JP2001015574A - Wafer transfer apparatus - Google Patents

Wafer transfer apparatus

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JP2001015574A
JP2001015574A JP18783999A JP18783999A JP2001015574A JP 2001015574 A JP2001015574 A JP 2001015574A JP 18783999 A JP18783999 A JP 18783999A JP 18783999 A JP18783999 A JP 18783999A JP 2001015574 A JP2001015574 A JP 2001015574A
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Miki Shima
美希 島
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer transfer apparatus having a simple structure at low costs. SOLUTION: This wafer transfer apparatus includes: a movable transfer device having thrust-up pins 12 upwardly or downwardly movable while supporting at least a wafer 1, induction field receiving means 10, and driving means 11 for driving the pins with an induction field; a guide rail 8 for regulating a moving path of the device 2; and induction field generating means 9 for applying the induction field to the means 10 of the device 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はウェハ搬送装置、特
に、半導体製造工程において、複数の半導体製造装置間
をウェハ搬送するウェハ搬送装置に関するものである。
The present invention relates to a wafer transfer apparatus, and more particularly to a wafer transfer apparatus for transferring a wafer between a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses in a semiconductor manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路の製造工程においては、
様々なウェハの処理を行うために種々の半導体製造装置
間にわたってウェハを搬送しなければならない。そのよ
うなウェハ搬送装置の1つとしてリニアモーターを用い
た磁気浮上型ウェハ搬送装置がある。例えばフォトリソ
グラフィ工程におけるステッパー、コーター、デベロッ
パーの各装置間を枚葉式で搬送、処理するような場合に
これが用いられる。
2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit,
In order to process various wafers, wafers must be transported between various semiconductor manufacturing apparatuses. As one of such wafer transfer apparatuses, there is a magnetic levitation type wafer transfer apparatus using a linear motor. This is used, for example, in a case where a single wafer is transported and processed between apparatuses such as a stepper, a coater, and a developer in a photolithography process.

【0003】磁気浮上型ウェハ搬送装置はウェハを積載
した搬送装置が浮上するので周囲と非接触となり、塵埃
の発生を防ぐという特徴があり、この特徴のため、磁気
浮上型ウェハ搬送装置へのウェハ積載は浮上状態で行う
必要がある。このようなウェハ搬送装置としては、例え
ば特開平4−132238号公報に記載されている装置
があり、以下図面を参照しながらこの従来のウェハ搬送
装置について説明する。
The magnetic levitation type wafer transfer device has a feature that the transfer device on which the wafers are loaded floats and is not in contact with the surroundings, thereby preventing generation of dust. Therefore, the wafer is transferred to the magnetic levitation type wafer transfer device. Loading must be performed in a floating state. As such a wafer transfer device, there is, for example, a device described in JP-A-4-132238. The conventional wafer transfer device will be described below with reference to the drawings.

【0004】図3は従来のウェハ搬送装置の断面図であ
り、この装置においては、ウェハ1は紙面に垂直な方向
に搬送されるものである。図中、1はウェハ、2はウェ
ハ1を積載して搬送する磁気浮上型の搬送装置で、その
内部にはアルミ板3と、希土類永久磁石4が埋め込まれ
ている。5は磁気浮上用磁力コイル、6は横方向ガイド
用磁力コイル、8はガイドレール、12は突き上げピ
ン、16は突き上げピン通過孔である。ここで突き上げ
ピン12は外部に設けられたウェハ積載装置により機械
的に駆動されるものであり、その駆動部はガイドレール
側に設置されており、例えばエアーシリンダーで数cm
上方へピンを持ち上げるように構成されている。なお、
図3は搬送装置2が停止し、ウェハ1が突き上げピン1
2でリフトアップされた状態にあることを示している。
FIG. 3 is a sectional view of a conventional wafer transfer device, in which a wafer 1 is transferred in a direction perpendicular to the plane of the drawing. In the figure, reference numeral 1 denotes a wafer, and 2 denotes a magnetic levitation type transfer device for loading and transferring the wafer 1, and an aluminum plate 3 and a rare earth permanent magnet 4 are embedded therein. 5 is a magnetic levitation magnetic coil, 6 is a lateral guiding magnetic coil, 8 is a guide rail, 12 is a push-up pin, and 16 is a push-up pin passage hole. Here, the push-up pins 12 are mechanically driven by a wafer loading device provided outside, and the drive unit is installed on the guide rail side.
It is configured to lift the pin upward. In addition,
FIG. 3 shows that the transfer device 2 is stopped and the wafer 1 is
2 indicates that it is in a state of being lifted up.

【0005】以下その動作について説明する。まず、ガ
イドレール8に設置した磁気浮上用磁力コイル5および
横方向ガイド用磁力コイル6に、搬送装置2に取り付け
られた永久磁石4と反発力が働く極性、つまり同極性と
なるような磁界を発生させることによって、搬送装置2
とガイドレールとの隙間を1〜5mm程度安定に浮上さ
せることができる。推進力発生用コイル7に交流電流を
流すことにより発生する磁界と、アルミ板3表面に発生
するうず電流とにより、ローレンツ力に基づく推力を発
生し、ウェハ1は搬送装置2に積載された状態で搬送さ
れる。ウェハ1の脱着時には、搬送装置2に4箇所設置
した(図3では2箇所しか見えていない)、突き上げピ
ン通過孔16を通し、ガイドレール8に設置した実際に
は4本の突き上げピン12により、ウェハ1をリフトア
ップあるいはダウンすることができる。リフトアップし
たウェハは、図示しないウェハ搬送アームによりウェハ
を搬送装置2から移動する。
The operation will be described below. First, to the magnetic levitation magnetic force coil 5 and the lateral direction magnetic force coil 6 installed on the guide rail 8, a magnetic field having the same polarity as that of the repulsive force acting on the permanent magnet 4 mounted on the transfer device 2, that is, the same polarity is applied. By causing the transfer device 2
And the guide rail can be stably floated by about 1 to 5 mm. A thrust based on Lorentz force is generated by a magnetic field generated by passing an alternating current through the thrust generating coil 7 and an eddy current generated on the surface of the aluminum plate 3, and the wafer 1 is loaded on the transfer device 2. Conveyed by. At the time of attaching and detaching the wafer 1, four positions are set on the transfer device 2 (only two positions are visible in FIG. 3). The wafer 1 can be lifted up or down. The lifted-up wafer is moved from the transfer device 2 by a wafer transfer arm (not shown).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成では、搬送装置2からのウェハ1の移動、ある
いは搬送装置2へのウェハ1の積載が必要な箇所、つま
り半導体製造装置が設置されている箇所のガイドレール
側に、突き上げピン12およびその駆動装置を組み込む
必要がある。このためウェハ搬送装置2とウェハの受け
渡しを行う箇所が多くなるほど、それらと同数の突き上
げピン12およびその駆動装置を設けなければならない
ので、構造が複雑になり、装置としてコスト高となると
いう問題点があった。
However, in such a configuration, a portion where movement of the wafer 1 from the transfer device 2 or loading of the wafer 1 onto the transfer device 2 is required, that is, a semiconductor manufacturing apparatus is installed. It is necessary to incorporate the push-up pin 12 and its driving device on the guide rail side where it is located. For this reason, as the number of locations where the wafer is transferred to and from the wafer transfer device 2 increases, the same number of push-up pins 12 and their driving devices must be provided, which complicates the structure and increases the cost of the device. was there.

【0007】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
であり、低コストで簡易な構造を持つウェハ搬送装置を
提供することを目的とするものである。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a low-cost and simple wafer transfer apparatus.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のウェハ搬送装置
は、少なくともウェハを支持しつつ上方または下方へ移
動可能な突き上げピンと、誘導磁場受信手段と、前記誘
導磁場によって前記突き上げピンを駆動させる駆動手段
を有する移動可能な搬送装置及び前記搬送装置の移動経
路を規定するガイドレール並びに前記搬送装置の誘導磁
場受信手段に誘導磁場を印可する誘導磁場発生手段を備
えたものである。
According to the present invention, there is provided a wafer transfer apparatus comprising: a push-up pin capable of moving at least upward or downward while supporting a wafer; an induced magnetic field receiving means; and a drive for driving the push-up pin by the induced magnetic field. And a guide rail for defining a moving path of the transfer device, and a guide magnetic field generating means for applying a guide magnetic field to the guide magnetic field receiving means of the transfer device.

【0009】この発明によれば、ウェハ搬送装置自体に
ウェハをリフトアップする手段を設けているので、ウェ
ハ搬送先が増えてもそのために従来のように設備が増え
ることはほとんどなく、大幅なコストダウンが可能とな
る。
According to the present invention, the means for lifting up the wafer is provided in the wafer transfer apparatus itself. Therefore, even if the number of wafer transfer destinations increases, the number of facilities hardly increases as in the prior art, resulting in a large cost. Down becomes possible.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。なお、前記従来のも
のと同一の部分については同一符号を用いるものとす
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that the same reference numerals are used for the same parts as those of the related art.

【0011】図1は本発明のウェハ搬送装置の一実施の
形態における構成を示す断面図であり、図1(a)はウ
ェハの積載状態、図1(b)はウェハの搬送状態を示し
ている。図中、1はウェハ、2はウェハ1を積層して搬
送する磁気浮上型の搬送装置であり、内部にアルミ板
3、希土類永久磁石4が埋め込まれている。5は磁気浮
上用磁力コイル、6は横方向ガイド用磁力コイル、7は
搬送装置2の推進力発生コイル、8はガイドレール、9
は誘導磁場発生コイル、10は誘導磁場受信コイル、1
1は突き上げピン駆動コイルで搬送装置2に固定されて
磁力を発生する構造であり、搬送装置2に埋め込まれて
いる。12は突き上げピン、13は突き上げピンを覆う
カバー、14は整流回路、15は突き上げピンシリンダ
ーである。なお、この図1に示されるウェハ1は搬送装
置2により紙面と垂直な方向へ移動され、そしてウェハ
1は、突き上げピン12によって支持されたリフトアッ
プ状態におかれている。
FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of an embodiment of a wafer transfer apparatus according to the present invention. FIG. 1 (a) shows a loaded state of a wafer, and FIG. 1 (b) shows a transferred state of a wafer. I have. In the figure, reference numeral 1 denotes a wafer, and 2 denotes a magnetic levitation type transfer device for transferring and stacking the wafer 1, and an aluminum plate 3 and a rare earth permanent magnet 4 are embedded therein. 5 is a magnetic levitation magnetic coil, 6 is a lateral guiding magnetic coil, 7 is a propulsion generating coil of the transfer device 2, 8 is a guide rail, 9
Is an induction magnetic field generating coil, 10 is an induction magnetic field receiving coil, 1
Reference numeral 1 denotes a structure in which a push-up pin driving coil is fixed to the transfer device 2 to generate a magnetic force, and is embedded in the transfer device 2. 12 is a push-up pin, 13 is a cover for covering the push-up pin, 14 is a rectifier circuit, and 15 is a push-up pin cylinder. The wafer 1 shown in FIG. 1 is moved by the transfer device 2 in a direction perpendicular to the plane of the paper, and the wafer 1 is in a lift-up state supported by the push-up pins 12.

【0012】以上のように構成されたウェハ搬送装置に
ついて、以下その動作を説明する。まず、搬送装置2
は、希土類永久磁石4と磁気浮上用磁力コイル5との反
発作用でガイド側から5mm程度浮上し、希土類永久磁
石4と横方向ガイド用磁力コイル6との反発でガイドレ
ール8と5mm程度の隙間を安定に維持する。
The operation of the thus configured wafer transfer device will be described below. First, the transport device 2
Is lifted about 5 mm from the guide side by the repulsive action of the rare earth permanent magnet 4 and the magnetic levitation magnetic coil 5, and the gap of about 5 mm from the guide rail 8 by the repulsion of the rare earth permanent magnet 4 and the lateral guide magnetic coil 6. Is kept stable.

【0013】この搬送装置2において1回のウェハ受け
渡し時の突き上げピン12によるリフトアップは、搬送
装置2の浮上状態で行われ、ガイドレール8側に設けら
れているウェハ積載装置(図示省略)により制御され
る。具体的には、このウェハ積載装置が誘導磁場発生コ
イル9に交流電流を流すことにより、非接触で誘導磁場
受信コイル10に電力を伝え、伝達された交流電流は整
流回路14を経てほぼ直流電流として、突き上げピン駆
動コイル11に伝達され、ほぼ直流の磁場として突き上
げピン12の最下部に取り付けられた別の希土類永久磁
石4との間に反発力を発生し、突き上げピンを5mm程
度押し上げ、ウェハ1を搬送装置2の表面から測定し
て、上方に4mm程度持ち上げる。持ち上げるために要
する時間は0.5〜1秒程度が標準であるが、このスピ
ードは誘導磁場発生コイル9に投入する電力を変更する
ことで、従来の機械的駆動方式に比べて自由にかつ容易
に変更することができる。駆動スピードは処理工程の必
要な時間短縮などに応じて設定すればよい。
The lift-up by the push-up pins 12 in one transfer of the wafer in the transfer device 2 is performed in a floating state of the transfer device 2, and is performed by a wafer stacking device (not shown) provided on the guide rail 8 side. Controlled. More specifically, the wafer loading apparatus transmits an AC current to the induction magnetic field generating coil 9 so that power is transmitted to the induction magnetic field receiving coil 10 in a non-contact manner. As a result, a repulsive force is generated between the push-up pin driving coil 11 and another rare-earth permanent magnet 4 attached to the lowermost part of the push-up pin 12 as a substantially DC magnetic field, and the push-up pin is pushed up by about 5 mm, and the wafer 1 is measured from the surface of the transfer device 2 and lifted upward by about 4 mm. The time required for lifting is typically about 0.5 to 1 second, but this speed can be freely and easily compared to the conventional mechanical drive system by changing the power supplied to the induction magnetic field generating coil 9. Can be changed to The driving speed may be set according to the required time reduction of the processing step.

【0014】突き上げピン12は搬送装置2の側に4個
配置することで、安定してウェハ1をリフトアップする
ことができる。リフトアップしたウェハ1はウェハ搬送
アーム等により容易にウェハを搬送装置2から移載をす
ることができる。
By arranging four push-up pins 12 on the side of the transfer device 2, the wafer 1 can be lifted up stably. The lifted-up wafer 1 can be easily transferred from the transfer device 2 by a wafer transfer arm or the like.

【0015】このように搬送装置2に積載されるウェハ
1の搬送途中の状態は図1(b)に示すように、ウェハ
1はリフトアップされず、図1(a)に表示されている
突き上げピン12の駆動用の誘導磁場発生コイル9はな
い。このウェハ1をリフトアップしていない搬送中の定
常状態では、ウェハ1は搬送装置2の端部に設けた0.
5mm程度の段差により固定されており、搬送装置2の
加減速時におけるウェハ移動で搬送装置2の表面とウェ
ハ1の裏面が擦れて塵埃が発生することを抑制する効果
がある。
As shown in FIG. 1B, the wafer 1 loaded on the transfer device 2 is not lifted up as shown in FIG. There is no induction magnetic field generating coil 9 for driving the pin 12. In the steady state during the transfer without lifting the wafer 1, the wafer 1 is provided at the end of the transfer device 2.
It is fixed by a step of about 5 mm, and has an effect of suppressing generation of dust due to friction between the front surface of the transfer device 2 and the back surface of the wafer 1 due to wafer movement when the transfer device 2 is accelerated or decelerated.

【0016】なお、本実施の形態では、突き上げピンが
下降した状態の時、ウェハ1が動かないように搬送装置
2の、ウェハ外周部に相当する部分に段差を付けている
が、この代わりにウェハ外周部に相当する搬送装置2の
表面に3点以上の突起物を設け、ウェハ1を固定しても
良い。
In the present embodiment, a step is provided at a portion corresponding to the outer peripheral portion of the wafer of the transfer device 2 so that the wafer 1 does not move when the push-up pins are lowered. The wafer 1 may be fixed by providing three or more projections on the surface of the transfer device 2 corresponding to the outer peripheral portion of the wafer.

【0017】図2は図1に示した搬送装置に用いられる
突き上げピンの断面図であり、突き上げピン12、突き
上げピンカバー13、希土類永久磁石4と突き上げピン
12を収める突き上げピンシリンダー15からなる密閉
構造で構成され、実際の突き上げピン駆動時、突き上げ
ピン12自体からの塵埃の発生を抑制する。この突き上
げピンの駆動部、すなわち、希土類永久磁石4と突き上
げピンシリンダー15からなる部分は搬送装置2から取
り外しができるように、図1からも明らかなように搬送
装置2に差し込む構造になっている。このため、搬送装
置2および突き上げピン12の洗浄は容易であり、ピン
に付着していたダストを容易に除去することができる。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a push-up pin used in the transfer device shown in FIG. It has a structure and suppresses the generation of dust from the push-up pins 12 during the actual drive of the push-up pins. The drive portion of the push-up pin, that is, the portion composed of the rare-earth permanent magnet 4 and the push-up pin cylinder 15 is configured to be inserted into the transfer device 2 as can be seen from FIG. . Therefore, cleaning of the transport device 2 and the push-up pins 12 is easy, and dust attached to the pins can be easily removed.

【0018】搬送装置2はガイドレール8などとは非接
触であるが、積載するウェハ1とは裏面で接触している
ので、例えばレジスト塗布後のウェハなどを積載するこ
とによって搬送装置2にレジストなどのパーティクルが
付着することも考えられるが、このように希土類永久磁
石4と突き上げピンシリンダー15からなる部分を差し
込めるようにしておけば洗浄が容易になる。
The transfer device 2 is not in contact with the guide rails 8 and the like, but is in contact with the wafer 1 to be loaded on the back surface. Although it is conceivable that particles such as particles adhere, cleaning can be facilitated by inserting the portion composed of the rare earth permanent magnet 4 and the push-up pin cylinder 15 in this manner.

【0019】以上のように、本実施の形態によれば、突
き上げピン駆動装置が誘導磁場発生コイルを除いて搬送
装置側に取り付けられているので、ほとんどの駆動装置
が搬送装置に載ったまま移動することになり、ウェハの
搬送先である半導体製造装置の数が増加しても、増える
のは誘導磁場発生コイルだけであり、駆動装置が増加す
ることはない。一方、従来のウェハ搬送装置では、半導
体製造装置の台数だけ突き上げピン12の駆動装置を備
えたウェハ積載装置が必要であるから、半導体製造装置
が多ければ多いほど不利となる。
As described above, according to the present embodiment, since the push-up pin driving device is mounted on the transfer device side except for the induction magnetic field generating coil, most of the drive devices move while mounted on the transfer device. That is, even if the number of semiconductor manufacturing apparatuses to which the wafers are transported increases, only the induction magnetic field generating coils increase, and the number of driving devices does not increase. On the other hand, in the conventional wafer transfer device, a wafer loading device having drive devices for the push-up pins 12 is required for the number of semiconductor manufacturing devices. Therefore, the more semiconductor manufacturing devices, the more disadvantageous.

【0020】また、駆動装置が増加するということは単
にその台数が増加するだけにとどまらず、多くの駆動装
置を制御する制御系も複雑化させ、コストアップ、信頼
性の低下につながるものであるが、本実施の形態による
ウェハ搬送装置では駆動装置が1台であるからきわめて
簡単な制御系で良く、ウェハ積載装置の大幅なコストダ
ウンが可能である。
Further, the increase in the number of drive units not only increases the number of drive units, but also complicates a control system for controlling many drive units, leading to an increase in cost and a decrease in reliability. However, in the wafer transfer device according to the present embodiment, since there is only one driving device, an extremely simple control system is sufficient, and the cost of the wafer loading device can be greatly reduced.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ウェハ搬
送装置自体にウェハをリフトアップする手段を設けてい
るので、ウェハの搬送先である半導体製造装置が増加し
ても、低コストで簡易構造なウェハ搬送装置により、ウ
ェハの移動ができるという有利な効果が得られる。
As described above, according to the present invention, the means for lifting up a wafer is provided in the wafer transfer apparatus itself, so that even if the number of semiconductor manufacturing apparatuses to which the wafer is transferred is increased, the cost is reduced. An advantageous effect that a wafer can be moved can be obtained by a wafer transfer device having a simple structure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のウェハ搬送装置の実施の形態における
構成を示す断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a wafer transfer device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示したウェハ搬送装置に用いられる突き
上げピンの断面図
FIG. 2 is a sectional view of a push-up pin used in the wafer transfer device shown in FIG. 1;

【図3】従来のウェハ搬送装置の断面図FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional wafer transfer device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウェハ 2 搬送装置 3 アルミ板 4 希土類磁石 5 磁気浮上用磁力コイル 6 横方向ガイド用磁力コイル 7 推進力発生コイル 8 ガイドレール 9 誘導磁場発生コイル 10 誘導磁場受信コイル 11 突上げピン駆動コイル 12 突上げピン 13 突上げピンカバー 14 整流回路 15 突き上げピンシリンダー 16 突き上げピン通過孔 REFERENCE SIGNS LIST 1 wafer 2 transfer device 3 aluminum plate 4 rare earth magnet 5 magnetic levitation magnetic coil 6 magnetic coil for lateral guide 7 propulsion force generation coil 8 guide rail 9 induction magnetic field generation coil 10 induction magnetic field reception coil 11 push-up pin drive coil 12 protrusion Raising pin 13 Raising pin cover 14 Rectifier circuit 15 Raising pin cylinder 16 Raising pin passage hole

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくともウェハを支持しつつ上方また
は下方へ移動可能な突き上げピンと、誘導磁場受信手段
と、前記誘導磁場によって前記突き上げピンを駆動させ
る駆動手段を有する移動可能な搬送装置及び前記搬送装
置の移動経路を規定するガイドレール並びに前記搬送装
置の誘導磁場受信手段に誘導磁場を印加する誘導磁場発
生手段を備えたことを特徴とするウェハ搬送装置。
1. A movable transfer device having at least a push-up pin that can move upward or downward while supporting a wafer, an induced magnetic field receiving unit, and a drive unit that drives the push-up pin with the induced magnetic field, and the transfer device. And a guide rail for defining a moving path of the wafer and an induced magnetic field generating means for applying an induced magnetic field to an induced magnetic field receiving means of the transfer device.
【請求項2】 搬送装置は、磁気浮上型の搬送装置であ
ることを特徴とする請求項1記載のウェハ搬送装置。
2. The wafer transfer device according to claim 1, wherein the transfer device is a magnetic levitation type transfer device.
【請求項3】 誘導磁場発生手段は、ウェハを処理する
処理装置の近傍に設置されていることを特徴とする請求
項1または請求項2に記載のウェハ搬送装置。
3. The wafer transfer apparatus according to claim 1, wherein the induction magnetic field generating means is provided near a processing apparatus for processing the wafer.
【請求項4】 駆動手段は、誘導磁場受信手段によって
受信された誘導磁場をほぼ直流の磁場に変換する手段
と、前記突き上げピンの端部に取り付けられ、前記ほぼ
直流の磁場に感応する磁石とからなることを特徴とする
請求項1ないし請求項3のいずれか1つに記載のウェハ
搬送装置。
4. The driving means includes means for converting an induction magnetic field received by the induction magnetic field reception means into a substantially DC magnetic field, and a magnet attached to an end of the push-up pin and responsive to the substantially DC magnetic field. The wafer transfer device according to any one of claims 1 to 3, comprising:
【請求項5】 突き上げピンの周囲には覆いが設けられ
ていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいず
れか1つに記載のウェハ搬送装置。
5. The wafer transfer device according to claim 1, wherein a cover is provided around the push-up pin.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010016415A (en) * 2004-06-01 2010-01-21 Applied Materials Inc Methods and apparatus for supporting substrates
JP2010041888A (en) * 2008-08-07 2010-02-18 Sinfonia Technology Co Ltd Vacuum processing apparatus
KR101208372B1 (en) 2010-07-06 2012-12-05 (주)가온솔루션 Non-contact transfer system using magnet in different region
CN117438370A (en) * 2023-12-21 2024-01-23 无锡星微科技有限公司杭州分公司 Precise ejection mechanism of automatic wafer sorting machine

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010016415A (en) * 2004-06-01 2010-01-21 Applied Materials Inc Methods and apparatus for supporting substrates
JP2010041888A (en) * 2008-08-07 2010-02-18 Sinfonia Technology Co Ltd Vacuum processing apparatus
KR101208372B1 (en) 2010-07-06 2012-12-05 (주)가온솔루션 Non-contact transfer system using magnet in different region
CN117438370A (en) * 2023-12-21 2024-01-23 无锡星微科技有限公司杭州分公司 Precise ejection mechanism of automatic wafer sorting machine
CN117438370B (en) * 2023-12-21 2024-03-19 无锡星微科技有限公司杭州分公司 Precise ejection mechanism of automatic wafer sorting machine

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