JP2001053534A - マイクロストリップアンテナ - Google Patents
マイクロストリップアンテナInfo
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- JP2001053534A JP2001053534A JP11229887A JP22988799A JP2001053534A JP 2001053534 A JP2001053534 A JP 2001053534A JP 11229887 A JP11229887 A JP 11229887A JP 22988799 A JP22988799 A JP 22988799A JP 2001053534 A JP2001053534 A JP 2001053534A
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- dielectric substrate
- back surface
- patch electrode
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 低コストでかつ小型化を図ることのできるマ
イクロストリップアンテナを提供する。 【解決手段】 誘電体基板１０と、誘電体基板１０の裏
面に形成された接地電極１１と、誘電体基板１０の表面
に形成されたパッチ電極１２と、裏面の、パッチ電極１
２の電流の流れる方向に沿った端部に対向する部分に形
成されており、少なくとも底面が接地電極１１に電気的
に接続された導体層で覆われた凹部１３，１４とを備え
ている。
イクロストリップアンテナを提供する。 【解決手段】 誘電体基板１０と、誘電体基板１０の裏
面に形成された接地電極１１と、誘電体基板１０の表面
に形成されたパッチ電極１２と、裏面の、パッチ電極１
２の電流の流れる方向に沿った端部に対向する部分に形
成されており、少なくとも底面が接地電極１１に電気的
に接続された導体層で覆われた凹部１３，１４とを備え
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、携帯電話
機や移動端末等の内蔵アンテナとして用いられるマイク
ロストリップアンテナに関する。
機や移動端末等の内蔵アンテナとして用いられるマイク
ロストリップアンテナに関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話機やＧＰＳ等の移動端末に内蔵
されるマイクロストリップアンテナとして、代表的なも
のがλ／２パッチアンテナである。ただし、λは使用周
波数における波長を表している。
されるマイクロストリップアンテナとして、代表的なも
のがλ／２パッチアンテナである。ただし、λは使用周
波数における波長を表している。
【０００３】このアンテナは、一辺の長さが約λ／２の
矩形又は円形の導体パターン（パッチパターン）を一方
の面に有し、他方の面に接地導体が設けられた誘電体基
板から主として構成されている。
矩形又は円形の導体パターン（パッチパターン）を一方
の面に有し、他方の面に接地導体が設けられた誘電体基
板から主として構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、このような携帯
電話機や移動端末はより小型化することが要求されてお
り、それに伴って内蔵アンテナのさらなる小型化が求め
られている。このような約λ／２のパッチパターン寸法
を有するパッチアンテナを物理的に小型化する一般的な
方法は、誘電率の高い誘電体基板を使用することであ
る。
電話機や移動端末はより小型化することが要求されてお
り、それに伴って内蔵アンテナのさらなる小型化が求め
られている。このような約λ／２のパッチパターン寸法
を有するパッチアンテナを物理的に小型化する一般的な
方法は、誘電率の高い誘電体基板を使用することであ
る。
【０００５】しかしながら、高周波の利用に適した低温
度係数を有する誘電体材料の比誘電率は、εｒ＝１１０
程度が限界であり、従って、パッチアンテナの寸法は、
矩形パッチアンテナではその１つの辺の長さａについて
ａ＝３×１０８／（ｆ×２×√１１０）が、円形のパッ
チアンテナではその直径ＤについてＤ＝（３×１０８）
／（ｆ×１．７１×√１１０）が小型化の限界となって
しまう。これは、使用周波数がｆ＝２．４ＧＨｚである
とすると、ａ＝６ｍｍとなる。
度係数を有する誘電体材料の比誘電率は、εｒ＝１１０
程度が限界であり、従って、パッチアンテナの寸法は、
矩形パッチアンテナではその１つの辺の長さａについて
ａ＝３×１０８／（ｆ×２×√１１０）が、円形のパッ
チアンテナではその直径ＤについてＤ＝（３×１０８）
／（ｆ×１．７１×√１１０）が小型化の限界となって
しまう。これは、使用周波数がｆ＝２．４ＧＨｚである
とすると、ａ＝６ｍｍとなる。
【０００６】また、このような高誘電率かつ低温度係数
の誘電体材料は、低誘電率の誘電体材料に比してかなり
高価となり、その結果、マイクロストリップアンテナの
製造コストも高くなってしまう。
の誘電体材料は、低誘電率の誘電体材料に比してかなり
高価となり、その結果、マイクロストリップアンテナの
製造コストも高くなってしまう。
【０００７】従って本発明の目的は、低コストでかつ小
型化を図ることのできるマイクロストリップアンテナを
提供することにある。
型化を図ることのできるマイクロストリップアンテナを
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、誘電体
基板と、誘電体基板の裏面に形成された接地電極と、誘
電体基板の表面に形成されたパッチ電極と、裏面の、パ
ッチ電極の電流の流れる方向に沿った端部に対向する部
分に形成されており、少なくとも底面が接地電極に電気
的に接続された導体層で覆われた凹部とを備えたマイク
ロストリップアンテナが提供される。
基板と、誘電体基板の裏面に形成された接地電極と、誘
電体基板の表面に形成されたパッチ電極と、裏面の、パ
ッチ電極の電流の流れる方向に沿った端部に対向する部
分に形成されており、少なくとも底面が接地電極に電気
的に接続された導体層で覆われた凹部とを備えたマイク
ロストリップアンテナが提供される。
【０００９】誘電体基板の裏面において、パッチ電極の
電流の流れる方向に沿った端部に対向する部分に凹部が
形成されており、その少なくとも底面が接地電極に電気
的に接続された導体層で覆われている。このため、その
凹部が形成されている端部では、電極間距離が小さくな
るのでその部分のキャパシタンスが増大する。パッチ電
極では、一般に、電流の流れる方向に沿って、両端の全
長の約１／４の各部分はキャパシティブな回路素子とし
て動作し、中央の約１／２の各部分はインダクティブな
回路素子として動作する。従って、本発明のように、パ
ッチ電極の電位の高い両端部をよりキャパシティブとす
ることによって共振周波数を低下させることができる。
その結果、マイクロストリップアンテナの寸法をより小
型化することができる。しかも、その際に、電極間に高
価な誘電体層を用いる必要がなく、低コストの一般的な
誘電体材料によって形成された誘電体基板を使用するの
みでよいため、全体の製造コストも低く抑えられる。
電流の流れる方向に沿った端部に対向する部分に凹部が
形成されており、その少なくとも底面が接地電極に電気
的に接続された導体層で覆われている。このため、その
凹部が形成されている端部では、電極間距離が小さくな
るのでその部分のキャパシタンスが増大する。パッチ電
極では、一般に、電流の流れる方向に沿って、両端の全
長の約１／４の各部分はキャパシティブな回路素子とし
て動作し、中央の約１／２の各部分はインダクティブな
回路素子として動作する。従って、本発明のように、パ
ッチ電極の電位の高い両端部をよりキャパシティブとす
ることによって共振周波数を低下させることができる。
その結果、マイクロストリップアンテナの寸法をより小
型化することができる。しかも、その際に、電極間に高
価な誘電体層を用いる必要がなく、低コストの一般的な
誘電体材料によって形成された誘電体基板を使用するの
みでよいため、全体の製造コストも低く抑えられる。
【００１０】凹部が、電流の流れる方向に沿った軸線に
ついて線対称形状を有していることが好ましい。
ついて線対称形状を有していることが好ましい。
【００１１】この場合、凹部が、円形状又は長円形状で
あるか、又は矩形形状であるかもしれない。
あるか、又は矩形形状であるかもしれない。
【００１２】凹部が、裏面の、パッチ電極の電流の流れ
る方向に沿った各端部に対向する部分に１つづつ形成さ
れているか、又は複数づつ形成されていることが好まし
い。
る方向に沿った各端部に対向する部分に１つづつ形成さ
れているか、又は複数づつ形成されていることが好まし
い。
【００１３】凹部が、裏面の、パッチ電極の周端部に対
向する部分に溝形状に形成されていることも好ましい。
向する部分に溝形状に形成されていることも好ましい。
【００１４】凹部が、中空であるか、又は導体材料で満
たされていることも好ましい。
たされていることも好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は本発明のマイクロストリッ
プアンテナの一実施形態における構成を概略的に示す斜
視図であり、図２はそのＡ−Ａ線断面図であり、図３は
その凹部の形状を示す底面図である。
プアンテナの一実施形態における構成を概略的に示す斜
視図であり、図２はそのＡ−Ａ線断面図であり、図３は
その凹部の形状を示す底面図である。
【００１６】これらの図において、１０は誘電体基板、
１１は誘電体基板１０の裏面に形成された接地電極、１
２は誘電体基板１０の表面に形成されたパッチ電極、１
３及び１４は誘電体基板１０の裏面に形成された２つの
凹部をそれぞれ示している。
１１は誘電体基板１０の裏面に形成された接地電極、１
２は誘電体基板１０の表面に形成されたパッチ電極、１
３及び１４は誘電体基板１０の裏面に形成された２つの
凹部をそれぞれ示している。
【００１７】誘電体基板１０は、一般的な誘電体材料、
例えば比誘電率がεｒ＝３８程度の高周波用セラミック
誘電体材料で形成されている。
例えば比誘電率がεｒ＝３８程度の高周波用セラミック
誘電体材料で形成されている。
【００１８】接地電極１１、パッチ電極１２並びに後述
する導体層１６及び１７は、誘電体基板１０の裏面及び
表面に、銅、銀等の金属導体層をパターニングしてそれ
ぞれ形成されている。具体的には、例えば銀等の金属ペ
ーストをパターン印刷して焼き付けるか、金属パターン
層をめっきで形成するか、又は薄い金属膜をエッチング
によりパターニングする等の方法が適用される。
する導体層１６及び１７は、誘電体基板１０の裏面及び
表面に、銅、銀等の金属導体層をパターニングしてそれ
ぞれ形成されている。具体的には、例えば銀等の金属ペ
ーストをパターン印刷して焼き付けるか、金属パターン
層をめっきで形成するか、又は薄い金属膜をエッチング
によりパターニングする等の方法が適用される。
【００１９】２つの凹部１３及び１４は、誘電体基板１
０の裏面であって、電流の流れる方向１５に沿った軸線
上に位置するパッチ電極１２の両端部に対向する位置に
それぞれ形成されている。本実施形態において、凹部１
３及び１４は、平面形状が長円形状の盲穴である。
０の裏面であって、電流の流れる方向１５に沿った軸線
上に位置するパッチ電極１２の両端部に対向する位置に
それぞれ形成されている。本実施形態において、凹部１
３及び１４は、平面形状が長円形状の盲穴である。
【００２０】これら凹部１３及び１４の内面、即ちその
底面及び側面は、導体層１６及び１７で覆われている。
導体層１６及び１７は、接地電極１１と電気的に接続さ
れるようにこの接地電極１１に連続して形成されてい
る。
底面及び側面は、導体層１６及び１７で覆われている。
導体層１６及び１７は、接地電極１１と電気的に接続さ
れるようにこの接地電極１１に連続して形成されてい
る。
【００２１】なお、パッチ電極１２のパッチパターン形
状は、本実施形態のように矩形形状に限定されるもので
はなく、三角形状、多角形状又は台形形状であってもよ
いし、その他の種々の形状であってもよい。
状は、本実施形態のように矩形形状に限定されるもので
はなく、三角形状、多角形状又は台形形状であってもよ
いし、その他の種々の形状であってもよい。
【００２２】このように、誘電体基板１０の裏面におい
て、電流の流れる方向１５に沿った軸線上に位置するパ
ッチ電極１２の両端部に対向する位置に内面が接地電極
と電気的に接続された凹部１３及び１４がそれぞれ設け
られているので、これら凹部の部分の電極間距離が短く
なるから、パッチ電極１２の両端部におけるキャパシタ
ンスが増大する。このように、電位の高い両端部をより
キャパシティブとすることにより、共振周波数を低下さ
せ、マイクロストリップアンテナ全体の寸法をより小型
化させている。しかも、誘電体基板１０として、高価な
誘電体材料を用いる必要がなく、低コストの一般的な誘
電体材料を使用するのみでよいため、全体の製造コスト
も低く抑えられる。
て、電流の流れる方向１５に沿った軸線上に位置するパ
ッチ電極１２の両端部に対向する位置に内面が接地電極
と電気的に接続された凹部１３及び１４がそれぞれ設け
られているので、これら凹部の部分の電極間距離が短く
なるから、パッチ電極１２の両端部におけるキャパシタ
ンスが増大する。このように、電位の高い両端部をより
キャパシティブとすることにより、共振周波数を低下さ
せ、マイクロストリップアンテナ全体の寸法をより小型
化させている。しかも、誘電体基板１０として、高価な
誘電体材料を用いる必要がなく、低コストの一般的な誘
電体材料を使用するのみでよいため、全体の製造コスト
も低く抑えられる。
【００２３】なお、本実施形態では、凹部１３及び１４
の内面のみが導体層で覆われており、これら凹部のその
他の部分は中空となっているが、凹部１３及び１４全体
を導体材料で満たすように構成してもよい。
の内面のみが導体層で覆われており、これら凹部のその
他の部分は中空となっているが、凹部１３及び１４全体
を導体材料で満たすように構成してもよい。
【００２４】図４は本発明のマイクロストリップアンテ
ナの他の実施形態における凹部の形状を示す底面図であ
る。
ナの他の実施形態における凹部の形状を示す底面図であ
る。
【００２５】同図に示すように、２つの凹部４３及び４
４が、誘電体基板４０の裏面であって、電流の流れる方
向４５に沿った軸線上に位置するパッチ電極４２の両端
部に対向する位置にそれぞれ形成されている。特に本実
施形態において、凹部４３及び４４は、平面形状が矩形
形状の盲穴である。
４が、誘電体基板４０の裏面であって、電流の流れる方
向４５に沿った軸線上に位置するパッチ電極４２の両端
部に対向する位置にそれぞれ形成されている。特に本実
施形態において、凹部４３及び４４は、平面形状が矩形
形状の盲穴である。
【００２６】なお、本実施形態では、凹部４３及び４４
の内面のみが導体層で覆われており、これら凹部のその
他の部分は中空となっているが、凹部４３及び４４全体
を導体材料で満たすように構成してもよい。
の内面のみが導体層で覆われており、これら凹部のその
他の部分は中空となっているが、凹部４３及び４４全体
を導体材料で満たすように構成してもよい。
【００２７】本実施形態におけるその他の構成、変更態
様及び作用効果は、図１の実施形態の場合と全く同様で
ある。
様及び作用効果は、図１の実施形態の場合と全く同様で
ある。
【００２８】図５は本発明のマイクロストリップアンテ
ナのさらに他の実施形態における凹部の形状を示す底面
図である。
ナのさらに他の実施形態における凹部の形状を示す底面
図である。
【００２９】同図に示すように、それぞれが複数の凹部
からなる凹部群５３及び５４が、誘電体基板５０の裏面
であって、電流の流れる方向５５に沿った軸線上に位置
するパッチ電極５２の両端部に対向する位置にそれぞれ
形成されている。特に本実施形態において、凹部群５３
及び５４の各々は、平面形状が長円形状の多数の盲穴か
ら構成されており、それら各盲穴は全体が接地導体と電
気的に接続された導体材料で満たされている。
からなる凹部群５３及び５４が、誘電体基板５０の裏面
であって、電流の流れる方向５５に沿った軸線上に位置
するパッチ電極５２の両端部に対向する位置にそれぞれ
形成されている。特に本実施形態において、凹部群５３
及び５４の各々は、平面形状が長円形状の多数の盲穴か
ら構成されており、それら各盲穴は全体が接地導体と電
気的に接続された導体材料で満たされている。
【００３０】本実施形態におけるその他の構成、変更態
様及び作用効果は、図１の実施形態の場合と全く同様で
ある。
様及び作用効果は、図１の実施形態の場合と全く同様で
ある。
【００３１】図６は本発明のマイクロストリップアンテ
ナのまたさらに他の実施形態における凹部の形状を示す
底面図である。
ナのまたさらに他の実施形態における凹部の形状を示す
底面図である。
【００３２】同図に示すように、それぞれが複数の凹部
からなる凹部群６３及び６４が、誘電体基板６０の裏面
であって、電流の流れる方向６５に沿った軸線上に位置
するパッチ電極６２の両端部に対向する位置にそれぞれ
形成されている。特に本実施形態において、凹部群６３
及び６４の各々は、平面形状が矩形形状の多数の盲穴か
ら構成されており、それら各盲穴は全体が接地導体と電
気的に接続された導体材料で満たされている。
からなる凹部群６３及び６４が、誘電体基板６０の裏面
であって、電流の流れる方向６５に沿った軸線上に位置
するパッチ電極６２の両端部に対向する位置にそれぞれ
形成されている。特に本実施形態において、凹部群６３
及び６４の各々は、平面形状が矩形形状の多数の盲穴か
ら構成されており、それら各盲穴は全体が接地導体と電
気的に接続された導体材料で満たされている。
【００３３】本実施形態におけるその他の構成、変更態
様及び作用効果は、図１の実施形態の場合と全く同様で
ある。
様及び作用効果は、図１の実施形態の場合と全く同様で
ある。
【００３４】図７は本発明のマイクロストリップアンテ
ナのさらに他の実施形態における凹部の形状を示す底面
図である。
ナのさらに他の実施形態における凹部の形状を示す底面
図である。
【００３５】同図に示すように、本実施形態では、パッ
チ電極７２のパッチパターンが、縮退分離素子７２ａ及
び７２ｂを設けて上下左右の対称形状をわずかに崩した
形状とし、直交する２つの同じ周波数の共振モードを結
合するように構成されている。このように直交する２つ
の共振モードを結合させて帯域を大幅に拡大させてい
る。
チ電極７２のパッチパターンが、縮退分離素子７２ａ及
び７２ｂを設けて上下左右の対称形状をわずかに崩した
形状とし、直交する２つの同じ周波数の共振モードを結
合するように構成されている。このように直交する２つ
の共振モードを結合させて帯域を大幅に拡大させてい
る。
【００３６】このように直交する２つの共振モードに対
応するように、誘電体基板７０の裏面には、１つの周溝
形状の凹部７３が、パッチ電極７２の周端部に対向する
位置に形成されている。凹部７３の底面は誘電体基板７
０の表面に平行に形成されている。凹部７３の内面のみ
が接地電極に電気的に接続された導体層で覆われてお
り、これら凹部のその他の部分は中空となっている。し
かしながら、凹部７３全体を導体材料で満たすように構
成してもよい。
応するように、誘電体基板７０の裏面には、１つの周溝
形状の凹部７３が、パッチ電極７２の周端部に対向する
位置に形成されている。凹部７３の底面は誘電体基板７
０の表面に平行に形成されている。凹部７３の内面のみ
が接地電極に電気的に接続された導体層で覆われてお
り、これら凹部のその他の部分は中空となっている。し
かしながら、凹部７３全体を導体材料で満たすように構
成してもよい。
【００３７】本実施形態におけるその他の構成、変更態
様及び作用効果は、図１の実施形態の場合と全く同様で
ある。
様及び作用効果は、図１の実施形態の場合と全く同様で
ある。
【００３８】本発明における凹部の形状、寸法、位置及
び数等は、上述した実施形態に限定されるものではな
く、パッチ電極の電流の流れる方向に沿った両端部の一
部、具体的には全長の約１／４の両端部分の少なくとも
一部、より好ましくは全長の約１／４の両端部分全て、
に対向する裏面に形成されていれば、どのような形状、
寸法、位置及び数であってもよい。
び数等は、上述した実施形態に限定されるものではな
く、パッチ電極の電流の流れる方向に沿った両端部の一
部、具体的には全長の約１／４の両端部分の少なくとも
一部、より好ましくは全長の約１／４の両端部分全て、
に対向する裏面に形成されていれば、どのような形状、
寸法、位置及び数であってもよい。
【００３９】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００４０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明では、
誘電体基板の裏面において、パッチ電極の電流の流れる
方向に沿った端部に対向する部分に凹部が形成されてお
り、その少なくとも底面が接地電極に電気的に接続され
た導体層で覆われている。このため、その凹部が形成さ
れている端部では、電極間距離が小さくなるのでその部
分のキャパシタンスが増大する。このように、電位の高
い端部をよりキャパシティブとすることにより、共振周
波数が低下する。その結果、マイクロストリップアンテ
ナの寸法がより小型化される。しかも、その際に、電極
間に高価な誘電体層を用いる必要がなく、低コストの一
般的な誘電体材料によって形成された誘電体基板を使用
するのみでよいため、全体の製造コストも低く抑えられ
る。
誘電体基板の裏面において、パッチ電極の電流の流れる
方向に沿った端部に対向する部分に凹部が形成されてお
り、その少なくとも底面が接地電極に電気的に接続され
た導体層で覆われている。このため、その凹部が形成さ
れている端部では、電極間距離が小さくなるのでその部
分のキャパシタンスが増大する。このように、電位の高
い端部をよりキャパシティブとすることにより、共振周
波数が低下する。その結果、マイクロストリップアンテ
ナの寸法がより小型化される。しかも、その際に、電極
間に高価な誘電体層を用いる必要がなく、低コストの一
般的な誘電体材料によって形成された誘電体基板を使用
するのみでよいため、全体の製造コストも低く抑えられ
る。
【図１】本発明のマイクロストリップアンテナの一実施
形態における構成を概略的に示す斜視図である。
形態における構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１の実施形態における凹部の形状を示す底面
図である。
図である。
【図４】本発明のマイクロストリップアンテナの他の実
施形態における凹部の形状を示す底面図である。
施形態における凹部の形状を示す底面図である。
【図５】本発明のマイクロストリップアンテナのさらに
他の実施形態における凹部の形状を示す底面図である。
他の実施形態における凹部の形状を示す底面図である。
【図６】本発明のマイクロストリップアンテナのまたさ
らに他の実施形態における凹部の形状を示す底面図であ
る。
らに他の実施形態における凹部の形状を示す底面図であ
る。
【図７】本発明のマイクロストリップアンテナのさらに
他の実施形態における凹部の形状を示す底面図である。
他の実施形態における凹部の形状を示す底面図である。
１０、４０、５０、６０、７０ 誘電体基板 １１ 接地電極 １２、４２、５２、６２、７２ パッチ電極 １３、１４、４３、４４、７３ 凹部 ５３、５４、６３、６４ 凹部群 １５、４５、５５、６５ 電流の流れる方向 ７２ａ、７２ｂ 縮退分離素子
Claims (9)
- 【請求項１】 誘電体基板と、該誘電体基板の裏面に形
成された接地電極と、該誘電体基板の表面に形成された
パッチ電極と、前記裏面の、前記パッチ電極の電流の流
れる方向に沿った端部に対向する部分に形成されてお
り、少なくとも底面が前記接地電極に電気的に接続され
た導体層で覆われた凹部とを備えたことを特徴とするマ
イクロストリップアンテナ。 - 【請求項２】 前記凹部が、電流の流れる方向に沿った
軸線について線対称形状を有していることを特徴とする
請求項１に記載のマイクロストリップアンテナ。 - 【請求項３】 前記凹部が、円形状又は長円形状である
ことを特徴とする請求項２に記載のマイクロストリップ
アンテナ。 - 【請求項４】 前記凹部が、矩形形状であることを特徴
とする請求項２に記載のマイクロストリップアンテナ。 - 【請求項５】 前記凹部が、前記裏面の、前記パッチ電
極の電流の流れる方向に沿った各端部に対向する部分に
１つづつ形成されていることを特徴とする請求項１から
４のいずれか１項に記載のマイクロストリップアンテ
ナ。 - 【請求項６】 前記凹部が、前記裏面の、前記パッチ電
極の電流の流れる方向に沿った各端部に対向する部分に
複数づつ形成されていることを特徴とする請求項１から
４のいずれか１項に記載のマイクロストリップアンテ
ナ。 - 【請求項７】 前記凹部が、前記裏面の、前記パッチ電
極の周端部に対向する部分に溝形状に形成されているこ
とを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の
マイクロストリップアンテナ。 - 【請求項８】 前記凹部が、中空であることを特徴とす
る請求項１から７のいずれか１項に記載のマイクロスト
リップアンテナ。 - 【請求項９】 前記凹部が、導体材料で満たされている
ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載
のマイクロストリップアンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11229887A JP2001053534A (ja) | 1999-08-16 | 1999-08-16 | マイクロストリップアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11229887A JP2001053534A (ja) | 1999-08-16 | 1999-08-16 | マイクロストリップアンテナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001053534A true JP2001053534A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16899281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11229887A Withdrawn JP2001053534A (ja) | 1999-08-16 | 1999-08-16 | マイクロストリップアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001053534A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006011459A1 (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Osaka University | パッチアンテナ及びパッチアンテナの製造方法 |
| JP2012049820A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Denso Wave Inc | パッチアンテナ |
| JP2017103709A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 株式会社Ｓｏｋｅｎ | 衛星電波受信用アンテナ装置 |
-
1999
- 1999-08-16 JP JP11229887A patent/JP2001053534A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006011459A1 (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Osaka University | パッチアンテナ及びパッチアンテナの製造方法 |
| JPWO2006011459A1 (ja) * | 2004-07-28 | 2008-05-01 | 国立大学法人大阪大学 | パッチアンテナ及びパッチアンテナの製造方法 |
| JP2012049820A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Denso Wave Inc | パッチアンテナ |
| JP2017103709A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 株式会社Ｓｏｋｅｎ | 衛星電波受信用アンテナ装置 |
| WO2017094441A1 (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 株式会社デンソー | 衛星電波受信用アンテナ装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
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