the substrate processing apparatus 90.
It may be provided outside.

【0029】第2実施形態の動作は、図2のフローチャ
ートに示す第1実施形態の動作と同様であるので、その
説明は省略する。
The operation of the second embodiment is the same as the operation of the first embodiment shown in the flowchart of FIG.

【0030】<他の実施形態>上述の各実施形態におい
て本発明の第1処理液として常温の純水を例示し、第2
処理液の一つとして60℃以上の温水が例示したが、そ
れぞれの温度範囲はこれに限定されない。すなわち、本
発明の第1配管に介設されたバルブ等の部品に悪影響を
与える温度範囲の処理液か否かによって第1処理液であ
るか第2処理液であるかが定義され、悪影響を与える温
度の処理液は第2処理液であり、悪影響を与えない温度
の処理液は第1処理液である。
<Other Embodiments> In each of the above-described embodiments, room temperature pure water is used as the first treatment liquid of the present invention,
As one of the processing liquids, warm water of 60 ° C. or higher is exemplified, but the respective temperature ranges are not limited thereto. In other words, whether the processing liquid is the first processing liquid or the second processing liquid is defined by whether or not the processing liquid has a temperature range that adversely affects components such as valves provided in the first pipe of the present invention. The processing liquid at a given temperature is the second processing liquid, and the processing liquid at a temperature that does not adversely affect is the first processing liquid.

【0031】上述の各実施形態において本発明の第2処
理液として、温水およびオゾン水が例示されたがこれら
に限定されない。例えば、強アルカリ性の薬液、強酸性
の薬液、高温の薬液などが第2処理液として使用される
こともある。
In each of the above embodiments, the second processing liquid of the present invention is exemplified by hot water and ozone water, but is not limited thereto. For example, a strongly alkaline chemical solution, a strongly acidic chemical solution, a high-temperature chemical solution, or the like may be used as the second processing liquid.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上詳細に説明した如く、請求項1に係
る発明によれば、第1配管の流路と第2配管及び第3配
管の流路とが、基板処理装置内において分離しているこ
とにより、第2処理液が混入した第1処理液が第1配管
に流れ込むことを防止できる。その結果、第1配管に介
設されたバルブなどの部品に第2処理液に起因する異常
が発生することを防止できる。
As described above in detail, according to the first aspect of the present invention, the flow path of the first pipe and the flow paths of the second pipe and the third pipe are separated in the substrate processing apparatus. This prevents the first processing liquid mixed with the second processing liquid from flowing into the first pipe. As a result, it is possible to prevent an abnormality caused by the second processing liquid from occurring in a component such as a valve provided in the first pipe.

【0033】請求項2に係る発明によれば、第2配管と
第3配管との合流部から第1配管と第2配管との分岐部
に向けて第2処理液が流れることが抑制され、第2処理
液が混入した第1処理液が第1配管に流れ込むことを防
止できる。その結果、第1配管に介設されたバルブなど
の部品に第2処理液に起因する異常が発生することを防
止できる。
According to the second aspect of the present invention, the flow of the second processing liquid from the junction of the second pipe and the third pipe toward the branch between the first pipe and the second pipe is suppressed, The first processing liquid mixed with the second processing liquid can be prevented from flowing into the first pipe. As a result, it is possible to prevent an abnormality caused by the second processing liquid from occurring in a component such as a valve provided in the first pipe.

【0034】請求項3に係る発明によれば、第1配管に
介設されたバルブなどの部品に第2処理液に起因する異
常の発生が防止されるから、第1供給手段により処理槽
内に向けて第2処理液を常に正確に吐出することができ
る。
According to the third aspect of the present invention, since the occurrence of an abnormality caused by the second processing liquid in parts such as a valve provided in the first pipe is prevented, the first supply means can be used to prevent the inside of the processing tank from being damaged. , The second processing liquid can always be discharged accurately.

【0035】請求項4に係る発明によれば、第1配管に
介設された流量調整用バルブに、第2処理液に起因する
異常が発生することが防止されるから、第1供給手段か
ら供給する第1処理液の液量を正確に調整できる。特に
第1供給手段から少量の第1処理液を供給するときに必
要以上の第1処理液が供給されることが防止できて、そ
の結果、処理槽外などの好ましくない領域に第1処理液
が飛び散り、付着することを防止できる。
According to the fourth aspect of the present invention, since an abnormality caused by the second processing liquid is prevented from occurring in the flow control valve interposed in the first pipe, the flow from the first supply means can be prevented. The amount of the first processing liquid to be supplied can be accurately adjusted. In particular, it is possible to prevent the first processing liquid from being supplied more than necessary when supplying a small amount of the first processing liquid from the first supply means, and as a result, the first processing liquid is supplied to an undesired area such as outside the processing tank. Can be prevented from scattering and adhering.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1実施形態を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】第1実施形態の動作を示すフローチャートであ
る。
FIG. 2 is a flowchart illustrating an operation of the first embodiment.

【図3】この発明の第2実施形態を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図4】従来の処理液供給装置を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a conventional processing liquid supply device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

L1 第1配管 L2 第2配管 L3 第3配管 L4 第4配管 10 純水供給源 16 ノズル 24 オゾン水供給源 26 温水供給源 30 処理槽 B1 分岐部 B2a,B2b 合流部 L1 First pipe L2 Second pipe L3 Third pipe L4 Fourth pipe 10 Pure water supply 16 Nozzle 24 Ozone water supply 26 Hot water supply 30 Processing tank B1 Branch B2a, B2b Merge

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3B201 AA03 AB08 AB42 BB04 BB82 BB93 BB98 CB15 3J071 AA12 BB14 BB15 CC03 DD26 FF11 4G068 AA06 AB11 AC05 AC13 AD03 AF01 5F043 DD07 DD10 EE07 EE10 EE25 EE29 EE31 GG10  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3B201 AA03 AB08 AB42 BB04 BB82 BB93 BB98 CB15 3J071 AA12 BB14 BB15 CC03 DD26 FF11 4G068 AA06 AB11 AC05 AC13 AD03 AF01 5F043 DD07 DD10 EE07 EE10 EE25 EE29 EE31

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 比較的低温かつ反応性の低い第1処理液
を基板処理装置内に配置された基板に供給するための第
1供給手段と、比較的高温である第2処理液または反応
性の高い第2処理液と前記第1処理液とを前記基板に順
次供給するための第2供給手段とを備えた処理液供給装
置において、 第1処理液の供給源である第1供給源と第1供給手段と
を流路接続する第1配管と、 第1供給源と第2供給手段とを流路接続する第2配管
と、 第2処理液の供給源である第2供給源と第2配管とを流
路接続する第3配管とを備え、 第2配管と第3配管との合流部が前記基板処理装置内に
設けられるとともに、第1配管の流路と第2配管及び第
3配管の流路とが、前記基板処理装置内において分離し
ていることを特徴とする処理液供給装置。
A first supply unit configured to supply a first processing liquid having a relatively low temperature and a low reactivity to a substrate disposed in the substrate processing apparatus; And a second supply unit for sequentially supplying the second processing liquid and the first processing liquid to the substrate, wherein the first processing liquid and the first processing liquid are supplied to the substrate. A first pipe for connecting the first supply means to the flow path, a second pipe for connecting the first supply source and the second supply means to the flow path, a second supply source which is a supply source of the second processing liquid, and a second supply source. A third pipe for connecting the two pipes with each other, a junction of the second pipe and the third pipe is provided in the substrate processing apparatus, and a flow path of the first pipe, the second pipe, and the third pipe are provided. A processing liquid supply device, wherein a flow path of a pipe is separated in the substrate processing apparatus.
【請求項2】 比較的低温かつ反応性の低い第1処理液
を基板に供給する第1供給手段と、比較的高温である第
2処理液または反応性の高い第2処理液と前記第1処理
液とを前記基板に順次供給する第2供給手段とを備えた
処理液供給装置において、 第1処理液の供給源である第1供給源と第1供給手段と
を流路接続する第1配管と、 第1供給源と第2供給手段とを流路接続する第2配管
と、 第2処理液の供給源である第2供給源と第2配管とを流
路接続する第3配管とを備え、 第1配管と第2配管とは所定の分岐部で分岐しており、
この分岐部は第2配管と第3配管との合流部よりも第1
供給源側にあることを特徴とする処理液供給装置。
2. A first supply means for supplying a relatively low-temperature and low-reactivity first processing liquid to a substrate; a relatively high-temperature second processing liquid or a highly reactive second processing liquid; A processing liquid supply device comprising: a second supply means for sequentially supplying a processing liquid to the substrate; a first liquid supply apparatus comprising: a first supply source serving as a first processing liquid supply source; A pipe, a second pipe connecting the first supply source and the second supply means in a flow path, a third pipe connecting the second supply source serving as a supply source of the second processing liquid and the second pipe in a flow path, The first pipe and the second pipe are branched at a predetermined branch portion,
This branch portion is more first than the junction of the second pipe and the third pipe.
A processing liquid supply device, which is provided on a supply source side.
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の処理液
供給装置において、 第1供給手段は、処理槽内に向けて第2処理液を吐出す
る手段であり、 第2供給手段は、第1処理液中または第2処理液中に基
板を浸漬させるための処理槽内に第1処理液と第2処理
液とを順次供給する手段であることを特徴とする処理液
供給装置。
3. The processing liquid supply device according to claim 1, wherein the first supply means is means for discharging a second processing liquid into a processing tank, and the second supply means is A processing liquid supply device, comprising: means for sequentially supplying a first processing liquid and a second processing liquid into a processing tank for immersing a substrate in the first processing liquid or the second processing liquid.
【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
の処理液供給装置において、第1供給手段が基板に第1
処理液を供給するときに比較的大きな流量の第1処理液
が第1配管内を流れるとともに、第1処理液を供給すべ
き基板が存在しないときに比較的小さな流量の第1処理
液が第1配管内を流れるように、第1処理液の流量を調
節する流量調節用バルブが第1配管に介設されているこ
とを特徴とする処理液供給装置。
4. The processing liquid supply device according to claim 1, wherein the first supply means is provided on the substrate.
A relatively large flow rate of the first processing liquid flows through the first pipe when the processing liquid is supplied, and a relatively small flow rate of the first processing liquid flows when the substrate to which the first processing liquid is to be supplied does not exist. A processing liquid supply device, wherein a flow control valve for adjusting a flow rate of a first processing liquid is provided in the first pipe so as to flow through one pipe.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005286105A (en) * 2004-03-30 2005-10-13 Hitachi Sci Syst Ltd Fine structure drying method and apparatus thereof

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