JP2001013932A - Matrix type display device and its drive method - Google Patents

Matrix type display device and its drive method

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JP2001013932A
JP2001013932A JP2000147465A JP2000147465A JP2001013932A JP 2001013932 A JP2001013932 A JP 2001013932A JP 2000147465 A JP2000147465 A JP 2000147465A JP 2000147465 A JP2000147465 A JP 2000147465A JP 2001013932 A JP2001013932 A JP 2001013932A
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JP
Japan
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data
display
function
memory
signal
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JP2000147465A
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Japanese (ja)
Inventor
宏之 ▲真▼野
Hiroyuki Mano
Norio Tanaka
紀夫 田中
Shigeyuki Nishitani
茂之 西谷
Masaaki Kitajima
雅明 北島
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain excellent contrast in a method for driving a quick response STN liquid crystal. SOLUTION: This drive method is constituted of a memory means storing plural rows of the display data, a function generation means 22 generating a drive function of a row electrode, an operation means operating the outputs of these means, a column electrode drive means 18 driving a column electrode according to the output of the operation means and a row electrode drive means 24 driving a row electrode according to the row electrode drive function. Since operation object are several rows part, the circuit scale of the memory means, the operation means, etc. is reduced. Further, a voltage applied to a matrix becomes average in a period when the row electrode drive function has values of 1, -1, and the drive suitable for quick response is realized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は液晶駆動方法及びその表
示装置に係り、特に高速応答のSTN(Super T
wisted Nematic)液晶を高コントラスト
表示する駆動方法及びその表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal driving method and a display device thereof, and more particularly to a high-speed response STN (Super T).
The present invention relates to a driving method for displaying high contrast liquid crystal (wisted nematic) liquid crystal and a display device thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、マトリックス構造を持つ液晶表示
装置の駆動方法としてはアイトリプルイー トランジャ
クションズ オン エレクトロン デバイス(IEEE
Transactions on Electron
devices Vol.ED−26,No.5,M
ay1979(PP795〜)のUltimateLi
mits for Matrix Addressin
g of RMS−Responding Liqui
d−Crystal Display及びSID92’
Digest Active Addressing
Methodfor High−Contrast V
ideo−Rate STN Display)に記載
のように行電極に直交性を持つ関数に従った電圧を与
え、列電極にはその列のすべての表示情報と走査側の関
数との積和の関数を与える表示方法が提案されている。
以下、図2〜図5を用いその駆動方法を詳細に説明す
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of driving a liquid crystal display device having a matrix structure, an Itriple-E Transactions on Electron Device (IEEE) has been proposed.
Transactions on Electron
devices Vol. ED-26, no. 5, M
ay1979 (PP795-) UltimateLi
mits for Matrix Addressin
go of RMS-Responding Liqui
d-Crystal Display and SID92 '
Digest Active Addressing
Methodfor High-Contrast V
As described in “ideo-Rate STN Display”, a voltage according to a function having orthogonality is applied to a row electrode, and a function of the sum of products of all display information of the column and a function on a scanning side is applied to a column electrode. A display method has been proposed.
Hereinafter, the driving method will be described in detail with reference to FIGS.

【0003】図2はN行、M列のマトリックス構造の液
晶表示部の構造を示す図であり、行電極と列電極の交点
が表示ドットを構成している。N個の行電極にはそれぞ
れf(1)〜f(N)の関数で示される電圧が印加さ
れ、M個の列電極にはg(1)〜g(M)の関数で示さ
れる電圧が印加される。U(i,j)はi行、j列の交
点のドットに印加される電圧を示し、これは、f(i)
とg(j)の差電圧である。図3は現在STN液晶の駆
動波形として一般的に使用されている行電極に印加され
る直交関数の1例を示す図である。図2、図3を用い現
在STN液晶の駆動方法として一般的に用いられている
駆動方法について説明する。今f(i)が図3の関数で
示されるとするとf(i),g(j)はそれぞれ、式
(1)、式(2)で表すことがでる。
FIG. 2 is a diagram showing the structure of a liquid crystal display unit having a matrix structure of N rows and M columns, where the intersections of row electrodes and column electrodes form display dots. Voltages represented by functions of f (1) to f (N) are applied to the N row electrodes, and voltages represented by functions of g (1) to g (M) are applied to the M column electrodes. Applied. U (i, j) indicates the voltage applied to the dot at the intersection of row i and column j, which is f (i)
And g (j). FIG. 3 is a diagram showing an example of an orthogonal function applied to a row electrode generally used as a drive waveform of an STN liquid crystal at present. A driving method generally used as a driving method of the STN liquid crystal at present will be described with reference to FIGS. Assuming that f (i) is represented by the function in FIG. 3, f (i) and g (j) can be expressed by equations (1) and (2), respectively.

【0004】[0004]

【数8】 (Equation 8)

【0005】ここで、δ(i,t)はi=tで1、i≠
jで0であり、FPは式(3)で与えられる定数で、
Here, δ (i, t) is 1 at i = t, i ≠
j is 0, and FP is a constant given by equation (3).

【0006】[0006]

【数9】 (Equation 9)

【0007】P(i,j)はi行、j列の交点のドット
の表示情報を示し、表示オンの時に−1、表示オフの時
に1となる。この時ドットU(i,j)に印加される電
圧の実行値Urms(i,j)は式(1)(2)(3)
を用い次の様に計算できる。
P (i, j) indicates the display information of the dot at the intersection of the i-th row and j-th column, and becomes -1 when the display is on and 1 when the display is off. At this time, the effective value Urms (i, j) of the voltage applied to the dot U (i, j) is given by the following equations (1), (2), and (3).
Can be calculated as follows.

【0008】[0008]

【数10】 (Equation 10)

【0009】ここでT=Nと置いて変形する。Here, the deformation is performed with T = N.

【0010】[0010]

【数11】 [Equation 11]

【0011】[0011]

【数12】 (Equation 12)

【0012】以上より、Urms(i,j)は式(4)
となる。この時、P(i,j)が表示オンとすると、P
(i,j)=−1となり式(4)は式(5)となり、表
示オフとすると、P(i,j)=1となり式(6)とな
る。
From the above, Urms (i, j) is given by equation (4)
Becomes At this time, if P (i, j) turns on the display,
(I, j) = − 1, and equation (4) becomes equation (5). When the display is turned off, P (i, j) = 1 and equation (6) is obtained.

【0013】[0013]

【数13】 (Equation 13)

【0014】以上より、ドットU(i,j)に印加され
る電圧実効値はそのドットのオン、オフの情報P(i,
j)により式(5)(6)となる。U(i,j)に印加
される電圧波形は(f(i)−g(j))であり式
(1)(2)から図4に示す波形となる。図4において
S1,S2,S3は次式で表される。
As described above, the effective value of the voltage applied to the dot U (i, j) is the information P (i,
j) yields equations (5) and (6). The voltage waveform applied to U (i, j) is (f (i) -g (j)), which is the waveform shown in FIG. 4 from equations (1) and (2). In FIG. 4, S1, S2, and S3 are represented by the following equations.

【0015】[0015]

【数14】 [Equation 14]

【0016】ここでN=240とするとS1=12.1
(U(i,j)=表示オン)、10.6(U(i,j)
=表示オフ)S2=0.73,S3=−0.73となり
1フレーム(t=1〜Nの期間)に1度(i=t)大き
な電圧が印加され、残りは低い電圧が印加される。この
ため高速応答のSTN液晶ではこの低い電圧を印加して
いる期間で表示輝度が低下することが考えられる。そこ
でこれを解決する駆動方法について次の方法が提案され
ている。この駆動方法について説明する。図5はウォル
シュ関数と呼ばれている直交関数で、分割=8の例を示
している。今、図2の液晶表示部の行電極の関数として
分割=Tのウォルシュ関数を用いf(i)にT個のウォ
ルシュ関数のうちN個を選び適用(T≧N)した場合の
ドットU(i,j)の電圧実効値Urms(i,j)は
次の様になる。
If N = 240, S1 = 12.1
(U (i, j) = display ON), 10.6 (U (i, j)
= Display off) S2 = 0.73, S3 = -0.73, and a large (i = t) voltage is applied once per frame (period of t = 1 to N), and a low voltage is applied to the rest. . Therefore, it is conceivable that the display luminance of the STN liquid crystal having a high response speed is reduced during the period in which the low voltage is applied. Therefore, the following method has been proposed as a driving method for solving this. This driving method will be described. FIG. 5 shows an example of an orthogonal function called a Walsh function with division = 8. Now, a dot U () obtained when a Walsh function of division = T is used as a function of a row electrode of the liquid crystal display unit in FIG. 2 and N Walsh functions are selected and applied (T ≧ N) to T (f) for f (i). The effective voltage value Urms (i, j) of (i, j) is as follows.

【0017】[0017]

【数15】 (Equation 15)

【0018】[0018]

【数16】 (Equation 16)

【0019】ここで、f(i),G(j)は式(7)、
式(8)で与えられるものとする。
Here, f (i) and G (j) are expressed by the following equation (7).
Let it be given by equation (8).

【0020】[0020]

【数17】 [Equation 17]

【0021】ここで、W(i,t)はウォルシュ関数で
1または−1の値をとり、FPは式(9)で示される定
数である。
Here, W (i, t) is a Walsh function and takes a value of 1 or -1, and FP is a constant represented by equation (9).

【0022】[0022]

【数18】 (Equation 18)

【0023】以上よりドットU(i,j)の電圧実効値
は次式となり、
From the above, the effective voltage value of the dot U (i, j) is given by the following equation.

【0024】[0024]

【数19】 [Equation 19]

【0025】式(4)と同一になり、表示オンのときは
式(5)、表示オフの時は式(6)の値となる。すなわ
ち、行電極に与える電圧の関数を図5に示すウォルシュ
関数としてもドットU(i,j)に印加される電圧実効
値はそのドットの表示オン、表示オフにより式(5)、
式(6)で示されることになる。
The value is the same as the expression (4). When the display is on, the value is the expression (5), and when the display is off, the value is the expression (6). That is, even if the function of the voltage applied to the row electrode is the Walsh function shown in FIG. 5, the effective value of the voltage applied to the dot U (i, j) is determined by the display ON and OFF of the dot according to Expression (5).
It will be shown by equation (6).

【0026】この場合、式(8)のg(j)を次式に示
す形に変形して考えると
In this case, if g (j) in equation (8) is transformed into the following equation,

【0027】[0027]

【数20】 (Equation 20)

【0028】ここで、Dはj列のi=1〜NのP(i,
j)とw(i,j)の値の一致数(P(i,j)は±
1、W(i,j)は±1の値をとる)である。この時D
の値は次式で示す正規分布で示される。
Here, D is P (i,
j) and the number of matches between w (i, j) values (P (i, j) are ±
1, W (i, j) takes a value of ± 1). At this time D
Is represented by a normal distribution represented by the following equation.

【0029】[0029]

【数21】 (Equation 21)

【0030】式(11)より、DはN/2を中心とした
正規分布に従うため、式(10)の値も同様に正規分布
に従う。このことより、U(i,j)に印加される電圧
波形(f(i)−g(j))は図4に比べ、t=1〜T
の間平均した電圧が印加される。
From equation (11), since D follows a normal distribution centered on N / 2, the value of equation (10) also follows a normal distribution. Accordingly, the voltage waveform (f (i) -g (j)) applied to U (i, j) is different from FIG.
During this period, the averaged voltage is applied.

【0031】[0031]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の駆動方法は
行電極に与える電圧関数をウォルシュ関数とした場合、
式(7)(8)より列電極に印加されえる電圧関数g
(j)は式(12)となり、ある時刻tの1つのドット
に対する印加電圧を決定するにはi=1〜Nの表示情報
P(i,j)とウォルシュ関数W(i、t)の積和を計
算する必要があり実現が困難であり、具体的駆動回路は
明示されていない。これにたいして行電極に与える電圧
関数を図3に示す関数とすると列電極に印加される電圧
関数g(j)は式(13)であり、
According to the above conventional driving method, when a voltage function applied to a row electrode is a Walsh function,
From the equations (7) and (8), the voltage function g that can be applied to the column electrode
(J) becomes equation (12). To determine the applied voltage for one dot at a certain time t, the product of the display information P (i, j) for i = 1 to N and the Walsh function W (i, t) It is necessary to calculate the sum, which is difficult to realize, and a specific driving circuit is not specified. On the other hand, assuming that the voltage function given to the row electrode is the function shown in FIG. 3, the voltage function g (j) applied to the column electrode is expressed by the following equation (13).

【0032】[0032]

【数22】 (Equation 22)

【0033】積和は必要なく回路構成は簡単となる。し
かし、この場合は図4に示すようにドットU(i,j)
に印加される電圧波形はN回に1度のみ高い電圧とな
り、残りのN−1回は低い電圧となるため高速応答のS
TN液晶を表示する場合コントラストを低下させること
が考えられる。
No product sum is required and the circuit configuration is simplified. However, in this case, as shown in FIG. 4, the dot U (i, j)
Is a high voltage only once every N times, and a low voltage during the remaining N-1 times.
When displaying a TN liquid crystal, it is conceivable to lower the contrast.

【0034】本発明の目的は回路構成が簡単で、高速応
答のSTN液晶に対してもコントラストを低下すること
のない新しい行電極に印加する電圧関数を示すととも
に、実現可能な回路構成を示すことである。
An object of the present invention is to show a voltage function to be applied to a new row electrode which has a simple circuit structure and does not lower contrast even for a high-speed response STN liquid crystal, and to show a feasible circuit structure. It is.

【0035】[0035]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、行関数発生手段と関数発生手段とX行の表示データ
を格納するラインメモリ手段とラインメモリ手段と関数
発生手段の出力を演算する演算手段と演算手段の出力を
電圧に変換する電圧発生手段を設けた。
In order to achieve the above object, a line function generating means, a function generating means, a line memory means for storing display data of X rows, an operation for calculating outputs of the line memory means and the function generating means are provided. Means and a voltage generating means for converting the output of the calculating means into a voltage are provided.

【0036】行関数発生手段はN行のうちある時刻tで
はX行のみウォルシュ関数とし残りの行は0となるよう
に関数を発生し、液晶の行電極駆動手段に与える。また
関数発生手段は上記X行のウォルシュ関数と同じ値を発
生しその出力はラインメモリ手段の出力と演算され、演
算結果が電圧に変換され列電極駆動手段に与えられる。
The row function generating means generates a function such that only the X row is a Walsh function at a certain time t among the N rows, and the remaining rows become 0, and gives the function to the row electrode driving means of the liquid crystal. The function generating means generates the same value as the Walsh function of the X-th row, and its output is calculated with the output of the line memory means, and the calculation result is converted into a voltage and provided to the column electrode driving means.

【0037】[0037]

【実施の形態】本発明の1実施例を以下に図面を用いて
説明する。図1は本発明の一実施例の液晶表示装置のブ
ロック図である。図1の液晶表示の動作の説明の前に液
晶に印加される電圧波形について説明する。図6はN個
の行電極に印加する電圧関数を8行のみウォルシュ関数
とし、1フレーム周期Tを2N(Nは表示行数)とし上
記8行のウォルシュ関数を分割=16で駆動する場合の
行電極の電圧関数を示す図である。なお液晶表示部は従
来例と同様にN行、M列の表示とする。この場合、行電
極に印加される電圧関数、および列電極に印加される電
圧関数はそれぞれ式(20)(21)となる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention. Before describing the operation of the liquid crystal display of FIG. 1, a voltage waveform applied to the liquid crystal will be described. FIG. 6 shows a case in which the voltage function applied to the N row electrodes is a Walsh function for only eight rows, one frame period T is 2N (N is the number of display rows), and the Walsh function for the eight rows is driven by division = 16. It is a figure showing the voltage function of a row electrode. The liquid crystal display section has N rows and M columns as in the conventional example. In this case, the voltage function applied to the row electrode and the voltage function applied to the column electrode are expressed by equations (20) and (21), respectively.

【0038】[0038]

【数23】 (Equation 23)

【0039】ここで、FPは式(22)で示される定数
であり、B(i,t)は図6に示す関数である。
Here, FP is a constant represented by the equation (22), and B (i, t) is a function shown in FIG.

【0040】[0040]

【数24】 (Equation 24)

【0041】またP(i,j)は従来例と同様に、i
行、j列のドットが表示オンの時−1、表示オフの時1
となる。式(20)〜(22)を用いドットU(i,
j)の電圧実効値Urms(i,j)を計算すると次の
ようになる。
Further, P (i, j) is equal to i
-1 when dot on row, j column is display on, 1 when display is off
Becomes Using the equations (20) to (22), the dot U (i,
Calculation of the voltage effective value Urms (i, j) of j) is as follows.

【0042】[0042]

【数25】 (Equation 25)

【0043】[0043]

【数26】 (Equation 26)

【0044】[0044]

【数27】 [Equation 27]

【0045】[0045]

【数28】 [Equation 28]

【0046】これよりU(i,j)の電圧実効値は式
(23)となり、U(i,j)が表示オンの時はP
(i,j)は−1となるためその電圧実効値は式(2
4)となり、表示オフのときはP(i,j)は1となる
ため式(25)となる。
From this, the effective voltage value of U (i, j) is given by equation (23).
Since (i, j) is −1, its effective voltage value is given by equation (2)
4), and when the display is off, P (i, j) is 1, so that equation (25) is obtained.

【0047】[0047]

【数29】 (Equation 29)

【0048】以上より行電極に印加する電圧関数を図1
のようにしても表示オン、オフの電圧実効値は従来例で
示した時と変わらないことが式(24)(25)と式
(5)(6)を比較することでわかる。
FIG. 1 shows the voltage function applied to the row electrodes.
By comparing the expressions (24) and (25) with the expressions (5) and (6), it can be seen that the effective voltages of the display ON and OFF are the same as those in the conventional example.

【0049】以上N行のうち8行をウォルシュ関数と
し、この8行のウォルシュ関数を16分割で駆動すると
して説明してきたがこれに限られる訳ではなく、一般的
にN行のうちR行をウォルシュ関数とし、このウォルシ
ュ関数をK分割で駆動することも可能である。この時R
<N,K≧Rの関係が成立するものとする。
As described above, eight of the N rows are assumed to be Walsh functions, and the Walsh functions of the eight rows are driven by 16 divisions. However, the present invention is not limited to this. It is also possible to use a Walsh function and drive this Walsh function by K division. This time R
It is assumed that the relationship of <N, K ≧ R holds.

【0050】以下、一般化した場合のf(i)、g
(j)を式(26)(27)に示し、この場合の定数F
Pを式(28)に示す。また、この時のU(i,j)の
電圧実効値Urms(i,j)を計算する。
Hereinafter, f (i) and g in the generalized case
(J) is shown in equations (26) and (27), and the constant F in this case is
P is shown in equation (28). At this time, a voltage effective value Urms (i, j) of U (i, j) is calculated.

【0051】[0051]

【数30】 [Equation 30]

【0052】[0052]

【数31】 (Equation 31)

【0053】[0053]

【数32】 (Equation 32)

【0054】これは式(23)と一致する。以上より一
般的に上記のように置いても式(29)が成立すればそ
のドットU(i,j)の電圧実効値Urms(i,j)
は従来例と同様になる。また、本実施例ではウォルシュ
関数を用いて説明したがこれに限られる訳ではなく、実
効値の計算の経過より1と−1の値を持つ直交関数であ
れば良い。以下、この駆動方法を部分直交関数駆動方式
と呼び説明する。
This is consistent with equation (23). As described above, even if the equation (29) is satisfied even if the dot is placed as described above, the effective voltage value Urms (i, j) of the dot U (i, j) is obtained.
Becomes the same as the conventional example. In the present embodiment, the description has been made using the Walsh function. However, the present invention is not limited to this. Any orthogonal function having values of 1 and −1 from the progress of the calculation of the effective value may be used. Hereinafter, this driving method is referred to as a partial orthogonal function driving method and will be described.

【0055】[0055]

【数33】 [Equation 33]

【0056】次に、上記で説明した液晶駆動回路の1実
施例を図1、図7〜図14を用いて説明する。図7は部
分直交関数駆動方式を実現する列信号発生手段の1実施
例のブロック図で、1は表示データで、表示オンを”
1”、表示オフを”0”で表す。2は書き込み手段、3
はAデータ、4はBデータ、5はX行分のデータを格納
するラインメモリA、6はX行分のデータを格納するラ
インメモリBで書き込み手段2はAデータ3、Bデータ
4を介してラインメモリA5,B6に表示データ1を書
き込む。尚、この時、書き込み手段2はX行ずつ交互に
ラインメモリA5、ラインメモリB6に書き込みを行
う。7は読みだしデータA、8は読みだしデータB、9
は読みだし手段で、読みだし手段9はラインメモリA
5、ラインメモリB6のうち書き込みを行っていない方
から読みだしデータA7、読みだしデータB8を介して
格納されたデータを読みだす。なおこの読みだし動作は
X行分のデータを同時に読みだすものとする。10は読
みだし手段9によりラインメモリから読みだされた表示
情報でX行表示データである。11は演算手段、13は
関数発生手段、13はX行関数データで、演算手段11
は表示情報であるX行表示データ10とX行関数データ
13の積和演算を行う。14は演算データ、15は電圧
変換手段、16はアナログ表示データであり、演算手段
11の演算結果である演算データ14を電圧変換手段に
より電圧に変換しアナログ表示データとする。
Next, one embodiment of the liquid crystal drive circuit described above will be described with reference to FIGS. 1 and 7 to 14. FIG. 7 is a block diagram of one embodiment of the column signal generating means for realizing the partial orthogonal function driving method.
"1" and display off are represented by "0."
Is A data, 4 is B data, 5 is a line memory A for storing X rows of data, 6 is a line memory B for storing X rows of data, and the writing means 2 is through A data 3 and B data 4. Then, the display data 1 is written to the line memories A5 and B6. At this time, the writing means 2 alternately writes data to the line memories A5 and B6 every X rows. 7 is read data A, 8 is read data B, 9
Is reading means, and reading means 9 is a line memory A
5. Read out the stored data via the readout data A7 and the readout data B8 from the line memory B6 which has not been written. Note that this reading operation is to simultaneously read data for X rows. Reference numeral 10 denotes display information read from the line memory by the reading means 9 and is X-line display data. 11 is an operation means, 13 is a function generation means, 13 is X-line function data,
Performs a product-sum operation of X-row display data 10 and X-row function data 13 which are display information. Numeral 14 denotes operation data, 15 denotes voltage conversion means, and 16 denotes analog display data. The operation data 14, which is the operation result of the operation means 11, is converted into a voltage by the voltage conversion means to be analog display data.

【0057】図1は図7の列信号発生手段を用いた液晶
表示装置の1実施例のブロック図で、17は列信号発生
手段で図6で説明したものであり、18は列電極駆動手
段でアナログ表示データを1行分取り込み、その後一斉
に1行分のデータを出力する。尚、この1行分のデータ
取り込みは1分割期間で行われる。19〜21は列電極
信号でそれぞれ1列列電極信号、2列列電極信号、M列
列電極信号である。22は行関数発生手段で、図6で示
した行関数を発生する。23は行関数データ、24は行
電極駆動手段で行関数発生手段22は1分割時間の行分
の関数を行関数データ23を介して行電極駆動手段24
に書き込み、行電極駆動手段24は書き込み終了後に行
電極にその値に従った電圧を出力する。尚、この行関数
データ23の書き込みも1分割期間で行われ、列電極駆
動手段18のアナログ表示データ16の書き込みの1分
割期間の周期と同期している。25〜27は行電極信号
でそれぞれ1行電極信号、2行電極信号、N行電極信号
である。28はN行、M列の表示を行う液晶パネルであ
る。図8は本実施例において液晶パネル28を4行、4
列とした時の液晶パネルのドット情報を表す図、図9は
関数発生手段12のX行関数データ13の各tにおける
値を示す図、図10はX行読みだしデータ10とX行関
数データ13のタイミング関係を説明する図、図11は
演算手段11の1実施例のブロック図で、29、30は
論理反転を行う反転回路、31、32は排他的論理和を
とるEXOR回路、33はデコード手段である。図12
は、デコード手段33の動作を説明する図であり、図1
3は行関数発生手段12の出力する関数データ23の各
tの値を示す図、図14は列電極駆動手段18、行駆動
手段24の動作を説明するタイミング図である。
FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of a liquid crystal display device using the column signal generating means of FIG. 7, wherein 17 is the column signal generating means described in FIG. 6, and 18 is the column electrode driving means. To fetch one line of analog display data, and then simultaneously output one line of data. Note that the data acquisition for one row is performed in one division period. Reference numerals 19 to 21 denote column electrode signals, which are a one-column electrode signal, a two-column electrode signal, and an M-column electrode signal, respectively. Reference numeral 22 denotes a row function generating means for generating the row function shown in FIG. 23 is a row function data; 24 is a row electrode driving means; and a row function generating means 22 is a function for a row of one division time.
And the row electrode driving means 24 outputs a voltage according to the value to the row electrode after the writing is completed. The writing of the row function data 23 is also performed in one division period, and is synchronized with the cycle of the one division period of writing the analog display data 16 of the column electrode driving unit 18. Reference numerals 25 to 27 denote row electrode signals, which are a one-row electrode signal, a two-row electrode signal, and an N-row electrode signal, respectively. Reference numeral 28 denotes a liquid crystal panel for displaying N rows and M columns. FIG. 8 shows that the liquid crystal panel 28 has four rows and four rows in this embodiment.
FIG. 9 is a diagram showing dot information of the liquid crystal panel when columns are set, FIG. 9 is a diagram showing values at each t of the X row function data 13 of the function generating means 12, and FIG. 10 is X row read data 10 and X row function data. FIG. 11 is a block diagram of an embodiment of the arithmetic means 11, in which 29 and 30 are inversion circuits for performing logical inversion, 31 and 32 are EXOR circuits which take exclusive OR, and 33 is Decoding means. FIG.
FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the decoding means 33.
3 is a diagram showing the value of each t in the function data 23 output from the row function generating means 12, and FIG. 14 is a timing chart for explaining the operation of the column electrode driving means 18 and the row driving means 24.

【0058】また、本実施例では説明の都合上液晶パネ
ル28は4行、4列で、X=2、この2行を4分割で駆
動するとして説明する。すなわち、1フレームは8分割
で駆動することになる(式(29)参照)。まず最初に
図7の動作を説明する。
In this embodiment, for convenience of explanation, the liquid crystal panel 28 is described as having four rows and four columns, X = 2, and these two rows are driven in quadrants. That is, one frame is driven by eight divisions (see equation (29)). First, the operation of FIG. 7 will be described.

【0059】表示データ1は図8に示す液晶パネル28
の各ドットに対してU(1,1),U(1,2)………
U(2,1),U(2,2)………U(4,1),U
(4,2)……U(4,4)とシリアルに送られて来
る。この表示データ1は書き込み手段2によりラインメ
モリA5,ラインメモリB6に2行づつ交互に書き込ま
れる。すなわち、1、2行目のデータはラインメモリA
5に、3、4行目のデータはラインメモリB6に書き込
まれることになる。今、1、2行目のデータのラインメ
モリA5への書き込みが終了し、3行目のデータがライ
ンメモリB6に書き込まれているとすると、読みだし手
段9はラインメモリA5より書き込まれたデータをライ
ンメモリA5より読みだす。この時、読みだしデータA
7はU(1,1)とU(2,1)を同時に、U(1,
2)とU(2,2)を同時にと行方向のデータを同時に
読みだし、X行読みだしデータ10として出力する。関
数発生手段は各時刻t(2行を4分割で駆動しているた
めt=1〜4を繰り返す)に従い、図9に示すh
(1),h(2)のX行関数データを発生する。ここ
で、関数データh(1),h(2)は1ビットで、−1
を”0”、+1を”1”で示している。ここで、関数発
生手段12の動作と読みだし手段9の動作のタイミング
を図10で説明する。X行関数データ13がt=1のh
(1),h(2)となっているとき読みだし手段9は図
10に示すように1列目から4列目の2行のデータを順
次読みだす。これをt=4まで繰返し、終了後関数発生
手段は再びt=1からX行関数データ13を発生する。
これに対して、読みだし手段9はラインメモリB6から
ラインメモリA5からの読みだしと同様な動作でデータ
を読みだす。次に、演算手段11の動作を図11、12
を用いて説明する。今、X行読みだしデータがU(1,
1),U(2,1)で、X行関数データがh(1),h
(2)とすると表示データは表示オンを”1”、表示オ
フを”0”で表しているため、式(21)のP(i,
j)の表現に合わせるため反転回路29、30でU
(1,1),U(2,1)を反転する。この反転された
データはそれぞれh(1),h(2)と排他的論理和回
路をEXOR31,32でとり、その出力をデーコード
手段33で図12に従いデコードする。これは次式の演
算を行っていることになり、式(21)の積和を演算す
ることになる。
The display data 1 corresponds to the liquid crystal panel 28 shown in FIG.
U (1,1), U (1,2)... For each dot
U (2,1), U (2,2) ... U (4,1), U
(4, 2) ... U (4, 4) is sent serially. The display data 1 is alternately written into the line memories A5 and B6 by the writing means 2 every two rows. That is, the data in the first and second rows is stored in the line memory A
In 5, the data in the third and fourth rows are written to the line memory B6. Now, assuming that the writing of the data of the first and second rows to the line memory A5 has been completed and the data of the third row has been written to the line memory B6, the reading means 9 reads the data written from the line memory A5. From the line memory A5. At this time, read data A
7 simultaneously converts U (1,1) and U (2,1) into U (1,1).
2) and U (2,2) are read at the same time and data in the row direction are read at the same time and output as X-row read data 10. According to each time t (t = 1 to 4 are repeated because two rows are driven in four divisions), the function generating means h shown in FIG.
X-line function data of (1) and h (2) is generated. Here, the function data h (1) and h (2) are 1 bit and −1
Are indicated by "0" and +1 by "1". Here, the timing of the operation of the function generating means 12 and the timing of the operation of the reading means 9 will be described with reference to FIG. X row function data 13 is h for t = 1
When the values are (1) and h (2), as shown in FIG. 10, the reading means 9 sequentially reads two rows of data from the first column to the fourth column. This is repeated until t = 4, and after completion, the function generating means generates X-row function data 13 again from t = 1.
On the other hand, the reading means 9 reads data from the line memory B6 by the same operation as reading from the line memory A5. Next, the operation of the calculating means 11 will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. Now, the X-line read data is U (1,
1), U (2, 1), and the X row function data is h (1), h
Assuming that (2), the display data indicates “1” for display-on and “0” for display-off. Therefore, P (i,
In order to match the expression of j), U
(1,1) and U (2,1) are inverted. The inverted data are taken as exclusive-OR circuits by h (1) and h (2) by EXORs 31 and 32, respectively, and the output is decoded by data decoding means 33 in accordance with FIG. This means that the following equation is calculated, and the product sum of equation (21) is calculated.

【0060】[0060]

【数34】 (Equation 34)

【0061】従って、演算データ14は図12に示すい
ずれかの値をとり、電圧変換手段により式(26)、
(27)(28)より次式の電圧値となる様に変換さ
れ、アナログ表示データ16として出力される。
Accordingly, the operation data 14 takes one of the values shown in FIG.
(27) From (28), the voltage is converted so as to have the following voltage value, and is output as the analog display data 16.

【0062】[0062]

【数35】 (Equation 35)

【0063】本実施例ではN=4,R=2である。ま
た、Voffは式(25)で示すように表示オフ電圧
を”1”としているため実際の駆動電圧に変換するため
の係数である。以上、説明したように図7の列信号発生
手段は式(20)〜(29)で説明した部分直交関数駆
動を実現している。次に、図7に示すこの列信号発生手
段を用いた液晶表示装置の実施例を図1を用い説明す
る。
In this embodiment, N = 4 and R = 2. Voff is a coefficient for converting the display off voltage to "1" as shown by the equation (25), so that it is converted to an actual drive voltage. As described above, the column signal generating means in FIG. 7 realizes the partial orthogonal function drive described in equations (20) to (29). Next, an embodiment of a liquid crystal display device using the column signal generating means shown in FIG. 7 will be described with reference to FIG.

【0064】表示データ1は列信号発生手段17により
式(27)に従った信号に変換され式(30)に従った
電圧に変換される。このアナログ表示データ16は順次
列電極駆動手段18に取り込まれ、このデータは1行分
の取り込み終了時に一斉に列電極信号に出力される。行
関数発生手段22は図13に示す関数で行関数データ2
3をf(1),f(2),f(3),f(4)と順次出
力する。行電極駆動手段24はこの行関数データ23を
受取、1列分のデータを全て受け取った後、行電極信号
として出力する。以上、列電極手段18、行電極手段2
4の動作タイミングを図14に示す。
The display data 1 is converted by the column signal generating means 17 into a signal according to the equation (27), and is converted into a voltage according to the equation (30). The analog display data 16 is sequentially taken into the column electrode driving means 18, and this data is simultaneously output as a column electrode signal at the end of taking in one row. The row function generating means 22 is a function shown in FIG.
3 are sequentially output as f (1), f (2), f (3), f (4). The row electrode driving means 24 receives this row function data 23, and after receiving all the data for one column, outputs it as a row electrode signal. As described above, the column electrode means 18 and the row electrode means 2
The operation timing of No. 4 is shown in FIG.

【0065】以上説明したSTN液晶の駆動方法によれ
ば、式(27)に示される列信号の演算は従来例ではN
行分を行うのに対して、R行(R<N)分でよく、回路
的にも実現が容易である。ここで、240行、640列
の1演算時間(図10のta)を求める。ここで、フレ
ーム周波数は60Hz,R=8,K=16とする。
According to the method of driving the STN liquid crystal described above, the operation of the column signal represented by the equation (27) is N in the prior art.
R rows (R <N) are sufficient for the row division, and the circuit is easy to realize. Here, one operation time (ta in FIG. 10) for 240 rows and 640 columns is obtained. Here, the frame frequency is 60 Hz, R = 8, and K = 16.

【0066】[0066]

【数36】 [Equation 36]

【0067】すなわち、約54nsの間に8行(R=
8)分のデータを読みだし演算を行えば良い。これは、
実施例で示したように8行分のデータを同時に読みだ
し、演算することは容易である。これに対して、従来の
駆動方法ではtaは次のようになる。
That is, eight rows (R =
8) It is sufficient to read the data for the minute and perform the calculation. this is,
As shown in the embodiment, it is easy to simultaneously read out eight rows of data and perform calculations. On the other hand, in the conventional driving method, ta is as follows.

【0068】[0068]

【数37】 (37)

【0069】taそのものは部分直交関数駆動に比較し
て長くなる。しかし、この約100nsの間に240行
分のデータを読みだし演算することは論理回路上困難で
ある。すなわち、1行のデータ分の処理速度は0.4n
sとなり、パラレル駆動を行い論理回路上実現可能な速
度に落すとしても、そのパラレル数が多くなり、大きな
論理規模となる。これに比較して、部分直交関数駆動で
は演算の行数が少なく、小さな論理規模で実現可能とな
る。
The ta itself becomes longer as compared with the partial orthogonal function drive. However, it is difficult for a logic circuit to read out and calculate 240 rows of data in about 100 ns. That is, the processing speed for one row of data is 0.4 n.
s, and even if the speed is reduced to a speed feasible on a logic circuit by performing the parallel drive, the number of parallels increases, resulting in a large logic scale. In comparison, in the partial orthogonal function driving, the number of rows of the operation is small, and it can be realized with a small logical scale.

【0070】次に、本発明の他の実施例を以下図面を用
いて説明する。図15は本実施例の液晶表示装置のブロ
ック図である。図15の液晶表示の動作の説明の前に液
晶に印加される電圧波形について説明する。図16はN
個の行電極に印加する電圧関数を8行のみウォルシュ関
数とし、1フレーム周期Tを2N(Nは表示行数)と
し、上記8行のウォルシュ関数を分割=16で駆動する
場合の行電極の電圧関数を示す図である。また液晶表示
部は従来例と同様にN行、M列の表示とする。一般的
に、N個の行電極に印加する電圧関数をm行のみウォル
シュ関数とし、1フレームの周期をTとし、上記m行の
ウォルシュ関数の分割数をsとすると、各行電極に印加
される電圧関数Fhと、各列電極に印加される電圧関数
Gjと、i行j列の画素に印加される電圧の実行値Ur
msは次のようになる。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 15 is a block diagram of the liquid crystal display device of the present embodiment. Before describing the operation of the liquid crystal display of FIG. 15, a voltage waveform applied to the liquid crystal will be described. FIG. 16 shows N
The voltage function applied to the row electrodes is a Walsh function for only eight rows, one frame period T is 2N (N is the number of display rows), and the Walsh function of the eight rows is divided by = 16 and the row electrodes are driven. It is a figure showing a voltage function. Further, the liquid crystal display section has N rows and M columns as in the conventional example. In general, when a voltage function applied to N row electrodes is a Walsh function only for m rows, a period of one frame is T, and a division number of the Walsh function for the m rows is s, the voltage function is applied to each row electrode. The voltage function Fh, the voltage function Gj applied to each column electrode, and the effective value Ur of the voltage applied to the pixel on the ith row and the jth column
ms is as follows.

【0071】[0071]

【数38】 (38)

【0072】[0072]

【数39】 [Equation 39]

【0073】[0073]

【数40】 (Equation 40)

【0074】[0074]

【数41】 [Equation 41]

【0075】以上よりi行j列の画素に印加される電圧
の実行値Urmsは、式(36)となる。又、表示オン
のときIijは−1、表示オフのときIijは+1とな
るので、それぞれの電圧実行値は式(37)、式(3
8)となる。
From the above, the effective value Urms of the voltage applied to the pixel on the i-th row and the j-th column is expressed by the following equation (36). When the display is on, Iij is −1, and when the display is off, Iij is +1. Therefore, the respective voltage execution values are expressed by Expressions (37) and (3).
8).

【0076】[0076]

【数42】 (Equation 42)

【0077】ここで、動作マージンRを定義すると式
(39)となる。
Here, when the operation margin R is defined, the following equation (39) is obtained.

【0078】[0078]

【数43】 [Equation 43]

【0079】式(39)において、動作マージンRが最
大となるcを求めると、式(40)となる。
In Expression (39), c that maximizes the operation margin R is obtained as Expression (40).

【0080】[0080]

【数44】 [Equation 44]

【0081】式(40)を式(37)、式(38)に代
入すると、Urms(on)とUrms(off)は式
(41)、式(42)となる。
By substituting equation (40) into equations (37) and (38), Urms (on) and Urms (off) become equations (41) and (42).

【0082】[0082]

【数45】 [Equation 45]

【0083】又、式(40)をしき(39)に代入する
と、動作マージンRは式(43)となる。
When the equation (40) is substituted into the equation (39), the operation margin R becomes the equation (43).

【0084】[0084]

【数46】 [Equation 46]

【0085】ここで、Urms(off)を1と置く
と、式(42)からFは式(44)となる。
Here, if Urms (off) is set to 1, F is converted to Eq. (44) from Eq. (42).

【0086】[0086]

【数47】 [Equation 47]

【0087】式(44)をしき(41)、式(42)に
代入すると、Urms(on)とUrms(off)は
式(45)、式(46)となる。
By substituting equation (44) into equation (41) and equation (42), Urms (on) and Urms (off) become equations (45) and (46).

【0088】[0088]

【数48】 [Equation 48]

【0089】以上のように、行電極に印加する電圧関数
を図16のようにした場合、表示オン、オフの電圧実行
値は、従来例のNをnNとしたときと同じであることが
式(45)式(46)と、式(6)、式(6)を比較す
ることで分かる。また、本実施例ではウォルシュ関数を
用いて説明したがこれに限られる訳ではなく、実効値の
計算の経過より1と−1の値を持つ直交関数であれば良
い。以下、この駆動方法を第一の実施例と同様に部分直
交関数駆動方式と呼ぶこととする。
As described above, when the voltage function applied to the row electrode is as shown in FIG. 16, the display ON / OFF voltage execution value is the same as that of the conventional example when N is nN. (45) It can be found by comparing equation (46) with equations (6) and (6). In the present embodiment, the description has been made using the Walsh function. However, the present invention is not limited to this. Any orthogonal function having values of 1 and −1 from the progress of the calculation of the effective value may be used. Hereinafter, this driving method is referred to as a partial orthogonal function driving method as in the first embodiment.

【0090】次に、上記で説明した液晶駆動回路の第二
の実施例を図15、図16、及び図7〜図14を用いて
説明する。図7は部分直交関数駆動方式を実現する列信
号発生手段のブロック図で、第一の実施例と同じ構成で
あり、各部分の説明は省略する。
Next, a second embodiment of the liquid crystal drive circuit described above will be described with reference to FIGS. 15, 16 and FIGS. FIG. 7 is a block diagram of a column signal generating means for realizing the partial orthogonal function driving method, which has the same configuration as that of the first embodiment, and a description of each part will be omitted.

【0091】又、同様に図8〜図14は、第一の実施例
と同じ構成であるので、各部分の説明は省略する。図1
5は図7の列信号発生手段を用いた液晶表示装置の第二
の実施例のブロック図で、17は列信号発生手段で図7
で説明したものであり、18は列電極駆動手段でアナロ
グ表示データを1行分取り込み、その後一斉に1行分の
データを出力する。尚、この1行分のデータ取り込みは
1分割期間で行われる。19〜21は列電極信号でそれ
ぞれ1列列電極信号、2列列電極信号、M列列電極信号
である。34は行関数発生手段で、図6で示した行関数
を発生する。
Since FIGS. 8 to 14 have the same configuration as the first embodiment, the description of each part is omitted. FIG.
5 is a block diagram of a second embodiment of the liquid crystal display device using the column signal generator of FIG. 7, and 17 is a column signal generator.
Numeral 18 denotes column electrode driving means for fetching analog display data for one row, and thereafter outputting data for one row all at once. Note that the data acquisition for one row is performed in one division period. Reference numerals 19 to 21 denote column electrode signals, which are a one-column electrode signal, a two-column electrode signal, and an M-column electrode signal, respectively. Numeral 34 denotes a row function generating means for generating the row function shown in FIG.

【0092】23は行関数データ、24は行電極駆動手
段で行関数発生手段34は1分割時間の行分の関数を行
関数データ23を介して行電極駆動手段24に書き込
み、行電極駆動手段24は書き込み終了後に行電極にそ
の値に従った電圧を出力する。尚、この行関数データ2
3の書き込みも1分割期間で行われ、列電極駆動手段1
8のアナログ表示データ16の書き込みの1分割期間の
周期と同期している。25〜27は行電極信号でそれぞ
れ1行電極信号、2行電極信号、N行電極信号である。
28はN行、M列の表示を行う液晶パネルである。尚、
本実施例では説明の都合上液晶パネル28は4行、4列
で、X=2、この2行を4分割で駆動するとして説明す
る。すなわち、1フレームは8分割で駆動することにな
る(式(29)参照)。
Reference numeral 23 denotes row function data, reference numeral 24 denotes row electrode driving means, and row function generating means 34 writes functions for one row of the divided time into the row electrode driving means 24 via the row function data 23. 24 outputs a voltage according to the value to the row electrode after the writing is completed. Note that this row function data 2
3 is also performed in one division period, and the column electrode driving means 1
8 is synchronized with the cycle of one division period for writing the analog display data 16. Reference numerals 25 to 27 denote row electrode signals, which are a one-row electrode signal, a two-row electrode signal, and an N-row electrode signal, respectively.
Reference numeral 28 denotes a liquid crystal panel for displaying N rows and M columns. still,
In the present embodiment, for convenience of explanation, the liquid crystal panel 28 is described as having four rows and four columns, X = 2, and driving these two rows by four. That is, one frame is driven by eight divisions (see equation (29)).

【0093】まず最初に図7の動作を説明する。First, the operation of FIG. 7 will be described.

【0094】表示データ1は図8に示す液晶パネル28
の各ドットに対してU(1,1),U(1,2)………
U(2,1),U(2,2)………U(4,1),U
(4,2)……U(4,4)とシリアルに送られて来
る。この表示データ1は書き込み手段2によりラインメ
モリA5,ラインメモリB6に2行づつ交互に書き込ま
れる。すなわち、1、2行目のデータはラインメモリA
5に、3、4行目のデータはラインメモリB6に書き込
まれることになる。今、1、2行目のデータのラインメ
モリA5への書き込みが終了し、3行目のデータがライ
ンメモリB6に書き込まれているとすると、読みだし手
段9はラインメモリA5より書き込まれたデータをライ
ンメモリA5より読みだす。この時、読みだしデータA
はU(1,1)とU(2,1)を同時に、U(1,2)
とU(2,2)を同時にと行方向のデータを同時に読み
だし、X行読みだしデータ10として出力する。関数発
生手段は各時刻t(2行を4分割で駆動しているためt
=1〜4を繰り返す)に従い、図9に示すh(1),h
(2)のX行関数データを発生する。ここで、関数デー
タh(1),h(2)は1ビットで、−1を”0”、+
1を”1”で示している。ここで、関数発生手段12の
動作と読みだし手段9の動作のタイミングを図10で説
明する。X行関数データ13がt=1のh(1),h
(2)となっているとき読みだし手段9は図10に示す
ように1列目から4列目の2行のデータを順次読みだ
す。これをt=4まで繰返し、終了後関数発生手段は再
びt=1からX行関数データ13を発生する。これに対
して、読みだし手段9はラインメモリB6からラインメ
モリA5からの読みだしと同様な動作でデータを読みだ
す。次に、演算手段11の動作を図11、12を用いて
説明する。今、X行読みだしデータがU(1,1),U
(2,1)で、X行関数データがh(1),h(2)と
すると表示データは表示オンを”1”、表示オフを”
0”で表しているため、式(21)のP(i,j)の表
現に合わせるため反転回路29、30でU(1,1),
U(2,1)を反転する。この反転されたデータはそれ
ぞれh(1),h(2)と排他的論理和回路をEXOR
31,32でとり、その出力をデーコード手段33で図
12に従いデコードする。これは式(34)の積和演算
を行っていることになる。従って、演算データ14は図
12に示すいずれかの値をとり、電圧変換手段により式
(31)、(32)(34)(40)(44)に示す電
圧値となる様に変換され、アナログ表示データ16とし
て出力される。本実施例ではN=4,R=2である。ま
た、Voffは表示オフ電圧を”1”としているため実
際の駆動電圧に変換するための係数である。以上、説明
したように図7の列信号発生手段は式(31)〜(4
6)で説明した部分直交関数駆動を実現している。
The display data 1 corresponds to the liquid crystal panel 28 shown in FIG.
U (1,1), U (1,2)... For each dot
U (2,1), U (2,2) ... U (4,1), U
(4, 2) ... U (4, 4) is sent serially. The display data 1 is alternately written into the line memories A5 and B6 by the writing means 2 every two rows. That is, the data in the first and second rows is stored in the line memory A
In 5, the data in the third and fourth rows are written to the line memory B6. Now, assuming that the writing of the data of the first and second rows to the line memory A5 has been completed and the data of the third row has been written to the line memory B6, the reading means 9 reads the data written from the line memory A5. From the line memory A5. At this time, read data A
U (1,1) and U (2,1) simultaneously, U (1,2)
And U (2,2) at the same time and data in the row direction are read at the same time and output as X-row read data 10. The function generating means operates at each time t (t 2
= 1 to 4), h (1), h shown in FIG.
The X-line function data of (2) is generated. Here, the function data h (1) and h (2) are 1 bit, and -1 is "0", +
1 is indicated by "1". Here, the timing of the operation of the function generating means 12 and the timing of the operation of the reading means 9 will be described with reference to FIG. X row function data 13 is h (1), h for t = 1
When the state is (2), the reading means 9 sequentially reads the data of two rows from the first column to the fourth column as shown in FIG. This is repeated until t = 4, and after completion, the function generating means generates X-row function data 13 again from t = 1. On the other hand, the reading means 9 reads data from the line memory B6 by the same operation as reading from the line memory A5. Next, the operation of the calculating means 11 will be described with reference to FIGS. Now, the X line read data is U (1, 1), U
In (2, 1), if the X-line function data is h (1), h (2), the display data is “1” for display on and “1” for display off.
0 ", the inverting circuits 29 and 30 use U (1,1), U (1,1) to match the expression of P (i, j) in the equation (21).
Invert U (2,1). The inverted data are EXORed with h (1), h (2) and the exclusive OR circuit, respectively.
At 31 and 32, the output is decoded by the decoding means 33 in accordance with FIG. This means that the product-sum operation of Expression (34) is performed. Accordingly, the operation data 14 takes one of the values shown in FIG. 12 and is converted by the voltage conversion means into the voltage values shown in the equations (31), (32), (34), (40), and (44). It is output as display data 16. In this embodiment, N = 4 and R = 2. Voff is a coefficient for converting the display off voltage to an actual driving voltage because the display off voltage is "1". As described above, the column signal generating means of FIG.
The partial orthogonal function drive described in 6) is realized.

【0095】次に、図7に示すこの列信号発生手段を用
いた液晶表示装置の実施例を図15を用い説明する。表
示データ1は、列信号発生手段17により式(34)に
従った信号に変換される。このアナログ表示データ16
は順次列電極駆動手段18に取り込まれ、このデータは
1行分の取り込み終了時に一斉に列電極信号に出力され
る。行関数発生手段22は、図16に示す関数で行関数
データ23をf(1),f(2),f(3),f(4)
と順次出力する。行電極駆動手段24はこの行関数デー
タ23を受け取り、1列分のデータを全て受け取った
後、行電極信号として出力する。以上、列電極手段1
8、行電極手段24の動作タイミングを図14に示す。
Next, an embodiment of a liquid crystal display device using the column signal generating means shown in FIG. 7 will be described with reference to FIG. The display data 1 is converted by the column signal generating means 17 into a signal according to equation (34). This analog display data 16
Are sequentially taken into the column electrode driving means 18, and this data is simultaneously output as a column electrode signal at the end of taking in one row. The row function generator 22 converts the row function data 23 into f (1), f (2), f (3), f (4) using the function shown in FIG.
Are sequentially output. The row electrode driving means 24 receives the row function data 23, and after receiving all the data for one column, outputs it as a row electrode signal. As described above, the column electrode unit 1
8. The operation timing of the row electrode means 24 is shown in FIG.

【0096】以上説明したSTN液晶の駆動方法によれ
ば、式(34)に示される列信号の演算はm行(m<
N)分でよく、回路的にも実現が容易である。ここで、
240行、640列の1演算時間(図10のta)を求
める。ここで、フレーム周波数は60Hz,m=8,s
=16とすると、第一の実施例と同様に約54nsの間
に8行(m=8)分のデータを読みだし演算を行えば良
い。これは、実施例で示したように8行分のデータを同
時に読みだし、演算することは容易である。これに対し
て、従来の駆動方法ではtaも第一の実施例と同様に約
100nsとなる。しかし、この約100nsの間に2
40行分のデータを読みだし演算することは論理回路上
困難である。すなわち、1行のデータ分の処理速度は
0.4nsとなり、パラレル駆動を行い論理回路上実現
可能な速度に落すとしても、そのパラレル数が多くな
り、大きな論理規模となる。これに比較して、部分直交
関数駆動では演算の行数が少なく、小さな論理規模で実
現可能となる。
According to the driving method of the STN liquid crystal described above, the operation of the column signal represented by the equation (34) is performed for m rows (m <m).
N), and the circuit is easy to realize. here,
One operation time (ta in FIG. 10) for 240 rows and 640 columns is obtained. Here, the frame frequency is 60 Hz, m = 8, s
Assuming that = 16, eight rows (m = 8) of data may be read and operated in about 54 ns as in the first embodiment. This is because it is easy to simultaneously read eight rows of data and calculate as shown in the embodiment. On the other hand, in the conventional driving method, ta is also about 100 ns as in the first embodiment. However, during this approximately 100 ns, 2
It is difficult for a logic circuit to read and calculate data for 40 rows. In other words, the processing speed for one row of data is 0.4 ns, and even if the speed is reduced to a speed achievable on a logic circuit by performing parallel driving, the number of parallels increases and the logic scale becomes large. In comparison, in the partial orthogonal function driving, the number of rows of the operation is small, and it can be realized with a small logical scale.

【0097】以上説明した実施例では、N行の表示装置
をR行単位にK分割の直交関数を電圧関数として駆動す
る場合、図6、図16に示したように、K分割を連続し
て行なっていた。又、第一の実施例と第二の実施例か
ら、図17に示す直交関数を用いても実現可能である。
図17の直交関数は、第一の実施例では0を、第二の実
施例ではW0となる期間に0とW0を交互に組み合わせ与
えるものである。この場合の実施例の詳細の説明は行わ
ないが、第一の実施例、第二の実施例の説明から同様に
実現可能であることは自明である。さらに、図17で
は、0とW0を交互としたが、これに限られる訳ではな
く、それらの数、与え方を変えても実現可能である。
In the embodiment described above, when the display device of N rows is driven in units of R rows by using the orthogonal function of K division as a voltage function, the K division is continuously performed as shown in FIGS. I was doing. Further, the first and second embodiments can also be realized by using the orthogonal function shown in FIG.
The orthogonal function in FIG. 17 gives 0 in the first embodiment, and alternately combines 0 and W0 in the period of W0 in the second embodiment. Although a detailed description of the embodiment in this case will not be given, it is obvious from the description of the first embodiment and the second embodiment that the present invention can be similarly realized. Further, in FIG. 17, 0 and W0 are alternately arranged. However, the present invention is not limited to this.

【0098】次に、本発明の第三の実施例を示す。第三
の実施例は、例えばN行の表示装置を8行ずつ、16分
割で駆動する場合において、16分割をW1からW4の
各4分割(k1からk16で示される16分割のうちk
1からk4をW1、k5からk8をW2、k9からk1
2をW3、k13からk16をW4とする)を分散させ
て駆動する方法の具体的回路について示すものである。
この場合、16分割を分散させただけであり、その分散
された時間に、当該の8行の演算を行ない列電極の印加
電圧を計算することにより、第1の実施例と同じ表示オ
ンと表示オフの電圧で駆動できることは自明である。
尚、この考え方に近い公知例としては、Japan D
isplay ’92ダイジェストの503頁から50
5頁に記載されているが、その動作、具体的回路に関し
ては記載されていない。以下、図面を用いて第3の実施
例の詳細を説明する。図18は本第3の実施例の液晶表
示装置のブロック図であり、35は表示データ、36は
水平同期信号であるH信号、37は垂直同期信号である
V信号、38は表示データ35に同期したDCLK、3
9は表示データ35のうち表示装置上で表示すべきデー
タを”ハイ”で示す表示信号であり、表示データ35と
してはH信号36の1周期の1水平時間に1ライン分の
640ドット、V信号37の1周期の1フレーム時間に
240ライン分のデータが送られてくるものとする。4
0はフレームメモリ制御手段、41はフレームライトデ
ータ、42はフレームメモリに対し入力されるデータの
書き込み及び読みだしを制御するフレームメモリ制御バ
ス、43はデータ信号制御バスであり、フレームメモリ
制御手段40は表示データ35をシリアルパラレル変換
し4ドットのパラレルデータのフレームメモリライトデ
ータ41を生成し、さらに、H信号36、V信号37、
DCLK38、表示信号39よりフレーム制御信号バス
42、データ信号制御バス43を生成する。これら生成
する信号の詳細は後で説明する。44はフレームメモリ
手段、45はフレームメモリリードデータである。46
は列信号発生手段であり、第1の実施例と同様に、フレ
ームリードデータ45の8ライン分に対し演算を行い液
晶データ47を生成する。48は列信号制御バス、49
は関数信号バスでそれぞれ列信号発生手段46で生成さ
れる。50は行関数発生手段であり、51は行データ、
52は行信号バスであり、行関数発生手段50は関数信
号バス49を用い、行データ51、行データ制御信号バ
ス52を生成する。53は列電極駆動手段、54から5
6は第1列、第2列及び第640列の列電極信号で、液
晶データ47を列信号制御バス48により列電極駆動手
段53へ書き込み、列電極駆動手段53は液晶データ4
7の情報により、9種類の電圧から1つを選択し、対応
する列電極信号に出力する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described. In the third embodiment, for example, when a display device having N rows is driven by 8 rows of 8 rows by 16 divisions, the 16 divisions are divided into four divisions of W1 to W4 (k of 16 divisions indicated by k1 to k16).
1 to k4 is W1, k5 to k8 is W2, and k9 is k1.
2 is W3 and k13 to k16 are W4).
In this case, only the 16 divisions are dispersed, and at the time when the division is performed, the operation of the eight rows is performed and the applied voltage to the column electrode is calculated. It is obvious that it can be driven with the off voltage.
It should be noted that a known example close to this concept is Japan D.
50 from page 503 of display '92 digest
Although described on page 5, its operation and specific circuit are not described. Hereinafter, the details of the third embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 18 is a block diagram of the liquid crystal display device according to the third embodiment. Reference numeral 35 denotes display data; 36, an H signal as a horizontal synchronization signal; 37, a V signal as a vertical synchronization signal; Synchronized DCLK, 3
Reference numeral 9 denotes a display signal indicating "high" data to be displayed on the display device among the display data 35. The display data 35 includes 640 dots for one line and V in one horizontal time of one cycle of the H signal 36. It is assumed that data for 240 lines is transmitted in one frame time of one cycle of the signal 37. 4
0 is a frame memory control means, 41 is frame write data, 42 is a frame memory control bus for controlling writing and reading of data inputted to the frame memory, 43 is a data signal control bus, and 43 is a frame memory control means. Converts the display data 35 from serial to parallel to generate 4-dot parallel data frame memory write data 41, and further outputs an H signal 36, a V signal 37,
A frame control signal bus 42 and a data signal control bus 43 are generated from the DCLK 38 and the display signal 39. Details of these generated signals will be described later. 44 is a frame memory means, and 45 is frame memory read data. 46
Numeral denotes a column signal generating means, which performs an operation on eight lines of the frame read data 45 to generate liquid crystal data 47 as in the first embodiment. 48 is a column signal control bus, 49
Are function signal buses generated by the column signal generating means 46, respectively. 50 is a row function generating means, 51 is row data,
Reference numeral 52 denotes a row signal bus, and the row function generating means 50 uses the function signal bus 49 to generate row data 51 and a row data control signal bus 52. 53 is a column electrode driving means;
Reference numeral 6 denotes column electrode signals of the first, second, and 640th columns. The liquid crystal data 47 is written to the column electrode driving means 53 by the column signal control bus 48, and the column electrode driving means 53
According to the information of 7, one of the nine voltages is selected and output as a corresponding column electrode signal.

【0099】尚、図18では、9種類の電圧は図示して
いないが、1例としては外部で、抵抗手段による分圧回
路で生成し、列電極駆動手段に入力し、実現することが
出来る。57は行電極駆動手段、58から60はそれぞ
れ1行目、2行目、240行目の行電極信号で、行デー
タ51は行データ制御バス52により行電極駆動手段5
7に書き込まれ、行電極駆動手段57は書き込まれた行
データ51の情報に従い、3種類の電圧から1電圧を選
択し対応する行電極信号に出力する。尚、図18では3
種類の電圧は図示していないが、列電極駆動手段53の
場合と同様に外部で抵抗手段による分圧回路で生成し、
行電極駆動手段57に入力する実施例がある。また、列
電極駆動手段53、行電極駆動手段57の動作は、選択
する電圧数を除けば、日立製TFT液晶ドライバ”HD
66310”と同じ動作であり実現が容易であることは
自明である。61は横640ドット、縦240ラインの
表示部を持つ液晶表示装置で、列電極と行電極の交点が
1ドットの表示であり、この交点の電位差の電圧実効値
で表示オン、表示オフを表示する。図19は本液晶表示
装置に入力される表示データ35のタイミング図、図2
0はフレームメモリ手段44から読みだされるフレーム
メモリリードデータ45及び、データ制御バス43のタ
イミングを示すタイミング図である。図20において、
リードV信号81、リードH信号82、リード表示デー
タ45はデータ制御バス43の信号である。図21はフ
レームメモリ手段44の1実施例のブロック図であり、
62は1フレーム分の640ドット×240ラインの表
示情報を格納するフレームメモリ手段A、63は同様に
1フレーム分の表示情報を格納するフレームメモリ手段
Bであり、64はフレームメモリ手段A62に書き込み
アドレスのリセットを指示するAWリセット、65はフ
レームメモリ手段A62に書き込み動作をを行うAWク
ロック、66はフレームメモリ手段A62に読みだしア
ドレスのリセットを指示するARリセット、67はフレ
ームメモリ手段A62に読みだし動作を行うARクロッ
ク、68はフレームメモリ手段B63に書き込みアドレ
スのリセットを指示するBWリセット、69はフレーム
メモリ手段B63に書き込み動作をを行うBWクロッ
ク、70はフレームメモリ手段B63に読みだしアドレ
スのリセットを指示するBRリセット、71はフレーム
メモリ手段B63に読みだし動作を行うBRクロックで
ある。72はフレームメモリR/W信号で、”ハイ”の
時フレームメモリ手段A62への書き込み、フレムメモ
リ手段B63からの読みだしを示し、”ロー”の時フレ
ームメモリ手段A62からの読みだし、フレムメモリ手
段B63への書き込みを示す。73はセレクト手段A、
74はセレクト手段Bで、それぞれフレームメモリR/
W信号72に従い選択動作を行う。75はメモリAリセ
ット、76はメモリAクロック、77はメモリAR/W
信号、78はメモリBリセット、79はメモリBクロッ
ク、80はメモリBR/W信号で、メモリA手段62、
メモリB手段63はそれぞれのR/W信号77、80に
従い、リード、ライトの動作を行う(R/W信号が”ハ
イ”の時ライト動作、”ロー”の時リード動作とす
る)。又、メモリA手段62、メモリB手段63のリー
ド、ライトのアドレスは各リセット信号75、78によ
り”0”にリセットされ、その後各クロック76、79
の書き込み、読みだし動作の後にインクリメントされ
る。
In FIG. 18, nine types of voltages are not shown, but as an example, they can be realized externally by generating a voltage dividing circuit using resistance means and inputting them to the column electrode driving means. . 57 is a row electrode driving means, 58 to 60 are row electrode signals of the first row, the second row, and the 240th row, respectively.
7, the row electrode driving means 57 selects one voltage from three types of voltages in accordance with the written information of the row data 51 and outputs the selected voltage to a corresponding row electrode signal. In FIG. 18, 3
Although the types of voltages are not shown, they are generated externally by a voltage dividing circuit using a resistor as in the case of the column electrode driver 53,
There is an embodiment in which an input is made to the row electrode driving means 57. The operation of the column electrode driving means 53 and the row electrode driving means 57 is the same as that of the TFT liquid crystal driver “HD
It is self-evident that the operation is the same as that of 66310 ″, and that it is easy to realize. Display ON and display OFF are indicated by the voltage effective value of the potential difference at the intersection, Fig. 19 is a timing chart of display data 35 input to the present liquid crystal display device, Fig. 2
0 is a timing chart showing the timing of the frame memory read data 45 read from the frame memory means 44 and the timing of the data control bus 43. In FIG.
The read V signal 81, the read H signal 82, and the read display data 45 are signals of the data control bus 43. FIG. 21 is a block diagram of one embodiment of the frame memory means 44.
62 is a frame memory means A for storing display information of 640 dots × 240 lines for one frame, 63 is a frame memory means B for similarly storing display information for one frame, and 64 is a frame memory means A62. AW reset for instructing an address reset, 65 is an AW clock for performing a write operation on the frame memory means A62, 66 is an AR reset for instructing the frame memory means A62 to read and reset an address, and 67 is an AW reset for instructing a reset of the address. AR clock for performing an operation, 68 is a BW reset for instructing the frame memory means B63 to reset a write address, 69 is a BW clock for performing a write operation to the frame memory means B63, 70 is a read address of the read address to the frame memory means B63. Instruct reset BR reset that, 71 is a BR clock performing reading operation in the frame memory unit B63. Reference numeral 72 denotes a frame memory R / W signal which indicates "high" for writing to the frame memory means A62 and reading from the frame memory means B63, and "low" for reading from the frame memory means A62 and frame memory means B63. Indicates writing to. 73 is a selection means A,
74 is a selection means B, each of which has a frame memory R /
The selection operation is performed according to the W signal 72. 75 is a memory A reset, 76 is a memory A clock, 77 is a memory AR / W
Signal, 78 is a memory B reset, 79 is a memory B clock, 80 is a memory BR / W signal, and the memory A means 62,
The memory B means 63 performs read and write operations in accordance with the respective R / W signals 77 and 80 (a write operation when the R / W signal is "high" and a read operation when the R / W signal is "low"). The read and write addresses of the memory A means 62 and the memory B means 63 are reset to "0" by the reset signals 75 and 78, and thereafter, the clocks 76 and 79 are reset.
It is incremented after the write and read operations of.

【0100】図22はフレームメモリ手段44の動作を
説明するタイミング図、図23は図18の列信号発生手
段46の1実施例のブロック図である。図23におい
て、85は書き込み手段、86はAデータ、87はA制
御バス、88はラインアドレス、89はB制御バス、9
0はBデータ、91はAW信号で、92はラインメモリ
A、93はラインメモリBである。書き込み手段85は
4ビットパラレルのフレームメモリリードデータ45を
Aデータ86、Bデータ90として出力すると共に、デ
ータ制御信号バス43によりA制御バス87、ラインア
ドレス88、B制御バス89、AW信号91を生成す
る。尚、書き込み動作はフレームメモリリードデータ4
5の8ライン毎にラインメモリA92、ラインメモリB
93に対し交互に行い、これをAW信号91で”ハイ”
の時ラインメモリA92への書き込み、”ロー”の時に
ラインメモリB93への書き込みを示すものとする。9
5はAリード制御バス、96はBリード制御バス、94
は読みだし手段、97はAリードデータ、98はBリー
ドデータであり、読みだし手段94はデータ制御バス4
3を用い、Aリード制御バス95、Bリード制御バス9
6を生成し、Aリードデータ97、Bリードデータ98
としてラインメモリA92、ラインメモリB93より読
みだし動作を行う。尚、この読みだし動作はAW信号9
1を用い、書き込み動作を行っていないラインメモリか
らの読みだしを行うように動作する。99は読みだしデ
ータである8ラインデータ、100はリードカウントで
あり、それぞれ読みだし手段94で生成される。101
は関数発生手段、102は直交関数データであり、関数
発生手段101はリードカウント100、データ制御バ
ス43により分割16の8つの直交関数を生成し、直交
関数データ102として出力する。103は演算手段で
あり、8ラインデータ99と直交関数データ102とを
演算し、液晶データ47を出力する。尚、具体的な演算
方法、手段は後述する。図24は、図23のラインメモ
リA92の書き込み動作に着目した1実施例のブロック
図で、104はAWリセット、105はAWクロックで
それぞれA制御バス87の信号である。106から10
8はそれぞれ1ライン分の表示情報を格納するラインメ
モリで、それぞれライン1メモリ、ライン2メモリ、ラ
イン8メモリである。尚、図中3から7ラインのメモリ
は省略してある。109はライトアドレスデコード手段
でラインアドレス88をデコードし、どのラインメモリ
にデータを書き込むか指示する。110はラインメモリ
1ライト信号、111はラインメモリ2ライト信号、1
12はラインメモリ8ライト信号でそれぞれ”ハイ”と
なっているメモリに対して書き込み動作を行う。又、各
ラインメモリはAWリセット104により、書き込みア
ドレスを”0”とし、その後AWクロック105により
順次書き込み動作、アドレスのインクリメントを行う。
図25、図26はラインメモリA92への書き込み動作
を説明する図、図27はラインメモリA92の読みだし
に着目した1実施例のブロック図であり、ARリセット
116、ARクロック117はAリード制御バス95の
信号である。113から115はそれぞれ、ライン1メ
モリ106、ライン2メモリ107、ライン8メモリ1
08のリードデータでラインメモリA1データ、ライン
メモリA2データ、ラインメモリA8データである。リ
ード動作はARリセット116により、リードアドレス
を”0”とし、その後ARクロック117により、順次
ライン1メモリ106からライン8メモリ108の8ラ
イン分のメモリから同時に1ドットずつ640ドット分
読みだす。図28はラインメモリA92からの読みだし
動作を説明するタイミング図、図29は図23の演算手
段103の1実施例のブロック図である。119はEX
ORであり、8ライン分の1ビットのデータ情報の8ラ
インデータ99、及び8つの直交関数である直交関数デ
ータ102の各データの排他的論理和を演算する。12
0はEXOR119の出力の演算データ、121はデコ
ード手段で演算データ120の”ハイ”の数をデコード
し、デコード結果は液晶データ47として出力される。
図30は関数発生手段101の1実施例のブロック図
で、122は8種類の直交関数データを16分割分記憶
する直交関数記憶手段で、フィールド信号84、リード
カウント100に従い8種類の直交関数の値である直交
関数データ102を出力する。123はラインブロック
カウンタ、124はラインブロック信号であり、ライン
ブロックかうんた123はリードV信号81を基準とし
て、リードH信号82で8ライン単位にカウント動作を
行い、そのカウント値をラインブロック信号124とし
て出力する。図31は関数値記憶手段122の動作を説
明する図であり、図32はラインブロックカウンタ12
3の動作を説明するタイミング図、図33は列電極駆動
手段53の動作を説明するタイミング図である。図34
は行関数発生手段50の1実施例のブロック図で、12
5は水平クロック、126は液晶クロック、128は部
分カウント値、129部分クロックで、各々列信号発生
手段46で生成される。127は部分カウンタで、ここ
では水平クロック125でリセットされ、液晶クロック
126で8カウントを繰り返すカウンタであり、そのカ
ウント値を部分カウント値128として出力すると共に
8カウント同期の部分クロック129を生成する。13
0はブロックカウンタ、131はブロック値で、水平ク
ロック125でリセットされ、部分クロック129でカ
ウントし、そのカウント値をブロック値131として出
力する。132は比較手段、133は比較出力で、ライ
ンブロック出力124とブロック値131を比較し、一
致した時に比較出力133を“ハイ”とする。134は
P→S手段で、入力である8種の直交関数の直交関数デ
ータ102を部分カント値128に従い1種ずつ出力す
る。135はP→S手段134の出力のシリアル直交デ
ータで、136は比較出力133が“ハイ”の時シリア
ル直交データを出力し、それ以外では“0”を出力する
セレクト手段である。
FIG. 22 is a timing chart for explaining the operation of the frame memory means 44, and FIG. 23 is a block diagram of one embodiment of the column signal generating means 46 of FIG. In FIG. 23, 85 is a writing means, 86 is A data, 87 is an A control bus, 88 is a line address, 89 is a B control bus, 9
0 is B data, 91 is an AW signal, 92 is a line memory A, and 93 is a line memory B. The writing means 85 outputs the 4-bit parallel frame memory read data 45 as A data 86 and B data 90, and transmits the A control bus 87, line address 88, B control bus 89, and AW signal 91 by the data control signal bus 43. Generate. The write operation is performed on the frame memory read data 4
Line memory A92, line memory B every eight lines of 5
93 alternately, and this is set to “high” by the AW signal 91.
At this time, writing to the line memory A92 is indicated, and when "low", writing to the line memory B93 is indicated. 9
5 is an A read control bus, 96 is a B read control bus, 94
Is reading means, 97 is A read data, 98 is B read data, and reading means 94 is data control bus 4
3, the A read control bus 95 and the B read control bus 9
6 and A read data 97 and B read data 98
The read operation is performed from the line memories A92 and B93. This reading operation is performed by the AW signal 9.
1 to perform reading from a line memory in which a writing operation is not performed. 99 is 8-line data which is read data, and 100 is a read count, which is generated by the reading means 94, respectively. 101
Is a function generating means, and 102 is orthogonal function data. The function generating means 101 generates eight orthogonal functions of division 16 by the read count 100 and the data control bus 43, and outputs them as orthogonal function data 102. Numeral 103 denotes arithmetic means, which calculates the 8-line data 99 and the orthogonal function data 102 and outputs the liquid crystal data 47. The specific calculation method and means will be described later. FIG. 24 is a block diagram of one embodiment focusing on the write operation of the line memory A92 of FIG. 23. Reference numeral 104 denotes an AW reset, and 105 denotes an AW clock, which are signals of the A control bus 87. 106 to 10
Reference numeral 8 denotes a line memory for storing display information for one line, which is a line 1 memory, a line 2 memory, and a line 8 memory, respectively. It should be noted that the memory for lines 3 to 7 is omitted in the figure. Reference numeral 109 denotes a write address decoding means for decoding the line address 88 and instructing which line memory the data is to be written. 110 is a line memory 1 write signal, 111 is a line memory 2 write signal, 1
Reference numeral 12 performs a write operation on the memories which are "high" with the line memory 8 write signal. The write address of each line memory is set to “0” by the AW reset 104, and then the write operation and the address increment are sequentially performed by the AW clock 105.
FIGS. 25 and 26 are diagrams for explaining the write operation to the line memory A92, and FIG. 27 is a block diagram of one embodiment focusing on reading from the line memory A92. This is a signal of the bus 95. Reference numerals 113 to 115 denote line 1 memory 106, line 2 memory 107, and line 8 memory 1, respectively.
08 read data are line memory A1 data, line memory A2 data, and line memory A8 data. In the read operation, the read address is set to “0” by the AR reset 116, and thereafter, by the AR clock 117, 640 dots are read from the line 1 memory 106 to the line 8 memory 108, one by one, simultaneously from the eight lines of memory. FIG. 28 is a timing chart for explaining the reading operation from the line memory A92, and FIG. 29 is a block diagram of one embodiment of the calculating means 103 in FIG. 119 is EX
This is OR, and the exclusive OR of each data of 8-line data 99 of 1-bit data information of 8 lines and orthogonal function data 102 as eight orthogonal functions is calculated. 12
Numeral 0 denotes operation data output from the EXOR 119, reference numeral 121 denotes decoding means for decoding the number of “high” in the operation data 120, and the decoding result is output as liquid crystal data 47.
FIG. 30 is a block diagram of an embodiment of the function generating means 101. Reference numeral 122 denotes an orthogonal function storing means for storing eight kinds of orthogonal function data for 16 divisions. The orthogonal function data 102 as a value is output. Reference numeral 123 denotes a line block counter, and reference numeral 124 denotes a line block signal. The line block case 123 performs a count operation in units of 8 lines with a read H signal 82 based on the read V signal 81, and outputs the count value to the line block signal. Output as 124. FIG. 31 is a diagram for explaining the operation of the function value storage means 122, and FIG.
FIG. 33 is a timing chart for explaining the operation of the column electrode driving means 53. FIG. FIG.
Is a block diagram of one embodiment of the row function generating means 50.
5 is a horizontal clock, 126 is a liquid crystal clock, 128 is a partial count value, and 129 partial clocks, each of which is generated by the column signal generating means 46. Reference numeral 127 denotes a partial counter, which is reset by the horizontal clock 125 and repeats eight counts by the liquid crystal clock 126. The counter 127 outputs the count value as a partial count value 128 and generates a partial clock 129 synchronized with eight counts. 13
0 is a block counter, 131 is a block value, reset by the horizontal clock 125, counted by the partial clock 129, and outputs the count value as the block value 131. 132 is a comparing means, 133 is a comparison output. The line block output 124 is compared with the block value 131, and when they match, the comparison output 133 is set to "high". Reference numeral 134 denotes P → S means for outputting the orthogonal function data 102 of the eight kinds of orthogonal functions, which are inputs, according to the partial cant value 128 one by one. Reference numeral 135 denotes serial orthogonal data output from the P → S unit 134. Reference numeral 136 denotes a selection unit that outputs serial orthogonal data when the comparison output 133 is “high”, and outputs “0” otherwise.

【0101】まず図18を用いて第3の実施例の概略動
作を説明し、その後図19から図35を用いて、図18
の液晶表示装置のブロック図の各ブロックの詳細の動作
説明を行う。
First, the schematic operation of the third embodiment will be described with reference to FIG. 18, and thereafter, with reference to FIG. 19 to FIG.
The detailed operation of each block in the block diagram of the liquid crystal display device will be described.

【0102】入力される表示データ35は、1フレーム
期間に表示すべき1画面分のデータがシリアルに送られ
てくる。フレームメモリ制御手段40はこの表示データ
35を4ビットパラレルに変換し、フレームメモリ手段
44に順次書き込みを行う。
As input display data 35, data for one screen to be displayed in one frame period is serially transmitted. The frame memory control means 40 converts the display data 35 into 4-bit parallel data and sequentially writes the converted data into the frame memory means 44.

【0103】又、フレームメモリ制御手段40は1フレ
ーム前に格納した4ビットパラレルの表示データ35の
情報をフレームメモリ手段44から入力のフレーム周期
の1/4の周期で4回読みだし動作を行う。フレームメ
モリ制御手段40は上記読みだしのタイミングに合わせ
入力のH信号36、V信号37、DCLK38、表示信
号39からリードV信号81、リードH信号82、リー
ド表示信号83、フィールド信号84、及びDCLKと
同じ周期の基準クロックを合わせてデータ制御バス43
として列発生手段46に出力する。フィールド信号84
は4回の読みだしの回数を示すもので”1”から”4”
の値を持ち、ここではそれぞれ第1フィールドから第4
フィールドと呼ぶ。列信号発生手段46はデータ信号制
御バス43、フレームメモリリードデータ45から列電
極駆動手段53へ出力する液晶データ47、列信号制御
バス48を生成する。列信号発生手段46はフレームリ
ードデータ45を8ライン分取り込み、取り込んだ8ラ
イン分のデータを同時に1ドットずつ読みだし、この読
みだした8ライン分のデータと直交関数のデータとの演
算を行い液晶データ47を生成する。この演算では図1
7に示すように第1フィールドはW1の直交関数での演
算、第2フィールドではW2、第3フィールドでW3、
第4フィールドでW4の直交関数との演算を行う。行関
数発生手段50は、図17の直交関数及び”0”の駆動
電圧が各行電極信号に与えられるように、行電極駆動手
段57を制御する。尚、上記列信号発生手段46内の演
算の直交関数と同期をとるため、行関数発生手段50は
関数信号バス49を用いて行データ51を生成する。
The frame memory control means 40 performs an operation of reading the information of the 4-bit parallel display data 35 stored one frame before from the frame memory means 44 four times in a cycle of 1/4 of the input frame cycle. . The frame memory control means 40 receives the input H signal 36, V signal 37, DCLK 38, display signal 39 from the input signal H, the read V signal 81, the read H signal 82, the read display signal 83, the field signal 84, and the DCLK in accordance with the read timing. The data control bus 43
Is output to the column generating means 46. Field signal 84
Indicates the number of readings four times, from "1" to "4".
Where the first to fourth fields
Called a field. The column signal generating means 46 generates liquid crystal data 47 and a column signal control bus 48 to be output from the data signal control bus 43 and the frame memory read data 45 to the column electrode driving means 53. The column signal generating means 46 fetches the frame read data 45 for eight lines, reads out the fetched eight lines of data one dot at a time, and performs an operation on the read eight lines of data and the orthogonal function data. The liquid crystal data 47 is generated. In this calculation, FIG.
As shown in FIG. 7, the first field is calculated by the orthogonal function of W1, the second field is W2, the third field is W3,
The operation with the orthogonal function of W4 is performed in the fourth field. The row function generating means 50 controls the row electrode driving means 57 so that the orthogonal function of FIG. 17 and the drive voltage of “0” are applied to each row electrode signal. The row function generator 50 generates the row data 51 using the function signal bus 49 in order to synchronize with the orthogonal function of the operation in the column signal generator 46.

【0104】以下、各ブロックの動作の詳細を説明す
る。
Hereinafter, the operation of each block will be described in detail.

【0105】図18に入力される表示データ35のタイ
ミングを図19に示す。表示データ35は縦240ライ
ンあり、V信号37の1周期の1フレーム期間(ここで
は16ms)に240ラインのデータが送られてくる。
1ラインは、H信号36の1周期で示され、この期間で
表示信号39の”ハイ”で示される有効期間で640ド
ットのデータがシリアルに順次送られてくる。従って、
この表示データ35は1画面を横640ドット、縦24
0ラインで構成している。この表示データは、4ビット
パラレルに変換され、フレームメモリ手段44に書き込
まれると共に、図20に示すように1/4の周期で読み
だされる。次に、フレームメモリ手段44の読みだし、
書き込み動作について説明する。フレームメモリ手段4
4は、図21に示す構成で実現でき、セレクト手段Aは
フレームR/W信号72が”ハイ”の時は図22に示す
ように、メモリ手段A79への書き込みを行わせるた
め、AWリセット64、AWクロック65を選択し、メ
モリAリセット75、メモリAクロック76として出力
し、メモリAR/W信号を”ハイ”にする。これによ
り、メモリ手段AはV信号37と同一のタイミングであ
るAWリセット64によりアドレスをリセットし、その
後AWクロック65により、表示信号39の”ハイ”の
期間のフレームライトデータ41の書き込みを行う。こ
こで、AWクロック63はフレームライトデータ41に
同期した、すなわちDCLK38の4倍の周期のクロッ
クで、表示信号39が”ハイ”の期間のデータのみにク
ロック出力となるクロック信号である。この書き込み動
作を行っている時は、セレクト手段B74は、メモリB
リセット78、メモリBクロック79として、BRリセ
ット70、BRクロック71を選択し、メモリBR/W
信号を”ロー”にしているため、メモリB手段80は図
22に示すように、V信号37の4倍の周波数のリード
V信号に同期して、読みだし動作を行うことになる。
尚、BRクロック71は書き込みに対して4倍の速度で
読みだしを行うため書き込みのクロックの1/4の周期
のクロック、すなわちDCLK38と同一の周期のクロ
ックとなる。また、フレームR/W信号72が”ロー”
の時は、セレクト手段A73、セレクト手段B74はそ
れぞれ、ARリセット66、ARクロック67、BWリ
セット68、BWクロック69を選択し、メモリAR/
W信号77を”ロー”、メモリBR/W信号80を”ハ
イ”にし、メモリA手段62に対しては読みだし動作、
メモリB手段63に対しては書き込み動作を行わせる。
FIG. 19 shows the timing of the display data 35 input to FIG. The display data 35 has 240 vertical lines, and data of 240 lines is sent in one frame period (16 ms in this case) of one cycle of the V signal 37.
One line is represented by one cycle of the H signal 36, and during this period, data of 640 dots is sequentially transmitted in a valid period indicated by “high” of the display signal 39. Therefore,
This display data 35 is composed of 640 dots horizontally and 24 pixels vertically.
It is composed of 0 lines. The display data is converted into 4-bit parallel data, written into the frame memory means 44, and read out at a period of 1/4 as shown in FIG. Next, reading of the frame memory means 44,
The write operation will be described. Frame memory means 4
21 can be realized by the configuration shown in FIG. 21. When the frame R / W signal 72 is "high", the selecting means A causes the AW reset 64 to perform writing to the memory means A79 as shown in FIG. , AW clock 65, and outputs them as a memory A reset 75 and a memory A clock 76, and makes the memory AR / W signal "high". As a result, the memory unit A resets the address by the AW reset 64 at the same timing as the V signal 37, and then writes the frame write data 41 during the “high” period of the display signal 39 by the AW clock 65. Here, the AW clock 63 is a clock signal synchronized with the frame write data 41, that is, a clock having a cycle four times as long as the DCLK 38, and a clock output only for data in a period when the display signal 39 is "high". When performing this write operation, the selecting means B 74
A BR reset 70 and a BR clock 71 are selected as the reset 78 and the memory B clock 79, and the memory BR / W
Since the signal is "low", the memory B means 80 performs the reading operation in synchronization with the read V signal having a frequency four times the frequency of the V signal 37, as shown in FIG.
Note that the BR clock 71 is a clock having a cycle of 1/4 of the write clock, that is, a clock having the same cycle as the DCLK 38, since reading is performed at four times the speed of writing. Also, the frame R / W signal 72 is "low".
In this case, the selecting means A73 and the selecting means B74 select the AR reset 66, the AR clock 67, the BW reset 68, and the BW clock 69, respectively, and
The W signal 77 is set to "low", the memory BR / W signal 80 is set to "high", and a read operation is performed for the memory A means 62.
The writing operation is performed on the memory B means 63.

【0106】以上説明したように、フレームメモリ制御
手段40、フレームメモリ手段44の動作により、図1
9に示される表示データ35はフレームメモリ手段44
に書き込まれ、そのデータは1フレーム期間遅れて、図
20に示すように1/4の周期で4回読みだされる。
尚、図20には図示していないが、フレームリードデー
タ45は入力のDCLK38と同じ周期のリードクロッ
クに同期し、このリードクロックはデータ制御信号バス
43に含まれている。
As described above, the operation of the frame memory control means 40 and the frame memory means 44 causes the operation of FIG.
The display data 35 shown in FIG.
, And the data is read out four times with a period of 1/4 as shown in FIG. 20 with a delay of one frame period.
Although not shown in FIG. 20, the frame read data 45 is synchronized with a read clock having the same cycle as the input DCLK 38, and this read clock is included in the data control signal bus 43.

【0107】次に列信号46の動作の詳細を説明する。Next, the operation of column signal 46 will be described in detail.

【0108】フレームリードデータ45は4ビットのパ
ラレルデータであり、書き込み手段85により、ライン
メモリA92又はラインメモリB93へ書き込まれる。
書き込み手段85は図24に示すように、リードV信号
81を基準にしリードH信号82によりカウントされ、
1〜8の値を繰り返すラインアドレス88を生成すると
共に8ライン毎にAW信号91を“ハイ”、“ロー”と
繰り返させる。AW信号91はフレームリードデータ4
5の書き込みを行なうラインメモリを指示する信号であ
り、“ハイ”の時ラインメモリA92への書き込みを指
示し、“ロー”の時ラインメモリBへの書き込みを指示
する。
The frame read data 45 is 4-bit parallel data, and is written into the line memory A 92 or the line memory B 93 by the writing means 85.
As shown in FIG. 24, the writing means 85 is counted by the read H signal 82 based on the read V signal 81,
A line address 88 that repeats the values of 1 to 8 is generated, and the AW signal 91 is repeatedly changed to “high” and “low” every eight lines. The AW signal 91 is the frame read data 4
5 is a signal for instructing the line memory for writing 5, and when "high", it instructs writing to the line memory A92, and when "low", it instructs writing to the line memory B.

【0109】今、AW信号91を“ハイ”とし、ライン
メモリA92への書き込み動作を図25、図26を用い
て説明する。図25においてライトアドレスデコード手
段109は、AW信号91が“ハイ”の時、図24に示
したライトアドレス88の値により、ライン1メモリ1
06からライン8メモリ109の8ヶのラインメモリに
対して、順次書き込み動作をイネーブルとする。すなわ
ち、各ラインメモリに対しては、図26に示すようにリ
ードH信号82と同一のAWリセット113によりライ
トアドレスをリセットし、リード表示信号83が“ハ
イ”の期間のデータに同期したクロック、AWクロック
114で、順次ラインメモリにAデータ86を1ライン
ずつ書き込むことになる。ラインメモリB93も図25
と同一の構成で実現できる。但し、ラインメモリB93
内のライトアドレスデコード手段は、AW信号91が
“ロー”の時にライトアドレス88に従い各ライト信号
をイネーブルにする。ラインメモリA92はAW信号9
1が“ロー”の時(ラインメモリB93へ書き込みを行
なっている時)読み出し手段94により読み出し動作を
行なう。以下、この読み出し動作を図27、図28を用
いて説明する。ライン1メモリ106からライン8メモ
リ108は、ARリセット116によりリードアドレス
をリセットし、その後ARクロック117により順次1
ドットずつ読み出される。この時、読み出し手段94は
ARリセット116を図28に示すように、AW信号9
1が“ロー”の期間に4回、すなわちリードH信号82
の2周期毎に生成し、又、その時リードカウント118
を1から4にカウントアップする。ARリセット116
の1周期では、ARクロック117により640ドット
のデータが順次読みだされ、8ラインのデータのAリー
ドデータ97として出力されえる。この動作は、フレー
ムメモリBも同様であり、AW信号が”ハイ”の時、B
Rクロック、BRリセットを読みだし手段94がBリー
ド制御バスとして出力し、読みだしを行う。図26でわ
かるように、AWリセット113、AWクロック114
はラインメモリA92が書き込み動作時のみに出力され
る。BWリセット、BWクロックも同様にラインメモリ
B93が書き込み時のみに出力される。
Now, the AW signal 91 is set to "high" and the write operation to the line memory A92 will be described with reference to FIGS. In FIG. 25, when the AW signal 91 is "high", the write address decoding means 109 uses the value of the write address 88 shown in FIG.
The write operation is sequentially enabled for eight line memories from line 06 to line 8 memory 109. That is, for each line memory, as shown in FIG. 26, the write address is reset by the same AW reset 113 as the read H signal 82, and the clock synchronized with the data during the period when the read display signal 83 is "high" With the AW clock 114, the A data 86 is sequentially written to the line memory line by line. Line memory B93 is also shown in FIG.
It can be realized with the same configuration as described above. However, the line memory B93
When the AW signal 91 is "low", the write address decode means enables each write signal in accordance with the write address 88. Line memory A92 has AW signal 9
When 1 is "low" (when writing to the line memory B93), the reading means 94 performs a reading operation. Hereinafter, this read operation will be described with reference to FIGS. From the line 1 memory 106 to the line 8 memory 108, the read address is reset by the AR reset 116, and then the 1
The dots are read out dot by dot. At this time, the reading means 94 sets the AR reset 116 to the AW signal 9 as shown in FIG.
1 is low four times, that is, the read H signal 82
Are generated every two periods, and the read count 118
Is counted up from 1 to 4. AR reset 116
In one cycle, data of 640 dots is sequentially read out by the AR clock 117 and can be output as A-read data 97 of eight lines of data. This operation is the same for the frame memory B. When the AW signal is “high”, B
The reading means 94 outputs the R clock and the BR reset as a B read control bus, and performs reading. As can be seen from FIG. 26, AW reset 113, AW clock 114
Is output only when the line memory A92 performs a write operation. Similarly, the BW reset and the BW clock are output only when the line memory B93 is writing.

【0110】又、リード用のリセット、クロックも同様
である。読みだされたデータの8ラインデータ99は演
算手段103に入力され、図29に示すようにEXOR
119で直交関数データ102と演算を行い、その出力
結果の”1”の数をデコードし、液晶データ47として
出力する。この時、演算される直交関数データ102
は、図30に示す関数発生手段101で生成される。図
30において、関数記憶手段122は、フィールド信号
84、リードカウント100に従い、図31に示す関係
で直交関数データ102を生成する。すなわち、フィー
ルド信号84が”1”の時は図17のW1に相当する分
割時間K1からK4の直交関数データを、”2”の時は
W2に相当する分割時間K5からK8の直交関数データ
を、”3”の時はW3に相当する分割時間K9からK1
2の直交関数データを、”4”の時はW4に相当する分
割時間K13からK16の直交関数データを生成する。
The same applies to the reset and clock for reading. The 8-line data 99 of the read data is input to the arithmetic means 103, and EXOR as shown in FIG.
In step 119, the operation is performed on the orthogonal function data 102, the number of “1” in the output result is decoded, and the result is output as liquid crystal data 47. At this time, the orthogonal function data 102 to be calculated
Is generated by the function generating means 101 shown in FIG. 30, the function storage unit 122 generates the orthogonal function data 102 according to the relationship shown in FIG. 31 according to the field signal 84 and the read count 100. That is, when the field signal 84 is "1", the orthogonal function data of the division times K1 to K4 corresponding to W1 in FIG. 17 is used, and when the field signal 84 is "2", the orthogonal function data of the division times K5 to K8 corresponding to W2 is used. , "3", the division times K9 to K1 corresponding to W3
The orthogonal function data of 2 is generated, and when it is "4", the orthogonal function data of K16 to K16 is generated which corresponds to W4.

【0111】ラインブロックカウンタ123は図32に
示すように、フレームリードデータ45が一旦、ライン
メモリに書き込まれれその後、読みだされることより8
ライン分遅れる。従って、リードV信号81に対し、8
ライン遅れたタイミングで、1から30(240ライン
を8ラインずつ30分割)カウントする。すなわち、こ
のラインブロックカウンタ123の出力であるラインブ
ロック信号124は、現在、ラインメモリより読みださ
れ演算手段103で演算されているラインのブロック
(8ラインずつ1から30のブロック)を示しているこ
とになる。
As shown in FIG. 32, the line block counter 123 reads the frame read data 45 once by writing it to the line memory and then reading it out.
Delay by line. Therefore, for the read V signal 81, 8
At a timing delayed by the line, 1 to 30 (240 lines are divided into 30 by 8 lines) is counted. That is, the line block signal 124 output from the line block counter 123 indicates a block of lines currently being read from the line memory and calculated by the calculating unit 103 (blocks of 1 to 30 every 8 lines). Will be.

【0112】列信号制御バス48は水平クロック12
5、液晶クロック126を含んでおり、それぞれの信号
は読みだし手段94により生成され、水平クロック12
5はARリセット116と同一周期の、リードH信号8
2の2周期の周期であり、液晶クロック126は、リー
ドクロックと同一の周期であり、それぞれ、ARリセッ
ト116とBRリセットのOR演算、ARクロック11
7とBRクロックのOR演算で表すことができる。
The column signal control bus 48 is connected to the horizontal clock 12
5, a liquid crystal clock 126, each signal is generated by the reading means 94, and the horizontal clock 12
5 is a read H signal 8 having the same cycle as the AR reset 116.
2, the liquid crystal clock 126 has the same period as the read clock, and the OR operation of the AR reset 116 and the BR reset, and the AR clock 11
7 and a BR clock OR operation.

【0113】列信号駆動手段53は、液晶クロック12
6により順次液晶データ47をラッチし、640ドット
分のデータラッチ後の水平クロック125により、列電
極信号として、9種類の電圧から1種類を各ドットの液
晶データ47の情報により、選択し出力する。すなわ
ち、図33に示すように、液晶データ47は水平クロッ
ク125の1周期遅れで電圧に変換され、液晶パネル6
1に与えられる。尚、図中1−k1、1−k2………は
第1ブロック(1行目から8行目)の表示データに対し
ての直交関数の分割時間k1、k2………の演算結果で
あることを示している。
The column signal driving means 53 is connected to the liquid crystal clock 12
6, the liquid crystal data 47 is sequentially latched, and one of nine voltages is selected and output as the column electrode signal based on the information of the liquid crystal data 47 of each dot by the horizontal clock 125 after data latching for 640 dots. . That is, as shown in FIG. 33, the liquid crystal data 47 is converted into a voltage with one cycle delay of the horizontal clock 125, and
Given to one. In the drawing, 1-k1, 1-k2... Are the calculation results of the division times k1, k2,... Of the orthogonal function with respect to the display data of the first block (the first to eighth rows). It is shown that.

【0114】次に、行関数発生手段50の動作を説明す
る。行関数発生手段50は、列信号発生手段46で演算
を行っているラインに対して直交関数を出力するように
行電極駆動手段57を制御する手段であり、図34に示
す構成で実現できる。部分カウンタ127は、図35に
示すように、水平クロック125でリセットされ、液晶
クロック126により、1から8のカウント動作を繰り
返し部分カウント値128として出力すると共に、この
8カウント周期の液晶クロック129でブロックカウン
タ130をカウントアップする。すなわち、行電極駆動
手段57の制御信号である、行データ制御バスは、水平
クロック135、液晶クロック126であるため、ライ
ンブロック信号124と同一のブロック値131以外の
行データ51を”0”とするため、比較手段132、セ
レクト手段136が動作し、ラインブロック信号124
とブロック値131が一致した時は、P→S手段174
を介して、列信号発生手段46の演算に用いられた直交
関数データ102を1ビットずつ行データ51として出
力する。これにより、演算されたブロックの行のみに直
交関数データを与え、それ以外の行を”0”とすること
が可能となる。
Next, the operation of the row function generator 50 will be described. The row function generating means 50 is means for controlling the row electrode driving means 57 so as to output an orthogonal function to the line on which the operation is performed by the column signal generating means 46, and can be realized by the configuration shown in FIG. As shown in FIG. 35, the partial counter 127 is reset by the horizontal clock 125, repeatedly outputs the count operation from 1 to 8 as the partial count value 128 by the liquid crystal clock 126, and outputs the partial count value 128 by the liquid crystal clock 129 having the eight count period. The block counter 130 is counted up. That is, since the row data control bus, which is the control signal of the row electrode driving means 57, is the horizontal clock 135 and the liquid crystal clock 126, the row data 51 other than the same block value 131 as the line block signal 124 is set to "0". Therefore, the comparing means 132 and the selecting means 136 operate, and the line block signal 124
If the block value 131 matches the P → S means 174
, The orthogonal function data 102 used for the operation of the column signal generating means 46 is output as row data 51 bit by bit. As a result, it becomes possible to provide the orthogonal function data only to the row of the calculated block and set the other rows to “0”.

【0115】以上説明した動作により、列電極用の演
算、及び行電極への電圧印加を制御でき、分割時間を分
散させた形での液晶の駆動が可能となる。又、本実施例
ではフレームメモリの読みだしを書き込みの周期で4回
としたが、これに限られる分けではなくx回の読みだし
とすることも可能である。
By the operation described above, the calculation for the column electrodes and the application of the voltage to the row electrodes can be controlled, and the liquid crystal can be driven in a manner that the division time is dispersed. In this embodiment, the frame memory is read four times in the writing cycle. However, the present invention is not limited to this, and it is also possible to read x times.

【0116】さらに、1ブロックのライン数も8ライン
としたが、第1の実施例と同様にyラインとすることも
可能である。
Further, although the number of lines in one block is also eight, it is also possible to use y lines as in the first embodiment.

【0117】第三の実施例の回路構成では、図23に示
したように列信号発生手段46にラインメモリを使用し
ている。しかし、これに限られる訳ではなく、ラインメ
モリを使用しない構成でも実現可能である。
In the circuit configuration of the third embodiment, a line memory is used for the column signal generating means 46 as shown in FIG. However, the present invention is not limited to this, and can be realized even in a configuration not using a line memory.

【0118】この実施例を第四の実施例として図35か
ら図38を用いて説明する。
This embodiment will be described as a fourth embodiment with reference to FIGS. 35 to 38.

【0119】図35は、第四の実施例の液晶表示装置の
ブロック図であり、137はフレームメモリ制御手段、
138はフレームリードデータであり、フレームメモリ
手段に対して、表示データの書き込み、フレームリード
データ138の読み出しを制御する。139は列信号発
生手段である。その他第三の実施例と同じ動作を行うブ
ロックは図18と同じ符号を記入した。図36はフレー
ムメモリ手段44からの読み出し動作を説明するタイミ
ング図、図37は列信号発生手段の一実施例のブロック
図である。図37において、140はフレームリードデ
ータ138のデータの並び変えを行うデータ変換手段で
ある。その他のブロックは第三の実施例で、説明した列
信号発生手段46の構成を示す図23と同じであり、同
じ動作を行うブロックには同じ符号を記入した。図38
は、データ変換手段140の動作を説明するタイミング
図である。
FIG. 35 is a block diagram of a liquid crystal display device according to the fourth embodiment.
Reference numeral 138 denotes frame read data, which controls writing of display data and reading of frame read data 138 with respect to the frame memory means. 139 is a column signal generating means. Other blocks performing the same operations as in the third embodiment are denoted by the same reference numerals as in FIG. FIG. 36 is a timing chart for explaining the read operation from the frame memory means 44, and FIG. 37 is a block diagram of one embodiment of the column signal generating means. In FIG. 37, reference numeral 140 denotes data conversion means for rearranging the data of the frame read data 138. The other blocks are the same as those of the third embodiment shown in FIG. 23 showing the configuration of the column signal generating means 46, and the blocks performing the same operations are denoted by the same reference numerals. FIG.
5 is a timing chart for explaining the operation of the data conversion means 140. FIG.

【0120】以下、図面を参照しながら、第四の実施例
の動作を説明する。
The operation of the fourth embodiment will be described below with reference to the drawings.

【0121】図35において、入力される表示データ3
5、及び入力タイミング信号は、第三の実施例と同じく
図19に示すタイミングで入力される。入力表示データ
35は、フレームメモリ制御手段137により、フレー
ムメモリ手段44に書き込まれる。フレームメモリ制御
手段137は入力タイミング信号である、H信号36、
V信号37、DCLK38、表示信号39を用いてフレ
ームメモリ制御バス42の信号を作成する。これらの動
作は、第三の実施例と同じである。フレームメモリ手段
44に書き込まれた表示データ35は、同じくフレーム
メモリ制御手段137により、読みだされ、フレームリ
ードデータ138として列信号発生手段139に与えら
れる。フレームメモリ制御手段137は、この読み出し
動作のタイミングにあわせ、リードV信号81、リード
H82、リード表示信号83、フィールド信号84、D
CLK38と同じ周期の基準クロックをデータ制御バス
43として生成する。以下、この読み出し動作を説明す
る。読みだしは、第三の実施例と同様に、図21に示す
フレームメモリ手段の書き込みの行われていないメモリ
手段A62または、メモリ手段B63から図36に示す
ように、入力のフレーム周期であるV信号37の周期
で、4回読み出し動作を行う。従って、リードV信号8
1は入力の1フレーム期間に4周期となり、フィールド
信号84で示す第1フィールドから第4フィールドを形
成する。1フィールド期間にリードH信号82は30周
期となり、この1周期で8ライン分の表示データをフレ
ームメモリ手段より読みだす。従って、リードH信号8
2の第1周期では、フレームリードデータ138は1ラ
イン目から8ライン目のデータを水平方向4ビットづつ
図36に示す順に読みだし、フレームリードデータ13
8とする。図中、L1、L2、……、L8は1ライン
目、2ライン目、……、8ライン目、のデータを示して
いる。
In FIG. 35, input display data 3
5 and the input timing signal are input at the timings shown in FIG. 19 as in the third embodiment. The input display data 35 is written into the frame memory means 44 by the frame memory control means 137. The frame memory control unit 137 outputs an H signal 36, which is an input timing signal,
A signal of the frame memory control bus 42 is created by using the V signal 37, the DCLK 38, and the display signal 39. These operations are the same as in the third embodiment. The display data 35 written in the frame memory means 44 is similarly read out by the frame memory control means 137 and given to the column signal generation means 139 as frame read data 138. The frame memory control unit 137 adjusts the read V signal 81, the read H82, the read display signal 83, the field signal 84,
A reference clock having the same cycle as CLK 38 is generated as data control bus 43. Hereinafter, this read operation will be described. As in the third embodiment, reading is performed from the memory unit A62 or the memory unit B63 in which writing is not performed in the frame memory unit shown in FIG. 21 as shown in FIG. The read operation is performed four times in the cycle of the signal 37. Therefore, the read V signal 8
1 is four periods in one input frame period, and forms the first field to the fourth field indicated by the field signal 84. The read H signal 82 has 30 cycles in one field period, and display data for 8 lines is read from the frame memory means in one cycle. Therefore, the read H signal 8
In the first cycle of the frame read data 138, the data of the first to eighth lines are read in the horizontal direction by 4 bits in the order shown in FIG.
8 is assumed. In the figure, L1, L2,..., L8 indicate data of the first line, the second line,.

【0122】以上説明したように、第四の実施例では、
第三の実施例に比べ、フレームリードデータ138の読
みだし順を変え、これにともない、リードH信号82の
周期が異なることを除けばその動作は、第三の実施例と
同じである。
As described above, in the fourth embodiment,
Compared with the third embodiment, the operation is the same as that of the third embodiment except that the reading order of the frame read data 138 is changed and the period of the read H signal 82 is accordingly different.

【0123】フレームリードデータ138はデータ信号
制御バス43と共に、列信号発生手段139に与えられ
る。列信号発生手段139は図37に示す構成で実現で
き、データ変換手段140はフレームリードデータ13
8を図38に示すように、水平方向4ビットの8ライン
分のデータを水平1ビット8ライン分の8ビットのデー
タの8ラインデータ99に変換する。この8ラインデー
タ99は図37に示すように、演算手段103に与えら
れ、液晶データ47に変換される。演算手段103の動
作は、第三の実施例と同様である。
The frame read data 138 is supplied to the column signal generator 139 together with the data signal control bus 43. The column signal generating means 139 can be realized by the configuration shown in FIG.
As shown in FIG. 38, 8 is converted from 8-bit data of 4 bits in the horizontal direction to 8-line data 99 of 8-bit data of 1 bit and 8 lines in the horizontal direction. As shown in FIG. 37, the eight line data 99 is given to the arithmetic means 103 and converted into the liquid crystal data 47. The operation of the calculating means 103 is the same as in the third embodiment.

【0124】以上、説明したように、ラインメモリを用
いなくても、第三の実施例と同じ動作を実現可能であ
る。
As described above, the same operation as in the third embodiment can be realized without using a line memory.

【0125】以上説明した実施例では、液晶表示装置
は、図39に示す液晶表示装置143のように、表示デ
ータを生成するパソコンやワークステーション、ワープ
ロなどの情報処理装置の表示制御回路であるシステム装
置表示制御手段141とインターフェイス信号142で
接続され使用されることが多い。この時のインターフェ
イス信号142を図40に示す。これは、第一の実施例
から四の実施例で用いた入力信号であり、V信号37、
H信号36、表示データ35、表示信号39、DCLK
38である。V信号37は1画面の表示データを液晶表
示装置143に送る期間を示す信号で、1周期を1フレ
ームと称する。H信号36は、表示データの1ライン分
のデータを送る期間を示し、1周期を1水平期間と称す
る。表示データ35はシリアルに1ビットづつ上記タイ
ミングに従い1画面のデータを順に液晶表示装置143
に送る。DCLK38は図示していないが表示データに
同期したクロックである。表示信号39は表示データ3
5のうち、液晶表示装置に表示すべきデータを示す信号
である。尚、図40では、帰線データと呼ばれる表示し
ないデータは水平にしかない(図中の表示データ35
の”1”と記入された前と640と記入された後のデー
タ)が、これに限られる訳でなく数ラインの帰線データ
がある場合も考えられる。
In the embodiment described above, the liquid crystal display device is a system which is a display control circuit of an information processing device such as a personal computer, a workstation, a word processor or the like, which generates display data, like a liquid crystal display device 143 shown in FIG. It is often used by being connected to the device display control means 141 by an interface signal 142. FIG. 40 shows the interface signal 142 at this time. This is the input signal used in the first to fourth embodiments, and the V signal 37,
H signal 36, display data 35, display signal 39, DCLK
38. The V signal 37 is a signal indicating a period for transmitting display data of one screen to the liquid crystal display device 143, and one cycle is referred to as one frame. The H signal 36 indicates a period for transmitting one line of display data, and one cycle is referred to as one horizontal period. In the display data 35, the data of one screen is serially displayed one bit at a time according to the above timing.
Send to The DCLK 38 is a clock (not shown) synchronized with the display data. The display signal 39 is the display data 3
5 is a signal indicating data to be displayed on the liquid crystal display device. In FIG. 40, the data which is not displayed, which is called the retrace data, is only horizontal (the display data 35 in FIG. 40).
The data before and after the entry of "1" and the data after the entry of 640 are not limited to this, and there may be cases where there are several lines of retrace data.

【0126】しかし、第一の実施例から第四の実施例の
を実現した情報処理装置のインターフェイスはこれに限
られる訳ではなく、例えば、各実施例で用いた、フレー
ムメモリ制御手段、フレームメモリ手段、列信号発生手
段、行関数発生手段等をシステム装置表示制御手段14
1に設けることで、液晶表示装置143のインターフェ
イス142信号を図41、42とすることも可能であ
る。
However, the interface of the information processing apparatus that realizes the first to fourth embodiments is not limited to this. For example, the frame memory control means, the frame memory Means, column signal generating means, row function generating means, etc.
1, the signal of the interface 142 of the liquid crystal display device 143 can be as shown in FIGS.

【0127】図41は、第三の実施例のフレームメモリ
制御手段、フレームメモリ手段をシステム装置表示制御
手段141に設けた場合のインターフェイス信号142
の1例を示すタイミング図である。これは、図20で示
したフレームリードデータ45とデータ信号制御バス4
3の信号である。又、図示していないがフレームリード
データ45に同期したクロックが必要である。また、図
41では、フレームリードデータ45は、4ビットパラ
レルであるがこれに限られる訳ではなく、パラレル数は
1ビットのシリアルから任意の複数ビットとすることが
可能である。また、パラレルで送る場合は、液晶表示装
置側の処理回路のタイミング設計を簡単化する目的で、
インターフェイス信号として、1ドットのデータ周期の
クロックを加えることも考えられる。
FIG. 41 shows the frame memory control means of the third embodiment, and the interface signal 142 when the frame memory means is provided in the system device display control means 141.
FIG. 6 is a timing chart showing an example of the above. This corresponds to the frame read data 45 and the data signal control bus 4 shown in FIG.
3 is a signal. Although not shown, a clock synchronized with the frame read data 45 is required. Further, in FIG. 41, the frame read data 45 is 4-bit parallel, but is not limited to this. The number of parallels can be any serial number from 1 bit to any number of bits. Also, in the case of sending in parallel, in order to simplify the timing design of the processing circuit on the liquid crystal display device side,
It is also conceivable to add a clock having a data period of one dot as an interface signal.

【0128】図42は、第四の実施例のフレームメモリ
制御手段、フレームメモリ手段をシステム装置表示制御
手段141に設けた場合のインターフェイス信号142
の1例を示すタイミング図である。これは、図36で示
したフレームリードデータ138とデータ信号制御バス
43の信号である。又、図示していないがフレームリー
ドデータ45に同期したクロックが必要である。また、
図41では、フレームリードデータ45は、水平方向4
ビットパラレルであるがこれに限られる訳ではなく、パ
ラレル数は1ビットのシリアルから任意の複数ビットと
することが可能である。また、ライン方向の読みだし
も、例えば、1ライン目のデータを8ビット送った後、
2ライン目、3ライン目と順に8ビットのデータを送る
ことも可能である。すなわち、ここでの特徴は、1水平
のデータを順に送るのではなく、複数ラインのデータを
交互に送ることである。また、パラレルで送る場合は、
液晶表示装置側の処理回路のタイミング設計を簡単化す
る目的で、インターフェイス信号として、1ドットのデ
ータ周期のクロックを加えることも考えられる。
FIG. 42 shows a frame memory control means of the fourth embodiment, and an interface signal 142 when the frame memory means is provided in the system device display control means 141.
FIG. 6 is a timing chart showing an example of the above. This is the signal of the frame read data 138 and the data signal control bus 43 shown in FIG. Although not shown, a clock synchronized with the frame read data 45 is required. Also,
In FIG. 41, the frame read data 45 is in the horizontal direction 4
The bit number is parallel, but is not limited to this. The number of parallel bits can be changed from 1 bit serial to arbitrary plural bits. Also, for reading in the line direction, for example, after transmitting data of the first line by 8 bits,
It is also possible to send 8-bit data in the order of the second and third lines. That is, the feature here is that data of a plurality of lines is alternately transmitted instead of sequentially transmitting one horizontal data. When sending in parallel,
For the purpose of simplifying the timing design of the processing circuit on the liquid crystal display device side, it is conceivable to add a clock having a data period of one dot as an interface signal.

【0129】上記2つの実施例のインターフェイス信号
の特徴は、同じ画面のデータを複数回送ることであり、
フィールドの4回の回数、その他のタイミングに限定す
るものではない。
A feature of the interface signals of the above two embodiments is that data of the same screen is transmitted a plurality of times.
The number of times of the field is not limited to four times and other timings.

【0130】また、第三の実施例、第四の実施例のデー
タ信号制御バス43と比較するとフィールド信号がない
が、これは、V信号、リードV信号から容易に生成可能
である。
Further, there is no field signal as compared with the data signal control bus 43 of the third and fourth embodiments, but this can be easily generated from the V signal and the read V signal.

【0131】次に、システム装置表示制御手段141に
列信号発生手段及び、行関数発生手段を設けた場合のイ
ンターフェイス信号142の例を示す。この場合のイン
ターフェイス信号142は、図18を例に取ると、液晶
データ47、列信号制御バス48、行データ51、行信
号バス52となる。この時の特徴は、液晶データは、複
数ラインの表示データと、その複数ラインに印加される
直交関数との演算結果であること、及び、行電極駆動手
段をタイミング信号だけでなく、その動作を制御する行
データ51をインターフェイスとしたことである。ま
た、行関数発生手段のみを液晶表示装置143に設ける
構成も考えられ、この時のは、行データ51、行信号バ
ス52に変え、関数信号バス49がインターフェイス信
号142に加わる。関数信号バスは、例えば、第三の実
施例で示したように複数ラインの表示データと演算が行
われる直交関数のデータを示す直交関数データ102、
とタイミング信号を示すラインブロック信号124、水
平クロック125、液晶クロック126で構成される。
この場合の特徴は、インターフェイス信号142とし
て、液晶データ47の演算に用いた直交関数データ10
2があることである。また、上記のタイミング信号は、
これに限られる訳ではなく、直交関数データ102を行
電極駆動手段57を駆動する行データ51に変換でき、
行信号バス52を生成可能なタイミング信号であれば良
い。
Next, an example of the interface signal 142 when the system device display control means 141 is provided with a column signal generating means and a row function generating means will be described. The interface signals 142 in this case are liquid crystal data 47, column signal control bus 48, row data 51, and row signal bus 52 in FIG. The feature at this time is that the liquid crystal data is the result of the calculation of the display data of a plurality of lines and the orthogonal function applied to the plurality of lines, and that the row electrode driving means not only operates the timing signal but also controls its operation. The line data 51 to be controlled is used as an interface. Further, a configuration in which only the row function generating means is provided in the liquid crystal display device 143 can be considered. At this time, the function signal bus 49 is added to the interface signal 142 instead of the row data 51 and the row signal bus 52. The function signal bus includes, for example, orthogonal function data 102 indicating display data of a plurality of lines and orthogonal function data on which an operation is performed, as described in the third embodiment.
And a line block signal 124 indicating a timing signal, a horizontal clock 125, and a liquid crystal clock 126.
The feature in this case is that the orthogonal function data 10 used in the calculation of the liquid crystal data 47 is used as the interface signal 142.
There are two. Also, the above timing signal is
The present invention is not limited to this. The orthogonal function data 102 can be converted into row data 51 for driving the row electrode driving means 57,
Any timing signal that can generate the row signal bus 52 may be used.

【0132】次に、第一の実施例から第四の実施例で説
明した機能をシステム装置表示制御手段141に設けた
場合の実施例を図面を用いて説明する。図43は、従来
のシステム装置表示制御手段141の1例のブロック図
である。144は中央演算装置であるCPU、145は
アドレスバス、146はデータバス、147は表示コン
トローラ、148は表示メモリバス、149は表示した
い情報を格納する表示メモリ、150は表示パレットデ
ータ、151は表示タイミング信号バス、152はパレ
ット手段、153は表示データである。この時のインタ
ーフェイス信号142は図19に示すタイミングとなる
(DCLKは図示されていない)。CPU144は、表
示コントローラ147を通じて、アドレスバスで、表示
メモリ149の書き込みや読みだしの位置を指示し、デ
ータバスを介してデータを書き込み、読みだしを行う。
これにより、CPU144は表示メモリ上に、表示した
い画面を書き込んだり、表示メモリ149から読みだし
たりできることになる。表示コントローラ147はCP
U144の表示メモリ149への書き込みや読みだしの
動作を調停すると共に、表示装置へ表示すべきデータを
送るため表示メモリ149から読みだしを行う。また、
表示コントローラ147は表示タイミング制御信号バス
151を生成する。表示コントローラ147の表示メモ
リ149から読みだしたデータは、パレットデータ15
0となり、パレット手段152を介して表示データ15
3となる。通常、パレット手段152は、パレットデー
タ150を色情報に変換するが、ここでは、モノクロ表
示であるためパレットデータ150をそのまま表示デー
タ153とすることとする。
Next, an embodiment in which the functions described in the first to fourth embodiments are provided in the system device display control means 141 will be described with reference to the drawings. FIG. 43 is a block diagram of an example of a conventional system device display control means 141. 144 is a central processing unit CPU, 145 is an address bus, 146 is a data bus, 147 is a display controller, 148 is a display memory bus, 149 is a display memory for storing information to be displayed, 150 is display pallet data, and 151 is display A timing signal bus, 152 is pallet means, and 153 is display data. At this time, the interface signal 142 has the timing shown in FIG. 19 (DCLK is not shown). The CPU 144 instructs a write / read position of the display memory 149 on the address bus via the display controller 147, and writes and reads data via the data bus.
As a result, the CPU 144 can write the screen to be displayed on the display memory or read the screen from the display memory 149. The display controller 147 is a CP
U144 arbitrates the writing and reading operations to and from the display memory 149 and reads from the display memory 149 to send data to be displayed to the display device. Also,
The display controller 147 generates a display timing control signal bus 151. The data read from the display memory 149 of the display controller 147 is
0, and the display data 15
It becomes 3. Normally, the pallet unit 152 converts the pallet data 150 into color information. Here, since the pallet data 150 is a monochrome display, the pallet data 150 is used as the display data 153 as it is.

【0133】図44は、図41で示したインターフェイ
ス信号とした場合のシステム装置表示制御手段の1実施
例を示したもので、前に説明した、フレームメモリ制御
手段、フレームメモリ手段の機能をそのままシステム装
置に設けた場合と比較して、表示情報を記憶するメモリ
手段の容量を2/3にできる特徴を有するものである。
図44から図46を用いて説明する。
FIG. 44 shows an embodiment of the system device display control means in the case where the interface signal shown in FIG. 41 is used. The functions of the frame memory control means and the frame memory means described above are used as they are. It has a feature that the capacity of the memory means for storing display information can be reduced to 2/3 as compared with the case where it is provided in the system device.
This will be described with reference to FIGS. 44 to 46.

【0134】図41は、システム装置表示制御手段の1
実施例のブロック図であり、従来の構成に対して、表示
コントローラ147の表示メモリ149の読みだし方を
変え、さらに、この読みだしたデータを記憶するメモリ
手段を設けた。154はこの記憶手段である、バッファ
手段である。先に説明した、フレームメモリ手段は図2
1に示したように、1画面分のデータを記憶するメモリ
手段を2つ用いたが、バッファ手段154は1画面分の
データを記憶するものとする。155はバッファデータ
である。図45は、バッファ手段154の1実施例のブ
ロック図であり、156は選択手段で、パレットデータ
150または、記憶したデータを切り換える。157は
バッファメモリリード/ライト手段であり、158はデ
ータ切り換え信号、159はメモリ制御信号バス、16
0はメモリデータ、161はメモリリードデータであ
る。162は、1画面分の表示データを記憶するメモリ
手段である。バッファメモリリード/ライト手段157
は、表示タイミング制御信号バス151を用いて、メモ
リ手段162に対して書き込み、読みだしを制御するた
め、メモリアドレスや、メモリの書き込み、読みだし用
の信号であるメモリ制御信号バス159を生成する。図
46はパレットデータ150を説明するタイミング図で
ある。
FIG. 41 shows one of the system device display control means.
FIG. 13 is a block diagram of the embodiment, in which the way of reading the display memory 149 of the display controller 147 is changed from the conventional configuration, and further, a memory means for storing the read data is provided. Reference numeral 154 denotes a buffer unit serving as the storage unit. The previously described frame memory means is shown in FIG.
As shown in FIG. 1, two memory means for storing data for one screen are used, but the buffer means 154 stores data for one screen. 155 is buffer data. FIG. 45 is a block diagram of an embodiment of the buffer means 154. Reference numeral 156 denotes a selection means for switching between the pallet data 150 or stored data. 157 is a buffer memory read / write means, 158 is a data switching signal, 159 is a memory control signal bus, 16
0 is memory data and 161 is memory read data. A memory unit 162 stores display data for one screen. Buffer memory read / write means 157
Generates a memory address and a memory control signal bus 159 which is a signal for writing and reading memory, in order to control writing and reading to the memory means 162 using the display timing control signal bus 151. . FIG. 46 is a timing chart for explaining the pallet data 150.

【0135】図44において、表示コントローラ147
は表示メモリ149から、図46に示すように、従来の
1フレーム期間の1/4の周期(1フィールド周期)の
リードV信号の最初の周期(第1フィールド)で、1画
面分のデータを読みだし、パレットデータ150とし、
後の第2フィールドから第4フィールドまでは読みだし
を行わない。。リードH信号は1フィールド周期で26
0周期となり、パレットデータ150はリードH信号の
10周期目から249周期目までに1ライン目から24
0ライン目までのデータとなる。これを、図46では、
L1からL240で示している。リード表示信号はパレ
ットデータ150が、この表示するデータとなっている
ときに”ハイ”となる信号である。また、パレットデー
タ150はリードH信号の1周期に図中”1”から”6
40”で示される640ドットのデータがシリアルのデ
ータとなる。このような、パレットデータ150は、図
45に示す選択手段156により、第1フィールドでは
バッファデータ155となと、共に、この第1フィール
ドでは、バッファメモリリード/ライト手段157によ
り、メモリ手段162に書き込まれる。第2フィールド
以降では、この書き込まれたデータが1フィールドで1
画面分のデータがメモリ手段162から、パレットデー
タ150と同じタイミングで、バッファメモリリード/
ライト手段157で読みだされ、メモリリードデータ1
61となり、選択手段156は、第2フィールドから第
4フィールドでは、このメモリリードデータ161がバ
ッファデータ155となる。従って、バッファデータ1
55はパレット手段152を介して、表示データ153
となり、図41で示したフレームリードデータと同じと
なる。バッファメモリリード/ライト手段157は表示
タイミング制御信号バス151を用いて、各種の制御信
号を生成するが、ここでは詳細には説明しないが、図4
6のタイミング信号や、パレットデータの基準信号とな
るドットクロックなどから容易に生成できることは自明
である。
In FIG. 44, the display controller 147
As shown in FIG. 46, the data of one screen is read from the display memory 149 in the first cycle (first field) of the read V signal having a cycle (one field cycle) of 1/4 of the conventional one frame period. Read it out, make it pallet data 150,
Reading is not performed in the subsequent second to fourth fields. . The read H signal is 26 in one field cycle.
0 period, and the pallet data 150 is stored in the 24th period from the first line to the 249th period of the read H signal.
The data is up to the 0th line. This is shown in FIG.
L1 to L240 are shown. The read display signal is a signal that becomes “high” when the pallet data 150 is the data to be displayed. Further, the pallet data 150 is changed from “1” to “6” in one cycle of the read H signal.
The data of 640 dots indicated by "40" is serial data. Such pallet data 150 is converted into the buffer data 155 in the first field by the selection means 156 shown in FIG. In the field, the data is written to the memory means 162 by the buffer memory read / write means 157. In the second and subsequent fields, the written data is one in one field.
The data for the screen is read from the buffer unit 162 at the same timing as the palette data 150 from the memory unit 162.
The memory read data 1 read by the write means 157
The memory read data 161 becomes the buffer data 155 in the second to fourth fields. Therefore, buffer data 1
55 is the display data 153 via the pallet means 152.
And becomes the same as the frame read data shown in FIG. The buffer memory read / write means 157 uses the display timing control signal bus 151 to generate various control signals, which will not be described in detail here.
It is obvious that it can be easily generated from the timing signal No. 6 and the dot clock serving as the reference signal of the pallet data.

【0136】本実施例では、表示コントローラ147
は、従来、1画面分のデータを読みだしていた1フレー
ム期間を複数のフィールド期間に分割し、その中の1フ
ィールドで表示メモリ149から表示データを読みだ
し、これをそのまま表示データ153とすると共に、メ
モリ手段162に記憶させ、残りのフィールドでは、メ
モリ手段162に記憶したデータを1フィールドに1画
面分読みだし、表示データ153とする。これにより、
先に説明した実施例に比較して、メモリ手段162の容
量を1画面分とできる。図48は、本実施例を用いて、
図42に示したインターフェイス信号とする場合の表示
コントローラ147の表示メモリ149からの読みだし
を説明するために、パレットデータ150のタイミング
を示すものである。表示コントローラ147は、図47
に示すように、第1フィールドで1画面分のデータを読
みだし、パレットデータ150となる。パレットデータ
150はリードH信号30周期で1画面分のデータを、
1周期で8ライン分を読みだす。従って、図中のLL1
では1ライン目から8ライン目、LL2では9ライン目
から16ライン目をLL30では233ライン目から2
40ライン目の8ライン分のデータを読みだす。そし
て、図47では、リードH信号の1周期で、1ドットづ
つ8ライン分読みだし、これを繰り返す(図中L1、L
2、…L8が1ライン目、2ライン目、…8ライン目を
示し、”1”から”640”が1ドット目から640ド
ット目を示す)。
In this embodiment, the display controller 147
Is divided into a plurality of field periods in which one frame of data is conventionally read out, and display data is read out from the display memory 149 in one of the field periods, and this is used as the display data 153 as it is. At the same time, the data is stored in the memory means 162, and in the remaining fields, the data stored in the memory means 162 is read for one screen for one screen, and is used as display data 153. This allows
Compared with the embodiment described above, the capacity of the memory means 162 can be set to one screen. FIG. 48 shows an example using this embodiment.
In order to explain reading from the display memory 149 of the display controller 147 when the interface signal shown in FIG. 42 is used, the timing of the pallet data 150 is shown. The display controller 147 operates as shown in FIG.
As shown in (1), data for one screen is read out in the first field, and becomes pallet data 150. Pallet data 150 is data of one screen in 30 cycles of read H signal,
Eight lines are read out in one cycle. Therefore, LL1 in FIG.
Then, the first through eighth lines, the LL2 through the ninth through sixteenth lines, and the LL30 with the second through 233th lines
The data for eight lines in the fortieth line is read out. In FIG. 47, eight lines are read out one dot at a time in one cycle of the read H signal, and this is repeated (L1, L in the figure).
.., L8 indicate the first line, the second line,..., The eighth line, and “1” to “640” indicate the first dot to the 640th dot).

【0137】[0137]

【発明の効果】以上説明したSTN液晶の駆動方法によ
れば、式(27)に示される列信号の演算は従来例では
N行分を行うのに対して、R行(R<N)分でよく、回
路的にも実現が容易である。ここで、240行、640
列の1演算時間(図10のta)を求める。ここで、フ
レーム周波数は60Hz,R=8,K=16とする。
According to the method of driving the STN liquid crystal described above, the calculation of the column signal shown in the equation (27) is performed for N rows in the conventional example, but is performed for R rows (R <N). And it is easy to realize in terms of circuit. Where 240 lines, 640
One operation time (ta in FIG. 10) of the column is obtained. Here, the frame frequency is 60 Hz, R = 8, and K = 16.

【0138】[0138]

【数36】 [Equation 36]

【0139】すなわち、約54nsの間に8行(R=
8)分のデータを読みだし演算を行えば良い。これは、
実施例で示したように8行分のデータを同時に読みだ
し、演算することは容易である。これに対して、従来の
駆動方法ではtaは次のようになる。
That is, eight rows (R =
8) It is sufficient to read the data for the minute and perform the calculation. this is,
As shown in the embodiment, it is easy to simultaneously read out eight rows of data and perform calculations. On the other hand, in the conventional driving method, ta is as follows.

【0140】[0140]

【数37】 (37)

【0141】taそのものは部分直交関数駆動に比較し
て長くなる。しかし、この約100nsの間に240行
分のデータを読みだし演算することは論理回路上困難で
ある。
[0141] ta itself becomes longer as compared with the partial orthogonal function drive. However, it is difficult for a logic circuit to read out and calculate 240 rows of data in about 100 ns.

【0142】すなわち、1行のデータ分の処理速度は
0.4nsとなり、パラレル駆動を行い論理回路上実現
可能な速度に落すとしても、そのパラレル数が多くな
り、大きな論理規模となる。これに比較して、部分直交
関数駆動では演算の行数が少なく、小さな論理規模で実
現可能となる。
That is, the processing speed for one row of data is 0.4 ns. Even if the speed is reduced to a speed achievable on a logic circuit by performing parallel driving, the number of parallels increases and the logic scale becomes large. In comparison, in the partial orthogonal function driving, the number of rows of the operation is small, and it can be realized with a small logical scale.

【0143】さらに、部分直交駆動の分割を時間方向に
分散させることにより、選択期間(部分直交駆動用の直
交関数で示される電圧が行電極に印加される期間)の電
圧を印加する周期を短くでき、非選択期間(部分直交駆
動用の直交関数で示される電圧が行電極に印加されない
期間)の表示輝度の低下を防止することができる。
Further, by dividing the division of the partial orthogonal driving in the time direction, the period of applying the voltage during the selection period (a period during which the voltage indicated by the orthogonal function for the partial orthogonal driving is applied to the row electrodes) is shortened. Thus, it is possible to prevent a decrease in display luminance during a non-selection period (a period during which the voltage indicated by the orthogonal function for partial orthogonal driving is not applied to the row electrodes).

【0144】システム装置の表示制御手段に従来、表示
するデータを記憶する表示メモリ以外に表示データを記
憶する記憶手段、及び、直交関数生成手段、などを設け
ることにより、表示装置の機能を簡略化することができ
る。
Conventionally, the display control means of the system device is provided with a storage means for storing display data in addition to a display memory for storing data to be displayed, and an orthogonal function generating means, thereby simplifying the functions of the display device. can do.

【0145】さらに、表示制御手段の表示コントローラ
の表示データの読みだしを、複数フィールドに分割した
各フィールドの1フィールドで表示メモリから1画面分
のデータを読みだすこととすることで、表示データの記
憶手段の記憶容量を少なくすることができる。
Further, by reading the display data of the display controller of the display control means by reading one screen of data from the display memory in one field of each field divided into a plurality of fields, The storage capacity of the storage means can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶表示装置の1実施例のブロック
図、
FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of a liquid crystal display device of the present invention;

【図2】N列、M行のマトリックス構造の液晶表示部、FIG. 2 is a liquid crystal display section having a matrix structure of N columns and M rows;

【図3】現在STN液晶の駆動波形として一般的に使用
されている行電極に印加される直交関数の1例を示す
図、
FIG. 3 is a diagram showing an example of an orthogonal function applied to a row electrode generally used as a drive waveform of an STN liquid crystal at present;

【図4】ドットU(i,j)に印加される液晶駆動電圧
波形を示す図、
FIG. 4 is a diagram showing a liquid crystal drive voltage waveform applied to a dot U (i, j).

【図5】ウォルシュ関数と呼ばれている直交関数で、分
割=8の例を示す図、
FIG. 5 is a diagram showing an example of division = 8 in an orthogonal function called a Walsh function;

【図6】N個の行電極に印加する電圧関数を8行のみウ
ォルシュ関数とし、1フレーム周期Tを2N(Nは表示
行数)とし上記8行のウォルシュ関数を分割=16で駆
動する場合の行電極の電圧関数を示す図、
FIG. 6 shows a case in which a Walsh function is applied to only eight rows as voltage functions applied to N row electrodes, a frame period T is 2N (N is the number of display rows), and the Walsh functions of the eight rows are driven by division = 16. Diagram showing the voltage function of the row electrode of

【図7】列信号発生手段の1実施例のブロック図、FIG. 7 is a block diagram of one embodiment of a column signal generating means;

【図8】本実施例において液晶パネル28を4行、4列
とした時の液晶パネルのドット情報を表す図、
FIG. 8 is a diagram showing dot information of the liquid crystal panel when the liquid crystal panel 28 has four rows and four columns in the embodiment.

【図9】関数発生手段12のX行関数データ13の各t
における値を示す図、
FIG. 9 shows each t of the X-row function data 13 of the function generator 12
FIG.

【図10】X行読みだしデータ10とX行関数データ1
3のタイミング関係を説明する図、
FIG. 10 shows X row read data 10 and X row function data 1
3 is a diagram for explaining the timing relationship of FIG.

【図11】演算手段11の1実施例のブロック図、FIG. 11 is a block diagram of an embodiment of a calculating means 11,

【図12】デコード回路33の動作を説明する図、FIG. 12 illustrates an operation of the decoding circuit 33.

【図13】行関数発生手段12の出力する関数データ2
3の各tの値を示す図、
FIG. 13 shows function data 2 output by the row function generating means 12
3 is a diagram showing the value of each t of 3,

【図14】列電極駆動手段18、行駆動手段24の動作
を説明するタイミング図、
FIG. 14 is a timing chart for explaining the operation of the column electrode driving means 18 and the row driving means 24;

【図15】本発明の液晶表示装置の第二の実施例のブロ
ック図、
FIG. 15 is a block diagram of a second embodiment of the liquid crystal display device of the present invention;

【図16】第二の実施例において、N個の行電極に印加
する電圧関数を8行のみウォルシュ関数とし、1フレー
ム周期Tを2N(Nは表示行数)とし、上記8行のウォ
ルシュ関数を分割=16で駆動する場合の行電極の電圧
関数を示す図、
FIG. 16 is a diagram showing a Walsh function for a voltage function applied to N row electrodes for only eight rows, a frame period T of 2N (N is the number of display rows) in the second embodiment, FIG. 7 is a diagram showing a voltage function of a row electrode in the case of driving by dividing = 16;

【図17】図16の第二の実施例に対して、W0をW0と
0とした行電極の電圧関数を示す図、
FIG. 17 is a diagram showing a voltage function of a row electrode with W0 being W0 and 0 for the second embodiment of FIG. 16;

【図18】第三の実施例の液晶表示装置のブロック図、FIG. 18 is a block diagram of a liquid crystal display device according to a third embodiment,

【図19】液晶表示装置に入力される表示データ35の
タイミング図、
FIG. 19 is a timing chart of display data 35 input to the liquid crystal display device;

【図20】フレームメモリ手段44から読みだされるフ
レームメモリリードデータ45及びデータ制御バス43
のタイミングを示す図、
20 shows frame memory read data 45 and data control bus 43 read from frame memory means 44. FIG.
Diagram showing the timing of

【図21】フレームメモリ手段44の一実施例を示すブ
ロック図、
FIG. 21 is a block diagram showing one embodiment of a frame memory means 44;

【図22】フレームメモリ手段44の動作を説明するタ
イミング図、
FIG. 22 is a timing chart for explaining the operation of the frame memory means 44;

【図23】列信号発生手段46のブロック図、FIG. 23 is a block diagram of a column signal generator 46;

【図24】図23のラインメモリA92の書き込み動作
を説明する図、
24 is a view for explaining a write operation of the line memory A92 of FIG. 23;

【図25】図23のラインメモリA92の書き込み動作
に着目したブロック図、
FIG. 25 is a block diagram focusing on a write operation of the line memory A92 of FIG. 23;

【図26】図23のラインメモリA92の書き込み動作
を説明する図、
FIG. 26 is a diagram illustrating a write operation of the line memory A92 of FIG. 23;

【図27】図23のラインメモリA92の読みだし動作
に着目したブロック図、
FIG. 27 is a block diagram focusing on a read operation of the line memory A92 of FIG. 23;

【図28】図23のラインメモリA92の読みだし動作
を説明する図、
FIG. 28 is a view for explaining a read operation of the line memory A92 of FIG. 23;

【図29】演算手段103のブロック図、FIG. 29 is a block diagram of a calculation means 103;

【図30】関数発生手段101のブロック図、FIG. 30 is a block diagram of a function generator 101;

【図31】関数値記憶手段122の動作を説明する図、FIG. 31 is a view for explaining the operation of the function value storage means 122;

【図32】ラインブロックカウンタ123の動作を説明
するタイミング図、
FIG. 32 is a timing chart for explaining the operation of the line block counter 123;

【図33】列電極駆動手段53の動作を説明するタイミ
ング図、
FIG. 33 is a timing chart for explaining the operation of the column electrode driving means 53;

【図34】行関数発生手段50のブロック図である。FIG. 34 is a block diagram of a row function generator 50.

【図35】第四の実施例の液晶表示装置のブロック図、FIG. 35 is a block diagram of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment;

【図36】フレームメモリ手段44からの読み出し動作
を説明するタイミング図、
FIG. 36 is a timing chart for explaining a read operation from the frame memory means 44;

【図37】列信号発生手段の一実施例のブロック図、FIG. 37 is a block diagram of one embodiment of a column signal generating means.

【図38】データ変換手段140の動作を説明するタイ
ミング図、
FIG. 38 is a timing chart for explaining the operation of the data conversion means 140;

【図39】システム装置の表示制御装置141と液晶表
示装置143のインターフェイスを説明するブロック
図、
39 is a block diagram illustrating an interface between the display control device 141 of the system device and the liquid crystal display device 143.

【図40】インターフェイス信号142のタイミングを
表す1例を示す図、
FIG. 40 is a diagram showing an example representing the timing of an interface signal 142;

【図41】第三の実施例のフレームメモリ制御手段、フ
レームメモリ手段をシステム装置表示制御手段141に
設けた場合のインターフェイス信号142の1例を示す
タイミング図、
FIG. 41 is a timing chart showing an example of an interface signal 142 when the frame memory control means of the third embodiment is provided in the system device display control means 141;

【図42】第四の実施例のフレームメモリ制御手段、フ
レームメモリ手段をシステム装置表示制御手段141に
設けた場合のインターフェイス信号142の1例を示す
タイミング図、
FIG. 42 is a timing chart showing an example of an interface signal 142 when the frame memory control means of the fourth embodiment is provided in the system device display control means 141;

【図43】従来のシステム装置の表示制御手段141の
1例のブロック図、
FIG. 43 is a block diagram showing an example of a display control means 141 of a conventional system device.

【図44】図41で示したインターフェイス信号を用い
る場合のシステム装置表示制御手段141の1実施例と
してのブロック図、
FIG. 44 is a block diagram as one embodiment of a system device display control means 141 when the interface signal shown in FIG. 41 is used;

【図45】バッファ手段154の1実施例のブロック
図、
FIG. 45 is a block diagram of one embodiment of a buffer means 154;

【図46】図44のパレットデータ150を説明するタ
イミング図、
FIG. 46 is a timing chart for explaining the pallet data 150 of FIG. 44;

【図47】図42に示したインターフェイス信号を用い
る場合に、表示コントローラ147の表示メモリ149
からの読みだしを説明するためのパレットデータ150
を説明するタイミング図。
FIG. 47 shows a display memory 149 of the display controller 147 when the interface signal shown in FIG. 42 is used.
Palette data 150 for explaining reading from
FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…表示データ、2…書き込み手段、3…Aデータ、4
…Bデータ、5…ラインメモリA、6…ラインメモリ
B、7…読みだしデータA、8…読みだしデータB、9
…読みだし手段、10…X行表示データ、11…演算手
段、12…関数発生手段、13…X行関数データ、14
…演算データ、15…電圧変換手段、16…アナログ表
示データ、17…列信号発生手段、18…列電極駆動手
段、19〜21…列電極信号でそれぞれ1列列電極信
号、2列列電極信号、M列列電極信号、22…行関数発
生手段、23…行関数データ、24…行電極駆動手段、
25〜27…行電極信号でそれぞれ1行電極信号、2行
電極信号、N行電極信号、28…N行、M列の表示を行
う液晶パネル、29、30…反転回路、31、32…E
XOR回路、33…デコード回路、34…行関数発生手
段35…表示データ、36…H信号、37…V信号、3
8…DCLK、39…表示信号、40…フレームメモリ
制御手段、41…フレームライトデータ、42…フレー
ムメモリ制御バス、43…データ信号制御バス、44…
フレームメモリ手段、45…フレームメモリリードデー
タ、46…列信号発生手段、47…液晶データ、48…
列信号制御バス、49…関数信号バス、50…行関数発
生手段、51…行データ、52…行信号バス、53…列
電極駆動手段、54…第1列列電極信号、55…第2列
列電極信号、56…第640列列電極信号、57…行電
極駆動手段、58…1行目行電極信号、59…2行目行
電極信号、60…240行目行電極信号、61…液晶表
示装置、62…フレームメモリ手段A、63…フレーム
メモリ手段B、64…AWリセット、65…AWクロッ
ク、66…ARリセット、67…ARクロック、68…
BWリセット、69…BWクロック、70…BRリセッ
ト、71…BRクロック、72…フレームメモリR/W
信号、73…セレクト手段A、74…セレクト手段B、
75…メモリAリセット、76…メモリAクロック、7
7…メモリAR/W信号、78…メモリBリセット、7
9…メモリBクロック、80…メモリBR/W信号、8
1…リードV信号、82…リードH信号、83…リード
表示信号、84…フィールド信号85…書き込み手段、
86…Aデータ、87…A制御バス、88…ラインアド
レス、89…B制御バス、90…Bデータ、91…AW
信号、92…ラインメモリA、93…ラインメモリB、
94…読みだし手段、95…Aリード制御バス、96…
Bリード制御バス、97…Aリードデータ、98…Bリ
ードデータ、99…8ラインデータ、100…リードカ
ウント、101…関数発生手段、102…直交関数デー
タ、103…演算手段、104…AWリセット、105
…AWクロック、106…ライン1メモリ、107…ラ
イン2メモリ、108…ライン8メモリ、109…ライ
トアドレスデコード手段、110…ラインメモリ1ライ
ト信号、111…ラインメモリ2ライト信号、112…
ラインメモリ8ライト信号、113…ラインメモリ1リ
ードデータ、114…ラインメモリ2リードデータ、1
15…ラインメモリ8リードデータ、116…ARリセ
ット、117…ARクロック、118…リードカウン
ト、119…EXOR、120…演算データ、121…
デコード手段、122…直交関数記憶手段、123…ラ
インブロックカウンタ、124…ラインブロック信号、
125…水平クロック、126…液晶クロック、127
…部分カウンタ、128…部分カウント値、129…部
分クロック、130…ブロックカウンタ、131…ブロ
ック値、132…比較手段、133…比較出力、134
…P→S手段、135…シリアル直交データ、136…
セレクト手段、137…フレームメモリ制御手段、13
8…フレームメモリリードデータ、139…列信号発生
手段、140…データ変換手段、141…システム装置
表示制御手段、142…インターフェイス信号、143
…液晶表示装置、144…CPU、145…アドレスバ
ス、146…データバス、147…表示コントローラ、
148…表示メモリバス、149…表示メモリ、150
…パレットデータ、151…表示タイミング信号バス、
152…パレット手段、153…表示データ、154…
バッファ手段、155…バッファデータ、156…選択
手段、157…バッファメモリリード/ライト手段、1
58…データ切り換え信号、159…メモリ制御信号バ
ス、160…メモリデータ、161…メモリリードデー
タである。162…1画面分の表示データを記憶するメ
モリ手段。
1 display data, 2 writing means, 3 A data, 4
... B data, 5 ... Line memory A, 6 ... Line memory B, 7 ... Read data A, 8 ... Read data B, 9
... Reading means, 10 ... X row display data, 11 ... Calculation means, 12 ... Function generation means, 13 ... X row function data, 14
... Calculation data, 15 ... Voltage conversion means, 16 ... Analog display data, 17 ... Column signal generation means, 18 ... Column electrode drive means, 19-21 ... One row electrode signal and two row electrode signals for column electrode signals, respectively. , M column electrode signals, 22... Row function generating means, 23... Row function data, 24.
25 to 27... Row electrode signals, one row electrode signal, two row electrode signal, N row electrode signal, 28... Liquid crystal panel for displaying N rows and M columns, 29, 30.
XOR circuit, 33 decoding circuit, 34 row function generating means 35 display data, 36 H signal, 37 V signal, 3
8 DCLK, 39 display signal, 40 frame memory control means, 41 frame write data, 42 frame memory control bus, 43 data signal control bus, 44
Frame memory means, 45 ... frame memory read data, 46 ... column signal generating means, 47 ... liquid crystal data, 48 ...
Column signal control bus, 49 function signal bus, 50 row function generating means, 51 row data, 52 row signal bus, 53 column electrode driving means, 54 first column electrode signal, 55 second column Column electrode signal, 56: 640th column electrode signal, 57: row electrode drive means, 58: first row electrode signal, 59: second row electrode signal, 60: 240 row electrode signal, 61: liquid crystal Display device, 62: Frame memory means A, 63: Frame memory means B, 64: AW reset, 65: AW clock, 66: AR reset, 67: AR clock, 68:
BW reset, 69 ... BW clock, 70 ... BR reset, 71 ... BR clock, 72 ... Frame memory R / W
Signal, 73 ... selecting means A, 74 ... selecting means B,
75: memory A reset, 76: memory A clock, 7
7: memory AR / W signal, 78: memory B reset, 7
9: memory B clock, 80: memory BR / W signal, 8
1 Lead V signal, 82 Lead H signal, 83 Lead display signal, 84 Field signal 85 Writing means,
86 A data, 87 A control bus, 88 line address, 89 B control bus, 90 B data, 91 AW
Signal, 92: line memory A, 93: line memory B,
94 ... Reading means, 95 ... A read control bus, 96 ...
B read control bus, 97 A read data, 98 B read data, 99 8 line data, 100 read count, 101 function generating means, 102 orthogonal function data, 103 arithmetic means, 104 AW reset, 105
... AW clock, 106 ... Line 1 memory, 107 ... Line 2 memory, 108 ... Line 8 memory, 109 ... Write address decoding means, 110 ... Line memory 1 write signal, 111 ... Line memory 2 write signal, 112 ...
Line memory 8 write signal, 113 ... line memory 1 read data, 114 ... line memory 2 read data, 1
15: line memory 8 read data, 116: AR reset, 117: AR clock, 118: read count, 119: EXOR, 120: operation data, 121 ...
Decoding means, 122 ... orthogonal function storage means, 123 ... line block counter, 124 ... line block signal,
125 horizontal clock, 126 liquid crystal clock, 127
... partial counter, 128 ... partial count value, 129 ... partial clock, 130 ... block counter, 131 ... block value, 132 ... comparing means, 133 ... comparison output, 134
... P → S means, 135… Serial orthogonal data, 136…
Selection means, 137 ... frame memory control means, 13
8: frame memory read data, 139: column signal generation means, 140: data conversion means, 141: system device display control means, 142: interface signal, 143
... Liquid crystal display device, 144 ... CPU, 145 ... Address bus, 146 ... Data bus, 147 ... Display controller,
148 display memory bus 149 display memory 150
... pallet data, 151 ... display timing signal bus,
152 ... pallet means, 153 ... display data, 154 ...
Buffer means, 155 buffer data, 156 selection means, 157 buffer memory read / write means, 1
58: data switching signal; 159: memory control signal bus; 160: memory data; 161: memory read data. 162: Memory means for storing display data for one screen.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西谷 茂之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所マイクロエレクトロニク ス機器開発研究所内 (72)発明者 北島 雅明 茨木県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shigeyuki Nishitani 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Microelectronics Device Development Laboratory, Hitachi, Ltd. 7-1-1, Hitachi Research Laboratory, Hitachi Research Laboratory

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】表示データに従った電圧値を発生する列電
極駆動手段と行電極電圧を発生する行電極駆動手段と該
列電極駆動手段の出力する電圧波形と該行電極駆動手段
の出力する電圧波形の電圧差の電圧実効値に基づいて表
示をオン、又はオフするマトリックス型表示装置におい
て、列電極駆動手段に与える表示データは、 【数3】 で示す電圧となるように表示データを変換する列信号発
生手段を設け、また行電極駆動手段はN行の行電極をL
分割し、各分割された行電極には1フレームをT分割し
たK期間のみ1、−1の値となる直交関数に従った電圧
波形を印加し、残りの期間は他の関数に従った電圧印加
と成るように該行電極駆動手段に指示する行関数発生手
段を備えたことを特徴とするマトリックス型表示装置。
1. A column electrode driving means for generating a voltage value according to display data, a row electrode driving means for generating a row electrode voltage, a voltage waveform output from the column electrode driving means, and an output from the row electrode driving means. In a matrix type display device in which display is turned on or off based on a voltage effective value of a voltage difference of a voltage waveform, display data given to a column electrode driving means is expressed by the following equation. Column signal generating means for converting display data so as to attain the voltage indicated by.
A voltage waveform according to an orthogonal function having a value of 1 or −1 is applied to each of the divided row electrodes only in a K period obtained by dividing one frame into T, and a voltage according to another function is applied during the remaining period. A matrix type display device comprising a row function generating means for instructing the row electrode driving means to be applied.
【請求項2】請求項1のマトリックス型表示装置におい
て、 該他の関数は、+1、−1の値をもつK期間の関数のF
aであり、該直交関数と直交することを特徴とするマト
リックス型表示装置。
2. The matrix type display device according to claim 1, wherein said other function is a function F of a K period having a value of +1 or -1.
a, the matrix type display device being orthogonal to the orthogonal function.
【請求項3】請求項1のマトリックス型表示装置におい
て、該他の関数は、K期間の関数であり、その値は”
0”となる関数のF0であることを特徴とするマトリッ
クス型表示装置。
3. The matrix type display device according to claim 1, wherein said other function is a function of a K period, and its value is "
A matrix-type display device, wherein the function is F0 of 0 ”.
【請求項4】請求項1のマトリックス型表示装置におい
て、該他の関数は、該Faの関数と該F0の関数を任意
に組み合わせたことを特徴とするマトリックス型表示装
置。
4. The matrix-type display device according to claim 1, wherein said other function is an arbitrary combination of said Fa function and said F0 function.
【請求項5】請求項1のマトリックス型表示装置におい
て、列信号発生装置は、X行分の表示データを格納する
メモリ手段と該メモリ手段に表示データを書き込む書き
込み手段と、該メモリ手段から表示データを読みだす読
みだし手段と、K期間について1、−1の値となる直交
関数を発生するX行関数発生手段と、該X行関数発生手
段の出力と該メモリ手段から読みだしたデータとを演算
する演算手段と、該演算手段の出力を電圧に変換する電
圧変換手段とで構成されることを特徴とするマトリック
ス型表示装置。
5. The matrix type display device according to claim 1, wherein the column signal generating device comprises a memory means for storing display data for X rows, a writing means for writing the display data into the memory means, and a display means for displaying the data from the memory means. A reading means for reading data, an X-row function generating means for generating an orthogonal function having a value of 1 or -1 for the K period, an output of the X-row function generating means, and data read from the memory means. And a voltage conversion means for converting an output of the calculation means into a voltage.
【請求項6】請求項5のマトリックス型表示装置におい
て、該演算手段は、 【数4】 の演算を行い、該電圧発生手段は、 【数5】 の電圧値となるように変換することを特徴とするマトリ
ックス型表示装置。
6. The matrix type display device according to claim 5, wherein said calculating means is: And the voltage generating means: A matrix type display device, wherein the conversion is performed so as to obtain a voltage value.
【請求項7】請求項1のマトリックス型表示装置におい
て、表示データを記憶するフレームメモリ手段を設け、
該フレームメモリ手段より入力のS倍の周期で表示デー
タを読みだし、T分割した期間を1フレーム内にS分散
して与えることを特徴とするマトリックス型表示装置の
駆動方法。
7. The matrix type display device according to claim 1, further comprising: frame memory means for storing display data.
A method of driving a matrix-type display device, wherein display data is read from the frame memory means at a period S times as long as an input, and T-divided periods are given by dispersing S in one frame.
【請求項8】システム装置の表示制御手段と表示装置と
該表示制御手段と該表示装置がインターフェイス信号群
で接続されている情報処理装置において、該インターフ
ェイス信号郡の表示データは、S回、同一の1画面分の
データとなることを特徴とする情報処理装置。
8. A display control means of a system device, a display device, and an information processing apparatus in which the display control means and the display device are connected by an interface signal group, the display data of the interface signal group is the same S times. An information processing apparatus characterized in that the information is data for one screen.
【請求項9】請求項8の情報処理装置において、該表示
制御手段は、表示コントローラと1画面分の表示データ
を格納する表示メモリと該表示メモリから読みだした1
画面分のメモリデータを格納するバッファメモリから構
成され、該表示コントローラは表示メモリから1画面分
のメモリデータを読みだし、該表示装置に送る表示デー
タとすると共に、該メモリデータは、該バッファメモリ
に書き込まれ、該表示コントローラが1画面分の該メモ
リデータを読み終わった後、S−1回、該バッファメモ
リから1画面分読みだしたデータを表示データとするこ
とを特徴とする情報処理処理装置の表示制御手段。
9. The information processing apparatus according to claim 8, wherein said display control means includes a display controller, a display memory for storing display data for one screen, and one display read from said display memory.
The display controller reads out one screen of memory data from the display memory and uses it as display data to be sent to the display device. The memory data is stored in the buffer memory. After the display controller has read the memory data for one screen, the data read for one screen from the buffer memory is used as display data S-1 times. Display control means of the device.
【請求項10】システム装置の表示制御手段と表示装置
と該表示制御手段と該表示装置がインターフェイス信号
群で接続されている情報処理装置において、該インター
フェイス信号群の表示データは、1画面分のデータを表
示装置に送った後、S−1回表示しない無効データとな
ることを特徴とする情報処理装置。
10. In an information processing apparatus in which a display control means and a display device of a system device and the display control means and the display device are connected by an interface signal group, display data of the interface signal group is equivalent to one screen. An information processing device, wherein after sending data to a display device, the data becomes invalid data that is not displayed S-1 times.
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