JP2001027621A - 電子プローブマイクロアナライザ - Google Patents
電子プローブマイクロアナライザInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 測定粒子の位置及び幾何学上の特徴と化学組
成の特徴の相互関係を一目で認識できるようにした電子
プローブマイクロアナライザを提供する。 【解決手段】 電子像の粒子解析により得られた粒子の
位置と幾何学上の特徴に基づき電子ビームで分析を行わ
せる分析制御装置８と、制御された電子ビームの試料へ
の照射により発生した特性Ｘ線を検出して粒子の分析を
行い、その化学組成に基づきケミカルタイプを判定する
装置13と、試料の電子像上に粒子のケミカルタイプと粒
子の位置及び形状とを対応させて識別表示する表示装置
14とを設けて、電子プローブマイクロアナライザを構成
する。
成の特徴の相互関係を一目で認識できるようにした電子
プローブマイクロアナライザを提供する。 【解決手段】 電子像の粒子解析により得られた粒子の
位置と幾何学上の特徴に基づき電子ビームで分析を行わ
せる分析制御装置８と、制御された電子ビームの試料へ
の照射により発生した特性Ｘ線を検出して粒子の分析を
行い、その化学組成に基づきケミカルタイプを判定する
装置13と、試料の電子像上に粒子のケミカルタイプと粒
子の位置及び形状とを対応させて識別表示する表示装置
14とを設けて、電子プローブマイクロアナライザを構成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子プローブマ
イクロアナライザに関し、特に測定粒子の化学組成の特
徴を示すケミカルタイプと粒子の位置及び幾何学上の特
徴とを対応づけて表示できるようにした電子プローブマ
イクロアナライザに関する。
イクロアナライザに関し、特に測定粒子の化学組成の特
徴を示すケミカルタイプと粒子の位置及び幾何学上の特
徴とを対応づけて表示できるようにした電子プローブマ
イクロアナライザに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子プローブマイクロアナライ
ザにおいては、電子ビームを試料表面へ照射して得られ
る２次電子又は反射電子を取り込んで生成される電子像
をもとにして、試料表面の粒子解析を行い、検出された
粒子の重心位置に電子ビームを照射して発生する特性Ｘ
線を収集し、当該重心位置の化学分析を実行する粒子分
析が行われている。この手法を用いると、粒子の電子像
上の位置や粒子の形状等の幾何学上の特徴と共に、粒子
の化学組成上の特徴を同時に知ることができる。
ザにおいては、電子ビームを試料表面へ照射して得られ
る２次電子又は反射電子を取り込んで生成される電子像
をもとにして、試料表面の粒子解析を行い、検出された
粒子の重心位置に電子ビームを照射して発生する特性Ｘ
線を収集し、当該重心位置の化学分析を実行する粒子分
析が行われている。この手法を用いると、粒子の電子像
上の位置や粒子の形状等の幾何学上の特徴と共に、粒子
の化学組成上の特徴を同時に知ることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、現状の電子
プローブマイクロアナライザにおいては、上記手法を用
いることにより、画像上において粒子の位置及び形状を
表示したり、あるいは粒子の化学組成を表にして表示し
たりすることができる。しかしながら、両者は個別にば
らばらに表示されているため、測定粒子の位置及び形状
と粒子の化学組成との相互関係を容易に認識することは
困難である。
プローブマイクロアナライザにおいては、上記手法を用
いることにより、画像上において粒子の位置及び形状を
表示したり、あるいは粒子の化学組成を表にして表示し
たりすることができる。しかしながら、両者は個別にば
らばらに表示されているため、測定粒子の位置及び形状
と粒子の化学組成との相互関係を容易に認識することは
困難である。
【０００４】本発明は、従来の電子プローブマイクロア
ナライザにおける上記問題点を解消するためになされた
もので、請求項１に係る発明は、一目で測定粒子の位置
及び幾何学上の特徴と化学組成の特徴との相互関係を認
識することができるようにした電子プローブマイクロア
ナライザを提供することを目的とする。また請求項２に
係る発明は、測定粒子の幾何学上の特徴と化学組成の特
徴との相互関係を一目で認識できるようにした電子プロ
ーブマイクロアナライザを提供することを目的とする。
ナライザにおける上記問題点を解消するためになされた
もので、請求項１に係る発明は、一目で測定粒子の位置
及び幾何学上の特徴と化学組成の特徴との相互関係を認
識することができるようにした電子プローブマイクロア
ナライザを提供することを目的とする。また請求項２に
係る発明は、測定粒子の幾何学上の特徴と化学組成の特
徴との相互関係を一目で認識できるようにした電子プロ
ーブマイクロアナライザを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解消するた
め、請求項１に係る発明は、電子ビームを試料表面に照
射し発生する特性Ｘ線を検出して元素分析を行う電子プ
ローブマイクロアナライザにおいて、試料表面からの２
次電子又は反射電子又はＸ線を検出し試料の電子像又は
Ｘ線像を収集する手段と、収集された電子像又はＸ線像
の粒子解析を行い粒子の位置と幾何学上の特徴を計測す
る手段と、計測された粒子の位置と幾何学上の特徴に基
づき電子ビームを制御して分析を行う分析制御手段と、
制御された電子ビームの照射により発生した特性Ｘ線を
検出して粒子の分析を行い、その化学組成に基づきケミ
カルタイプを判定する手段と、前記試料の電子像又はＸ
線像上に粒子のケミカルタイプと粒子の位置及び幾何学
上の特徴とを対応させて識別表示する表示手段とを備え
ていることを特徴とするものである。
め、請求項１に係る発明は、電子ビームを試料表面に照
射し発生する特性Ｘ線を検出して元素分析を行う電子プ
ローブマイクロアナライザにおいて、試料表面からの２
次電子又は反射電子又はＸ線を検出し試料の電子像又は
Ｘ線像を収集する手段と、収集された電子像又はＸ線像
の粒子解析を行い粒子の位置と幾何学上の特徴を計測す
る手段と、計測された粒子の位置と幾何学上の特徴に基
づき電子ビームを制御して分析を行う分析制御手段と、
制御された電子ビームの照射により発生した特性Ｘ線を
検出して粒子の分析を行い、その化学組成に基づきケミ
カルタイプを判定する手段と、前記試料の電子像又はＸ
線像上に粒子のケミカルタイプと粒子の位置及び幾何学
上の特徴とを対応させて識別表示する表示手段とを備え
ていることを特徴とするものである。
【０００６】このように、電子像又はＸ線像の粒子解析
により測定粒子の位置及び幾何学上の特徴と、測定粒子
の分析による化学組成の特徴を示すケミカルタイプを求
め、両者を試料の電子像又はＸ線像上に対応ずけて識別
できるように表示する表示手段を設けることにより、測
定粒子の位置及びその幾何学上の特徴と化学組成の特徴
であるケミカルタイプとの相互関係を一目で認識するこ
とができる。
により測定粒子の位置及び幾何学上の特徴と、測定粒子
の分析による化学組成の特徴を示すケミカルタイプを求
め、両者を試料の電子像又はＸ線像上に対応ずけて識別
できるように表示する表示手段を設けることにより、測
定粒子の位置及びその幾何学上の特徴と化学組成の特徴
であるケミカルタイプとの相互関係を一目で認識するこ
とができる。
【０００７】また請求項２に係る発明は、電子ビームを
試料表面に照射し発生する特性Ｘ線を検出して元素分析
を行う電子プローブマイクロアナライザにおいて、試料
表面からの２次電子又は反射電子又はＸ線を検出し試料
の電子像又はＸ線像を収集する手段と、収集された電子
像又はＸ線像の粒子解析を行い粒子の位置と幾何学上の
特徴を計測する手段と、計測された粒子の位置と幾何学
上の特徴に基づき電子ビームを制御して分析を行う分析
制御手段と、制御された電子ビームの照射により発生し
た特性Ｘ線を検出して粒子の分析を行い、その化学組成
に基づきケミカルタイプを判定する手段と、粒子のケミ
カルタイプと粒子の幾何学上の特徴とを対応させてグラ
フ上に識別表示する表示手段とを備えていることを特徴
とするものである。
試料表面に照射し発生する特性Ｘ線を検出して元素分析
を行う電子プローブマイクロアナライザにおいて、試料
表面からの２次電子又は反射電子又はＸ線を検出し試料
の電子像又はＸ線像を収集する手段と、収集された電子
像又はＸ線像の粒子解析を行い粒子の位置と幾何学上の
特徴を計測する手段と、計測された粒子の位置と幾何学
上の特徴に基づき電子ビームを制御して分析を行う分析
制御手段と、制御された電子ビームの照射により発生し
た特性Ｘ線を検出して粒子の分析を行い、その化学組成
に基づきケミカルタイプを判定する手段と、粒子のケミ
カルタイプと粒子の幾何学上の特徴とを対応させてグラ
フ上に識別表示する表示手段とを備えていることを特徴
とするものである。
【０００８】このように、電子像又はＸ線像の粒子解析
により測定粒子の位置と幾何学上の特徴と、測定粒子の
分析による化学組成の特徴を示すケミカルタイプとを求
め、測定粒子の幾何学上の特徴とケミカルタイプとを対
応づけてグラフ上に識別表示する表示手段を設けること
により、測定粒子の幾何学上の特徴と化学組成の特徴で
あるケミカルタイプとの相互関係を一目で認識すること
ができる。
により測定粒子の位置と幾何学上の特徴と、測定粒子の
分析による化学組成の特徴を示すケミカルタイプとを求
め、測定粒子の幾何学上の特徴とケミカルタイプとを対
応づけてグラフ上に識別表示する表示手段を設けること
により、測定粒子の幾何学上の特徴と化学組成の特徴で
あるケミカルタイプとの相互関係を一目で認識すること
ができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、実施の形態について説明す
る。図１は、本発明に係る電子プローブマイクロアナラ
イザの実施の形態を示す概略ブロック構成図である。図
１において、１は電子銃で、該電子銃１から放出された
電子ビーム２は、偏向コイル３により２次元的に振ら
れ、試料４上に照射されるようになっている。５は電子
ビーム２の照射を受けた試料４から発生する２次電子又
は反射電子信号を収集して電子像を形成する画像収集装
置である。７は画像収集装置６で形成された電子像にお
ける測定粒子の位置、形状及び重心位置と共に面積、円
形度、円相当径、外接四角形等の粒子の幾何学上の特徴
量を計測する粒子解析装置であり、８は粒子解析装置７
による粒子解析結果に基づいて偏向コイル３を制御し
て、測定粒子の重心位置に電子ビームを移行させて分析
を行わせる分析制御装置である。10は電子ビーム２が照
射された試料４から発生する特性Ｘ線９を分光して、カ
ウンタ11に入射させるための分光結晶である。12はカウ
ンタ11で計数されたＸ線信号に対して定量補正を加える
ための定量補正装置、13は定量補正装置12で得られた粒
子の化学組成の特徴を示すケミカルタイプを判定するた
めのケミカルタイプ判定装置である。このケミカルタイ
プ判定装置による粒子のケミカルタイプの判定は、分析
で得られた化学組成（重量濃度％、原子濃度％など）と
例えば化合物データベースに収納されている検索データ
とに基づいて、測定粒子の化合物のタイプを判定するこ
とにより行われる。11は表示装置で、画像収集装置６か
らの電子像データ、粒子解析装置７からの粒子解析デー
タ、ケミカルタイプ判定装置13からの粒子のケミカルタ
イプに関するデータが入力されるようになっている。
る。図１は、本発明に係る電子プローブマイクロアナラ
イザの実施の形態を示す概略ブロック構成図である。図
１において、１は電子銃で、該電子銃１から放出された
電子ビーム２は、偏向コイル３により２次元的に振ら
れ、試料４上に照射されるようになっている。５は電子
ビーム２の照射を受けた試料４から発生する２次電子又
は反射電子信号を収集して電子像を形成する画像収集装
置である。７は画像収集装置６で形成された電子像にお
ける測定粒子の位置、形状及び重心位置と共に面積、円
形度、円相当径、外接四角形等の粒子の幾何学上の特徴
量を計測する粒子解析装置であり、８は粒子解析装置７
による粒子解析結果に基づいて偏向コイル３を制御し
て、測定粒子の重心位置に電子ビームを移行させて分析
を行わせる分析制御装置である。10は電子ビーム２が照
射された試料４から発生する特性Ｘ線９を分光して、カ
ウンタ11に入射させるための分光結晶である。12はカウ
ンタ11で計数されたＸ線信号に対して定量補正を加える
ための定量補正装置、13は定量補正装置12で得られた粒
子の化学組成の特徴を示すケミカルタイプを判定するた
めのケミカルタイプ判定装置である。このケミカルタイ
プ判定装置による粒子のケミカルタイプの判定は、分析
で得られた化学組成（重量濃度％、原子濃度％など）と
例えば化合物データベースに収納されている検索データ
とに基づいて、測定粒子の化合物のタイプを判定するこ
とにより行われる。11は表示装置で、画像収集装置６か
らの電子像データ、粒子解析装置７からの粒子解析デー
タ、ケミカルタイプ判定装置13からの粒子のケミカルタ
イプに関するデータが入力されるようになっている。
【００１０】次に、このように構成されている実施の形
態の動作を、図２に示すフローチャートを参照しながら
説明する。まず、図示されていない試料ステージをステ
ージ制御装置により駆動して、分析視野に試料４を移動
する。そして、その位置において電子ビームを走査し
て、試料４から放出される２次電子又は反射電子を検出
器５で検出し、画像収集装置６で電子像が収集形成され
る（ステップＳ１）。画像収集装置６で形成された電子
像は粒子解析装置７へ送出され、画像処理により粒子解
析が行われる（ステップＳ２）。すなわち、具体的には
電子像のノイズを取り除くために必要なら平均化等の処
理が行われた後、画像のある強度を閾値として、それ以
上を１、それ以下を０とする２値化処理が行われる。こ
の２値化処理により得られる２値化画像上で１の値をも
つ領域の集合状態を判定して粒子が決定される。つまり
各粒子はひとつながりの領域として認識される。各粒子
は互いに区別するために番号付けされる。
態の動作を、図２に示すフローチャートを参照しながら
説明する。まず、図示されていない試料ステージをステ
ージ制御装置により駆動して、分析視野に試料４を移動
する。そして、その位置において電子ビームを走査し
て、試料４から放出される２次電子又は反射電子を検出
器５で検出し、画像収集装置６で電子像が収集形成され
る（ステップＳ１）。画像収集装置６で形成された電子
像は粒子解析装置７へ送出され、画像処理により粒子解
析が行われる（ステップＳ２）。すなわち、具体的には
電子像のノイズを取り除くために必要なら平均化等の処
理が行われた後、画像のある強度を閾値として、それ以
上を１、それ以下を０とする２値化処理が行われる。こ
の２値化処理により得られる２値化画像上で１の値をも
つ領域の集合状態を判定して粒子が決定される。つまり
各粒子はひとつながりの領域として認識される。各粒子
は互いに区別するために番号付けされる。
【００１１】粒子解析装置７においては、上記のように
粒子（位置及び形状）を決定し、更に各粒子について、
面積、面積率、周囲長、重心位置、円相当径、円形度、
外接四角形等の粒子の幾何学上の特徴の計測が行われ、
各粒子の分析位置（重心位置）が決定される（ステップ
Ｓ３）。そして、これらの粒子解析結果は分析制御装置
８へ送出され、分析制御装置８による制御のもとで分析
が開始される（ステップＳ４）。すなわち、分析制御装
置８は各粒子について重心位置に基づいて電子ビームを
粒子の重心位置上に照射させ、電子ビームの照射により
発生する特性Ｘ線９の強度を分光結晶10を介してカウン
タ11で計測する。そして、カウンタ11で得られたＸ線強
度をもとに定量補正装置12で定量補正を加えて化学組成
を求め、次いでケミカルタイプ判定装置13において、こ
の化学組成に基づき化学組成の特徴を表すケミカルタイ
プが判定される（ステップＳ５）。このケミカルタイプ
を識別するための条件式（化学式、演算子、値などの組
み合わせ）はユーザが定義することもできるし、自動学
習させることもできる。
粒子（位置及び形状）を決定し、更に各粒子について、
面積、面積率、周囲長、重心位置、円相当径、円形度、
外接四角形等の粒子の幾何学上の特徴の計測が行われ、
各粒子の分析位置（重心位置）が決定される（ステップ
Ｓ３）。そして、これらの粒子解析結果は分析制御装置
８へ送出され、分析制御装置８による制御のもとで分析
が開始される（ステップＳ４）。すなわち、分析制御装
置８は各粒子について重心位置に基づいて電子ビームを
粒子の重心位置上に照射させ、電子ビームの照射により
発生する特性Ｘ線９の強度を分光結晶10を介してカウン
タ11で計測する。そして、カウンタ11で得られたＸ線強
度をもとに定量補正装置12で定量補正を加えて化学組成
を求め、次いでケミカルタイプ判定装置13において、こ
の化学組成に基づき化学組成の特徴を表すケミカルタイ
プが判定される（ステップＳ５）。このケミカルタイプ
を識別するための条件式（化学式、演算子、値などの組
み合わせ）はユーザが定義することもできるし、自動学
習させることもできる。
【００１２】次に、表示装置14への表示態様について説
明する。まず、本実施の形態による表示態様に対比する
ため、従来の電子プローブマイクロアナライザにおいて
行われている具体的な粒子分析結果の表示態様について
説明する。図３は試料の分析領域における粒子の分布状
態を示す図で、粒子解析の結果判別された粒子が電子像
上にその形状と共に粒子番号順に識別されて表示されて
いる。図３において、ハッチングを付した粒子は１番目
から５番目までの粒子を示しており、小点を付した粒子
は６番目から10番目までの粒子を示しているが、各粒子
の番号は通常画面の左上から順に付されるので、番号自
体にはあまり意味はない。また、図４は、散布図の例を
示すもので、粒子の円形度と所定の元素（図示例ではＳ
i ）の濃度との関係をプロットして表したもので、この
図示例では２つの領域に分かれてプロットされているこ
とがわかる。
明する。まず、本実施の形態による表示態様に対比する
ため、従来の電子プローブマイクロアナライザにおいて
行われている具体的な粒子分析結果の表示態様について
説明する。図３は試料の分析領域における粒子の分布状
態を示す図で、粒子解析の結果判別された粒子が電子像
上にその形状と共に粒子番号順に識別されて表示されて
いる。図３において、ハッチングを付した粒子は１番目
から５番目までの粒子を示しており、小点を付した粒子
は６番目から10番目までの粒子を示しているが、各粒子
の番号は通常画面の左上から順に付されるので、番号自
体にはあまり意味はない。また、図４は、散布図の例を
示すもので、粒子の円形度と所定の元素（図示例ではＳ
i ）の濃度との関係をプロットして表したもので、この
図示例では２つの領域に分かれてプロットされているこ
とがわかる。
【００１３】上記図３又は図４からわかるように、従来
の表示方法では、各粒子の形状などの幾何学上の特徴と
化学組成上の特徴との相互の関連を一目で認識できるよ
うに表示することは難しく、色々なデータや表示を参照
して相互の関係を推察するようにしていた。すなわち、
上記図４に示した表示例においては、円形度の違いによ
り２つの相が存在しており、円形度の大きい粒子はＳi
に富み、円形度の小さい粒子はＳi に乏しいと結論づけ
られるが、それらが実際にどのように分布しているかを
一つの表示で明確に示すことは困難である。
の表示方法では、各粒子の形状などの幾何学上の特徴と
化学組成上の特徴との相互の関連を一目で認識できるよ
うに表示することは難しく、色々なデータや表示を参照
して相互の関係を推察するようにしていた。すなわち、
上記図４に示した表示例においては、円形度の違いによ
り２つの相が存在しており、円形度の大きい粒子はＳi
に富み、円形度の小さい粒子はＳi に乏しいと結論づけ
られるが、それらが実際にどのように分布しているかを
一つの表示で明確に示すことは困難である。
【００１４】これに対して、本発明に係る実施の形態に
おける表示装置では、各粒子の幾何学上の特徴と粒子の
化学組成上の特徴との相互関係を一目で認識できるよう
に表示するものである。すなわち本実施の形態で得られ
る粒子のケミカルタイプは化学組成の特徴を表している
ものであり、ケミカルタイプを識別子として粒子解析結
果を表示することにより、粒子の解析結果である幾何学
上の特徴と化学組成の特徴の相互関係を一目で認識でき
るように表すことが可能となる。
おける表示装置では、各粒子の幾何学上の特徴と粒子の
化学組成上の特徴との相互関係を一目で認識できるよう
に表示するものである。すなわち本実施の形態で得られ
る粒子のケミカルタイプは化学組成の特徴を表している
ものであり、ケミカルタイプを識別子として粒子解析結
果を表示することにより、粒子の解析結果である幾何学
上の特徴と化学組成の特徴の相互関係を一目で認識でき
るように表すことが可能となる。
【００１５】図５は、図３に示した従来例に対応する本
実施の形態に係る表示装置への表示例を示す図で、試料
の分析領域の電子像上における粒子の分布状態を、粒子
解析の結果による粒子の幾何学上の特徴である形状と、
分析結果のケミカルタイプをキーとした化学組成の特徴
とを合わせて表示した態様を示しており、粒子をケミカ
ルタイプで色分けして表示することにより、粒子の形状
とケミカルタイプの分布及びそれらの相互関係が一目で
分かる。図５において、例えば点を付した粒子はＳi が
富むケミカルタイプの粒子を、ハッチングを施した粒子
はＳi に乏しいケミカルタイプの粒子を示している。
実施の形態に係る表示装置への表示例を示す図で、試料
の分析領域の電子像上における粒子の分布状態を、粒子
解析の結果による粒子の幾何学上の特徴である形状と、
分析結果のケミカルタイプをキーとした化学組成の特徴
とを合わせて表示した態様を示しており、粒子をケミカ
ルタイプで色分けして表示することにより、粒子の形状
とケミカルタイプの分布及びそれらの相互関係が一目で
分かる。図５において、例えば点を付した粒子はＳi が
富むケミカルタイプの粒子を、ハッチングを施した粒子
はＳi に乏しいケミカルタイプの粒子を示している。
【００１６】また、図６は、図４に示した従来の表示例
に対応する本実施の形態に係る表示装置への表示例を示
す図で、粒子の円形度と所定の元素（図示例ではＳi ）
の濃度との関係をプロットして表した散布図であり、マ
ーカをケミカルタイプ毎に変えることにより、２つ領域
がケミカルタイプの違いであることが明確に認識させる
ことができる。
に対応する本実施の形態に係る表示装置への表示例を示
す図で、粒子の円形度と所定の元素（図示例ではＳi ）
の濃度との関係をプロットして表した散布図であり、マ
ーカをケミカルタイプ毎に変えることにより、２つ領域
がケミカルタイプの違いであることが明確に認識させる
ことができる。
【００１７】上記実施の形態においては、２次電子又は
反射電子による電子像に基づいて粒子解析を行うように
したものを示したが、電子像の代わりにＸ線像を用いて
粒子解析を行い、Ｘ線像上に粒子解析結果や分析結果を
表示するようにすることも可能である。また、上記実施
の形態においては、試料のＸ線強度の計測は波長分散形
Ｘ線検出器（ＷＤＳ）により行うようにしたものを示し
たが、エネルギー分散形Ｘ線検出器を用いて分析するよ
うにしてもよい。また、図６においては、ケミカルタイ
プの識別をマーカを変えて行うようにしたものを示した
が、表示色を変えても同様に識別表示させることができ
る。
反射電子による電子像に基づいて粒子解析を行うように
したものを示したが、電子像の代わりにＸ線像を用いて
粒子解析を行い、Ｘ線像上に粒子解析結果や分析結果を
表示するようにすることも可能である。また、上記実施
の形態においては、試料のＸ線強度の計測は波長分散形
Ｘ線検出器（ＷＤＳ）により行うようにしたものを示し
たが、エネルギー分散形Ｘ線検出器を用いて分析するよ
うにしてもよい。また、図６においては、ケミカルタイ
プの識別をマーカを変えて行うようにしたものを示した
が、表示色を変えても同様に識別表示させることができ
る。
【００１８】
【発明の効果】以上実施の形態に基づいて説明したよう
に、請求項１に係る発明によれば、電子像又はＸ線像の
粒子解析による測定粒子の位置と幾何学上の特徴と、測
定粒子の分析による化学組成の特徴を示すケミカルタイ
プを求め、両者を試料の電子像又はＸ線像上に対応づけ
て識別できるように表示するようにしているので、測定
粒子の位置及びその幾何学上の特徴と化学組成の特徴で
あるケミカルタイプとの相互関係を一目で認識すること
ができる。また請求項２に係る発明によれば、上記測定
粒子の幾何学上の特徴とケミカルタイプとを対応づけて
グラフ上に識別表示するようにしているので、測定粒子
の幾何学上の特徴と化学組成の特徴であるケミカルタイ
プとの相互関係を一目で認識することが可能となる。
に、請求項１に係る発明によれば、電子像又はＸ線像の
粒子解析による測定粒子の位置と幾何学上の特徴と、測
定粒子の分析による化学組成の特徴を示すケミカルタイ
プを求め、両者を試料の電子像又はＸ線像上に対応づけ
て識別できるように表示するようにしているので、測定
粒子の位置及びその幾何学上の特徴と化学組成の特徴で
あるケミカルタイプとの相互関係を一目で認識すること
ができる。また請求項２に係る発明によれば、上記測定
粒子の幾何学上の特徴とケミカルタイプとを対応づけて
グラフ上に識別表示するようにしているので、測定粒子
の幾何学上の特徴と化学組成の特徴であるケミカルタイ
プとの相互関係を一目で認識することが可能となる。
【図１】本発明に係る電子プローブマイクロアナライザ
の実施の形態を示す概略ブロック構成図である。
の実施の形態を示す概略ブロック構成図である。
【図２】図１に示した実施の形態の動作を説明するため
のフローチャートである。
のフローチャートである。
【図３】従来の粒子解析結果による粒子の分布状態を示
す図である。
す図である。
【図４】従来の粒子解析及び分析結果による粒子の円形
度と元素濃度との関係を示す散布図である。
度と元素濃度との関係を示す散布図である。
【図５】本実施の形態に係る表示装置における粒子の分
布状態を示す図である。
布状態を示す図である。
【図６】本実施の形態に係る表示装置における粒子の円
形度と元素濃度との関係を示す散布図である。
形度と元素濃度との関係を示す散布図である。
１ 電子銃 ２ 電子ビーム ３ 偏向コイル ４ 試料 ５ 検出器 ６ 電子像収集装置 ７ 粒子解析装置 ８ 分析制御装置 ９ Ｘ線 10 分光結晶 11 カウンタ 12 定量補正装置 13 ケミカルタイプ判定装置 14 表示装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G001 AA03 BA05 BA07 BA14 CA01 DA01 EA01 FA06 GA01 GA06 HA01 HA03 HA07 HA13 JA02 JA03 JA13 KA01 MA04
Claims (2)
- 【請求項１】 電子ビームを試料表面に照射し発生する
特性Ｘ線を検出して元素分析を行う電子プローブマイク
ロアナライザにおいて、試料表面からの２次電子又は反
射電子又はＸ線を検出し試料の電子像又はＸ線像を収集
する手段と、収集された電子像又はＸ線像の粒子解析を
行い粒子の位置と幾何学上の特徴を計測する手段と、計
測された粒子の位置と幾何学上の特徴に基づき電子ビー
ムを制御して分析を行う分析制御手段と、制御された電
子ビームの照射により発生した特性Ｘ線を検出して粒子
の分析を行い、その化学組成に基づきケミカルタイプを
判定する手段と、前記試料の電子像又はＸ線像上に粒子
のケミカルタイプと粒子の位置及び幾何学上の特徴とを
対応させて識別表示する表示手段とを備えていることを
特徴とする電子プローブマイクロアナライザ。 - 【請求項２】 電子ビームを試料表面に照射し発生する
特性Ｘ線を検出して元素分析を行う電子プローブマイク
ロアナライザにおいて、試料表面からの２次電子又は反
射電子又はＸ線を検出し試料の電子像又はＸ線像を収集
する手段と、収集された電子像又はＸ線像の粒子解析を
行い粒子の位置と幾何学上の特徴を計測する手段と、計
測された粒子の位置と幾何学上の特徴に基づき電子ビー
ムを制御して分析を行う分析制御手段と、制御された電
子ビームの照射により発生した特性Ｘ線を検出して粒子
の分析を行い、その化学組成に基づきケミカルタイプを
判定する手段と、粒子のケミカルタイプと粒子の幾何学
上の特徴とを対応させてグラフ上に識別表示する表示手
段とを備えていることを特徴とする電子プローブマイク
ロアナライザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11199809A JP2001027621A (ja) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | 電子プローブマイクロアナライザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11199809A JP2001027621A (ja) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | 電子プローブマイクロアナライザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001027621A true JP2001027621A (ja) | 2001-01-30 |
Family
ID=16414006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11199809A Pending JP2001027621A (ja) | 1999-07-14 | 1999-07-14 | 電子プローブマイクロアナライザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001027621A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006118941A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Jeol Ltd | 面分析データを表示する電子プローブｘ線分析装置 |
| JP2010060389A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Horiba Ltd | 粒子解析装置、データ解析装置、ｘ線分析装置、粒子解析方法及びコンピュータプログラム |
| CN107004556A (zh) * | 2014-11-28 | 2017-08-01 | 杰富意钢铁株式会社 | 微量碳定量分析装置和微量碳定量分析方法 |
| JP2021076411A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 株式会社島津製作所 | 試料成分推定方法、試料成分推定装置、試料成分推定プログラム、学習方法および学習プログラム |
-
1999
- 1999-07-14 JP JP11199809A patent/JP2001027621A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006118941A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Jeol Ltd | 面分析データを表示する電子プローブｘ線分析装置 |
| JP2010060389A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Horiba Ltd | 粒子解析装置、データ解析装置、ｘ線分析装置、粒子解析方法及びコンピュータプログラム |
| CN107004556A (zh) * | 2014-11-28 | 2017-08-01 | 杰富意钢铁株式会社 | 微量碳定量分析装置和微量碳定量分析方法 |
| US10151718B2 (en) | 2014-11-28 | 2018-12-11 | Jfe Steel Corporation | Quantitative analysis device for trace carbon and quantitative analysis method for trace carbon |
| JP2021076411A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 株式会社島津製作所 | 試料成分推定方法、試料成分推定装置、試料成分推定プログラム、学習方法および学習プログラム |
| JP7342629B2 (ja) | 2019-11-06 | 2023-09-12 | 株式会社島津製作所 | 試料成分推定方法、試料成分推定装置、試料成分推定プログラム、学習方法および学習プログラム |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051025 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051222 |
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| A02 | Decision of refusal |
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