JP2001085799A - 光送受信デバイス - Google Patents
光送受信デバイスInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価に製造でき、長距離伝送に適し、クロス
トークが少ない光送受信デバイスを提供する。 【解決手段】 1本の光ファイバ内に波長の異なる信号
光を双方向に伝搬させるための光送受信デバイスにおい
て、InP基板22上に半導体光増幅器アレイを形成
し、この半導体光増幅器アレイ中の少なくとも1個の光
増幅器は、後端面19−2に高反射膜11を形成すると
共に前端面側19−1にファイバグレーティング14を
設けることにより外部共振器付きレーザを構成し、他の
光増幅器は、前後両端面19−1,10−2に低反射膜
12を形成すると共に後端面側にフォトダイオード10
−1を配置し、これら光増幅器のそれぞれ前端面側を光
合分波器4を介して前記光ファイバに接続した。
トークが少ない光送受信デバイスを提供する。 【解決手段】 1本の光ファイバ内に波長の異なる信号
光を双方向に伝搬させるための光送受信デバイスにおい
て、InP基板22上に半導体光増幅器アレイを形成
し、この半導体光増幅器アレイ中の少なくとも1個の光
増幅器は、後端面19−2に高反射膜11を形成すると
共に前端面側19−1にファイバグレーティング14を
設けることにより外部共振器付きレーザを構成し、他の
光増幅器は、前後両端面19−1,10−2に低反射膜
12を形成すると共に後端面側にフォトダイオード10
−1を配置し、これら光増幅器のそれぞれ前端面側を光
合分波器4を介して前記光ファイバに接続した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、双方向波長多重伝
送用の光送受信デバイスに係り、特に、安価に製造で
き、長距離伝送に適し、クロストークが少ない光送受信
デバイスに関するものである。
送用の光送受信デバイスに係り、特に、安価に製造で
き、長距離伝送に適し、クロストークが少ない光送受信
デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】波長多重伝送用デバイスの開発の進展に
伴い、双方向で波長多重伝送する方式が検討されるよう
になってきた。
伴い、双方向で波長多重伝送する方式が検討されるよう
になってきた。
【0003】図6及び図7に、従来の光送受信デバイス
を示す。
を示す。
【0004】まず、図6の光送受信デバイスは、波長λ
t1で発振する光送信器1の信号光を光変調器2で変調
し、アレイ型導波路グレーティング4を通して光ファイ
バ伝送路5内を矢印6方向に送信すると共に、矢印7方
向から送られてきた波長多重信号光(波長λr1,λr2,
…,λrn)をアレイ型導波路グレーティング4で分波
し、それぞれの分波した信号光を光受信器3−1〜3−
nで受信するようになっている。
t1で発振する光送信器1の信号光を光変調器2で変調
し、アレイ型導波路グレーティング4を通して光ファイ
バ伝送路5内を矢印6方向に送信すると共に、矢印7方
向から送られてきた波長多重信号光(波長λr1,λr2,
…,λrn)をアレイ型導波路グレーティング4で分波
し、それぞれの分波した信号光を光受信器3−1〜3−
nで受信するようになっている。
【0005】また、図7の光送受信デバイスは、それぞ
れ波長λt1,λt2,…,λtnで発振する光送信器1−1
〜1−nの信号光をそれぞれ光変調器2−1〜2−nで
変調し、アレイ型導波路グレーティング4で合波した後
に光ファイバ伝送路5内を矢印6方向に送信すると共
に、矢印7方向から送られてきた波長λr1の信号光をア
レイ型導波路グレーティング4で分波して光受信器3で
受信するようになっている。
れ波長λt1,λt2,…,λtnで発振する光送信器1−1
〜1−nの信号光をそれぞれ光変調器2−1〜2−nで
変調し、アレイ型導波路グレーティング4で合波した後
に光ファイバ伝送路5内を矢印6方向に送信すると共
に、矢印7方向から送られてきた波長λr1の信号光をア
レイ型導波路グレーティング4で分波して光受信器3で
受信するようになっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の光送
受信デバイスで双方向波長多重伝送方式を実現するに
は、次のような問題点が残されている。
受信デバイスで双方向波長多重伝送方式を実現するに
は、次のような問題点が残されている。
【0007】(1)光デバイスが高価すぎる。
【0008】(2)アレイ型導波路グレーティングの光
損失が大きく、伝送距離に制約を受ける。
損失が大きく、伝送距離に制約を受ける。
【0009】(3)アレイ型導波路グレーティングのチ
ャネル間のアイソレーションを大きくとれないので、チ
ャネル間のクロストークに問題がある。
ャネル間のアイソレーションを大きくとれないので、チ
ャネル間のクロストークに問題がある。
【0010】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、安価に製造でき、長距離伝送に適し、クロストーク
が少ない光送受信デバイスを提供することにある。
し、安価に製造でき、長距離伝送に適し、クロストーク
が少ない光送受信デバイスを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、1本の光ファイバ内に波長の異なる信号光
を双方向に伝搬させるための光送受信デバイスにおい
て、InP基板上に半導体光増幅器アレイを形成し、こ
の半導体光増幅器アレイ中の少なくとも1個の光増幅器
は、後端面に高反射膜を形成すると共に前端面側にファ
イバグレーティングを設けることにより外部共振器付き
レーザを構成し、他の光増幅器は、前後両端面に低反射
膜を形成すると共に後端面側にフォトダイオードを配置
し、これら光増幅器のそれぞれ前端面側を光合分波器を
介して前記光ファイバに接続したものである。
に本発明は、1本の光ファイバ内に波長の異なる信号光
を双方向に伝搬させるための光送受信デバイスにおい
て、InP基板上に半導体光増幅器アレイを形成し、こ
の半導体光増幅器アレイ中の少なくとも1個の光増幅器
は、後端面に高反射膜を形成すると共に前端面側にファ
イバグレーティングを設けることにより外部共振器付き
レーザを構成し、他の光増幅器は、前後両端面に低反射
膜を形成すると共に後端面側にフォトダイオードを配置
し、これら光増幅器のそれぞれ前端面側を光合分波器を
介して前記光ファイバに接続したものである。
【0012】前記外部共振器付きレーザを構成する光増
幅器には、しきい値電流よりも高い電流を流し、前記フ
ォトダイオードを配置した光増幅器には、しきい値電流
以下の電流を流すようにしてもよい。
幅器には、しきい値電流よりも高い電流を流し、前記フ
ォトダイオードを配置した光増幅器には、しきい値電流
以下の電流を流すようにしてもよい。
【0013】前記フォトダイオードを配置した光増幅器
の前端面側に所望の波長の信号光のみを通過させる光フ
ィルタを設けてもよい。
の前端面側に所望の波長の信号光のみを通過させる光フ
ィルタを設けてもよい。
【0014】前記光合分波器としてアレイ型導波路グレ
ーティングを用いてもよい。
ーティングを用いてもよい。
【0015】前記外部共振器付きレーザを構成する光増
幅器のファイバグレーティングと前記光合分波器との間
に光変調器を設けてもよい。
幅器のファイバグレーティングと前記光合分波器との間
に光変調器を設けてもよい。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第一の実施形態を
添付図面に基づいて詳述する。
添付図面に基づいて詳述する。
【0017】図1に示されるように、本発明に係る光送
受信デバイスを用いた双方向波長多重伝送方式は、1本
の光ファイバ伝送路5内に、矢印6方向に光送信器1か
らの波長λt1の信号光を伝搬させ、矢印7方向に波長多
重信号光(波長λr1,λr2,…,λrn)を伝搬させ、そ
れぞれの光受信器3−1〜3−nで受信する方式であ
る。この光送受信デバイスの第一の特徴は、1つの光送
信器1と複数の光受信器3−1〜3−nとをInP基板
上に一体的に形成したことにある。即ち、破線で囲まれ
た部分(光デバイスという)9が一体的に形成されてい
る。また、第二の特徴は、それぞれの光受信器3−1〜
3−nの前に光増幅器8−1〜8−nを設け、これらの
光増幅器8−1〜8−nも同じ光デバイス9のInP基
板上にアレイ状に配置したことにある。2は光変調器、
4は光合分波器としてのアレイ型導波路グレーティング
である。
受信デバイスを用いた双方向波長多重伝送方式は、1本
の光ファイバ伝送路5内に、矢印6方向に光送信器1か
らの波長λt1の信号光を伝搬させ、矢印7方向に波長多
重信号光(波長λr1,λr2,…,λrn)を伝搬させ、そ
れぞれの光受信器3−1〜3−nで受信する方式であ
る。この光送受信デバイスの第一の特徴は、1つの光送
信器1と複数の光受信器3−1〜3−nとをInP基板
上に一体的に形成したことにある。即ち、破線で囲まれ
た部分(光デバイスという)9が一体的に形成されてい
る。また、第二の特徴は、それぞれの光受信器3−1〜
3−nの前に光増幅器8−1〜8−nを設け、これらの
光増幅器8−1〜8−nも同じ光デバイス9のInP基
板上にアレイ状に配置したことにある。2は光変調器、
4は光合分波器としてのアレイ型導波路グレーティング
である。
【0018】図1の光送受信デバイスの動作を説明す
る。光送信器1からは波長λt1の信号光が送出され、光
変調器2に入力される。そして変調された信号光がアレ
イ型導波路グレーティング4に送り込まれて合波され、
光ファイバ伝送路5内を矢印6方向に伝搬していく。他
方、光ファイバ伝送路5内を矢印7方向から送られてき
た波長多重信号光(波長λr1,λr2,…,λrn)は、ア
レイ型導波路グレーティング4で分波され、それぞれの
光増幅器8−1〜8−nに入力される。それぞれの光増
幅器8−1〜8−nで増幅された信号光がフォトダイオ
ードからなるそれぞれの光受信器3−1〜3−nに入射
して電気信号に変換される。
る。光送信器1からは波長λt1の信号光が送出され、光
変調器2に入力される。そして変調された信号光がアレ
イ型導波路グレーティング4に送り込まれて合波され、
光ファイバ伝送路5内を矢印6方向に伝搬していく。他
方、光ファイバ伝送路5内を矢印7方向から送られてき
た波長多重信号光(波長λr1,λr2,…,λrn)は、ア
レイ型導波路グレーティング4で分波され、それぞれの
光増幅器8−1〜8−nに入力される。それぞれの光増
幅器8−1〜8−nで増幅された信号光がフォトダイオ
ードからなるそれぞれの光受信器3−1〜3−nに入射
して電気信号に変換される。
【0019】図2は、図1の光デバイス9の詳細構成を
示したものである。図2(a)はInP基板の上面を示
し、図2(b)はInP基板のA−A断面を示す。
示したものである。図2(a)はInP基板の上面を示
し、図2(b)はInP基板のA−A断面を示す。
【0020】この光デバイス9は、波長1.55μm帯
用の光デバイスであり、InP(n + )基板22上に形
成されている。即ち、光デバイス9は、InP(n+ )
基板22上にスラブ構造のInP(n)下部クラッド層
23が形成され、その上にスラブ或いは略矩形状のIn
GaAsPの活性層24が形成され、その上にInP
(p)上部クラッド層25、InGaAsPコンタクト
層26が積層された構造を有する。InP(n+ )基板
22の下面には、下面電極21が設けられ、InGaA
sPコンタクト層26の上には活性層24内に電流を閉
じ込めて流すようにストライプ状の上部電極27−0〜
27−4が形成されている。この光デバイス9は、互い
に独立な5つの光増幅器からなる半導体光増幅器アレイ
である。
用の光デバイスであり、InP(n + )基板22上に形
成されている。即ち、光デバイス9は、InP(n+ )
基板22上にスラブ構造のInP(n)下部クラッド層
23が形成され、その上にスラブ或いは略矩形状のIn
GaAsPの活性層24が形成され、その上にInP
(p)上部クラッド層25、InGaAsPコンタクト
層26が積層された構造を有する。InP(n+ )基板
22の下面には、下面電極21が設けられ、InGaA
sPコンタクト層26の上には活性層24内に電流を閉
じ込めて流すようにストライプ状の上部電極27−0〜
27−4が形成されている。この光デバイス9は、互い
に独立な5つの光増幅器からなる半導体光増幅器アレイ
である。
【0021】光送信器1は、光デバイス9の後端面に形
成した高反射膜11(反射率≧80%)と、光デバイス
9の前端面側のファイバ13−0に形成したファイバグ
レーティング14の等価的反射面15との間で共振器長
Lを持ったレーザ共振器(外部共振器付きレーザ)を構
成し、端子20−0より上部電極27−0から下面電極
21に向けて順方向のしきい値電流よりも高い電流It1
を流すことにより、レーザ発振するものである。その発
振波長λt1は、共振器長Lによって設定することができ
る。
成した高反射膜11(反射率≧80%)と、光デバイス
9の前端面側のファイバ13−0に形成したファイバグ
レーティング14の等価的反射面15との間で共振器長
Lを持ったレーザ共振器(外部共振器付きレーザ)を構
成し、端子20−0より上部電極27−0から下面電極
21に向けて順方向のしきい値電流よりも高い電流It1
を流すことにより、レーザ発振するものである。その発
振波長λt1は、共振器長Lによって設定することができ
る。
【0022】なお、ファイバ13−0の先端は、先球加
工部16を持つように加工され、上部電極27−0の真
下の活性層24から出射されたレーザ光をファイバ13
−0内に効率よく結合するように構成されている。
工部16を持つように加工され、上部電極27−0の真
下の活性層24から出射されたレーザ光をファイバ13
−0内に効率よく結合するように構成されている。
【0023】また、光デバイス9の前端面19−1には
低反射膜12(反射率<0.5%)が形成され、この前
端面19−1からの反射を抑えるように構成されてい
る。
低反射膜12(反射率<0.5%)が形成され、この前
端面19−1からの反射を抑えるように構成されてい
る。
【0024】光受信部、即ち、図1の光増幅器8−1〜
8−n及び光受信器3−1〜3−nに相当する部分で
は、光デバイス9の後端面19−2にも図示しないが低
反射膜(反射率<0.5%)が形成され、その後端面側
に光受信器であるフォトダイオード10−1〜10−4
が設けられている。光増幅器は、前後両端面に低反射膜
を形成することで構成され、それぞれの上部電極27−
1〜27−4の端子20−1〜20−4にしきい値電流
よりも低い順方向電流Ir1,Ir2,Ir3,Ir4を注入す
ることによって動作するものである。それぞれの波長λ
r1,λr2,λr3,λr4の信号光は、前端面19−1の低
反射膜12を通して上部電極27−1〜27−4の真下
の活性層24内へ入射され、電流Ir1,Ir2,Ir3,I
r4の注入によって信号光が活性層24内を伝搬するにつ
れて増幅され、それぞれのフォトダイオード10−1〜
10−4に入力される。
8−n及び光受信器3−1〜3−nに相当する部分で
は、光デバイス9の後端面19−2にも図示しないが低
反射膜(反射率<0.5%)が形成され、その後端面側
に光受信器であるフォトダイオード10−1〜10−4
が設けられている。光増幅器は、前後両端面に低反射膜
を形成することで構成され、それぞれの上部電極27−
1〜27−4の端子20−1〜20−4にしきい値電流
よりも低い順方向電流Ir1,Ir2,Ir3,Ir4を注入す
ることによって動作するものである。それぞれの波長λ
r1,λr2,λr3,λr4の信号光は、前端面19−1の低
反射膜12を通して上部電極27−1〜27−4の真下
の活性層24内へ入射され、電流Ir1,Ir2,Ir3,I
r4の注入によって信号光が活性層24内を伝搬するにつ
れて増幅され、それぞれのフォトダイオード10−1〜
10−4に入力される。
【0025】次に、本発明の第二の実施形態を説明す
る。
る。
【0026】図3に示した光送受信デバイスは、図1の
光送受信デバイスに光フィルタを付加したものであり、
図1と符号の同じものについては説明を省略する。この
光送受信デバイスでは、光デバイス9のそれぞれの光増
幅器8−1〜8−nの前端面側にそれぞれ異なる所望の
波長λr1,λr2,…,λrnの信号光のみを通過させる光
フィルタ28−1〜28−nが設けられている。図示の
ように光フィルタ28−1〜28−nを光デバイス9内
に設けてもよい。
光送受信デバイスに光フィルタを付加したものであり、
図1と符号の同じものについては説明を省略する。この
光送受信デバイスでは、光デバイス9のそれぞれの光増
幅器8−1〜8−nの前端面側にそれぞれ異なる所望の
波長λr1,λr2,…,λrnの信号光のみを通過させる光
フィルタ28−1〜28−nが設けられている。図示の
ように光フィルタ28−1〜28−nを光デバイス9内
に設けてもよい。
【0027】これらの光フィルタ28−1〜28−nを
設けたことにより、光増幅器8−1〜8−nには所望の
波長の信号光以外の不要な信号光の入射が抑圧されるの
で、高S/Nでかつクロストークの劣化のない受信特性
を得ることができる。
設けたことにより、光増幅器8−1〜8−nには所望の
波長の信号光以外の不要な信号光の入射が抑圧されるの
で、高S/Nでかつクロストークの劣化のない受信特性
を得ることができる。
【0028】図4は、図3の光デバイス9の詳細構成を
矢印7方向から波長λr1,λr2,λr3,λr4の信号光が
入射する場合について示したものである。図4(a)は
InP基板の上面を示し、図4(b)はInP基板のA
−A断面を示す。
矢印7方向から波長λr1,λr2,λr3,λr4の信号光が
入射する場合について示したものである。図4(a)は
InP基板の上面を示し、図4(b)はInP基板のA
−A断面を示す。
【0029】図4の構成が図2の構成と異なる点は、そ
れぞれの光増幅器の入力側、即ち、光デバイス9の前端
面側にグレーティング型光フィルタ28−1〜28−4
を有するファイバ13−1〜13−4を設けたことであ
る。これらのグレーティング型光フィルタ28−1〜2
8−4は、それぞれ波長λr1,λr2,λr3,λr4の信号
光を通過させる帯域通過型光フィルタである。
れぞれの光増幅器の入力側、即ち、光デバイス9の前端
面側にグレーティング型光フィルタ28−1〜28−4
を有するファイバ13−1〜13−4を設けたことであ
る。これらのグレーティング型光フィルタ28−1〜2
8−4は、それぞれ波長λr1,λr2,λr3,λr4の信号
光を通過させる帯域通過型光フィルタである。
【0030】このように1つのInP(n+ )基板上に
一体的にアレイ状に配置した構成は、光送受信デバイス
では従来ない構成であり、小型サイズでコンパクトに実
装することができる。しかも、小さなペルチェ素子を実
装することによって、温度制御を行い、光送信波長の安
定化と光受信パワの増幅利得の安定化とを共に満足する
ことができる。
一体的にアレイ状に配置した構成は、光送受信デバイス
では従来ない構成であり、小型サイズでコンパクトに実
装することができる。しかも、小さなペルチェ素子を実
装することによって、温度制御を行い、光送信波長の安
定化と光受信パワの増幅利得の安定化とを共に満足する
ことができる。
【0031】なお、図2、図4の構成では、それぞれの
光増幅器の増幅利得の制御は、注入電流Ir1,Ir2,I
r3,Ir4を個別に調節することによって個別に行うこと
ができる。従って、それぞれの波長の受信パワを一定に
してそれぞれのフォトダイオード10−1〜10−4に
入力することができる。
光増幅器の増幅利得の制御は、注入電流Ir1,Ir2,I
r3,Ir4を個別に調節することによって個別に行うこと
ができる。従って、それぞれの波長の受信パワを一定に
してそれぞれのフォトダイオード10−1〜10−4に
入力することができる。
【0032】また、図2、図4の構成において、前端面
19−1と後端面19−2とは、入出射光に対して10
°以内の角度で斜めに形成しておくと、これらの端面か
らの反射光が活性層24内へ再入射するのを抑えること
ができる。
19−1と後端面19−2とは、入出射光に対して10
°以内の角度で斜めに形成しておくと、これらの端面か
らの反射光が活性層24内へ再入射するのを抑えること
ができる。
【0033】次に、本発明の第三の実施形態を説明す
る。
る。
【0034】図5に示した光送受信デバイスを用いた双
方向波長多重伝送方式は、1本の光ファイバ伝送路5内
に、矢印6方向に光送信器1−1〜1−nからの波長λ
t1,λt2,…,λtnの信号光を伝搬させ、矢印7方向に
波長λr1信号光を伝搬させ、光受信器3で受信する方式
である。このために、光デバイス9内には、図示のよう
に光送信器1−1〜1−n、光増幅器8、光受信器3が
形成されている。光変調器2−1〜2−n、光フィルタ
28を光デバイス9内に設けてもよい。
方向波長多重伝送方式は、1本の光ファイバ伝送路5内
に、矢印6方向に光送信器1−1〜1−nからの波長λ
t1,λt2,…,λtnの信号光を伝搬させ、矢印7方向に
波長λr1信号光を伝搬させ、光受信器3で受信する方式
である。このために、光デバイス9内には、図示のよう
に光送信器1−1〜1−n、光増幅器8、光受信器3が
形成されている。光変調器2−1〜2−n、光フィルタ
28を光デバイス9内に設けてもよい。
【0035】本発明は、これまで説明した実施形態に限
定されない。他の実施形態を以下に列記する。
定されない。他の実施形態を以下に列記する。
【0036】図1、図3、図5の構成において、矢印6
方向への信号光の波長多重数、或いは矢印7方向からの
信号光の波長多重数は、特に限定されず、何波でもよ
い。
方向への信号光の波長多重数、或いは矢印7方向からの
信号光の波長多重数は、特に限定されず、何波でもよ
い。
【0037】図2、図4の構成において、光送信器1と
光受信部との間には、光学的干渉防止用の溝をコンタク
ト層26の上からコンタクト層26、上部クラッド層2
5にかけて掘って形成してもよい。
光受信部との間には、光学的干渉防止用の溝をコンタク
ト層26の上からコンタクト層26、上部クラッド層2
5にかけて掘って形成してもよい。
【0038】光受信部の各光増幅器間にも上記のような
溝を形成して光学的干渉を生じないようにしてもよい。
溝を形成して光学的干渉を生じないようにしてもよい。
【0039】グレーティングを形成したファイバ13−
0〜13−4は導波路で構成してもよい。
0〜13−4は導波路で構成してもよい。
【0040】図2、図4の構成において、光デバイス9
の前端面19−1近傍の活性層24に、スポットサイズ
変換部をそれぞれ設け、光ファイバとの光結合を効率良
く行うようにしてもよい。
の前端面19−1近傍の活性層24に、スポットサイズ
変換部をそれぞれ設け、光ファイバとの光結合を効率良
く行うようにしてもよい。
【0041】光デバイス9の前端面19−1近傍の活性
層24に、窓構造を形成し、偏波依存性を低く抑えるよ
うにしてもよい。
層24に、窓構造を形成し、偏波依存性を低く抑えるよ
うにしてもよい。
【0042】光送信器1の活性層24の幅は、後端面1
9−2から前端面19−1に向かってテーパ状に広がる
ようにし、レーザ出力を増大させるようにしてもよい。
9−2から前端面19−1に向かってテーパ状に広がる
ようにし、レーザ出力を増大させるようにしてもよい。
【0043】光受信部の光増幅器の活性層24の幅は、
前端面19−1から後端面19−2に向かってテーパ状
に広がるようにし、増幅利得を増大させるようにしても
よい。
前端面19−1から後端面19−2に向かってテーパ状
に広がるようにし、増幅利得を増大させるようにしても
よい。
【0044】本発明の光送信器1は、2.5Gb/s,
10Gb/sなどの高速伝送用にも適しており、かつ、
温度変動に対しても波長安定性に優れている。
10Gb/sなどの高速伝送用にも適しており、かつ、
温度変動に対しても波長安定性に優れている。
【0045】
【発明の効果】本発明は次の如き優れた効果を発揮す
る。
る。
【0046】(1)1つの基板上に送受信用の複数の光
増幅器を形成しているので、小型サイズで実現すること
ができると共に、部品点数が少ないので実装コストも安
価となり、全体として安価に作ることができる。
増幅器を形成しているので、小型サイズで実現すること
ができると共に、部品点数が少ないので実装コストも安
価となり、全体として安価に作ることができる。
【0047】(2)複数の光受信部で光増幅器が一体的
に形成され、各光増幅器の増幅利得も個別に制御でき
る。その結果、フォトダイオードに入力される光パワレ
ベルの増大が図れ、高品質の受信状態を維持できると共
に、より長距離伝送を行うことができる。
に形成され、各光増幅器の増幅利得も個別に制御でき
る。その結果、フォトダイオードに入力される光パワレ
ベルの増大が図れ、高品質の受信状態を維持できると共
に、より長距離伝送を行うことができる。
【0048】(3)複数の光受信部のチャネル間干渉、
クロストーク劣化を光フィルタ挿入により抑えることが
できるので、光増幅器の増幅利得を十分に高くとること
ができ、これにより、受信感度をより一層高め、高品質
の受信状態を維持することができる。
クロストーク劣化を光フィルタ挿入により抑えることが
できるので、光増幅器の増幅利得を十分に高くとること
ができ、これにより、受信感度をより一層高め、高品質
の受信状態を維持することができる。
【0049】(4)4チャンネル以上の波長多重伝送用
光送受信デバイスを小型、低コストで実現でき、2.5
Gb/s,10Gb/sなどの高速伝送用にも使える。
光送受信デバイスを小型、低コストで実現でき、2.5
Gb/s,10Gb/sなどの高速伝送用にも使える。
【図1】本発明の第一の実施形態を示す光送受信デバイ
スのブロック図である。
スのブロック図である。
【図2】図1の光デバイスの詳細構成を示した構造図で
ある。(a)は上面、(b)は側断面を示す。
ある。(a)は上面、(b)は側断面を示す。
【図3】本発明の第二の実施形態を示す光送受信デバイ
スのブロック図である。
スのブロック図である。
【図4】図3の光デバイスの詳細構成を示した構造図で
ある。(a)は上面、(b)は側断面を示す。
ある。(a)は上面、(b)は側断面を示す。
【図5】本発明の第三の実施形態を示す光送受信デバイ
スのブロック図である。
スのブロック図である。
【図6】従来の光送受信デバイスのブロック図である。
【図7】従来の光送受信デバイスのブロック図である。
1 光送信器 2 光変調器 3−1〜3−n 光受信器 4 アレイ型導波路グレーティング(光合分波器) 5 光ファイバ伝送路 8−1〜8−n 光増幅器 10−1〜10−4 フォトダイオード 11 高反射膜 12 低反射膜 14 ファイバグレーティング 28−1〜28−n 光フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F073 AA63 AA83 AB04 AB25 AB28 CA12 EA14 5F089 AA01 AC01 AC07 AC16 CA11 GA07 GA10 5K002 AA05 BA02 BA05 BA07 BA13 BA21 BA31 CA13 CA21 DA02 DA42 FA01
Claims (5)
- 【請求項1】 1本の光ファイバ内に波長の異なる信号
光を双方向に伝搬させるための光送受信デバイスにおい
て、InP基板上に半導体光増幅器アレイを形成し、こ
の半導体光増幅器アレイ中の少なくとも1個の光増幅器
は、後端面に高反射膜を形成すると共に前端面側にファ
イバグレーティングを設けることにより外部共振器付き
レーザを構成し、他の光増幅器は、前後両端面に低反射
膜を形成すると共に後端面側にフォトダイオードを配置
し、これら光増幅器のそれぞれ前端面側を光合分波器を
介して前記光ファイバに接続したことを特徴とする光送
受信デバイス。 - 【請求項2】 前記外部共振器付きレーザを構成する光
増幅器には、しきい値電流よりも高い電流を流し、前記
フォトダイオードを配置した光増幅器には、しきい値電
流以下の電流を流すようにしたことを特徴とする請求項
1記載の光送受信デバイス。 - 【請求項3】 前記フォトダイオードを配置した光増幅
器の前端面側に所望の波長の信号光のみを通過させる光
フィルタを設けたことを特徴とする請求項1又は2記載
の光送受信デバイス。 - 【請求項4】 前記光合分波器としてアレイ型導波路グ
レーティングを用いたことを特徴とする請求項1〜3い
ずれか記載の光送受信デバイス。 - 【請求項5】 前記外部共振器付きレーザを構成する光
増幅器のファイバグレーティングと前記光合分波器との
間に光変調器を設けたことを特徴とする請求項1〜4い
ずれか記載の光送受信デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26032199A JP2001085799A (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | 光送受信デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26032199A JP2001085799A (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | 光送受信デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001085799A true JP2001085799A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17346401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26032199A Pending JP2001085799A (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | 光送受信デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001085799A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012034314A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多チャネル光受信器 |
JP2012175583A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Fujitsu Ltd | 光受信装置および通信システム |
-
1999
- 1999-09-14 JP JP26032199A patent/JP2001085799A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012034314A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多チャネル光受信器 |
JP2012175583A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Fujitsu Ltd | 光受信装置および通信システム |
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