JP2001068267A - Organic el display, and manufacture thereof - Google Patents
Organic el display, and manufacture thereofInfo
- Publication number
- JP2001068267A JP2001068267A JP23777499A JP23777499A JP2001068267A JP 2001068267 A JP2001068267 A JP 2001068267A JP 23777499 A JP23777499 A JP 23777499A JP 23777499 A JP23777499 A JP 23777499A JP 2001068267 A JP2001068267 A JP 2001068267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- electrode
- layer
- display
- rib
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 68
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 10
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N methane tetrahydrofluoride Chemical compound C.F.F.F.F VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000370685 Arge Species 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004341 Octafluorocyclobutane Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 or the like Chemical compound 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬディスプ
レイ及びその製造方法に関し、特には複数の発光部を配
列形成してなる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL display and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic EL display having a plurality of light emitting portions arranged and formed and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプ
ラズマディスプレイ（ＰＤＰ）を始めとしたフラットパ
ネルディスプレイの開発が盛んになっている。これらの
中でも特に、自発光型で高精細な表示が可能である方式
として、有機ＥＬ（Electroluminescence ）ディスプレ
イが注目されている。2. Description of the Related Art In recent years, flat panel displays such as a liquid crystal display (LCD) and a plasma display (PDP) have been actively developed. Among them, an organic EL (Electroluminescence) display has attracted attention as a method capable of displaying a high-definition display by a self-luminous type.
【０００３】有機ＥＬは、文献「Appl.Phys.Lett.51,91
3(1987) 」に示されるように、酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）／有機正孔輸送層／有機発光層／陰極という素子構
造を持つものとして、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって、１
９８７に提案されたことをきっかけとして一層広く研究
開発がなされるようになった。[0003] Organic EL is described in the document "Appl. Phys. Lett. 51, 91".
3 (1987)], indium tin oxide (IT
O) / organic hole transport layer / organic light emitting layer / cathode. W. According to Tang et al., 1
The R & D has become more extensive since the proposal in 987.
【０００４】図５には、有機ＥＬディスプレイの製造方
法の一例を説明するための断面工程図を示した。有機Ｅ
Ｌディスプレイを製造するには先ず、図５（ａ）に示す
ように、透明基板１上に、ストライプ状の陽極（透明電
極）２をパターン形成する。その後、リソグラフィー法
によって、陽極２と交差する方向に延設されたストライ
プ状のスペーサ３を、透明基板１上に形成する。このス
ペーサ３は、特開平８−３１５９８１号公報に記載され
ているように、フォトレジストやポリイミドを用いて断
面オーバーハング形状に形成される。次に、図５（ｂ）
に示すように、このスペーサ３上に載置した蒸着マスク
４上からの真空蒸着によって、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）に発光する低分子系の有機層（例えば有機正孔輸
送層と有機発光層との積層膜）５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを作り
分け、スペーサ３間に透明電極２と交差させた有機層５
Ｒ，５Ｇ，５Ｂを順次形成する。その後、図５（ｃ）に
示すように、スペーサ３を隔壁として陰極材料６を蒸着
し、各有機ＥＬ層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ上に陰極６ａを独立
形成する。また、ここでの図示は省略したが、陰極６ａ
上に有機層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂの劣化を防ぐための絶縁性
保護膜を設けて有機ＥＬディスプレイを完成させる。FIG. 5 is a sectional process view for explaining an example of a method of manufacturing an organic EL display. Organic E
To manufacture the L display, first, as shown in FIG. 5A, a stripe-shaped anode (transparent electrode) 2 is formed on a transparent substrate 1 by patterning. Thereafter, a stripe-shaped spacer 3 extending in a direction crossing the anode 2 is formed on the transparent substrate 1 by lithography. As described in JP-A-8-315981, the spacer 3 is formed in a cross-section overhang shape using a photoresist or polyimide. Next, FIG.
As shown in FIG. 5, a low molecular weight organic layer (for example, organic positive electrode) that emits red (R), green (G), and blue (B) by vacuum evaporation from an evaporation mask 4 placed on the spacer 3. (Laminated film of hole transport layer and organic light emitting layer) 5R, 5G, 5B are separately formed, and the organic layer 5 crossing the transparent electrode 2 between the spacers 3
R, 5G, and 5B are sequentially formed. Thereafter, as shown in FIG. 5C, a cathode material 6 is vapor-deposited using the spacer 3 as a partition, and a cathode 6a is independently formed on each of the organic EL layers 5R, 5G and 5B. Although not shown here, the cathode 6a
An organic EL display is completed by providing an insulating protective film for preventing the organic layers 5R, 5G, 5B from deteriorating thereon.
【０００５】このような方法によって得られる有機ＥＬ
ディスプレイは、各陰極６ａ間がスぺーサ３によって絶
縁され、各陰極６ａに独立して所定の電圧が印加される
ことにより、陰極６と陽極２との間に位置する有機層５
Ｒ，５Ｇ，５Ｂに電流が流れてこれらが発光し、フルカ
ラー表示を行うことが可能になる。The organic EL obtained by such a method
The display has an organic layer 5 located between the cathode 6 and the anode 2 by being insulated between the cathodes 6a by the spacer 3 and applying a predetermined voltage independently to each cathode 6a.
A current flows through R, 5G, and 5B, which emits light, enabling full-color display.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、一般的な有
機ＥＬディスプレイにおいては、有機物による影響を受
けて有機層が劣化し易いといった問題がある。このた
め、上述のようにして得られた有機ＥＬディスプレイの
ように、フォトレジストやポリイミドからなるスペーサ
３がディスプレイ内に残された場合、このスペーサ３か
ら各有機層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを劣化させる有機物が放出
され、この有機物の影響によって有機層５Ｒ，５Ｇ，５
Ｂにおける発光効率の低下、低寿命化、さらには発光部
に非発光エリア（いわゆるダークスポット）が発生する
等の不具合が生じ易くなる。However, in a general organic EL display, there is a problem that an organic layer is easily deteriorated due to an influence of an organic substance. Therefore, when the spacer 3 made of photoresist or polyimide is left in the display as in the organic EL display obtained as described above, the organic layers 5R, 5G, and 5B are degraded from the spacer 3. Organic substances are released, and the organic layers 5R, 5G, 5
Problems such as a decrease in luminous efficiency and a shortened life in B, and a non-light-emitting area (so-called dark spot) in the light-emitting portion are likely to occur.
【０００７】そこで本発明は、長寿命でかつ高品質な画
像が得られる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を
提供することを目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic EL display capable of obtaining a long-life and high-quality image and a method of manufacturing the same.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の有機ＥＬディスプレイは、基板上にス
トライプ状に並列配置された第１電極、この第１電極の
発光部を露出させる位置に立設された複数のリブ、第１
電極の各発光部上に設けられた有機発光層を有する有機
層、及びこの有機層を介して第１電極の各発光部上に設
けられた第２電極を備えており、前記リブが無機材料か
らなることを特徴としている。In order to achieve the above object, an organic EL display according to the present invention exposes first electrodes arranged in a stripe pattern on a substrate and a light emitting portion of the first electrodes. A plurality of ribs erected in position,
An organic layer having an organic light emitting layer provided on each light emitting portion of the electrode, and a second electrode provided on each light emitting portion of the first electrode through the organic layer, wherein the rib is made of an inorganic material It is characterized by consisting of.
【０００９】このような構成の有機ＥＬディスプレイで
は、発光部脇に立設されたリブを無機材料で構成したこ
とで、このリブから有機物が放出されることはなく、有
機物による有機層の劣化が防止される。In the organic EL display having such a structure, since the ribs provided on the side of the light emitting portion are made of an inorganic material, no organic substances are released from the ribs, and the deterioration of the organic layer due to the organic substances is prevented. Is prevented.
【００１０】また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製
造方法は、基板上に第１電極をストライプ状にパターン
形成し、第１電極の発光部を露出させる位置に無機材料
からなる複数のリブを立設した後、リブ上からの成膜に
よって記第１電極の受光部上に有機発光層を有する有機
層を形成し、次いでリブ上からの成膜によって第１電極
の受光部上に有機層を介して第２電極を形成することを
特徴としている。In the method of manufacturing an organic EL display according to the present invention, a first electrode is patterned in a stripe pattern on a substrate, and a plurality of ribs made of an inorganic material are erected at positions exposing a light emitting portion of the first electrode. After the formation, an organic layer having an organic light emitting layer is formed on the light receiving portion of the first electrode by film formation from the rib, and then the organic layer is formed on the light receiving portion of the first electrode by film formation from the rib. The second electrode is formed via the first electrode.
【００１１】このような製造方法では、有機層及び第２
電極を形成する際にマスクとなるリブが無機材料で形成
されるため、基板上に残されたリブから有機物が放出さ
れることはなく、有機物による有機層の劣化を防止でき
る有機ＥＬディスプレイが得られる。In such a manufacturing method, the organic layer and the second
Since the rib serving as a mask when forming an electrode is formed of an inorganic material, an organic substance is not released from the rib remaining on the substrate, and an organic EL display that can prevent deterioration of the organic layer due to the organic substance is obtained. Can be
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の有機ＥＬディスプ
レイ及びその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳
細に説明する。図１は本発明の有機ＥＬディスプレイの
一例を示す断面図であり、図２はこの有機ＥＬディスプ
レイの要部を切り欠いた平面図であり、図３は図１及び
図２に示した有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明す
るための断面工程図である。尚、図１及び図３は、図２
のＡ−Ａ’断面に対応している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of an organic EL display and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the organic EL display of the present invention, FIG. 2 is a plan view in which main parts of the organic EL display are cut away, and FIG. 3 is the organic EL display shown in FIGS. FIG. 7 is a cross-sectional process diagram for describing the method for manufacturing the display. 1 and 3 correspond to FIG.
AA 'section.
【００１３】この実施形態においては、有機ＥＬディス
プレイとして、単純マトリクス型のフルカラーディスプ
レイを例に取り、その構成を製造工程順に説明する。In this embodiment, a simple matrix type full-color display is taken as an example of the organic EL display, and the configuration will be described in the order of the manufacturing process.
【００１４】先ず、図３（ａ）に示すように、透光性を
有する材料からなる透明な基板１１を用意する。この基
板１１は、材質、厚さ、サイズなどが特に限定されるこ
とはなく、例えば、ガラスや、透光性を有するポリエス
テルフィルムのような有機高分子材料等を用いることが
できる。First, as shown in FIG. 3A, a transparent substrate 11 made of a translucent material is prepared. The material, thickness, size, and the like of the substrate 11 are not particularly limited, and for example, glass, an organic polymer material such as a translucent polyester film, or the like can be used.
【００１５】次に、この基板１１上に第１電極を構成す
る透明導電材料層１２を成膜する。この透明導電材料層
１２は、導電性の高いものが望ましく、例えば酸化イン
ジウム錫（ＩＴＯ）や酸化錫（ＳｎＯ2 ）、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）等が用いられる。ここでは、一例としてＩＴ
Ｏを用いることとする。透明導電材料層１１の成膜方法
は、特に限定されることはないが、ＤＣスパッタ法やＲ
Ｆマグネトロンスパッタ法、さらにはＣＶＤ法や反応性
真空蒸着法等によって成膜することができる。Next, a transparent conductive material layer 12 constituting a first electrode is formed on the substrate 11. It is desirable that the transparent conductive material layer 12 has high conductivity, and for example, indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), or the like is used. Here, as an example, IT
O is used. The method for forming the transparent conductive material layer 11 is not particularly limited, but may be a DC sputtering method or an R method.
The film can be formed by an F magnetron sputtering method, furthermore, a CVD method, a reactive vacuum evaporation method, or the like.
【００１６】次に、この透明導電材料層１２をストライ
プ状、すなわちマトリクスタイプのディスプレイのデー
タ線用のパターン形状にパターニングし、この透明導電
材料層１２からなる透明電極１２ａを第１電極として形
成する。通常、線順次走査方式のフラットディスプレイ
の場合、電気抵抗の高い透明電極１２ａを大電流の流れ
る走査線側に用いることはなく、この透明電極１２ａ
は、垂直方向のデータ線として形成されると共に、後に
形成する有機層に対する陽極として用いられる。Next, the transparent conductive material layer 12 is patterned into a stripe shape, that is, a pattern shape for a data line of a matrix type display, and a transparent electrode 12a made of the transparent conductive material layer 12 is formed as a first electrode. . Normally, in the case of a flat display of the line-sequential scanning type, the transparent electrode 12a having a high electric resistance is not used on the scanning line side where a large current flows.
Is formed as a vertical data line and is used as an anode for an organic layer to be formed later.
【００１７】また、透明導電材料層１２のパターニング
方法は、特に限定されることはないが、透明電極１２ａ
のエッジがテーパ形状に成形されるパターニング方法が
望ましい。このようなパターニング方法の一例として、
レジストパターンをマスクにして、塩酸（ＨＣｌ）と硝
酸（ＨＮＯ3 ）との混酸を用いたウェットエッチングを
行うことができる。The method for patterning the transparent conductive material layer 12 is not particularly limited, but the transparent electrode 12 a
A patterning method is preferred in which the edges are formed into a tapered shape. As an example of such a patterning method,
Using the resist pattern as a mask, wet etching using a mixed acid of hydrochloric acid (HCl) and nitric acid (HNO 3 ) can be performed.
【００１８】次に、図３（ｂ）に示すように、透明電極
１２ａを覆う状態で無機絶縁膜１３を形成する。この無
機絶縁膜１３としては、酸化シリコン膜（ＳｉＯ2 また
はＳｉＯx ）、窒化シリコン膜（Ｓｉ3 Ｎ4 またはＳｉ
Ｎx ）、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯx Ｎy ）等が用い
られる。Next, as shown in FIG. 3B, an inorganic insulating film 13 is formed so as to cover the transparent electrode 12a. As the inorganic insulating film 13, a silicon oxide film (SiO 2 or SiO x), a silicon nitride film (Si 3 N 4 or Si 3
Nx), a silicon oxynitride film (SiOx Ny) or the like is used.
【００１９】このような無機絶縁膜１３の成膜方法は、
特に限定されることはなく、プラズマＣＶＤ法、回転塗
布法さらにはゾル−ゲル法などの湿式法によって成膜さ
れる。The method for forming the inorganic insulating film 13 is as follows.
There is no particular limitation, and the film is formed by a wet method such as a plasma CVD method, a spin coating method, and a sol-gel method.
【００２０】そのなかでも、プラズマＣＶＤ法を採用し
た場合、原料ガスは特に限定されるものではないが、Ｔ
ＥＯＳ（Tetraethoxy silane）等の液体ソースを蒸気化
して成膜させるＴＥＯＳプラズマＣＶＤ法による成膜を
行うことができる。特に、下地の透明電極１２ａがＩＴ
Ｏからなる場合には、無機絶縁膜１３の成膜に際して透
明電極１２ａが長時間プラズマに晒されると、得られる
有機ＥＬ素子のしきい値電圧が上昇する傾向があること
からこれを注意けなければならない。このため、ＴＥＯ
ＳプラズマＣＶＤ法による成膜は、下地へのダメージの
少ないという点で有利である。Among them, when the plasma CVD method is employed, the source gas is not particularly limited.
A film can be formed by a TEOS plasma CVD method in which a liquid source such as EOS (Tetraethoxy silane) is vaporized to form a film. In particular, when the underlying transparent electrode 12a is
In the case of O, when the transparent electrode 12a is exposed to plasma for a long time during the formation of the inorganic insulating film 13, the threshold voltage of the obtained organic EL element tends to increase. Must. For this reason, TEO
Film formation by the S plasma CVD method is advantageous in that damage to the base is small.
【００２１】また、無機絶縁膜１３としては、酸化アル
ミニウム（Ａｌx Ｏy ）やアルミニウム合金の酸化物を
用いることができる。この場合の無機絶縁膜１３の形成
方法としては、アルミニウム膜を成膜してこれをシュウ
酸などの溶液中で陽極酸化させることにより、酸化アル
ミニウム皮膜を形成してこれを無機絶縁膜１３とする方
法を採用することができる。この際、電解条件によって
多孔質状の無機絶縁膜１３を得ることができる。そし
て、この孔の径を変えることにより、無機絶縁膜１３
を、可視領域の光に対する良好な吸収体にすることがで
きるのである。また、これをされに封孔処理することに
より、様々な色に発色した色アルマイトにすることがで
きる。As the inorganic insulating film 13, aluminum oxide (Alx Oy) or an oxide of an aluminum alloy can be used. As a method for forming the inorganic insulating film 13 in this case, an aluminum oxide film is formed by forming an aluminum film and anodizing it in a solution such as oxalic acid to form the inorganic insulating film 13. A method can be adopted. At this time, a porous inorganic insulating film 13 can be obtained depending on the electrolysis conditions. By changing the diameter of the hole, the inorganic insulating film 13 is formed.
Can be a good absorber for light in the visible region. In addition, by subjecting this to a sealing treatment, it is possible to obtain a color anodized in various colors.
【００２２】特に、黒アルマイトにすることで、これか
ら得られる無機絶縁膜１３により、基板１１に沿ったル
ミネッセンスの導波成分を抑えることができ、また、外
光反射成分を抑制することもできるので、高コントラス
トでかつクロストークのない高精細な表示を得ることが
できるようになる。つまり、このようなクロアルマイト
からなる無機絶縁膜１３を用いれば、この無機絶縁膜１
３がブラックマトリクスの機能も有するようになるので
ある。なお、シリコン含有のアルミニウム合金を陽極酸
化することで、アルミニウム合金の酸化物からなる無機
絶縁膜１３を形成した場合には、特に封孔処理を施さな
くても十分に黒化したアルマイト皮膜を得ることができ
る。In particular, by using black alumite, the inorganic insulating film 13 obtained therefrom can suppress the luminescence waveguide component along the substrate 11 and also suppress the external light reflection component. Thus, a high-definition display with high contrast and no crosstalk can be obtained. In other words, if such an inorganic insulating film 13 made of chromium alumite is used, this inorganic insulating film 1
3 also has the function of a black matrix. When the inorganic insulating film 13 made of an oxide of an aluminum alloy is formed by anodizing a silicon-containing aluminum alloy, a sufficiently blackened alumite film can be obtained without performing any sealing treatment. be able to.
【００２３】以上のようにして無機絶縁膜１３を成膜し
た後、リソグラフィー法によって形成したレジストパタ
ーンをマスクに用いたエッチングによって、各画素の発
光部に対応する透明電極１２ａ上の無機絶縁膜１３部分
をエッチング除去して無機絶縁膜１３に開口部１３ａを
形成する。これいよって、各画素毎に透明電極１２ａの
発光部１２ｂを露出させる。After the inorganic insulating film 13 is formed as described above, the inorganic insulating film 13 on the transparent electrode 12a corresponding to the light emitting portion of each pixel is etched by using a resist pattern formed by lithography as a mask. An opening 13a is formed in the inorganic insulating film 13 by removing the portion by etching. Thus, the light emitting portion 12b of the transparent electrode 12a is exposed for each pixel.
【００２４】この際、無機絶縁膜１３が酸化シリコンや
窒化シリコン等からなる場合には、４フッ化メタン（Ｃ
Ｆ4 ）等のフッ素系のエッチングガスを用いたＲＩＥ
（Ｒeactive Ion Etching ：反応性イオンエッチング）
のようなプラズマエッチングを採用することで、ＩＴＯ
からなる下地の透明電極１２ａに対して十分な選択比で
無機絶縁膜１３をエッチングすることができ、透明電極
１２ａをほとんどエッチングすることなく無機絶縁膜１
３に開口部１３ａが形成される。At this time, if the inorganic insulating film 13 is made of silicon oxide, silicon nitride, or the like, methane tetrafluoride (C
RIE using fluorine-based etching gas such as F 4 )
(Reactive Ion Etching)
By adopting plasma etching such as
The inorganic insulating film 13 can be etched at a sufficient selectivity with respect to the underlying transparent electrode 12a made of the inorganic insulating film 1 without substantially etching the transparent electrode 12a.
3, an opening 13a is formed.
【００２５】ただし、以降の工程で無機絶縁膜１３上に
形成される陰極の断線を抑えるために、無機絶縁膜１３
の側壁をテーパ形状にするには、エッチングガスに若干
の酸素（Ｏ2 ）を混合する。これいよって、レジストパ
ターンのエッチングレートを上げ、側壁保護膜を形成し
ながら無機絶縁膜１３をエッチングを行い、エッチング
側壁（すなわち無機絶縁膜１３の側壁）をテーパ形状に
するのである。However, in order to suppress disconnection of the cathode formed on the inorganic insulating film 13 in the subsequent steps, the inorganic insulating film 13
In order to make the side wall of the substrate tapered, a slight amount of oxygen (O 2 ) is mixed into the etching gas. Thus, the etching rate of the resist pattern is increased, and the inorganic insulating film 13 is etched while forming the side wall protective film, so that the etched side wall (that is, the side wall of the inorganic insulating film 13) is tapered.
【００２６】尚、酸化シリコンや窒化シリコンからなる
無機絶縁膜１３のエッチングは、上述のＲＩＥ等のドラ
イエッチングに限定されることはなく、フッ酸系のエッ
チング液を用いたウェットエッチングを採用しても良
い。The etching of the inorganic insulating film 13 made of silicon oxide or silicon nitride is not limited to the above-mentioned dry etching such as RIE, but employs wet etching using a hydrofluoric acid-based etching solution. Is also good.
【００２７】また、無機絶縁膜１３が酸化アルミニウム
やアルミニウム合金の酸化物からなる場合には、無機絶
縁膜１３を形成するための陽極酸化を行う前に、酸化ア
ルミニウムやアルミニウム合金をパターニングしておく
ことが好ましい。これは、この無機絶縁膜１３を構成す
る酸化物のエッチングでは、高温のリン酸よるウェット
エッチングが行われるが、この酸化物をパターニングし
ようとした場合、マスクとなるレジストパターンがもた
ず、酸化物のパターニングが困難になるからである。When the inorganic insulating film 13 is made of an oxide of aluminum oxide or aluminum alloy, the aluminum oxide or aluminum alloy is patterned before performing the anodic oxidation for forming the inorganic insulating film 13. Is preferred. This is because in the etching of the oxide constituting the inorganic insulating film 13, wet etching with high-temperature phosphoric acid is performed. However, when this oxide is to be patterned, there is no resist pattern serving as a mask, and the oxide is not oxidized. This is because patterning of the object becomes difficult.
【００２８】次に、図３（ｃ）に示すように、開口部１
３ａ脇（すなわち透明電極１２ａの発光部１２ｂ脇）の
無機絶縁膜１３上に、透明電極１２ａと直交するストラ
イプ状に、下層１４と上層１５とからなるリブ１６を形
成する。このリブ１６は、０．５μｍ〜１０μｍ程度の
高さを有し、無機材料からなると共に、上層１５に対し
て下層１４がアンダーカットされ、上層１５が開口部１
３ａ方向に張り出した断面オーバーハング形状に成形さ
れる。尚、このリブ１６の形成手順は、図３を用いて有
機ＥＬディスプレイの製造方法を説明した後に、図４を
用いて詳細に説明することとする。Next, as shown in FIG.
On the inorganic insulating film 13 on the side of 3a (that is, on the side of the light emitting portion 12b of the transparent electrode 12a), the ribs 16 composed of the lower layer 14 and the upper layer 15 are formed in a stripe shape orthogonal to the transparent electrode 12a. The rib 16 has a height of about 0.5 μm to 10 μm, is made of an inorganic material, the lower layer 14 is undercut with respect to the upper layer 15, and the upper layer 15 is
It is formed into an overhang shape in cross section that protrudes in the 3a direction. The procedure for forming the ribs 16 will be described in detail with reference to FIG. 4 after the method of manufacturing the organic EL display is described with reference to FIG.
【００２９】次に、図３（ｄ）に示すように、リブ１６
をスペーサとして基板１１上にマスク（図示省略）を配
置し、このマスク上からの成膜によって、開口部１３ａ
内に有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂを形成する。ここで
は、マスクの移動、交換と成膜とを順次繰り返すことに
よって、赤色（Ｒ）を発光する有機発光層１７Ｒ、緑色
（Ｇ）を発光する有機発光層１７Ｇ及び青色（Ｂ）を発
光する有機発光層１７Ｂを、それぞれ透明電極１２ａに
沿ってパターン形成する。この際、透明電極１２ａの発
光部１２ｂが、完全に有機発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７
Ｂで覆われるように成膜を行うこととする。Next, as shown in FIG.
A mask (not shown) is arranged on the substrate 11 by using as a spacer, and the opening 13a is formed by film formation from the mask.
Organic layers 17R, 17G and 17B are formed therein. Here, the organic light emitting layer 17R that emits red (R) light, the organic light emitting layer 17G that emits green light (G), and the organic light emitting layer that emits blue light (B) are obtained by sequentially repeating the movement, replacement, and film formation of the mask. The light emitting layers 17B are pattern-formed along the transparent electrodes 12a, respectively. At this time, the light emitting portion 12b of the transparent electrode 12a completely covers the organic light emitting layers 17R, 17G, and 17R.
The film is formed so as to be covered with B.
【００３０】各色の有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂは、
有機正孔輸送層（図示省略）やこの上面の有機発光層
（図示省略）等の積層膜からなる。また、各色の有機層
１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの形成順や配置順、その材料の
種類、構成、膜厚、色素のドーピング形態等については
特に限定されることはない。例えば、緑色を発光する有
機層１７Ｇとしては、ＴＰＤやα−ＮＰＤなどからなる
有機正孔輸送層上に、Ａｌｑ3 からなる電子輸送層をか
ねた有機発光層を積層させた２層構造のものが用いられ
る。また、発光色によっては、適当な色素をドーピング
させたＡｌｑで有機発光層を構成する。これらの材料
は、低分子有機材料であるため、真空蒸着法によって成
膜することができる。The organic layers 17R, 17G, 17B of each color are
It is composed of a laminated film such as an organic hole transport layer (not shown) and an organic light emitting layer (not shown) on the upper surface. Further, the order of forming and arranging the organic layers 17R, 17G, and 17B of each color, the kind of the material, the configuration, the film thickness, the doping form of the dye, and the like are not particularly limited. For example, the organic layer 17G that emits green light has a two-layer structure in which an organic light emitting layer serving also as an electron transport layer made of Alq 3 is stacked on an organic hole transport layer made of TPD, α-NPD, or the like. Is used. In addition, depending on the emission color, the organic emission layer is made of Alq doped with an appropriate dye. Since these materials are low molecular organic materials, they can be formed by a vacuum evaporation method.
【００３１】尚、膜構成によっては、各色素がドーピン
グされた有機発光層のみをマスクを用いてパターン形成
し、その他の膜はマスクを用いずに一括成膜しても良
い。さらに、発光色は、ＲＧＢ３色に限定されることは
なく、他の発光色の組み合わせであっても良い。Depending on the film configuration, only the organic light emitting layer doped with each dye may be patterned using a mask, and other films may be formed at once without using a mask. Further, the luminescent color is not limited to the three RGB colors, and may be a combination of other luminescent colors.
【００３２】以上の後、図１に示したように、リブ１６
をマスクにして導電性材料１８を一括成膜することによ
って、リブ１６間の基板１１上にこの導電性材料１８か
らなる陰極１８ａを第２電極として形成する。この陰極
１８ａは、リブ１６をマスクにして形成されていること
から、開口部１３ａ上に、透明電極１２ａに対して交差
するストライプ状に形成され、有機ＥＬディスプレイの
走査線として用いられる。After the above, as shown in FIG.
The cathode 18a made of the conductive material 18 is formed as a second electrode on the substrate 11 between the ribs 16 by batch-forming the conductive material 18 using the mask as a mask. Since the cathode 18a is formed using the rib 16 as a mask, the cathode 18a is formed in a stripe shape crossing the transparent electrode 12a on the opening 13a, and is used as a scanning line of an organic EL display.
【００３３】また、ここでは、陰極１８ａ表面の高さ
が、リブ１６の下層１４の表面高さよりも低く抑えられ
るようにする。これによって、陰極１８ａ形成のための
成膜の際にリブ１６の上層１５の側壁に付着した導電性
材料１８によって、陰極１８ａがショートすることを防
止でき、電気的に絶縁されたストライプ状に陰極１８ａ
を形成することができる。Here, the height of the surface of the cathode 18a is set to be lower than the surface of the lower layer 14 of the rib 16. This can prevent the cathode 18a from being short-circuited by the conductive material 18 attached to the side wall of the upper layer 15 of the rib 16 at the time of film formation for forming the cathode 18a. 18a
Can be formed.
【００３４】陰極１５を構成する材料としては、アルミ
ニウムが用いられるがこれに限定されるものではなく、
例えばアルミニウムにリチウム（Ｌｉ）を適当な方法で
ドーピングした材料や、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａ
ｇ）合金などの周期表２Ａ族系の金属を含有する合金を
用いても良い。これらの材料は、いずれも仕事関数が低
く、有機１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂを構成する有機発光層
における発光のしきい値電圧を下げる効果を有してい
る。また、陰極１５を形成するための成膜方法は限定さ
れることはなく、例えば真空蒸着法、スパッタ法等が用
いられる。As a material for forming the cathode 15, aluminum is used, but is not limited thereto.
For example, a material obtained by doping aluminum with lithium (Li) by an appropriate method, magnesium (Mg) -silver (A
g) An alloy containing a Group 2A-based metal such as an alloy may be used. Each of these materials has a low work function, and has an effect of lowering the threshold voltage of light emission in the organic light emitting layers constituting the organics 17R, 17G, and 17B. Further, a film forming method for forming the cathode 15 is not limited, and for example, a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like is used.
【００３５】以上の後、ここでの図示は省略したが、画
素部（表示部１２ｂが配置された領域）の周辺に、ドラ
イバー回路との接続のための取り出し電極部を設けた
り、有機発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂが空気中の酸素
や水分に触れないようにこれらを保護するため、例えば
低温で低ダメージの成膜が可能な材料によってオーバー
コート用の絶縁性保護膜を形成し、有機ＥＬディスプレ
イを完成させる。After the above, although not shown here, an extraction electrode portion for connection with a driver circuit is provided around the pixel portion (the region where the display portion 12b is arranged), or the organic light emitting layer is provided. In order to protect the 17R, 17G, 17B from contacting oxygen and moisture in the air, for example, an insulating protective film for overcoating is formed of a material capable of forming a film with low damage at a low temperature. Complete the display.
【００３６】次に、図４の断面図を用いてリブの形成方
法の一例を説明する。Next, an example of a method for forming a rib will be described with reference to the sectional view of FIG.
【００３７】先ず、図３（ａ）、図３（ｂ）を用いて説
明したようにして、基板１１上に透明電極１２ａを形成
し、これを覆う無機絶縁膜１３に開口部１３ａを形成し
て透明電極１２ａの表示部１２ｂを露出させる工程まで
を行う。その後、図４（ａ）に示すように、開口部１３
ａが形成された無機絶縁膜１３上に、クロム（Ｃｒ）か
らなる下層１４を１μｍの膜厚に形成し、さらにこの上
面に酸化シリコンからなる上層１５を４μｍの膜厚に形
成する。また、この上層１５上に、エッチングマスクと
なるクロム層２０を０．２μｍの膜厚に形成する。First, as described with reference to FIGS. 3A and 3B, a transparent electrode 12a is formed on a substrate 11, and an opening 13a is formed in an inorganic insulating film 13 covering the transparent electrode 12a. Up to the step of exposing the display portion 12b of the transparent electrode 12a. Thereafter, as shown in FIG.
A lower layer 14 made of chromium (Cr) is formed to a thickness of 1 μm on the inorganic insulating film 13 on which a is formed, and an upper layer 15 made of silicon oxide is formed on this upper surface to a thickness of 4 μm. Further, a chromium layer 20 serving as an etching mask is formed on the upper layer 15 to a thickness of 0.2 μm.
【００３８】これらの各層の成膜方法は、特に限定され
ることはないが、下層１４とクロム層２０は、スパッタ
法、ＥＢ加熱による真空蒸着法等によって成膜される。
また、酸化シリコンからなる上層１５は、ＴＥＯＳプラ
ズマＣＶＤ法や、シラン（ＳｉＨ4 ）と酸素（Ｏ2 ）、
またはシラン（ＳｉＨ4 ）と一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）を
用いたプラズマＣＶＤ法によって成膜される。ただし、
リブの高さが高くなればなるほど、下地に対して応力緩
和が成されるように、リブを構成する材料の成膜方法及
び成膜条件を選択することが望まれる。The method for forming each of these layers is not particularly limited, but the lower layer 14 and the chromium layer 20 are formed by a sputtering method, a vacuum evaporation method using EB heating, or the like.
The upper layer 15 made of silicon oxide is formed by a TEOS plasma CVD method, silane (SiH 4 ) and oxygen (O 2 ),
Alternatively, the film is formed by a plasma CVD method using silane (SiH 4 ) and dinitrogen monoxide (N 2 O). However,
It is desirable to select a film forming method and a film forming condition of a material constituting the rib so that the higher the rib height is, the more the stress is relaxed to the base.
【００３９】次に、図４（ｂ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー法によって、クロム層２０上にレジストパ
ターン２１を形成する。このレジストパターン２１は、
リブのパターン、すなわち透明電極１２ａの発光部１２
ｂ脇に透明電極１２ａと交差するストライプ状に形成さ
れる。Next, as shown in FIG. 4B, a resist pattern 21 is formed on the chromium layer 20 by photolithography. This resist pattern 21
The pattern of the ribs, that is, the light emitting portion 12 of the transparent electrode 12a
It is formed in a stripe shape intersecting the transparent electrode 12a on the side b.
【００４０】次いで、このレジストパターン２１をマス
クに用いてクロム層２０をエッチングする。このエッチ
ングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングの
どちらでも良いが、微細な寸法精度が要求されるような
リブパターンであるならば、好ましくは垂直加工精度の
高いＲＩＥにて行うこととする。この際、エッチングガ
スとしては、塩素ガス（Ｃｌ2 ）と酸素ガス（Ｏ2 ）と
の混合ガスを用いることができるが、その他のガスであ
っても良い。Next, the chromium layer 20 is etched using the resist pattern 21 as a mask. This etching may be either wet etching or dry etching, but if it is a rib pattern requiring fine dimensional accuracy, it is preferable to perform RIE with high vertical processing accuracy. At this time, as the etching gas, a mixed gas of chlorine gas (Cl 2 ) and oxygen gas (O 2 ) can be used, but another gas may be used.
【００４１】その後、クロム層２０をマスクにして酸化
シリコンからなる上層１５をエッチングする。この際、
例えば、エッチングガスに８フッ化シクロブタンガス
（Ｃ4Ｆ8 ）を用いたＲＩＥを行うが、これに限定され
ることはなく、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Ｒesonan
ce）プラズマエッチングやＮＬＤ（Neutral Line Disch
arge）プラズマエッチングのような高密度プラズマを用
いたドライエッチングでも良い。また、エッチングガス
も、Ｃ4 Ｆ8 に限定されることはなく、４フッ化メタン
（ＣＦ4 ）とＯ2 との混合ガスを用いても良い。Thereafter, the upper layer 15 made of silicon oxide is etched using the chromium layer 20 as a mask. On this occasion,
For example, RIE using octafluorocyclobutane gas (C 4 F 8 ) as an etching gas is performed, but the present invention is not limited to this, and ECR (Electron Cyclotron Resonan) is used.
ce) Plasma etching and NLD (Neutral Line Disch)
arge) Dry etching using high-density plasma such as plasma etching may be used. Further, the etching gas is not limited to C 4 F 8 , and a mixed gas of methane tetrafluoride (CF 4 ) and O 2 may be used.
【００４２】次に、図４（ｃ）に示すように、クロム層
（２０）や上層１５のエッチングの際に飛散したレジス
トパターン成分、レジストパターンの残渣、さらにはＣ
4 Ｆ8 のようなエッチングガスによって生じた有機体積
物を基板１１上から除去するために、酸素プラズマを用
いたアッシング処理を行う。これによって、有機物質が
基板１１上に残ることを防止する。尚、図４（ｂ）を用
いて説明したクロム層２０や上層１５のエッチングが、
ウェットエッチングによって行われる場合には、ここで
のアッシング処理は必ずしも必要ではない。Next, as shown in FIG. 4C, resist pattern components scattered during etching of the chromium layer (20) and the upper layer 15, residues of the resist pattern, and C
Organic volume was generated by an etching gas such as 4 F 8 a to remove from the substrate 11, ashing treatment using oxygen plasma. This prevents the organic substance from remaining on the substrate 11. The etching of the chromium layer 20 and the upper layer 15 described with reference to FIG.
If the etching is performed by wet etching, the ashing process here is not always necessary.
【００４３】以上の後、図４（ｄ）に示すように、上層
１５をマスクに用いて下層１４を等方性エッチングす
る。この際、例えば、エッチング液として硝酸第二セリ
ウムアンモニウムと過塩素酸との混合水溶液を用いたウ
ェットエッチングを行う。ウェットエッチングは等方的
なエッチングであり、深さ方向だけではなく横方向にも
エッチングが進行するため、パターニングされた上層１
５下の下層１４のサイドエッチングが進んでアンダーカ
ットが生じた状態になる。このため、これらの下層１４
と上層１５で構成されたリブ１６は、側壁がオーバーハ
ング形状に成形されたものになる。またこのエッチング
においては、上層１５上にクロム層（２０）が残ってい
た場合、このクロム層も同時に除去されることになる。Thereafter, as shown in FIG. 4D, the lower layer 14 is isotropically etched using the upper layer 15 as a mask. At this time, for example, wet etching is performed using a mixed aqueous solution of ceric ammonium nitrate and perchloric acid as an etchant. The wet etching is an isotropic etching, and the etching proceeds not only in the depth direction but also in the lateral direction.
The side etching of the lower layer 14 under 5 advances, and an undercut occurs. Therefore, these lower layers 14
The rib 16 formed of the upper layer 15 and the upper layer 15 has a side wall formed in an overhang shape. In this etching, if the chromium layer (20) remains on the upper layer 15, this chromium layer is also removed at the same time.
【００４４】尚、ウェットエッチングは、基板１１面内
におけるエッチングレートの均一性が劣るため、大面積
ディスプレイのリブ加工への適用は困難である。このた
め、大面積ディスプレイの場合には、エッチングレート
の面内均一性の高いドライエッチングで下層１４をある
程度エッチングした後、ウェットエッチングを行うこと
によって下層１４のサイドエチングを進めるようにして
も良い。ただし、ドライエッチングによって下層１４を
完全に除去した場合、無機絶縁膜１３の開口部１３ａに
おいては透明電極１２ａの受光部１２ｂがプラズマに曝
されてダメージを受けることになる。このため、この受
光部１２ｂ上に有機層を形成して得られた有機ＥＬ素子
の素子特性が劣化するため、受光部１２ｂ上に下層１４
を残した状態でドライエッチングを終了させてウェトエ
ッチングに切り換えることが望ましい。It is difficult to apply wet etching to the rib processing of a large-area display because the uniformity of the etching rate in the surface of the substrate 11 is poor. Therefore, in the case of a large-area display, the lower layer 14 may be etched to some extent by dry etching with high in-plane uniformity of the etching rate, and then wet etching may be performed to advance the side etching of the lower layer 14. However, when the lower layer 14 is completely removed by dry etching, the light receiving part 12b of the transparent electrode 12a is exposed to the plasma in the opening 13a of the inorganic insulating film 13 and is damaged. Therefore, the element characteristics of the organic EL element obtained by forming the organic layer on the light receiving portion 12b are deteriorated.
It is desirable that dry etching be terminated in a state in which is left, and then switched to wet etching.
【００４５】以上のようにして、本発明における無機材
料からなるオーバーハング形状のリブ１６を得る。As described above, the overhang-shaped rib 16 made of the inorganic material according to the present invention is obtained.
【００４６】尚、以上の説明においては、酸化シリコン
からなる上層１５のエッチングマスクとしてクロム層２
０を用いたが、上層１５のパターンエッチングはこれに
限定されることはない。例えば、レジストパターン２１
に対して選択的に上層１５をエッチングできる場合に
は、クロム層２０を成膜することなく、レジストパター
ン２１をそのまま上層１５のエッチングマスクに用いて
も良い。In the above description, the chromium layer 2 is used as an etching mask for the upper layer 15 made of silicon oxide.
Although 0 was used, the pattern etching of the upper layer 15 is not limited to this. For example, the resist pattern 21
When the upper layer 15 can be selectively etched, the resist pattern 21 may be used as it is as an etching mask for the upper layer 15 without forming the chromium layer 20.
【００４７】また、リブ１６を構成する材料として酸化
シリコン（上層１５）とクロム（下層１４）を用いた。
しかし、リブ１６は、上層ほどエッチング速度の遅い無
機材料を用いた多層構造であれば良く、このような材料
を組み合わせて下層１４を等方性エッチングすること
で、オーバーハング形状のリブ１６を得ることができ
る。Further, silicon oxide (upper layer 15) and chromium (lower layer 14) were used as materials for forming the ribs 16.
However, the rib 16 may have a multilayer structure using an inorganic material having a lower etching rate as the upper layer, and the overhang-shaped rib 16 is obtained by isotropically etching the lower layer 14 by combining such materials. be able to.
【００４８】例えば、リブ１６を構成する上層１５とし
ては、酸化シリコンの他に、窒化シリコン（ＳｉＮx ）
や酸化窒化シリコン（ＳｉＯx Ｎy ）等の酸化シリコン
系や窒化シリコン系の材料を用いても良い。これらの材
料からなる上層１５の成膜方法は特に限定されることは
なく、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等にて成膜するこ
とができる。For example, as the upper layer 15 constituting the rib 16, in addition to silicon oxide, silicon nitride (SiNx)
Alternatively, a silicon oxide-based or silicon nitride-based material such as silicon oxynitride (SiOxNy) or the like may be used. The method of forming the upper layer 15 made of these materials is not particularly limited, and the upper layer 15 can be formed by a plasma CVD method, a sputtering method, or the like.
【００４９】また、このような材料からなる上層１５に
対する下層１４としては、クロムの他に、ニッケル（Ｎ
ｉ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）等を用いて
も良い。これらの材料からなる下層１４の成膜方法は特
に限定されることはなく、真空蒸着法やスパッタ法等に
て成膜することができる。また、これらの材料のエッチ
ングの際には、適宜選択されたエッチング液を用いたウ
ェットエッチングや、適宜選択されたガスを用いてのド
ライエッチングが行われることとする。As the lower layer 14 for the upper layer 15 made of such a material, nickel (N
i), titanium (Ti), molybdenum (Mo) or the like may be used. The method for forming the lower layer 14 made of these materials is not particularly limited, and the lower layer 14 can be formed by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. In etching these materials, wet etching using an appropriately selected etching solution or dry etching using an appropriately selected gas is performed.
【００５０】さらに、実施形態においては、下層１４の
高さを１μｍ、上層１５の高さを４μｍとした。しか
し、リブ１６の高さは、リブ１６の下層１４の表面高さ
が、陰極１８ａ表面の高さよりも高い位置になれば良
い。このような高さにすることによって、陰極１８ａ形
成のための成膜の際にリブ１６の上層１５の側壁に付着
した導電性材料１８によって、陰極１８ａがショートす
ることなく電気的に絶縁されたストライプ状に形成され
ることになる。ただし、ディスプレイパネルの製造コス
ト及び、有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂを形成する際の
マスク蒸着の精度を考慮すると、リブ１６の高さをある
程度の高さに抑えることが望ましい。このため、好まし
くは、リブ１６全体の高さを０．５μｍ〜１０μｍの範
囲に設定することとする。Further, in the embodiment, the height of the lower layer 14 is 1 μm, and the height of the upper layer 15 is 4 μm. However, the height of the rib 16 may be such that the surface height of the lower layer 14 of the rib 16 is higher than the height of the surface of the cathode 18a. With such a height, the cathode 18a is electrically insulated without short-circuiting by the conductive material 18 attached to the side wall of the upper layer 15 of the rib 16 during film formation for forming the cathode 18a. It will be formed in a stripe shape. However, in consideration of the manufacturing cost of the display panel and the accuracy of mask deposition when forming the organic layers 17R, 17G, and 17B, it is desirable to keep the height of the rib 16 to a certain height. Therefore, preferably, the height of the entire rib 16 is set in a range of 0.5 μm to 10 μm.
【００５１】以上のようにして形成されたリブ１６を有
する有機ＥＬディスプレイは、リブ１６を無機材料で構
成したことで、このリブ１６から有機物質が放出される
ことはなく、有機物質による有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１
７Ｂの劣化を防止することができる。この結果、有機層
１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂにおける発光効率が維持され、
発光部１２ｂに非発光エリア（いわゆるダークスポッ
ト）が発生する等の不具合が生じることを防止でき、有
機ＥＬディスプレイの長寿命化を図ることが可能にな
る。In the organic EL display having the ribs 16 formed as described above, since the ribs 16 are made of an inorganic material, no organic substance is emitted from the ribs 16 and the organic layer made of the organic substance is used. 17R, 17G, 1
7B can be prevented from deteriorating. As a result, the luminous efficiency in the organic layers 17R, 17G, 17B is maintained,
Problems such as generation of non-light-emitting areas (so-called dark spots) in the light-emitting portion 12b can be prevented, and the life of the organic EL display can be extended.
【００５２】しかも、この無機材料からなるリブ１６
を、ストライプ状に形成し、その側壁をアンダーカット
を有するオーバーハング形状にすることで、このリブ１
６上からの成膜によって陰極１８ａを形成した場合に、
このリブ１６を成膜時のマスクとしてストライプ状の陰
極１８ａをセルフアラインで形成することが可能になる
と共に、このリブ１６が隔壁となって各陰極１８ａを絶
縁状態に保つことができるのである。特に、１００μｍ
以下のラインアンドスペースパターン（すなわち、スト
ライプ状の陰極１８ａ）を、蒸着マスクを用いた真空蒸
着法によって大面積に亘って形成しようとすることは、
蒸着マスクの作製が困難であるばかりではなく、マスク
変形に伴うパターン歪みが大きく良好なパターン形状を
得ることが難しいという問題を抱えている。このため、
オーバーハング形状のリブ１６をマスクとした成膜によ
って陰極１８ａの形成を行う本実施形態の方法を採用す
ることで、この問題を解決することができる。Moreover, the ribs 16 made of this inorganic material are used.
Are formed in a stripe shape, and the side wall thereof is formed in an overhang shape having an undercut, whereby the rib 1 is formed.
6, when the cathode 18a is formed by film formation from above,
Using the ribs 16 as a mask at the time of film formation, it is possible to form the striped cathodes 18a in a self-aligned manner, and the ribs 16 serve as partitions to keep the cathodes 18a in an insulated state. In particular, 100 μm
The following line-and-space pattern (that is, stripe-shaped cathode 18a) is intended to be formed over a large area by a vacuum evaporation method using an evaporation mask.
Not only is it difficult to fabricate a deposition mask, but there is a problem that it is difficult to obtain a good pattern shape due to large pattern distortion due to mask deformation. For this reason,
This problem can be solved by employing the method of the present embodiment in which the cathode 18a is formed by film formation using the overhang-shaped rib 16 as a mask.
【００５３】尚、本実施形態においては、単純マトリク
ス型フルカラー表示の有機ＥＬディスプレイの構成及び
製造方法を例に取って説明を行った。しかし、本発明
は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を搭載したアクティブ
マトリクス型ディスプレイ及びその製造方法にも適用可
能である。ただし、アクティブマトリクス型ディスプレ
イにおいては、走査線を有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ
の下地に形成することもできるため、陰極１８ａを走査
線として用いる必要はない。この場合、陰極１８ａはベ
タ膜でも良く、リブ１６にて絶縁する必要はない。した
がって、アクティブマトリクス型ディスプレイにおいて
走査線を有機層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの下地に形成す
る場合には、リブ１６をオーバーハング形状にする必要
はなく、この場合、リブ１６は有機層１７Ｒ，１７Ｇ，
１７Ｂを形成する際に用いる蒸着成膜用のマスクと基板
１１とのスペーサとして用いられることになる。In the present embodiment, the configuration and manufacturing method of the organic EL display of the simple matrix type full color display have been described as an example. However, the present invention is also applicable to an active matrix type display equipped with a thin film transistor (TFT) and a method of manufacturing the same. However, in the active matrix type display, the scanning lines are connected to the organic layers 17R, 17G, 17B.
The cathode 18a does not need to be used as a scanning line. In this case, the cathode 18 a may be a solid film and need not be insulated by the rib 16. Therefore, when the scanning lines are formed under the organic layers 17R, 17G, and 17B in the active matrix type display, the ribs 16 do not need to be overhanged. In this case, the ribs 16 are formed of the organic layers 17R, 17G, and 17B.
It will be used as a spacer between the substrate 11 and the mask for deposition film formation used when forming 17B.
【００５４】[0054]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、発
光部脇に立設されたリブを無機材料で構成したことで、
このリブから有機物が放出されることはなく、有機物に
よる有機層を劣化を防止することができる。この結果、
有機層の発光効率が維持され、発光部に非発光エリア
（いわゆるダークスポット）が発生する等の不具合が生
じることを防止でき、有機ＥＬディスプレイの画質の向
上及び長寿命化を図ることが可能になる。しかも、この
無機材料からなるリブを第１電極と交差するストライプ
状に形成し、その側壁をオーバーハング形状にすること
で、このリブをマスクにした成膜によってストライプ状
の第２電極をセルフアラインで形成することが可能にな
る。この結果、蒸着マスクを用いることなく微細なスト
ライプ状の第２電極を形成することが可能になる。As described above, according to the present invention, the ribs provided on the side of the light emitting portion are made of an inorganic material.
No organic substances are released from the ribs, and the organic layer can be prevented from deteriorating due to the organic substances. As a result,
The luminous efficiency of the organic layer is maintained, and problems such as generation of non-light-emitting areas (so-called dark spots) in the light-emitting portion can be prevented. Thus, it is possible to improve the image quality and extend the life of the organic EL display. Become. Moreover, the ribs made of the inorganic material are formed in a stripe shape intersecting the first electrode, and the side walls thereof are formed in an overhang shape, so that the second electrode in a stripe shape is self-aligned by film formation using the rib as a mask. Can be formed. As a result, a fine stripe-shaped second electrode can be formed without using an evaporation mask.
【図１】実施形態の有機ＥＬディスプレイの断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view of an organic EL display according to an embodiment.
【図２】実施形態の有機ＥＬディスプレイの要部平面図
である。FIG. 2 is a plan view of a main part of the organic EL display of the embodiment.
【図３】実施形態の有機ＥＬディスプレイの製造方法を
説明するための断面工程図である。FIG. 3 is a sectional process view for illustrating the method for manufacturing the organic EL display according to the embodiment.
【図４】実施形態の有機ＥＬディスプレイにおけるリブ
の製造を説明するための断面工程図である。FIG. 4 is a cross-sectional process diagram for explaining manufacturing of a rib in the organic EL display of the embodiment.
【図５】従来の有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法
を説明するための断面工程図である。FIG. 5 is a sectional process view for explaining a conventional organic EL display and a method for manufacturing the same.
１１…基板、１２ａ…透明電極（第１電極）、１２ｂ…
発光部、１４…下層、１５…上層、１６…リブ、１７
Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ…有機層、１８ａ…陰極（第２電
極）11 ... substrate, 12a ... transparent electrode (first electrode), 12b ...
Light-emitting portion, 14: lower layer, 15: upper layer, 16: rib, 17
R, 17G, 17B: organic layer, 18a: cathode (second electrode)
Claims (11)
第１電極と、当該第１電極の発光部を露出させる位置に
立設された複数のリブと、前記第１電極の各発光部上に
設けられた有機発光層を有する有機層と、当該有機層を
介して前記第１電極の各発光部上に設けられた第２電極
とを備えた有機ＥＬディスプレイにおいて、 前記リブは、無機材料からなることを特徴とする有機Ｅ
Ｌディスプレイ。A first electrode disposed in parallel on the substrate in a stripe shape; a plurality of ribs provided upright at positions exposing a light emitting portion of the first electrode; An organic EL display comprising: an organic layer having an organic light-emitting layer provided on a first electrode; and a second electrode provided on each light-emitting portion of the first electrode via the organic layer. Organic E characterized by consisting of
L display.
おいて、 前記リブは、前記第１電極と交差する状態でストライプ
状に設けられたことを特徴とする有機ＥＬディスプレ
イ。2. The organic EL display according to claim 1, wherein the rib is provided in a stripe shape so as to intersect with the first electrode.
おいて、 前記リブは、前記受光部側に向かう側壁がオーバーハン
グ形状に成形されていることを特徴とする有機ＥＬディ
スプレイ。3. The organic EL display according to claim 2, wherein a side wall of the rib facing the light receiving section is formed in an overhang shape.
おいて、 前記リブは、上層ほどエッチング速度の遅い材料からな
る多層構造であることを特徴とする有機ＥＬディスプレ
イ。4. The organic EL display according to claim 3, wherein the rib has a multilayer structure made of a material having a lower etching rate as an upper layer.
おいて、 前記リブは、酸化シリコン系材料または窒化シリコン系
材料からなる上層と、クロム、ニッケル、チタンまたは
モリブデンからなる下層との少なくとも２層からなる多
層構造であるとを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。5. The organic EL display according to claim 4, wherein the rib comprises at least two layers of an upper layer made of a silicon oxide-based material or a silicon nitride-based material and a lower layer made of chromium, nickel, titanium, or molybdenum. An organic EL display having a multilayer structure.
ーン形成する工程と、 前記第１電極の発光部を露出させる位置に、無機材料か
らなる複数のリブを立設する工程と、 前記リブ上からの成膜によって、前記第１電極の受光部
上に有機発光層を有する有機層を形成する工程と、 前記リブ上からの成膜によって、前記第１電極の受光部
上に前記有機層を介して第２電極を形成する工程とを行
うことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。6. A step of patterning a first electrode in a stripe pattern on a substrate; a step of erecting a plurality of ribs made of an inorganic material at positions exposing a light emitting portion of the first electrode; Forming an organic layer having an organic light emitting layer on the light receiving portion of the first electrode by film formation from above; and forming the organic layer on the light receiving portion of the first electrode by film formation from the rib. Forming a second electrode through the method.
製造方法において、 前記有機層を形成する工程では、前記リブを介して前記
基板上にマスクを配置した状態で成膜を行うことを特徴
とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。7. The method for manufacturing an organic EL display according to claim 6, wherein, in the step of forming the organic layer, the film is formed while a mask is arranged on the substrate via the rib. Of manufacturing an organic EL display.
製造方法において、 前記リブは、前記第１電極と交差する状態でストライプ
状にパターン形成されることを特徴とする有機ＥＬディ
スプレイの製造方法。8. The method for manufacturing an organic EL display according to claim 6, wherein the ribs are patterned in a stripe shape so as to intersect with the first electrode.
製造方法において、 前記リブは、前記受光部側に向かう側壁がオーバーハン
グ形状に成形されることを特徴とする有機ＥＬディスプ
レイの製造方法。9. The method for manufacturing an organic EL display according to claim 8, wherein a side wall of the rib facing the light receiving section is formed in an overhang shape.
において、 前記リブを形成する工程では、上層ほどエッチング速度
の遅い材料からなる多層膜をパターンエッチングするこ
とを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。10. The method of manufacturing an organic EL display according to claim 9, wherein, in the step of forming the rib, a multilayer film made of a material having an etching rate lower as the upper layer is patterned.
イにおいて、 前記リブを形成する工程では、酸化シリコン系材料また
は窒化シリコン系材料からなる上層と、クロム、ニッケ
ル、チタンまたはモリブデンからなる下層との少なくと
も２層からなる多層膜を形成し、前記上層をパターニン
グした後、これをマスクに用いて前記下層を等方性エッ
チングすること、 を特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。11. The organic EL display according to claim 10, wherein, in the step of forming the rib, at least one of an upper layer made of a silicon oxide-based material or a silicon nitride-based material and a lower layer made of chromium, nickel, titanium, or molybdenum. Forming a multilayer film composed of two layers, patterning the upper layer, and isotropically etching the lower layer using the upper layer as a mask, a method for manufacturing an organic EL display.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23777499A JP4470241B2 (en) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | Organic EL display and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23777499A JP4470241B2 (en) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | Organic EL display and manufacturing method thereof |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068267A true JP2001068267A (en) | 2001-03-16 |
| JP2001068267A5 JP2001068267A5 (en) | 2006-04-20 |
| JP4470241B2 JP4470241B2 (en) | 2010-06-02 |
Family
ID=17020245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23777499A Expired - Lifetime JP4470241B2 (en) | 1999-08-25 | 1999-08-25 | Organic EL display and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4470241B2 (en) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515909A (en) * | 1999-11-29 | 2003-05-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
| JP2003249376A (en) * | 2001-12-18 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | Display device and electronic equipment |
| JP2004087496A (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Samsung Nec Mobile Display Co Ltd | Organic electroluminescent display device |
| US6882103B2 (en) | 2001-10-18 | 2005-04-19 | Lg Electronics Inc. | Panel of organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
| JP2005251497A (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Denso Corp | Organic el element and its manufacturing method |
| JP2006164973A (en) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Lg Electron Inc | Organic electroluminescent element and its manufacturing method |
| JP2008016444A (en) * | 2006-06-09 | 2008-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| US7642701B2 (en) | 2002-12-11 | 2010-01-05 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic EL display device |
| JP2010232197A (en) * | 2008-03-12 | 2010-10-14 | Casio Computer Co Ltd | Method of manufacturing el panel |
| CN101483188B (en) * | 2008-01-10 | 2012-07-04 | 精工爱普生株式会社 | Organic el panel and method for producing same |
| US8313355B2 (en) | 2006-06-09 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN105393334A (en) * | 2013-03-29 | 2016-03-09 | 应用材料公司 | Substrate imprinted with a pattern for forming isolated device regions |
| JP2019032939A (en) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | キヤノン株式会社 | Display unit and method of manufacturing the same, and electronic equipment |
| EP3544058A4 (en) * | 2016-11-15 | 2020-08-19 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Oled substrate and manufacturing method thereof |
-
1999
- 1999-08-25 JP JP23777499A patent/JP4470241B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003515909A (en) * | 1999-11-29 | 2003-05-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
| US6882103B2 (en) | 2001-10-18 | 2005-04-19 | Lg Electronics Inc. | Panel of organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
| JP2003249376A (en) * | 2001-12-18 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | Display device and electronic equipment |
| US7012367B2 (en) | 2001-12-18 | 2006-03-14 | Seiko Epson Corporation | Display device having light blocking layer, and electric device |
| US7791269B2 (en) | 2001-12-18 | 2010-09-07 | Seiko Epson Corporation | Display apparatus having light blocking layer, and electric device |
| JP2004087496A (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Samsung Nec Mobile Display Co Ltd | Organic electroluminescent display device |
| US7642701B2 (en) | 2002-12-11 | 2010-01-05 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic EL display device |
| US8129902B2 (en) | 2002-12-11 | 2012-03-06 | Hitachi Displays, Ltd. | Organic EL display device comprising moisture diffusion reduction banks structure |
| JP2005251497A (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Denso Corp | Organic el element and its manufacturing method |
| JP2006164973A (en) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Lg Electron Inc | Organic electroluminescent element and its manufacturing method |
| JP2008016444A (en) * | 2006-06-09 | 2008-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| US8313355B2 (en) | 2006-06-09 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN101483188B (en) * | 2008-01-10 | 2012-07-04 | 精工爱普生株式会社 | Organic el panel and method for producing same |
| JP2010232197A (en) * | 2008-03-12 | 2010-10-14 | Casio Computer Co Ltd | Method of manufacturing el panel |
| CN105393334A (en) * | 2013-03-29 | 2016-03-09 | 应用材料公司 | Substrate imprinted with a pattern for forming isolated device regions |
| JP2016518001A (en) * | 2013-03-29 | 2016-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | A substrate imprinted with a pattern to form isolated device regions |
| EP3544058A4 (en) * | 2016-11-15 | 2020-08-19 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Oled substrate and manufacturing method thereof |
| JP2019032939A (en) * | 2017-08-04 | 2019-02-28 | キヤノン株式会社 | Display unit and method of manufacturing the same, and electronic equipment |
| JP6993809B2 (en) | 2017-08-04 | 2022-01-14 | キヤノン株式会社 | Display devices and their manufacturing methods and electronic devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4470241B2 (en) | 2010-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100454570C (en) | Method for manufacturing display device | |
| JP2000113982A (en) | Manufacture of organic el display | |
| JP4470241B2 (en) | Organic EL display and manufacturing method thereof | |
| JPH11121168A (en) | Organic electroluminescence element and its manufacture | |
| JP3991605B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for producing the same | |
| JP2005347274A (en) | Organic el display and method for manufacturing the same | |
| US6881501B2 (en) | Organic electro-luminescence element and the manufacturing method thereof | |
| JP2000091083A (en) | Organic el display | |
| US20050247946A1 (en) | Organic light emitting device and method of fabricating the same | |
| CN110571361A (en) | Organic light-emitting display panel, manufacturing method and display device | |
| JPH10106747A (en) | Organic electroluminescent display device and its manufacture | |
| JP2000294371A (en) | Organic electroluminescence display panel and its manufacture | |
| JP2003272871A (en) | Self-luminous display device and its manufacturing method | |
| JP4644938B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| US7719184B2 (en) | Organic EL element having a protective layer | |
| JP2000091082A (en) | Organic el display | |
| US6582984B2 (en) | Method for fabricating an organic light emitting diode | |
| JP2000113981A (en) | Manufacture of organic el display | |
| JP2008140735A (en) | Organic electroluminescent display, and manufacturing method thereof | |
| JP3707448B2 (en) | Manufacturing method of organic EL element | |
| JP2004281365A (en) | Display panel and electronic device having display panel | |
| JP2014013717A (en) | Organic el device and manufacturing method thereof | |
| KR100333951B1 (en) | Full color organic electroluminescence device and fabrication method thereof | |
| CN115132796A (en) | Display panel, preparation method thereof and display device | |
| KR20070065097A (en) | Organic light emitting diode and manufacturing process thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060308 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060308 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091009 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091020 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091021 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091026 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091104 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091214 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100209 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100222 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130312 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130312 Year of fee payment: 3 |