JP2001024401A - 高周波装置およびその製造方法 - Google Patents
高周波装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2001024401A JP2001024401A JP11195899A JP19589999A JP2001024401A JP 2001024401 A JP2001024401 A JP 2001024401A JP 11195899 A JP11195899 A JP 11195899A JP 19589999 A JP19589999 A JP 19589999A JP 2001024401 A JP2001024401 A JP 2001024401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- frequency
- substrate
- forming
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
- H01Q9/04—Resonant antennas
- H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
- H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q3/00—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
- H01Q3/26—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture
- H01Q3/30—Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture varying the relative phase between the radiating elements of an array
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フェーズドアレイアンテナなど、高利得で高
周波数帯に適用する高周波装置でマイクロマシンスイッ
チを用いることができるようにする。 【解決手段】 位相制御層１０２とその上の層との間
に、誘電体材料からなる分離層（第１の分離層）１１３
を形成し、その分離層１１３の位相制御層１０２のマイ
クロマシンスイッチ１０２ｂが形成された領域上に開口
領域１１３ａを設ける。
周波数帯に適用する高周波装置でマイクロマシンスイッ
チを用いることができるようにする。 【解決手段】 位相制御層１０２とその上の層との間
に、誘電体材料からなる分離層（第１の分離層）１１３
を形成し、その分離層１１３の位相制御層１０２のマイ
クロマシンスイッチ１０２ｂが形成された領域上に開口
領域１１３ａを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波など
の高周波信号の送受信に用いられるフェーズドアレイア
ンテナなど、高周波信号を伝送する高周波装置におよび
その製造方法に関する。
の高周波信号の送受信に用いられるフェーズドアレイア
ンテナなど、高周波信号を伝送する高周波装置におよび
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波装置として、例えば、衛星追尾車
載アンテナや衛星搭載用アンテナに用いられ、多数の放
射素子が配置されたフェーズドアレイアンテナが提案さ
れている（例えば、電子情報通信学会技術報告ＡＰ９０
−７５や特開平１−２９０３０１号公報など参照）。こ
の種のフェーズドアレイアンテナは、各放射素子に給電
する位相を変えることによって、ビームの方向を任意に
変更する機能を有している。その給電する位相を変化さ
せる手段として、それぞれが固定的な異なる移相量を有
する複数の移相回路から構成されたディジタル移相器が
一般的に使用されている（以下、ディジタル移相器を単
に移相器という）。そして、フェーズドアレイアンテナ
においては、それら各移相回路を各々１ビットのディジ
タルの制御信号によりオン／オフ制御してそれぞれの移
相回路が有する移相量を組み合わせることにより、移相
器全体で０〜３６０゜の給電位相を得られるようにして
いる。
載アンテナや衛星搭載用アンテナに用いられ、多数の放
射素子が配置されたフェーズドアレイアンテナが提案さ
れている（例えば、電子情報通信学会技術報告ＡＰ９０
−７５や特開平１−２９０３０１号公報など参照）。こ
の種のフェーズドアレイアンテナは、各放射素子に給電
する位相を変えることによって、ビームの方向を任意に
変更する機能を有している。その給電する位相を変化さ
せる手段として、それぞれが固定的な異なる移相量を有
する複数の移相回路から構成されたディジタル移相器が
一般的に使用されている（以下、ディジタル移相器を単
に移相器という）。そして、フェーズドアレイアンテナ
においては、それら各移相回路を各々１ビットのディジ
タルの制御信号によりオン／オフ制御してそれぞれの移
相回路が有する移相量を組み合わせることにより、移相
器全体で０〜３６０゜の給電位相を得られるようにして
いる。
【０００３】特に、従来のフェーズドアレイアンテナで
は、各移相回路におけるスイッチング素子として、ＰＩ
Ｎダイオード、ＧａＡｓＦＥＴなどの半導体素子や、こ
れらを駆動するための駆動回路部品が多数使用されてい
る。そして、その移相器は、これらスイッチング素子に
直流電流または直流電圧を印加してオン／オフし、伝送
路長、サセプタンス、反射係数などを変化させることに
より、所定の移相量を発生させる構成となっている。一
方、近年では、低軌道衛星通信の分野などにおいて、イ
ンターネットの利用拡大さらにはマルチメディア通信の
普及などにより、高データレートでの通信が要求されて
おり、このためにアンテナの高利得化が必要となってい
る。また、高データレートでの通信を実現するためには
伝送帯域幅の拡大が必要となり、さらには低周波数帯に
おける周波数資源の欠乏などから、Ｋａ帯（２０ＧＨｚ
〜）以上の高周波数帯で適用できるアンテナの実現が急
がれている。
は、各移相回路におけるスイッチング素子として、ＰＩ
Ｎダイオード、ＧａＡｓＦＥＴなどの半導体素子や、こ
れらを駆動するための駆動回路部品が多数使用されてい
る。そして、その移相器は、これらスイッチング素子に
直流電流または直流電圧を印加してオン／オフし、伝送
路長、サセプタンス、反射係数などを変化させることに
より、所定の移相量を発生させる構成となっている。一
方、近年では、低軌道衛星通信の分野などにおいて、イ
ンターネットの利用拡大さらにはマルチメディア通信の
普及などにより、高データレートでの通信が要求されて
おり、このためにアンテナの高利得化が必要となってい
る。また、高データレートでの通信を実現するためには
伝送帯域幅の拡大が必要となり、さらには低周波数帯に
おける周波数資源の欠乏などから、Ｋａ帯（２０ＧＨｚ
〜）以上の高周波数帯で適用できるアンテナの実現が急
がれている。
【０００４】具体的には、低軌道衛星追尾端末（地上
局）のアンテナとして、例えば、 周波数：３０ＧＨｚ、 アンテナ利得：３６ｄＢｉ、 ビーム走査範囲：正面方向よりビームチルト角５０゜ という技術性能が要求されている。これをフェーズドア
レイアンテナで実現するためには、まず、開口面積：約
０．１３ｍ2 （３６０ｍｍ×３６０ｍｍ）が必要とな
る。さらに、サイドローブを抑制するためには、放射素
子を約１／２波長（３０ＧＨｚで５ｍｍ前後）間隔で配
置してグレーティングローブの発生を回避する必要があ
る。
局）のアンテナとして、例えば、 周波数：３０ＧＨｚ、 アンテナ利得：３６ｄＢｉ、 ビーム走査範囲：正面方向よりビームチルト角５０゜ という技術性能が要求されている。これをフェーズドア
レイアンテナで実現するためには、まず、開口面積：約
０．１３ｍ2 （３６０ｍｍ×３６０ｍｍ）が必要とな
る。さらに、サイドローブを抑制するためには、放射素
子を約１／２波長（３０ＧＨｚで５ｍｍ前後）間隔で配
置してグレーティングローブの発生を回避する必要があ
る。
【０００５】また、ビーム走査ステップを細かくし、か
つディジタル移相器量子化誤差にともなうサイドローブ
劣化を低く抑えるためには、各移相器に使用される移相
回路は４ビット（最小ビット移相器２２．５゜）以上で
あることが望ましい。上記の条件を満たすフェーズドア
レイアンテナに用いられる合計の放射素子数および移相
回路ビット数は、 移相回路素子数：７２×７２＝約５０００個、 移相回路ビット数：７２×７２×４＝約２００００ビッ
ト となる。
つディジタル移相器量子化誤差にともなうサイドローブ
劣化を低く抑えるためには、各移相器に使用される移相
回路は４ビット（最小ビット移相器２２．５゜）以上で
あることが望ましい。上記の条件を満たすフェーズドア
レイアンテナに用いられる合計の放射素子数および移相
回路ビット数は、 移相回路素子数：７２×７２＝約５０００個、 移相回路ビット数：７２×７２×４＝約２００００ビッ
ト となる。
【０００６】ここで、そのような高利得で高周波数帯に
適用可能なフェーズドアレイアンテナを、前述した従来
技術、例えば図９に示す特開平１−２９０３０１号公報
記載のフェーズドアレイアンテナで実現しようとした場
合、次のような問題点があった。すなわち、このような
従来のフェーズドアレイアンテナでは、図９に示すよう
に駆動回路基板に形成された１つのドライバ回路で、各
移相器内の個々の移相回路を制御する構成となっている
ため、このドライバ回路とすべての移相回路とを個々に
接続する必要がある。したがって、その接続のための配
線は、放射素子数×移相回路ビット数の本数だけ必要と
なり、前述した数値を適用すれば、放射素子７２個×７
２個のアレイ配置において、１列分（放射素子７２個
分）の各移相回路（４ビット）への配線数は、７２×４
＝２８８本となる。
適用可能なフェーズドアレイアンテナを、前述した従来
技術、例えば図９に示す特開平１−２９０３０１号公報
記載のフェーズドアレイアンテナで実現しようとした場
合、次のような問題点があった。すなわち、このような
従来のフェーズドアレイアンテナでは、図９に示すよう
に駆動回路基板に形成された１つのドライバ回路で、各
移相器内の個々の移相回路を制御する構成となっている
ため、このドライバ回路とすべての移相回路とを個々に
接続する必要がある。したがって、その接続のための配
線は、放射素子数×移相回路ビット数の本数だけ必要と
なり、前述した数値を適用すれば、放射素子７２個×７
２個のアレイ配置において、１列分（放射素子７２個
分）の各移相回路（４ビット）への配線数は、７２×４
＝２８８本となる。
【０００７】このような配線を同一平面上に形成した場
合、配線幅／配線間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０μｍとし
ても、１列分（放射素子７２個分）の配線束の幅は０．
１ｍｍ×２８８＝２８．８ｍｍとなる。これに対して、
前述したように、周波数３０ＧＨｚに適用できるフェー
ズドアレイアンテナでは、その放射素子の間隔を５ｍｍ
前後で配置する必要があるが、従来技術では、上述した
ように配線束の幅が２８．８ｍｍにもなり太すぎて物理
的に配置できなくなる。
合、配線幅／配線間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０μｍとし
ても、１列分（放射素子７２個分）の配線束の幅は０．
１ｍｍ×２８８＝２８．８ｍｍとなる。これに対して、
前述したように、周波数３０ＧＨｚに適用できるフェー
ズドアレイアンテナでは、その放射素子の間隔を５ｍｍ
前後で配置する必要があるが、従来技術では、上述した
ように配線束の幅が２８．８ｍｍにもなり太すぎて物理
的に配置できなくなる。
【０００８】ここで、放射素子が形成される層（放射素
子基板や無給電素子基板）だけでなく、分配合成器と移
相器とを異なる層に形成すれば、移相器を形成する層に
おいては移相器だけを自由に配置できるようになるの
で、上述した配置の問題を解消することができる。この
ように、多層構造とすることで、より高周波数帯に適用
可能なフェーズドアレイアンテナを実現することができ
る。また、多層構造とした場合、各層の厚さは数ｍ程度
と小さいので、あまり厚くなることはなく、より小さい
面積にすることができるので、衛星に搭載するなどのと
きに特に有利である。
子基板や無給電素子基板）だけでなく、分配合成器と移
相器とを異なる層に形成すれば、移相器を形成する層に
おいては移相器だけを自由に配置できるようになるの
で、上述した配置の問題を解消することができる。この
ように、多層構造とすることで、より高周波数帯に適用
可能なフェーズドアレイアンテナを実現することができ
る。また、多層構造とした場合、各層の厚さは数ｍ程度
と小さいので、あまり厚くなることはなく、より小さい
面積にすることができるので、衛星に搭載するなどのと
きに特に有利である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな高周波装置において、移相器の移相量を切り換える
ときに用いるスイッチ素子として、微小な機械スイッチ
素子（マイクロマシンスイッチ）を用いることが検討さ
れている。しかしながら、上述したように多層構造にす
る場合、従来では各層間が誘電体で充填された構成とな
っていたため、中間に配置される層に形成される移相器
には、可動部を有するマイクロマシンスイッチを用いる
ことができなかった。すなわち、従来では、フェーズド
アレイアンテナなどの高周波装置を多層構造とする場
合、移相器に用いるスイッチ素子として、マイクロマシ
ンスイッチを内層に用いることができないため実装上の
制限を受けるという問題があった。
うな高周波装置において、移相器の移相量を切り換える
ときに用いるスイッチ素子として、微小な機械スイッチ
素子（マイクロマシンスイッチ）を用いることが検討さ
れている。しかしながら、上述したように多層構造にす
る場合、従来では各層間が誘電体で充填された構成とな
っていたため、中間に配置される層に形成される移相器
には、可動部を有するマイクロマシンスイッチを用いる
ことができなかった。すなわち、従来では、フェーズド
アレイアンテナなどの高周波装置を多層構造とする場
合、移相器に用いるスイッチ素子として、マイクロマシ
ンスイッチを内層に用いることができないため実装上の
制限を受けるという問題があった。
【００１０】本発明はこのような課題を解決するための
ものであり、フェーズドアレイアンテナなど、高利得で
高周波数帯に適用する高周波装置でマイクロマシンスイ
ッチなどの可動部を有する電子部品を内層に用いて実装
効率を向上できるようにすることを目的とする。
ものであり、フェーズドアレイアンテナなど、高利得で
高周波数帯に適用する高周波装置でマイクロマシンスイ
ッチなどの可動部を有する電子部品を内層に用いて実装
効率を向上できるようにすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の高周波装置
は、高周波回路が多層基板に実装された高周波装置にお
いて、多層基板の内層基板上に形成された高周波信号を
伝搬する導波路と、内層基板上に形成されて導波路と接
続して可動構造により高周波信号を処理する高周波可動
部品と、内層基板とその上の層との間に設けられて各層
を分離するとともに高周波可動部品よりも高い厚さを有
し、高周波可動部品が形成された領域全体が開口した分
離層とを備えるようにした。このように構成したので、
分離層に形成された開口領域内で高周波可動部品が動作
する。
は、高周波回路が多層基板に実装された高周波装置にお
いて、多層基板の内層基板上に形成された高周波信号を
伝搬する導波路と、内層基板上に形成されて導波路と接
続して可動構造により高周波信号を処理する高周波可動
部品と、内層基板とその上の層との間に設けられて各層
を分離するとともに高周波可動部品よりも高い厚さを有
し、高周波可動部品が形成された領域全体が開口した分
離層とを備えるようにした。このように構成したので、
分離層に形成された開口領域内で高周波可動部品が動作
する。
【００１２】また、発明の高周波装置は、高周波回路が
多層基板に実装された高周波装置において、多層基板の
内層基板上に形成された高周波信号を伝搬する導波路
と、内層基板上に形成されて導波路と接続して可動構造
により高周波信号を処理する高周波可動部品とを備え、
導波路の高さは高周波可動部品の高さより高くされ、内
層基板とその上の層との間に高周波可動部品が実装され
るようにした。このように構成したので、高く形成され
た導波路により分離層の上に空間が形成され、この空間
内で、高周波可動部品が動作する。
多層基板に実装された高周波装置において、多層基板の
内層基板上に形成された高周波信号を伝搬する導波路
と、内層基板上に形成されて導波路と接続して可動構造
により高周波信号を処理する高周波可動部品とを備え、
導波路の高さは高周波可動部品の高さより高くされ、内
層基板とその上の層との間に高周波可動部品が実装され
るようにした。このように構成したので、高く形成され
た導波路により分離層の上に空間が形成され、この空間
内で、高周波可動部品が動作する。
【００１３】また、発明の高周波装置は、誘電体からな
る基板上に形成された高周波信号を伝搬する複数の導波
路と、基板上に形成され、かつ、導波路の接続状態を切
り換えるスイッチと、基板上に配置されてスイッチの形
成領域上部に開口領域が形成された誘電体材料からなる
第１の分離層と、この第１の分離層上に形成されて導波
路の所定の領域上に高周波信号を結合する結合手段を備
えた導電材料からなる結合層と、この結合層上に形成さ
れた誘電体材料からなる第２の分離層と、この第２の分
離層上に形成されて導波路との間で結合手段を介して高
周波信号が結合される高周波部品と、スイッチの動作を
制御する制御手段とを備え、スイッチは、基板上に固定
された固定電極と、この固定電極より高い柱体と、この
柱体に一端が固定されて他端が固定電極上部にまで延在
した可動可能な可動電極とから構成されているようにし
た。このように構成したので、第１の分離層に形成され
た開口領域内で、制御手段に制御されたスイッチが接続
／非接続の動作をする。
る基板上に形成された高周波信号を伝搬する複数の導波
路と、基板上に形成され、かつ、導波路の接続状態を切
り換えるスイッチと、基板上に配置されてスイッチの形
成領域上部に開口領域が形成された誘電体材料からなる
第１の分離層と、この第１の分離層上に形成されて導波
路の所定の領域上に高周波信号を結合する結合手段を備
えた導電材料からなる結合層と、この結合層上に形成さ
れた誘電体材料からなる第２の分離層と、この第２の分
離層上に形成されて導波路との間で結合手段を介して高
周波信号が結合される高周波部品と、スイッチの動作を
制御する制御手段とを備え、スイッチは、基板上に固定
された固定電極と、この固定電極より高い柱体と、この
柱体に一端が固定されて他端が固定電極上部にまで延在
した可動可能な可動電極とから構成されているようにし
た。このように構成したので、第１の分離層に形成され
た開口領域内で、制御手段に制御されたスイッチが接続
／非接続の動作をする。
【００１４】また、この発明の高周波装置は、誘電体か
らなる基板上に形成された高周波信号を伝搬する複数の
導波路と、基板上に形成され、かつ、導波路の接続状態
を切り換えるスイッチと、基板上に配置された誘電体材
料からなる第１の分離層と、この第１の分離層上に形成
されて導波路の所定の領域上に高周波信号を結合する結
合手段を備えた導電材料からなる結合層と、この結合層
上に形成された誘電体材料からなる第２の分離層と、こ
の第２の分離層上に形成されて導波路との間で結合手段
を介して高周波信号が結合される高周波部品と、スイッ
チの動作を制御する制御手段とを備え、スイッチは、基
板上に固定された固定電極と、この固定電極より高い柱
体と、この柱体に一端が固定されて他端が固定電極上部
にまで延在した可動可能な可動電極とから構成され、導
波路の一部は可動電極の可動範囲上限より高く形成され
ているようにした。このように構成したので、高く形成
された導波路により基板と第１の分離層との間に空間が
形成され、この空間内で、制御手段に制御されたスイッ
チが接続／非接続の動作をする。
らなる基板上に形成された高周波信号を伝搬する複数の
導波路と、基板上に形成され、かつ、導波路の接続状態
を切り換えるスイッチと、基板上に配置された誘電体材
料からなる第１の分離層と、この第１の分離層上に形成
されて導波路の所定の領域上に高周波信号を結合する結
合手段を備えた導電材料からなる結合層と、この結合層
上に形成された誘電体材料からなる第２の分離層と、こ
の第２の分離層上に形成されて導波路との間で結合手段
を介して高周波信号が結合される高周波部品と、スイッ
チの動作を制御する制御手段とを備え、スイッチは、基
板上に固定された固定電極と、この固定電極より高い柱
体と、この柱体に一端が固定されて他端が固定電極上部
にまで延在した可動可能な可動電極とから構成され、導
波路の一部は可動電極の可動範囲上限より高く形成され
ているようにした。このように構成したので、高く形成
された導波路により基板と第１の分離層との間に空間が
形成され、この空間内で、制御手段に制御されたスイッ
チが接続／非接続の動作をする。
【００１５】以上のように構成された中で、導波路とス
イッチとで移相器を構成するようにしてもよく、また、
高周波部品を放射素子から構成してもよい。また、導波
路に所望の周波数の高周波を導入する分配器を備えるよ
うにしてもよい。
イッチとで移相器を構成するようにしてもよく、また、
高周波部品を放射素子から構成してもよい。また、導波
路に所望の周波数の高周波を導入する分配器を備えるよ
うにしてもよい。
【００１６】また、この発明の高周波装置の製造方法
は、誘電体からなる基板上に高周波信号を伝搬する複数
の導波路を形成する工程と、基板上に固定電極とこの固
定電極より高い柱体とを形成する工程と、基板上に柱体
上部が露出した状態で固定電極を覆うように誘電体材料
からなる第１の誘電体層を形成する工程と、一端が柱体
上部に固定されかつ他端が固定電極上にまで延在した可
動電極を第１の誘電体層上に形成する工程と、第１の誘
電体層上に可動電極を覆うように誘電体材料からなる第
２の誘電体層を形成する工程と、第２の誘電体層および
第１の誘電体層の可動電極形成領域に開口領域を形成
し、第１の誘電体層と第２の誘電体層からなる第１の分
離層を形成するとともに、固定電極と柱体と可動電極と
からなり導波路の接続状態を切り換えるスイッチを第１
の分離層の開口領域底部の基板上に形成する工程と、高
周波信号を結合する結合手段を備えた導電材料からなる
結合層を、結合手段が導波路の所定の領域上に配置され
るように第１の分離層上に形成する工程と、誘電体材料
からなる第２の分離層を結合層上に形成する工程と、導
波路との間で結合手段を介して高周波信号が結合される
高周波部品をその第２の分離層上に形成する工程と、ス
イッチの動作を制御する制御手段を形成する工程とを備
えるようにした。このように製造するようにしたので、
第１の分離層に形成された開口領域内に、スイッチが接
続／非接続の動作をする空間が形成される。
は、誘電体からなる基板上に高周波信号を伝搬する複数
の導波路を形成する工程と、基板上に固定電極とこの固
定電極より高い柱体とを形成する工程と、基板上に柱体
上部が露出した状態で固定電極を覆うように誘電体材料
からなる第１の誘電体層を形成する工程と、一端が柱体
上部に固定されかつ他端が固定電極上にまで延在した可
動電極を第１の誘電体層上に形成する工程と、第１の誘
電体層上に可動電極を覆うように誘電体材料からなる第
２の誘電体層を形成する工程と、第２の誘電体層および
第１の誘電体層の可動電極形成領域に開口領域を形成
し、第１の誘電体層と第２の誘電体層からなる第１の分
離層を形成するとともに、固定電極と柱体と可動電極と
からなり導波路の接続状態を切り換えるスイッチを第１
の分離層の開口領域底部の基板上に形成する工程と、高
周波信号を結合する結合手段を備えた導電材料からなる
結合層を、結合手段が導波路の所定の領域上に配置され
るように第１の分離層上に形成する工程と、誘電体材料
からなる第２の分離層を結合層上に形成する工程と、導
波路との間で結合手段を介して高周波信号が結合される
高周波部品をその第２の分離層上に形成する工程と、ス
イッチの動作を制御する制御手段を形成する工程とを備
えるようにした。このように製造するようにしたので、
第１の分離層に形成された開口領域内に、スイッチが接
続／非接続の動作をする空間が形成される。
【００１７】また、この発明の高周波装置の製造方法
は、誘電体からなる基板上に高周波信号を伝搬する複数
の導波路を形成する工程と、基板上に固定電極とこの固
定電極より高い柱体とを形成する工程と、基板上に柱体
上部が露出した状態で固定電極を覆うように第１の層を
形成する工程と、一端が柱体上部に固定されかつ他端が
固定電極上にまで延在した可動電極を第１の層上に形成
する工程と、第１の層上に可動電極を覆うように第２の
層を形成する工程と、第１および第２の層の導波路の所
定領域上に開口領域を形成する工程と、開口領域内の導
波路上に金属層を形成して開口領域内の導波路を可動電
極の可動範囲上限より高く形成する工程と、第１および
第２の層を除去する工程と、基板上に誘電体材料からな
る第１の分離層を形成する工程と、高周波信号を結合す
る結合手段を備えた導電材料からなる結合層を、結合手
段が導波路の所定の領域上に配置されるように第１の分
離層上に形成する工程と、誘電体材料からなる第２の分
離層を結合層上に形成する工程と、導波路との間で結合
手段を介して高周波信号が結合される高周波部品をその
第２の分離層上に形成する工程と、スイッチの動作を制
御する制御手段を形成する工程とを備えるようにした。
このように製造するようにしたので、高く形成された導
波路により基板と第１の分離層との間に、スイッチが接
続／非接続の動作をする空間が形成される。
は、誘電体からなる基板上に高周波信号を伝搬する複数
の導波路を形成する工程と、基板上に固定電極とこの固
定電極より高い柱体とを形成する工程と、基板上に柱体
上部が露出した状態で固定電極を覆うように第１の層を
形成する工程と、一端が柱体上部に固定されかつ他端が
固定電極上にまで延在した可動電極を第１の層上に形成
する工程と、第１の層上に可動電極を覆うように第２の
層を形成する工程と、第１および第２の層の導波路の所
定領域上に開口領域を形成する工程と、開口領域内の導
波路上に金属層を形成して開口領域内の導波路を可動電
極の可動範囲上限より高く形成する工程と、第１および
第２の層を除去する工程と、基板上に誘電体材料からな
る第１の分離層を形成する工程と、高周波信号を結合す
る結合手段を備えた導電材料からなる結合層を、結合手
段が導波路の所定の領域上に配置されるように第１の分
離層上に形成する工程と、誘電体材料からなる第２の分
離層を結合層上に形成する工程と、導波路との間で結合
手段を介して高周波信号が結合される高周波部品をその
第２の分離層上に形成する工程と、スイッチの動作を制
御する制御手段を形成する工程とを備えるようにした。
このように製造するようにしたので、高く形成された導
波路により基板と第１の分離層との間に、スイッチが接
続／非接続の動作をする空間が形成される。
【００１８】以上のように製造する中で、導波路とスイ
ッチとで移相器を構成するようにしてもよく、また、高
周波部品を放射素子から構成してもよい。また、導波路
に所望の周波数の高周波を導入する分配器を備えるよう
にしてもよい。
ッチとで移相器を構成するようにしてもよく、また、高
周波部品を放射素子から構成してもよい。また、導波路
に所望の周波数の高周波を導入する分配器を備えるよう
にしてもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を
参照して説明する。 実施の形態１ はじめに、この発明の第１の実施の形態について説明す
る。ここでは、高周波装置として３０ＧＨｚ帯のフェー
ズドアレイアンテナを例にとり図１を用いて説明する。
この実施の形態１では、図１（ａ）の断面図に示すよう
に、フェーズドアレイアンテナを多層構造とした。
参照して説明する。 実施の形態１ はじめに、この発明の第１の実施の形態について説明す
る。ここでは、高周波装置として３０ＧＨｚ帯のフェー
ズドアレイアンテナを例にとり図１を用いて説明する。
この実施の形態１では、図１（ａ）の断面図に示すよう
に、フェーズドアレイアンテナを多層構造とした。
【００２０】すなわち、まず、例えばガラスなどの誘電
体からなる基板１０１上に、マイクロストリップ線路
（導波路）１０２ａとマイクロマシンスイッチ（スイッ
チ）１０２ｂとを用いて高周波信号の位相を制御する複
数の移相ユニットからなる位相制御層１０２が形成され
ている。このマイクロマシンスイッチ１０２ｂは、図１
（ｂ）に示すように、固定電極１２１と柱体１２２に支
えられた可動電極１２３とを備え、図示していない制御
手段により可動電極１２３の動作を制御し、固定電極１
２１と可動電極１２３との接続／非接続を行うことでオ
ンオフ動作を行うものである。
体からなる基板１０１上に、マイクロストリップ線路
（導波路）１０２ａとマイクロマシンスイッチ（スイッ
チ）１０２ｂとを用いて高周波信号の位相を制御する複
数の移相ユニットからなる位相制御層１０２が形成され
ている。このマイクロマシンスイッチ１０２ｂは、図１
（ｂ）に示すように、固定電極１２１と柱体１２２に支
えられた可動電極１２３とを備え、図示していない制御
手段により可動電極１２３の動作を制御し、固定電極１
２１と可動電極１２３との接続／非接続を行うことでオ
ンオフ動作を行うものである。
【００２１】また、その位相制御層１０２上には、本発
明の特徴となる分離層（第１の分離層）１１３と結合ス
ロット（結合手段）１０３ａを備えた結合層１０３と分
離層（第２の分離層）１０４とを介し、複数の放射素子
が形成された放射素子層１０５が配置されている。また
その上には、分離層（第３の分離層）１０６を介し、複
数の無給電素子が形成された無給電素子層１０７が配置
されている。この、無給電素子は、広帯域化のために付
加されるものであり、必要に応じて構成すればよい。
明の特徴となる分離層（第１の分離層）１１３と結合ス
ロット（結合手段）１０３ａを備えた結合層１０３と分
離層（第２の分離層）１０４とを介し、複数の放射素子
が形成された放射素子層１０５が配置されている。また
その上には、分離層（第３の分離層）１０６を介し、複
数の無給電素子が形成された無給電素子層１０７が配置
されている。この、無給電素子は、広帯域化のために付
加されるものであり、必要に応じて構成すればよい。
【００２２】一方、基板１０１裏面には、結合スロット
１０８ａを備えた結合層１０８および分離層（第４の分
離層）１０９を介し、マイクロストリップ線路などから
構成された分配合成層１１０が配置され、図示していな
い給電部からの高周波信号を、上層の各移相ユニットそ
れぞれに分配している。さらに、図１に示した例では、
合成分配層１１０の下に誘電体からなる分離層１１１
（第５の分離層）を介して導電体材料からなる接地層１
１２が備えられている。これら、分離層１１１，接地層
１１２は、合成分配層１１０から不要輻射を抑制するた
めに付加されるものであり、必要に応じて構成すればよ
い。
１０８ａを備えた結合層１０８および分離層（第４の分
離層）１０９を介し、マイクロストリップ線路などから
構成された分配合成層１１０が配置され、図示していな
い給電部からの高周波信号を、上層の各移相ユニットそ
れぞれに分配している。さらに、図１に示した例では、
合成分配層１１０の下に誘電体からなる分離層１１１
（第５の分離層）を介して導電体材料からなる接地層１
１２が備えられている。これら、分離層１１１，接地層
１１２は、合成分配層１１０から不要輻射を抑制するた
めに付加されるものであり、必要に応じて構成すればよ
い。
【００２３】また、位相制御層１０２は、図１（ｃ）の
平面図に示すように、異なる線路長のマイクロストリッ
プ線路１０２ａを、複数のマイクロマシンスイッチ１０
２ｂで切り換えるように構成されている。図１（ｃ）
は、高周波装置であるフェーズドアレイアンテナを構成
している１つのセル部分を示しており、セルの周部に
は、信号線選択部（図示せず）からの信号線Ｘｉ１，Ｘ
ｉ２、走査線選択部（図示せず）からの走査線Ｙｊ１，
Ｙｊ２、制御装置（図示せず）からのトリガ信号線Ｔｒ
ｇ、およびスイッチの駆動電源線Ｖｄｒｖが配置されて
いる。
平面図に示すように、異なる線路長のマイクロストリッ
プ線路１０２ａを、複数のマイクロマシンスイッチ１０
２ｂで切り換えるように構成されている。図１（ｃ）
は、高周波装置であるフェーズドアレイアンテナを構成
している１つのセル部分を示しており、セルの周部に
は、信号線選択部（図示せず）からの信号線Ｘｉ１，Ｘ
ｉ２、走査線選択部（図示せず）からの走査線Ｙｊ１，
Ｙｊ２、制御装置（図示せず）からのトリガ信号線Ｔｒ
ｇ、およびスイッチの駆動電源線Ｖｄｒｖが配置されて
いる。
【００２４】そして、それら信号線に接続している駆動
回路（制御手段）１０２ｃにより、マイクロマシンスイ
ッチ１０２ｂは駆動されている。また、これら信号線の
内側では、上述したマイクロストリップ線路１０２ａ
が、結合スロット１０８ａの上部位置から結合スロット
１０３ａの下部位置までを接続するように構成されてい
る。また、そのマイクロストリップ線路１０２ａの途中
には、例えば、２２．５゜，４５゜，９０゜，１８０゜
の各移相回路が構成され、それらがマイクロマシンスイ
ッチ１０２ｂで切り換えられ、導波する高周波の位相を
所望の値にずらすようにしている。
回路（制御手段）１０２ｃにより、マイクロマシンスイ
ッチ１０２ｂは駆動されている。また、これら信号線の
内側では、上述したマイクロストリップ線路１０２ａ
が、結合スロット１０８ａの上部位置から結合スロット
１０３ａの下部位置までを接続するように構成されてい
る。また、そのマイクロストリップ線路１０２ａの途中
には、例えば、２２．５゜，４５゜，９０゜，１８０゜
の各移相回路が構成され、それらがマイクロマシンスイ
ッチ１０２ｂで切り換えられ、導波する高周波の位相を
所望の値にずらすようにしている。
【００２５】そして、この実施の形態１では、位相制御
層１０２とその上の層との間に、誘電体材料からなる分
離層（第１の分離層）１１３を形成し、その分離層１１
３の位相制御層１０２のマイクロマシンスイッチ１０２
ｂが形成された領域上に開口領域１１３ａを設けるよう
にした。ここでは、その分離層１１３は位相制御層１０
２と結合層１０３との間に配置され、それらの間隔が約
０．２ｍｍとなるようにしている。すなわち、その分離
層１１３により、マイクロマシンスイッチ１０２ｂの可
動空間を確保するとともに、マイクロストリップ線路１
０２ａを、高周波が問題なく伝搬しうる距離を確保して
いる。
層１０２とその上の層との間に、誘電体材料からなる分
離層（第１の分離層）１１３を形成し、その分離層１１
３の位相制御層１０２のマイクロマシンスイッチ１０２
ｂが形成された領域上に開口領域１１３ａを設けるよう
にした。ここでは、その分離層１１３は位相制御層１０
２と結合層１０３との間に配置され、それらの間隔が約
０．２ｍｍとなるようにしている。すなわち、その分離
層１１３により、マイクロマシンスイッチ１０２ｂの可
動空間を確保するとともに、マイクロストリップ線路１
０２ａを、高周波が問題なく伝搬しうる距離を確保して
いる。
【００２６】ここで、フェーズドアレイアンテナの全体
的な構成に関して簡単に説明する。そのフェーズドアレ
イアンテナは、図２に示すように、まず、位相制御層１
０２上には、放射素子層１０５と無給電素子層１０７が
配置されている。また、位相制御層１０２下には、分配
合成層１１０が配置されている。そのような構成の中
で、例えば、放射素子層１０５は下部に分離層１０４を
備え、その下面に例えば薄いＣｕの層からなる結合層１
０３を備え、その結合層１０３にはアレイに対応して孔
部からなる結合スロット１０３ａが形成されている。同
様に、位相制御層１０２裏面には、例えば薄いＣｕの層
からなる結合層１０８を備え、その結合層１０８にはア
レイに対応して結合スロット１０８ａが形成されてい
る。
的な構成に関して簡単に説明する。そのフェーズドアレ
イアンテナは、図２に示すように、まず、位相制御層１
０２上には、放射素子層１０５と無給電素子層１０７が
配置されている。また、位相制御層１０２下には、分配
合成層１１０が配置されている。そのような構成の中
で、例えば、放射素子層１０５は下部に分離層１０４を
備え、その下面に例えば薄いＣｕの層からなる結合層１
０３を備え、その結合層１０３にはアレイに対応して孔
部からなる結合スロット１０３ａが形成されている。同
様に、位相制御層１０２裏面には、例えば薄いＣｕの層
からなる結合層１０８を備え、その結合層１０８にはア
レイに対応して結合スロット１０８ａが形成されてい
る。
【００２７】そのように配置された中で、位相制御層１
０２には、各移相ユニットおよびこれら移相ユニットを
個別に制御するための配線Ｘ１〜Ｘｍ，Ｙ１〜Ｙｎが設
けられている。そして、給電部からの高周波信号は、分
配合成層１１０のストリップ線路に伝搬し、これが位相
制御層１０２の各移相ユニットに供給され、そこで所定
に給電移相量が与えられ、結合層１０３の結合スロット
１０３ａを介して、放射素子層１０５の各放射素子に伝
搬し、それぞれの放射素子から所定のビーム方向に放射
される。
０２には、各移相ユニットおよびこれら移相ユニットを
個別に制御するための配線Ｘ１〜Ｘｍ，Ｙ１〜Ｙｎが設
けられている。そして、給電部からの高周波信号は、分
配合成層１１０のストリップ線路に伝搬し、これが位相
制御層１０２の各移相ユニットに供給され、そこで所定
に給電移相量が与えられ、結合層１０３の結合スロット
１０３ａを介して、放射素子層１０５の各放射素子に伝
搬し、それぞれの放射素子から所定のビーム方向に放射
される。
【００２８】次に、この実施の形態１におけるフェーズ
ドアレイアンテナ（高周波装置）の製造方法に関して説
明する。まず、基板１０１上に位相制御層１０２ととも
に分離層１１３を形成する。この分離層１１３の形成に
関して、特にマイクロマシンスイッチ１０２ｂの箇所を
例にとり説明する。はじめに、図３（ａ）に示すよう
に、基板１０１上にマイクロストリップ線路１０２ａと
ともに、図１に示したマイクロマシンスイッチ１０２ｂ
を構成する固定電極１２１を形成する。
ドアレイアンテナ（高周波装置）の製造方法に関して説
明する。まず、基板１０１上に位相制御層１０２ととも
に分離層１１３を形成する。この分離層１１３の形成に
関して、特にマイクロマシンスイッチ１０２ｂの箇所を
例にとり説明する。はじめに、図３（ａ）に示すよう
に、基板１０１上にマイクロストリップ線路１０２ａと
ともに、図１に示したマイクロマシンスイッチ１０２ｂ
を構成する固定電極１２１を形成する。
【００２９】次に、図３（ｂ）に示すように、固定電極
１２１と対になるマイクロストリップ線路１０２ａ端部
上に、柱体１２２を形成する。次に、図３（ｃ）に示す
ように、柱体１２２の上面が露出した状態で、他の領域
を覆うように例えばポリイミドからなる誘電体膜３０１
を形成する。次に、図３（ｄ）に示すように、一端が柱
体１２２上面全域に接触し、他端が固定電極１２１上部
に延在するように、誘電体膜３０１の所定箇所に可動電
極１２３を形成する。
１２１と対になるマイクロストリップ線路１０２ａ端部
上に、柱体１２２を形成する。次に、図３（ｃ）に示す
ように、柱体１２２の上面が露出した状態で、他の領域
を覆うように例えばポリイミドからなる誘電体膜３０１
を形成する。次に、図３（ｄ）に示すように、一端が柱
体１２２上面全域に接触し、他端が固定電極１２１上部
に延在するように、誘電体膜３０１の所定箇所に可動電
極１２３を形成する。
【００３０】次に、図３（ｅ）に示すように、可動電極
１２３を含めた誘電体膜３０１上に、例えばポリイミド
からなる誘電体膜３０２を形成する。次に、誘電体膜３
０２上に例えばシリコン酸化物からなる無機絶縁膜３０
３を形成する。次に、無機絶縁膜３０３上に、上述した
可動電極１２３が形成されている領域に開口部３０４ａ
を有するレジストパタン３０４を形成する。次に、その
レジストパタン３０４をマスクとし、選択的に無機絶縁
膜３０３をエッチングし、その後レジストパタン３０４
を除去することで、図３（ｈ）に示すように、無機絶縁
膜３０３に開口部３０３ａを形成する。
１２３を含めた誘電体膜３０１上に、例えばポリイミド
からなる誘電体膜３０２を形成する。次に、誘電体膜３
０２上に例えばシリコン酸化物からなる無機絶縁膜３０
３を形成する。次に、無機絶縁膜３０３上に、上述した
可動電極１２３が形成されている領域に開口部３０４ａ
を有するレジストパタン３０４を形成する。次に、その
レジストパタン３０４をマスクとし、選択的に無機絶縁
膜３０３をエッチングし、その後レジストパタン３０４
を除去することで、図３（ｈ）に示すように、無機絶縁
膜３０３に開口部３０３ａを形成する。
【００３１】次に、その開口部３０３ａが形成された無
機絶縁膜３０３をマスクとして下層の誘電体膜３０２お
よび誘電体膜３０１を選択的にエッチングすることで、
図３（ｉ）に示すように、誘電体膜３０２にマイクロマ
シンスイッチ１０２ｂ形成領域が露出する開口部３０２
ａ，３０１ａを形成する。また、開口部３０３ａ下の誘
電体膜３０１が同時の除去されるため、可動電極１２３
下部に空間が形成され、固定電極１２１，柱体１２２，
可動電極１２３からなるマイクロマシンスイッチ１０２
ｂが完成する。ついで、無機絶縁膜３０３のみを選択的
に除去すれば、図３（ｉ）に示した誘電体膜３０１，３
０２からなり開口部３０１ａ，３０２ａからなる開口領
域１１３ａを備えた分離層１１３が、図４（ａ）に示す
ように基板１０１上に形成された状態が得られる。
機絶縁膜３０３をマスクとして下層の誘電体膜３０２お
よび誘電体膜３０１を選択的にエッチングすることで、
図３（ｉ）に示すように、誘電体膜３０２にマイクロマ
シンスイッチ１０２ｂ形成領域が露出する開口部３０２
ａ，３０１ａを形成する。また、開口部３０３ａ下の誘
電体膜３０１が同時の除去されるため、可動電極１２３
下部に空間が形成され、固定電極１２１，柱体１２２，
可動電極１２３からなるマイクロマシンスイッチ１０２
ｂが完成する。ついで、無機絶縁膜３０３のみを選択的
に除去すれば、図３（ｉ）に示した誘電体膜３０１，３
０２からなり開口部３０１ａ，３０２ａからなる開口領
域１１３ａを備えた分離層１１３が、図４（ａ）に示す
ように基板１０１上に形成された状態が得られる。
【００３２】一方、図４（ｂ）に示すように、まず、誘
電体からなる分離層１０９上に銅膜を形成し、この銅膜
をパターン加工することで、分離層１０９上に結合スロ
ット１０８ａを備えた結合層１０８を形成する。また、
誘電体からなる分離層１１１上に金などの導電性材料膜
を形成し、この膜をパターン加工することで、分離層１
１１上に分配合成層１１０を形成する。また、分離層１
１１裏面には接地層１１２を形成する。また、分離層１
０９の裏面と分離層１１１の分配合成層１１０形成面と
を当接させてそれらを貼り合わせ、一体構造とする。そ
して、その一体構造体の結合層１０８表面と、基板１０
１裏面とを、接着フィルム４０１を介して当接させ、所
定の圧力を印加した状態で加熱し、図４（ｃ）に示すよ
うに、基板１０１裏面に結合層１０８表面が接着された
状態とする。
電体からなる分離層１０９上に銅膜を形成し、この銅膜
をパターン加工することで、分離層１０９上に結合スロ
ット１０８ａを備えた結合層１０８を形成する。また、
誘電体からなる分離層１１１上に金などの導電性材料膜
を形成し、この膜をパターン加工することで、分離層１
１１上に分配合成層１１０を形成する。また、分離層１
１１裏面には接地層１１２を形成する。また、分離層１
０９の裏面と分離層１１１の分配合成層１１０形成面と
を当接させてそれらを貼り合わせ、一体構造とする。そ
して、その一体構造体の結合層１０８表面と、基板１０
１裏面とを、接着フィルム４０１を介して当接させ、所
定の圧力を印加した状態で加熱し、図４（ｃ）に示すよ
うに、基板１０１裏面に結合層１０８表面が接着された
状態とする。
【００３３】次に、誘電体からなる分離層１０４裏面
に、例えばＣｕからなる導電膜を形成し、これをパター
ン加工することで、分離層１０４裏面に結合スロット１
０３ａを備えた結合層１０３を形成する。また、その分
離層１０４表面には、放射素子層１０５を形成する。ま
た、分離層１０６上に無給電素子層１０７を形成し、そ
れら分離層１０４と分離層１０６を貼り合わせて一体構
造とする。そして、図４（ｄ）に示すように、それら一
体構造体を分離層１１３上に固定配置することで、位相
制御層１０２上に放射素子層１０５および無給電素子層
１０７が配置された多層構造が形成される。
に、例えばＣｕからなる導電膜を形成し、これをパター
ン加工することで、分離層１０４裏面に結合スロット１
０３ａを備えた結合層１０３を形成する。また、その分
離層１０４表面には、放射素子層１０５を形成する。ま
た、分離層１０６上に無給電素子層１０７を形成し、そ
れら分離層１０４と分離層１０６を貼り合わせて一体構
造とする。そして、図４（ｄ）に示すように、それら一
体構造体を分離層１１３上に固定配置することで、位相
制御層１０２上に放射素子層１０５および無給電素子層
１０７が配置された多層構造が形成される。
【００３４】実施の形態２ 次に、この発明の第２の実施の形態に関して説明する。
この実施の形態２でも、図５の断面図に示すように、フ
ェーズドアレイアンテナを多層構造とした。すなわち、
まず、例えばガラスなどの誘電体からなる基板５０１の
裏面に、マイクロストリップ線路５０２ａとマイクロマ
シンスイッチ５０２ｂとを備えた複数の移相ユニットか
らなる位相制御層５０２が形成されているようにした。
そのマイクロマシンスイッチ５０２ｂは、前述した実施
の形態１と同様である。
この実施の形態２でも、図５の断面図に示すように、フ
ェーズドアレイアンテナを多層構造とした。すなわち、
まず、例えばガラスなどの誘電体からなる基板５０１の
裏面に、マイクロストリップ線路５０２ａとマイクロマ
シンスイッチ５０２ｂとを備えた複数の移相ユニットか
らなる位相制御層５０２が形成されているようにした。
そのマイクロマシンスイッチ５０２ｂは、前述した実施
の形態１と同様である。
【００３５】また、その位相制御層５０２上には、結合
スロット５０３ａを備えた結合層５０３および分離層５
０４を介し、複数の無給電素子が形成された無給電素子
層５０７が配置されている。この無給電素子は、前述の
実施の形態１と同様に、広帯域化のために付加されるも
のであり、必要に応じて構成すればよい。また、位相制
御層５０２と結合層５０３との間には、厚さが約０．１
ｍｍ程度とされた誘電体材料からなる分離層５１３を備
えるようにしている。
スロット５０３ａを備えた結合層５０３および分離層５
０４を介し、複数の無給電素子が形成された無給電素子
層５０７が配置されている。この無給電素子は、前述の
実施の形態１と同様に、広帯域化のために付加されるも
のであり、必要に応じて構成すればよい。また、位相制
御層５０２と結合層５０３との間には、厚さが約０．１
ｍｍ程度とされた誘電体材料からなる分離層５１３を備
えるようにしている。
【００３６】一方、基板５０１裏面には、結合スロット
５０８ａを備えた結合層５０８および分離層５０９を介
し、マイクロストリップ線路などから構成された分配合
成層５１０が配置され、図示していない給電部からの高
周波信号を、上層の各移相ユニットそれぞれに分配して
いる。さらに、図５に示した例では、合成分配層５１０
の下に誘電体からなる分離層５１１を介して導電体材料
からなる接地層５１２が備えられている。これら、分離
層５１１，接地層５１２は、合成分配層５１０から不要
輻射を抑制するために付加されるものであり、必要に応
じて構成すればよい。
５０８ａを備えた結合層５０８および分離層５０９を介
し、マイクロストリップ線路などから構成された分配合
成層５１０が配置され、図示していない給電部からの高
周波信号を、上層の各移相ユニットそれぞれに分配して
いる。さらに、図５に示した例では、合成分配層５１０
の下に誘電体からなる分離層５１１を介して導電体材料
からなる接地層５１２が備えられている。これら、分離
層５１１，接地層５１２は、合成分配層５１０から不要
輻射を抑制するために付加されるものであり、必要に応
じて構成すればよい。
【００３７】また、位相制御層５０２は、図５（ｂ）に
示すように、マイクロストリップ線路５０２ａの線路長
を、複数のマイクロマシンスイッチ５０２ｂからなる移
相回路５０２ｃで切り換えるように構成されている。図
５（ｂ）は、高周波装置であるフェーズドアレイアンテ
ナを構成している１つのセル部分を示しており、セルの
周部には、信号線選択部（図示せず）からの信号線Ｘｉ
１，Ｘｉ２、走査線選択部（図示せず）からの走査線Ｙ
ｊ１，Ｙｊ２、制御装置（図示せず）からのトリガ信号
線Ｔｒｇ、およびスイッチの駆動電源線Ｖｄｒｖが配置
されている。
示すように、マイクロストリップ線路５０２ａの線路長
を、複数のマイクロマシンスイッチ５０２ｂからなる移
相回路５０２ｃで切り換えるように構成されている。図
５（ｂ）は、高周波装置であるフェーズドアレイアンテ
ナを構成している１つのセル部分を示しており、セルの
周部には、信号線選択部（図示せず）からの信号線Ｘｉ
１，Ｘｉ２、走査線選択部（図示せず）からの走査線Ｙ
ｊ１，Ｙｊ２、制御装置（図示せず）からのトリガ信号
線Ｔｒｇ、およびスイッチの駆動電源線Ｖｄｒｖが配置
されている。
【００３８】そして、それら信号線に接続している駆動
回路（制御手段）５０２ｄにより、マイクロマシンスイ
ッチ５０２ｂは駆動されている。また、これら信号線の
内側では、上述したマイクロストリップ線路５０２ａ
が、結合スロット５０８ａの上部位置から結合スロット
５０３ａの下部位置までを接続するように構成されてい
る。また、そのマイクロストリップ線路５０２ａの途中
には、例えば、２２．５゜，４５゜，９０゜，１８０゜
の各移相回路５０２ｃが構成され、それらがマイクロマ
シンスイッチ５０２ｂで切り換えられ、導波する高周波
の位相を所望の値にずらすようにしている。
回路（制御手段）５０２ｄにより、マイクロマシンスイ
ッチ５０２ｂは駆動されている。また、これら信号線の
内側では、上述したマイクロストリップ線路５０２ａ
が、結合スロット５０８ａの上部位置から結合スロット
５０３ａの下部位置までを接続するように構成されてい
る。また、そのマイクロストリップ線路５０２ａの途中
には、例えば、２２．５゜，４５゜，９０゜，１８０゜
の各移相回路５０２ｃが構成され、それらがマイクロマ
シンスイッチ５０２ｂで切り換えられ、導波する高周波
の位相を所望の値にずらすようにしている。
【００３９】そして、この実施の形態２では、位相制御
層５０２において、高周波信号の伝送路となるマイクロ
ストリップ線路５０２ａ（図５（ｂ）の黒く塗りつぶし
た部分）を、厚く形成することで、マイクロマシンスイ
ッチ５０２ｂが形成された領域上の分離層５１３下に空
間を設けるようにした。ここでは、そのマイクロストリ
ップ線路５０２ａにより形成される空間の高さが、約
０．１ｍｍとなるようにしている。
層５０２において、高周波信号の伝送路となるマイクロ
ストリップ線路５０２ａ（図５（ｂ）の黒く塗りつぶし
た部分）を、厚く形成することで、マイクロマシンスイ
ッチ５０２ｂが形成された領域上の分離層５１３下に空
間を設けるようにした。ここでは、そのマイクロストリ
ップ線路５０２ａにより形成される空間の高さが、約
０．１ｍｍとなるようにしている。
【００４０】そのように配置された中で、位相制御層５
０２には、各移相ユニットおよびこれら移相ユニットを
個別に制御するための配線Ｘ１〜Ｘｍ，Ｙ１〜Ｙｎが設
けられている。そして、給電部からの高周波信号は、分
配合成層５１０のストリップ線路に伝搬し、これが位相
制御層５０２の各移相ユニットに供給され、そこで所定
に給電移相量が与えられ、結合層５０３の結合スロット
５０３ａを介して、放射素子層５０５の各放射素子に伝
搬し、それぞれの放射素子から所定のビーム方向に放射
される。
０２には、各移相ユニットおよびこれら移相ユニットを
個別に制御するための配線Ｘ１〜Ｘｍ，Ｙ１〜Ｙｎが設
けられている。そして、給電部からの高周波信号は、分
配合成層５１０のストリップ線路に伝搬し、これが位相
制御層５０２の各移相ユニットに供給され、そこで所定
に給電移相量が与えられ、結合層５０３の結合スロット
５０３ａを介して、放射素子層５０５の各放射素子に伝
搬し、それぞれの放射素子から所定のビーム方向に放射
される。
【００４１】次に、この実施の形態２におけるフェーズ
ドアレイアンテナ（高周波装置）の製造方法に関して説
明する。まず、基板５０１上に位相制御層５０２を形成
する。ここでは、特にマイクロマシンスイッチ５０２ｂ
の箇所を例にとり説明する。はじめに、図６（ａ）に示
すように、基板５０１上にマイクロストリップ線路５０
２ａとともに、図５に示したマイクロマシンスイッチ５
０２ｂを構成する固定電極５２１を形成する。
ドアレイアンテナ（高周波装置）の製造方法に関して説
明する。まず、基板５０１上に位相制御層５０２を形成
する。ここでは、特にマイクロマシンスイッチ５０２ｂ
の箇所を例にとり説明する。はじめに、図６（ａ）に示
すように、基板５０１上にマイクロストリップ線路５０
２ａとともに、図５に示したマイクロマシンスイッチ５
０２ｂを構成する固定電極５２１を形成する。
【００４２】次に、図６（ｂ）に示すように、固定電極
５２１と対になるマイクロストリップ線路５０２ａ端部
上に、柱体５２２を形成する。次に、図６（ｃ）に示す
ように、柱体５２２の上面が露出した状態で、他の領域
を覆うように例えばポリイミドからなる誘電体膜６０１
を形成する。次に、図６（ｄ）に示すように、一端が柱
体５２２上面全域に接触し、他端が固定電極５２１上部
に延在するように、誘電体膜６０１の所定箇所に可動電
極５２３を形成する。
５２１と対になるマイクロストリップ線路５０２ａ端部
上に、柱体５２２を形成する。次に、図６（ｃ）に示す
ように、柱体５２２の上面が露出した状態で、他の領域
を覆うように例えばポリイミドからなる誘電体膜６０１
を形成する。次に、図６（ｄ）に示すように、一端が柱
体５２２上面全域に接触し、他端が固定電極５２１上部
に延在するように、誘電体膜６０１の所定箇所に可動電
極５２３を形成する。
【００４３】次に、図６（ｅ）に示すように、可動電極
５２３を含めた誘電体膜６０１上に、例えばポリイミド
からなる誘電体膜６０２を形成する。次に、誘電体膜６
０２上に例えばシリコン酸化物からなる無機絶縁膜６０
３を形成する。次に、図５（ｂ）に示したマイクロスト
リップ線路５０２ａ（図５（ｂ）の黒く塗りつぶした部
分）上を除く無機絶縁膜６０３上に、レジストパタン６
０４を形成する。次に、そのレジストパタン６０４をマ
スクとし、選択的に無機絶縁膜６０３をエッチングし、
その後レジストパタン６０４を除去することで、図６
（ｈ）に示すように、マイクロストリップ線路５０２ａ
上の領域が開放しているハードマスク６０３ａを形成す
る。
５２３を含めた誘電体膜６０１上に、例えばポリイミド
からなる誘電体膜６０２を形成する。次に、誘電体膜６
０２上に例えばシリコン酸化物からなる無機絶縁膜６０
３を形成する。次に、図５（ｂ）に示したマイクロスト
リップ線路５０２ａ（図５（ｂ）の黒く塗りつぶした部
分）上を除く無機絶縁膜６０３上に、レジストパタン６
０４を形成する。次に、そのレジストパタン６０４をマ
スクとし、選択的に無機絶縁膜６０３をエッチングし、
その後レジストパタン６０４を除去することで、図６
（ｈ）に示すように、マイクロストリップ線路５０２ａ
上の領域が開放しているハードマスク６０３ａを形成す
る。
【００４４】次に、そのハードマスク６０３ａをマスク
として下層の誘電体膜６０２および誘電体膜６０１を選
択的にエッチングすることで、図６（ｉ）に示すよう
に、マイクロストリップ線路５０２ａ上の領域が開放し
ている状態に誘電体膜６０１，６０２を形成する。つい
で、図７（ｊ）に示すように、たとえばめっき法によ
り、露出しているマイクロストリップ線路５０２ａ上の
みに、銅などの金属からなる金属層を形成し、マイクロ
ストリップ線路５０２ａを厚くする。ついで、誘電体膜
６０２および誘電体膜６０１をハードマスク６０３ａと
ともに除去することで、図８（ａ）に示すように、固定
電極５２１，柱体５２２，可動電極５２３からなるマイ
クロマシンスイッチ５０２ｂが完成する。そして、その
マイク須磨心スイッチ５０２ａの完成とともに、それら
上部に可動電極５２３の可動空間を備えるように、マイ
クロストリップ線路５０２ａが厚く形成された状態が得
られる。
として下層の誘電体膜６０２および誘電体膜６０１を選
択的にエッチングすることで、図６（ｉ）に示すよう
に、マイクロストリップ線路５０２ａ上の領域が開放し
ている状態に誘電体膜６０１，６０２を形成する。つい
で、図７（ｊ）に示すように、たとえばめっき法によ
り、露出しているマイクロストリップ線路５０２ａ上の
みに、銅などの金属からなる金属層を形成し、マイクロ
ストリップ線路５０２ａを厚くする。ついで、誘電体膜
６０２および誘電体膜６０１をハードマスク６０３ａと
ともに除去することで、図８（ａ）に示すように、固定
電極５２１，柱体５２２，可動電極５２３からなるマイ
クロマシンスイッチ５０２ｂが完成する。そして、その
マイク須磨心スイッチ５０２ａの完成とともに、それら
上部に可動電極５２３の可動空間を備えるように、マイ
クロストリップ線路５０２ａが厚く形成された状態が得
られる。
【００４５】一方、図８（ｂ）に示すように、まず、誘
電体からなる分離層５０９上に銅膜を形成し、この銅膜
をパターン加工することで、分離層５０９上に結合スロ
ット５０８ａを備えた結合層５０８を形成する。また、
誘電体からなる分離層５１１上に金などの導電性材料膜
を形成し、この膜をパターン加工することで、分離層５
１１上に分配合成層５１０を形成する。また、分離層５
１１裏面には接地層５１２を形成する。また、分離層５
０９の裏面と分離層５１１の分配合成層５１０形成面と
を当接させてそれらを貼り合わせ、一体構造とする。そ
して、その一体構造体の結合層５０８表面と、基板５０
１裏面とを、接着フィルム８０１を介して当接させ、所
定の圧力を印加した状態で加熱し、図８（ｃ）に示すよ
うに、基板５０１裏面に結合層５０８表面が接着された
状態とする。
電体からなる分離層５０９上に銅膜を形成し、この銅膜
をパターン加工することで、分離層５０９上に結合スロ
ット５０８ａを備えた結合層５０８を形成する。また、
誘電体からなる分離層５１１上に金などの導電性材料膜
を形成し、この膜をパターン加工することで、分離層５
１１上に分配合成層５１０を形成する。また、分離層５
１１裏面には接地層５１２を形成する。また、分離層５
０９の裏面と分離層５１１の分配合成層５１０形成面と
を当接させてそれらを貼り合わせ、一体構造とする。そ
して、その一体構造体の結合層５０８表面と、基板５０
１裏面とを、接着フィルム８０１を介して当接させ、所
定の圧力を印加した状態で加熱し、図８（ｃ）に示すよ
うに、基板５０１裏面に結合層５０８表面が接着された
状態とする。
【００４６】次に、誘電体からなる分離層５０４裏面
に、例えばＣｕからなる導電膜を形成し、これをパター
ン加工することで、分離層５０４裏面に結合スロット５
０３ａを備えた結合層５０３を形成する。また、その分
離層５０４表面には、放射素子層５０５を形成する。ま
た、分離層５０６上に無給電素子層５０７を形成し、そ
れら分離層５０４と分離層５０６を貼り合わせて一体構
造とする。そして、それら一体構造体を層間膜５１３上
に固定配置することで、図５（ａ）に示したように、位
相制御層５０２上に放射素子層５０５および無給電素子
層５０７が配置された多層構造が形成される。
に、例えばＣｕからなる導電膜を形成し、これをパター
ン加工することで、分離層５０４裏面に結合スロット５
０３ａを備えた結合層５０３を形成する。また、その分
離層５０４表面には、放射素子層５０５を形成する。ま
た、分離層５０６上に無給電素子層５０７を形成し、そ
れら分離層５０４と分離層５０６を貼り合わせて一体構
造とする。そして、それら一体構造体を層間膜５１３上
に固定配置することで、図５（ａ）に示したように、位
相制御層５０２上に放射素子層５０５および無給電素子
層５０７が配置された多層構造が形成される。
【００４７】以上説明した実施の形態１，２では、高周
波装置として多層構造を有するフェーズドアレイアンテ
ナを例示して、内層に可動部を有するスイッチを実装す
る場合についてその構造や製造方法を説明した。しか
し、本発明の高周波装置は、フェーズドアレイアンテナ
に限られるものではない。例えば、多層基板内層に多数
の高周波可動部品として高周波小型リレーを実装し、ダ
イバーシティ受信のように多数の高周波受信信号を選択
的に切り替えて受信する高周波受信回路にも適用でき
る。また、多層基板内層に高周波可動部品として実装さ
れた高周波小型リレーを切り替えて高周波増幅器の出力
オンまたはオフする高周波送信回路にも適用できる。
波装置として多層構造を有するフェーズドアレイアンテ
ナを例示して、内層に可動部を有するスイッチを実装す
る場合についてその構造や製造方法を説明した。しか
し、本発明の高周波装置は、フェーズドアレイアンテナ
に限られるものではない。例えば、多層基板内層に多数
の高周波可動部品として高周波小型リレーを実装し、ダ
イバーシティ受信のように多数の高周波受信信号を選択
的に切り替えて受信する高周波受信回路にも適用でき
る。また、多層基板内層に高周波可動部品として実装さ
れた高周波小型リレーを切り替えて高周波増幅器の出力
オンまたはオフする高周波送信回路にも適用できる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明では、高
周波回路が多層基板に実装された高周波装置において、
多層基板の内層基板上に形成された高周波信号を伝搬す
る導波路と、内層基板上に形成されて導波路と接続して
可動構造により高周波信号を処理する高周波可動部品
と、内層基板とその上の層との間に設けられて各層を分
離するとともに高周波可動部品よりも高い厚さを有し、
高周波可動部品が形成された領域全体が開口した分離層
とを備えるようにした。このように構成したので、分離
層に形成された開口領域内で例えばスイッチなどの高周
波可動部品が、接続／非接続などの動作をする。この結
果、この発明によれば、フェーズドアレイアンテナな
ど、高利得で高周波数帯に適用する高周波装置でスイッ
チなどの高周波可動部品を用いることができるという優
れた効果が得られる。
周波回路が多層基板に実装された高周波装置において、
多層基板の内層基板上に形成された高周波信号を伝搬す
る導波路と、内層基板上に形成されて導波路と接続して
可動構造により高周波信号を処理する高周波可動部品
と、内層基板とその上の層との間に設けられて各層を分
離するとともに高周波可動部品よりも高い厚さを有し、
高周波可動部品が形成された領域全体が開口した分離層
とを備えるようにした。このように構成したので、分離
層に形成された開口領域内で例えばスイッチなどの高周
波可動部品が、接続／非接続などの動作をする。この結
果、この発明によれば、フェーズドアレイアンテナな
ど、高利得で高周波数帯に適用する高周波装置でスイッ
チなどの高周波可動部品を用いることができるという優
れた効果が得られる。
【００４９】また、この発明では、高周波回路が多層基
板に実装された高周波装置において、多層基板の内層基
板上に形成された高周波信号を伝搬する導波路と、内層
基板上に形成されて導波路と接続して可動構造により高
周波信号を処理する高周波可動部品とを備え、導波路の
高さは高周波可動部品の高さより高くされ、内層基板と
その上の層との間に高周波可動部品が実装されるように
した。このように構成したので、高く形成された導波路
により分離層の上に空間が形成され、この空間内で、ス
イッチなどの高周波可動部品が動作する。この結果、こ
の発明によれば、フェーズドアレイアンテナなど、高利
得で高周波数帯に適用する高周波装置でスイッチなどの
高周波可動部品を用いることができるという優れた効果
が得られる。
板に実装された高周波装置において、多層基板の内層基
板上に形成された高周波信号を伝搬する導波路と、内層
基板上に形成されて導波路と接続して可動構造により高
周波信号を処理する高周波可動部品とを備え、導波路の
高さは高周波可動部品の高さより高くされ、内層基板と
その上の層との間に高周波可動部品が実装されるように
した。このように構成したので、高く形成された導波路
により分離層の上に空間が形成され、この空間内で、ス
イッチなどの高周波可動部品が動作する。この結果、こ
の発明によれば、フェーズドアレイアンテナなど、高利
得で高周波数帯に適用する高周波装置でスイッチなどの
高周波可動部品を用いることができるという優れた効果
が得られる。
【００５０】また、この発明では、多層基板を構成する
内層基板の主面に形成された高周波信号を伝搬する複数
の導波路と、内層基板の主面に形成された導波路の接続
状態を切り換える可動部を備えたスイッチと、内層基板
の主面とこの上に配置された基板との間に配置され、ス
イッチ形成領域上部に空間を備えた構造体とを備えるよ
うにした。このように構成したので、スイッチは構造体
の空間内で接続／非接続の動作をする。この結果、この
発明によれば、フェーズドアレイアンテナなど、高利得
で高周波数帯に適用する高周波装置でスイッチを用いる
ことができるという優れた効果が得られる。
内層基板の主面に形成された高周波信号を伝搬する複数
の導波路と、内層基板の主面に形成された導波路の接続
状態を切り換える可動部を備えたスイッチと、内層基板
の主面とこの上に配置された基板との間に配置され、ス
イッチ形成領域上部に空間を備えた構造体とを備えるよ
うにした。このように構成したので、スイッチは構造体
の空間内で接続／非接続の動作をする。この結果、この
発明によれば、フェーズドアレイアンテナなど、高利得
で高周波数帯に適用する高周波装置でスイッチを用いる
ことができるという優れた効果が得られる。
【図１】 この発明の第１の実施の形態における高周波
装置としてのフェーズドアレイアンテナの一部構成を示
す断面図である。
装置としてのフェーズドアレイアンテナの一部構成を示
す断面図である。
【図２】 実施の形態１の高周波装置の構成を示す斜視
図および断面図である。
図および断面図である。
【図３】 実施の形態１の高周波装置の製造過程を示す
工程図である。
工程図である。
【図４】 図３に続く製造過程を示す工程図である。
【図５】 この発明の第２の実施の形態における高周波
装置としてのフェーズドアレイアンテナの一部構成を示
す断面図である。
装置としてのフェーズドアレイアンテナの一部構成を示
す断面図である。
【図６】 実施の形態２の高周波装置の製造過程を示す
工程図である。
工程図である。
【図７】 図６に続く製造過程を示す工程図である。
【図８】 図７に続く製造過程を示す工程図である。
【図９】 従来よりあるフェーズドアレイアンテナの簡
単な構成を示す斜視図である。
単な構成を示す斜視図である。
１０１…基板、１０２…位相制御層、１０２ａ…マイク
ロストリップ線路、１０２ｂ…マイクロマシンスイッ
チ、１０３…結合層、１０３ａ…結合スロット、１０
４，１０６，１０９，１１１…分離層、１０５…放射素
子層、１０７…無給電素子層、１０８…結合スロット、
１１０…分配合成層、１１２…接地層、１１３…分離層
（第１の分離層）、１１３ａ…開口領域、１２１…固定
電極、１２２…柱体、１２３…可動電極。
ロストリップ線路、１０２ｂ…マイクロマシンスイッ
チ、１０３…結合層、１０３ａ…結合スロット、１０
４，１０６，１０９，１１１…分離層、１０５…放射素
子層、１０７…無給電素子層、１０８…結合スロット、
１１０…分配合成層、１１２…接地層、１１３…分離層
（第１の分離層）、１１３ａ…開口領域、１２１…固定
電極、１２２…柱体、１２３…可動電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｑ 23/00 Ｈ０１Ｑ 23/00 (72)発明者 荒 洋一 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 草光 秀樹 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 鈴木 健一郎 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 5J012 AA00 HA03 5J014 CA56 5J021 AA05 AA09 AA11 AB06 CA03 DB03 FA06 FA31 GA02 HA07 HA10
Claims (12)
- 【請求項１】 高周波回路が多層基板に実装された高周
波装置において、 前記多層基板の内層基板上に形成された高周波信号を伝
搬する導波路と、 前記内層基板上に形成されて前記導波路と接続して可動
構造により前記高周波信号を処理する高周波可動部品
と、 前記内層基板とその上の層との間に設けられて各層を分
離するとともに前記高周波可動部品よりも高い厚さを有
し、前記高周波可動部品が形成された領域全体が開口し
た分離層とを備えたことを特徴とする高周波装置。 - 【請求項２】 高周波回路が多層基板に実装された高周
波装置において、 前記多層基板の内層基板上に形成された高周波信号を伝
搬する導波路と、 前記内層基板上に形成されて前記導波路と接続して可動
構造により前記高周波信号を処理する高周波可動部品と
を備え、 前記導波路の高さは前記高周波可動部品の高さより高く
され、 前記内層基板とその上の層との間に前記高周波可動部品
が実装されたことを特徴とする高周波装置。 - 【請求項３】 誘電体からなる基板上に形成された高周
波信号を伝搬する複数の導波路と、 前記基板上に形成され、かつ、前記導波路の接続状態を
切り換えるスイッチと、 前記基板上に配置されて前記スイッチの形成領域上部に
開口領域が形成された誘電体材料からなる第１の分離層
と、 この第１の分離層上に形成されて前記導波路の所定の領
域上に高周波信号を結合する結合手段を備えた導電材料
からなる結合層と、 この結合層上に形成された誘電体材料からなる第２の分
離層と、 この第２の分離層上に形成されて前記導波路との間で前
記結合手段を介して高周波信号が結合される高周波部品
と、 前記スイッチの動作を制御する制御手段とを備え、 前記スイッチは、前記基板上に固定された固定電極と、
この固定電極より高い柱体と、この柱体に一端が固定さ
れて他端が前記固定電極上部にまで延在した可動可能な
可動電極とから構成されたことを特徴とする高周波装
置。 - 【請求項４】 誘電体からなる基板上に形成された高周
波信号を伝搬する複数の導波路と、 前記基板上に形成され、かつ、前記導波路の接続状態を
切り換えるスイッチと、 前記基板上に配置された誘電体材料からなる第１の分離
層と、 この第１の分離層上に形成されて前記導波路の所定の領
域上に高周波信号を結合する結合手段を備えた導電材料
からなる結合層と、 この結合層上に形成された誘電体材料からなる第２の分
離層と、 この第２の分離層上に形成されて前記導波路との間で前
記結合手段を介して高周波信号が結合される高周波部品
と、 前記スイッチの動作を制御する制御手段とを備え、 前記スイッチは、前記基板上に固定された固定電極と、
この固定電極より高い柱体と、この柱体に一端が固定さ
れて他端が前記固定電極上部にまで延在した可動可能な
可動電極とから構成され、 前記導波路の一部は前記可動電極の可動範囲上限より高
く形成されたことを特徴とする高周波装置。 - 【請求項５】 請求項１または２記載の高周波装置にお
いて、 前記導波路と前記スイッチとで移相器が構成されたこと
を特徴とする高周波装置。 - 【請求項６】 請求項３記載の高周波装置において、 前記高周波部品は放射素子から構成されたことを特徴と
する高周波装置。 - 【請求項７】 請求項４記載の高周波装置において、 前記導波路に所望の周波数の高周波を導入する分配器が
備えられたことを特徴とする高周波装置。 - 【請求項８】 誘電体からなる基板上に高周波信号を伝
搬する複数の導波路を形成する工程と、 前記基板上に固定電極とこの固定電極より高い柱体とを
形成する工程と、 前記基板上に前記柱体上部が露出した状態で前記固定電
極を覆うように誘電体材料からなる第１の誘電体層を形
成する工程と、 一端が前記柱体上部に固定されかつ他端が前記固定電極
上にまで延在した可動電極を前記第１の誘電体層上に形
成する工程と、 前記第１の誘電体層上に前記可動電極を覆うように誘電
体材料からなる第２の誘電体層を形成する工程と、 前記第２の誘電体層および前記第１の誘電体層の前記可
動電極形成領域に開口領域を形成し、前記第１の誘電体
層と前記第２の誘電体層からなる第１の分離層を形成す
るとともに、前記固定電極と前記柱体と前記可動電極と
からなり前記導波路の接続状態を切り換えるスイッチを
前記第１の分離層の開口領域底部の前記基板上に形成す
る工程と、 高周波信号を結合する結合手段を備えた導電材料からな
る結合層を、前記結合手段が前記導波路の所定の領域上
に配置されるように前記第１の分離層上に形成する工程
と、 誘電体材料からなる第２の分離層を前記結合層上に形成
する工程と、 前記導波路との間で前記結合手段を介して高周波信号が
結合される高周波部品をその第２の分離層上に形成する
工程と、 前記スイッチの動作を制御する制御手段を形成する工程
とを備えたことを特徴する高周波装置の製造方法。 - 【請求項９】 誘電体からなる基板上に高周波信号を伝
搬する複数の導波路を形成する工程と、 前記基板上に固定電極とこの固定電極より高い柱体とを
形成する工程と、 前記基板上に前記柱体上部が露出した状態で前記固定電
極を覆うように第１の層を形成する工程と、 一端が前記柱体上部に固定されかつ他端が前記固定電極
上にまで延在した可動電極を前記第１の層上に形成する
工程と、 前記第１の層上に前記可動電極を覆うように第２の層を
形成する工程と、 前記第１および第２の層の前記導波路の所定領域上に開
口領域を形成する工程と、 前記開口領域内の前記導波路上に金属層を形成して前記
開口領域内の前記導波路を前記可動電極の可動範囲上限
より高く形成する工程と、 前記第１および第２の層を除去する工程と、 前記基板上に誘電体材料からなる第１の分離層を形成す
る工程と、 高周波信号を結合する結合手段を備えた導電材料からな
る結合層を、前記結合手段が前記導波路の所定の領域上
に配置されるように前記第１の分離層上に形成する工程
と、 誘電体材料からなる第２の分離層を前記結合層上に形成
する工程と、 前記導波路との間で前記結合手段を介して高周波信号が
結合される高周波部品をその第２の分離層上に形成する
工程と、 前記スイッチの動作を制御する制御手段を形成する工程
とを備えたことを特徴する高周波装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項６または７記載の高周波装置の
製造方法において、 前記導波路と前記スイッチとで移相器を構成するを特徴
とする高周波装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項８記載の高周波装置の製造方法
において、 前記高周波部品を放射素子から構成することを特徴とす
る高周波装置の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項９記載の高周波装置製造方法に
おいて、 前記導波路に所望の周波数の高周波を導入する分配器を
備えることを特徴とする高周波装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19589999A JP3379484B2 (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | 高周波装置およびその製造方法 |
| PCT/JP2000/004241 WO2001004985A1 (fr) | 1999-07-09 | 2000-06-28 | Dispositif haute frequence et procede de fabrication associe |
| TW89113203A TW497293B (en) | 1999-07-09 | 2000-07-04 | High frequency device and its production method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19589999A JP3379484B2 (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | 高周波装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001024401A true JP2001024401A (ja) | 2001-01-26 |
| JP3379484B2 JP3379484B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=16348851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19589999A Expired - Fee Related JP3379484B2 (ja) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | 高周波装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3379484B2 (ja) |
| TW (1) | TW497293B (ja) |
| WO (1) | WO2001004985A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007209017A (ja) * | 2007-03-13 | 2007-08-16 | Hitachi Maxell Ltd | アンテナ及びその製造方法 |
| JP2009094866A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Univ Of Electro-Communications | アンテナ制御回路基板の構造およびアンテナ装置 |
| JP2011044774A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Japan Aerospace Exploration Agency | アナログ・デジタル積層型可変移相器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110895379A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-03-20 | 江苏盐西世纪教育产业项目开发有限公司 | 一种多相机多投影仪结构光实验装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03125510U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-18 | ||
| EP0602538B1 (fr) * | 1992-12-15 | 1997-06-04 | Asulab S.A. | Contacteur "reed" et procédé de fabrication de microstructures métalliques tridimensionnelles suspendues |
| EP0887879A1 (en) * | 1997-06-23 | 1998-12-30 | Nec Corporation | Phased-array antenna apparatus |
| JPH11168319A (ja) * | 1997-12-02 | 1999-06-22 | Nec Corp | 導波管フェーズドアレーアンテナ装置 |
-
1999
- 1999-07-09 JP JP19589999A patent/JP3379484B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-06-28 WO PCT/JP2000/004241 patent/WO2001004985A1/ja active Application Filing
- 2000-07-04 TW TW89113203A patent/TW497293B/zh active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007209017A (ja) * | 2007-03-13 | 2007-08-16 | Hitachi Maxell Ltd | アンテナ及びその製造方法 |
| JP4574635B2 (ja) * | 2007-03-13 | 2010-11-04 | 日立マクセル株式会社 | アンテナ及びその製造方法 |
| JP2009094866A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Univ Of Electro-Communications | アンテナ制御回路基板の構造およびアンテナ装置 |
| JP2011044774A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Japan Aerospace Exploration Agency | アナログ・デジタル積層型可変移相器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3379484B2 (ja) | 2003-02-24 |
| TW497293B (en) | 2002-08-01 |
| WO2001004985A1 (fr) | 2001-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3481481B2 (ja) | フェーズドアレイアンテナおよびその製造方法 | |
| JP2000196329A (ja) | フェーズドアレイアンテナおよびその製造方法 | |
| EP3959777B1 (en) | Low profile antenna apparatus | |
| JP3481482B2 (ja) | フェーズドアレイアンテナおよびその製造方法 | |
| US20230327320A1 (en) | Integrated antenna array with beamformer ic chips having multiple surface interfaces | |
| WO2000060699A1 (fr) | Dispositif haute frequence utilisant un commutateur a parties mobiles et son procede de fabrication | |
| WO2000039893A1 (fr) | Antenne en reseau a elements en phase et procede de fabrication | |
| WO2001001517A1 (fr) | Antenne reseau a commande de phase | |
| JP3379484B2 (ja) | 高周波装置およびその製造方法 | |
| CN117337518A (zh) | 在rf部件之间采用共面波导互连件的天线装置 | |
| KR20230066381A (ko) | 기판 사이에 전기 전도성 컬럼을 갖는 안테나 어레이 아키텍처 | |
| JP2008011169A (ja) | アンテナ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071213 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081213 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091213 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |