JP2001055387A - Oxime derivative, production method and agrochemical - Google Patents

Oxime derivative, production method and agrochemical

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JP2001055387A
JP2001055387A JP2000172047A JP2000172047A JP2001055387A JP 2001055387 A JP2001055387 A JP 2001055387A JP 2000172047 A JP2000172047 A JP 2000172047A JP 2000172047 A JP2000172047 A JP 2000172047A JP 2001055387 A JP2001055387 A JP 2001055387A
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Japan
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lower alkyl
alkyl group
hydrogen atom
halogen atom
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JP2000172047A
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Japanese (ja)
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Takeo Kobori
武夫 小堀
Hitoshi Kondo
仁 近藤
Hiroyuki Tsuboi
宏幸 坪井
Mika Iiyama
美香 飯山
Toru Asada
亨 朝田
Takashi Goto
孝史 後藤
Kenichi Sato
健一 佐藤
Sanae Matsutani
早苗 松谷
Tomoko Goto
伴子 後藤
Emiko Hagiwara
恵美子 萩原
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DIC Corp
Sagami Chemical Research Institute
Original Assignee
Sagami Chemical Research Institute
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
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Publication date
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  • Nitrogen- Or Sulfur-Containing Heterocyclic Ring Compounds With Rings Of Six Or More Members (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a new compound providing no fear of phytotoxicity to a useful plant body, having efficient activities for controlling plant disease, and useful as an agrochemical, especially a plant disease-controlling agent. SOLUTION: This new compound is the one of formula I (HetA is a group of formula II or the like; Q is H, a halogen or a lower alkyl; HetB is a group of formula III or the like; Y is H or a lower alkyl; HetC is a group of formula IV or the like; X is a lower alkoxy, cyano or the like; n is 0-3; with the proviso that the case in which HetA is a group of formula II or the like, HetB is a group of formula III or the like, and HetC is a group of formula IV is omitted), e.g. (E)-3-(3-methyl-1,2,5-thiadiazol-4-yl)pyridylmethanone O-(2-pyridyl)methyloxime. The compound of formula I is obtained by reacting a compound of formula V [e.g. 3-(3-methyl-1,2,5-thiadiazol-4-yl)pyridinemethanone oxime] with an alkylating agent (e.g. 2-picolyl chloride) in the presence of a base such as potassium carbonate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なオキシム誘
導体、これを有効成分として含有する農薬、特に植物病
害防除剤、その製造方法、及び該製造方法の中間体とし
て有用な新規なヒドロキシム誘導体に関する。
The present invention relates to a novel oxime derivative, a pesticide containing the same as an active ingredient, particularly a plant disease controlling agent, a method for producing the same, and a novel hydroxyme derivative useful as an intermediate in the production method. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】農薬としての作用効果を有するオキシム
誘導体に関しては、例えば、本発明者らの発明に係る特
開平7−252242号公報に、4,5−置換−1,
2,3−チアジアゾール誘導体が植物病害防除剤として
有効であることが開示されている。これらの化合物は、
かなりの薬効を示すものの、より少量で効果の優れた薬
剤の開発が求められている。
2. Description of the Related Art An oxime derivative having an effect as a pesticide is disclosed, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-252242 according to the invention of the present inventors.
It is disclosed that 2,3-thiadiazole derivatives are effective as plant disease controlling agents. These compounds are
There is a need for the development of drugs that exhibit significant efficacy but are more effective in smaller doses.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、有用植物体に対する薬害の心配が無く、且
つ、充分な植物病害防除活性を有する新規なオキシム誘
導体、及びこれを有効成分として含有する農薬、特に植
物病害防除剤、その製造方法、及び該製造方法の中間体
として有用な新規ヒドロキシム誘導体を提供することに
ある。
The problem to be solved by the present invention is to provide a novel oxime derivative which has no concern about phytotoxicity to useful plants and has a sufficient activity for controlling plant diseases, and using the same as an active ingredient. An object of the present invention is to provide a pesticide to be contained, especially a plant disease controlling agent, a method for producing the same, and a novel hydroxyme derivative useful as an intermediate in the production method.

【0004】[0004]

【発明を解決するための手段】本発明者らは、かかる課
題を解決するため種々の新規オキシム誘導体を合成する
と共にそれらの生理活性を調査し、鋭意検討した結果、
一般式(1)で示されるオキシム誘導体が有用植物に対
する薬害の心配がなく、農薬として特に優れた植物病害
防除活性を示すことを見いだし、また、該誘導体の製造
方法及び該製造方法の中間体として一般式(2)で表さ
れるヒドロキシム誘導体を見いだし、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、
Means for Solving the Problems The present inventors have synthesized various novel oxime derivatives in order to solve the above-mentioned problems and have investigated their physiological activities.
It has been found that the oxime derivative represented by the general formula (1) has no concern about phytotoxicity to useful plants and exhibits particularly excellent plant disease control activity as an agrochemical, and also a method for producing the derivative and an intermediate of the production method. The present inventors have found a hydroxyme derivative represented by the general formula (2), and have completed the present invention. That is, the present invention

【0005】(1) 下記の一般式(1)(1) The following general formula (1)

【0006】[0006]

【化95】 Embedded image

【0007】[式中、HetAは下記の3つの式[Where the HetA is the following three formulas:

【0008】[0008]

【化96】 Embedded image

【0009】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R1は水素原子、低級アルキ
ル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、シク
ロアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、
アラルキル基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級ア
ルキル基及び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる
1種以上の置換基で置換されたアリール基;であり、R
2は水素原子又は低級アルキル基である。)のいずれか
1つで表される基を示し、
Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, Lower alkynyl group,
An aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group;
2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group. Represents a group represented by any one of the above,

【0010】HetBは下記9つの式HetB is the following 9 formulas

【0011】[0011]

【化97】 Embedded image

【0012】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
であり、R3は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基を示す。)のいずれか1つで表される基を
示し、
Wherein Y is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. Represents a group represented by any one of the above,

【0013】HetCは下記の9つの式HetC is the following 9 formulas

【0014】[0014]

【化98】 Embedded image

【0015】(式中、R4は水素原子、低級アルキル
基、又はシリル基を有していても良い低級アルコキシ基
で置換された低級アルキル基であり、Xは水素原子、ハ
ロゲン原子、低級アルキル基、ハロゲン原子で置換され
た低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で
置換された低級アルコキシ基又はシアノ基であり、Zは
水素原子、ハロゲン原子又は低級アルキル基であり、n
は0〜3である。)のいずれか1つで表される基であ
る。
Wherein R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group. A lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom or a cyano group, Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n
Is 0-3. ) Is a group represented by any one of the above.

【0016】但し、HetAが下記2つの式However, HetA is the following two formulas

【0017】[0017]

【化99】 Embedded image

【0018】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R1は水素原子、低級アルキ
ル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、シク
ロアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、
アラルキル基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級ア
ルキル基及び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる
1種以上の置換基で置換されたアリール基;であり、R
2は水素原子又は低級アルキル基である。)のいずれか
1つで表される基であり、
Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, Lower alkynyl group,
An aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group;
2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group. ) Is a group represented by any one of the

【0019】HetBが下記の3つの式HetB is the following three formulas

【0020】[0020]

【化100】 Embedded image

【0021】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つの環構造で表される基であ
り、HetCが下記式
(Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and HetC is represented by the following formula:

【0022】[0022]

【化101】 Embedded image

【0023】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級
アルコキシ基又はシアノ基であり、nは0〜3であ
る。)で表される基である場合を除く。]で表されるオ
キシム誘導体、
Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom or a cyano group, and n is 0 to 3). An oxime derivative represented by

【0024】(2) 一般式(1)(2) General formula (1)

【0025】[0025]

【化102】 Embedded image

【0026】[式中、HetAは下記の3つの式[Wherein HetA is the following three formulas:

【0027】[0027]

【化103】 Embedded image

【0028】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R1は水素原子、低級アルキ
ル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、シク
ロアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、
アラルキル基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級ア
ルキル基及び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる
1種以上の置換基で置換されたアリール基;であり、R
2は水素原子又は低級アルキル基である。)のいずれか
1つで表される基を示し、HetBは下記の3つの式
Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, Lower alkynyl group,
An aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group;
2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group. )), And HetB represents the following three formulas

【0029】[0029]

【化104】 Embedded image

【0030】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つの環構造で表される基を示
し、
(Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and represents a group represented by any one of the following ring structures:

【0031】HetCは下記の8つの式HetC is the following eight formulas

【0032】[0032]

【化105】 Embedded image

【0033】(式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R4は水素原子、低級アルキ
ル基、またはシリル基を有していても良い低級アルコキ
シ基で置換された低級アルキル基であり、Xは水素原
子、ハロゲン原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ
基であり、nは0から3である。)のいずれか1つの環
構造で表される基である。]で表されるオキシム誘導
体、
Wherein Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group which may have a silyl group. X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, and n is 0 to 3.). An oxime derivative represented by the formula:

【0034】(3) 下記一般式(1)(3) The following general formula (1)

【0035】[0035]

【化106】 Embedded image

【0036】[式中、HetAは下記の式[Wherein HetA is the following formula:

【0037】[0037]

【化107】 Embedded image

【0038】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R1は水素原子、低級アルキ
ル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、シク
ロアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、
アラルキル基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級ア
ルキル基及び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる
1種以上の置換基で置換されたアリール基;であり、R
2は水素原子又は低級アルキル基である。)で表される
基を示し、
(Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group; R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, Lower alkynyl group,
An aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group;
2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group. ) Represents a group represented by

【0039】HetBは下記の3つの式HetB is the following three formulas

【0040】[0040]

【化108】 Embedded image

【0041】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つの環構造で表される基を示
し、
(Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and represents a group represented by any one of the following ring structures:

【0042】HetCは下記の式HetC is given by the following formula:

【0043】[0043]

【化109】 Embedded image

【0044】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級
アルコキシ基、又はシアノ基であり、nは0から3であ
る。)で表される基である。]で表されるオキシム誘導
体、
Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, or a cyano group; Is from 0 to 3.). An oxime derivative represented by the formula:

【0045】(4) 下記一般式(1)(4) The following general formula (1)

【0046】[0046]

【化110】 Embedded image

【0047】[式中、HetAは下記の3つの式[Wherein HetA is the following three formulas:

【0048】[0048]

【化111】 Embedded image

【0049】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子又は
低級アルキル基であり、R1は水素原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、シクロ
アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、ア
ラルキル基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級アル
キル基及び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる1
種以上の置換基で置換されたアリール基;であり、R2
は水素原子又は低級アルキル基である。)のいずれか1
つで表される基を示し、
Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, An alkynyl group, an aralkyl group, an aryl group or 1 selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group
Aryl groups substituted with species or more substituents; a and, R 2
Is a hydrogen atom or a lower alkyl group. Any one of)
Represents a group represented by

【0050】HetBは下記の6つの式HetB is the following six formulas

【0051】[0051]

【化112】 Embedded image

【0052】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
であり、R3は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基を示す。)のいずれか1つで表される基を
示し、
Wherein Y is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. Represents a group represented by any one of the above,

【0053】HetCは下記の6つの式HetC is represented by the following six formulas

【0054】[0054]

【化113】 Embedded image

【0055】(式中、R4は水素原子又は低級アルキル
基であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基又はハロゲン原子で置換された低級アルコキ
シ基であり、Zは水素原子、ハロゲン原子又は低級アル
キル基であり、nは0〜3である。)のいずれか1つで
表される基である。]で表されるオキシム誘導体、
(Wherein R 4 is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a halogen atom. Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n is 0 to 3.). An oxime derivative represented by the formula:

【0056】(5) 一般式(1)において、HetCが
下記の3つの式
(5) In the general formula (1), HetC is represented by the following three formulas

【0057】[0057]

【化114】 Embedded image

【0058】(式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基であり、nは
0又は1である。)のいずれか1つの環構造で表される
基である、(2)に記載のオキシム誘導体、
Wherein Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, and n is 0 or 1. The oxime derivative according to (2), which is a group represented by any one ring structure,

【0059】(6) 一般式(1)において、HetAが
下記の式
(6) In the general formula (1), HetA is represented by the following formula:

【0060】[0060]

【化115】 Embedded image

【0061】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R1は低級アルキル基、シク
ロアルキル基であり、R2は水素原子である。)で表さ
れる基を示し、
(Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom). Show,

【0062】HetCが下記の式HetC is represented by the following formula:

【0063】[0063]

【化116】 (式中、Zは水素原子である。)で表される基である、
(2)に記載のオキシム誘導体、
Embedded image (In the formula, Z is a hydrogen atom.)
The oxime derivative according to (2),

【0064】(7) 一般式(1)において、HetAが
下記の式
(7) In the general formula (1), HetA is represented by the following formula:

【0065】[0065]

【化117】 Embedded image

【0066】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R1は低級アルキル基、シク
ロアルキル基であり、R2は水素原子である。)で表さ
れる基を示し、
Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom. Show,

【0067】HetCが下記の式HetC is represented by the following formula:

【0068】[0068]

【化118】 Embedded image

【0069】(式中、Xは水素原子又はハロゲン原子で
あり、nは0又は1である。)で表される基である、
(2)に記載のオキシム誘導体、
(Wherein, X is a hydrogen atom or a halogen atom, and n is 0 or 1).
The oxime derivative according to (2),

【0070】(8) 一般式(1)において、HetAが
下記の式
(8) In the general formula (1), HetA is represented by the following formula:

【0071】[0071]

【化119】 Embedded image

【0072】(式中、Qは水素原子又は低級アルキル基
であり、R1は低級アルキル基又はシクロアルキル基で
ありR2は水素原子である。)で表される基で示し、
Wherein Q is a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom.

【0073】HetCが下記の3つの式HetC has the following three formulas:

【0074】[0074]

【化120】 Embedded image

【0075】(式中、Xは水素原子又はハロゲン原子で
あり、Zは水素原子であり、nは0又は1である。)で
表される基である、(2)に記載のオキシム誘導体、
An oxime derivative according to (2), wherein X is a hydrogen atom or a halogen atom, Z is a hydrogen atom, and n is 0 or 1.

【0076】(9) 一般式(1)において、HetAが
下記の式
(9) In the general formula (1), HetA is represented by the following formula:

【0077】[0077]

【化121】 Embedded image

【0078】(式中、Qは水素原子、又は低級アルキル
基であり、R1は低級アルキル基、シクロアルキル基で
あり、R2は水素原子である。)で表される基を示し、
Wherein Q is a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom.

【0079】HetCが下記の式HetC is represented by the following formula:

【0080】[0080]

【化122】 Embedded image

【0081】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、又はシアノ基であり、nは0から3である。)で表
される基である、(3)に記載のオキシム誘導体、
(Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, or a cyano group, and n is 0 to 3). An oxime derivative according to (3),

【0082】(10) 一般式(1)において、HetC
が下記の式
(10) In the general formula (1), HetC
Is the following formula

【0083】[0083]

【化123】 Embedded image

【0084】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子で置換された低
級アルコキシ基であり、nは0〜3である。)で表され
る基である、(4)に記載のオキシム誘導体、(11)
一般式(1)において、HetAが下記の式
Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom; The oxime derivative according to (4), which is a group represented by the formula (11):
In the general formula (1), HetA is represented by the following formula:

【0085】[0085]

【化124】 Embedded image

【0086】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子又は
低級アルキル基であり、R1は低級アルキル基又はシク
ロアルキル基であり、R2は水素原子である。)で表さ
れる基であり、
Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom. ,

【0087】HetBが下記の3つの式HetB has the following three formulas

【0088】[0088]

【化125】 Embedded image

【0089】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
であり、R3は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基を示す。)のいずれか1つで表される基で
あり、
Wherein Y is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. Is a group represented by any one of

【0090】HetCが下記の式HetC is represented by the following formula:

【0091】[0091]

【化126】 Embedded image

【0092】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、又はハロゲン原子で置換された低級アル
キル基であり、nは0又は1である。)で表される基で
ある、(4)に記載のオキシム誘導体、
(Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a halogen atom, and n is 0 or 1). The oxime derivative according to 4),

【0093】(12) 一般式(2)(12) General formula (2)

【0094】[0094]

【化127】 Embedded image

【0095】[式中、HetBは下記9つの式[Wherein HetB is the following nine formulas:

【0096】[0096]

【化128】 Embedded image

【0097】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
であり、R3は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基を示す。)のいずれか1つで表される基を
示し、
Wherein Y is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. Represents a group represented by any one of the above,

【0098】HetCは下記の9つの式HetC is represented by the following nine formulas:

【0099】[0099]

【化129】 Embedded image

【0100】(式中、R4は水素原子、低級アルキル
基、又はシリル基を有していても良い低級アルコキシ基
で置換された低級アルキル基であり、Xは水素原子、ハ
ロゲン原子、低級アルキル基、ハロゲン原子で置換され
た低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で
置換された低級アルコキシ基であり、Zは水素原子、ハ
ロゲン原子又は低級アルキル基であり、nは0〜3であ
る。)のいずれか1つで表される基である。)で表され
るヒドロキシム誘導体
Wherein R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group. A lower alkyl group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom; Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group; ) Is a group represented by any one of the above. The hydroxyme derivative represented by)

【0101】[但し、下記の化合物[However, the following compounds

【0102】[0102]

【化130】 Embedded image

【0103】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級
アルコキシ基又はシアノ基であり、Yは水素原子又は低
級アルキル基であり、nは0又は1である。)である場
合、
Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, or a cyano group; A hydrogen atom or a lower alkyl group, and n is 0 or 1.)

【0104】及び下記の化合物And the following compounds

【0105】[0105]

【化131】 Embedded image

【0106】である場合、及び下記の化合物And the following compounds

【0107】[0107]

【化132】 Embedded image

【0108】である場合を除く。]。Is excluded. ].

【0109】(13) 一般式(2)において、HetB
が下記の3つの式
(13) In the general formula (2), HetB
Is the following three equations

【0110】[0110]

【化133】 Embedded image

【0111】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つの環構造で表される基を示
し、
(Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and represents a group represented by any one of the following ring structures:

【0112】HetCが下記の8つの式HetC has the following eight formulas

【0113】[0113]

【化134】 Embedded image

【0114】(式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R4は水素原子、低級アルキ
ル基、またはシリル基を有していても良い低級アルコキ
シ基で置換された低級アルキル基であり、Xは水素原
子、ハロゲン原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ
基であり、nは0から3である。)のいずれか1つの環
構造で表される基である、(12)に記載のヒドロキシ
ム誘導体、(14) 一般式(2)において、HetBが
下記の6つの式
Wherein Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group which may have a silyl group. X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, and n is 0 to 3.) (12) (14) In the general formula (2), HetB is represented by the following six formulas:

【0115】[0115]

【化135】 Embedded image

【0116】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
であり、R3は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基を示す。)のいずれか1つで表される基を
示し、
(Wherein Y is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group) Represents a group represented by any one of the above,

【0117】HetCが下記の6つの式HetC has the following six formulas

【0118】[0118]

【化136】 Embedded image

【0119】(式中、R4は水素原子又は低級アルキル
基であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基又はハロゲン原子で置換された低級アルコキ
シ基であり、Zは水素原子、ハロゲン原子又は低級アル
キル基であり、nは0〜3である。)のいずれか1つで
表される基である、(12)に記載のヒドロキシム誘導
体、
Wherein R 4 is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a halogen atom. (12) wherein Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n is 0 to 3.) Derivative

【0120】(15) 一般式(2)において、HetC
が下記の3つの式
(15) In the general formula (2), HetC
Is the following three equations

【0121】[0121]

【化137】 Embedded image

【0122】(式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基であり、nは
0又は1である。)のいずれか1つの環構造で表される
基である、(13)に記載のヒドロキシム誘導体、(1
6) 一般式(2)において、HetCが下記の式
Wherein Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, and n is 0 or 1. The hydroxyme derivative according to (13), which is a group represented by any one of ring structures, (1)
6) In the general formula (2), HetC is the following formula

【0123】[0123]

【化138】 Embedded image

【0124】(式中、Zは水素原子である。)で表され
る基である、(13)に記載のヒドロキシム誘導体、
A hydroxyme derivative according to (13), which is a group represented by the formula: wherein Z is a hydrogen atom.

【0125】(17) 一般式(2)において、HetC
が下記の式
(17) In the general formula (2), HetC
Is the following formula

【0126】[0126]

【化139】 Embedded image

【0127】(式中、Xは水素原子又はハロゲン原子で
あり、nは0又は1である。)で表される基である、
(13)に記載のヒドロキシム誘導体、
(Wherein X is a hydrogen atom or a halogen atom, and n is 0 or 1).
The hydroxyme derivative according to (13),

【0128】(18) 一般式(2)において、HetC
が下記の式
(18) In the general formula (2), HetC
Is the following formula

【0129】[0129]

【化140】 Embedded image

【0130】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子で置換された低
級アルコキシ基であり、nは0〜3である。)で表され
る基である、(14)に記載のヒドロキシム誘導体、
Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom; The hydroxyme derivative according to (14), which is a group represented by the formula:

【0131】(19) 一般式(2)において、HetB
が下記の3つの式
(19) In the general formula (2), HetB
Is the following three equations

【0132】[0132]

【化141】 Embedded image

【0133】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
であり、R3は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基を示す。)のいずれか1つで表される基で
あり、
Wherein Y is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. Is a group represented by any one of

【0134】HetCが下記の式HetC is represented by the following formula:

【0135】[0135]

【化142】 Embedded image

【0136】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、又はハロゲン原子で置換された低級アル
キル基であり、nは0又は1である。)で表される基で
ある、(14)に記載のヒドロキシム誘導体、
(Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a halogen atom, and n is 0 or 1). The hydroxyme derivative according to 14),

【0137】(20) 下記一般式(3)(20) The following general formula (3)

【0138】[0138]

【化143】 Embedded image

【0139】[式中、HetBは下記9つの式[Wherein HetB is the following nine formulas:

【0140】[0140]

【化144】 Embedded image

【0141】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
であり、R3は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基を示す。)のいずれか1つで表される基を
示し、
(Wherein Y is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group) Represents a group represented by any one of the above,

【0142】HetCは下記の9つの式HetC is the following nine formulas

【0143】[0143]

【化145】 Embedded image

【0144】(式中、R4は水素原子、低級アルキル
基、又はシリル基を有していても良い低級アルコキシ基
で置換された低級アルキル基であり、Xは水素原子、ハ
ロゲン原子、低級アルキル基、ハロゲン原子で置換され
た低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で
置換された低級アルコキシ基であり、Zは水素原子、ハ
ロゲン原子又は低級アルキル基であり、nは0〜3であ
る。)のいずれか1つで表される基である。]で表され
るケトン化合物
(Wherein, R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl A lower alkyl group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom; Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group; ) Is a group represented by any one of the above. A ketone compound represented by

【0145】[但し、下記の化合物[However, the following compounds

【0146】[0146]

【化146】 Embedded image

【0147】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級
アルコキシ基又はシアノ基であり、Yは水素原子又は低
級アルキル基であり、nは0から3である。)である場
合、
Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom or a cyano group, and Y is A hydrogen atom or a lower alkyl group, and n is 0 to 3.)

【0148】及び下記の化合物And the following compounds

【0149】[0149]

【化147】 Embedded image

【0150】である場合、及び下記の化合物And the following compounds

【0151】[0151]

【化148】 Embedded image

【0152】である場合を除く。]に、オキシム化剤を
反応させることを特徴とする、下記一般式(2)
Is excluded. ] With an oximation agent, characterized by the following general formula (2):

【0153】[0153]

【化149】 Embedded image

【0154】(式中、HetB、HetCは一般式(3)で定
義したとおりである。)で表されるヒドロキシム誘導体
の製造方法、
(Wherein HetB and HetC are as defined in the general formula (3)).

【0155】(21) 一般式(3)において、HetB
が下記の3つの式
(21) In the general formula (3), HetB
Is the following three equations

【0156】[0156]

【化150】 Embedded image

【0157】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つの環構造で表される基を示
し、
(Wherein Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and represents a group represented by any one of the following ring structures:

【0158】HetCが下記の8つの式HetC is represented by the following eight formulas

【0159】[0159]

【化151】 Embedded image

【0160】(式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R4は水素原子、低級アルキ
ル基、またはシリル基を有していても良い低級アルコキ
シ基で置換された低級アルキル基であり、Xは水素原
子、ハロゲン原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ
基であり、nは0から3である。)のいずれか1つの環
構造で表される基である、(20)に記載のヒドロキシ
ム誘導体の製造方法、
Wherein Z is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkoxy group optionally having a silyl group. X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, and n is 0 to 3.) (20) A method for producing a hydroxyme derivative according to the above,

【0161】(22) 一般式(3)において、HetB
が下記の6つの式
(22) In the general formula (3), HetB
Is the following six equations

【0162】[0162]

【化152】 Embedded image

【0163】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
であり、R3は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基を示す。)のいずれか1つで表される基を
示し、
Wherein Y is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. Represents a group represented by any one of the above,

【0164】HetCが下記の6つの式HetC has the following six formulas

【0165】[0165]

【化153】 Embedded image

【0166】(式中、R4は水素原子又は低級アルキル
基であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基又はハロゲン原子で置換された低級アルコキ
シ基であり、Zは水素原子、ハロゲン原子又は低級アル
キル基であり、nは0〜3である。)のいずれか1つで
表される基である、(20)に記載のヒドロキシム誘導
体の製造方法、
Wherein R 4 is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a halogen atom. A lower alkoxy group, Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n is 0 to 3.) Production method of

【0167】(23) 一般式(3)において、HetC
が下記の3つの式
(23) In the general formula (3), HetC
Is the following three equations

【0168】[0168]

【化154】 Embedded image

【0169】(式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基であり、nは
0又は1である。)のいずれか1つの環構造で表される
基である、(21)に記載のヒドロキシム誘導体の製造
方法、
Wherein Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, and n is 0 or 1. The method for producing a hydroxyme derivative according to (21), which is a group represented by any one ring structure,

【0170】(24) 一般式(3)において、HetC
が下記の式
(24) In the general formula (3), HetC
Is the following formula

【化155】 (式中、Zは水素原子である。)で表される基である、
(21)に記載のヒドロキシム誘導体の製造方法、
Embedded image (In the formula, Z is a hydrogen atom.)
A method for producing the hydroxyme derivative according to (21),

【0171】(25) 一般式(3)において、HetC
が下記の式
(25) In the general formula (3), HetC
Is the following formula

【0172】[0172]

【化156】 Embedded image

【0173】(式中、Xは水素原子又はハロゲン原子で
あり、nは0又は1である。)で表される基である、
(21)に記載のヒドロキシム誘導体の製造方法、
(Wherein, X is a hydrogen atom or a halogen atom, and n is 0 or 1).
A method for producing the hydroxyme derivative according to (21),

【0174】(26) 一般式(3)において、HetC
が下記の式
(26) In the general formula (3), HetC
Is the following formula

【0175】[0175]

【化157】 Embedded image

【0176】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子で置換された低
級アルコキシ基であり、nは0から3である。)で表さ
れる基である、(22)に記載のヒドロキシム誘導体の
製造方法、
Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, and n is 0 to 3 The method for producing a hydroxyme derivative according to (22), which is a group represented by the formula:

【0177】(27) 一般式(3)において、HetB
が下記の3つの式
(27) In general formula (3), HetB
Is the following three equations

【0178】[0178]

【化158】 Embedded image

【0179】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
であり、R3は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基を示す。)のいずれか1つで表される基で
あり、
Wherein Y is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. Is a group represented by any one of

【0180】HetCが下記の式HetC is represented by the following formula:

【0181】[0181]

【化159】 Embedded image

【0182】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、又はハロゲン原子で置換された低級アル
キル基であり、nは0又は1である。)で表される基で
ある、(22)に記載のヒドロキシム誘導体の製造方
法、
(Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a halogen atom, and n is 0 or 1). 22) The method for producing a hydroxyme derivative according to the above,

【0183】(28) 下記の一般式(2)(28) The following general formula (2)

【0184】[0184]

【化160】 Embedded image

【0185】[式中、HetBは下記9つの式[Wherein HetB is the following nine formulas:

【0186】[0186]

【化161】 Embedded image

【0187】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
であり、R3は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基を示す。)のいずれか1つで表される基を
示し、
(Wherein Y is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group) Represents a group represented by any one of the above,

【0188】HetCは下記の9つの式HetC is represented by the following nine formulas:

【0189】[0189]

【化162】 Embedded image

【0190】(式中、R4は水素原子、低級アルキル
基、又はシリル基を有していても良い低級アルコキシ基
で置換された低級アルキル基であり、Xは水素原子、ハ
ロゲン原子、低級アルキル基、ハロゲン原子で置換され
た低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で
置換された低級アルコキシ基又はシアノ基であり、Zは
水素原子、ハロゲン原子又は低級アルキル基であり、n
は0〜3である。)のいずれか1つで表される基であ
る。
(Wherein R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl A lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom or a cyano group, Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n
Is 0-3. ) Is a group represented by any one of the above.

【0191】但し、HetAが下記2つの式Here, HetA is represented by the following two formulas.

【0192】[0192]

【化163】 Embedded image

【0193】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R1は水素原子、低級アルキ
ル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、シク
ロアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、
アラルキル基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級ア
ルキル基及び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる
1種以上の置換基で置換されたアリール基;であり、R
2は水素原子又は低級アルキル基である。)のいずれか
1つで表される基であり、
Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, Lower alkynyl group,
An aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group;
2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group. ) Is a group represented by any one of the

【0194】HetBが下記の3つの式HetB has the following three formulas

【0195】[0195]

【化164】 Embedded image

【0196】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つの環構造で表される基であ
り、HetCが下記式
(Wherein Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and HetC is a group represented by the following formula:

【0197】[0197]

【化165】 Embedded image

【0198】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級
アルコキシ基又はシアノ基であり、nは0〜3であ
る。)で表される基である場合を除く。]で表されるヒ
ドロキシム誘導体に、下記一般式(4)
Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom or a cyano group; 0 to 3). ] To the hydroxyme derivative represented by the following general formula (4):

【0199】[0199]

【化166】 Embedded image

【0200】[式中、HetAは下記の3つの式[Wherein HetA is represented by the following three formulas:

【0201】[0201]

【化167】 Embedded image

【0202】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R1は水素原子、低級アルキ
ル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、シク
ロアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、
アラルキル基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級ア
ルキル基及び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる
1種以上の置換基で置換されたアリール基;であり、R
2は水素原子又は低級アルキル基である。)のいずれか
1つで表される基を示し、Lは脱離基を示す。]で表さ
れるアルキル化剤を塩基の存在下に反応させる、下記一
般式(1)
Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, Lower alkynyl group,
An aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group;
2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group. ) Represents a group represented by any one of the above, and L represents a leaving group. Wherein the alkylating agent represented by the general formula (1) is reacted in the presence of a base.

【0203】[0203]

【化168】 Embedded image

【0204】(式中、HetAは一般式(4)に定義した
とおりであり、HetB及びHetCは一般式(2)に定義し
たとおりである。)で表されるオキシム誘導体の製造方
法、
(Wherein HetA is as defined in the general formula (4), and HetB and HetC are as defined in the general formula (2)).

【0205】(29) 一般式(2)において、HetB
が下記の3つの式
(29) In the general formula (2), HetB
Is the following three equations

【0206】[0206]

【化169】 Embedded image

【0207】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つの環構造で表される基を示
し、
(Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and represents a group represented by any one of the following ring structures:

【0208】HetCが下記の8つの式HetC is the following eight formulas

【0209】[0209]

【化170】 Embedded image

【0210】(式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R4は水素原子、低級アルキ
ル基、またはシリル基を有していても良い低級アルコキ
シ基で置換された低級アルキル基であり、Xは水素原
子、ハロゲン原子、低級アルキル基又は低級アルコキシ
基であり、nは0から3である。)のいずれか1つの環
構造で表される基である、(28)に記載のオキシム誘
導体の製造方法、
Wherein Z is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkoxy group optionally having a silyl group. X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, and n is 0 to 3.) (28) A method for producing the oxime derivative according to

【0211】(30) 一般式(2)において、HetB
が下記の3つの式
(30) In the general formula (2), HetB
Is the following three equations

【0212】[0212]

【化171】 Embedded image

【0213】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つの環構造で表される基を示
し、
(Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and represents a group represented by any one of the following ring structures:

【0214】HetCが下記の式HetC is represented by the following formula:

【0215】[0215]

【化172】 Embedded image

【0216】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級
アルコキシ基、又はシアノ基であり、nは0から3であ
る。)で表される基であり、一般式(4)において、He
tAが下記の式
Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, or a cyano group; Is from 0 to 3.), and in the general formula (4), He is
tA is the following formula

【0217】[0219]

【化173】 Embedded image

【0218】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R1は水素原子、低級アルキ
ル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、シク
ロアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、
アラルキル基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級ア
ルキル基及び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる
1種以上の置換基で置換されたアリール基;であり、R
2は水素原子又は低級アルキル基である。)で表される
基である、(28)に記載のオキシム誘導体の製造方
法、(31) 一般式(2)において、HetBが下記の
6つの式
(Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group; R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, Lower alkynyl group,
An aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group;
2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group. (28) The method for producing an oxime derivative according to (28), wherein in the general formula (2), HetB is a group represented by the following six formulas:

【0219】[0219]

【化174】 Embedded image

【0220】式中、Yは水素原子又は低級アルキル基で
あり、R3は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基
を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低級
アルキル基を示す。)のいずれか1つで表される基を示
し、
In the formula, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. Represents a group represented by any one of the above,

【0221】HetCが下記の6つの式HetC has the following six formulas

【0222】[0222]

【化175】 Embedded image

【0223】(式中、R4は水素原子又は低級アルキル
基であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基又はハロゲン原子で置換された低級アルコキ
シ基であり、Zは水素原子、ハロゲン原子又は低級アル
キル基であり、nは0〜3である。)のいずれか1つで
表される基である、(28)に記載のオキシム誘導体の
製造方法、
Wherein R 4 is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a halogen atom. Oxime according to (28), wherein Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n is 0 to 3. A method for producing a derivative,

【0224】(32) 一般式(2)において、HetC
が下記の3つの式
(32) In the general formula (2), HetC
Is the following three equations

【0225】[0225]

【化176】 Embedded image

【0226】(式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基であり、nは
0又は1である。)のいずれか1つの環構造で表される
基である、(29)に記載のオキシム誘導体の製造方
法、
Wherein Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, and n is 0 or 1. The method for producing an oxime derivative according to (29), which is a group represented by any one ring structure,

【0227】(33) 一般式(2)において、HetC
が下記の式
(33) In the general formula (2), HetC
Is the following formula

【0228】[0228]

【化177】 Embedded image

【0229】(式中、Zは水素原子である。)で表され
る基であり、
(Wherein Z is a hydrogen atom).

【0230】一般式(4)において、HetAが下記の式In the general formula (4), HetA is represented by the following formula:

【0231】[0231]

【化178】 Embedded image

【0232】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R1は低級アルキル基、シク
ロアルキル基であり、R2は水素原子である。)で表さ
れる基である、(29)に記載のオキシム誘導体の製造
方法、
(Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom). A method for producing the oxime derivative according to (29),

【0233】(34) 一般式(2)において、HetC
が下記の式
(34) In the general formula (2), HetC
Is the following formula

【0234】[0234]

【化179】 Embedded image

【0235】(式中、Xは水素原子又はハロゲン原子で
あり、nは0又は1である。)で表される基であり、一
般式(4)において、HetAが下記の式
Wherein X is a hydrogen atom or a halogen atom, and n is 0 or 1. In the general formula (4), HetA is represented by the following formula:

【0236】[0236]

【化180】 Embedded image

【0237】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R1は低級アルキル基、シク
ロアルキル基であり、R2は水素原子である。)で表さ
れる基である、(29)に記載のオキシム誘導体の製造
方法、
(Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom). A method for producing the oxime derivative according to (29),

【0238】(35) 一般式(2)において、HetC
が下記の3つの式
(35) In the general formula (2), HetC
Is the following three equations

【0239】[0239]

【化181】 Embedded image

【0240】(式中、Xは水素原子又はハロゲン原子で
あり、Zは水素原子であり、nは0又は1である。)で
表される基であり、
(Wherein X is a hydrogen atom or a halogen atom, Z is a hydrogen atom, and n is 0 or 1).

【0241】一般式(4)においてHetAが下記の式In the general formula (4), HetA is represented by the following formula:

【0242】[0242]

【化182】 Embedded image

【0243】(式中、Qは水素原子又は低級アルキル基
であり、R1は低級アルキル基又はシクロアルキル基で
ありR2は水素原子である。)で表される基である、
(29)に記載のオキシム誘導体の製造方法、
(Wherein Q is a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom).
A method for producing the oxime derivative according to (29),

【0244】(36) 一般式(2)において、HetC
が下記の式
(36) In the general formula (2), HetC
Is the following formula

【0245】[0245]

【化183】 Embedded image

【0246】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、又はシアノ基であり、nは0から3である。)で表
される基であり、
(Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, or a cyano group, and n is 0 to 3). Yes,

【0247】一般式(4)においてHetAが下記の式In the general formula (4), HetA is represented by the following formula:

【0248】[0248]

【化184】 Embedded image

【0249】(式中、Qは水素原子、又は低級アルキル
基であり、R1は低級アルキル基、シクロアルキル基で
あり、R2は水素原子である。)で表される基である、
(30)に記載のオキシム誘導体の製造方法、
(Wherein Q is a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom).
(30) The method for producing an oxime derivative according to (30),

【0250】(37) 一般式(2)において、HetC
が下記の式
(37) In the general formula (2), HetC
Is the following formula

【0251】[0251]

【化185】 Embedded image

【0252】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子で置換された低
級アルコキシ基であり、nは0〜3である。)で表され
る基である、(31)に記載のオキシム誘導体の製造方
法、
(Wherein, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, and n is 0 to 3 The method for producing an oxime derivative according to (31), which is a group represented by:

【0253】(38) 一般式(2)において、HetB
が下記の3つの式
(38) In the general formula (2), HetB
Is the following three equations

【0254】[0254]

【化186】 Embedded image

【0255】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
であり、R3は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基を示す。)のいずれか1つで表される基で
あり、
Wherein Y is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. Is a group represented by any one of

【0256】HetCが下記の式HetC is represented by the following formula:

【0257】[0257]

【化187】 Embedded image

【0258】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、又はハロゲン原子で置換された低級アル
キル基であり、nは0又は1である。)で表される基で
あり、
(Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a halogen atom, and n is 0 or 1).

【0259】一般式(4)において、HetAが下記の式In the general formula (4), HetA is represented by the following formula:

【0260】[0260]

【化188】 Embedded image

【0261】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子又は
低級アルキル基であり、R1は低級アルキル基又はシク
ロアルキル基であり、R2は水素原子である。)で表さ
れる基である、(31)に記載のオキシム誘導体の製造
方法、
(Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom). , A method for producing an oxime derivative according to (31),

【0262】(39) (1)から(11)に記載のオ
キシム誘導体を有効成分として含有する農薬、(40)
(1)から(11)に記載のオキシム誘導体を有効成
分として含有する植物病害防除剤、(41) 糸状菌の
植物病害に対して有効である(40)に記載の植物病害
防除剤、を提供するものである。
(39) A pesticide containing the oxime derivative according to (1) to (11) as an active ingredient, (40)
(1) A plant disease controlling agent comprising the oxime derivative according to (11) as an active ingredient, (41) a plant disease controlling agent according to (40), which is effective against a plant disease caused by a filamentous fungus. Is what you do.

【発明の実施の形態】本発明の一般式(1)DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The general formula (1) of the present invention

【0263】[0263]

【化189】 Embedded image

【0264】で示されるオキシム誘導体のHetAは下記
の3つの式
HetA of the oxime derivative represented by the following three formulas

【0265】[0265]

【化190】 Embedded image

【0266】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基、R1は水素原子、低級アルキル基、
ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、シクロアル
キル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、アラル
キル基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級アルキル
基及び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる1種類
以上の置換基で置換されたアリール基;であり、R2
水素原子又は低級アルキル基である。)のいずれか1つ
で表される基を示す。
(Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group,
One or more substituents selected from the group consisting of a lower alkyl group, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, a lower alkynyl group, an aralkyl group, an aryl group, and a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group substituted with a halogen atom; R 2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group. A) represents a group represented by any one of the above.

【0267】ここでHetAのQが示すハロゲン原子とし
ては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が挙げられ、塩
素原子が好ましく挙げられる。HetAのQが示す低級ア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル
基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s
ec−ブチル基等の炭素数1〜6、好ましくは1〜4の
直鎖又は分岐状の低級アルキル基が挙げられ、具体的に
はメチル基が特に好ましく挙げられる。Qの置換位置は
炭素原子上いずれでも良い。Qとして好ましいものは、
HetAがチアゾール環の場合は水素原子、塩素原子、メ
チル基が特に好ましく、ピリジン環の場合は水素原子が
特に好ましい。
The halogen atom represented by Q in HetA includes a fluorine atom, a chlorine atom and a bromine atom, and a chlorine atom is preferred. The lower alkyl group represented by Q of HetA includes methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s
Examples thereof include a linear or branched lower alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms, such as an ec-butyl group, and specifically, a methyl group is particularly preferable. The substitution position of Q may be any position on the carbon atom. Preferred as Q is
When HetA is a thiazole ring, a hydrogen atom, a chlorine atom and a methyl group are particularly preferred, and when HetA is a pyridine ring, a hydrogen atom is particularly preferred.

【0268】また、HetAのR1が示す低級アルキル基と
してはメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロ
ピル基、tert−ブチル基、n−ブチル基、イソブチ
ル基、sec−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチ
ル基、1,1−ジメチルプロピル基、1−エチルプロピ
ル基等炭素数1〜6、好ましくは1〜4の直鎖又は分枝
状の低級アルキル基が挙げられ、更に具体的にはメチル
基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、te
rt−ブチル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec
−ブチル基が特に好ましく挙げられる。
The lower alkyl group represented by R 1 of HetA includes a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group and an n-butyl group. Examples thereof include a linear or branched lower alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms, such as a pentyl group, a neopentyl group, a 1,1-dimethylpropyl group, and a 1-ethylpropyl group. Is methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, te
rt-butyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec
-Butyl groups are particularly preferred.

【0269】HetAのR1が示すハロゲン原子で置換され
た低級アルキル基としてはクロロメチル基、ジクロロメ
チル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、
ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、
クロロジフルオロメチル基、1−ブロモ−1−メチルエ
チル基等炭素数1〜3のハロゲン置換低級アルキル基が
挙げられる。
Examples of the lower alkyl group substituted by a halogen atom represented by R 1 of HetA include a chloromethyl group, a dichloromethyl group, a trichloromethyl group, a trifluoromethyl group,
Pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group,
Examples thereof include a halogen-substituted lower alkyl group having 1 to 3 carbon atoms such as a chlorodifluoromethyl group and a 1-bromo-1-methylethyl group.

【0270】HetAのR1が示すシクロアルキル基として
はシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基、シクロヘプチル基等炭素数1〜7、好ましくは3
〜6のシクロアルキル基が挙げられ、更に具体的にはシ
クロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルが特に
好ましく挙げられる。
Examples of the cycloalkyl group represented by R 1 of HetA include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and the like.
To 6, and more specifically, cyclopropyl, cyclopentyl, and cyclohexyl.

【0271】HetAのR1が示す低級アルケニル基として
はビニル基、アリル基、1−プロペニル基、1−メチル
−2−プロペニル基等炭素数2〜4の直鎖又は分枝状の
低級アルケニル基が挙げられる。
Examples of the lower alkenyl group represented by R 1 of HetA include a linear or branched lower alkenyl group having 2 to 4 carbon atoms such as a vinyl group, an allyl group, a 1-propenyl group and a 1-methyl-2-propenyl group. Is mentioned.

【0272】HetAのR1が示す低級アルキニル基として
はエチニル基、プロパルギル基、2−ブチニル基等炭素
数1〜4の低級アルキニル基が挙げられる。
The lower alkynyl group represented by R 1 of HetA includes a lower alkynyl group having 1 to 4 carbon atoms such as an ethynyl group, a propargyl group and a 2-butynyl group.

【0273】HetAのR1が示すアラルキル基としてはベ
ンジル基、フェネチル基等が挙げられる。HetAのR1
示すアリール基としてはフェニル基が挙げられる。
Examples of the aralkyl group represented by R 1 of HetA include a benzyl group and a phenethyl group. The aryl group represented by R 1 of HetA includes a phenyl group.

【0274】HetAのR1が示す;ハロゲン原子、低級ア
ルキル基及び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる
1種類以上の置換基で置換されたアリール基;としては
2−クロロフェニル基、3−クロロフェニル基、4−ク
ロロフェニル基、2,4−ジクロロフェニル基、3,4
−ジクロロフェニル基、3,5−ジクロロフェニル基、
2,6−ジクロロフェニル基、2,3−ジクロロフェニ
ル基、2,4,6−トリクロロフェニル基、2−フルオ
ロフェニル基、3−フルオロフェニル基、4−フルオロ
フェニル基、2,4−ジフルオロフェニル基、3,4−
ジフルオロフェニル基、3,5−ジフルオロフェニル
基、2,6−ジフルオロフェニル基、
R 1 of HetA represents: an aryl group substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group; 2-chlorophenyl group, 3-chlorophenyl group , 4-chlorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 3,4
-Dichlorophenyl group, 3,5-dichlorophenyl group,
2,6-dichlorophenyl group, 2,3-dichlorophenyl group, 2,4,6-trichlorophenyl group, 2-fluorophenyl group, 3-fluorophenyl group, 4-fluorophenyl group, 2,4-difluorophenyl group, 3,4-
Difluorophenyl group, 3,5-difluorophenyl group, 2,6-difluorophenyl group,

【0275】2,3−ジフルオロフェニル基、2−メチ
ルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェ
ニル基、2,4−ジメチルフェニル基、3,4−ジメチ
ルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,6−
ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、
2,4,6−トリメチルフェニル基、2−トリフルオロ
メチルフェニル基、3−トリフルオロメチルフェニル
基、4−トリフルオロメチルフェニル基、2−メトキシ
フェニル基、3−メトキシフェニル基、4−メトキシフ
ェニル基、2−トリフルオロメトキシフェニル基、3−
トリフルオロメトキシフェニル基、4−トリフルオロメ
トキシフェニル基、2−クロロジフルオロメトキシフェ
ニル基、3−クロロジフルオロメトキシフェニル基、4
−クロロジフルオロメトキシフェニル基等が挙げられ、
更に具体的には4−メチルフェニル、4−クロロフェニ
ルが特に好ましく挙げられる。
2,3-difluorophenyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 2,4-dimethylphenyl group, 3,4-dimethylphenyl group, 3,5-dimethyl Phenyl group, 2,6-
Dimethylphenyl group, 2,4-dimethylphenyl group,
2,4,6-trimethylphenyl group, 2-trifluoromethylphenyl group, 3-trifluoromethylphenyl group, 4-trifluoromethylphenyl group, 2-methoxyphenyl group, 3-methoxyphenyl group, 4-methoxyphenyl Group, 2-trifluoromethoxyphenyl group, 3-
Trifluoromethoxyphenyl group, 4-trifluoromethoxyphenyl group, 2-chlorodifluoromethoxyphenyl group, 3-chlorodifluoromethoxyphenyl group, 4
-Chlorodifluoromethoxyphenyl group and the like,
More specifically, 4-methylphenyl and 4-chlorophenyl are particularly preferred.

【0276】HetAのR1としては水素原子、炭素数1〜
6の直鎖若しくは分枝状の低級アルキル基、又は炭素数
3〜6のシクロアルキル基が好ましいものとして挙げら
れる。
[0276] hydrogen atoms as R 1 in HetA,. 1 to carbon atoms
A straight-chain or branched lower alkyl group having 6 or a cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms is preferable.

【0277】また、HetAのR2が示す低級アルキル基と
してはメチル基、エチル基等炭素数1〜6、好ましくは
1〜4が挙げられ、さらに具体的にはメチル基が好まし
く挙げられる。R2として特に好ましいものは水素原子
である。
The lower alkyl group represented by R 2 of HetA includes a methyl group, an ethyl group and the like having 1 to 6, preferably 1 to 4 carbon atoms, and more specifically, a methyl group is preferred. Particularly preferred as R 2 is a hydrogen atom.

【0278】一般式(1)、一般式(2)、一般式
(3)においてHetBは下記の9つの式
In the general formulas (1), (2) and (3), HetB is the following nine formulas:

【0279】[0279]

【化191】 Embedded image

【0280】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
であり、R3は水素原子、低級アルキル基、シリル基を
有していても良いアルコキシ基で置換された低級アルキ
ル基である。)のいずれか1つの環構造で表される、
1,2,3−チアジアゾール−4−イル基、1,2,5
−チアジアゾール−3−イル基、若しくは1,2,5−
オキサジアゾール−3−イル基又はそれらの低級アルキ
ル基置換誘導体又は置換されてもよい5〜6員の含窒素
芳香族ヘテロ環を表す。
(Wherein, Y is a hydrogen atom or a lower alkyl group, and R 3 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with an alkoxy group which may have a silyl group.) Represented by any one of the ring structures,
1,2,3-thiadiazol-4-yl group, 1,2,5
A thiadiazol-3-yl group, or 1,2,5-
It represents an oxadiazol-3-yl group or a lower alkyl group-substituted derivative thereof, or an optionally substituted 5- to 6-membered nitrogen-containing aromatic heterocycle.

【0281】ここでHetBのYが示す低級アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプ
ロピル基等炭素数1〜6、好ましくは1〜4の低級アル
キル基が挙げられるが、さらに具体的には、メチル基が
好ましく挙げられる。
The lower alkyl group represented by Y in HetB includes a lower alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group and an isopropyl group. More specifically, a methyl group is preferable.

【0282】また、HetBのR3が示す低級アルキル基と
してはメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロ
ピル基、n−ブチル基等炭素数1〜6、好ましくは1〜
4の低級アルキル基が挙げられ、さらに具体的にはメチ
ル基が好ましく挙げられる。
The lower alkyl group represented by R 3 of HetB includes a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group and an n-butyl group having 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 6 carbon atoms.
4 lower alkyl groups, more preferably a methyl group.

【0283】HetBのR3が示すシリル基を有していても
良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基と
は、炭素数1〜4の低級アルコキシ基で置換された、炭
素数1〜6、好ましくは1〜4の低級アルキル基を意味
するか、又はシリル基を有する炭素数1〜4の低級アル
コキシ基で置換された炭素数1〜6、好ましくは1〜4
の低級アルキル基を意味する。但しシリル基とは、水素
原子又は炭素数1〜4の低級アルキル基を置換基として
1〜3つ有するシリル基を意味する。具体的にはメトキ
シメチル基、2−メトキシエチル基、1−エトキシエチ
ル基、2−トリメチルシリルエトキシメチル基、ter
t−ブトキシメチル基、3−メトキシプロピル基、1−
(イソプロポキシ)エチル基、2−エトキシエチル基、
1−メチル−1−メトキシエチル基、3−エトキシプロ
ピル基、又はベンゾイルオキシメチル基であり、更に好
ましくは2−トリメチルシリルエトキシメチル基が挙げ
られる。
The lower alkyl group substituted by a lower alkoxy group which may have a silyl group represented by R 3 of HetB refers to a lower alkyl group substituted by a lower alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms and having 1 to 6 carbon atoms. Preferably represents a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 1 to 6 carbon atoms substituted with a lower alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms having a silyl group, preferably 1 to 4 carbon atoms.
Means a lower alkyl group. However, the silyl group means a silyl group having 1 to 3 hydrogen atoms or lower alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms as substituents. Specifically, a methoxymethyl group, a 2-methoxyethyl group, a 1-ethoxyethyl group, a 2-trimethylsilylethoxymethyl group,
t-butoxymethyl group, 3-methoxypropyl group, 1-
(Isopropoxy) ethyl group, 2-ethoxyethyl group,
It is a 1-methyl-1-methoxyethyl group, a 3-ethoxypropyl group or a benzoyloxymethyl group, more preferably a 2-trimethylsilylethoxymethyl group.

【0284】R3として、メチル基及び2−トリメチル
シリルエトキシメチル基が特に好ましいものとして挙げ
られる。
As R 3 , a methyl group and a 2-trimethylsilylethoxymethyl group are particularly preferred.

【0285】一般式(1)、一般式(2)、一般式
(3)においてHetCは下記の9つの式
In the general formulas (1), (2) and (3), HetC is the following nine formulas:

【0286】[0286]

【化192】 Embedded image

【0287】(式中、R4は水素原子、低級アルキル
基、アシル基を有していても良い低級アルコキシ基で置
換された低級アルキル基又はベンゾイルオキシメチル基
であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級アルコキシ
基又はシアノ基であり、Zは水素原子、ハロゲン原子又
は低級アルキル基であり、nは0〜3の整数である。)
のいずれか1つの環構造で表される基を示す。
Wherein R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have an acyl group or a benzoyloxymethyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom An atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom or a cyano group; Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group; Is an integer of 0 to 3.)
A group represented by any one of the ring structures.

【0288】ここでHetCのR4が示す低級アルキル基と
してはメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロ
ピル基、n−ブチル基等炭素数1〜6、好ましくは1〜
4の低級アルキル基が挙げられ、更に具体的にメチル基
が特に好ましく挙げられる。HetCのR4が示すシリル基
を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低級
アルキル基とは、炭素数1〜4の低級アルコキシ基で置
換された、炭素数1〜6、好ましくは1〜4の低級アル
キル基を意味し、又はシリル基を有する炭素数1〜4の
低級アルコキシ基で置換された炭素数1〜6、好ましく
は1〜4の低級アルキル基を意味する。但しシリル基の
語には、水素原子又は炭素数1〜4の低級アルキル基を
置換基として1〜3つ有するシリル基をも含まれるもの
とする。具体的にはメトキシメチル基、2−メトキシエ
チル基、1−エトキシエチル基、2−トリメチルシリル
エトキシメチル基、tert−ブトキシメチル基、3−
メトキシプロピル基、1−(イソプロポキシ)エチル
基、2−エトキシエチル基、1−メチル−1−メトキシ
エチル基、3−エトキシプロピル基が挙げられ、更に好
ましくは2−トリメチルシリルエトキシメチル基が挙げ
られる。
Here, the lower alkyl group represented by R 4 of HetC includes a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group and an n-butyl group having 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 6 carbon atoms.
4 lower alkyl groups, and more preferably a methyl group. The lower alkyl group substituted by a lower alkoxy group which may have a silyl group represented by R 4 of HetC is a C 1 to C 6, preferably substituted by a lower alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, preferably It means a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a lower alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms, which is substituted by a lower alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms having a silyl group. However, the term "silyl group" includes a silyl group having 1 to 3 hydrogen atoms or lower alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms as substituents. Specifically, a methoxymethyl group, a 2-methoxyethyl group, a 1-ethoxyethyl group, a 2-trimethylsilylethoxymethyl group, a tert-butoxymethyl group,
Examples include a methoxypropyl group, a 1- (isopropoxy) ethyl group, a 2-ethoxyethyl group, a 1-methyl-1-methoxyethyl group, and a 3-ethoxypropyl group, and more preferably a 2-trimethylsilylethoxymethyl group. .

【0289】HetCのR4として、メチル基、2−トリメ
チルシリルエトキシメチル基が好ましく、さらに2−ト
リメチルシリルエトキシメチル基が特に好ましく挙げら
れる。
As R 4 of HetC, a methyl group and a 2-trimethylsilylethoxymethyl group are preferable, and a 2-trimethylsilylethoxymethyl group is particularly preferable.

【0290】また、HetCのXが示すハロゲン原子とし
ては塩素原子、臭素原子、フッ素原子が挙げられ、塩素
原子又はフッ素原子が好ましく挙げられる。
Examples of the halogen atom represented by X in HetC include a chlorine atom, a bromine atom and a fluorine atom, preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

【0291】HetCのXが示す低級アルキル基としては
メチル基、エチル基等炭素数1〜6、好ましくは1〜4
の低級アルキル基が挙げられ、さらに具体的にはメチル
基が特に好ましく挙げられる。
The lower alkyl group represented by X in HetC includes a methyl group, an ethyl group and the like having 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms.
And a methyl group is particularly preferred.

【0292】HetCのXが示すハロゲン原子で置換され
た低級アルキル基としてはトリフルオロメチル基、ジフ
ルオロメチル基、ジフルオロクロロメチル基等が挙げら
れ、更に、トリフルオロメチル基が好ましく挙げられ
る。
Examples of the lower alkyl group substituted by the halogen atom represented by X in HetC include a trifluoromethyl group, a difluoromethyl group and a difluorochloromethyl group, and further preferably a trifluoromethyl group.

【0293】HetCのXが示す低級アルコキシ基として
はメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基等炭素数
1〜4の低級アルコキシ基が挙げられ、更に、メトキシ
基が好ましく挙げられる。
The lower alkoxy group represented by X of HetC includes a lower alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group and an n-propoxy group, and a methoxy group is more preferable.

【0294】HetCのXが示すハロゲン原子で置換され
た低級アルコキシ基としてはジフルオロメトキシ基、ト
リフルオロメトキシ基等が挙げられる。
Examples of the lower alkoxy group substituted by the halogen atom represented by X in HetC include a difluoromethoxy group and a trifluoromethoxy group.

【0295】nは3より大きくない整数、すなわち0〜
3の整数を示す。nが2又は3の場合、Xは同一でも異
なってもよい。
N is an integer not greater than 3;
Indicates an integer of 3. When n is 2 or 3, X may be the same or different.

【0296】HetCのXとして好ましいものは、水素原
子、炭素数1〜2の低級アルキル基、炭素数1のフルオ
ロアルキル基又はハロゲン原子であり、特に好ましくは
nは0又は1である。また、HetCのZが示すハロゲン
原子としては塩素原子、臭素原子、フッ素原子が挙げら
れ、塩素原子が好ましく挙げられる。HetCのZが示す
低級アルキル基としてはメチル基、エチル基等炭素数1
〜6、好ましくは1〜4の低級アルキル基が挙げられ、
さらに具体的にはメチル基が好ましく挙げられる。
Preferred as X in HetC are a hydrogen atom, a lower alkyl group having 1 to 2 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 carbon atom or a halogen atom, and particularly preferably n is 0 or 1. Examples of the halogen atom represented by Z in HetC include a chlorine atom, a bromine atom and a fluorine atom, and a chlorine atom is preferred. The lower alkyl group represented by Z in HetC includes a methyl group, an ethyl group, etc.
To 6, preferably 1 to 4 lower alkyl groups,
More specifically, a methyl group is preferred.

【0297】HetCのZとして水素原子又は塩素原子が
好ましく、更に水素原子が特に好ましく挙げられる。置
換基X、Zの置換位置はいずれの炭素原子上でも良い。
As Z of HetC, a hydrogen atom or a chlorine atom is preferable, and a hydrogen atom is particularly preferable. The substitution position of the substituents X and Z may be on any carbon atom.

【0298】本発明の一般式(4)The general formula (4) of the present invention

【0299】[0299]

【化193】 Embedded image

【0300】で示されるアルキル化剤のHetAは、一般
式(1)での定義と同一である。脱離基Lとしては、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メタ
ンスルホニルオキシ基、p−トルエンスルホニルオキシ
基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等のスルホ
ニルオキシ基が挙げられるが、好適には塩素原子、臭素
原子等のハロゲン原子である。
HetA of the alkylating agent represented by the formula is the same as defined in the general formula (1). Examples of the leaving group L include a chlorine atom, a bromine atom, a halogen atom such as an iodine atom, and a sulfonyloxy group such as a methanesulfonyloxy group, a p-toluenesulfonyloxy group, and a trifluoromethanesulfonyloxy group. It is a halogen atom such as a chlorine atom and a bromine atom.

【0301】本発明において、一般式(1)においてHe
tAが下記2つの式
In the present invention, in the general formula (1), He
tA is the following two formulas

【0302】[0302]

【化194】 Embedded image

【0303】(式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又
は低級アルキル基であり、R1は水素原子、低級アルキ
ル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、シク
ロアルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、
アラルキル基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級ア
ルキル基及び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる
1種以上の置換基で置換されたアリール基;であり、R
2は水素原子又は低級アルキル基である。)のいずれか
1つで表される基であり、HetBが下記の3つの式
(Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, Lower alkynyl group,
An aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group;
2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group. HetB is a group represented by any one of the following three formulas

【0304】[0304]

【化195】 Embedded image

【0305】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つの環構造で表される基であ
り、HetCが下記式
(Wherein Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and HetC is a group represented by the following formula:

【0306】[0306]

【化196】 Embedded image

【0307】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級
アルコキシ基又はシアノ基であり、nは0〜3であ
る。)で表される基である場合は除かれるものとする。
Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom or a cyano group, and n is 0 to 3) is excluded.

【0308】また、一般式(2)において、下記の化合
Further, in the general formula (2), the following compound

【0309】[0309]

【化197】 Embedded image

【0310】(式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級
アルコキシ基又はシアノ基であり、Yは水素原子又は低
級アルキル基であり、nは0又は1である。)である場
合、及び下記の化合物
(Where X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom or a cyano group, and Y is A hydrogen atom or a lower alkyl group, and n is 0 or 1.)

【0311】[0311]

【化198】 Embedded image

【0312】である場合、及び下記の化合物And the following compounds

【0313】[0313]

【化199】 Embedded image

【0314】である場合を除く。Is excluded.

【0315】一般式(2)において、HetBが下記の3
つの式
In the general formula (2), HetB is represented by the following 3
Two expressions

【0316】[0316]

【化200】 Embedded image

【0317】(式中、Yは水素原子又は低級アルキル基
を表す。)のいずれか1つの環構造で表される基を示
し、HetCが下記の式
(Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and represents a group represented by any one of the following ring structures;

【化201】 Embedded image

【0318】(式中、Xはハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級アルコキシ
基、又はシアノ基であり、nは1から3である。)で表
されるヒドロキシム誘導体、を一般式(5)とする。
(In the formula, X is a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, or a cyano group; 3) is represented by the general formula (5).

【0319】一般式(5)におけるHetBのYの低級ア
ルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル
基、イソプロピル基等炭素数1〜6、好ましくは1〜4
の低級アルキル基が挙げられるが、さらに具体的には、
メチル基が好ましく挙げられる。
The lower alkyl group of Y in HetB in the general formula (5) includes a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group and the like, having 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms.
Lower alkyl group of the following, more specifically,
A methyl group is preferably exemplified.

【0320】一般式(5)におけるXのハロゲン原子と
しては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子が挙げられ、
低級アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル
基、tert−ブチル基、sec−ブチル基等炭素数1
〜6、好ましくは1〜4の直鎖又は分枝状の低級アルキ
ル基が挙げられ、ハロゲン原子で置換された低級アルキ
ル基としてはトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル
基、ジフルオロクロロメチル基等が挙げられる。
The halogen atom of X in the general formula (5) includes a chlorine atom, a bromine atom and a fluorine atom.
Examples of the lower alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group and a sec-butyl group.
To 6, preferably 1 to 4, linear or branched lower alkyl groups. Examples of the lower alkyl group substituted with a halogen atom include a trifluoromethyl group, a difluoromethyl group, and a difluorochloromethyl group. Can be

【0321】また、一般式(5)のXの低級アルコキシ
基としてはメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ
基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ
基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基等炭素
数1〜4の低級アルコキシ基が挙げられ、ハロゲン原子
で置換された低級アルコキシ基としてはジフルオロメト
キシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。
The lower alkoxy group represented by X in the formula (5) includes methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, n-butoxy, isobutoxy, sec-butoxy and tert-butoxy. Examples thereof include lower alkoxy groups having 1 to 4 carbon atoms, and examples of the lower alkoxy group substituted with a halogen atom include a difluoromethoxy group and a trifluoromethoxy group.

【0322】また、一般式(5)のXの置換位置は特に
限定はなく、nは1〜3の整数を示す。nが2又は3の
場合、Xは同一でも異なっても良い。一般式(5)のX
として好ましいものは、炭素数1〜2の低級アルキル
基、炭素数1のフルオロアルキル基、ハロゲン原子又は
シアノ基であり、特に好ましいものは、トリフルオロメ
チル基、フッ素原子又は塩素原子である。
The substitution position of X in the general formula (5) is not particularly limited, and n represents an integer of 1 to 3. When n is 2 or 3, X may be the same or different. X in general formula (5)
Are preferably a lower alkyl group having 1 to 2 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 carbon atom, a halogen atom or a cyano group, and particularly preferably a trifluoromethyl group, a fluorine atom or a chlorine atom.

【0323】一般式(1)で表されるオキシム誘導体及
び一般式(2)で表されるヒドロキシム誘導体に存在す
るオキシム部位の立体構造には(E)体又は(Z)体が
あり、これらの立体異性体は、いずれも本発明に含まれ
る。通常、合成製造物は、(E)体と(Z)体の混合物
として得られ、これらは分離精製することにより、おの
おのを単離する事が可能である。
The stereostructure of the oxime moiety present in the oxime derivative represented by the general formula (1) and the oxime derivative represented by the general formula (2) includes (E) -form and (Z) -form. Are included in the present invention. Usually, the synthetic product is obtained as a mixture of the (E) form and the (Z) form, and these can be isolated from each other by separation and purification.

【0324】一般式(1)及び一般式(2)で表される
オキシム誘導体において、(E)体よりも(Z) 体が
植物病害防除活性に特に優れるが、(Z)体も自然環境
下では、光等により(E)体に変化し、ある一定の
(E)体と(Z)体の比率で混合物として存在する。こ
の(E)体と(Z)体の安定化した比率は、各々の化合
物により異なる。
In the oxime derivatives represented by the general formulas (1) and (2), the (Z) -form is more excellent in controlling plant diseases than the (E) -form, but the (Z) -form is also subject to natural environment. In this case, the compound changes to the (E) form by light or the like, and exists as a mixture at a certain ratio of the (E) form and the (Z) form. The stabilized ratio between the (E) -form and the (Z) -form differs for each compound.

【0325】本発明における一般式(1)で示されるオ
キシム誘導体の製造法について説明する。一般式(1)
で示されるオキシム誘導体は、例えば下記の方法で製造
することができるが、該化合物の製造法は、これらの製
造法に限定されるものではない。下記一般式(3)
The method for producing the oxime derivative represented by the general formula (1) in the present invention will be described. General formula (1)
Can be produced, for example, by the following method, but the production method of the compound is not limited to these production methods. The following general formula (3)

【0326】[0326]

【化202】 Embedded image

【0327】(式中、HetB及びHetCは一般式(1)で
定義したものと同一である。)で表されるケトン化合物
に、オキシム化剤を反応させて得られる下記一般式
(2)
(Wherein HetB and HetC are the same as those defined in the general formula (1)) and an oximation agent is reacted with a ketone compound represented by the following general formula (2)

【0328】[0328]

【化203】 Embedded image

【0329】で表されるヒドロキシム誘導体と、下記一
般式(4)
A hydroxyme derivative represented by the following general formula (4)

【0330】[0330]

【化204】 Embedded image

【0331】で表されるアルキル化剤を塩基の存在下に
反応させることにより、一般式(1)で示されるオキシ
ム誘導体が製造できる。
The oxime derivative represented by the general formula (1) can be produced by reacting the alkylating agent represented by the formula (1) in the presence of a base.

【0332】一般式(3)で表されるケトン化合物は、
本発明の製造法に用いられる原料であり、例えば5−メ
チル(1,2,3−チアジアゾイル−4−イル)カルボ
ン酸エチル ( Acta Pharm. Suecica, 10巻, 297頁 (197
3))、5−メチル(1,2,3−チアジアゾイル−4−
イル)カルボン酸( Acta Pharm. Suecica, 10巻, 297頁
(1973))、3−ホルミル−4−メチル−1,2,5−オ
キサジアゾール(J. Org. Chem., 32巻, 3865頁 (196
7))、3−ホルミル−4−メチル−1,2,5−チアジ
アゾール (Heterocyclic Chem., 22巻, 325頁 (1985))
等を用い、文献記載の方法(例えば、新実験化学講座1
4有機化合物の合成と反応II, 1997年, 丸善株式会社、
C. A. Buehler, D. E. Pearson, Survey of Organic Sy
ntheses, John Wiley and Sons, New York, 532頁,197
6)によって合成できる。
The ketone compound represented by the general formula (3) is
Raw materials used in the production method of the present invention, for example, ethyl 5-methyl (1,2,3-thiadiazoyl-4-yl) carboxylate (Acta Pharm. Suecica, Vol. 10, p. 297 (197
3)), 5-methyl (1,2,3-thiadiazoyl-4-)
Il) Carboxylic acid (Acta Pharm. Suecica, 10, 297
(1973)), 3-formyl-4-methyl-1,2,5-oxadiazole (J. Org. Chem., 32, 3865 (196
7)), 3-formyl-4-methyl-1,2,5-thiadiazole (Heterocyclic Chem., 22, 325 (1985))
And other methods described in the literature (eg, New Experimental Chemistry Course 1
Synthesis and reaction of four organic compounds II, 1997, Maruzen Co., Ltd.
CA Buehler, DE Pearson, Survey of Organic Sy
ntheses, John Wiley and Sons, New York, 532, 197
6) can be synthesized.

【0333】本反応で用いられるオキシム化剤として
は、例えばヒドロキシルアミンあるいはヒドロキシルア
ミン塩酸塩、ヒドロキシルアミン硫酸塩、ヒドロキシル
アミン酢酸塩等のヒドロキシルアミン塩が挙げられる。
オキシム化剤の使用量はケトンに対して通常1〜10倍
モルの範囲であり、好適には1〜2倍モルである。
Examples of the oximation agent used in this reaction include hydroxylamine and hydroxylamine salts such as hydroxylamine hydrochloride, hydroxylamine sulfate and hydroxylamine acetate.
The amount of the oximation agent used is usually in the range of 1 to 10 moles, preferably 1 to 2 moles, relative to the ketone.

【0334】ヒドロキシルアミン塩を用いる場合、塩基
の存在下に行われる。塩基としては、例えば、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリ
ウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩
基、ピリジン、トリエチルアミン、トリプロピルアミ
ン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、
トリオクチルアミン、N,N−ジメチルアニリン、N−
メチルピロリジン、N−メチルモルホリン、N−エチル
モルホリン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウ
ンデカ−7−エン等の有機塩基が挙げられる。塩基の使
用量はヒドロキシルアミン塩に対し、等モル以上であ
る。
When a hydroxylamine salt is used, the reaction is carried out in the presence of a base. As the base, for example, an inorganic base such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, sodium hydrogen carbonate, pyridine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, diisopropylethylamine,
Trioctylamine, N, N-dimethylaniline, N-
Organic bases such as methylpyrrolidine, N-methylmorpholine, N-ethylmorpholine, and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene are exemplified. The amount of the base used is at least equimolar to the hydroxylamine salt.

【0335】本反応は、溶媒存在下又は無溶媒で行うこ
とができる。使用できる溶媒としては、反応に不活性な
ものであれば特に限定されず、例えば、ペンタン、ヘキ
サン、ヘプタン、石油エーテル、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の炭化水素系溶媒、ジクロロメタン、1,2
−ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロ
ゲン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、
2−プロパノール、トリフルオロエタノール等のアルコ
ール系溶媒、アセトニトリル、プロピオンニトリル等の
ニトリル系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエ
ーテル、ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、ジグリム等のエーテル系溶媒、
This reaction can be carried out in the presence or absence of a solvent. The solvent that can be used is not particularly limited as long as it is inert to the reaction.For example, pentane, hexane, heptane, petroleum ether, benzene, toluene,
Hydrocarbon solvents such as xylene, dichloromethane, 1,2
-Halogenated solvents such as dichloroethane, chloroform, carbon tetrachloride, methanol, ethanol, propanol,
2-propanol, alcohol solvents such as trifluoroethanol, acetonitrile, nitrile solvents such as propionnitrile, diethyl ether, diisopropyl ether, dimethoxyethane, dioxane, tetrahydrofuran, ether solvents such as diglyme,

【0336】N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プ
ロトン性極性溶媒、水、これら二つ以上の混合溶媒系が
挙げられ、好適には、メタノール、エタノール、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン等及びこれらの溶媒と水との
混合溶媒である。水の割合は1%〜99%であり、好適
には10%〜90%である。
N, N-dimethylformamide, N, N-
Non-protic polar solvents such as dimethylacetamide and dimethylsulfoxide, water, and a mixed solvent system of two or more thereof, preferably, methanol, ethanol, dioxane, tetrahydrofuran and the like, and a mixed solvent of these solvents and water is there. The proportion of water is between 1% and 99%, preferably between 10% and 90%.

【0337】本反応の温度は−78〜250℃の範囲で
あり、好適には−10〜120℃の範囲である。反応時
間は反応試剤の量及び反応温度により異なるが、30分
〜24時間の範囲である。反応終了後は、生成物の精製
が必要であれば、蒸留、再結晶又はカラムクロマトグラ
フィー等により容易に精製できる。
The temperature of this reaction is in the range of -78 to 250 ° C, preferably in the range of -10 to 120 ° C. The reaction time varies depending on the amount of the reaction reagent and the reaction temperature, but ranges from 30 minutes to 24 hours. After the completion of the reaction, the product can be easily purified by distillation, recrystallization or column chromatography if necessary.

【0338】ヒドロキシム誘導体(2)と塩基存在下に
おけるアルキル化剤(4)との反応において、アルキル
化剤の使用量は通常1〜5倍モルの範囲であり、好適に
は1〜2倍モルである。
In the reaction between the hydroxyme derivative (2) and the alkylating agent (4) in the presence of a base, the amount of the alkylating agent to be used is generally 1 to 5 mol, preferably 1 to 2 mol. Is a mole.

【0339】塩基としては、例えば、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、
炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム
等の無機塩基、ピリジン、トリエチルアミン、トリプロ
ピルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチル
アミン、トリオクチルアミン、N,N−ジメチルアニリ
ン、N−メチルピロリジン、N−メチルモルホリン、N
−エチルモルホリン、
As the base, for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate,
Inorganic bases such as cesium carbonate, sodium hydrogen carbonate and potassium hydrogen carbonate, pyridine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, diisopropylethylamine, trioctylamine, N, N-dimethylaniline, N-methylpyrrolidine, N-methylmorpholine; N
-Ethyl morpholine,

【0340】1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウ
ンデカ−7−エン等の有機塩基、ナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、カリウムtert−ブトキ
シド、ナトリウムイソペンタネート等のアルコキシド
類、水素化ナトリウム、水素化カリウム等のアルカリ金
属水素化物、メチルリチウム、ブチルリチウム、フェニ
ルリチウム等の有機リチウム類等が挙げられる。塩基の
使用量はヒドロキシム誘導体に対し、通常1〜10倍モ
ル、好ましくは1〜3倍モルである。
Organic bases such as 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene; alkoxides such as sodium methoxide, sodium ethoxide, potassium tert-butoxide and sodium isopentanate; sodium hydride And alkali metal hydrides such as potassium hydride, and organic lithiums such as methyllithium, butyllithium, and phenyllithium. The amount of the base to be used is generally 1 to 10 mol, preferably 1 to 3 mol, per mol of the hydroxyme derivative.

【0341】本反応は、溶媒存在下又は無溶媒で行うこ
とができる。使用できる溶媒としては、反応に不活性な
ものであれば特に限定されず、例えば、ペンタン、ヘキ
サン、ヘプタン、石油エーテル、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の炭化水素系溶媒、ジクロロメタン、1,2
−ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロ
ゲン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、
2−プロパノール、トリフルオロエタノール等のアルコ
ール系溶媒、アセトニトリル、プロピオンニトリル等の
ニトリル系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエ
ーテル、ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、ジグリム等のエーテル系溶媒、
This reaction can be carried out in the presence or absence of a solvent. The solvent that can be used is not particularly limited as long as it is inert to the reaction.For example, pentane, hexane, heptane, petroleum ether, benzene, toluene,
Hydrocarbon solvents such as xylene, dichloromethane, 1,2
-Halogenated solvents such as dichloroethane, chloroform, carbon tetrachloride, methanol, ethanol, propanol,
2-propanol, alcohol solvents such as trifluoroethanol, acetonitrile, nitrile solvents such as propionnitrile, diethyl ether, diisopropyl ether, dimethoxyethane, dioxane, tetrahydrofuran, ether solvents such as diglyme,

【0342】N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プ
ロトン性極性溶媒又はこれら二つ以上の混合溶媒系が挙
げられる。好適には、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、アセトニトリル、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド
等である。
N, N-dimethylformamide, N, N-
Examples include aprotic polar solvents such as dimethylacetamide and dimethylsulfoxide, or a mixed solvent system of two or more thereof. Preferably, dioxane, tetrahydrofuran, acetonitrile, N, N-dimethylformamide,
N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide and the like.

【0343】本反応の温度は−78〜250℃の範囲で
あり、好適には−10〜100℃の範囲である。反応時
間は反応試剤の量及び反応温度により異なるが、30分
〜24時間の範囲である。反応終了後は、生成物の精製
が必要であれば、蒸留、再結晶又はカラムクロマトグラ
フィー等により容易に精製できる。
The reaction temperature is in the range of -78 to 250 ° C, preferably in the range of -10 to 100 ° C. The reaction time varies depending on the amount of the reaction reagent and the reaction temperature, but ranges from 30 minutes to 24 hours. After the completion of the reaction, the product can be easily purified by distillation, recrystallization or column chromatography if necessary.

【0344】尚、上述の方法で製造される一般式(1)
で示されるオキシム誘導体の具体的構造を例示すれば、
表1〜表60の通りである。但し、表中、HetA、Het
B、HetC、R1、R2、R3、R4、Q、X、Y、Z及び
nは、一般式(1)における定義に対応し、Meはメチル
基、Etはエチル基、Prはプロピル基、Buはブチル基、Ph
はフェニル基をそれぞれ表す。
The general formula (1) produced by the above method
Illustrating the specific structure of the oxime derivative represented by
The results are shown in Tables 1 to 60. However, in the table, HetA, Het
B, HetC, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , Q, X, Y, Z and n correspond to the definition in the general formula (1), Me is a methyl group, Et is an ethyl group, and Pr is Propyl group, Bu is butyl group, Ph
Represents a phenyl group, respectively.

【0345】[0345]

【表1】 [Table 1]

【0346】[0346]

【表2】 [Table 2]

【0347】[0347]

【表3】 [Table 3]

【0348】[0348]

【表4】 [Table 4]

【0349】[0349]

【表5】 [Table 5]

【0350】[0350]

【表6】 [Table 6]

【0351】[0351]

【表7】 [Table 7]

【0352】[0352]

【表8】 [Table 8]

【0353】[0353]

【表9】 [Table 9]

【0354】[0354]

【表10】 [Table 10]

【0355】[0355]

【表11】 [Table 11]

【0356】[0356]

【表12】 [Table 12]

【0357】[0357]

【表13】 [Table 13]

【0358】[0358]

【表14】 [Table 14]

【0359】[0359]

【表15】 [Table 15]

【0360】[0360]

【表16】 [Table 16]

【0361】[0361]

【表17】 [Table 17]

【0362】[0362]

【表18】 [Table 18]

【0363】[0363]

【表19】 [Table 19]

【0364】[0364]

【表20】 [Table 20]

【0365】[0365]

【表21】 [Table 21]

【0366】[0366]

【表22】 [Table 22]

【0367】[0367]

【表23】 [Table 23]

【0368】[0368]

【表24】 [Table 24]

【0369】[0369]

【表25】 [Table 25]

【0370】[0370]

【表26】 [Table 26]

【0371】[0371]

【表27】 [Table 27]

【0372】[0372]

【表28】 [Table 28]

【0373】[0373]

【表29】 [Table 29]

【0374】[0374]

【表30】 [Table 30]

【0375】[0375]

【表31】 [Table 31]

【0376】[0376]

【表32】 [Table 32]

【0377】[0377]

【表33】 [Table 33]

【0378】[0378]

【表34】 [Table 34]

【0379】[0379]

【表35】 [Table 35]

【0380】[0380]

【表36】 [Table 36]

【0381】[0381]

【表37】 [Table 37]

【0382】[0382]

【表38】 [Table 38]

【0383】[0383]

【表39】 [Table 39]

【0384】[0384]

【表40】 [Table 40]

【0385】[0385]

【表41】 [Table 41]

【0386】[0386]

【表42】 [Table 42]

【0387】[0387]

【表43】 [Table 43]

【0388】[0388]

【表44】 [Table 44]

【0389】[0389]

【表45】 [Table 45]

【0390】[0390]

【表46】 [Table 46]

【0391】[0391]

【表47】 [Table 47]

【0392】[0392]

【表48】 [Table 48]

【0393】[0393]

【表49】 [Table 49]

【0394】[0394]

【表50】 [Table 50]

【0395】[0395]

【表51】 [Table 51]

【0396】[0396]

【表52】 [Table 52]

【0397】[0397]

【表53】 [Table 53]

【0398】[0398]

【表54】 [Table 54]

【0399】[0399]

【表55】 [Table 55]

【0400】[0400]

【表56】 [Table 56]

【0401】[0401]

【表57】 [Table 57]

【0402】[0402]

【表58】 [Table 58]

【0403】[0403]

【表59】 [Table 59]

【0404】[0404]

【表60】 [Table 60]

【0405】さらに、上述の方法で製造される一般式
(2)で示されるヒドロキシム誘導体の具体的構造を例
示すれば、表61〜表71の通りである。但し、表中He
tB、HetC、R3、R4、X、Y、Z及びnは一般式
(2)における定義に対応し、Meはメチル基、Etはエチ
ル基、Prはプロピル基、Buはブチル基、Phはフェニル基
をそれぞれ表す。
Further, Table 61 to Table 71 show specific structures of the hydroxyme derivative represented by the general formula (2) produced by the above method. However, He in the table
tB, HetC, R 3 , R 4 , X, Y, Z and n correspond to the definitions in the general formula (2), Me is a methyl group, Et is an ethyl group, Pr is a propyl group, Bu is a butyl group, Ph Represents a phenyl group, respectively.

【0406】[0406]

【表61】 [Table 61]

【0407】[0407]

【表62】 [Table 62]

【0408】[0408]

【表63】 [Table 63]

【0409】[0409]

【表64】 [Table 64]

【0410】[0410]

【表65】 [Table 65]

【0411】[0411]

【表66】 [Table 66]

【0412】[0412]

【表67】 [Table 67]

【0413】[0413]

【表68】 [Table 68]

【0414】[0414]

【表69】 [Table 69]

【0415】[0415]

【表70】 [Table 70]

【0416】[0416]

【表71】 [Table 71]

【0417】本発明のオキシム誘導体を有効成分とする
農薬、特に植物病害防除剤は、植物病原ウイルス、細菌
及び糸状菌による各種の植物病害に対し有効であり、特
に糸状菌による各種の植物病害に対し有効である。糸状
菌による植物病害としては、卵菌類(Oomycetes)により
引き起こされる幅広い植物病害や、いもち病菌(Pyricul
aria oryzae)等により引き起こされる植物病害がある。
The pesticides containing the oxime derivative of the present invention as an active ingredient, particularly plant disease controlling agents, are effective against various plant diseases caused by phytopathogenic viruses, bacteria and fungi, and particularly against various plant diseases caused by filamentous fungi. It is effective for. Plant diseases caused by filamentous fungi include a wide range of plant diseases caused by oomycetes (Oomycetes) and blast fungi (Pyricul
aria oryzae) and the like.

【0418】これらは、各種の植物に対するべと病(dow
ny mildew)や疫病(late blight orPhytophthora rot et
c.)であり、例えば、ブドウのべと病(Plasmopara viti
cola)、ウリ類のべと病(Pseudoperonospora cubensi
s)、立枯性疫病(Phytophthora melonis)、トマトの
灰色疫病(Phytophthora capsici)、疫病(Phytophtho
ra infestans)、アブラナ科野菜のべと病(Peronospor
a brassicae)、ネギのべと病(Peronospora destructo
r)、ホウレンソウのべと病(Peronospora spinacia
e)、ダイズのべと病(Peronospora manshurica)、
[0418] These are downy mildew (dow) on various plants.
ny mildew) and plague (late blight or Phytophthora rot et
c.), for example, downy mildew of grape ( Plasmopara viti
cola ), downy mildew of cucumber ( Pseudoperonospora cubensi)
s ), dead blight ( Phytophthora melonis ), tomato gray blight ( Phytophthora capsici ), plague ( Phytophtho
ra infestans ), downy mildew of cruciferous vegetables ( Peronospor)
a brassicae ), downy mildew on green onion ( Peronospora destructo)
r ), spinach downy mildew ( Peronospora spinacia)
e ), soybean downy mildew ( Peronospora manshurica ),

【0419】ソラマメのべと病(Peronospora vicia
e)、タバコの疫病(Phytophthora nicotianae var.nic
otianae)、ジャガイモの疫病(Phytophthora infestan
s)、ホップのべと病(Pseudoperonospora humuli)、
パイナップルの疫病(Phytophthora cinnamomi)、ピー
マンの疫病(Phytophthora capsici)、イチゴの根腐病
Phytophthora fragariae)、各種作物の立枯病(Pyth
ium属菌等による)、ベントグラスの赤焼病(Pythium a
phanidermatum)等の卵菌類により引き起こされる幅広
い植物病害及びイネのいもち病(Pyricularia oryzae
に対して優れた防除効果を有している。
Downy mildew of broad bean ( Peronospora vicia)
e ), the plague of tobacco ( Phytophthora nicotianae var. nic)
otianae ), Potato Blight ( Phytophthora infestan)
s ), downy mildew of hops ( Pseudoperonospora humuli ),
Pineapple plague ( Phytophthora cinnamomi ), Bell pepper plague ( Phytophthora capsici ), Strawberry root rot ( Phytophthora fragariae ), Damping on various crops ( Pythophthora fragariae )
bacillus ), benthgrass red blight ( Pythium a
phanidermatum ) and a wide range of plant diseases caused by oomycetes and rice blast ( Pyricularia oryzae )
It has an excellent control effect on

【0420】更に、キュウリうどんこ病(Sphaerotheca
Fuliginea)、キュウリ苗立枯病(Rhizoctonia solan
i)、リンゴ斑点落葉病(Alternaria mali)、キュウリ
つる割病(Fusarium oxysporum)に対しても有効であ
る。
[0420] Furthermore, cucumber powdery mildew ( Sphaerotheca)
Fuliginea ), Cucumber seedling blight ( Rhizoctonia solan)
i ), apple spot leaf blight ( Alternaria mali ), cucumber vine rot ( Fusarium oxysporum ) are also effective.

【0421】本薬剤は、有効成分を単独で使用すること
も可能であるが、通常、農薬の製剤に用いられる公知慣
用の固体及び液体担体、並びに分散剤、希釈剤、乳化
剤、展着剤、増粘剤等の補助剤と混合して、水和剤、液
剤、油剤、粉剤、粒剤、ゾル剤(フロアブル)等の剤型
に製剤して使用することができる。
Although the present drug can use the active ingredient alone, it is generally known and used as solid and liquid carriers used in the preparation of agricultural chemicals, as well as dispersants, diluents, emulsifiers, spreading agents, and the like. It can be mixed with an auxiliary agent such as a thickener and formulated into a dosage form such as a wettable powder, a liquid preparation, an oil preparation, a powder preparation, a granule preparation, a sol preparation (flowable) and the like.

【0422】固体及び液体担体としては、例えばタル
ク、クレー、ベントナイト、カオリン、けいそう土、モ
ンモリロナイト、雲母、バーミキュライト、石膏、炭酸
カルシウム、ホワイトカーボン、木粉、澱粉、アルミ
ナ、珪酸塩、糖重合体、ワックス類、水、アルコール類
(メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピル
アルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアル
コール、エチレングリコール、ベンジルアルコール
等)、石油溜分(石油エーテル、ケロシン、ソルベント
ナフサ等)、脂肪族又は脂環式炭化水素類(n−ヘキサ
ン、シクロヘキサン等)、
Examples of the solid and liquid carriers include talc, clay, bentonite, kaolin, diatomaceous earth, montmorillonite, mica, vermiculite, gypsum, calcium carbonate, white carbon, wood powder, starch, alumina, silicate, and saccharide polymer. , Waxes, water, alcohols (methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, ethylene glycol, benzyl alcohol, etc.), petroleum fractions (petroleum ether, kerosene, solvent naphtha, etc.), Aliphatic or alicyclic hydrocarbons (n-hexane, cyclohexane, etc.),

【0423】芳香族炭化水素類(ベンゼン、トルエン、
キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン、クメン、
メチルナフタレン等)、ハロゲン化炭化水素類(クロロ
ホルム、ジクロロメタン等)、エーテル類(イソプロピ
ルエーテル、エチレンオキシド、テトラヒドロフラン
等)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等)、エステル
類(酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールアセ
タート、酢酸アミル等)、酸アミド類(ジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアニリド等)、ニトリル類(ア
セトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル
等)、スルホキシド類(ジメチルスルホキシド等)、ア
ルコールエーテル類(エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等)等
が挙げられる。
Aromatic hydrocarbons (benzene, toluene,
Xylene, ethylbenzene, chlorobenzene, cumene,
Methyl naphthalene, etc.), halogenated hydrocarbons (chloroform, dichloromethane, etc.), ethers (isopropyl ether, ethylene oxide, tetrahydrofuran, etc.), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, etc.), esters (ethyl acetate, Butyl acetate, ethylene glycol acetate, amyl acetate, etc.), acid amides (dimethylformamide, dimethylacetanilide, etc.), nitriles (acetonitrile, propionitrile, acrylonitrile, etc.), sulfoxides (dimethylsulfoxide, etc.), alcohol ethers ( Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, etc.).

【0424】補助剤としては、例えば非イオン型界面活
性剤(ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキ
シエチレンアルキルエステル、ポリオキシエチレンアル
キルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンソルビタン
アルキルエステル、ソルビタンアルキルエステル等)、
陰イオン型界面活性剤(アルキルベンゼンスルホナー
ト、アルキルスルホサクシナート、ポリオキシエチレン
アルキルスルファート、アリールスルホナート等)、陽
イオン型界面活性剤(アルキルアミン類、ポリオキシエ
チレンアルキルアミン類、第四級アンモニウム塩類
等)、両性型界面活性剤(アルキルアミノエチルグリシ
ン、アルキルジメチルベタイン等)、ポリビニルアルコ
ール、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチ
ルセルロース、アラビアゴム、トラガントガム、キサン
タンガム、ポリビニルアセタート、ゼラチン、カゼイ
ン、アルギン酸ソーダ等が挙げられる。
Examples of the auxiliary include nonionic surfactants (polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl ester, polyoxyethylene alkyl phenyl ether, polyoxyethylene sorbitan alkyl ester, sorbitan alkyl ester, etc.),
Anionic surfactants (alkylbenzenesulfonate, alkylsulfosuccinate, polyoxyethylene alkylsulfate, arylsulfonate, etc.), and cationic surfactants (alkylamines, polyoxyethylenealkylamines, quaternary) Ammonium salts), amphoteric surfactants (alkylaminoethylglycine, alkyldimethylbetaine, etc.), polyvinyl alcohol, hydroxypropylcellulose, carboxymethylcellulose, gum arabic, tragacanth gum, xanthan gum, polyvinyl acetate, gelatin, casein, sodium alginate, etc. Is mentioned.

【0425】更に、本薬剤は、各種の公知慣用の農園芸
用殺菌剤、除草剤、植物生長調節剤、殺虫剤、殺ダニ剤
等の農薬や、肥料等と混合して用いることもできる。本
薬剤の有効成分含有量は、製剤形態、施用方法、その他
の条件によって種々異なるが、通常は0.5〜95%
(重量)、好ましくは2〜70%(重量)である。本薬
剤の施用方法としては、植物への施用(茎葉散布)、植
物の生育土壌への施用(土壌施用)、田面水への施用
(水面施用)、種子への施用(種子処理)等が可能であ
る。
Further, the present medicament can be used by mixing with various known and commonly used agricultural and horticultural fungicides, herbicides, plant growth regulators, pesticides such as insecticides, acaricides, and fertilizers. The active ingredient content of this drug varies depending on the form of preparation, application method and other conditions, but is usually 0.5 to 95%.
(Weight), preferably 2 to 70% (weight). The method of application of this chemical can be applied to plants (foliage application), application to plant growing soil (soil application), application to paddy water (water application), application to seeds (seed treatment), etc. It is.

【0426】本薬剤の施用量に関しては、適用植物、適
用病害等によっても異なるが、茎葉散布の場合には有効
成分濃度として1〜10000ppm、好ましくは10
〜1000ppmの溶液を10アール当たり50〜30
0L施用するのが好ましく、土壌施用及び水面施用の場
合には、有効成分量で10アール当たり0.1〜100
0g、特に好ましくは10〜100g施用するのが好ま
しい。また、種子処理の場合には、種子1kgに対し
て、0.001〜50gの有効成分を施用するのが好ま
しい。
The application rate of this drug varies depending on the plant to be applied, the disease to be applied and the like. In the case of foliar application, the concentration of the active ingredient is 1 to 10000 ppm, preferably 10 to 10 ppm.
~ 1000 ppm solution per 10 ares
It is preferable to apply 0 L, and in the case of soil application and surface application, 0.1 to 100 per 10 ares in the amount of the active ingredient.
It is preferable to apply 0 g, particularly preferably 10 to 100 g. In the case of seed treatment, 0.001 to 50 g of the active ingredient is preferably applied to 1 kg of seed.

【0427】[0427]

【実施例】次に本発明を製造例、製剤例及び試験例によ
って説明するが、もとより本発明はこれらに限定される
ものではない。なお、化合物番号は、(表の番号)−
(HetBの記号)−(表中の化合物番号)で表す。
EXAMPLES Next, the present invention will be described with reference to Production Examples, Preparation Examples and Test Examples, but the present invention is not limited to these. The compound number is (number in the table) −
(Symbol of HetB)-(compound number in the table).

【0428】(製造例1)3−(3−メチル−1,2,
5−チアジアゾール−4−イル)ピリジンメタノンオキ
シム(150mg, 0.68mmol, E:Z=
1:4)のアセトニトリル(20ml)溶液に炭酸カリ
ウム(160mg, 1.15mmol)及び2−ピコ
リルクロリド(149mg, 0.87mmol)を加
え、7時間加熱還流した。反応液に水を加え、酢酸エチ
ルで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶
媒を留去し、残留物をカラムクロマトグラフィーで精製
し、(Z)−3−(3−メチル−1,2,5−チアジア
ゾール−4−イル)ピリジルメタノン O−(2−ピリ
ジル)メチルオキシム(157mg)及び(E)−3−
(3−メチル−1,2,5−チアジアゾール−4−イ
ル)ピリジルメタノン O−(2−ピリジル)メチルオ
キシム(47mg)(化合物No.31−(b)−2
4)を得た。 (Z)−3−(3−メチル−1,2,5−チアジアゾー
ル−4−イル)ピリジルメタノン O−(2−ピリジ
ル)メチルオキシム 1H−NMR(CDCl3):δ2.50(s, 3
H), 5.39(s,2H), 7.10〜7.48
(m, 3H), 7.69(t, j=7.7Hz,
1H), 7.81(d, j=7.9Hz, 1
H), 8.48〜8.70(m, 3H). MS(m/z): 312(M++1). (E)−3−(3−メチル−1,2,5−チアジアゾー
ル−4−イル)ピリジルメタノン O−(2−ピリジ
ル)メチルオキシム 1H−NMR(CDCl3):δ2.66(s, 3
H), 5.42(s,2H), 7.13〜7.51
(m, 3H), 7.70(t, j=7.6Hz,
1H), 7.85(d, j=7.9Hz, 1
H), 8.60(d, j=4.8Hz, 1H),
8.67(d,j=4.95Hz,1H), 8.7
5(d, j=2.2Hz, 1H). MS(m/z): 312(M++1).
(Production Example 1) 3- (3-methyl-1,2,2,3
5-Thiadiazol-4-yl) pyridinemethanone oxime (150 mg, 0.68 mmol, E: Z =
To a solution of 1: 4) in acetonitrile (20 ml) was added potassium carbonate (160 mg, 1.15 mmol) and 2-picolyl chloride (149 mg, 0.87 mmol), and the mixture was heated under reflux for 7 hours. Water was added to the reaction solution, extracted with ethyl acetate, washed with water, and dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off, the residue was purified by column chromatography, and (Z) -3- (3-methyl-1,2,5-thiadiazol-4-yl) pyridylmethanone O- (2-pyridyl) methyl Oxime (157 mg) and (E) -3-
(3-Methyl-1,2,5-thiadiazol-4-yl) pyridylmethanone O- (2-pyridyl) methyl oxime (47 mg) (Compound No. 31- (b) -2
4) was obtained. (Z) -3- (3-Methyl-1,2,5-thiadiazol-4-yl) pyridylmethanone O- (2-pyridyl) methyl oxime 1H-NMR (CDCl 3 ): δ 2.50 (s, 3)
H), 5.39 (s, 2H), 7.10 to 7.48
(M, 3H), 7.69 (t, j = 7.7 Hz,
1H), 7.81 (d, j = 7.9 Hz, 1
H), 8.48 to 8.70 (m, 3H). MS (m / z): 312 (M ++ 1). (E) -3- (3-Methyl-1,2,5-thiadiazol-4-yl) pyridylmethanone O- (2-pyridyl) methyl oxime 1H-NMR (CDCl 3 ): δ 2.66 (s, 3)
H), 5.42 (s, 2H), 7.13-7.51.
(M, 3H), 7.70 (t, j = 7.6 Hz,
1H), 7.85 (d, j = 7.9 Hz, 1
H), 8.60 (d, j = 4.8 Hz, 1H),
8.67 (d, j = 4.95 Hz, 1H), 8.7
5 (d, j = 2.2 Hz, 1H). MS (m / z): 312 (M ++ 1).

【0429】(製造例2)DMF(6ml)に、60%
水素化ナトリウム(80mg, 2mmol)を加え、
氷冷し、2−(3−メチル−1,2,5−オキサジアゾ
ール−4−イル)ピリジンメタノンオキシム(160m
g, 0.78mmol, E:Z=1:4)のDMF
(6ml)を加え、30分間撹拌した。この反応液に4
−クロロメチル−2−イソプロピオニルアミノチアゾー
ル(222mg, 1.02mmol)のDMF(6m
l)溶液を加え、室温で21時間撹拌した。反応液を減
圧にて濃縮後、残留物に酢酸エチル/塩化アンモニウム
水を加え、抽出した。抽出液は水洗後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒を留去し、残留物をカラムクロマト
グラフィーで精製し、(Z)−2−(3−メチル−1,
2,5−オキサジアゾール−4−イル)ピリジルメタノ
ン O−(2−イソプロピオニルアミノチアゾール−4
−イル)メチルオキシム(135mg)(化合物No.
32−(c)−5)を得た。
(Production Example 2) DMF (6 ml) was added to 60%
Add sodium hydride (80 mg, 2 mmol)
After cooling on ice, 2- (3-methyl-1,2,5-oxadiazol-4-yl) pyridinemethanone oxime (160 m
g, 0.78 mmol, E: Z = 1: 4) DMF
(6 ml) and stirred for 30 minutes. 4
-Chloromethyl-2-isopropionylaminothiazole (222 mg, 1.02 mmol) in DMF (6 m
l) The solution was added and stirred at room temperature for 21 hours. After the reaction solution was concentrated under reduced pressure, the residue was extracted with ethyl acetate / aqueous ammonium chloride solution. The extract was washed with water and dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off, and the residue was purified by column chromatography to give (Z) -2- (3-methyl-1,
2,5-oxadiazol-4-yl) pyridylmethanone O- (2-isopropionylaminothiazole-4
-Yl) methyl oxime (135 mg) (Compound No.
32- (c) -5) was obtained.

【0430】1H−NMR(CDCl3):δ1.28
(d, j=6.9Hz, 6H),2.28(s,
3H), 2.43〜2.80(m, 1H), 5.
29(s, 2H), 6.92(s, 1H),
7.75(t, j=7.7Hz, 1H), 7.9
4(d, j=8.0Hz, 1H), 8.53
(d, j=4.8Hz, 1H), 8.83〜9.
09(brd, 1H). MS(m/z): 386(M+).
1H-NMR (CDCl 3 ): δ 1.28
(D, j = 6.9 Hz, 6H), 2.28 (s,
3H), 2.43 to 2.80 (m, 1H), 5.
29 (s, 2H), 6.92 (s, 1H),
7.75 (t, j = 7.7 Hz, 1H), 7.9
4 (d, j = 8.0 Hz, 1H), 8.53
(D, j = 4.8 Hz, 1H), 8.83-9.
09 (brd, 1H). MS (m / z): 386 (M <+> ).

【0431】(製造例3)DMF(2ml)に、60%
水素化ナトリウム(19mg, 0.47mmol)を
加え、氷冷し、3−(3−メチル−1,2,5−チアジ
アゾール−4−イル)ピリジンメタノンオキシム(44
mg, 0.2mmol, E:Z=1:2.3)を加
え、30分間撹拌した。この反応液に2−ブロモメチル
−6−イソプロピオニルアミノピリジン(57mg,
0.22mmol)のDMF(1ml)溶液を加え、室
温で3日間撹拌した。反応液を減圧にて濃縮後、残留物
に酢酸エチル/炭酸水素ナトリウム水を加え、抽出し
た。抽出液は水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶
媒を留去し、残留物をカラムクロマトグラフィーで精製
し、(Z)−3−(3−メチル−1,2,5−チアジア
ゾール−4−イル)ピリジルメタノン O−(6−イソ
プロピオニルアミノピリジン−2−イル)メチルオキシ
ム(74mg)(化合物No.29−(b)−25)を
得た。
(Production Example 3) DMF (2 ml) was added with 60%
Sodium hydride (19 mg, 0.47 mmol) was added, and the mixture was cooled on ice, and 3- (3-methyl-1,2,5-thiadiazol-4-yl) pyridinemethanone oxime (44
mg, 0.2 mmol, E: Z = 1: 2.3) and stirred for 30 minutes. To this reaction solution was added 2-bromomethyl-6-isopropionylaminopyridine (57 mg,
(0.22 mmol) in DMF (1 ml) was added and stirred at room temperature for 3 days. After the reaction solution was concentrated under reduced pressure, ethyl acetate / aqueous sodium hydrogen carbonate solution was added to the residue, followed by extraction. The extract was washed with water and dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off, the residue was purified by column chromatography, and (Z) -3- (3-methyl-1,2,5-thiadiazol-4-yl) pyridylmethanone O- (6-isopropionylamino (Pyridin-2-yl) methyl oxime (74 mg) (Compound No. 29- (b) -25) was obtained.

【0432】1H−NMR(CDCl3):δ1.27
(d, j=6.9Hz, 6H),2.49(s,3
H), 2.56(m, 1H), 5.25(s,
2H), 7.02(d, j=7.6Hz, 1
H), 7.30(dd, j=4.8, 8.0H
z, 1H), 7.71(t, j=8.0Hz,
1H), 7.80(dt, j=1.9, 8.1H
z, 1H), 7.94(brs, 1H), 8.
17(d, j=8.1Hz, 1H), 8.63
(dd, j=1.4, 7.6Hz, 1H),
8.63(d, j=4.8Hz, 1H). MS(m/z): 396(M+).
1H-NMR (CDCl 3 ): δ 1.27
(D, j = 6.9 Hz, 6H), 2.49 (s, 3
H), 2.56 (m, 1H), 5.25 (s,
2H), 7.02 (d, j = 7.6 Hz, 1
H), 7.30 (dd, j = 4.8, 8.0H
z, 1H), 7.71 (t, j = 8.0 Hz,
1H), 7.80 (dt, j = 1.9, 8.1H
z, 1H), 7.94 (brs, 1H), 8.
17 (d, j = 8.1 Hz, 1H), 8.63
(Dd, j = 1.4, 7.6 Hz, 1H),
8.63 (d, j = 4.8 Hz, 1H). MS (m / z): 396 (M <+> ).

【0433】(製造例4)(Z)−2−(5−メチル−
1,2,3−チアジアゾール−4−イル)チエニルメタ
ノンオキシム(130mg, 0.58mmol,
E:Z=1:4)のアセトニトリル(7.5ml)溶液
に炭酸カリウム(140mg, 0.99mmol)及
び2−ピコリルクロリド(91mg, 0.72mmo
l)を加え、16時間加熱還流した。反応液に水を加
え、酢酸エチルで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウムで
乾燥した。溶媒を留去し、残留物をカラムクロマトグラ
フィーで精製し、(Z)−2−(5−メチル−1,2,
3−チアジアゾール−4−イル)チエニルメタノン O
−(2−ピリジル)メチルオキシム(163mg)(化
合物No.22−(a)−25)を得た。
(Production Example 4) (Z) -2- (5-methyl-
1,2,3-thiadiazol-4-yl) thienylmethanone oxime (130 mg, 0.58 mmol,
E: Z = 1: 4) in acetonitrile (7.5 ml) solution was mixed with potassium carbonate (140 mg, 0.99 mmol) and 2-picolyl chloride (91 mg, 0.72 mmol).
l) was added and the mixture was heated under reflux for 16 hours. Water was added to the reaction solution, extracted with ethyl acetate, washed with water, and dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off, and the residue was purified by column chromatography to obtain (Z) -2- (5-methyl-1,2,2,3).
3-thiadiazol-4-yl) thienylmethanone O
-(2-Pyridyl) methyl oxime (163 mg) (Compound No. 22- (a) -25) was obtained.

【0434】1H−NMR(CDCl3):δ2.56
(s, 3H), 5.36(s,2H), 6.85
(dd, j=1.1, 3.7Hz, 1H),
6.99(dd, j=3.7, 5.1Hz, 1
H), 7.20(m, 1H), 7.33(d,j
=8.5Hz, 1H), 7.36(dd, j=
1.1, 5.1Hz, 1H), 7.67(dd
d, j=1.6, 7.7,7.7Hz, 1H),
8.56(m, 1H). MS(m/z): 316(M+).
1H-NMR (CDCl 3 ): δ2.56
(S, 3H), 5.36 (s, 2H), 6.85
(Dd, j = 1.1, 3.7 Hz, 1H),
6.99 (dd, j = 3.7, 5.1 Hz, 1
H), 7.20 (m, 1H), 7.33 (d, j
= 8.5 Hz, 1H), 7.36 (dd, j =
1.1, 5.1 Hz, 1H), 7.67 (dd
d, j = 1.6, 7.7, 7.7 Hz, 1H),
8.56 (m, 1H). MS (m / z): 316 (M <+> ).

【0435】(製造例5)3−(5−メチル−1,2,
3−チアジアゾール−4−イル)チエニルメタノン(1
80mg, 0.86mmol)とヒドロキシルアミン
塩酸塩(147mg, 2.11mmol)をピリジン
(4ml)に溶かし、60℃にて17時間撹拌した。反
応液を減圧にて濃縮し、残留物に酢酸エチル/希塩酸を
加え抽出した。抽出液は希塩酸、水、飽和食塩水にて順
次洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留
去し、残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、
(Z)−3−(5−メチル−1,2,3−チアジアゾー
ル−4−イル)チエニルメタノンオキシム(136m
g)、及び(E)−3−(5−メチル−1,2,3−チ
アジアゾール−4−イル)チエニルメタノンオキシム
(57mg)(化合物No.36−(a)−6)を得
た。
(Production Example 5) 3- (5-Methyl-1,2,2,3)
3-thiadiazol-4-yl) thienylmethanone (1
80 mg, 0.86 mmol) and hydroxylamine hydrochloride (147 mg, 2.11 mmol) were dissolved in pyridine (4 ml) and stirred at 60 ° C. for 17 hours. The reaction solution was concentrated under reduced pressure, and the residue was extracted with ethyl acetate / dilute hydrochloric acid. The extract was washed with diluted hydrochloric acid, water and saturated saline in this order, and then dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off and the residue was purified by column chromatography,
(Z) -3- (5-Methyl-1,2,3-thiadiazol-4-yl) thienylmethanone oxime (136 m
g) and (E) -3- (5-Methyl-1,2,3-thiadiazol-4-yl) thienylmethanone oxime (57 mg) (Compound No. 36- (a) -6).

【0436】(Z)−3−(5−メチル−1,2,3−
チアジアゾール−4−イル)チエニルメタノンオキシム 1H−NMR(CDCl3):δ2.60(s, 3
H), 7.18(dd,j=1.3, 3.0Hz,
1H), 7.36(dd, j=3.0, 5.1H
z, 1H), 7.49(dd, j=1.3,
5.1Hz, 1H), 7.90(brd, 1
H). MS(m/z): 225(M+).
(Z) -3- (5-Methyl-1,2,3-
Thiadiazol-4-yl) thienylmethanone oxime 1H-NMR (CDCl 3 ): δ 2.60 (s, 3)
H), 7.18 (dd, j = 1.3, 3.0 Hz,
1H), 7.36 (dd, j = 3.0, 5.1H)
z, 1H), 7.49 (dd, j = 1.3,
5.1 Hz, 1H), 7.90 (brd, 1
H). MS (m / z): 225 (M <+> ).

【0437】(E)−3−(5−メチル−1,2,3−
チアジアゾール−4−イル)チエニルメタノンオキシム 1H−NMR(CDCl3):δ2.64(s, 3
H), 7.33(dd,j=3.0, 5.1Hz,
1H), 7.42(dd, j=1.3,5.1H
z, 1H), 8.03(dd, j=1.3,
3.0Hz, 1H), 9.2(brd, 1H). MS(m/z):225(M+
(E) -3- (5-Methyl-1,2,3-
Thiadiazol-4-yl) thienylmethanone oxime 1H-NMR (CDCl 3 ): δ 2.64 (s, 3)
H), 7.33 (dd, j = 3.0, 5.1 Hz,
1H), 7.42 (dd, j = 1.3, 5.1H)
z, 1H), 8.03 (dd, j = 1.3,
3.0 Hz, 1H), 9.2 (brd, 1H). MS (m / z): 225 (M + )

【0438】(製造例6)4−クロロフェニル(5−メ
チル−1,2,3−チアジアゾール−4−イル)メタノ
ン(3.24g, 13.6mmol)とヒドロキシル
アミン塩酸塩(2.32g, 33.4mmol)をピ
リジン(60ml)に溶かし、70℃にて6.5時間撹
拌した。反応液を減圧にて濃縮し、残留物に酢酸エチル
/希塩酸を加え抽出した。抽出液は希塩酸、水、飽和食
塩水にて順次洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を留去し、残留物をカラムクロマトグラフィー
で精製し、(Z)−4−クロロフェニル(5−メチル−
1,2,3−チアジアゾール−4−イル)メタノンオキ
シム(2.35g)、及び(E)−4−クロロフェニル
(5−メチル−1,2,3−チアジアゾール−4−イ
ル)メタノンオキシム(1.14g)(化合物No.3
4−(a)−3)を得た。
(Production Example 6) 4-Chlorophenyl (5-methyl-1,2,3-thiadiazol-4-yl) methanone (3.24 g, 13.6 mmol) and hydroxylamine hydrochloride (2.32 g, 33.3 g). 4 mmol) was dissolved in pyridine (60 ml) and stirred at 70 ° C. for 6.5 hours. The reaction solution was concentrated under reduced pressure, and the residue was extracted with ethyl acetate / dilute hydrochloric acid. The extract was washed with diluted hydrochloric acid, water and saturated saline in this order, and then dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off and the residue was purified by column chromatography to give (Z) -4-chlorophenyl (5-methyl-
1,2,3-thiadiazol-4-yl) methanone oxime (2.35 g) and (E) -4-chlorophenyl (5-methyl-1,2,3-thiadiazol-4-yl) methanone oxime ( 1.14 g) (Compound No. 3)
4- (a) -3) was obtained.

【0439】(Z)−4−クロロフェニル(5−メチル
−1,2,3−チアジアゾール−4−イル)メタノンオ
キシム 1H−NMR(CDCl3):δ2.57(s, 3
H), 7.34(d,j=8.9Hz,2H),
7.43(d, j=8.9Hz, 2H), 8.0
4(s, 1H). MS(m/z): 253(M+).
(Z) -4-Chlorophenyl (5-methyl-1,2,3-thiadiazol-4-yl) methanone oxime 1H-NMR (CDCl 3 ): δ2.57 (s, 3
H), 7.34 (d, j = 8.9 Hz, 2H),
7.43 (d, j = 8.9 Hz, 2H), 8.0
4 (s, 1H). MS (m / z): 253 (M + ).

【0440】(E)−4−クロロフェニル(5−メチル
−1,2,3−チアジアゾール−4−イル)メタノンオ
キシム 1H−NMR(CDCl3):δ2.70(s, 3
H), 7.43(d,j=8.9Hz,2H),
7.50(d, j=8.9Hz, 2H), 8.1
3(s, 1H). MS(m/z): 253(M+).
(E) -4-Chlorophenyl (5-methyl-1,2,3-thiadiazol-4-yl) methanone oxime 1H-NMR (CDCl 3 ): δ 2.70 (s, 3)
H), 7.43 (d, j = 8.9 Hz, 2H),
7.50 (d, j = 8.9 Hz, 2H), 8.1
3 (s, 1H). MS (m / z): 253 (M + ).

【0441】(製造例7)4−フルオロフェニル(3−
メチル−1,2,5−チアジアゾール−4−イル)メタ
ノン(1.0g, 4.5mmol)とヒドロキシルア
ミン塩酸塩(0.44g, 6.3mmol)をエタノ
ール(10ml)と水(5ml)に溶かし、炭酸カリウ
ム(0.37g, 2.7mmol)を加え、90℃に
て16時間撹拌した。反応液を減圧にて濃縮し、残留物
に酢酸エチル/水を加え抽出した。抽出液は水、飽和食
塩水にて順次洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を留去し、残留物をカラムクロマトグラフィー
で精製し、(Z)−4−フルオロフェニル(3−メチル
−1,2,5−チアジアゾール−4−イル)メタノンオ
キシム及び(E)−4−フルオロフェニル(3−メチル
−1,2,5−チアジアゾール−4−イル)メタノンオ
キシムの混合物(E:Z=1:3.7, 1.13g)
(化合物No.34−(b)−13)を得た。
(Production Example 7) 4-Fluorophenyl (3-
Methyl-1,2,5-thiadiazol-4-yl) methanone (1.0 g, 4.5 mmol) and hydroxylamine hydrochloride (0.44 g, 6.3 mmol) are dissolved in ethanol (10 ml) and water (5 ml). Then, potassium carbonate (0.37 g, 2.7 mmol) was added, and the mixture was stirred at 90 ° C. for 16 hours. The reaction solution was concentrated under reduced pressure, and the residue was extracted with ethyl acetate / water. The extract was washed sequentially with water and saturated saline, and then dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off, the residue was purified by column chromatography, and (Z) -4-fluorophenyl (3-methyl-1,2,5-thiadiazol-4-yl) methanone oxime and (E) -4 Mixture of -fluorophenyl (3-methyl-1,2,5-thiadiazol-4-yl) methanone oxime (E: Z = 1: 3.7, 1.13 g)
(Compound No. 34- (b) -13) was obtained.

【0442】1H−NMR(CDCl3):δ2.53
(Z), 2.70(E)(s, 3H), 6.90
〜7.21(m, 2H), 7.22〜7.60
(m, 2H), 8.52〜8.82(brd, 1
H). MS(m/z): 237(M+).
1H-NMR (CDCl 3 ): δ2.53
(Z), 2.70 (E) (s, 3H), 6.90
~ 7.21 (m, 2H), 7.22 ~ 7.60
(M, 2H), 8.52 to 8.82 (brd, 1
H). MS (m / z): 237 (M <+> ).

【0443】(製造例8)4−フルオロフェニル(3−
メチル−1,2,5−オキサジアゾール−4−イル)メ
タノン(752mg, 3.65mmol)と50%ヒ
ドロキシルアミン水溶液(730mg, 11.0mm
ol)をメタノール(10ml)と水(2ml)に溶か
し、80℃にて16時間撹拌した。反応液を減圧にて濃
縮した後、残留物を酢酸エチルで抽出した。抽出液は飽
和食塩水にて洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶
媒を留去し、残留物をカラムクロマトグラフィーで精製
し、(Z)−4−フルオロフェニル(3−メチル−1,
2,5−オキサジアゾール−4−イル)メタノンオキシ
ム(557mg)(化合物No.34−(c)−13)
を得た。
(Production Example 8) 4-Fluorophenyl (3-
Methyl-1,2,5-oxadiazol-4-yl) methanone (752 mg, 3.65 mmol) and 50% aqueous hydroxylamine solution (730 mg, 11.0 mm)
ol) was dissolved in methanol (10 ml) and water (2 ml) and stirred at 80 ° C for 16 hours. After the reaction solution was concentrated under reduced pressure, the residue was extracted with ethyl acetate. The extract was washed with saturated saline and dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off, and the residue was purified by column chromatography to give (Z) -4-fluorophenyl (3-methyl-1,
2,5-oxadiazol-4-yl) methanone oxime (557 mg) (Compound No. 34- (c) -13)
I got

【0444】1H−NMR(CDCl3):δ2.38
(Z)(s, 3H), 7.00〜7.18(m,
2H), 7.46〜7.64(m, 2H), 7.
90(s, 1H). MS(m/z): 221(M+).
1H-NMR (CDCl 3 ): δ 2.38
(Z) (s, 3H), 7.00 to 7.18 (m,
2H), 7.46 to 7.64 (m, 2H), 7.
90 (s, 1H). MS (m / z): 221 (M <+> ).

【0445】(製造例9)DMF(1ml)に、60%
水素化ナトリウム(20mg, 0.51mmol)を
加え、氷冷し、(Z)−4−フルオロフェニル(3−メ
チル−1,2,5−チアジアゾール−4−イル)メタノ
ンオキシム(48mg, 0.2mmol)を加え、1
0分間撹拌した。この反応液に2−ブロモメチル−6−
イソプロピオニルアミノピリジン(52mg, 0.2
0mmol)のDMF(1ml)溶液を加え、室温で1
8時間撹拌した。反応液を減圧にて濃縮後、残留物に酢
酸エチル/水を加え、抽出した。抽出液は水洗後、硫酸
マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、残留物をカラ
ムクロマトグラフィーで精製し、(Z)−4−フルオロ
フェニル(3−メチル−1,2,5−チアジアゾール−
4−イル)メタノンO−(6−イソプロピオニルアミノ
ピリジン−2−イル)メチルオキシム(36mg)(化
合物No.12−(b)−13)を得た。
(Production Example 9) DMF (1 ml) was added with 60%
Sodium hydride (20 mg, 0.51 mmol) was added, and the mixture was ice-cooled, and (Z) -4-fluorophenyl (3-methyl-1,2,5-thiadiazol-4-yl) methanone oxime (48 mg, 0.1 mg) was added. 2 mmol) and 1
Stirred for 0 minutes. To this reaction solution was added 2-bromomethyl-6-
Isopropionylaminopyridine (52 mg, 0.2
0 mmol) in DMF (1 ml).
Stir for 8 hours. After the reaction solution was concentrated under reduced pressure, ethyl acetate / water was added to the residue and extracted. The extract was washed with water and dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off, and the residue was purified by column chromatography to give (Z) -4-fluorophenyl (3-methyl-1,2,5-thiadiazole-
4-yl) methanone O- (6-isopropionylaminopyridin-2-yl) methyl oxime (36 mg) (Compound No. 12- (b) -13) was obtained.

【0446】1H−NMR(CDCl3):δ1.21
(d, j=7.0Hz, 6H),2.47(s,
3H), 2.54(m, 1H), 5.21(s,
2H), 7.03(dd, j=8.2, 9.0
Hz, 2H), 7.05(d, j=7.2Hz,
1H), 7.41(dd, j=5.4, 9.0
Hz, 2H), 7.69(dd, j=7.2,
8.2Hz, 1H),7.86(brs, 1H),
8.15(d, j=8.2Hz, 1H). MS(m/z): 414(M++1).
1H-NMR (CDCl 3 ): δ 1.21
(D, j = 7.0 Hz, 6H), 2.47 (s,
3H), 2.54 (m, 1H), 5.21 (s,
2H), 7.03 (dd, j = 8.2, 9.0
Hz, 2H), 7.05 (d, j = 7.2 Hz,
1H), 7.41 (dd, j = 5.4, 9.0
Hz, 2H), 7.69 (dd, j = 7.2,
8.2 Hz, 1H), 7.86 (brs, 1H),
8.15 (d, j = 8.2 Hz, 1H). MS (m / z): 414 (M ++ l).

【0447】(製造例10)DMF(1ml)に、60
%水素化ナトリウム(18mg, 0.46mmol)
を加え、氷冷し、(Z)−4−フルオロフェニル(3−
メチル−1,2,5−オキサジアゾール−4−イル)メ
タノンオキシム(41mg, 0.18mmol)を加
え、10分間撹拌した。この反応液に2−ブロモメチル
−6−tert−ブチロイルアミノピリジン(50m
g, 0.18mmol)のDMF(1ml)溶液を加
え、室温で18.5時間撹拌した。反応液を減圧にて濃
縮後、残留物に酢酸エチル/水を加え、抽出した。抽出
液は水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去
し、残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、
(Z)−4−フルオロフェニル(3−メチル−1,2,
5−オキサジアゾール−4−イル)メタノン O−(6
−tert−ブチロイルアミノピリジン−2−イル)メ
チルオキシム(22mg)(化合物No.14−(c)
−13)を得た。
(Production Example 10) DMF (1 ml) was mixed with 60
% Sodium hydride (18 mg, 0.46 mmol)
, And cooled on ice to give (Z) -4-fluorophenyl (3-
Methyl-1,2,5-oxadiazol-4-yl) methanone oxime (41 mg, 0.18 mmol) was added and stirred for 10 minutes. To this reaction solution was added 2-bromomethyl-6-tert-butyroylaminopyridine (50 m
g, 0.18 mmol) in DMF (1 ml) and stirred at room temperature for 18.5 hours. After the reaction solution was concentrated under reduced pressure, ethyl acetate / water was added to the residue and extracted. The extract was washed with water and dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off and the residue was purified by column chromatography,
(Z) -4-fluorophenyl (3-methyl-1,2,2,
5-oxadiazol-4-yl) methanone O- (6
-Tert-butyroylaminopyridin-2-yl) methyl oxime (22 mg) (Compound No. 14- (c)
-13) was obtained.

【0448】1H−NMR(CDCl3):δ1.33
(s, 9H), 2.33(s,3H), 5.25
(s, 2H), 7.01(d, j=7.6Hz,
1H), 7.06(dd, j=7.6, 8.2
Hz, 1H), 7.52(dd, j=5.3,
8.9Hz, 2H), 7.70(dd, j=7.
6, 8.2Hz, 1H), 7.98(brs,
1H), 8.18(d, j=8.2Hz, 1
H). MS(m/z): 412(M++1).
1H-NMR (CDCl 3 ): δ 1.33
(S, 9H), 2.33 (s, 3H), 5.25
(S, 2H), 7.01 (d, j = 7.6 Hz,
1H), 7.06 (dd, j = 7.6, 8.2)
Hz, 1H), 7.52 (dd, j = 5.3,
8.9 Hz, 2H), 7.70 (dd, j = 7.
6, 8.2 Hz, 1H), 7.98 (brs,
1H), 8.18 (d, j = 8.2 Hz, 1
H). MS (m / z): 412 (M ++ 1).

【0449】(製造例11)(1−(2−トリメチルシ
リルエトキシメチル)−4−メチルピラゾール−3−イ
ル)フェニルメタノン(0.30g, 0.95mmo
l)のピリジン(8ml)溶液に塩酸ヒドロキシルアミ
ン(0.17g,2.4mmol)を加え、70℃にて
6.5時間加熱撹拌した。反応液を濃縮後、残留物を酢
酸エチルに溶かし、希塩酸、飽和重曹水、飽和食塩水で
順次洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を
留去し、残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、
(Z)−(1−(2−トリメチルシリルエトキシメチ
ル)−4−メチルピラゾール−3−イル)フェニルメタ
ノンオキシム及び(E)−(1−(2−トリメチルシリ
ルエトキシメチル)−4−メチルピラゾール−3−イ
ル)フェニルメタノンオキシムの混合物(Z/E=60
/40, 0.31g)(化合物No.70−(a)−
21)を得た。1 H−NMR(CDCl3):δ−0.03, 0.00
(s, 9H), 0.88, 0.92(m, 2
H), 1.90, 2.03(s, 3H),3.5
3, 3.59(m, 2H), 5.33, 5.4
4(s, 2H), 7.30−7.55(m, 6
H), 7.72, 8.98(brd,1H).
(Production Example 11) (1- (2-trimethylsilylethoxymethyl) -4-methylpyrazol-3-yl) phenylmethanone (0.30 g, 0.95 mmol)
To a solution of 1) in pyridine (8 ml) was added hydroxylamine hydrochloride (0.17 g, 2.4 mmol), and the mixture was heated with stirring at 70 ° C. for 6.5 hours. After concentrating the reaction solution, the residue was dissolved in ethyl acetate, washed sequentially with diluted hydrochloric acid, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate and saturated brine, and dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off and the residue was purified by column chromatography,
(Z)-(1- (2-trimethylsilylethoxymethyl) -4-methylpyrazol-3-yl) phenylmethanone oxime and (E)-(1- (2-trimethylsilylethoxymethyl) -4-methylpyrazole-3 -Yl) phenylmethanone oxime mixture (Z / E = 60
/ 40, 0.31 g) (Compound No. 70- (a)-
21) was obtained. 1 H-NMR (CDCl 3 ): δ-0.03, 0.00
(S, 9H), 0.88, 0.92 (m, 2
H), 1.90, 2.03 (s, 3H), 3.5
3, 3.59 (m, 2H), 5.33, 5.4
4 (s, 2H), 7.30-7.55 (m, 6
H), 7.72, 8.98 (brd, 1H).

【0450】(製造例12)(Z)−(1−(2−トリ
メチルシリルエトキシメチル)−4−メチルピラゾール
−3−イル)フェニルメタノンオキシム及び(E)−
(1−(2−トリメチルシリルエトキシメチル)−4−
メチルピラゾール−3−イル)フェニルメタノンオキシ
ムの混合物(0.10g, 0.30mmol)のDM
F(4ml)溶液を氷冷し、水素化ナトリウム(30m
g, 0.75mmol)と4−クロロメチル−2−イ
ソプロピオニルアミノチアゾール(82mg, 0.3
8mmol)を撹拌しながら加えた。反応液を室温に戻
し、3時間撹拌した。反応液に飽和塩化アンモニウム水
を加え、酢酸エチルで抽出した。抽出液は飽和食塩水で
洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、
残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、(Z)−
(1−(2−トリメチルシリルエトキシメチル)−4−
メチルピラゾール−3−イル)フェニルメタノン O−
(2−イソプロピルアミノチアゾール−4−イル)メチ
ルオキシムと(E)−(1−(2−トリメチルシリルエ
トキシメチル)−4−メチルピラゾール−3−イル)フ
ェニルメタノンO−(2−イソプロピルアミノチアゾー
ル−4−イル)メチルオキシムの混合物(Z/E=65
/35, 110mg)(化合物No.59−(a)−
5)を得た。1 H−NMR(CDCl3):δ−0.03, 0.00
(s, 9H), 0.87, 0.90(m, 2
H), 1.24(d, j=7.0Hz, 6H),
1.94, 2.03(s, 3H), 2.59
(seq, j=7.0Hz, 1H), 3.51,
3.55(m, 2H), 5.20, 5.24
(s, 2H), 5.31, 5.40(s, 2
H), 6.85,6.88(s, 1H), 7.2
5−7.40(m, 3H), 7.40−7.56
(m, 3H), 9.30(brd, 1H). MS(m/z): 513(M+).
(Production Example 12) (Z)-(1- (2-Trimethylsilylethoxymethyl) -4-methylpyrazol-3-yl) phenylmethanone oxime and (E)-
(1- (2-trimethylsilylethoxymethyl) -4-
Methylpyrazol-3-yl) phenylmethanone oxime mixture (0.10 g, 0.30 mmol) in DM
The F (4 ml) solution was cooled with ice, and sodium hydride (30 m
g, 0.75 mmol) and 4-chloromethyl-2-isopropionylaminothiazole (82 mg, 0.3
8 mmol) were added with stirring. The reaction solution was returned to room temperature and stirred for 3 hours. A saturated aqueous ammonium chloride solution was added to the reaction solution, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The extract was washed with saturated saline and dried over magnesium sulfate. Evaporate the solvent,
The residue was purified by column chromatography to give (Z)-
(1- (2-trimethylsilylethoxymethyl) -4-
Methylpyrazol-3-yl) phenylmethanone O-
(2-Isopropylaminothiazol-4-yl) methyloxime and (E)-(1- (2-trimethylsilylethoxymethyl) -4-methylpyrazol-3-yl) phenylmethanone O- (2-isopropylaminothiazole- Mixture of 4-yl) methyl oximes (Z / E = 65
/ 35, 110 mg) (Compound No. 59- (a)-
5) was obtained. 1 H-NMR (CDCl 3 ): δ-0.03, 0.00
(S, 9H), 0.87, 0.90 (m, 2
H), 1.24 (d, j = 7.0 Hz, 6H),
1.94, 2.03 (s, 3H), 2.59
(Seq, j = 7.0 Hz, 1H), 3.51,
3.55 (m, 2H), 5.20, 5.24
(S, 2H), 5.31, 5.40 (s, 2
H), 6.85, 6.88 (s, 1H), 7.2
5-7.40 (m, 3H), 7.40-7.56
(M, 3H), 9.30 (brd, 1H). MS (m / z): 513 (M <+> ).

【0451】(製造例13)4−フルオロフェニル(3
−メチルピラジン−2−イル)メタノン(0.58g,
2.7mmol)のピリジン(10ml)溶液に塩酸
ヒドロキシルアミン(0.47g,6.7mmol)を
加え、60℃にて5時間加熱撹拌した。反応液を濃縮
後、残留物を酢酸エチルに溶かし、希塩酸、飽和重曹
水、飽和食塩水で順次洗浄した後、硫酸マグネシウムで
乾燥した。溶媒を留去し、残留物をカラムクロマトグラ
フィーで精製し、(Z)−4−フルオロフェニル(3−
メチルピラジン−2−イル)メタノンオキシム(0.4
3g)、及び(E)−4−フルオロフェニル(3−メチ
ルピラジン−2−イル)メタノンオキシム(0.13
g、化合物No.64−(d)−13)を得た。 (Z)−4−フルオロフェニル(3−メチルピラジン−
2−イル)メタノンオキシム1 H−NMR(CDCl3):δ2.52(s, 3
H), 7.04(m, 2H), 7.42(m,
2H), 8.18(brd, 1H), 8.56
(s, 2H). (E)−4−フルオロフェニル(3−メチルピラジン−
2−イル)メタノンオキシム1 H−NMR(CDCl3):δ2.58(s, 3
H), 7.09(m, 2H), 7.56(m,
2H), 8.48(d, j=2.6Hz, 1
H), 8.50(d, j=2.6Hz, 1H),
9.86(brd, 1H).
(Production Example 13) 4-Fluorophenyl (3
-Methylpyrazin-2-yl) methanone (0.58 g,
To a solution of (2.7 mmol) in pyridine (10 ml) was added hydroxylamine hydrochloride (0.47 g, 6.7 mmol), and the mixture was heated and stirred at 60 ° C for 5 hours. After concentrating the reaction solution, the residue was dissolved in ethyl acetate, washed sequentially with diluted hydrochloric acid, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate and saturated brine, and dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off, the residue was purified by column chromatography, and (Z) -4-fluorophenyl (3-
Methylpyrazin-2-yl) methanone oxime (0.4
3g), and (E) -4-fluorophenyl (3-methylpyrazin-2-yl) methanone oxime (0.13
g, Compound No. 64- (d) -13) was obtained. (Z) -4-fluorophenyl (3-methylpyrazine-
2-yl) methanone oxime 1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 2.52 (s, 3
H), 7.04 (m, 2H), 7.42 (m,
2H), 8.18 (brd, 1H), 8.56
(S, 2H). (E) -4-fluorophenyl (3-methylpyrazine-
2-yl) methanone oxime 1 H-NMR (CDCl 3 ): δ2.58 (s, 3
H), 7.09 (m, 2H), 7.56 (m,
2H), 8.48 (d, j = 2.6 Hz, 1
H), 8.50 (d, j = 2.6 Hz, 1H),
9.86 (brd, 1H).

【0452】(製造例14)(Z)−4−フルオロフェ
ニル(3−メチルピラジン−2−イル)メタノンオキシ
ム(90mg, 0.39mmol)のDMF(4m
l)溶液を氷冷し、水素化ナトリウム(47mg,
1.2mmol)と4−クロロメチル−2−tert−
ブチロイルアミノチアゾール(100mg, 0.43
mmol)を撹拌しながら加えた。反応液を室温に戻
し、3.5時間撹拌した。反応液に飽和塩化アンモニウ
ム水を加え、酢酸エチルで抽出した。抽出液は飽和食塩
水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去
し、残留物をカラムクロマトグラフィーで精製し、
(Z)−4−フルオロフェニル(3−メチルピラジン−
2−イル)メタノン O−(2−tert−ブチロイル
アミノチアゾール−4−イル)メチルオキシム(123
mg、化合物No.50−(d)−4)を得た。1 H−NMR(CDCl3):δ1.32(s, 9
H), 2.44(s, 3H), 5.19(s,
2H), 6.84(s, 1H), 7.03(m,
2H), 7.42(m, 2H), 8.52
(s, 2H), 8.94(brd, 1H).
(Production Example 14) DMF of (Z) -4-fluorophenyl (3-methylpyrazin-2-yl) methanone oxime (90 mg, 0.39 mmol) (4 m
l) The solution was cooled on ice and sodium hydride (47 mg,
1.2 mmol) and 4-chloromethyl-2-tert-
Butyroylaminothiazole (100 mg, 0.43
mmol) was added with stirring. The reaction solution was returned to room temperature and stirred for 3.5 hours. A saturated aqueous ammonium chloride solution was added to the reaction solution, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The extract was washed with saturated saline and dried over magnesium sulfate. The solvent was distilled off and the residue was purified by column chromatography,
(Z) -4-fluorophenyl (3-methylpyrazine-
2-yl) methanone O- (2-tert-butyroylaminothiazol-4-yl) methyl oxime (123
mg, Compound No. 50- (d) -4) was obtained. 1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 1.32 (s, 9
H), 2.44 (s, 3H), 5.19 (s,
2H), 6.84 (s, 1H), 7.03 (m,
2H), 7.42 (m, 2H), 8.52
(S, 2H), 8.94 (brd, 1H).

【0453】これらの製造例と同様にして製造したオキ
シム誘導体及びヒドロキシム誘導体の1H−NMRスペ
クトル、マススペクトル等の物理化学データをまとめ
て、表72〜表91に示す。表中の化合物の表示は、例
えば、1−(a)−1の化合物は、表1の化合物でHet
Bが(a)であるNo.1の化合物であることを示す。
Tables 72 to 91 collectively show physicochemical data such as 1 H-NMR spectrum and mass spectrum of the oxime derivative and hydroxyme derivative produced in the same manner as in these Production Examples. The indication of the compounds in the table is, for example, that the compound of 1- (a) -1 is the compound of Table 1 with Het.
No. B in which B is (a). 1 is shown.

【0454】[0454]

【表72】 [Table 72]

【0455】[0455]

【表73】 [Table 73]

【0456】[0456]

【表74】 [Table 74]

【0457】[0457]

【表75】 [Table 75]

【0458】[0458]

【表76】 [Table 76]

【0459】[0459]

【表77】 [Table 77]

【0460】[0460]

【表78】 [Table 78]

【0461】[0461]

【表79】 [Table 79]

【0462】[0462]

【表80】 [Table 80]

【0463】[0463]

【表81】 [Table 81]

【0464】[0464]

【表82】 [Table 82]

【0465】[0465]

【表83】 [Table 83]

【0466】[0466]

【表84】 [Table 84]

【0467】[0467]

【表85】 [Table 85]

【0468】[0468]

【表86】 [Table 86]

【0469】[0469]

【表87】 [Table 87]

【0470】[0470]

【表88】 [Table 88]

【0471】[0471]

【表89】 [Table 89]

【0472】[0472]

【表90】 [Table 90]

【0473】[0473]

【表91】 [Table 91]

【0474】次に、本発明の化合物を用いた製剤例を示
す。製剤例並びに防除試験に用いた本発明の化合物は、
特に記載のない限り、(Z)体と(E)体との混合物で
ある。
Next, Formulation Examples using the compound of the present invention will be shown. Formulation Examples and the compound of the present invention used in the control test,
Unless otherwise specified, it is a mixture of the (Z) form and the (E) form.

【0475】(製剤例1)粉剤 本発明のオキシム誘導体2重量部をそれぞれ、クレー9
8重量部と混合粉砕し、粉剤とした。
(Preparation Example 1) Powder 2 parts by weight of the oxime derivative of the present invention was added to clay 9
8 parts by weight were mixed and pulverized to obtain a powder.

【0476】(製剤例2)水和剤 本発明のオキシム誘導体20重量部をそれぞれ、クレー
68重量部、ホワイトカーボン8重量部及びポリオキシ
エチレンノニルフェニルエーテル4重量部と混合粉砕
し、水和剤とした。
(Formulation Example 2) Wettable powder 20 parts by weight of the oxime derivative of the present invention were mixed and ground with 68 parts by weight of clay, 8 parts by weight of white carbon and 4 parts by weight of polyoxyethylene nonylphenyl ether, respectively. And

【0477】(製剤例3)粒剤 本発明のオキシム誘導体5重量部をそれぞれ、ベントナ
イト及びタルクの等量混合物90重量部及びアルキルベ
ンゼンスルホン酸ナトリウム5重量部と混合粉砕し、粒
剤に成型した。
(Formulation Example 3) Granules 5 parts by weight of the oxime derivative of the present invention were mixed and ground with 90 parts by weight of an equal mixture of bentonite and talc and 5 parts by weight of sodium alkylbenzenesulfonate to form granules.

【0478】次に本発明が植物病害防除剤として有用で
あることを試験例で示す。防除効果は、ポット試験で
は、調査時の供試植物の発病状態すなわち葉、茎等の菌
叢、病斑の程度を肉眼観察し、抗菌力試験では、菌叢直
径を測定し、菌叢、病斑が全く認められなければ
「5」、10%程度認められれば「4」、30%程度認め
られれば「3」、50%程度認められれば「2」、70%
程度認められれば「1」、それ以上は「0」として、6段
階評価し、それぞれ5,4,3,2,1,0で示す。
Next, Test Examples show that the present invention is useful as a plant disease controlling agent. In the pot test, in the pot test, the disease state of the test plant at the time of the investigation, ie, the flora of leaves, stems, etc., the degree of lesions are visually observed, and in the antibacterial activity test, the flora diameter is measured, the flora, "5" if no lesions are found, "4" if about 10%, "3" if about 30%, "2", 70% if about 50%
If the degree is recognized, it is evaluated as “1”, and if it is higher, it is evaluated as “0”, and it is evaluated on a 6-point scale, and is indicated as 5, 4, 3, 2, 1, 0, respectively.

【0479】(試験例1) イネいもち病防除効果試験
(ポット試験) 直径9cmのプラスチックポットに育苗した3〜4葉期のイ
ネ(品種:愛知旭)に(製剤例2)の方法に準じて作製
した水和剤を、有効成分濃度が250mg/Lになるように界
面活性剤(0.02%)を含む水で希釈して茎葉散布した。
風乾後、イネいもち病菌(Pyricularia oryzae)の胞子
懸濁液を噴霧接種し、25℃の湿室に48時間置いた後、温
室内で発病させ、接種7日後に発病程度を調査した。結
果を表92に示す。
(Test Example 1) Rice Blast Control Effect Test (Pot Test) A 3 to 4 leaf stage rice (cultivar: Aichi Asahi) grown in a plastic pot having a diameter of 9 cm was prepared according to the method of (Formulation Example 2). The prepared wettable powder was diluted with water containing a surfactant (0.02%) so that the active ingredient concentration became 250 mg / L, and sprayed with foliage.
After air drying, a spore suspension of rice blast fungus ( Pyricularia oryzae ) was spray-inoculated, left in a moist chamber at 25 ° C. for 48 hours, then allowed to develop disease in a greenhouse, and 7 days after inoculation, the extent of the disease was investigated. The results are shown in Table 92.

【0480】[0480]

【表92】表92 [Table 92] Table 92

【0481】(試験例2) トマト疫病防除効果試験
(ポット試験) 直径9cmのプラスチックポットに育苗した3〜4葉期のト
マト(品種:豊福)に(製剤例2)の方法に準じて作製
した水和剤を、有効成分濃度が250mg/Lになるように界
面活性剤(0.02%)を含む水で希釈して茎葉散布した。
風乾後、トマト疫病菌(Phytophthora infestans)の胞
子懸濁液を噴霧接種し、20℃の湿室に24時間置いた後、
温室内で発病させ、接種5日後に発病程度を調査した。
結果を表93に示す。
(Test Example 2) Tomato late blight control effect test (pot test) Tomatoes of 3 to 4 leaf stage (cultivar: Toyofuku) grown in plastic pots having a diameter of 9 cm were prepared according to the method of (Formulation Example 2). The wettable powder was diluted with water containing a surfactant (0.02%) so that the active ingredient concentration became 250 mg / L, and sprayed with foliage.
After air-drying, spray inoculation of a spore suspension of the tomato blight fungus ( Phytophthora infestans ), and after placing in a 20 ° C moist chamber for 24 hours,
The disease was caused in a greenhouse, and the severity of the disease was investigated 5 days after inoculation.
The results are shown in Table 93.

【0482】[0482]

【表93】 [Table 93]

【0483】(試験例3) リンゴ斑点落葉病菌及びキ
ュウリつる割病菌防除効果試験(抗菌力試験) (製剤例2)の方法に準じて作製した水和剤を、有効成
分濃度が250mg/Lになるように界面活性剤(0.02%)を
含む水で希釈した。これを直径5cmのプラスチックシャ
ーレの中でポテトデキストロース寒天培地と混和し、50
mg/Lのサンプル含有培地を作製した。この培地にコルク
ボーラーで打ち抜いたリンゴ斑点落葉病菌(Alternaria
mali)及びキュウリつる割病菌(Fusarium oxysporu
m)の菌叢を植菌し、24℃で48時間培養した。菌の生育
後、菌叢直径を測定し、生育抑制率を計算した。結果を
表94(リンゴ斑点落葉病)、表95(キュウリつる割
病)に示す。
(Test Example 3) Test for controlling effect of apple spot leaf rot and cucumber wilt (antibacterial activity test) A wettable powder prepared according to the method of (Formulation Example 2) was prepared by adjusting the active ingredient concentration to 250 mg / L. It was diluted with water containing a surfactant (0.02%) to obtain a solution. Mix this with a potato dextrose agar in a 5 cm diameter plastic petri dish and add 50
A sample-containing medium of mg / L was prepared. In this medium, apple spot rot fungus ( Alternaria) punched with a cork borer
mali ) and cucumber vine wilt ( Fusarium oxysporu)
m ) was inoculated and cultured at 24 ° C. for 48 hours. After the growth of the bacteria, the flora diameter was measured, and the growth inhibition rate was calculated. The results are shown in Table 94 (Apple spot leaf disease) and Table 95 (Cucumber vine disease).

【0484】[0484]

【表94】 [Table 94]

【0485】[0485]

【表95】 [Table 95]

【0486】(試験例4) ブドウべと病防除効果試験 (製剤例2)の方法に準じて作製した水和剤を試験管に
入れ、有効成分濃度が5mg/Lになるように水で希釈し
た。この試験液に、直径10mmのコルクボーラーで打ち抜
いたブドウ(品種:ネオマスカット)のリーフディスク
を3枚入れた。30分後リーフディスクを取り出し、プラ
スチックシャーレに敷いた濾紙の上に、葉裏を上にして
並べた。濾紙を吸水させ、ブドウべと病菌(Plasmopara
viticola)の胞子懸濁液をリーフディスクの上に噴霧
接種した。プラスチックシャーレを密封した後、グロー
スキャビネット(25℃,5000Lx,14時間、18℃暗条件,10
時間、湿度70%)内で発病させた。7日後、発病程度を
調査した。結果を表96に示す。
(Test Example 4) Test for controlling efficacy of grape downy mildew A wettable powder prepared according to the method of (Formulation Example 2) was placed in a test tube, and diluted with water so that the active ingredient concentration became 5 mg / L. did. Three leaf disks of grapes (variety: Neo Muscat) punched with a cork borer having a diameter of 10 mm were put in this test solution. Thirty minutes later, the leaf disk was taken out and placed on a filter paper laid on a plastic petri dish with the back of the leaf facing upward. Absorb the filter paper and remove the grape downy mildew ( Plasmopara)
viticola ) was spray inoculated onto leaf disks. After sealing the plastic Petri dish, growth cabinet (25 ℃, 5000Lx, 14 hours, 18 ℃ dark condition, 10 ℃)
Time, humidity 70%). Seven days later, the severity of the disease was investigated. The results are shown in Table 96.

【0487】[0487]

【表96】 [Table 96]

【0488】[0488]

【発明の効果】本発明は、有用植物体に対する薬害が低
く、且つ、十分な薬効を有する新規なオキシム誘導体、
製造法及びこれを有効成分として含有する農薬、特に植
物病害防除剤を提供することができる。
Industrial Applicability The present invention provides a novel oxime derivative having a low phytotoxicity to useful plants and having a sufficient pharmacological effect.
It is possible to provide a production method and a pesticide containing the same as an active ingredient, particularly a plant disease controlling agent.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) A01N 43/78 A01N 43/78 D A 43/828 55/00 D 43/832 C07D 231/12 A 55/00 233/64 105 C07D 231/12 241/12 233/64 105 271/08 241/12 277/10 271/08 285/06 277/10 285/10 285/06 401/12 285/10 401/14 401/12 409/14 401/14 413/06 409/14 413/12 413/06 413/14 413/12 417/06 413/14 417/14 417/06 A01N 43/82 102 417/14 103 (72)発明者 坪井 宏幸 千葉県八千代市八千代台西10−12−4 (72)発明者 飯山 美香 千葉県佐倉市六崎143 (72)発明者 朝田 亨 千葉県印旛郡酒々井町中央台4−18−6 (72)発明者 後藤 孝史 千葉県佐倉市大崎台3−5−1 (72)発明者 佐藤 健一 神奈川県相模原市上溝35−11 (72)発明者 松谷 早苗 茨城県つくば市松代3−4−1 (72)発明者 後藤 伴子 千葉県佐倉市大崎台3−5−1 (72)発明者 萩原 恵美子 神奈川県相模原市共和1−3−33 Fターム(参考) 4C036 AD04 AD06 AD17 4C056 AA01 AB02 AC06 AD01 AE03 AF01 FA03 FA13 4C063 AA01 AA03 BB04 BB07 CC22 CC25 CC34 CC58 CC62 CC67 CC75 CC92 DD04 DD12 DD22 DD25 DD34 DD62 EE03 4H011 AA01 AA03 BA01 BB09 BB10 BC07 BC18 BC20 DA02 DA15 DC03 DC05 DD03 DD04 DE15 DF05 DG05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) A01N 43/78 A01N 43/78 D A 43/828 55/00 D 43/832 C07D 231/12 A 55 / 00 233/64 105 C07D 231/12 241/12 233/64 105 271/08 241/12 277/10 271/08 285/06 277/10 285/10 285/06 401/12 285/10 401/14 401 / 12 409/14 401/14 413/06 409/14 413/12 413/06 413/14 413/12 417/06 413/14 417/14 417/06 A01N 43/82 102 417/14 103 (72) Inventor, Hiroyuki Tsuboi 72) Inventor Takashi Goto 3-5-1 Osakidai, Sakura City, Chiba Prefecture (72) Inventor Kenichi Sato 35-11 Kamimizo, Sagamihara City, Kanagawa Prefecture (72) Inventor Matsu Sanae 3-4-1 Matsushiro, Tsukuba City, Ibaraki Prefecture (72) Inventor Tomoko Goto 3-5-1 Osakidai, Sakura City, Chiba Prefecture (72) Inventor Emiko Hagiwara 1-333 Kyowa, Sagamihara City, Kanagawa Prefecture F-term (reference) ) 4C036 AD04 AD06 AD17 4C056 AA01 AB02 AC06 AD01 AE03 AF01 FA03 FA13 4C063 AA01 AA03 BB04 BB07 CC22 CC25 CC34 CC58 CC62 CC67 CC75 CC92 DD04 DD12 DD22 DD25 DD34 DD62 EE03 4H011 AA01 AA03 BA01 BC15 DD03 DD03 DD01 DF05 DG05

Claims (41)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記の一般式(1) 【化1】 [式中、HetAは下記の3つの式 【化2】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R1は水素原子、低級アルキル基、ハロゲ
ン原子で置換された低級アルキル基、シクロアルキル
基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、アラルキル
基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級アルキル基及
び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる1種以上の
置換基で置換されたアリール基;であり、R2は水素原
子又は低級アルキル基である。)のいずれか1つで表さ
れる基を示し、HetBは下記9つの式 【化3】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基であり、R3
は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基を有してい
ても良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つで表される基を示し、HetC
は下記の9つの式 【化4】 (式中、R4は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級
アルコキシ基又はシアノ基であり、Zは水素原子、ハロ
ゲン原子又は低級アルキル基であり、nは0〜3であ
る。)のいずれか1つで表される基である。但し、Het
Aが下記2つの式 【化5】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R1は水素原子、低級アルキル基、ハロゲ
ン原子で置換された低級アルキル基、シクロアルキル
基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、アラルキル
基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級アルキル基及
び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる1種以上の
置換基で置換されたアリール基;であり、R2は水素原
子又は低級アルキル基である。)のいずれか1つで表さ
れる基であり、HetBが下記の3つの式 【化6】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基を示す。)の
いずれか1つの環構造で表される基であり、HetCが下
記式 【化7】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級アルコキシ
基又はシアノ基であり、nは0〜3である。)で表され
る基である場合を除く。]で表されるオキシム誘導体。
1. The following general formula (1): [Wherein HetA is the following three formulas: (In the formula, Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, or a lower alkynyl group. R 2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group; an aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group; HetB is a group represented by any one of the following nine formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 3
Represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. ) Represents a group represented by any one of the above, HetC
Is the following 9 formulas (Wherein, R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a halogen atom, It is a lower alkyl group, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group or a cyano group substituted with an atom, Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n is 0-3. ) Is a group represented by any one of the above. However, Het
A is the following two formulas: (In the formula, Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, or a lower alkynyl group. R 2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group; an aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group; HetB is a group represented by any one of the following three formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and HetC is a group represented by the following formula: Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom or a cyano group, and n is 0 to 3 ) Is excluded. An oxime derivative represented by the formula:
【請求項2】 一般式(1) 【化8】 [式中、HetAは下記の3つの式 【化9】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R1は水素原子、低級アルキル基、ハロゲ
ン原子で置換された低級アルキル基、シクロアルキル
基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、アラルキル
基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級アルキル基及
び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる1種以上の
置換基で置換されたアリール基;であり、R2は水素原
子又は低級アルキル基である。)のいずれか1つで表さ
れる基を示し、HetBは下記の3つの式 【化10】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基を示す。)の
いずれか1つの環構造で表される基を示し、HetCは下
記の8つの式 【化11】 (式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R4は水素原子、低級アルキル基、または
シリル基を有していても良い低級アルコキシ基で置換さ
れた低級アルキル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基であり、nは
0から3である。)のいずれか1つの環構造で表される
基である。]で表されるオキシム誘導体。
2. A compound of the general formula (1) [Wherein HetA is the following three formulas: (In the formula, Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, or a lower alkynyl group. R 2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group; an aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group; Is a group represented by any one of the following, and HetB represents the following three formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and a group represented by any one of the ring structures, and HetC represents the following eight formulas: (Wherein, Z is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, and n is 0 to 3.). ] The oxime derivative represented by these.
【請求項3】 下記一般式(1) 【化12】 [式中、HetAは下記の式 【化13】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R1は水素原子、低級アルキル基、ハロゲ
ン原子で置換された低級アルキル基、シクロアルキル
基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、アラルキル
基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級アルキル基及
び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる1種以上の
置換基で置換されたアリール基;であり、R2は水素原
子又は低級アルキル基である。)で表される基を示し、
HetBは下記の3つの式 【化14】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基を示す。)の
いずれか1つの環構造で表される基を示し、HetCは下
記の式 【化15】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級アルコキシ
基、又はシアノ基であり、nは0から3である。)で表
される基である。]で表されるオキシム誘導体。
3. The following general formula (1): Wherein HetA is represented by the following formula: (In the formula, Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, or a lower alkynyl group. R 2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group; an aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group; Represents a group represented by
HetB has the following three formulas: Wherein Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, and HetC represents a group represented by the following formula: (Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, or a cyano group, and n is from 0 to 3).) ] The oxime derivative represented by these.
【請求項4】 下記一般式(1) 【化16】 [式中、HetAは下記の3つの式 【化17】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子又は低級アルキル
基であり、R1は水素原子、低級アルキル基、ハロゲン
原子で置換された低級アルキル基、シクロアルキル基、
低級アルケニル基、低級アルキニル基、アラルキル基、
アリール基又は;ハロゲン原子、低級アルキル基及び低
級アルコキシ基からなる群から選ばれる1種以上の置換
基で置換されたアリール基;であり、R2は水素原子又
は低級アルキル基である。)のいずれか1つで表される
基を示し、HetBは下記の6つの式 【化18】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基であり、R3
は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基を有してい
ても良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つで表される基を示し、HetC
は下記の6つの式 【化19】 (式中、R4は水素原子又は低級アルキル基であり、X
は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、ハロゲン
原子で置換された低級アルキル基、低級アルコキシ基又
はハロゲン原子で置換された低級アルコキシ基であり、
Zは水素原子、ハロゲン原子又は低級アルキル基であ
り、nは0〜3である。)のいずれか1つで表される基
である。]で表されるオキシム誘導体。
4. The following general formula (1): [Wherein HetA is represented by the following three formulas: (In the formula, Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group,
Lower alkenyl group, lower alkynyl group, aralkyl group,
An aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group; and R 2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group. ) Represents a group represented by any one of the following, and HetB represents the following six formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 3
Represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. ) Represents a group represented by any one of the above, HetC
Is the following six formulas: (Wherein R 4 is a hydrogen atom or a lower alkyl group;
Is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom,
Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n is 0-3. ) Is a group represented by any one of the above. ] The oxime derivative represented by these.
【請求項5】 一般式(1)において、HetCが下記の
3つの式 【化20】 (式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキ
ル基又は低級アルコキシ基であり、nは0又は1であ
る。)のいずれか1つの環構造で表される基である、請
求項2に記載のオキシム誘導体。
5. In the general formula (1), HetC is represented by the following three formulas: (Wherein, Z is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkoxy group, and n is 0 or 1). The oxime derivative according to claim 2, which is a group represented by two ring structures.
【請求項6】 一般式(1)において、HetAが下記の
式 【化21】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R1は低級アルキル基、シクロアルキル基
であり、R2は水素原子である。)で表される基を示
し、HetCが下記の式 【化22】 (式中、Zは水素原子である。)で表される基である、
請求項2に記載のオキシム誘導体。
6. In the general formula (1), HetA is represented by the following formula: (Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom). Is the following formula: (In the formula, Z is a hydrogen atom.)
The oxime derivative according to claim 2.
【請求項7】 一般式(1)において、HetAが下記の
式 【化23】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R1は低級アルキル基、シクロアルキル基
であり、R2は水素原子である。)で表される基を示
し、HetCが下記の式 【化24】 (式中、Xは水素原子又はハロゲン原子であり、nは0
又は1である。)で表される基である、請求項2に記載
のオキシム誘導体。
7. In the general formula (1), HetA is represented by the following formula: (Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom). Is the following formula: (Where X is a hydrogen atom or a halogen atom, and n is 0
Or 1. The oxime derivative according to claim 2, which is a group represented by:
【請求項8】 一般式(1)において、HetAが下記の
式 【化25】 (式中、Qは水素原子又は低級アルキル基であり、R1
は低級アルキル基又はシクロアルキル基でありR2は水
素原子である。)で表される基で示し、HetCが下記の
3つの式 【化26】 (式中、Xは水素原子又はハロゲン原子であり、Zは水
素原子であり、nは0又は1である。)で表される基で
ある、請求項2に記載のオキシム誘導体。
8. In the general formula (1), HetA is represented by the following formula: (Wherein, Q is hydrogen atom or a lower alkyl group, R 1
Is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom. HetC is represented by the following three formulas: The oxime derivative according to claim 2, wherein X is a hydrogen atom or a halogen atom, Z is a hydrogen atom, and n is 0 or 1.
【請求項9】 一般式(1)において、HetAが下記の
式 【化27】 (式中、Qは水素原子、又は低級アルキル基であり、R
1は低級アルキル基、シクロアルキル基であり、R2は水
素原子である。)で表される基を示し、HetCが下記の
式 【化28】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、又はシ
アノ基であり、nは0から3である。)で表される基で
ある、請求項3に記載のオキシム誘導体。
9. In the general formula (1), HetA is represented by the following formula: (Wherein Q is a hydrogen atom or a lower alkyl group;
1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom. ) Wherein HetC is represented by the following formula: (Wherein, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, or a cyano group, and n is 0 to 3). Item 4. The oxime derivative according to item 3.
【請求項10】 一般式(1)において、HetCが下記
の式 【化29】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基又はハロゲン原子で置換された低級アルコキ
シ基であり、nは0〜3である。)で表される基であ
る、請求項4に記載のオキシム誘導体。
10. In the general formula (1), HetC is represented by the following formula: (In the formula, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, and n is 0 to 3. The oxime derivative according to claim 4, which is a group represented by:
【請求項11】一般式(1)において、HetAが下記の
式 【化30】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子又は低級アルキル
基であり、R1は低級アルキル基又はシクロアルキル基
であり、R2は水素原子である。)で表される基であ
り、HetBが下記の3つの式 【化31】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基であり、R3
は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基を有してい
ても良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つで表される基であり、HetC
が下記の式 【化32】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、又はハロゲン原子で置換された低級アルキル基であ
り、nは0又は1である。)で表される基である、請求
項4に記載のオキシム誘導体。
11. In the general formula (1), HetA is represented by the following formula: Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom. The following three formulas (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 3
Represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. ) Is a group represented by any one of HetC
Is the following formula: (Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a halogen atom, and n is 0 or 1). The oxime derivative according to the above.
【請求項12】 一般式(2) 【化33】 [式中、HetBは下記9つの式 【化34】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基であり、R3
は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基を有してい
ても良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つで表される基を示し、HetC
は下記の9つの式 【化35】 (式中、R4は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級
アルコキシ基であり、Zは水素原子、ハロゲン原子又は
低級アルキル基であり、nは0〜3である。)のいずれ
か1つで表される基である。)で表されるヒドロキシム
誘導体[但し、下記の化合物 【化36】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級アルコキシ
基又はシアノ基であり、Yは水素原子又は低級アルキル
基であり、nは0又は1である。)である場合、及び下
記の化合物 【化37】 である場合、及び下記の化合物 【化38】 である場合を除く。]。
12. A compound of the general formula (2) [Wherein HetB is the following 9 formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 3
Represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. ) Represents a group represented by any one of the above, HetC
Is the following nine formulas: (Wherein, R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a halogen atom, A lower alkyl group substituted with an atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n is 0 to 3). Or a group represented by one. A hydroxyme derivative [provided that the following compound: (Wherein, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom or a cyano group, and Y is a hydrogen atom or A lower alkyl group, and n is 0 or 1.) and the following compounds: And the following compounds: Except when. ].
【請求項13】一般式(2)において、HetBが下記の
3つの式 【化39】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基を示す。)の
いずれか1つの環構造で表される基を示し、HetCが下
記の8つの式 【化40】 (式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R4は水素原子、低級アルキル基、または
シリル基を有していても良い低級アルコキシ基で置換さ
れた低級アルキル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基であり、nは
0から3である。)のいずれか1つの環構造で表される
基である、請求項12に記載のヒドロキシム誘導体。
13. In the general formula (2), HetB is represented by the following three formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), and represents a group represented by any one of the ring structures, wherein HetC is represented by the following eight formulas: (Wherein, Z is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, and n is 0 to 3.), and is a group represented by any one of the ring structures. Hydroxime derivatives.
【請求項14】 一般式(2)において、HetBが下記
の6つの式 【化41】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基であり、R3
は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基を有してい
ても良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つで表される基を示し、HetC
が下記の6つの式 【化42】 (式中、R4は水素原子又は低級アルキル基であり、X
は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、ハロゲン
原子で置換された低級アルキル基、低級アルコキシ基又
はハロゲン原子で置換された低級アルコキシ基であり、
Zは水素原子、ハロゲン原子又は低級アルキル基であ
り、nは0〜3である。)のいずれか1つで表される基
である、請求項12に記載のヒドロキシム誘導体。
14. In the general formula (2), HetB is represented by the following six formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 3
Represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. ) Represents a group represented by any one of the above, HetC
Is the following six formulas (Wherein R 4 is a hydrogen atom or a lower alkyl group;
Is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom,
Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n is 0-3. The hydroxyme derivative according to claim 12, which is a group represented by any one of the above.
【請求項15】 一般式(2)において、HetCが下記
の3つの式 【化43】 (式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキ
ル基又は低級アルコキシ基であり、nは0又は1であ
る。)のいずれか1つの環構造で表される基である、請
求項13に記載のヒドロキシム誘導体。
15. In the general formula (2), HetC is represented by the following three formulas: (Wherein, Z is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkoxy group, and n is 0 or 1). The hydroxyme derivative according to claim 13, which is a group represented by two ring structures.
【請求項16】 一般式(2)において、HetCが下記
の式 【化44】 (式中、Zは水素原子である。)で表される基である、
請求項13に記載のヒドロキシム誘導体。
16. In the general formula (2), HetC is represented by the following formula: (In the formula, Z is a hydrogen atom.)
The hydroxyme derivative according to claim 13.
【請求項17】 一般式(2)において、HetCが下記
の式 【化45】 (式中、Xは水素原子又はハロゲン原子であり、nは0
又は1である。)で表される基である、請求項13に記
載のヒドロキシム誘導体。
17. In the general formula (2), HetC is represented by the following formula: (Where X is a hydrogen atom or a halogen atom, and n is 0
Or 1. The hydroxyme derivative according to claim 13, which is a group represented by the formula:
【請求項18】 一般式(2)において、HetCが下記
の式 【化46】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基又はハロゲン原子で置換された低級アルコキ
シ基であり、nは0〜3である。)で表される基であ
る、請求項14に記載のヒドロキシム誘導体。
18. In the general formula (2), HetC is represented by the following formula: (In the formula, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, and n is 0 to 3. The hydroxyme derivative according to claim 14, which is a group represented by:
【請求項19】 一般式(2)において、HetBが下記
の3つの式 【化47】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基であり、R3
は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基を有してい
ても良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つで表される基であり、HetC
が下記の式 【化48】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、又はハロゲン原子で置換された低級アルキル基であ
り、nは0又は1である。)で表される基である、請求
項14に記載のヒドロキシム誘導体。
19. In the general formula (2), HetB is represented by the following three formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 3
Represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. ) Is a group represented by any one of HetC
Is the following formula: (Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a halogen atom, and n is 0 or 1). The hydroxyme derivative according to the above.
【請求項20】 下記一般式(3) 【化49】 [式中、HetBは下記9つの式 【化50】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基であり、R3
は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基を有してい
ても良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つで表される基を示し、HetC
は下記の9つの式 【化51】 (式中、R4は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級
アルコキシ基であり、Zは水素原子、ハロゲン原子又は
低級アルキル基であり、nは0〜3である。)のいずれ
か1つで表される基である。]で表されるケトン化合物
[但し、下記の化合物 【化52】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級アルコキシ
基又はシアノ基であり、Yは水素原子又は低級アルキル
基であり、nは0から3である。)である場合、及び下
記の化合物 【化53】 である場合、及び下記の化合物 【化54】 である場合を除く。]に、オキシム化剤を反応させるこ
とを特徴とする、下記一般式(2) 【化55】 (式中、HetB、HetCは一般式(3)で定義したとおり
である。)で表されるヒドロキシム誘導体の製造方法。
20. The following general formula (3): [Wherein HetB is the following 9 formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 3
Represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. ) Represents a group represented by any one of the above, HetC
Is the following nine formulas: (Wherein, R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a halogen atom, A lower alkyl group substituted with an atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n is 0 to 3). Or a group represented by one. And a ketone compound represented by the following formula: (Wherein, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom or a cyano group, and Y is a hydrogen atom or A lower alkyl group, and n is 0 to 3.) and the following compounds: And the following compounds: Except when. Wherein an oximation agent is reacted with the compound represented by the following general formula (2): (Wherein HetB and HetC are as defined in the general formula (3)).
【請求項21】一般式(3)において、HetBが下記の
3つの式 【化56】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基を示す。)の
いずれか1つの環構造で表される基を示し、HetCが下
記の8つの式 【化57】 (式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R4は水素原子、低級アルキル基、または
シリル基を有していても良い低級アルコキシ基で置換さ
れた低級アルキル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基であり、nは
0から3である。)のいずれか1つの環構造で表される
基である、請求項20に記載のヒドロキシム誘導体の製
造方法。
21. In the general formula (3), HetB is represented by the following three formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), wherein HetC is a group represented by the following eight formulas: (Wherein, Z is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. And X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, and n is 0 to 3.), wherein X is a group represented by any one of the ring structures. A method for producing a hydroxyme derivative.
【請求項22】 一般式(3)において、HetBが下記
の6つの式 【化58】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基であり、R3
は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基を有してい
ても良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つで表される基を示し、HetC
が下記の6つの式 【化59】 (式中、R4は水素原子又は低級アルキル基であり、X
は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、ハロゲン
原子で置換された低級アルキル基、低級アルコキシ基又
はハロゲン原子で置換された低級アルコキシ基であり、
Zは水素原子、ハロゲン原子又は低級アルキル基であ
り、nは0〜3である。)のいずれか1つで表される基
である、請求項20に記載のヒドロキシム誘導体の製造
方法。
22. In the general formula (3), HetB is represented by the following six formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 3
Represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. ) Represents a group represented by any one of the above, HetC
Is the following six formulas (Wherein R 4 is a hydrogen atom or a lower alkyl group;
Is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom,
Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n is 0-3. 21. The method for producing a hydroxyme derivative according to claim 20, which is a group represented by any one of the above.
【請求項23】 一般式(3)において、HetCが下記
の3つの式 【化60】 (式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキ
ル基又は低級アルコキシ基であり、nは0又は1であ
る。)のいずれか1つの環構造で表される基である、請
求項21に記載のヒドロキシム誘導体の製造方法。
23. In the general formula (3), HetC is represented by the following three formulas. (Wherein, Z is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkoxy group, and n is 0 or 1). The method for producing a hydroxyme derivative according to claim 21, which is a group represented by two ring structures.
【請求項24】 一般式(3)において、HetCが下記
の式 【化61】 (式中、Zは水素原子である。)で表される基である、
請求項21に記載のヒドロキシム誘導体の製造方法。
24. In the general formula (3), HetC is represented by the following formula: (In the formula, Z is a hydrogen atom.)
A method for producing the hydroxyme derivative according to claim 21.
【請求項25】 一般式(3)において、HetCが下記
の式 【化62】 (式中、Xは水素原子又はハロゲン原子であり、nは0
又は1である。)で表される基である、請求項21に記
載のヒドロキシム誘導体の製造方法。
25. In the general formula (3), HetC is represented by the following formula: (Where X is a hydrogen atom or a halogen atom, and n is 0
Or 1. The method for producing a hydroxyme derivative according to claim 21, which is a group represented by:
【請求項26】 一般式(3)において、HetCが下記
の式 【化63】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基又はハロゲン原子で置換された低級アルコキ
シ基であり、nは0から3である。)で表される基であ
る、請求項22に記載のヒドロキシム誘導体の製造方
法。
26. In the general formula (3), HetC is represented by the following formula: Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, and n is 0 to 3. The method for producing a hydroxyme derivative according to claim 22, which is a group represented by:
【請求項27】 一般式(3)において、HetBが下記
の3つの式 【化64】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基であり、R3
は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基を有してい
ても良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つで表される基であり、HetC
が下記の式 【化65】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、又はハロゲン原子で置換された低級アルキル基であ
り、nは0又は1である。)で表される基である、請求
項22に記載のヒドロキシム誘導体の製造方法。
27. In the general formula (3), HetB is represented by the following three formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 3
Represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. ) Is a group represented by any one of HetC
Is the following formula: (Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a halogen atom, and n is 0 or 1). A method for producing the hydroxyme derivative described above.
【請求項28】 下記の一般式(2) 【化66】 [式中、HetBは下記9つの式 【化67】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基であり、R3
は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基を有してい
ても良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つで表される基を示し、HetC
は下記の9つの式 【化68】 (式中、R4は水素原子、低級アルキル基、又はシリル
基を有していても良い低級アルコキシ基で置換された低
級アルキル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル
基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級
アルコキシ基又はシアノ基であり、Zは水素原子、ハロ
ゲン原子又は低級アルキル基であり、nは0〜3であ
る。)のいずれか1つで表される基である。但し、Het
Aが下記2つの式 【化69】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R1は水素原子、低級アルキル基、ハロゲ
ン原子で置換された低級アルキル基、シクロアルキル
基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、アラルキル
基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級アルキル基及
び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる1種以上の
置換基で置換されたアリール基;であり、R2は水素原
子又は低級アルキル基である。)のいずれか1つで表さ
れる基であり、HetBが下記の3つの式 【化70】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基を示す。)の
いずれか1つの環構造で表される基であり、HetCが下
記式 【化71】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級アルコキシ
基又はシアノ基であり、nは0〜3である。)で表され
る基である場合を除く。]で表されるヒドロキシム誘導
体に、下記一般式(4) 【化72】 [式中、HetAは下記の3つの式 【化73】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R1は水素原子、低級アルキル基、ハロゲ
ン原子で置換された低級アルキル基、シクロアルキル
基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、アラルキル
基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級アルキル基及
び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる1種以上の
置換基で置換されたアリール基;であり、R2は水素原
子又は低級アルキル基である。)のいずれか1つで表さ
れる基を示し、Lは脱離基を示す。]で表されるアルキ
ル化剤を塩基の存在下に反応させる、下記一般式(1) 【化74】 (式中、HetAは一般式(4)に定義したとおりであ
り、HetB及びHetCは一般式(2)に定義したとおりで
ある。)で表されるオキシム誘導体の製造方法。
28. The following general formula (2): [Wherein HetB is the following 9 formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 3
Represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. ) Represents a group represented by any one of the above, HetC
Is the following 9 formulas (Wherein, R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group, and X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a halogen atom, It is a lower alkyl group, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group or a cyano group substituted with an atom, Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n is 0-3. ) Is a group represented by any one of the above. However, Het
A is the following two formulas: (In the formula, Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, or a lower alkynyl group. R 2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group; an aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group; HetB is a group represented by any one of the following three formulas: Wherein Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, and HetC is a group represented by the following formula: Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom or a cyano group, and n is 0 to 3 ) Is excluded. ] To the hydroxyme derivative represented by the following general formula (4): [Wherein HetA is represented by the following three formulas: (In the formula, Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, or a lower alkynyl group. R 2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group; an aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group; And L represents a leaving group. Wherein an alkylating agent represented by the following general formula (1) is reacted in the presence of a base: (Wherein HetA is as defined in general formula (4), and HetB and HetC are as defined in general formula (2)).
【請求項29】 一般式(2)において、HetBが下記
の3つの式 【化75】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基を示す。)の
いずれか1つの環構造で表される基を示し、HetCが下
記の8つの式 【化76】 (式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R4は水素原子、低級アルキル基、または
シリル基を有していても良い低級アルコキシ基で置換さ
れた低級アルキル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基又は低級アルコキシ基であり、nは
0から3である。)のいずれか1つの環構造で表される
基である、請求項28に記載のオキシム誘導体の製造方
法。
29. In the general formula (2), HetB is represented by the following three formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), wherein HetC is a group represented by the following eight formulas: (Wherein, Z is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 4 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. And X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group or a lower alkoxy group, and n is 0 to 3.), wherein X is a group represented by any one of the ring structures. A method for producing an oxime derivative.
【請求項30】 一般式(2)において、HetBが下記
の3つの式 【化77】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基を示す。)の
いずれか1つの環構造で表される基を示し、HetCが下
記の式 【化78】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基、ハロゲン原子で置換された低級アルコキシ
基、又はシアノ基であり、nは0から3である。)で表
される基であり、一般式(4)において、HetAが下記
の式 【化79】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R1は水素原子、低級アルキル基、ハロゲ
ン原子で置換された低級アルキル基、シクロアルキル
基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、アラルキル
基、アリール基又は;ハロゲン原子、低級アルキル基及
び低級アルコキシ基からなる群から選ばれる1種以上の
置換基で置換されたアリール基;であり、R2は水素原
子又は低級アルキル基である。)で表される基である、
請求項28に記載のオキシム誘導体の製造方法。
30. In the general formula (2), HetB is represented by the following three formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group), wherein HetC is a group represented by the following formula: (Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group, a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, or a cyano group, and n is from 0 to 3). In the general formula (4), HetA is represented by the following formula: (In the formula, Q is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, and R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a cycloalkyl group, a lower alkenyl group, or a lower alkynyl group. R 2 is a hydrogen atom or a lower alkyl group; an aralkyl group, an aryl group or an aryl group substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a halogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group; Is a group represented by
A method for producing the oxime derivative according to claim 28.
【請求項31】 一般式(2)において、HetBが下記
の6つの式 【化80】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基であり、R3
は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基を有してい
ても良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つで表される基を示し、HetC
が下記の6つの式 【化81】 (式中、R4は水素原子又は低級アルキル基であり、X
は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、ハロゲン
原子で置換された低級アルキル基、低級アルコキシ基又
はハロゲン原子で置換された低級アルコキシ基であり、
Zは水素原子、ハロゲン原子又は低級アルキル基であ
り、nは0〜3である。)のいずれか1つで表される基
である、請求項28に記載のオキシム誘導体の製造方
法。
31. In the general formula (2), HetB is represented by the following six formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 3
Represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. ) Represents a group represented by any one of the above, HetC
Is the following six formulas (Wherein R 4 is a hydrogen atom or a lower alkyl group;
Is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom,
Z is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, and n is 0-3. 29. The method for producing an oxime derivative according to claim 28, which is a group represented by any one of the above.
【請求項32】 一般式(2)において、HetCが下記
の3つの式 【化82】 (式中、Zは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキ
ル基又は低級アルコキシ基であり、nは0又は1であ
る。)のいずれか1つの環構造で表される基である、請
求項29に記載のオキシム誘導体の製造方法。
32. In the general formula (2), HetC is represented by the following three formulas: (Wherein, Z is a hydrogen atom, a halogen atom, or a lower alkyl group, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkoxy group, and n is 0 or 1). 30. The method for producing an oxime derivative according to claim 29, which is a group represented by two ring structures.
【請求項33】 一般式(2)において、HetCが下記
の式 【化83】 (式中、Zは水素原子である。)で表される基であり、
一般式(4)において、HetAが下記の式 【化84】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R1は低級アルキル基、シクロアルキル基
であり、R2は水素原子である。)で表される基であ
る、請求項29に記載のオキシム誘導体の製造方法。
33. In the general formula (2), HetC is represented by the following formula: (Wherein, Z is a hydrogen atom).
In the general formula (4), HetA is represented by the following formula: Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom. Item 30. The method for producing an oxime derivative according to Item 29.
【請求項34】 一般式(2)において、HetCが下記
の式 【化85】 (式中、Xは水素原子又はハロゲン原子であり、nは0
又は1である。)で表される基であり、一般式(4)に
おいて、HetAが下記の式 【化86】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子、又は低級アルキ
ル基であり、R1は低級アルキル基、シクロアルキル基
であり、R2は水素原子である。)で表される基であ
る、請求項29に記載のオキシム誘導体の製造方法。
34. In the general formula (2), HetC is represented by the following formula: (Where X is a hydrogen atom or a halogen atom, and n is 0
Or 1. In the general formula (4), HetA is a group represented by the following formula: Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom. Item 30. The method for producing an oxime derivative according to Item 29.
【請求項35】 一般式(2)において、HetCが下記
の3つの式 【化87】 (式中、Xは水素原子又はハロゲン原子であり、Zは水
素原子であり、nは0又は1である。)で表される基で
あり、一般式(4)においてHetAが下記の式 【化88】 (式中、Qは水素原子又は低級アルキル基であり、R1
は低級アルキル基又はシクロアルキル基でありR2は水
素原子である。)で表される基である、請求項29に記
載のオキシム誘導体の製造方法。
35. In the general formula (2), HetC is represented by the following three formulas: Wherein X is a hydrogen atom or a halogen atom, Z is a hydrogen atom, and n is 0 or 1. In the general formula (4), HetA is represented by the following formula: 88 (Wherein, Q is hydrogen atom or a lower alkyl group, R 1
Is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom. 30. The method for producing an oxime derivative according to claim 29, which is a group represented by the formula:
【請求項36】 一般式(2)において、HetCが下記
の式 【化89】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、又はシ
アノ基であり、nは0から3である。)で表される基で
あり、一般式(4)においてHetAが下記の式 【化90】 (式中、Qは水素原子、又は低級アルキル基であり、R
1は低級アルキル基、シクロアルキル基であり、R2は水
素原子である。)で表される基である、請求項30に記
載のオキシム誘導体の製造方法。
36. In the general formula (2), HetC is represented by the following formula: (Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, or a cyano group, and n is 0 to 3), and is a group represented by the general formula: In the formula (4), HetA is represented by the following formula: (Wherein Q is a hydrogen atom or a lower alkyl group;
1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom. 31. The method for producing an oxime derivative according to claim 30, which is a group represented by:
【請求項37】 一般式(2)において、HetCが下記
の式 【化91】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲン原子で置換された低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基又はハロゲン原子で置換された低級アルコキ
シ基であり、nは0〜3である。)で表される基であ
る、請求項31に記載のオキシム誘導体の製造方法。
37. In the general formula (2), HetC is represented by the following formula: (In the formula, X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, a lower alkyl group substituted with a halogen atom, a lower alkoxy group or a lower alkoxy group substituted with a halogen atom, and n is 0 to 3. The method for producing an oxime derivative according to claim 31, which is a group represented by:
【請求項38】一般式(2)において、HetBが下記の
3つの式 【化92】 (式中、Yは水素原子又は低級アルキル基であり、R3
は水素原子、低級アルキル基、又はシリル基を有してい
ても良い低級アルコキシ基で置換された低級アルキル基
を示す。)のいずれか1つで表される基であり、HetC
が下記の式 【化93】 (式中、Xは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、又はハロゲン原子で置換された低級アルキル基であ
り、nは0又は1である。)で表される基であり、一般
式(4)において、HetAが下記の式 【化94】 (式中、Qは水素原子、ハロゲン原子又は低級アルキル
基であり、R1は低級アルキル基又はシクロアルキル基
であり、R2は水素原子である。)で表される基であ
る、請求項31に記載のオキシム誘導体の製造方法。
38. In the general formula (2), HetB is represented by the following three formulas: (Wherein, Y represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, R 3
Represents a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a lower alkoxy group which may have a silyl group. ) Is a group represented by any one of HetC
Is the following formula: (Wherein X is a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a lower alkyl group substituted with a halogen atom, and n is 0 or 1), and is a group represented by the general formula (4) In the above formula, HetA is represented by the following formula: (Wherein Q is a hydrogen atom, a halogen atom or a lower alkyl group, R 1 is a lower alkyl group or a cycloalkyl group, and R 2 is a hydrogen atom). 32. The method for producing an oxime derivative according to item 31.
【請求項39】 請求項1から11に記載のオキシム誘
導体を有効成分として含有する農薬。
39. An agrochemical containing the oxime derivative according to claim 1 as an active ingredient.
【請求項40】 請求項1から11に記載のオキシム誘
導体を有効成分として含有する植物病害防除剤。
40. A plant disease controlling agent comprising the oxime derivative according to claim 1 as an active ingredient.
【請求項41】 糸状菌の植物病害に対して有効である
請求項40に記載の植物病害防除剤。
41. The plant disease controlling agent according to claim 40, which is effective against a plant disease caused by a filamentous fungus.
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