JP2001110722A - 露光装置及びこれを用いた露光方法 - Google Patents
露光装置及びこれを用いた露光方法Info
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Abstract
れを用いた露光方法を提供する。 【解決手段】 ウェーハトランスファシステム42、P-
チャック周りにマークセンサー及びエッジセンサーを具
備するウェーハプレアライメントシステム44、ウェー
ハステージ46及びD-チャック48を具備する露光装置
40において、ウェーハプレアライメントシステム44
にウェーハを予備整列しながら冷却させうるウェーハ冷
却手段44aが備わっている。これにより、ウェーハス
テージ46前段階でウェーハをウェーハステージ46と
同じ温度まで冷却させることによって、ウェーハステー
ジ46でウェーハの過度な熱膨張を防止でき、ウェーハ
整列過程で過度な整列誤差が発生することを防止できて
正確なウェーハ整列をなすことができる。
Description
用いた露光方法に係り、より詳細にはウェーハ冷却手段
を具備する露光装置及びこれを用いた露光方法に関す
る。
いろな段階の工程を経ながら常温から数百度以上の温度
変化を経る。これにより、ウェーハは各工程を経ながら
熱膨張と収縮を経る。
定の状態を維持することが理想的であるが、前記のよう
にウェーハはいろいろな工程を経ながら温度変化による
熱膨張と収縮でその物理的状態が変わるため、これはウ
ェーハを整列する過程でウェーハの整列誤差を決まった
範囲以上に増やす結果を招く。半導体装置の製造工程
で、写真工程はウェーハ上にフォトレジストを塗布する
工程から前記ウェーハを整列し露光して現像する工程を
全て含む。図1は、従来の技術による整列露光装置の構
成及びウェーハ移送経路を示すことであって便宜上現像
工程は省略されている。
ーハ上にフォトレジスト膜を塗布する装備のスピンナ1
0を示す。前記スピンナ10でフォトレジスト膜が塗布
されたウェーハは露光設備12に移送される。前記露光
設備12はウェーハトランスファシステム14、ウェー
ハプレアライメントシステム16、ウェーハステージ1
8及びD−チャック20より構成されている。前記スピ
ンナ10でフォトレジスト膜が塗布されたウェーハは、
前記ウェーハトランスファシステム14を経て前記ウェ
ーハプレアライメントシステム16へ移送される。前記
ウェーハは、前記ウェーハステージ18へ移送される前
に前記ウェーハプレアライメントシステム16で予備整
列される。即ち、ウェーハのフラットゾーンが決まった
方向に整列される。予備整列されたウェーハは前記ウェ
ーハステージ18へ移送されて正確に整列される。次い
で、露光工程が進行される。前記露光工程で前記ウェー
ハ上に塗布されたフォトレジスト膜にレチクルに彫られ
たパターンと同じパターンが転写される。以後、前記ウ
ェーハは前記D−チャック20及びウェーハトランスフ
ァシステム14を経て前記スピンナ10に移送される。
ェーハ整列露光装置12の一構成要素のウェーハプレア
ライメントシステム16の部分断面図である。これを参
照すれば、従来の技術に係る整列露光装置のウェーハプ
レアライメントシステム16にウェーハがローディング
されるP−チャック22が備わっていて、前記P−チャ
ック22の周りにマークセンサー23及びエッジセンサ
ー24が備わっている。前記エッジセンサー24は、前
記P−チャック22上にローディングされるウェーハW
のフラットゾーンを感知し、前記マークセンサー23は
感知されたフラットゾーンを決まった方向に整列させ
る。この過程で、前記エッジセンサー24は前記ウェー
ハWのフラットゾーンを感知する過程で発熱し、その結
果前記ウェーハWのエッジセンサー24に露出される部
分の温度は高くなる。
を構成する要素はウェーハの温度を高める発熱要素を具
備しているが、前記ウェーハ整列露光装置12を構成す
る前記ウェーハトランスファシステム14や前記ウェー
ハプレアライメントシステム16、前記ウェーハステー
ジ18の温度環境は相異なる。例えば、前記ウェーハス
テージ18は、別の温度制御装置を使用して温度を一定
に維持する。反面、前記ウェーハトランスファシステム
14と前記ウェーハプレアライメントシステム16は、
温度調節にクリーンルームから供給される空気を用いて
いる。ところが、クリーンルーム内部にある各種発熱源
により前記各システムにヒーティングされた空気が流入
されるだけでなく前記ウェーハプレアライメントシステ
ム16に備わったエッジセンサー24のように、ウェー
ハ整列露光装置12を構成する各要素自体にも発熱要素
が備わっていて前記各構成要素内部はヒーティングされ
る。また、半導体装置の製造工程別に用いられる整列露
光装置が異なってそれに属するウェーハトランスファシ
ステムやウェーハフリーアラインシステムも相異なる。
ェーハトランスファシステム14や前記ウェーハプレア
ライメントシステム16を通過するウェーハはヒーティ
ングされて、前記ウェーハステージ18に到達する時点
で前記ウェーハ温度は前記ウェーハステージ18で維持
される温度より高い状態になる。これは、ウェーハが前
記ウェーハステージ18で熱膨張されうることよりさら
に熱膨脹されていることを意味する。従って、前記ウェ
ーハステージ18に到達したウェーハを整列する過程で
ウェーハの整列誤差が増えてウェーハに正確にパターン
を転写できなくなる。これを防止するために、前記ウェ
ーハステージ18でウェーハを長時間待機させて前記ウ
ェーハと前記ウェーハステージ18を熱的平衡状態にし
た後に整列及び露光工程を進行できるが、ウェーハの待
機時間が延びて生産性が急に低下する問題がある。
しようとする技術的課題は、従来の技術が有するこのよ
うな問題点を解消することであって、ウェーハステージ
でウェーハの待機時間を延ばさずにウェーハステージと
ウェーハとの温度差によるウェーハの過度な熱膨張を防
止して、ウェーハの整列誤差を縮められるウェーハ冷却
手段を具備する露光装置を提供することにある。本発明
が解決しようとする他の技術的課題は、このような露光
装置を用いた露光方法を提供することにある。
に、本発明はウェーハトランスファシステム、P−チャ
ック周りにマークセンサー及びエッジセンサーを具備す
るウェーハプレアライメントシステム、ウェーハステー
ジ及びD−チャックを具備する露光装置において、前記
ウェーハプレアライメントシステムにウェーハを予備整
列しながら冷却させうるウェーハ冷却手段が備わってい
る露光装置を提供する。
ーハプレアライメントシステムの前記マークセンサー及
びエッジセンサーとの間の前記P−チャック上部に設け
られている。前記ウェーハ冷却手段は、前記P−チャッ
ク上にローディングされたウェーハ全面に冷却ガスを噴
射するエアシャワーである。
前記冷却ガス流入管から流入された冷却ガスを前記ウェ
ーハ全面に噴射するガス噴射部と、前記冷却ガス流入管
と前記ガス噴射部との間に断面積が前記ガス噴射部より
狭いボトルネック部とを具備する。前記ガス噴射部の前
記ウェーハと対向する底面に複数個のホールが形成され
ている。この時、前記底面の全領域にわたって均一に形
成されている。また前記複数個のホールは直径が全て同
じである。
ウェーハ上に感光膜を塗布してべークした後、前記ウェ
ーハを整列装置に移送して整列し露光する露光方法にお
いて、前記ウェーハを前記整列装置に移送する前に冷却
させることを特徴とする露光方法を提供する。この時ウ
ェーハ冷却は、前記ウェーハの温度が前記ウェーハ整列
装置内の設定された温度と同一になるまで実施すること
が望ましい。
列前に実施する予備整列と共に実施することが望まし
い。前記ウェーハ冷却は、前記ウェーハ予備整列を実施
する装置に備わったウェーハ冷却手段を使用して実施す
る。前記ウェーハ冷却手段は前記本発明が提供したもの
と同じものを使う。
に、本発明は(a) ウェーハをスピンナからウェーハト
ランスファシステムへ移送する段階と、(b) 前記ウェ
ーハを前記ウェーハトランスファシステムからウェーハ
プレアライメントシステムへ移送する段階と、(c) 前
記ウェーハプレアライメントシステムで前記ウェーハを
予備整列し冷却させる段階と、(d) 前記予備整列され
冷却されたウェーハをウェーハステージへ移送して整列
する段階と、(e) 前記整列されたウェーハを露光する
段階とを含むことを特徴とする露光方法を提供する。
メントシステムにウェーハ冷却手段としてエアシャワー
を具備し、これを使用することによってウェーハステー
ジへ移送されるウェーハの温度を前記ウェーハステージ
の温度と同一に維持できる。これにより、前記ウェーハ
ステージでウェーハ熱膨脹は常に同一になって熱膨脹に
よるウェーハ整列エラーを防止できる。
ーハプレアライメントシステムにウェーハ冷却手段を具
備する露光装置及びこれを用いた露光方法を添付した図
面を参照して詳細に説明する。
変形することができ、本発明の範囲が後述する実施例に
限られることと解釈されてはいけない。本発明の実施例
は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全
に説明するために提供されるものである。図面で層とか
領域の厚さは明細書の明確性のために誇張されたことで
ある。図面上で同じ符号で示される要素は同じ要素を示
す。今から説明しようとする本発明の実施例に係る露光
装置及びこれを用いた露光方法は、半導体装置の製造工
程に適用される全ての写真工程に適用できるが、説明の
便宜と明確性のために本発明の実施例に係る露光装置は
ステッパ型露光装置であるとみなす。
して詳細に説明する。図3を参照すれば、本発明の露光
装置40はウェーハトランスファシステム42、ウェー
ハプレアライメントシステム44、ウェーハステージ4
6及びD−チャック48よりなっている。前記ウェーハ
プレアライメントシステム44にウェーハ冷却手段44
aがさらに備わっている。
ァシステム42及び前記ウェーハプレアライメントシス
テム44を経て前記ウェーハステージ46にくる間、ウ
ェーハは前記ウェーハプレアライメントシステム44に
備わったウェーハ予備整列のためのエッジセンサーによ
り部分的に加熱された状態になるが、前記ウェーハ冷却
手段44aは、前記ウェーハステージ46にウェーハを
移送する前にウェーハの温度を冷却させる役割をする。
即ち、前記ウェーハプレアライメントシステム44にく
る間にヒーティングされた前記ウェーハを決まった温度
まで、望ましくは前記ウェーハステージ46の温度まで
冷却させる役割をする。このような役割をする前記ウェ
ーハ冷却手段44aはエアシャワーである。
露光装置の一構成要素のウェーハプレアライメントシス
テム50の下部にウェーハ54がローディングされるP
−チャック52が備わっている。そして前記P−チャッ
ク52の周りにマークセンサー55が備わっていて、前
記マークセンサー55の向かい側にエッジセンサー56
が備わっている。ウェーハが前記P−チャック52上に
ローディングされれば、まず、前記エッジセンサー56
によりウェーハ54の特定部位、即ちフラットゾーンが
感知される。そして前記マークセンサー55により、前
記ウェーハ54のフラットゾーンが決まった方向に整列
される。
にウェーハ54がローディングされる時、前記ウェーハ
54はその縁部が前記マークセンサー55及びエッジセ
ンサー56に取り囲まれるようにローディングされる。
即ち、前記マークセンサー55及びエッジセンサー56
は二つともローディングされたウェーハ54の縁部の上
下面全部と対向できる面を有している。前記ウェーハ5
4を介在して前記P−チャック52上に前記ウェーハ5
4を冷却させるためのウェーハ冷却手段58が備わって
いる。前記のように、前記ウェーハ冷却手段58はエア
シャワーである。前記ウェーハ冷却手段58の前記ウェ
ーハ54または前記P−チャック52と対向する面を通
じて前記ウェーハ54上に冷却ガス、例えば空気が噴射
される。
の露光装置のウェーハプレアライメントシステムに備わ
ったウェーハ冷却手段であって、図4に示す前記ウェー
ハ冷却手段58をより詳細に示したものである。前記ウ
ェーハ冷却手段58は冷却ガスが流入されるエアダクト
72、即ち冷却ガス流入管と前記エアダクト72を通じ
て流入された冷却ガスを下に置かれたウェーハ54全面
に噴射するガス噴射部76、及び前記エアダクト72と
前記ガス噴射部76との間に備わったボトルネック部7
4より構成されるエアシャワーである。前記ボトルネッ
ク部74によって、前記エアダクト72に流入された冷
却ガスはさらに速くウェーハ54全面にフローされう
る。前記ガス噴射部76の前記ウェーハ54と対向する
面に複数個のホール78が形成されている。前記ホール
78の直径は全て同一である。しかし、必要に応じて前
記ホール78の直径は部分的に違う可能性がある。
を上から見た形態は円形である。その周りに第1及び第
2溝H1、H2が形成されている。前記第1及び第2溝
H1、H2に各々第1及び第2センサー84、86が設
けられている。前記第1センサー84は既に説明したマ
ークセンサーで、前記第2センサー86はエッジセンサ
ーである。結局、前記ウェーハ冷却手段58は前記第1
及び2センサー84、86に覆われた領域を除外したウ
ェーハの全領域と対向する。図面で参照番号80、81
及び82は各々ガス噴射部、エアダクト及びボトルネッ
ク部である。
のウェーハと対向するガス噴射部80に複数個のホール
88が全面にわたって均一に形成されている。また、前
記複数個のホール88の直径は全て同一である。しか
し、前記複数個のホール88の直径は既に言及したよう
に部分的に違う可能性がある。
有する露光装置を用いた露光方法を詳細に説明する。図
8を参照すれば、第1段階100は感光膜塗布及びべー
ク段階である。この段階では、図3に示したように、ス
ピンナ10でウェーハ上に感光膜、例えばフォトレジス
ト膜を塗布した後、適正温度で前記塗布された感光膜を
露光に適した状態になるまでべークする。
階である。この段階では、前記スピンナ10で感光膜塗
布及びべーク工程が完了すれば、ウェーハをウェーハト
ランスファシステム42へ移送する。前記ウェーハトラ
ンスファシステム42へ移送されたウェーハはロボット
によりウェーハプレアライメントシステム44へ移送さ
れる。
56によりウェーハ54のフラットゾーンが感知され
る。次いで、前記エッジセンサー56により感知された
前記ウェーハ54のフラットゾーンはマークセンサー5
5により決まった方向に整列されることによって、前記
ウェーハプレアライメントシステム44におけるウェー
ハ予備整列が完了する。
前記エッジセンサー56のウェーハ54の下面と対向す
る部分に前記ウェーハ54のフラットゾーンを感知する
部分がある。この部分で前記ウェーハ54のフラットゾ
ーンは光学的方法で感知される。この過程で、前記ウェ
ーハ54の前記エッジセンサー56の光が通過する部分
は光に露出されるので、ウェーハの他の部分に比べて温
度が上がる。
の設備のウェーハステージへ移送して整列及び露光を実
施する場合、待機時間が長くなったり整列誤差が増える
問題が発生するので、これを解消するために、前記ウェ
ーハプレアライメントシステム50の前記P−チャック
52上に備わったウェーハ冷却手段58、即ちエアシャ
ワーを使用して前記ウェーハ54を冷却させる。この
時、前記ウェーハは前記ウェーハステージの温度まで冷
却させることが望ましい。
階である。この段階では、図3を参照すれば、前記ウェ
ーハプレアライメントシステム44で前記ウェーハ予備
整列と共にウェーハ冷却を実施した後、ウェーハをウェ
ーハステージ46へ移送してウェーハ整列を実施した
後、露光を実施する。この時、前記ウェーハステージ4
6の前段階、即ち前記ウェーハプレアライメントシステ
ム44で前記ウェーハは前記ウェーハステージ46の温
度まで冷却された状態であるので、前記ウェーハ54と
前記ウェーハステージ46との間に熱平衡が迅速になさ
れる。従って、ウェーハ整列過程で前記ウェーハと前記
ウェーハステージ46との温度差による過度な整列誤差
が現れることが防止される。
ウェーハをスピンナへ移送する段階である。この段階で
は、図3を参照すれば、前記露光されたウェーハをD−
チャック48へ移送する。次いで、前記D−チャック4
8から前記ウェーハトランスファシステム42を経て前
記スピンナ10に前記ウェーハを移送する。
れているが、これらは発明の範囲を限定することという
より、望ましい実施例の例示として解釈されるべきであ
る。例えば本発明が属する技術分野で通常の知識を有す
る者であれば、前記ウェーハ冷却手段として開示された
前記エアシャワーの形態を前記実施例に開示されたもの
から変形して本発明を実施できることが明らかである。
例えば、図5に示したウェーハ冷却手段58でガス噴射
部76に形成された複数個のホール78は、完全にオー
プンされた状態ではない必要なガスだけを選択的に通過
させうる機能を有する透気性膜に取り替えられる場合も
ある。そのため、本発明の範囲は説明された実施例によ
って決まることではなく特許請求範囲に記載された技術
的思想により決まるべきである。
は、構成要素中の一つのウェーハプレアライメントシス
テムへ移送されるウェーハの温度調節のための別のウェ
ーハ冷却手段、即ちエアシャワーを備える。ウェーハト
ランスファシステムを経てスピンナから移送されてくる
間ヒーティングされたウェーハを前記ウェーハプレアラ
イメントシステムで、次に移送するウェーハステージの
温度と同じ温度になるまで冷却させる。こうすることに
よって、ウェーハがウェーハステージへ移送された時、
ウェーハとウェーハステージとの間に熱平衡が迅速にな
される。従って、ウェーハとウェーハステージとの温度
差から発生するウェーハの過度な熱膨張を防止でき、そ
の結果ウェーハ整列過程で過度な整列誤差が発生するこ
とを防止できるので正確なウェーハ整列をなすことがで
きる。
及びウェーハ移送経路を示すブロック図である。
成要素のウェーハプレアライメントシステムの部分断面
図である。
構成及びウェーハ移送経路を示すブロック図である。
一構成要素のウェーハプレアライメントシステムの部分
断面図である。
ウェーハプレアライメントシステムに備わったウェーハ
冷却手段の断面図である。
ウェーハプレアライメントシステムに備わったウェーハ
冷却手段の平面図である。
ウェーハプレアライメントシステムに備わったウェーハ
冷却手段の底面図である。
露光方法を段階別に示すブロック図である。
Claims (18)
- 【請求項1】 ウェーハトランスファシステム、P−チ
ャック周りにマークセンサー及びエッジセンサーを具備
するウェーハプレアライメントシステム、ウェーハステ
ージ並びにD−チャックを具備する露光装置において、 前記ウェーハプレアライメントシステムにウェーハを予
備整列しながら冷却させうるウェーハ冷却手段が備わっ
ていることを特徴とする露光装置。 - 【請求項2】 前記ウェーハ冷却手段は、前記ウェーハ
プレアライメントシステムの前記マークセンサーと前記
エッジセンサーとの間の前記P−チャック上部に設けら
れていることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 【請求項3】 前記ウェーハ冷却手段は、前記P−チャ
ック上にローディングされたウェーハ全面に冷却ガスを
噴射するエアシャワーであることを特徴とする請求項1
に記載の露光装置。 - 【請求項4】 前記エアシャワーは、 冷却ガス流入管と、 前記冷却ガス流入管から流入された冷却ガスを前記ウェ
ーハ全面に噴射するガス噴射部と、 前記冷却ガス流入管と前記ガス噴射部との間に断面積が
前記ガス噴射部より狭いボトルネック部とを具備するこ
とを特徴とする請求項3に記載の露光装置。 - 【請求項5】 前記ガス噴射部の前記ウェーハと対向す
る底面に複数個のホールが形成されていることを特徴と
する請求項4に記載の露光装置。 - 【請求項6】 前記複数個のホールは、前記ウェーハと
対向する底面の全領域にわたって均一に形成されている
ことを特徴とする請求項5に記載の露光装置。 - 【請求項7】 前記底面の全領域にわたって均一に形成
された前記複数個のホールは直径が全て互いに等しいこ
とを特徴とする請求項6に記載の露光装置。 - 【請求項8】 ウェーハ上に感光膜を塗布してべークし
た後、前記ウェーハを整列装置に移送して整列し露光す
る露光方法において、 前記ウェーハを前記整列装置に移送する前に冷却させる
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項9】 前記ウェーハ冷却は、前記ウェーハの温
度が前記ウェーハ整列装置内の設定された温度と同一に
なるまで実施することを特徴とする請求項8に記載の露
光方法。 - 【請求項10】 前記ウェーハ冷却は、前記ウェーハ整
列前に実施する予備整列と共に実施することを特徴とす
る請求項8に記載の露光方法。 - 【請求項11】 前記ウェーハ冷却において、前記ウェ
ーハ予備整列を実施する装置に備わったウェーハ冷却手
段を使用することを特徴とする請求項10に記載の露光
方法。 - 【請求項12】 前記ウェーハ冷却手段として、 冷却ガス流入管と、 前記冷却ガス流入管から流入された冷却ガスを前記ウェ
ーハ全面に噴射するガス噴射部と、 前記冷却ガス流入管と前記ガス噴射部との間に断面積が
前記ガス噴射部より狭いボトルネック部とを具備するエ
アシャワーを使用することを特徴とする請求項11に記
載の露光方法。 - 【請求項13】 前記ガス噴射部の前記ウェーハに対向
する底面に複数個のホールが全領域にわたって均一に形
成されているエアシャワーを使用することを特徴とする
請求項12に記載の露光方法。 - 【請求項14】 (a) ウェーハをスピンナからウェー
ハトランスファシステムへ移送する段階と、 (b) 前記ウェーハを前記ウェーハトランスファシステ
ムからウェーハプレアライメントシステムへ移送する段
階と、 (c) 前記ウェーハプレアライメントシステムで前記ウ
ェーハを予備整列させ冷却する段階と、 (d) 前記予備整列され冷却されたウェーハをウェーハ
ステージへ移送して整列させる段階と、 (e) 前記整列させたウェーハを露光する段階とを含む
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項15】 前記ウェーハ冷却は、前記ウェーハの
温度が前記ウェーハステージの温度と同一になるまで実
施することを特徴とする請求項14に記載の露光方法。 - 【請求項16】 前記ウェーハ冷却において、前記ウェ
ーハプレアライメントシステムに備わったウェーハ冷却
手段を使用することを特徴とする請求項14に記載の露
光方法。 - 【請求項17】 前記ウェーハ冷却手段として、 冷却ガス流入管と、 前記冷却ガス流入管から流入された冷却ガスを前記ウェ
ーハ全面に噴射するガス噴射部と、 前記冷却ガス流入管と前記ガス噴射部との間に断面積が
前記ガス噴射部より狭いボトルネック部とを具備するエ
アシャワーを使用することを特徴とする請求項16に記
載の露光方法。 - 【請求項18】 前記ウェーハ冷却において、前記ガス
噴射部の前記ウェーハに対向する底面に複数個のホール
が全領域にわたって均一に形成されているエアシャワー
を使用することを特徴とする請求項17に記載の露光方
法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005252247A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2011035428A (ja) * | 2004-02-04 | 2011-02-17 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2013098552A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
KR20170141741A (ko) * | 2015-04-21 | 2017-12-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
JP2019529982A (ja) * | 2016-09-02 | 2019-10-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7170578B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-01-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pattern control system |
KR100585170B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2006-06-02 | 삼성전자주식회사 | 트윈 기판 스테이지를 구비한 스캐너 장치, 이를 포함하는반도체 사진 설비 및 상기 설비를 이용한 반도체 소자의제조방법 |
WO2014095266A2 (en) * | 2012-12-17 | 2014-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support for a lithographic apparatus and lithographic apparatus |
CN111065969A (zh) * | 2017-06-26 | 2020-04-24 | Asml荷兰有限公司 | 冷却设备和用于冷却设备的等离子体清洁站 |
KR102511272B1 (ko) | 2018-02-23 | 2023-03-16 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법 |
US20230161260A1 (en) * | 2021-11-24 | 2023-05-25 | Applied Materials, Inc. | Chamber and methods of cooling a substrate after baking |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3695000B2 (ja) * | 1996-08-08 | 2005-09-14 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
JPH10135315A (ja) | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Ltd | 試料載置台の温度制御装置及び検査装置 |
JP3184145B2 (ja) * | 1997-03-17 | 2001-07-09 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び装置、ならびにこれを用いたデバイス製造方法 |
KR19990020125A (ko) | 1997-08-30 | 1999-03-25 | 이형도 | 자기 저항 헤드 제조용 웨이퍼 척킹 장치 |
KR100263889B1 (ko) | 1997-12-30 | 2000-08-16 | 윤종용 | 광디스크 기판 냉각장치 |
US6447964B2 (en) * | 2000-03-01 | 2002-09-10 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam microlithography methods including chip-exposure sequences for reducing thermally induced lateral shift of exposure position on the substrate |
-
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-
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-
2003
- 2003-05-14 US US10/437,240 patent/US6737206B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10048602B2 (en) | 2004-02-04 | 2018-08-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP2011035428A (ja) * | 2004-02-04 | 2011-02-17 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2005252247A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2013098552A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US9885964B2 (en) | 2011-10-27 | 2018-02-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2018513421A (ja) * | 2015-04-21 | 2018-05-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
JP7305715B2 (ja) | 2015-04-21 | 2023-07-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 冷却装置及びその使用方法並びにリソグラフィ装置 |
CN107771303A (zh) * | 2015-04-21 | 2018-03-06 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备 |
KR20170141741A (ko) * | 2015-04-21 | 2017-12-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
US10935895B2 (en) | 2015-04-21 | 2021-03-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
CN107771303B (zh) * | 2015-04-21 | 2021-06-04 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备 |
JP2021176018A (ja) * | 2015-04-21 | 2021-11-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 冷却装置及びその使用方法並びにリソグラフィ装置 |
KR102592761B1 (ko) | 2015-04-21 | 2023-10-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
TWI779770B (zh) * | 2015-04-21 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 冷卻裝置、微影裝置及微影方法 |
JP2019529982A (ja) * | 2016-09-02 | 2019-10-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
JP7060584B2 (ja) | 2016-09-02 | 2022-04-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 冷却装置およびリソグラフィ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW471050B (en) | 2002-01-01 |
US6737206B2 (en) | 2004-05-18 |
US6613487B1 (en) | 2003-09-02 |
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