JP2001007275A - Semiconductor device and test method thereof - Google Patents

Semiconductor device and test method thereof

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JP2001007275A
JP2001007275A JP17990099A JP17990099A JP2001007275A JP 2001007275 A JP2001007275 A JP 2001007275A JP 17990099 A JP17990099 A JP 17990099A JP 17990099 A JP17990099 A JP 17990099A JP 2001007275 A JP2001007275 A JP 2001007275A
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JP
Japan
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opening
chip
test
terminal
main surface
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Japanese (ja)
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Yusuke Narimatsu
裕介 成松
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Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which is assembled into a package that is so structured as to be tested as well as a wafer is tested even after a product is finished and a test method of the same. SOLUTION: A package opening 9 is provided so as to make all or some of test terminals 2 formed on the semiconductor device chip 10 exposed or a contact electrically connected to a test chip terminal is provided. The test terminals 2 are used only when a wafer is tested and serve as chip terminals which are not brought into contact when packaging is carried out. A pad or a contact is required to be sealed up with a sealing insulating resin 7 so as to improve a semiconductor device in reliability when packaging is carried out, and a product can be tested as well as a wafer is tested by partially removing the sealing insulating resin 7. A nearly-finished product can be tested through the same way as a wafer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、製品完成後もウェ
ハ試験時と同等の試験が可能な構造を有するパッケージ
に組み立てられた半導体装置及びそのテスト方法に関す
るものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device assembled in a package having a structure capable of performing a test equivalent to a wafer test even after a product is completed, and a test method therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置は、半導体装置をデザインす
る設計工程、シリコンなどの半導体単結晶をインゴット
状態で成長させ、これをスライスしてウェハを得るウェ
ハ形成工程、ウェハに対して薄膜形成、酸化処理、ドー
ピングなどを行なってウェハに複数の半導体素子(半導
体チップ、以下、チップという)を形成するウェハ処理
工程、ウェハからチップを分離しパッケージングを行う
組立工程及び検査工程を経て製品が得られる。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device, a designing process for designing a semiconductor device, a wafer forming process for growing a semiconductor single crystal such as silicon in an ingot and slicing the same to obtain a wafer, forming a thin film on the wafer, and oxidizing the wafer. A product is obtained through a wafer processing step of forming a plurality of semiconductor elements (semiconductor chips, hereinafter referred to as chips) on a wafer by performing processing, doping, etc., an assembling step of separating and packaging chips from the wafer, and an inspection step. .

【0003】図8は、従来のBGA(Ball Grid Array)
タイプのパッケージで封止された半導体装置の平面図及
びこの平面図のA−A′線に沿う部分の断面図である。
チップを構成するシリコンなどの半導体基板100の主
面にはその中央領域にチップ内部の集積回路に電気的に
接続された外部接続端子101群が、例えば、2列形成
されている。半導体装置がメモリなどの場合にはこの2
列の外部接続端子101間にヒューズ素子群を配置形成
することもある。チップ100主面は、BGAタイプの
パッケージ103により被覆されている。BGAタイプ
のパッケージ103は、例えば、ポリイミドなどの絶縁
シート103aと絶縁性の保護シート103bからな
り、絶縁シート103aの片面には、銅箔パターンなど
の導体配線108が形成されると共に、導体配線108
に連なり、外部回路と電気的に接続されるはんだボール
などの外部電極104が形成されている。導体配線10
8は、保護シート103bにより保護されている。絶縁
シート103aの裏面は、チップ100の主面に貼り付
けられており、これにより主面が保護されている。パッ
ケージ103は、チップ100主面の中央領域において
開口部105が形成されている。そして、この開口部1
05には2列のパッド状の外部接続端子101群及び導
体配線108に接続され、外部接続端子101にボンデ
ィングされているリード106が露出されている。開口
部105は、導体配線108がボンディングされてから
エポキシ樹脂などの絶縁性の樹脂封止体107により封
止されている。
FIG. 8 shows a conventional BGA (Ball Grid Array).
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device sealed with a type package, and a cross-sectional view taken along a line AA ′ in the plan view.
For example, two rows of external connection terminals 101 electrically connected to an integrated circuit inside the chip are formed in a central region of a main surface of a semiconductor substrate 100 such as silicon constituting the chip. If the semiconductor device is a memory, this 2
A fuse element group may be arranged and formed between the external connection terminals 101 in a column. The main surface of the chip 100 is covered with a BGA type package 103. The BGA type package 103 includes, for example, an insulating sheet 103a of polyimide or the like and an insulating protective sheet 103b. On one surface of the insulating sheet 103a, a conductor wiring 108 such as a copper foil pattern is formed, and a conductor wiring 108 is formed.
And an external electrode 104 such as a solder ball that is electrically connected to an external circuit. Conductor wiring 10
8 is protected by a protection sheet 103b. The back surface of the insulating sheet 103a is affixed to the main surface of the chip 100, thereby protecting the main surface. The package 103 has an opening 105 formed in a central region of the main surface of the chip 100. And this opening 1
At 05, the leads 106 connected to the two rows of pad-shaped external connection terminals 101 and the conductor wiring 108 and bonded to the external connection terminals 101 are exposed. The opening 105 is sealed with an insulating resin sealing body 107 such as an epoxy resin after the conductor wiring 108 is bonded.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】一般に、ウェハ状態に
あるチップとチップがウェハから分離され、パッケージ
に組み立てられたデバイス完成品とでは電気特性、温度
特性、周波数特性などの各種特性が異なる。また、パッ
ケージに組み立てる工程においてもしくはデバイス完成
品に対して実施されるバーンイン工程において、特性の
変化や故障がチップに発生することもある。ところが、
チップを絶縁体により樹脂封止したり、チップにはんだ
ボールなどの外部電極等が付いた弾性体シートを貼り付
けるなどしてパッケージを組み立てた後では、テスト用
チップ端子が封止されてしまいウェハ状態と同じテスト
(現在のダイソード試験に相当する)が出来なくなり、
したがって、テストの自由度が小さくなっているのが現
状である。
Generally, various characteristics such as electric characteristics, temperature characteristics, and frequency characteristics are different between a chip in a wafer state and a device completed product in which the chip is separated from the wafer and assembled into a package. Further, in a process of assembling into a package or in a burn-in process performed on a completed device, a change in characteristics or a failure may occur in a chip. However,
After assembling the package by sealing the chip with resin with an insulator or attaching an elastic sheet with external electrodes such as solder balls to the chip, the test chip terminals are sealed and the wafer The same test as the state (corresponding to the current die-sword test) cannot be performed,
Therefore, at present, the degree of freedom of the test is reduced.

【0005】また、パッケージ状態ではテストパッドを
用いた試験が出来ないため、パッケージ状態でチップ不
良が見つかった場合、この不良が原因でスクリーニング
が出来ていたのかどうか、つまり、パッケージングを行
った後にパッケージ化やバーンイン試験などで生じた劣
化不良なのか、それとも、スクリーニングが出来ていな
かっただけなのかを解析することが難しかった。そのた
めこのような不良を試験でスクリーニング又はヒューズ
カットにより交換救済する場合は、パッケージ状態で不
良を再現させ、そのような試験項目を追加して経過を見
るしかなかった。勿論これは、テストタイムの増加につ
ながるので、これが許されない場合には製品テストによ
りスクリーニングすることになる。本発明は、このよう
な事情によりなされたものであり、製品完成後もウェハ
試験時と同等の試験が可能な構造を有するパッケージに
組み立てられた半導体装置及びそのテスト方法を提供す
[0005] In addition, since a test using a test pad cannot be performed in a package state, if a chip defect is found in a package state, it is determined whether screening has been performed due to the defect, that is, after performing the packaging, It was difficult to analyze whether it was a deterioration failure caused by packaging or a burn-in test, or whether the screening was not completed. Therefore, when such a defect is exchanged and repaired by screening or fuse cutting in a test, the defect has to be reproduced in a package state, and such a test item must be added to check the progress. Of course, this leads to an increase in test time. If this is not permissible, screening will be performed by product testing. The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a semiconductor device assembled in a package having a structure capable of performing a test equivalent to a wafer test even after a product is completed, and a method of testing the semiconductor device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置の
チップ上に形成されたテスト用端子の全部又は一部の上
に、テスト用端子を露出させるためのパッケージ開口部
が存在するようにしておくか、もしくはテスト用チップ
端子に導通させたコンタクト部分を存在するようにして
おくことに特徴がある。テスト用端子は、ウェハテスト
時のみ使用され、パッケージングの際コンタクトされな
いチップ端子である。信頼性を高めるために、パッケー
ジングの際このパッドもしくはコンタクト部分は、絶縁
体による封止が必要になるが、封止後も、この絶縁体を
部分的に除去することによってウェハ試験時と同等の試
験を製品に対して行うことが出来る。開口部が小さい、
コンタクト部分が小さい等の理由により、封止前と封止
後でこの開口部もしくはコンタクト部分によるパッケー
ジへの影響が小さければ、パッケージ完成品と同等の電
気特性、温度特性、周波数特性などの諸特性が得られる
ことが期待でき、完成品に近い状態でウェハ試験を行う
ことが出来る。
According to the present invention, a package opening for exposing a test terminal is present on all or a part of a test terminal formed on a chip of a semiconductor device. Or the presence of a contact portion that is electrically connected to the test chip terminal. The test terminal is a chip terminal that is used only during a wafer test and is not contacted during packaging. In order to increase reliability, this pad or contact part must be sealed with an insulator during packaging, but after sealing, by removing this insulator partially, it is the same as during wafer testing Can be performed on products. Small opening,
If the effect of this opening or contact on the package before and after encapsulation is small due to the small contact area, etc., various characteristics such as electrical characteristics, temperature characteristics, and frequency characteristics equivalent to those of the completed package Can be expected, and a wafer test can be performed in a state close to a finished product.

【0007】すなわち、本発明の半導体装置は、主面に
外部接続端子及び少なくとも1つのテスト用端子が形成
された半導体チップと、前記主面上に形成され、前記外
部端子及びテスト用端子を被覆保護する絶縁封止体と、
内部に前記テスト用端子の少なくとも1つが配置される
ように前記絶縁封止体に形成された開口部が埋め込まれ
た絶縁体とを具備していることを第1の特徴としてい
る。また、本発明の半導体装置は、主面に外部接続端子
及び少なくとも1つのテスト用端子が形成された半導体
チップと、前記主面上に形成され、前記外部端子及びテ
スト用端子を被覆保護する絶縁封止体と、前記絶縁封止
体に形成された開口部に埋め込まれた絶縁体とを具備
し、前記テスト用端子及び前記外部接続端子は、前記開
口部内に配置されていることを第2の特徴としている。
前記主面には前記半導体チップ内部の集積回路と電気的
に接続されたヒューズ素子が形成されており、前記ヒュ
ーズ素子は、前記開口部に配置されているようにしても
良い。前記開口部に埋め込まれる絶縁体は、前記絶縁封
止体より柔らかくても良い。
That is, a semiconductor device according to the present invention comprises: a semiconductor chip having an external connection terminal and at least one test terminal formed on a main surface; and a semiconductor chip formed on the main surface and covering the external terminal and the test terminal. An insulating sealing body to protect;
A first feature is that the insulating sealing body has an opening embedded therein so that at least one of the test terminals is disposed therein. Further, the semiconductor device of the present invention includes a semiconductor chip having an external connection terminal and at least one test terminal formed on a main surface thereof, and an insulating chip formed on the main surface and covering and protecting the external terminal and the test terminal. A sealing body, and an insulator embedded in an opening formed in the insulating sealing body, wherein the test terminal and the external connection terminal are arranged in the opening. The feature is.
A fuse element electrically connected to an integrated circuit inside the semiconductor chip may be formed on the main surface, and the fuse element may be arranged in the opening. The insulator embedded in the opening may be softer than the insulating sealing body.

【0008】本発明の半導体装置のテスト方法は、主面
に外部接続端子及び少なくとも1つのテスト用端子を半
導体チップ上に形成するステップと、前記外部端子及び
テスト用端子を被覆保護する絶縁封止体に、内部に前記
テスト用端子の少なくとも1つが配置されるように、開
口部を形成するステップと、前記開口部内の前記テスト
用端子を介して前記半導体チップをテストするステップ
と、前記開口部に絶縁体を埋め込んで前記開口部を封止
するステップと、前記テスト用端子のコンタクト部を絶
縁体により覆うステップとを具備していることを特徴と
している。前記主面には前記半導体チップ内部の集積回
路と電気的に接続されたヒューズ素子がさらに形成され
ており、前記外部接続端子もしくは前記ヒューズ素子及
び前記外部接続端子は、前記開口部に配置されているよ
うにしても良い。
In the method of testing a semiconductor device according to the present invention, an external connection terminal and at least one test terminal are formed on a semiconductor chip on a main surface, and an insulating seal for covering and protecting the external terminal and the test terminal. Forming an opening in the body such that at least one of the test terminals is disposed therein; testing the semiconductor chip through the test terminal in the opening; And a step of sealing the opening by embedding an insulator in the substrate, and a step of covering a contact portion of the test terminal with an insulator. A fuse element electrically connected to an integrated circuit inside the semiconductor chip is further formed on the main surface, and the external connection terminal or the fuse element and the external connection terminal are arranged in the opening. You may be.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図1及び図2を参照して第1
の実施例を説明する。図1は、BGAタイプのパッケー
ジで封止された半導体装置の平面図及びこの平面図のA
−A′線に沿う部分の断面図、図2は、テスト方法を説
明する半導体装置の断面図である。チップを構成するシ
リコンなどの半導体基板10の主面にはその中央領域に
チップ内部の集積回路に電気的に接続された外部接続端
子1群が、例えば、2列形成されている。また、チップ
10主面にはテスト用のパッド状の非接続チップ端子2
が適宜の位置に形成されている。半導体装置がメモリ等
の場合にはこの2列の外部接続端子1間にヒューズ素子
群を配置形成することもある。チップ10主面は、BG
Aタイプのパッケージ3により被覆されている。このB
GAタイプのパッケージ3は、絶縁シート3aと絶縁性
の保護シート3bからなり、絶縁シート3aの片面に
は、銅箔パターンなどの導体配線8が形成されるととも
に、導体配線8に連なり、外部回路と電気的に接続され
るはんだボールなどの外部電極4が形成されている。導
体配線8は、保護シート3bにより保護されている。絶
縁シート3aの裏面は、チップ10主面に貼り付けられ
ており、これにより主面が保護されている。外部接続端
子1と導体配線8とはリードもしくはワイヤ6により電
気的に接続されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, referring to FIG. 1 and FIG.
An example will be described. FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device sealed with a BGA type package and FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor device illustrating a test method along a line A-A ′. For example, two rows of external connection terminals electrically connected to an integrated circuit inside the chip are formed in a central area of a main surface of a semiconductor substrate 10 made of silicon or the like constituting the chip. A pad-shaped non-connection chip terminal 2 for testing is provided on the main surface of the chip 10.
Are formed at appropriate positions. When the semiconductor device is a memory or the like, a fuse element group may be formed between the two rows of external connection terminals 1 in some cases. Chip 10 main surface is BG
It is covered with an A type package 3. This B
The GA type package 3 includes an insulating sheet 3a and an insulating protective sheet 3b. On one surface of the insulating sheet 3a, a conductor wiring 8 such as a copper foil pattern is formed and connected to the conductor wiring 8, so that an external circuit is formed. An external electrode 4 such as a solder ball electrically connected to the external electrode 4 is formed. The conductor wiring 8 is protected by the protection sheet 3b. The back surface of the insulating sheet 3a is attached to the main surface of the chip 10, thereby protecting the main surface. The external connection terminal 1 and the conductor wiring 8 are electrically connected by a lead or a wire 6.

【0010】パッケージ3にはチップ10主面の中央領
域において開口部5が形成されている。そして、この開
口部5には外部接続端子1群及び導体配線8に接続さ
れ、且つ外部接続端子1先端部にボンディングされてい
るリード6が露出されている。開口部5の外部接続端子
1群は、外部接続端子領域に形成配置される。また、パ
ッケージ3には非接続チップ端子2が内部に配置される
ように適宜の位置に開口部9が形成されている。開口部
9内の非接続チップ端子2は、非接続チップ端子領域に
形成配置される。また、開口部5は、導体配線8がボン
ディングされてからエポキシ樹脂などの絶縁性封止体7
により封止され、開口部9は、エポキシ樹脂などの絶縁
性封止体11により封止されている。開口部5の封止体
7と開口部9の封止体11とは同じ材料であっても良い
し、互いに異なっていても良い。材料が同じ場合はその
作業性が高くなることは明らかである。この実施例では
テスト用の非接続チップ端子が配置された開口部は、半
田ボールの外部電極が存在している領域内に設けられて
いる。図1では、見易くする便宜上、開口部、外部接続
端子、非接続チップ端子とを大きく図示してあるが、実
際は外部接続端子領域(すなわち開口部)や非接続チッ
プ端子領域(すなわち開口部)の面積はもっと小さく、
開口部は、その外部接続端子や非接続チップ端子にコン
タクトをとるのに必要な分だけ開ける。このように構成
するすることにより開口部を開けたままパッケージを組
み立てた時に完成品と同等あるいは近似的な特性が得ら
れる。
An opening 5 is formed in the package 3 in a central region of the main surface of the chip 10. Then, the lead 6 connected to the external connection terminal 1 group and the conductor wiring 8 and bonded to the tip of the external connection terminal 1 is exposed in the opening 5. The group of external connection terminals 1 in the opening 5 is formed and arranged in the external connection terminal area. An opening 9 is formed at an appropriate position in the package 3 so that the non-connection chip terminal 2 is disposed inside. The non-connection chip terminals 2 in the opening 9 are formed and arranged in the non-connection chip terminal area. The opening 5 is provided with an insulating sealing body 7 such as an epoxy resin after the conductor wiring 8 is bonded.
The opening 9 is sealed with an insulating sealing body 11 such as an epoxy resin. The sealing body 7 of the opening 5 and the sealing body 11 of the opening 9 may be made of the same material or different from each other. It is clear that the workability is higher when the materials are the same. In this embodiment, the opening in which the non-connection chip terminals for testing are arranged is provided in a region where the external electrodes of the solder balls exist. In FIG. 1, the opening, the external connection terminal, and the non-connection chip terminal are illustrated in a large size for the sake of convenience of viewing. The area is smaller,
The opening is opened as much as necessary to contact the external connection terminal and the non-connection chip terminal. With such a configuration, when the package is assembled with the opening part opened, characteristics equivalent or similar to those of the finished product can be obtained.

【0011】テスト用非接続チップ端子は、まず絶縁性
封止体で開口部封止する前にテストを行い、その後開口
部を封止する。また非接続チップ端子を絶縁性封止体に
より封止後にコンタクトをとるには、薬品等により溶融
できる絶縁性封止体を用い、薬品等でこの絶縁性封止体
を除去し、針当たりを行い、テストを行う。あるいは図
2に示すようにパッケージより軟性の絶縁体を利用して
針を刺し当てることによってコンタクトをとるなどの様
々なテスト方法が可能である。図2は、非接続チップ端
子部分の状態を示す半導体基板(チップ)の断面図であ
る。半導体基板10主面を被覆保護するパッケージ3に
は非接続チップ端子2が内部に配置されるように適宜の
位置に開口部9が形成されている。開口部9内の非接続
チップ端子2は、図1に示すように、非接続チップ端子
領域に形成配置される。開口部9は、エポキシ樹脂など
の絶縁性封止体14により封止されている。封止体14
は、パッケージ3より軟性の絶縁体から構成されてい
る。探針15を封止体14を通して非接続チップ端子2
に接触させる。そしてその後テストを行う。この実施例
ではテストに際して封止体を除かないので作業性が高く
なる。
The test non-connection chip terminal is first tested before sealing the opening with an insulating sealing body, and then sealing the opening. Also, in order to make contact after the non-connection chip terminal is sealed with an insulating sealing body, use an insulating sealing body that can be melted with a chemical or the like, remove the insulating sealing body with a chemical or the like, and reduce contact with the needle. And test. Alternatively, as shown in FIG. 2, various test methods are possible, such as making contact by piercing a needle using a softer insulator than the package. FIG. 2 is a sectional view of a semiconductor substrate (chip) showing a state of a non-connected chip terminal portion. An opening 9 is formed at an appropriate position in the package 3 for covering and protecting the main surface of the semiconductor substrate 10 so that the non-connection chip terminal 2 is disposed inside. The non-connection chip terminals 2 in the opening 9 are formed and arranged in a non-connection chip terminal region as shown in FIG. The opening 9 is sealed with an insulating sealing body 14 such as an epoxy resin. Sealing body 14
Are made of an insulator softer than the package 3. The probe 15 is passed through the sealing body 14 to connect the non-connected chip terminals 2.
Contact. And then test. In this embodiment, the workability is improved because the sealing body is not removed during the test.

【0012】次に、図3を参照して第2の実施例を説明
する。図3は、半導体装置の平面図及び平面図のA−
A′線に沿う部分の断面図である。この実施例のパッケ
ージは、エポキシ樹脂などの樹脂封止体23から構成さ
れている。チップを構成するシリコンなどの半導体基板
20の主面にはその周辺領域にチップ内部の集積回路に
電気的に接続された外部接続端子21群が形成されてい
る。また、チップ20主面にはテスト用のパッド状の非
接続チップ端子22が適宜の位置に形成されている。チ
ップ20主面は、TSOP(Thin Small Outline Packag
e)タイプのパッケージである樹脂封止体23により被覆
されている。この樹脂封止体23は、モールド成型装置
を用い、通常のモールド法により形成される。図1に示
されたBGAタイプのパッケージにおいて用いたはんだ
ボウルに代えてこの実施例では外部電極としてリードフ
レームから得られる外部リード24を用いる。リードフ
レーム(図示せず)にチップ20を搭載し、チップ20
に対向するリード先端と外部接続端子21とをアルミニ
ウム線等のボンディングワイヤ26で接続し、この状態
でリードフレームをモールド成型装置の金型に外部リー
ド先端が露出するように装着する。そして、トランスフ
ァモールド法により樹脂を金型に充填させることにより
樹脂封止体23を形成する。
Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a plan view of the semiconductor device and FIG.
It is sectional drawing of the part which follows the A 'line. The package of this embodiment includes a resin sealing body 23 such as an epoxy resin. A group of external connection terminals 21 electrically connected to an integrated circuit inside the chip is formed in a peripheral area of a main surface of a semiconductor substrate 20 such as silicon constituting the chip. On the main surface of the chip 20, pad-shaped non-connection chip terminals 22 for testing are formed at appropriate positions. The main surface of the chip 20 is TSOP (Thin Small Outline Packag
e) It is covered with a resin sealing body 23 which is a type package. This resin sealing body 23 is formed by a normal molding method using a molding device. In this embodiment, external leads 24 obtained from a lead frame are used as external electrodes instead of the solder bowl used in the BGA type package shown in FIG. The chip 20 is mounted on a lead frame (not shown).
Is connected to the external connection terminal 21 with a bonding wire 26 such as an aluminum wire, and in this state, the lead frame is mounted on a mold of a molding apparatus such that the external lead end is exposed. Then, a resin sealing body 23 is formed by filling a mold with resin by a transfer molding method.

【0013】樹脂封止体23にはチップ20主面の所定
の位置に開口部28が形成されている。開口部28内の
非接続チップ端子22は、非接続チップ端子領域25に
形成配置されている。また、開口部28は、エポキシ樹
脂などの絶縁性封止体27により封止されている。開口
部28は、金型により成型したときにこのような開口部
ができるように形成されるか、もしくは開口部のない樹
脂封止体を形成してから開口部をエッチング等により形
成される。この状態でウェハ試験と同等のテスト用端子
を用いた試験を行うことができる。開口部は、テスト試
験後に絶縁性樹脂封止体で封止する。図では見易くする
便宜上、ヒューズ領域と開口部は大きく図示してある。
チップ端子を、絶縁体により封止後にコンタクトをとる
には、第1の実施例と同様に、薬品などにより溶融でき
る絶縁性樹脂封止体を用いておき薬品等でこれを除去
し、針当たりをする。あるいは図2に示すように軟性の
ある絶縁体を利用し針を刺すことによってコンタクトを
とることができる。
An opening 28 is formed in the resin sealing body 23 at a predetermined position on the main surface of the chip 20. The non-connection chip terminals 22 in the opening 28 are formed and arranged in the non-connection chip terminal area 25. The opening 28 is sealed with an insulating sealing body 27 such as an epoxy resin. The opening 28 is formed so that such an opening is formed when it is molded by a mold, or the opening is formed by etching or the like after forming a resin sealing body having no opening. In this state, a test using test terminals equivalent to the wafer test can be performed. The opening is sealed with an insulating resin sealing body after the test test. In the figure, the fuse region and the opening are shown large for the sake of convenience.
In order to make contact after sealing the chip terminal with an insulator, as in the first embodiment, use an insulative resin sealed body that can be melted with a chemical or the like, remove this with a chemical or the like, and contact the needle. do. Alternatively, as shown in FIG. 2, a contact can be made by piercing a needle using a soft insulator.

【0014】次に、図4及び図5を参照して第3の実施
例を説明する。図4は、BGAタイプのパッケージで封
止された半導体装置の平面図及びこの平面図のA−A′
線に沿う部分の断面図、図5は、テスト方法を説明する
半導体装置の断面図である。チップを構成するシリコン
などの半導体基板30の主面にはその中央領域にチップ
内部の集積回路に電気的に接続された外部接続端子31
群が形成されている。また、チップ30主面にはテスト
用のパッド状の非接続チップ端子32が適宜の位置に形
成されている。半導体装置がメモリ等の場合にはこのチ
ップ30主面は、BGAタイプのパッケージ33により
被覆されている。このBGAタイプのパッケージ33
は、絶縁シート33aと絶縁性の保護シート33bから
なり、絶縁シート33aの片面には、銅箔パターンなど
の導体配線38が形成されるとともに、導体配線38に
連なり、外部回路と電気的に接続されるはんだボールな
どの外部電極34が形成されている。導体配線38は、
保護シート33bにより保護されている。絶縁シート3
3aの裏面は、チップ30主面に貼り付けられており、
これにより主面が保護されている。外部接続端子31と
導体配線38とはリードもしくはワイヤ36により電気
的に接続されている。また、絶縁シート33aの導体配
線38が形成されている面には同じ銅箔パターンから構
成された導体配線18が形成されるとともに、導体配線
18に連なるパッド状のコンタクト部16が形成されて
いる。導体配線18は、保護シート33bにより被覆保
護されているが、コンタクト部16は、保護シート33
bから露出している。したがって、コンタクト部16
は、絶縁シートやディップ樹脂などから構成された絶縁
体17で保護されている。非接続チップ端子32と導体
配線18とはリードもしくはワイヤ13により電気的に
接続されている。
Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a plan view of a semiconductor device sealed with a BGA type package, and AA ′ in this plan view.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a semiconductor device illustrating a test method along a line. An external connection terminal 31 electrically connected to an integrated circuit inside the chip is provided in a central area of a main surface of a semiconductor substrate 30 such as silicon constituting the chip.
Groups are formed. On the main surface of the chip 30, pad-shaped non-connection chip terminals 32 for testing are formed at appropriate positions. When the semiconductor device is a memory or the like, the main surface of the chip 30 is covered with a BGA type package 33. This BGA type package 33
Is composed of an insulating sheet 33a and an insulating protective sheet 33b. On one surface of the insulating sheet 33a, a conductor wiring 38 such as a copper foil pattern is formed and connected to the conductor wiring 38 to be electrically connected to an external circuit. External electrodes 34 such as solder balls to be formed are formed. The conductor wiring 38
It is protected by the protection sheet 33b. Insulation sheet 3
The back surface of 3a is attached to the main surface of the chip 30,
This protects the main surface. The external connection terminal 31 and the conductor wiring 38 are electrically connected by a lead or a wire 36. In addition, on the surface of the insulating sheet 33a where the conductor wiring 38 is formed, the conductor wiring 18 made of the same copper foil pattern is formed, and the pad-shaped contact portion 16 connected to the conductor wiring 18 is formed. . The conductor wiring 18 is covered and protected by the protection sheet 33b, but the contact portion 16 is
b. Therefore, the contact portion 16
Are protected by an insulator 17 made of an insulating sheet or a dip resin. The unconnected chip terminals 32 and the conductor wirings 18 are electrically connected by leads or wires 13.

【0015】パッケージ33にはチップ30主面の中央
領域において開口部35が形成されている。そして、こ
の開口部35には外部接続端子31群及び導体配線38
に接続され、且つ外部接続端子31先端部にボンディン
グされているリード36が露出されている。開口部35
の外部接続端子31群は、例えば、外部接続端子領域に
形成配置される。また、パッケージ33には非接続チッ
プ端子32が内部に配置されるように適宜の位置に開口
部39が形成されている。開口部39内の非接続チップ
端子32は、非接続チップ端子領域に形成配置される。
また、開口部35は、導体配線38がボンディングされ
てからエポキシ樹脂などの絶縁性封止体37により封止
され、開口部39はエポキシ樹脂などの絶縁性の封止体
12により封止されている。開口部35の封止体37と
開口部39の封止体12とは同じ材料であっても良い
し、互いに異なっていても良い。材料が同じ場合はその
作業性が高くなることは明らかである。この実施例では
テスト用の非接続チップ端子が配置された開口部は、半
田ボールの外部電極が存在している領域内に設けられて
いる。図4では、見易くする便宜上、開口部、外部接続
端子、非接続チップ端子とを大きく図示してあるが、実
際は外部接続端子領域や非接続チップ端子領域の面積は
もっと小さく、開口部は、その外部接続端子や非接続チ
ップ端子にコンタクトをとるのに必要な分だけ開ける。
このように構成するすることにより開口部を開けたまま
パッケージを組み立てた時に完成品と同等あるいは近似
的な特性が得られる。
An opening 35 is formed in the package 33 in a central region of the main surface of the chip 30. The opening 35 has a group of external connection terminals 31 and conductor wiring 38.
And the lead 36 bonded to the tip of the external connection terminal 31 is exposed. Opening 35
Are formed and arranged, for example, in the external connection terminal area. An opening 39 is formed at an appropriate position in the package 33 so that the non-connection chip terminal 32 is disposed inside. The non-connection chip terminals 32 in the opening 39 are formed and arranged in the non-connection chip terminal area.
The opening 35 is sealed with an insulating sealing body 37 such as an epoxy resin after the conductor wiring 38 is bonded, and the opening 39 is sealed with an insulating sealing body 12 such as an epoxy resin. I have. The sealing body 37 of the opening 35 and the sealing body 12 of the opening 39 may be made of the same material or different from each other. It is clear that the workability is higher when the materials are the same. In this embodiment, the opening in which the non-connection chip terminals for testing are arranged is provided in a region where the external electrodes of the solder balls exist. In FIG. 4, the opening, the external connection terminal, and the non-connection chip terminal are illustrated in a large size for the sake of convenience of viewing, but the area of the external connection terminal region and the non-connection chip terminal region is actually smaller, and the opening is Open as much as necessary to make contact with external connection terminals and unconnected chip terminals.
With such a configuration, when the package is assembled with the opening part opened, characteristics equivalent or similar to those of the finished product can be obtained.

【0016】テスト用非接続チップ端子は、まず絶縁体
でコンタクト部を封止する前にテストを行い、その後開
口部を封止する。またコンタクト部を絶縁体により封止
後にコンタクトをとるには、薬品等により溶融できる絶
縁体を用い、薬品等でこの絶縁性体を除去し、針当たり
を行い、その後再び封止を行う等の様々なテスト方法が
可能である。このように、コンタクト部を絶縁体で覆う
ことによりテスト用外部接続端子へのリークの心配を無
くし信頼性をあげることができる。図5に示すように、
テスト用の非接続チップ端子を用いたテスト試験をする
場合には、非接続チップ端子32のコンタクト部16を
絶縁体で覆う前に適切な形状の探針15でコンタクトを
とって測定を行い、その後これを絶縁体17で被覆保護
する(図5(a))。他の方法は、コンタクト部16を
シリコーン樹脂等の軟性のある絶縁体17aで被覆保護
する。その後、この絶縁体17aを貫通して探針15を
コンタクト部16につき当てるすことによってコンタク
トをとり、測定を行うことができる(図5(b))。こ
の時、絶縁体17aは、測定する前に薬品により除去、
あるいは引っ掻いて剥離しておいても良い。また、絶縁
体の形状についても実際より厚く描いているが、実際
は、はんだボールを溶接し配線基板に実装した際に障害
にならない程度の厚さである。
The test non-connection chip terminal is first tested before sealing the contact portion with an insulator, and then sealing the opening. In order to make a contact after sealing the contact portion with an insulator, use an insulator that can be melted with a chemical or the like, remove the insulating material with a chemical or the like, touch the needle, and then seal again. Various test methods are possible. In this way, by covering the contact portion with the insulator, there is no need to worry about leakage to the external connection terminal for test, and reliability can be improved. As shown in FIG.
In the case of performing a test test using a non-connecting chip terminal for testing, measurement is performed by taking a contact with a probe 15 having an appropriate shape before covering the contact portion 16 of the non-connecting chip terminal 32 with an insulator. Thereafter, this is covered and protected by an insulator 17 (FIG. 5A). Another method is to cover and protect the contact portion 16 with a soft insulator 17a such as a silicone resin. Thereafter, the probe 15 is applied to the contact portion 16 by penetrating the insulator 17a, thereby making contact and measuring (FIG. 5B). At this time, the insulator 17a is removed by a chemical before measurement.
Alternatively, it may be peeled off by scratching. In addition, the shape of the insulator is drawn thicker than it actually is, but in reality, the thickness is such that it does not hinder the solder ball when it is welded and mounted on a wiring board.

【0017】次に、図6及び図7を参照して第4の実施
例を説明する。図6は、チップ領域が形成されたウェハ
の斜視図及びチップ領域を拡大し、主面を配線を示した
ウェハ拡大斜視図、図7は、図6(b)のA−A′線に
沿う部分の断面図である。この実施例は、非接続チップ
端子のコンタクト部が絶縁シート上に非接続チップ端子
とは離れた構造になっている。チップ領域40aが形成
され、ダイシングラインによりチップ領域毎に区画され
たシリコンウェハ40は、図6(b)に示すようにパッ
ケージングされている。すなわち、ウェハ40主面は、
保護シート43bにより覆われている。
Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a perspective view of the wafer in which the chip region is formed, and an enlarged perspective view of the wafer in which the chip region is enlarged and the main surface shows the wiring. FIG. 7 is along the line AA ′ in FIG. 6B. It is sectional drawing of a part. In this embodiment, the contact portion of the non-connection chip terminal has a structure separated from the non-connection chip terminal on the insulating sheet. The chip area 40a is formed, and the silicon wafer 40 partitioned for each chip area by the dicing line is packaged as shown in FIG. 6B. That is, the main surface of the wafer 40 is
It is covered with the protection sheet 43b.

【0018】図7は、BGAタイプのパッケージで封止
された半導体装置の断面図である。チップを構成するシ
リコンなどの半導体基板40aの主面にはその中央領域
にチップ内部の集積回路に電気的に接続された外部接続
端子41及びテスト用の非接続チップ端子42の群が形
成されている。すなわち、図6(b)に示すように、チ
ップ30主面には外部接続端子/非接続チップ端子領域
54の複数が中央領域に形成されている。さらにこの領
域54間にはヒューズ領域55が形成され、この領域に
ヒューズ素子群が形成されている。チップ40a主面
は、BGAタイプのパッケージ43により被覆されてい
る。このパッケージ43は、例えば、ポリイミドなどの
絶縁シート43aと絶縁性の保護シート43bからな
り、絶縁シート43aの片面には、銅箔パターンなどの
導体配線48が形成されるとともに、導体配線48に連
なり、外部回路と電気的に接続されるはんだボールなど
の外部電極44が形成されている。導体配線48は、保
護シート43bにより保護されている。絶縁シート43
aの裏面は、チップ40a主面に貼り付けられており、
これにより主面が保護されている。外部接続端子41と
導体配線48とはリードもしくはワイヤ46により電気
的に接続されている。
FIG. 7 is a sectional view of a semiconductor device sealed with a BGA type package. On a main surface of a semiconductor substrate 40a made of silicon or the like constituting a chip, a group of external connection terminals 41 and test non-connection chip terminals 42 electrically connected to an integrated circuit inside the chip is formed in a central region thereof. I have. That is, as shown in FIG. 6B, a plurality of external connection terminal / non-connection chip terminal regions 54 are formed in the central region on the main surface of the chip 30. Further, a fuse region 55 is formed between the regions 54, and a fuse element group is formed in this region. The main surface of the chip 40a is covered with a BGA type package 43. The package 43 includes, for example, an insulating sheet 43a of polyimide or the like and an insulating protective sheet 43b. On one surface of the insulating sheet 43a, a conductor wiring 48 such as a copper foil pattern is formed and connected to the conductor wiring 48. An external electrode 44 such as a solder ball electrically connected to an external circuit is formed. The conductor wiring 48 is protected by the protection sheet 43b. Insulating sheet 43
The back surface of a is attached to the main surface of the chip 40a,
This protects the main surface. The external connection terminal 41 and the conductor wiring 48 are electrically connected by a lead or a wire 46.

【0019】また、絶縁シート43aの導体配線48が
形成されている面には同じ銅箔パターンから構成された
導体配線53が形成されるとともに、導体配線53に連
なるパッド状のコンタクト部50が形成されている。導
体配線53は、保護シート43bにより被覆保護されて
いるが,コンタクト部50は、保護シート43bから露
出している。したがって、コンタクト部50は、絶縁シ
ートやディップ樹脂などから構成された絶縁体51で保
護されている。非接続チップ端子42と導体配線53と
はリードもしくはワイヤ52により電気的に接続されて
いる。パッケージ43にはチップ40a主面の中央領域
において開口部45が形成されている。そして、この開
口部35内部に外部接続端子31及び非接続チップ端子
42、リードもしくはワイヤ46、52及びヒューズ素
子が形成配置されている。開口部45の外部接続端子4
1及び非接触チップ端子42は、外部接続端子/非接触
チップ端子領域54に形成配置され、ヒューズ素子は、
ヒューズ領域55に形成される。開口部45は、リード
もしくはワイヤ46、52がボンディングされてからエ
ポキシ樹脂などの絶縁性封止体47により封止されてい
る。
On the surface of the insulating sheet 43a where the conductor wiring 48 is formed, a conductor wiring 53 composed of the same copper foil pattern is formed, and a pad-shaped contact portion 50 connected to the conductor wiring 53 is formed. Have been. The conductor wiring 53 is covered and protected by the protection sheet 43b, but the contact portion 50 is exposed from the protection sheet 43b. Therefore, the contact portion 50 is protected by the insulator 51 made of an insulating sheet or a dip resin. The non-connection chip terminal 42 and the conductor wiring 53 are electrically connected by a lead or a wire 52. An opening 45 is formed in the package 43 in a central region of the main surface of the chip 40a. The external connection terminal 31 and the non-connection chip terminal 42, the leads or wires 46 and 52, and the fuse element are formed and arranged inside the opening 35. External connection terminal 4 of opening 45
1 and the non-contact chip terminal 42 are formed and arranged in the external connection terminal / non-contact chip terminal area 54, and the fuse element
It is formed in the fuse region 55. The opening 45 is sealed with an insulating sealing body 47 such as epoxy resin after the leads or wires 46 and 52 are bonded.

【0020】図6では、見易くする便宜上、開口部、外
部接続端子、非接続チップ端子とを大きく図示してある
が、実際は外部接続端子領域や非接続チップ端子領域の
面積はもっと小さく、開口部はその外部接続端子や非接
続チップ端子にコンタクトをとるのに必要な分だけ開け
てある。このように構成するすることにより、開口部を
開けたままパッケージを組み立てた時に完成品と同等あ
るいは近似的な特性が得られる。この実施例ではパッケ
ージを組み立てた後で、ウェハからデバイス完成品を切
り出す組立工程を採る例である。図6では、開口部とテ
スト用チップ端子のコンタクト部は、絶縁体樹脂で封止
されており、あとはダイシングラインで切り出せば完成
品となるという工程にあるウェハを示している。このよ
うに、ヒューズ素子をパッケージ後にカットできるよう
にしておき、テスト前にパッケージング、バーンイン試
験をしておけば、これらによる特性の劣化の後により完
成品に近い状態でウェハ試験を行うことができる。さら
にウェハ状態でパッケージに組み立ててしまい最後にデ
バイス完成品を切り出すという組立工程を採る場合に
は、ヒューズカットによるリダンダンシー救済をはじ
め、特性変更用のヒューズトリミング等々を最終的に行
うことにすれば、現在行われているダイ・ソード試験を
簡略化するか、無くしてしまうことも可能になる。
In FIG. 6, the opening, the external connection terminal, and the non-connection chip terminal are shown in a large size for the sake of simplicity. Are open as much as necessary to contact the external connection terminals and the non-connection chip terminals. With such a configuration, when the package is assembled with the opening portion opened, characteristics equivalent or similar to those of the finished product can be obtained. In this embodiment, an assembling step of cutting out a completed device from a wafer after assembling the package is employed. FIG. 6 shows a wafer in a process in which an opening and a contact portion of a test chip terminal are sealed with an insulating resin, and the finished product is cut out by a dicing line. In this way, if the fuse element can be cut after packaging and the packaging and burn-in tests are performed before the test, the wafer test can be performed closer to the finished product after the deterioration of the characteristics due to these. it can. Furthermore, when assembling into a package in the wafer state and finally taking the assembly process of cutting out the device finished product, if redundancy repair by fuse cut, fuse trimming for characteristic change etc. should be finally performed, It is also possible to simplify or eliminate the current die / sword test.

【0021】また、完成品では絶縁体により封止されて
いるので信頼性という点でも問題ない。また、製品テス
ト時、不良品が戻ってきた時などの場合でも開口部もし
くはコンタクト部を覆っている絶縁体を除去することに
より、すべてのテスト(特性テスト、製品テスト等)を
行うことができるので不良解析のフィードバックが効率
化される。製品テストでの不良や市場不良が出た場合で
もウェハ試験をそのまま行うことが出来るため、原因の
解析がし易い。もしウェハ試験で落ちないようであれば
スクリーニングが出来ていないことになり、テスト項目
の変更または追加が必要になるし、もしウェハ試験で落
ちないようであれば劣化が原因であるのでプロセスなど
の見直しなどが必要になるだろう。
Further, since the finished product is sealed with an insulator, there is no problem in terms of reliability. Further, even in the case of a product test or when a defective product returns, all tests (characteristic test, product test, etc.) can be performed by removing the insulator covering the opening or the contact portion. Therefore, the feedback of the failure analysis is made more efficient. Even if a defect occurs in a product test or a market defect occurs, a wafer test can be performed as it is, so that the cause can be easily analyzed. If it does not fail in the wafer test, it means that screening has not been completed, and it is necessary to change or add test items.If it does not fail in the wafer test, it is due to deterioration because it is due to deterioration. Review will be required.

【0022】[0022]

【発明の効果】本発明は、以上の構成により、ウェハ状
態でもパッケージ状態でも同条件の試験を行うことが出
来、各工程における試験間で相関が取り易くなり、フィ
ードバックがし易く、テスト効率及び歩留まりの向上に
つながる。
As described above, according to the present invention, the test under the same conditions can be performed in both the wafer state and the package state, the correlation between the tests in each process can be easily obtained, the feedback can be easily performed, the test efficiency and the test efficiency can be improved. It leads to an improvement in yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のBGAタイプのパッケージで封止され
た半導体装置の平面図及びこの平面図のA−A′線に沿
う部分の断面図。
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device sealed with a BGA type package of the present invention, and a cross-sectional view of a portion along a line AA ′ in the plan view.

【図2】本発明のテスト方法を説明する半導体装置の断
面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor device illustrating a test method of the present invention.

【図3】本発明の半導体装置の平面図及び平面図のA−
A′線に沿う部分の断面図。
FIG. 3 is a plan view of a semiconductor device of the present invention and FIG.
Sectional drawing of the part which follows the A 'line.

【図4】本発明のBGAタイプのパッケージで封止され
た半導体装置の平面図及びこの平面図のA−A′線に沿
う部分の断面図。
FIG. 4 is a plan view of a semiconductor device sealed with a BGA type package of the present invention, and a cross-sectional view of a portion taken along line AA ′ in the plan view.

【図5】本発明のテスト方法を説明する半導体装置の断
面図。
FIG. 5 is a sectional view of a semiconductor device illustrating a test method of the present invention.

【図6】本発明のチップ領域が形成されたウェハの斜視
図及びチップ領域を拡大し、主面を配線を示したウェハ
拡大斜視図。
FIG. 6 is a perspective view of a wafer in which a chip region is formed according to the present invention and an enlarged perspective view of the wafer in which the chip region is enlarged and a main surface is shown with wiring.

【図7】図6(b)のA−A′線に沿う部分の断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view of a portion along the line AA ′ in FIG. 6 (b).

【図8】従来のBGAタイプのパッケージで封止された
半導体装置の平面図及びこの平面図のA−A′線に沿う
部分の断面図。
FIG. 8 is a plan view of a semiconductor device sealed with a conventional BGA type package, and a cross-sectional view of a portion along a line AA 'in the plan view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、21、31、41、101・・・外部接続端子、
2、22、32、42・・・テスト用の非接触チップ端
子、3、23、33、43、103・・・パッケージ、
3a、33a、43a、103a・・・絶縁シート、3
b、33b、43b、103b・・・保護シート、4、
34、44、104・・・外部電極(はんだボール)、
5、9、28、35、39、45、105・・・開口
部、6、13、36、46、52、106・・・リード
もしくはワイヤ、7、11、12、14、27、37、
47・・・絶縁性封止体、8、18、38、48、5
3、108・・・導体配線、10、20、30、40
a、100・・・チップ(半導体基板)、15・・・探
針、 16・・・コンタクト部、17、17a・・・
絶縁体、 24・・・外部リード(外部電極)、25
・・・非接触チップ端子領域、 26・・・ボンディ
ングワイヤ、40・・・ウェーハ、 54・・・外部
接続端子/非接触チップ端子、55・・・ヒューズ領
域。
1, 21, 31, 41, 101 ... external connection terminals,
2, 22, 32, 42 ... non-contact chip terminals for testing, 3, 23, 33, 43, 103 ... packages,
3a, 33a, 43a, 103a ... insulating sheet, 3
b, 33b, 43b, 103b ... Protective sheet, 4,
34, 44, 104 ... external electrodes (solder balls),
5, 9, 28, 35, 39, 45, 105 ... opening, 6, 13, 36, 46, 52, 106 ... lead or wire, 7, 11, 12, 14, 27, 37,
47 ... insulating sealing body, 8, 18, 38, 48, 5
3, 108 ... conductor wiring, 10, 20, 30, 40
a, 100: chip (semiconductor substrate), 15: probe, 16: contact part, 17, 17a ...
Insulator, 24 ... external lead (external electrode), 25
... non-contact chip terminal area, 26 ... bonding wire, 40 ... wafer, 54 ... external connection terminal / non-contact chip terminal, 55 ... fuse area.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 主面に外部接続端子及び少なくとも1つ
のテスト用端子が形成された半導体チップと、前記主面
上に形成され、前記外部端子及びテスト用端子を被覆保
護する絶縁封止体と、内部に前記テスト用端子の少なく
とも1つが配置されるように前記絶縁封止体に形成され
た開口部が埋め込まれた絶縁体とを具備していることを
特徴とする半導体装置。
A semiconductor chip having an external connection terminal and at least one test terminal formed on a main surface thereof; and an insulating sealing body formed on the main surface and covering and protecting the external terminal and the test terminal. And an insulator in which an opening formed in the insulating sealing body is embedded so that at least one of the test terminals is disposed therein.
【請求項2】 主面に外部接続端子及び少なくとも1つ
のテスト用端子が形成された半導体チップと、前記主面
上に形成され、前記外部端子及びテスト用端子を被覆保
護する絶縁封止体と、前記絶縁封止体に形成された開口
部に埋め込まれた絶縁体とを具備し、前記テスト用端子
及び前記外部接続端子は、前記開口部内に配置されてい
ることを特徴とする半導体装置。
2. A semiconductor chip having an external connection terminal and at least one test terminal formed on a main surface thereof, and an insulating sealing body formed on the main surface and covering and protecting the external terminal and the test terminal. And an insulator embedded in an opening formed in the insulating sealing body, wherein the test terminal and the external connection terminal are disposed in the opening.
【請求項3】 前記主面には前記半導体チップ内部の集
積回路と電気的に接続されたヒューズ素子が形成されて
おり、前記ヒューズ素子は、前記開口部に配置されてい
ることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導
体装置。
3. A fuse element electrically connected to an integrated circuit in the semiconductor chip is formed on the main surface, and the fuse element is disposed in the opening. The semiconductor device according to claim 1.
【請求項4】 前記開口部に埋め込まれる絶縁体は、前
記絶縁封止体より柔らかいか、あるいは前記開口部から
除去することが可能なことを特徴とする請求項1乃至請
求項3のいずれかに記載の半導体装置。
4. The insulator embedded in the opening is softer than the insulating sealing body or can be removed from the opening. 3. The semiconductor device according to claim 1.
【請求項5】 主面に外部接続端子及び少なくとも1つ
のテスト用端子を半導体チップ上に形成するステップ
と、前記外部端子及びテスト用端子を被覆保護する絶縁
封止体に、内部に前記テスト用端子の少なくとも1つが
配置されるように、開口部を形成するステップと、前記
開口部内の前記テスト用端子を介して前記半導体チップ
をテストするステップと、前記開口部に絶縁体を埋め込
んで前記開口部を封止するステップと、前記テスト用端
子のコンタクト部絶縁体により覆うステップとを具備し
ていることを特徴とする半導体装置のテスト方法。
5. A step of forming an external connection terminal and at least one test terminal on a semiconductor chip on a main surface, an insulating sealing body for covering and protecting the external terminal and the test terminal, Forming an opening such that at least one of the terminals is disposed; testing the semiconductor chip through the test terminal in the opening; and embedding an insulator in the opening to form the opening. A method for testing a semiconductor device, comprising: sealing a portion; and covering the test terminal with a contact portion insulator.
【請求項6】 前記主面には前記半導体チップ内部の集
積回路と電気的に接続されたヒューズ素子がさらに形成
されており、前記外部接続端子もしくは前記ヒューズ素
子及び前記外部接続端子は、前記開口部に配置されてい
ることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置のテス
ト方法。
6. A fuse element electrically connected to an integrated circuit inside the semiconductor chip is further formed on the main surface, and the external connection terminal or the fuse element and the external connection terminal are formed in the opening. The test method for a semiconductor device according to claim 5, wherein the test method is arranged in a unit.
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