JP2001085667A - 微細構造体の製造方法 - Google Patents
微細構造体の製造方法Info
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
微細加工方法を提供する。 【解決手段】 基材10表面に、局所的に正電荷あるい
は負電荷を与え、該電荷によるパターン16、18を形
成する第1の工程と、負電荷あるいは正電荷を有する官
能基をその構造の一部とする有機分子を含む溶液に基材
を浸積し、前記電荷によるパターンに基づいて該有機分
子の層20(22、24)を形成する第2工程と、を具
備する微細構造体の製造方法。
Description
方法に関する。
微細加工精度の向上への要求はますます強くなってい
る。半導体デバイスの作製に用いられている加工精度
は、0.2ミクロン以下程度までになっているが、将来
的には、数十ナノメートルサイズの加工が期待されてい
る。数十ナノメートルサイズの微細加工を行う方法とし
て、電子線、あるいはX線を用いる方式があるが、いず
れの方式においても、真空系が必要となり装置は大型化
するため、微細構造体の作製のコストが上昇してしま
う。
型プローブ顕微鏡技術が注目を集めている。走査型プロ
ーブ顕微鏡とは、曲率半径が数十ナノメートル程度にま
で先鋭化したプローブを試料表面近傍に近づけ、プロー
ブ先端と試料との間の相互作用により、試料表面の情報
を局所的に検出するものである。プローブの種類によっ
ては、原子レベルの分解能まで得られる超高分解能な特
徴を有する。この走査型プローブ顕微鏡技術を微細加工
へ適用する試みが行われてきており、走査型プローブリ
ソグラフィー(Scanning Probe Lith
ography、以下「SPL」という。)と呼ばれる
技術の分野が形成されつつある。このSPL技術は大気
中での動作が可能であることから、装置構成が非常に簡
単であるため、高精細な加工が低コストで行えるという
メリットがある。
−94102で微細構造体の製造方法を提案している。
この発明は、基板上の極薄分子層をパターンニングし、
その後、パターンニング形状に応じてめっき膜を選択的
に成長させるものである。これにより、高精細なパター
ンニングあるいは構造体の形成が高速に実現できるた
め、大面積の基板の高精細な微細加工が可能となる。
ルの構造体の作製方法については有効な方法が望まれて
いる。特に、有機材料のナノスケールのパターンニング
について、その技術の確立が望まれている。その理由と
して、近年有機材料の開発が大きく進展しており、有機
半導体材料、有機導電材料、有機発光材料などで実用化
が現実味を帯びてきており、これらの材料のナノオーダ
ーのサイズのパターンニングが可能となれば、新規な有
機デバイスが実用化されると期待される。
サイズの有機材料あるいは有機分子からなる微細構造体
を簡易且つ高精度に製造することのできる方法を提供す
ることにある。
体の製造方法は、基材表面に、局所的に正電荷あるいは
負電荷を与え、該電荷によるパターンを形成する第1の
工程と、負電荷あるいは正電荷を有する官能基をその構
造の一部とする有機分子を含む溶液に基材を浸積し、前
記電荷によるパターンに基づいて該有機分子の層を形成
する第2工程と、を具備する。
いて該有機分子の層を形成する」とは、第1工程で形成
された電荷によるパターン(電荷により構成されるパタ
ーン)のライン部(当該電荷の存在する部分)又はスペ
ース部(当該電荷の存在しない部分)の形状に沿うよう
に第2工程で有機分子による層を形成することである。
該有機分子の層は、上記電荷のライン部又はスペース部
のいずれかに形成される。
材表面に局所的に電荷を与えるために、第2の工程でこ
の電荷の作用により基材表面に局所的に有機分子の層を
形成することができる。この有機分子膜の形成は静電気
力を駆動力として行われ、ナノスケールで制御されたパ
ターンニングが可能となる。
官能基をその構造の一部とする有機分子を含む溶液を用
いる場合、該官能基として、カルボキシル基又はチオー
ル基が採用されることが好ましい。また、正電荷を有す
る官能基をその構造の一部とする有機分子を含む溶液を
用いる場合、該官能基として、アミノ基が採用されるこ
とが好ましい。これらの官能基を採用することで、基材
表面に充分な負電荷あるいは正電荷を付与することが可
能となり、その後の有機分子層の作製条件を安定化する
ことができる。
基材表面に、局所的に正電荷あるいは負電荷を与え、
第1の極性の電荷によるパターンを形成する第1の工程
と、前記第1の極性と逆の第2の極性の電荷を有する官
能基をその構造の一部とする有機分子を含む溶液に基材
を浸積し、前記第1の極性の電荷によるパターンに基づ
いて該有機分子の層を形成する第2工程と、前記第1の
極性の電荷を有する官能基をその構造の一部とする有機
分子を含む溶液に基材を浸積し該有機分子の層を形成す
る第3工程と、を具備する。
材表面に形成された有機分子層の上に、さらに有機分子
層を形成することができ、より膜厚の厚い有機分子膜の
パターンニングを可能とする。また、連続した第2工程
及び第3工程を、複数回繰り返すことにより、さらに膜
厚の厚い有機分子膜のパターンニングが可能になる。
である場合、該第1の極性の電荷を有する官能基とし
て、あるいは第2の極性が負である場合、該第2の極性
の電荷を有する官能基として、カルボキシル基又はチオ
ール基が採用されることが好ましい。また、第1の極性
が正である場合、該第1の極性の電荷を有する官能基と
して、あるいは第2の極性が正である場合、該第2の極
性の電荷を有する官能基として、アミノ基が採用される
ことが好ましい。これらの官能基を採用することで、基
材表面に充分な負電荷あるいは正電荷を付与することが
可能となり、その後の有機分子層の作製条件を安定化す
ることができる。
いて、第1の工程、即ち基材表面に基材表面に局所的に
負電荷あるいは正電荷を与え電荷パターンを形成する工
程を基材表面に、負電荷あるいは正電荷を有する官能基
をその構造の一部とする有機化合物極薄膜を選択的に形
成することにより行うことができる。かかる有機化合物
極薄膜を形成する工程では、基材表面に付与する電荷量
の制御が容易となり、その後に形成される有機分子層の
膜厚などの制御性が向上する。
物極薄膜を選択的に形成する工程を、光、あるいは局所
的な電界の印加により有機化合物極薄膜をパターンニン
グすることにより行うことができる。このような局所的
なエネルギーの印加により有機化合物極薄膜をパターン
ニングする場合、例えば、走査型プローブ顕微鏡の導電
性プローブなどを用いることにより、ナノオーダーのサ
イズで有機化合物極薄膜を除去することが可能となり、
これにより、これに基づいてナノオーダーの有機分子構
造体(有機分子層)を形成することが可能となる。ま
た、紫外光を照射することにより、有機化合物薄膜を除
去することが可能となることから、金属パターンをマス
クとして用いて紫外光を照射することにより、ミクロン
オーダー以上の任意のサイズで有機化合物薄膜を除去
し、パターニングすることが可能となる。結果的に、ナ
ノオーダー以上の任意のサイズの有機分子構造体(有機
分子層)を形成することが可能となる。
に沿って詳細に説明する。
スを図1を参照して説明する。
混合液(混合比20:1)で洗浄を行う。液温は80℃
で、10分間行う。水洗、乾燥を行った後で、Siウエ
ハーと(ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラ
ヒドロデシル)トリエトキシシラン[CF3(CF2)
7CH2CH2Si(OC2H5)3]とを密閉容器に
入れて、容器全体を加熱することで、Siウエハー表面
にフルオロアルキルシラン(FAS)単分子層12を形
成した(図1(a))。この単分子層12の膜厚は約1
nm程度であった。
たが、これに限るものではない。また、加熱温度として
は、約100℃に3時間保持することにより単分子層の
形成を行った。しかながら、密閉容器中での保持時間を
長くすれば、室温においても単分子膜の形成が可能であ
ることは確認しており、本発明は、100℃に3時間保
持するのに限るものではない。
原子間力顕微鏡(AFM)を用いてパターニングした。
AFMで使用したプローブ14は、ボロンが高濃度にド
ープされたシリコン製のカンチレーバーの先端付近に、
先鋭化した突起が形成されたものを用いており、その先
端の曲率半径は、約20nmであった。プローブの先端
に電圧が印加できる構成である。試料は、x、y、z軸
方向に可動可能なピエゾスキャナー上に配置され、試料
にのみ電圧が印加される構成である。また、プローブを
試料上の任意の位置へ移動する制御機構を設けてある。
ピエゾスキャナーで試料をプローブに対して走査しなが
ら、プローブ−試料間に電圧を印加できる。このAFM
を用いて、単分子層12の加工を行った。試料のプロー
ブに対する走査速度(以下、走査速度と呼ぶ)を20μ
m/secの一定として、100μm角の領域を、1μ
mピッチで走査をおこなった。その時、プローブと試料
との間に9Vの直流電圧を印加した(図1(b))。電
圧を印加されたところは、Siウエハー表面の単分子層
(FAS層)12が除去されスペース(開口部)16が
形成され、それ以外のところにはFAS層が残っている
(図1(c))。これを確認するために、摩擦力顕微鏡
(Lateral Force Microscope)
を用いて表面を走査したところ、電圧を印加した領域
と、それ以外の領域では摩擦力が異なることが認めら
れ、良好にパターニングされていることが確かめられ
た。
2を有するSiウエハーを、純水、エタノールの順で洗
浄した後に、エタノールに、2vol%のアミノプロピ
ルトリエトキシシラン、4vol%の純水を加えた混合
液中に5分間浸した。さらに、エタノール、純水の順で
Siウエハーの洗浄を行った。以上のプロセスを経て、
FAS層が除去された領域のSiウエハー表面に、分子
鎖の先端にアミノ基を有するアルキルシラン(APS)
単分子層18を形成した(図1(d))。
行う。有機分子膜の作製法として電解質ポリマーの交互
吸着法が知られている。これは、ポリカチオン、ポリア
ニオン双方の溶液に基板を交互に浸積することにより、
原子オーダーで制御された有機極薄膜を基板上に作製す
る手法である。本実施例では、カチオン性ポリマーとし
てはポリアリルアミン(Poly(allylamin
e hydorochloride):PAH)、アニ
オン性ポリマーとしてポリアクリル酸(Poly(ac
rylic acid):PAA)を用いた。いずれも
溶液は10−2Mの濃度に調整した。また、いずれの溶
液も、1規定の塩酸により水素イオン濃度pHを5.5
に調整した。ポリマーの吸着時間は共に10分間とし、
ポリマー吸着後に超純水でトータル5分間の洗浄を3回
に分けて行った。
ノ基が局所的に形成されているため(APS単分子層1
8)、まず、PAAの溶液に浸積し、洗浄し、さらに、
PAHの溶液に浸積洗浄を行った。さらに、引き続きこ
れらの工程を3回繰り返した。
た。まず、PAAの溶液に浸積して、洗浄した後にAF
Mで観察を行ったところ、プローブで電圧を印加した領
域に局所的に膜が形成されており、その膜厚は約42オ
ングストロームであった。次に、PAHの溶液に浸積
し、洗浄した後には、その膜厚は約70オングストロー
ムに増大していた。この繰り返しを3回行った後には、
膜厚は約220オングストロームに増大しており、極性
を選択して電解質ポリマー溶液に浸積することにより、
有機分子層を局所的に形成することが可能であることが
確認された。また、FAS層をパターンニングした形状
に有機分子層がPAAにより形成された有機分子層22
及びPAHにより形成された有機分子層24からなる積
層構造20でパターンニングされていることが確認され
た(図1(e))。パターン幅は0.4μm程度であ
り、幅の揺らぎがほとんどない安定な形状であった。
FMで加工し、引き続き、加工した領域にのみアミノ基
を有する単分子膜を形成し、さらに、電解質ポリマー交
互吸着法を用いることにより、比較的短時間で、高精細
な有機分子からなる構造体を形成することが可能である
ことが確認された。
は、得られたパターン幅として0.4μm程度である
が、AFMによる加工電圧を制御することにより、約3
0nmから約1μm以上の範囲で所望のサイズが得られ
ることを確認している。
分子膜を選択的に除去した試料においても、プローブに
より電圧を印加してものと同様に、局所的に有機分子膜
を形成することが確認された。
を有する単分子膜を形成して(単分子膜原料:3−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン)、PAH,PAA
の順でポリマーを吸着した場合においても、局所的な有
機分子層の積層構造の形成が確認された。また、カルボ
キシル基を有する単分子膜においても局所的な有機分子
層の形成が可能であることも確認しており、水溶液中で
イオン化して電荷を有する官能基を有する単分子層を形
成すれば、本発明で述べたような局所的な有機分子層の
形成が可能であることは言うまでもない。したがって、
本発明は、アミノ基、チオール基、カルボキシル基を有
する単分子層以外のものを採用することもできる。
て、PAA、PAHを例に述べているが、本発明はこれ
に限るものではなく、水溶液中で正あるいは負電荷を有
する有機分子であれば良いことは明らかであり、また、
電荷を有すればポリマーに限らなくとも、モノマー、ダ
イマー、オリゴマーなどでも有効である。
基材表面に局所的に有機分子層をナノスケールで高精細
で、高アスペクト比で、また微細な積層構造にて形成す
ることができる。
って示す断面図。
Claims (13)
- 【請求項1】 基材表面に、局所的に正電荷あるいは負
電荷を与え、該電荷によるパターンを形成する第1の工
程と、負電荷あるいは正電荷を有する官能基をその構造
の一部とする有機分子を含む溶液に基材を浸積し、前記
電荷によるパターンに基づいて該有機分子の層を形成す
る第2工程と、を具備する微細構造体の製造方法。 - 【請求項2】 前記負電荷を有する官能基がカルボキシ
ル基又はチオール基であることを特徴とする請求項1記
載の微細構造体の製造方法。 - 【請求項3】 前記正電荷を有する官能基がアミノ基で
あることを特徴とする請求項1記載の微細構造体の製造
方法。 - 【請求項4】 前記第1の工程は、基材表面に、負電荷
あるいは正電荷を有する官能基をその構造の一部とする
有機化合物極薄膜を選択的に形成する工程である請求項
1記載の微細構造体の製造方法。 - 【請求項5】 前記基材表面に有機化合物極薄膜を選択
的に形成する工程は、光、あるいは局所的な電界の印加
により有機化合物極薄膜をパターンニングするものであ
ることを特徴とする請求項4記載の微細構造体の製造方
法。 - 【請求項6】 基材表面に、局所的に正電荷あるいは負
電荷を与え、第1の極性の電荷によるパターンを形成す
る第1の工程と、前記第1の極性と逆の第2の極性の電
荷を有する官能基をその構造の一部とする有機分子を含
む溶液に基材を浸積し、前記第1の極性の電荷によるパ
ターンに基づいて該有機分子の層を形成する第2工程
と、前記第1の極性の電荷を有する官能基をその構造の
一部とする有機分子を含む溶液に基材を浸積し該有機分
子の層を形成する第3工程と、を具備する微細構造体の
製造方法。 - 【請求項7】 前記第2工程及び第3工程を複数回繰り
返すことを特徴とする請求項6記載の微細構造体の製造
方法。 - 【請求項8】 前記1の極性が負であり、前記第1の極
性の電荷を有する官能基がカルボキシル基又はチオール
基であることを特徴とする請求項6記載の微細構造体の
製造方法。 - 【請求項9】 前記2の極性が負であり、前記第2の極
性の電荷を有する官能基がカルボキシル基又はチオール
基であることを特徴とする請求項6記載の微細構造体の
製造方法。 - 【請求項10】 前記1の極性が正であり、前記第1の
極性の電荷を有する官能基がアミノ基であることを特徴
とする請求項6記載の微細構造体の製造方法。 - 【請求項11】 前記2の極性が正であり、前記第2の
極性の電荷を有する官能基がアミノ基であることを特徴
とする請求項6記載の微細構造体の製造方法。 - 【請求項12】 前記第1の工程は、基材表面に、負電
荷あるいは正電荷を有する官能基をその構造の一部とす
る有機化合物極薄膜を選択的に形成する工程である請求
項6記載の微細構造体の製造方法。 - 【請求項13】 前記有機化合物極薄膜を選択的に形成
する工程は、光、あるいは局所的な電界の印加により有
機化合物極薄膜をパターニングするものであることを特
徴とする請求項12記載の微細構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP26266499A JP4023045B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 微細構造体の製造方法 |
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JP26266499A JP4023045B2 (ja) | 1999-09-16 | 1999-09-16 | 微細構造体の製造方法 |
Publications (2)
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