JP2001013305A - Antireflection film and optical device - Google Patents
Antireflection film and optical deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂製の光学部品
の表面に形成される反射防止膜に関し、下地層として珪
素酸化物から成る薄膜が形成される反射防止膜に関す
る。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an anti-reflection film formed on the surface of a resin optical component, and more particularly to an anti-reflection film having a thin film made of silicon oxide as a base layer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】レンズやプリズム等の光学部品の表面に
真空蒸着法等によって積層薄膜を成膜して反射防止膜を
形成し、表面反射を低下させる方法が知られている。光
学部品の材料として光学ガラスが使用されていたが、近
年、軽量化を図ることができるとともに成形加工により
大量生産が可能な樹脂性のものが使用されるようになっ
てきている。2. Description of the Related Art It is known to reduce the surface reflection by forming a laminated thin film on a surface of an optical component such as a lens or a prism by a vacuum deposition method or the like to form an antireflection film. Optical glass has been used as a material for optical components. In recent years, resinous materials that can be reduced in weight and can be mass-produced by molding have been used.
【０００３】樹脂製の光学部品は軟質であり耐薬品性や
耐擦傷性が低い。このため、特開昭６２−１９１８０１
号公報には、硬度の高い珪素酸化物の薄膜を反射防止膜
の下地層として光学部品の表面に形成して耐薬品性や耐
擦傷性を向上させる構成が開示されている。ここで、珪
素酸化物は酸素雰囲気中でＳｉＯ（一酸化珪素）を成膜
することにより形成され、ＳｉＯｘ（１≦ｘ≦２）で表
される。[0003] Optical parts made of resin are soft and have low chemical resistance and scratch resistance. For this reason, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-191801
Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H11-163,086 discloses a configuration in which a thin film of silicon oxide having high hardness is formed as a base layer of an antireflection film on the surface of an optical component to improve chemical resistance and scratch resistance. Here, the silicon oxide is formed by depositing SiO (silicon monoxide) in an oxygen atmosphere, and is represented by SiOx (1 ≦ x ≦ 2).
【０００４】この反射防止膜の構成例を図１に示すと、
反射防止膜はＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）から
成る樹脂製の基板側から第１層は珪素酸化物（屈折率ｎ
１＝１．４７、膜厚ｄ１＝５２０．４１ｎｍ）、第２層
はＺｒＯ2（酸化ジルコニウム、屈折率ｎ２＝１．８
２、膜厚ｄ２＝７０．０５ｎｍ）、第３層はＺｒＯ2と
ＴｉＯ2（酸化チタン）の混合層（屈折率ｎ３＝１．９
４、膜厚ｄ３＝６５．７２ｎｍ）、第４層はＳｉＯ
2（二酸化珪素、屈折率ｎ４＝１．４６、膜厚ｄ４＝８
７．３３ｎｍ）から成っている。設計主波長λ0は５１
０ｎｍであり、ｎｄは光学膜厚（単位ｎｍ）を示してい
る。FIG. 1 shows a configuration example of this antireflection film.
The first layer is made of silicon oxide (refractive index n) from the resin substrate side of the antireflection film made of PMMA (polymethyl methacrylate) resin.
1 = 1.47, film thickness d1 = 520.41 nm), the second layer is ZrO 2 (zirconium oxide, refractive index n2 = 1.8)
2, thickness d2 = 70.05 nm), and the third layer is a mixed layer of ZrO 2 and TiO 2 (titanium oxide) (refractive index n3 = 1.9)
4, the thickness d3 = 65.72 nm), and the fourth layer is made of SiO.
2 (silicon dioxide, refractive index n4 = 1.46, film thickness d4 = 8
7.33 nm). The design dominant wavelength λ 0 is 51
0 nm, and nd indicates the optical film thickness (unit: nm).
【０００５】図１０は図１の構成の反射防止膜の反射率
特性を示す特性図であり、縦軸は反射率（単位％）、横
軸は波長（単位ｎｍ）を示している。同図によると、波
長が４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視光域の全域で約１．
３％以下の低い反射率を示している。従って、カメラの
ファインダ用レンズ等に使用することができるようにな
っている。FIG. 10 is a characteristic diagram showing the reflectance characteristics of the antireflection film having the structure shown in FIG. 1. The vertical axis represents the reflectance (unit:%), and the horizontal axis represents the wavelength (unit: nm). According to the figure, the wavelength is about 1.0 in the entire visible light range of 400 nm to 700 nm.
It shows a low reflectance of 3% or less. Therefore, it can be used for a finder lens or the like of a camera.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶プ
ロジェクター装置等の色表示装置における色分解光学系
や色合成光学系に使用される光学部品の反射防止膜は反
射率が大きいと色の再現性が劣化して良好な画像が得ら
れないため、より低い反射率を必要とされている。この
ため樹脂製の光学部品を用いることができず、高価なガ
ラス製の光学部品が使用されていた。However, the antireflection film of an optical component used in a color separation optical system or a color synthesizing optical system in a color display device such as a liquid crystal projector device has a large reflectivity, so that color reproducibility is high. Since a good image cannot be obtained due to deterioration, a lower reflectance is required. For this reason, optical parts made of resin cannot be used, and expensive optical parts made of glass have been used.
【０００７】本発明は、色分解光学系や色合成光学系に
使用される樹脂製の光学部品に形成されるとともに、画
像劣化を防止可能な反射防止膜を提供することを目的と
する。また本発明は、画像劣化を防止するとともに軽量
化及びコストダウンを図ることのできる色分解光学系や
色合成光学系を有する光学装置を提供することを目的と
する。An object of the present invention is to provide an antireflection film formed on a resin optical component used for a color separation optical system or a color synthesis optical system and capable of preventing image deterioration. Another object of the present invention is to provide an optical device having a color separation optical system and a color synthesis optical system capable of preventing image deterioration and reducing weight and cost.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載された発明は、樹脂製の基板上に複数
の薄膜が積層され、最も基板側の層が珪素酸化物から成
る反射防止膜において、可視光域内の所定の１００ｎｍ
の範囲を除く他の可視光域内の少なくとも一部の波長域
の光に対する反射率を３％以上にしたことを特徴として
いる。According to the first aspect of the present invention, a plurality of thin films are laminated on a resin substrate, and a layer closest to the substrate is made of silicon oxide. In the anti-reflection film, a predetermined 100 nm
Is characterized by having a reflectance of 3% or more for light in at least a part of the wavelength range in the visible light range other than the range.
【０００９】また請求項２に記載された発明は、樹脂製
の基板上に複数の薄膜が積層され、珪素酸化物から成る
最も基板側の層を第１層とする反射防止膜において、第
１層の屈折率及び膜厚をｎ１及びｄ１とするとともに、
設計主波長をλ0とした時に、 １．４５≦ｎ１≦１．６０、 ０．２５λ0≦ｎ１ｄ１≦２．００λ0、 の関係にしたことを特徴としている。According to a second aspect of the present invention, there is provided an anti-reflection film in which a plurality of thin films are laminated on a resin substrate and the first layer made of silicon oxide is the first layer. The refractive index and the film thickness of the layer are n1 and d1, and
When the design dominant wavelength is λ 0 , the relationship is as follows: 1.45 ≦ n1 ≦ 1.60, 0.25λ 0 ≦ n1d1 ≦ 2.00λ 0 .
【００１０】また請求項３に記載された発明は、樹脂製
の基板上に第１、第２、第３、第４層の薄膜が積層さ
れ、第１層が珪素酸化物から成る４層構造の反射防止膜
において、第１、第２、第３、第４層の屈折率をｎ１、
ｎ２、ｎ３、ｎ４とし、第１層の膜厚をｄ１、設計主波
長をλ0とした時に、 １．４５≦ｎ１≦１．６０、 ０．２５λ0≦ｎ１ｄ１≦２．００λ0、 ｎ４≦ｎ２≦ｎ３、 の関係にしたことを特徴としている。According to a third aspect of the present invention, there is provided a four-layer structure in which first, second, third, and fourth thin films are laminated on a resin substrate, and the first layer is made of silicon oxide. In the antireflection film of No. 1, the refractive index of the first, second, third, and fourth layers is n1,
n2, n3, and n4, the thickness of the first layer d1, when the design dominant wavelength is λ 0, 1.45 ≦ n1 ≦ 1.60 , 0.25λ 0 ≦ n1d1 ≦ 2.00λ 0, n4 ≦ n2 ≦ n3.
【００１１】また請求項４に記載された発明は、請求項
３に記載された反射防止膜において、第２、第３、第４
層の膜厚をｄ２、ｄ３、ｄ４とした時に、 ０．０５λ0≦ｎ２ｄ２≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ３ｄ３≦０．７５λ0、 ０．２１λ0≦ｎ４ｄ４≦０．３０λ0、 １．５６≦ｎ２≦２．１０、 １．７５≦ｎ３≦２．３５、 １．４２≦ｎ４≦１．４７、 の関係にしたことを特徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the antireflection film according to the third aspect, wherein the second, third and fourth antireflection films are provided.
When the layer thicknesses are d2, d3 and d4, 0.05λ 0 ≦ n2d2 ≦ 0.75λ 0 , 0.05λ 0 ≦ n3d3 ≦ 0.75λ 0 , 0.21λ 0 ≦ n4d4 ≦ 0.30λ 0 , 1.56 ≦ n2 ≦ 2.10, 1.75 ≦ n3 ≦ 2.35, 1.42 ≦ n4 ≦ 1.47.
【００１２】また請求項５に記載された発明は、請求項
３または請求項４に記載された反射防止膜において、第
２層はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ
2、Ｔａ2Ｏ5のいずれかを主成分とし、第３層はＺｒＯ2
とＴｉＯ2との混合物、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5の
いずれかを主成分とし、第４層はＳｉＯ2を主成分とし
た事を特徴としている。According to a fifth aspect of the present invention, in the antireflection film according to the third or fourth aspect, the second layer is a mixture of ZrO 2 and TiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2.
2 or Ta 2 O 5 as a main component, and the third layer is made of ZrO 2
And a mixture of TiO 2 and ZrO 2 , TiO 2 or Ta 2 O 5 as a main component, and the fourth layer is mainly composed of SiO 2 .
【００１３】また請求項６に記載された発明は、樹脂製
の基板上に第１、第２、第３、第４層の薄膜が積層さ
れ、第１層が珪素酸化物から成る４層構造の反射防止膜
において、第１、第２、第３、第４、第５層の屈折率を
ｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４、ｎ５とし、第１層の膜厚をｄ
１、設計主波長をλ0とした時に、 １．４５≦ｎ１≦１．６０、 ０．２５λ0≦ｎ１ｄ１≦２．００λ0、 ｎ３≦ｎ４、 ｎ３≦ｎ２、 ｎ５≦ｎ２、 の関係にしたことを特徴としている。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a four-layer structure in which first, second, third, and fourth thin films are stacked on a resin substrate, and the first layer is made of silicon oxide. In the anti-reflection film, the refractive indexes of the first, second, third, fourth, and fifth layers are n1, n2, n3, n4, and n5, and the thickness of the first layer is d.
1. When the design dominant wavelength is λ 0 , 1.45 ≦ n1 ≦ 1.60, 0.25λ 0 ≦ n1d1 ≦ 2.00λ 0 , n3 ≦ n4, n3 ≦ n2, n5 ≦ n2. It is characterized by:
【００１４】また請求項７に記載された発明は、請求項
６に記載された反射防止膜において、第２、第３、第
４、第５層の膜厚をｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とした時
に、 ０．０５λ0≦ｎ２ｄ２≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ３ｄ３≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ４ｄ４≦０．７５λ0、 ０．２１λ0≦ｎ５ｄ５≦０．３０λ0、 １．５０≦ｎ２≦２．３５、 １．４２≦ｎ３≦１．６０、 １．５０≦ｎ４≦２．３５、 １．４２≦ｎ５≦１．４７、 の関係にしたことを特徴としている。According to a seventh aspect of the present invention, in the antireflection film according to the sixth aspect, the thicknesses of the second, third, fourth, and fifth layers are d2, d3, d4, and d5. Then, 0.05λ 0 ≦ n2d2 ≦ 0.75λ 0 , 0.05λ 0 ≦ n3d3 ≦ 0.75λ 0 , 0.05λ 0 ≦ n4d4 ≦ 0.75λ 0 , 0.21λ 0 ≦ n5d5 ≦ 0.30λ 0 , 1.50≤n2≤2.35, 1.42≤n3≤1.60, 1.50≤n4≤2.35, 1.42≤n5≤1.47. .
【００１５】また請求項８に記載された発明は、請求項
６または請求項７に記載された反射防止膜において、第
２層はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ
2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5のいずれかを主成分とし、第３層
はＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2を主成分とし、第４層はＺｒ
Ｏ2とＴｉＯ2との混合物、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ
2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3のいずれかを主成分とし、第５層はＳｉ
Ｏ2を主成分とした事を特徴としている。According to an eighth aspect of the present invention, in the antireflection film according to the sixth or seventh aspect, the second layer is a mixture of ZrO 2 and TiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2.
2 , TiO 2 , or Ta 2 O 5 as a main component, the third layer as a main component of Al 2 O 3 or SiO 2 , and a fourth layer of Zr
A mixture of O 2 and TiO 2 , ZrO 2 , TiO 2 , Ta
Any one of 2 O 5 and Al 2 O 3 as a main component, and the fifth layer is made of Si
It is characterized by containing O 2 as a main component.
【００１６】また請求項９に記載された発明は、樹脂製
の基板上に第１、第２、第３、第４、第５、第６層の薄
膜が積層され、第１層が珪素酸化物から成る６層構造の
反射防止膜において、第１、第２、第３、第４、第５、
第６層の屈折率をｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４、ｎ５、ｎ６
とし、第１層の膜厚をｄ１、設計主波長をλ0とした時
に、 １．４５≦ｎ１≦１．６０、 ０．２５λ0≦ｎ１ｄ１≦２．００λ0、 ｎ２≦ｎ３、 ｎ２≦ｎ５、 ｎ４≦ｎ３、 ｎ４≦ｎ５、 ｎ６≦ｎ３、 ｎ６≦ｎ５、 の関係にしたことを特徴としている。According to a ninth aspect of the present invention, the first, second, third, fourth, fifth, and sixth thin films are laminated on a resin substrate, and the first layer is formed of silicon oxide. In a six-layer antireflection film made of a material, the first, second, third, fourth, fifth,
The refractive index of the sixth layer is n1, n2, n3, n4, n5, n6
And then, the thickness of the first layer d1, when the design dominant wavelength is λ 0, 1.45 ≦ n1 ≦ 1.60 , 0.25λ 0 ≦ n1d1 ≦ 2.00λ 0, n2 ≦ n3, n2 ≦ n5 , N4 ≦ n3, n4 ≦ n5, n6 ≦ n3, n6 ≦ n5.
【００１７】また請求項１０に記載された発明は、請求
項９に記載された反射防止膜において、第２、第３、第
４、第５、第６層の膜厚をｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５、ｄ
６とした時に、 ０．０５λ0≦ｎ２ｄ２≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ３ｄ３≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ４ｄ４≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ５ｄ５≦０．７５λ0、 ０．２１λ0≦ｎ６ｄ６≦０．３０λ0、 １．４２≦ｎ２≦１．６０、 １．５０≦ｎ３≦２．３５、 １．４２≦ｎ４≦１．６０、 １．８０≦ｎ５≦２．３５、 １．４２≦ｎ６≦１．４７、 の関係にしたことを特徴としている。According to a tenth aspect of the present invention, in the antireflection film according to the ninth aspect, the thicknesses of the second, third, fourth, fifth, and sixth layers are d2, d3, and d4. , D5, d
When a 6, 0.05λ 0 ≦ n2d2 ≦ 0.75λ 0, 0.05λ 0 ≦ n3d3 ≦ 0.75λ 0, 0.05λ 0 ≦ n4d4 ≦ 0.75λ 0, 0.05λ 0 ≦ n5d5 ≦ 0. 75λ 0, 0.21λ 0 ≦ n6d6 ≦ 0.30λ 0, 1.42 ≦ n2 ≦ 1.60, 1.50 ≦ n3 ≦ 2.35, 1.42 ≦ n4 ≦ 1.60, 1.80 ≦ n5 ≦ 2.35, 1.42 ≦ n6 ≦ 1.47.
【００１８】また請求項１１に記載された発明は、請求
項９または請求項１０に記載された反射防止膜におい
て、第２層はＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2を主成分とし、第
３層はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ
2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5のいずれかを主成分とし、第４層
はＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2を主成分とし、第５層はＺｒ
Ｏ2とＴｉＯ2との混合物、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5
のいずれかを主成分とし、第６層はＳｉＯ2を主成分と
した事を特徴としている。According to an eleventh aspect of the present invention, in the antireflection film according to the ninth or tenth aspect, the second layer is mainly composed of Al 2 O 3 or SiO 2 , and the third layer is A mixture of ZrO 2 and TiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO
2 , TiO 2 , or Ta 2 O 5 as a main component, the fourth layer is mainly composed of Al 2 O 3 or SiO 2 , and the fifth layer is Zr
A mixture of O 2 and TiO 2 , ZrO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5
And the sixth layer is mainly composed of SiO 2 .
【００１９】また請求項１２に記載された発明は、樹脂
製の基板上に第１、第２、第３、第４、第５、第６層の
薄膜が積層され、第１層が珪素酸化物から成る６層構造
の反射防止膜において、第１、第２、第３、第４、第
５、第６層の屈折率をｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４、ｎ５、
ｎ６とし、第１層の膜厚をｄ１、設計主波長をλ0とし
た時に、 １．４５≦ｎ１≦１．６０、 ０．２５λ0≦ｎ１ｄ１≦２．００λ0、 ｎ３≦ｎ２≦ｎ５、 ｎ３≦ｎ４≦ｎ５、 ｎ６≦ｎ２、 ｎ６≦ｎ４、 の関係にしたことを特徴としている。According to a twelfth aspect of the present invention, the first, second, third, fourth, fifth, and sixth thin films are laminated on a resin substrate, and the first layer is formed of silicon oxide. In a six-layer antireflection film made of a material, the refractive indices of the first, second, third, fourth, fifth, and sixth layers are n1, n2, n3, n4, n5,
and n6, the thickness of the first layer d1, when the design dominant wavelength is λ 0, 1.45 ≦ n1 ≦ 1.60 , 0.25λ 0 ≦ n1d1 ≦ 2.00λ 0, n3 ≦ n2 ≦ n5, n3 ≦ n4 ≦ n5, n6 ≦ n2, and n6 ≦ n4.
【００２０】また請求項１３に記載された発明は、請求
項１２に記載された反射防止膜において、第２、第３、
第４、第５、第６層の膜厚をｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５、
ｄ６とした時に、 ０．０５λ0≦ｎ２ｄ２≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ３ｄ３≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ４ｄ４≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ５ｄ５≦０．７５λ0、 ０．２１λ0≦ｎ６ｄ６≦０．３０λ0、 １．５０≦ｎ２≦１．６０、 １．４２≦ｎ３≦１．４７、 １．５０≦ｎ４≦１．６０、 １．８０≦ｎ５≦２．３５、 １．４２≦ｎ６≦１．４７、 の関係にしたことを特徴としている。According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided an antireflection film according to the twelfth aspect, wherein the second, third,
The thicknesses of the fourth, fifth, and sixth layers are d2, d3, d4, d5,
when a d6, 0.05λ 0 ≦ n2d2 ≦ 0.75λ 0, 0.05λ 0 ≦ n3d3 ≦ 0.75λ 0, 0.05λ 0 ≦ n4d4 ≦ 0.75λ 0, 0.05λ 0 ≦ n5d5 ≦ 0. 75λ 0, 0.21λ 0 ≦ n6d6 ≦ 0.30λ 0, 1.50 ≦ n2 ≦ 1.60, 1.42 ≦ n3 ≦ 1.47, 1.50 ≦ n4 ≦ 1.60, 1.80 ≦ n5 ≦ 2.35, 1.42 ≦ n6 ≦ 1.47.
【００２１】また請求項１４に記載された発明は、請求
項１２または請求項１３に記載された反射防止膜におい
て、第２層はＡｌ2Ｏ3を主成分とし、第３層はＳｉＯ2
を主成分とし、第４層はＡｌ2Ｏ3を主成分とし、第５層
はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔ
ａ2Ｏ5のいずれかを主成分とし、第６層はＳｉＯ2を主
成分とした事を特徴としている。According to a fourteenth aspect of the present invention, in the antireflection film according to the twelfth or thirteenth aspect, the second layer is mainly composed of Al 2 O 3 , and the third layer is composed of SiO 2.
Was the main component, the fourth layer is composed mainly of Al 2 O 3, the fifth layer a mixture of ZrO 2 and TiO 2, ZrO 2, TiO 2, T
A feature is that any one of a 2 O 5 is a main component, and the sixth layer is a main component of SiO 2 .
【００２２】また請求項１５に記載された発明は、赤色
光、緑色光及び青色光を合成する光学系または所定の光
束を赤色光、緑色光及び青色光に分解する光学系を有す
る光学装置において、請求項１乃至請求項１４のいずれ
かに記載の反射防止膜が施された光学部品を赤色光のみ
の光路、緑色光のみの光路及び青色光のみの光路の少な
くとも１つの光路上に配したことを特徴としている。According to a fifteenth aspect of the present invention, there is provided an optical device having an optical system for synthesizing red light, green light and blue light or an optical system for decomposing a predetermined light beam into red light, green light and blue light. An optical component provided with the antireflection film according to any one of claims 1 to 14 is disposed on at least one of an optical path of red light only, an optical path of green light only, and an optical path of blue light only. It is characterized by:
【００２３】この構成によると、合成前や分解後の赤色
光、緑色光及び青色光の少なくとも１つの光路上に配さ
れる樹脂製の光学部品に入射した光束は該光学部品に施
された反射防止膜を透過する。According to this configuration, the light flux incident on the resin optical component disposed on at least one optical path of the red light, green light and blue light before and after the decomposition is reflected on the optical component. Permeates through the barrier.
【００２４】[0024]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を説明
する。第１実施形態の反射防止膜は樹脂製の基板上に、
基板側から順に第１、第２、第３、第４層の薄膜が積層
される４層構造になっている。基板材料としてＰＭＭＡ
等のアクリル系樹脂やポリカーボネート等を用いること
ができる。各層の薄膜は真空蒸着法等により形成され、
第１層は下地層として珪素酸化物が形成される。前述し
たように、珪素酸化物は酸素雰囲気中でＳｉＯ（一酸化
珪素）を成膜することにより形成され、ＳｉＯｘ（１≦
ｘ≦２）で表される。Embodiments of the present invention will be described below. The anti-reflection film of the first embodiment is formed on a resin substrate,
It has a four-layer structure in which first, second, third, and fourth thin films are sequentially stacked from the substrate side. PMMA as substrate material
Acrylic resin, polycarbonate, or the like can be used. The thin film of each layer is formed by a vacuum evaporation method or the like,
In the first layer, a silicon oxide is formed as a base layer. As described above, silicon oxide is formed by depositing SiO (silicon monoxide) in an oxygen atmosphere, and SiOx (1 ≦
x ≦ 2).
【００２５】そして、第１、第２、第３、第４層の屈折
率及び膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４及びｄ１，ｄ２，
ｄ３，ｄ４とするとともに、設計主波長をλ0とした時
に、以下の式（１）、（２） １．４５≦ｎ１≦１．６０ ・・・（１） ０．２５λ0≦ｎ１ｄ１≦２．００λ0 ・・・（２） を満足していれば、ＰＭＭＡ等の樹脂製の基板と第１層
との付着強度を向上させることができる。The refractive indices and the film thicknesses of the first, second, third and fourth layers are defined as n1, n2, n3, n4 and d1, d2.
When d3 and d4 are set and the design dominant wavelength is λ 0 , the following equations (1) and (2) 1.45 ≦ n1 ≦ 1.60 (1) 0.25λ 0 ≦ n1d1 ≦ 2 .00λ 0 (2), the adhesion strength between the substrate made of a resin such as PMMA and the first layer can be improved.
【００２６】また、次の式（３） ｎ４≦ｎ２≦ｎ３ ・・・（３） の条件を加えて式（１）〜（３）を満足するように薄膜
を形成すると、設計主波長λ0を略中心とする少なくと
も１００ｎｍの範囲の波長域において反射率を低くする
ことができる。この時、可視光域のその他の部分は３％
以上の大きな反射率となる波長域を有している。Further, when a thin film is formed so as to satisfy the following equations (3) by adding the condition of n4 ≦ n2 ≦ n3 (3), the design dominant wavelength λ 0 is obtained. Can be reduced at least in a wavelength range of at least 100 nm around the center. At this time, the other part of the visible light region is 3%
It has a wavelength range where the above reflectance is large.
【００２７】従って、可視光を波長が約５００ｎｍ以下
の青色光、約５００ｎｍ〜約６００ｎｍの緑色光、約６
００ｎｍ以上の赤色光に分解する色分解光学系におい
て、分解後の青色光、緑色光、赤色光の光路上に配され
る樹脂製の光学部品に上記の反射防止膜を設計主波長λ
0を変えて施すと、夫々の光は低い反射率で該光学部品
を透過し、色の再現性劣化を防止して良好な画像を得る
ことができる。Accordingly, visible light is converted into blue light having a wavelength of about 500 nm or less, green light having a wavelength of about 500 nm to about 600 nm, and about 6 nm.
In a color separation optical system that separates into red light of 00 nm or more, the antireflection film is designed on a resin optical component disposed on the optical path of the separated blue light, green light, and red light.
When applied with changing 0 , each light passes through the optical component with a low reflectance, and it is possible to prevent deterioration of color reproducibility and obtain a good image.
【００２８】また、青色光、緑色光、赤色光を合成する
色合成光学系についても同様に、合成前の青色光、緑色
光、赤色光の光路上に配される樹脂製の光学部品に上記
の反射防止膜を設計主波長λ0を変えて施すことにより
色の再現性劣化を防止して良好な画像を得ることができ
る。Similarly, for a color synthesizing optical system for synthesizing blue light, green light and red light, a resin optical component disposed on an optical path of blue light, green light and red light before synthesis is also used. By applying the anti-reflection film of ( 1) while changing the design main wavelength λ 0 , deterioration of color reproducibility can be prevented and a good image can be obtained.
【００２９】更に、以下の式（４）〜（９） ０．０５λ0≦ｎ２ｄ２≦０．７５λ0 ・・・（４） ０．０５λ0≦ｎ３ｄ３≦０．７５λ0 ・・・（５） ０．２１λ0≦ｎ４ｄ４≦０．３０λ0 ・・・（６） １．５６≦ｎ２≦２．１０ ・・・（７） １．７５≦ｎ３≦２．３５ ・・・（８） １．４２≦ｎ４≦１．４７ ・・・（９） の条件を加えて式（１）〜（９）を満足するように各層
の薄膜を形成すると、設計主波長λ0を中心とする少な
くとも１００ｎｍの範囲の波長域において更に反射率を
低くすることができる。Further, the following equations (4) to (9): 0.05λ 0 ≦ n2d2 ≦ 0.75λ 0 (4) 0.05λ 0 ≦ n3d3 ≦ 0.75λ 0 (5) 0 .21λ 0 ≦ n4d4 ≦ 0.30λ 0 (6) 1.56 ≦ n2 ≦ 2.10 (7) 1.75 ≦ n3 ≦ 2.35 (8) 1.42 ≦ n4 ≦ 1.47 (9) When the thin film of each layer is formed so as to satisfy the expressions (1) to (9) by adding the condition of (9), at least a range of 100 nm around the design dominant wavelength λ 0 is obtained. The reflectance can be further reduced in the wavelength range.
【００３０】上記の屈折率を有する材料として、第２層
はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、Ａｌ2Ｏ3（アルミ
ナ）、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5（酸化タンタル）等、第３層
はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔ
ａ2Ｏ5等、第４層はＳｉＯ2等を使用することができ
る。各層でこれらを主成分とする薄膜を形成することで
所望の屈折率を得ることができる。As a material having the above-mentioned refractive index, the second layer is made of a mixture of ZrO 2 and TiO 2 , Al 2 O 3 (alumina), ZrO 2 , Ta 2 O 5 (tantalum oxide), etc. a mixture of ZrO 2 and TiO 2, ZrO 2, TiO 2 , T
For the fourth layer such as a 2 O 5 , SiO 2 or the like can be used. A desired refractive index can be obtained by forming a thin film containing these as main components in each layer.
【００３１】本実施形態によると、可視光域内の一部に
大きな反射率の部分を設けることで、青色光、緑色光及
び赤色光の夫々に応じた波長域において反射率を小さく
することができる。従って、青色光のみ、緑色光のみ及
び赤色光のみの光路上に配される樹脂製の光学部品に上
記反射防止膜を用いると、色分解光学系や色合成光学系
を有する光学装置の軽量化及びコストダウンを図ること
ができる。According to the present embodiment, by providing a portion having a large reflectance in a part of the visible light range, the reflectance can be reduced in a wavelength range corresponding to each of blue light, green light and red light. . Therefore, when the above-described antireflection film is used for a resin optical component disposed on the optical path of only blue light, only green light, and only red light, the weight of an optical device having a color separation optical system or a color synthesis optical system can be reduced. In addition, cost can be reduced.
【００３２】次に、第２実施形態の反射防止膜は、ＰＭ
ＭＡ等の樹脂製の基板上に、基板側から順に第１、第
２、第３、第４、第５層の薄膜が積層される５層構造に
なっている。第１層は下地層として珪素酸化物（ＳｉＯ
ｘ（１≦ｘ≦２））が形成される。Next, the antireflection film of the second embodiment
It has a five-layer structure in which first, second, third, fourth, and fifth layers of thin films are sequentially stacked on a resin substrate such as MA from the substrate side. The first layer is a silicon oxide (SiO 2) as an underlayer.
x (1 ≦ x ≦ 2)).
【００３３】そして、第１、第２、第３、第４、第５層
の屈折率及び膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５及び
ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｎ５とするとともに、設計主
波長をλ0とした時に、上記式（１）、（２）に加え、
以下の式（１１）、（１２） ｎ３≦ｎ２≦ｎ４ ・・・（１１） ｎ５≦ｎ２ ・・・（１２） を満足するように各層の薄膜を形成すると、第１実施形
態と同様に設計主波長λ0を略中心とする少なくとも１
００ｎｍの範囲の波長域において反射率を低くすること
ができる。The refractive indices and thicknesses of the first, second, third, fourth, and fifth layers are set to n1, n2, n3, n4, and n5, and d1, d2, d3, d4, and n5. When the design dominant wavelength is λ 0 , in addition to the above equations (1) and (2),
When the thin films of the respective layers are formed so as to satisfy the following expressions (11) and (12), n3 ≦ n2 ≦ n4 (11) n5 ≦ n2 (12), the same design as in the first embodiment is performed. At least one centered on the main wavelength λ 0
The reflectance can be reduced in the wavelength range of 00 nm.
【００３４】更に、以下の式（１３）〜（２０） ０．０５λ0≦ｎ２ｄ２≦０．７５λ0 ・・・（１３） ０．０５λ0≦ｎ３ｄ３≦０．７５λ0 ・・・（１４） ０．０５λ0≦ｎ４ｄ４≦０．７５λ0 ・・・（１５） ０．２１λ0≦ｎ５ｄ５≦０．３０λ0 ・・・（１６） １．５０≦ｎ２≦２．３５ ・・・（１７） １．４２≦ｎ３≦１．６０ ・・・（１８） １．５０≦ｎ４≦２．３５ ・・・（１９） １．４２≦ｎ５≦１．４７ ・・・（２０） の条件を加えて式（１）、（２）、（１１）〜（２０）
を満足するように薄膜を形成すると、設計主波長λ0を
中心とする少なくとも１００ｎｍの範囲の波長域におい
て更に反射率を低くすることができる。従って、第１実
施形態と同様の効果を得ることができる。Further, the following equations (13) to (20): 0.05λ 0 ≦ n2d2 ≦ 0.75λ 0 (13) 0.05λ 0 ≦ n3d3 ≦ 0.75λ 0 (14) 0 .05λ 0 ≦ n4d4 ≦ 0.75λ 0 (15) 0.21λ 0 ≦ n5d5 ≦ 0.30λ 0 (16) 1.50 ≦ n2 ≦ 2.35 (17) 42 ≦ n3 ≦ 1.60 (18) 1.50 ≦ n4 ≦ 2.35 (19) 1.42 ≦ n5 ≦ 1.47 (20) 1), (2), (11) to (20)
When the thin film is formed so as to satisfy the above condition, the reflectance can be further reduced in a wavelength range of at least 100 nm around the design dominant wavelength λ 0 . Therefore, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
【００３５】上記の屈折率を有する材料として、第２層
はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、
ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5等、第３層はＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2
等、第４層はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、Ａｌ2Ｏ3、
ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5等、第５層はＳｉＯ2等を
使用することができる。各層でこれらを主成分とする薄
膜を形成することで所望の屈折率を得ることができる。As a material having the above-mentioned refractive index, the second layer is made of a mixture of ZrO 2 and TiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 ,
The third layer is made of Al 2 O 3 or SiO 2 , such as TiO 2 and Ta 2 O 5.
Etc., the fourth layer is a mixture of ZrO 2 and TiO 2 , Al 2 O 3 ,
The fifth layer can be made of SiO 2 or the like, for example, ZrO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 or the like. A desired refractive index can be obtained by forming a thin film containing these as main components in each layer.
【００３６】次に、第３実施形態の反射防止膜は、ＰＭ
ＭＡ等の樹脂製の基板上に、基板側から順に第１、第
２、第３、第４、第５、第６層の薄膜が積層される６層
構造になっている。第１層は下地層として珪素酸化物
（ＳｉＯｘ（１≦ｘ≦２））が形成される。Next, the anti-reflection film of the third embodiment is made of PM
It has a six-layer structure in which thin films of first, second, third, fourth, fifth, and sixth layers are sequentially stacked on a resin substrate such as MA from the substrate side. In the first layer, a silicon oxide (SiOx (1 ≦ x ≦ 2)) is formed as a base layer.
【００３７】そして、第１、第２、第３、第４、第５、
第６層の屈折率及び膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ
５，ｎ６及びｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｎ５，ｄ６とす
るとともに、設計主波長をλ0とした時に、上記式
（１）、（２）に加え、以下の式（３１）〜（３６） ｎ２≦ｎ３ ・・・（３１） ｎ２≦ｎ５ ・・・（３２） ｎ４≦ｎ３ ・・・（３３） ｎ４≦ｎ５ ・・・（３４） ｎ６≦ｎ３ ・・・（３５） ｎ６≦ｎ５ ・・・（３６） を満足するように薄膜を形成すると、第１実施形態と同
様に設計主波長λ0を略中心とする少なくとも１００ｎ
ｍの範囲の波長域において反射率を低くすることができ
る。Then, the first, second, third, fourth, fifth,
The refractive index and the film thickness of the sixth layer are n1, n2, n3, n4, n
5, n6 and d1, d2, d3, d4, n5, d6, and when the design dominant wavelength is λ 0 , the following equations (31) to (36) are added to the above equations (1) and (2). N2 ≦ n3 (31) n2 ≦ n5 (32) n4 ≦ n3 (33) n4 ≦ n5 (34) n6 ≦ n3 (35) n6 ≦ n5 When the thin film is formed so as to satisfy (36), at least 100 n around the design dominant wavelength λ 0 as in the first embodiment.
The reflectance can be reduced in the wavelength range of m.
【００３８】更に、以下の式（３７）〜（４６） ０．０５λ0≦ｎ２ｄ２≦０．７５λ0 ・・・（３７） ０．０５λ0≦ｎ３ｄ３≦０．７５λ0 ・・・（３８） ０．０５λ0≦ｎ４ｄ４≦０．７５λ0 ・・・（３９） ０．０５λ0≦ｎ５ｄ５≦０．７５λ0 ・・・（４０） ０．２１λ0≦ｎ６ｄ６≦０．３０λ0 ・・・（４１） １．４２≦ｎ２≦１．６０ ・・・（４２） １．５０≦ｎ３≦２．３５ ・・・（４３） １．４２≦ｎ４≦１．６０ ・・・（４４） １．８０≦ｎ５≦２．３５ ・・・（４５） １．４２≦ｎ６≦１．４７ ・・・（４６） の条件を加えて式（１）、（２）、（３１）〜（４６）
を満足するように各層の薄膜を形成すると、設計主波長
λ0を中心とする少なくとも１００ｎｍの範囲の波長域
において更に反射率を低くすることができる。従って、
第１実施形態と同様の効果を得ることができる。Further, the following equations (37) to (46): 0.05λ 0 ≦ n2d2 ≦ 0.75λ 0 (37) 0.05λ 0 ≦ n3d3 ≦ 0.75λ 0 (38) 0 .05λ 0 ≦ n4d4 ≦ 0.75λ 0 (39) 0.05λ 0 ≦ n5d5 ≦ 0.75λ 0 (40) 0.21λ 0 ≦ n6d6 ≦ 0.30λ 0 (41) 1.42 ≦ n2 ≦ 1.60 (42) 1.50 ≦ n3 ≦ 2.35 (43) 1.42 ≦ n4 ≦ 1.60 (44) 1.80 ≦ n5 ≦ 2.35 (45) 1.42 ≦ n6 ≦ 1.47 (46) and adding the conditions (1), (2), (31) to (46)
When the thin film of each layer is formed so as to satisfy the following condition, the reflectance can be further reduced in a wavelength range of at least 100 nm around the design dominant wavelength λ 0 . Therefore,
The same effect as in the first embodiment can be obtained.
【００３９】上記の屈折率を有する材料として、第２層
はＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2等、第３層はＺｒＯ2とＴｉＯ
2との混合物、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5
等、第４層はＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2等、第５層はＺｒ
Ｏ2とＴｉＯ2との混合物、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5
等、第６層はＳｉＯ2等を使用することができる。各層
でこれらを主成分とする薄膜を形成することで所望の屈
折率を得ることができる。As the material having the above-mentioned refractive index, the second layer is made of Al 2 O 3 or SiO 2 , and the third layer is made of ZrO 2 and TiO 2.
A mixture of 2, Al 2 O 3, ZrO 2, TiO 2, Ta 2 O 5
The fourth layer is made of Al 2 O 3 or SiO 2 , and the fifth layer is made of Zr.
A mixture of O 2 and TiO 2 , ZrO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5
For the sixth layer, SiO 2 or the like can be used. A desired refractive index can be obtained by forming a thin film containing these as main components in each layer.
【００４０】次に、第４実施形態の反射防止膜は、ＰＭ
ＭＡ等の樹脂製の基板上に、基板側から順に第１、第
２、第３、第４、第５、第６層の薄膜が積層される６層
構造になっている。第１層は下地層として珪素酸化物
（ＳｉＯｘ（１≦ｘ≦２））が形成される。Next, the anti-reflection film of the fourth embodiment
It has a six-layer structure in which thin films of first, second, third, fourth, fifth, and sixth layers are sequentially stacked on a resin substrate such as MA from the substrate side. In the first layer, a silicon oxide (SiOx (1 ≦ x ≦ 2)) is formed as a base layer.
【００４１】そして、第１、第２、第３、第４、第５、
第６層の屈折率及び膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ
５，ｎ６及びｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｎ５，ｄ６とす
るとともに、設計主波長をλ0とした時に、上記式
（１）、（２）に加え、以下の式（６１）〜（６４） ｎ３≦ｎ２≦ｎ５ ・・・（６１） ｎ３≦ｎ４≦ｎ５ ・・・（６２） ｎ６≦ｎ２ ・・・（６３） ｎ６≦ｎ４ ・・・（６４） を満足するように薄膜を形成すると、第１実施形態と同
様に設計主波長λ0を略中心とする少なくとも１００ｎ
ｍの範囲の波長域において反射率を低くすることができ
る。Then, the first, second, third, fourth, fifth,
The refractive index and the film thickness of the sixth layer are n1, n2, n3, n4, n
5, n6 and d1, d2, d3, d4, n5, d6, and when the design dominant wavelength is λ 0 , the following equations (61) to (64) are added to the above equations (1) and (2). N3 ≦ n2 ≦ n5 (61) n3 ≦ n4 ≦ n5 (62) n6 ≦ n2 (63) n6 ≦ n4 (64) , At least 100 n substantially at the center of the design dominant wavelength λ 0 as in the first embodiment.
The reflectance can be reduced in the wavelength range of m.
【００４２】更に、以下の式（６５）〜（７４） ０．０５λ0≦ｎ２ｄ２≦０．７５λ0 ・・・（６５） ０．０５λ0≦ｎ３ｄ３≦０．７５λ0 ・・・（６６） ０．０５λ0≦ｎ４ｄ４≦０．７５λ0 ・・・（６７） ０．０５λ0≦ｎ５ｄ５≦０．７５λ0 ・・・（６８） ０．２１λ0≦ｎ６ｄ６≦０．３０λ0 ・・・（６９） １．５０≦ｎ２≦１．６０ ・・・（７０） １．４２≦ｎ３≦１．４７ ・・・（７１） １．５０≦ｎ４≦１．６０ ・・・（７２） １．８０≦ｎ５≦２．３５ ・・・（７３） １．４２≦ｎ６≦１．４７ ・・・（７４） の条件を加えて式（１）、（２）、（６１）〜（７４）
を満足するように各層の薄膜を形成すると、設計主波長
λ0を中心とする少なくとも１００ｎｍの範囲の波長域
において更に反射率を低くすることができる。従って、
第１実施形態と同様の効果を得ることができる。Further, the following equations (65) to (74): 0.05λ 0 ≦ n2d2 ≦ 0.75λ 0 (65) 0.05λ 0 ≦ n3d3 ≦ 0.75λ 0 (66) 0 .05λ 0 ≦ n4d4 ≦ 0.75λ 0 (67) 0.05λ 0 ≦ n5d5 ≦ 0.75λ 0 (68) 0.21λ 0 ≦ n6d6 ≦ 0.30λ 0 (69) 1.50 ≦ n2 ≦ 1.60 (70) 1.42 ≦ n3 ≦ 1.47 (71) 1.50 ≦ n4 ≦ 1.60 (72) 1.80 ≦ n5 ≦ 2.35 (73) 1.42 ≦ n6 ≦ 1.47 (74) With the addition of the following conditions, the equations (1), (2), (61) to (74) are added.
When the thin film of each layer is formed so as to satisfy the following condition, the reflectance can be further reduced in a wavelength range of at least 100 nm around the design dominant wavelength λ 0 . Therefore,
The same effect as in the first embodiment can be obtained.
【００４３】上記の屈折率を有する材料として、第２層
はＡｌ2Ｏ3等、第３層はＳｉＯ2等、第４層はＡｌ2Ｏ3
等、第５層はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、ＺｒＯ2、
ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5等、第６層はＳｉＯ2等を使用するこ
とができる。各層でこれらを主成分とする薄膜を形成す
ることで所望の屈折率を得ることができる。As a material having the above-mentioned refractive index, the second layer is made of Al 2 O 3 or the like, the third layer is made of SiO 2 or the like, and the fourth layer is made of Al 2 O 3.
Etc., the fifth layer is a mixture of ZrO 2 and TiO 2 , ZrO 2 ,
For the sixth layer, SiO 2 or the like can be used, such as TiO 2 or Ta 2 O 5 . A desired refractive index can be obtained by forming a thin film containing these as main components in each layer.
【００４４】[0044]
【実施例】以下に本発明の実施例を図を参照して説明す
る。図２は第１実施例の反射防止膜の構成を示してい
る。設計主波長λ0は５５０ｎｍである。ＰＭＭＡ製の
光学部品から成る基板の表面に、基板側から第１層は珪
素酸化物（屈折率ｎ１＝１．４７，膜厚ｄ１＝５６１．
２２ｎｍ）、第２層はＺｒＯ2とＴｉＯ2の混合層（屈折
率ｎ２＝１．９４，膜厚ｄ２＝５４．５６ｎｍ）、第３
層はＴｉＯ2（屈折率ｎ３＝２．２５，膜厚ｄ３＝８
１．７３ｎｍ）、第４層はＳｉＯ2（屈折率ｎ４＝１．
４４，膜厚ｄ４＝９２．３７ｎｍ）の薄膜を形成してい
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 shows the configuration of the antireflection film of the first embodiment. The design dominant wavelength λ 0 is 550 nm. On the surface of a substrate made of an optical component made of PMMA, the first layer is composed of silicon oxide (refractive index n1 = 1.47, thickness d1 = 561.
22 nm), the second layer is a mixed layer of ZrO 2 and TiO 2 (refractive index n2 = 1.94, film thickness d2 = 54.56 nm), the third layer
The layer is made of TiO 2 (refractive index n3 = 2.25, film thickness d3 = 8)
The fourth layer is SiO 2 (refractive index n4 = 1.73 nm).
44, a film thickness d4 = 92.37 nm).
【００４５】この構成による反射防止膜の反射率特性を
計算機によってシュミレーションすると図１１の特性図
に示すようになる。図１１及び以下の特性図において縦
軸は反射率（単位％）を示し、横軸は波長（単位ｎｍ）
を示している。同図によると、４００ｎｍ付近の波長で
反射率が３％を越えるが、設計主波長λ0を中心として
５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長域において反射率が０．
０５％以下になっている。従って、緑色光の反射防止効
果が高い。設計主波長λ0を変更することにより青色光
や赤色光の反射率を低下させることができる。When the reflectance characteristics of the antireflection film having this configuration are simulated by a computer, the characteristics are as shown in FIG. In FIG. 11 and the following characteristic diagrams, the vertical axis represents the reflectance (unit:%), and the horizontal axis represents the wavelength (unit: nm).
Is shown. According to the figure, the reflectance at a wavelength of around 400nm exceeds 3%, the reflectance at 500nm~600nm wavelength region of about the design dominant wavelength lambda 0 0.
It is less than 05%. Therefore, the effect of preventing reflection of green light is high. By changing the design dominant wavelength λ 0 , the reflectance of blue light or red light can be reduced.
【００４６】図３は第２実施例の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ0は５５０ｎｍである。ＰＭＭ
Ａ製の光学部品から成る基板の表面に、基板側から第１
層は珪素酸化物（屈折率ｎ１＝１．４７，膜厚ｄ１＝５
６１．２２ｎｍ）、第２層はＺｒＯ2（屈折率ｎ２＝
１．８２，膜厚ｄ２＝２０７．２ｎｍ）、第３層はＴｉ
Ｏ2（屈折率ｎ３＝２．２５，膜厚ｄ３＝９３．５ｎ
ｍ）、第４層はＳｉＯ2（屈折率ｎ４＝１．４４，膜厚
ｄ４＝８７．０５ｎｍ）の薄膜を形成している。FIG. 3 shows the structure of the antireflection film of the second embodiment. The design dominant wavelength λ 0 is 550 nm. PMM
A first surface is placed on the surface of the substrate made of the
The layer is made of silicon oxide (refractive index n1 = 1.47, thickness d1 = 5).
61.22 nm), and the second layer is made of ZrO 2 (refractive index n2 =
1.82, thickness d2 = 207.2 nm), and the third layer is Ti
O 2 (refractive index n3 = 2.25, film thickness d3 = 93.5 n
m), the fourth layer is a thin film of SiO 2 (refractive index n4 = 1.44, film thickness d4 = 87.05 nm).
【００４７】この構成による反射防止膜の反射率特性を
計算機によってシュミレーションすると図１２の特性図
に示すようになる。同図によると、４３０ｎｍ付近及び
７００ｎｍ付近の波長で反射率が３％を越えるが、設計
主波長λ0を中心として５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長
域において反射率が０．２％以下になっている。従っ
て、緑色光の反射防止効果が高い。設計主波長λ0を変
更することにより青色光や赤色光の反射率を低下させる
ことができる。The reflectance characteristics of the antireflection film having this configuration are simulated by a computer, as shown in the characteristic diagram of FIG. According to the figure, the reflectance exceeds 3% at wavelengths around 430 nm and 700 nm, but the reflectance is 0.2% or less in a wavelength range of 500 nm to 600 nm centered on the design dominant wavelength λ 0 . Therefore, the effect of preventing reflection of green light is high. By changing the design dominant wavelength λ 0 , the reflectance of blue light or red light can be reduced.
【００４８】図４は第３実施例の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ0は５５０ｎｍである。ＰＭＭ
Ａ製の光学部品から成る基板の表面に、基板側から第１
層は珪素酸化物（屈折率ｎ１＝１．４７，膜厚ｄ１＝５
６１．２２ｎｍ）、第２層はＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ２＝
１．５６，膜厚ｄ２＝２５３．７７ｎｍ）、第３層はＺ
ｒＯ2とＴｉＯ2の混合層（屈折率ｎ３＝１．９４，膜厚
ｄ３＝１０４．５７ｎｍ）、第４層はＳｉＯ2（屈折率
ｎ４＝１．４４，膜厚ｄ４＝７９．８４ｎｍ）の薄膜を
形成している。FIG. 4 shows the structure of the antireflection film of the third embodiment. The design dominant wavelength λ 0 is 550 nm. PMM
A first surface is placed on the surface of the substrate made of the
The layer is made of silicon oxide (refractive index n1 = 1.47, thickness d1 = 5).
61.22 nm), and the second layer is made of Al 2 O 3 (refractive index n2 =
1.56, film thickness d2 = 253.77 nm), and the third layer is Z
A mixed layer of rO 2 and TiO 2 (refractive index n3 = 1.94, film thickness d3 = 104.57 nm), and the fourth layer is made of SiO 2 (refractive index n4 = 1.44, film thickness d4 = 79.84 nm). A thin film is formed.
【００４９】この構成による反射防止膜の反射率特性を
計算機によってシュミレーションすると図１３の特性図
に示すようになる。同図によると、４２０ｎｍ付近及び
７００ｎｍ付近の波長で反射率が３％を越えるが、設計
主波長λ0を中心として５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長
域において反射率が０．３５％以下になっている。従っ
て、緑色光の反射防止効果が高い。設計主波長λ0を変
更することにより青色光や赤色光の反射率を低下させる
ことができる。The reflectance characteristic of the antireflection film having this configuration is simulated by a computer, as shown in the characteristic diagram of FIG. According to the figure, the reflectance exceeds 3% at wavelengths around 420 nm and 700 nm, but the reflectance is 0.35% or less in a wavelength range of 500 nm to 600 nm around the design dominant wavelength λ 0 . Therefore, the effect of preventing reflection of green light is high. By changing the design dominant wavelength λ 0 , the reflectance of blue light or red light can be reduced.
【００５０】図５は第４実施例の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ0は５５０ｎｍである。ＰＭＭ
Ａ製の光学部品から成る基板の表面に、基板側から第１
層は珪素酸化物（屈折率ｎ１＝１．４７，膜厚ｄ１＝５
６１．２２ｎｍ）、第２層はＺｒＯ2とＴｉＯ2の混合層
（屈折率ｎ２＝１．９４，膜厚ｄ２＝１２６．１６ｎ
ｍ）、第３層はＳｉＯ2（屈折率ｎ３＝１．４４，膜厚
ｄ３＝１４０．６８ｎｍ）、第４層はＺｒＯ2とＴｉＯ2
の混合層（屈折率ｎ４＝１．９４，膜厚ｄ４＝９２．６
９ｎｍ）、第５層はＳｉＯ2（屈折率ｎ４＝１．４４，
膜厚ｄ４＝７５．７ｎｍ）の薄膜を形成している。FIG. 5 shows the structure of the antireflection film of the fourth embodiment. The design dominant wavelength λ 0 is 550 nm. PMM
A first surface is placed on the surface of the substrate made of the
The layer is made of silicon oxide (refractive index n1 = 1.47, thickness d1 = 5).
61.22 nm), and the second layer is a mixed layer of ZrO 2 and TiO 2 (refractive index n2 = 1.94, film thickness d2 = 126.16 n)
m), the third layer is SiO 2 (refractive index n3 = 1.44, film thickness d3 = 140.68 nm), and the fourth layer is ZrO 2 and TiO 2
Mixed layer (refractive index n4 = 1.94, film thickness d4 = 92.6)
9 nm), and the fifth layer is made of SiO 2 (refractive index n4 = 1.44,
(Thickness d4 = 75.7 nm).
【００５１】この構成による反射防止膜の反射率特性を
計算機によってシュミレーションすると図１４の特性図
に示すようになる。同図によると、４２０ｎｍ付近の波
長で反射率が３％を越えるが、設計主波長λ0を中心と
して５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長域において反射率が
０．１５％以下になっている。従って、緑色光の反射防
止効果が高い。設計主波長λ0を変更することにより青
色光や赤色光の反射率を低下させることができる。When the reflectance characteristics of the antireflection film having this configuration are simulated by a computer, the characteristics are as shown in the characteristic diagram of FIG. According to the figure, the reflectance exceeds 3% at a wavelength around 420 nm, but the reflectance is 0.15% or less in a wavelength range of 500 nm to 600 nm around the design main wavelength λ 0 . Therefore, the effect of preventing reflection of green light is high. By changing the design dominant wavelength λ 0 , the reflectance of blue light or red light can be reduced.
【００５２】図６は第５実施例の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ0は５５０ｎｍである。ＰＭＭ
Ａ製の光学部品から成る基板の表面に、基板側から第１
層は珪素酸化物（屈折率ｎ１＝１．４７，膜厚ｄ１＝５
６１．２２ｎｍ）、第２層はＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ２＝
１．５６，膜厚ｄ２＝８６．８５ｎｍ）、第３層はＳｉ
Ｏ2（屈折率ｎ３＝１．４４，膜厚ｄ３＝１８２．９７
ｎｍ）、第４層はＺｒＯ2とＴｉＯ2の混合層（屈折率ｎ
４＝１．９４，膜厚ｄ４＝１０４．３４ｎｍ）、第５層
はＳｉＯ2（屈折率ｎ４＝１．４４，膜厚ｄ４＝７７．
６６ｎｍ）の薄膜を形成している。FIG. 6 shows the structure of the antireflection film of the fifth embodiment. The design dominant wavelength λ 0 is 550 nm. PMM
A first surface is placed on the surface of the substrate made of the
The layer is made of silicon oxide (refractive index n1 = 1.47, thickness d1 = 5).
61.22 nm), and the second layer is made of Al 2 O 3 (refractive index n2 =
1.56, film thickness d2 = 86.85 nm), the third layer is Si
O 2 (refractive index n3 = 1.44, film thickness d3 = 182.97)
nm), and the fourth layer is a mixed layer of ZrO 2 and TiO 2 (refractive index n
4 = 1.94, film thickness d4 = 104.34 nm), the fifth layer is SiO 2 (refractive index n4 = 1.44, film thickness d4 = 77.
66 nm).
【００５３】この構成による反射防止膜の反射率特性を
計算機によってシュミレーションすると図１５の特性図
に示すようになる。同図によると、４４０ｎｍ付近及び
７００ｎｍ付近の波長で反射率が３％を越えるが、設計
主波長λ0を中心として５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長
域において反射率が０．２％以下になっている。従っ
て、緑色光の反射防止効果が高い。設計主波長λ0を変
更することにより青色光や赤色光の反射率を低下させる
ことができる。When the reflectance characteristics of the antireflection film having this configuration are simulated by a computer, the characteristics are as shown in FIG. According to the figure, the reflectance exceeds 3% at wavelengths around 440 nm and around 700 nm, but the reflectance is 0.2% or less in a wavelength range of 500 nm to 600 nm around the design main wavelength λ 0 . Therefore, the effect of preventing reflection of green light is high. By changing the design dominant wavelength λ 0 , the reflectance of blue light or red light can be reduced.
【００５４】図７は第６実施例の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ0は５５０ｎｍである。ＰＭＭ
Ａ製の光学部品から成る基板の表面に、基板側から第１
層は珪素酸化物（屈折率ｎ１＝１．４７，膜厚ｄ１＝５
６１．２２ｎｍ）、第２層はＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ２＝
１．５６，膜厚ｄ２＝２２．０１ｎｍ）、第３層はＺｒ
Ｏ2（屈折率ｎ３＝１．８２，膜厚ｄ３＝２２．７５ｎ
ｍ）、第４層はＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ４＝１．５６，膜厚
ｄ４＝１９９．３８ｎｍ）、第５層はＴｉＯ2（屈折率
ｎ４＝２．２５，膜厚ｄ４＝９９．８８ｎｍ）、第６層
はＳｉＯ2（屈折率ｎ４＝１．４４，膜厚ｄ４＝７９．
０８ｎｍ）の薄膜を形成している。FIG. 7 shows the structure of the antireflection film of the sixth embodiment. The design dominant wavelength λ 0 is 550 nm. PMM
A first surface is placed on the surface of the substrate made of the
The layer is made of silicon oxide (refractive index n1 = 1.47, thickness d1 = 5).
61.22 nm), and the second layer is made of Al 2 O 3 (refractive index n2 =
1.56, film thickness d2 = 22.01 nm), the third layer is Zr
O 2 (refractive index n3 = 1.82, film thickness d3 = 22.75 n
m), the fourth layer is Al 2 O 3 (refractive index n4 = 1.56, thickness d4 = 199.38 nm), and the fifth layer is TiO 2 (refractive index n4 = 2.25, thickness d4 = 99. The sixth layer is SiO 2 (refractive index n4 = 1.44, thickness d4 = 79.).
08 nm).
【００５５】この構成による反射防止膜の反射率特性を
計算機によってシュミレーションすると図１６の特性図
に示すようになる。同図によると、４００ｎｍ付近及び
７００ｎｍ付近の波長で反射率が３％を越えるが、設計
主波長λ0を中心として５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長
域において反射率が０．０５％以下になっている。従っ
て、緑色光の反射防止効果が高い。設計主波長λ0を変
更することにより青色光や赤色光の反射率を低下させる
ことができる。When the reflectance characteristics of the antireflection film having this configuration are simulated by a computer, the characteristics are as shown in FIG. According to the figure, the reflectance exceeds 3% at wavelengths around 400 nm and 700 nm, but the reflectance is 0.05% or less in a wavelength range of 500 nm to 600 nm around the design main wavelength λ 0 . Therefore, the effect of preventing reflection of green light is high. By changing the design dominant wavelength λ 0 , the reflectance of blue light or red light can be reduced.
【００５６】図８は第７実施例の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ0は５５０ｎｍである。ＰＭＭ
Ａ製の光学部品から成る基板の表面に、基板側から第１
層は珪素酸化物（屈折率ｎ１＝１．４７，膜厚ｄ１＝５
６１．２２ｎｍ）、第２層はＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ２＝
１．５６，膜厚ｄ２＝８９．８５ｎｍ）、第３層はＺｒ
Ｏ2とＴｉＯ2の混合層（屈折率ｎ３＝１．９４，膜厚ｄ
３＝１１９．６３ｎｍ）、第４層はＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ
４＝１．５６，膜厚ｄ４＝１４４．５ｎｍ）、第５層は
ＺｒＯ2とＴｉＯ2の混合層（屈折率ｎ４＝１．９４，膜
厚ｄ４＝８２．４３ｎｍ）、第６層はＳｉＯ2（屈折率
ｎ４＝１．４４，膜厚ｄ４＝８６．０１ｎｍ）の薄膜を
形成している。FIG. 8 shows the structure of the antireflection film of the seventh embodiment. The design dominant wavelength λ 0 is 550 nm. PMM
A first surface is placed on the surface of the substrate made of the
The layer is made of silicon oxide (refractive index n1 = 1.47, thickness d1 = 5).
61.22 nm), and the second layer is made of Al 2 O 3 (refractive index n2 =
1.56, thickness d2 = 89.85 nm), and the third layer is Zr
A mixed layer of O 2 and TiO 2 (refractive index n3 = 1.94, film thickness d
3 = 119.63 nm), and the fourth layer is made of Al 2 O 3 (refractive index n).
4 = 1.56, film thickness d4 = 144.5 nm), the fifth layer is a mixed layer of ZrO 2 and TiO 2 (refractive index n4 = 1.94, film thickness d4 = 82.43 nm), and the sixth layer is SiO 2 (refractive index n4 = 1.44, film thickness d4 = 86.01 nm).
【００５７】この構成による反射防止膜の反射率特性を
計算機によってシュミレーションすると図１７の特性図
に示すようになる。同図によると、４００ｎｍ付近の波
長で反射率が３％を越えるが、設計主波長λ0を中心と
して５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長域において反射率が
０．１５％以下になっている。従って、緑色光の反射防
止効果が高い。設計主波長λ0を変更することにより青
色光や赤色光の反射率を低下させることができる。The reflectance characteristics of the antireflection film having this configuration are simulated by a computer, as shown in the characteristic diagram of FIG. According to the figure, the reflectance exceeds 3% at a wavelength near 400 nm, but the reflectance is 0.15% or less in a wavelength range of 500 nm to 600 nm around the design main wavelength λ 0 . Therefore, the effect of preventing reflection of green light is high. By changing the design dominant wavelength λ 0 , the reflectance of blue light or red light can be reduced.
【００５８】図９は第８実施例の反射防止膜の構成を示
している。設計主波長λ0は５５０ｎｍである。ＰＭＭ
Ａ製の光学部品から成る基板の表面に、基板側から第１
層は珪素酸化物（屈折率ｎ１＝１．４７，膜厚ｄ１＝５
６１．２２ｎｍ）、第２層はＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ２＝
１．５６，膜厚ｄ２＝９０．８６ｎｍ）、第３層はＳｉ
Ｏ2（屈折率ｎ３＝１．４４，膜厚ｄ３＝１１５．４３
ｎｍ）、第４層はＡｌ2Ｏ3（屈折率ｎ４＝１．５６，膜
厚ｄ４＝７５．６９ｎｍ）、第５層はＺｒＯ2とＴｉＯ2
の混合層（屈折率ｎ４＝１．９４，膜厚ｄ４＝６９．８
３ｎｍ）、第６層はＳｉＯ2（屈折率ｎ４＝１．４４，
膜厚ｄ４＝９５．７５ｎｍ）の薄膜を形成している。FIG. 9 shows the structure of the antireflection film of the eighth embodiment. The design dominant wavelength λ 0 is 550 nm. PMM
A first surface is placed on the surface of the substrate made of the
The layer is made of silicon oxide (refractive index n1 = 1.47, thickness d1 = 5).
61.22 nm), and the second layer is made of Al 2 O 3 (refractive index n2 =
1.56, film thickness d2 = 90.86 nm), the third layer is Si
O 2 (refractive index n3 = 1.44, film thickness d3 = 115.43)
nm), the fourth layer is Al 2 O 3 (refractive index n4 = 1.56, film thickness d4 = 75.69 nm), and the fifth layer is ZrO 2 and TiO 2
Mixed layer (refractive index n4 = 1.94, film thickness d4 = 69.8)
3 nm), and the sixth layer is made of SiO 2 (refractive index n4 = 1.44,
(Thickness d4 = 95.75 nm).
【００５９】この構成による反射防止膜の反射率特性を
計算機によってシュミレーションすると図１８の特性図
に示すようになる。同図によると、４００ｎｍ付近の波
長で反射率が３％を越えるが、設計主波長λ0を中心と
して５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長域において反射率が
０．０５％以下になっている。従って、緑色光の反射防
止効果が高い。設計主波長λ0を変更することにより青
色光や赤色光の反射率を低下させることができる。When the reflectance characteristics of the antireflection film having this configuration are simulated by a computer, the characteristics are as shown in the characteristic diagram of FIG. According to the figure, the reflectance exceeds 3% at a wavelength around 400 nm, but the reflectance is 0.05% or less in a wavelength range of 500 nm to 600 nm around the design main wavelength λ 0 . Therefore, the effect of preventing reflection of green light is high. By changing the design dominant wavelength λ 0 , the reflectance of blue light or red light can be reduced.
【００６０】[0060]
【発明の効果】本発明の反射防止膜によると、所定の１
００ｎｍの範囲以外の可視光域の光に対する反射率を大
きくして該所定の１００ｎｍの範囲の波長域の光に対す
る反射率を従来より小さくすることができる。従って、
色分解光学系や色合成光学系の青色光のみ、緑色光の
み、赤色光のみの光路上に配される樹脂製の光学部品に
形成することにより、画像劣化を防止できる。また本発
明の光学装置によると、色分解光学系や色合成光学系の
色再現性劣化による画像劣化を防止できるとともに、軽
量化及びコストダウンを図ることができる。According to the antireflection film of the present invention, a predetermined value can be obtained.
By increasing the reflectivity for light in the visible light range other than the range of 00 nm, the reflectivity for light in the predetermined wavelength range of 100 nm can be made smaller than before. Therefore,
Image degradation can be prevented by forming it on a resin optical component disposed on an optical path of only blue light, only green light, or only red light of a color separation optical system or a color synthesis optical system. Further, according to the optical device of the present invention, it is possible to prevent image deterioration due to deterioration in color reproducibility of the color separation optical system and the color synthesis optical system, and to reduce the weight and cost.
【図１】 従来の反射防止膜の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a conventional antireflection film.
【図２】 本発明の第１実施例の反射防止膜の構成を
示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of an antireflection film according to a first embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の第２実施例の反射防止膜の構成を
示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of an antireflection film according to a second embodiment of the present invention.
【図４】 本発明の第３実施例の反射防止膜の構成を
示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of an antireflection film according to a third embodiment of the present invention.
【図５】 本発明の第４実施例の反射防止膜の構成を
示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of an antireflection film according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】 本発明の第５実施例の反射防止膜の構成を
示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of an antireflection film according to a fifth embodiment of the present invention.
【図７】 本発明の第６実施例の反射防止膜の構成を
示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of an antireflection film according to a sixth embodiment of the present invention.
【図８】 本発明の第７実施例の反射防止膜の構成を
示す図である。FIG. 8 is a view showing a configuration of an antireflection film according to a seventh embodiment of the present invention.
【図９】 本発明の第８実施例の反射防止膜の構成を
示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a configuration of an antireflection film according to an eighth embodiment of the present invention.
【図１０】 従来の反射防止膜の反射率特性を示す図で
ある。FIG. 10 is a diagram showing the reflectance characteristics of a conventional antireflection film.
【図１１】 本発明の第１実施例の反射防止膜の反射率
特性を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing the reflectance characteristics of the antireflection film according to the first embodiment of the present invention.
【図１２】 本発明の第２実施例の反射防止膜の反射率
特性を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing the reflectance characteristics of an antireflection film according to a second embodiment of the present invention.
【図１３】 本発明の第３実施例の反射防止膜の反射率
特性を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing the reflectance characteristics of an antireflection film according to a third embodiment of the present invention.
【図１４】 本発明の第４実施例の反射防止膜の反射率
特性を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing the reflectance characteristics of an antireflection film according to a fourth embodiment of the present invention.
【図１５】 本発明の第５実施例の反射防止膜の反射率
特性を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing the reflectance characteristics of the antireflection film according to the fifth embodiment of the present invention.
【図１６】 本発明の第６実施例の反射防止膜の反射率
特性を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing the reflectance characteristics of an antireflection film according to a sixth embodiment of the present invention.
【図１７】 本発明の第７実施例の反射防止膜の反射率
特性を示す図である。FIG. 17 is a view showing a reflectance characteristic of an antireflection film according to a seventh embodiment of the present invention.
【図１８】 本発明の第８実施例の反射防止膜の反射率
特性を示す図である。FIG. 18 is a view showing a reflectance characteristic of an antireflection film according to an eighth embodiment of the present invention.
ｎ１〜ｎ６ 屈折率 ｄ１〜ｄ６ 膜厚 λ0 設計主波長n1 to n6 Refractive index d1 to d6 Film thickness λ 0 Design dominant wavelength
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2K009 AA07 AA08 AA09 BB14 BB24 CC03 DD03 4F100 AA19C AA19D AA20B AA20E AA21C AA21D AA21E AK01A AR00B AR00C AR00D AR00E BA03 BA04 BA05 BA07 BA10A BA10E BA13 GB90 JA20B JA20C JA20D JA20E JL03 JM02B JM02C JM02D JM02E JN06 JN06B JN06C JN06D JN06E JN18B YY00B YY00C YY00D YY00E ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page F term (reference) 2K009 AA07 AA08 AA09 BB14 BB24 CC03 DD03 4F100 AA19C AA19D AA20B AA20E AA21C AA21D AA21E AK01A AR00B AR00C AR00D AR00E BA03 BA04 BA05 J20 BA20 BA20 GBM JAB JN06 JN06B JN06C JN06D JN06E JN18B YY00B YY00C YY00D YY00E
Claims (15)
れ、最も基板側の層が珪素酸化物から成る反射防止膜に
おいて、可視光域内の所定の１００ｎｍの範囲を除く他
の可視光域内の少なくとも一部の波長域の光に対する反
射率を３％以上にしたことを特徴とする反射防止膜。1. An anti-reflection film in which a plurality of thin films are laminated on a resin-made substrate, and a layer closest to the substrate is made of silicon oxide, in a visible light region other than a predetermined range of 100 nm in a visible light region. 3. An anti-reflection film, wherein the reflectance for light in at least a part of the wavelength range is 3% or more.
れ、珪素酸化物から成る最も基板側の層を第１層とする
反射防止膜において、第１層の屈折率及び膜厚をｎ１及
びｄ１とするとともに、設計主波長をλ0とした時に、 １．４５≦ｎ１≦１．６０、 ０．２５λ0≦ｎ１ｄ１≦２．００λ0、 の関係にしたことを特徴とする反射防止膜。2. An antireflection film having a plurality of thin films laminated on a resin substrate and having a layer closest to the substrate made of silicon oxide as a first layer, wherein the first layer has a refractive index and a thickness of n1. and with the d1, when the design dominant wavelength is λ 0, 1.45 ≦ n1 ≦ 1.60 , 0.25λ 0 ≦ n1d1 ≦ 2.00λ 0, antireflection film, which was the relationship .
４層の薄膜が積層され、第１層が珪素酸化物から成る４
層構造の反射防止膜において、第１、第２、第３、第４
層の屈折率をｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４とし、第１層の膜
厚をｄ１、設計主波長をλ0とした時に、 １．４５≦ｎ１≦１．６０、 ０．２５λ0≦ｎ１ｄ１≦２．００λ0、 ｎ４≦ｎ２≦ｎ３、 の関係にしたことを特徴とする反射防止膜。3. A first, second, third, and fourth thin films are laminated on a resin substrate, and the first layer is made of silicon oxide.
In the antireflection film having a layer structure, the first, second, third, and fourth layers are used.
When the refractive indices of the layers are n1, n2, n3, and n4, the film thickness of the first layer is d1, and the design dominant wavelength is λ 0 , 1.45 ≦ n1 ≦ 1.60, 0.25λ 0 ≦ n1d1 ≦ 2.00λ 0 , and n4 ≦ n2 ≦ n3.
３、ｄ４とした時に、 ０．０５λ0≦ｎ２ｄ２≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ３ｄ３≦０．７５λ0、 ０．２１λ0≦ｎ４ｄ４≦０．３０λ0、 １．５６≦ｎ２≦２．１０、 １．７５≦ｎ３≦２．３５、 １．４２≦ｎ４≦１．４７、 の関係にしたことを特徴とする請求項３に記載の反射防
止膜。4. The film thickness of the second, third and fourth layers is d2, d
3, when a d4, 0.05λ 0 ≦ n2d2 ≦ 0.75λ 0, 0.05λ 0 ≦ n3d3 ≦ 0.75λ 0, 0.21λ 0 ≦ n4d4 ≦ 0.30λ 0, 1.56 ≦ n2 ≦ 2 4. The anti-reflection film according to claim 3, wherein a relationship of 1.10, 1.75 ≦ n3 ≦ 2.35, and 1.42 ≦ n4 ≦ 1.47 is satisfied.
Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5のいずれかを主成分と
し、第３層はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、ＺｒＯ2、
ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5のいずれかを主成分とし、第４層は
ＳｉＯ2を主成分としたことを特徴とする請求項３また
は請求項４に記載の反射防止膜。5. The second layer is a mixture of ZrO 2 and TiO 2 ,
The main component is any one of Al 2 O 3 , ZrO 2 , and Ta 2 O 5 , and the third layer is a mixture of ZrO 2 and TiO 2 , ZrO 2 ,
The anti-reflection film according to claim 3, wherein one of TiO 2 and Ta 2 O 5 is a main component, and the fourth layer is a main component of SiO 2 .
４、第５層の薄膜が積層され、第１層が珪素酸化物から
成る５層構造の反射防止膜において、第１、第２、第
３、第４、第５層の屈折率をｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４、
ｎ５とし、第１層の膜厚をｄ１、設計主波長をλ0とし
た時に、 １．４５≦ｎ１≦１．６０、 ０．２５λ0≦ｎ１ｄ１≦２．００λ0、 ｎ３≦ｎ２≦ｎ４、 ｎ５≦ｎ２、 の関係にしたことを特徴とする反射防止膜。6. An antireflection film having a five-layer structure in which first, second, third, fourth, and fifth thin films are laminated on a resin substrate, and the first layer is made of silicon oxide. The refractive indices of the first, second, third, fourth, and fifth layers are n1, n2, n3, n4,
and n5, the thickness of the first layer d1, when the design dominant wavelength is λ 0, 1.45 ≦ n1 ≦ 1.60 , 0.25λ 0 ≦ n1d1 ≦ 2.00λ 0, n3 ≦ n2 ≦ n4, An antireflection film characterized by the following relationship: n5 ≦ n2.
２、ｄ３、ｄ４、ｄ５とした時に、 ０．０５λ0≦ｎ２ｄ２≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ３ｄ３≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ４ｄ４≦０．７５λ0、 ０．２１λ0≦ｎ５ｄ５≦０．３０λ0、 １．５０≦ｎ２≦２．３５、 １．４２≦ｎ３≦１．６０、 １．５０≦ｎ４≦２．３５、 １．４２≦ｎ５≦１．４７、 の関係にしたことを特徴とする請求項６に記載の反射防
止膜。7. The film thickness of the second, third, fourth, and fifth layers is d
2, d3, d4, when the d5, 0.05λ 0 ≦ n2d2 ≦ 0.75λ 0, 0.05λ 0 ≦ n3d3 ≦ 0.75λ 0, 0.05λ 0 ≦ n4d4 ≦ 0.75λ 0, 0.21λ 0 ≦ n5d5 ≦ 0.30λ 0 , 1.50 ≦ n2 ≦ 2.35, 1.42 ≦ n3 ≦ 1.60, 1.50 ≦ n4 ≦ 2.35, 1.42 ≦ n5 ≦ 1.47 7. The anti-reflection film according to claim 6, wherein the anti-reflection film is in a relationship.
Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5のいずれかを主
成分とし、第３層はＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2を主成分と
し、第４層はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、Ａｌ2Ｏ3、
ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5のいずれかを主成分とし、
第５層はＳｉＯ2を主成分としたことを特徴とする請求
項６または請求項７に記載の反射防止膜。8. The second layer is a mixture of ZrO 2 and TiO 2 ,
Al 2 O 3, ZrO 2, as a main component one of TiO 2, Ta 2 O 5, the third layer is composed mainly of Al 2 O 3 or SiO 2, the fourth layer of ZrO 2 and TiO 2 Mixture, Al 2 O 3 ,
One of ZrO 2 , TiO 2 and Ta 2 O 5 as a main component,
The antireflection film according to claim 6, wherein the fifth layer contains SiO 2 as a main component.
４、第５、第６層の薄膜が積層され、第１層が珪素酸化
物から成る６層構造の反射防止膜において、第１、第
２、第３、第４、第５、第６層の屈折率をｎ１、ｎ２、
ｎ３、ｎ４、ｎ５、ｎ６とし、第１層の膜厚をｄ１、設
計主波長をλ0とした時に、 １．４５≦ｎ１≦１．６０、 ０．２５λ0≦ｎ１ｄ１≦２．００λ0、 ｎ２≦ｎ３、 ｎ２≦ｎ５、 ｎ４≦ｎ３、 ｎ４≦ｎ５、 ｎ６≦ｎ３、 ｎ６≦ｎ５、 の関係にしたことを特徴とする反射防止膜。9. A six-layered anti-reflection structure in which first, second, third, fourth, fifth, and sixth thin films are laminated on a resin substrate, and the first layer is made of silicon oxide. In the film, the refractive indices of the first, second, third, fourth, fifth, and sixth layers are n1, n2,
When n3, n4, n5, and n6, the thickness of the first layer is d1, and the design dominant wavelength is λ 0 , 1.45 ≦ n1 ≦ 1.60, 0.25λ 0 ≦ n1d1 ≦ 2.00λ 0 , An anti-reflection film characterized by the following relationship: n2 ≦ n3, n2 ≦ n5, n4 ≦ n3, n4 ≦ n5, n6 ≦ n3, n6 ≦ n5.
厚をｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５、ｄ６とした時に、 ０．０５λ0≦ｎ２ｄ２≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ３ｄ３≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ４ｄ４≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ５ｄ５≦０．７５λ0、 ０．２１λ0≦ｎ６ｄ６≦０．３０λ0、 １．４２≦ｎ２≦１．６０、 １．５０≦ｎ３≦２．３５、 １．４２≦ｎ４≦１．６０、 １．８０≦ｎ５≦２．３５、 １．４２≦ｎ６≦１．４７、 の関係にしたことを特徴とする請求項９に記載の反射防
止膜。10. When the thicknesses of the second, third, fourth, fifth and sixth layers are d2, d3, d4, d5 and d6, 0.05λ 0 ≦ n2d2 ≦ 0.75λ 0 , 0 .05λ 0 ≦ n3d3 ≦ 0.75λ 0 , 0.05λ 0 ≦ n4d4 ≦ 0.75λ 0 , 0.05λ 0 ≦ n5d5 ≦ 0.75λ 0 , 0.21λ 0 ≦ n6d6 ≦ 0.30λ 0 , 1.42 ≦ n2 ≦ 1.60, 1.50 ≦ n3 ≦ 2.35, 1.42 ≦ n4 ≦ 1.60, 1.80 ≦ n5 ≦ 2.35, 1.42 ≦ n6 ≦ 1.47 The antireflection film according to claim 9, wherein:
成分とし、第３層はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、Ａｌ
2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5のいずれかを主成分
とし、第４層はＡｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2を主成分とし、
第５層はＺｒＯ２とＴｉＯ２との混合物、ＺｒＯ2、Ｔ
ｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5のいずれかを主成分とし、第６層はＳ
ｉＯ2を主成分としたことを特徴とする請求項９または
請求項１０に記載の反射防止膜。11. The second layer is mainly composed of Al 2 O 3 or SiO 2 , and the third layer is a mixture of ZrO 2 and TiO 2 ,
2 O 3 , ZrO 2 , TiO 2 , or Ta 2 O 5 as a main component, the fourth layer as a main component Al 2 O 3 or SiO 2 ,
The fifth layer is a mixture of ZrO 2 and TiO 2 , ZrO 2 , T
The main component is any one of iO 2 and Ta 2 O 5 , and the sixth layer is S
The anti-reflection film according to claim 9, wherein iO 2 is a main component.
第４、第５、第６層の薄膜が積層され、第１層が珪素酸
化物から成る６層構造の反射防止膜において、第１、第
２、第３、第４、第５、第６層の屈折率をｎ１、ｎ２、
ｎ３、ｎ４、ｎ５、ｎ６とし、第１層の膜厚をｄ１、設
計主波長をλ0とした時に、 １．４５≦ｎ１≦１．６０、 ０．２５λ0≦ｎ１ｄ１≦２．００λ0、 ｎ３≦ｎ２≦ｎ５、 ｎ３≦ｎ４≦ｎ５、 ｎ６≦ｎ２、 ｎ６≦ｎ４、 の関係にしたことを特徴とする反射防止膜。12. A first, second, third, and third resin substrate on a resin substrate.
In an antireflection film having a six-layer structure in which thin films of fourth, fifth, and sixth layers are stacked and the first layer is made of silicon oxide, the first, second, third, fourth, fifth, and sixth layers are formed. The refractive indices of the layers are n1, n2,
When n3, n4, n5, and n6, the thickness of the first layer is d1, and the design dominant wavelength is λ 0 , 1.45 ≦ n1 ≦ 1.60, 0.25λ 0 ≦ n1d1 ≦ 2.00λ 0 , An anti-reflection film characterized by the following relationship: n3 ≦ n2 ≦ n5, n3 ≦ n4 ≦ n5, n6 ≦ n2, n6 ≦ n4.
厚をｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５、ｄ６とした時に、 ０．０５λ0≦ｎ２ｄ２≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ３ｄ３≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ４ｄ４≦０．７５λ0、 ０．０５λ0≦ｎ５ｄ５≦０．７５λ0、 ０．２１λ0≦ｎ６ｄ６≦０．３０λ0、 １．５０≦ｎ２≦１．６０、 １．４２≦ｎ３≦１．４７、 １．５０≦ｎ４≦１．６０、 １．８０≦ｎ５≦２．３５、 １．４２≦ｎ６≦１．４７、 の関係にしたことを特徴とする請求項１２に記載の反射
防止膜。13. The second, third, fourth, fifth, when the thickness of the sixth layer was d2, d3, d4, d5, d6, 0.05λ 0 ≦ n2d2 ≦ 0.75λ 0, 0 .05λ 0 ≦ n3d3 ≦ 0.75λ 0, 0.05λ 0 ≦ n4d4 ≦ 0.75λ 0, 0.05λ 0 ≦ n5d5 ≦ 0.75λ 0, 0.21λ 0 ≦ n6d6 ≦ 0.30λ 0, 1.50 ≦ n2 ≦ 1.60, 1.42 ≦ n3 ≦ 1.47, 1.50 ≦ n4 ≦ 1.60, 1.80 ≦ n5 ≦ 2.35, 1.42 ≦ n6 ≦ 1.47 13. The anti-reflection film according to claim 12, wherein:
層はＳｉＯ2を主成分とし、第４層はＡｌ2Ｏ3を主成分
とし、第５層はＺｒＯ2とＴｉＯ2との混合物、Ｚｒ
Ｏ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5のいずれかを主成分とし、第６
層はＳｉＯ2を主成分としたことを特徴とする請求項１
２または請求項１３に記載の反射防止膜。14. The second layer mainly contains Al 2 O 3 ,
The layer is mainly composed of SiO 2 , the fourth layer is mainly composed of Al 2 O 3 , the fifth layer is a mixture of ZrO 2 and TiO 2 , Zr
O 2, as a main component one of TiO 2, Ta 2 O 5, sixth
2. The layer according to claim 1, wherein said layer is mainly composed of SiO 2.
An antireflection film according to claim 2 or claim 13.
光学系または所定の光束を赤色光、緑色光及び青色光に
分解する光学系を有する光学装置において、請求項１乃
至請求項１４のいずれかに記載の反射防止膜が施された
光学部品を赤色光のみの光路、緑色光のみの光路及び青
色光のみの光路の少なくとも１つの光路上に配したこと
を特徴とする光学装置。15. An optical apparatus having an optical system for synthesizing red light, green light and blue light or an optical system for decomposing a predetermined light beam into red light, green light and blue light. An optical device, wherein the optical component provided with any one of the antireflection films is disposed on at least one of an optical path of red light only, an optical path of green light only, and an optical path of blue light only.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11182755A JP2001013305A (en) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | Antireflection film and optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP11182755A JP2001013305A (en) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | Antireflection film and optical device |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001013305A true JP2001013305A (en) | 2001-01-19 |
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ID=16123877
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|---|---|---|---|
| JP11182755A Pending JP2001013305A (en) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | Antireflection film and optical device |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001013305A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003248103A (en) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Olympus Optical Co Ltd | Anti-reflection film, optical lens and optical lens unit |
| JP2005302088A (en) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Konica Minolta Opto Inc | Objective lens and optical pickup device |
| JP2006201558A (en) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Hitachi Ltd | Article or transparent component with liquid-repellent layer, optical lens with liquid-repellent layer and method for manufacturing the same, and projection type image display unit using the optical lens |
| JP2007094150A (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Pentax Corp | Antireflection coating and optical component having the same |
| JP2009541810A (en) * | 2006-06-28 | 2009-11-26 | エシロール アテルナジオナール カンパニー ジェネラーレ デ オプティック | Optical product coated with underlayer and temperature-resistant multilayer antireflection coating layer and method for producing the same |
-
1999
- 1999-06-29 JP JP11182755A patent/JP2001013305A/en active Pending
Cited By (6)
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| JP2009541810A (en) * | 2006-06-28 | 2009-11-26 | エシロール アテルナジオナール カンパニー ジェネラーレ デ オプティック | Optical product coated with underlayer and temperature-resistant multilayer antireflection coating layer and method for producing the same |
| US9625620B2 (en) | 2006-06-28 | 2017-04-18 | Essilor International (Compagnie Generale D'optique) | Optical article coated with a sub-layer and with a heat-resistant, multilayered antireflection coating, and method for producing same |
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