【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜を備え、前記層間絶縁膜に所定のピッチで配列され且つ開口された複数の窓に対応する位置であって、前記半導体基板内に形成された第２導電型の不純物からなる複数の第２導電型の拡散領域と、前記層間絶縁膜上及び各拡散領域上に所定のパターンで形成され、前記各拡散領域にそれぞれ接続する複数の個別電極を備えるＬＥＤアレイチップにおいて、
前記各個別電極は、前記拡散領域とのオーミック接続のために前記拡散領域の一部を覆うように前記拡散領域上及びその近傍の層間絶縁膜上に形成されるコンタクト部と、該コンタクト部と接続された配線部とを有し、
前記コンタクト部の電極膜厚は、前記配線部の電極膜厚より薄く形成したことを特徴とするＬＥＤアレイチップ。
【請求項２】
請求項１記載のＬＥＤアレイチップにおいて、前記層間絶縁膜は、第２導電型の拡散領域を形成するための拡散マスクと、該拡散マスク上に設けられた、さらに他の絶縁膜とからなることを特徴とするＬＥＤアレイチップ。
【請求項３】
第１導電型の半導体基板上に、所定のピッチで配列され且つ開口された複数の拡散窓を有する拡散マスクを層間絶縁膜の全部若しくは一部として形成する工程と、
前記各拡散窓を介して第２導電型の不純物を前記半導体基板に拡散することにより複数の第２導電型の拡散領域を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上及び前記各拡散領域上に所定のパターンで形成され、前記各拡散領域にそれぞれ接続する複数の個別電極を形成する工程を具備し、
前記個別電極形成工程は、前記拡散領域とのオーミック接続のために前記拡散領域の一部を覆うように前記拡散領域上及びその近傍の層間絶縁膜上に形成されるコンタクト部と、前記層間絶縁膜上に形成され前記コンタクト部と接続された配線部とからなる個別電極を形成し、前記コンタクト部の電極膜厚を、前記配線部の電極膜厚より薄く形成することを特徴とするＬＥＤアレイチップの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のＬＥＤアレイチップの製造方法において、
前記個別電極形成工程は、
先ず、少なくとも、前記コンタクト部の形成予定領域と、それに連なる配線部の形成予定領域の一部に対応する領域に、膜厚の薄い導体膜のパターンを形成する第１の工程と、
次いで、前記配線部の形成予定領域に、膜厚の厚い導体膜のパターンを形成する第２の工程とを、具備することを特徴とするＬＥＤアレイチップの製造方法。
【請求項５】
請求項３記載のＬＥＤアレイチップの製造方法において、
前記個別電極形成工程は、
先ず、前記配線部の形成予定領域に、膜厚の厚い導体膜のパターンを形成する第１の工程と、
次いで、少なくとも、前記コンタクト部の形成予定領域と、それに連なる配線部の形成予定領域の一部に対応する領域に、膜厚の薄い導体膜のパターンを形成する第２の工程とを、具備することを特徴とするＬＥＤアレイチップの製造方法。
【請求項６】
請求項３記載のＬＥＤアレイチップの製造方法において、前記拡散マスク上に、さらに他の絶縁膜を形成し、前記拡散マスク及び前記他の絶縁膜とで前記層間絶縁膜を構成したことを特徴とするＬＥＤアレイチップの製造方法。
[Claims]
[Claim 1]
A position corresponding to a plurality of windows having a first conductive type semiconductor substrate and an interlayer insulating film formed on the semiconductor substrate, arranged at a predetermined pitch in the interlayer insulating film, and opened. A plurality of second conductive type diffusion regions made of second conductive type impurities formed in the semiconductor substrate, and a predetermined pattern formed on the interlayer insulating film and each diffusion region are formed in the respective diffusion regions, respectively. In an LED array chip having a plurality of individual electrodes to be connected,
Each of the individual electrodes has a contact portion formed on the interlayer insulating film on or near the diffusion region so as to cover a part of the diffusion region for ohmic connection with the diffusion region , and the contact portion. Has a connected wiring section
The electrode film thickness of the contact portion, LED array chip, characterized in that formed thinner than the electrode thickness of the wiring portion.
2.
In the LED array chip according to claim 1, wherein said interlayer insulating film, it consists of a diffusion mask for forming a diffusion region of a second conductivity type, provided on said diffusion mask, and yet another insulating film LED array chip according to claim.
3.
A step of forming a diffusion mask having a plurality of diffusion windows arranged at a predetermined pitch and opened on the first conductive type semiconductor substrate as all or a part of the interlayer insulating film.
A step of forming a plurality of second conductive type diffusion regions by diffusing second conductive type impurities onto the semiconductor substrate through the respective diffusion windows, and a step of forming a plurality of second conductive type diffusion regions.
A step of forming a plurality of individual electrodes formed in a predetermined pattern on the interlayer insulating film and on each of the diffusion regions and connecting to each of the diffusion regions is provided.
The individual electrode forming step, a contact portion formed on the diffusion on the diffusion region to cover a portion of the diffusion region for ohmic connection between the region and its vicinity of the interlayer insulating film, between said layer An individual electrode formed on the insulating film and composed of a wiring portion connected to the contact portion is formed, and the electrode film thickness of the contact portion is formed to be thinner than the electrode film thickness of the wiring portion. A method for manufacturing an LED array chip.
4.
In the method for manufacturing an LED array chip according to claim 3.
The individual electrode forming step is
First, at least, a first step of forming a pattern of a conductor film having a thin film thickness in a region corresponding to at least a region corresponding to a region to be formed of the contact portion and a region to be formed of a wiring portion connected thereto.
Next, a method for manufacturing an LED array chip, which comprises a second step of forming a pattern of a conductor film having a thick film thickness in a region to be formed of the wiring portion.
5.
In the method for manufacturing an LED array chip according to claim 3.
The individual electrode forming step is
First, the first step of forming a pattern of a thick conductor film in the region to be formed of the wiring portion, and
Next, at least a second step of forming a pattern of a conductor film having a thin film thickness is provided in a region corresponding to a region to be formed of the contact portion and a part of the region to be formed of the wiring portion connected thereto. A method for manufacturing an LED array chip.
6.
The method for manufacturing an LED array chip according to claim 3 is characterized in that another insulating film is further formed on the diffusion mask, and the interlayer insulating film is formed by the diffusion mask and the other insulating film. A method for manufacturing an LED array chip.