JP2001019481A - ガラス組成 - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/097—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing phosphorus, niobium or tantalum
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0018—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0027—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3, Li2O as main constituents
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 比弾性率の高いガラスを提供する。
【解決手段】 ガラス組成において、主成分の組成範囲
を、ＳｉＯ2が６５ｗｔ％以上で且つ ８０ｗｔ％以
下、Ａｌ2Ｏ3が３ｗｔ％以上で且つ １５ｗｔ％以下、
Ｌｉ2Ｏが３ｗｔ％以上で且つ １５ｗｔ％以下、Ｐ2Ｏ
5が０．２ｗｔ％以上で且つ ５ｗｔ％以下、ＺｒＯ2が
０．１ｗｔ％以上で且つ ０．８ｗｔ％以下、とした。
を、ＳｉＯ2が６５ｗｔ％以上で且つ ８０ｗｔ％以
下、Ａｌ2Ｏ3が３ｗｔ％以上で且つ １５ｗｔ％以下、
Ｌｉ2Ｏが３ｗｔ％以上で且つ １５ｗｔ％以下、Ｐ2Ｏ
5が０．２ｗｔ％以上で且つ ５ｗｔ％以下、ＺｒＯ2が
０．１ｗｔ％以上で且つ ０．８ｗｔ％以下、とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス組成、特に結
晶化ガラスに適したガラス組成に関する。さらに詳しく
は、結晶化ガラス磁気ディスクの組成に関する。
晶化ガラスに適したガラス組成に関する。さらに詳しく
は、結晶化ガラス磁気ディスクの組成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気ディスク用の基板としては、
アルミニウム基板、ガラス基板等が実用化されている。
中でもガラス基板は、表面の平滑性や機械的強度が優れ
ていることから、最も注目されている。そのようなガラ
ス基板としては、ガラス基板表面をイオン交換で強化し
た化学強化ガラス基板や、基板に結晶成分を析出させて
結合の強化を図る結晶化ガラス基板が知られている。
アルミニウム基板、ガラス基板等が実用化されている。
中でもガラス基板は、表面の平滑性や機械的強度が優れ
ていることから、最も注目されている。そのようなガラ
ス基板としては、ガラス基板表面をイオン交換で強化し
た化学強化ガラス基板や、基板に結晶成分を析出させて
結合の強化を図る結晶化ガラス基板が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで最近の基板に
対する性能の要求は、日に日に厳しくなってきており、
とくに高速回転時のたわみやそりに直接的に関わる強度
に対する性能の向上が求められている。これは基板材料
の比弾性率（＝ヤング率／比重）によって表すことがで
き、数値が高ければ高いほど望ましい。またこのような
要求を満たしながら、生産性の向上が求められている。
そこで本発明は、ガラスの比弾性率が向上し、さらに生
産性の高いを組成を提供することを目的とする。
対する性能の要求は、日に日に厳しくなってきており、
とくに高速回転時のたわみやそりに直接的に関わる強度
に対する性能の向上が求められている。これは基板材料
の比弾性率（＝ヤング率／比重）によって表すことがで
き、数値が高ければ高いほど望ましい。またこのような
要求を満たしながら、生産性の向上が求められている。
そこで本発明は、ガラスの比弾性率が向上し、さらに生
産性の高いを組成を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載された発明は、主成分の組成範囲を、
ＳｉＯ2が６５ｗｔ％以上で且つ ８０ｗｔ％以下、Ａ
ｌ2Ｏ3が３ｗｔ％以上で且つ １５ｗｔ％以下、Ｌｉ2
Ｏが３ｗｔ％以上で且つ １５ｗｔ％以下、Ｐ2Ｏ5が
０．２ｗｔ％以上で且つ ５ｗｔ％以下、ＺｒＯ2が
０．１ｗｔ％以上で且つ ０．８ｗｔ％以下、にしたこ
とを特徴とする。
に請求項１に記載された発明は、主成分の組成範囲を、
ＳｉＯ2が６５ｗｔ％以上で且つ ８０ｗｔ％以下、Ａ
ｌ2Ｏ3が３ｗｔ％以上で且つ １５ｗｔ％以下、Ｌｉ2
Ｏが３ｗｔ％以上で且つ １５ｗｔ％以下、Ｐ2Ｏ5が
０．２ｗｔ％以上で且つ ５ｗｔ％以下、ＺｒＯ2が
０．１ｗｔ％以上で且つ ０．８ｗｔ％以下、にしたこ
とを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。本発明に係る実施形態のガラス基板は、主成
分の組成範囲が、ＳｉＯ2が６５ｗｔ％以上で且つ８０
ｗｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3が３ｗｔ％以上で且つ１５ｗｔ％
以下、Ｌｉ2Ｏが３ｗｔ％以上で且つ１５ｗｔ％以下、
Ｐ2Ｏ5が０．２ｗｔ％以上で且つ５ｗｔ％以下、ＺｒＯ
2が０．１ｗｔ％以上で且つ０．８ｗｔ％以下であるこ
とを特徴としている。
説明する。本発明に係る実施形態のガラス基板は、主成
分の組成範囲が、ＳｉＯ2が６５ｗｔ％以上で且つ８０
ｗｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3が３ｗｔ％以上で且つ１５ｗｔ％
以下、Ｌｉ2Ｏが３ｗｔ％以上で且つ１５ｗｔ％以下、
Ｐ2Ｏ5が０．２ｗｔ％以上で且つ５ｗｔ％以下、ＺｒＯ
2が０．１ｗｔ％以上で且つ０．８ｗｔ％以下であるこ
とを特徴としている。
【０００６】ＳｉＯ2はガラス形成酸化物のため組成比
が６５ｗｔ％より少ないと、溶融性が悪くなり、８０ｗ
ｔ％を越えるとガラスとして安定状態になるため、結晶
が析出しにくくなる。
が６５ｗｔ％より少ないと、溶融性が悪くなり、８０ｗ
ｔ％を越えるとガラスとして安定状態になるため、結晶
が析出しにくくなる。
【０００７】Ａｌ2Ｏ3はガラス中間酸化物であり、熱処
理によって析出する結晶相であるホウ酸アルミニウム系
結晶の構成成分である。組成比が３ｗｔ％より少ないと
析出結晶が少なく、強度が得られず、１５ｗｔ％を越え
ると溶融温度が高くなり失透しやすくなる。
理によって析出する結晶相であるホウ酸アルミニウム系
結晶の構成成分である。組成比が３ｗｔ％より少ないと
析出結晶が少なく、強度が得られず、１５ｗｔ％を越え
ると溶融温度が高くなり失透しやすくなる。
【０００８】Ｌｉ2Ｏは融剤としての役割を果たすとと
もに、リチウムダイシリケート系結晶の構成成分であ
る。組成比が３ｗｔ％より少ないと結晶相であるリチウ
ムダイシリケートの析出が不十分となり、１５ｗｔ％を
越えると、析出結晶相のリチウムダイシリケートが不安
定となり結晶化を制御しにくくなる。また化学的耐久性
が低下し磁気膜に影響を与える恐れがあり、また研磨−
洗浄工程における安定性が悪くなる。
もに、リチウムダイシリケート系結晶の構成成分であ
る。組成比が３ｗｔ％より少ないと結晶相であるリチウ
ムダイシリケートの析出が不十分となり、１５ｗｔ％を
越えると、析出結晶相のリチウムダイシリケートが不安
定となり結晶化を制御しにくくなる。また化学的耐久性
が低下し磁気膜に影響を与える恐れがあり、また研磨−
洗浄工程における安定性が悪くなる。
【０００９】Ｐ2Ｏ5は融剤として働き、リチウムダイシ
リケート系結晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全
体に結晶を均一に析出させるために重要な成分である。
組成比が０．２ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成
されにくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質
に析出し、微細で均質な結晶構造が得られにくくなり、
研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得
られなくなる。また難溶融性のＺｒＯ2成分に対する融
剤としての効果が十分得られなくなる。５ｗｔ％を越え
ると、溶融時の炉剤に対する反応性が増し、また失透性
も強くなることから溶融成形時の生産性が低下する。ま
た化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れが
あると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くな
る。
リケート系結晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全
体に結晶を均一に析出させるために重要な成分である。
組成比が０．２ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成
されにくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質
に析出し、微細で均質な結晶構造が得られにくくなり、
研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得
られなくなる。また難溶融性のＺｒＯ2成分に対する融
剤としての効果が十分得られなくなる。５ｗｔ％を越え
ると、溶融時の炉剤に対する反応性が増し、また失透性
も強くなることから溶融成形時の生産性が低下する。ま
た化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れが
あると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くな
る。
【００１０】ＺｒＯ2はガラス修飾酸化物であり、ガラ
スの結晶核剤である。特にクオーツ系結晶をガラス全体
に均一に析出させるために非常に有効である。組成比が
０．１ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成されなく
にくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質に析
出し、微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研磨加
工においてディスク基板として必要な平滑面が得られな
くなる。また化学的耐久性および耐マイグレーションが
低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあるとともに、研
磨−洗浄工程において安定性が悪くなる。また０．８ｗ
ｔ％を越えると溶融温度が高くなり、また失透しやすく
なり溶融成形が困難となる。また析出結晶相が変化し求
める特性が得られにくくなる。
スの結晶核剤である。特にクオーツ系結晶をガラス全体
に均一に析出させるために非常に有効である。組成比が
０．１ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成されなく
にくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質に析
出し、微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研磨加
工においてディスク基板として必要な平滑面が得られな
くなる。また化学的耐久性および耐マイグレーションが
低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあるとともに、研
磨−洗浄工程において安定性が悪くなる。また０．８ｗ
ｔ％を越えると溶融温度が高くなり、また失透しやすく
なり溶融成形が困難となる。また析出結晶相が変化し求
める特性が得られにくくなる。
【００１１】以下製造方法を説明する。最終的に生成さ
れるガラス基板の主成分の組成を含む原料を所定の割合
にて充分に混合し、これを白金るつぼに入れ溶融を行
う。溶融後金型に流し概略の形状を形成する。これを室
温までアニールする。続いて、示される１次熱処理温度
と１次処理時間により保持し（熱処理）、結晶核生成が
行われる。引き続き、２次熱処理温度と２次処理時間に
より保持し結晶核成長を行う。これを除冷することによ
り目的とする結晶化ガラスが得られる。
れるガラス基板の主成分の組成を含む原料を所定の割合
にて充分に混合し、これを白金るつぼに入れ溶融を行
う。溶融後金型に流し概略の形状を形成する。これを室
温までアニールする。続いて、示される１次熱処理温度
と１次処理時間により保持し（熱処理）、結晶核生成が
行われる。引き続き、２次熱処理温度と２次処理時間に
より保持し結晶核成長を行う。これを除冷することによ
り目的とする結晶化ガラスが得られる。
【００１２】以上の製造方法によって得られたガラス基
板は、ＳｉＯ2が６５ｗｔ％以上で且つ８０ｗｔ％以
下、Ａｌ2Ｏ3が３ｗｔ％以上で且つ１５ｗｔ％以下、Ｌ
ｉ2Ｏが３ｗｔ％以上で且つ１５ｗｔ％以下、Ｐ2Ｏ5が
０．２ｗｔ％以上で且つ５ｗｔ％以下、ＺｒＯ2が０．
１ｗｔ％以上で且つ０．８ｗｔ％以下とするために、非
常に高い比弾性率と高い生産性を得ることが可能となっ
た。
板は、ＳｉＯ2が６５ｗｔ％以上で且つ８０ｗｔ％以
下、Ａｌ2Ｏ3が３ｗｔ％以上で且つ１５ｗｔ％以下、Ｌ
ｉ2Ｏが３ｗｔ％以上で且つ１５ｗｔ％以下、Ｐ2Ｏ5が
０．２ｗｔ％以上で且つ５ｗｔ％以下、ＺｒＯ2が０．
１ｗｔ％以上で且つ０．８ｗｔ％以下とするために、非
常に高い比弾性率と高い生産性を得ることが可能となっ
た。
【００１３】
【実施例】次に実施形態を実施した具体的な実施例につ
いて説明する。第１〜第４実施例のガラスを構成する材
料組成比（単位：ｗｔ％）、溶融温度と溶融時間、１次
熱処理温度と１次処理時間、２次熱処理温度と２次処理
時間、主析出結晶相、副析出結晶相、平均結晶粒径、比
重、ヤング率、比弾性率を表１に示す。同様に第５〜第
８実施例のガラスを表２に示す。同様に第９〜第１２実
施例のガラスを表３に示す。同様に第１３〜第１６実施
例のガラスを表４に示す。同様に第１７〜第２０実施例
のガラスを表５に示す。同様に第２１〜第２３実施例の
ガラスを表６に示す。
いて説明する。第１〜第４実施例のガラスを構成する材
料組成比（単位：ｗｔ％）、溶融温度と溶融時間、１次
熱処理温度と１次処理時間、２次熱処理温度と２次処理
時間、主析出結晶相、副析出結晶相、平均結晶粒径、比
重、ヤング率、比弾性率を表１に示す。同様に第５〜第
８実施例のガラスを表２に示す。同様に第９〜第１２実
施例のガラスを表３に示す。同様に第１３〜第１６実施
例のガラスを表４に示す。同様に第１７〜第２０実施例
のガラスを表５に示す。同様に第２１〜第２３実施例の
ガラスを表６に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】
【表３】
【００１７】
【表４】
【００１８】
【表５】
【００１９】
【表６】
【００２０】第１の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を
７５．２ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を６．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
８．５ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．５ｗ
ｔ％、ＣａＯを２．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏを１．８ｗｔ％、
Ｓｂ2Ｏ3を１ｗｔ％の組成比である。
７５．２ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を６．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
８．５ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．５ｗ
ｔ％、ＣａＯを２．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏを１．８ｗｔ％、
Ｓｂ2Ｏ3を１ｗｔ％の組成比である。
【００２１】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時
間にて処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリ
ケート、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．
７という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い
比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有す
る。
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時
間にて処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリ
ケート、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．
７という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い
比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有す
る。
【００２２】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＣａＯを加えているため高い溶融性、安
定した結晶相があることができる。組成比が０．１ｗｔ
％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ
％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、
求める強度が得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＣａＯを加えているため高い溶融性、安
定した結晶相があることができる。組成比が０．１ｗｔ
％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ
％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、
求める強度が得られにくくなる。
【００２３】また、融剤として働くＫ2Ｏを加えている
ため生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が
０．１ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改善がなされな
い。５ｗｔ％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が
抑制され、また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を
与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定
性が悪くなる。
ため生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が
０．１ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改善がなされな
い。５ｗｔ％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が
抑制され、また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を
与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定
性が悪くなる。
【００２４】また、清澄剤として働くＳｂ2Ｏ3を加えて
いるため生産時の安定性が向上している。ただし、組成
比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な清澄効果が得られ
なくなり、生産性が低下する。５ｗｔ％を越えると、ガ
ラスの結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなく
なり、求める特性が得られにくくなる。
いるため生産時の安定性が向上している。ただし、組成
比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な清澄効果が得られ
なくなり、生産性が低下する。５ｗｔ％を越えると、ガ
ラスの結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなく
なり、求める特性が得られにくくなる。
【００２５】第２の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を
７４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０．４ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを１
１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．１ｗ
ｔ％の組成比である。
７４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０．４ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを１
１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．１ｗ
ｔ％の組成比である。
【００２６】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３９．８と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３９．８と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００２７】第３の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を
７６ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９
ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．８ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．７ｗｔ
％の組成比である。
７６ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９
ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．８ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．７ｗｔ
％の組成比である。
【００２８】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時
間にて処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリ
ケート、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．
７という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い
比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有す
る。
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時
間にて処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリ
ケート、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．
７という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い
比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有す
る。
【００２９】第４の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を
７５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９．５ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．８ｗ
ｔ％、ＣａＯを０．２ｗｔ％の組成比である。
７５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９．５ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．８ｗ
ｔ％、ＣａＯを０．２ｗｔ％の組成比である。
【００３０】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．７と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．７と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００３１】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＣａＯを加えているため高い溶融性、安
定した結晶相があることができる。組成比が０．１ｗｔ
％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ
％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、
求める強度が得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＣａＯを加えているため高い溶融性、安
定した結晶相があることができる。組成比が０．１ｗｔ
％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ
％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、
求める強度が得られにくくなる。
【００３２】第５の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を
７４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９
ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．３ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．５ｗｔ
％、ＣａＯを２．７ｗｔ％の組成比である。
７４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９
ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．３ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．５ｗｔ
％、ＣａＯを２．７ｗｔ％の組成比である。
【００３３】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．４と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．４と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００３４】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＣａＯを加えているため高い溶融性、安
定した結晶相があることができる。組成比が０．１ｗｔ
％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ
％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、
求める強度が得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＣａＯを加えているため高い溶融性、安
定した結晶相があることができる。組成比が０．１ｗｔ
％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ
％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、
求める強度が得られにくくなる。
【００３５】第６の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を
７３ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１１ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを１０．
６ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４．２ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．７ｗ
ｔ％、Ｋ2Ｏを０．５ｗｔ％の組成比である。
７３ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１１ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを１０．
６ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４．２ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．７ｗ
ｔ％、Ｋ2Ｏを０．５ｗｔ％の組成比である。
【００３６】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３９．０と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３９．０と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００３７】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＫ2Ｏを加えているため生産時の安定性
が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少
ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越え
ると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、また化学
的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると
共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＫ2Ｏを加えているため生産時の安定性
が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少
ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越え
ると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、また化学
的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると
共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
【００３８】以下製造方法を説明する。最終的に生成さ
れるガラス基板の主成分の組成を含む原料を所定の割合
にて充分に混合し、これを白金るつぼに入れ溶融を行
う。溶融後金型に流し概略の形状を形成する。これを室
温までアニールする。続いて、示される１次熱処理温度
と１次処理時間により保持し（熱処理）、結晶核生成が
行われる。引き続き、２次熱処理温度と２次処理時間に
より保持し結晶核成長を行う。これを除冷することによ
り目的とする結晶化ガラスが得られる。
れるガラス基板の主成分の組成を含む原料を所定の割合
にて充分に混合し、これを白金るつぼに入れ溶融を行
う。溶融後金型に流し概略の形状を形成する。これを室
温までアニールする。続いて、示される１次熱処理温度
と１次処理時間により保持し（熱処理）、結晶核生成が
行われる。引き続き、２次熱処理温度と２次処理時間に
より保持し結晶核成長を行う。これを除冷することによ
り目的とする結晶化ガラスが得られる。
【００３９】第７の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を
６９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１２ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを１２ｗ
ｔ％、Ｐ2Ｏ5を２．３ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．２ｗｔ
％、Ｋ2Ｏを４．５ｗｔ％の組成比である。
６９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１２ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを１２ｗ
ｔ％、Ｐ2Ｏ5を２．３ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．２ｗｔ
％、Ｋ2Ｏを４．５ｗｔ％の組成比である。
【００４０】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５８０度、１次処理時間５時
間、２次処理温度７２０度、２次処理時間４時間にて処
置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケート、
副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．９という
特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率
を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５８０度、１次処理時間５時
間、２次処理温度７２０度、２次処理時間４時間にて処
置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケート、
副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．９という
特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率
を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００４１】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＫ2Ｏを加えているため生産時の安定性
が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少
ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越え
ると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、また化学
的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると
共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＫ2Ｏを加えているため生産時の安定性
が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少
ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越え
ると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、また化学
的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると
共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
【００４２】第８の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を
７５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９．５
ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．９ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．６ｗｔ
％、Ｓｂ2Ｏ3を１ｗｔ％の組成比である。
７５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９．５
ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．９ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．６ｗｔ
％、Ｓｂ2Ｏ3を１ｗｔ％の組成比である。
【００４３】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３７．２と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３７．２と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００４４】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
清澄剤として働くＳｂ2Ｏ3を加えているため生産時の安
定性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％よ
り少ないと十分な清澄効果が得られなくなり、生産性が
低下する。５ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安
定となり析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が
得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
清澄剤として働くＳｂ2Ｏ3を加えているため生産時の安
定性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％よ
り少ないと十分な清澄効果が得られなくなり、生産性が
低下する。５ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安
定となり析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が
得られにくくなる。
【００４５】第９の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を
６９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを１
１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．５ｗｔ
％、Ｓｂ2Ｏ3を４ｗｔ％の組成比である。
６９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを１
１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．５ｗｔ
％、Ｓｂ2Ｏ3を４ｗｔ％の組成比である。
【００４６】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間４時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３４．４と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間４時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３４．４と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００４７】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
清澄剤として働くＳｂ2Ｏ3を加えているため生産時の安
定性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％よ
り少ないと十分な清澄効果が得られなくなり、生産性が
低下する。５ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安
定となり析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が
得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
清澄剤として働くＳｂ2Ｏ3を加えているため生産時の安
定性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％よ
り少ないと十分な清澄効果が得られなくなり、生産性が
低下する。５ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安
定となり析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が
得られにくくなる。
【００４８】第１０の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を９．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを１
０ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．８ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．７ｗ
ｔ％、Ｂ2Ｏ3を２ｗｔ％の組成比である。
を７４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を９．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを１
０ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．８ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．７ｗ
ｔ％、Ｂ2Ｏ3を２ｗｔ％の組成比である。
【００４９】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３９．０と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３９．０と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００５０】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
フォーマーとして働くＢ2Ｏ3を加えているためガラスの
分相を促し、結晶析出および成長を促進させる。ただ
し、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改
善がなされない。１５ｗｔ％を越えると、ガラスが失透
しやすくなり成形が困難になると共に、結晶が粗大化し
微細な結晶が得られなくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
フォーマーとして働くＢ2Ｏ3を加えているためガラスの
分相を促し、結晶析出および成長を促進させる。ただ
し、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改
善がなされない。１５ｗｔ％を越えると、ガラスが失透
しやすくなり成形が困難になると共に、結晶が粗大化し
微細な結晶が得られなくなる。
【００５１】第１１の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７１ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１１．４ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４．２ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．４ｗ
ｔ％、Ｂ2Ｏ3を４ｗｔ％の組成比である。
を７１ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１１．４ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４．２ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．４ｗ
ｔ％、Ｂ2Ｏ3を４ｗｔ％の組成比である。
【００５２】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３９．１と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３９．１と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００５３】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
フォーマーとして働くＢ2Ｏ3を加えているためガラスの
分相を促し、結晶析出および成長を促進させる。ただ
し、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改
善がなされない。１５ｗｔ％を越えると、ガラスが失透
しやすくなり成形が困難になると共に、結晶が粗大化し
微細な結晶が得られなくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
フォーマーとして働くＢ2Ｏ3を加えているためガラスの
分相を促し、結晶析出および成長を促進させる。ただ
し、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改
善がなされない。１５ｗｔ％を越えると、ガラスが失透
しやすくなり成形が困難になると共に、結晶が粗大化し
微細な結晶が得られなくなる。
【００５４】第１２の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１１ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９．
６ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４．２ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．７ｗ
ｔ％、ＭｇＯを０．５ｗｔ％の組成比である。
を７４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１１ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９．
６ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４．２ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．７ｗ
ｔ％、ＭｇＯを０．５ｗｔ％の組成比である。
【００５５】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
トで、副析出結晶相がクオーツ、比弾性率が３８．３と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
トで、副析出結晶相がクオーツ、比弾性率が３８．３と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００５６】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＭｇＯを加えているため結晶相の一つで
ある粒状のクオーツ結晶を凝集させ結晶粒子塊を形成す
る。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと作業温
度幅が狭くなりう、ガラスマトリクス相の化学的耐久性
が向上しない。１２ｗｔ％を越えると、他の結晶相が析
出して求める強度を得ることが難しくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＭｇＯを加えているため結晶相の一つで
ある粒状のクオーツ結晶を凝集させ結晶粒子塊を形成す
る。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと作業温
度幅が狭くなりう、ガラスマトリクス相の化学的耐久性
が向上しない。１２ｗｔ％を越えると、他の結晶相が析
出して求める強度を得ることが難しくなる。
【００５７】第１３の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７２ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９．
５ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．７ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．３ｗ
ｔ％、ＭｇＯを４．５ｗｔ％の組成比である。
を７２ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９．
５ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．７ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．３ｗ
ｔ％、ＭｇＯを４．５ｗｔ％の組成比である。
【００５８】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３９．０と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３９．０と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００５９】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＭｇＯを加えているため結晶相の一つで
ある粒状のクオーツ結晶を凝集させ結晶粒子塊を形成す
る。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと作業温
度幅が狭くなりう、ガラスマトリクス相の化学的耐久性
が向上しない。１２ｗｔ％を越えると、他の結晶相が析
出して求める強度を得ることが難しくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＭｇＯを加えているため結晶相の一つで
ある粒状のクオーツ結晶を凝集させ結晶粒子塊を形成す
る。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと作業温
度幅が狭くなりう、ガラスマトリクス相の化学的耐久性
が向上しない。１２ｗｔ％を越えると、他の結晶相が析
出して求める強度を得ることが難しくなる。
【００６０】第１４の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７６ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を９．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９
ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．７ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．８ｗｔ
％、ＢａＯを１ｗｔ％の組成比である。
を７６ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を９．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９
ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．７ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．８ｗｔ
％、ＢａＯを１ｗｔ％の組成比である。
【００６１】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時
間にて処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリ
ケート、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３６．
７という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い
比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有す
る。
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時
間にて処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリ
ケート、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３６．
７という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い
比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有す
る。
【００６２】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＢａＯを加えているため生産時の安定性
が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少
ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越え
ると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める強
度が得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＢａＯを加えているため生産時の安定性
が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少
ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越え
ると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める強
度が得られにくくなる。
【００６３】第１５の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７２ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９．
５ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４．３ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．２ｗ
ｔ％、ＢａＯを４ｗｔ％の組成比である。
を７２ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを９．
５ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４．３ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．２ｗ
ｔ％、ＢａＯを４ｗｔ％の組成比である。
【００６４】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１５００度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３４．８と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１５００度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７０度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３４．８と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００６５】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＢａＯを加えているため生産時の安定性
が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少
ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越え
ると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める強
度が得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＢａＯを加えているため生産時の安定性
が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少
ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越え
ると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める強
度が得られにくくなる。
【００６６】第１６の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を９．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９．２ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．６ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．
７ｗｔ％、ＺｎＯを２ｗｔ％の組成比である。
を７５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を９．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９．２ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．６ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．
７ｗｔ％、ＺｎＯを２ｗｔ％の組成比である。
【００６７】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３７．６と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３７．６と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００６８】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＺｎＯを加えているため均一な結晶析出
を補助する。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ない
と十分な結晶均質化の改善がなされない。５ｗｔ％を越
えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める
強度が得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＺｎＯを加えているため均一な結晶析出
を補助する。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ない
と十分な結晶均質化の改善がなされない。５ｗｔ％を越
えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める
強度が得られにくくなる。
【００６９】第１７の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７６ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を７．６ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９．８ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．３ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．
３ｗｔ％、ＺｎＯを３ｗｔ％の組成比である。
を７６ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を７．６ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９．８ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．３ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．
３ｗｔ％、ＺｎＯを３ｗｔ％の組成比である。
【００７０】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時
間にて処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリ
ケート、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３７．
７という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い
比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有す
る。
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時
間にて処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリ
ケート、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３７．
７という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い
比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有す
る。
【００７１】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＺｎＯを加えているため均一な結晶析出
を補助する。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ない
と十分な結晶均質化の改善がなされない。５ｗｔ％を越
えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める
強度が得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＺｎＯを加えているため均一な結晶析出
を補助する。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ない
と十分な結晶均質化の改善がなされない。５ｗｔ％を越
えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める
強度が得られにくくなる。
【００７２】第１８の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７７ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を９．７ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９．６ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を２．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．
７ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5を０．５ｗｔ％の組成比である。
を７７ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を９．７ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９．６ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を２．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．
７ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5を０．５ｗｔ％の組成比である。
【００７３】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５８０度、１次処理時間５時
間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．３と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５８０度、１次処理時間５時
間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．３と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００７４】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＮｂ2Ｏ5を加えているため結晶核剤物質
が増加することになる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％
より少ないと十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％
を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶
相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくな
る。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＮｂ2Ｏ5を加えているため結晶核剤物質
が増加することになる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％
より少ないと十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％
を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶
相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくな
る。
【００７５】第１９の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７６ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を８．６ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９．５ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を２ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．４ｗ
ｔ％、Ｎｂ2Ｏ5を３．５ｗｔ％の組成比である。
を７６ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を８．６ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９．５ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を２ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．４ｗ
ｔ％、Ｎｂ2Ｏ5を３．５ｗｔ％の組成比である。
【００７６】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５８０度、１次処理時間５時
間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３６．８と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５８０度、１次処理時間５時
間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３６．８と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００７７】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＮｂ2Ｏ5を加えているため結晶核剤物質
が増加することになる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％
より少ないと十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％
を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶
相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくな
る。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＮｂ2Ｏ5を加えているため結晶核剤物質
が増加することになる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％
より少ないと十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％
を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶
相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくな
る。
【００７８】第２０の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１３．３ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を１．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．７ｗ
ｔ％、Ｔａ2Ｏ5を０．５ｗｔ％の組成比である。
を７５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１３．３ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
９ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を１．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．７ｗ
ｔ％、Ｔａ2Ｏ5を０．５ｗｔ％の組成比である。
【００７９】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５８５度、１次処理時間５時
間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間にて処
置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケート、
副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．０という
特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率
を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５８５度、１次処理時間５時
間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間にて処
置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケート、
副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．０という
特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率
を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００８０】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＴａ2Ｏ5を加えているため溶融性、強度
を向上させ、またガラスマトリクス相の化学的耐久性を
向上させる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ない
と十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％を越える
と、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御
できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＴａ2Ｏ5を加えているため溶融性、強度
を向上させ、またガラスマトリクス相の化学的耐久性を
向上させる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ない
と十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％を越える
と、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御
できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００８１】第２１の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１２．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
８ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を１．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．２ｗ
ｔ％、Ｔａ2Ｏ5を３．８ｗｔ％の組成比である。
を７４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１２．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
８ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を１．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．２ｗ
ｔ％、Ｔａ2Ｏ5を３．８ｗｔ％の組成比である。
【００８２】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１５２０度、溶融時間
１．７５時間、１次処理温度５８５度、１次処理時間５
時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間にて
処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３３．０と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１５２０度、溶融時間
１．７５時間、１次処理温度５８５度、１次処理時間５
時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間にて
処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３３．０と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００８３】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＴａ2Ｏ5を加えているため溶融性、強度
を向上させ、またガラスマトリクス相の化学的耐久性を
向上させる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ない
と十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％を越える
と、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御
できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＴａ2Ｏ5を加えているため溶融性、強度
を向上させ、またガラスマトリクス相の化学的耐久性を
向上させる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ない
と十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％を越える
と、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御
できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００８４】第２２の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１１ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを１
０．６ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．
７ｗｔ％、Ｌａ2Ｏ3を０．２ｗｔ％の組成比である。
を７４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１１ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを１
０．６ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を３．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．
７ｗｔ％、Ｌａ2Ｏ3を０．２ｗｔ％の組成比である。
【００８５】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．０と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４４０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５７５度、１次処理時間５．
５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間３時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３８．０と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００８６】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＬａ2Ｏ3を加えているため結晶析出が抑
制される。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと
十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％を越えると、
ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御でき
なくなり、求める特性が得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＬａ2Ｏ3を加えているため結晶析出が抑
制される。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと
十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％を越えると、
ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御でき
なくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００８７】第２３の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2
を７７ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
７．３ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を２．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．
２ｗｔ％、Ｌａ2Ｏ3を２．５ｗｔ％の組成比である。
を７７ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１０．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを
７．３ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を２．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．
２ｗｔ％、Ｌａ2Ｏ3を２．５ｗｔ％の組成比である。
【００８８】上記組成比を含むよう原料を調合し、前述
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５８０度、１次処理時間５時
間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３５．４と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
の製造方法に従って、溶融温度１４６０度、溶融時間
２．５時間、１次処理温度５８０度、１次処理時間５時
間、２次処理温度６９０度、２次処理時間２．５時間に
て処置した結果、主析出結晶相がリチウムダイシリケー
ト、副析出結晶相がクオーツで、比弾性率が３５．４と
いう特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾
性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００８９】また組成として、基本組成であるＳｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＬａ2Ｏ3を加えているため結晶析出が抑
制される。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと
十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％を越えると、
ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御でき
なくなり、求める特性が得られにくくなる。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｒＯ2に加えて、
融剤として働くＬａ2Ｏ3を加えているため結晶析出が抑
制される。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと
十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％を越えると、
ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御でき
なくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００９０】
【発明の効果】本発明によると、比弾性率が３０以上か
つ生産性の高いガラス基板を得ることができる。
つ生産性の高いガラス基板を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遊亀 博 大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 石丸 和彦 大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 Ｆターム(参考） 4G062 AA11 BB01 BB09 DA06 DA07 DB03 DB04 DD02 DD03 DE01 DF01 EA03 EA04 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FB01 FC02 FC03 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 NN33 QQ02 QQ06 5D006 CB04 CB07 DA03 FA00
Claims (1)
- 【請求項１】 主成分の組成範囲を、 ＳｉＯ2が６５ｗｔ％以上で且つ ８０ｗｔ％以下、 Ａｌ2Ｏ3が３ｗｔ％以上で且つ １５ｗｔ％以下、 Ｌｉ2Ｏが３ｗｔ％以上で且つ １５ｗｔ％以下、 Ｐ2Ｏ5が０．２ｗｔ％以上で且つ ５ｗｔ％以下、 ＺｒＯ2が０．１ｗｔ％以上で且つ ０．８ｗｔ％以
下、としたことを特徴とするガラス組成。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19174399A JP4158282B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 |
| US09/610,618 US6514890B1 (en) | 1999-07-06 | 2000-07-05 | Glass-ceramic composition for recording disk substrate |
| US10/309,298 US20030125183A1 (en) | 1999-07-06 | 2002-12-04 | Glass-ceramic composition for recording disk substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19174399A JP4158282B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001019481A true JP2001019481A (ja) | 2001-01-23 |
| JP4158282B2 JP4158282B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=16279772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19174399A Expired - Fee Related JP4158282B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6514890B1 (ja) |
| JP (1) | JP4158282B2 (ja) |
Cited By (3)
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