JP2001051260A - 反射型液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高輝度と高コントラストを実現し、表示品位
に優れた反射型の高分子分散型液晶表示素子を提供す
る。 【解決手段】 高分子１１１中に液晶滴１１２が分散さ
れた高分子分散型液晶層１０４と反射画素電極１０５を
有する反射型の高分子分散型液晶表示素子において、高
分子分散型液晶層１０４の厚みをｄ（μｍ）、高分子分
散型液晶層１０４の散乱ゲインをＳＧとした場合に、５
０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ
（−０．４７ｄ）が成立つ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高輝度、高コント
ラストな反射型ディスプレイ等に好適に実施することが
できる反射型の高分子分散型液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高分子化合物と液晶組成物を非相
溶状態に分散させた高分子分散型の液晶パネルが注目さ
れている。高分子分散型パネルは、散乱モードを表示に
用いるため、偏光板が不要で高輝度の表示が容易に得ら
れるという特徴がある（S.Shikama et.al,Society for
information Display'95,PaＧe 231-234）。

【０００３】このような高分子分散型パネルを反射型デ
ィスプレイに適用する例が、特開平８−４３８４９号公
報（以下、第１従来例と称する。）及び特開平７−４９
５０号公報（以下、第２従来例と称する。）に開示され
ている。

【０００４】第１従来例は、液晶パネル背後に光吸収層
としての黒色吸収板を設け、ノーマリブラックモードで
駆動を行うことを特徴とするものである。

【０００５】第２従来例は、反射板を鏡面とし、液晶と
複屈折を有する高分子とがパネル内部で互いに配向した
リバースモードの高分子分散層を用いて反射型パネルを
作成したことを特徴とするものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記第１従来例では、
背後に黒色吸収板を設ける構成のため、散乱状態におい
て表示面側で吸収板の黒色がうってしまい白輝度が低く
なる課題があった。また、第２従来例では、液晶分率が
かなり大きいため、高分子のネットワーク構造が脆弱で
ヒステリシス等の表示不良が起こりやすいという課題が
あった。

【０００７】本発明は、上記課題を解決し、液晶分率を
大きくすることなく、高コントラスト、高輝度の高分子
分散型液晶を使用した反射型液晶素子を提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく、鋭意研究開発した結果、ノーマリホワイト
モードの反射型の高分子分散型液晶表示素子の電圧・反
射率特性においてピーク値が存在することを見出した
（図３参照）。従って、このピーク値を白輝度とするこ
とで、高輝度化と高コントラスト化を図ることができ
る。

【０００９】更に、このピーク値が高分子分散型液晶層
の散乱ゲインと相関関係にあり、より大きなピーク値を
得るためには最適な散乱ゲインの範囲があることを見出
した（図５参照）。更に、散乱ゲインはパネルギャッ
プ、液晶滴の粒径、及び液晶の屈折率異方性の大きさに
より決定されるものであるから、これらパネルギャッ
プ、液晶滴の粒径、及び液晶の屈折率異方性についても
最適値が存在することが認められる。そこで、最適な散
乱ゲインの範囲を得るためのパネルギャップ、液晶滴の
粒径、及び液晶の屈折率異方性の範囲を見出した。

【００１０】本発明は、上記の現象及び事実に基づき完
成したものである。具体的な構成は、以下の通りであ
る。請求項１の発明は、一対の基板間に、高分子中に液
晶滴が分散された高分子分散型液晶層が配置され、前記
一対の基板のうち一方の基板に反射層が形成され、前記
高分子分散型液晶層間に電界を印加して、高分子分散型
液晶層の光散乱状態を変化させて表示を行なう反射型液
晶表示素子において、前記高分子分散型液晶層の厚みに
応じて、前記高分子分散型液晶層の散乱ゲインが設定さ
れていることを特徴とする。

【００１１】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
であって、前記散乱ゲインが、前記高分子分散型液晶層
を透過型パネルに形成した場合の透過光に対する散乱ゲ
インであることを特徴とする。

【００１２】また、請求項３の発明は、請求項１の発明
であって、前記高分子分散型液晶層の厚みｄが、３μｍ
以上、８μｍ以下であることを特徴とする。

【００１３】また、請求項４の発明は、請求項１の発明
であって、前記高分子分散型液晶層の厚みに応じて、前
記高分子分散型液晶層における液晶滴の粒径が設定され
ていることを特徴とする。

【００１４】また、請求項５の発明は、一対の基板間
に、高分子中に液晶滴が分散された高分子分散型液晶層
が配置され、前記一対の基板のうち一方の基板に反射層
が形成され、前記高分子分散型液晶層間に電界を印加し
て、高分子分散型液晶層の光散乱状態を変化させて表示
を行なう反射型液晶表示素子において、前記高分子分散
型液晶層に含まれる液晶の屈折率異方性の大きさに応じ
て、前記高分子分散型液晶層の散乱ゲインが設定されて
いることを特徴とする。

【００１５】また、請求項６の発明は、請求項５の発明
であって、前記液晶の屈折率異方性の大きさに応じて、
前記高分子分散型液晶層における液晶滴の粒径が設定さ
れていることを特徴とする。

【００１６】また、請求項７の発明は、一対の基板間
に、高分子中に液晶滴が分散された高分子分散型液晶層
が配置され、前記一対の基板のうち一方の基板に反射層
が形成され、前記高分子分散型液晶層間に電界を印加し
て、高分子分散型液晶層の光散乱状態を変化させて表示
を行なう反射型液晶表示素子において、前記高分子分散
型液晶層の厚みと、前記高分子分散型液晶層に含まれる
液晶の屈折率異方性の大きさに応じて、前記高分子分散
型液晶層の散乱ゲインが設定されていることを特徴とす
る。

【００１７】また、請求項８の発明は、一対の基板間
に、高分子中に液晶滴が分散された高分子分散型液晶層
が配置され、前記一対の基板のうち一方の基板に反射層
が形成され、前記高分子分散型液晶層間に電界を印加し
て、高分子分散型液晶層の光散乱状態を変化させて表示
を行なう反射型液晶表示素子において、前記高分子分散
型液晶層の厚みをｄ（μｍ）、前記高分子分散型液晶層
の散乱ゲインをＳＧとした場合に、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ
（−０．４７ｄ） が成立つことを特徴とする。

【００１８】また、請求項９の発明は、請求項８の発明
であって、前記散乱ゲインが、前記高分子分散型液晶層
を透過型パネルに形成した場合の透過光に対する散乱ゲ
インであることを特徴とする。

【００１９】また、請求項１０の発明は、請求項８の発
明であって、前記高分子分散型液晶層の厚みｄが、３μ
ｍ以上、８μｍ以下であることを特徴とする。

【００２０】また、請求項１１の発明は、請求項８の発
明であって、前記液晶層の散乱ゲインが、１０以上、２
００以下であることを特徴とする。

【００２１】また、請求項１２の発明は、請求項１１の
発明であって、前記液晶層の散乱ゲインが、液晶表示装
置の使用温度範囲内で、１０以上、２００以下であるこ
とを特徴とする。

【００２２】また、請求項１３の発明は、一対の基板間
に、高分子中に液晶滴が分散された高分子分散型液晶層
が配置され、前記一対の基板のうち一方の基板に反射層
が形成され、前記高分子分散型液晶層間に電界を印加し
て、高分子分散型液晶層の光散乱状態を変化させて表示
を行なう反射型液晶表示素子において、前記高分子分散
型液晶層の厚みをｄ（μｍ）、前記高分子分散型液晶層
の散乱ゲインをＳＧとした場合に、 ５０ｅｘｐ（−１．６Δｎ・ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０
ｅｘｐ（−１．８８Δｎ・ｄ） が成立つことを特徴とする。

【００２３】また、請求項１４の発明は、請求項１３の
発明であって、前記散乱ゲインが、前記高分子分散型液
晶層を透過型パネルに形成した場合の透過光に対する散
乱ゲインであることを特徴とする。

【００２４】また、請求項１５の発明は、請求項１３の
発明であって、前記高分子分散型液晶層の厚みｄが、３
μｍ以上、８μｍ以下であることを特徴とする。

【００２５】また、請求項１６の発明は、請求項１３の
発明であって、前記液晶層の散乱ゲインが、１０以上、
２００以下であることを特徴とする。

【００２６】また、請求項１７の発明は、請求項１６の
発明であって、前記液晶層の散乱ゲインが、液晶表示装
置の使用温度範囲内で、１０以上、２００以下であるこ
とを特徴とする。散乱ゲインとコントラストとの間に
は、図５に示す相関関係がある。この図５から明らかな
ように高分子分散型液晶層の厚み（パネルギャップに相
当する。）ｄ毎に、最大コントラストとなる散乱ゲイン
が存在する。そこで、図５において、最大コントラスト
の７０％以上の範囲を設定範囲とした場合に、図６に示
すパネルギャップｄと散乱ゲインとの関係が得られる。
図６において、ラインＰ１は散乱ゲインの許容範囲の上
限を示し、ラインＰ３は散乱ゲインの許容範囲の下限を
示している。よって、このラインＰ１とラインＰ３との
範囲内で散乱ゲインを設定すれば、最大コントラストの
７０％以上のコントラストが得られることになる。ここ
で、ラインＰ１はＳＧ＝３６０ｅｘｐ（−０．４７ｄ）
であり、ラインＰ３はＳＧ＝５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）
である。よって、高分子分散型液晶層の散乱ゲインＳＧ
が、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ
（−０．４７ｄ） を満たすように作製しておけば、最大コントラストの７
０％以上のコントラストが得られ、高輝度及び高コント
ラストの反射型の高分子分散型液晶表示素子が実現され
る。

【００２７】尚、「反射層」は、反射性を有する金属か
ら成る反射画素電極により反射層と電極を兼用した構成
であってもよく、また、画素電極として透明電極を使用
し、反射層は別途基板に形成するようにしてもよい。

【００２８】また、高分子分散型液晶層の厚みｄを規制
するのは、以下の理由による。厚みｄが３μｍ未満であ
れば、均一に作ることが困難であり、厚みｄが８μｍを
超えると駆動電圧が大き過ぎることになるからである。
また、請求項１８の発明は、一対の基板間に、高分子中
に液晶滴が分散された高分子分散型液晶層が配置され、
前記一対の基板のうちの一方の基板に反射層が形成さ
れ、前記高分子分散型液晶層間に電界を印加して、高分
子分散型液晶層の光散乱状態を変化させて表示を行なう
反射型液晶表示素子において、液晶の複屈折率と高分子
分散型液晶層の厚みの積が、０．６μｍ以上、２．２μ
ｍ以下であることを特徴とする。散乱ゲインは、高分子
分散型液晶層の厚みｄ、液晶の複屈折率の大きさΔｎ、
及び液晶滴の粒径等により決定される。本発明者の実験
結果によれば、Δｎｄとコントラストとの間には、図８
に示す相関関係があることが認められた。この図８によ
り、コントラスト３０以上を設定範囲すると、Δｎｄは
０．６μｍ以上、２．２μｍ以下の範囲となる。従来の
反射型液晶表示素子のコントラストは１０程度であるた
め、コントラスト３０以上を設定範囲とすれば、従来例
に比べて格段に高コントラスト化が図れる。また、請求
項１９の発明は、請求項１８の発明であって、前記液晶
滴の粒径が、０．７μｍ以上、２μｍ以下であることを
特徴とする。

【００２９】また、請求項２０の発明は、請求項１８の
発明であって、前記液晶の複屈折率が、０．１５以上、
０．２７以下であることを特徴とする。

【００３０】また、請求項２１の発明は、請求項１８の
発明であって、前記高分子分散型液晶層の厚みが、３μ
ｍ以上、８μｍ以下であることを特徴とする。

【００３１】また、請求項２２の発明は、一対の基板間
に、高分子中に液晶滴が分散された高分子分散型液晶層
が配置され、前記一対の基板のうちの一方の基板に反射
層が形成され、前記高分子分散型液晶層間に電界を印加
して、高分子分散型液晶層の光散乱状態を変化させて表
示を行なう反射型液晶表示素子において、前記液晶滴の
うち一対の基板界面近傍に存在する液晶滴が、基板に大
円を接するほぼ半球状に形成され、かつ、前記半球状の
液晶滴内部の液晶が基板と平行な方向にほぼ一様に配向
していることを特徴とする。基板界面の液晶滴内部の液
晶分子が、基板に平行な方向にほぼ一様に配列している
ので、界面層での散乱が低減し、散乱ゲインが大きくな
る。よって、この半球状の大きさを調整することによ
り、散乱ゲインを最適に値に制御することができる。即
ち、基板界面の液晶を同一の方向に配向させることで、
液晶組成、液晶滴の粒径等を変えずにパネルの散乱ゲイ
ンを最適範囲に調整することが可能となる。また、請求
項２３の発明は、請求項２２の発明であって、前記一対
の基板のうち一方の基板界面に形成された前記半球状の
液晶滴内部の液晶の配向方位と、前記一対の基板のうち
の他方の基板界面に形成された前記半球状の液晶滴内部
の液晶の配向方位とは、互いにほぼ平行であることを特
徴とする。上記構成により、一対の基板界面間での散乱
ゲインが更に低減する作用がある。また、請求項２４の
発明は、請求項２２の発明であって、前記高分子分散型
液晶層の厚みが、３μｍ以上、８μｍ以下であることを
特徴とする。高分子分散型液晶層の厚みを規制するの
は、上記請求項３記載の発明において説明したのと同様
の理由による。また、請求項２５の発明は、一対の基板
間に、高分子中に液晶滴が分散された高分子分散型液晶
層が配置され、前記一対の基板のうち一方の基板に反射
層が形成され、前記一方の基板または他方の基板の何れ
か一方にＲＧＢカラーフィルタが形成され、前記高分子
分散型液晶層間に電界を印加して、高分子分散型液晶層
の光散乱状態を変化させて表示を行なう反射型液晶表示
素子において、前記高分子分散型液晶層の厚みをｄ（μ
ｍ）、前記高分子分散型液晶層の緑色光に対する散乱ゲ
インのうち赤色画素領域の散乱ゲインをＳＧｒ、緑色画
素領域の散乱ゲインをＳＧｇ、青色画素領域の散乱ゲイ
ンをＳＧｂとした場合に、緑色画素領域では、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧｇ ＜ ３６０ｅｘ
ｐ（−０．４７ｄ） が成り立ち、青色画素領域では、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧｂ ＜ ３６０ｅｘ
ｐ（−０．４７ｄ） が成り立ち、赤色画素領域では、 ４０ｅｘｐ（−０．３ｄ）＜ ＳＧｒ ＜ ６５０ｅｘ
ｐ（−０．４ｄ） が成立つことを特徴とする。ＲＧＢカラーフィルタを用
いるとフルカラー表示が可能となる。このとき、高分子
分散型液晶層の散乱特性はＲＧＢの波長で異なるため、
高コントラストを得るための最適な散乱ゲインの範囲は
ＲＧＢで異なる。我々は、実験結果から前記高分子分散
型液晶層の厚みをｄ（μｍ）、前記高分子分散型液晶層
の緑色光に対する散乱ゲインのうち赤色画素領域の散乱
ゲインをＳＧｒ、緑色画素領域の散乱ゲインをＳＧｇ、
青色画素領域の散乱ゲインをＳＧｂとした場合に、各Ｓ
Ｇｒ、ＳＧｇ、ＳＧｂを、上記範囲とすることで高コン
トラスト化が達成できることを見出した。なお、ＳＧ
ｒ、ＳＧｇ、ＳＧｂを、上記範囲とすることで高コント
ラスト化が達成できる理由は、請求項１記載の発明にお
いて説明したことと基本的には同じ原理による。また、
請求項２６の発明は、請求項２５の発明であって、前記
赤色画素領域の層厚をｄＲ、前記緑色画素領域の層厚を
ｄＧ、前記青色画素領域の層厚をｄＢとしたときに、ｄ
Ｒ＞ｄＧ＞ｄＢであることを特徴とする。上記構成によ
り、製造の容易な液晶表示素子を構成できる。また、請
求項２７の発明は、請求項２５の発明であって、前記赤
色画素領域の液晶滴の粒径をｒＲ、前記緑色画素領域の
液晶滴の粒径をｒＧ、前記青色画素領域の液晶滴の粒径
をｒＢとしたときに、ｒＲ＞ｒＧ＞ｒＢであることを特
徴とする。上記構成により、高コントラストの表示に加
えて、ＲＧＢの各画素間でほぼ均一な表示コントラスト
が得られることになる。また、請求項２８の発明は、請
求項２５の発明であって、前記カラーフィルタが前記反
射層上に形成され、前記高分子分散型液晶層が前記カラ
ーフィルタ上に形成されたことを特徴とする。

【００３２】また、請求項２９の発明は、請求項８の発
明であって、所定の観察方向から観察した場合に、液晶
層の散乱状態と透過状態との変化過程中に輝度レベルに
ピーク値が存在するような輝度−電圧特性を有し、前記
輝度−電圧特性における輝度レベルがピーク値となる電
圧値と、輝度レベルが略０レベルとなる電圧値との範囲
を、駆動電圧範囲とすることを特徴とする。

【００３３】また、請求項３０の発明は、請求項１３の
発明であって、所定の観察方向から観察した場合に、液
晶層の散乱状態と透過状態との変化過程中に輝度レベル
にピーク値が存在するような輝度−電圧特性を有し、前
記輝度−電圧特性における輝度レベルがピーク値となる
電圧値と、輝度レベルが略０レベルとなる電圧値との範
囲を、駆動電圧範囲とすることを特徴とする。

【００３４】また、請求項３１の発明は、請求項２９の
発明であって、前記観察方向が、液晶層の透過状態時に
液晶層から前方側へ出射される光の出射方向と異なる方
向に設定されていることを特徴とする。

【００３５】また、請求項３２の発明は、請求項３０の
発明であって、前記観察方向が、液晶層の透過状態時に
液晶層から前方側へ出射される光の出射方向と異なる方
向に設定されていることを特徴とする。

【００３６】

【発明の実施の形態】実施の形態に基づいて本発明の内
容を具体的に説明する。

【００３７】この実施の形態は、散乱ゲインや、液晶の
屈折率異方性の大きさと液晶層の厚さとの積などを適切
に設定することによって、高輝度化および高コントラス
ト化を図ることができるものである。（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１に係る液晶表示素子１０１
の簡略化した断面図である。液晶表示素子１０１は、反
射型の液晶表示素子であり、ノーマリホワイトモードの
液晶表示素子である。液晶表示素子１０１は、アレイ基
板１０２と、アレイ基板１０２に対向して配置される対
向基板１０３と、アレイ基板１０２と対向基板１０３と
の間に配置された高分子分散型液晶層１０４とを有す
る。アレイ基板１０２及び対向基板１０３は、例えばガ
ラスから成る透明な基板である。このアレイ基板１０２
上には、ソースライン１０６、反射性を有する金属から
成る反射画素電極１０５、及び画素スイッチング素子と
しての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が形成されてい
る。反射画素電極１０５は、アルミニウム（Ａｌ）ある
いはクロム（Ｃｒ）等から成る。これらソースライン１
０６、反射画素電極１０５及びＴＦＴ等は、絶縁膜１０
７により覆われている。前記対向基板１０３の内側面に
は、透明な対向電極１０９と、絶縁膜１１０とがこの順
序で積層状に形成されている。

【００３８】また前記高分子分散型液晶層１０４は、高
分子１１１中に液晶滴１１２が分散された構造とされ、
液晶滴１１２内の液晶は誘電率異方性が正のものが用い
られている。

【００３９】ここで、高分子分散型液晶層１０４は、そ
の散乱ゲインＳＧが、以下の第１式の関係を満たしてい
る。ここで、散乱ゲインＳＧは、ＳＧ＝（パネル輝度／
パネル照度）×πで定義されるものであり、散乱ゲイン
が大きいと散乱性が小さく、散乱ゲインが小さいと散乱
性が大きいことを意味する。なお、散乱ゲインは、緑色
光に対する散乱ゲインを用いた。

【００４０】 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ（−０．４７ｄ） …（１） ｄは高分子分散型液晶層１０４の層厚（以下、パネルギ
ャップと称する。）である。

【００４１】上記のように高分子分散型液晶層１０４の
散乱ゲインが第１式を満たすように設定することによ
り、従来例に比べて格段に高輝度及び高コントラストの
反射型液晶表示素子を実現できる。なお、散乱ゲイン
は、例えば屈折率異方性の大きさΔｎとパネルギャップ
ｄとの積Δｎｄや、液晶滴の大きさなどにより設定する
ことができるが、これらに関しては後に詳述する。

【００４２】また、上記第１式を満たすことによって高
輝度、高コントラストが得られるのは、液晶滴１１２内
の液晶における室温での屈折率異方性の大きさΔｎが概
ね０．２５の場合であるが、Δｎの値が大幅に異なる場
合、例えば多く用いられる液晶材料のΔｎの値（例えば
概ね０．１５以上、０．２７以下程度）の場合などで
も、下記第１’式を満たすように設定することによって
高輝度、高コントラストを得ることができる。

【００４３】 ５０ｅｘｐ（−１．６Δｎ・ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ（−１．８８Δ ｎ・ｄ） …（１’） なお、上記第１式や第１’式を満たす散乱ゲインＳＧの
値は、一般的な液晶材料、パネルギャップなどのパネル
条件においては、例えば１０℃以上、６０℃以下の使用
温度範囲内では、概ね１０以上、２００以下程度であ
る。

【００４４】以下に、本発明に係る液晶表示素子の動作
を説明しつつ、上記の理由を述べることにする。

【００４５】図２は反射型液晶表示素子の表示動作を説
明するための図である。図２を参照して、表示動作を説
明すると、電圧ＯＦＦ時においては、図２（ａ）に示す
ように、液晶滴１１２内の液晶は、配向軸が互いに３次
元ランダムな方位にあり、そのため、液晶と高分子１１
３との屈折率差によりパネルは散乱状態を示す。このと
きパネルの入射光１２０は、散乱光１２１となり白表示
が得られる。一方、電圧ＯＮ時には、図２（ｂ）に示す
ように、液晶滴１１２内の液晶は、ほぼパネルギャップ
方向に配向する。そのため、液晶と周囲の高分子１１３
との屈折率マッチングによりパネルは透明状態となる。
したがって、入射光１２０は散乱を受けず、反射画素電
極で反射されて正反射光１２２としてパネルから放出さ
れる。このとき、観察者１２５の方向には光が放出され
ずパネルは黒表示が得られる。

【００４６】ところで、上記表示動作を有する高分子分
散型液晶表示素子の電圧・反射率特性は、図３に示され
ている。この図３の特性は、本発明者の実験結果により
得られたものである。尚、測定条件は、入射光の入射角
度θ１＝３０°、測定角度θ２＝１５°（図２（ｂ）参
照）とした。この測定条件は、反射型液晶表示素子の標
準の見方に対応させたものである。

【００４７】図３から明らかなように、印加電圧の増加
に従い、反射率は上昇していきピーク値に達した後、減
少する。即ち、反射型の高分子分散型液晶表示素子は、
その電圧・反射率特性においてピーク反射率が存在す
る。このようなピーク反射率の存在は、本発明者の実験
結果により初めて見出されたものである。

【００４８】ここで、ピーク反射率が存在するのは、以
下の原理によると考えられる。図４を参照して、その原
理を説明する。図４において、電圧無印加時（図３のＡ
点に相当）のパネルの散乱状況を散乱方位分布１３０で
示し、反射率が最大となるとき（図３のＢ点に相当）の
散乱状況を散乱方位分布１３１で示し、さらに電圧を印
加した場合（図３のＣ点に相当）の散乱状況を散乱方位
分布１３２で示した。ノーマリホワイトモードの高分子
分散型パネルの場合、電圧印加に伴い散乱は弱くなり入
射光の正反射方向に散乱方位分布が伸びる。このとき、
図４の観察者１２５の位置からは、散乱方位分布１３０
より散乱方位分布１３１の方が反射率が高い。また、さ
らに電圧を印加すると、ほぼ正反射方向に収束した散乱
方位分布１３２となり、観察者１２５方向の反射率は減
少する。このため電圧・反射率特性の反射率にピークが
発生する。本発明者は、かかる電圧・反射率特性に着目
して、ピーク反射率での輝度レベルを白輝度とすること
で、すなわち、輝度レベルがピークとなる電圧値と、輝
度レベルがほぼ０レベルとなる電圧値との範囲、または
輝度が上記ピークから単調減少する電圧値の範囲を駆動
電圧範囲とすることにより、高輝度化及び高コントラス
ト化を図ることができることを見出した。

【００４９】なお、従来、電圧・反射率特性においてピ
ーク反射率が存在するようなモードは知られていなかっ
た。これは、斜め方向からの入射光に対して、パネル正
面に反射する光を測定して、電圧・反射率特性を得てい
たこと、更には、透過型の場合に散乱ゲインＳＧは１〜
２程度に設定されていたことから、反射型についても散
乱ゲインは同程度の散乱ゲインのものが使用されてお
り、そのためピーク反射率が小さく、ピーク反射率の存
在が認識され得るものではなかったものと考えられる。

【００５０】ここで、図３を参照して、散乱ゲインと電
圧・反射率特性の関係について説明する。従来の黒色吸
収板を用いる反射型の液晶表示素子では、散乱ゲインＳ
Ｇは１〜２程度である。これは、一般に透過型液晶表示
素子においては、散乱状態（初期状態）において完全散
乱を得るために、ＳＧ＝１程度に設定されており、反射
型の液晶表示素子においても、完全散乱を得ることによ
り高輝度及び高コントラストが実現できるものとの考え
により、散乱ゲインがＳＧ＝１程度に設定されているの
が実情である。ところが、本発明者の実験結果によれ
ば、上記したように電圧・反射率特性において、ピーク
反射率（ピーク輝度に相当）が存在しており、ＳＧ＝１
の場合の電圧・反射率特性は、図３のラインＭ１で示さ
れる。従って、ＳＧ＝１に設定されている従来例では、
実際には、電圧無印加状態（印加電圧０Ｖの場合）より
も、輝度レベルが大きい場合が存在する。なお、ＳＧ＝
１の場合、液晶分子が基板に対して垂直状態となって
も、斜め光については、高分子と液晶の屈折率が異なる
ことから、反射率が０％からかなり離れた値に収束す
る。このような状態であっても、黒色吸収板を用いるの
で、黒レベルでは黒色吸収板の黒が写るので、反射率は
０％でなくても十分な黒レベルが得られる。しかしなが
ら、コントラストが高くない。

【００５１】一方、他の条件にもよるが、例えばパネル
ギャップが比較的大きい場合において、ＳＧ＝１００の
場合の電圧・反射率特性は、図３のラインＭ２で示され
る。即ち、電圧増加に従って、反射率は初期状態から若
干上昇した後、減少していき、ほぼ０％に収束する。こ
れは、散乱ゲインが大きい場合（即ち、散乱性が小さい
場合）には、斜めからの光に対しても散乱性の変化は小
さいと考えられる。従って、ピーク反射率も小さくなる
と考えられる。一方、散乱性が本来的に小さいので、電
圧上昇により反射率がほぼ０％に収束する。こうして、
散乱ゲインは小さくても、大きすぎても、高輝度及び高
コントラストが得られない。高輝度化及び高コントラス
ト化を達成するためには、最適な散乱ゲインが存在する
ことが認められる。本発明者の実験結果によれば、約１
０〜２０程度の散乱ゲインが最適値である。従って、そ
のような最適な散乱ゲインに設定することにより、図３
のラインＭ３で示される特性が得られ、高輝度化及び高
コントラスト化を達成できる。

【００５２】一方、所定のコントラストが得られる散乱
ゲインは、パネルギャップと相関関係があり、最適な散
乱ゲインを得るためには、パネルギャップの値を考慮す
る必要がある。そこで、具体的に最適な散乱ゲインを求
めるため、様々な散乱性能を有する高分子分散型液晶パ
ネルの評価を行い、その結果、図５に示す散乱ゲインと
コントラストとの関係を得た。なお、散乱ゲインは、透
過型パネルで測定した散乱ゲインを用いた。また、コン
トラストは上記電圧・反射率特性の場合と同様の測定条
件（入射光の入射角度θ１＝３０°、測定角度θ２＝１
５°）で測定した結果を用いた。図５から明らかなよう
に、コントラストが最大となる散乱ゲインが存在し、し
かも該散乱ゲインはパネルギャップで異なることが認め
られる。このことは、パネルギャップを或る値に設定す
れば、最大コントラストを得るための散乱ゲインが決定
されることを意味する。ここで、本発明に係る液晶表示
素子としては、最大コントラストの７０％以上のコント
ラストが得られることが望ましく、最大コントラストの
７０％以上のコントラストを得る散乱ゲインの範囲を求
めることにした。尚、従来例の反射型パネルのコントラ
ストは、通常１０程度であり、大きい場合でも１５程度
である。従って、最大コントラストの７０％以上であれ
ば、従来例に比べて格段に高コントラスト化が実現でき
ることになる。

【００５３】最大コントラストの７０％以上のコントラ
ストを得る散乱ゲインの範囲は、具体的には以下の手順
で求めた。即ち、各パネルギャップｄに関する散乱ゲイ
ン−コントラスト特性（図５において、ｄ＝４．５μｍ
の場合の特性を参照符号Ｌ１で、ｄ＝７μｍの場合の特
性を参照符号Ｌ２で、ｄ＝１０μｍの場合の特性を参照
符号Ｌ３で示している。）において、最大コントラスト
の７０％のコントラスト（図５においてラインｍ１、ｍ
２、ｍ３がｄ＝４．５μｍ、７μｍ、１０μｍの場合の
最大コントラストの７０％のラインを示している）を得
る散乱ゲインを求め、この値を順次プロットすることに
より図６に示すパネルギャップと散乱ゲインとの関係を
得た。具体的に説明すれば、図５の点Ａ１，Ａ２，Ａ
３；Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３；Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を図６にプロ
ットした。次いで、図６のパネルギャップと散乱ゲイン
との関係から最適な散乱ゲインの範囲を算出した。

【００５４】ここで、図６のラインＰ１は許容範囲上限
を示し、ラインＰ２は最適コントラストの範囲を示し、
ラインＰ３は許容範囲下限を示す。従って、図６の特性
より、最適な散乱ゲインＳＧの範囲は、ラインＰ１とラ
インＰ３の範囲にあればよいことが認められる。ここ
で、ラインＰ１を関数表示すれば、ＳＧ＝３６０ｅｘｐ
（−０．４７ｄ）であり、ラインＰ３を関数表示すれ
ば、ＳＧ＝５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）である。よって、
最適な散乱ゲインＳＧの範囲は、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ
（−０．４７ｄ） を満たせばよいことが理解される。

【００５５】なお、ラインＰ２を関数表示すれば、ＳＧ
＝２６５ｅｘｐ（−０．５ｄ）である。よって、散乱ゲ
インＳＧを２６５ｅｘｐ（−０．５ｄ）に設定すれば、
そのパネルギャップにおける最大コントラストが得られ
ることになる。

【００５６】また、本発明者の実験により、最大コント
ラストとパネルギャップとの間には、図７に示す関係が
あることが認められた。この図７より、パネルギャップ
が小さいほど最大コントラストは高い。しかしながら、
パネルギャップが３μｍ未満の場合には、実際に均一に
作製することが困難である。一方、パネルギャップが８
μｍを超えると、駆動電圧が増加するため、反射型パネ
ルとしては不適切である。よって、パネルギャップｄは
３μｍ以上、８μｍ以下に設定するのが望ましい。 （実施の形態１のより具体的な例）上記実施の形態１の
より具体的な例について説明する。

【００５７】図１に示す液晶表示素子１０１を以下の方
法で作製した。ガラスから成る透明基板上に、ＴＦＴ素
子、ソースライン１０６、アルミニウムから成る反射画
素電極１０５等を形成してアレイ基板１０２とした。こ
のとき、反射画素電極１０５は平坦な鏡面反射板とし
た。また、対向基板１０３上に透明な対向電極１０９等
を形成した。次いで、上下の基板１０２，１０３をパネ
ルギャップ５μｍで貼り合わせた。次に基板１０２，１
０３間に高分子分散型液晶材料（商品名：ＰＮＭ２０
１、大日本インキ化学工業製）を真空注入した。そし
て、高分子分散型液晶材料が真空注入されたパネルに、
紫外線を照射し材料を重合させて高分子分散型液晶パネ
ルを作成した。

【００５８】形成したパネルの電圧・反射率特性を測定
しパネル評価を行った。これにより図３の特性が得られ
た。次に液晶粒径とパネルギャップを変えたパネルを多
数作成し、散乱ゲインとコントラストの関係を評価し
た。これにより図５の特性が得られた。なお、このとき
反射型パネルの場合と同材料を用いて、同粒径、同パネ
ルギャップの高分子分散液晶層を透過型パネルで別途作
成し、散乱ゲインをパネル透過光から評価した。ここ
で、コントラストは極角３０°方向から光を入射したと
きの極角１５°方向のピーク反射率の値と最大印加電圧
時の輝度から求めた。

【００５９】また、図５から図６に示す最適な散乱ゲイ
ンの範囲とパネルギャップの関係を得た。このときの最
適範囲は、最大コントラストの７０％以上が実現できる
範囲である。図５より散乱ゲインＳＧが、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ
（−０．４７ｄ） を満たすときに高コントラストが得られることが解る。
このときのｄ（μｍ）はパネルギャップである。また、
ＳＧ＝２６５ｅｘｐ（−０．５ｄ）を満たすとコントラ
ストを最大とすることができる。具体的には、パネルギ
ャップが４．５μｍの場合、最適な散乱ゲインは１０〜
４０程度の範囲に存在する。またゲイン２５でコントラ
ストは最大５５程度が得られた。また、図７に示すよう
にコントラストの最大値はパネルギャップで異なり、３
μｍ以上、８μｍ以下であればコントラスト３０以上と
極めて良好な表示が得られる。

【００６０】なお、上記の例では、散乱ゲインの最適な
範囲を求めるためのコントラストを最大コントラストの
７０％以上としたが、これは必要に応じて、例えば最大
コントラストの５０％以上など所定のコントラストを用
いてもよい。最大コントラストの５０％以上の場合に
は、散乱ゲインの最適な範囲は、前記７０％以上の場合
と同様に図５より、 ３７ｅｘｐ（−０．３７ｄ）＜ ＳＧ ＜ ２７５ｅｘ
ｐ（−０．３１ｄ）、 または ３７ｅｘｐ（−１．４８Δｎ・ｄ）＜ ＳＧ ＜ ２７
５ｅｘｐ（−１．２４Δｎ・ｄ） となる。

【００６１】また、最大コントラストの９０％の場合に
は、 １７７ｅｘｐ（−０．５２ｄ）＜ ＳＧ ＜ ２２９ｅ
ｘｐ（−０．４１ｄ）、または １７７ｅｘｐ（−２．０８Δｎ・ｄ）＜ ＳＧ ＜ ２
２９ｅｘｐ（−１．６４Δｎ・ｄ） となる。

【００６２】さらに具体的には、例えばパネルギャップ
が３μｍで最大コントラストの７０％以上の場合は、最
適な散乱ゲインの範囲は、１５以上、１０８以下で、最
適な散乱ゲインは８０である。 （実施の形態２）実施の形態２に係る液晶表示素子は、
基本的には実施の形態１とほぼ同様の構成を有する。但
し、液晶滴内の液晶の屈折率異方性の大きさΔｎとパネ
ルギャップｄの積Δｎｄが、０．６μｍ以上、２．２μ
ｍ以下とすることを特徴とする。このような構成によっ
てもまた、高輝度及び高コントラストの反射型の高分子
分散型液晶表示素子を実現できる。

【００６３】以下に、その理由について説明する。散乱
ゲインは、液晶の屈折率異方性の大きさ、パネルギャッ
プ、及び液晶滴の粒径等により決定される。（なお、こ
れらのパラメータは独立に変えることができるため、同
じ散乱ゲインでも、パラメータの組み合わせは多々存在
する。）従って、液晶の屈折率異方性の大きさΔｎとパ
ネルギャップｄの積Δｎｄにより、散乱ゲインを規定す
ることもできる。このような考えの下、本発明者の実験
により、図８に示すΔｎｄとコントラストとの関係が得
られた。ここで、実施の形態２では、３０以上のコント
ラストに設定した。図８において、３０以上のコントラ
ストの範囲に対応するΔｎｄは、０．６μｍ以上、２．
２μｍ以下であることが認められる。よって、Δｎｄ
が、０．６μｍ以上、２．２μｍ以下となるような液晶
材料の選択及びパネルギャップの設定により、高輝度及
び高コントラストの反射型の高分子分散型液晶表示素子
を実現できることになる。

【００６４】なお、パネルギャップｄは、実施の形態１
と同様な理由により、３μｍ以上、８μｍ以下とするの
が望ましい。また、液晶の屈折率異方性Δｎは、０．１
５以上、０．２７以下とするのが望ましく、液晶滴の粒
径は、０．７μｍ以上、２μｍ以下とするのが望まし
い。尚、パネルギャップｄ、液晶の屈折率異方性Δｎ及
び液晶滴の粒径は、上記のそれぞれの範囲内で適宜選択
して組み合わせて、Δｎｄを０．６μｍ以上、２．２μ
ｍ以下の範囲内に設定すればよい。ここで、散乱ゲイン
が最適範囲であれば、粒径、Δｎ、およびパネルギャッ
プの組み合わせは、上記の範囲内で任意でよい。 （実施の形態２のより具体的な例）上記実施の形態２の
より具体的な例について説明する。

【００６５】実施の形態１とほぼ同様の構成において、
液晶の屈折率異方性の大きさΔｎ、パネルギャップｄ、
及び液晶滴の粒径Ｒが異なるパネルを多数作成し、電圧
・反射率特性を測定した。特性は、極角３０°から光を
入射し、極角１５°の反射光を測定した。測定結果によ
り、図８に示すパネルコントラストと積Δｎｄの相関が
得られた。図８から明らかなようにコントラストはΔｎ
ｄに対しピーク値を有した。また、Δｎｄが、０．６μ
ｍ以上、２．２μｍ以下のときにコントラストは３０以
上となり良好な表示が得られた。このときの液晶の複屈
折率は０．１５以上、０．２７以下とした。また、パネ
ルギャップを、３μｍ以上、８μｍ以下とするために
は、散乱性の観点から液晶滴の粒径は０．７μｍ以上、
２μｍ以下とする必要があった。液晶の屈折率異方性
と、パネルギャップ、及び粒径の組み合わせは、上記の
範囲で任意の組み合わせを取れる。特に駆動電圧の低減
の観点からパネルギャップを８μｍ以下に設定する場
合、液晶滴の粒径は０．５μｍ以上、２μｍ以下とする
必要がある。 （実施の形態３）図９は本発明の実施の形態３に係わる
液晶表示素子１０１Ｂの簡略化した断面図である。本実
施の形態において、実施の形態１に対応する部分には同
一の参照符号を付して説明は省略する。本実施の形態で
は、高分子分散型液晶層１０４Ａが、高分子１１１と、
２種類の液晶滴１１２Ａ，１１２Ｂとから構成されてい
る。液晶滴１１２Ａは高分子分散型液晶層１０４Ａ内部
に存在し、実施の形態１の高分子分散型液晶における液
晶滴１１２と同様な形状である。一方、液晶滴１１２Ｂ
は基板１０２，１０３界面にほぼ半球状に存在する。液
晶滴１１２Ｂ内の液晶は、基板１０２，１０３に沿って
ほぼ一様の方向に配向し、液晶滴１１２Ａ内の液晶は、
液晶の配向軸が３次元的にランダムな方向に配向してい
る。

【００６６】なお、液晶滴１１２Ｂを形成すべく、基板
１０２，１０３上には、配向膜１４０，１４１が形成さ
れており、この配向膜１４０，１４１に対する濡れ性
が、液晶材料の方が高分子材料よりも大きくなるように
材料が選定されている。また、配向膜１４０，１４１
は、ラビング処理により水平配向処理がなされている。

【００６７】上記構成の如く、液晶滴１１２Ｂを形成す
ることにより、基板界面層での散乱を減少させて、散乱
ゲインを大きくする作用が生じる。よって、液晶滴１１
２Ｂの大きさを調整することにより、液晶組成や液晶滴
の粒径等を変えずに、かつ、液晶分率を大きくすること
なく、パネルの散乱ゲインを最適範囲に調整して、高輝
度化及び高コントラスト化を図ることができる。

【００６８】尚、配向膜１４０と配向膜１４１のラビン
グ方向は、同一方向としてもよく、また相互に異なる方
向としてもよい。但し、同一方向とすれば、基板１０
２，１０３の各界面間での散乱がさらに低減する効果が
ある。またパネルギャップｄは、３μｍ以上、８μｍ以
下とする。これは、実施の形態１においてパネルギャッ
プｄを規制したのと同様の理由による。 （実施の形態３のより具体的な例）上記実施の形態３の
より具体的な例について説明する。

【００６９】実施の形態３に係る液晶表示素子１０１Ｂ
を、以下の方法で作製した。先ず、ガラスから成る透明
基板上に、ＴＦＴ素子、ソースライン１０６、アルミニ
ウムから成る反射画素電極１０５等を形成してアレイ基
板１０２とした。このとき、反射画素電極１０５は平坦
な鏡面反射板とした。また、対向基板１０３上に、透明
な対向電極１０９等を形成した。次に上下の基板１０
２，１０３に配向膜１４０，１４１（商品名：ＡＬ５４
１７、日本合成ゴム製）を形成した後、配向膜１４０，
１４１にラビング処理を施した。ラビング処理の方向
は、上下の基板１０２，１０３を貼り合わせた後に互い
に平行になるようにした。次に、上下の基板１０２，１
０３をパネルギャップ５μｍで貼り合わせた。次に基板
１０２，１０３間に高分子分散型液晶材料（商品名：Ｐ
ＮＭ２０１、大日本インキ化学工業製）を真空注入し
た。その後、パネルに紫外線を照射し材料を重合させて
実施の形態３に係る高分子分散型パネルを作成した。ま
た、実施の形態３に係る高分子分散型パネルとは別に、
配向膜１４０，１４１を形成しないこと以外は上記と同
様にして評価用の高分子分散型パネルを作成した。本評
価パネルの散乱ゲインは３０であり、ラビング処理を施
さない場合の１５より大きかった。また、評価用のパネ
ルの基板を剥離し、画像処理装置を用いて界面を観察し
たところ界面には半球状の液晶滴が形成されていた。こ
のようにラビング処理を施した基板を用いてパネルを作
成することで、界面の液晶がラビング方向に沿ってほぼ
一様に配向し、界面での散乱を低減することができる。
これにより、散乱ゲインを任意に調整することが可能と
なり、散乱ゲインを高コントラストが実現できる例えば
２５近辺に設定できる。

【００７０】尚、基板に形成する配向膜は上記以外でも
良く、高分子／液晶の相分離時に、基板上に液晶滴が半
球状に析出するものなら良い。このとき、配向膜に対す
る濡れ性を、液晶材料の方が高分子材料より大きくすれ
ば良い。また、ラビング方向は任意で良いが、上下基板
の方向を合わせた方が散乱が小さくなる。これは散乱度
に応じて上下で方向を変えても良い。 （実施の形態４）図１０は本発明の実施の形態４に係わ
る液晶表示素子１０１Ｃの簡略化した断面図である。本
実施の形態において、実施の形態１に対応する部分には
同一の参照符号を付して説明は省略する。本実施の形態
に係わる液晶表示素子１０１Ｃは、赤色（Ｒ）カラーフ
ィルタ部１６１、緑色（Ｇ）カラーフィルタ部１６２、
青色（Ｂ）カラーフィルタ部１６３から成るカラーフィ
ルタ１６０を備えた反射型の液晶表示素子である。な
お、図中、１６５はＲ用反射画素電極１０５ａに接続さ
れるＴＦＴ素子であり、１６６はＧ用反射画素電極１０
５ｂに接続されるＴＦＴ素子であり、１６７はＢ用反射
画素電極１０５ｃに接続されるＴＦＴ素子である。ま
た、１６４は絶縁層であり、１６８はブラックマトリク
スである。また、１０４Ｇは高分子分散型液晶層１０４
のうちのＧ画素領域であり、１０４Ｂは高分子分散型液
晶層１０４のうちのＢ画素領域であり、１０４Ｒは高分
子分散型液晶層１０４のうちのＲ画素領域である。

【００７１】上記実施の形態１〜３では、カラーフィル
タを備えない液晶表示素子であったけれども、本実施の
形態では、カラーフィルタ１６０を備えたフルカラー表
示の液晶表示素子である。かかるフルカラー表示の液晶
表示素子の場合には、散乱ゲインの最適範囲についてＲ
・Ｇ・Ｂ各々について考慮する必要がある。なぜなら、
高分子分散型液晶層の散乱特性は赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）、青色（Ｂ）の波長で異なるからである。そこ
で、本実施の形態では、Ｒ・Ｇ・Ｂ毎の散乱ゲインの最
適範囲を求め、Ｒ・Ｇ・Ｂそれぞれを最適散乱ゲインと
なるように構成して高コントラストの液晶表示素子を得
るようにしたものである。

【００７２】具体的には、高分子分散型液晶層の厚みを
ｄ（μｍ）、 高分子分散型液晶層の緑色光に対する散
乱ゲインのうち赤色（Ｒ）画素領域４Ｒの散乱ゲインを
ＳＧｒ、緑色（Ｇ）画素領域４Ｇの散乱ゲインをＳＧ
ｇ、青色（Ｂ）画素領域４Ｂの散乱ゲインをＳＧｂとし
た場合に、Ｇ画素領域１０４Ｇでは、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧｇ ＜ ３６０ｅｘｐ（−０．４７ｄ） …（２） を満たし、Ｂ画素領域１０４Ｂでは、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧｂ ＜ ３６０ｅｘｐ（−０．４７ｄ） …（３） を満たし、Ｒ画素領域１０４Ｒでは、 ４０ｅｘｐ（−０．３ｄ）＜ ＳＧｒ ＜ ６５０ｅｘｐ（−０．４ｄ） …（４） を満たしている。

【００７３】上記の範囲が、最大コントラストの７０％
以上を実現できる散乱ゲインの最適範囲である。以下に
その理由について説明する。先ず、Ｇ画素領域１０４Ｇ
での散乱ゲインの最適範囲は、上記実施の形態１の第１
式より、上記第２式の範囲となる。

【００７４】Ｂ画素領域１０４Ｂでは、散乱ゲインの最
適範囲は厳密にはＧ画素領域１０４Ｇの散乱ゲインの最
適範囲と異なる。しかしながら、本発明者の実験結果に
よれば、Ｂ画素領域１０４Ｂにおいても、Ｇ画素領域１
０４Ｇと同様の上記第３式の範囲で十分な最適値となっ
た。

【００７５】Ｒ画素領域１０４Ｒでは、散乱ゲインとパ
ネルギャップとの関係を示す図１１から最適範囲として
上記第４式を求めたものである。なお、図１１は上記実
施の形態１と同様な方法により求めたものであり、図６
に対応するものである。

【００７６】従って、上記第２式〜第４式を満たす範囲
の散乱ゲインに各画素領域１０４Ｒ，１０４Ｇ，１０４
Ｂを設定することにより、高コントラストのフルカラー
表示の反射型液晶表示素子が得られることになる。

【００７７】また、本実施の形態では、Ｒ画素領域１０
４Ｒの液晶滴１１２Ｒの粒径をｒＲ、Ｇ画素領域１０４
Ｇの液晶滴１１２Ｇの粒径をｒＧ、Ｂ画素領域１０４Ｂ
の液晶滴１１２Ｂの粒径をｒＢとすると、ｒＲ＞ｒＧ＞
ｒＢを満たしている。このような構成にすれば、上記第
２式〜第４式を満たす液晶表示素子の製造が容易にな
る。以下にその理由について述べる。

【００７８】ＲＧＢの液晶滴の粒径と散乱ゲインとは、
パネルギャップ、および屈折率異方性の大きさが同じ場
合、図１２に示す関係を有していることが知られてい
る。ここで、例えば、Ｒ画素領域１０４Ｒの散乱ゲイン
をＮ１（Ｎ１は上記第４式の範囲内の値である。）と
し、Ｇ画素領域１０４Ｇの散乱ゲインをＮ２（Ｎ２は上
記第２式の範囲内の値である。）とし、Ｂ画素領域１０
４Ｂの散乱ゲインをＮ３（Ｎ３は上記第３式の範囲内の
値である。）とした場合を想定する。この場合、粒径ｒ
Ｒは、ｒＲ１とｒＲ２のいずれであってもよい。同様に
粒径ｒＧについても、ｒＧ１とｒＧ２のいずれであって
もよく、また、粒径ｒＢについても、ｒＢ１とｒＢ２の
いずれであってもよい。従って、上記第２式〜第４式を
満たす液晶表示素子としては、ＲＧＢの液晶滴の大小
は、複数の組み合わせが可能である。そのうち、ｒＲ＞
ｒＧ＞ｒＢを満たすように構成する場合（例えばｒＲ２
＞ｒＧ２＞ｒＢ２場合）には、その他の組み合わせに比
べて製造が容易である。すなわち、紫外線をカラーフィ
ルタ１６０側から照射すればよく、そのようにすれば、
カラーフィルタ１６０により紫外線の強度がＲカラーフ
ィルタ部１６１、Ｇカラーフィルタ部１６２、Ｂカラー
フィルタ部１６３の順序で弱まり、ｒＲ＞ｒＧ＞ｒＢを
満たすように液晶層が形成されるからである。上記以外
の組み合わせの場合には、例えばＲＧＢそれぞれ個別に
マスクを介して紫外線照射する等の方法を行う必要があ
り、製造が面倒である。 （実施の形態４のより具体的な例）上記実施の形態４の
より具体的な例について説明する。

【００７９】図１０に示す液晶表示素子１０１Ｃを以下
の方法で作製した。即ち、対向側の対向基板１０３にカ
ラーフィルタ１６０を形成したことを除けば、基本的に
は実施の形態１と同様の方法で作製した。

【００８０】次いで、ＲＧＢのそれぞれの画素領域に対
して高コントラストが得られる最適な散乱ゲインの範囲
とパネルギャップの関係を実施の形態１と同様の手法で
解析した。このときの最適範囲は、最大コントラストの
７０％以上が実現できる範囲とした。この結果、前記の
ように、Ｇ画素領域１０４Ｇでは、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧｇ ＜ ３６０ｅｘｐ（−０．４７ｄ） …（２） を満たすときに高コントラストが得られることが解っ
た。

【００８１】Ｂ画素領域１０４Ｂでは、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧｂ ＜ ３６０ｅｘｐ（−０．４７ｄ） …（３） を満たすときに高コントラストが得られることが解っ
た。

【００８２】また、Ｒ画素領域１０４Ｒでは、図１２に
示す特性が得られ、これにより、 ４０ｅｘｐ（−０．３ｄ）＜ ＳＧｒ ＜ ６５０ｅｘｐ（−０．４ｄ） …（４） を満たすときに高コントラストが得られることが解っ
た。このとき、ＳＧｒ＝１００ｅｘｐ（−０．２７ｄ）
でコントラストが最大となる。

【００８３】なお、実施の形態１と同様に、Ｇ画素領域
１０４Ｇでは、ＳＧｇ＝２６５ｅｘｐ（−０．５ｄ）で
コントラストが最大となり、Ｂ画素領域１０４Ｂでは、
ＳＧｂ＝２６５ｅｘｐ（−０．５ｄ）でコントラストが
最大となる。

【００８４】また、このとき液晶滴の粒径をＲＧＢで変
えることでゲインの最適化を行なった。具体的には、Ｒ
画素領域１０４Ｒの液晶滴の粒径をｒＲ、Ｇ画素領域１
０４Ｇの液晶滴の粒径をｒＧ、Ｂ画素領域１０４Ｂの液
晶滴の粒径をｒＢとすると、ｒＲ＞ｒＧ＞ｒＢを満たす
ようにＲＧＢ各画素領域の液晶滴を形成した。なお、Ｒ
ＧＢ光の波長は、Ｂが４３０ｎｍ、Ｇが５４０ｎｍ、Ｒ
が６２０ｎｍにほぼ対応する。 （実施の形態５）図１３は本発明の実施の形態５に係わ
る液晶表示素子１０１Ｄの簡略化した断面図である。
本実施の形態において、実施の形態１に対応する部分に
は同一の参照符号を付して説明は省略する。本実施の形
態は、上記実施の形態４と同様にフルカラー表示の反射
型液晶表示素子である。なお、本実施の形態では、ガラ
スから成る対向基板１０３に代えて、樹脂フィルム基板
１０３ａが用いられている。

【００８５】本実施の形態では、液晶層厚がＲＧＢ画素
領域毎に異なるように構成されている点において実施の
形態４と相違する。そして、各ＲＧＢ画素領域毎の散乱
ゲインがＲＧＢに対応する最適範囲となるようにセル厚
が構成されている。

【００８６】具体的には、Ｒ画素領域１０４Ｒ、Ｇ画素
領域１０４Ｇ及びＢ画素領域１０４Ｂにそれぞれ対応す
る層厚を、層厚ｄＲ、層厚ｄＧ、層厚ｄＢ（単位μｍ）
とし、 高分子分散型液晶層の緑色光に対する散乱ゲイ
ンのうち赤色（Ｒ）画素領域４Ｒの散乱ゲインをＳＧ
ｒ、緑色（Ｇ）画素領域４Ｇの散乱ゲインをＳＧｇ、青
色（Ｂ）画素領域４Ｂの散乱ゲインをＳＧｂとした場合
に、Ｇ画素領域１０４Ｇでは、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄＧ）＜ＳＧｇ ＜ ３６０ｅｘｐ（−０．４７ｄＧ） …（５） Ｂ画素領域１０４Ｂでは、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄＢ）＜ＳＧｂ ＜ ３６０ｅｘｐ（−０．４７ｄＢ） …（６） を満たし、Ｒ画素領域１０４Ｒでは、 ４０ｅｘｐ（−０．３ｄＲ）＜ＳＧｒ ＜ ６５０ｅｘｐ（−０．４ｄＲ） …（７） を満たしている。

【００８７】上記の範囲が、最大コントラストの７０％
以上を実現できる散乱ゲインの最適範囲である。このよ
うに高分子分散型液晶層１０４のうちＲ画素領域、Ｇ画
素領域及びＢ画素領域のそれぞれの層厚を異ならせるこ
とにより、高コントラストのフルカラー表示の反射型液
晶表示素子を得ることができる。

【００８８】また、本実施の形態では、各層厚ｄＲ，ｄ
Ｇ，ｄＢは、ｄＲ＞ｄＧ＞ｄＢを満たしている。このよ
うな構成により、最適範囲内で同一散乱ゲインを実現す
る液晶表示素子が得られる。なぜなら、各ＲＧＢに関す
る層厚と散乱ゲインとは、図１４に示す関係がある。こ
の図１４から明らかなように、ＲＧＢそれぞれが同一散
乱ゲインを得るためには、ｄＲ＞ｄＧ＞ｄＢを満たせば
よいことが理解される。従って、本実施の形態では、上
記第５式〜第７式を満たし、且つ、ｄＲ＞ｄＧ＞ｄＢを
満たすことにより、高コントラストの表示に加えて、Ｒ
ＧＢの各画素間でほぼ均一な表示コントラストが得られ
ることになる。

【００８９】なお、上記の例では、各画素間でほぼ均一
な表示コントラストが得られようにするため、ｄＲ＞ｄ
Ｇ＞ｄＢを満たすように構成したけれども、本発明はこ
れに限定されるものではく、上記第５式〜第７式を満た
し、且つ層厚をＲＧＢの各画素毎に個別に変えれば、Ｒ
ＧＢの各画素のコントラストを任意に制御することが可
能となる。 （実施の形態５のより具体的な例）上記実施の形態５の
より具体的な例について説明する。

【００９０】図１３に示す液晶表示素子１０１Ｄを以下
の方法で作製した。反射画素電極１０５ａ，１０５ｂ，
１０５ｃを有するアレイ基板１０２上にカラーフィルタ
を６０を形成した。次に、ＲＧＢ画素に対応した凹凸を
有するガラス基板（図示せず）に剥離材を塗布し、上記
のアレイ基板１０２と貼り合わせた。次に、基板間に高
分子分散型液晶材料を注入し紫外線重合法を用いて高分
子分散型液晶パネルを形成した。次に上記のガラス基板
を剥離材の部位で剥離した。このとき、高分子分散型液
晶層１０４には、ガラス基板の凹凸に対応してＲＧＢ画
素ごとに異なる層厚が形成されていた。このとき、層厚
ｄＢ＞層厚ｄＧ＞層厚ｄＲを満たすように形成した。具
体的には層厚ｄＢは７μｍ、層厚ｄＧは４μｍ、層厚ｄ
Ｒは３μｍとした。次に高分子分散型液晶層１０４上に
絶縁膜１１０を塗布し、対向電極１０９を有する樹脂フ
ィルム基板１０３ａを積層して高分子分散型液晶表示素
子とした。このとき、コントラストはＲＧＢの各画素で
２０〜２５が得られほぼ均一な表示コントラストが得ら
れた。

【００９１】上記のようにＲＧＢの層厚を個別に変える
ことで、ＲＧＢの画素のコントラストを任意に制御する
ことができる。また、対向基板に樹脂フィルム基板１０
３ａを用いることで軽量化が図れる。上記例では凹凸を
有するガラス基板を用いたが、これは平坦な高分子分散
型液晶層を形成した後に凹凸を有する型で押圧しても良
い。 （実施の形態の補足説明）上記各実施の形態では、緑色
光に対する散乱ゲインを用いたけれども、これに限ら
ず、白色光に対する散乱ゲインを用いてもよい。白色光
又は緑色光の何れに対する散乱ゲインを用いても、上記
第１式〜第７式の値はほぼ同様である。白色光に対する
人の感度は、緑色成分の強度によりほぼ決定されるた
め、白色光に対する散乱ゲインと緑色光に対する散乱ゲ
インとは、ほぼ差がないと考えられるからである。

【００９２】また、本発明に係る液晶表示素子は、液晶
滴が高分子中にほぼ独立して存在する形状に限定される
ものではなく、互いの一部が繋がった形状でも良い。ま
た、３次元ポリマーネットワークに液晶が挟持された構
造でも良い。高分子分散型液晶層は、誘電率異方性が正
の液晶を用いたノーマリモードの散乱表示モードであれ
ば材料を問わない。反射層としての反射画素電極はアル
ミ以外でも良く、クロム等を用いても良く、導電層を設
けた誘電多層膜反射板でも良い。更に、また反射画素電
極は平坦状であっても良く、また回折格子や鋸歯形状等
の微細構造が形成されていても良い。このような構造が
あると、周囲光の映り込み抑制に効果がある。また、上
記実施の形態１〜３では反射画素電極をソースライン等
と同一平面上に作成したが、これは、パシベーション層
等を積層した上に反射画素電極を形成しても良い。この
とき、パシベーション層を介して反射画素電極をソー
ス、及びゲート上にも作成することで画素開口率が向上
し、高輝度化の効果がある。

【００９３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、高分子分
散型液晶層の散乱ゲイン、パネルギャップ、及びΔｎｄ
等を制御することで、液晶分率を大きくすることなく、
高コントラスト、及び高輝度な反射型の高分子分散型液
晶表示素子を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶表示素子１０
１Ａの簡略化した断面図である。

【図２】液晶表示素子１０１Ａの表示原理を説明するた
めの図である。

【図３】液晶表示素子１０１Ａの電圧・反射率特性を示
す図である。

【図４】液晶表示素子１０１Ａの散乱特性を示す図であ
る。

【図５】散乱ゲインとコントラストの関係を示す図であ
る。

【図６】許容できるコントラストを実現するのに必要な
散乱ゲインのパネルギャップ依存性を示す図である。

【図７】パネルギャップと最大コントラストの関係を示
す図である。

【図８】パネルコントラストと積Δｎｄの関係を示す図
である。

【図９】本発明の実施の形態３に係る液晶表示素子１０
１Ｂの簡略化した断面図である。

【図１０】本発明の実施の形態４に係る液晶表示素子１
０１Ｃの簡略化した断面図である。

【図１１】赤色光に関する許容できるコントラストを実
現するのに必要な散乱ゲインのパネルギャップ依存性を
示す図である。

【図１２】ＲＧＢに関する散乱ゲインと粒径の関係を示
す図である。

【図１３】本発明の実施の形態５に係る液晶表示素子１
０１Ｄの簡略化した断面図である。

【図１４】最適な散乱ゲインを実現するのに必要なＲＧ
Ｂの層厚の大小関係を示す図である。

【符号の説明】

１０１ 液晶表示素子 １０２ アレイ基板 １０３ 対向基板 １０３ａ 樹脂フィルム基板 １０４ 高分子分散型液晶層 １０４Ｂ Ｂ画素領域 １０４Ｇ Ｇ画素領域 １０４Ｒ Ｒ画素領域 １０５ａ Ｒ用反射画素電極 １０５ｂ Ｇ用反射画素電極 １０５ｃ Ｂ用反射画素電極 １０６ ソースライン １０７ 絶縁膜 １０９ 対向電極 １１０ 絶縁膜 １１１ 高分子 １１２ 液晶滴 １１３ 高分子 １２０ 入射光 １２１ 散乱光 １２２ 正反射光 １２５ 観察者 １３０ 散乱方位分布 １３１ 散乱方位分布 １３２ 散乱方位分布 １４０，１４１ 配向膜 １６０ カラーフィルタ １６１ Ｒカラーフィルタ部 １６２ Ｇカラーフィルタ部 １６３ Ｂカラーフィルタ部

フロントページの続き (72)発明者 上村 強 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H089 HA04 QA16 SA02 TA12 2H090 JB02 KA11 LA15 2H091 FA02Y FA14Z JA02 KA02 LA17

Claims (32)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一対の基板間に、高分子中に液晶滴が分散
   された高分子分散型液晶層が配置され、前記一対の基板
   のうち一方の基板に反射層が形成され、前記高分子分散
   型液晶層間に電界を印加して、高分子分散型液晶層の光
   散乱状態を変化させて表示を行なう反射型液晶表示素子
   において、 前記高分子分散型液晶層の厚みに応じて、前記高分子分
   散型液晶層の散乱ゲインが設定されていることを特徴と
   する反射型液晶表示素子。
2. 【請求項２】前記散乱ゲインが、前記高分子分散型液晶
   層を透過型パネルに形成した場合の透過光に対する散乱
   ゲインであることを特徴とする請求項１記載の反射型液
   晶表示素子。
3. 【請求項３】前記高分子分散型液晶層の厚みｄが、３μ
   ｍ以上、８μｍ以下であることを特徴とする請求項１記
   載の反射型液晶表示素子。
4. 【請求項４】前記高分子分散型液晶層の厚みに応じて、
   前記高分子分散型液晶層における液晶滴の粒径が設定さ
   れていることを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表
   示素子。
5. 【請求項５】一対の基板間に、高分子中に液晶滴が分散
   された高分子分散型液晶層が配置され、前記一対の基板
   のうち一方の基板に反射層が形成され、前記高分子分散
   型液晶層間に電界を印加して、高分子分散型液晶層の光
   散乱状態を変化させて表示を行なう反射型液晶表示素子
   において、 前記高分子分散型液晶層に含まれる液晶の屈折率異方性
   の大きさに応じて、前記高分子分散型液晶層の散乱ゲイ
   ンが設定されていることを特徴とする反射型液晶表示素
   子。
6. 【請求項６】前記液晶の屈折率異方性の大きさに応じ
   て、前記高分子分散型液晶層における液晶滴の粒径が設
   定されていることを特徴とする請求項５記載の反射型液
   晶表示素子。
7. 【請求項７】一対の基板間に、高分子中に液晶滴が分散
   された高分子分散型液晶層が配置され、前記一対の基板
   のうち一方の基板に反射層が形成され、前記高分子分散
   型液晶層間に電界を印加して、高分子分散型液晶層の光
   散乱状態を変化させて表示を行なう反射型液晶表示素子
   において、 前記高分子分散型液晶層の厚みと、前記高分子分散型液
   晶層に含まれる液晶の屈折率異方性の大きさに応じて、
   前記高分子分散型液晶層の散乱ゲインが設定されている
   ことを特徴とする反射型液晶表示素子。
8. 【請求項８】一対の基板間に、高分子中に液晶滴が分散
   された高分子分散型液晶層が配置され、前記一対の基板
   のうち一方の基板に反射層が形成され、前記高分子分散
   型液晶層間に電界を印加して、高分子分散型液晶層の光
   散乱状態を変化させて表示を行なう反射型液晶表示素子
   において、 前記高分子分散型液晶層の厚みをｄ（μｍ）、前記高分
   子分散型液晶層の散乱ゲインをＳＧとした場合に、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０ｅｘｐ
   （−０．４７ｄ） が成立つことを特徴とする反射型液晶表示素子。
9. 【請求項９】前記散乱ゲインが、前記高分子分散型液晶
   層を透過型パネルに形成した場合の透過光に対する散乱
   ゲインであることを特徴とする請求項８記載の反射型液
   晶表示素子。
10. 【請求項１０】前記高分子分散型液晶層の厚みｄが、３
    μｍ以上、８μｍ以下であることを特徴とする請求項８
    記載の反射型液晶表示素子。
11. 【請求項１１】前記液晶層の散乱ゲインが、１０以上、
    ２００以下であることを特徴とする請求項８記載の反射
    型液晶表示素子。
12. 【請求項１２】前記液晶層の散乱ゲインが、液晶表示装
    置の使用温度範囲内で、１０以上、２００以下であるこ
    とを特徴とする請求項１１記載の反射型液晶表示素子。
13. 【請求項１３】一対の基板間に、高分子中に液晶滴が分
    散された高分子分散型液晶層が配置され、前記一対の基
    板のうち一方の基板に反射層が形成され、前記高分子分
    散型液晶層間に電界を印加して、高分子分散型液晶層の
    光散乱状態を変化させて表示を行なう反射型液晶表示素
    子において、前記高分子分散型液晶層の厚みをｄ（μ
    ｍ）、前記高分子分散型液晶層の散乱ゲインをＳＧとし
    た場合に、 ５０ｅｘｐ（−１．６Δｎ・ｄ）＜ ＳＧ ＜ ３６０
    ｅｘｐ（−１．８８Δｎ・ｄ） が成立つことを特徴とする反射型液晶表示素子。
14. 【請求項１４】前記散乱ゲインが、前記高分子分散型液
    晶層を透過型パネルに形成した場合の透過光に対する散
    乱ゲインであることを特徴とする請求項１３記載の反射
    型液晶表示素子。
15. 【請求項１５】前記高分子分散型液晶層の厚みｄが、３
    μｍ以上、８μｍ以下であることを特徴とする請求項１
    ３記載の反射型液晶表示素子。
16. 【請求項１６】前記液晶層の散乱ゲインが、１０以上、
    ２００以下であることを特徴とする請求項１３記載の反
    射型液晶表示素子。
17. 【請求項１７】前記液晶層の散乱ゲインが、液晶表示装
    置の使用温度範囲内で、１０以上、２００以下であるこ
    とを特徴とする請求項１６記載の反射型液晶表示素子。
18. 【請求項１８】一対の基板間に、高分子中に液晶滴が分
    散された高分子分散型液晶層が配置され、前記一対の基
    板のうちの一方の基板に反射層が形成され、前記高分子
    分散型液晶層間に電界を印加して、高分子分散型液晶層
    の光散乱状態を変化させて表示を行なう反射型液晶表示
    素子において、 液晶の複屈折率と高分子分散型液晶層の厚みの積が、
    ０．６μｍ以上、２．２μｍ以下であることを特徴とす
    る反射型液晶表示素子。
19. 【請求項１９】前記液晶滴の粒径が、０．７μｍ以上、
    ２μｍ以下であることを特徴とする請求項１８記載の反
    射型液晶表示素子。
20. 【請求項２０】前記液晶の複屈折率が、０．１５以上、
    ０．２７以下であることを特徴とする請求項１８記載の
    反射型液晶表示素子。
21. 【請求項２１】前記高分子分散型液晶層の厚みが、３μ
    ｍ以上、８μｍ以下であることを特徴とする請求項１８
    記載の反射型液晶表示素子。
22. 【請求項２２】一対の基板間に、高分子中に液晶滴が分
    散された高分子分散型液晶層が配置され、前記一対の基
    板のうちの一方の基板に反射層が形成され、前記高分子
    分散型液晶層間に電界を印加して、高分子分散型液晶層
    の光散乱状態を変化させて表示を行なう反射型液晶表示
    素子において、 前記液晶滴のうち一対の基板界面近傍に存在する液晶滴
    が、基板に大円を接するほぼ半球状に形成され、かつ、
    前記半球状の液晶滴内部の液晶が基板と平行な方向にほ
    ぼ一様に配向していることを特徴とする反射型液晶表示
    素子。
23. 【請求項２３】前記一対の基板のうち一方の基板界面に
    形成された前記半球状の液晶滴内部の液晶の配向方位
    と、前記一対の基板のうちの他方の基板界面に形成され
    た前記半球状の液晶滴内部の液晶の配向方位とは、互い
    にほぼ平行であることを特徴とする請求項２２記載の反
    射型液晶表示素子。
24. 【請求項２４】前記高分子分散型液晶層の厚みが、３μ
    ｍ以上、８μｍ以下であることを特徴とする請求項２２
    記載の反射型液晶表示素子。
25. 【請求項２５】一対の基板間に、高分子中に液晶滴が分
    散された高分子分散型液晶層が配置され、前記一対の基
    板のうち一方の基板に反射層が形成され、前記一方の基
    板または他方の基板の何れか一方にＲＧＢカラーフィル
    タが形成され、前記高分子分散型液晶層間に電界を印加
    して、高分子分散型液晶層の光散乱状態を変化させて表
    示を行なう反射型液晶表示素子において、 前記高分子分散型液晶層の厚みをｄ（μｍ）、前記高分
    子分散型液晶層の緑色光に対する散乱ゲインのうち赤色
    画素領域の散乱ゲインをＳＧｒ、緑色画素領域の散乱ゲ
    インをＳＧｇ、青色画素領域の散乱ゲインをＳＧｂとし
    た場合に、 緑色画素領域では、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧｇ ＜ ３６０ｅｘ
    ｐ（−０．４７ｄ） が成り立ち、青色画素領域では、 ５０ｅｘｐ（−０．４ｄ）＜ ＳＧｂ ＜ ３６０ｅｘ
    ｐ（−０．４７ｄ） が成り立ち、赤色画素領域では、 ４０ｅｘｐ（−０．３ｄ）＜ ＳＧｒ ＜ ６５０ｅｘ
    ｐ（−０．４ｄ） が成立つことを特徴とする反射型液晶表示素子。
26. 【請求項２６】前記赤色画素領域の層厚をｄＲ、前記緑
    色画素領域の層厚をｄＧ、前記青色画素領域の層厚をｄ
    Ｂとしたときに、ｄＲ＞ｄＧ＞ｄＢであることを特徴と
    する請求項２５記載の反射型液晶表示素子。
27. 【請求項２７】前記赤色画素領域の液晶滴の粒径をｒ
    Ｒ、前記緑色画素領域の液晶滴の粒径をｒＧ、前記青色
    画素領域の液晶滴の粒径をｒＢとしたときに、ｒＲ＞ｒ
    Ｇ＞ｒＢであることを特徴とする請求項２５記載の反射
    型液晶表示素子。
28. 【請求項２８】前記カラーフィルタが前記反射層上に形
    成され、前記高分子分散型液晶層が前記カラーフィルタ
    上に形成されたことを特徴とする請求項２５記載の反射
    型液晶表示素子。
29. 【請求項２９】所定の観察方向から観察した場合に、液
    晶層の散乱状態と透過状態との変化過程中に輝度レベル
    にピーク値が存在するような輝度−電圧特性を有し、 前記輝度−電圧特性における輝度レベルがピーク値とな
    る電圧値と、輝度レベルが略０レベルとなる電圧値との
    範囲を、駆動電圧範囲とすることを特徴とする請求項８
    記載の反射型液晶表示素子。
30. 【請求項３０】所定の観察方向から観察した場合に、液
    晶層の散乱状態と透過状態との変化過程中に輝度レベル
    にピーク値が存在するような輝度−電圧特性を有し、 前記輝度−電圧特性における輝度レベルがピーク値とな
    る電圧値と、輝度レベルが略０レベルとなる電圧値との
    範囲を、駆動電圧範囲とすることを特徴とする請求項１
    ３記載の反射型液晶表示素子。
31. 【請求項３１】前記観察方向が、液晶層の透過状態時に
    液晶層から前方側へ出射される光の出射方向と異なる方
    向に設定されていることを特徴とする請求項２９記載の
    反射型液晶表示素子。
32. 【請求項３２】前記観察方向が、液晶層の透過状態時に
    液晶層から前方側へ出射される光の出射方向と異なる方
    向に設定されていることを特徴とする請求項３０記載の
    反射型液晶表示素子。