JP2001051723A - 流量制御装置および方法 - Google Patents
流量制御装置および方法Info
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- JP2001051723A JP2001051723A JP11227365A JP22736599A JP2001051723A JP 2001051723 A JP2001051723 A JP 2001051723A JP 11227365 A JP11227365 A JP 11227365A JP 22736599 A JP22736599 A JP 22736599A JP 2001051723 A JP2001051723 A JP 2001051723A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空処理室に反応ガスを供給し始める際に、
設定流量以上のガスが流れ込む流量のオーバーシュート
現象を防止すること。 【解決手段】 開閉弁４が開き開閉弁５が閉じた状態
で、ガスボンベ１側の供給圧力値と半導体製造装置の真
空処理室２内の圧力値をそれぞれ圧力計６及び真空計７
により測定する。測定した各圧力値Ｐ1、Ｐ2を流量制御
部３内のデータ収集装置８に逐次格納し、格納した各圧
力データに基づいて、比較演算器９により、流量設定値
に対応する制御弁１０の開度を決める弁制御電圧値を算
出して、制御弁１０を駆動する。次に、開閉弁５を開く
ことにより、ガスボンベ１から真空処理室２内に反応ガ
スを供給する。
設定流量以上のガスが流れ込む流量のオーバーシュート
現象を防止すること。 【解決手段】 開閉弁４が開き開閉弁５が閉じた状態
で、ガスボンベ１側の供給圧力値と半導体製造装置の真
空処理室２内の圧力値をそれぞれ圧力計６及び真空計７
により測定する。測定した各圧力値Ｐ1、Ｐ2を流量制御
部３内のデータ収集装置８に逐次格納し、格納した各圧
力データに基づいて、比較演算器９により、流量設定値
に対応する制御弁１０の開度を決める弁制御電圧値を算
出して、制御弁１０を駆動する。次に、開閉弁５を開く
ことにより、ガスボンベ１から真空処理室２内に反応ガ
スを供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加圧流体を含む流
体供給側から減圧された流体消費側への流体の流量を制
御する流量制御装置および方法に関し、特に、半導体製
造装置の真空処理室内に供給される反応ガスの流量が一
定値となるように制御する流量制御装置および方法に関
するものである。
体供給側から減圧された流体消費側への流体の流量を制
御する流量制御装置および方法に関し、特に、半導体製
造装置の真空処理室内に供給される反応ガスの流量が一
定値となるように制御する流量制御装置および方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程においては、金属膜など
を成膜するスパッタリング装置、半導体膜や絶縁膜等を
成膜する気相成長装置（ＣＶＤ）、ドライエッチング装
置など真空処理室を有する装置が多数使用されている。
このような真空処理室を有する半導体製造装置におい
て、真空処理室内に反応ガスを供給する際、反応ガスの
供給初期時に真空処理室内の圧力値と反応ガスの供給圧
力値の圧力差から、短時間ではあるが設定流量以上の反
応ガスが真空処理室内に一気に供給されるオーバーシュ
ート現象が発生している。このオーバーシュート現象
は、形成される膜の膜質のばらつきやエッチング量のば
らつきをもたらし、最終的には半導体製品の品質ばらつ
きに大きな影響を与えている。
を成膜するスパッタリング装置、半導体膜や絶縁膜等を
成膜する気相成長装置（ＣＶＤ）、ドライエッチング装
置など真空処理室を有する装置が多数使用されている。
このような真空処理室を有する半導体製造装置におい
て、真空処理室内に反応ガスを供給する際、反応ガスの
供給初期時に真空処理室内の圧力値と反応ガスの供給圧
力値の圧力差から、短時間ではあるが設定流量以上の反
応ガスが真空処理室内に一気に供給されるオーバーシュ
ート現象が発生している。このオーバーシュート現象
は、形成される膜の膜質のばらつきやエッチング量のば
らつきをもたらし、最終的には半導体製品の品質ばらつ
きに大きな影響を与えている。
【０００３】半導体製造装置には、反応ガスを真空処理
室内に供給し、そのガス流量を一定値に制御するために
流量制御装置が設けられている。図２に従来の流量制御
装置の概略構成図を示す。２１はガスボンベ、２２は半
導体製造装置の真空処理室、２３は流量制御部、２４は
ガスボンベ２１と流量制御部２３との間に取り付けられ
た開閉弁、２５は流量制御部２３と真空処理室２２との
間に取り付けられた開閉弁、２９は流量制御部２３内の
比較演算器、３０は制御弁、３１は減圧弁である。この
減圧弁３１は、ガスボンベ２１の元の圧力を減圧し、使
用しやすい圧力（通常数ｋｇ／ｃｍ２）にする。
室内に供給し、そのガス流量を一定値に制御するために
流量制御装置が設けられている。図２に従来の流量制御
装置の概略構成図を示す。２１はガスボンベ、２２は半
導体製造装置の真空処理室、２３は流量制御部、２４は
ガスボンベ２１と流量制御部２３との間に取り付けられ
た開閉弁、２５は流量制御部２３と真空処理室２２との
間に取り付けられた開閉弁、２９は流量制御部２３内の
比較演算器、３０は制御弁、３１は減圧弁である。この
減圧弁３１は、ガスボンベ２１の元の圧力を減圧し、使
用しやすい圧力（通常数ｋｇ／ｃｍ２）にする。
【０００４】半導体基板を真空処理室２２内で処理する
前には、流量制御部２３前後の開閉弁２４および２５は
閉じている。そしてガスを流し始めるときには開閉弁２
４および２５を開ける。そうすると、真空処理室２２の
内部圧力とガスボンベ２１からの減圧された圧力差によ
って、最初は大量のガスが急激に流れ出すが、流量制御
部２３の比較演算器２９は流量を検知し、所定の予め設
定された流量と比較して制御弁３０の開度を制御するこ
とによって所定の流量にする。
前には、流量制御部２３前後の開閉弁２４および２５は
閉じている。そしてガスを流し始めるときには開閉弁２
４および２５を開ける。そうすると、真空処理室２２の
内部圧力とガスボンベ２１からの減圧された圧力差によ
って、最初は大量のガスが急激に流れ出すが、流量制御
部２３の比較演算器２９は流量を検知し、所定の予め設
定された流量と比較して制御弁３０の開度を制御するこ
とによって所定の流量にする。
【０００５】従来は、上記のオーバーシュート現象を最
小限に抑えるために、比較演算器２９などの動作条件を
調節して流量制御部２３内の制御弁３０の応答速度を向
上させていた。
小限に抑えるために、比較演算器２９などの動作条件を
調節して流量制御部２３内の制御弁３０の応答速度を向
上させていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現実に
は、流量制御部内の制御弁の応答速度を単に向上させる
だけである従来の対応策によって、オーバーシュート現
象を完全に防止することは不可能であった。
は、流量制御部内の制御弁の応答速度を単に向上させる
だけである従来の対応策によって、オーバーシュート現
象を完全に防止することは不可能であった。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、半導体製造装
置の真空処理室内に常に安定した流量の反応ガスを供給
できる流量制御装置及び方法を提供するものである。
置の真空処理室内に常に安定した流量の反応ガスを供給
できる流量制御装置及び方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の流量制御装置は、加圧流体を含む流体供
給源から減圧された流体消費源への流体の流量を制御す
る流量制御装置において、流体供給源から流体消費源へ
の流体の経路を開閉するために少なくとも流体消費源側
に配設された開閉弁と、前記開閉弁の上流に配設され弁
制御信号を受けて流体の流量を制御する制御弁と、流体
供給源側での圧力を測定する第１の圧力測定手段と、流
体消費源内での圧力を測定する第２の圧力測定手段と、
前記第１及び第２の圧力測定手段により測定されたそれ
ぞれ前記流体供給源側及び流体消費源内での各圧力値を
逐次格納する圧力データ格納手段と、前記開閉弁を閉じ
た状態で前記圧力データ格納手段から出力される前記各
圧力値に基いて、流体供給源から流体消費源への流量が
設定値となる前記制御弁の開度を演算し、その演算結果
を前記弁制御信号として前記制御弁に供給する演算手段
を備えたことを特徴とする。
めに、本発明の流量制御装置は、加圧流体を含む流体供
給源から減圧された流体消費源への流体の流量を制御す
る流量制御装置において、流体供給源から流体消費源へ
の流体の経路を開閉するために少なくとも流体消費源側
に配設された開閉弁と、前記開閉弁の上流に配設され弁
制御信号を受けて流体の流量を制御する制御弁と、流体
供給源側での圧力を測定する第１の圧力測定手段と、流
体消費源内での圧力を測定する第２の圧力測定手段と、
前記第１及び第２の圧力測定手段により測定されたそれ
ぞれ前記流体供給源側及び流体消費源内での各圧力値を
逐次格納する圧力データ格納手段と、前記開閉弁を閉じ
た状態で前記圧力データ格納手段から出力される前記各
圧力値に基いて、流体供給源から流体消費源への流量が
設定値となる前記制御弁の開度を演算し、その演算結果
を前記弁制御信号として前記制御弁に供給する演算手段
を備えたことを特徴とする。
【０００９】本発明の流量制御装置によれば、演算手段
が、開閉弁を閉じた状態で圧力データ格納手段から出力
される流体供給源側及び流体消費源内での各圧力値に基
いて、流体供給源から流体消費源への流量が設定値とな
る制御弁の開度を演算し、その演算結果を制御弁に対し
て弁制御信号として供給することにより、反応ガスを流
体消費源である真空処理室へと流す前に、流量が設定値
となるように制御弁が調整されており、また、測定され
た各圧力値を圧力データ格納手段により逐次監視して、
各圧力値に変動があった場合には即座に流量が設定値に
なるように制御弁を逐次調整しているので、開閉弁を開
いた直後から反応ガスを一定の流量で安定して流すこと
が可能になる。
が、開閉弁を閉じた状態で圧力データ格納手段から出力
される流体供給源側及び流体消費源内での各圧力値に基
いて、流体供給源から流体消費源への流量が設定値とな
る制御弁の開度を演算し、その演算結果を制御弁に対し
て弁制御信号として供給することにより、反応ガスを流
体消費源である真空処理室へと流す前に、流量が設定値
となるように制御弁が調整されており、また、測定され
た各圧力値を圧力データ格納手段により逐次監視して、
各圧力値に変動があった場合には即座に流量が設定値に
なるように制御弁を逐次調整しているので、開閉弁を開
いた直後から反応ガスを一定の流量で安定して流すこと
が可能になる。
【００１０】前記流量制御装置において、前記開閉弁
は、前記演算手段が流量の前記設定値に対応する前記制
御弁の開度を演算しその演算結果を前記弁制御信号とし
て前記制御弁に供給して制御弁を駆動した後所定時間内
に開かれることが好ましい。
は、前記演算手段が流量の前記設定値に対応する前記制
御弁の開度を演算しその演算結果を前記弁制御信号とし
て前記制御弁に供給して制御弁を駆動した後所定時間内
に開かれることが好ましい。
【００１１】この構成によれば、開閉弁の閉じた状態が
継続して流体供給源から開閉弁までの経路に反応ガスが
溜まり、制御弁の応答時間の遅れから、開閉弁を開いた
瞬間に反応ガスが一気に真空処理室内に供給されるとい
う不具合が解消される。
継続して流体供給源から開閉弁までの経路に反応ガスが
溜まり、制御弁の応答時間の遅れから、開閉弁を開いた
瞬間に反応ガスが一気に真空処理室内に供給されるとい
う不具合が解消される。
【００１２】前記問題点を解決するために、本発明の流
量制御方法は、加圧流体を含む流体供給源から減圧され
た流体消費源への流体の流量を制御する流量制御方法に
おいて、少なくとも流体消費源側に配設された開閉弁が
閉じた状態で、流体供給源側及び流体消費源内での圧力
を測定するステップ（ａ）と、前記測定された各圧力値
を逐次格納するステップ（ｂ）と、前記格納されている
各圧力値に基いて、流体供給側から流体消費側への流量
が設定値となる制御弁の開度を演算するステップ（ｃ）
と、該ステップ（ｃ）の結果に基づいて、前記制御弁を
駆動するステップ（ｄ）と、該ステップ（ｄ）の後、前
記開閉弁を開いて流体を流体消費源に導入するステップ
（ｅ）を含むことを特徴とする。
量制御方法は、加圧流体を含む流体供給源から減圧され
た流体消費源への流体の流量を制御する流量制御方法に
おいて、少なくとも流体消費源側に配設された開閉弁が
閉じた状態で、流体供給源側及び流体消費源内での圧力
を測定するステップ（ａ）と、前記測定された各圧力値
を逐次格納するステップ（ｂ）と、前記格納されている
各圧力値に基いて、流体供給側から流体消費側への流量
が設定値となる制御弁の開度を演算するステップ（ｃ）
と、該ステップ（ｃ）の結果に基づいて、前記制御弁を
駆動するステップ（ｄ）と、該ステップ（ｄ）の後、前
記開閉弁を開いて流体を流体消費源に導入するステップ
（ｅ）を含むことを特徴とする。
【００１３】本発明の流量制御方法によれば、反応ガス
を流体消費源である真空処理室へと流す前に、流量が設
定値となるように制御弁が調整されており、また、測定
された各圧力値を逐次格納して監視し、各圧力値に変動
があった場合には即座に流量が設定値になるように制御
弁を逐次調整しているので、開閉弁を開いた直後から反
応ガスを一定の流量で安定して流すことが可能になる。
を流体消費源である真空処理室へと流す前に、流量が設
定値となるように制御弁が調整されており、また、測定
された各圧力値を逐次格納して監視し、各圧力値に変動
があった場合には即座に流量が設定値になるように制御
弁を逐次調整しているので、開閉弁を開いた直後から反
応ガスを一定の流量で安定して流すことが可能になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の１つの実施形態に
よる流量制御装置について、図面を参照しながら説明す
る。
よる流量制御装置について、図面を参照しながら説明す
る。
【００１５】図１は本発明の流量制御装置の概略構成図
である。図１において、１は供給ガスボンベ（流体供給
源）、２は半導体製造装置の真空処理室（流体消費
源）、３は流量制御部、４はガスボンベ１と流量制御部
３との間に取り付けられた開閉弁、５は流量制御部３と
真空処理室１との間に取り付けられた開閉弁、６は圧力
計（第１の圧力測定手段）、７は真空計（第２の圧力測
定手段）、８は、圧力計６により測定されたガスボンベ
１側の圧力値Ｐ1、及び真空計７により測定された真空
処理室２内の圧力値Ｐ2を格納するデータ収集装置（圧
力データ格納手段）、９は流量制御部３内の比較演算器
（演算手段）、１０はガス流量を制御する制御弁、１１
はガスボンベ１側の圧力値Ｐ1を流量制御部３内のデー
タ収集装置８に送信する通信経路、１２は真空処理室２
内の圧力値Ｐ2を流量制御部３内のデータ収集装置８に
送信する通信経路である。
である。図１において、１は供給ガスボンベ（流体供給
源）、２は半導体製造装置の真空処理室（流体消費
源）、３は流量制御部、４はガスボンベ１と流量制御部
３との間に取り付けられた開閉弁、５は流量制御部３と
真空処理室１との間に取り付けられた開閉弁、６は圧力
計（第１の圧力測定手段）、７は真空計（第２の圧力測
定手段）、８は、圧力計６により測定されたガスボンベ
１側の圧力値Ｐ1、及び真空計７により測定された真空
処理室２内の圧力値Ｐ2を格納するデータ収集装置（圧
力データ格納手段）、９は流量制御部３内の比較演算器
（演算手段）、１０はガス流量を制御する制御弁、１１
はガスボンベ１側の圧力値Ｐ1を流量制御部３内のデー
タ収集装置８に送信する通信経路、１２は真空処理室２
内の圧力値Ｐ2を流量制御部３内のデータ収集装置８に
送信する通信経路である。
【００１６】まず、図１を用いて流量制御部３の動作原
理を説明する。最初、開閉弁４および５は閉じた状態に
なっており、反応ガスはまだガスボンベ１から真空処理
室２内に供給されていない。ガスボンベ１のガス出口付
近には減圧弁３１が設置されており、ガスボンベ１内の
圧力を使用しやすい適当な圧力値に減圧している。ま
た、流量制御部３の制御弁１０は閉じた状態で待機して
いる。
理を説明する。最初、開閉弁４および５は閉じた状態に
なっており、反応ガスはまだガスボンベ１から真空処理
室２内に供給されていない。ガスボンベ１のガス出口付
近には減圧弁３１が設置されており、ガスボンベ１内の
圧力を使用しやすい適当な圧力値に減圧している。ま
た、流量制御部３の制御弁１０は閉じた状態で待機して
いる。
【００１７】次に、開閉弁４が開きガスボンベ１からガ
スが流れ出すと同時に、ガスボンベ１から減圧弁３１を
通過した反応ガスの供給圧力値を圧力計６で読み取り、
データ通信経路１１を介してデータ収集装置８にガスボ
ンベ１の供給圧力データＰ1が格納される。この圧力計
６は、図１に示すように、独立に取り付けてもよいし、
また減圧弁３１に付属したものであってもよい。同時に
真空処理室２内の圧力値も真空計７で測定され、この圧
力データＰ2は、データ通信経路１２を介してデータ収
集装置８に格納される。ここで、真空計７は具体的には
バラトロン、ＴＣゲージのような一般的に用いられる測
定器を採用することができる。
スが流れ出すと同時に、ガスボンベ１から減圧弁３１を
通過した反応ガスの供給圧力値を圧力計６で読み取り、
データ通信経路１１を介してデータ収集装置８にガスボ
ンベ１の供給圧力データＰ1が格納される。この圧力計
６は、図１に示すように、独立に取り付けてもよいし、
また減圧弁３１に付属したものであってもよい。同時に
真空処理室２内の圧力値も真空計７で測定され、この圧
力データＰ2は、データ通信経路１２を介してデータ収
集装置８に格納される。ここで、真空計７は具体的には
バラトロン、ＴＣゲージのような一般的に用いられる測
定器を採用することができる。
【００１８】格納された各圧力データに基いて、比較演
算器９によって、真空処理室内１へ供給される予め設定
されたガス流量に対応した制御弁１０を駆動する弁制御
電圧値が算出され、弁制御信号として制御弁１０に指令
が送られる。指令を受けた制御弁１０は、設定ガス流量
を流すために弁制御電圧値で決まるバルブ開度が設定さ
れて、その後開閉弁５が開き、真空処理室２内へ反応ガ
スが供給される。
算器９によって、真空処理室内１へ供給される予め設定
されたガス流量に対応した制御弁１０を駆動する弁制御
電圧値が算出され、弁制御信号として制御弁１０に指令
が送られる。指令を受けた制御弁１０は、設定ガス流量
を流すために弁制御電圧値で決まるバルブ開度が設定さ
れて、その後開閉弁５が開き、真空処理室２内へ反応ガ
スが供給される。
【００１９】ここで、制御弁１０の開度が設定された時
点ではまだ開閉弁５が開いていないので、この状態のま
まあまり時間が経過すると流量制御部３内から開閉弁５
にかけて反応ガスが溜り、開閉弁５を開いたときに一気
に反応ガスが真空処理室２に流れ込んでしまうおそれが
ある。したがって、制御弁１０の設定流量に対する開度
が決定したら直ちに開閉弁５を開ける必要がある。その
時間は約１ｍｓｅｃ以内とするのが適当である。
点ではまだ開閉弁５が開いていないので、この状態のま
まあまり時間が経過すると流量制御部３内から開閉弁５
にかけて反応ガスが溜り、開閉弁５を開いたときに一気
に反応ガスが真空処理室２に流れ込んでしまうおそれが
ある。したがって、制御弁１０の設定流量に対する開度
が決定したら直ちに開閉弁５を開ける必要がある。その
時間は約１ｍｓｅｃ以内とするのが適当である。
【００２０】また、真空処理室２内の圧力値及び、ガス
ボンベ１からの供給圧力値は、半導体基板が真空処理室
２で処理中にも定期的にデータ収集装置８に格納され、
各々の圧力値に変動のあった場合、比較演算器９が速や
かに設定流量値になるように制御弁１０の弁制御電圧値
を算出し、制御弁１０に指令を送る。真空処理室２内の
圧力値及びガスボンベ１からの供給圧力値を測定する時
間間隔は、処理内容に応じて最適に設定すればよいが、
通常数秒間隔とするのが望ましい。
ボンベ１からの供給圧力値は、半導体基板が真空処理室
２で処理中にも定期的にデータ収集装置８に格納され、
各々の圧力値に変動のあった場合、比較演算器９が速や
かに設定流量値になるように制御弁１０の弁制御電圧値
を算出し、制御弁１０に指令を送る。真空処理室２内の
圧力値及びガスボンベ１からの供給圧力値を測定する時
間間隔は、処理内容に応じて最適に設定すればよいが、
通常数秒間隔とするのが望ましい。
【００２１】以上のように、従来は、ガスボンベおよび
真空処理室につながる開閉弁が開いてから流量制御部内
の制御弁が流量調節に入るので、反応ガスの流れ初めは
流量調整ができなかった。これに対し本発明の流量制御
装置では、ガスボンベ１側の減圧弁３１を通ったガス圧
力と真空処理室２内の圧力の両方を圧力計６と真空計７
によって測定し、そのデータに基づいて、流量制御部３
内の制御弁１０を調節した後に真空処理室１につながる
開閉弁５を開けるので、開閉弁５が開いたときには流量
制御部３にて流量がすでに設定された状態にあるから、
反応ガスの流れ初めから安定した流量が得られ、オーバ
ーシュート現象を防止することができる。
真空処理室につながる開閉弁が開いてから流量制御部内
の制御弁が流量調節に入るので、反応ガスの流れ初めは
流量調整ができなかった。これに対し本発明の流量制御
装置では、ガスボンベ１側の減圧弁３１を通ったガス圧
力と真空処理室２内の圧力の両方を圧力計６と真空計７
によって測定し、そのデータに基づいて、流量制御部３
内の制御弁１０を調節した後に真空処理室１につながる
開閉弁５を開けるので、開閉弁５が開いたときには流量
制御部３にて流量がすでに設定された状態にあるから、
反応ガスの流れ初めから安定した流量が得られ、オーバ
ーシュート現象を防止することができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の流量制御装置及び方法によれ
ば、真空処理室内の圧力値とガスボンベの供給圧力値の
初期圧力差および変動に対応して、流量制御部の制御弁
の開度を設定する最適な弁制御電圧値を算出すること
で、反応ガスの供給初期時から常に安定した流量の反応
ガスを真空処理室内に供給することが可能となり、安定
した品質の薄膜堆積、ドライエッチングなどが可能であ
り、半導体製品の品質異常を低減することが可能とな
る。
ば、真空処理室内の圧力値とガスボンベの供給圧力値の
初期圧力差および変動に対応して、流量制御部の制御弁
の開度を設定する最適な弁制御電圧値を算出すること
で、反応ガスの供給初期時から常に安定した流量の反応
ガスを真空処理室内に供給することが可能となり、安定
した品質の薄膜堆積、ドライエッチングなどが可能であ
り、半導体製品の品質異常を低減することが可能とな
る。
【図１】 本発明の１つの実施形態による流量制御装置
の概略構成図
の概略構成図
【図２】 従来の流量制御装置の概略構成図
１ ガスボンベ（流体供給源） ２ 真空処理室（流体消費源） ３ 流量制御部 ４，５ 開閉弁 ６ 圧力計（第１の圧力測定手段） ７ 真空計（第２の圧力測定手段） ８ データ収集装置（圧力データ格納手段） ９ 比較演算器（演算手段） １０ 制御弁
Claims (3)
- 【請求項１】 加圧流体を含む流体供給源から減圧され
た流体消費源への流体の流量を制御する流量制御装置に
おいて、 流体供給源から流体消費源への流体の経路を開閉するた
めに少なくとも流体消費源側に配設された開閉弁と、 前記開閉弁の上流に配設され弁制御信号を受けて流体の
流量を制御する制御弁と、 流体供給源側での圧力を測定する第１の圧力測定手段
と、 流体消費源内での圧力を測定する第２の圧力測定手段
と、 前記第１及び第２の圧力測定手段により測定されたそれ
ぞれ前記流体供給源側及び流体消費源内での各圧力値を
逐次格納する圧力データ格納手段と、 前記開閉弁を閉じた状態で前記圧力データ格納手段から
出力される前記各圧力値に基いて、流体供給源から流体
消費源への流量が設定値となる前記制御弁の開度を演算
し、その演算結果を前記弁制御信号として前記制御弁に
供給する演算手段を備えたことを特徴とする流量制御装
置。 - 【請求項２】 前記開閉弁は、前記演算手段が流量の前
記設定値に対応する前記制御弁の開度を演算しその演算
結果を前記弁制御信号として前記制御弁に供給して前記
制御弁を駆動した後所定時間内に開かれる、請求項１に
記載の流量制御装置。 - 【請求項３】 加圧流体を含む流体供給源から減圧され
た流体消費源への流体の流量を制御する流量制御方法に
おいて、 （ａ）少なくとも流体消費源側に配設された開閉弁が閉
じた状態で、流体供給源側及び流体消費源内での圧力を
測定するステップと、 （ｂ）前記測定された各圧力値を逐次格納するステップ
と、 （ｃ）前記格納されている各圧力値に基いて、流体供給
側から流体消費側への流量が設定値となる制御弁の開度
を演算するステップと、 （ｄ）前記ステップ（ｃ）の結果に基づいて、前記制御
弁を駆動するステップと、 （ｅ）前記ステップ（ｄ）の後、前記開閉弁を開いて流
体を流体消費源に導入するステップを含むことを特徴と
する流体制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11227365A JP2001051723A (ja) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | 流量制御装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11227365A JP2001051723A (ja) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | 流量制御装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001051723A true JP2001051723A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16859671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11227365A Pending JP2001051723A (ja) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | 流量制御装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001051723A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100969990B1 (ko) | 2008-03-21 | 2010-07-15 | 주식회사 아토 | 질량 유량 조절기의 점검 방법 및 장치 |
| US8070459B2 (en) | 2004-01-22 | 2011-12-06 | Edwards Limited | Pressure control method |
-
1999
- 1999-08-11 JP JP11227365A patent/JP2001051723A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8070459B2 (en) | 2004-01-22 | 2011-12-06 | Edwards Limited | Pressure control method |
| KR100969990B1 (ko) | 2008-03-21 | 2010-07-15 | 주식회사 아토 | 질량 유량 조절기의 점검 방법 및 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040609 |