JP2001031497A - 超電導部材およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶配向性に優れた中間層を有し、超電導特
性に優れた超電導部材を提供する。 【解決手段】 超電導部材の製造方法は、基材１の主表
面１ａに対してターゲット２の主表面２ａが鋭角をなす
ように、基材１から離隔した位置にターゲット２を位置
決めする工程と、ターゲット２を構成する物質を飛散さ
せて、その物質を含む厚さが１μｍを超え３μｍ以下の
中間層を基材１の上に形成する工程と、中間層の上に超
電導層を形成する工程とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、超電導部材およ
びその製造方法に関し、特に、多結晶またはアモルファ
スの材料の上に高い単結晶性を有する中間層を介在させ
て形成された超電導層を有する超電導部材に関するもの
である。この明細書において、「単結晶性」という用語
は、特定の方位を有する結晶が優勢である状態を意味
し、特定の方位のみからなる単結晶だけでなく、方位の
異なる結晶が混在する状態において特定の方位を有する
結晶が優勢である結晶性固体も意味するものとする。

【０００２】

【従来の技術】従来、特定の材料からなる基材上に、別
種の材料からなる単結晶の薄膜を形成したい場合には、
形成すべき薄膜材料に近い格子定数を有する単結晶基板
が一般に用いられている。そして、単結晶基板上に、真
空蒸着、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、レー
ザ蒸着等によって単結晶の薄膜が成長される。この方法
は、ヘテロエピタキシャル成長法としてよく知られてい
る。

【０００３】酸化物超電導体の薄膜を形成するための技
術分野でも、酸化物超電導体、特に、単結晶性のイット
リウム系セラミックス超電導体を単結晶基板上にヘテロ
エピタキシャル成長させる技術が知られている。この技
術において、レーザ蒸着法が特に注目され研究されてい
る。たとえば、レーザアブレーション法を用いてＭｇＯ
単結晶上に良好な結晶配向性を示すイットリウム系酸化
物超電導層をエピタキシャル成長させる方法が知られて
いる。

【０００４】所望の大きさ、形および長さを有する単結
晶性薄膜を経済性よく形成するには、入手が困難な単結
晶基材でなく、入手しやすい多結晶の基材を用いる必要
がある。しかしながら、多結晶の基材の上に特定の結晶
方位が強く配向した膜を形成することは困難である。

【０００５】近年、フレキシブルな長尺のテープ基材上
に、酸化物超電導体を形成して超電導線材を製造する試
みがなされている。線材のための基材には、金属が一般
的に用いられ、これは通常多結晶体である。このような
基材上にレーザ蒸着法で酸化物超電導体の薄膜を形成す
る場合に、その薄膜はランダムな方位を有する多結晶か
アモルファスとなることが多い。

【０００６】また、薄膜が自然配向を有する場合でも、
薄膜の結晶は基材表面に垂直な方向には配向するが、基
材表面と平行な方向に配向することはほとんどない。

【０００７】超電導体に流れる超電導電流は結晶粒界に
よって阻止されるため、結晶面の配向が揃っていない従
来の薄膜では、十分な超電導特性を発揮することができ
なかった。

【０００８】このような課題を克服するために、たとえ
ば、特開平７−２９１６２６号公報には、基材面をター
ゲット面に対して所定の角度傾けて中間層を形成する、
いわゆるＩＳＤ（Inclined Substrate Deposition）法
により単結晶性の膜を形成できることがわかっている。
この膜上に超電導体を形成すれば、超電導体の結晶は、
良好な配向性を有する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】近年、超電導体に流す
電流値はさらに大きくなっており、中間層およびその上
に形成された超電導薄膜の結晶のさらなる配向性の向上
が要求されている。しかしながら、従来のＩＳＤ法で製
造された中間層上の超電導薄膜では、このような要求に
応えることができないという問題があった。

【００１０】そこで、この発明は、上述のような問題点
を解決するためになされたものであり、配向性に優れた
超電導層を有する超電導部材を提供することを目的とす
るものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明の１つの局面に
従った超電導部材の製造方法は、基材の主表面に対して
ターゲットの主表面が鋭角をなすように、基材から離隔
した位置にターゲットを位置決めする工程と、ターゲッ
トを構成する物質を飛散させて、その物質を基材の主表
面上に堆積させることにより、厚さが１μｍを超え３μ
ｍ以下の中間層を基材の上に形成する工程と、中間層の
上に超電導層を形成する工程とを備える。

【００１２】このような工程に従えば、ターゲットは、
基材の主表面に対して傾けて配置される。このターゲッ
トを構成する物質を飛散させて中間層を形成するため、
ターゲットが傾いていない場合に比べて、中間層の配向
性が良好になる。また、その中間層の厚みを適正な範囲
としているため、中間層の配向性がさらに良好になる。
その結果、中間層上に形成される超電導層の配向性も良
好になり、優れた超電導特性を発揮する超電導部材を提
供することができる。

【００１３】中間層の厚さを、１μｍを超え３μｍ以下
の範囲としたのは、中間層の厚さが１μｍ以下または３
μｍを超える場合のいずれの場合であっても中間層の配
向性が悪化するからである。

【００１４】また、中間層を基材の上に形成する工程
は、ターゲットにレーザを照射してターゲットを構成す
る物質を飛散させることを含むことが好ましい。

【００１５】また、中間層を基材の上に形成する工程
は、ターゲットを構成する物質をほぼ鉛直上向きに飛散
させて基材の上に中間層を形成することを含むことが好
ましい。

【００１６】また、中間層を形成する工程は、単結晶性
の中間層を形成することを含むことが好ましい。

【００１７】また、中間層を形成する工程は、基材の主
表面に対して鋭角をなして基材から超電導層へ向かう方
向に延びる柱状の結晶を有する中間層を形成することを
含むことが好ましい。

【００１８】また、ターゲットを位置決めする工程は、
基材の主表面に対してターゲットの主表面が４０°以上
７０°以下の鋭角をなすように基材から離隔した位置に
ターゲットを位置決めすることを含むことが好ましい。
この場合、ターゲットの主表面と基材の主表面とのなす
角が最適に設定されるため、中間層の結晶配向性がさら
に良好になる。

【００１９】また、超電導層を形成する工程は、イット
リウム−バリウム−銅系酸化物超電導層を形成すること
を含むことが好ましい。この場合、特に結晶の配向性に
優れ、好ましい超電導特性を有する超電導部材を提供す
ることができる。

【００２０】また、超電導層を形成する工程は、ホルミ
ウム−バリウム−銅系酸化物超電導層を形成することを
含むことが好ましい。この場合、特に結晶の配向性に優
れ、好ましい超電導特性を有する超電導部材を提供する
ことができる。

【００２１】この発明の別の局面に従った超電導部材の
製造方法は、基材の主表面に対してターゲットの主表面
が鋭角をなすように、基材から離隔した位置にターゲッ
トを位置決めする工程と、ターゲットを構成する物質を
飛散させて、その物質を前記基材の主表面に堆積させる
ことにより、厚さが０．１μｍ以上３μｍ以下の中間層
を基材の上に形成する工程と、中間層の上に超電導層を
形成する工程とを備える。

【００２２】また、上述の工程に従って製造された超電
導部材は、主表面を有する基材と、基材の上に形成され
た、厚さが１μｍを超え３μｍ以下の中間層と、中間層
の上に形成された超電導層とを備える。中間層は、基材
の主表面に対して鋭角をなして基材から超電導層へ向か
う方向に延びる柱状の結晶を有している。

【００２３】また、薄膜の厚さは１．２μｍ以上２．０
μｍ以下であることが好ましい。この場合、さらに好ま
しい超電導特性を発揮することができる。

【００２４】また、中間層は単結晶性を有することが好
ましい。さらに、中間層は、イットリア安定化ジルコニ
ア、酸化セリウムおよび酸化マグネシウムからなる群よ
り選ばれた少なくとも１種を含むことが好ましい。

【００２５】また、基材は多結晶またはアモルファスの
物質を含むことが好ましい。この場合、入手しやすい多
結晶またはアモルファスの基材の上に良好な結晶配向性
を有する中間層および超電導層を形成することができ
る。

【００２６】また、超電導層は、イットリウム−バリウ
ム−銅系酸化物超電導層であることが好ましい。

【００２７】また、超電導層は、ホルミウム−バリウム
−銅系酸化物超電導層であることが好ましい。

【００２８】また、上述の工程に従って製造された超電
導部材は、主表面を有する基材と、基材の上に形成され
た、厚さが０．１μｍ以上３μｍ以下の中間層と、中間
層の上に形成された超電導層とを備える。中間層は、基
材の主表面に対して鋭角をなして基材から超電導層へ向
かう方向に延びる柱状の結晶を有している。

【００２９】

【実施例】以下、この発明の実施例について図面に基づ
いて説明する。なお、この明細書において、ミラー指数
の表示は慣例に従っている。ある特定の結晶方位は［ｈ
ｋｌ］で表わされる。結晶の対称性によっては［ｈｋ
ｌ］で表わされる方位と結晶学的に等価な方位がいくつ
も存在するが、それらを総括して＜ｈｋｌ＞で表わす。

【００３０】（実施例１）図１は、この発明の実施例１
に従った超電導部材の製造方法を示す図である。図１を
参照して、この発明に従った超電導部材の製造方法で
は、ターゲット２から離隔した位置に基材１が設けられ
る。基材１の主表面１ａとターゲット２の主表面２ａと
は所定の角度αをなすように、基材１が傾けて位置決め
されている。

【００３１】基材１の主表面１ａからわずかに離れた部
分にマスク６が設けられている。マスク６は基材１の一
部分を露出させる。ターゲット２にはレーザ光３が照射
される。レーザ光３が照射されたターゲット２の主表面
２ａからプルーム４と呼ばれるプラズマが発生してター
ゲット２を構成する物質がほぼ鉛直上方に飛散する。な
お、ターゲット２には、イオンビームは照射されない。

【００３２】このような装置を用いて、まず、ターゲッ
ト２としてイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）を用
いた。次に、基材１として、ハステロイ（コバルトを
２．５重量％含み、クロムを１５重量％含み、モリブデ
ンを１６重量％含み、タングステンを３．５重量％含
み、鉄を５．０重量％含み、残部の主成分がニッケルで
ある合金）からなるテープを位置決めした。基材１の主
表面１ａとターゲット２の主表面２ａとのなす角度αは
４５°とした。

【００３３】次に、ターゲット２にＫｒＦエキシマレー
ザ（波長２４８ｎｍ）を照射した。これより、ターゲッ
ト２の表面からは、ＹＳＺを構成する物質により構成さ
れるプルーム４が発生した。このプルーム４が露出した
基材１の主表面１ａに蒸着した。同時に、基材１を所定
の速度で図１の紙面と垂直の方向に移動させた。このと
き、基材１の移動速度とレーザのエネルギ密度は、基材
１の表面に形成されるＹＳＺ膜の厚さが０．０５μｍと
なるように調整した。

【００３４】この状態で、基材１を図１の紙面と垂直方
向に動かし続け、基材１の表面に厚さが０．０５μｍの
中間層としてのイットリア安定化ジルコニア膜が形成さ
れたテープ状の線材を得た。

【００３５】また、ターゲットとしてイットリア安定化
ジルコニアからなるターゲットを用い、ターゲットに照
射するレーザ３のエネルギ密度と基材１の移動速度を調
整して、ハステロイ基材の表面に厚さがそれぞれ０．１
μｍ、０．３μｍ、０．７μｍ、１．０μｍ、１．２μ
ｍ、１．５μｍ、２．０μｍ、３．０μｍ、４．０μｍ
および５．０μｍのイットリア安定化ジルコニア膜の形
成されたテープ状線材を得た。

【００３６】次に、ターゲット２として酸化セリウムを
用い、上述の方法と同様の方法に従い、ハステロイの基
材の表面に厚さがそれぞれ０．０５μｍ、０．１μｍ、
０．３μｍ、０．７μｍ、１．０μｍ、１．２μｍ、
１．５μｍ、２．０μｍ、３．０μｍ、４．０μｍおよ
び５．０μｍの中間層としての酸化セリウム膜が形成さ
れたテープ状線材を得た。

【００３７】さらに、ターゲット２として酸化マグネシ
ウムを用い、上述の方法と同様の方法により、ハステロ
イ基材の表面に厚さがそれぞれ０．０５μｍ、０．１μ
ｍ、０．３μｍ、０．７μｍ、１．０μｍ、１．２μ
ｍ、１．５μｍ、２．０μｍ、３．０μｍ、４．０μｍ
および５．０μｍの中間層としての酸化マグネシウム膜
が形成されたテープ状線材を得た。

【００３８】これらの異なる材質の中間層を有するテー
プ状線材について、中間層の配向性を評価するために、
Ｘ線極点図法により評価を行なった。測定軸は＜１１１
＞軸とした。その結果、基材に平行な面内での＜１００
＞軸の配向の分布（半値幅）についてのデータを得た。
その結果を表１に示す。

【００３９】

【表１】

【００４０】表１において、半値幅が小さいほど＜１０
０＞軸に配向しており、単結晶性が良好であるといえ
る。

【００４１】表１より、中間層の膜厚が０．１μｍ以上
３．０μｍ以下であれば、単結晶性を有するといえる。
中間層の膜厚が１．０μｍを超え３．０μｍ以下であれ
ば、優れた単結晶性を有するといえる。また、中間層の
膜厚が１．２μｍ以上２．０μｍ以下であれば、特に単
結晶性が優れることが明らかになった。

【００４２】（実施例２）実施例２では、基材の傾斜角
度と結晶配向性の関係について調べた。

【００４３】まず、実施例１と同様の装置であって、基
材を図１の紙面に沿った方向にも移動させることができ
る装置を用意した。この装置を用い、基材の傾斜角度α
をそれぞれ２０°、３０°、４０°、４５°、５０°、
６０°、７０°、７５°および８０°とし、基材を図１
の紙面に垂直な方向に移動させながらハステロイのテー
プ状線材（基材）の表面に膜厚が１．５μｍの中間層と
してのイットリア安定化ジルコニア膜を形成してサンプ
ルを得た。また、ターゲットを酸化セリウムまたは酸化
マグネシウムとし、基材の傾斜角度を上述のそれぞれの
角度として、ハステロイの基材の表面に厚さが１．５μ
ｍの中間層としての酸化セリウム膜または酸化マグネシ
ウム膜を形成したサンプルを得た。

【００４４】これらのサンプルについて、実施例１と同
様に、Ｘ線極点図法により、それぞれの中間層の、基材
に平行な面内での＜１００＞軸の配向の分布（半値幅）
を調べた。測定軸は＜１１１＞軸とした。その結果を表
２に示す。

【００４５】

【表２】

【００４６】表２より、基材の傾斜角度αが４０°以上
７０°以下であれば、特に配向性に優れ、単結晶性の中
間層が得られることがわかる。

【００４７】また、実施例１と同様の装置を用い、基材
の傾斜角度αをそれぞれ２０°、３０°、４０°、５０
°、７０°および８０°とし、図１の紙面に沿った方向
に基材を移動させながらハステロイのテープ状線材（基
材）の表面に膜厚が１．５μｍの中間層としてのイット
リア安定化ジルコニア膜を形成してサンプルを得た。

【００４８】これらのサンプルについて、実施例１と同
様にＸ線極点図法によりそれぞれの中間層の、基材に平
行な面内での＜１００＞軸の配向の分布（半値幅）を調
べた。測定軸は＜１１１＞軸とした。その結果を表３に
示す。

【００４９】

【表３】

【００５０】表３より、基材の傾斜角度αが４０°以上
７０°以下であれば、特に配向性に優れ、単結晶性の中
間層が得られることがわかる。

【００５１】また、基材を搬送する方向として、図１の
紙面に垂直な方向、または図１の紙面に沿った方向、あ
るいは図１の紙面と鋭角をなす方向のいずれの方向にも
移動するように搬送した場合でも、基材の傾斜角度αが
４０°以上７０°以下であれば、特に配向性に優れ、単
結晶性の中間層が得られることが明らかになった。

【００５２】（実施例３）実施例３では、実施例１で作
製した種々の膜厚を有するイットリア安定化ジルコニア
膜からなる中間層の上に、イットリウム−バリウム−銅
系超電導層（ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_x：ＹＢＣＯ）膜をレーザ
アブレーション法で形成した。超電導層はすべて同一条
件で形成し、膜厚はすべて１．０μｍとした。

【００５３】次に、中間層と超電導層の配向性の関係を
調べるために、超電導層について、Ｘ線極点図測定を実
施した。測定軸は＜１０３＞軸とした。また、液体窒素
中で、超電導層の自己磁界内での臨界電流密度を測定し
た。それらの結果を表４に示す。

【００５４】

【表４】

【００５５】表４より、中間層の膜厚が０．１μｍ以上
３．０μｍ以下であれば、超電導層は単結晶性を有す
る。中間層の厚さが１．０μｍを超え３．０μｍ以下の
場合に超電導層の半値幅が小さく、結晶の配向性が優れ
ていることがわかる。また、この場合に臨界電流密度が
大きいことがわかる。そのため、この範囲において超電
導特性が優れていることがわかる。

【００５６】また、中間層の膜厚が１．５μｍのサンプ
ルについて、超電導層の上に銀の安定化層を形成して超
電導部材とし、この超電導部材の断面を走査型電子顕微
鏡で観察した。その結果を図２に示す。

【００５７】図２より、ハステロイからなる基材２１の
主表面２１ａの上に中間層２２が形成されていた。中間
層２２は複数の柱状の結晶２２ａにより構成されてお
り、多結晶構造であった。柱状の結晶２２ａが延びる方
向（結晶粒界２２ｂの延びる方向）と基材２１の主表面
２１ａとのなす角度θは７０゜以上９０゜未満であっ
た。中間層２２の上にはイットリウム−バリウム−銅系
酸化物からなる超電導層２３が形成されていた。超電導
層２３上には銀からなる安定化層２４が形成されてい
た。

【００５８】（実施例４）実施例４では、実施例１で作
製した種々の膜厚を有するイットリウム安定化ジルコニ
ア膜からなる中間層の上に、ホルミウム−バリウム−銅
系酸化物超電導層（ＨｏＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_x：ＨｏＢＣＯ）
レーザアブレーション法で製造した。この超電導層は、
製造条件はすべて同一とし、超電導層の膜厚はすべて
１．０μｍとした。

【００５９】中間層と超電導層の配向性の関係を調べる
ために、超電導層について、Ｘ線極点図測定を行なっ
た。測定軸は＜１０３＞軸とした。さらに、液体窒素中
で、超電導層の自己磁界内での臨界電流密度を調べた。
それらの結果を表５に示す。

【００６０】

【表５】

【００６１】表５より、中間層の膜厚が０．１μｍ以上
３．０μｍ以下であれば、超電導層は単結晶性を有す
る。中間層の膜厚が１μｍを超え３μｍ以下の場合に、
超電導層のピークの半値幅が小さく、つまり、結晶の配
向性が優れていることがわかる。また、中間層の膜厚が
１μｍを超え３μｍ以下の場合に、超電導層の臨界電流
密度が大きいことがわかった。

【００６２】以上、本発明の実施例ついて説明したが、
ここで示した実施例はさまざまに変形することが可能で
ある。まず、基材としては、ハステロイを示したが、そ
の他の金属、たとえば、ステンレスやニッケル合金を用
いることができる。また、ハステロイの組成を、以下の
範囲とすることも可能である。

【００６３】

【表６】

【００６４】また、レーザアブレーションでは、ＫｒＦ
エキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）を用いたが、ＡｒＦ
エキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）を用いてもよい。さ
らに、中間層は１層構造としたが、２層構造としてもよ
く、中間層と基材の間に別の層を介在させてもよい。

【００６５】さらに、超電導層として、イットリウム系
酸化物超電導体とホルミウム系酸化物超電導体について
例示したが、それぞれの元素を他の元素で置換すること
も可能である。

【００６６】また、基材として、多結晶の金属を用いる
例について説明したが、アモルファスの物質を基材とし
て用いてもよい。

【００６７】さらに、中間層として、多結晶の物質でな
く、単結晶またはほぼ単結晶に近い物質を形成してもよ
い。

【００６８】今回開示された実施例はすべての点で例示
であって制限的なものではないと考えられるべきであ
る。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の
範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味およ
び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明に従え
ば、多結晶またはアモルファスの基材の上に単結晶性薄
膜の中間層を形成することができる。この薄膜の上に酸
化物超電導体をヘテロエピタキシャル成長させることに
より、高い臨界電流密度を有する酸化物超電導層を形成
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１に従った超電導部材の製造
方法を示す図である。

【図２】この発明に従って得られた超電導部材の断面の
模式図である。

【符号の説明】

１，２１ 基材 １ａ，２１ａ 主表面 ２ ターゲット ３ レーザ ２２ 中間層 ２２ａ 結晶 ２３ 超電導層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤野 剛三 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電 気工業株式会社大阪製作所内 (72)発明者 大松 一也 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電 気工業株式会社大阪製作所内 (72)発明者 岩田 良浩 神奈川県横浜市鶴見区江ヶ崎町４番１号 東京電力株式会社電力技術研究所内 (72)発明者 本庄 昇一 神奈川県横浜市鶴見区江ヶ崎町４番１号 東京電力株式会社電力技術研究所内 (72)発明者 佐藤 礼文 神奈川県横浜市鶴見区江ヶ崎町４番１号 東京電力株式会社電力技術研究所内 (72)発明者 石井 英雄 東京都千代田区内幸町１丁目１番３号 東 京電力株式会社開発計画部内 Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BB02 BB10 BC53 DA03 HA08 5G321 AA01 AA04 CA04 CA21 CA24 CA27 CA28 DB38

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材の主表面に対してターゲットの主表
   面が鋭角をなすように、前記基材から離隔した位置に前
   記ターゲットを位置決めする工程と、 前記ターゲットを構成する物質を飛散させて、その物質
   を前記基材の主表面上に堆積させることにより、厚さが
   １μｍを超え３μｍ以下の中間層を前記基材の上に形成
   する工程と、 前記中間層の上に超電導層を形成する工程とを備えた、
   超電導部材の製造方法。
2. 【請求項２】 前記中間層を前記基材の上に形成する工
   程は、前記ターゲットにレーザを照射して前記ターゲッ
   トを構成する物質を飛散させることを含む、請求項１に
   記載の超電導部材の製造方法。
3. 【請求項３】 前記中間層を前記基材の上に形成する工
   程は、前記ターゲットを構成する物質をほぼ鉛直上向き
   に飛散させて前記基材の上に前記中間層を形成すること
   を含む、請求項１または２に記載の超電導部材の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記中間層を形成する工程は、単結晶性
   の前記中間層を形成することを含む、請求項１〜３のい
   ずれか１項に記載の超電導部材の製造方法。
5. 【請求項５】 前記中間層を形成する工程は、前記基材
   の主表面に対して鋭角をなして前記基材から前記超電導
   層へ向かう方向に延びる柱状の結晶を有する前記中間層
   を形成することを含む、請求項１〜４のいずれか１項に
   記載の超電導部材の製造方法。
6. 【請求項６】 前記ターゲットを位置決めする工程は、
   前記基材の主表面に対して前記ターゲットの主表面が４
   ０°以上７０°以下の鋭角をなすように前記基材から離
   隔した位置に前記ターゲットを位置決めすることを含
   む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の超電導部材の
   製造方法。
7. 【請求項７】 前記超電導層を形成する工程は、イット
   リウム−バリウム−銅系酸化物超電導層を形成すること
   を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の超電導部
   材の製造方法。
8. 【請求項８】 前記超電導層を形成する工程は、ホルミ
   ウム−バリウム−銅系酸化物超電導層を形成することを
   含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の超電導部材
   の製造方法。
9. 【請求項９】 基材の主表面に対してターゲットの主表
   面が鋭角をなすように、前記基材から離隔した位置に前
   記ターゲットを位置決めする工程と、 前記ターゲットを構成する物質を飛散させて、その物質
   を前記基材の主表面上に堆積させることにより、厚さが
   ０．１μｍ以上３μｍ以下の中間層を前記基材の上に形
   成する工程と、 前記中間層の上に超電導層を形成する工程とを備えた、
   超電導部材の製造方法。
10. 【請求項１０】 主表面を有する基材と、 前記基材の上に形成された、厚さが１μｍを超え３μｍ
    以下の中間層と、 前記中間層の上に形成された超電導層とを備え、 前記中間層は、前記基材の主表面に対して鋭角をなして
    前記基材から前記超電導層へ向かう方向に延びる柱状の
    結晶を有している、超電導部材。
11. 【請求項１１】 前記中間層の厚さは１．２μｍ以上
    ２．０μｍ以下である、請求項１０に記載の超電導部
    材。
12. 【請求項１２】 前記中間層は単結晶性を有する、請求
    項１０または１１に記載の超電導部材。
13. 【請求項１３】 前記中間層は、イットリア安定化ジル
    コニア、酸化セリウムおよび酸化マグネシウムからなる
    群より選ばれた少なくとも１種を含む、請求項１０〜１
    ２のいずれか１項に記載の超電導部材。
14. 【請求項１４】 前記基材は多結晶またはアモルファス
    の物質を含む、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載
    の超電導部材。
15. 【請求項１５】 前記超電導層は、イットリウム−バリ
    ウム−銅系酸化物超電導層である、請求項１０〜１４の
    いずれか１項に記載の超電導部材。
16. 【請求項１６】 前記超電導層は、ホルミウム−バリウ
    ム−銅系酸化物超電導層である、請求項１０〜１４のい
    ずれか１項に記載の超電導部材。
17. 【請求項１７】 主表面を有する基材と、 前記基材の上に形成された、厚さが０．１μｍ以上３μ
    ｍ以下の中間層と、 前記中間層の上に形成された超電導層とを備え、 前記中間層は、前記基材の主表面に対して鋭角をなして
    前記基材から前記超電導層へ向かう方向に延びる柱状の
    結晶を有している、超電導部材。