JP2001116945A

JP2001116945A - 光導波路の形成方法及び光導波路構造体

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Publication number: JP2001116945A
Application number: JP29929199A
Authority: JP
Inventors: Masatake Akaike; 正剛赤池
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-10-21
Filing date: 1999-10-21
Publication date: 2001-04-27

Abstract

(57)【要約】【課題】平面内での光導波路として有用であると共に、
ほぼ垂直方向への光の偏向も柔軟な設計で容易に実現で
きる構成を持つ光導波路構造体及びこうした光導波路の
形成法である。【解決手段】全面にクラッド層１５が成膜された溝部を
持つ第１基板１を形成し、溝部を除いて第1基板１に接
合部を形成し、クラッド層１５、１６よりも屈折率の高
いコア材料１７を溝部内に充填し、第１基板１と所定の
関係で相対向した時に溝部と相対向する個所にクラッド
層１６を持ち、クラッド層１６を除いた領域に接合部を
持つ第2の基板２を形成し、第１基板１及び第２基板２
を、所定の関係で互いに相対向し、両基板１、２の両側
から圧力を印加して接合する。この様な工程により、ク
ラッド層１４、１５、１６で囲まれたトンネル状の光導
波路が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導波路中を進行し
ている光の一部を偏向によって取り出し、情報を検知さ
せる等の機能を果たすための光導波路に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の三次元導波路の製造方法では、特
開平８−１４６２４０号公報等に記載されているよう
に、基板上に成膜した高分子材料より成るスラブ型光導
波路層をレーザビームによって溝加工している。この溝
加工により基板上に方形導波路を得ている。あるいは、
レーザ光を光源としたフォトリソ工程を用いて、該スラ
ブ型光導波路層をエッチングすることによって方形導波
路を得ている。

【０００３】更に、特開平８−１４６２４１号公報に見
る様に、同一形状、同一寸法の複数の光導波路パターン
が形成されたガラス基板上に保護用ガラス膜を積層させ
て、光導波路積層板を作成し、この積層板を切り取って
同様な複数の光導波路デバイス積層板として光導波路デ
バイスを得ている。

【０００４】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例では光導波路を平面内で作製するか、あるいは
平面内で作製した光導波路を分離して複数の光導波路デ
バイスとしているため、次のような欠点があった。

【０００５】１．平面内での光導波路として有用である
が、しかし該平面に対して垂直方向へ光を偏向する事は
困難である。２．更に、垂直方向への光と水平方向への光の各強度比
率を適当に設定して偏向する事は困難である。

【０００６】本発明の目的は、上記の課題に鑑み、平面
内での光導波路として有用であると共に、ほぼ垂直方向
への光の偏向も柔軟な設計で容易に実現できる構成を持
つ光導波路構造体及びこうした光導波路の形成法を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の光導波路を形成する方法は、全面にクラッド層が成
膜された溝部を持つ第１基板を形成する第1工程、該溝
部を除いて第1基板に接合部を形成する第２工程、クラ
ッド層よりも屈折率の高いコア材料を該溝部内に充填す
る第３工程、第１基板と所定の関係で相対向した時に該
溝部と相対向する個所にクラッド層を持ち、該クラッド
層を除いた領域に接合部を持つ第2の基板を形成する第
４工程、第１基板及び第２基板を、所定の関係で互いに
相対向し、両基板の両側から圧力を印加して接合する第
５工程を有することを特徴とする。この様な工程によ
り、クラッド層で囲まれたトンネル状の光導波路が形成
されるので、この途中で、適当に作製された偏向部を溝
内の適当個所に容易に設置することができる。

【０００８】この基本構成に基づいて、以下の如き、よ
り具体的な形態が可能である。第1基板としてＳＯＩ基
板を用い得る。ＳＯＩ基板を用いれば、全面にクラッド
層が成膜された溝部を持つ第１基板を容易に形成でき
る。

【０００９】第1基板としてＳＯＩ基板を用いる第1工程
においては、第１基板の光導波路となるべき個所のＳｉ
を取り除く事により、溝部を形成し、該溝部の両壁にＳ
ｉ酸化膜を成膜することで全面にクラッド層が成膜され
た溝部を形成できる。

【００１０】Ｓｉ酸化膜を有する基板を第２基板に用い
ることもできる。Ｓｉ酸化膜を有する基板を第２基板に
用いる第４工程においては、第１基板と第２基板を互い
に相対向した時に該溝部と相対向する個所以外の領域の
第２基板のＳｉ酸化膜を除去し、この除去した領域に、
基板接合用の接着層及び接合部を形成するすることがで
きる。

【００１１】コア層としてはＳｉ酸化膜よりも屈折率の
高いポリスチレンを用い得る。コア層の材料としては、
ＳｒＴｉＯ_３、ＭｇＦ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＦ_２の何れ
かを用いることもできる。

【００１２】光導波路の途中に、導波光の一部を偏向さ
せるための偏向面を有する偏向部を設ける第6工程を更
に有することもできる。この場合、第6工程において、
Ｓｉ基板上に異方性エッチングによって穴を形成し、該
穴にＡｕを成膜して偏向部を形成し、第１基板の該溝部
に、光導波路中を進行している光の一部を該基板面に対
してほぼ垂直方向に反射して偏向する或いはその逆方向
に光を偏向する様に、該Ａｕから成る偏向部を位置整合
しながら接合により転写する様態を採りうる。

【００１３】偏向部を設置する場合、該偏向部の偏向面
で偏向した光が第２基板に入射する位置或いはその逆方
向に光を導入する位置にあたる所の第２基板のＳｉを選
択的に取り除き、Ｓｉ酸化膜のみにする第7工程を更に
有し得る。或いは、偏向部の偏向面で偏向した光が第２
基板に入射する位置或いはその逆方向に光を導入する位
置にあたる所の第２基板のＳｉとＳｉ酸化膜を選択的に
取り除く第7工程を更に有することもできる。

【００１４】前記第7工程において、該選択的に取り除
いた所にコア層の材料を充填しても良いし、充填しなく
てもよい。

【００１５】コア材料を該溝部内に充填する第３工程
は、第１基板及び第２基板を接合する第5工程の前に行
われてもよいし、後に行われてもよい。

【００１６】更に、上記目的を達成する本発明の光導波
路構造体は、全面にクラッド層が成膜された溝部を持つ
第１基板と、該第１基板と所定の関係で相対向した時に
該溝部と相対向する個所にクラッド層を持つ第２基板と
が接合部によって接合されて構成された光導波路構造体
であって、クラッド層に囲まれた溝部内に、クラッド層
よりも屈折率の高いコア材料が充填されていることを特
徴とする。この基本構成に基づいて、上記した様な具体
的な形態を採りうる。

【００１７】本発明の典型例をここで説明する。一方の
基板に凹状の溝部を形成し、該溝部の少なくとも１つの
個所に、異方性エッチングによって形成した四角錘状の
エッチピットを有するＳｉ基板にＡｕ成膜することによ
って出来た該エッチピット内の四角錘状構造のＡｕを転
写することによって四角錘状偏向部を設ける。この際、
該溝部の壁部にクラッド層としてのＳｉ酸化膜を成膜し
ておき、この四角錘状偏向部を設けた後に該Ｓｉ酸化膜
上にコア層としてのポリスチレンを充填する。そして、
他方の基板にクラット層としてのＳｉ酸化膜を適当個所
に成膜し、この後、両基板を相対向した状態で接合す
る。該接合によって形成した該溝部を光導波路とし、該
光導路の途中に設けた該四角錘状偏向部で光導波路から
の光の一部を、該基板に対して垂直方向に偏向可能とす
るために、上記工程において、該四角錘状偏向部に相対
向する他方の基板の２個所を上記接合する前に予め穴開
けしておく。こうして、該穴開け個所に該偏向した光を
入射させる。すなわち、該光導波路を進行して来た光の
一部は該四角錘状偏向部で偏向し、四角錘状偏向部のほ
ぼ直上に設けた穴開け部に入射する。

【００１８】従って、光導波路外の直上の該穴開け部に
該偏向光を受光するための受光部を設けることが可能と
なり、該受光部で光導波路を進行して来た光の情報を受
け取る事が可能となる。更に、該光導波路の反対方向か
ら進行して来た光の一部は該四角錘状偏向部の他面で偏
向され、該四角錘状偏向部のほぼ直上に設けた他方の穴
開け部に入射する。従って、他方の該穴開け部の受光部
で反対方向から進行して来た光を受光する事が可能とな
り、光導波路の反対方向から進行して来た光の情報を受
け取ることが可能になる。

【００１９】尚、上記において、該四角錘状偏向部の直
上に受光部を設ける代わりに発光部を設ける事により、
信号発信部として用いる事も可能である。すなわち、光
導波路中に設けた該四角錘状偏向部によって、光の双方
向通信、及び光の入出力を可能にする。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照しながら説明する。

【００２１】（第１の実施例）図１乃至図９は本発明の
第１実施例を示す図である。これらの図に於いて、１は
光導波路の溝を形成する為の基板、２は基板１に接合す
る事によって該溝をトンネル状の光導波路として形成す
る為の基板、３は異方性エッチングするためのＳｉ基
板、４は基板１に形成した溝部、５は該溝部４上に成膜
したメタルから成る接合層、６は基板２に接合する為に
基板１の溝部４以外に成膜したメタルから成る接合層、
７は基板３に形成した異方性エッチング部、８は異方性
エッチング部７にメッキによって成膜し、これを溝４の
一部に接合する事により光導波路内の光の一部を偏向す
るするための偏向部、１０及び１１は偏向部８のほぼ直
上の基板２に形成され、偏向部８によって偏向した光導
波路内の光を受光する為の受光部（図示無し）の設けら
れる面、１２は基板１に接合するために基板２上に成膜
したメタルから成る接合層、１３は接合層１２上に形成
した凸状のメタルから成る接合部、１４は基板１上に設
けた溝４の両壁を構成し、同時に光導波路のクラッドと
しての役目を果たすＳｉ酸化膜から成るクラッド層、１
５は溝４の底に成膜したＳｉ酸化膜から成るクラッド
層、１６は基板１と基板２の接合によりトンネル状部分
を光導波路として形成する為に基板２上に成膜したＳｉ
酸化膜から成るクラッド層、１７はクラッド層１４、１
５、１６に囲まれたトンネル状部分の中に充填され、光
導波路としての機能を有するコア層、１８は光導波路の
コア層１７内を進行している光の一部を受光する為にポ
リスチレンを充填した受光部（図示無し）の光導波部、
１９、２０は偏向部８の四角錐の面であって上記の光を
反射によって偏向する為の光偏向面、２１、２２はコア
層１７内を進行する光の光路、２３、２４は偏向部８で
該光を偏向した時の光偏向路である。

【００２２】上記構成において、光導波路のコア層１７
内を進行する光の一部は光偏向面１９での光学的反射に
よって直上の受光部の面１０に入射し、該受光部に設け
た感光素子（図示なし）で光情報が検知される。該光の
他の一部は光導波路内に設けた光偏向面１９以外のコア
層１７を通り抜け、該コア層１７を進行し続ける。この
様に、光導波路内を進行する光の一部を光偏向面１９を
介して取り出し、該光導波路の途中に設けた受光部で、
該光の情報を得ることが可能である。

【００２３】更に、該光導波路の反対方向から進行して
来た光、すなわち光路２２の光の一部は、光偏向面２０
での光学的反射によって直上の受光部の面１１に入射
し、該受光部に設けた感光素子（図示なし）で光情報が
検知される。そして、該光の他の一部は光導波路内に設
けた光偏向面２０以外のコア層１７を通り抜け、該コア
層１７を進行し続ける。すなわち、光導波路内の反対方
向から進行して来た光の一部も光偏向面２０を介して取
り出し、該光導波路外の近傍に設けた受光部で、該光の
情報を得ることが可能である。

【００２４】本実施例においては、基板１にＳＯＩ（se
miconductor on insulator, or silicon on insula
tor）基板を用い、フォトリソ工程及び選択エッチング
工程により図５に見るような溝部４を形成し、該溝部４
の両壁に成膜したＳｉ酸化膜１４をクラッド層としてい
る。そして、面方位（１００）Ｓｉ基板３に形成したテ
ラス部に異方性エッチングによって形成した異方性エッ
チング部７（図６、図７参照）内にＡｕメッキによって
四角錐状の偏向部８（図８）を形成し、該偏向部８を溝
部４に接合によって転写している（この転写を容易にす
るため、予め溝部４の底部にＡｕ／Ｃｒから成る接合層
５を図9に示すように成膜しておく）。

【００２５】ここにおいて、ＳＯＩ基板１を用いている
事から、溝部４の底部に予め存在するＳｉ酸化膜をクラ
ッド層１５とし、これらのクラッド層１４、１５で三方
を囲んだ溝部４にポリステレンを充填する。

【００２６】更に、該基板１に接合するべき基板２の形
成において、基板２にＳｉ酸化膜６を有する基板を用
い、フォトリソ工程及び選択エッチング工程により図３
に見るように基板１の溝部４に対向する部分以外のＳｉ
酸化膜を全て除去し、該除去部分にＡｕから成る接合層
１２を成膜すると共に凸状の接合部１３をメッキにより
形成する。この後、両基板１、２を図１及び図２に見る
様に相対向して接合する。該接合によってコア層１７は
クラッド層１４、１５、１６によって囲まれる。こうし
てトンネル状の光導波路が構成される。この際、上記の
如く該光導波路の途中の一部に偏向面１９、２０を設け
るが、該偏向面１９、２０のほぼ直上の基板２側に穴を
形成し、ここにポリスチレンを充填して受光部へ通じる
受光導入部１８を構成する。

【００２７】本実施例において、該光導波路に０．８μ
ｍ帯ＡｌＧａＡｓレーザ光を導入し、該偏向面１９、２
０での該レーザ光の偏向光を受光部の面１０、１１にそ
れぞれ設けた感光素子（図示なし）で検知した。

【００２８】尚、本実施例において、該受光部の個所の
Ｓｉ基板２の本体及びＳｉ酸化膜１６を除去したが、該
Ｓｉ酸化膜のみをそのまま残し、該受光部の個所のＳｉ
基板２の本体のみを除去（図示なし）しても良い。

【００２９】（第2の実施例）図３、４、５、１０、１
１は本発明の第２の実施例を示し、図１０は本実施例の
特徴を最も良く表す図面である。同図において、第１実
施例と同様な個所の説明は省略し、第1実施例と異なる
個所だけを以下に説明する。

【００３０】図１０において、２８及び２９は、オフセ
ット基板（図示なし）上に形成した異方性エッチング穴
内にメッキによって成膜した構造をそれぞれ転写した偏
向部である。

【００３１】この構成において、光導波路のコア層１７
内を進行する光の一部は光偏向面１９での光学的反射に
よって垂直方向に偏向して直上の受光部の面１０に入射
し、該受光部の面１０に設けた感光素子（図示なし）で
光情報が検知され、そして、該光の他の一部は光導波路
内に設けた光偏向面１９以外のコア層１７を通り抜け、
コア層１７を進行し続ける。すなわち、光導波路内を進
行する光の一部を該偏向面１９を介して取り出し、光導
波路外の近傍に設けた受光部で該光の情報を得る事が可
能である。

【００３２】更に、該光導波路の反対方向から進行して
来た光、すなわち光路２２の光の一部は、光偏向面２０
での光学的反射によって直角に偏向して直上の受光部の
面１１に入射し、該受光部に設けた感光素子（図示な
し）で光情報が検知される。そして、該光の他の一部は
光導波路内に設けた光偏向面２０以外のコア層１７を通
り抜け、コア層１７を進行し続ける。すなわち、光導波
路内の反対方向から進行して来た光の一部を該光偏向面
２０を介して取り出し、光導波路外の近傍に設けた受光
部の面１１で、該光の情報を得る事が可能である。

【００３３】本実施例においても、基板１にＳＯＩ基板
を用い、フォトリソ工程及び選択エッチング工程により
図５に見る様な溝部４を形成し、該溝部４の両壁に成膜
したＳｉ酸化膜１４をクラッド層とする。しかし、本実
施例においては、オフセット（１００）Ｓｉ基板３に形
成したテラス部に異方性エッチングによって得た穴内に
Ａｕメッキによって形成した偏向部２８、２９を、該溝
部４の適当個所に接合によって転写している（該転写を
容易にするため、予め該溝部４の底部にＡｕ／Ｃｒから
成る接合層５を成膜しているのは、第1実施例と同じで
ある）。

【００３４】ＳＯＩ基板１を用いている事から、溝部４
の底部に予め存在するＳｉ酸化膜をクラッド層１５と
し、更に、これらのクラッド層１４、１５で三方を囲ん
だ溝部4にポリスチレンを充填する。そして、該基板１
に接合するべき基板２の形成において、基板２にＳｉ酸
化膜を有する基板を用い、フォトリソ工程および選択エ
ッチング工程により図3に見る様に基板1の溝部４に対向
する部分以外のＳｉ酸化膜１６を全て除去し、該除去部
分にＡｕから成る接合層１２及び接合部１３を成膜及び
メッキによりそれぞれ形成する。

【００３５】この後、両基板１、２を図1及び図2に見る
様に相対向して接合した。該接合によって、該コア層１
７はクラッド層１４、１５、１６によって四方を囲まれ
る。こうして光導波路を構成する。ここで、該光導波路
の途中の一部に偏向面１９、２０を設け、該偏向面１
９、２０の直上の基板2側に形成した穴を受光部の面１
０、１１として構成する。第2実施例ではオフセット
（１００）Ｓｉ基板を用いているので、偏向部２８、２
９の偏向面19、20の角度設定を垂直方向偏向に更に適し
たものに出来て、第1実施例と比べて、光偏向を、より
垂直に近い方向に行うことができる。この様に、第2実
施例では垂直方向偏向が更に正確にできるので、基板２
に形成した穴（図10では基板2本体と共にＳｉ酸化膜１
６も除去されている）には何も充填しないでそのまま空
洞にしておいても、偏向光が受光部に適切に導かれる。

【００３６】本実施例においても、該光導波路に０．８
μｍ帯ＡｌＧａＡｓレーザ光を導入（図示なし）し、該
偏向面１９、２０での該レーザ光の偏向光を受光部の面
１０、１１にそれぞれ設けた感光素子（図示なし）で検
知した。

【００３７】尚、上記実施例においてコア層の材料とし
て、ポリスチレンを用いたが、この他に例えばＳｒＴｉ
Ｏ_３、ＭｇＦ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＦ_２を用いてもよ
い。また、上記実施例において、ポリスチレンを溝部に
充填した後、両基板を接合したが、両基板を接合した後
にポリスチレン等を溝部に導入し、充填しても良い。

【００３８】また、受光部の代わりに発光部を設けて、
ここからの光を偏向部を介して光導波路に導入する形態
も可能である。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、全面にクラッド層が成膜された溝部を持つ第１基板
を形成し、該溝部を除いて第1基板に接合部を形成し、
クラッド層よりも屈折率の高いコア材料を該溝部内に充
填し、第１基板と所定の関係で相対向した時に該溝部と
相対向する個所にクラッド層を持つと共に該クラッド層
を除いた領域に接合部を持つ第2の基板を形成し、第１
基板及び第２基板を、所定の関係で互いに相対向し、両
基板の両側から圧力を印加して接合するので、クラッド
層で囲まれたトンネル状の光導波路を形成する途中で、
適当に作製された偏向部を溝内の適当個所に容易に設置
することができる。

【００４０】より具体的な例で言えば、次の様になる。
一方の基板に凹状の溝部を形成し、該溝部の少なくとも
１個所に光を偏向するための四角錘状のＡｕなどから成
る偏向部を設け、この溝部のクラッド層の上にコア層と
してポリスチレンを充填し、そして他方の基板にクラッ
ド層としてのＳｉ酸化膜を成膜し、この後、これらの両
基板を相対向させて互いに接着接合する。これによっ
て、該溝部を光導波路として形成でき、同時に該光導波
路の途中に該四角錘状偏向部などから成る光偏向面を設
ける事が出来る。このとき、他方の基板の該光偏向部個
所のほぼ直上部を穴開け加工する。この穴開け加工によ
って、該光導波路を進行して来た光の一部は該光偏向部
の偏向面で偏向し、該光導波路外へ出射して該穴に設け
た受光部の受光素子に入射する。更に、該受光素子の代
わりに発光素子を取り付ける事により、該発光素子から
の信号光を該光偏向部を介して該光導波路に導くことも
可能である。更に、該四角錘状偏向部の反対面で、該光
導波路の反対方向から進行して来た光を偏向し、該光導
波路外へ出射して該出射穴に設けた受光部の他のもう一
つの受光素子に入射する。

【００４１】上記手法によるため、次の様な効果があ
る。異方性エッチングによって形成したＳｉ基板上の四
角錘状のエッチピット内に成膜したＡｕを、該光導波路
となるべき該溝部に接合によって転写するため、微小な
該光偏向部から成る偏向面を作製する事が出来る。

【００４２】該エッチピット内にＡｕを成膜したＳｉ基
板と、凹状の溝部を有する該一方の基板とを互いにアラ
イメントし、該両基板間に押圧力を印加して該Ａｕを該
溝部に転写する。このため、アライメント精度を上げる
ことによって微小な該光偏向部となる四角錘状のＡｕな
どを所定の位置に設置可能である。

【００４３】光導波路内の光の一部を該偏向部でほぼ垂
直方向に偏向する事が可能であり、他の光の一部は該光
導波路内を進行し続けさせる事が可能である。

【００４４】両基板を接着・接合する事によって該光導
波路を形成するため、該接着・接合する前に、一方及び
他方の基板をそれぞれ加工する事が可能であるので、該
光導波路の加工が容易である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る光導波路の断面図
である。

【図２】図１のＡ矢視図である。

【図３】図２のＢ矢視図である。

【図４】本発明の光導波路を形成する一方の基板１の平
面図である。

【図５】図４のＣ矢視図である。

【図６】Si基板の異方性エッチングを示す平面図であ
る。

【図７】図６のＤ矢視図である。

【図８】図7の異方性エッチング部にAuをメッキした時
の断面図である。

【図９】図８のAuを光導波路の一部に転写した時の断面
図である。

【図１０】本発明の第２の実施例に係る光導波路の断面
図である。

【図１１】図１０のＥ矢視図である。

【符号の説明】

１、２、３基板４溝部５、６、１２接合層７異方性エッチング部８、２８、２９偏向部１０、１１受光部１３接合部１４、１５、１６クラッド層１７コア層１８受光導入部１９、２０光偏向面２１、２２光路２３、２４光偏向路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光導波路を形成する方法であって、全面に
クラッド層が成膜された溝部を持つ第１基板を形成する
第1工程、溝部を除いて第1基板に接合部を形成する第２工程、クラッド層よりも屈折率の高いコア材料を該溝部内に充
填する第３工程、第１基板と所定の関係で相対向した時に該溝部と相対向
する個所にクラッド層を持ち、該クラッド層を除いた領
域に接合部を持つ第2の基板を形成する第４工程、第１
基板及び第２基板を、所定の関係で互いに相対向し、両
基板の両側から圧力を印加して接合する第５工程、以上
の工程を有することを特徴とする光導波路の形成方法。
【請求項２】第1基板としてＳＯＩ基板を用いる請求項1
記載の光導波路の形成方法。
【請求項３】前記第1工程において、第１基板の光導波
路となるべき個所のＳｉを取り除く事により、溝部を形
成し、該溝部の両壁にＳｉ酸化膜を成膜することで全面
にクラッド層が成膜された溝部を形成する請求項２記載
の光導波路の形成方法。
【請求項４】Ｓｉ酸化膜を有する基板を第２基板に用い
る請求項1、２または３記載の光導波路の形成方法。
【請求項５】前記第４工程において、第１基板と第２基
板を互いに相対向した時に該溝部と相対向する個所以外
の領域の第２基板のＳｉ酸化膜を除去し、この除去した
領域に、基板接合用の接着層及び接合部を形成する請求
項４記載の光導波路の形成方法。
【請求項６】コア層としてＳｉ酸化膜よりも屈折率の高
いポリスチレンを用いる請求項２乃至5の何れかに記載
の光導波路の形成方法。
【請求項７】コア層の材料としてポリスチレン、ＳｒＴ
ｉＯ_３、ＭｇＦ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＦ_２の何れかを用
いる請求項１乃至5の何れかに記載の光導波路の形成方
法。
【請求項８】光導波路の途中に、導波光の一部を偏向さ
せるための偏向面を有する偏向部を設ける第6工程を更
に有する請求項１乃至７の何れかに記載の光導波路の形
成方法。
【請求項９】前記第6工程において、Ｓｉ基板上に異方
性エッチングによって穴を形成し、該穴にＡｕを成膜し
て偏向部を形成し、第１基板の該溝部に、該光導波路中
を進行している光の一部を該基板面に対してほぼ垂直方
向に反射して偏向する或いはその逆方向に光を偏向する
様に、該Ａｕから成る偏向部を位置整合しながら接合に
より転写する請求項８記載の光導波路の形成方法。
【請求項１０】該偏向部の偏向面で偏向した光が第２基
板に入射する位置或いはその逆方向に光を導入する位置
にあたる所の第２基板のＳｉを選択的に取り除き、Ｓｉ
酸化膜のみにする第7工程を更に有する請求項８または
９記載の光導波路の形成方法。
【請求項１１】該偏向部の偏向面で偏向した光が第２基
板に入射する位置或いはその逆方向に光を導入する位置
にあたる所の第２基板のＳｉとＳｉ酸化膜を選択的に取
り除く第7工程を更に有する請求項８または９記載の光
導波路の形成方法。
【請求項１２】前記第7工程において、該選択的に取り
除いた所にコア層の材料を充填する請求項１０または１
１記載の光導波路の形成方法。
【請求項１３】前記第３工程は前記第5工程の前に行わ
れる請求項1乃至１２の何れかに記載の光導波路の形成
方法。
【請求項１４】前記第３工程は前記第5工程の後に行わ
れる請求項1乃至１２の何れかに記載の光導波路の形成
方法。
【請求項１５】全面にクラッド層が成膜された溝部を持
つ第１基板と、該第１基板と所定の関係で相対向した時
に該溝部と相対向する個所にクラッド層を持つ第２基板
とが接合部によって接合されて構成された光導波路構造
体であって、クラッド層に囲まれた溝部内に、クラッド
層よりも屈折率の高いコア材料が充填されていることを
特徴とする光導波路構造体。
【請求項１６】第1基板としてＳＯＩ基板を用いている
請求項1５記載の光導波路構造体。
【請求項１７】第１基板の光導波路となるべき個所のＳ
ｉを取り除く事により、溝部を形成し、該溝部の両壁に
Ｓｉ酸化膜を成膜することで全面にクラッド層が成膜さ
れた溝部が形成されている請求項１６記載の光導波路構
造体。
【請求項１８】Ｓｉ酸化膜を有する基板を第２基板に用
いている請求項1５、１６または１７記載の光導波路構
造体。
【請求項１９】第１基板と第２基板を互いに相対向した
時に該溝部と相対向する個所以外の領域の第２基板のＳ
ｉ酸化膜を除去し、この除去した領域に、基板接合用の
接着層及び接合部を形成して、第１基板と第２基板は接
合されている請求項１８記載の光導波路構造体。
【請求項２０】コア層としてＳｉ酸化膜よりも屈折率の
高いポリスチレンを用いている請求項１６乃至１９の何
れかに記載の光導波路構造体。
【請求項２１】コア層の材料としてポリスチレン、Ｓｒ
ＴｉＯ_３、ＭｇＦ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＦ_２の何れかを
用いている請求項１５乃至１９の何れかに記載の光導波
路構造体。
【請求項２２】光導波路の途中に、導波光の一部を偏向
させるための偏向面を有する偏向部が更に設けられてい
る請求項１５乃至２１の何れかに記載の光導波路構造
体。
【請求項２３】Ｓｉ基板上に異方性エッチングによって
穴を形成し、該穴にＡｕを成膜して偏向部を形成し、第
１基板の該溝部に、該光導波路中を進行している光の一
部を該基板面に対してほぼ垂直方向に反射して偏向する
或いはその逆方向に光を偏向する様に、該Ａｕから成る
偏向部を位置整合しながら接合により転写している請求
項２２記載の光導波路構造体。
【請求項２４】該偏向部の偏向面で偏向した光が第２基
板に入射する位置或いはその逆方向に光を導入する位置
にあたる所の第２基板のＳｉが選択的に取り除かれ、Ｓ
ｉ酸化膜のみにされている請求項２２または２３記載の
光導波路構造体。
【請求項２５】該偏向部の偏向面で偏向した光が第２基
板に入射する位置或いはその逆方向に光を導入する位置
にあたる所の第２基板のＳｉとＳｉ酸化膜が選択的に取
り除かれている請求項２２または２３記載の光導波路構
造体。
【請求項２６】該選択的に取り除かれた所にコア層の材
料が充填されている請求項２４または２５記載の光導波
路構造体。