JP2001024232A - 発光素子アレイ装置 - Google Patents
発光素子アレイ装置Info
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- JP2001024232A JP2001024232A JP19741899A JP19741899A JP2001024232A JP 2001024232 A JP2001024232 A JP 2001024232A JP 19741899 A JP19741899 A JP 19741899A JP 19741899 A JP19741899 A JP 19741899A JP 2001024232 A JP2001024232 A JP 2001024232A
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- light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子アレイが形成されたチップの表面の
光反射率の分布が均一になるようにして、ロッドレンズ
アレイから出力される光量にムラがないようにした発光
素子アレイ装置を提供する。 【解決手段】 ボンディングパッド29の面積を大きく
する。これにより、領域Bの面積比率が増大し、金属配
線の面積比率の最大値Smax と最小値Smin の比Rは、
0.8≦R≦1となる。これにより、チップの表面の光
反射率の分布が均一になり、ロッドレンズアレイから出
力される光量にムラがなくなる。
光反射率の分布が均一になるようにして、ロッドレンズ
アレイから出力される光量にムラがないようにした発光
素子アレイ装置を提供する。 【解決手段】 ボンディングパッド29の面積を大きく
する。これにより、領域Bの面積比率が増大し、金属配
線の面積比率の最大値Smax と最小値Smin の比Rは、
0.8≦R≦1となる。これにより、チップの表面の光
反射率の分布が均一になり、ロッドレンズアレイから出
力される光量にムラがなくなる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子アレイ装
置、特に、光プリンタヘッドに用いられる発光素子アレ
イ装置に関する。
置、特に、光プリンタヘッドに用いられる発光素子アレ
イ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】光プリンタヘッドを備える光プリンタの
原理図を図1に示す。円筒形の感光ドラム2の表面に、
アモルファスSi等の光導電性を持つ材料(感光体)が
作られている。このドラムはプリントの速度で回転して
いる。回転しているドラムの感光体表面を、帯電器4で
一様に帯電させる。そして、光プリンタヘッド6で、印
字するドットイメージの光を感光体上に照射し、光の当
たったところの帯電を中和する。続いて、現像器8で感
光体上の帯電状態にしたがって、トナーを感光体上につ
ける。そして、転写器10でカセット12中から送られ
てきた用紙14上に、トナーを転写する。用紙は、定着
器16にて熱等を加えられ定着され、スタッカ18に送
られる。一方、転写の終了したドラムは、消去ランプ2
0で帯電が全面にわたって中和され、清掃器22で残っ
たトナーが除去される。
原理図を図1に示す。円筒形の感光ドラム2の表面に、
アモルファスSi等の光導電性を持つ材料(感光体)が
作られている。このドラムはプリントの速度で回転して
いる。回転しているドラムの感光体表面を、帯電器4で
一様に帯電させる。そして、光プリンタヘッド6で、印
字するドットイメージの光を感光体上に照射し、光の当
たったところの帯電を中和する。続いて、現像器8で感
光体上の帯電状態にしたがって、トナーを感光体上につ
ける。そして、転写器10でカセット12中から送られ
てきた用紙14上に、トナーを転写する。用紙は、定着
器16にて熱等を加えられ定着され、スタッカ18に送
られる。一方、転写の終了したドラムは、消去ランプ2
0で帯電が全面にわたって中和され、清掃器22で残っ
たトナーが除去される。
【0003】光プリンタヘッド6の構造を図2に示す。
光プリンタヘッドは発光素子アレイ24とロッドレンズ
アレイ26で構成され、レンズの焦点が感光ドラム2上
に結ぶようになっている。
光プリンタヘッドは発光素子アレイ24とロッドレンズ
アレイ26で構成され、レンズの焦点が感光ドラム2上
に結ぶようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】発光素子アレイが、線
状に配列された発光素子よりなる場合、各発光素子の発
光光量が同じならば、光プリンタにより得られる、発光
素子の配列方向の画像濃度分布にムラは生じないはずで
ある。しかし、発光素子アレイの構造によっては、ムラ
を生じることがある。
状に配列された発光素子よりなる場合、各発光素子の発
光光量が同じならば、光プリンタにより得られる、発光
素子の配列方向の画像濃度分布にムラは生じないはずで
ある。しかし、発光素子アレイの構造によっては、ムラ
を生じることがある。
【0005】本出願の発明者は、その原因を究明したと
ころ、次のことが判明した。すなわち、発光素子アレイ
24からの光をロッドレンズアレイ26を介して取り出
そうとするとき、発光素子からの光の一部は、ロッドレ
ンズの透過率が高くないのでロッドレンズのレンズ面で
反射し、発光素子アレイが形成されたチップの表面を照
射する。チップ表面の金属配線は、光の反射率が高いの
で、光は金属配線により反射される。この反射された光
が、ロッドレンズに再び入射し、これが感光ドラム2上
の光量ムラ、すなわち画像濃度のムラを生じることがわ
かった。
ころ、次のことが判明した。すなわち、発光素子アレイ
24からの光をロッドレンズアレイ26を介して取り出
そうとするとき、発光素子からの光の一部は、ロッドレ
ンズの透過率が高くないのでロッドレンズのレンズ面で
反射し、発光素子アレイが形成されたチップの表面を照
射する。チップ表面の金属配線は、光の反射率が高いの
で、光は金属配線により反射される。この反射された光
が、ロッドレンズに再び入射し、これが感光ドラム2上
の光量ムラ、すなわち画像濃度のムラを生じることがわ
かった。
【0006】このように、ロッドレンズから取り出され
る光は、発光素子の発光点からの光出力のほかに、ロッ
ドレンズのレンズ面で反射された光がチップ表面の金属
配線でさらに反射された光とが重畳されたものである。
る光は、発光素子の発光点からの光出力のほかに、ロッ
ドレンズのレンズ面で反射された光がチップ表面の金属
配線でさらに反射された光とが重畳されたものである。
【0007】このような画像濃度ムラは、金属配線の繰
り返し周期が発光点の繰り返し周期と一致する場合は、
目立ちにくいが、発光点の繰り返し周期と異なる場合
は、ムラが目立つということもわかった。
り返し周期が発光点の繰り返し周期と一致する場合は、
目立ちにくいが、発光点の繰り返し周期と異なる場合
は、ムラが目立つということもわかった。
【0008】金属配線の繰り返し周期が発光点の繰り返
し周期と一致する場合の例としては、例えば1個の発光
点に対しこれを駆動する外部駆動回路への接続のための
ボンディングパッドが1個対応して設けられているよう
な発光素子アレイがある。
し周期と一致する場合の例としては、例えば1個の発光
点に対しこれを駆動する外部駆動回路への接続のための
ボンディングパッドが1個対応して設けられているよう
な発光素子アレイがある。
【0009】また、金属配線の繰り返し周期が発光点の
繰り返し周期と異なる場合の例としては、本出願人が既
に提案している自己走査型発光素子アレイ装置がある
(特開平2−263668号公報参照)。この自己走査
型発光素子アレイ装置は、スイッチ素子アレイをシフト
レジスタとして、発光素子アレイと分離した構造の自己
走査型発光素子アレイ装置である。
繰り返し周期と異なる場合の例としては、本出願人が既
に提案している自己走査型発光素子アレイ装置がある
(特開平2−263668号公報参照)。この自己走査
型発光素子アレイ装置は、スイッチ素子アレイをシフト
レジスタとして、発光素子アレイと分離した構造の自己
走査型発光素子アレイ装置である。
【0010】図3に、この自己走査型発光素子アレイ装
置の等価回路図を示す。この自己走査型発光素子アレイ
装置は、シフトレジスタを構成するスイッチ素子アレイ
T(−1)〜T(2)、書き込み用発光素子アレイL
(−1)〜L(2)からなる。隣接するスイッチ素子の
ゲート電極間は、ダイオードを用いて接続している。ス
イッチ素子の各アノード電極は交互に転送クロックライ
ンφ1 ,φ2 に接続されている。スイッチ素子のゲート
電極G-1〜G1 は、書き込み用発光素子のゲートにも接
続される。書き込み用発光素子のアノード電極には、書
き込み信号Sinが加えられている。初段のスイッチ素子
のゲート電極には、スタートパルスφS が印加され、ス
イッチ素子がオン状態にされる。
置の等価回路図を示す。この自己走査型発光素子アレイ
装置は、シフトレジスタを構成するスイッチ素子アレイ
T(−1)〜T(2)、書き込み用発光素子アレイL
(−1)〜L(2)からなる。隣接するスイッチ素子の
ゲート電極間は、ダイオードを用いて接続している。ス
イッチ素子の各アノード電極は交互に転送クロックライ
ンφ1 ,φ2 に接続されている。スイッチ素子のゲート
電極G-1〜G1 は、書き込み用発光素子のゲートにも接
続される。書き込み用発光素子のアノード電極には、書
き込み信号Sinが加えられている。初段のスイッチ素子
のゲート電極には、スタートパルスφS が印加され、ス
イッチ素子がオン状態にされる。
【0011】いま、スイッチ素子T(0)がオン状態に
あるとすると、ゲート電極G0 の電圧は、電源電圧VGK
(ここでは5ボルトとする)より低下し、ほぼ零ボルト
となる。したがって、書き込み信号Sinの電圧が、PN
接合の拡散電位(約1ボルト)以上であれば、発光素子
L(0)の発光状態とすることができる。
あるとすると、ゲート電極G0 の電圧は、電源電圧VGK
(ここでは5ボルトとする)より低下し、ほぼ零ボルト
となる。したがって、書き込み信号Sinの電圧が、PN
接合の拡散電位(約1ボルト)以上であれば、発光素子
L(0)の発光状態とすることができる。
【0012】これに対し、ゲート電極G-1は約5ボルト
であり、ゲート電極G1 は約1ボルト(ダイオードD0
の順方向立上り電圧)となる。したがって、発光素子L
(−1)の書き込み電圧は約6ボルト、発光素子L
(1)の書き込み電圧は約2ボルトとなる。これから、
発光素子L(0)のみに書き込める書き込み信号Sinの
電圧は、1〜2ボルトの範囲となる。発光素子L(0)
がオン、すなわち発光状態に入ると、書き込み信号Sin
ラインの電圧は約1ボルトに固定されてしまうので、他
の発光素子が選択されてしまう、というエラーは防ぐこ
とができる。
であり、ゲート電極G1 は約1ボルト(ダイオードD0
の順方向立上り電圧)となる。したがって、発光素子L
(−1)の書き込み電圧は約6ボルト、発光素子L
(1)の書き込み電圧は約2ボルトとなる。これから、
発光素子L(0)のみに書き込める書き込み信号Sinの
電圧は、1〜2ボルトの範囲となる。発光素子L(0)
がオン、すなわち発光状態に入ると、書き込み信号Sin
ラインの電圧は約1ボルトに固定されてしまうので、他
の発光素子が選択されてしまう、というエラーは防ぐこ
とができる。
【0013】発光強度は書き込み信号Sinに流す電流量
で決められ、任意の強度にて画像書き込みが可能とな
る。また、発光状態を次の発光素子に転送するために
は、書き込み信号Sinラインの電圧を一度零ボルトまで
おとし、発光している発光素子をいったんオフにしてお
く必要がある。
で決められ、任意の強度にて画像書き込みが可能とな
る。また、発光状態を次の発光素子に転送するために
は、書き込み信号Sinラインの電圧を一度零ボルトまで
おとし、発光している発光素子をいったんオフにしてお
く必要がある。
【0014】このような発光素子アレイ装置を光プリン
タ等に応用する場合、ある一定数のスイッチ素子および
発光素子を集積した1つの発光チップの形として発光素
子アレイ装置を構成し、この発光チップを例えば一列に
配列し、所定のサイズの線状光源を形成する。
タ等に応用する場合、ある一定数のスイッチ素子および
発光素子を集積した1つの発光チップの形として発光素
子アレイ装置を構成し、この発光チップを例えば一列に
配列し、所定のサイズの線状光源を形成する。
【0015】1つの発光チップの全体像を図4に示す。
1チップの中には、128個のスイッチ素子アレイT
(1)〜T(128)と、128個の発光素子アレイL
(1)〜L(128)とが配列され、スイッチ素子アレ
イ中に、φs ,φ1 ,φ2 ,V GK,Sin用のボンディン
グパッドが配列されている。図5は、発光チップの具体
的なレイアウト図を示す。図中、28はボンディングパ
ッドを示す。このようなボンディングパッドを含む金属
配線は、発光部27の繰り返し周期と異なるため、また
後述するように金属配線部分によって金属配線の面積比
率が異なるため、画像濃度のムラが目立つ。
1チップの中には、128個のスイッチ素子アレイT
(1)〜T(128)と、128個の発光素子アレイL
(1)〜L(128)とが配列され、スイッチ素子アレ
イ中に、φs ,φ1 ,φ2 ,V GK,Sin用のボンディン
グパッドが配列されている。図5は、発光チップの具体
的なレイアウト図を示す。図中、28はボンディングパ
ッドを示す。このようなボンディングパッドを含む金属
配線は、発光部27の繰り返し周期と異なるため、また
後述するように金属配線部分によって金属配線の面積比
率が異なるため、画像濃度のムラが目立つ。
【0016】図6は、図5に示した発光チップにより構
成された発光素子アレイ装置を用いた光プリンタヘッド
による画像濃度分布を示す。図6において、横軸は発光
素子アレイの配列方向の位置(mm)を、縦軸は画像濃
度を示している。図6に示す画像濃度のムラは、約1m
mの周期で繰り返していることがわかる。この周期は、
ボンディングパッドの配列周期に一致している。すなわ
ち、ボンディングパッドにより反射された光により画像
濃度のムラが生じていることがわかった。
成された発光素子アレイ装置を用いた光プリンタヘッド
による画像濃度分布を示す。図6において、横軸は発光
素子アレイの配列方向の位置(mm)を、縦軸は画像濃
度を示している。図6に示す画像濃度のムラは、約1m
mの周期で繰り返していることがわかる。この周期は、
ボンディングパッドの配列周期に一致している。すなわ
ち、ボンディングパッドにより反射された光により画像
濃度のムラが生じていることがわかった。
【0017】本発明の目的は、発光素子アレイが形成さ
れたチップの表面の光反射率の分布が均一になるように
して、ロッドレンズアレイから出力される光量にムラが
ないようにした発光素子アレイ装置を提供することにあ
る。
れたチップの表面の光反射率の分布が均一になるように
して、ロッドレンズアレイから出力される光量にムラが
ないようにした発光素子アレイ装置を提供することにあ
る。
【0018】
【課題を解決するための手段】カラープリンタ用の光プ
リンタヘッドに関しては、視覚の色度空間周波数特性
は、明暗周波数特性の1/5以下の分解能である(テレ
ビジョン・画像工学ハンドブックp.50図1・76/
テレビジョン学会編(S.55))。このため、反射光
による目立った光量のムラは、発光素子アレイ発光点ピ
ッチΛの5倍を一辺とする正方形に囲まれた領域の反射
光で決まると考えられる。金属配線の反射率は、それ以
外の部分の反射率よりも十分大きいため、反射率は、金
属配線の面積比率で決まる。
リンタヘッドに関しては、視覚の色度空間周波数特性
は、明暗周波数特性の1/5以下の分解能である(テレ
ビジョン・画像工学ハンドブックp.50図1・76/
テレビジョン学会編(S.55))。このため、反射光
による目立った光量のムラは、発光素子アレイ発光点ピ
ッチΛの5倍を一辺とする正方形に囲まれた領域の反射
光で決まると考えられる。金属配線の反射率は、それ以
外の部分の反射率よりも十分大きいため、反射率は、金
属配線の面積比率で決まる。
【0019】図5には、発光点ピッチΛの5倍を一辺と
する正方形の領域であって、金属配線の面積比率が最も
高い領域をAで、金属配線の面積比率が最も低い領域を
Bで示している。領域Aはスイッチ素子アレイの金属配
線部分にあり、領域Bはボンディングパッド28を含む
金属配線部分にある。図5の従来の金属配線の例では、
金属面積比率は、最も高い領域Aで約80%、最も低い
領域Bで約60%である。
する正方形の領域であって、金属配線の面積比率が最も
高い領域をAで、金属配線の面積比率が最も低い領域を
Bで示している。領域Aはスイッチ素子アレイの金属配
線部分にあり、領域Bはボンディングパッド28を含む
金属配線部分にある。図5の従来の金属配線の例では、
金属面積比率は、最も高い領域Aで約80%、最も低い
領域Bで約60%である。
【0020】本発明は、発光点ピッチΛの所定倍の正方
形で定まる領域における金属配線部分を、チップ表面の
反射率分布が均一になるようにデザインする。一例とし
て、光プリンタヘッドをカラープリンタ用とした場合、
チップ内の5画素ピッチ四方の正方形領域を考え、金属
配線の面積比率が最大となる正方形領域と、金属配線の
面積比率が最小となる正方形領域とを選び、金属配線の
面積比率の最大値Sma x 、最小値をSmin とし、最大値
Smax と最小値をSmin の比をRとした場合、0.8≦
R=Smin /Smax ≦1を満たすように金属配線の面積
比率をデザインする。ただし、金属配線の存在する部分
の副走査方向(スイッチ素子アレイの配列方向に対し直
角の方向)の幅Wが、5画素ピッチよりも狭い場合は、
5Λ×Wの面積について面積比率を出すものとする。
形で定まる領域における金属配線部分を、チップ表面の
反射率分布が均一になるようにデザインする。一例とし
て、光プリンタヘッドをカラープリンタ用とした場合、
チップ内の5画素ピッチ四方の正方形領域を考え、金属
配線の面積比率が最大となる正方形領域と、金属配線の
面積比率が最小となる正方形領域とを選び、金属配線の
面積比率の最大値Sma x 、最小値をSmin とし、最大値
Smax と最小値をSmin の比をRとした場合、0.8≦
R=Smin /Smax ≦1を満たすように金属配線の面積
比率をデザインする。ただし、金属配線の存在する部分
の副走査方向(スイッチ素子アレイの配列方向に対し直
角の方向)の幅Wが、5画素ピッチよりも狭い場合は、
5Λ×Wの面積について面積比率を出すものとする。
【0021】本発明が適用される自己走査型発光素子ア
レイ装置は、スイッチング動作のためのしきい電圧また
はしきい電流の制御電極を有するスイッチ素子を複数個
配列し、各スイッチ素子の前記制御電極をその近傍に位
置する少なくとも1つのスイッチ素子の制御電極に、接
続用抵抗または電気的に一方向性を有する電気素子を介
して接続するとともに、各スイッチ素子の制御電極に電
源ラインを負荷抵抗を介して接続し、かつ各スイッチ素
子にクロックパルスラインを接続して形成したスイッチ
素子アレイと、発光動作のためのしきい電圧またはしき
い電流の制御電極を有する発光素子を複数個配列した発
光素子アレイとからなり、前記発光素子アレイの各制御
電極を前記スイッチ素子の制御電極と電気的手段にて接
続し、各発光素子に発光のための電流を供給するライン
が設けられている。
レイ装置は、スイッチング動作のためのしきい電圧また
はしきい電流の制御電極を有するスイッチ素子を複数個
配列し、各スイッチ素子の前記制御電極をその近傍に位
置する少なくとも1つのスイッチ素子の制御電極に、接
続用抵抗または電気的に一方向性を有する電気素子を介
して接続するとともに、各スイッチ素子の制御電極に電
源ラインを負荷抵抗を介して接続し、かつ各スイッチ素
子にクロックパルスラインを接続して形成したスイッチ
素子アレイと、発光動作のためのしきい電圧またはしき
い電流の制御電極を有する発光素子を複数個配列した発
光素子アレイとからなり、前記発光素子アレイの各制御
電極を前記スイッチ素子の制御電極と電気的手段にて接
続し、各発光素子に発光のための電流を供給するライン
が設けられている。
【0022】このような自己走査型発光素子アレイ装置
では、前記スイッチ素子アレイ内にボンディングパッド
を含む場合、前記最小の面積比率Smin は、前記ボンデ
ィングパッドを含む領域における面積比率であり、前記
最大の面積比率Smax は、前記スイッチ素子アレイ内の
金属配線を含む領域における面積比率である。
では、前記スイッチ素子アレイ内にボンディングパッド
を含む場合、前記最小の面積比率Smin は、前記ボンデ
ィングパッドを含む領域における面積比率であり、前記
最大の面積比率Smax は、前記スイッチ素子アレイ内の
金属配線を含む領域における面積比率である。
【0023】本発明によれば、また、発光素子が1次元
または2次元に配列され、金属配線が形成された複数個
のチップよりなり、発光素子からの光がロッドレンズア
レイを介して取り出される発光素子アレイ装置におい
て、金属配線上に透明保護膜を設け、この透明保護膜上
に金属膜を設けて、チップ表面の反射率を均一化するこ
とができる。
または2次元に配列され、金属配線が形成された複数個
のチップよりなり、発光素子からの光がロッドレンズア
レイを介して取り出される発光素子アレイ装置におい
て、金属配線上に透明保護膜を設け、この透明保護膜上
に金属膜を設けて、チップ表面の反射率を均一化するこ
とができる。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を説明す
る。
る。
【0025】
【第1の実施例】図7は、本発明の一実施例である発光
素子アレイ装置のレイアウト図を示す。図5のレイアウ
トと比較すれば明らかなように、ボンディングパッドは
面積が拡大されている。これらボンディングパッドを図
7では、29で示している。
素子アレイ装置のレイアウト図を示す。図5のレイアウ
トと比較すれば明らかなように、ボンディングパッドは
面積が拡大されている。これらボンディングパッドを図
7では、29で示している。
【0026】領域Bに着目すると、図5の場合に比べ
て、この部分の面積比率は増大している。領域Bの面積
比率が最小値であるとし、領域Aの面積比率を80%と
して、領域Bのボンディングパッドの面積を変えて、R
=64/80=0.8,R=68/80=0.85,R
=72/80=0.9,R=75/80=0.94の4
種類のチップを試作した。
て、この部分の面積比率は増大している。領域Bの面積
比率が最小値であるとし、領域Aの面積比率を80%と
して、領域Bのボンディングパッドの面積を変えて、R
=64/80=0.8,R=68/80=0.85,R
=72/80=0.9,R=75/80=0.94の4
種類のチップを試作した。
【0027】この4種類のチップを用いてプリンタヘッ
ドを組み、濃淡を読み込んだ2チップ分の結果を図8に
示す。曲線はR=0.94の場合の画像濃度を、曲線
はR=0.9の場合の画像濃度を、曲線はR=0.
85の場合の画像濃度を、曲線はR=0.8の場合の
画像濃度の分布をそれぞれ示している。
ドを組み、濃淡を読み込んだ2チップ分の結果を図8に
示す。曲線はR=0.94の場合の画像濃度を、曲線
はR=0.9の場合の画像濃度を、曲線はR=0.
85の場合の画像濃度を、曲線はR=0.8の場合の
画像濃度の分布をそれぞれ示している。
【0028】この画像濃度分布によれば、Rが0.8よ
り大きいチップでは、画像の濃度分布が10%以内に抑
えられていることがわかる。この出力画像の官能試験結
果を表1に示す。試験は3人の被験者による双方盲目検
定によった。その結果、R値が1に近いものほど品位が
高くなる傾向があり、R値が0.9および0.94で、
十分な品位が得られることがわかった。
り大きいチップでは、画像の濃度分布が10%以内に抑
えられていることがわかる。この出力画像の官能試験結
果を表1に示す。試験は3人の被験者による双方盲目検
定によった。その結果、R値が1に近いものほど品位が
高くなる傾向があり、R値が0.9および0.94で、
十分な品位が得られることがわかった。
【0029】
【表1】
【0030】以上のように、本実施例によって、チップ
面反射による画像ムラを低減できた。
面反射による画像ムラを低減できた。
【0031】
【第2の実施例】図9は、第2の実施例である発光素子
アレイ装置30の平面図、図10は、図9のX−Y線断
面図である。この発光素子アレイ装置30は、図5に示
した自己走査型発光素子アレイ装置の表面に金属膜を設
けたものである。
アレイ装置30の平面図、図10は、図9のX−Y線断
面図である。この発光素子アレイ装置30は、図5に示
した自己走査型発光素子アレイ装置の表面に金属膜を設
けたものである。
【0032】この発光素子アレイ装置30は、GaAs
基板32上にエピタキシャル膜(pnpn構造)34お
よび層間絶縁膜35を介して、金属配線36が形成され
ている発光素子アレイ本体を備えている。この発光素子
アレイ本体上に、全面に形成された透明の保護膜38
と、ボンディングパッド28上と発光素子アレイ本体の
発光部27上とを除いて、スパッタリングあるいは真空
蒸着により全面に形成された金属膜40とから構成され
ている。なお、金属膜40は、ボンディングパッド28
の周辺部と重ならないように隙間が設けられているが、
ボンディングパッドの周辺部と重なるように形成するこ
ともできる。したがって、発光部27を除いて、ほぼ全
面が、金属で覆われた構造となり、Smax =Smin =1
となり、R=1も可能である。
基板32上にエピタキシャル膜(pnpn構造)34お
よび層間絶縁膜35を介して、金属配線36が形成され
ている発光素子アレイ本体を備えている。この発光素子
アレイ本体上に、全面に形成された透明の保護膜38
と、ボンディングパッド28上と発光素子アレイ本体の
発光部27上とを除いて、スパッタリングあるいは真空
蒸着により全面に形成された金属膜40とから構成され
ている。なお、金属膜40は、ボンディングパッド28
の周辺部と重ならないように隙間が設けられているが、
ボンディングパッドの周辺部と重なるように形成するこ
ともできる。したがって、発光部27を除いて、ほぼ全
面が、金属で覆われた構造となり、Smax =Smin =1
となり、R=1も可能である。
【0033】以上説明した第2の実施例において、金属
膜40の材料としては、ボンディングパッドに用いたも
のと同じ、スパッタリングで形成したアルミニウムを用
いた。このほか、Cr,Ni,Au,Ptなどを用いて
もよい。
膜40の材料としては、ボンディングパッドに用いたも
のと同じ、スパッタリングで形成したアルミニウムを用
いた。このほか、Cr,Ni,Au,Ptなどを用いて
もよい。
【0034】この発光素子アレイを用いて光プリンタヘ
ッドを構成し、画像濃度分布を求めたところ、約47〜
48%の均一な画像濃度分布が得られた。従来の発光素
子アレイ装置に比べ、画像濃度のムラを1/5程度に低
下できることがわかった。
ッドを構成し、画像濃度分布を求めたところ、約47〜
48%の均一な画像濃度分布が得られた。従来の発光素
子アレイ装置に比べ、画像濃度のムラを1/5程度に低
下できることがわかった。
【0035】以上の各実施例は、自己走査型発光素子ア
レイ装置について説明したが、本発明は、自己走査型発
光素子アレイ装置に限定されるものではなく、発光素子
が1次元あるいは2次元に配列された発光素子アレイに
ついて、金属配線からの反射光が、ロッドレンズから出
射される光量にムラを生じさせるような発光素子アレイ
装置に適用できることは明らかである。
レイ装置について説明したが、本発明は、自己走査型発
光素子アレイ装置に限定されるものではなく、発光素子
が1次元あるいは2次元に配列された発光素子アレイに
ついて、金属配線からの反射光が、ロッドレンズから出
射される光量にムラを生じさせるような発光素子アレイ
装置に適用できることは明らかである。
【0036】
【発明の効果】本発明によれば、発光チップ表面からの
反射光を均一化できるので、チップの表面反射分布を実
効上小さくでき、チップ表面反射による画像への悪影響
を減らすことができる。
反射光を均一化できるので、チップの表面反射分布を実
効上小さくでき、チップ表面反射による画像への悪影響
を減らすことができる。
【図1】光プリンタヘッドを備える光プリンタの原理を
示す図である。
示す図である。
【図2】光プリンタヘッドの構造を示す図である。
【図3】自己走査型発光素子アレイ装置の等価回路を示
す図である。
す図である。
【図4】発光チップの全体像を示す図である。
【図5】発光チップの具体的なレイアウトを示す図であ
る。
る。
【図6】図5に示した発光チップにより構成された発光
素子アレイ装置を用いた光プリンタヘッドによる画像濃
度分布を示す図である。
素子アレイ装置を用いた光プリンタヘッドによる画像濃
度分布を示す図である。
【図7】第1の実施例である発光素子アレイ装置のチッ
プのレイアウトを示す図である。
プのレイアウトを示す図である。
【図8】画像濃度分布を示す図である。
【図9】第2の実施例である発光素子アレイ装置の平面
図である。
図である。
【図10】図9のX−Y線断面図である。
28,29 ボンディングパッド 30 発光素子アレイ装置 32 GaAs基板 34 エピタキシャル膜 35 層間絶縁膜 36 金属配線 38 透明の保護膜 40 金属膜
Claims (8)
- 【請求項1】発光素子が1次元または2次元に配列さ
れ、金属配線が形成された複数個のチップよりなり、発
光素子からの光がロッドレンズアレイを介して取り出さ
れる発光素子アレイ装置において、 チップ表面の反射率を均一化したことを特徴とする発光
素子アレイ装置。 - 【請求項2】発光素子が1次元または2次元に配列さ
れ、金属配線が形成された複数個のチップよりなり、発
光素子からの光がロッドレンズアレイを介して取り出さ
れる発光素子アレイ装置において、 チップ表面の反射率が均一に分布しない場合に、金属膜
を設けて、チップ表面の反射率を均一化したことを特徴
とする発光素子アレイ装置。 - 【請求項3】前記金属膜は、発光素子アレイ装置の金属
配線上に透明保護膜を介して形成されていることを特徴
とする請求項1記載の発光素子アレイ装置。 - 【請求項4】前記金属膜は、Al,Cr,Ni,Auま
たはPtであることを特徴とする請求項2または3記載
の発光素子アレイ装置。 - 【請求項5】発光素子が1次元または2次元に配列さ
れ、金属配線が形成された複数個のチップよりなり、発
光素子からの光がロッドレンズアレイを介して取り出さ
れる発光素子アレイ装置において、 前記チップの表面の所定面積の領域において、前記領域
の面積に対する、前記領域内にある金属配線の面積の比
を面積比率Sとし、最大の面積比率をSmax ,最小の面
積比率をSmin とした場合に、比R=Smin /S
max が、0.8〜1であることを特徴とする発光素子ア
レイ装置。 - 【請求項6】前記発光素子アレイ装置は、 スイッチング動作のためのしきい電圧またはしきい電流
の制御電極を有するスイッチ素子を複数個配列し、各ス
イッチ素子の前記制御電極をその近傍に位置する少なく
とも1つのスイッチ素子の制御電極に、接続用抵抗また
は電気的に一方向性を有する電気素子を介して接続する
とともに、各スイッチ素子の制御電極に電源ラインを負
荷抵抗を介して接続し、かつ各スイッチ素子にクロック
パルスラインを接続して形成したスイッチ素子アレイ
と、 発光動作のためのしきい電圧またはしきい電流の制御電
極を有する発光素子を複数個配列した発光素子アレイと
からなり、 前記発光素子アレイの各制御電極を前記スイッチ素子の
制御電極と電気的手段にて接続し、各発光素子に発光の
ための電流を供給するラインを設けた自己走査型発光装
置であることを特徴とする請求項5記載の発光素子アレ
イ装置。 - 【請求項7】前記スイッチ素子アレイ内にボンディング
パッドを含む場合、前記最小の面積比率Smin は、前記
ボンディングパッドを含む領域における面積比率であ
り、前記最大の面積比率Smax は、前記スイッチ素子ア
レイ内の領域における面積比率であることを特徴とする
請求項6記載の発光素子アレイ装置。 - 【請求項8】前記所定面積の領域は、前記発光素子アレ
イの発光点のピッチの5倍を一辺とする正方形であるこ
とを特徴とする請求項5,6または7記載の発光素子ア
レイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19741899A JP2001024232A (ja) | 1999-07-12 | 1999-07-12 | 発光素子アレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19741899A JP2001024232A (ja) | 1999-07-12 | 1999-07-12 | 発光素子アレイ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001024232A true JP2001024232A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=16374198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19741899A Pending JP2001024232A (ja) | 1999-07-12 | 1999-07-12 | 発光素子アレイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001024232A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227467A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-25 | Canon Inc | 発光素子アレイチップおよび露光光源装置 |
-
1999
- 1999-07-12 JP JP19741899A patent/JP2001024232A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227467A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-25 | Canon Inc | 発光素子アレイチップおよび露光光源装置 |
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