JP2001056356A - デバイス測定装置及び被測定デバイスの温度変化抑制方法 - Google Patents
デバイス測定装置及び被測定デバイスの温度変化抑制方法Info
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- JP2001056356A JP2001056356A JP11234320A JP23432099A JP2001056356A JP 2001056356 A JP2001056356 A JP 2001056356A JP 11234320 A JP11234320 A JP 11234320A JP 23432099 A JP23432099 A JP 23432099A JP 2001056356 A JP2001056356 A JP 2001056356A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被測定デバイスの設定温度からの温度変化を
抑制できるデバイス測定装置及び被測定デバイスの温度
変化抑制方法を提供する。 【解決手段】 被測定デバイスである半導体製品６を設
定温度に加熱し、設定温度で被測定デバイスの電気的特
性を測定するデバイス測定装置である。空気を所定温度
に加熱する第二の加熱器５と、第二の加熱器５により加
熱された空気を被測定デバイスに吹き付けるノズル４と
を備える。
抑制できるデバイス測定装置及び被測定デバイスの温度
変化抑制方法を提供する。 【解決手段】 被測定デバイスである半導体製品６を設
定温度に加熱し、設定温度で被測定デバイスの電気的特
性を測定するデバイス測定装置である。空気を所定温度
に加熱する第二の加熱器５と、第二の加熱器５により加
熱された空気を被測定デバイスに吹き付けるノズル４と
を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所定の温度環境で
被測定デバイスの電気的特性を測定するデバイス測定装
置及び被測定デバイスの温度変化抑制方法に関する。
被測定デバイスの電気的特性を測定するデバイス測定装
置及び被測定デバイスの温度変化抑制方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術によるデバイス測定装置を図７
により説明する。図７において、６は半導体製品（被測
定デバイス）、７はコンタクタ、１４は製品押さえ、１
５は測定ハンド、１６はヒートブロック、１７は吸着
部、１８はシリンダである。高温環境で半導体製品６の
電気的特性を測定する場合には、先ず、半導体製品６を
トレーからプレヒートに搬送し、プレヒートにおいて半
導体製品６を一定温度に加熱する。次に、一定温度に加
熱した半導体製品６を吸着部１７で吸着してコンタクタ
７に搬送する。そして、測定ハンド１５に備わる製品押
さえ１４により、コンタクタ７上の半導体製品６を押さ
え付けて、半導体製品６をコンタクタ７に接続する。こ
の状態において、テスタから半導体製品６に試験信号を
印加して、半導体製品６の電気的特性を測定する。この
とき、半導体製品６は、吸着部１７を介してヒートブロ
ック１６の熱が伝導されることにより、設定温度に保持
される。
により説明する。図７において、６は半導体製品（被測
定デバイス）、７はコンタクタ、１４は製品押さえ、１
５は測定ハンド、１６はヒートブロック、１７は吸着
部、１８はシリンダである。高温環境で半導体製品６の
電気的特性を測定する場合には、先ず、半導体製品６を
トレーからプレヒートに搬送し、プレヒートにおいて半
導体製品６を一定温度に加熱する。次に、一定温度に加
熱した半導体製品６を吸着部１７で吸着してコンタクタ
７に搬送する。そして、測定ハンド１５に備わる製品押
さえ１４により、コンタクタ７上の半導体製品６を押さ
え付けて、半導体製品６をコンタクタ７に接続する。こ
の状態において、テスタから半導体製品６に試験信号を
印加して、半導体製品６の電気的特性を測定する。この
とき、半導体製品６は、吸着部１７を介してヒートブロ
ック１６の熱が伝導されることにより、設定温度に保持
される。
【０００３】ところが、上記半導体製品６が、例えば、
出力電流の多い半導体製品である場合には、試験信号の
印加（電気的な負荷）により半導体製品６が自己発熱し
て、前記設定温度以上に半導体製品６の温度が上昇する
ことがある。その場合、保証すべき性能が試験されず、
結果として歩留まりや派生率（規格に満たない派生品の
割合）に影響を及ぼすことがあった。そこで、従来のデ
バイス測定装置では、自己発熱により前記設定温度以上
に半導体製品６の温度が上昇した場合に、図７（イ）に
示すように、シリンダ１８を駆動して吸着部１７を上昇
し、吸着部１７と半導体製品６とを離間することによっ
て、ヒートブロック１６から半導体製品６への熱伝導を
遮断し、半導体製品６の温度上昇を抑制するようにして
いた。
出力電流の多い半導体製品である場合には、試験信号の
印加（電気的な負荷）により半導体製品６が自己発熱し
て、前記設定温度以上に半導体製品６の温度が上昇する
ことがある。その場合、保証すべき性能が試験されず、
結果として歩留まりや派生率（規格に満たない派生品の
割合）に影響を及ぼすことがあった。そこで、従来のデ
バイス測定装置では、自己発熱により前記設定温度以上
に半導体製品６の温度が上昇した場合に、図７（イ）に
示すように、シリンダ１８を駆動して吸着部１７を上昇
し、吸着部１７と半導体製品６とを離間することによっ
て、ヒートブロック１６から半導体製品６への熱伝導を
遮断し、半導体製品６の温度上昇を抑制するようにして
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
製品６の温度上昇を抑制する方法として上記方法が適用
できるのは、ヒートブロック１６からの熱が遮断された
状態において半導体製品６の温度が前記設定温度を下回
らない場合のみである。ヒートブロック１６は設定温度
より多少温度を高くしている。つまり、上記方法では、
半導体製品６の温度が少なくとも前記設定温度以上であ
ることを保証するために、各半導体製品６の温度状態を
監視する必要があった。また、上記方法では、シリンダ
１８により吸着部１７を上昇することによって、放熱で
半導体製品６の温度上昇を抑制するようにしていたた
め、半導体製品６を測定中に、自己発熱量が急激に変化
する場合などには、殆ど前記方法は効果がなかった。
製品６の温度上昇を抑制する方法として上記方法が適用
できるのは、ヒートブロック１６からの熱が遮断された
状態において半導体製品６の温度が前記設定温度を下回
らない場合のみである。ヒートブロック１６は設定温度
より多少温度を高くしている。つまり、上記方法では、
半導体製品６の温度が少なくとも前記設定温度以上であ
ることを保証するために、各半導体製品６の温度状態を
監視する必要があった。また、上記方法では、シリンダ
１８により吸着部１７を上昇することによって、放熱で
半導体製品６の温度上昇を抑制するようにしていたた
め、半導体製品６を測定中に、自己発熱量が急激に変化
する場合などには、殆ど前記方法は効果がなかった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、被測定デバイスの自己発熱量等
に関係なく、被測定デバイスの温度が設定温度から変化
することを抑制できるデバイス測定装置及び被測定デバ
イスの温度変化抑制方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、被測定デバイスの自己発熱量等
に関係なく、被測定デバイスの温度が設定温度から変化
することを抑制できるデバイス測定装置及び被測定デバ
イスの温度変化抑制方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は、例えば、図１及び図６に示
すように、設定温度に被測定デバイス（例えば、半導体
製品６など）を加熱又は冷却し、前記設定温度で被測定
デバイスの電気的特性を測定するデバイス測定装置にお
いて、被測定デバイスの温度が前記設定温度から変化す
ることを抑制する温度変化抑制手段（１０）を備える構
成とした。
め、請求項１記載の発明は、例えば、図１及び図６に示
すように、設定温度に被測定デバイス（例えば、半導体
製品６など）を加熱又は冷却し、前記設定温度で被測定
デバイスの電気的特性を測定するデバイス測定装置にお
いて、被測定デバイスの温度が前記設定温度から変化す
ることを抑制する温度変化抑制手段（１０）を備える構
成とした。
【０００７】請求項１記載の発明によれば、温度変化抑
制手段によって、被測定デバイスの温度が設定温度から
変化することを抑制できる。従って、被測定デバイスの
温度が設定温度から変動することによる不具合を低減で
きる。例えば、自己発熱により被測定デバイスの温度が
設定温度より高くなって被測定デバイスの歩留まりや派
生率が悪化することを低減できる。その結果、被測定デ
バイスの効率の良い生産が可能になる。
制手段によって、被測定デバイスの温度が設定温度から
変化することを抑制できる。従って、被測定デバイスの
温度が設定温度から変動することによる不具合を低減で
きる。例えば、自己発熱により被測定デバイスの温度が
設定温度より高くなって被測定デバイスの歩留まりや派
生率が悪化することを低減できる。その結果、被測定デ
バイスの効率の良い生産が可能になる。
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載のデ
バイス測定装置において、例えば、図１及び図６に示す
ように、前記温度変化抑制手段は、気体供給装置より供
給された気体を所定温度に加熱又は冷却する温度調整手
段（例えば、第二の加熱器５など）と、前記温度調整手
段により加熱又は冷却された気体を被測定デバイスに吹
き付けるノズル（４）とを備える構成とした。
バイス測定装置において、例えば、図１及び図６に示す
ように、前記温度変化抑制手段は、気体供給装置より供
給された気体を所定温度に加熱又は冷却する温度調整手
段（例えば、第二の加熱器５など）と、前記温度調整手
段により加熱又は冷却された気体を被測定デバイスに吹
き付けるノズル（４）とを備える構成とした。
【０００９】ここで、上記所定温度は、電気的に無負荷
の状態にある被測定デバイスを設定温度に収束させるの
に必要とされる雰囲気温度である。また、温度調整手段
には、例えば、加熱器や冷却器などが挙げられる。ま
た、気体供給装置より供給される気体には、空気以外の
気体も含まれるものとする。
の状態にある被測定デバイスを設定温度に収束させるの
に必要とされる雰囲気温度である。また、温度調整手段
には、例えば、加熱器や冷却器などが挙げられる。ま
た、気体供給装置より供給される気体には、空気以外の
気体も含まれるものとする。
【００１０】請求項２記載の発明によれば、温度調整手
段により所定温度に加熱又は冷却された気体が、ノズル
より被測定デバイスに吹き付けられるため、被測定デバ
イスの温度が設定温度より低い場合には、ノズルより噴
出される気体により被測定デバイスが加熱される一方、
被測定デバイスの温度が設定温度より高い場合には、ノ
ズルより噴出される気体により被測定デバイスが冷却さ
れる。従って、被測定デバイスがどのような温度状態に
あっても、被測定デバイスの温度を設定温度に近づける
ことができる。そのため、被測定デバイスの自己発熱量
に関係なく、被測定デバイスの温度が設定温度から変化
することを抑制できる。また、例えば、被測定デバイス
の自己発熱量が測定中に急激に変化する場合などにおい
ても、被測定デバイスの温度が設定温度から変化するこ
とを抑制できる。また、被測定デバイスが自己発熱して
も、設定温度より被測定デバイスが冷却される虞がない
ので、被測定デバイスの温度保証のための監視を省略で
きる。
段により所定温度に加熱又は冷却された気体が、ノズル
より被測定デバイスに吹き付けられるため、被測定デバ
イスの温度が設定温度より低い場合には、ノズルより噴
出される気体により被測定デバイスが加熱される一方、
被測定デバイスの温度が設定温度より高い場合には、ノ
ズルより噴出される気体により被測定デバイスが冷却さ
れる。従って、被測定デバイスがどのような温度状態に
あっても、被測定デバイスの温度を設定温度に近づける
ことができる。そのため、被測定デバイスの自己発熱量
に関係なく、被測定デバイスの温度が設定温度から変化
することを抑制できる。また、例えば、被測定デバイス
の自己発熱量が測定中に急激に変化する場合などにおい
ても、被測定デバイスの温度が設定温度から変化するこ
とを抑制できる。また、被測定デバイスが自己発熱して
も、設定温度より被測定デバイスが冷却される虞がない
ので、被測定デバイスの温度保証のための監視を省略で
きる。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項２記載のデ
バイス測定装置において、例えば、図１及び図６に示す
ように、前記所定温度に雰囲気温度が保たれた恒温槽
（１）内部で、被測定デバイスの電気的特性を測定する
構成とした。
バイス測定装置において、例えば、図１及び図６に示す
ように、前記所定温度に雰囲気温度が保たれた恒温槽
（１）内部で、被測定デバイスの電気的特性を測定する
構成とした。
【００１２】請求項３記載の発明によれば、所定温度に
雰囲気温度が保たれた恒温槽内部で、被測定デバイスの
電気的特性が測定されるため、被測定デバイスの周囲に
存在する気体によって被測定デバイスの温度が設定温度
から変動することを防止できる。
雰囲気温度が保たれた恒温槽内部で、被測定デバイスの
電気的特性が測定されるため、被測定デバイスの周囲に
存在する気体によって被測定デバイスの温度が設定温度
から変動することを防止できる。
【００１３】請求項４記載の発明は、請求項３記載のデ
バイス測定装置において、例えば、図１及び図６に示す
ように、前記温度調整手段（１０）が、前記恒温槽
（１）の外部に設置されている構成とした。
バイス測定装置において、例えば、図１及び図６に示す
ように、前記温度調整手段（１０）が、前記恒温槽
（１）の外部に設置されている構成とした。
【００１４】請求項４記載の発明によれば、恒温槽の外
部に温度調整手段が設置されているため、温度調整手段
より熱が発せられても、その熱の影響が恒温槽の内部に
及ぶことがない。
部に温度調整手段が設置されているため、温度調整手段
より熱が発せられても、その熱の影響が恒温槽の内部に
及ぶことがない。
【００１５】請求項５記載の発明は、例えば、図１に示
すように、設定温度に加熱又は冷却された被測定デバイ
ス（例えば、半導体製品６など）の温度変化を抑制する
被測定デバイスの温度変化抑制方法であって、空気供給
装置より供給された空気を所定温度に加熱又は冷却した
後、前記所定温度に加熱又は冷却した空気を被測定デバ
イスに吹き付けることによって、前記設定温度に加熱又
は冷却された被測定デバイスの温度変化を抑制すること
を特徴としている。
すように、設定温度に加熱又は冷却された被測定デバイ
ス（例えば、半導体製品６など）の温度変化を抑制する
被測定デバイスの温度変化抑制方法であって、空気供給
装置より供給された空気を所定温度に加熱又は冷却した
後、前記所定温度に加熱又は冷却した空気を被測定デバ
イスに吹き付けることによって、前記設定温度に加熱又
は冷却された被測定デバイスの温度変化を抑制すること
を特徴としている。
【００１６】ここで、上記所定温度は、電気的に無負荷
の状態にある被測定デバイスを設定温度に収束させるの
に必要とされる雰囲気温度である。
の状態にある被測定デバイスを設定温度に収束させるの
に必要とされる雰囲気温度である。
【００１７】請求項５記載の発明によれば、空気供給装
置より供給された空気を所定温度に加熱又は冷却した
後、所定温度に加熱又は冷却した空気を被測定デバイス
に吹き付けるので、被測定デバイスの温度が設定温度か
ら変化することを抑制できる。
置より供給された空気を所定温度に加熱又は冷却した
後、所定温度に加熱又は冷却した空気を被測定デバイス
に吹き付けるので、被測定デバイスの温度が設定温度か
ら変化することを抑制できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１〜図６の図面を参照しながら説明する。
て、図１〜図６の図面を参照しながら説明する。
【００１９】図１は本発明に係るデバイス測定装置の要
部構成を示す縦断面図である。図１において、１は恒温
槽、２は第一の加熱器、３は送風機、４はノズル、５は
第二の加熱器（温度調整手段）、６は半導体製品（被測
定デバイス）、７はコンタクタ、１０は温度変化抑制手
段である。
部構成を示す縦断面図である。図１において、１は恒温
槽、２は第一の加熱器、３は送風機、４はノズル、５は
第二の加熱器（温度調整手段）、６は半導体製品（被測
定デバイス）、７はコンタクタ、１０は温度変化抑制手
段である。
【００２０】この発明による実施の形態のデバイス測定
装置は、設定温度に半導体製品（被測定デバイス）６を
加熱し前記設定温度で半導体製品６の電気的特性を測定
する。雰囲気温度が一定温度に保たれる恒温槽１と、恒
温槽１内に設けられて、半導体製品６とＩＣテスタ（図
示省略）との間で送受信される試験信号を中継するコン
タクタ７と、コンタクタ７上にある半導体製品６の温度
変化を抑制する温度変化抑制手段１０と、プレヒート９
（図６）からコンタクタ７に半導体製品６を搬送する搬
送機構（図示省略）とをデバイス測定装置は備える。恒
温槽１の内部には、コンタクタ７が設けられる他、恒温
槽１内部の空気を所定温度に加熱する第一の加熱器２
や、第一の加熱器２により加熱された空気を循環させる
送風機３が設けられている。なお、上記所定温度は、コ
ンタクタ７上にある半導体製品６の温度を前記設定温度
に収束させるのに必要とされる温度である。
装置は、設定温度に半導体製品（被測定デバイス）６を
加熱し前記設定温度で半導体製品６の電気的特性を測定
する。雰囲気温度が一定温度に保たれる恒温槽１と、恒
温槽１内に設けられて、半導体製品６とＩＣテスタ（図
示省略）との間で送受信される試験信号を中継するコン
タクタ７と、コンタクタ７上にある半導体製品６の温度
変化を抑制する温度変化抑制手段１０と、プレヒート９
（図６）からコンタクタ７に半導体製品６を搬送する搬
送機構（図示省略）とをデバイス測定装置は備える。恒
温槽１の内部には、コンタクタ７が設けられる他、恒温
槽１内部の空気を所定温度に加熱する第一の加熱器２
や、第一の加熱器２により加熱された空気を循環させる
送風機３が設けられている。なお、上記所定温度は、コ
ンタクタ７上にある半導体製品６の温度を前記設定温度
に収束させるのに必要とされる温度である。
【００２１】温度変化抑制手段１０は、空気供給装置
（図示省略）より供給された空気を前記所定温度に加熱
する第二の加熱器（温度調整手段）５と、第二の加熱器
５により加熱された空気をコンタクタ７上の半導体製品
６に吹き付けるノズル４とを備える。第二の加熱器５は
恒温槽１の外部に設置され、第二の加熱器５とノズル４
は恒温槽１の壁面を貫通するパイプ８を介して接続され
ている。各ノズル４は、対応するコンタクタ７に噴出口
を向けた状態で、コンタクタ７の近傍にそれぞれ配置さ
れている。
（図示省略）より供給された空気を前記所定温度に加熱
する第二の加熱器（温度調整手段）５と、第二の加熱器
５により加熱された空気をコンタクタ７上の半導体製品
６に吹き付けるノズル４とを備える。第二の加熱器５は
恒温槽１の外部に設置され、第二の加熱器５とノズル４
は恒温槽１の壁面を貫通するパイプ８を介して接続され
ている。各ノズル４は、対応するコンタクタ７に噴出口
を向けた状態で、コンタクタ７の近傍にそれぞれ配置さ
れている。
【００２２】次に、上記温度変化抑制手段１０の作用に
ついて、図２〜図５のグラフを参照しながら説明する。
図２〜図５は、恒温槽内のコンタクタ上にある半導体製
品の温度変化を表すグラフである。
ついて、図２〜図５のグラフを参照しながら説明する。
図２〜図５は、恒温槽内のコンタクタ上にある半導体製
品の温度変化を表すグラフである。
【００２３】温度変化抑制手段１０を作動させない状態
で、恒温槽１内のコンタクタ７上に半導体製品６を載せ
ると、図２に示すように半導体製品６の温度が変化す
る。半導体製品６の温度が前記設定温度に加熱されたと
ころで、半導体製品６の電気的特性の測定を開始する
と、電気的な負荷により半導体製品６が自己発熱して、
図４に示すように半導体製品６の温度が変化する。一
方、温度変化抑制手段１０を作動させた状態で、恒温槽
１内のコンタクタ７上に半導体製品６を載せると、図３
に示すように半導体製品６の温度が変化する。半導体製
品６の温度が前記設定温度に加熱されたところで、前述
と同様に、半導体製品６の電気的特性の測定を開始する
と、電気的な負荷により半導体製品６が自己発熱して、
図５に示すように半導体製品６の温度が変化する。
で、恒温槽１内のコンタクタ７上に半導体製品６を載せ
ると、図２に示すように半導体製品６の温度が変化す
る。半導体製品６の温度が前記設定温度に加熱されたと
ころで、半導体製品６の電気的特性の測定を開始する
と、電気的な負荷により半導体製品６が自己発熱して、
図４に示すように半導体製品６の温度が変化する。一
方、温度変化抑制手段１０を作動させた状態で、恒温槽
１内のコンタクタ７上に半導体製品６を載せると、図３
に示すように半導体製品６の温度が変化する。半導体製
品６の温度が前記設定温度に加熱されたところで、前述
と同様に、半導体製品６の電気的特性の測定を開始する
と、電気的な負荷により半導体製品６が自己発熱して、
図５に示すように半導体製品６の温度が変化する。
【００２４】即ち、電気的に無負荷の状態では、図２及
び図３に示すように、温度変化抑制手段１０の作動状態
に関係なく、半導体製品６の温度が時間と共に前記設定
温度に収束する一方、電気的な負荷をかけた状態では、
図４及び図５に示すように、温度変化抑制手段１０の作
動状態によって、半導体製品６の温度変化のしかたに大
きな差が現れる。つまり、温度変化抑制手段１０によれ
ば、半導体製品６が自己発熱した場合に、ノズル４より
噴出される前記所定温度の空気により半導体製品６が冷
却されて、半導体製品６の温度変化が抑制される。その
結果、半導体製品６の温度がほぼ前記設定温度に保持さ
れる。
び図３に示すように、温度変化抑制手段１０の作動状態
に関係なく、半導体製品６の温度が時間と共に前記設定
温度に収束する一方、電気的な負荷をかけた状態では、
図４及び図５に示すように、温度変化抑制手段１０の作
動状態によって、半導体製品６の温度変化のしかたに大
きな差が現れる。つまり、温度変化抑制手段１０によれ
ば、半導体製品６が自己発熱した場合に、ノズル４より
噴出される前記所定温度の空気により半導体製品６が冷
却されて、半導体製品６の温度変化が抑制される。その
結果、半導体製品６の温度がほぼ前記設定温度に保持さ
れる。
【００２５】次に、半導体製品６の電気的特性の測定方
法について、図６を参照しながら説明する。図６は半導
体製品の電気的特性を測定するときの、半導体製品の搬
送経路を示す平断面図である。
法について、図６を参照しながら説明する。図６は半導
体製品の電気的特性を測定するときの、半導体製品の搬
送経路を示す平断面図である。
【００２６】先ず、半導体製品６をプレヒート９に搬送
し、プレヒート９において半導体製品６を一定温度に加
熱する。次に、一定温度に加熱した半導体製品６を、搬
送機構により恒温槽１内のコンタクタ７上に搬送する。
そして、製品押さえ（図示省略）により、コンタクタ７
上の半導体製品６を押さえ付けて、半導体製品６をコン
タクタ７に接続する。この状態において、テスタから半
導体製品６に試験信号を印加して、半導体製品６の電気
的特性を測定する。その際に、第二の加熱器５により前
記所定温度に加熱した空気を、ノズル４よりコンタクタ
７上の半導体製品６に吹き付けて、半導体製品６の自己
発熱による温度上昇を抑える。
し、プレヒート９において半導体製品６を一定温度に加
熱する。次に、一定温度に加熱した半導体製品６を、搬
送機構により恒温槽１内のコンタクタ７上に搬送する。
そして、製品押さえ（図示省略）により、コンタクタ７
上の半導体製品６を押さえ付けて、半導体製品６をコン
タクタ７に接続する。この状態において、テスタから半
導体製品６に試験信号を印加して、半導体製品６の電気
的特性を測定する。その際に、第二の加熱器５により前
記所定温度に加熱した空気を、ノズル４よりコンタクタ
７上の半導体製品６に吹き付けて、半導体製品６の自己
発熱による温度上昇を抑える。
【００２７】以上のように、この実施の形態のデバイス
測定装置によれば、第二の加熱器５により前記所定温度
に加熱した空気を、ノズル４より半導体製品６に吹き付
けるようにしたので、例えば、半導体製品６が自己発熱
しても、ノズル４より噴出される前記所定温度の空気に
より半導体製品６が冷却されて、半導体製品６の温度上
昇が抑制される。そのため、半導体製品６の歩留まりや
派生率の悪化を防止でき、効率の良い生産が可能にな
る。
測定装置によれば、第二の加熱器５により前記所定温度
に加熱した空気を、ノズル４より半導体製品６に吹き付
けるようにしたので、例えば、半導体製品６が自己発熱
しても、ノズル４より噴出される前記所定温度の空気に
より半導体製品６が冷却されて、半導体製品６の温度上
昇が抑制される。そのため、半導体製品６の歩留まりや
派生率の悪化を防止でき、効率の良い生産が可能にな
る。
【００２８】また、上記デバイス測定装置によれば、半
導体製品６が自己発熱しても、半導体製品６が前記設定
温度から逸脱する心配がないので、半導体製品６の温度
保証のための監視を省略できる。また、半導体製品６が
どのような温度状態にあっても、半導体製品６の温度を
前記設定温度に近づけることができるので、半導体製品
６の自己発熱量に関係なく、半導体製品６の温度が前記
設定温度から変化することを抑制でき、また、例えば、
半導体製品６の自己発熱量が測定中に急激に変化する場
合などにおいても、半導体製品６の温度が前記設定温度
から変化することを抑制できる。
導体製品６が自己発熱しても、半導体製品６が前記設定
温度から逸脱する心配がないので、半導体製品６の温度
保証のための監視を省略できる。また、半導体製品６が
どのような温度状態にあっても、半導体製品６の温度を
前記設定温度に近づけることができるので、半導体製品
６の自己発熱量に関係なく、半導体製品６の温度が前記
設定温度から変化することを抑制でき、また、例えば、
半導体製品６の自己発熱量が測定中に急激に変化する場
合などにおいても、半導体製品６の温度が前記設定温度
から変化することを抑制できる。
【００２９】また、前記所定温度に雰囲気温度が保たれ
た恒温槽１内部で、半導体製品６の電気的特性が測定さ
れるため、半導体製品６の周囲に存在する空気によって
半導体製品６の温度が前記設定温度から変動することを
防止できる。そして、恒温槽１の外部に第二の加熱器５
が設置されているので、第二の加熱器５より熱が発せら
れても、その熱の影響が恒温槽１の内部に及ぶことがな
い。
た恒温槽１内部で、半導体製品６の電気的特性が測定さ
れるため、半導体製品６の周囲に存在する空気によって
半導体製品６の温度が前記設定温度から変動することを
防止できる。そして、恒温槽１の外部に第二の加熱器５
が設置されているので、第二の加熱器５より熱が発せら
れても、その熱の影響が恒温槽１の内部に及ぶことがな
い。
【００３０】なお、本発明は、この実施の形態のデバイ
ス測定装置に限られるものではなく、その他のデバイス
測定装置に適用することも可能である。例えば、低温環
境で半導体製品６の電気的特性を測定するデバイス測定
装置に本発明を適用することも可能である。その場合に
は、温度調整手段として加熱器ではなく冷却器が用いら
れる。また、この実施の形態では、半導体製品６に空気
を吹き付けるようにしたが、空気以外のガスを半導体製
品６に吹き付けるようにしてもよい。その他、具体的な
細部構造等についても本発明の趣旨を逸脱しない範囲で
適宜に変更可能であることは勿論である。
ス測定装置に限られるものではなく、その他のデバイス
測定装置に適用することも可能である。例えば、低温環
境で半導体製品６の電気的特性を測定するデバイス測定
装置に本発明を適用することも可能である。その場合に
は、温度調整手段として加熱器ではなく冷却器が用いら
れる。また、この実施の形態では、半導体製品６に空気
を吹き付けるようにしたが、空気以外のガスを半導体製
品６に吹き付けるようにしてもよい。その他、具体的な
細部構造等についても本発明の趣旨を逸脱しない範囲で
適宜に変更可能であることは勿論である。
【００３１】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、被測定デ
バイスの温度が設定温度から変化することを抑制できる
ので、例えば、自己発熱の影響で被測定デバイスの歩留
まりや派生率が悪化することを低減できる。その結果、
被測定デバイスの効率の良い生産が可能になる。
バイスの温度が設定温度から変化することを抑制できる
ので、例えば、自己発熱の影響で被測定デバイスの歩留
まりや派生率が悪化することを低減できる。その結果、
被測定デバイスの効率の良い生産が可能になる。
【００３２】請求項２記載の発明によれば、被測定デバ
イスがどのような温度状態にあっても、被測定デバイス
の温度を設定温度に近づけることができる。従って、被
測定デバイスの自己発熱量に関係なく、被測定デバイス
の温度が設定温度から変化することを抑制できる。ま
た、例えば、被測定デバイスの自己発熱量が測定中に急
激に変化する場合などにおいても、被測定デバイスの温
度が設定温度から変化することを抑制できる。また、被
測定デバイスが自己発熱しても、設定温度より被測定デ
バイスが冷却される虞がないので、被測定デバイスの温
度保証のための監視を省略できる。
イスがどのような温度状態にあっても、被測定デバイス
の温度を設定温度に近づけることができる。従って、被
測定デバイスの自己発熱量に関係なく、被測定デバイス
の温度が設定温度から変化することを抑制できる。ま
た、例えば、被測定デバイスの自己発熱量が測定中に急
激に変化する場合などにおいても、被測定デバイスの温
度が設定温度から変化することを抑制できる。また、被
測定デバイスが自己発熱しても、設定温度より被測定デ
バイスが冷却される虞がないので、被測定デバイスの温
度保証のための監視を省略できる。
【００３３】請求項３記載の発明によれば、被測定デバ
イスの周囲に存在する空気によって被測定デバイスの温
度が設定温度から変動することを防止できる。
イスの周囲に存在する空気によって被測定デバイスの温
度が設定温度から変動することを防止できる。
【００３４】請求項４記載の発明によれば、温度調整手
段より熱が発せられても、その熱の影響が恒温槽の内部
に及ぶことがない。
段より熱が発せられても、その熱の影響が恒温槽の内部
に及ぶことがない。
【００３５】請求項５記載の発明によれば、被測定デバ
イスの温度が設定温度から変化することを抑制できる。
イスの温度が設定温度から変化することを抑制できる。
【図１】本発明に係るデバイス測定装置の要部構成を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図２】図１のデバイス測定装置のコンタクタ上にある
半導体製品を加熱しているときの温度変化を表すグラフ
で、温度変化抑制手段が作動していない場合を示してい
る。
半導体製品を加熱しているときの温度変化を表すグラフ
で、温度変化抑制手段が作動していない場合を示してい
る。
【図３】図１のデバイス測定装置のコンタクタ上にある
半導体製品を加熱しているときの温度変化を表すグラフ
で、温度変化抑制手段が作動している場合を示してい
る。
半導体製品を加熱しているときの温度変化を表すグラフ
で、温度変化抑制手段が作動している場合を示してい
る。
【図４】図１のデバイス測定装置のコンタクタ上にある
半導体製品を測定しているときの温度変化を表すグラフ
で、温度変化抑制手段が作動していない場合を示してい
る。
半導体製品を測定しているときの温度変化を表すグラフ
で、温度変化抑制手段が作動していない場合を示してい
る。
【図５】図１のデバイス測定装置のコンタクタ上にある
半導体製品を測定しているときの温度変化を表すグラフ
で、温度変化抑制手段が作動している場合を示してい
る。
半導体製品を測定しているときの温度変化を表すグラフ
で、温度変化抑制手段が作動している場合を示してい
る。
【図６】図１のデバイス測定装置により半導体製品を測
定するときの、半導体製品の搬送経路を示す平断面図で
ある。
定するときの、半導体製品の搬送経路を示す平断面図で
ある。
【図７】従来技術によるデバイス測定装置の要部構成を
示す正面図である。
示す正面図である。
１ 恒温槽 ２ 第一の加熱器 ３ 送風機 ４ ノズル ５ 第二の加熱器（温度調整手段） ６ 半導体製品（被測定デバイス） ７ コンタクタ ９ プレヒート １０ 温度変化抑制手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G003 AA00 AC03 AD01 AD02 AD04 AD06 AG00 AG01 AH05 2G036 AA18 AA19 BB09 CA12 4M106 AA04 BA14 CA01 CA31 DH02 DH46
Claims (5)
- 【請求項１】設定温度に被測定デバイスを加熱又は冷却
し、前記設定温度で被測定デバイスの電気的特性を測定
するデバイス測定装置において、 被測定デバイスの温度が前記設定温度から変化すること
を抑制する温度変化抑制手段を備えることを特徴とする
デバイス測定装置。 - 【請求項２】前記温度変化抑制手段は、 気体供給装置より供給された気体を所定温度に加熱又は
冷却する温度調整手段と、 前記温度調整手段により加熱又は冷却された気体を被測
定デバイスに吹き付けるノズルとを備えることを特徴と
する請求項１記載のデバイス測定装置。 - 【請求項３】前記所定温度に雰囲気温度が保たれた恒温
槽内部で、被測定デバイスの電気的特性を測定すること
を特徴とする請求項２記載のデバイス測定装置。 - 【請求項４】前記温度調整手段を前記恒温槽の外部に設
置することを特徴とする請求項３記載のデバイス測定装
置。 - 【請求項５】設定温度に加熱又は冷却された被測定デバ
イスの温度変化を抑制する被測定デバイスの温度変化抑
制方法であって、 空気供給装置より供給された空気を所定温度に加熱又は
冷却した後、 前記所定温度に加熱又は冷却した空気を被測定デバイス
に吹き付けることによって、前記設定温度に加熱又は冷
却された被測定デバイスの温度変化を抑制することを特
徴とする被測定デバイスの温度変化抑制方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11234320A JP2001056356A (ja) | 1999-08-20 | 1999-08-20 | デバイス測定装置及び被測定デバイスの温度変化抑制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11234320A JP2001056356A (ja) | 1999-08-20 | 1999-08-20 | デバイス測定装置及び被測定デバイスの温度変化抑制方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001056356A true JP2001056356A (ja) | 2001-02-27 |
Family
ID=16969171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11234320A Withdrawn JP2001056356A (ja) | 1999-08-20 | 1999-08-20 | デバイス測定装置及び被測定デバイスの温度変化抑制方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001056356A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009145151A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Syswave Corp | 温度制御方式 |
-
1999
- 1999-08-20 JP JP11234320A patent/JP2001056356A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009145151A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Syswave Corp | 温度制御方式 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050209 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050215 |
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| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060713 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060801 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060828 |