JP2001102699A - Construction of directly layered board and manufacturing method therefor - Google Patents

Construction of directly layered board and manufacturing method therefor

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JP2001102699A
JP2001102699A JP26795899A JP26795899A JP2001102699A JP 2001102699 A JP2001102699 A JP 2001102699A JP 26795899 A JP26795899 A JP 26795899A JP 26795899 A JP26795899 A JP 26795899A JP 2001102699 A JP2001102699 A JP 2001102699A
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insulating layer
substrate
epoxy resin
manufacturing
circuit pattern
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Sojin Ba
崇仁 馬
Kenfuku Chin
建福 陳
Kiko Rai
奇▲こう▼ 雷
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KYOKUZO KOFUN YUGENKOSHI
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KYOKUZO KOFUN YUGENKOSHI
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a construction of a directly layered board and its manufacturing method. SOLUTION: This method for manufacturing a directly layered board is provided with a step for forming a liquid-impregnated insulating layer on the core material of a substrate, a step for making the liquid-impregnated insulating layer semi-promoting, a step for forming a core construction of a multilayer substrate by bonding plural core materials provided with the semi-promoting insulating layer, a step for forming a circuit pattern on the outermost layer of the core construction of the multilayer substrate, and a step for turning the semi-promoting insulating layer into full promoting state.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は一種の基板の製造方
法に係り、特に、内層の基板上の絶縁層の設計と材質の
放熱性と誘電性質の改善に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a substrate, and more particularly to the design of an insulating layer on an inner substrate and the improvement of heat dissipation and dielectric properties of the material.

【0002】[0002]

【従来の技術】集積回路工程において回路阻止の速度を
向上し、集積度(integrity)を増加するた
め、集積回路の基板に対しては密度が高く且つ放熱性が
良好であることが要求され、このため高密度配線(Hi
gh Density Internection;H
DI)の基板は今日のパッケージ技術の主流となってお
り、基板中、複層(四層)基板の構造は、絶縁コア材
(thin core)上に内層回路(Inner l
ayer)パターンを設け、並びに回路パターンの上に
絶縁層を形成し、絶縁層最も外層を銅箔(cupper
clad)で被覆してなる。上述の絶縁コア材には実
際の必要に応じて埋め込みバイアス(burried
vias)、ブラインドバイアス(blind bia
s)或いはスルーホールの設計が設けられ、もしより多
層の基板であるなら、回路パターンの数が増加する。
2. Description of the Related Art In an integrated circuit process, a substrate of an integrated circuit is required to have high density and good heat dissipation in order to increase the speed of circuit blocking and increase the degree of integration. Therefore, high-density wiring (Hi
gh Density Interconnection; H
DI) substrates have become the mainstream of today's packaging technology, in which the structure of a multilayer (four-layer) substrate is such that an inner layer circuit (Inner l) is formed on an insulating core material (thin core).
a) pattern, and an insulating layer is formed on the circuit pattern, and the outermost layer of the insulating layer is a copper foil (cupper).
clad). The above-mentioned insulating core material may be provided with a buried bias according to actual needs.
vias), blind bias (blind bia)
s) Alternatively, a through-hole design is provided, and if the substrate is more multilayered, the number of circuit patterns increases.

【0003】上述の絶縁コア材には盲孔の存在があるた
め、回路パターン上の絶縁層の厚さの平坦度を制御し、
並びに盲孔を樹脂で充填することが現在の重要な課題の
一つとなっている。現在基板製造工程では以下の三種類
の方法が採用されている。即ち、(1)プリプレグ加熱
加圧積層法、(2)Pl フィルム加熱加圧積層法、
(3)R.C.C.背面樹脂銅箔加熱加圧積層法であ
る。
[0003] Since the above-mentioned insulating core material has blind holes, the flatness of the thickness of the insulating layer on the circuit pattern is controlled,
In addition, filling the blind hole with resin is one of the important issues at present. At present, the following three methods are employed in the substrate manufacturing process. That is, (1) a prepreg heat-press lamination method, (2) a P1 film heat-press lamination method,
(3) R.I. C. C. This is a backside resin copper foil heating and pressing lamination method.

【0004】プリプレグ加熱加圧積層法について説明す
ると、図1に示されるように、先に一つの絶縁コア材1
0を製造し並びにその両面に回路パターン20を形成す
る。その絶縁コア材10はエポキシ樹脂、硬化剤等多種
で組成され、上述の絶縁コア材10はブラインドバイア
ス100或いはスルーホール(図示せず)の設計を含
む。続いて、エポキシ樹脂で組成されたプリプレグ30
を回路パターン20上の絶縁層となし、このプリプレグ
30と黒化した銅箔40及び回路パターン20を加熱加
圧して接合させる。上述のプリプレグ加熱加圧積層法
は、片状のエポキシ樹脂のプリプレグ30を使用しその
樹脂量が有限であるため、銅箔40の平坦度が不良とな
り、且つブラインドバイアス100を完全に充満するこ
とができず、このためもし強硬にブラインドバイアス1
00を充満しようとすれば爆板をまねいた。このほか、
エポキシ樹脂のプリプレグ30にプリプレグ30に基材
としてガラス織布を用いているが、その誘電常数(k)
が4.8と4.3の間であるため、信号伝送遅延(R−
C delay)をもたらし、且つ加熱加圧過程で圧力
と反応時間を制御しにくく、このためエポキシ樹脂プリ
プレグ30は制御が難しかった。
[0004] The prepreg heating and pressurizing lamination method will be described. As shown in FIG.
No. 0 is manufactured and the circuit pattern 20 is formed on both sides thereof. The insulating core material 10 is composed of various types such as an epoxy resin and a curing agent, and the above-mentioned insulating core material 10 includes a design of a blind bias 100 or a through hole (not shown). Subsequently, a prepreg 30 composed of an epoxy resin
Is formed as an insulating layer on the circuit pattern 20, and the prepreg 30, the blackened copper foil 40 and the circuit pattern 20 are joined by heating and pressing. The above-mentioned prepreg heating and pressurizing lamination method uses a flake prepreg 30 of epoxy resin and the amount of the resin is finite, so that the flatness of the copper foil 40 becomes poor and the blind bias 100 is completely filled. Can not be done, so if the blind bias 1
When I tried to fill 00, it was a bomber. other than this,
Glass woven fabric is used as the base material for the prepreg 30 of the epoxy resin prepreg 30, and its dielectric constant (k)
Is between 4.8 and 4.3, the signal transmission delay (R-
C delay), and it is difficult to control the pressure and the reaction time during the heating and pressurizing process, so that the epoxy resin prepreg 30 was difficult to control.

【0005】Plフィルム加熱加圧積層法は、図2に示
されるように、絶縁コア材10、回路パターン20、ブ
ラインドバイアス100及び銅箔40の使用において上
述のプリプレグ加熱加圧積層法と同じである。このPl
フィルム加熱加圧積層法の異なる所は、ポリイミド50
及びエポキシ樹脂51及び52で形成したサンドイッチ
構造を、銅箔40と回路パターン20の間の絶縁層とし
て使用したことにある。この方法は絶縁層材質を改善す
ることにより、絶縁層材質の誘電常数(k)を低減して
信号伝送速度を増すことができる。この方法の製造方式
は前述のプリプレグ加熱加圧積層法と同様、加熱加圧方
式で接合を行う。このPl加熱加圧積層法歯、片状のサ
ンドイッチ構造(符号50、51及び52の部分を含
む)を使用しているためその樹脂量が有限であり、この
ため銅箔40の平坦度不良をもたらし、且つブラインド
バイアス100を完全に充満することができず、強硬に
充満させようとすると爆板を形成するおそれがあった。
このほかサンドイッチ構造により絶縁層の誘電常数
(k)を下げることができるが、回路パターン20とサ
ンドイッチ構造の間の応力の差異が大きいため、その後
続工程でさん孔及び樹脂残さを除去する動作において基
板或いは絶縁層に亀裂状況を発生させる恐れがあった。
As shown in FIG. 2, the Pl film heating and press laminating method is the same as the prepreg heat and press laminating method described above in using the insulating core material 10, the circuit pattern 20, the blind bias 100 and the copper foil 40. is there. This Pl
The different point of the film heating and pressing lamination method is polyimide 50
And that the sandwich structure formed of the epoxy resins 51 and 52 is used as an insulating layer between the copper foil 40 and the circuit pattern 20. In this method, by improving the material of the insulating layer, the dielectric constant (k) of the material of the insulating layer can be reduced and the signal transmission speed can be increased. The manufacturing method of this method is similar to the above-mentioned prepreg heating / pressing lamination method, and the bonding is performed by the heating / pressing method. Since the Pl heating and pressurizing lamination method uses a flaky sandwich structure (including portions denoted by reference numerals 50, 51 and 52), the amount of resin is finite. And the blind bias 100 could not be completely filled, and there was a risk that a bomb plate would be formed if the blind bias was to be filled hard.
In addition, the dielectric constant (k) of the insulating layer can be reduced by the sandwich structure. However, since the difference in stress between the circuit pattern 20 and the sandwich structure is large, the operation for removing the perforations and the resin residue in the subsequent process is large. There is a possibility that a crack state may occur in the substrate or the insulating layer.

【0006】R.C.C.背面樹脂銅箔加熱加圧積層法
は、図3に示されるように、絶縁コア材10、回路パタ
ーン20、ブラインドバイアス100及び銅箔40の使
用において上述のプリプレグ加熱加圧積層法及びPlフ
ィルム加熱加圧積層法と同じである。このR.C.C.
背面樹脂銅箔加熱加圧積層法の異なる所は、銅箔40に
エポキシ樹脂60を塗布し、直接回路パターン20と加
熱加圧接合させることにある。この方法は、エポキシ樹
脂60の厚さを減らして誘電常数を有効に下げることが
できるとはいえ、銅箔40の平坦度に対しては何も改善
できず、且つブラインドバイアス100を完全に充満す
ることができず、強硬に充満させようとすると爆板を形
成するおそれがあった。このほか、この方法は僅かに最
外層の材質を製造することしかできず、その四層板以上
の工程はネックとなっていた。
[0006] R. C. C. As shown in FIG. 3, the backside resin copper foil heating and pressing laminating method uses the above-described prepreg heating and pressing laminating method and the Pl film heating in using the insulating core material 10, the circuit pattern 20, the blind bias 100 and the copper foil 40. It is the same as the pressure lamination method. This R. C. C.
A different point of the backside resin copper foil heating / pressing lamination method is that an epoxy resin 60 is applied to the copper foil 40 and directly bonded to the circuit pattern 20 by heating / pressing. Although this method can effectively reduce the dielectric constant by reducing the thickness of the epoxy resin 60, it cannot improve the flatness of the copper foil 40 at all, and completely fills the blind bias 100. However, there is a possibility that a bomb plate may be formed when the filling is performed hard. In addition, this method can only slightly produce the material of the outermost layer, and the step of four or more layers is a bottleneck.

【0007】基板中の内層回路上の絶縁層は電子素子の
誘電層に最も接近し、このためその誘電常数(k)が直
接電子信号の伝送速度に影響を与える。このため基板の
工程において絶縁層材質の改善して銅箔の平坦度を増し
てディープサブミクロン電子素子の基板の細かい回路製
造に適合させるべく努力がなされている。これは銅箔の
平坦度が不良であると、リソグラフィー工程中の臨界寸
法を下げることができなくなるためである。アメリカ合
衆国パテントNo.5126192には、Plフィルム
加熱加圧積層法における絶縁材質の誘電係数を改変する
ことによりその電子伝播速度を速くする方法が開示され
ている。また台湾パテントNo.318996は、R.
C.C.背面樹脂銅箔加熱加圧積層法において、その銅
箔上の絶縁層の材質の改良に係るものである。
The insulating layer on the inner circuit in the substrate is closest to the dielectric layer of the electronic device, and its dielectric constant (k) directly affects the transmission speed of electronic signals. For this reason, efforts have been made to improve the insulating layer material in the substrate process to increase the flatness of the copper foil so as to be compatible with the fine circuit fabrication of the substrate of the deep submicron electronic device. This is because if the flatness of the copper foil is poor, the critical dimension during the lithography process cannot be reduced. United States Patent No. No. 5,126,192 discloses a method of increasing the electron propagation speed by modifying the dielectric constant of an insulating material in the Pl film heating and pressing lamination method. In addition, Taiwan Patent No. 318996 is described in R.E.
C. C. The present invention relates to improvement of a material of an insulating layer on a copper foil in a backside resin copper foil heating and pressing lamination method.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な目的
は、絶縁層平坦度を向上して基板の銅箔平坦度不良の問
題を解決することにより基板の微細な回路の歩留りを向
上することができる、直接積層の基板の構造と製造方法
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is a main object of the present invention to improve the yield of fine circuits on a substrate by improving the flatness of an insulating layer and solving the problem of poor copper foil flatness on the substrate. It is an object of the present invention to provide a structure and a manufacturing method of a directly laminated substrate.

【0009】本発明のもう一つの目的は、ブラインドバ
イアスへの樹脂充填の歩留りを向上できる、直接積層の
基板の構造と製造方法を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a structure and a manufacturing method of a directly laminated substrate, which can improve the yield of filling a resin into a blind bias.

【0010】本発明のさらにもう一つの目的は、基板の
厚さの一致性を増して基板に環境温度変化による変形を
発生させない直接積層の基板の構造と製造方法を提供す
ることにある。
It is still another object of the present invention to provide a structure and a manufacturing method of a directly laminated substrate in which the consistency of the thickness of the substrate is increased so that the substrate is not deformed due to a change in environmental temperature.

【0011】本発明はさらにまたもう一つの目的は、絶
縁層とコア材に同一材料を使用することにより後続のさ
ん孔工程で基板或いは絶縁層に亀裂を発生させない、直
接積層の基板の構造と製造方法を提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide a structure of a directly laminated substrate which does not crack in a substrate or an insulating layer in a subsequent punching process by using the same material for an insulating layer and a core material. It is to provide a manufacturing method.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、以下
のaからeの各ステップ、即ち、 a.基板のコア材に液体含浸状態の絶縁層を形成するス
テップ、 b.該液体含浸状態の絶縁層を半催化状態となすステッ
プ、 c.半催化状態とした絶縁層を具備した複数のコア材を
接合して多層基板のコア構造を形成するステップ、 d.該多層基板のコア構造の最外層に最外層上に回路パ
ターンを形成するステップ、 e.上記半催化状態とした絶縁層を全催化状態となすス
テップ、 以上のステップを具備することを特徴とする、直接積層
の基板の製造方法としている。請求項2の発明は、前記
aのステップにおいて液体含浸状態の絶縁層が、浸漬、
スピンコーティング、スクリーンコーティング及びロー
ラコーティングのいずれかの方法により形成されること
を特徴とする、請求項1に記載の直接積層の基板の製造
方法としている。請求項3の発明は、直接積層の基板構
造において、複数のコア材と、該複数のコア材の中と上
方に位置し並びに該複数のコア材を包囲する複数の絶縁
層、該複数のコア材の最外層と連接された上記二層の最
外層の回路パターン、以上を具備したことを特徴とす
る、直接積層の基板構造としている。請求項4の発明
は、上記絶縁層が、浸漬、スピンコーティング、スクリ
ーンコーティング及びローラコーティングのいずれかの
方法により形成されることを特徴とする、請求項3に記
載の直接積層の基板構造としている。
According to the first aspect of the present invention, there are provided the following steps a to e: a. Forming an insulating layer in a liquid-impregnated state on a core material of a substrate; b. Bringing the liquid-impregnated insulating layer into a semi-stabilized state; c. Joining a plurality of core materials having a semi-stabilized insulating layer to form a core structure of the multilayer substrate; d. Forming a circuit pattern on the outermost layer of the outermost layer of the core structure of the multilayer substrate; e. A method for manufacturing a directly laminated substrate, comprising the steps of: bringing the above-mentioned semi-transformed insulating layer into a fully-transformed state; The invention according to claim 2 is that, in the step a), the insulating layer in a liquid-impregnated state is dipped,
The method according to claim 1, wherein the substrate is formed by any one of spin coating, screen coating, and roller coating. The invention according to claim 3, wherein in the substrate structure of a direct lamination, a plurality of core materials, a plurality of insulating layers located in and above the plurality of core materials and surrounding the plurality of core materials, A direct laminated substrate structure comprising the above two outermost circuit patterns connected to the outermost layer of the material. According to a fourth aspect of the present invention, the insulating layer is formed by any one of dipping, spin coating, screen coating, and roller coating. .

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明によると、一つのコア材を
提供し、該コア材の上下面に回路パターンを形成し、該
コア材は複数のブラインドバイアスを具備するものとす
る。続いて、該回路パターンの上とブラインドバイアス
中に一層の、エポキシ樹脂を含有する溶剤を形成する。
溶剤の流動性は良好であるため、平坦度の良好な絶縁層
を形成でき且つブラインドバイアス中の空隙を充満する
ことができる。続いてこのエポキシ樹脂を含有する溶剤
に対して加熱を行うことにより内配線パターンの絶縁層
を形成する。続いて、銅箔と絶縁層間の接合を進行し、
それは、上述の絶縁層の上にエポキシ樹脂を含有する樹
脂をスピンコーティングした後に加熱後に半催化状態を
形成した後に、加熱と加圧のステップを進行して絶縁層
と銅箔を接合し、こうして基板の製造を完成する。
According to the present invention, a single core material is provided, and a circuit pattern is formed on upper and lower surfaces of the core material. The core material has a plurality of blind biases. Subsequently, a layer of a solvent containing an epoxy resin is formed on the circuit pattern and during the blind bias.
Since the fluidity of the solvent is good, an insulating layer with good flatness can be formed, and the gap during the blind bias can be filled. Subsequently, the insulating layer of the internal wiring pattern is formed by heating the solvent containing the epoxy resin. Subsequently, the bonding between the copper foil and the insulating layer proceeds,
That is, after a resin containing an epoxy resin is spin-coated on the above-mentioned insulating layer, a semi-epitaxial state is formed after heating, and then a step of heating and pressing is performed to join the insulating layer and the copper foil, and thus, Complete the manufacture of the substrate.

【0014】[0014]

【実施例】本発明は新たな基板絶縁層製造方法を提供
し、該方法において、Aステージ、即ち液体含浸状態の
高分子ポリマーをブラインドバイアスに充填し、ブライ
ンドバイアスに空気を存在させないようにし、且つ絶縁
層材料を液体含浸状態の高分子ポリマーとなすことによ
り回路パターンの上に形成する絶縁層の平坦度を増加す
る。このほか、上述の絶縁層材料を加熱加圧してBステ
ージ、即ち半催化状態の高分子ポリマーとなし、直接最
外層の銅箔を接合する。この方法を運用して製造した基
板は高い平坦度を有して微細な回路の製造に供され、回
路品質と安定度を従来の技術によるものより良好とす
る。以下の実施例は二層及び四層の基板を製造する実施
例であり、本発明の原則と精神を説明するために例示し
たものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention provides a new method of manufacturing a substrate insulating layer, in which the A-stage, that is, a polymer impregnated with a liquid is filled in a blind bias so that air does not exist in the blind bias, In addition, the flatness of the insulating layer formed on the circuit pattern is increased by making the insulating layer material a liquid polymer-impregnated high molecular polymer. In addition, the above-mentioned insulating layer material is heated and pressurized to form a B stage, that is, a semi-polymerized polymer, and the outermost copper foil is directly bonded. A substrate manufactured by using this method is provided for manufacturing a fine circuit with high flatness, and the circuit quality and stability are made better than those obtained by the conventional technology. The following examples are for fabricating two- and four-layer substrates and are provided to illustrate the principles and spirit of the present invention.

【0015】基板の基本構造は一つの絶縁コア材を具備
し、該絶縁コア材はその両面に回路パターンがあり、こ
の回路パターンは設計に応じて製作され、銅箔圧合の後
リソグラフィーで回路パターンを画定しエッチング方式
で形成される。回路パターン間には絶縁層が形成され回
路間の短絡問題の発生を防止し、もし四層の基板を製造
するなら、絶縁層の最外層はもう一組の絶縁コア材、回
路パターン及び絶縁層とされ、一組多い回路パターン及
び絶縁コア材10が二層多い内部回路パターンを形成
し、このようにして実際の需要に応じて内部回路パター
ン層数が増加され、最後に最外層の絶縁層に銅箔が接合
されて多層内部回路パターンの基板が形成される。この
ほか、上述の絶縁コア材に実際の需要に応じて層と層の
間の回路導通孔の設計が設けられ、その位置の違いによ
ってブラインドバイアス(blind bias)、ス
ルーホール(throw hole)、或いは埋め込み
バイアス(burried bias)と称される。
The basic structure of the substrate has one insulating core material, and the insulating core material has a circuit pattern on both sides thereof. The circuit pattern is manufactured according to the design, and after the copper foil is pressed, the circuit is formed by lithography. A pattern is defined and formed by an etching method. Insulating layers are formed between circuit patterns to prevent short circuit problems between circuits, and if a four-layer board is manufactured, the outermost layer of insulating layers is another set of insulating core material, circuit patterns and insulating layers One set of circuit patterns and the insulating core material 10 form two layers of internal circuit patterns. In this way, the number of internal circuit pattern layers is increased according to actual demand, and finally the outermost insulating layer To form a substrate having a multilayer internal circuit pattern. In addition, the above-mentioned insulating core material is provided with a design of a circuit conduction hole between layers according to actual demand, and depending on a difference in the position, a blind bias, a through hole, or a through hole is provided. It is called buried bias.

【0016】第1実施例:第1実施例は本発明の四層基
板実施例である。まず、図4に示されるように、絶縁コ
ア材10を準備し並びにその両面に回路パターン20を
形成する。この絶縁コア材10はエポキシ樹脂、硬化
剤、低応力剤、フィラー及び結合剤等多種材料で組成さ
れ、上述の絶縁コア材中にはブラインドバイアス100
(このブラインドバイアス100は複数あり得るが、本
実施例では僅かに一つが図示されている)、スルーホー
ル(図示せず)或いは埋め込みバイアス(図示せず)の
設計があり、厚さは50Å以上とされる。上述の回路パ
ターン20はその画定、形成後に回路パターン20の銅
に対して黒化がなされる。
First Embodiment: The first embodiment is an embodiment of a four-layer substrate according to the present invention. First, as shown in FIG. 4, an insulating core material 10 is prepared, and a circuit pattern 20 is formed on both surfaces thereof. The insulating core material 10 is composed of various materials such as an epoxy resin, a curing agent, a low-stress agent, a filler and a binder.
(There may be a plurality of blind biases 100, but only one is shown in the present embodiment), there are designs of through holes (not shown) or buried biases (not shown), and the thickness is 50 ° or more. It is said. After the circuit pattern 20 is defined and formed, the copper of the circuit pattern 20 is blackened.

【0017】本発明のポイントを説明する前に、まず本
発明のポイントのステップにおいて高分子ポリマーを製
造する三つのステップを説明を行う。まず、高分子モノ
マー、硬化剤及び催化剤等の材料を混合して液体状の混
合物を形成する。この状態をAステージと称し、これは
即ち液体含浸状態である。次に、Aステージの混合物を
100℃から300℃に加熱し並びに加圧して半分重合
させ、この時の混合物を半固体状態となす。この混合物
の状態をBステージと称し、これは即ち半催化状態であ
る。さらにBステージの混合物を100℃から300℃
に加熱し並びに加圧してこの混合物をほぼ完全に重合さ
せて完全な硬化状態となす。この混合物の状態をCステ
ージと称し、これは即ち全催化状態である。以下の実施
例の説明ではエポキシ樹脂材料で製造した高分子ポリマ
ーの例を以て説明しており、且つA、B、Cステージの
ステップについては説明を省略している。ただし本発明
で使用する高分子ポリマーの代わりにポリイミド、或い
はビスマルイミドトリアジンレジン(bismalei
mide triazine Resin)を使用可能
である。
Before explaining the points of the present invention, three steps for producing a high molecular polymer in the steps of the points of the present invention will be described first. First, materials such as a polymer monomer, a curing agent and an activator are mixed to form a liquid mixture. This state is called an A stage, that is, a liquid impregnated state. Next, the mixture of the A stage is heated from 100 ° C. to 300 ° C. and pressurized to perform half polymerization, and the mixture at this time is in a semi-solid state. This state of the mixture is referred to as the B-stage, which is a semi-stabilized state. Further, the mixture at the B stage is heated to 100 ° C to 300 ° C
The mixture is heated and pressurized to almost completely polymerize the mixture to a completely cured state. This state of the mixture is referred to as C-stage, which is the fully spontaneous state. In the following description of the embodiment, an example of a high molecular polymer made of an epoxy resin material will be described, and the description of the steps of A, B, and C stages will be omitted. However, instead of the polymer used in the present invention, polyimide or bismalimide triazine resin (bismalei) is used.
mid tria Resin) can be used.

【0018】続いて本発明のポイントに入る。図4に示
されるように、浸漬、スピンコーティング方式、スクリ
ーンコーティング方式或いはローラコーティング方式を
使用して、Aステージのエポキシ樹脂500で回路パタ
ーン20とブラインドバイアス100を被覆、充満させ
て回路パターン20上に平坦度の良好なエポキシ樹脂5
00の層を形成する。続いてエポキシ樹脂500をBス
テージとするステップを進行し、エポキシ樹脂500を
半重合状態となし、続いてエポキシ樹脂500部分の半
重合状態を利用して銅箔40と回路パターン20を接合
させる。接合後にエポキシ樹脂500をCステージとす
るステップを進行しエポキシ樹脂500部分を完全に重
合させて完全固化状態となす。
Next, the point of the present invention will be described. As shown in FIG. 4, the circuit pattern 20 and the blind bias 100 are covered and filled with an A-stage epoxy resin 500 using a dipping, spin coating, screen coating, or roller coating method. Epoxy resin 5 with good flatness
A layer of No. 00 is formed. Subsequently, the step of setting the epoxy resin 500 to the B stage proceeds, and the epoxy resin 500 is brought into a semi-polymerized state. Subsequently, the copper foil 40 and the circuit pattern 20 are joined using the semi-polymerized state of the epoxy resin 500 part. After the joining, the step of setting the epoxy resin 500 to the C stage proceeds, and the epoxy resin 500 is completely polymerized to be in a completely solidified state.

【0019】もしエポキシ樹脂500の塗布の厚さが不
十分であれば、上述のエポキシ樹脂500に対してBス
テージとなすステップ或いはCステージとなすステップ
を進行後に、さらに継続して一層のAステージのエポキ
シ樹脂を、上述のBステージ或いはCステージのエポキ
シ樹脂500の上に塗布し、こうしてエポキシ樹脂を重
複して塗布することにより工程要求に符合する厚さとな
し、且つ重複してエポキシ樹脂を塗布する過程により、
回路パターン20上の絶縁層としてのエポキシ樹脂50
0の平坦度がより高くなる。その状況は図7に示され
る。
If the thickness of the applied epoxy resin 500 is insufficient, after the step of forming the B stage or the step of forming the C stage with respect to the above-described epoxy resin 500, the A stage is further continued. Is applied on the above-mentioned B-stage or C-stage epoxy resin 500, and the epoxy resin is applied in this manner so that the thickness does not conform to the process requirements, and the epoxy resin is applied in an overlapping manner. The process of
Epoxy resin 50 as insulating layer on circuit pattern 20
0 has a higher flatness. The situation is shown in FIG.

【0020】以上の方法により形成されるエポキシ樹脂
500の平坦度は良好であり且つその厚さを塗布過程に
より制御することができる。こうして銅箔40を接合す
るときに銅箔40を平坦に保持することが可能となり、
回路パターン20の形成する高低差による銅箔40の平
坦度への影響を発生させない。且つ上述のエポキシ樹脂
500の厚さは、工程要求に応じてAステージのエポキ
シ樹脂を重複塗布することにより調整でき、且つその平
坦度も増すことができる。本発明はまたブラインドバイ
アスのない設計や単層の回路パターン設計の基板にも運
用可能である。
The flatness of the epoxy resin 500 formed by the above method is good and its thickness can be controlled by the coating process. Thus, when joining the copper foil 40, the copper foil 40 can be kept flat,
The level difference formed by the circuit pattern 20 does not affect the flatness of the copper foil 40. In addition, the thickness of the above-described epoxy resin 500 can be adjusted by overlapping application of the A-stage epoxy resin according to process requirements, and the flatness thereof can be increased. The present invention can also be applied to a substrate without a blind bias or a single-layer circuit pattern design.

【0021】第2実施例:第2実施例は6層基板を例と
して本発明を応用し多層基板を製造する方法を説明する
実施例である。まず、図5に示されるように、一つの絶
縁コア材10を製造し並びにその両面に回路パターン2
0を形成する。この絶縁コア材10と回路パターン20
の組成成分は第1実施例のものと同じである。
Second Embodiment A second embodiment is an example for explaining a method of manufacturing a multi-layer substrate by applying the present invention, taking a six-layer substrate as an example. First, as shown in FIG. 5, one insulating core material 10 is manufactured, and the circuit patterns 2 are formed on both sides thereof.
0 is formed. The insulating core material 10 and the circuit pattern 20
Are the same as those of the first embodiment.

【0022】続いて、この応用実施例のポイントを説明
する。図5に示されるように、浸漬、スピンコーティン
グ方式、スクリーンコーティング方式或いはローラコー
ティング方式を使用して、Aステージのエポキシ樹脂5
00で回路パターン20を被覆すると共にブラインドバ
イアス100を充満して回路パターン20上に平坦度の
良好なエポキシ樹脂500の層を形成する。このときA
ステージのエポキシ樹脂は液状であるため、エポキシ樹
脂500は完全にブラインドバイアス100中に充満
し、且つ回路パターン20上に形成されるエポキシ樹脂
500の層の平坦度は良好である。しかしもしエポキシ
樹脂500の塗布厚さが不十分であれば、第1実施例中
で述べたエポキシ樹脂塗布のステップを重複して進行す
ることにより、絶縁層の厚さを増加する。本実施例でも
エポキシ樹脂500の代わりにポリイミド、或いはビス
マルイミドトリアジンレジン(bismaleimid
etriazine Resin)を使用可能である。
Next, the points of this application embodiment will be described. As shown in FIG. 5, the epoxy resin 5 of the A stage is immersed, spin-coated, screen-coated or roller-coated.
00 covers the circuit pattern 20 and fills the blind bias 100 to form a layer of epoxy resin 500 with good flatness on the circuit pattern 20. At this time A
Since the epoxy resin of the stage is in a liquid state, the epoxy resin 500 is completely filled in the blind bias 100 and the flatness of the layer of the epoxy resin 500 formed on the circuit pattern 20 is good. However, if the thickness of the epoxy resin 500 is insufficient, the thickness of the insulating layer is increased by repeating the steps of applying the epoxy resin described in the first embodiment. Also in this embodiment, instead of the epoxy resin 500, polyimide or bismalimide triazine resin (bismalemid) is used.
etriazine Resin) can be used.

【0023】続いて、図5に示されるように、上述のよ
うにして製造完成した絶縁コア材10、回路パターン2
0及びエポキシ樹脂500で組成された積層体を二つ製
造した後、エポキシ樹脂500の最外層をBステージに
保持して接合能力を維持させ、これによりその他の接合
材料を塗布することなく直接接合を進行し、図5に示さ
れるように、二つの積層体の接合を完成した後に、最外
層の未接合面のエポキシ樹脂500がBステージである
ことを利用し、第1実施例と同様に、直接銅箔40との
接合を行った後、Cステージとするステップを進行して
エポキシ樹脂500を硬化させる。図5に示される構造
をこうして結合させた後、さらに孔開けを進行し(図示
せず)、こうして本実施例の六層基板用の積層コア構造
を完成する。本実施例中の銅箔40は化学銅めっき方式
でも形成可能であり、並びにリソグラフィー及びエッチ
ング方式で最外層の回路パターン22を形成し、こうし
て六層のプリント基板を完成する。完成したプリント基
板の構造は図6に示されるとおりである。
Subsequently, as shown in FIG. 5, the insulating core material 10 and the circuit pattern 2 manufactured and completed as described above are formed.
After manufacturing two laminates composed of the epoxy resin 500 and the epoxy resin 500, the outermost layer of the epoxy resin 500 is held on the B stage to maintain the bonding ability, thereby directly bonding without applying other bonding materials. As shown in FIG. 5, after the joining of the two laminates is completed, as shown in FIG. 5, utilizing the fact that the epoxy resin 500 on the unjoined surface of the outermost layer is a B stage, the same as in the first embodiment, After the direct bonding with the copper foil 40, the step of setting to the C stage is advanced to cure the epoxy resin 500. After bonding the structure shown in FIG. 5 in this manner, further drilling is performed (not shown), thus completing the laminated core structure for a six-layer substrate of this embodiment. The copper foil 40 in this embodiment can also be formed by a chemical copper plating method, and the outermost circuit pattern 22 is formed by a lithography and etching method, thus completing a six-layer printed circuit board. The structure of the completed printed circuit board is as shown in FIG.

【0024】本実施例の第1実施例と異なるところは以
下のとおりである。即ち、銅箔40或いは最外層の回路
パターン22の間に本実施例では第1実施例より二層多
い回路パターン20と絶縁コア材10があることであ
る。
The difference between this embodiment and the first embodiment is as follows. That is, in this embodiment, there are two more circuit patterns 20 and the insulating core material 10 than the first embodiment between the copper foil 40 or the outermost circuit pattern 22.

【0025】[0025]

【発明の効果】総合すると、本発明の提供する直接積層
の基板の構造と製造方法は周知の技術に較べて以下のよ
うな優れた点を有している。 1.本実施例により製造した絶縁層の平坦度は良好で、
このため接合する銅箔の平坦度について考える必要がな
く、基板上の細微な回路の製造に適合している。 2.絶縁層の原料が液体状態とされ、このためブライン
ドバイアス中に提供される樹脂量が周知のドライフィル
ムを使用する方法よりも多く、容易にブラインドバイア
スを充満させられ、空気の残存による現象を発生させな
い。 3.電子信号の伝送速度と伝送一致性は絶縁層の材質性
質と材質厚さに関係するため、本発明においては重複塗
布過程により絶縁層を形成する方式により絶縁層の厚さ
の均一性を制御している。 4.絶縁層の材質と絶縁コア材の材質が同じであるた
め、後続のさん孔工程で、各層の材質の違いによる応力
を考える必要がなく、ゆえに工程で考慮しなければなら
ない因子が減り、要求される技術程度がそれだけ低くな
り、このため製品の歩留りが向上する。 5.液体塗布方式により基板の厚さを増加し、並びに基
板の均一性を増加できる。
In summary, the structure and manufacturing method of the direct laminated substrate provided by the present invention have the following advantages as compared with known techniques. 1. The flatness of the insulating layer manufactured according to this embodiment is good,
For this reason, there is no need to consider the flatness of the copper foil to be joined, and the present invention is suitable for manufacturing fine circuits on a substrate. 2. The material of the insulating layer is in a liquid state, so the amount of resin provided during the blind bias is larger than the method using a well-known dry film, the blind bias can be easily filled, and the phenomenon caused by the remaining air occurs. Do not let. 3. Since the transmission speed and transmission consistency of an electronic signal are related to the material properties and material thickness of the insulating layer, in the present invention, the uniformity of the thickness of the insulating layer is controlled by a method of forming the insulating layer by an overlapping coating process. ing. 4. Since the material of the insulating layer and the material of the insulating core material are the same, it is not necessary to consider the stress due to the difference in the material of each layer in the subsequent punching process, and therefore the factors that need to be considered in the process are reduced and required. Technology is correspondingly lower, which improves product yield. 5. The liquid coating method can increase the thickness of the substrate and increase the uniformity of the substrate.

【0026】当然、以上の説明は僅かに本発明の基板構
造と製造工程の望ましい実施例に関するものであり、本
発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に係る
技術に習熟する者が本発明に基づき容易になしうる改修
はいずれも本発明の範囲に属し、本発明の保護範囲はそ
の特許請求の範囲の記載により決定される。
Of course, the above description is only slightly related to the preferred embodiment of the substrate structure and manufacturing process of the present invention, and does not limit the scope of the present invention. All modifications that can be easily made based on the present invention belong to the scope of the present invention, and the protection scope of the present invention is determined by the description of the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】周知のプリプレグ加熱加圧積層法による基板構
造表示図である。
FIG. 1 is a view showing a substrate structure by a well-known prepreg heating / pressing lamination method.

【図2】周知のPlフィルム加熱加圧積層法による基板
構造表示図である。
FIG. 2 is a view showing a substrate structure by a well-known Pl film heating / pressing lamination method.

【図3】周知のR.C.C.背面樹脂銅箔加熱加圧積層
法による基板構造表示図である。
FIG. C. C. It is a board | substrate structure display figure by the back pressure resin copper foil heating-pressure lamination method.

【図4】本発明の第1実施例において直接積層した基板
構造表示図である。
FIG. 4 is a view showing a structure of a substrate directly laminated in the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第2実施例において直接積層した基板
構造表示図である。
FIG. 5 is a view showing a structure of a substrate directly laminated in a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第2実施例において直接積層した基板
構造表示図である。
FIG. 6 is a view showing a structure of a substrate directly laminated in a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明におけるエポキシ樹脂の重複塗布状況表
示図である。
FIG. 7 is a view showing a state of overlapping application of an epoxy resin in the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 コア材 20 回路パターン 21 回路パターン 22 最外層回路パタ
ーン 30 エポキシ樹脂のプリプレグ 40 銅箔 50 ポリイミド 51 ポリイ
ミド 52 ポリイミド 60 エポキ
シ樹脂 100 ブラインドバイアス 500 エポ
キシ樹脂
Reference Signs List 10 core material 20 circuit pattern 21 circuit pattern 22 outermost layer circuit pattern 30 epoxy resin prepreg 40 copper foil 50 polyimide 51 polyimide 52 polyimide 60 epoxy resin 100 blind bias 500 epoxy resin

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/12 N Fターム(参考) 5E346 AA06 AA12 AA15 AA22 AA26 BB01 CC08 CC10 DD03 DD12 DD32 EE31 GG22 GG28 HH11 HH33 5F033 HH11 QQ00 QQ74 RR21 RR22 SS22 XX01 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat II (reference) H01L 23/12 NF term (reference) 5E346 AA06 AA12 AA15 AA22 AA26 BB01 CC08 CC10 DD03 DD12 DD32 EE31 GG22 GG28 HH11 HH33 5F033 HH11 QQ00 QQ74 RR21 RR22 SS22 XX01

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 以下のaからeの各ステップ、即ち、 a.基板のコア材に液体含浸状態の絶縁層を形成するス
テップ、 b.該液体含浸状態の絶縁層を半催化状態となすステッ
プ、 c.半催化状態とした絶縁層を具備した複数のコア材を
接合して多層基板のコア構造を形成するステップ、 d.該多層基板のコア構造の最外層に最外層上に回路パ
ターンを形成するステップ、 e.上記半催化状態とした絶縁層を全催化状態となすス
テップ、 以上のステップを具備することを特徴とする、直接積層
の基板の製造方法。
1. Each of the following steps a to e: a. Forming an insulating layer in a liquid-impregnated state on a core material of a substrate; b. Bringing the liquid-impregnated insulating layer into a semi-stabilized state; c. Joining a plurality of core materials having a semi-stabilized insulating layer to form a core structure of the multilayer substrate; d. Forming a circuit pattern on the outermost layer of the outermost layer of the core structure of the multilayer substrate; e. A method for manufacturing a directly laminated substrate, comprising the steps of: bringing the above-mentioned semi-saturated insulating layer into a fully-saturated state;
【請求項2】 前記aのステップにおいて液体含浸状態
の絶縁層が、浸漬、スピンコーティング、スクリーンコ
ーティング及びローラコーティングのいずれかの方法に
より形成されることを特徴とする、請求項1に記載の直
接積層の基板の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein the insulating layer in the liquid-impregnated state in the step a) is formed by any one of dipping, spin coating, screen coating and roller coating. A method for manufacturing a laminated substrate.
【請求項3】 直接積層の基板構造において、 複数のコア材と、 該複数のコア材の中と上方に位置し並びに該複数のコア
材を包囲する複数の絶縁層、 該複数のコア材の最外層と連接された上記二層の最外層
の回路パターン、 以上を具備したことを特徴とする、直接積層の基板構
造。
3. A directly laminated substrate structure, comprising: a plurality of core members; a plurality of insulating layers located in and above the plurality of core members and surrounding the plurality of core members; A circuit structure of a direct lamination, comprising: the two outermost circuit patterns connected to the outermost layer.
【請求項4】 上記絶縁層が、浸漬、スピンコーティン
グ、スクリーンコーティング及びローラコーティングの
いずれかの方法により形成されることを特徴とする、請
求項3に記載の直接積層の基板構造。
4. The direct laminated substrate structure according to claim 3, wherein the insulating layer is formed by any one of dipping, spin coating, screen coating and roller coating.
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