JP2001026877A - Substrate surface heater device for pcvd - Google Patents
Substrate surface heater device for pcvdInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、製膜時に基板の表
面を加熱するＰＣＶＤ用基板表面ヒータ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate surface heater for PCVD which heats the surface of a substrate during film formation.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１に示すようにプラズマＣＶＤ装置１
は、製膜処理対象としての基板３を所定の目標温度に加
熱するためのヒータ２を備えている。ラダー電極５がこ
のヒータ２上の基板３に対面配置され、さらにガス供給
機構６が電極５の背面側に配置され、さらにガス供給機
構６の背面側には防着板７が配置されている。ガス供給
機構６から反応性ガスを供給するとともに高周波電源
（図示せず）からラダー電極５に高周波パワーを印可す
ると、電極５と基板３との間にプラズマが生成され、反
応性ガス成分が基板３上に製膜される。2. Description of the Related Art As shown in FIG.
Is provided with a heater 2 for heating a substrate 3 as a film forming target to a predetermined target temperature. A ladder electrode 5 is disposed facing the substrate 3 on the heater 2, a gas supply mechanism 6 is disposed on the back side of the electrode 5, and a deposition preventing plate 7 is disposed on the back side of the gas supply mechanism 6. . When a reactive gas is supplied from the gas supply mechanism 6 and a high frequency power is applied to the ladder electrode 5 from a high frequency power supply (not shown), a plasma is generated between the electrode 5 and the substrate 3, and the reactive gas component is removed from the substrate. 3 is formed.
【０００３】基板表面ヒータ４は基板３と電極５との間
に配置され、基板３の表面を加熱し、製膜反応を促進さ
せるようになっている。図５に示すように、基板表面ヒ
ータ４は網状のヒータエレメント４ａを給電バー４１
ａ，４１ｂ間に張り渡したものであり、加熱時の熱膨張
を吸収するためにボルト４２に取り付けた引張ばね４３
によりヒータエレメント４ａの上下方向（縦方向）に張
力を印可している。[0003] A substrate surface heater 4 is arranged between the substrate 3 and the electrode 5 to heat the surface of the substrate 3 to promote a film forming reaction. As shown in FIG. 5, the substrate surface heater 4 includes a mesh-shaped heater element 4 a and a power supply bar 41.
a tension spring 43 attached to a bolt 42 to absorb thermal expansion during heating.
This applies a tension in the vertical direction (vertical direction) of the heater element 4a.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ヒータ
エレメント４ａには上下方向に部分的な張力が印可され
るため、加熱時に熱膨張したヒータエレメント４ａが波
状にたわみ、基板面方向に変形する。このため、ヒータ
エレメント４ａから基板３までの距離にばらつきを生じ
て、基板３の表面温度が不均一になり、膜厚均一性が損
なわれる。However, since partial tension is applied to the heater element 4a in the vertical direction, the heater element 4a that has thermally expanded during heating bends in a wave shape and deforms in the direction of the substrate surface. For this reason, the distance from the heater element 4a to the substrate 3 varies, so that the surface temperature of the substrate 3 becomes non-uniform and the uniformity of the film thickness is impaired.
【０００５】また、従来の基板表面ヒータ４はヒータエ
レメント４ａの左右方向（横方向）への熱膨張を吸収す
る機構がないので、側面部が自由に変形し、形状維持性
能の低いものであった。Further, since the conventional substrate surface heater 4 does not have a mechanism for absorbing the thermal expansion of the heater element 4a in the left-right direction (lateral direction), the side portion is freely deformed, and the shape maintaining performance is low. Was.
【０００６】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものであって、加熱時においても基板までの距離に
変動を生じることなく、一定の形状を維持することがで
きるＰＣＶＤ用基板表面ヒータ装置を提供することを目
的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has been made in order to solve the above-mentioned problems, and to provide a PCVD substrate surface heater capable of maintaining a constant shape without changing the distance to the substrate even during heating. It is intended to provide a device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係るＰＣＶＤ用
基板表面ヒータ装置は、生成プラズマにより反応性ガス
を分解反応させて基板上に製膜する際に、基板の表面を
加熱するＰＣＶＤ用基板表面ヒータ装置において、被処
理基板と電極との間に配置される網状のヒータエレメン
トと、このヒータエレメントに給電して電気抵抗発熱さ
せる給電手段と、前記ヒータエレメントを拘束または半
拘束し、該ヒータエレメントの縦方向および横方向の熱
変形を防止する支持機構と、を具備することを特徴とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION A PCVD substrate surface heater apparatus according to the present invention heats the surface of a substrate when a reactive gas is decomposed and reacted by generated plasma to form a film on the substrate. In a surface heater device, a net-like heater element disposed between a substrate to be processed and an electrode, power supply means for supplying power to the heater element to generate electric resistance, and restricting or semi-restricting the heater element, And a supporting mechanism for preventing thermal deformation of the element in the vertical and horizontal directions.
【０００８】なお、上記支持機構は、ヒータエレメント
の横方向に張力を印可する弾性体からなることが好まし
い。It is preferable that the support mechanism is made of an elastic body which applies a tension in a lateral direction of the heater element.
【０００９】このように上部からの吊り下げ方式と側部
からの張力印可方式とを組み合わせることにより、ヒー
タエレメントの熱膨張変形を効果的に防止することがで
き、膜厚均一性をさらに向上させることができる。As described above, by combining the method of suspending from above and the method of applying tension from the side, the thermal expansion deformation of the heater element can be effectively prevented, and the uniformity of the film thickness is further improved. be able to.
【００１０】また、上記支持機構は、ヒータエレメント
の縦方向の熱変形を吸収するスライダ機構からなること
が好ましい。この場合に、上記スライダ機構は、ヒータ
エレメントの上部を固定する上部支持機構と、ヒータエ
レメントの下部を可動に支持する下部支持機構とを具備
することが望ましい。Preferably, the support mechanism comprises a slider mechanism for absorbing thermal deformation of the heater element in the vertical direction. In this case, it is desirable that the slider mechanism includes an upper support mechanism for fixing the upper portion of the heater element and a lower support mechanism for movably supporting the lower portion of the heater element.
【００１１】このようにヒータエレメントの熱変形は、
下部スライダのスライド移動により縦方向の熱膨張が効
果的に吸収されるため、ヒータエレメントに波状のたわ
みが発生せず、基板とヒータエレメントとの相互間隔が
一定に保たれる。As described above, the thermal deformation of the heater element is as follows.
Since the vertical thermal expansion is effectively absorbed by the sliding movement of the lower slider, no wavy bending occurs in the heater element, and the mutual distance between the substrate and the heater element is kept constant.
【００１２】さらに、上記支持機構は、ヒータエレメン
トの角隅部を対角線に沿って外方に引張る弾性体からな
ることが好ましい。Further, it is preferable that the support mechanism is made of an elastic body that pulls a corner of the heater element outward along a diagonal line.
【００１３】このように矩形上のヒータエレメントの対
角線方向に張力を印可するので、横方向および縦方向と
もにヒータエレメントの熱膨張変形が有効に防止され
る。Since the tension is applied in the diagonal direction of the heater element on the rectangle in this manner, the thermal expansion deformation of the heater element in the horizontal and vertical directions is effectively prevented.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しながら
本発明の種々の好ましい実施の形態について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Various preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００１５】（第１の実施形態）図１及び図２を参照し
ながら第１の実施形態の装置について説明する。プラズ
マＣＶＤ装置１はガラス基板３を所定の目標温度に加熱
するためのヒータ２を備えている。このヒータ２は両面
加熱型とすることも可能でこの場合は図示しない他面側
にも基板３が保持されている。各基板３は例えば図示し
ないポジショナーによりヒータ２の加熱面にそれぞれ押
し付け保持されている。なお、ヒータ２は接地されてい
る。(First Embodiment) An apparatus according to a first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. The plasma CVD apparatus 1 includes a heater 2 for heating the glass substrate 3 to a predetermined target temperature. The heater 2 may be a double-sided heating type. In this case, the substrate 3 is also held on the other side (not shown). Each substrate 3 is pressed and held against the heating surface of the heater 2 by, for example, a positioner (not shown). Note that the heater 2 is grounded.
【００１６】ラダー電極５がヒータ２上の基板３に対面
するように配置されている。ラダー電極５には高周波電
源（図示せず）が接続されている。高周波電源は制御器
１６のマッチング回路（図示せず）により動作が制御さ
れるようになっている。この高周波電源は例えば１３．
５６ＭＨｚの高周波電力（電圧）を電極５に印可し、電
極５と基板３との間にプラズマを生じさせるようになっ
ている。A ladder electrode 5 is arranged so as to face the substrate 3 on the heater 2. The ladder electrode 5 is connected to a high frequency power supply (not shown). The operation of the high frequency power supply is controlled by a matching circuit (not shown) of the controller 16. This high frequency power supply is, for example, 13.
High-frequency power (voltage) of 56 MHz is applied to the electrode 5 to generate plasma between the electrode 5 and the substrate 3.
【００１７】さらに、ガス供給機構６が電極５の背面側
に配置され、更にガス供給機構６の背面に防着板７が配
置されている。ガス供給機構６の配管は図示しないガス
供給源に連通接続され、反応性ガスとしてシランを主成
分とするプロセスガスが供給されるようになっている。Further, a gas supply mechanism 6 is arranged on the back side of the electrode 5, and further, a deposition preventing plate 7 is arranged on the back side of the gas supply mechanism 6. The piping of the gas supply mechanism 6 is connected to a gas supply source (not shown) so that a process gas containing silane as a main component is supplied as a reactive gas.
【００１８】基板３と電極５との相互間距離は例えば約
３５ｍｍに設定され、基板３とガス供給機構６との相互
間距離は例えば４０〜９０ｍｍに設定されている。プラ
ズマは基板３と電極５とで挟まれた狭い領域に生成され
る。この基板３と電極５とで挟まれたプラズマ生成領域
に基板表面ヒータ装置４Ａは配置されている。The distance between the substrate 3 and the electrode 5 is set to, for example, about 35 mm, and the distance between the substrate 3 and the gas supply mechanism 6 is set to, for example, 40 to 90 mm. Plasma is generated in a narrow area sandwiched between the substrate 3 and the electrode 5. A substrate surface heater device 4A is disposed in a plasma generation region sandwiched between the substrate 3 and the electrode 5.
【００１９】基板表面ヒータ装置４Ａは、上下１対の給
電バー１１と、左右１対の絶縁バー１２と、上下１対の
給電バー１１の間に張り渡された網状ヒータエレメント
４ａと、このヒータエレメント４ａの縦方向に張力を印
可する圧縮ばね１３と、ヒータエレメント４ａの横方向
に張力を印可する引張ばね１５とを備えている。The substrate surface heater device 4A includes a pair of upper and lower power supply bars 11, a pair of left and right insulating bars 12, a reticulated heater element 4a stretched between the pair of upper and lower power supply bars 11, and a heater. A compression spring 13 for applying tension in the longitudinal direction of the element 4a and a tension spring 15 for applying tension in the lateral direction of the heater element 4a are provided.
【００２０】圧縮ばね１３は、左右１対の絶縁バー１２
の上端部にそれぞれ１本ずつ装着され、上側の給電バー
１１を上方に押し上げ、これによりヒータエレメント４
ａに縦方向の張力を印可するものである。The compression spring 13 includes a pair of left and right insulating bars 12.
Are mounted one at a time on the upper end of the heater element 4 to push up the upper power supply bar 11 upward.
A longitudinal tension is applied to a.
【００２１】引張ばね１５は、左右１対の絶縁バー１２
とヒータエレメント４ａとの間にそれぞれ２本ずつ装着
され、ヒータエレメント４ａに横方向の張力を印可する
ものである。The tension spring 15 includes a pair of left and right insulating bars 12.
And two heater elements are mounted between the heater element 4a and the heater element 4a, respectively, to apply a lateral tension to the heater element 4a.
【００２２】本実施形態の基板表面ヒータ装置４Ａを用
いて次の条件下で基板３上に実際にａ−Ｓｉ膜を形成
し、得られたａ−Ｓｉ膜の膜厚均一性につき評価した。An a-Si film was actually formed on the substrate 3 using the substrate surface heater device 4A of the present embodiment under the following conditions, and the thickness uniformity of the obtained a-Si film was evaluated.
【００２３】被処理基板３として５００ｍｍ×５００ｍ
ｍサイズのガラス基板を供試した。原料プロセスガスと
して純シランガスを用いた。また、製膜雰囲気の圧力は
０．１Ｔｏｒｒとした。基板表面ヒータ装置４Ａによる
基板３の表面加熱温度は１８０℃とした。The substrate to be processed 3 is 500 mm × 500 m
An m-size glass substrate was tested. Pure silane gas was used as a raw material process gas. The pressure of the film formation atmosphere was 0.1 Torr. The surface heating temperature of the substrate 3 by the substrate surface heater device 4A was 180 ° C.
【００２４】その結果、ａ−Ｓｉ膜の膜厚均一性が従来
に比べて改善されていることが確認された。また、加熱
時のヒータエレメント４ａを目視観察した結果、肉眼で
判別できるような変形は縦方向にも横方向にも見られな
かった。As a result, it was confirmed that the film thickness uniformity of the a-Si film was improved as compared with the prior art. Further, as a result of visually observing the heater element 4a at the time of heating, no deformation that could be discerned by the naked eye was found in both the vertical and horizontal directions.
【００２５】このように本実施形態の基板表面ヒータ装
置では上部からの吊り下げ方式と側部からの張力印可方
式とを組み合わせることにより、ヒータエレメントの熱
膨張変形を効果的に防止することができ、膜厚均一性を
さらに向上させることができた。As described above, in the substrate surface heater device according to the present embodiment, the thermal expansion deformation of the heater element can be effectively prevented by combining the method of suspending from above and the method of applying tension from the side. And the film thickness uniformity could be further improved.
【００２６】なお、本実施形態ではヒータエレメント４
ａに張力を印可する手段として引張ばねと圧縮ばねとを
用いたが、この代わりとして耐熱性ゴムや耐熱性の弾性
樹脂など他の弾性体を用いることも可能である。In this embodiment, the heater element 4
Although a tension spring and a compression spring are used as means for applying tension to a, other elastic bodies such as heat-resistant rubber or heat-resistant elastic resin may be used instead.
【００２７】（第２の実施形態）図３を参照しながら第
２の実施形態の装置について説明する。なお、本実施形
態が上述の実施形態と共通する部分の説明は省略する。
この第２の実施形態の基板表面ヒータ装置４Ｂは、上側
の給電バー２１を固定支持する上部支持機構２２と、下
側の給電バー２１を可動支持する下部支持機構２６とを
備えている。上部支持機構２２のブラケット２３は、一
端がボルト２４により給電バー２１に固定され、他端が
ボルト２４によりヒータ２に固定されている。(Second Embodiment) An apparatus according to a second embodiment will be described with reference to FIG. Note that description of parts common to the present embodiment with the above-described embodiment will be omitted.
The substrate surface heater device 4B of the second embodiment includes an upper support mechanism 22 for fixedly supporting the upper power supply bar 21 and a lower support mechanism 26 for movably supporting the lower power supply bar 21. One end of the bracket 23 of the upper support mechanism 22 is fixed to the power supply bar 21 by a bolt 24, and the other end is fixed to the heater 2 by a bolt 24.
【００２８】下部支持機構２６のスライダ２７は、一端
が下側の給電バー２１に取り付けられ、他端がヒータ２
に設けられたガイド２８の孔に可動に挿入されている。The slider 27 of the lower support mechanism 26 has one end attached to the lower power supply bar 21 and the other end connected to the heater 2.
Is movably inserted into a hole of a guide 28 provided at the bottom.
【００２９】このような基板表面ヒータ装置４Ｂによれ
ば、ヒータエレメント４ａが熱膨張すると、下部支持機
構２６のスライダ２７が下方にスライドして縦方向の熱
膨張が効果的に吸収される。このため、ヒータエレメン
ト４ａに波状のたわみが発生せず、基板３との相互間距
離が一定に保たれる。According to such a substrate surface heater device 4B, when the heater element 4a thermally expands, the slider 27 of the lower support mechanism 26 slides downward to effectively absorb the vertical thermal expansion. Therefore, no wavy deflection occurs in the heater element 4a, and the distance between the heater element 4a and the substrate 3 is kept constant.
【００３０】（第３の実施形態）図４を参照しながら第
３の実施形態の装置について説明する。なお、本実施形
態が上述の実施形態と共通する部分の説明は省略する。
この第３実施形態の基板表面ヒータ装置４Ｃは、ヒータ
エレメント４ａと、四角枠状の給電フレーム３１と、引
張ばね３２と、給電板３４とを備えている。引張ばね３
２は、給電フレーム３１の４つの角隅部とヒータエレメ
ント４ａの角隅部との間にそれぞれ取り付けられてい
る。すなわち、ヒータエレメント４ａの角隅部には連結
リング３３がそれぞれ取り付けられ、各連結リング３３
に給電フレーム３１側の引張ばね３２が引っ掛けられて
いる。(Third Embodiment) An apparatus according to a third embodiment will be described with reference to FIG. Note that description of parts common to the present embodiment with the above-described embodiment will be omitted.
The substrate surface heater device 4C of the third embodiment includes a heater element 4a, a rectangular frame-shaped power supply frame 31, a tension spring 32, and a power supply plate. Tension spring 3
Numerals 2 are attached between the four corners of the power supply frame 31 and the corners of the heater element 4a, respectively. That is, the connection rings 33 are attached to the corners of the heater element 4a, respectively.
A tension spring 32 on the power supply frame 31 side is hooked.
【００３１】なお、上下１対の給電板３４は給電フレー
ム３１からヒータエレメント４ａに安定して給電するた
めの部材である。この場合に、引張ばね３２には絶縁性
材料を用いることが好ましく、導電性材料の使用は好ま
しくない。また、給電フレーム３１のばね取付け部分の
みを絶縁性材料としてもよい。The upper and lower power supply plates 34 are members for stably supplying power from the power supply frame 31 to the heater element 4a. In this case, it is preferable to use an insulating material for the tension spring 32, and it is not preferable to use a conductive material. Further, only the spring attachment portion of the power supply frame 31 may be made of an insulating material.
【００３２】このような基板表面ヒータ装置４Ｃによれ
ば、矩形状のヒータエレメント４ａの対角線方向に張力
が印可されるので、横方向および縦方向ともにヒータエ
レメント４ａの熱膨張変形が有効に防止される。According to such a substrate surface heater device 4C, since the tension is applied in the diagonal direction of the rectangular heater element 4a, the thermal expansion deformation of the heater element 4a is effectively prevented in both the horizontal and vertical directions. You.
【００３３】なお、上記実施形態では本発明の基板表面
ヒータ装置を５００ｍｍ×５００ｍｍサイズの基板の製
膜処理に使用する場合について説明したが、本発明はこ
れのみに限られることなく例えば１０００ｍｍ×１００
０ｍｍサイズの大型基板の製膜処理に使用することも可
能である。In the above embodiment, the case where the substrate surface heater device of the present invention is used for forming a substrate of 500 mm × 500 mm size is described. However, the present invention is not limited to this.
It is also possible to use it for the film forming process of a large substrate of 0 mm size.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、上
部からの吊り下げ方式と側部からの張力印可方式とを組
み合わせることにより、ヒータエレメントの熱膨張変形
を効果的に防止することができ、膜厚均一性をさらに向
上させることができる。As described above in detail, according to the present invention, the thermal expansion deformation of the heater element can be effectively prevented by combining the method of hanging from the top and the method of applying tension from the side. And the film thickness uniformity can be further improved.
【００３５】また、ヒータエレメントが熱膨張すると、
下部スライダが下方にスライドして縦方向の熱膨張が効
果的に吸収されるため、ヒータエレメントに波状のたわ
みが発生せず、基板とヒータエレメントとの相互間隔が
一定に保たれる。When the heater element thermally expands,
Since the lower slider slides downward to effectively absorb the thermal expansion in the vertical direction, no wavy deflection occurs in the heater element, and the distance between the substrate and the heater element is kept constant.
【００３６】また、矩形上のヒータエレメントの対角線
方向に張力を印可するので、横方向および縦方向ともに
ヒータエレメントの熱膨張変形が有効に防止される。Further, since tension is applied in the diagonal direction of the heater element on the rectangle, the thermal expansion deformation of the heater element is effectively prevented in both the horizontal and vertical directions.
【図１】ＰＣＶＤ装置の概要を示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing an outline of a PCVD apparatus.
【図２】本発明の第１の実施形態に係るＰＣＶＤ用基板
表面ヒータを示す斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing a PCVD substrate surface heater according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２の実施形態に係るＰＣＶＤ用基板
表面ヒータを示す側面図。FIG. 3 is a side view showing a substrate surface heater for PCVD according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第３の実施形態に係るＰＣＶＤ用基板
表面ヒータを示す正面図。FIG. 4 is a front view showing a substrate surface heater for PCVD according to a third embodiment of the present invention.
【図５】従来のＰＣＶＤ用基板表面ヒータを示す概略
図。FIG. 5 is a schematic view showing a conventional PCVD substrate surface heater.
１…ＰＣＶＤ装置、２…基板加熱用ヒータ、３…基板、
４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ…基板表面ヒータ装置、４ａ…ヒ
ータエレメント、５…電極、６…ガス供給機構、７…防
着板、１１，２１…給電バー、１２…絶縁バー、１３…
圧縮ばね、１５…引張ばね、２２…上部支持機構、２３
…ブラケット、２４…ボルト、２６…下部支持機構、２
７…スライダ、２８…ガイド、３１…給電フレーム、３
２…引張ばね、３３…連結リング、３４…給電板。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... PCVD apparatus, 2 ... Heater for substrate heating, 3 ... Substrate,
4, 4A, 4B, 4C: substrate surface heater device, 4a: heater element, 5: electrode, 6: gas supply mechanism, 7: deposition prevention plate, 11, 21: power supply bar, 12: insulating bar, 13 ...
Compression spring, 15: tension spring, 22: upper support mechanism, 23
... Bracket, 24 ... Bolt, 26 ... Lower support mechanism, 2
7 slider, 28 guide, 31 feeding frame, 3
2 ... tension spring, 33 ... connecting ring, 34 ... power supply plate.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 洋一郎 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重工 業株式会社長崎造船所内 (72)発明者 小川 和彦 長崎県長崎市飽の浦町１番１号 三菱重工 業株式会社長崎造船所内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 BA30 CA06 FA03 KA23 KA45 5F045 AA08 AB04 AC01 AD05 AE19 AF07 BB02 EH04 EK08 EK21 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoichiro Nakajima 1-1-1, Akunoura-cho, Nagasaki-shi, Nagasaki Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Nagasaki Shipyard (72) Inventor Kazuhiko Ogawa 1-1-1, Akunoura-cho, Nagasaki-shi, Nagasaki Mitsubishi 4K030 AA06 BA30 CA06 FA03 KA23 KA45 5F045 AA08 AB04 AC01 AD05 AE19 AF07 BB02 EH04 EK08 EK21
Claims (5)
応させて基板上に製膜する際に、基板の表面を加熱する
ＰＣＶＤ用基板表面ヒータ装置において、 被処理基板と電極との間に配置される網状のヒータエレ
メントと、 このヒータエレメントに給電して電気抵抗発熱させる給
電手段と、 前記ヒータエレメントを拘束または半拘束し、該ヒータ
エレメントの縦方向および横方向の熱変形を防止する支
持機構と、を具備することを特徴とするＰＣＶＤ用基板
表面ヒータ装置。1. A PCVD substrate surface heater device for heating a surface of a substrate when a reactive gas is decomposed and reacted by generated plasma to form a film on the substrate, the device being disposed between a substrate to be processed and an electrode. A heating element having a mesh shape, a power supply means for supplying electric power to the heater element to generate electric resistance, and a support mechanism for restricting or semi-restricting the heater element and preventing thermal deformation of the heater element in the vertical and horizontal directions. And a substrate surface heater device for PCVD.
方向に張力を印可する弾性体からなることを特徴とする
請求項１記載のＰＣＶＤ用基板表面ヒータ装置。2. The PCVD substrate surface heater device according to claim 1, wherein the support mechanism is made of an elastic body that applies a tension in a lateral direction of the heater element.
方向の熱変形を吸収するスライダ機構からなることを特
徴とする請求項１記載のＰＣＶＤ用基板表面ヒータ装
置。3. The PCVD substrate surface heater device according to claim 1, wherein said support mechanism comprises a slider mechanism for absorbing thermal deformation of the heater element in a vertical direction.
隅部を対角線に沿って外方に引張る弾性体からなること
を特徴とする請求項１記載のＰＣＶＤ用基板表面ヒータ
装置。4. The substrate surface heater for PCVD according to claim 1, wherein the support mechanism is made of an elastic body that pulls a corner of the heater element outward along a diagonal line.
の上部を固定する上部支持機構と、ヒータエレメントの
下部を可動に支持する下部支持機構とを具備することを
特徴とする請求項３記載のＰＣＶＤ用基板表面ヒータ装
置。5. The PCVD apparatus according to claim 3, wherein the slider mechanism includes an upper support mechanism for fixing an upper portion of the heater element and a lower support mechanism for movably supporting a lower portion of the heater element. Substrate surface heater device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11201820A JP2001026877A (en) | 1999-07-15 | 1999-07-15 | Substrate surface heater device for pcvd |
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Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007288163A (en) * | 2006-03-24 | 2007-11-01 | Nuflare Technology Inc | Semiconductor manufacturing apparatus, and heater |
| KR100892498B1 (en) * | 2007-05-31 | 2009-04-10 | 현대자동차주식회사 | Door latch lock protecting structure of car |
| JP2017508237A (en) * | 2013-12-16 | 2017-03-23 | デ ルーカ オーブン テクノロジーズ、 エルエルシー | Wire mesh heating element and continuous update device for woven angle wire mesh |
| WO2018055700A1 (en) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing device, method for manufacturing semiconductor device, and electrode fixing unit |
-
1999
- 1999-07-15 JP JP11201820A patent/JP2001026877A/en active Pending
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| US10912306B2 (en) | 2013-12-16 | 2021-02-09 | De Luca Oven Technologies, Llc | Continuous renewal system for a wire mesh heating element and a woven angled wire mesh |
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| JPWO2018055700A1 (en) * | 2016-09-21 | 2019-01-31 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and electrode fixing unit |
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