JP2001076885A - 有機ｅｌ表示デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法 - Google Patents
有機ｅｌ表示デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明配線の抵抗値の調節を容易に行うことが
できる有機ＥＬ表示デバイスにおける透明配線の抵抗値
調節方法を提供する。 【解決手段】 この有機ＥＬ表示デバイスにおける透明
配線の抵抗値調節方法では、セグメント電極Ａ１に接続
される透明配線Ｂ１の厚みＴ１を調節することにより透
明配線Ｂ１の抵抗値を調節するようになっている。
できる有機ＥＬ表示デバイスにおける透明配線の抵抗値
調節方法を提供する。 【解決手段】 この有機ＥＬ表示デバイスにおける透明
配線の抵抗値調節方法では、セグメント電極Ａ１に接続
される透明配線Ｂ１の厚みＴ１を調節することにより透
明配線Ｂ１の抵抗値を調節するようになっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ表示デバ
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法に関するもので
ある。
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図１は、本発明の背景技術である一般的
な有機ＥＬ表示デバイスの断面構造を模式的に示す図で
ある。この有機ＥＬ表示デバイスは、図１に示すよう
に、概略的に、透明基板（ガラス基板等）１上に、ＩＴ
Ｏパターン３、ホール注入層５、有機発光層７、電子注
入層９および金属電極１１を順に積層することにより構
成されている。そして、電源回路１３よりＩＴＯパター
ン３のセグメント電極Ａ（図２参照）および金属電極１
１間に電流を流し、有機発光層７内でのホールと電子の
再結合に伴って生じる発光を用いて表示を行うようにな
っている。
な有機ＥＬ表示デバイスの断面構造を模式的に示す図で
ある。この有機ＥＬ表示デバイスは、図１に示すよう
に、概略的に、透明基板（ガラス基板等）１上に、ＩＴ
Ｏパターン３、ホール注入層５、有機発光層７、電子注
入層９および金属電極１１を順に積層することにより構
成されている。そして、電源回路１３よりＩＴＯパター
ン３のセグメント電極Ａ（図２参照）および金属電極１
１間に電流を流し、有機発光層７内でのホールと電子の
再結合に伴って生じる発光を用いて表示を行うようにな
っている。
【０００３】ＩＴＯパターン３は、図２に示すように、
セグメントを構成するセグメント電極（透明電極）Ａ
と、そのセグメント電極Ａから透明基板１の周縁部に引
き出されて信号入力用電極１５に接続される透明配線Ｂ
とから構成されている。このようなＩＴＯパターン３
は、表示デバイスに設けられるセグメントの数に対応し
て複数設けられる。なお、各ＩＴＯパターン３は、各セ
グメントの形態に応じて透明基板１上にそれぞれ独立し
て設けられるのに対して、ホール注入層５、有機発光層
７、電子注入層９および金属電極１１は、透明基板１上
の所定領域内の全面に平面的に設けれらている。
セグメントを構成するセグメント電極（透明電極）Ａ
と、そのセグメント電極Ａから透明基板１の周縁部に引
き出されて信号入力用電極１５に接続される透明配線Ｂ
とから構成されている。このようなＩＴＯパターン３
は、表示デバイスに設けられるセグメントの数に対応し
て複数設けられる。なお、各ＩＴＯパターン３は、各セ
グメントの形態に応じて透明基板１上にそれぞれ独立し
て設けられるのに対して、ホール注入層５、有機発光層
７、電子注入層９および金属電極１１は、透明基板１上
の所定領域内の全面に平面的に設けれらている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように構成される
有機ＥＬ表示デバイスでは、各セグメントを均一な輝度
で発光させるためには、各セグメント電極の面積の大き
さに応じて、各セグメント電極Ａに印加される駆動電圧
を調節する必要がある。そして、この印加電圧の調節を
行う方法としては、セグメント電極に接続される透明配
線の抵抗値を調節し、その透明配線での電圧降下の大き
さを調節するのが最も簡便な方法である。
有機ＥＬ表示デバイスでは、各セグメントを均一な輝度
で発光させるためには、各セグメント電極の面積の大き
さに応じて、各セグメント電極Ａに印加される駆動電圧
を調節する必要がある。そして、この印加電圧の調節を
行う方法としては、セグメント電極に接続される透明配
線の抵抗値を調節し、その透明配線での電圧降下の大き
さを調節するのが最も簡便な方法である。
【０００５】そこで、本発明は前記問題点に鑑み、透明
配線の抵抗値の調節を容易に行うことができる有機ＥＬ
表示デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法を提供
することを目的とする。
配線の抵抗値の調節を容易に行うことができる有機ＥＬ
表示デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の技術的手段は、透明基板上に配設され、透明電極と信
号入力用電極との間を接続する有機ＥＬ表示デバイスに
おける透明配線の抵抗値調節方法であって、前記透明配
線の厚みを調節することにより前記透明配線の抵抗値を
調節することを特徴とする。
の技術的手段は、透明基板上に配設され、透明電極と信
号入力用電極との間を接続する有機ＥＬ表示デバイスに
おける透明配線の抵抗値調節方法であって、前記透明配
線の厚みを調節することにより前記透明配線の抵抗値を
調節することを特徴とする。
【０００７】また、前記目的を達成するための技術的手
段は、透明基板上に配設され、透明電極と信号入力用電
極との間を接続する有機ＥＬ表示デバイスにおける透明
配線の抵抗値調節方法であって、前記透明配線の長手方
向の少なくとも一部の区間上に、前記透明配線よりも高
導電率の導電物質からなる導電層を設けることにより、
前記透明配線の抵抗値を調節することを特徴とする。
段は、透明基板上に配設され、透明電極と信号入力用電
極との間を接続する有機ＥＬ表示デバイスにおける透明
配線の抵抗値調節方法であって、前記透明配線の長手方
向の少なくとも一部の区間上に、前記透明配線よりも高
導電率の導電物質からなる導電層を設けることにより、
前記透明配線の抵抗値を調節することを特徴とする。
【０００８】さらに、前記目的を達成するための技術的
手段は、透明基板上に配設され、透明電極と信号入力用
電極との間を接続する有機ＥＬ表示デバイスにおける透
明配線の抵抗値調節方法であって、前記透明配線を形成
する透明配線材料に、その透明配線材料よりも高導電率
の導電物質を混入させることにより、前記透明配線の抵
抗値を調節することを特徴とする。
手段は、透明基板上に配設され、透明電極と信号入力用
電極との間を接続する有機ＥＬ表示デバイスにおける透
明配線の抵抗値調節方法であって、前記透明配線を形成
する透明配線材料に、その透明配線材料よりも高導電率
の導電物質を混入させることにより、前記透明配線の抵
抗値を調節することを特徴とする。
【０００９】また、前記目的を達成するための技術的手
段は、透明基板上に配設され、透明電極と信号入力用電
極との間を接続する有機ＥＬ表示デバイスにおける透明
配線の抵抗値調節方法であって、前記透明配線の一部の
区間を、その透明配線よりも高導電率の導電物質によっ
て形成した高導電性配線で置き換えることにより、前記
透明配線の抵抗値を調節するのがよい。
段は、透明基板上に配設され、透明電極と信号入力用電
極との間を接続する有機ＥＬ表示デバイスにおける透明
配線の抵抗値調節方法であって、前記透明配線の一部の
区間を、その透明配線よりも高導電率の導電物質によっ
て形成した高導電性配線で置き換えることにより、前記
透明配線の抵抗値を調節するのがよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】図３および図４は、本発明の第１
実施形態に係る有機ＥＬ表示デバイスにおける透明配線
の抵抗値調節方法が適用された図１および図２の有機Ｅ
Ｌ表示デバイスの要部断面図である。本実施形態に係る
透明配線の抵抗値調節方法では、図３および図４に示す
ように、セグメント電極Ａ１，Ａ２に印加すべき駆動電
圧（あるいはセグメント電極Ａ１，Ａ２の面積）に応じ
て、そのセグメント電極Ａ１，Ａ２に接続される透明配
線（ＩＴＯ配線）Ｂ１，Ｂ２の厚みＴ１，Ｔ２を変化さ
せて、各透明配線Ｂ１，Ｂ２の抵抗値を調節している。
実施形態に係る有機ＥＬ表示デバイスにおける透明配線
の抵抗値調節方法が適用された図１および図２の有機Ｅ
Ｌ表示デバイスの要部断面図である。本実施形態に係る
透明配線の抵抗値調節方法では、図３および図４に示す
ように、セグメント電極Ａ１，Ａ２に印加すべき駆動電
圧（あるいはセグメント電極Ａ１，Ａ２の面積）に応じ
て、そのセグメント電極Ａ１，Ａ２に接続される透明配
線（ＩＴＯ配線）Ｂ１，Ｂ２の厚みＴ１，Ｔ２を変化さ
せて、各透明配線Ｂ１，Ｂ２の抵抗値を調節している。
【００１１】ここでは、セグメント電極Ａ１，Ａ２の面
積に応じて、セグメント電極Ａ１，Ａ２を通じて流れる
電流の単位面積当たりの電流密度がセグメント電極Ａ
１，Ａ２間で実質的に等しくなるように、各配線抵抗Ｂ
１，Ｂ２の抵抗値を調節し、これによって、各セグメン
トの輝度の均一化を図っている。すなわち、ここでは、
セグメント電極Ａ１は、面積が大きくより高い駆動電圧
を印加する必要があるため、そのセグメント電極Ａ１に
接続される透明配線Ｂ１の厚みＴ１は、大きく設定され
ている一方、セグメント電極Ａ２は、面積が小さく低い
駆動電圧を印加すればよいため、そのセグメント電極Ａ
２に接続される透明配線Ｂ２の厚みＴ２は、透明配線Ｂ
１の厚みＴ１よりも小さく設定されている。これによっ
て、透明配線Ｂ１の抵抗値が透明配線Ｂ２よりも低く設
定され、各セグメントの面積に応じた駆動電圧が各セグ
メント電極Ａ１，Ａ２に印加されて、各セグメント電極
Ａ１，Ａ２間の電流密度が均一化され、その結果、各セ
グメントが均一な輝度で発光するようになっている。
積に応じて、セグメント電極Ａ１，Ａ２を通じて流れる
電流の単位面積当たりの電流密度がセグメント電極Ａ
１，Ａ２間で実質的に等しくなるように、各配線抵抗Ｂ
１，Ｂ２の抵抗値を調節し、これによって、各セグメン
トの輝度の均一化を図っている。すなわち、ここでは、
セグメント電極Ａ１は、面積が大きくより高い駆動電圧
を印加する必要があるため、そのセグメント電極Ａ１に
接続される透明配線Ｂ１の厚みＴ１は、大きく設定され
ている一方、セグメント電極Ａ２は、面積が小さく低い
駆動電圧を印加すればよいため、そのセグメント電極Ａ
２に接続される透明配線Ｂ２の厚みＴ２は、透明配線Ｂ
１の厚みＴ１よりも小さく設定されている。これによっ
て、透明配線Ｂ１の抵抗値が透明配線Ｂ２よりも低く設
定され、各セグメントの面積に応じた駆動電圧が各セグ
メント電極Ａ１，Ａ２に印加されて、各セグメント電極
Ａ１，Ａ２間の電流密度が均一化され、その結果、各セ
グメントが均一な輝度で発光するようになっている。
【００１２】次に、透明配線Ｂ１，Ｂ２の厚みＴ１，Ｔ
２の調節方法を説明する。一般に、ＩＴＯパターン３の
形成は、（１）透明基板１上の所定領域内の全域にＩＴ
Ｏ層を形成し、（２）そのＩＴＯ層上に例えば紫外線に
より硬化するポリマーを塗布し、（３）所定のマスクパ
ターンを介して紫外線を基板１上に照射した後、そのポ
リマーの硬化していない部分を洗い流し、（４）さらに
その下のＩＴＯ層を所定の溶液で洗い流し、（５）最後
に、硬化したポリマーを洗い流すという手順で行われ
る。
２の調節方法を説明する。一般に、ＩＴＯパターン３の
形成は、（１）透明基板１上の所定領域内の全域にＩＴ
Ｏ層を形成し、（２）そのＩＴＯ層上に例えば紫外線に
より硬化するポリマーを塗布し、（３）所定のマスクパ
ターンを介して紫外線を基板１上に照射した後、そのポ
リマーの硬化していない部分を洗い流し、（４）さらに
その下のＩＴＯ層を所定の溶液で洗い流し、（５）最後
に、硬化したポリマーを洗い流すという手順で行われ
る。
【００１３】したがって、透明配線Ｂ１，Ｂ２の厚みＴ
１，Ｔ２を大きくしたい場合は、（ａ）透明基板１上に
おけるＩＴＯ層の厚みを大きくしたい部分以外の部分を
紫外線硬化ポリマー等でマスキングした後、（ｂ）ＩＴ
ＯのスパッタリングによりＩＴＯを積層させ、（ｃ）そ
のＩＩＯを積層させた部分（すなわち、厚みを大きくし
た部分）のみを紫外線硬化ポリマーでマスキングした
後、（ｄ）余分なＩＴＯ層を洗い流し、（ｅ）硬化ポリ
マー層を洗い流すことにより、基板１上の厚みを大きく
したい部分に部分的に予めＩＴＯ層を形成した後、上記
（１）ないし（５）の工程を実行することにより、厚み
調節が行われる。
１，Ｔ２を大きくしたい場合は、（ａ）透明基板１上に
おけるＩＴＯ層の厚みを大きくしたい部分以外の部分を
紫外線硬化ポリマー等でマスキングした後、（ｂ）ＩＴ
ＯのスパッタリングによりＩＴＯを積層させ、（ｃ）そ
のＩＩＯを積層させた部分（すなわち、厚みを大きくし
た部分）のみを紫外線硬化ポリマーでマスキングした
後、（ｄ）余分なＩＴＯ層を洗い流し、（ｅ）硬化ポリ
マー層を洗い流すことにより、基板１上の厚みを大きく
したい部分に部分的に予めＩＴＯ層を形成した後、上記
（１）ないし（５）の工程を実行することにより、厚み
調節が行われる。
【００１４】なお、ここでは、図３および図４に示すよ
うに、透明配線Ｂ１，Ｂ２の厚みをその長手方向に均一
な大きさに設定したが、図５に示すように、透明配線Ｂ
１，Ｂ２の長手方向の一部の区間の厚みＴ３のみを部分
的に大きく（あるいは小さく）して抵抗値を調節するよ
うにしてもよい。
うに、透明配線Ｂ１，Ｂ２の厚みをその長手方向に均一
な大きさに設定したが、図５に示すように、透明配線Ｂ
１，Ｂ２の長手方向の一部の区間の厚みＴ３のみを部分
的に大きく（あるいは小さく）して抵抗値を調節するよ
うにしてもよい。
【００１５】以上のように、本実施形態によれば、透明
配線Ｂ１，Ｂ２の厚みＴ１，Ｔ２を調節することにより
その抵抗値を調節するため、透明配線Ｂ１，Ｂ２の抵抗
値を容易に調節することができる。
配線Ｂ１，Ｂ２の厚みＴ１，Ｔ２を調節することにより
その抵抗値を調節するため、透明配線Ｂ１，Ｂ２の抵抗
値を容易に調節することができる。
【００１６】また、厚みＴ１，Ｔ２を増大させることに
より、透明配線Ｂ１，Ｂ２の抵抗値を下げるようにして
いるため、透明配線Ｂ１，Ｂ２の幅を増大させて抵抗値
を下げる方法に比して、少ないスペースで透明配線Ｂ
１，Ｂ２を配設することができ、特に入り組んだ配線を
必要とする場合に有利である。
より、透明配線Ｂ１，Ｂ２の抵抗値を下げるようにして
いるため、透明配線Ｂ１，Ｂ２の幅を増大させて抵抗値
を下げる方法に比して、少ないスペースで透明配線Ｂ
１，Ｂ２を配設することができ、特に入り組んだ配線を
必要とする場合に有利である。
【００１７】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示
デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法では、図６
および図７に示すように、抵抗値を下げたい透明配線Ｂ
（ここでは透明配線Ｂ１）の長手方向の少なくとも一部
の区間上に、ＩＴＯよりも高導電率の導電物質（ここで
は金属）からなる導電層２１を設けることにより、透明
配線Ｂ１の抵抗値を調節するようになっている。導電層
２１の形成には、クロム、チタン、銅、半田等の金属が
用いられる。透明配線Ｂ１中の導電層２１を設ける区間
の割合を大きくすればするほど、透明配線Ｂ１の抵抗値
が下がるようになっている。
デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法では、図６
および図７に示すように、抵抗値を下げたい透明配線Ｂ
（ここでは透明配線Ｂ１）の長手方向の少なくとも一部
の区間上に、ＩＴＯよりも高導電率の導電物質（ここで
は金属）からなる導電層２１を設けることにより、透明
配線Ｂ１の抵抗値を調節するようになっている。導電層
２１の形成には、クロム、チタン、銅、半田等の金属が
用いられる。透明配線Ｂ１中の導電層２１を設ける区間
の割合を大きくすればするほど、透明配線Ｂ１の抵抗値
が下がるようになっている。
【００１８】導電層２１の形成方法としては、スパッタ
リング等により蒸着して行う方法や、フローソルダリン
グ等により塗布して行う方法等がある。スパッタリング
よる場合は、透明基板１上の所定領域内の全域にＩＴＯ
パターン３上からスパッタリングにより導電層２１形成
用の金属層を形成した後、エッチングにより透明配線Ｂ
１上の導電層２１形成領域以外の部分の金属層を除去す
ることにより導電層２１が形成される。フローソルダリ
ングによる場合は、ＩＴＯパターン３が形成された透明
基板１を溶融半田の表面に浮かべることにより、ＩＴＯ
パターン３上に半田を塗布し、後に余分な半田を除去す
ることにより導電層２１が形成される。
リング等により蒸着して行う方法や、フローソルダリン
グ等により塗布して行う方法等がある。スパッタリング
よる場合は、透明基板１上の所定領域内の全域にＩＴＯ
パターン３上からスパッタリングにより導電層２１形成
用の金属層を形成した後、エッチングにより透明配線Ｂ
１上の導電層２１形成領域以外の部分の金属層を除去す
ることにより導電層２１が形成される。フローソルダリ
ングによる場合は、ＩＴＯパターン３が形成された透明
基板１を溶融半田の表面に浮かべることにより、ＩＴＯ
パターン３上に半田を塗布し、後に余分な半田を除去す
ることにより導電層２１が形成される。
【００１９】以上のように、本実施形態によれば、上記
第１実施形態と同様な効果が得られるとともに、透明基
板１に柔軟に変形するフィルム状の透明基板１を用いた
場合、透明基板１の変形に伴って透明配線Ｂ１，Ｂ２に
ひびが入り、断線してしまうことがあるのであるが、透
明配線Ｂ１，Ｂ２上に設けられた導電層２１によって透
明電極Ｂ１，Ｂ２が保護され、透明基板１の変形によっ
て透明配線Ｂ１，Ｂ２が断線するのを防止することがで
きる。
第１実施形態と同様な効果が得られるとともに、透明基
板１に柔軟に変形するフィルム状の透明基板１を用いた
場合、透明基板１の変形に伴って透明配線Ｂ１，Ｂ２に
ひびが入り、断線してしまうことがあるのであるが、透
明配線Ｂ１，Ｂ２上に設けられた導電層２１によって透
明電極Ｂ１，Ｂ２が保護され、透明基板１の変形によっ
て透明配線Ｂ１，Ｂ２が断線するのを防止することがで
きる。
【００２０】本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ表示
デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法では、抵抗
値を下げたい透明配線Ｂ（ここでは透明配線Ｂ１）を形
成する透明配線材料（ＩＴＯ）に、その透明配線材料よ
りも高導電率の導電物質（ここでは金属（クロム、チタ
ン、銅等））を混入させることにより、透明配線Ｂ１の
抵抗値を調節するようになっている。透明配線材料に混
入させる前記金属の割合を増加させるほど、透明配線Ｂ
１の抵抗値が下がるようになっている。
デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法では、抵抗
値を下げたい透明配線Ｂ（ここでは透明配線Ｂ１）を形
成する透明配線材料（ＩＴＯ）に、その透明配線材料よ
りも高導電率の導電物質（ここでは金属（クロム、チタ
ン、銅等））を混入させることにより、透明配線Ｂ１の
抵抗値を調節するようになっている。透明配線材料に混
入させる前記金属の割合を増加させるほど、透明配線Ｂ
１の抵抗値が下がるようになっている。
【００２１】前記金属を透明配線材料中に混入させる方
法としては、種々の方法が考えられるが、ここでは、Ｉ
ＴＯを透明基板１上に蒸着させる際に、前記金属を同時
に蒸着させる方法が用いられる。
法としては、種々の方法が考えられるが、ここでは、Ｉ
ＴＯを透明基板１上に蒸着させる際に、前記金属を同時
に蒸着させる方法が用いられる。
【００２２】以上のように、本実施形態においても、上
記第１実施形態と同様な効果が得られる。
記第１実施形態と同様な効果が得られる。
【００２３】本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ表示
デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法では、抵抗
値を下げたい透明配線Ｂ（ここでは透明配線Ｂ１）の一
部の区間を、その透明配線Ｂ１よりも高導電率の導電物
質（ここでは金属（クロム、チタン、銅等））によって
形成した高導電性配線で置き換えることにより、透明配
線Ｂ１の抵抗値を調節するようになっている。
デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法では、抵抗
値を下げたい透明配線Ｂ（ここでは透明配線Ｂ１）の一
部の区間を、その透明配線Ｂ１よりも高導電率の導電物
質（ここでは金属（クロム、チタン、銅等））によって
形成した高導電性配線で置き換えることにより、透明配
線Ｂ１の抵抗値を調節するようになっている。
【００２４】以上のように、本実施形態においても、上
記第１実施形態と同様な効果が得られる。
記第１実施形態と同様な効果が得られる。
【００２５】なお、上述の各実施形態では、単一レベル
の電源電圧が、信号入力用電極１５を介して各透明配線
Ｂ（Ｂ１，Ｂ２）に印加される場合について示したが、
各透明配線Ｂ（Ｂ１，Ｂ２）ごとに、あるいは複数の透
明配線Ｂ（Ｂ１，Ｂ２）からなるグループごとに異なる
レベルの電源電圧が印加されるようにしてもよい。
の電源電圧が、信号入力用電極１５を介して各透明配線
Ｂ（Ｂ１，Ｂ２）に印加される場合について示したが、
各透明配線Ｂ（Ｂ１，Ｂ２）ごとに、あるいは複数の透
明配線Ｂ（Ｂ１，Ｂ２）からなるグループごとに異なる
レベルの電源電圧が印加されるようにしてもよい。
【００２６】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、透明配
線の厚みを調節することによりその抵抗値を調節するた
め、透明配線の抵抗値を容易に調節することができる。
線の厚みを調節することによりその抵抗値を調節するた
め、透明配線の抵抗値を容易に調節することができる。
【００２７】また、厚みを増大させることにより、透明
配線の抵抗値を下げるようにしているため、透明配線の
幅を増大させて抵抗値を下げる方法に比して、少ないス
ペースで透明配線を配設することができ、特に入り組ん
だ配線を必要とする場合に有利である。
配線の抵抗値を下げるようにしているため、透明配線の
幅を増大させて抵抗値を下げる方法に比して、少ないス
ペースで透明配線を配設することができ、特に入り組ん
だ配線を必要とする場合に有利である。
【００２８】請求項２に記載の発明によれば、透明配線
の長手方向の少なくとも一部の区間上に、透明配線より
も高導電率の導電物質からなる導電層を設けることによ
り、透明配線の抵抗値を調節するため、透明配線の抵抗
値を容易に調節することができるとともに、透明配線の
幅を増大させて抵抗値を下げる方法に比して、少ないス
ペースで透明配線を配設することができる。
の長手方向の少なくとも一部の区間上に、透明配線より
も高導電率の導電物質からなる導電層を設けることによ
り、透明配線の抵抗値を調節するため、透明配線の抵抗
値を容易に調節することができるとともに、透明配線の
幅を増大させて抵抗値を下げる方法に比して、少ないス
ペースで透明配線を配設することができる。
【００２９】また、透明基板に柔軟に変形するフィルム
状の透明基板を用いた場合、透明基板の変形に伴って透
明配線にひびが入り、断線していまうことがあるのであ
るが、透明配線上に設けられた導電層によって透明電極
が保護され、透明基板の変形によって透明配線が断線す
るのを防止することができる。
状の透明基板を用いた場合、透明基板の変形に伴って透
明配線にひびが入り、断線していまうことがあるのであ
るが、透明配線上に設けられた導電層によって透明電極
が保護され、透明基板の変形によって透明配線が断線す
るのを防止することができる。
【００３０】請求項３に記載の発明によれば、透明配線
を形成する透明配線材料にその透明配線材料よりも高導
電率の導電物質を混入させることにより、透明配線の抵
抗値を調節するため、透明配線の抵抗値を容易に調節す
ることができるとともに、透明配線の幅を増大させて抵
抗値を下げる方法に比して、少ないスペースで透明配線
を配設することができる。
を形成する透明配線材料にその透明配線材料よりも高導
電率の導電物質を混入させることにより、透明配線の抵
抗値を調節するため、透明配線の抵抗値を容易に調節す
ることができるとともに、透明配線の幅を増大させて抵
抗値を下げる方法に比して、少ないスペースで透明配線
を配設することができる。
【００３１】請求項４に記載の発明によれば、透明配線
の一部の区間をその透明配線よりも高導電率の導電物質
によって形成した高導電性配線で置き換えることによ
り、透明配線の抵抗値を調節するため、透明配線の抵抗
値を容易に調節することができるとともに、透明配線の
幅を増大させて抵抗値を下げる方法に比して、少ないス
ペースで透明配線を配設することができる。
の一部の区間をその透明配線よりも高導電率の導電物質
によって形成した高導電性配線で置き換えることによ
り、透明配線の抵抗値を調節するため、透明配線の抵抗
値を容易に調節することができるとともに、透明配線の
幅を増大させて抵抗値を下げる方法に比して、少ないス
ペースで透明配線を配設することができる。
【図１】本発明の背景技術である一般的な有機ＥＬ表示
デバイスの断面構造を模式的に示す図である。
デバイスの断面構造を模式的に示す図である。
【図２】図１の有機ＥＬ表示デバイスに設けられるＩＴ
Ｏパターンを示す平面図である。
Ｏパターンを示す平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示デバ
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法が適用された図
１の有機ＥＬ表示デバイスの要部断面図である。
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法が適用された図
１の有機ＥＬ表示デバイスの要部断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示デバ
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法が適用された図
１の有機ＥＬ表示デバイスの要部断面図である。
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法が適用された図
１の有機ＥＬ表示デバイスの要部断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示デバ
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法が適用された図
１の有機ＥＬ表示デバイスの要部断面図である。
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法が適用された図
１の有機ＥＬ表示デバイスの要部断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示デバ
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法が適用された有
機ＥＬ表示デバイスの透明配線の平面図である。
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法が適用された有
機ＥＬ表示デバイスの透明配線の平面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示デバ
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法が適用された有
機ＥＬ表示デバイスの透明配線の断面図である。
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法が適用された有
機ＥＬ表示デバイスの透明配線の断面図である。
１ 透明基板 ３ ＩＴＯパターン ５ ホール注入層 ７ 有機発光層 ９ 電子注入層 １１ 金属電極 １３ 電源回路 １５ 信号入力用電極 Ａ１，Ａ２ セグメント電極 Ｂ１，Ｂ２ 透明配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 玉川 達男 愛知県名古屋市南区菊住１丁目７番10号 株式会社ハーネス総合技術研究所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB05 CA06 CB01 DA00 FA01
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上に配設され、透明電極と信号
入力用電極との間を接続する有機ＥＬ表示デバイスにお
ける透明配線の抵抗値調節方法であって、 前記透明配線の厚みを調節することにより前記透明配線
の抵抗値を調節することを特徴とする有機ＥＬ表示デバ
イスにおける透明配線の抵抗値調節方法。 - 【請求項２】 透明基板上に配設され、透明電極と信号
入力用電極との間を接続する有機ＥＬ表示デバイスにお
ける透明配線の抵抗値調節方法であって、 前記透明配線の長手方向の少なくとも一部の区間上に、
前記透明配線よりも高導電率の導電物質からなる導電層
を設けることにより、前記透明配線の抵抗値を調節する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示デバイスにおける透明配
線の抵抗値調節方法。 - 【請求項３】 透明基板上に配設され、透明電極と信号
入力用電極との間を接続する有機ＥＬ表示デバイスにお
ける透明配線の抵抗値調節方法であって、 前記透明配線を形成する透明配線材料に、その透明配線
材料よりも高導電率の導電物質を混入させることによ
り、前記透明配線の抵抗値を調節することを特徴とする
有機ＥＬ表示デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方
法。 - 【請求項４】 透明基板上に配設され、透明電極と信号
入力用電極との間を接続する有機ＥＬ表示デバイスにお
ける透明配線の抵抗値調節方法であって、 前記透明配線の一部の区間を、その透明配線よりも高導
電率の導電物質によって形成した高導電性配線で置き換
えることにより、前記透明配線の抵抗値を調節すること
を特徴とする有機ＥＬ表示デバイスにおける透明配線の
抵抗値調節方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24881399A JP2001076885A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 有機ｅｌ表示デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24881399A JP2001076885A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 有機ｅｌ表示デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001076885A true JP2001076885A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17183800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24881399A Pending JP2001076885A (ja) | 1999-09-02 | 1999-09-02 | 有機ｅｌ表示デバイスにおける透明配線の抵抗値調節方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001076885A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008108528A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Iriso Denshi Kogyo Kk | 電気接続用端子及びその抵抗体形成方法 |
| CN100416637C (zh) * | 2003-08-13 | 2008-09-03 | 三星Sdi株式会社 | 用于改善平板显示器亮度均匀性的装置 |
| EP1947695A3 (en) * | 2007-01-16 | 2010-05-19 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device |
-
1999
- 1999-09-02 JP JP24881399A patent/JP2001076885A/ja active Pending
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| US8629451B2 (en) | 2007-01-16 | 2014-01-14 | Japan Display Inc. | Display device |
| US8802511B2 (en) | 2007-01-16 | 2014-08-12 | Japan Display Inc. | Display device |
| KR101454919B1 (ko) * | 2007-01-16 | 2014-10-27 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 표시장치 |
| US10068932B2 (en) | 2007-01-16 | 2018-09-04 | Japan Display Inc. | Display device |
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