JP2001068416A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents
Semiconductor manufacturing deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、減圧ＣＶＤ装置な
どの半導体製造装置に関する。The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus such as a low pressure CVD apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、半導体製造装置においては、
半導体層や絶縁層などを形成するために、減圧ＣＶＤ
（Chemical Vapor deposition）装置（以下、減圧炉と
いう）が用いられている。図４は、従来の減圧炉の一構
成例を示す概念図である。図４（ａ）に示すように、減
圧炉のフロント側には、フロントキャップ２が設けられ
ており、リア側には、減圧炉内に導入されたガスや減圧
するための排出口３が設けられている。フロントキャッ
プ２には、反応ガス（ＳｉＨ4等）や、クリーニングの
ための不活性ガス（Ｎ2等）等を減圧炉内に導入するた
めのガスノズル４が配設されている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing apparatus,
Low pressure CVD to form semiconductor layers, insulating layers, etc.
A (Chemical Vapor deposition) apparatus (hereinafter, referred to as a reduced pressure furnace) is used. FIG. 4 is a conceptual diagram showing one configuration example of a conventional decompression furnace. As shown in FIG. 4A, a front cap 2 is provided on the front side of the depressurizing furnace, and a gas introduced into the depressurizing furnace and an outlet 3 for depressurizing are provided on the rear side. Have been. The front cap 2 is provided with a gas nozzle 4 for introducing a reaction gas (such as SiH 4 ) or an inert gas (such as N 2 ) for cleaning into the reduced pressure furnace.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来技術で
は、クリーニングにおいて、ガスノズル４の先端から流
れた不活性ガス５は、炉芯管１のフロント側の内壁（Ｂ
区間の内壁）に付着した反応物６に当たらないため、除
去（クリーニング）されない。この結果、図４（ｂ）に
示すように、炉芯管１のフロント側の内壁に付着した反
応物６が剥がれて、ダスト発生の原因になるという問題
がある。該ダストは、製品の品質を悪化させるととも
に、歩留を低下させるという問題がある。In the prior art, the inert gas 5 flowing from the front end of the gas nozzle 4 in the cleaning process uses the inner wall (B) of the furnace core tube 1 on the front side.
Since it does not hit the reactant 6 attached to the inner wall of the section), it is not removed (cleaned). As a result, as shown in FIG. 4B, there is a problem that the reactant 6 attached to the inner wall on the front side of the furnace core tube 1 is peeled off, which causes dust. The dust deteriorates the quality of the product and lowers the yield.
【０００４】そこで本発明は、炉芯管の内壁に付着した
反応生成物を除去することができ、反応物の剥がれによ
るダスト発生を低減し、製品の品質・歩留を向上させる
ことができる半導体製造装置を提供することを目的とす
る。Accordingly, the present invention provides a semiconductor which can remove reaction products adhered to the inner wall of a furnace core tube, reduce generation of dust due to peeling of the reaction products, and improve product quality and yield. An object is to provide a manufacturing apparatus.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、請
求項１記載の発明による半導体製造装置は、不活性ガス
を炉芯管内に噴射することで炉芯管内のクリーニングを
行う反応炉において、前記炉芯管の一方の端部に設けら
れ、クリーニング時に導入される不活性ガスを、炉芯管
の内壁に方向にシャワー状に噴射するための複数の射出
口が設けられたフロントキャップを備えることを特徴と
する。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus for cleaning a furnace core tube by injecting an inert gas into the furnace core tube. A front cap provided at one end of the furnace core tube and provided with a plurality of injection ports for injecting an inert gas introduced at the time of cleaning in a shower shape toward an inner wall of the furnace core tube is provided. It is characterized by the following.
【０００６】また、好ましい態様として、例えば請求項
２記載のように、請求項１記載の反応炉において、前記
複数の射出口は、前記炉芯管の内壁面に当たるよう該炉
芯管の内壁近傍に設けられてもよい。In a preferred embodiment, for example, in the reaction furnace according to the first aspect, the plurality of injection ports are located near the inner wall of the furnace core tube so as to contact the inner wall surface of the furnace core tube. May be provided.
【０００７】また、好ましい態様として、例えば請求項
３記載のように、請求項１記載の反応炉において、前記
複数の射出口は、クリーニング時に導入される不活性ガ
スが各射出口から均一に噴射されるように配管されてい
てもよい。In a preferred embodiment, for example, in the reaction furnace according to the first aspect, the plurality of injection ports are configured such that an inert gas introduced during cleaning is uniformly injected from each of the injection ports. It may be provided with piping.
【０００８】また、好ましい態様として、例えば請求項
４記載のように、請求項１記載の反応炉において、前記
複数の射出口は、クリーニング時に導入される不活性ガ
スが前記炉芯管の内壁面に向けて噴射されるように、所
定の角度で配管されていてもよい。In a preferred embodiment, for example, in the reaction furnace according to the first aspect, the plurality of injection ports are filled with an inert gas introduced at the time of cleaning. May be piped at a predetermined angle so as to be jetted toward the nozzle.
【０００９】本発明では、炉芯管の一方の端部に設けら
れたフロントキャップに、クリーニング時に導入される
不活性ガスを、炉芯管の内壁方向にシャワー状に噴射す
るための複数の射出口を設ける。したがって、クリーニ
ング時に導入される不活性ガスは、フロントキャップに
設けられた複数の射出口から噴射し、炉芯管のフロント
側の内壁に付着した反応物にあたり、反応物を除去す
る。ゆえに、反応物の剥がれによるダスト発生が低減
し、製品の品質・歩留が向上する。According to the present invention, a plurality of sprays for injecting an inert gas introduced at the time of cleaning into a front cap provided at one end of the furnace core tube in a shower shape toward the inner wall of the furnace core tube. Provide an exit. Therefore, the inert gas introduced at the time of cleaning is ejected from a plurality of injection ports provided in the front cap, hits the reactant attached to the front inner wall of the furnace core tube, and removes the reactant. Therefore, dust generation due to peeling of the reactant is reduced, and the quality and yield of the product are improved.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照して説明する。 Ａ．実施形態 図１（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態による半導体
製造装置の略構造を示す透視図および一部断面図であ
る。なお、図４（ａ）、（ｂ）に対応する部分には同一
の符号を付けて説明を省略する。図において、フロント
側に設けられたフロントキャップ１０には、反応ガスを
導入するためのガスノズル４に加えて、クリーニング時
に導入される不活性ガス５がシャワー状に噴射され、炉
芯管１の内壁に当たるよう該炉芯管１の内壁近傍に、複
数の射出口１１，１１，…が設けられている。複数の射
出口１１，１１，…は、導入される不活性ガス５が各射
出口から均一に噴射されるように、フロントキャップ１
０の内部で管１２により配管されている。不活性ガス５
は、該管１２を介して複数の射出口１１，１１，…から
炉芯管１の内部に噴射する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. A. Embodiment FIGS. 1A and 1B are a perspective view and a partial cross-sectional view showing a schematic structure of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. 4 (a) and 4 (b) are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted. In the figure, in addition to a gas nozzle 4 for introducing a reaction gas, an inert gas 5 introduced at the time of cleaning is jetted into a front cap 10 provided on the front side in a shower-like manner. In the vicinity of the inner wall of the furnace core tube 1, a plurality of injection ports 11, 11, ... are provided. The plurality of injection ports 11, 11,... Are arranged such that the inert gas 5 to be introduced is uniformly injected from each of the injection ports.
0, it is piped by a pipe 12. Inert gas 5
Are injected into the furnace core tube 1 from the plurality of injection ports 11, 11,.
【００１１】図２は、本実施形態において、反応物が除
去されるメカニズムを示す概念図である。クリーニング
時、フロントキャップ１０に設けられた複数の射出口１
１，１１，…から炉芯管１の内部に噴射された不活性ガ
ス５は、炉芯管１のフロント側の内壁に付着した反応物
６にあたり、反応物６が除去される。したがって、反応
物６の剥がれによるダスト発生が低減し、製品の品質・
歩留を向上させることができる。また、フロントキャッ
プ１０の複数の射出口１１，１１，…から反応ガス（Ｓ
ｉＨ4等）を流すようにすれば、反応ガスの分布密度の
均一性を向上させ、ウェーハの膜厚均一性を向上させる
ことが可能である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing a mechanism for removing a reactant in the present embodiment. At the time of cleaning, a plurality of injection ports 1 provided in the front cap 10
The inert gas 5 injected into the furnace core tube 1 from 1, 11,... Hits the reactant 6 attached to the inner wall on the front side of the furnace core tube 1, and the reactant 6 is removed. Therefore, the generation of dust due to the separation of the reactant 6 is reduced, and the quality and quality of the product are reduced.
The yield can be improved. Further, the reaction gas (S
If iH 4 or the like is allowed to flow, it is possible to improve the uniformity of the distribution density of the reactive gas and the uniformity of the film thickness of the wafer.
【００１２】Ｂ．他の実施形態 次に、本発明の他の実施形態について説明する。ここ
で、図３は、他の実施形態によるフロントキャップ１０
の一部を拡大した断面図である。図において、フロント
キャップ１０において、複数の射出口１１，１１，…へ
の管１２に、炉芯管１の内壁面に向けた角度θを付ける
ことで、さらに、噴射した不活性ガス５が炉芯管１のフ
ロント側の内壁に当たりやすくなるため、隅に付着した
反応物６をも除去することができるようになる。B. Another Embodiment Next, another embodiment of the present invention will be described. Here, FIG. 3 shows a front cap 10 according to another embodiment.
It is sectional drawing to which a part of was expanded. In the drawing, in the front cap 10, the pipes 12 to the plurality of injection ports 11, 11,... Since it is easy to hit the inner wall on the front side of the core tube 1, the reactant 6 attached to the corner can also be removed.
【００１３】[0013]
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、炉芯管の
一方の端部に設けられたフロントキャップに、クリーニ
ング時に導入される不活性ガスを、炉芯管の内壁に方向
にシャワー状に噴射するための複数の射出口を設けるよ
うにしたので、炉芯管の内壁に付着した反応生成物を除
去することができ、反応物の剥がれによるダスト発生を
低減し、製品の品質・歩留を向上させることができると
いう利点が得られる。According to the first aspect of the present invention, the inert gas introduced at the time of cleaning is showered in the front cap provided at one end of the furnace core tube toward the inner wall of the furnace core tube. A plurality of injection ports are provided for injection in the shape of a tube, so that reaction products attached to the inner wall of the furnace core tube can be removed, reducing the generation of dust due to the separation of the reaction products, and improving product quality and quality. The advantage that the yield can be improved is obtained.
【００１４】また、請求項２記載の発明によれば、前記
複数の射出口を、前記炉芯管の内壁面に当たるよう該炉
芯管の内壁近傍に設けるようにしたので、炉芯管の内壁
に付着した反応生成物を除去することができ、反応物の
剥がれによるダスト発生を低減し、製品の品質・歩留を
向上させることができるという利点が得られる。According to the second aspect of the present invention, the plurality of injection ports are provided near the inner wall of the furnace core tube so as to contact the inner wall surface of the furnace core tube. It is possible to remove the reaction product adhered to the surface, reduce the generation of dust due to the separation of the reaction product, and improve the quality and yield of the product.
【００１５】また、請求項３記載の発明によれば、クリ
ーニング時に導入される不活性ガスが各射出口から均一
に噴射されるように、前記複数の射出口を配管するよう
にしたので、炉芯管の内壁に付着した反応生成物を除去
することができ、反応物の剥がれによるダスト発生を低
減し、製品の品質・歩留を向上させることができるとい
う利点が得られる。According to the third aspect of the present invention, the plurality of injection ports are piped such that the inert gas introduced at the time of cleaning is uniformly injected from each injection port. It is possible to remove the reaction product attached to the inner wall of the core tube, reduce the generation of dust due to the separation of the reaction product, and improve the quality and yield of the product.
【００１６】また、請求項４記載の発明によれば、クリ
ーニング時に導入される不活性ガスが前記炉芯管の内壁
面に向けて噴射されるように、前記複数の射出口を所定
の角度で配管するようにしたので、さらに、噴射した不
活性ガスが炉芯管の内壁に当たりやすくなり、より効率
的に、炉芯管の内壁に付着した反応生成物を除去するこ
とができ、反応物の剥がれによるダスト発生を低減し、
製品の品質・歩留を向上させることができるという利点
が得られる。According to the fourth aspect of the present invention, the plurality of outlets are set at a predetermined angle so that the inert gas introduced at the time of cleaning is injected toward the inner wall surface of the furnace core tube. Since the piping is provided, the injected inert gas is more likely to hit the inner wall of the furnace core tube, and the reaction products attached to the inner wall of the furnace core tube can be more efficiently removed. Reduces dust generation due to peeling,
The advantage that the quality and yield of the product can be improved is obtained.
【図１】本発明の実施形態による半導体製造装置の略構
造を示す透視図および一部断面図である。FIG. 1 is a perspective view and a partial cross-sectional view showing a schematic structure of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】反応物が除去されるメカニズムを示す概念図で
ある。FIG. 2 is a conceptual diagram showing a mechanism for removing a reactant.
【図３】他の実施形態によるフロントキャップ１０の一
部を拡大した断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view of a part of a front cap 10 according to another embodiment.
【図４】従来の減圧ＣＶＤ装置の一構成例を示す概念図
である。FIG. 4 is a conceptual diagram showing a configuration example of a conventional reduced pressure CVD apparatus.
１……炉芯管、３……排出口、４……ガスノズル、５…
…不活性ガス、６……反応物、１０……フロントキャッ
プ、１１……射出口、１２……管1 ... core tube, 3 ... outlet, 4 ... gas nozzle, 5 ...
... inert gas, 6 ... reactant, 10 ... front cap, 11 ... injection port, 12 ... pipe
Claims (4)
炉芯管内のクリーニングを行う半導体製造装置におい
て、 前記炉芯管の一方の端部に設けられ、クリーニング時に
導入される不活性ガスを、炉芯管の内壁に方向にシャワ
ー状に噴射するための複数の射出口が設けられたフロン
トキャップを備えることを特徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus for cleaning a furnace core tube by injecting an inert gas into the furnace core tube, wherein the inert gas is provided at one end of the furnace core tube and introduced at the time of cleaning. And a front cap provided with a plurality of injection ports for injecting water in a shower shape toward the inner wall of the furnace core tube.
面に当たるよう該炉芯管の内壁近傍に設けられたことを
特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of injection ports are provided near an inner wall of the furnace core tube so as to contact an inner wall surface of the furnace core tube.
導入される不活性ガスが各射出口から均一に噴射される
ように配管されていることを特徴とする請求項１記載の
半導体製造装置。3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of injection ports are piped such that an inert gas introduced at the time of cleaning is uniformly injected from each of the injection ports.
導入される不活性ガスが前記炉芯管の内壁面に向けて噴
射されるように、所定の角度で配管されていることを特
徴とする請求項１記載の半導体製造装置。4. The plurality of injection ports are provided at a predetermined angle so that an inert gas introduced at the time of cleaning is injected toward an inner wall surface of the furnace core tube. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23693799A JP2001068416A (en) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | Semiconductor manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23693799A JP2001068416A (en) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | Semiconductor manufacturing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068416A true JP2001068416A (en) | 2001-03-16 |
Family
ID=17007969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23693799A Pending JP2001068416A (en) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | Semiconductor manufacturing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001068416A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5179658B2 (en) * | 2009-05-26 | 2013-04-10 | シャープ株式会社 | Plasma processing apparatus and cleaning method thereof |
-
1999
- 1999-08-24 JP JP23693799A patent/JP2001068416A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5179658B2 (en) * | 2009-05-26 | 2013-04-10 | シャープ株式会社 | Plasma processing apparatus and cleaning method thereof |
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