JP2001087411A - ダイオキシン類除染方法及びダイオキシン類処理装置 - Google Patents
ダイオキシン類除染方法及びダイオキシン類処理装置Info
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Abstract
て用いることが可能なダイオキシン類除染方法及びダイ
オキシン類処理装置を提供する。 【解決手段】 ダイオキシン類により汚染された構造物
を周囲環境から遮断し、構造物のダイオキシン類により
汚染された内面に除染剤を噴霧する工程101と、除染
剤に溶解したダイオキシン類化合を光触媒を用いて光分
解する工程102,103と、光分解後の除染剤を内面
に再度噴霧させるために再循環させる工程105とを含
むことを特徴とする。
Description
より汚染された構造体からダイオキシン類を除去するた
めのダイオキシン類除染方法及びダイオキシン類処理装
置に関する。
シン類の発生が社会的に大きな問題となっている。ダイ
オキシン類は、その毒性の強さや体内への蓄積性等か
ら、汚染を放置した場合人体や自然環境への深刻な影響
が懸念される。このような背景を受けて、ダイオキシン
類の除去・分解技術が数多く提案されてきている。しか
しながら、それら技術の大半は、焼却施設稼動時のダイ
オキシン類排出抑制技術であり、焼却場設備の解体工事
や焼却プラント等の撤去工事時に構造体内に残留、すな
わち焼却場設備に付着して汚染を生じさせているダイオ
キシン類の除去技術や分解・無害化のための対策技術に
ついては、ほとんど提案されていないのが現状である。
分解技術としては、これまで完全燃焼法、熱分解処理
法、溶融処理法、光分解法、触媒分解法、微生物分解
法、超臨界流体分解法等が提案されている。これらの技
術を実際の焼却場設備の解体工事や焼却プラントの撤去
工事時の付着汚染ダイオキシン類対策として適用した場
合、以下の問題点があることが判明している。
触媒分解法は、焼却施設稼動時のダイオキシン類の発生
を抑制するための技術であり、解体や撤去工事時の対策
技術として適用することが妥当ではない。
接照射、或いは酸化チタン等の光触媒の使用によってダ
イオキシン類を分解する技術である。これらの光分解法
及び触媒分解法は、処分場の浸出水や汚染土壌、紙パル
プ工場において発生したダイオキシン類の分解技術とし
て適用された例があるものの、解体や撤去工事時の対策
技術、つまり、構造物等の内部に付着して汚染している
ダイオキシン類の除去・分解技術として直接適用するの
は、実施手法及び設備コストの点から困難である。
加により、ダイオキシン類分解微生物の分解能力を賦活
化させて、ダイオキシン類を分解・無害化させるもので
あり、解体や撤去工事時の対策技術としても、充分に適
用のメリットがある方法である。しかしながら、この微
生物分解法には、ダイオキシン類の塩素置換体が多くな
るにつれ分解効率が低下するといった報告もあるため、
ダイオキシン類の分解効率を意図的に制御することが困
難であるといった問題点がある。
殊な反応系を利用してダイオキシンを分解する技術で、
現在注目を集めている。しかしながら、超臨界状態は、
高温・高圧という特殊な条件下で形成されるため、常温
・常圧下で実施される現場での除去・分解技術に対して
用いることが設備面及び設備コスト等の面から非常に困
難である。
は、主としてその目的が焼却施設稼動時のダイオキシン
類の発生を抑制するものが大半を占め、構造体の内部に
付着したダイオキシン類を除去する観点から検討が加え
られた例はほとんどない。構造体の内部に付着したダイ
オキシン類を除去するためには、溶媒によりダイオキシ
ン類を溶解又は抽出することが効果的である。ダイオキ
シン類の有機溶媒への溶解に関しては、多くの研究報告
がなされているが、そのほとんどは機器分析を行う際の
前処理、すなわち試料からダイオキシン類を選択的に抽
出する方法に関しての基礎研究である。また、ダイオキ
シン類によって汚染された土壌からダイオキシン類を有
機溶媒によって除去することを目的とした検討が行われ
ているものの(E. J. Dougherty et. al., Sorption pr
ocesses of 2,3,7,8-tetrachlorodibenzo-p-dioxine on
soil in the presence of organic liquids, J. Hazar
d Matr., Vol 38, No. 3, pp.405-421, 1994)、これは
あくまでも各種有機溶媒存在下で、土壌−ダイオキシン
類間の吸脱着に関する速度論的研究を主とする物理化学
的性質を解明するための基礎研究であり、ダイオキシン
類の洗浄・除去技術については何ら開示するものではな
い。
工事に先立って焼却場設備等の内面に付着して汚染した
ダイオキシン類を迅速かつ簡便に分解・無害化でき、低
コスト、かつ安全性のより向上したダイオキシン類除染
方法及びダイオキシン類処理装置が必要とされている。
解体等に先だって、焼却場設備のダイオキシン類によっ
て汚染された部分、具体的には焼却場設備の内面に付着
ないし吸着したダイオキシン類を有機溶媒/水の混合溶
液から得られる除染剤にダイオキシン類を溶解させるこ
とで洗浄・除去を行いつつ、その除染剤中のダイオキシ
ン類を光分解法を用いて分解させ、その後除染剤を再生
することで除染剤を再利用するといったダイオキシン類
の分解・無害化のための一連のシステムを提供するもの
である。すなわち、本発明は、構造物に付着して汚染を
生じさせているダイオキシン類を溶解・除去する除染剤
を用い、ダイオキシン類を除染剤に溶解させた後、除染
剤に溶解したダイオキシン類を分解・無害化すると共
に、除染剤を再生して該除染剤を再循環させることによ
り、焼却施設の解体工事や焼却プラント等の撤去工事に
先立って施工する必要のある、作業上の安全確保及び汚
染拡大防止対策として用いることが可能なダイオキシン
類除染方法及びダイオキシン類処理装置を提供すること
を目的とする。
発明のダイオキシン類の除染方法及びダイオキシン類処
理装置を提供することによって達成される。
ば、ダイオキシン類により汚染された構造物を周囲環境
から遮断し、上記構造物のダイオキシン類により汚染さ
れた部分に除染剤を噴霧して除染剤に上記ダイオキシン
類を溶解させ、上記除染剤中に含まれる上記ダイオキシ
ン類を光分解処理し、光分解処理後の上記除染剤を上記
部分に再度噴霧させるために再循環させることを特徴と
するダイオキシン類除染方法が提供される。
染剤は、水と、溶媒と、酸化剤とを含有することを特徴
とするダイオキシン類除染方法が提供される。
媒は、アルコール系溶媒とされていることを特徴とする
ダイオキシン類除染方法が提供される。
分解は、上記酸化剤の添加と紫外光線とにより開始され
る光分解反応を用いることを特徴とするダイオキシン類
除染方法が提供される。
分解は、光触媒を用いた光分解反応を用いることを特徴
とするダイオキシン類除染方法が提供される。
分解は、紫外光線により上記酸化剤を分解することによ
り開始される光分解反応及び光触媒を用いた光分解反応
を用いることを特徴とするダイオキシン類除染方法が提
供される。
触媒は、TiO2、SrTiO3、KTaO3、SnO
2、Nb2O5、WO3、Fe2O3、Bi2O3、F
eTiO3、MnTiO3、BaTiO3、ZnO、I
n2O3、V2O5、NbO 2、CaTiO3、SrN
b2O6、酸化ジルコニウム、及びこれらの化合物の2
種以上の混合物からなる群から任意に選択されることを
特徴とするダイオキシン類除染方法が提供される。
媒は、オクタノールとされることを特徴とするダイオキ
シン類除染方法が提供される。
染剤の再循環前に上記除染剤を活性炭で吸着処理するこ
とにより再生することを特徴とするダイオキシン類除染
方法が提供される。
構造体は、焼却場設備とされていることを特徴とするダ
イオキシン類除染方法が提供される。
オキシン類により汚染された焼却場設備の構造物を周囲
環境から遮断するための部材と、上記構造物のダイオキ
シン類により汚染された部分に、水と、溶媒と、酸化剤
とを含有し上記ダイオキシン類を溶解する除染剤を噴霧
するための噴霧装置と、上記除染剤に溶解した上記ダイ
オキシン類を光分解処理するための光分解手段と、上記
光分解処理後の上記除染剤を上記部分に再度噴霧させる
ため上記噴霧装置へと上記除染剤を再循環させるための
再循環装置とを備えることを特徴とするダイオキシン類
処理装置が提供される。
溶媒は、アルコール系溶媒とされていることを特徴とす
るダイオキシン類処理装置が提供される。
ダイオキシン類を光分解するための光分解手段は、光触
媒を含んで構成され、さらに該光触媒に光線を照射する
ための照射装置と、上記処理装置の内容物を撹拌するた
めの撹拌装置とを有することを特徴とするダイオキシン
類処理装置が提供される。
光分解手段は、太陽光線を集光するための集光装置を備
えることを特徴とするダイオキシン類処理装置が提供さ
れる。
光触媒は、TiO2、SrTiO3、KTaO3、Sn
O2、Nb2O5、WO3、Fe2O3、Bi2O3、
FeTiO3、MnTiO3、BaTiO3、ZnO、
In2O3、V2O5、NbO2、CaTiO3、Sr
Nb2O6、酸化ジルコニウム、及びこれらの化合物の
2種以上の混合物からなる群から任意に選択されること
を特徴とするダイオキシン類処理装置が提供される。
除染剤の再循環前に上記除染剤を活性炭で吸着処理する
ことにより再生するための再生装置を備えることを特徴
とするダイオキシン類処理装置が提供される。
溶媒は、オクタノールとされていることを特徴とするダ
イオキシン類処理装置が提供される。
説明する。図1には、本発明のダイオキシン類除染方法
のフローチャートを示す。本発明のダイオキシン類除染
方法は、本発明に用いる除染剤をダイオキシン類が付着
した焼却場設備といった構造物の汚染された部分、具体
的には構造物の内面に噴霧する工程101と、ダイオキ
シン類を分解するためのダイオキシン分解I工程102
及びダイオキシン分解II工程103と、除染剤再生工
程104と、除染剤循環工程105とを含んで構成する
ことが可能である。以下、各工程に沿って本発明のダイ
オキシン類除染方法及びダイオキシン類処理装置につい
て説明する。
除染剤は、有機溶媒と水とを混合し、この混合溶媒に対
しダイオキシン類の光分解における分解効率を向上させ
るための酸化剤を添加して製造することができる。
用いることができ、このような有機溶媒としては、具体
的には例えば、アミルベンゼン、イソプロピルベンゼ
ン、エチルベンゼン、キシレン、ジエチルベンゼン、シ
クロヘキセン、シクロペンタン、ジペンテン、ジメチル
ナフタレン、シメン類、樟脳油、石油エーテル、石油ベ
ンジン、ソルベントナフサ、デカリン、デカン、テトラ
リン、テレピン油、灯油、ドデカン、ドデシルベンゼ
ン、トルエン、ナフタレン、ノナン、パインオイル、ピ
ネン、メチルシクロヘキサン、p−メンタン、リグロイ
ンといった炭化水素系溶剤を挙げることができる。
て悪影響を与えない範囲において、また焼却場設備が再
度ゴミ等の焼却に用いられず、ダイオキシン類を発生さ
せる可能性がない場合には、2−エチルヘキシルクロリ
ド、塩化アミル、塩化イソプロピル、塩化エチル、塩化
ナフタレン、塩化ブチル、塩化ヘキシル、塩化メチル、
塩化メチレン、o−クロロトルエン、p−クロロトルエ
ン、クロロベンゼン、四塩化炭素、ジクロロエタン、ジ
クロロエチレン、ジクロロトルエン、ジクロロブタン、
ジクロロプロパン、ジクロロベンゼン、ジブロモエタ
ン、ジブロモブタン、ジブロモプロパン、ジブロモベン
ゼン、ジブロモペンタン、臭化アリル、臭化イソプロピ
ル、臭化エチル、臭化オクチル、臭化ブチル、臭化プロ
ピル、臭化メチル、臭化ラウリル、テトラクロロエタ
ン、テトラクロロエチレン、テトラブロモエタン、テト
ラメチレンクロロブロミド、トリクロロエタン、トリク
ロロエチレン、トリクロロベンゼン、ブロモクロロエタ
ン、1−ブロモ−3−クロロプロパン、ブロモナフタレ
ン、ブロモベンゼン、ヘキサクロロエタン、ペンタメチ
レンクロロブロミド等のハロゲン化炭化水素系溶剤を用
いることが可能である。
コール、アリルアルコール、イソアミルアルコール、イ
ソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、ウンデ
カノール、エタノール、2−エチルブタノール、2−エ
チルヘキサノール、2−オクタノール、n−オクタノー
ル、グリシドール、シクロヘキサノール、3,5,−ジ
メチル−1−ヘキシン−3−オール、n−デカノール、
テトラヒドロフルフリルアルコール、α−テルピネオー
ル、ネオペンチルアルコール、ノナノール、フーゼル
油、ブタノール、フルフリルアルコール、プロパギルア
ルコール、プロパノール、ヘキサノール、ヘプタノー
ル、ベンジルアルコール、ペンタノール、メタノール、
メチルシクロヘキサノール、2−メチル−1−ブタノー
ル、3−メチル−2−ブタノール、3−メチル−1−ブ
チン−3−オール、4−メチル−2−ペンタノール、3
−メチル−1−ペンチン−3−オールといったアルコー
ル類も挙げることができる。
ル、エチルイソアミルエーテル、エチル−t−ブチルエ
ーテル、エチルベンジルエーテル、エポキシブタン、ク
ラウンエーテル類、クレジルメチルエーテル、ジイソア
ミルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジエチルアセ
タール、ジエチルエーテル、ジオキサン、1,8−シネ
オール、ジフェニルエーテル、ジブチルエーテル、ジプ
ロピルエーテル、ジベンジルエーテル、ジメチルエーテ
ル、テトラヒドロピラン、テトラヒドロフラン、トリオ
キサン、ビス(2−クロロエチル)エーテル、フェネト
ール、ブチルフェニルエーテル、フラン、フルフラー
ル、メチラール、メチル−t−ブチルエーテル、メチル
フラン、モノクロロジエチルエーテルといったエーテル
・アセタール系溶剤も挙げることができる。
ン、アセトアルデヒド、アセトフェノン、アセトン、イ
ソホロン、エチル−n−ブチルケトン、ジアセトンアル
コール、ジイソブチルケトン、ジイソプロピルケトン、
ジエチルケトン、シクロヘキサノン、ジ−n−プロピル
ケトン、ホロン、メシチルオキシド、メチル−n−アミ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケト
ン、メチルシクロヘキサノン、メチル−n−ブチルケト
ン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ヘキシ
ルケトン、メチル−n−へプチルケトンといったケトン
・アルデヒド系溶剤も同様に用いることができる。
は、さらにアジピン酸ジエチル、アジピン酸ジオクチ
ル、アセチルクエン酸トリエチル、アセチルクエン酸ト
リブチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸アリル、アセ
ト酢酸メチル、アビエチン酸メチル、安息香酸エチル、
安息香酸ブチル、安息香酸プロピル、安息香酸ベンジ
ル、安息香酸メチル、イソ吉草酸イソアミル、イソ吉草
酸エチル、ギ酸イソアミル、ギ酸イソブチル、ギ酸エチ
ル、ギ酸ブチル、ギ酸プロピル、ギ酸ヘキシル、ギ酸ベ
ンジル、ギ酸メチル、クエン酸トリブチル、ケイ皮酸エ
ステル、ケイ皮酸メチル、ケイ皮酸エチル、酢酸アミ
ル、酢酸アリル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、酢
酸イソプロピル、酢酸エチル、酢酸−2−エチルヘキシ
ル、酢酸シクロヘキシル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、
酢酸ベンジル、酢酸メチル、酢酸メチルシクロヘキシ
ル、サリチル酸イソアミル、サリチル酸ベンジル、サリ
チル酸メチル、サリチル酸エチル、蓚酸ジアミル、蓚酸
ジエチル、蓚酸ジブチル、酒石酸ジエチル、酒石酸ジブ
チル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸エチル、ステ
アリン酸ブチル、セパシン酸ジオクチル、セパシン酸ジ
ブチル、炭酸ジエチル、炭酸ジフェニル、炭酸ジメチ
ル、乳酸アミル、乳酸エチル、乳酸メチル、フタル酸ジ
エチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、フタ
ル酸ジメチル、γ−ブチロラクトン、プロピオン酸イソ
アミル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プ
ロピオン酸エチル、プロピオン酸ベンジル、プロピオン
酸メチル、ホウ酸エステル類、マレイン酸ジオクチル、
マレイン酸ジブチル、マロン酸ジイソプロピル、マロン
酸ジエチル、マロン酸ジメチル、酪酸イソアミル、酪酸
イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸メチル、
燐酸エステル類といったエステル系溶剤も挙げることが
できる。
ル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレング
リコールジアセタート、エチレングリコールジブチルエ
ーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノアセタート、エチレングリコールモノ
イソプロピルエータル、エチレングリコールモノエチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
タート、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エ
チレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコ
ールモノブチルエーテルアセタート、エチレングリコー
ルモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルア
セタート、エチレングリコールモノメトキシメチルエー
テル、エチレンクロロヒドリン、1,3−オクチレング
リコール、グリセリン、グリセリン1,3−ジアセター
ト、グリセリンジアルキルエーテル、グリセリン脂肪酸
エステル、グリセリントリアセタート、グリセリントリ
ラウラート、グリセリンモノアセタート、2−クロロ−
1,3−プロパンジオール、3−クロロ−1,2−プロ
パンジオール、ジエチレングリコール、ジエチレングリ
コールエチルメチルエーテル、ポリプロピレングリコー
ルといった多価アルコール及びそれらの誘導体を挙げる
ことができる。
イソ酪酸、イタコン酸、2−エチルヘキサン酸、2−エ
チル酢酸、オレイン酸、カプリル酸、カプロン酸、ギ
酸、吉草酸、酢酸、乳酸、ピバリン酸、プロピオン酸、
といったカルボン酸誘導体、エチルフェノール、オクチ
ルフェノール、カテコール、グアヤコール、キシレノー
ル、p−クミルフェノール、クレゾール、ドデシルフェ
ノール、ナフトール、ノニルフェノール、フェノール、
ベンジルフェノール、p−メトキシエチルフェノールと
いったフェノール類、アセトニトリル、アセトンシアノ
ヒドリン、アニリン、アリルアミン、アミルアミン、イ
ソキノリン、イソブチルアミン、イソプロパノールアミ
ン類、イソプロピルアミン、イミダゾール、N−エチル
エタノールアミン、2−エチルヘキシルアミン、N−エ
チルモルホリン、エチレンジアミン、カプロラクタム、
キノリン、クロロアニリン、シアノ酢酸エチル、ジアミ
ルアミン、イソブチルアミン、ジイソプロピルアミン、
ジイソプロピルエチルアミン、ジアエタノールアミン、
N,N−ジエチルアニリン、ジエチルアミン、ジエチル
ベンジルアミン、ジエチレントリアミン、ジオクチルア
ミン、シクロヘキシルアミン、トリエチルアミン、トリ
アミルアミン、トリオクチルアミン、トリエタノールア
ミン、トリエチルアミン、トリオクチルアミン、トリ−
n−ブチルアミン、トリプロピルアミン、トリメチルア
ミン、トルイジン、ニトロアニソール、ピコリン、ピペ
ラジン、ピラジン、ピリジン、ピロリジン、N−フェニ
ルモルホリン、モルホリン、ブチルアミン、ヘプチルア
ミン、ルチジンといった含窒素化合物、これらの溶媒の
他、含イオウ化合物系溶剤、フッ素系溶剤等も挙げるこ
とができる。
分散させて用いることができるが、水と混和性のある溶
媒を用いることが除染剤を噴霧させる際の取扱の点から
好ましい。具体的には好ましい溶剤としては、エチルア
ルコール、ブチルアルコール、ヘキサノール、ヘプタノ
ール、オクタノールといったアルコール系溶剤を挙げる
ことができる。また、上述した溶剤は適宜混合して用い
ることが可能である。これらのうちでもn−オクタノー
ル、2−オクタノールは、良好にダイオキシン類を溶解
させることが可能な点で好ましい。これら以外にも上述
した溶媒のうちダイオキシン類を溶解させることが可能
な溶剤であれば、適宜用いることが可能である。また、
上述した溶媒は、単独で水に溶解又は分散して用いるこ
ともできるし、水に対して複数種の溶媒を溶解・分散さ
せて用いることも可能である。なお、本発明にいうダイ
オキシン類とは、主としてポリ塩素化ジベンゾパラジオ
キシン(PCDDs)及びポリ塩素化ジベンゾフラン
(PCDFs)のことをいう。しかしながら、共に人体
に対する毒性がある点では、コプラナーPCBの除染に
ついても本発明が適用できることは言うまでもない。
類の光分解を行う際の反応効率を向上させるため、酸化
剤が添加される。このような酸化剤としては、オゾン、
過酸化水素、過酸化ベンゾイル、クメンヒドロパーオキ
サイド、t−ブチルヒドロパーオキサイド、過酸化アセ
チル、エチルメチルケトンパーオキサイド、ペルオキソ
二硫酸カリウム、ペルオキソ二流酸アンモニウムといっ
たペルオキソ二硫酸塩、ペルオキソホウ酸塩等、活性酸
素を発生する酸化剤を挙げることができる。これらの酸
化剤は、水に対して溶解性を有していることが好ましい
が、用いる有機溶媒に対して溶解するものも用いること
が可能である。
は、水が10重量部から20重量部、溶剤が90重量部
〜80重量部で添加されていることが好ましい。また、
上述した酸化剤は、除染剤中に溶解するダイオキシン類
に対して重量で10〜100倍量添加することが好まし
い。
界面活性剤、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活
性剤といった界面活性剤を適宜単独で、又は混合して添
加することもできる。このような界面活性剤成分を添加
することにより、さらに除染効果を高めることを可能と
すると共に、溶剤を水に対して分散させて使用する場合
に、溶剤の分散安定性をより向上させることができる。
も製造することができ、具体的には、水と溶剤とを混合
させ、その後オゾン水や、過酸化水素水といった酸化剤
を混合することによって製造することが可能である。こ
の際、オゾン水は、オゾン発生器等を用いて発生させた
オゾンを水中に飽和させることにより得ることが可能で
あり、また過酸化水素水や、他の過酸化物については市
販の化合物を用いることが可能である。本発明に用いる
ことができる除染剤の典型的な処方としては、例えば、
水10重量部、オクタノール90重量部、オゾン濃度約
80ppmからなる組成物を挙げることができる。
101において、上述の除染剤をダイオキシン類によっ
て汚染された焼却場設備といった構造物の内面に噴霧す
る。この工程101により、焼却場設備といったダイオ
キシン類が付着した構造物の内面からダイオキシン類を
含有する焼却灰を、高圧気体により噴霧される除染剤に
より除去することが可能となる。
法における除染剤噴霧工程101の実施例を示す。本発
明の除染方法が適用される構造体は、ダイオキシン類に
より汚染された部分を有する構造体であればいかなるも
のでも適用することが可能であるが、本発明では、ダイ
オキシン類除染方法の実施例を焼却場設備の内面を除染
することを例にとり詳細に説明する。本発明が適用され
る焼却場設備としては、焼却炉、灰ピット、冷却塔、集
塵機、煙突等を挙げることができ、本発明はこれらの各
設備に対して等しく適用することが可能である。図2で
は、これらの焼却場設備のうち本発明の除染方法を焼却
場設備の焼却炉1に適用する場合を例にとって説明す
る。
は、ゴミの燃焼により発生したダイオキシン類が付着し
た焼却灰2が堆積しており、この焼却灰2は、焼却炉1
の解体に先だって周囲環境への汚染拡大を防止し、作業
上の安全を確保するために、除去する必要がある。本発
明のダイオキシン類除染方法における除染剤噴霧工程1
01では、まず図2に示すように焼却炉1の各開口3,
4,5に対して密閉部材6を装着して焼却炉1を周囲環
境から遮断する。このように焼却炉1の各開口3,4,
5を密閉することによって周囲環境へのダイオキシン類
の汚染拡大を防止することが可能となる。次いで、焼却
炉1の中心位置となる上部壁7に図2(b)、図2
(c)、より詳細には図3で説明する噴霧装置8を挿入
するための開口9を形成する。次いで図2(b)に示す
ように、噴霧装置8を上述の開口9から焼却炉1へと挿
入する。さらに図2(c)に示すように噴霧装置8の端
部に設けられたアーム10を水平方向へと移動させアー
ム10の先端部に設置された噴霧ノズル11を焼却炉1
の内面に対向させる。次いで噴霧装置8を矢線Aで示す
ように回動させることにより噴霧ノズル11を回動させ
つつ、除染剤を除染剤供給タンク12から供給ポンプ1
3により供給して焼却炉1の内面に噴霧させる。この噴
霧は、噴霧ノズル11からの高圧気体による噴霧により
行なわれるようにされている。
Aで示すように回転させつつ矢線Bで示すように鉛直方
向に上下動させて除染剤の噴霧を行う。また、アーム1
0は、矢線Cで示すように水平方向へと伸縮可能に構成
されているため、焼却炉1の形状によらず内面全体にわ
たって除染剤を噴霧させることが可能となり、焼却炉1
の内面全体から焼却灰2、すなわちダイオキシン類によ
る汚染を除去することが可能となる。
に示す焼却炉1の下側開口5を密閉するための密閉部材
6に設けられた図示しない開口から、図5においてより
詳細に説明するダイオキシン類の光分解処理を行う部分
へと除染された焼却灰2を含有したまま流されるように
されている。
断面として示した図である。図3では、本発明のダイオ
キシン類除染方法に用いる噴霧装置8が、上部壁7に設
けられた開口9を通して焼却炉1内へと挿入されたとこ
ろが示されている。噴霧装置8は、上部壁7に噴霧装置
8を保持させるための保持部材14と、軸受け部材15
a,15bと、軸受け部材15aに連結されたセンター
ホールジャッキ16と、各種配管が挿通され噴霧装置8
を回動駆動させるための図示しない駆動部材を連結する
ための連結管17と、を備えている。軸受け部材15b
は、その径方向外側面が保持部材14に取り付けられ、
径方向内側面は、センターホールジャッキ16を回動可
能に保持していて、軸受け部材15aと共にスラスト軸
受けを構成している。保持部材14の上部壁7と重なり
合う部分には、噴霧装置8を堅固、かつ着脱可能に保持
するためのアンカー部材18が挿通されていて、アンカ
ー部材18が上部壁7にまで延ばされているのが示され
ている。
先端部に、複数のアーム10がアーム保持部材19によ
り保持されているのが示されている。また、このセンタ
ーホールジャッキ16は、アーム10を鉛直方向に移動
可能に保持している。アーム保持部材19は、図示しな
いアーム駆動機構により鉛直方向に延びた図2(b)に
示した位置から、図2(c)及び図3に示した水平方向
の位置へと移動可能にアーム10を保持している。図3
には、アーム10を一部切り欠いて、その断面が示され
ている。図3に示されるようにこのアーム10は、ジャ
ッキから構成されているので、アーム10の焼却炉1の
内面に対向する側の端部に配置された噴霧ノズル11を
水平方向へと移動可能とさせ、焼却炉1の内面にくまな
くダイオキシン類処理剤を付着させることができるよう
にされている。図3では、アーム10を2本用いるもの
として示しているがこのアーム10は、適切に焼却炉1
の内面へと除染剤を付着させることが可能であれば、必
要に応じて何本でも用いることができる。また、センタ
ーホールジャッキ16、アーム10を構成するジャッキ
は、いかなるものでも用いることができる。また、図示
しないアーム駆動機構についても、アーム10を鉛直方
向から水平方向へと移動させることができればいかなる
ものでも用いることができる。
結管17の上部から除染剤供給チューブ20といった配
管の他、必要に応じて油圧ケーブルが挿通される。除染
剤供給チューブ20は、さらにセンターホールジャッキ
16の内部を通され、アーム10の内部を通されて、噴
霧部材21に取り付けけられた噴霧ノズル11へと除染
剤を供給している。
霧ノズル11が配設される噴霧部材21の詳細を示す。
図4に示した噴霧部材21は、保持部22とノズル取付
部23とからなり、保持部22に取り付けられたステー
24により、アーム10に保持されている。このステー
24は、図4に示すようにアーム10の先端部付近に、
アーム10に対して噴霧部材21をステー24を中心と
して矢線D方向へとスイング可能とするように配設する
こともできる。このようにスイング可能に取り付けるこ
とにより、さらに除染剤をあらゆる方向に噴霧させるこ
とが可能となる。ノズル取付部23には、複数の噴霧ノ
ズル11が取り付けられており、この噴霧ノズル11
は、除染剤を高圧気体により内壁に向かって噴霧する。
このノズル取付部23は、回動可能に保持部22に対し
て保持されていて、噴霧ノズル11を矢線Eの方向へと
回転させながら除染剤を高圧気体を噴出させることによ
り噴霧させている。この噴霧部材21をアーム10に対
してスイングさせるための機構及びノズル取付部23を
回転可能に保持するための機構としては従来知られてい
るいかなる機構でも用いることができる。また、保持部
22には、CCDカメラCDが取り付けられており、C
CDカメラCDからの映像を確認しつつ焼却灰2の除去
状況を遠隔的に確認することが可能とされている。CC
DカメラCDの保持部22への取付は、噴霧ノズル11
ごしに焼却灰2の除去状況を確認することができれば、
スイング可能に取り付けられていても良く、また固定し
て取り付けられていても良く、この際の取り付け方法及
び手段としては従来公知のいかなるものでも用いること
ができる。
オキシン類処理装置を示す。本発明のダイオキシン類処
理装置は、図3及び図4に説明した噴霧装置8と、焼却
炉1といった構造体内部に付着した焼却灰2を含有する
除染剤から、炭化成分といった不溶性物質USとダイオ
キシン類といった汚染物質を溶解した液体層LFとを分
離するための回収分離装置25と、光分解手段とを備え
ている。本発明の光分解手段は、図5で説明する本発明
の実施例では、本発明のダイオキシン除染方法のダイオ
キシン類分解I工程102で用いられる集光装置26
と、光触媒による酸化によりダイオキシン類を分解させ
るためのダイオキシン類分解II工程103に用いる分
解無害化装置27とを備えているのが示されている。し
かしながら、本発明に用いる光分解手段を集光装置26
と分解無害化装置27とを必ずしも組み合わせて用いる
必要はなく、いずれか単独で用いることも可能である。
は、焼却炉1の内面に噴霧され、ダイオキシン類を含む
焼却灰2を含有した除染剤は、焼却炉下側の開口5を密
閉するための密閉部材6に設けられた図示しない排出口
から送液ポンプPにより配管28を通して回収分離装置
25へと供給される。この回収分離装置25では、焼却
灰2に含まれる不溶性物質USとダイオキシン類といっ
た溶媒可溶成分との分離が行われる。すなわち、焼却灰
2に含まれたダイオキシン類は、焼却炉1の内面に噴霧
された段階でも除染剤中のダイオキシンを溶解するもの
の、この段階では光を透過させない炭化物等を含有して
いるため、光分解手段を構成する集光装置26における
ダイオキシン分解I工程102や分解無害化装置27に
おける光触媒を用いたダイオキシン類分解II工程10
3にそのまま供給するには不適切である。また、さらに
焼却灰2に含まれるダイオキシン類化合物と溶剤の接触
時間をさらに長時間としてダイオキシン類の有機溶剤に
よる抽出を確実に行う必要もある。このため、図5に示
した回収分離装置25では、焼却灰2を含む除染剤を静
置して、焼却灰2の不溶性成分USを沈降させるととも
にダイオキシン類を溶媒に溶解抽出することにより、不
溶性成分USを分離すると共に、ダイオキシン類の液体
層LFへの抽出をより確実に行うようにされている。
静置させて不溶成分USと、この溶媒に溶解したダイオ
キシン類とを含む液体層LFとを分離した後、送液ポン
プPにより液体層LFを集光装置26へと送液するよう
に示されているが、本発明においては、回収分離装置2
5に内容物を撹拌するための撹拌装置を設けて、焼却灰
2を含む除染剤を撹拌させつつ、図示しないフィルター
を介して液体層LFを後述する光分解手段として用いら
れる集光装置26へと送液ポンプPにより送るようにさ
れていても良い。
る集光装置26は、ダイオキシン分解I工程102に用
いられる。この集光装置26は、太陽光線を用い、除染
剤中に含有される酸化剤によりダイオキシン類を分解・
無害化を行う。このため、集光装置26は、紫外光線
(UV光線)を透過させるように、石英ガラス等で形成
されていても良く、また、集光装置26に石英ガラスに
より形成された集光窓が設けられていても良い。このよ
うに太陽光線を用いて予めダイオキシン類を光分解する
ことにより、ダイオキシン類分解II工程103におけ
る光照射を用いた光触媒によるダイオキシン類の分解・
無害化の時間や、処理コストを低減することが可能とな
る。
いで、光分解手段によりさらにダイオキシン類分解II
工程103を行うために、工程102のダイオキシン類
分解I工程で処理された除染剤を分解無害化装置27へ
と送液ポンプPを通して送液する。この分解無害化装置
27は、分解無害化槽29と、この分解無害化槽29内
に配置された螺旋状の照射ランプ30と、分解無害化槽
29の内容物を撹拌するための攪拌羽根31とを備えて
いる。照射ランプ30は、分解無害化槽29内へと絶縁
を維持しつつ分解無害化槽29の外部の図示しない電源
へと接続されていて、分解無害化槽29内に光線を照射
させている。なお、この照射ランプ30は図5中では螺
旋形とされているのが示されているが、いかなる形状、
大きさの照射ランプ30でも用いることが可能である。
また、この照射ランプ30は、後述する光触媒のバンド
ギャップに対応して電子を励起でき、必要な酸化反応を
生じさせる電子を生じさせることが可能な約200nm
から約600nmの波長の光線を照射させるものであれ
ばいかなるものでも用いることができる。
射ランプ30に代えてダイオキシン類分解I工程102
で集光された太陽光線を分解無害化槽29内部へと導入
する光ファイバーを用いることもできる。この際には集
光部、照射部、及び光ファイバーは、照射光線を充分に
透過させることができるように紫外光を透過可能な材
料、例えば石英製の材料から形成することが必要であ
る。このように光ファイバーによって太陽光線を分解無
害化槽29へと導入することにより太陽光線といった自
然の光源を用いることを可能とし、ダイオキシン類の分
解無害化の処理コストを低減させると共に、自然エネル
ギーを利用した環境調和型の処理装置を提供できる。
には、照射ランプ30又は太陽光線によるUV光線の照
射により活性化されて酸化反応を引き起こすことができ
る光触媒32が収容されている。この光触媒32は、図
5では、粒子状とされているのが示されている。しかし
ながら、本発明においては、上述した光触媒32は、図
示されているように粒子状として用いることも可能であ
るし、分解無害化槽29の内面のライニング及び照射ラ
ンプ30の表面にコーティングした膜として用いること
も可能である。本発明において用いることができる光触
媒としては、種々の材料を挙げることができ、具体的に
は例えば、TiO2、SrTiO3、KTaO3、Sn
O2、Nb2O5、WO3、Fe2O3、Bi2O3、
FeTiO3、MnTiO3、BaTiO3、ZnO、
In2O3、V2O5、NbO2、CaTiO3、Sr
Nb2O6、酸化ジルコニウム等、バンドギャップが約
2.0eVから約6.3eV程度の光触媒を挙げること
ができる。また、これらの光触媒は、適宜混合して用い
ることが可能である。
した光分解手段を用いてほとんどのダイオキシン類を分
解することが可能となり、そのまま除染剤を再度用いる
ことも可能である。しかしながら、危険性の高いダイオ
キシンが処理対象とされているので、除染剤再生工程1
04により、分解無害化装置27からの処理液を活性炭
により処理して最終的な再生除染剤とすることが好まし
い。本発明の除染剤再生工程104において用いられる
再生装置33は、分解無害化装置27からの処理液を受
け取り除染剤に対して活性炭により吸着処理を加えるた
めの活性炭処理装置34と、再生除染剤を貯蔵しておく
ための再生除染剤タンク35とから構成されている。こ
のように再生された再生除染剤は、図5に示されるよう
にさらに送液ポンプPによって除染剤再循環装置36へ
と送られる。この除染剤再循環装置36は、再生除染剤
供給タンク37と再循環送液ポンプPとを備えており、
この再生除染剤供給タンク37に貯蔵された再生除染剤
は、再循環送液ポンプPにより再度噴霧装置8へと供給
され、除染剤循環工程105において除染剤を循環して
本発明の除染方法が繰り返されることになる。本発明の
除染方法は、工程106で示すように構造体の内面から
焼却灰2が完全に除去されたことを噴霧装置8の噴霧部
材21に取り付けたCCDカメラCD等により確認した
後、終了する。なお、これらの各設備は、集光装置26
を除き、図5においては建屋38内に収容されているの
が示されているが、この建屋38は必ずしも必要とされ
るものではない。
後、焼却場設備の解体を行うが、本発明によりすでに焼
却場の各設備の内面が除染されているので、ダイオキシ
ン類による周囲環境への汚染拡大を生じさせず、また、
作業上の安全を確保することが可能となる。
例にとり説明してきたが、本発明は、焼却場設備ばかり
ではなく、ダイオキシン類に汚染された他の構造物の解
体を行う際にその汚染部分を除染するためにも適用する
ことができることが可能である。
ダイオキシン類処理装置によれば、ダイオキシン類によ
り付着汚染された汚染物質を、現場外の処理施設や処分
場等に搬出する必要がなく、現場原位置において除洗処
理を行うことが可能となる。また、基本的に溶液による
洗浄を用いてダイオキシン類を含有する焼却灰等を除染
するため、特殊かつ複雑な管理工程を組む必要がなく、
容易に作業を進めることが可能となる。
びダイオキシン類処理装置によれば、大がかりな処理プ
ラントを建設する必要がないので、処理コストを大幅に
削減できる。また、除洗剤は、ダイオキシン類の分解・
無害化を行なった後再生させて利用できるため、ランニ
ングコストを最小限に抑えることが可能となる。さらに
は、本発明のダイオキシン類処理装置は、溶解したダイ
オキシン類を分解・無害化するために、ダイオキシン類
が溶解した除洗剤を一時的に溜めておく分解無害化槽を
用意しておき、その中に光触媒と、撹件装置と、照射ラ
ンプとを設け、除洗剤を送出するポンプを設けるだけで
済み、ダイオキシン類処理装置の建設費用は非常が安価
に抑えるられることになる。また、光酸化触媒で分解・
無害化処理を行う際に、必要に応じて太陽光を利用する
ことが可能となるので紫外線(UV)といった光線の照
射に要するランニングコストを削減することも可能とす
る。
害化に関して、光酸化触媒を利用した分解法を採用して
いるので、燃焼法等で問題となっているようなダイオキ
シン類が再生成することもなく、除染剤を廃棄する際、
ダイオキシン類は分解・無害化されているので、そのま
ま廃棄が可能であり、廃棄のために改めて分解・無害化
処理を行う必要がないという、安全上極めて優れた効果
を得ることを可能とする。
ーチャート。
適用するところを示した図。
示した図。
Claims (17)
- 【請求項1】 ダイオキシン類により汚染された構造物
を周囲環境から遮断し、 前記構造物のダイオキシン類により汚染された部分に除
染剤を噴霧して除染剤に前記ダイオキシン類を溶解さ
せ、 前記除染剤中に含まれる前記ダイオキシン類を光分解処
理し、 光分解処理後の前記除染剤を前記部分に再度噴霧させる
ために再循環させることを特徴とするダイオキシン類除
染方法。 - 【請求項2】 前記除染剤は、水と、溶媒と、酸化剤と
を含有することを特徴とする請求項1に記載のダイオキ
シン類除染方法。 - 【請求項3】 前記溶媒は、アルコール系溶媒とされて
いることを特徴とする請求項2に記載のダイオキシン類
除染方法。 - 【請求項4】 前記光分解は、前記酸化剤の添加と紫外
光線とにより開始される光分解反応を用いることを特徴
とする請求項2又は3に記載のダイオキシン類除染方
法。 - 【請求項5】 前記光分解は、光触媒を用いた光分解反
応を用いることを特徴とする請求項2又は3に記載のダ
イオキシン類除染方法。 - 【請求項6】 前記光分解は、紫外光線により前記酸化
剤を分解することにより開始される光分解反応及び光触
媒を用いた光分解反応を用いることを特徴とする請求項
2又は3に記載のダイオキシン類除染方法。 - 【請求項7】 前記光触媒は、TiO2、SrTi
O3、KTaO3、SnO2、Nb2O5、WO3、F
e2O3、Bi2O3、FeTiO3、MnTiO3、
BaTiO3、ZnO、In2O3、V2O5、NbO
2、CaTiO3、SrNb2O6、酸化ジルコニウ
ム、及びこれらの化合物の2種以上の混合物からなる群
から任意に選択されることを特徴とする請求項5又は6
に記載のダイオキシン類除染方法。 - 【請求項8】 前記溶媒は、オクタノールとされること
を特徴とする請求項2〜7のいずれか1つに記載のダイ
オキシン類除染方法。 - 【請求項9】 前記除染剤の再循環前に前記除染剤を活
性炭で吸着処理することにより再生することを特徴とす
る請求項1〜8のいずれか1つに記載のダイオキシン類
除染方法。 - 【請求項10】 前記構造体は、焼却場設備とされてい
ることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載
のダイオキシン類除染方法。 - 【請求項11】 ダイオキシン類により汚染された焼却
場設備の構造物を周囲環境から遮断するための部材と、 前記構造物のダイオキシン類により汚染された部分に、
水と、溶媒と、酸化剤とを含有し前記ダイオキシン類を
溶解する除染剤を噴霧するための噴霧装置と、 前記除染剤に溶解した前記ダイオキシン類を光分解処理
するための光分解手段と、 前記光分解処理後の前記除染剤を前記部分に再度噴霧さ
せるため前記噴霧装置へと前記除染剤を再循環させるた
めの再循環装置とを備えることを特徴とするダイオキシ
ン類処理装置。 - 【請求項12】 前記溶媒は、アルコール系溶媒とされ
ていることを特徴とする請求項11に記載のダイオキシ
ン類処理装置。 - 【請求項13】 前記ダイオキシン類を光分解するため
の光分解手段は、光触媒を含んで構成され、さらに該光
触媒に光線を照射するための照射装置と、前記処理装置
の内容物を撹拌するための撹拌装置とを有することを特
徴とする請求項11又は12に記載のダイオキシン類処
理装置。 - 【請求項14】 前記光分解手段は、太陽光線を集光す
るための集光装置を備えることを特徴とする請求項1
1,12,又は13に記載のダイオキシン類処理装置。 - 【請求項15】 前記光触媒は、TiO2、SrTiO
3、KTaO3、SnO2、Nb2O5、WO3、Fe
2O3、Bi2O3、FeTiO3、MnTiO3、B
aTiO3、ZnO、In2O3、V2O5、Nb
O2、CaTiO 3、SrNb2O6、酸化ジルコニウ
ム、及びこれらの化合物の2種以上の混合物からなる群
から任意に選択されることを特徴とする請求項13に記
載のダイオキシン類処理装置。 - 【請求項16】 前記除染剤の再循環前に前記除染剤を
活性炭で吸着処理することにより再生するための再生装
置を備えることを特徴とする請求項11〜15のいずれ
か1つに記載のダイオキシン類処理装置。 - 【請求項17】 前記溶媒は、オクタノールとされてい
ることを特徴とする請求項11〜16のいずれか1つに
記載のダイオキシン類処理装置。
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