JP2001015966A

JP2001015966A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2001015966A
Application number: JP11188378A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Ashiwake; 範之芦分; Toshio Otaguro; 俊夫大田黒; Tamio Innami; 民雄印南; Akio Idei; 昭男出居
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1999-07-02
Filing date: 1999-07-02
Publication date: 2001-01-19

Abstract

(57)【要約】【課題】動作の安定性を向上した半導体装置を提供す
る。【解決手段】基板３と、この基板３に搭載された第１
と第２の電子部品５、７と、第１と第２の電子部品５、
７を内包して基板３に固定されたカバー１７と、第１の
電子部品５に熱的に接合してカバー１７内部に設けられ
た冷熱源１５と、第２の電子部品７とカバー１７とを熱
的に接合して設けられる伝熱部材３３とを備えてなり、
カバー１７は、このカバー１７の少なくとも冷熱源１５
に対向する部分と伝熱部材３３の接合部分とを含む領域
が熱伝導性を有する材料で形成する。伝熱部材３３を介
して第２の電子部品７の熱がカバー１７に伝わるた
め、、カバー１７の外側表面での結露や着霜の発生を防
ぎ、半導体装置の動作の安定性を向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係
り、特に、冷熱源を備えた電子部品が搭載された半導体
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子部品の中には、温度を低くすること
によって動作速度が速くなるものがあり、冷熱源によっ
て、空冷による冷却よりも低い温度に電子部品を冷却す
ることにより、電子部品の動作を高速化することが行な
われている。ところが、冷熱源を用いた場合、この冷熱
源を備えた電子部品や、この電子部品が搭載された基板
のこの電子部品の周囲部分などでは、温度の低下に伴い
結露や着霜などが発生する。このため、電子部品などに
水滴などが付着することによって不具合を引き起こし、
半導体装置の動作の安定性が得られなくなる。このよう
な冷却による結露や着霜などの発生を防ぐ方法として、
特開平７−２８０８８１号公報、特開平７−２０９３７
３号公報、そして特開平１−２３６６９９号公報などに
提案がある。特開平７−２８０８８１号公報では、半導
体チップを低温に冷却された密閉ケース内に収納し、こ
の密閉ケース内に窒素ガスを供給することで半導体チッ
プの結露や着霜などの発生を防止している。特開平７−
２０９３７３号公報では、半導体チップを密閉ケース内
に設置して半導体チップに密着させた冷却ヘッドでこの
半導体チップを冷却し、この半導体チップのまわりに乾
燥空気を流すことで、半導体チップの結露や着霜などの
発生を防止している。特開平１−２３６６９９号公報で
は、プリント配線基板、プリント配線基板に搭載された
半導体チップ、この半導体チップを冷却するためにこの
半導体チップに密着された伝熱冷却部材などからなる半
導体装置を密閉ケース内に封入し、この密閉ケースを除
湿装置などからなる結霜防止ユニットに接続し、半導体
装置の結露や着霜などの発生を防止している。

【０００３】ところで、特開平７−２８０８８１号公
報、特開平７−２０９３７３号公報、特開平１−２３６
６９９号公報などのような構成では、半導体装置を密閉
ケースなどの中に封入する必要があるため、半導体装置
のコンパクト性が失われてしまう。また、常温環境や空
冷程度でよい半導体チップなど電子部品を、より低温で
の冷却を必要とする電子部品と同じ半導体装置上に搭載
した場合、冷却のエネルギー効率が悪く、また、冷却さ
れることによって必要以上に低温にされた常温環境また
は空冷環境で使用される電子部品などに不具合が生じる
場合がある。このため、常温環境や空冷環境で使用され
る電子部品などは、より低温での冷却を必要とする電子
部品とは別の半導体装置とし、気密箱の外に設置する必
要がある。したがって、このような場合、さらに半導体
装置のコンパクト性が失われてしまう。

【０００４】このため、基板に搭載された電子部品とこ
の電子部品に密着された冷熱源とを内包し、基板に固定
されたカバーを備え、カバーと基板との間の空間を低湿
度状態にすることで、コンパクト性を失わずに、冷熱源
や冷熱源を備えた電子部品、また基板の冷熱源を備えた
電子部品の周囲部分での結露や着霜などの発生を防止
し、安定した動作を得られるようにした半導体装置が考
えられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、冷熱源を備え
た電子部品の冷却温度や雰囲気の湿度や温度などの条件
によっては、カバーの外側表面に結露や着霜などが発生
する場合がある。このようなカバーの外側表面での結露
や着霜などにより生じた水滴などが、基板のカバーで覆
われていない部分や、カバーで覆われていない電子部
品、また基板の縁部に形成された端子部分などに付着す
ることなどにより、電子部品や基板の端子部分などで不
具合が生じ、半導体装置が安定に動作しなくなる場合が
ある。

【０００６】本発明の課題は、動作の安定性を向上した
半導体装置を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
以下の手段により上記課題を解決する。基板と、この基
板に搭載された第１と第２の電子部品と、第１と第２の
電子部品を内包して基板に固定されたカバーと、第１の
電子部品に熱的に接合してカバー内部に設けられた冷熱
源と、第２の電子部品とカバーとを熱的に接合して設け
られる伝熱部材とを備えてなり、カバーは、このカバー
の少なくとも前記冷熱源に対向する部分と伝熱部材の接
合部分とを含む領域が熱伝導性を有する材料で形成され
ている。

【０００８】このような構成とすれば、伝熱部材を介し
て第２の電子部品の熱がカバーを暖めるため、冷熱源に
よるカバーの温度の低下を防ぐ。このため、大気中に曝
されているカバーの外側表面での結露や着霜などの発生
を抑え、結露や着霜などから生じる水滴などによる電子
部品や基板、さらに基板の端子部分などでの不具合を低
減し、半導体装置の動作の安定性を向上することができ
る。

【０００９】さらに、カバーと基板とをシーリング部材
を介して固定すれば、カバーと基板との間の空間を密閉
状態にでき、外部からの湿気の侵入を防げるので好まし
い。

【００１０】また、カバーと基板との間の空間に窒素、
または低温度の空気が充填されていれば、カバーと基板
との間の空間での結露や着霜などの発生を確実に抑える
ことができるので好ましい。さらに、カバーと基板との
間の空間に除湿手段を備えれば、カバーと基板との間の
空間を除湿することができ、カバーと基板との間の空間
に湿気が含まれていても結露や着霜などの発生を抑える
ことができるので好ましい。

【００１１】また、カバーの外側表面の伝熱部材に対応
する位置に放熱用のフィンを設ければ、第２の電子部品
を効率よく冷却できるので好ましい。

【００１２】また、基板の第１の電子部品が搭載された
面と反対側の面のカバーに対応する領域を覆って固定さ
れた熱伝導性を有する裏面カバーを備えれば、裏面カバ
ーと基板との間の空間での結露や着霜などの発生を抑え
ることができるので好ましい。

【００１３】さらに、基板の第１の電子部品が搭載され
た面と反対側の面に搭載された第３の電子部品を備え、
裏面カバーが第３の電子部品を内包し、この第３の電子
部品と裏面カバーとが伝熱部材で熱的に接合されていれ
ば、裏面カバーの外側表面での結露や着霜などの発生を
抑えることができるので好ましい。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用してなる半導
体装置の一実施形態を図１乃至図２を参照して説明す
る。図１は、本発明を適用してなる半導体装置のの平面
図である。図２は、図１のＡ−Ａでの矢視図である。な
お、本実施形態の半導体装置は、半導体チップ間の通信
時間を短縮し、また半導体装置を設置する装置類をコン
パクト化するため、論理ＬＳＩチップなどからなる論理
モジュールと、メモリチップやメモリコントロールチッ
プなどの記憶用チップなどからなる記憶モジュールなど
を１枚のプリント配線基板上に一括して搭載し、1枚の
半導体装置で１つのプロセッサユニットを形成したもの
である。これらの半導体チップの内、ＣＭＯＳ素子から
なる論理ＬＳＩチップは、低温化による動作速度の高速
化効果が大きく、メモリチップやメモリコントロールチ
ップでは低温化による高速化効果はほとんどない。

【００１５】本実施形態の半導体装置１は、図１及び図
２に示すように、プリント配線基板３の片側の面の中央
部にＣＭＯＳ素子からなる１つの論理ＬＳＩチップ５が
入出力ピン９を介して、論理ＬＳＩチップ５の周囲に複
数の記憶用チップ７が入出力ピン１１を介して搭載さ
れ、また、論理モジュールや記憶モジュールなどを構成
する図示していないその他の電子部品などが搭載されて
いる。論理ＬＳＩチップ５には、冷熱源として、冷媒が
循環する冷却部１３の冷却ヘッド１５が密着されてい
る。論理ＬＳＩチップ５、冷却ヘッド１５、そして論理
ＬＳＩチップ５周囲に隣接する記憶用チップ７などは、
熱伝導性であり湿気を通さない部材、例えばアルミニウ
ム、銅などの金属やセラミックなどからなる四角い箱型
のカバーであるキャップ１７で覆われている。また、基
板３の論理ＬＳＩチップ５が搭載されている側の面と反
対側の面、すなわち基板３の裏面のキャップ１７に対応
する位置をキャップ１７と同じ材質の裏面カバーである
キャップ１９で覆っている。

【００１６】キャップ１７、１９は、各々の周縁部２
１、２３に備えられたシーリング部材であり、合成ゴム
などの弾性部材からなるＯリング２４、２５などで基板
３に密着しており、キャップ１７の周縁部２１、基板
３、そしてキャップ１９の周縁部２３の各々の対応する
位置に穿設された貫通孔に挿通されたボルト２６とボル
ト２６に対応するナット２７との螺合により基板３に固
定されている。このように、基板３の結露または着霜な
どが発生する領域には、基板３とキャップ１７、そして
基板３とキャップ１９によって密閉状態の空間２９、３
１が形成されており、この密閉空間２９、３１には、低
湿度の空気や窒素などの気体が封入されている。キャッ
プ１７で覆われた空間２９中にある記憶用チップ７とキ
ャップ１７とは、キャップ１７、１９と同様の熱伝導性
の材料からなり、記憶用チップ７とキャップ１７とに密
着したブロック状の伝熱部材３３で連結されている。な
お、キャップ１７と冷却ヘッド１５との間には、冷却ヘ
ッド１５によってキャップ１７が直接冷やされないよう
に間隙を有している。

【００１７】冷却部１３は、前述の冷却ヘッド１５、冷
却ヘッド１５に連通し、冷却ヘッド１５と反対側の端部
にカプラー３５を備えた２本の配管３６、カプラー３５
に対応するカプラー３７を一方の端部に備えた配管３
９、配管３９の他方の端部に連結されたコンプレッサな
どの図示していない冷媒循環装置、そして、この冷媒循
環装置から配管３６、３９を介して冷却ヘッド１５を循
環する冷媒などで構成されている。配管３６の冷却ヘッ
ド１５との連通部４１は、配管３６の他の部分よりも径
が太く形成されており、この連通部４１が、キャップ１
７の連通部４１に対応する位置に形成された貫通孔に挿
入されている。キャップ１７と配管３６の連通部４１と
は、キャップ１７の連通部４１が挿入される貫通孔に備
えられたシーリング部材であるＯリング４３などにより
密着しており、空間２９を密閉状態に保っている。ま
た、配管３６のキャップ１７の外側に在る部分は、断熱
材で被覆されており、さらに断熱材の外側には、断熱テ
ープが巻かれている。

【００１８】このような半導体装置１は、プリント配線
基板３の１つの縁部に、形成された端子部４５を有して
おり、この端子部４５を大形の配線基板であるバックボ
ード４６に設けられたスロット４７に挿入することで、
バックボード４６に電気的に接続されると共に、固定さ
れている。なお、プリント配線基板３の周囲には、端子
部４５が設けられた縁部に沿う方向、すなわち矢印４９
の方向にキャップ１７、１９の外側にある記憶用チップ
７などの電子部品を冷却するための冷却風が流れてい
る。なお、図１は、カプラー３５と３７を外し、配管３
９を取り除いた状態を示してある。

【００１９】ここで、半導体装置１を組み立てる場合、
プリント配線基板３上に論理ＬＳＩチップ５と記憶用チ
ップ７、またその他の電子部品を搭載した後、低湿度雰
囲気中で伝熱部材３３とキャップ１７、１９を取り付け
ることで、空間２９、３１内で結露や着霜が発生し難い
状態にしている。また、キャップ１７、１９内の空間２
９、３１に窒素や低温度の空気などを充填してもよい。

【００２０】このような構成の本発明に係る半導体装置
の動作と特徴部について説明する。論理ＬＳＩチップ５
は、冷却ヘッド１５によって低温、例えば約２０℃から
０℃に冷却されており、これによって動作速度が例えば
約１０％から２０％程度速くなる。一方、記憶用チップ
７は、通常、約７０℃から８５℃程度の温度に冷却され
ていればよく、論理ＬＳＩチップ５と同様の温度にまで
冷却する必要はない。このため、キャップ１７で覆われ
ていない記憶用チップ７は、室温、例えば約２０℃から
２５℃の冷却風により冷却されている。なお、論理ＬＳ
Ｉチップ５や記憶用チップ７の冷却温度は、各チップを
構成する半導体素子の種類で、さらに論理ＬＳＩチップ
５では、冷却による高速化効果と冷却に用するエネルギ
ーなどの兼ね合いで決定されるものである。

【００２１】このように冷却部１３で論理ＬＳＩチップ
５が冷却されることにより、基板３の論理ＬＳＩチップ
５が搭載されている部分とその周囲部分の表面温度は、
論理ＬＳＩチップ５の周囲の空気の露点よりも低くな
る。このため、キャップ１７、１９が取付けられていな
い状態では、雰囲気中の湿気により結露や着霜などが発
生する。これに対し、本実施形態では、論理ＬＳＩチッ
プ５や基板３の論理ＬＳＩチップ５が搭載されている部
分とその周囲部分など、すなわち表面温度が周囲空気の
露点以下になる部分をキャップ１７、１９により覆い、
キャップ１７、１９によって密閉された空間２９、３１
の内部には低湿度の気体が封入されている。このため、
基板３や論理ＬＳＩチップ５の表面に結露や着霜などが
生じ難く、空間２９、３１内は乾燥状態に保たれてい
る。一方、キャップ１７、１９の外側表面は大気中に曝
されているため、キャップ１７、１９の外側表面の温度
が周囲の空気の露点よりも低くなると、キャップ１７、
１９の外側表面に結露や着霜などが発生する。このキャ
ップ１７、１９の外側表面での結露や着霜によって生じ
た水滴などが、基板３のキャップ１７、１９で覆われて
いない部分や、基板３のキャップ１７、１９で覆われて
いない電子部品、さらに端子部４５などに付着した場
合、短絡や腐蝕などが起こり、半導体装置１の動作に不
具合が生じる。

【００２２】ところで、本実施形態では、基板３の論理
ＬＳＩチップ５が搭載されている側と反対側の面に設け
られたキャップ１９は、基板３の論理ＬＳＩチップ５が
搭載されている側の面に設けられたキャップ１７に比べ
外側表面の温度が高くなるため、矢印４９方向に流れて
いる室温、またはキャップ１７、１９の外側の風上側に
ある記憶用チップ７などの発熱性の電子部品を冷却する
ことで室温以上の温度になった冷却風により暖められる
ことで結露や着霜などは発生し難くなっている。しか
し、冷却ヘッド１５を空間２９内に有しているキャップ
１７では、キャップ１９よりも外側表面の温度が低くな
り、冷却風のみでは、結露や着霜などの発生を防ぐこと
は難しい。このため、論理ＬＳＩチップ５の周囲に隣接
して搭載された記憶用チップ７をキャップ１７で覆い、
記憶用チップ７とキャップ１７を熱伝導性の伝熱部材３
３で連結している。これにより、記憶用チップ７の熱が
キャップ１７に伝わり、キャップ１７の外側表面温度を
上昇させるため、キャップ１７の外側表面の結露または
着霜などの発生を防ぐことができる。また、キャップ１
７で覆われた記憶用チップ７は、キャップ７に熱を奪わ
れることで冷却されている。

【００２３】このように、本実施形態の半導体装置１で
は、キャップ１７、１９と基板３との間の空間２９、３
１が乾燥状態にあり、かつ、キャップ１７が記憶用チッ
プ７を覆い、伝熱部材３３を介して記憶用チップ７の熱
がキャップ１７を暖めることで、低温化する空間２９、
３１とキャップ１７の外側表面での結露や着霜などの発
生を抑えることができる。すなわち、基板３、基板３の
端子部４５、論理ＬＳＩチップ５、記憶用チップ７、そ
して図示していないその他の電子部品などへの水滴など
の付着による不具合が発生し難くなるため、動作の安定
性を向上することができる。

【００２４】さらに、本実施形態では、キャップ１７、
１９と基板３との間の密閉状態の空間２９、３１内には
低湿度の気体が満たされているため、密閉空間内の湿度
を調整するための除湿装置などは必要なく、半導体装置
１のコンパクト性を損なわない。また、キャップ１７、
１９の外側にある記憶用チップ７などの冷却は空冷で、
キャップ１７に覆われている記憶用チップ７などの冷却
は、伝熱部材３３を介してキャップ１７に熱が移動する
ことで行なわれること、さらに冷却部１３は論理ＬＳＩ
チップ５以外の電子部品を冷却する必要がほとんどない
ため冷却効率がよく、冷却に用するコストを抑えること
ができる。また、半導体装置１の交換は、冷却部１３の
カプラー３５、３７を外し、バックボード４６のスロッ
ト４７から基板３の端子部４５を引き抜くことで半導体
装置１をバックボード４６から取り外し、逆の手順で別
の半導体装置１をバックボード４６に固定するだけでよ
いため、半導体装置１の交換作業が極めて容易にでき、
交換作業に要する時間も短くできる。

【００２５】また、本実施形態では、論理ＬＳＩチップ
５と、論理ＬＳＩチップ５の周囲に隣接する記憶用チッ
プ７をキャップ１７で、基板３の裏面のキャップ１７に
対応する位置をキャップ１９で覆ったが、キャップ１
７、１９によって冷却風の流れが遮られるため、キャッ
プ１７、１９の風下側に位置する記憶用チップ７などが
十分に冷却されない場合がある。このような場合には、
図３に示すように、基板３に搭載された全ての記憶用チ
ップ７をキャップ１７内に封入すればよい。このとき、
キャップ１７と全ての記憶用チップ７との間に熱伝導性
の伝熱部材３３を設ければ、全ての記憶用チップ７を効
率よく冷却できる。さらに、キャップ１７で覆われた記
憶用チップ７の冷却効果が不足する場合には、図４に示
すように、キャップ１７の外側表面の伝熱部材３３に対
応する位置に、放熱用のフィン５０を設ければよい。

【００２６】さらに、本実施形態では、キャップ１７、
１９は、各々熱伝導性の材料で一体に形成されていた
が、各々の周縁部２１、２３を熱伝導性を有していない
別の材料で形成し、これらの周縁部２１、２３にＯリン
グなどを介して熱伝導性の部材を固定するような構成と
してもよい。

【００２７】また、本実施形態では、キャップ１９の外
側表面での結露や着霜などの発生は、矢印４９方向の冷
却風によってキャップ１９の外側表面の温度が上昇する
ことで防げているが、論理ＬＳＩチップ５の冷却温度な
どの条件によっては、冷却風のみではキャップ１９の外
側表面での結露や着霜などの発生を防げない場合があ
る。このような場合には、キャップ１７、１９の各々の
周縁部２１、２５が当接する基板３の位置に、キャップ
１７の熱をキャップ１９に伝えるための熱伝導性の部材
からなる熱伝導経路を設ければよい。さらに、端子部４
５を除いて、基板３をキャップ１７、１９の中に完全に
覆い、キャップ１７の周縁部２１とキャップ１９の周縁
部２３とがＯリングなどのシーリング部材を挟み込む部
分以外の部分で接するようにして、キャップ１７の熱を
キャップ１９に伝えるようにしてもよい。さらに、もし
基板３の裏面に発熱性の電子部品、例えばコンデンサ５
１などが搭載されている場合には、図５に示すように、
キャップ１９を、コンデンサ５１を覆うように設置し、
伝熱部材３３と同様の材料からなり、キャップ１９とコ
ンデンサ５１とに密着した熱伝導性の伝熱部材５３を設
ければよい。また、もし論理ＬＳＩチップ５の冷却温度
などの条件によって、基板３の裏面での結露や着霜など
が発生しない場合には、キャップ１９を設けなくてもよ
い。

【００２８】また、本実施形態では空間２９、３１に低
湿度の空気などを封入したが、図５に示すように、空間
２９、３１に乾燥剤を内包する除湿手段５５を備え、空
間２９、３１に通常の製造環境の空気などを封入するよ
うにしてもよい。乾燥剤としては、例えば酸化マグネシ
ウム、無水塩化カルシウム、シリカゲルなど、粒状や塊
状の様々な乾燥剤を用いることができる。このような、
除湿手段５５を備えた半導体装置１では、乾燥気体雰囲
気中で、キャップ１７、１９などを取り付ける作業や、
キャップ１７、１９などを取り付けるときに窒素パージ
する作業などが必要なくなるため、半導体装置１の組み
立て作業を簡素化できる。

【００２９】また、本実施形態では、ボルト２６とナッ
ト２７によりキャップ１７、１９を基板３に固定した
が、基板３にキャップ１７、１９を固定できれば、どの
ような固定方法を用いてもよい。例えば接着剤によりキ
ャップ１７、１９を基板３に固定してもよい。この場
合、接着剤によりキャップ１７、１９と基板３との気密
性が十分に保たれるならば、Ｏリング２１、２３などの
シーリング部材は使用しなくてもよい。さらに、キャッ
プの形状は、四角い箱型である必要はない。

【００３０】また、本実施形態では、キャップ１７を暖
めるための電子部品として記憶用チップ７を用いたが、
記憶用チップ７のような電子部品が基板３に搭載されて
いない場合は、その他の発熱性の高い電子部品、例えば
コンデンサなどを伝熱部材によりキャップ１７に連結
し、キャップ１７の温度を上昇させるようにすればよ
い。

【００３１】また、本実施形態では、ＣＭＯＳ素子から
なる論理ＬＳＩチップ５を搭載しているが、本発明はこ
れに限らず、冷媒などによる冷却手段を必要とする様々
な電子部品、例えばＨＥＭＴ素子などからなる半導体チ
ップなどを搭載した半導体装置などにも適用できる。さ
らに、本実施形態では、冷熱源として冷媒が通流する冷
却ヘッド１５を用いているが、本発明はこれに限らず、
ペルチェ素子やヒートパイプなど様々な冷熱源を備えた
半導体装置に適用することができる。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、半導体装置の動作の安
定性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用してなる半導体装置の一実施形態
の平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａでの矢視図である。

【図３】本発明を適用してなる半導体装置の別の実施形
態を示す図である。

【図４】本発明を適用してなる半導体装置の別の実施形
態を示す図である。

【図５】本発明を適用してなる半導体装置の別の実施形
態を示す図である。

【図６】本発明を適用してなる半導体装置の別の実施形
態を示す図である。

【符号の説明】

１半導体装置３プリント配線基板５論理ＬＳＩチップ７記憶用チップ１３冷却部１５冷却ヘッド１７，１９キャップ３３伝熱部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者印南民雄茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (72)発明者出居昭男神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立製作所汎用コンピュータ事業部内Ｆターム(参考） 5E322 AA05 AA11 AB06 AB11 BB04 BC05 DC01 EA03 FA01 FA02 FA04 FA09 5F036 AA01 BB05 BB14 BB21 BB23

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、該基板に搭載された第１と第２
の電子部品と、前記第１と第２の電子部品を内包して前
記基板に固定されたカバーと、前記第１の電子部品に熱
的に接合して前記カバー内部に設けられた冷熱源と、前
記第２の電子部品と前記カバーとを熱的に接合して設け
られる伝熱部材とを備えてなり、前記カバーは、該カバ
ーの少なくとも前記冷熱源に対向する部分と前記伝熱部
材の接合部分とを含む領域が熱伝導性を有する材料で形
成されている半導体装置。
【請求項２】前記カバーと前記基板との間の空間に窒
素、または低温度の空気が充填されていることを特徴と
する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】前記カバーと前記基板との間の空間に除
湿手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置。
【請求項４】前記カバーの外側表面の前記伝熱部材に
対応する位置に放熱用のフィンを設けたことを特徴とす
る請求項１乃至３に記載の半導体装置。
【請求項５】前記基板の前記第１の電子部品が搭載さ
れた面と反対側の面の前記カバーに対応する領域を覆っ
て固定された熱伝導性を有する裏面カバーを備えてなる
ことを特徴とする請求項１乃至４に記載の半導体装置。
【請求項６】前記基板の前記第１の電子部品が搭載さ
れた面と反対側の面に搭載された第３の電子部品を備
え、前記裏面カバーが前記第３の電子部品を内包し、該
第３の電子部品と前記裏面カバーとが伝熱部材で熱的に
接合されていることを特徴とする請求項５に記載の半導
体装置。