JP2001111354A - ダブルバランス形ミキサ回路 - Google Patents

ダブルバランス形ミキサ回路

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JP2001111354A
JP2001111354A JP28665199A JP28665199A JP2001111354A JP 2001111354 A JP2001111354 A JP 2001111354A JP 28665199 A JP28665199 A JP 28665199A JP 28665199 A JP28665199 A JP 28665199A JP 2001111354 A JP2001111354 A JP 2001111354A
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transistors
mixer circuit
double
transistor
balanced mixer
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JP28665199A
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Daiki Fujiwara
大樹 藤原
Yoshikuni Tokawa
嘉邦 東川
Nobumitsu Amachi
伸充 天知
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 インピーダンス素子の占有面積を縮小化し、
小型、低コストで信頼性が高くでき、特性の安定したダ
ブルバランス形ミキサ回路を提供する。 【解決手段】 トランジスタQ1,Q2からなる第1の
差動対と、トランジスタQ3,Q4からなる第2の差動
対と、トランジスタQ5,Q6からなる第3の差動対を
備え、Q1,Q2のソースと接地との間の電流源とし
て、平衡した2つの電流源1,2を設け、Q1,Q2の
ソース間に単一のインピーダンス素子5を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、トランジスタを
用いたダブルバランス形ミキサ回路に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】ダブルバランス形ミキサ回路は、一般に
図6に示すようなブロック図で表される。図6において
MIXはミキサ回路であり、ローカル信号Loおよび高
周波信号RFをそれぞれ差動増幅回路AMPで増幅し
て、このミキサ回路MIXに入力し、中間周波信号IF
を出力する。
【0003】上記ミキサ回路としては、いわゆるギルバ
ートセルミキサ回路が用いられ、従来、図7に示すよう
な回路で構成されていた。図7においてQ1〜Q6はそ
れぞれトランジスタ、3,4は出力負荷、Reは発振防
止用の抵抗である。
【0004】図7に示した回路構成の場合、抵抗Reは
ミキサの直線性を改善するが、その抵抗値を高める程、
変換電圧利得が低下するという問題があった。抵抗Re
を挿入しても変換電圧利得が低下しないようにするため
には、出力負荷3,4または定電流源の電流値を大きく
すればよいが、そうすると飽和レベルが低下してしま
う。また、定電流源による電流値を大きくするために
は、Reの値を非常に小さくすることになるが、そうす
るとReの微小なばらつきによるReの電圧降下のオフ
セットが相対的に大きくなり、ミキサ回路の出力バラン
ス度が悪化してしまう。
【0005】そこで、このようなトランジスタを用いた
ダブルバランス形ミキサに関して生じる典型的な不具合
を解消するために、実開平5−59938号および米国
特許5,625,307 号には、図7に示した抵抗Reに変え
て、インダクタをトランジスタQ1,Q2のエミッタと
定電流源との間に挿入した構成が示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述のように差動接続
される2つのトランジスタのエミッタと定電流源との間
にインダクタを接続すれば、直流バイアスと交流動作と
を別々に設定することができるので、入出力の直線性を
向上させると共に変換電圧利得を改善することができ
る。
【0007】ところが、マイクロ波集積回路において上
述のダブルバランス形ミキサ回路を構成しようとする
際、上記インダクタは、その線路パターンを例えばスパ
イラル形状に形成することになるため、インダクタ単体
の占有面積が大きくなってしまう。また、2つのインダ
クタを基板上に配置構成する場合に、インダクタ同士の
電磁気的結合が生じないように、2つのインダクタ間に
十分なスペースを設ける必要があり、全体の占有面積が
さらに増大するという問題があった。マイクロ波集積回
路においては、ウェハあたりの取り個数がコストに大き
く影響するので、チップ面積が増大すれば、そのままコ
ストアップにつながってしまう。
【0008】また、変換電圧利得を増大させるために定
電流源の電流値を増大させると、その電流定格を満たす
ようにインダクタの線路幅を太くしなければならず、そ
の結果インダクタの占有面積はさらに大きくなる。
【0009】また、上記インダクタには直流電流が流れ
るため、マイグレーションによりスパイラル・インダク
タの線路間および2つのインダクタ間でショートを起こ
すおそれがある。もしショートを起こすと、インダクタ
ンスが設計値より小さくなって、電気的特性の変動の要
因となる。
【0010】この発明の目的は、上述した各種問題を解
消して小型、低コストで信頼性が高くでき、特性の安定
したダブルバランス形ミキサ回路を提供することにあ
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明のダブルバラン
ス形ミキサ回路は、第1・第2のトランジスタのソース
またはエミッタが電流源に接続され、ゲートまたはベー
スに第1の入力信号が加えられる第1の差動対と、ソー
スまたはエミッタがそれぞれ第1のトランジスタのドレ
インまたはコレクタに接続され、ゲートまたはベースに
それぞれ第2の入力信号が加えられる第3・第4のトラ
ンジスタからなる第2の差動対と、ソースまたはエミッ
タがそれぞれ第2のトランジスタのドレインまたはコレ
クタに接続され、ゲートまたはベースにそれぞれ第2の
入力信号が加えられる第5・第6のトランジスタからな
る第3の差動対とを備え、第3・第5のトランジスタの
ドレイン同士またはコレクタ同士を接続し、第4・第6
のトランジスタのドレイン同士またはコレクタ同士を接
続し、第3・第6のトランジスタのドレイン間またはコ
レクタ間に第1の入力信号と第2の入力信号との混合し
た信号を得るようにするとともに、前記電流源を、略同
一電流を流す第1・第2の電流源から構成し、第1・第
2のトランジスタのソースまたはエミッタに第1・第2
の電流源をそれぞれ接続するとともに、第1・第2のト
ランジスタのソース間またはエミッタ間にインピーダン
ス素子を接続する。
【0012】この構成により、単一のインピーダンス素
子を用いることになって、その占有面積が縮小化され
る。また、第1・第2の電流源の電流値を等しくするこ
とによって、インピーダンス素子に流れる直流成分を抑
えることができる。
【0013】なお、従来は単一の電流源であったもの
が、この発明では第1・第2の2つの電流源を用いるこ
とになるが、個々の電流源の電流値は半分になるので、
電流源を構成する回路の占有面積は全体として増えるこ
とがない。
【0014】この発明のダブルバランス形ミキサ回路
は、前記インピーダンス素子をインダクタとする。この
ことにより、高周波信号の入力端子に直列にかかる電圧
帰還の位相を90°ずらすことができる。
【0015】また、この発明のダブルバランス形ミキサ
回路は、前記第1・第2の電流源を、それぞれトランジ
スタを用いて構成する。この第1・第2の電流源による
電流は、従来の単一の電流源が流す電流の半分の値であ
るので、トランジスタを用いて第1・第2の電流源を構
成する際に、それぞれの占有面積を半分にすることがで
き、全体としての占有面積は増大しない。
【0016】さらに、この発明のダブルバランス形ミキ
サ回路は、前記第1・第2の電流源を構成する2つのト
ランジスタのソースまたはエミッタを共通接続するとと
もに、該2つのトランジスタを半導体集積回路上の隣接
領域に構成する。これにより第1・第2の電流源の占有
面積をさらに縮小化することができ、しかも2つの電流
源の特性を揃えることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】第1の実施形態に係るダブルバラ
ンス形ミキサ回路の構成を図1を参照して説明する。図
1においてQ1〜Q6は第1〜第6のトランジスタであ
り、Sはソース、Dはドレイン、Gはゲートを示してい
る。1,2はそれぞれ第1・第2の電流源であり、ここ
では定電流を流す定電流源を構成している。3,4は出
力負荷、5はインピーダンス素子である。第1・第2の
トランジスタQ1,Q2は、それぞれのソースを電流源
1,2に接続してなる第1の差動対を構成している。第
3・第4のトランジスタQ3・Q4は、それぞれのソー
スをQ1のドレインに接続し、それぞれのゲート間にロ
ーカル信号Loが加えられる第2の差動対を構成してい
る。第5・第6のトランジスタQ5・Q6は、それぞれ
のソースをQ2のドレインに接続し、それぞれのゲート
間にローカル信号Loが加えられる第3の差動対を構成
している。そしてQ3とQ5のドレイン同士を接続し、
Q4とQ6のドレイン同士を接続し、これらのドレイン
同士の接続点と電源VDDとの間に出力負荷3,4を接続
すると共に、Q3とQ6のドレイン間から、またはQ4
とQ5のドレイン間から、中間周波信号IFを取り出し
ている。
【0018】上記ダブルバランス形ミキサ回路におい
て、定電流源1,2の電流値は等しく、出力負荷3,4
の値も等しい。これらの電流値および出力負荷のインピ
ーダンスは、インピーダンス素子5により入出力特性の
直線性を確保した上で、要求される出力レベルに応じた
変換電圧利得が得られるように設定する。
【0019】上記ローカル信号Loのレベルは、通常の
ローカル信号レベルに対してリミッタがかかるレベル、
すなわち矩形波となるレベル以上の信号レベルを有する
ローカル信号を入力する。また高周波信号RFはリミッ
タがかからないレベルの信号を入力する。これにより、
Q3・Q4からなる第2の差動対と、Q5・Q6からな
る第3の差動対においては、ローカル信号LoによりQ
3・Q5およびQ4・Q6がそれぞれ同期スイッチとし
てスイッチング動作して、高周波信号RFとローカル信
号Loとの2つの信号が混合され、中間周波信号IFと
して出力される。この時、インピーダンス素子5の両端
に生じる電圧によって高周波信号RFの入力端子に対し
て直列に電圧帰還がかかる。これにより入出力特性の直
線性が良好となって発振が防止される。
【0020】図2は上記ダブルバランス形ミキサ回路の
構成を、より具体的に示した図である。ここでは図1に
おけるインピーダンス回路5を、1つのインダクタLで
構成し、定電流源1,2の一部をトランジスタQ7,Q
8で構成している。このような構成によれば、インダク
タLにより高周波信号RFの入力端子に直列に電圧帰還
がかかる。ここで、電圧波形を正弦波と仮定すると、上
記インピーダンス回路を、インダクタのインピーダンス
ωLに等しいインピーダンスの抵抗とした場合に比べ
て、電圧帰還の位相が90°ずれる。位相差0の電圧波
形同士の合成(積)波形に対する、位相差90°の電圧
波形同士の合成(積)波形の振幅比は√2/2であるの
で、20×log(√2/2)=−3dBとなって、帰
還量は3〔dB〕だけ小さくなる。そのため、抵抗を用
いて帰還させた場合と同等の入出力特性の直線性を改善
した時の変換電圧利得は3〔dB〕だけ改善される。
【0021】図3は図2のダブルバランス形ミキサ回路
の周波数と変換利得との関係を示した図である。例え
ば、トランジスタQ1,Q2のゲートに入力される高周
波信号RFを50MHz〜1GHz、トランジスタQ3
〜Q6のゲートに入力されるローカル信号Loを1.5
5〜2.5GHz、トランジスタQ3〜Q6のドレイン
から出力される中間周波信号IFを1.5GHzとする
と、3GHz以上のイメージ信号も1.55GHz〜
2.5GHzのローカル信号Loにより1.5GHzの
中間周波信号IFに変換され、ノイズ成分となる。した
がって、イメージ信号の周波数帯域の変換利得を抑える
ことが重要となる。
【0022】図3からインピーダンス素子がインダクタ
の場合の方が抵抗の場合に比べ、高周波信号RFの周波
数帯域である50MHz〜1GHzの変換利得が向上す
るとともに、イメージ信号の周波数帯域である3GHz
以上の変換利得が抑えられていることがわかる。これ
は、インダクタの方が抵抗に比べ、高周波信号RFの周
波数帯域でのインダクタ自体のロスが少なく、イメージ
信号の周波数帯域でインダクタのインピーダンスが大き
くなるためである。この結果、高周波信号RFの変換利
得を低下させずに、イメージ信号から変換されるノイズ
成分を低減できるので、ダブルバランス形ミキサ回路の
雑音指数を改善することができる。
【0023】図4は上記定電流源の一部を構成するトラ
ンジスタQ7,Q8部分の構成をより具体的に示した図
である。ここでQ7,Q8はデプレッション型のFET
で構成し、ゲート配線Gを共通に用い、ドレインD1,
D2およびソースS1,S2が左右対称の関係となるよ
うに、チップ上における同一箇所にレイアウトする。ト
ランジスタQ7,Q8にそれぞれ流れる電流は、従来の
ように、差動対と接地の間に単一のトランジスタを接続
した定電流源を設けた場合に比べて1/2となる。すな
わちIdss (デプレッション型FETのゲート電圧−ド
レイン電流特性におけるゲート電圧が0の時のドレイン
電流)が半分であるFETのゲート幅は半分ですむの
で、各々のFETの占有面積は半分にすることができ
る。したがって2つのトランジスタQ7,Q8を設けて
も、全体に大型化することはない。また、2つのトラン
ジスタをチップ上の同一エリアに隣接してレイアウトす
ることにより、定電流特性を揃えることができる。その
結果、温度変化や電源電圧の変動に関わらず、直流バイ
アスを平衡させて、インピーダンス素子としてのインダ
クタLに常に直流電流が流れないようにできる。
【0024】図5は別のダブルバランス形ミキサ回路の
構成を示す回路図である。図1に示したものと異なり、
この例では、各トランジスタをバイポーラ型トランジス
タから構成している。したがってローカル信号Loと高
周波信号RFがそれぞれ電流入力型になる。それ以外は
図1に示したダブルバランス形ミキサ回路と基本的に同
様に作用する。また、定電流源1,2もバイポーラ型ト
ランジスタを用いて構成することができ、その場合にチ
ップ上の同一エリアにレイアウトすることにより、その
占有面積を増大させることがない。また上述したFET
の場合と同様に、定電流特性を揃えることができる。
【0025】なお、以上に示した実施形態では、第1の
差動対のソースまたはエミッタと接地との間に2つの定
電流源を設けた例を示したが、この2つの電流源の電流
値が平衡していればよく、例えば電源電圧の変動に応じ
て電流値が変動してもよい。すなわち必ずしも常に一定
電流を流す「定電流源」である必要はなく、「電流源」
であればよい。
【0026】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、単一の
インピーダンス素子を用いることになって、その占有面
積が縮小化される。
【0027】また、第1・第2の電流源の電流値を等し
くすることによって、インピーダンス素子に流れる直流
成分を抑えることができるので、その線路幅を極めて小
さくすることができ、インピーダンス素子の占有面積を
さらに縮小化することができる。
【0028】また、インピーダンス素子に流れる直流成
分を抑えることができるので、マイグレーションが防止
でき、信頼性の向上および電気的特性の安定化を図るこ
とができる。
【0029】また、インピーダンス素子に流れる直流成
分を抑えることができるので、直流バイアス(直流成分
の通路)と交流動作(RF信号の通路)とを別々に設定
することができる。したがって、インピーダンス素子の
両端に生じる電圧によって高周波信号の入力端子に対し
て直列に電圧帰還がかかるため、入出力特性の直線性が
良好となってダブルバランス形ミキサ回路の発振を防止
することができる。
【0030】請求項2に記載の発明によれば、高周波信
号の入力端子に直列にかかる電圧帰還の位相を90°ず
らすことができ、変換電圧利得を高めることができる。
【0031】また、高周波信号の周波数帯域で変換利得
を向上させるとともに、イメージ信号の周波数帯域で変
換利得を落とすことができ、高周波信号の変換利得を低
下させずに、イメージ周波数から変換されるノイズ成分
を低減できるので、ダブルバランス形ミキサ回路の雑音
指数を改善することができる。
【0032】請求項3に記載の発明によれば、第1・第
2の電流源による電流は、従来の単一の電流源が流す電
流の半分の値であるので、トランジスタを用いて第1・
第2の電流源を構成する際に、それぞれの占有面積を半
分にすることができ、全体としての占有面積を増大させ
ることなく回路を構成することができる。
【0033】請求項4に記載の発明によれば、第1・第
2の電流源を構成する2つのトランジスタの配線効率が
高まり、電流源の占有面積をさらに縮小化することがで
き、しかも2つの電流源の特性を揃えることができる。
そのため、温度変化や電源電圧の変動などに関わらず、
インピーダンス素子に対して常に直流電流を通電され
ず、インピーダンス素子の線路幅を極限にまで小さくす
ることができ、マイグレーションに対する安全性も更に
高まる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係るダブルバランス形ミキサ
回路の構成を示す図
【図2】同回路におけるインピーダンス素子および定電
流源の構成を具体化した回路図
【図3】図2のダブルバランス形ミキサ回路の周波数と
変換利得との関係を示す図
【図4】図2におけるトランジスタQ7,Q8部分の構
成を示す図
【図5】第2の実施形態に係るダブルバランス形ミキサ
回路の構成を示す図
【図6】ダブルバランス形ミキサ回路のブロック図
【図7】従来のダブルバランス形ミキサ回路の構成を示
す図
【符号の説明】
1,2−定電流源 3,4−出力負荷 5−インピーダンス素子 L−インダクタ Lo−ローカル信号 RF−高周波信号 IF−中間周波信号(ミキサ出力信号)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1・第2のトランジスタのソースまた
    はエミッタが電流源に接続され、ゲートまたはベースに
    第1の入力信号が加えられる第1の差動対と、ソースま
    たはエミッタがそれぞれ第1のトランジスタのドレイン
    またはコレクタに接続され、ゲートまたはベースにそれ
    ぞれ第2の入力信号が加えられる第3・第4のトランジ
    スタからなる第2の差動対と、ソースまたはエミッタが
    それぞれ第2のトランジスタのドレインまたはコレクタ
    に接続され、ゲートまたはベースにそれぞれ第2の入力
    信号が加えられる第5・第6のトランジスタからなる第
    3の差動対とを備え、第3・第5のトランジスタのドレ
    イン同士またはコレクタ同士を接続し、第4・第6のト
    ランジスタのドレイン同士またはコレクタ同士を接続
    し、第3・第6のトランジスタのドレイン間またはコレ
    クタ間に第1の入力信号と第2の入力信号との混合した
    信号を得るようにしたダブルバランス形ミキサ回路にお
    いて、 前記電流源を、略同一電流を流す第1・第2の電流源か
    ら構成し、第1・第2のトランジスタのソースまたはエ
    ミッタに第1・第2の電流源をそれぞれ接続するととも
    に、第1・第2のトランジスタのソース間またはエミッ
    タ間にインピーダンス素子を接続したことを特徴とする
    ダブルバランス形ミキサ回路。
  2. 【請求項2】 前記インピーダンス素子をインダクタと
    したことを特徴とする請求項1に記載のダブルバランス
    形ミキサ回路。
  3. 【請求項3】 前記第1・第2の電流源を、それぞれト
    ランジスタを用いて構成したことを特徴とする請求項1
    または2に記載のダブルバランス形ミキサ回路。
  4. 【請求項4】 前記第1・第2の電流源を構成する2つ
    のトランジスタのソースまたはエミッタを共通接続する
    とともに、該2つのトランジスタを半導体集積回路上の
    隣接領域に構成したことを特徴とする請求項3に記載の
    ダブルバランス形ミキサ回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009182860A (ja) * 2008-01-31 2009-08-13 Kyocera Corp 乗算回路及び通信装置

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