JP2001086743A - Power-supply device - Google Patents

Power-supply device

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JP2001086743A
JP2001086743A JP2000245813A JP2000245813A JP2001086743A JP 2001086743 A JP2001086743 A JP 2001086743A JP 2000245813 A JP2000245813 A JP 2000245813A JP 2000245813 A JP2000245813 A JP 2000245813A JP 2001086743 A JP2001086743 A JP 2001086743A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a power-supply device that can reduce losses, using a simple configuration. SOLUTION: The drain of a MOSFET 94 is connected to the middle point of a secondary coil winding 12B of a transformer 12, and the source of the MOSFET 94 is connected to a connection point P. Also, the input end of an inverting circuit 96 is connected to the middle point of the secondary coil winding 12B, and the output end of the inversion circuit 96 is connected to the gate of the MOSFET 94, thus the MOSFET 94 is kept at on-state, even while no voltage is being applied to primary coil winding 12A by a DC-to-AC inverter circuit 14, allowing a current which is generated by energy accumulated in an inductance 48 of a smoothing circuit 18 in the period to flow through the MOSFET 94 in on-state, and hence reducing the loss caused by alloowing the current to flow-through body diodes 38a and 40a of MOSFETs 38 and 40 and secondary coil winding 12.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電源装置に係り、特
に、トランスの一次巻線に断続的に電圧を印加し、トラ
ンスの中点付き二次巻線に誘起された電圧を整流・平滑
化して負荷に供給する電源装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply device, and more particularly, to a method of intermittently applying a voltage to a primary winding of a transformer and rectifying and smoothing a voltage induced in a secondary winding having a center point of the transformer. And a power supply device for supplying power to the load.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来より、スイッチング素子によってト
ランスの一次巻線に直流電圧を断続的に印加し、センタ
ータップ（中点）が設けられたトランスの二次巻線に誘
起された電圧を、整流回路によって整流（全波整流）す
ると共に平滑化することで所定の直流電圧を得るスイッ
チング電源装置（所謂ＤＣ−ＤＣコンバータ）が知られ
ている。この種のスイッチング電源装置において、整流
回路の整流素子としてはダイオードを用いることが一般
的であるが、ダイオードの順方向電圧降下（例えば0.6V
程度）により整流回路で損失が発生し、この損失がスイ
ッチング電源装置の効率向上の妨げとなっている。2. Description of the Related Art Conventionally, a DC voltage is intermittently applied to a primary winding of a transformer by a switching element, and a voltage induced in a secondary winding of the transformer provided with a center tap (middle point) is rectified. 2. Description of the Related Art A switching power supply (a so-called DC-DC converter) that obtains a predetermined DC voltage by performing rectification (full-wave rectification) and smoothing by a circuit is known. In a switching power supply of this type, a diode is generally used as a rectifying element of a rectifying circuit. However, a forward voltage drop of the diode (for example, 0.6 V
), Loss occurs in the rectifier circuit, and this loss hinders improvement in efficiency of the switching power supply device.

【０００３】整流回路での損失を低減する方法の１つと
して、ショットキーダイオードを整流素子として用いる
方法は従来より採用されているが、この方法は素子の性
能に依存するものであり、飛躍的な損失低減は望めな
い。他の方法として、回路技術により損失低減を行う方
法も知られており、整流素子としてＭＯＳＦＥＴ等のス
イッチング素子を利用した同期整流回路を整流回路とし
て用いる方法が主として用いられている。As one of the methods for reducing the loss in the rectifier circuit, a method using a Schottky diode as a rectifying element has been conventionally employed. However, this method depends on the performance of the element and is dramatically increased. No significant loss reduction can be expected. As another method, a method of reducing loss by a circuit technique is also known, and a method of using a synchronous rectifier circuit using a switching element such as a MOSFET as a rectifier element as a rectifier circuit is mainly used.

【０００４】同期整流回路におけるＭＯＳＦＥＴの駆動
方式としては、例えばトランスの二次巻線の一端と平滑
回路との導通をオンオフする第１のＭＯＳＦＥＴのゲー
トを二次巻線の他端に接続すると共に、二次巻線の他端
と平滑回路との導通をオンオフする第２のＭＯＳＦＥＴ
のゲートを二次巻線の一端に接続した構成（特開平７−
３３７００５号公報参照）や、ＭＯＳＦＥＴのゲートと
二次巻線との間に抵抗を設けた構成（実開平７−２３９
９０号公報参照）、ＭＯＳＦＥＴのゲートと二次巻線と
の間に抵抗、ダイオード及びコンデンサを並列設けた構
成（特開平８−３３１８４１号公報参照）等が提案され
ている。As a driving method of the MOSFET in the synchronous rectifier circuit, for example, a gate of a first MOSFET for turning on / off one end of a secondary winding of a transformer and a smoothing circuit is connected to the other end of the secondary winding. , A second MOSFET for turning on and off the conduction between the other end of the secondary winding and the smoothing circuit
Is connected to one end of the secondary winding (Japanese Patent Laid-Open No.
No. 337005) or a configuration in which a resistor is provided between the gate of the MOSFET and the secondary winding (Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 7-239).
Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-331841), and a configuration in which a resistor, a diode, and a capacitor are provided in parallel between the gate of a MOSFET and a secondary winding (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-331841).

【０００５】上述した各構成では、何れもトランスの一
次巻線に電圧が印加されている期間（整流期間）に何れ
か一方のＭＯＳＦＥＴがオン状態となって同期整流回路
が働くので、整流期間の損失の低減を達成することがで
きる。しかし、整流期間の損失は低減できるものの、転
流期間（トランスの一次巻線に電圧が印加されていない
期間）に、平滑回路のインダクタンスによって発生した
電流が全てＭＯＳＦＥＴのボディダイオード（ＭＯＳＦ
ＥＴの内部ダイオード：寄生ダイオードともいう）を流
れることで損失が発生する。一般に、ボディダイオード
はファストリカバリダイオードやショットキーダイオー
ドと比較して順方向電圧降下が大きいので損失はかえっ
て増大する。このため、転流期間にボディダイオードに
電流が流れないようにするための工夫が必要となる。In each of the above-described configurations, any one of the MOSFETs is turned on and the synchronous rectification circuit operates during a period in which a voltage is applied to the primary winding of the transformer (rectification period). Loss reduction can be achieved. However, although the loss during the rectification period can be reduced, all the current generated by the inductance of the smoothing circuit during the commutation period (period when no voltage is applied to the primary winding of the transformer) is the body diode (MOSF) of the MOSFET.
Loss is generated by flowing through an internal diode of the ET (also referred to as a parasitic diode). In general, the body diode has a larger forward voltage drop than the fast recovery diode and the Schottky diode, so that the loss increases rather. For this reason, it is necessary to take measures to prevent a current from flowing through the body diode during the commutation period.

【０００６】また、転流期間の損失を低減するため、入
力電圧を制御して転流期間を短くする方法も提案されて
いるが、この方式で損失を有効に低減するためには転流
期間を非常に短くする必要があり、スイッチング電源装
置としての動作範囲が狭くなってしまうという問題があ
る。In order to reduce the loss during the commutation period, a method has been proposed in which the input voltage is controlled to shorten the commutation period. However, in order to effectively reduce the loss in this method, the commutation period is reduced. Needs to be very short, and the operating range of the switching power supply device becomes narrow.

【０００７】また、特開平３−１１７３６４号公報に
は、中点付きの２次巻線を２組備えたトランスを用いる
と共に平滑回路のインダクタンスとしてチョークトラン
スを用い、転流期間に２次側の２個のスイッチング素子
を各々オンさせる構成や、転流期間にはチョークトラン
スの二次巻線に誘起された電圧によってスイッチング素
子をオンさせて平滑回路の入力端を短絡させることでチ
ョークトランスの一次巻線の蓄積電力を負荷へ供給する
構成が開示されている。しかし、上記回路はトランスの
構成が複雑になるという欠点を有している。また、チョ
ークトランスを用いてスイッチング素子をオンオフさせ
る構成ではスイッチング素子をオンオフさせる信号の位
相遅れによって損失が生ずるという問題もある。In Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-117364, a transformer having two sets of secondary windings with a center point is used, and a choke transformer is used as an inductance of a smoothing circuit. A configuration in which two switching elements are turned on, and a primary element of the choke transformer which is turned on by a voltage induced in the secondary winding of the choke transformer during the commutation period and short-circuits the input terminal of the smoothing circuit. A configuration for supplying the stored power of the winding to a load is disclosed. However, the above circuit has a disadvantage that the configuration of the transformer is complicated. Further, in a configuration in which a switching element is turned on and off using a choke transformer, there is a problem that a loss occurs due to a phase delay of a signal for turning the switching element on and off.

【０００８】更に、特開平８−３２２２４５号公報の図
７や図９等には、トランスの一次側に変流器を設けて一
次側のスイッチング素子を流れる電流を変流器により検
出すると共に、トランスの二次側に駆動電源用の補助巻
線を設け、転流期間にも二次側のスイッチング素子をオ
ンさせる構成が開示されているが、上記の構成では一次
側に変流器を設ける必要があると共にトランスに補助巻
線を設ける必要があるので回路構成が複雑となり、コス
ト等の面で不利である。Further, in FIG. 7 and FIG. 9 of JP-A-8-322245, a current transformer is provided on the primary side of a transformer, and a current flowing through a switching element on the primary side is detected by the current transformer. A configuration is disclosed in which an auxiliary winding for a drive power supply is provided on the secondary side of the transformer and the switching element on the secondary side is also turned on during the commutation period. In the above configuration, a current transformer is provided on the primary side. Since it is necessary to provide an auxiliary winding in the transformer, the circuit configuration becomes complicated, which is disadvantageous in terms of cost and the like.

【０００９】また、特開平９−１４９６３５号公報に
は、トランスの一次側に４個のスイッチング素子を備え
たフルブリッジのインバータを設け、二次側に一対のス
イッチング素子から成る同期整流回路を設けた構成にお
いて、転流期間には、それまでの整流期間にオン状態と
なっていた一次側のスイッチング素子対の一方のみをオ
フさせると共に、二次側の一対のスイッチング素子の一
方もオン状態を継続させる技術が開示されている。ま
た、特開平９−１４９６３６号公報には、上記公報と同
様の構成の電源装置において、転流期間には二次側の一
対のスイッチング素子を各々オンさせることが記載され
ている。しかしながら、上記各公報に記載の技術は、何
れもスイッチング素子をオンオフさせる駆動信号を発生
させる回路の回路構成が非常に複雑になるという欠点が
ある。In Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-149635, a full-bridge inverter having four switching elements is provided on the primary side of a transformer, and a synchronous rectifier circuit including a pair of switching elements is provided on the secondary side. In the configuration, during the commutation period, only one of the primary-side switching element pair that was in the on state during the rectification period up to that time is turned off, and one of the pair of secondary-side switching elements is also turned on. A technique for continuing is disclosed. Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-149636 describes that a pair of secondary-side switching elements are turned on during a commutation period in a power supply device having a configuration similar to that of the above publication. However, each of the techniques described in the above publications has a disadvantage that the circuit configuration of a circuit that generates a drive signal for turning on and off a switching element becomes very complicated.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、セン
タタップ型の同期整流回路を含んで構成された従来の電
源装置は、何れも、転流期間にスイッチング素子のボデ
ィダイオードに電流が流れることで損失が生ずるか、又
はボディダイオードに電流が流れることを阻止するため
に回路構成が非常に複雑になる、という欠点を有してい
た。As described above, in the conventional power supply devices including the center tap type synchronous rectifier circuit, current flows through the body diode of the switching element during the commutation period. However, there is a drawback that loss occurs or the circuit configuration becomes very complicated to prevent current from flowing through the body diode.

【００１１】本発明は上記事実を考慮して成されたもの
で、簡易な構成で損失を低減できる電源装置を得ること
が目的である。The present invention has been made in consideration of the above-described facts, and has as its object to provide a power supply device that can reduce a loss with a simple configuration.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の発明に係る電源装置は、一次巻線と、
中点が設けられた二次巻線とを備えたトランスと、前記
トランスの一次巻線に一方向の電圧を印加した後に電圧
の印加を所定期間停止し、前記一次巻線に他方向の電圧
を印加した後に電圧の印加を所定期間停止することを繰
り返す電圧印加手段と、前記トランスの二次巻線の両端
と接続点との間に各々設けられた一対の第１スイッチン
グ素子と、前記二次巻線の中点と前記接続点との間に設
けられた平滑回路と、前記一次巻線に電圧が印加されて
いる期間に前記一対の第１スイッチング素子を交互にオ
ンさせる制御手段と、制御信号入力端の電位が高電位の
ときにオン状態、低電位のときにオフ状態となり、オン
状態で前記二次巻線の中点と前記接続点とを短絡するよ
うに設けられた第２スイッチング素子と、前記二次巻線
の中点又は接続点の電位が高電位とされている間は前記
第２スイッチング素子の制御信号入力端の電位を低電位
とし、前記二次巻線の中点又は接続点の電位が低電位と
されている間は前記第２スイッチング素子の制御信号入
力端の電位を高電位とする短絡制御手段と、を含んで構
成されている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a power supply device comprising: a primary winding;
A transformer having a secondary winding provided with a midpoint, and applying a voltage in one direction to the primary winding of the transformer, stopping the application of the voltage for a predetermined period, and applying a voltage in the other direction to the primary winding. And a pair of first switching elements respectively provided between both ends of a secondary winding of the transformer and a connection point, and A smoothing circuit provided between a middle point of the next winding and the connection point, and control means for alternately turning on the pair of first switching elements during a period in which a voltage is applied to the primary winding, A second state is provided in which the control signal input terminal is turned on when the potential of the control signal input terminal is high, turned off when the potential is low, and short-circuited between the middle point of the secondary winding and the connection point in the on state. A switching element and a midpoint or connection point of the secondary winding The potential of the control signal input terminal of the second switching element is set to a low potential while the potential is set to the high potential, and the potential of the middle point or the connection point of the secondary winding is set to the low potential while the potential is set to the low potential. Short-circuit control means for setting the potential of the control signal input terminal of the second switching element to a high potential.

【００１３】請求項１記載の発明では、トランスの一次
巻線に一方向の電圧を印加した後に電圧の印加を所定期
間停止し、一次巻線に他方向の電圧を印加した後に電圧
の印加を所定期間停止することを繰り返す電圧印加手段
が設けられている。電圧印加手段は、直流電源と、該直
流電源の電圧を一次巻線に一方向の電圧として印加して
いる状態、他方向の電圧として印加している状態、及
び、一次巻線への電圧の印加を停止している状態に切替
え可能な複数のスイッチング素子と、を含んで構成する
ことができ、具体的には、例えばハーフブリッジ型やフ
ルブリッジ型のＤＣ−ＡＣインバータ回路で構成するこ
とができる。According to the first aspect of the present invention, the voltage application is stopped for a predetermined period after the unidirectional voltage is applied to the primary winding of the transformer, and the voltage is applied after the unidirectional voltage is applied to the primary winding. A voltage application unit that repeats stopping for a predetermined period is provided. The voltage applying means includes a DC power supply, a state in which the voltage of the DC power supply is applied to the primary winding as a voltage in one direction, a state in which the voltage is applied as a voltage in the other direction, and a voltage applied to the primary winding. And a plurality of switching elements that can be switched to a state in which application is stopped. Specifically, for example, a half-bridge type or full-bridge type DC-AC inverter circuit can be used. it can.

【００１４】また、請求項１の発明では、トランスの二
次巻線の両端と接続点との間に第１スイッチング素子が
各々設けられ、二次巻線の中点と接続点との間に平滑回
路が設けられているので、トランスの一次巻線に電圧が
印加されている期間に、制御手段が一対の第１スイッチ
ング素子を交互にオンさせる（トランスの一次巻線に電
圧が印加されている期間に一対の第１スイッチング素子
の一方をオンさせると共に、前記電圧が印加されている
期間が到来する毎にオンさせる第１スイッチング素子を
切替える）ことで、トランスの一次巻線と二次巻線の巻
数比に応じて二次巻線に誘起された電圧が、一対の第１
スイッチング素子によって整流されると共に平滑回路に
よって平滑化され、負荷に供給することが可能となる。According to the first aspect of the present invention, first switching elements are respectively provided between both ends of the secondary winding of the transformer and the connection point, and between the middle point and the connection point of the secondary winding. Since the smoothing circuit is provided, the control unit alternately turns on the pair of first switching elements during the period when the voltage is applied to the primary winding of the transformer (when the voltage is applied to the primary winding of the transformer). One of the pair of first switching elements is turned on during a certain period, and the first switching element to be turned on is switched each time a period during which the voltage is applied arrives, so that the primary winding and the secondary winding of the transformer are turned on. The voltage induced in the secondary winding according to the turns ratio of the wire is
It is rectified by the switching element and smoothed by the smoothing circuit, and can be supplied to the load.

【００１５】ところで、トランスの一次巻線に電圧が印
加されていない期間には、平滑回路に蓄えられたエネル
ギーが電流として流れ、この電流が第１スイッチング素
子のボディダイオードを流れると損失が生ずる。ボディ
ダイオードに電流が流れることを阻止することは、二次
巻線の中点と接続点とを短絡することによって達成でき
る。By the way, during a period in which no voltage is applied to the primary winding of the transformer, the energy stored in the smoothing circuit flows as a current, and when this current flows through the body diode of the first switching element, a loss occurs. Preventing current from flowing through the body diode can be achieved by short-circuiting the middle point of the secondary winding and the connection point.

【００１６】このため請求項１の発明では、制御信号入
力端の電位が高電位のときにオン状態、低電位のときに
オフ状態となる第２スイッチング素子が、オン状態で二
次巻線の中点と接続点とを短絡するように設けられてお
り、短絡制御手段は、二次巻線の中点又は接続点の電位
が高電位とされている間は第２スイッチング素子の制御
信号入力端の電位を低電位とし、二次巻線の中点又は接
続点の電位が低電位とされている間は第２スイッチング
素子の制御信号入力端の電位を高電位とすることで、前
記一次巻線への電圧の印加が停止されている期間に第２
スイッチング素子をオンさせる。これにより、平滑回路
に蓄えられたエネルギーによる電流は第２スイッチング
素子を通って平滑回路側へ還流するので、第１スイッチ
ング素子や第２スイッチング素子のボディダイオードを
電流が流れることが阻止され、損失を低減することがで
きる。また、トランスの二次巻線にも電流が流れないの
で、二次巻線を電流が流れることによる損失（銅損）も
解消することができる。Therefore, according to the first aspect of the present invention, the second switching element, which is turned on when the potential of the control signal input terminal is high and turned off when the potential is low, is turned on when the secondary winding of the secondary winding is turned on. The short-circuit control means is provided so as to short-circuit the middle point and the connection point, and the control signal input of the second switching element is performed while the potential of the middle point or the connection point of the secondary winding is kept high. The potential of the control signal input terminal of the second switching element is set to a high potential while the potential of the end is set to a low potential and the potential of the middle point or the connection point of the secondary winding is set to the low potential. During the period when the voltage application to the winding is stopped, the second
Turn on the switching element. As a result, the current due to the energy stored in the smoothing circuit is returned to the smoothing circuit through the second switching element, so that the current is prevented from flowing through the body diodes of the first switching element and the second switching element, and the loss is reduced. Can be reduced. Further, since current does not flow through the secondary winding of the transformer, loss (copper loss) caused by current flowing through the secondary winding can be eliminated.

【００１７】前述のように、二次巻線の中点（又は接続
点の電位）は、一次巻線に電圧が印加されていない期間
（すなわち第２スイッチング素子をオンすべき期間）に
のみ低電位となるので、二次巻線の中点（又は接続点の
電位）の電位を利用することで、第２スイッチング素子
を適正なタイミングでオンオフさせる（一次巻線に電圧
が印加されていない期間にのみオンさせる）信号を非常
に簡易な構成で生成することが可能となる。As described above, the midpoint of the secondary winding (or the potential at the connection point) is low only during a period in which no voltage is applied to the primary winding (ie, a period during which the second switching element is to be turned on). The second switching element is turned on / off at an appropriate timing by using the potential of the middle point (or the potential of the connection point) of the secondary winding because the potential is at the potential (a period during which no voltage is applied to the primary winding). Only turned on) can be generated with a very simple configuration.

【００１８】請求項１記載の発明に係る短絡制御手段
は、二次巻線の中点又は接続点の電位の電位の高低を反
転する反転手段を含んで構成されており、反転手段から
は、第２スイッチング素子を適正なタイミングでオンオ
フさせる信号が出力されることになるので、該信号を第
２のスイッチング素子の制御信号入力端（例えばＭＯＳ
ＦＥＴにおけるゲート）にそのまま入力する、という簡
易な構成により第２スイッチング素子を適正なタイミン
グでオンオフさせることができる。The short-circuit control means according to the first aspect of the present invention includes an inversion means for inverting the level of the potential of the middle point or the connection point of the secondary winding. Since a signal for turning on / off the second switching element is output at appropriate timing, the signal is output to a control signal input terminal (for example, a MOS
The second switching element can be turned on and off at appropriate timing by a simple configuration in which the second switching element is directly input to the gate of the FET).

【００１９】請求項２記載の発明に係る電源装置は、一
次巻線と、中点が設けられた二次巻線とを備えたトラン
スと、前記トランスの一次巻線に一方向の電圧を印加し
た後に電圧の印加を所定期間停止し、前記一次巻線に他
方向の電圧を印加した後に電圧の印加を所定期間停止す
ることを繰り返す電圧印加手段と、前記トランスの二次
巻線の両端と接続点との間に各々設けられた一対の第１
スイッチング素子と、前記二次巻線の中点と前記接続点
との間に設けられた平滑回路と、前記一次巻線に電圧が
印加されている期間に前記一対の第１スイッチング素子
を交互にオンさせる制御手段と、オン状態で前記二次巻
線の中点と前記接続点とを短絡するように設けられ、前
記一次巻線に電圧が印加されていない期間に順方向電圧
が印加されるダイオードが並列に設けられた第２スイッ
チング素子と、前記ダイオードを介して流れる電流が所
定値以上のときに出力信号を高電位とする比較器を含ん
で構成され、該比較器から出力された信号を前記第２ス
イッチング素子の制御信号入力端に入力することで、前
記一次巻線への電圧の印加が停止されている期間に第２
スイッチング素子をオンさせる短絡制御手段と、を含ん
で構成されている。According to a second aspect of the present invention, there is provided a power supply device having a transformer having a primary winding, a secondary winding provided with a middle point, and applying a unidirectional voltage to the primary winding of the transformer. After that, the application of the voltage is stopped for a predetermined period, and a voltage application unit that repeats stopping the application of the voltage for a predetermined period after applying the voltage in the other direction to the primary winding, and both ends of the secondary winding of the transformer. A pair of first pairs respectively provided between the connection points;
A switching element, a smoothing circuit provided between a middle point of the secondary winding and the connection point, and the pair of first switching elements alternately provided during a period in which a voltage is applied to the primary winding. Control means for turning on, and a short circuit between the middle point of the secondary winding and the connection point in the on state, wherein a forward voltage is applied during a period when no voltage is applied to the primary winding A second switching element in which a diode is provided in parallel; and a comparator for setting an output signal to a high potential when a current flowing through the diode is equal to or more than a predetermined value, and a signal output from the comparator. Is input to the control signal input terminal of the second switching element, so that during the period in which the application of the voltage to the primary winding is stopped, the second
And short-circuit control means for turning on the switching element.

【００２０】請求項２記載の発明では、請求項１の発明
と同様のトランス、電圧印加手段、一対の第１スイッチ
ング素子、平滑回路、制御手段が設けられている。請求
項２記載の発明に係る第２スイッチング素子は、一次巻
線に電圧が印加されていない期間に順方向電圧が印加さ
れるダイオードが並列に設けられており、一次巻線に電
圧が印加されていない期間が始まるとダイオードを介し
て電流が流れ、一次巻線に電圧が印加されていない期間
が終了すると第２スイッチング素子がオン状態であって
も前記電流が流れなくなる（第２スイッチング素子がモ
ノポーラトランジスタである等の場合）ので、第２スイ
ッチング素子を介して流れる電流を利用することによっ
ても、第２スイッチング素子を適正なタイミングでオン
オフさせる信号を非常に簡易な構成で生成することが可
能となる。According to a second aspect of the present invention, the same transformer, voltage applying means, pair of first switching elements, smoothing circuit, and control means as those of the first aspect are provided. In the second switching element according to the present invention, a diode to which a forward voltage is applied during a period in which no voltage is applied to the primary winding is provided in parallel, and a voltage is applied to the primary winding. When a period in which no voltage is applied to the primary winding ends when a period in which the second switching element is not applied starts, the current stops flowing even when the second switching element is in an on state (when the second switching element is in an ON state). (In the case of a monopolar transistor, etc.), a signal for turning on / off the second switching element at an appropriate timing can be generated with a very simple configuration by using the current flowing through the second switching element. Becomes

【００２１】このため、請求項２記載の発明では、ダイ
オードを流れる電流が所定値以上のときに出力信号を高
電位とする比較器を含んで短絡制御手段を構成してお
り、比較器からは、第２スイッチング素子を適正なタイ
ミングでオンオフさせる信号が出力されることになるの
で、該信号を第２のスイッチング素子の制御信号入力端
（例えばＭＯＳＦＥＴにおけるゲート）にそのまま入力
する、という簡易な構成により第２スイッチング素子を
適正なタイミングでオンオフさせることができる。For this reason, in the second aspect of the present invention, the short-circuit control means includes a comparator for setting the output signal to a high potential when the current flowing through the diode is equal to or more than a predetermined value. Since a signal for turning on and off the second switching element is output at an appropriate timing, the signal is directly input to a control signal input terminal (for example, a gate in a MOSFET) of the second switching element. Thereby, the second switching element can be turned on and off at an appropriate timing.

【００２２】なお、この態様では一次巻線に電圧が印加
されていない期間が始まると第２スイッチング素子とし
てのＮ型ＭＯＳＦＥＴのボディダイオードを電流が流れ
ることになるが、比較器によってＮ型ＭＯＳＦＥＴがオ
ンされた後は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのチャンネルを通って
電流が流れることでボディダイオードには電流が流れな
いので、ボディダイオードを通って電流が流れている期
間はごく僅かであり、ボディダイオードを電流が流れる
ことによる損失もごく僅かで済む。In this embodiment, when a period in which no voltage is applied to the primary winding starts, a current flows through the body diode of the N-type MOSFET as the second switching element. After being turned on, no current flows through the body diode because the current flows through the channel of the N-type MOSFET. There is very little loss due to flowing.

【００２３】上述したように、請求項２の発明によれ
ば、一対の第１スイッチング素子のボディダイオードに
電流が流れることを阻止することを、トランスに補助巻
線を設けたりトランスの一次側或いは平滑回路に特別な
回路や素子を設けることなく実現でき、第２スイッチン
グ素子のボディダイオードに定常的に電流が流れること
も阻止できるので、簡易な構成で損失を低減することが
できる。As described above, according to the second aspect of the present invention, it is possible to prevent an electric current from flowing through the body diodes of the pair of first switching elements by providing an auxiliary winding in the transformer or by setting the primary side of the transformer or This can be realized without providing any special circuit or element in the smoothing circuit, and it is possible to prevent a steady current from flowing through the body diode of the second switching element. Therefore, the loss can be reduced with a simple configuration.

【００２４】[0024]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態の一例を詳細に説明する。なお、以下では、本発
明の実施形態の説明に先立ち、まず本発明の比較例を説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In the following, prior to the description of embodiments of the present invention, first, a comparative example of the present invention will be described.

【００２５】〔比較例〕図１には比較例に係る電源装置
１０が示されている。電源装置１０は、一次巻線１２Ａ
及び中点が設けられた二次巻線１２Ｂを備えたトランス
１２と、トランス１２の一次巻線１２Ａに接続されたＤ
Ｃ−ＡＣインバータ回路１４と、トランス１２の二次巻
線１２Ｂに接続された同期整流回路１６と、同期整流回
路１６に接続された平滑回路１８と、平滑回路１８及び
ＤＣ−ＡＣインバータ回路１４に接続された帰還・制御
回路２０と、で構成され、平滑回路１８に接続された負
荷２２に直流電圧を供給するものである。Comparative Example FIG. 1 shows a power supply device 10 according to a comparative example. The power supply device 10 has a primary winding 12A.
And a transformer 12 having a secondary winding 12B provided with a midpoint, and a transformer D connected to a primary winding 12A of the transformer 12.
The C-AC inverter circuit 14, the synchronous rectifier circuit 16 connected to the secondary winding 12B of the transformer 12, the smoothing circuit 18 connected to the synchronous rectifier circuit 16, the smoothing circuit 18, and the DC-AC inverter circuit 14. And a feedback / control circuit 20 connected thereto, and supplies a DC voltage to a load 22 connected to the smoothing circuit 18.

【００２６】ＤＣ−ＡＣインバータ回路１４は電圧印加
手段に対応しており、本比較例では、ＤＣ−ＡＣインバ
ータ回路１４としてハーフブリッジ型のインバータ回路
を用いている。すなわち、ＤＣ−ＡＣインバータ回路１
４は直流電圧源２６を備え、直流電圧源２６のプラス端
子はＭＯＳＦＥＴ２８のドレイン及びコンデンサ３２の
一端に各々接続されている。なお直流電圧源２６は、例
えば商用の交流電圧源と整流回路と平滑回路で構成する
ことができる。The DC-AC inverter circuit 14 corresponds to a voltage applying means. In this comparative example, a half-bridge type inverter circuit is used as the DC-AC inverter circuit 14. That is, the DC-AC inverter circuit 1
Reference numeral 4 denotes a DC voltage source 26. The positive terminal of the DC voltage source 26 is connected to the drain of the MOSFET 28 and one end of the capacitor 32, respectively. The DC voltage source 26 can be composed of, for example, a commercial AC voltage source, a rectifier circuit, and a smoothing circuit.

【００２７】ＭＯＳＦＥＴ２８のソースはトランス１２
の一次巻線１２Ａの一端及びＭＯＳＦＥＴ３０のドレイ
ンに各々接続されており、コンデンサ３２の他端はトラ
ンス１２の一次巻線１２Ａの他端及びコンデンサ３４の
一端に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ３０のソース及び
コンデンサ３４の他端は直流電圧源２６のマイナス端子
に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ２８、３０のゲートは
帰還・制御回路２０に接続されており、ＭＯＳＦＥＴ２
８、３０は帰還・制御回路２０によってオンオフが制御
される（詳細は後述）。The source of the MOSFET 28 is the transformer 12
The other end of the capacitor 32 is connected to one end of the primary winding 12A and the drain of the MOSFET 30, and the other end of the capacitor 32 is connected to the other end of the primary winding 12A of the transformer 12 and one end of the capacitor. The source of MOSFET 30 and the other end of capacitor 34 are connected to the negative terminal of DC voltage source 26. The gates of the MOSFETs 28 and 30 are connected to the feedback / control circuit 20,
On / off of the feedback / control circuit 20 is controlled by the feedback / control circuit 20 (details will be described later).

【００２８】また、本比較例に係る同期整流回路１６は
Ｎ型のＭＯＳＦＥＴ３８、４０を備えている。なお図１
では、ＭＯＳＦＥＴ３８、４０のボディダイオードを各
々「３８ａ」「４０ａ」の符号を付して示している。Ｍ
ＯＳＦＥＴ３８のドレインはトランス１２の二次巻線１
２Ｂの一端に接続されており、ＭＯＳＦＥＴ４０のドレ
インは二次巻線１２Ｂの他端に接続されている。また、
ＭＯＳＦＥＴ３８、４０のソースは接続点Ｐで互いに接
続されている。ＭＯＳＦＥＴ３８、４０は本発明に係る
一対の第１スイッチング素子に対応している。The synchronous rectifier circuit 16 according to the comparative example includes N-type MOSFETs 38 and 40. FIG. 1
Here, the body diodes of the MOSFETs 38 and 40 are indicated by reference numerals “38a” and “40a”, respectively. M
The drain of the OSFET 38 is the secondary winding 1 of the transformer 12.
2B, and the drain of the MOSFET 40 is connected to the other end of the secondary winding 12B. Also,
The sources of the MOSFETs 38 and 40 are connected to each other at a connection point P. The MOSFETs 38 and 40 correspond to a pair of first switching elements according to the present invention.

【００２９】なお、以下では説明の都合上、便宜的に、
トランス１２の二次巻線１２Ｂのうち、ＭＯＳＦＥＴ３
８のドレインと接続されている二次巻線１２Ｂの一端か
ら二次巻線１２Ｂの中点迄の区間の巻線を「二次巻線１
２Ｂ0」、ＭＯＳＦＥＴ４０のドレインと接続されてい
る二次巻線１２Ｂの他端から二次巻線１２Ｂの中点迄の
区間の巻線を「二次巻線１２Ｂ1」と称して各々を区別
する。In the following, for convenience of explanation, for convenience,
MOSFET3 of the secondary winding 12B of the transformer 12
8 is referred to as a “secondary winding 1” in a section from one end of the secondary winding 12B connected to the drain to the middle point of the secondary winding 12B.
2B 0 ”, and the winding from the other end of the secondary winding 12B connected to the drain of the MOSFET 40 to the middle point of the secondary winding 12B is referred to as“ secondary winding 12B 1 ”to distinguish each winding. I do.

【００３０】また、トランス１２の二次巻線１２Ｂのう
ち二次巻線１２Ｂ0側の端部は反転回路（ＮＯＴ回路）
４２の入力端に接続されており、反転回路４２の出力端
はＭＯＳＦＥＴ３８のゲートに接続されている。同様
に、二次巻線１２Ｂのうち二次巻線１２Ｂ1側の端部は
反転回路４４の入力端に接続されており、反転回路４４
の出力端はＭＯＳＦＥＴ４０のゲートに接続されてい
る。Further, ends inverting circuit of the secondary winding 12B 0 side of the secondary winding 12B of the transformer 12 (NOT circuit)
The output terminal of the inversion circuit 42 is connected to the gate of the MOSFET 38. Similarly, the ends of the secondary winding 12B 1 side of the secondary winding 12B is connected to the input terminal of the inverting circuit 44, inverter circuit 44
Is connected to the gate of the MOSFET 40.

【００３１】平滑回路１８は、一端がトランス１２の二
次巻線１２Ｂの中点に接続されたインダクタンス４８
と、一端がインダクタンス５０の他端に接続され他端が
接続点Ｐに接続されたコンデンサ５０と、で構成されて
いる。電源装置１０による直流電圧供給対象としての負
荷２２はコンデンサ５０の両端に接続される。The smoothing circuit 18 has an inductance 48 whose one end is connected to the middle point of the secondary winding 12B of the transformer 12.
And a capacitor 50 having one end connected to the other end of the inductance 50 and the other end connected to the connection point P. The load 22 as a DC voltage supply target by the power supply device 10 is connected to both ends of the capacitor 50.

【００３２】また、コンデンサ５０の一端から負荷２２
へ至る給電線の途中には接続線５４の一端が接続されて
おり、接続線５４の他端は、直列に接続された帰還・制
御回路２０の抵抗５６、５８を介して接続点Ｐに接続さ
れている。抵抗５６と抵抗５８の接続点は誤差増幅器６
０の入力端に接続されており、電源装置１０から負荷２
２に供給される直流電圧は抵抗５６、５８によって分圧
されて誤差増幅器６０に入力される。誤差増幅器６０は
目標電圧値に対する入力電圧値の差（誤差）が０となる
ように誤差の極性を反転して増幅する。The load 22 is connected from one end of the capacitor 50 to the load 22.
One end of a connection line 54 is connected in the middle of the feed line to the other end, and the other end of the connection line 54 is connected to the connection point P via the resistors 56 and 58 of the feedback / control circuit 20 connected in series. Have been. The connection point between the resistance 56 and the resistance 58 is the error amplifier 6
0, and is connected to the load 2
The DC voltage supplied to 2 is divided by resistors 56 and 58 and input to error amplifier 60. The error amplifier 60 inverts and amplifies the polarity of the error so that the difference (error) between the input voltage value and the target voltage value becomes zero.

【００３３】誤差増幅器６０の出力端はフォトカプラ６
２を介して可変周波数発振回路６４の入力端に接続され
ており、可変周波数発振回路６４の出力端はパルス発生
回路６６に接続されている。可変周波数発振回路６４
は、予め定められた基準周波数に対し、フォトカプラ６
２を介して誤差増幅器６０から入力された信号の電圧値
に応じて発振周波数を変化させ、該発振周波数の信号を
パルス発生回路６６に入力する。The output terminal of the error amplifier 60 is a photocoupler 6
2 is connected to the input terminal of the variable frequency oscillation circuit 64, and the output terminal of the variable frequency oscillation circuit 64 is connected to the pulse generation circuit 66. Variable frequency oscillation circuit 64
Is a photo coupler 6 with respect to a predetermined reference frequency.
The oscillation frequency is changed in accordance with the voltage value of the signal input from the error amplifier 60 via the signal generator 2, and the signal of the oscillation frequency is input to the pulse generation circuit 66.

【００３４】本比較例では、ＭＯＳＦＥＴ２８、３０の
オフ時間ｔOFFを一定とし、オン時間ｔONを変化させる
ことでＭＯＳＦＥＴ２８、３０のオンオフのデューティ
ー比を制御して負荷２２に供給する直流電圧を一定に制
御している。ＭＯＳＦＥＴ２８、３０のオフ時間ｔOFF
はワンショットタイマ６８に保持されており、オフ時間
ｔOFFを規定する信号がワンショットタイマ６８からパ
ルス発生回路６６に入力される。In this comparative example, the off-time t OFF of the MOSFETs 28 and 30 is kept constant, and the on-time duty ratio of the MOSFETs 28 and 30 is controlled by changing the on-time t ON to keep the DC voltage supplied to the load 22 constant. Is controlled. Off time t OFF of MOSFETs 28 and 30
Is held in the one-shot timer 68, and a signal defining the off time t OFF is input from the one-shot timer 68 to the pulse generation circuit 66.

【００３５】パルス発生回路６６は、可変周波数発振回
路６４及びワンショットタイマ６８から入力された信号
に基づき、ＭＯＳＦＥＴ２８のみがオン時間ｔONだけオ
ンし、次にＭＯＳＦＥＴ２８、３０がオフ時間ｔOFFだ
け各々オフし、続いてＭＯＳＦＥＴ３０のみがオン時間
ｔONだけオンし、更にＭＯＳＦＥＴ２８、３０がオフ時
間ｔOFFだけ各々オフするようにＭＯＳＦＥＴ２８、３
０をオンオフさせる駆動信号（パルス信号）を生成し、
生成した駆動信号をＭＯＳＦＥＴ２８、３０のゲートに
各々入力する。The pulse generation circuit 66 turns on only the MOSFET 28 for the ON time t ON and then turns off the MOSFETs 28 and 30 for the OFF time t OFF based on the signals input from the variable frequency oscillation circuit 64 and the one-shot timer 68. The MOSFETs 28 and 30 are turned off, and then only the MOSFET 30 is turned on for the ON time t ON , and the MOSFETs 28 and 30 are turned off for the OFF time t OFF.
Generate a drive signal (pulse signal) for turning on and off 0,
The generated drive signal is input to the gates of the MOSFETs 28 and 30, respectively.

【００３６】次に、本比較例の作用として電源装置１０
の動作について説明する。ＤＣ−ＡＣインバータ回路１
４では、ＭＯＳＦＥＴ２８がオンしているときには、直
流電圧源２６→ＭＯＳＦＥＴ２８→トランス１２の一次
巻線１２Ａ→コンデンサ３２，３４という経路で電流が
流れ、ＭＯＳＦＥＴ３０がオンしているときには、コン
デンサ３２，３４→トランス１２の一次巻線１２Ａ→Ｍ
ＯＳＦＥＴ３０→直流電圧源２６という経路で電流が流
れる。Next, as an operation of the comparative example, the power supply 10
The operation of will be described. DC-AC inverter circuit 1
4, when the MOSFET 28 is on, a current flows through a path of the DC voltage source 26 → the MOSFET 28 → the primary winding 12 A of the transformer 12 → the capacitors 32 and 34, and when the MOSFET 30 is on, the capacitors 32 and 34 → Primary winding 12A → M of transformer 12
A current flows through a path from the OSFET 30 to the DC voltage source 26.

【００３７】従って、一次巻線１２Ａに流れる電流の向
き（一次巻線１２Ａに印加される電圧の向き）は、ＭＯ
ＳＦＥＴ２８がオンしているときとＭＯＳＦＥＴ３０が
オンしているときで逆向きとなり、図２に「一次巻線電
圧」及び「一次巻線電流」として示すように、一次巻線
１２Ａには、一定の休止期間（＝オフ時間ｔOFF）を挟
んで、極性の異なる電圧が交互に印加されて互いに逆向
きの電流が交互に流れる。なお、図２に示した一次巻線
電圧及び一次巻線電流は、ＭＯＳＦＥＴ３０がオンし、
コンデンサ３２，３４→一次巻線１２Ａ→ＭＯＳＦＥＴ
３０→直流電圧源２６という経路で電流が流れている状
態での極性を「正」として表示している。Therefore, the direction of the current flowing through the primary winding 12A (the direction of the voltage applied to the primary winding 12A) is MO
When the SFET 28 is turned on and the MOSFET 30 is turned on, the direction is reversed. As shown in FIG. 2 as “primary winding voltage” and “primary winding current”, a constant Voltages having different polarities are alternately applied with a pause period (= off time t OFF ) therebetween, and currents in opposite directions flow alternately. Incidentally, the primary winding voltage and the primary winding current shown in FIG.
Capacitors 32, 34 → primary winding 12A → MOSFET
The polarity when the current is flowing through the path of 30 → DC voltage source 26 is indicated as “positive”.

【００３８】トランス１２の一次巻線１２Ａに上記のよ
うに電圧が印加されると、二次巻線１２Ｂの中点の電位
（電圧Ｖ１）、二次巻線１２Ｂのうち二次巻線１２Ｂ1
側の端部の電位（電圧Ｖ２）、二次巻線１２Ｂのうち二
次巻線１２Ｂ0側の端部の電位（電圧Ｖ３）は、時間の
経過に伴って図２に示すように変化する。なお、電圧Ｖ
１，Ｖ２，Ｖ３は何れも基準電位が接続点Ｐの電位ＶP
である。また、ＭＯＳＦＥＴ４０のゲートには、電圧Ｖ
２の電圧の高低（ハイレベル／ローレベル）が反転回路
４４によって反転されて入力され（図２に示すＶ４）、
ＭＯＳＦＥＴ３８のゲートには、電圧Ｖ３の電圧の高低
が反転回路４２によって反転されて入力される（図２に
示すＶ５）。なお電圧Ｖ４，Ｖ５も接続点Ｐの電位ＶP
が基準電位である。When the voltage is applied to the primary winding 12A of the transformer 12 as described above, the potential of the middle point of the secondary winding 12B (voltage V1) and the secondary winding 12B 1 of the secondary winding 12B are set.
The potential of the ends of the side (voltage V2), the potential of the ends of the secondary winding 12B 0 side of the secondary winding 12B (voltage V3) is changing as shown in FIG. 2 over time . Note that the voltage V
1, V2 and V3 each have a reference potential of the potential V P of the connection point P.
It is. Further, the voltage V
2 (high level / low level) is inverted and input by the inverting circuit 44 (V4 shown in FIG. 2),
The level of the voltage V3 is inverted and input to the gate of the MOSFET 38 by the inverting circuit 42 (V5 shown in FIG. 2). Note that the voltages V4 and V5 are also the potential V P of the connection point P.
Is a reference potential.

【００３９】ＭＯＳＦＥＴ４０は電圧Ｖ４がハイレベル
のときにオンし、ＭＯＳＦＥＴ３８は電圧Ｖ５がハイレ
ベルのときにオンするので、ＤＣ−ＡＣインバータ回路
１４が一次巻線１２Ａに正方向の電圧を印加することで
二次巻線１２Ｂ0に電圧が誘起されると、電圧Ｖ１及び
電圧Ｖ２がハイレベルで電圧Ｖ３がローレベルとなって
いる状態Ａ（図２に示す期間Ａにおける状態）になり、
電圧Ｖ４がローレベルとなることでＭＯＳＦＥＴ４０は
オフし、電圧Ｖ５がハイレベルとなることでＭＯＳＦＥ
Ｔ３８はオンする。Since the MOSFET 40 is turned on when the voltage V4 is at a high level and the MOSFET 38 is turned on when the voltage V5 is at a high level, the DC-AC inverter circuit 14 applies a positive voltage to the primary winding 12A. in the voltage in the secondary winding 12B 0 is induced, the voltage V1 and the voltage V2 is ready voltage V3 at the high level is at a low level a (state in period a shown in FIG. 2),
When the voltage V4 goes low, the MOSFET 40 is turned off. When the voltage V5 goes high, the MOSFET 40 turns off.
T38 turns on.

【００４０】これにより、トランス１２の二次巻線１２
Ｂの中点→インダクタンス４８→コンデンサ５０及び負
荷２２→接続点Ｐ→ＭＯＳＦＥＴ３８→二次巻線１２Ｂ
0という経路で電流が流れ、所定の極性の直流電圧が平
滑回路１８を介して負荷２２に供給されると共に、平滑
回路１８のインダクタンス４８にエネルギーが蓄積され
る。Thus, the secondary winding 12 of the transformer 12
B middle point → inductance 48 → capacitor 50 and load 22 → connection point P → MOSFET 38 → secondary winding 12B
A current flows through a path of 0, a DC voltage having a predetermined polarity is supplied to the load 22 via the smoothing circuit 18, and energy is accumulated in the inductance 48 of the smoothing circuit 18.

【００４１】なお、このときＭＯＳＦＥＴ４０はオフし
ており、二次巻線１２Ｂ1は逆電圧が誘起された状態と
なっているので、二次巻線１２Ｂのうち二次巻線１２Ｂ
1側の端部の電位は接続点Ｐの電位ＶPと比較して高電位
になっている。従って、接続点ＰからＭＯＳＦＥＴ４０
のボディダイオード４０ａを通って電流が流れることは
なく、ボディダイオード４０ａを電流が流れることで損
失が生ずることはない。[0041] At this time MOSFET40 is off, since the secondary winding 12B 1 in a state of reverse voltage is induced, the secondary winding 12B of the secondary winding 12B
The potential of the ends of the 1 side is at a high potential compared to potential V P of the connection point P. Therefore, from the connection point P to the MOSFET 40
No current flows through the body diode 40a, and no loss occurs due to the current flowing through the body diode 40a.

【００４２】図２において、二次巻線電流ＩB0は二次巻
線１２Ｂ0を流れる電流、二次巻線電流ＩB1は二次巻線
１２Ｂ1を流れる電流、二次側電流Ｉ0は平滑回路１８の
インダクタンス４８を流れる電流を各々表しているが、
前述のように状態Ａでは二次巻線１２Ｂ1に電流が流れ
ない（二次巻線電流ＩB1＝０）ので、二次側電流Ｉ0は
二次巻線電流ＩB0に等しくなる。[0042] In FIG. 2, the secondary winding current I B0 is the current flowing through the secondary winding 12B 0, the secondary winding current I B1 is the current flowing through the secondary winding 12B 1, the secondary-side current I 0 is Each of the currents flowing through the inductance 48 of the smoothing circuit 18 is shown,
Since no current flows in the state A, the secondary winding 12B 1, as described above (secondary winding current I B1 = 0), the secondary-side current I 0 is equal to the secondary winding current I B0.

【００４３】また、所定のオン時間が経過しＤＣ−ＡＣ
インバータ回路１４が一次巻線１２Ａへの電圧の印加を
休止すると、二次巻線１２Ｂに電圧が誘起されず、電圧
Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３が各々ローレベルになっている状態Ｂ
（図２に示す期間Ｂにおける状態）に切り替わり、電圧
Ｖ４、Ｖ５が各々ハイレベルとなることでＭＯＳＦＥＴ
３８、４０が各々オンする。When a predetermined ON time elapses and DC-AC
When the inverter circuit 14 stops applying the voltage to the primary winding 12A, no voltage is induced in the secondary winding 12B, and the state B in which the voltages V1, V2, and V3 are each at a low level.
(The state in the period B shown in FIG. 2), and when the voltages V4 and V5 become high level, the MOSFET
38 and 40 are turned on.

【００４４】従ってこの状態Ｂでは、平滑回路１８のイ
ンダクタンス４８に蓄積されたエネルギーにより、イン
ダクタンス４８→コンデンサ５０及び負荷２２→接続点
Ｐ→ＭＯＳＦＥＴ３８→二次巻線１２Ｂ0→二次巻線１
２Ｂの中点→インダクタンス４８という第１の経路を電
流が流れると共に、インダクタンス４８→コンデンサ５
０及び負荷２２→接続点Ｐ→ＭＯＳＦＥＴ４０→二次巻
線１２Ｂ1→二次巻線１２Ｂの中点→インダクタンス４
８という第２の経路を電流が流れることになり（図２の
期間Ｂにおける二次巻線電流ＩB0、ＩB1、二次側電流Ｉ
0を参照）、状態Ａのときと同一の極性の直流電圧が負
荷２２に供給される。Accordingly, in this state B, the energy stored in the inductance 48 of the smoothing circuit 18 causes the inductance 48 → the capacitor 50 and the load 22 → the connection point P → the MOSFET 38 → the secondary winding 12B 0 → the secondary winding 1
A current flows through the first path of the middle point of 2B → the inductance 48, and the inductance 48 → the capacitor 5
0 and load 22 → connection point P → MOSFET 40 → secondary winding 12B 1 → middle point of secondary winding 12B → inductance 4
8, a current flows through the second path (secondary winding currents I B0 , I B1 and secondary side current I B during period B in FIG. 2).
0 ), and a DC voltage having the same polarity as that in the state A is supplied to the load 22.

【００４５】仮に状態ＢでＭＯＳＦＥＴ３８，４０がオ
フしていた場合、ＭＯＳＦＥＴ３８のボディダイオード
３８ａには二次巻線電流ＩB0が順方向に流れ、ＭＯＳＦ
ＥＴ３８のボディダイオード３８ａには二次巻線電流Ｉ
B1が順方向に流れることで、ボディダイオード３８ａ，
３８ｂの順方向電圧降下により損失が生ずる。しかし本
比較例では、前述のように状態ＢでＭＯＳＦＥＴ３８、
４０が各々オンしているので、ＭＯＳＦＥＴ３８のボデ
ィダイオード３８ａ及びＭＯＳＦＥＴ４０のボディダイ
オード４０ａを通って電流が流れることはなく、ボディ
ダイオード３８ａ、４０ａを電流が流れることによる損
失の発生を回避することができる。なお、状態Ｂでは二
次巻線１２Ｂ0、１２Ｂ1を各々電流が流れるので、二次
側電流Ｉ 0は二次巻線電流ＩB0と二次巻線電流ＩB1の和
に等しい（Ｉ0＝ＩB0＋ＩB1）。In state B, MOSFETs 38 and 40 are turned off.
The body diode of MOSFET 38
38a has a secondary winding current IB0Flows forward, and MOSF
The secondary winding current I is applied to the body diode 38a of the ET 38.
B1Flows in the forward direction, so that the body diodes 38a,
Loss is caused by the forward voltage drop of 38b. But the book
In the comparative example, as described above, the MOSFET 38 in the state B,
40 are on, the body of MOSFET 38
Body die of diode 38a and MOSFET 40
No current flows through the Aether 40a and the body
Loss due to current flowing through diodes 38a and 40a
Loss can be avoided. In state B,
Next winding 12B0, 12B1Since each current flows, the secondary
Side current I 0Is the secondary winding current IB0And secondary winding current IB1Sum of
(I0= IB0+ IB1).

【００４６】また、所定のオフ時間が経過しＤＣ−ＡＣ
インバータ回路１４が一次巻線１２Ａに負方向の電圧を
印加することで二次巻線１２Ｂ1に電圧が誘起される
と、上述した状態Ｂから、電圧Ｖ１、Ｖ３がハイレベル
で電圧Ｖ２がローレベルとなっている状態Ｃ（図２に示
す期間Ｃにおける状態）へ切り替わり、電圧Ｖ４がハイ
レベルとなることでＭＯＳＦＥＴ４０はオンし、電圧Ｖ
５がローレベルとなることでＭＯＳＦＥＴ３８はオフす
る。When a predetermined off time has passed and DC-AC
When the voltage in the secondary winding 12B 1 by the inverter circuit 14 applies a negative voltage to the primary winding 12A is induced from the state B, which has been described above, the voltage V2 is a voltage V1, V3 at the High level Low The state is switched to the state C (the state in the period C shown in FIG. 2) in which the MOSFET 40 is turned on when the voltage V4 becomes the high level, and the voltage V4 is turned on.
The MOSFET 38 is turned off when the signal 5 goes low.

【００４７】これにより、トランス１２の二次巻線１２
Ｂの中点→インダクタンス４８→コンデンサ５０及び負
荷２２→接続点Ｐ→ＭＯＳＦＥＴ４０→二次巻線１２Ｂ
1という経路で電流が流れ、状態Ａ及び状態Ｂのときと
同一の極性の直流電圧が負荷２２に供給されると共に、
平滑回路１８のインダクタンス４８にエネルギーが蓄積
される。Thus, the secondary winding 12 of the transformer 12
B middle point → inductance 48 → capacitor 50 and load 22 → connection point P → MOSFET 40 → secondary winding 12B
A current flows through the path 1 and a DC voltage having the same polarity as that in the state A and the state B is supplied to the load 22.
Energy is stored in the inductance 48 of the smoothing circuit 18.

【００４８】なお、このときＭＯＳＦＥＴ３８はオフし
ており、二次巻線１２Ｂ0は逆電圧が誘起された状態と
なっているので、二次巻線１２Ｂのうち二次巻線１２Ｂ
0側の端部の電位は接続点Ｐの電位ＶPと比較して高電位
になっている。従って、接続点ＰからＭＯＳＦＥＴ３８
のボディダイオード３８ａを通って電流が流れることは
なく、ボディダイオード３８ａを電流が流れることで損
失が生ずることはない。状態Ｃでは二次巻線１２Ｂ0に
電流が流れない（二次巻線電流ＩB0＝０）ので、二次側
電流Ｉ0は二次巻線電流ＩB1に等しくなる。At this time, the MOSFET 38 is off and the secondary winding 12B 0 is in a state in which a reverse voltage is induced.
Potential end of the 0 side is the higher potential as compared to potential V P of the connection point P. Therefore, from the connection point P, the MOSFET 38
No current flows through the body diode 38a, and no loss occurs due to the current flowing through the body diode 38a. In state C, no current flows through the secondary winding 12B 0 (secondary winding current I B0 = 0), so the secondary current I 0 is equal to the secondary winding current I B1 .

【００４９】図２からも明らかなように、電源回路１０
の二次側回路（同期整流回路１６及び平滑回路１８）
は、電源回路１０が動作している間、状態がＡ→Ｂ→Ｃ
→Ｂ→Ａ→…と順次切り替わるが、上述したように、状
態Ａ乃至状態Ｃの何れの状態においてもＭＯＳＦＥＴ３
８、４０のボディダイオード３８ａ、４０ａに電流が流
れることはないので、ボディダイオードを電流が流れる
ことで損失が生ずることを回避することができる。As is apparent from FIG.
(Synchronous rectifier circuit 16 and smoothing circuit 18)
Means that the state is A → B → C while the power supply circuit 10 is operating.
→ B → A →..., But as described above, in any of the states A to C, the MOSFET 3
Since no current flows through the body diodes 38a and 40a of the transistors 8 and 40, it is possible to avoid the occurrence of loss due to the current flowing through the body diodes.

【００５０】また、本比較例では、ＤＣ−ＡＣインバー
タ回路１４によってトランス１２の一次巻線１２Ａに電
圧が印加されている期間にＭＯＳＦＥＴ３８、４０を交
互にオンさせると共に、一次巻線１２Ａへの電圧の印加
が停止されている期間にＭＯＳＦＥＴ３８、４０を各々
オンさせることを、二次巻線１２Ｂの両端の電位（電圧
Ｖ２、Ｖ３）を反転回路４２、４４で反転させてＭＯＳ
ＦＥＴ３８、４０のゲートに入力する、という簡易な構
成で実現しているので、電源装置１０の構成の簡略化、
低コスト化を実現できる。In this comparative example, while the voltage is applied to the primary winding 12A of the transformer 12 by the DC-AC inverter circuit 14, the MOSFETs 38 and 40 are alternately turned on, and the voltage applied to the primary winding 12A is changed. The turning on of the MOSFETs 38 and 40 during the period when the application of the voltage is stopped is performed by inverting the potentials (voltages V2 and V3) at both ends of the secondary winding 12B by the inverting circuits 42 and 44.
Since it is realized by a simple configuration of inputting to the gates of the FETs 38 and 40, the configuration of the power supply device 10 is simplified.
Cost reduction can be realized.

【００５１】なお、ＭＯＳＦＥＴ３８、４０のオンオフ
を制御する制御手段は、図３又は図４に示したように構
成することも可能である。例として図３に示した電源装
置７２では、電圧Ｖ２、Ｖ３を反転する反転回路４２、
４４に代えて、入力端が二次巻線１２Ｂの中点に接続さ
れた反転回路７４が設けられている。反転回路７４の出
力端は、ＯＲ回路７６の２個の入力端の一方、及びＯＲ
回路７８の２個の入力端の一方に各々接続されている。The control means for controlling the on / off of the MOSFETs 38 and 40 can be configured as shown in FIG. 3 or FIG. For example, in the power supply device 72 shown in FIG. 3, the inverting circuit 42 that inverts the voltages V2 and V3,
Instead of 44, an inverting circuit 74 whose input terminal is connected to the middle point of the secondary winding 12B is provided. The output terminal of the inverting circuit 74 is connected to one of the two input terminals of the OR circuit 76 and the OR terminal.
Each of the two input terminals of the circuit 78 is connected to one of the two input terminals.

【００５２】ＯＲ回路７６の２個の入力端の他方は二次
巻線１２Ｂのうち二次巻線１２Ｂ1側の端部に接続され
ており、ＯＲ回路７６の出力端はＭＯＳＦＥＴ３８のゲ
ートに接続されている。また、ＯＲ回路７８の２個の入
力端の他方は二次巻線１２Ｂのうち二次巻線１２Ｂ0側
の端部に接続されており、ＯＲ回路７８の出力端はＭＯ
ＳＦＥＴ４０のゲートに接続されている。[0052] Two other input terminal of the OR circuit 76 is connected to an end of the secondary winding 12B 1 side of the secondary winding 12B, the output terminal of the OR circuit 76 is connected to the gate of the MOSFET38 Have been. Also, two other input terminal is connected to an end of the secondary winding 12B 0 side of the secondary winding 12B, the output terminal of the OR circuit 78 of the OR circuit 78 MO
It is connected to the gate of SFET40.

【００５３】ＯＲ回路７６は、電圧Ｖ１（図２参照）が
反転回路７４によって反転されて入力されると共に電圧
Ｖ２が入力され、双方の信号の論理和に相当する信号を
出力するので、ＯＲ回路７６から出力される信号は図２
に示す電圧Ｖ５と同一の波形となる。また、ＯＲ回路７
８は、電圧Ｖ１が反転回路７４によって反転されて入力
されると共に電圧Ｖ３が入力され、双方の信号の論理和
に相当する信号を出力するので、ＯＲ回路７８から出力
される信号は図２に示す電圧Ｖ４と同一の波形となる。The OR circuit 76 receives the voltage V1 (see FIG. 2) inverted by the inverting circuit 74 and receives the voltage V2, and outputs a signal corresponding to the logical sum of the two signals. The signal output from 76 is shown in FIG.
Has the same waveform as the voltage V5 shown in FIG. Also, the OR circuit 7
8, the voltage V1 is inverted by the inverting circuit 74 and input, and the voltage V3 is input and outputs a signal corresponding to the logical sum of the two signals. It has the same waveform as the voltage V4 shown.

【００５４】従って、図３に示す電源回路７２のＭＯＳ
ＦＥＴ３８、４０は、ＤＣ−ＡＣインバータ回路１４に
よる一次巻線１２Ａへの電圧の印加に対し、図１に示す
電源回路１０のＭＯＳＦＥＴ３８、４０と同一のタイミ
ングでオンオフされることになるので、電源装置１０と
同様にＭＯＳＦＥＴ３８、４０のボディダイオードを電
流が流れることで損失が生ずることを回避することがで
きる。また、ＭＯＳＦＥＴ３８、４０のオンオフを制御
することを、反転回路７４、ＯＲ回路７６、７８から成
る簡易な回路構成で実現しているので、電源装置７２の
構成の簡略化、低コスト化を実現できる。Therefore, the power supply circuit 72 shown in FIG.
The FETs 38 and 40 are turned on and off at the same timing as the MOSFETs 38 and 40 of the power supply circuit 10 shown in FIG. 1 when the DC-AC inverter circuit 14 applies a voltage to the primary winding 12A. As in the case of 10, it is possible to avoid the occurrence of loss due to the current flowing through the body diodes of the MOSFETs 38 and 40. Further, since the on / off control of the MOSFETs 38 and 40 is realized by a simple circuit configuration including the inversion circuit 74 and the OR circuits 76 and 78, the configuration of the power supply device 72 can be simplified and the cost can be reduced. .

【００５５】また、図４に示す電源装置８２では、図３
に示したＯＲ回路７６、７８に代えてダイオード８４
Ａ、８４Ｂ、８６Ａ、８６Ｂを用いている。すなわち反
転回路７４の出力端はダイオード８４Ａ、８６Ａのアノ
ードに各々接続されている。また、ダイオード８４Ｂの
アノードは二次巻線１２Ｂのうち二次巻線１２Ｂ1側の
端部に接続されており、ダイオード８６Ｂのアノードは
二次巻線１２Ｂのうち二次巻線１２Ｂ0側の端部に接続
されている。そして、ダイオード８４Ａ、８４Ｂのカソ
ードはＭＯＳＦＥＴ３８のゲートに接続されており、ダ
イオード８６Ａ、８６ＢのカソードはＭＯＳＦＥＴ４０
のゲートに接続されている。Further, in the power supply device 82 shown in FIG.
Instead of the OR circuits 76 and 78 shown in FIG.
A, 84B, 86A and 86B are used. That is, the output terminal of the inverting circuit 74 is connected to the anodes of the diodes 84A and 86A, respectively. Further, the diode 84B anode is connected to an end of the secondary winding 12B 1 side of the secondary winding 12B, the diode 86B anode of the secondary winding 12B 0 side of the secondary winding 12B Connected to the end. The cathodes of the diodes 84A and 84B are connected to the gate of the MOSFET 38, and the cathodes of the diodes 86A and 86B are connected to the MOSFET 40.
Connected to the gate.

【００５６】上記構成により、ＭＯＳＦＥＴ３８のゲー
トに入力される信号は図２に示す電圧Ｖ５と同一の波形
となり、ＭＯＳＦＥＴ４０のゲートに入力される信号は
図２に示す電圧Ｖ４と同一の波形となるので、電源回路
８２のＭＯＳＦＥＴ３８、４０についても、ＤＣ−ＡＣ
インバータ回路１４による一次巻線１２Ａへの電圧の印
加に対し、図１に示す電源回路１０のＭＯＳＦＥＴ３
８、４０と同一のタイミングでオンオフされることにな
る。従って、ＭＯＳＦＥＴ３８、４０のボディダイオー
ドを電流が流れることで損失が生ずることを回避するこ
とができる。With the above configuration, the signal input to the gate of the MOSFET 38 has the same waveform as the voltage V5 shown in FIG. 2, and the signal input to the gate of the MOSFET 40 has the same waveform as the voltage V4 shown in FIG. , The MOSFETs 38 and 40 of the power supply circuit 82 are also DC-AC
When voltage is applied to the primary winding 12A by the inverter circuit 14, the MOSFET 3 of the power supply circuit 10 shown in FIG.
It will be turned on and off at the same timing as 8 and 40. Therefore, it is possible to avoid a loss caused by a current flowing through the body diodes of the MOSFETs 38 and 40.

【００５７】また、ＭＯＳＦＥＴ３８、４０のオンオフ
を制御することを、反転回路７４、ダイオード８４Ａ、
８４Ｂ、８６Ａ、８６Ｂから成る簡易な回路構成で実現
しているので、電源装置８２の構成の簡略化、低コスト
化を実現できる。The on / off control of the MOSFETs 38 and 40 is controlled by an inverting circuit 74, a diode 84A,
Since the power supply device 82 is realized with a simple circuit configuration including 84B, 86A, and 86B, the configuration of the power supply device 82 can be simplified and the cost can be reduced.

【００５８】〔実施形態〕次に本発明の実施形態につい
て説明する。なお、比較例と同一の部分には同一の符号
を付し、説明を省略する。図５には本実施形態に係る電
源装置９０が示されている。[Embodiment] Next, an embodiment of the present invention will be described. Note that the same parts as those of the comparative example are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. FIG. 5 shows a power supply device 90 according to the present embodiment.

【００５９】電源装置９０では、ＭＯＳＦＥＴ３８をオ
ンオフさせる駆動信号を出力する制御部９２ＡがＭＯＳ
ＦＥＴ３８のゲートに接続されており、ＭＯＳＦＥＴ４
０をオンオフさせる駆動信号を出力する制御部９２Ｂが
ＭＯＳＦＥＴ４０のゲートに接続されている。制御部９
２Ａ、９２Ｂとしては、例えば従来と同様に、ＭＯＳＦ
ＥＴ３８を、二次巻線１２Ｂ0に電圧が誘起される期間
Ａ（図２参照）にのみオンさせ、ＭＯＳＦＥＴ４０を、
二次巻線１２Ｂ1に電圧が誘起される期間Ｃにのみオン
させる駆動信号を発生させる構成を採用することができ
る。In the power supply device 90, the control unit 92A for outputting a drive signal for turning on and off the MOSFET 38 is a MOS transistor.
It is connected to the gate of FET38 and MOSFET4
A control unit 92B that outputs a drive signal for turning on and off 0 is connected to the gate of the MOSFET 40. Control unit 9
2A and 92B are, for example, MOSF
The ET 38 is turned on only during a period A (see FIG. 2) in which a voltage is induced in the secondary winding 12B 0 , and the MOSFET 40 is turned on.
It is possible to adopt a configuration for generating a drive signal for turning on only in the period C the voltage induced in the secondary winding 12B 1.

【００６０】上記の構成は、例えばＭＯＳＦＥＴ３８の
ゲートに電圧Ｖ２が入力されるように、二次巻線１２Ｂ
のうち二次巻線１２Ｂ1側の端部とＭＯＳＦＥＴ３８の
ゲートを接続する接続線によって制御部９２Ａを構成
し、ＭＯＳＦＥＴ４０のゲートに電圧Ｖ３が入力される
ように、二次巻線１２Ｂのうち二次巻線１２Ｂ0側の端
部とＭＯＳＦＥＴ４０のゲートを接続する接続線によっ
て制御部９２Ｂを構成することで実現できる。なお、制
御部９２Ａ、９２Ｂは請求項１に記載の制御手段に対応
している。The above-described configuration allows the secondary winding 12B to be supplied with the voltage V2 to the gate of the MOSFET 38, for example.
Constitute a control section 92A by a connection line which connects the gate of the ends of the secondary winding 12B 1 side and the MOSFET38 of, so that the voltage V3 is input to the gate of the MOSFET 40, two of the secondary winding 12B It can be realized by configuring the controller 92B by the connection line that connects the gate of the winding 12B 0 side end and the MOSFET 40. Note that the control units 92A and 92B correspond to the control means described in claim 1.

【００６１】また、二次巻線１２Ｂの中点にはＮ型のＭ
ＯＳＦＥＴ９４のドレインが接続されており、ＭＯＳＦ
ＥＴ９４のソースは接続点Ｐに接続されている。なお、
図５ではＭＯＳＦＥＴ９４のボディダイオードを「９４
ａ」の符号を付して示している。また、二次巻線１２Ｂ
の中点には反転回路９６の入力端が接続されており、反
転回路９６の出力端はＭＯＳＦＥＴ９４のゲートに接続
されている。The middle point of the secondary winding 12B has an N-type M
The drain of the OSFET 94 is connected and the MOSF
The source of the ET94 is connected to the connection point P. In addition,
In FIG. 5, the body diode of the MOSFET 94 is set to "94".
a ". Also, the secondary winding 12B
The input terminal of the inversion circuit 96 is connected to the middle point, and the output terminal of the inversion circuit 96 is connected to the gate of the MOSFET 94.

【００６２】なお、ＭＯＳＦＥＴ９４はオン状態で二次
巻線１２Ｂの中点と接続点Ｐを短絡するので、請求項１
に記載の第２スイッチング素子に対応している。また、
反転回路９６及び反転回路９６を接続する接続線は請求
項１に記載の短絡制御手段に対応している。Since the MOSFET 94 shorts the middle point of the secondary winding 12B and the connection point P in the ON state,
Corresponds to the second switching element. Also,
The inverting circuit 96 and the connection line connecting the inverting circuit 96 correspond to the short-circuit control means according to claim 1.

【００６３】次に本実施形態の作用を説明する。本実施
形態に係る電源装置９０のＭＯＳＦＥＴ３８、４０は一
次巻線１２Ａに電圧が印加されていないとき（すなわち
期間Ｂ）に各々オフされるので、一次巻線１２Ａに電圧
が印加されていない期間Ｂに、平滑回路１８のインダク
タンス４８に蓄積されたエネルギーによりＭＯＳＦＥＴ
３８、４０のボディダイオード３８ａ、４０ａに電流が
流れる。Next, the operation of the present embodiment will be described. Since the MOSFETs 38 and 40 of the power supply device 90 according to the present embodiment are turned off when no voltage is applied to the primary winding 12A (that is, the period B), the period B during which no voltage is applied to the primary winding 12A is set. The MOSFET stored in the inductor 48 of the smoothing circuit 18
Current flows through the body diodes 38a, 40a of the 38, 40.

【００６４】これに対し、ＭＯＳＦＥＴ９４のゲートに
は、二次巻線１２Ｂの中点の電圧Ｖ１の電圧の高低（ハ
イレベル／ローレベル）が反転回路９６によって反転さ
れて入力されるので、図２に示すＶ１の変化からも明ら
かなように、ＭＯＳＦＥＴ９４は一次巻線１２Ａに電圧
が印加されていない期間Ｂにのみオンする。これによ
り、二次巻線１２Ｂの中点と接続点Ｐが短絡されるの
で、インダクタンス４８に蓄積されたエネルギーによる
電流はインダクタンス４８→コンデンサ５０及び負荷２
２→ＭＯＳＦＥＴ９４→インダクタンス４８という経路
を流れる。On the other hand, since the high / low level (high level / low level) of the voltage V1 at the middle point of the secondary winding 12B is inverted and input to the gate of the MOSFET 94 by the inverting circuit 96, FIG. As is clear from the change in V1, the MOSFET 94 turns on only during the period B when no voltage is applied to the primary winding 12A. As a result, the middle point of the secondary winding 12B and the connection point P are short-circuited, and the current due to the energy stored in the inductance 48 is reduced from the inductance 48 to the capacitor 50 and the load 2
It flows through a path of 2 → MOSFET 94 → inductance 48.

【００６５】従って、ＭＯＳＦＥＴ３８、４０のボディ
ダイオード３８ａ、４０ａ及びＭＯＳＦＥＴ９４のボデ
ィダイオード９４ａを電流が流れることが阻止され、Ｍ
ＯＳＦＥＴ３８、４０、９４のボディダイオードを電流
が流れることで損失が生ずることを回避することができ
る。また、実施形態に係る電源装置９０では、一次巻線
１２Ａに電圧が印加されていない期間Ｂに二次巻線１２
Ｂを電流が流れることも阻止されるので、二次巻線１２
Ｂを電流が流れることで銅損が発生することも回避する
ことができ、比較例で説明した電源装置と比較して、電
源装置の効率を更に向上させることができる。また、Ｍ
ＯＳＦＥＴ３８、４０、９４のボディダイオードを電流
が流れることを阻止することを、ＭＯＳＦＥＴ９４及び
反転回路９６から成る簡易な回路構成で実現しているの
で、電源装置９０の構成の簡略化及び低コスト化を実現
できる。Therefore, current is prevented from flowing through the body diodes 38a, 40a of the MOSFETs 38, 40 and the body diode 94a of the MOSFET 94, and
It is possible to prevent a loss from being caused by a current flowing through the body diodes of the OSFETs 38, 40, and 94. Further, in the power supply device 90 according to the embodiment, in the period B in which no voltage is applied to the primary winding 12A, the secondary winding 12
B is also prevented from flowing through the secondary winding 12.
The occurrence of copper loss due to the current flowing through B can also be avoided, and the efficiency of the power supply device can be further improved as compared with the power supply device described in the comparative example. Also, M
The prevention of the current from flowing through the body diodes of the OSFETs 38, 40, and 94 is realized by a simple circuit configuration including the MOSFET 94 and the inverting circuit 96. Therefore, the configuration of the power supply device 90 can be simplified and the cost can be reduced. realizable.

【００６６】例えば反転回路９６は、例として図６に示
すように抵抗１００、１０２、１０４とトランジスタ１
０６で構成することができる。すなわち、抵抗１００の
一端はインダクタンス４８と負荷２２の間に接続されて
おり、抵抗１００の他端はＭＯＳＦＥＴ９４のゲートに
接続されている。また、抵抗１０２の一端はＭＯＳＦＥ
Ｔ９４のドレインに接続されており、抵抗１０２の他端
は抵抗１０４の一端及びトランジスタ１０６のベースに
各々接続されている。トランジスタ１０６のコレクタは
ＭＯＳＦＥＴ９４のゲートに接続されており、トランジ
スタ１０６のエミッタ及び抵抗１０４の他端はＭＯＳＦ
ＥＴ９４のソースに接続されている。For example, the inverting circuit 96 includes resistors 100, 102, 104 and a transistor 1 as shown in FIG.
06. That is, one end of the resistor 100 is connected between the inductance 48 and the load 22, and the other end of the resistor 100 is connected to the gate of the MOSFET 94. One end of the resistor 102 is MOSFE
The other end of the resistor 102 is connected to one end of the resistor 104 and the base of the transistor 106, respectively. The collector of the transistor 106 is connected to the gate of the MOSFET 94, and the emitter of the transistor 106 and the other end of the resistor 104 are connected to a MOSF.
Connected to the source of ET94.

【００６７】上述した構成の反転回路において、抵抗１
００を介してＭＯＳＦＥＴ９４のゲートに至る経路は反
転回路の給電線に相当し、ＭＯＳＦＥＴ９４のゲートに
は負荷２２に供給される直流電圧が抵抗１００を介して
入力される。In the inverting circuit having the above configuration, the resistance 1
A path leading to the gate of the MOSFET 94 via the line 00 corresponds to a power supply line of the inverting circuit, and a DC voltage supplied to the load 22 is input to the gate of the MOSFET 94 via the resistor 100.

【００６８】ここで、ＤＣ−ＡＣインバータ回路１４が
一次巻線１２Ａに電圧を印加している期間（期間Ａ及び
期間Ｃ）は、二次巻線１２Ｂの中点の電圧Ｖ１が高電位
とされるので、トランジスタ１０６のベースが電圧Ｖ１
を抵抗１０２、１０４で分圧した電位になりベースに電
流が流れることでトランジスタ１０６がオンし、給電線
の電位は低電位とされる。従って、二次巻線１２Ｂの中
点の電圧Ｖ１が高電位とされている間はＭＯＳＦＥＴ９
４はオフ状態とされる。Here, during a period in which the DC-AC inverter circuit 14 applies a voltage to the primary winding 12A (period A and period C), the voltage V1 at the middle point of the secondary winding 12B is set to a high potential. Therefore, the base of the transistor 106 has the voltage V1
Is divided by the resistors 102 and 104 and a current flows to the base, so that the transistor 106 is turned on and the potential of the power supply line is set to a low potential. Therefore, while the voltage V1 at the middle point of the secondary winding 12B is kept at a high potential, the MOSFET 9
4 is turned off.

【００６９】また、ＤＣ−ＡＣインバータ回路１４が一
次巻線１２Ａへの電圧の印加を休止している期間（期間
Ｂ）は、二次巻線１２Ｂの中点の電圧Ｖ１が低電位とさ
れるので、トランジスタ１０６がオフすることで給電線
の電位は高電位とされ、ＭＯＳＦＥＴ９４がオン状態に
なることで二次巻線１２Ｂの中点と接続点Ｐが短絡され
る。反転回路９６は上記のように非常に簡易な回路構成
で実現できるので、電源装置９０の構成の簡略化及び低
コスト化を実現できる。Also, during the period when the DC-AC inverter circuit 14 stops applying the voltage to the primary winding 12A (period B), the voltage V1 at the middle point of the secondary winding 12B is set to a low potential. Therefore, when the transistor 106 is turned off, the potential of the power supply line is set to a high potential, and when the MOSFET 94 is turned on, the middle point of the secondary winding 12B and the connection point P are short-circuited. Since the inversion circuit 96 can be realized with a very simple circuit configuration as described above, the configuration of the power supply device 90 can be simplified and the cost can be reduced.

【００７０】なお、図５ではＭＯＳＦＥＴ３８、４０の
ドレインを二次巻線１２Ｂに接続した例を示したが、こ
れに限定されるものではなく、図７に示すように、ＭＯ
ＳＦＥＴ３８のソースを二次巻線１２Ｂの二次巻線１２
Ｂ0側の端部に接続すると共に、ＭＯＳＦＥＴ４０のソ
ースを二次巻線１２Ｂの二次巻線１２Ｂ1側の端部に接
続するようにしてもよい。図７に示す電源装置１１０で
は、ＭＯＳＦＥＴ３８、４０のドレインが接続点を介し
て互いに接続されており、この接続点ＰにはＭＯＳＦＥ
Ｔ９４のドレイン、反転回路９６の入力端及びインダク
タンス４８の一端が接続されている。また、ＭＯＳＦＥ
Ｔ９４のソースは二次巻線１２Ｂの中点に接続されてい
る。FIG. 5 shows an example in which the drains of the MOSFETs 38 and 40 are connected to the secondary winding 12B. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG.
The source of the SFET 38 is connected to the secondary winding 12 of the secondary winding 12B.
While connected to the end portion of the B 0 side, it may be connected to a source of MOSFET40 the end of the secondary winding 12B 1 side of the secondary winding 12B. In the power supply device 110 shown in FIG. 7, the drains of the MOSFETs 38 and 40 are connected to each other via a connection point.
The drain of T94, the input terminal of the inverting circuit 96, and one end of the inductance 48 are connected. Also, MOSFE
The source of T94 is connected to the middle point of the secondary winding 12B.

【００７１】この電源装置１１０は、二次巻線１２Ｂ0
に電圧が誘起される期間Ａ（図２参照）にＭＯＳＦＥＴ
３８をオンさせたときに、二次巻線１２Ｂ0→ＭＯＳＦ
ＥＴ３８→接続点Ｐ→インダクタンス４８→コンデンサ
５０及び負荷２２→二次巻線１２Ｂの中点、という経路
で電流が流れ、二次巻線１２Ｂ1に電圧が誘起される期
間ＣにＭＯＳＦＥＴ４０をオンさせたときに、二次巻線
１２Ｂ1→ＭＯＳＦＥＴ４０→接続点Ｐ→インダクタン
ス４８→コンデンサ５０及び負荷２２→二次巻線１２Ｂ
の中点、という経路で電流が流れる点以外の動作は電源
装置９０と同じである。This power supply device 110 has a secondary winding 12B 0
During the period A (see FIG. 2) in which a voltage is induced in the MOSFET,
38 is turned on, the secondary winding 12B 0 → MOSF
ET38 → midpoint of the connection point P → inductance 48 → capacitor 50 and load 22 → secondary winding 12B, a current flows through a path that turns on the MOSFET40 the period C the voltage induced in the secondary winding 12B 1 The secondary winding 12B 1 → MOSFET 40 → connection point P → inductance 48 → capacitor 50 and load 22 → secondary winding 12B
The operation other than the point at which the current flows through the middle point is the same as that of the power supply device 90.

【００７２】電源装置１１０の反転回路９６及び反転回
路９６を接続する接続線は、請求項１に記載の短絡制御
手段に対応している。The inverting circuit 96 of the power supply device 110 and the connection line connecting the inverting circuit 96 correspond to the short-circuit control means according to the first aspect.

【００７３】また、短絡制御手段は、図５乃至図７に示
した構成に代えて、図８に示す構成を採用することも可
能である。すなわち、図８に示した電源装置１１４は、
一端がＭＯＳＦＥＴ９４のソースに接続され他端が接続
点Ｐ（又は二次巻線１２Ｂの中点）に接続された抵抗１
１６と、マイナス端子が接続点Ｐ（又は二次巻線１２Ｂ
の中点）に接続された基準電圧源１１８と、２個の入力
端の一方が基準電圧源１１８のプラス端子に、他方がＭ
ＯＳＦＥＴ９４のソースに接続され、出力端がＭＯＳＦ
ＥＴ９４のゲートに接続された比較器１２０と、で構成
されている。Further, the short-circuit control means may employ the configuration shown in FIG. 8 instead of the configuration shown in FIGS. That is, the power supply 114 shown in FIG.
A resistor 1 having one end connected to the source of the MOSFET 94 and the other end connected to the connection point P (or the middle point of the secondary winding 12B)
16 and the negative terminal is connected to the connection point P (or the secondary winding 12B
), One of the two input terminals is connected to the plus terminal of the reference voltage source 118, and the other is connected to M
The output terminal is connected to the source of OSFET 94
And a comparator 120 connected to the gate of the ET94.

【００７４】比較器１２０はＭＯＳＦＥＴ９４のソース
に接続された入力端を介して入力される電圧が、基準電
圧源１１８に接続された入力端を介して入力される電圧
よりも大きい場合には、出力端を介して出力する信号の
レベル（電位）をハイレベル（高電位）とし、上記の場
合以外のときには出力信号のレベル（電位）をローレベ
ル（低電位）とする。The comparator 120 outputs the signal when the voltage input through the input terminal connected to the source of the MOSFET 94 is higher than the voltage input through the input terminal connected to the reference voltage source 118. The level (potential) of the signal output through the end is set to the high level (high potential), and the level (potential) of the output signal is set to the low level (low potential) except in the above case.

【００７５】なお、ＭＯＳＦＥＴ９４は請求項２に記載
の第２スイッチング素子に対応しており、比較器１２０
は請求項２に記載の比較器に対応している。そして、上
記構成の短絡制御手段は、請求項２に記載の短絡制御手
段に対応している。Note that the MOSFET 94 corresponds to the second switching element according to the second aspect, and
Corresponds to the comparator according to claim 2. And the short circuit control means of the said structure respond | corresponds to the short circuit control means of Claim 2.

【００７６】電源装置１１４では、一次巻線１２Ａへの
電圧の印加が休止されると、インダクタンス４８に蓄え
られていたエネルギーによる電流が、ＭＯＳＦＥＴ９４
のボディダイオード９４ａを流れるが、ＭＯＳＦＥＴ９
４のソースの電位は抵抗１１６によって所定値以上とな
る。ここで、ＭＯＳＦＥＴ９４のソースに接続された入
力端を介して比較器１２０に入力される電圧が、基準電
圧源１１８に接続された入力端を介して比較器１２０に
入力される電圧よりも大きくなると、比較器１２０から
出力される信号のレベルがハイレベルとなり、ＭＯＳＦ
ＥＴ９４がオンする。In the power supply device 114, when the application of the voltage to the primary winding 12A is stopped, the current due to the energy stored in the inductance 48 is changed to the MOSFET 94.
Flows through the body diode 94a of the MOSFET 9
The potential of the source No. 4 is higher than a predetermined value by the resistor 116. Here, when the voltage input to the comparator 120 via the input terminal connected to the source of the MOSFET 94 becomes higher than the voltage input to the comparator 120 via the input terminal connected to the reference voltage source 118. , The level of the signal output from the comparator 120 becomes high and the MOSF
ET94 turns on.

【００７７】これにより、二次巻線１２Ｂの中点と接続
点Ｐが短絡されるので、インダクタンス４８に蓄積され
たエネルギーによる電流はインダクタンス４８→コンデ
ンサ５０及び負荷２２→抵抗１１６→ＭＯＳＦＥＴ９４
→インダクタンス４８という経路を流れる。従って、Ｍ
ＯＳＦＥＴ３８、４０のボディダイオード３８ａ、４０
ａ及びＭＯＳＦＥＴ９４のボディダイオード９４ａを電
流が流れることが阻止され、ＭＯＳＦＥＴ３８、４０、
９４のボディダイオードを電流が流れることで損失が生
ずることを回避することができる。As a result, the middle point of the secondary winding 12B and the connection point P are short-circuited, so that the current due to the energy stored in the inductance 48 is changed from the inductance 48 → the capacitor 50 and the load 22 → the resistor 116 → the MOSFET 94.
→ It flows through the path of inductance 48. Therefore, M
The body diodes 38a, 40 of the OSFETs 38, 40
a, and current is prevented from flowing through the body diode 94a of the MOSFET 94, and the MOSFETs 38, 40,
It is possible to avoid a loss caused by a current flowing through the body diode 94.

【００７８】また、ＭＯＳＦＥＴ３８、４０、９４のボ
ディダイオードを電流が流れることを阻止することを、
ＭＯＳＦＥＴ９４と抵抗１１６、基準電圧源１１８及び
比較器１２０から成る簡易な回路構成で実現しているの
で、電源装置１１４の構成の簡略化及び低コスト化を実
現できる。Further, it is possible to prevent the current from flowing through the body diodes of the MOSFETs 38, 40, and 94.
Since it is realized with a simple circuit configuration including the MOSFET 94, the resistor 116, the reference voltage source 118, and the comparator 120, the configuration of the power supply device 114 can be simplified and the cost can be reduced.

【００７９】なお、電源装置１１４の短絡制御手段は、
ＭＯＳＦＥＴ９４のボディダイオード９４ａに電流が流
れたことを検知してＭＯＳＦＥＴ９４をオンさせるの
で、ＭＯＳＦＥＴ９４がオンされる迄の間はＭＯＳＦＥ
Ｔ９４のボディダイオード９４ａに電流が流れることに
なるが、ＭＯＳＦＥＴ９４のボディダイオード９４ａに
電流が流れ始めてから比較器１２０の出力信号のレベル
が切り替わる迄の期間の長さは、抵抗１１６の値や基準
電圧源１１８で発生される電圧等のパラメータを適切に
選択することで非常に短くすることができ、ボディダイ
オードを電流が流れることによる損失を極めて小さくす
ることができる。Note that the short-circuit control means of the power supply 114
Since it is detected that a current has flowed through the body diode 94a of the MOSFET 94 and the MOSFET 94 is turned on, the MOSFET is turned on until the MOSFET 94 is turned on.
The current flows through the body diode 94a of the T94. The length of time from when the current starts flowing through the body diode 94a of the MOSFET 94 to when the level of the output signal of the comparator 120 is switched depends on the value of the resistor 116 and the reference voltage. By properly selecting parameters such as the voltage generated by the source 118, the length can be made very short, and the loss due to the current flowing through the body diode can be made extremely small.

【００８０】なお、上記では第１スイッチング素子及び
第２スイッチング素子としてＮ型のＭＯＳＦＥＴを適用
した場合を説明したが、これに限定されるものではな
く、第１スイッチング素子や第２スイッチング素子とし
て、Ｐ型のＭＯＳＦＥＴや他のトランジスタを用いても
よい。In the above description, the case where the N-type MOSFET is applied as the first switching element and the second switching element has been described. However, the present invention is not limited to this. A P-type MOSFET or another transistor may be used.

【００８１】また、上記では電圧印加手段としてハーフ
ブリッジ型のインバータ回路を用いた例を説明したが、
これに限定されるものではなく、例えばフルブリッジ型
のインバータ回路等を適用してもよいことは言うまでも
ない。In the above description, an example in which a half-bridge type inverter circuit is used as the voltage applying means has been described.
The invention is not limited to this, and it goes without saying that, for example, a full-bridge type inverter circuit or the like may be applied.

【００８２】[0082]

【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
は、制御信号入力端の電位が高電位のときにオン状態、
低電位のときにオフ状態となる第２スイッチング素子
を、オン状態でトランスの二次巻線の中点と接続点とを
短絡するように設け、二次巻線の中点又は接続点の電位
が高電位とされている間は第２スイッチング素子の制御
信号入力端の電位を低電位とし、二次巻線の中点又は接
続点の電位が低電位とされている間は第２スイッチング
素子の制御信号入力端の電位を高電位とするので、簡易
な構成で損失を低減することができる、という優れた効
果を有する。As described above, according to the first aspect of the present invention, when the potential of the control signal input terminal is high, the ON state is achieved.
A second switching element that is turned off when the potential is low is provided so as to short-circuit the middle point and the connection point of the secondary winding of the transformer in the on state, and the potential of the middle point or the connection point of the secondary winding is provided. While the potential of the control signal input terminal of the second switching element is set to a low potential while the potential of the middle point or the connection point of the secondary winding is set to a low potential. Since the potential of the control signal input terminal is made high, there is an excellent effect that the loss can be reduced with a simple configuration.

【００８３】請求項２記載の発明は、オン状態でトラン
スの二次巻線の中点と接続点とを短絡するように設けら
れ、トランスの一次巻線に電圧が印加されていない期間
に順方向電圧が印加されるダイオードが並列に設けられ
た第２スイッチング素子の制御信号入力端に、ダイオー
ドを介して流れる電流が所定値以上のときに出力信号を
高電位とする比較器から出力された信号を入力すること
で、一次巻線への電圧の印加が停止されている期間に第
２スイッチング素子をオンさせるので、簡易な構成で損
失を低減することができる、という優れた効果を有す
る。According to a second aspect of the present invention, the intermediate point and the connection point of the secondary winding of the transformer are short-circuited in the ON state, and the connection is made sequentially during a period in which no voltage is applied to the primary winding of the transformer. When a current flowing through the diode is greater than or equal to a predetermined value, the output signal is output to a control signal input terminal of a second switching element in which a diode to which a direction voltage is applied is provided in parallel. By inputting the signal, the second switching element is turned on during a period in which the application of the voltage to the primary winding is stopped, so that there is an excellent effect that the loss can be reduced with a simple configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 比較例に係る電源装置の構成の一例を示す回
路図である。FIG. 1 is a circuit diagram illustrating an example of a configuration of a power supply device according to a comparative example.

【図２】 比較例に係る電源装置の動作を説明するため
のタイミングチャートである。FIG. 2 is a timing chart for explaining an operation of a power supply device according to a comparative example.

【図３】 比較例に係る電源装置の他の構成例を示す回
路図である。FIG. 3 is a circuit diagram illustrating another configuration example of the power supply device according to the comparative example.

【図４】 比較例に係る電源装置の他の構成例を示す回
路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing another configuration example of the power supply device according to the comparative example.

【図５】 本実施形態に係る電源装置の構成の一例を示
す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram illustrating an example of a configuration of a power supply device according to the present embodiment.

【図６】 図５に示す電源装置のうち反転回路の詳細を
示す回路図である。6 is a circuit diagram showing details of an inversion circuit in the power supply device shown in FIG.

【図７】 本実施形態に係る電源装置の他の構成例を示
す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing another configuration example of the power supply device according to the embodiment.

【図８】 本実施形態に係る電源装置の他の構成例を示
す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram showing another configuration example of the power supply device according to the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０，７２，８２，９０，１１０，１１４ 電源装置 １２ トランス １４ ＤＣ−ＡＣインバータ回路（電圧印加手段） ３８，４０ ＭＯＳＦＥＴ（第１スイッチング素子） ９４ ＭＯＳＦＥＴ（第２スイッチング素子） ９６ 反転回路（短絡制御手段） １００，１０２，１０４，１１６ 抵抗（短絡制御手
段） １０６ トランジスタ（短絡制御手段） １１８ 基準電圧源（短絡制御手段） １２０ 比較器（短絡制御手段）10, 72, 82, 90, 110, 114 Power supply device 12 Transformer 14 DC-AC inverter circuit (voltage applying means) 38, 40 MOSFET (first switching element) 94 MOSFET (second switching element) 96 Inverting circuit (short circuit control) Means) 100, 102, 104, 116 Resistance (short-circuit control means) 106 Transistor (short-circuit control means) 118 Reference voltage source (short-circuit control means) 120 Comparator (short-circuit control means)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 一次巻線と、中点が設けられた二次巻線
とを備えたトランスと、 前記トランスの一次巻線に一方向の電圧を印加した後に
電圧の印加を所定期間停止し、前記一次巻線に他方向の
電圧を印加した後に電圧の印加を所定期間停止すること
を繰り返す電圧印加手段と、 前記トランスの二次巻線の両端と接続点との間に各々設
けられた一対の第１スイッチング素子と、 前記二次巻線の中点と前記接続点との間に設けられた平
滑回路と、 前記一次巻線に電圧が印加されている期間に前記一対の
第１スイッチング素子を交互にオンさせる制御手段と、 制御信号入力端の電位が高電位のときにオン状態、低電
位のときにオフ状態となり、オン状態で前記二次巻線の
中点と前記接続点とを短絡するように設けられた第２ス
イッチング素子と、 前記二次巻線の中点又は接続点の電位が高電位とされて
いる間は前記第２スイッチング素子の制御信号入力端の
電位を低電位とし、前記二次巻線の中点又は接続点の電
位が低電位とされている間は前記第２スイッチング素子
の制御信号入力端の電位を高電位とする短絡制御手段
と、 を含む電源装置。A transformer having a primary winding and a secondary winding provided with a midpoint; applying a voltage in one direction to the primary winding of the transformer, and stopping application of the voltage for a predetermined period. Voltage applying means for repeating application of a voltage in the other direction to the primary winding and then stopping application of the voltage for a predetermined period, and provided between both ends of the secondary winding of the transformer and a connection point. A pair of first switching elements; a smoothing circuit provided between a middle point of the secondary winding and the connection point; and a pair of first switching elements during a period in which a voltage is applied to the primary winding. A control unit for alternately turning on the elements, an on state when the potential of the control signal input terminal is a high potential, and an off state when the potential is low, and a middle point of the secondary winding and the connection point in the on state. A second switching element provided to short-circuit While the potential of the middle point or connection point of the secondary winding is high, the potential of the control signal input terminal of the second switching element is set to low potential, and the middle point or connection point of the secondary winding is set. And a short-circuit control unit for setting the potential of the control signal input terminal of the second switching element to a high potential while the potential of the second switching element is kept low. 【請求項２】 一次巻線と、中点が設けられた二次巻線
とを備えたトランスと、 前記トランスの一次巻線に一方向の電圧を印加した後に
電圧の印加を所定期間停止し、前記一次巻線に他方向の
電圧を印加した後に電圧の印加を所定期間停止すること
を繰り返す電圧印加手段と、 前記トランスの二次巻線の両端と接続点との間に各々設
けられた一対の第１スイッチング素子と、 前記二次巻線の中点と前記接続点との間に設けられた平
滑回路と、 前記一次巻線に電圧が印加されている期間に前記一対の
第１スイッチング素子を交互にオンさせる制御手段と、 オン状態で前記二次巻線の中点と前記接続点とを短絡す
るように設けられ、前記一次巻線に電圧が印加されてい
ない期間に順方向電圧が印加されるダイオードが並列に
設けられた第２スイッチング素子と、 前記ダイオードを介して流れる電流が所定値以上のとき
に出力信号を高電位とする比較器を含んで構成され、該
比較器から出力された信号を前記第２スイッチング素子
の制御信号入力端に入力することで、前記一次巻線への
電圧の印加が停止されている期間に第２スイッチング素
子をオンさせる短絡制御手段と、 を含む電源装置。2. A transformer having a primary winding and a secondary winding provided with a middle point, and after applying a unidirectional voltage to the primary winding of the transformer, stopping the application of the voltage for a predetermined period. Voltage applying means for repeating application of a voltage in the other direction to the primary winding and then stopping application of the voltage for a predetermined period, and provided between both ends of the secondary winding of the transformer and a connection point. A pair of first switching elements; a smoothing circuit provided between a middle point of the secondary winding and the connection point; and a pair of first switching elements during a period in which a voltage is applied to the primary winding. Control means for alternately turning on the element; and a short circuit between the middle point of the secondary winding and the connection point in the on state, and a forward voltage during a period in which no voltage is applied to the primary winding. A second switch in which diodes to which A switching element that sets an output signal to a high potential when a current flowing through the diode is equal to or greater than a predetermined value, and outputs a signal output from the comparator to a control signal of the second switching element. A short-circuit control unit that turns on the second switching element during a period in which application of a voltage to the primary winding is stopped by inputting to the input terminal.
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