JP2001007207A - Manufacture of semiconductor integrated circuit - Google Patents

Manufacture of semiconductor integrated circuit

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JP2001007207A
JP2001007207A JP11178257A JP17825799A JP2001007207A JP 2001007207 A JP2001007207 A JP 2001007207A JP 11178257 A JP11178257 A JP 11178257A JP 17825799 A JP17825799 A JP 17825799A JP 2001007207 A JP2001007207 A JP 2001007207A
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JP
Japan
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size
circuit
elements
semiconductor element
automatically
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JP11178257A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshinobu Nomura
佳伸 野村
Masami Kato
政美 加藤
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten the period for developing linear ASICs. SOLUTION: When an electronic circuit is constructed by automatically selecting semiconductor elements within a block sequentially using a computer such that the electronic circuit can meet various needs of users, the computer automatically combines size-adjustable semiconductor elements based on various information about, for example, the adjustable range of each size-adjustable semiconductor element.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置の製造方法に関し、更に言えば電子回路を構成する各
半導体素子を自動的に選択配置可能にすることで、特に
開発期間の短縮及び設計の自由度を実現するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a method for automatically selecting and arranging each semiconductor element constituting an electronic circuit, thereby shortening the development period and designing. The degree of freedom is realized.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ASICと言えば、MOSが主流
で、例えばゲートアレイ、マスタースライス等が実現さ
れている。MOSは、ディジタル回路が主たる回路であ
り、トランジスタのオンオフで回路が形成され、トラン
ジスタ、抵抗等は、そのサイズ、電流容量等の特性が殆
ど同じもので構成されている。従ってトランジスタ、抵
抗等がリピートされ、これらを配線で選択して1つの回
路が構成され、ICが実現されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, an ASIC is mainly composed of a MOS, and a gate array, a master slice and the like have been realized. MOS is a circuit mainly composed of a digital circuit, and a circuit is formed by turning on and off a transistor. Transistors, resistors, and the like have almost the same characteristics such as size, current capacity, and the like. Therefore, a transistor, a resistor, and the like are repeated, and these are selected by wiring to form one circuit, and an IC is realized.

【0003】しかしリニア回路、特にBIPのリニア回
路は、電子回路ブロックが複数で成り、これを構成する
素子は、色々な特性、色々なサイズで構成されている。
従って、トランジスタ、ダイオード、抵抗及びコンデン
サの半導体素子は、ゲートアレイやマスタースライスの
ようにリピートして配置し、これを選択して回路を構成
するわけにはいかず、以下のようにしていた。
[0003] However, a linear circuit, particularly a BIP linear circuit, has a plurality of electronic circuit blocks, and elements constituting the electronic circuit blocks have various characteristics and various sizes.
Therefore, semiconductor elements such as transistors, diodes, resistors, and capacitors are repeatedly arranged like a gate array or a master slice and cannot be selected to form a circuit.

【0004】例えば、特開平2−3952号公報(図1
1)がその一例としてある。これは素子の配置領域が矩
形状に形成される、いわゆるビルディングブロック方式
と呼ばれるものであり、ブロツクの両側には電源ライン
とグランドラインが設けられている。
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-3952 (FIG. 1)
1) is an example. This is a so-called building block system in which an element arrangement region is formed in a rectangular shape, and a power supply line and a ground line are provided on both sides of the block.

【0005】つまり、AM回路を構成する場合、必要な
素子数を決定し、全ての素子をサイズが同じ配置領域に
分配して構成している。
In other words, when configuring an AM circuit, the required number of elements is determined, and all the elements are arranged in an arrangement area of the same size.

【0006】例えば、サイズの同じ配置領域が、8個横
に並べられ、2列で形成されている。その内、3個の配
置領域でAの電子回路ブロック(例えばAM回路)、3
個の配置領域でBの電子回路ブロック、2個の配置領域
でCの電子回路ブロック、5個の配置領域でDの電子回
路ブロック及び3個の配置領域でEの電子回路ブロック
が構成されている。
For example, eight arrangement areas of the same size are arranged side by side and formed in two rows. Among them, the electronic circuit block of A (for example, AM circuit) in three arrangement areas, 3
The electronic circuit block of B is constituted by the two arrangement areas, the electronic circuit block of C is constituted by the two arrangement areas, the electronic circuit block of D is constituted by the five arrangement areas, and the electronic circuit block of E is constituted by the three arrangement areas. I have.

【0007】つまり、サイズの同じ配置領域は、積み木
に相当し、矩形のICにこの積み木を自由に並べること
で、整然と配置している。例えば、電子回路ブロックC
が不要ならば、この2つのブロックを削除し、残りのブ
ロックを並べ替えれば、別のICチップが実現でき、ま
た電子回路ブロックFを追加したい場合は、これを構成
するブロックも含めて積み木の如く並び替えればよい。
That is, the arrangement areas having the same size correspond to building blocks, and the building blocks are arranged neatly on a rectangular IC so that they are arranged neatly. For example, the electronic circuit block C
Is unnecessary, these two blocks are deleted, and the remaining blocks are rearranged, another IC chip can be realized. If an electronic circuit block F is to be added, the building block including the blocks constituting the same is included. What is necessary is just to rearrange as follows.

【0008】この設計手法を図12で説明する。例え
ば、AM/FM回路のICの場合、必要とされる回路ラ
イブラリーが選択された後、選択された回路ライブラリ
ーをICチップにビルディングブロツク方式で作り込む
ため、矩形のパターンライブラリーが形成され、ICチ
ップ内に並べられる。そしてパターンライブラリー全て
を選択するようにメタル配線が施される。これが親とな
る第1世代のAM/FMICとなる。
This design method will be described with reference to FIG. For example, in the case of an AM / FM circuit IC, after a required circuit library is selected, a rectangular pattern library is formed in order to build the selected circuit library into an IC chip by a building block method. , Are arranged in an IC chip. Then, metal wiring is performed so as to select all of the pattern libraries. This is the first generation AM / FMIC that becomes the parent.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】前記AM/FM回路
は、回路の世代交代がそれほど早くないのでパターンラ
イブラリーを何年もの間使用でき、特に音響等の分野に
おいて適している。
The AM / FM circuit allows the pattern library to be used for many years because the generation of the circuit does not change so quickly, and is particularly suitable in the field of sound and the like.

【0010】しかし世代交代が早いIC、パターンライ
ブラリーとして展開しにくいIC、その機種で終わるよ
うなICでは、現在でもMOSで実施されているゲート
アレイ、マスタースライス等が採用されている。
However, in the case of an IC whose generation changes rapidly, an IC that is difficult to develop as a pattern library, and an IC that ends with its model, a gate array, a master slice, and the like, which are still implemented by MOS, are employed.

【0011】しかし前述したように、リニア回路は、極
端に言えば、回路の始まりから終わりに至るまで、実質
それぞれの素子が異なる。例えば抵抗では、数mΩから
数MΩに至るまで多種多様の素子が用いられている。ま
たTrに於いても、縦型PNPトランジスタ、ラテラル
PNPトランジスタ、縦型NPNトランジスタ等が用い
られ、この各種のトランジスタの中に於いても、電流容
量の条件から色々なサイズのTrが組み込まれていた。
説明は省略するがコンデンサも同様である。
However, as described above, in a linear circuit, each element is substantially different from the beginning to the end of the circuit. For example, in the case of resistors, various elements ranging from several mΩ to several MΩ are used. For the Tr, a vertical PNP transistor, a lateral PNP transistor, a vertical NPN transistor, and the like are used. In these various transistors, Trs of various sizes are incorporated depending on the current capacity condition. Was.
Although the description is omitted, the same applies to the capacitor.

【0012】従ってこれらの多種多様な抵抗、コンデン
サ、Trを全てマスタースライス用に用意するのは、実
質困難であった。
Therefore, it was substantially difficult to prepare all of these various resistors, capacitors, and Trs for the master slice.

【0013】また各素子を数種類用意し、その特定の特
性(抵抗値、容量値または電流容量)を実現するため
に、配線による選択で、直列/並列接続をして特性を得
ることは現実としては可能であるが、配線を網の目のよ
うに配置しなければ成らず、コンピュータ化が難しい問
題があった。
[0013] In addition, it is practically possible to prepare several types of each element and to obtain characteristics by serial / parallel connection by selecting wirings in order to realize specific characteristics (resistance value, capacitance value or current capacity). Although it is possible, wiring must be arranged like a mesh, and there is a problem that computerization is difficult.

【0014】更には、この網の目のような配線の中に
は、ひどい場合チップの端から端までといった長い距離
を延在するものがある。しかしこの長い延在領域に、ス
イッチングノイズを出す素子、発振回路により不要輻射
ノイズをだすもの、リーク電流を出すもの、ペア性がく
ずれているもの等があり、一旦選択された素子を別の素
子に選択し直す、配線の延在場所を変えるための再配置
が必要となる場合があった。
Further, some of the wirings such as meshes extend a long distance from one end of the chip to the other in a severe case. However, in this long extension area, there are elements that emit switching noise, those that emit unnecessary radiation noise by an oscillation circuit, those that emit leak current, and those that lose pairing. In some cases, it may be necessary to re-select, or rearrange to change the extension area of the wiring.

【0015】この様な場合、コンピュータによる自動設
計を解除し、素子の位置、配線のルート等を手作業で変
えていた。従って、日に日に大きくなるIC規模に於い
て、これら手作業による設計を採用していては、短納期
を実現することが難しい問題もあった。
In such a case, the automatic design by the computer is canceled, and the position of the element, the route of the wiring, and the like are manually changed. Accordingly, there has been a problem that it is difficult to realize a short delivery time by employing such a manual design in an IC scale which is increasing day by day.

【0016】また、上述したようにある特定の特性(抵
抗値、容量値または電流容量)を実現するために、配線
による選択で、直列/並列接続をして特性を得ることは
困難であり、端数的な数値を含むもの(例えば、抵抗を
一例とすれば1.02KΩ)をサイズ調整しようとした
場合には、作り込みが大変であるばかりか、時にはその
作り込みをあきらめて、回路設計をやり直すことさえあ
った。
Further, as described above, in order to realize a specific characteristic (resistance value, capacitance value or current capacity), it is difficult to obtain a characteristic by series / parallel connection by wiring selection. When trying to adjust the size of a value that includes a fractional value (for example, 1.02 KΩ in the case of a resistance, for example), not only is it difficult to build the circuit, but sometimes it is necessary to give up the building and change the circuit design. I even had to start over.

【0017】従って、本発明ではサイズ調整可能な半導
体素子を自動合成する半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device for automatically synthesizing a semiconductor element whose size can be adjusted.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みて成され、ブロック内に準備された各半導体素子を
自動的に順次選択して所望の電子回路を構成するように
コンピュータにより自動割付する際に、前記コンピュー
タ内に記憶された前記半導体素子に関するサイズ調整可
否情報及びサイズ調整可能範囲情報に基づいて、サイズ
調整可能な半導体素子を自動合成することを特徴とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has been made by a computer so that each of semiconductor elements prepared in a block is automatically and sequentially selected to form a desired electronic circuit. At the time of automatic assignment, a semiconductor element whose size is adjustable is automatically synthesized based on size adjustment availability information and size adjustable range information on the semiconductor element stored in the computer.

【0019】また、前記サイズ調整可能範囲情報には、
少なくとも各半導体素子に対するサイズ調整可能な最小
値情報が格納されており、コンピュータはサイズ調整し
て自動合成すべき半導体素子のサイズ調整値が前記最小
値を下回る際には、複数の半導体素子をサイズ調整し、
その合成された各半導体素子同士を接続することを特徴
とする。
Further, the size adjustable range information includes:
At least information on the minimum value that can be adjusted for each semiconductor element is stored. When the size adjustment value of the semiconductor element to be automatically synthesized by adjusting the size is smaller than the minimum value, the computer sizes the plurality of semiconductor elements. Adjust,
The combined semiconductor elements are connected to each other.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明は、特にリニア回路に関するもの
で、ここではBIP−ICで説明して行くが、MOS型
リニア回路でも適用できる。
Embodiments of the present invention will be described below. The present invention particularly relates to a linear circuit, and will be described here with a BIP-IC, but can also be applied to a MOS linear circuit.

【0021】ここで、本発明の特徴は、後に詳しく説明
するコンピュータを用いて、ブロック内に準備された各
半導体素子を自動的に順次選択して所望の電子回路を構
成するように自動割付する際に、前記コンピュータ内に
記憶させた前記半導体素子に関するサイズ調整可否情報
及びサイズ調整可能範囲情報に基づいて、サイズ調整可
能な半導体素子を自動合成することである。更に言え
ば、前記コンピュータは、前記サイズ調整可能範囲情報
内に格納された各半導体素子に対するサイズ調整可能な
最小値情報に基づいて、サイズ調整して自動合成すべき
半導体素子のサイズ調整値が前記最小値を下回る際に
は、複数の半導体素子をサイズ調整し、その合成された
各半導体素子同士を接続することで、サイズ調整可能な
半導体素子の自動合成を精度良く行い、しかも合成され
た各半導体素子同士を接続する配線が、最小本数で実現
することを特徴とする。
Here, the feature of the present invention is that a semiconductor device prepared in a block is automatically selected sequentially and automatically allocated so as to constitute a desired electronic circuit by using a computer described in detail later. In this case, a size-adjustable semiconductor element is automatically synthesized based on size adjustment availability information and size-adjustable range information on the semiconductor element stored in the computer. More specifically, the computer adjusts the size of the semiconductor element to be automatically synthesized based on the size-adjustable minimum value information for each semiconductor element stored in the size-adjustable range information. When the value is smaller than the minimum value, the size of the plurality of semiconductor elements is adjusted, and the synthesized semiconductor elements are connected to each other, so that the automatic synthesis of the size-adjustable semiconductor elements is accurately performed. Wiring for connecting semiconductor elements is realized with a minimum number of wires.

【0022】以下、本発明の半導体集積回路装置の製造
方法、特にサイズ調整可能な半導体素子の自動合成方法
について図1及び図2を参照しながら説明する。
A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the present invention, particularly a method for automatically synthesizing a semiconductor element whose size can be adjusted, will be described below with reference to FIGS.

【0023】コンピュータにより自動合成を行う場合に
は、コンピュータ内にサイズ調整に関する各種情報を予
め記憶させておく必要がある。そのために、本発明では
図1に示すような条件のもとで自動合成させるようにし
た。尚、コンピュータは、回路図から読み取った電子回
路図情報(ペア性や抵抗値等の数値情報等)及び上記図
1に示すブロック内の各半導体素子の各種情報とから自
動合成するように制御されている。
When automatic synthesis is performed by a computer, it is necessary to previously store various information relating to size adjustment in the computer. Therefore, in the present invention, automatic synthesis is performed under the conditions shown in FIG. The computer is controlled so as to automatically synthesize electronic circuit diagram information (numerical information such as pair characteristics and resistance values) read from the circuit diagram and various information of each semiconductor element in the block shown in FIG. ing.

【0024】モデル名とは、実際の回路図に付いている
名前で、マスタセル名とは、セルパターンの名前であ
る。そして、このセルパターンは、値としてその素子の
抵抗値、容量値を示し、それぞれがトリミング可能か否
か、またトリミング可能な場合は、最小値としてどこま
でトリミングできるのか、そのサイズ調整可能範囲を示
している。しかもこの計算の許容誤差、許容誤差の丸め
方法として、切り捨て、切り上げ、四捨五入のいずれを
採用するか、合成素子数の最大個数が示されている。
The model name is a name given to an actual circuit diagram, and the master cell name is a cell pattern name. The cell pattern indicates a resistance value and a capacitance value of the element as a value, and indicates whether each element can be trimmed, and, if it can be trimmed, how much the element can be trimmed as a minimum value, and a size adjustable range thereof. ing. In addition, the maximum number of combined elements is indicated as to which of the round-off, round-up, and round-off methods is used as the permissible error and the method of rounding the permissible error.

【0025】このテーブルにより、計算処理の条件が決
められ設計スピードの高速化が実現される。
With this table, the conditions of the calculation process are determined and the design speed is increased.

【0026】また、例えば素子として抵抗を使って説明
すれば、回路図で定義された素子(抵抗)の値を幾つの
素子(抵抗)を選択して合成するか、前述したテーブル
が条件として加わり、演算処理される。ここでコンデン
サの場合も同様な接続を考慮して実現される。
For example, if a resistor is used as an element, the value of the element (resistance) defined in the circuit diagram is selected and synthesized by selecting how many elements (resistances), or the above table is added as a condition. Is processed. Here, the case of the capacitor is also realized in consideration of the similar connection.

【0027】本発明は、ここに特徴を有し、まず素子
(抵抗)がトリミング可能か、トリミング不可能かを、
図1のテーブルから判断する。
The present invention has a feature here. First, it is determined whether an element (resistance) can be trimmed or not.
This is determined from the table shown in FIG.

【0028】そしてトリミング不可能な場合は、以下に
示す6つのモードの選択本数を計算し、このうち、最小
選択本数となるようなモードが選択される。 直列接続 直列接続と余りの値を並列で実現するもの 直列と直列を並列で接続するもの 並列と直列を並列で接続するもの 並列接続 並列と並列を直列接続するもの 特には、目的の抵抗値を下地セルの抵抗値で割算し
て、何本の下地セルを採用するか決め、この計算で発生
する抵抗値の余りを何本の下地セルの並列接続で実現で
きるか計算するものである。
If trimming is not possible, the number of selected modes in the following six modes is calculated, and the mode that minimizes the number of selected modes is selected. Series connection Series connection and surplus value are realized in parallel.Series and series are connected in parallel.Parallel and series are connected in parallel.Parallel connection Parallel and parallel are connected in series. The number of base cells to be adopted is determined by dividing by the resistance value of the base cell, and the remainder of the resistance value generated in this calculation is calculated by how many base cells can be connected in parallel.

【0029】また、より大きな下地セルを使えば、合成
本数が減ることは言うまでもない。
It is needless to say that the use of a larger base cell reduces the number of composite cells.

【0030】続いて、トリミング可能な場合は、2つの
モードで計算処理される。
Subsequently, when trimming is possible, calculation processing is performed in two modes.

【0031】 直列接続 並列接続 そして、このトリミング処理時において、本発明では図
1のテーブル内に格納されている調整幅の最小値情報が
重要な意味を持っている。即ち、図1のマスタセル名
「低抵抗1」を例にして1.02KΩの抵抗を自動合成
する具体例を説明する。
In the present invention, at the time of the trimming process, the minimum value information of the adjustment width stored in the table of FIG. 1 has an important meaning. That is, a specific example of automatically synthesizing a resistance of 1.02 KΩ using the example of the master cell name “low resistance 1” in FIG. 1 will be described.

【0032】まず、マスタセル名「低抵抗1」の抵抗
は、当然のことながらトリミング可能な素子であり、そ
のサイズ調整可能範囲は500Ω〜1KΩである。
First, the resistor having the master cell name "low resistance 1" is a trimmable element as a matter of course, and its size adjustable range is from 500 Ω to 1 KΩ.

【0033】ここで、1.02KΩをどのように作り込
むかであるが、例えば、図2(a)に示すように1KΩ
の抵抗(トリミングしない状態のもの)と、同じ1KΩ
の抵抗をトリミングして0.02KΩの抵抗を作り、そ
れらを直列接続することで、理論上は1.02KΩの抵
抗を自動合成することができる。尚、C1,C2,C
1’,C2’はコンタクト孔を示している。
Here, how to make 1.02 KΩ is, for example, as shown in FIG.
1KΩ, the same as the resistance (without trimming)
The resistance of 1.02 KΩ can be theoretically automatically synthesized by trimming the resistances of the above and forming a resistance of 0.02 KΩ and connecting them in series. Note that C1, C2, C
1 'and C2' indicate contact holes.

【0034】しかしながら、1KΩの抵抗をトリミング
して0.02KΩの抵抗を作り出すことはプロセス上の
制約等から難しく、例え無理やり作り出したとしても良
好な特性が得られるものではない。即ち、図2(a)に示
すように両端部に形成されるコンタクト孔C1’,C
2’同士が接近し過ぎてしまい、良好な抵抗値を作り出
すことができない。
However, it is difficult to trim a 1 KΩ resistor to produce a 0.02 KΩ resistor due to process restrictions and the like, and even if it is forcibly produced, good characteristics cannot be obtained. That is, as shown in FIG. 2A, the contact holes C1 ', C
The 2's are too close to each other, making it impossible to produce a good resistance value.

【0035】そこで、本発明では自動合成すべき抵抗値
の余りが上記最小値を下回る場合に、複数の半導体素子
(ここでは、抵抗)をトリミングする。即ち、上記マス
タセル名「低抵抗1」の抵抗は、その最小値が500Ω
であるから、この500Ωを基準に複数の抵抗をトリミ
ングして1.02KΩを自動合成する。従って、コンピ
ュータは2個の抵抗をトリミングして、図2(b)に示
すように1つは500Ωにトリミングし、もう1つは5
20Ωにトリミングする。尚、C11,C12,C1
1’,C12’はコンタクト孔を示している。そして、
これらの抵抗を直列接続することで、1.02KΩを自
動合成することができる。
Therefore, according to the present invention, when the remainder of the resistance value to be automatically synthesized is smaller than the minimum value, a plurality of semiconductor elements (here, resistors) are trimmed. That is, the minimum value of the resistance of the master cell name “low resistance 1” is 500Ω.
Therefore, a plurality of resistors are trimmed based on this 500Ω to automatically synthesize 1.02KΩ. Therefore, the computer trims the two resistors, one trimming to 500Ω and the other trimming to 5Ω, as shown in FIG.
Trim to 20Ω. Note that C11, C12, C1
1 ′ and C12 ′ indicate contact holes. And
By connecting these resistors in series, 1.02 KΩ can be automatically synthesized.

【0036】また、上記した具体例は、下地の抵抗値
(ここでは1KΩ)よりも大きい抵抗値(1.02K
Ω)を合成する場合の例であり、抵抗の合成として複数
の抵抗を直列接続することで実現している。
In the specific example described above, the resistance value (1.02 KΩ) which is larger than the resistance value of the base (1 KΩ in this case).
Ω), and is realized by connecting a plurality of resistors in series as a combination of resistors.

【0037】以下の具体例は、抵抗の合成として複数の
抵抗を並列接続して、下地の抵抗値(ここでは1KΩ)
よりも小さい抵抗値(80Ω)を合成する場合の例を紹
介する。
In the following specific example, a plurality of resistors are connected in parallel as a combination of resistors, and the resistance value of the ground (here, 1 KΩ)
An example in which a smaller resistance value (80Ω) is synthesized will be introduced.

【0038】この場合には、トリミング最小値より小さ
くなる抵抗は、均等な値で生成するもので、図2(c)
に示すように上記1KΩの抵抗をトリミングして560
Ωの抵抗を7個作り、それらを並列接続することで、8
0Ωの抵抗を自動合成することができる。
In this case, the resistance which becomes smaller than the minimum trimming value is generated with an equal value.
As shown in FIG.
By making 7 Ω resistors and connecting them in parallel, 8
A resistance of 0Ω can be automatically synthesized.

【0039】以下、本発明が適用される半導体集積回路
装置の自動割付方法について図3〜図5を参照しながら
説明する。尚、以下の説明では各半導体素子のサイズ調
整を行わない場合で説明しているが、サイズ調整する場
合も同様であり、上述したようにして自動割付するもの
である。
Hereinafter, a method of automatically allocating a semiconductor integrated circuit device to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS. In the following description, the case where the size adjustment of each semiconductor element is not performed is described. However, the same applies to the case where the size adjustment is performed, and automatic allocation is performed as described above.

【0040】図4は、図5の回路図に基づき、本発明を
採用しない場合に発生する素子の配置例を示し、図3
は、本発明を採用した場合の配置例を示す。
FIG. 4 shows an example of the arrangement of elements generated when the present invention is not employed, based on the circuit diagram of FIG.
Shows an arrangement example when the present invention is adopted.

【0041】両図ともに、紙面に対して上から、第1の
抵抗群として1kΩの抵抗が22本形成され、次に第1
のトランジスタ(以下Trと呼ぶ。)群が14個形成さ
れ、更に第2の抵抗群として1kΩの抵抗が12個配置
されている。ただしこの配列は、あくまでも一例であ
り、他の配列でも良い。
In both figures, 22 resistances of 1 kΩ are formed as a first resistance group from above with respect to the paper surface.
(Hereinafter referred to as Tr) groups, and 12 1 kΩ resistors are arranged as a second resistor group. However, this array is merely an example, and another array may be used.

【0042】図4の本発明を採用しない方法では、図5
の抵抗R1〜R4が、5kΩであり、第1の抵抗群に於
いては、左から自動的に5個ずつ選択されて直列接続さ
れる。また図5の回路では、TrQ1〜Q4の4個が採
用されているため、第1のTr群に於いて、左から4つ
までが選択されている。更に、図5の抵抗R5、R6
は、3kΩであり、第2の抵抗群において、左から3個
ずつ選択され、それぞれが直列接続されている。
In the method not employing the present invention shown in FIG.
Are 5 kΩ. In the first resistor group, five resistors are automatically selected from the left and connected in series. Further, in the circuit of FIG. 5, four Trs Q1 to Q4 are employed, so that up to four from the left are selected in the first Tr group. Further, the resistors R5 and R6 of FIG.
Is 3 kΩ, and three are selected from the left in the second resistor group, and each is connected in series.

【0043】このように素子の自動選択を行うと、列の
端部(左端または右端)から順次選択されていき、その
後、配線が自動的に配置される。
When the elements are automatically selected in this manner, the elements are sequentially selected from the end (left end or right end) of the column, and thereafter, the wiring is automatically arranged.

【0044】しかし、この構造であると、回路全体の配
線長のバランスが悪くなり、配線長の長い部分からノイ
ズが進入するといった問題や、回路素子のペア性が崩れ
てしまい、結果として動作特性が悪化するといった問題
があった。
However, with this structure, the balance of the wiring length of the entire circuit is deteriorated, noise enters from a portion having a long wiring length, and the pairing of circuit elements is lost, resulting in an operational characteristic. There was a problem that it became worse.

【0045】特にアナログ回路の場合、特に差動増幅回
路、Amp、コンパレータ、波形整形回路等で、ペア性
を要求する。例えば図5の抵抗R1とR2、R3とR
4、Q1とQ2、Q3とQ4が該当する。
Particularly, in the case of an analog circuit, pairing is required particularly in a differential amplifier circuit, an Amp, a comparator, a waveform shaping circuit, and the like. For example, the resistors R1 and R2, R3 and R in FIG.
4, Q1 and Q2, and Q3 and Q4.

【0046】従って、上記問題を鑑み本発明では、図4
の状態に素子を配置した後、または仮想的に配置した
後、配線長を計算し、ペア性を考慮しながら配線長が短
くなるように素子の再選択を、少なくとも一回以上行う
ようにしたことを特徴としている。特にここでは、トラ
ンジスタQ1とQ2、Q3とQ4は、ペア性が要求され
るため隣同士に配置し、この隣同士に配置した状態で配
線長が短くなるように再配置している。
Accordingly, in view of the above problem, in the present invention, FIG.
After arranging the elements in a state or virtually arranging the elements, the wiring length is calculated, and the element is reselected at least once so that the wiring length is shortened in consideration of the pairing property. It is characterized by: In particular, here, the transistors Q1 and Q2 and the transistors Q3 and Q4 are arranged next to each other because of the need for pairing, and are rearranged so that the wiring length is shortened in the state where the transistors are arranged next to each other.

【0047】つまり、図3に示すようにQ1とQ2で
は、抵抗R1とR2の列の長さが長いため、抵抗R1と
R2の位置は固定される。従って、第1の抵抗群、左か
ら1番目〜10個目までの間の抵抗は、その位置が固定
され、この間で、隣り合わせ状態の一対のTr(Q1と
Q2)が調整される。つまり、ペア性を考慮しながら配
線A−E,B−Fが最短になるようにTr(Q1とQ
2)が再選択される。
That is, as shown in FIG. 3, the positions of the resistors R1 and R2 are fixed at Q1 and Q2 because the length of the row of the resistors R1 and R2 is long. Therefore, the positions of the first to the tenth resistors from the left in the first resistor group are fixed, and a pair of Trs (Q1 and Q2) adjacent to each other is adjusted during this period. In other words, Tr (Q1 and Q
2) is reselected.

【0048】そして固定されたQ1、Q2に対して、第
2の抵抗群との接続配線Iが最短距離に成るように、第
2の抵抗群が再選択される。つまり、第2の抵抗群の左
から3番目〜5番目までの抵抗で、抵抗R5を構成する
ように再選択されている。
Then, the second resistor group is selected again so that the connection wiring I to the second resistor group is at the shortest distance with respect to the fixed Q1 and Q2. That is, the third to fifth resistors from the left of the second resistor group are reselected so as to form the resistor R5.

【0049】同様に、Q3とQ4では、抵抗R3とR4
の列の長さが長いため、抵抗R3とR4の位置は固定さ
れる。従って、第1の抵抗群、左から11番目〜20番
目までの間の抵抗は、その位置が固定され、この間で、
隣り合わせ状態の一対のTr(Q3とQ4)が調整され
る。つまり、ペア性を考慮しながら配線C−G,D−H
が最短になるようにTr(Q3とQ4)が再選択され
る。
Similarly, in Q3 and Q4, resistors R3 and R4
Are long, the positions of the resistors R3 and R4 are fixed. Accordingly, the first resistor group, the resistors between the eleventh and twentieth from the left, have their positions fixed, and
The pair of Trs (Q3 and Q4) in the adjacent state is adjusted. That is, the wirings CG and DH are taken
Tr (Q3 and Q4) are reselected so that is shortest.

【0050】そして固定されたQ3、Q4に対して、第
2の抵抗群との接続配線Jが最短距離に成るように、第
2の抵抗群が再選択される。つまり、第2の抵抗群の右
から1番目〜3番目までの抵抗で、抵抗R6を構成する
ように再選択されている。
Then, the second resistor group is selected again so that the connection wiring J to the second resistor group is at the shortest distance with respect to the fixed Q3 and Q4. That is, the first to third resistors from the right of the second resistor group are reselected to form the resistor R6.

【0051】この配線長の計算は、図9の斜線の部分を
認識して計算される。つまり実線で示す下地(マスク情
報等)の上に、斜線で示す領域(ポート)が定義され、
このポートをコンピュータが認識し、直線で結んだ距離
(フライライン)が短くなるようにポートが自動選択さ
れていく。尚、(a)、(b)、(c)、(d)、
(e)は、コンデンサ、抵抗、トランジスタ、パッド及
びAmp、論理回路等の基本回路のブロツクであり、こ
のブロックでは入出力端子等がポートとして配置されて
いる。
The wiring length is calculated by recognizing the hatched portion in FIG. That is, an area (port) indicated by oblique lines is defined on a base (mask information etc.) indicated by a solid line,
This port is recognized by the computer, and the port is automatically selected so that the distance (fly line) connected by a straight line becomes shorter. (A), (b), (c), (d),
(E) is a block diagram of a basic circuit such as a capacitor, a resistor, a transistor, a pad, an Amp, and a logic circuit. In this block, input / output terminals and the like are arranged as ports.

【0052】続いて、素子の合成について説明する。図
5では、抵抗値を5k、3kと切りの良い数字で示して
あるが、実際は端数が有る。
Subsequently, the synthesis of the elements will be described. In FIG. 5, the resistance values are indicated by good numbers such as 5k and 3k, but actually there are fractions.

【0053】コンピュータは、許容誤差を厳しく設定す
ると、指示通りに計算するので、限りなくその数値に近
づけようとして、合成素子数も膨大となり、計算の時間
もより膨大となる。そのため、図1のような条件のもと
で計算させるようにした。尚、コンピュータは、回路図
から読み取った電子回路パターン情報(ペア性や抵抗値
等の数値情報等)及び上記図1に示すブロック内の各半
導体素子の各種情報とから再配置するように制御してい
る。尚、図1の条件のもとでの計算方法については既に
上述したため、重複した説明を避けるために省略する。
When the computer sets the allowable error strictly, the computer calculates as instructed. Therefore, in order to approach the numerical value as much as possible, the number of synthesized elements becomes enormous, and the calculation time becomes enormous. Therefore, the calculation is performed under the conditions as shown in FIG. The computer controls the rearrangement based on the electronic circuit pattern information (numerical information such as pairing and resistance values) read from the circuit diagram and the various information of each semiconductor element in the block shown in FIG. ing. Note that the calculation method under the conditions of FIG. 1 has already been described above, and will be omitted to avoid redundant description.

【0054】以上、一連の設計方法について図9を用い
て説明する。
A series of design methods will be described with reference to FIG.

【0055】まず「下地情報テーブルの生成」で、素子
が配置される領域に於けるマスターセルの下地情報をテ
ーブルに生成する。
First, in "generation of base information table", base information of a master cell in an area where elements are arranged is generated in a table.

【0056】「割付テーブル生成」とは、実現すべき回
路をペア性を考慮してX軸、Y軸のどちらの方向から素
子を選択していくか等の情報を生成する。
The “generation of allocation table” is to generate information such as which element to select from the X-axis or the Y-axis in consideration of pairing of a circuit to be realized.

【0057】続いて「合成処理」で、前述したように、
選択されたマスタセルの本数が最小になるようにし、各
素子の合成パターンを生成する。このとき、ペア性が指
定される素子の合成では同一パターンとして構成する。
例えば、1KΩの抵抗を3個直列接続して3KΩの抵抗
をペアで作り込む場合には、それらが同一パターンで構
成されるようにする。
Subsequently, in the "synthesis process", as described above,
The number of selected master cells is minimized, and a composite pattern of each element is generated. At this time, in the synthesis of the elements for which the pairing property is specified, they are configured as the same pattern.
For example, when three 1 KΩ resistors are connected in series to form 3 KΩ resistors in pairs, they are configured in the same pattern.

【0058】続いて「トランジスタの配置」で、トラン
ジスタの配置位置、向き等が決められる。
Subsequently, in the "transistor arrangement", the arrangement position, the orientation, and the like of the transistor are determined.

【0059】この後、本来であれば、抵抗の配置になる
が、ここでは、「初期配置」と「配置改善」の工程には
いる。初期配置とは、ブロックの左下コーナーから詰
め、回路図に沿った配置が行われる。また合成処理で生
成された素子は、合成パターンに合った最適な場所が選
ばれる。そして初期配置後に、「配置改善」が行われ
る。この配置改善とは、配線が短くなるようにデータ処
理され、必要により非選択されたTRに選択し直す処理
のことである。
After this, the resistors are normally placed, but here, the process of “initial placement” and “placement improvement” is started. In the initial arrangement, arrangement is performed from the lower left corner of the block and the arrangement is performed along the circuit diagram. For an element generated by the synthesis processing, an optimal place suitable for the synthesis pattern is selected. After the initial arrangement, “arrangement improvement” is performed. The arrangement improvement is a process in which data processing is performed so that wiring is shortened, and the TR is reselected to a non-selected TR if necessary.

【0060】続いて抵抗Rを配置する。ここでも、前述
したようにしてTRと抵抗R間での配線長が短くなるよ
うに、必要であれば一旦選択されたトランジスタ、抵抗
に代えて非選択のトランジスタ、抵抗に選択し直す。
Subsequently, a resistor R is arranged. Also here, if necessary, a non-selected transistor and a resistor are replaced with a non-selected transistor and a resistor, if necessary, so that the wiring length between TR and the resistor R is shortened.

【0061】続いて容量の配置をし、最後に、抵抗のフ
ライライン改善が実施される。
Subsequently, the capacitance is arranged, and finally, the fly line improvement of the resistance is performed.

【0062】ここでは、選択されたマスタセル(抵抗)
の位置は変えず、配線とコンタクトする端子の位置の調
整により配線の長さが短くなるように調整される。
Here, the selected master cell (resistor)
Is adjusted so that the length of the wiring is shortened by adjusting the position of the terminal in contact with the wiring.

【0063】続いて、具体例について図6〜図8を参照
しながら説明する。
Next, a specific example will be described with reference to FIGS.

【0064】一般に、半導体チップ20は、図6に示す
ようにボンディングパッド21で囲まれた領域が、例え
ば複数本のブロック列(ここでは左右に3本の列BL
1、BL2、BL3)に分けられ、各ブロック列は、複
数のブロックに分けられている。例えば第1列目のブロ
ック列BL1は、ブロック1〜ブロック10で、第2列
目のブロック列BL2は、ブロック11〜ブロック20
で、第3列目のブロック列BL3は、ブロック21〜ブ
ロック30で構成されている。
Generally, in the semiconductor chip 20, as shown in FIG. 6, the area surrounded by the bonding pads 21 is, for example, a plurality of block rows (here, three rows BL on the left and right sides).
1, BL2, BL3), and each block row is divided into a plurality of blocks. For example, the first block row BL1 includes blocks 1 to 10, and the second block row BL2 includes blocks 11 to 20.
The third block column BL3 includes blocks 21 to 30.

【0065】また、各ブロック1〜30は、矢印で示し
た拡大図(図6下図)のように基本ユニットセルUCか
ら成る。このユニットセルUCは、図7の左図に示す回
路図が選択できるように群となって作り込まれている。
Each of the blocks 1 to 30 comprises a basic unit cell UC as shown in an enlarged view (lower view in FIG. 6) indicated by an arrow. The unit cells UC are formed in groups so that the circuit diagram shown in the left diagram of FIG. 7 can be selected.

【0066】つまり、値の異なる抵抗が複数種類選択さ
れ、それぞれが群となって配置されている。これはトラ
ンジスタTrもコンデンサも同様である。特にTrは、
図では、縦型及び横型のPNP−Tr、縦型NPN−T
rの3タイプがそれぞれ群となって配列されている。こ
のブロック列の配列の仕方、配列本数は、一例であり、
これに限られるものではない。また、ブロック内の素子
である抵抗、Tr、コンデンサ以外にダイオード等が設
けられても良い。
That is, a plurality of types of resistors having different values are selected, and each is arranged in a group. This is the same for the transistor Tr and the capacitor. In particular, Tr
In the figure, vertical and horizontal PNP-Tr, vertical NPN-T
The three types of r are arranged in groups. The way of arranging the block rows and the number of arrays are merely examples,
However, it is not limited to this. A diode or the like may be provided in addition to the resistors, Trs, and capacitors, which are the elements in the block.

【0067】更に、この各素子は、それぞれサイズの異
なる(抵抗ではその抵抗値が異なることを、Trでは電
流容量の異なることを、コンデンサでは、その容量値が
異なることを意味している。)素子が、群となって配置
されている。
Furthermore, each element has a different size (resistors have different resistance values, Tr has different current capacities, and capacitors have different capacities). The elements are arranged in groups.

【0068】ただし、ボンディングパッドの下に保護ダ
イオード等が作り込まれている場合もあるが、ここでは
素子数の比率からみて極めて少ないので無視した。ま
た、ボンディングパッド21…の中には、電源パッド、
グランドパッドが少なくとも1つずつ形成されている。
In some cases, a protection diode or the like is formed under the bonding pad. However, it is ignored here because it is extremely small in view of the ratio of the number of elements. Power pads, bonding pads 21.
At least one ground pad is formed.

【0069】まず、図3の半導体チップ20には、従来
例で説明した図11に示すように、複数の電子回路ブロ
ックが用意され、これらが電気的に接続されて一つのI
C回路が実現される。また各電子回路ブロックは、その
回路図に沿ってブロツク内の素子を選択して構成され、
少なくとも1つのブロックで構成される。
First, a plurality of electronic circuit blocks are prepared in the semiconductor chip 20 shown in FIG. 3 as shown in FIG.
A C circuit is realized. Each electronic circuit block is configured by selecting elements in the block according to the circuit diagram,
It is composed of at least one block.

【0070】図8は、例えば目的の回路図におけるTr
と抵抗が選択された状態を示すもので、ここでもTrと
抵抗の間の配線が最短になるようにコンピュータ処理さ
れている。つまり、第1の抵抗列は、左から1番〜4番
までが直列接続で選択され、5番目〜8番目も直列接続
で選択される。ここで第2のTr列、第1の抵抗列との
接続配線は、全体的に各素子列内の左側の素子が選択さ
れているために左側に偏った配置となり、バランスを崩
していることが判る。
FIG. 8 shows, for example, Tr in a target circuit diagram.
And a state in which the resistor is selected, and is again computer-processed so that the wiring between the Tr and the resistor is minimized. That is, the first to fourth resistors from the left are selected in series connection, and the fifth to eighth resistors are also selected in series connection from the left. Here, the connection wirings to the second Tr row and the first resistor row are arranged on the left side as a whole because the left element in each element row is selected, and the balance is broken. I understand.

【0071】これを本発明を適用してコンピュータ処理
し、Trの再選択を行ったものが図7である。トランジ
スタは、図8に示す左から1、2番目のTrが選択され
ている状態から、図7では左から2、4番目のTrに再
選択され、抵抗も、図8に示すように、左から1番目〜
4番目の抵抗が順に取られているが、図7では、4番目
〜1番目へと逆方向に再選択されている。従って再選択
されることでペア性を維持しつつ、配線長が短くなるよ
うに処理されている。
FIG. 7 shows the result of computer processing by applying the present invention and reselection of Tr. The transistors are reselected from the state in which the first and second Trs from the left shown in FIG. 8 are selected to the second and fourth Trs from the left in FIG. 7, and the resistance is also changed to the left as shown in FIG. First to
Although the fourth resistor is taken in order, in FIG. 7, it is reselected in the reverse direction from the fourth to the first. Therefore, processing is performed so that the wiring length is shortened while maintaining the pairing property by being reselected.

【0072】以上、回路図に沿った回路パターンが描か
れる。
As described above, the circuit pattern is drawn along the circuit diagram.

【0073】一般には、素子を選択するため、配線のコ
ンタクト孔が開かれるが、このコンタクト孔が開けられ
る前の段階のウエハが用意される。例えば、バイポーラ
型であれば、全ての拡散領域が形成された状態のもとで
コンタクト孔を開口し、メタルを形成するもの、コンタ
クト孔を開けてからエミッタ拡散またはエミッタイオン
注入をするタイプの二通りに分けられる。
Generally, in order to select an element, a contact hole for wiring is opened, but a wafer in a stage before the contact hole is opened is prepared. For example, in the case of a bipolar type, there are two types: a type in which a contact hole is opened and a metal is formed in a state where all the diffusion regions are formed; and a type in which a contact hole is formed and then emitter diffusion or emitter ion implantation is performed. Divided into streets.

【0074】いずれにしても、このコンタクト孔が開け
られる前のウエハが用意され、前もって前記コンピュー
タにより選択された素子のコンタクト孔、及びコンピュ
ータにより生成された配線パターンがホトマスクとして
用意されている。
In any case, the wafer before the contact holes are formed is prepared, and the contact holes of the elements previously selected by the computer and the wiring pattern generated by the computer are prepared as a photomask.

【0075】そして、コンタクト孔用のホトマスクを使
用して半導体ウエハにコンタクト孔を開口し、配線用の
ホトマスクを介して配線が施される。
Then, a contact hole is opened in the semiconductor wafer using a photomask for contact holes, and wiring is performed via the photomask for wiring.

【0076】当然、コンタクト孔が開口されてから不純
物を導入するタイプでは、配線が形成される前に、イオ
ン注入マスクを介して不純物が導入される。
Of course, in the type in which the impurity is introduced after the contact hole is opened, the impurity is introduced via the ion implantation mask before the wiring is formed.

【0077】以上、コンピュータによるパターン設計時
間が短縮され、しかも配線パターンが短くなるように素
子が再選択されることから、ノイズの侵入し難い構造が
実現された半導体集積回路を短納期でユーザーに供給で
きる。
As described above, since the pattern design time by the computer is shortened and elements are reselected so that the wiring pattern is shortened, a semiconductor integrated circuit having a structure in which noise is hardly penetrated is provided to the user in a short delivery time. Can supply.

【0078】また、次のメリットもある。従来、回路設
計者が、抵抗として例えば1.02KΩを使用したいと
パターン設計者に指示し、一方、パターン合成の複雑さ
からこの抵抗値は、実現できないとパターン設計者が回
答した場合、回路設計者は、別の抵抗値を妥協して採用
し、回路設計をし直さなければならない不都合が発生す
る。しかし本発明では、素子の合成がコンピュータ化さ
れているため、1.02KΩが使えないという不都合が
無くなり、回路設計者は、前記妥協がない状態でパター
ン設計者との情報交換ができ、より信頼性の高い回路を
短時間でパターン設計できるようになる。
There are also the following merits. Conventionally, when a circuit designer instructs a pattern designer to use, for example, 1.02 KΩ as a resistor, while the pattern designer replies that this resistance cannot be realized due to the complexity of pattern synthesis, The user has to use another resistance value in a compromised manner and redesign the circuit. However, in the present invention, since the synthesis of the elements is computerized, the inconvenience of not being able to use 1.02 KΩ is eliminated, and the circuit designer can exchange information with the pattern designer without compromising the above-mentioned conditions. This makes it possible to design a circuit with high performance in a short time.

【0079】[0079]

【発明の効果】本発明によれば、ブロック内に準備され
た各半導体素子を自動的に順次選択して所望の電子回路
を構成するようにコンピュータにより自動割付する際
に、前記コンピュータ内に記憶された前記半導体素子に
関するサイズ調整可否情報及びサイズ調整可能範囲情報
に基づいて、サイズ調整可能な半導体素子を自動合成す
るため、自動合成の精度を高められる。
According to the present invention, when each semiconductor element prepared in a block is automatically selected sequentially and automatically allocated by a computer so as to form a desired electronic circuit, the semiconductor element is stored in the computer. Since the size-adjustable semiconductor elements are automatically synthesized based on the size adjustment enable / disable information and the size-adjustable range information regarding the semiconductor elements, the accuracy of the automatic synthesis can be increased.

【0080】また、自動合成すべき半導体素子のサイズ
調整値が、前記サイズ調整可能範囲情報に格納された最
小値を下回る際には、複数の半導体素子をサイズ調整
し、各半導体素子同士を接続することで、自動合成が精
度良く、しかも最小本数の配線で実現できる。
When the size adjustment value of the semiconductor element to be automatically synthesized is smaller than the minimum value stored in the size adjustable range information, the plurality of semiconductor elements are adjusted in size and each semiconductor element is connected. By doing so, automatic synthesis can be realized with high accuracy and with the minimum number of wires.

【0081】しかも従来、サイズ調整処理を手作業で実
施していたが、本発明を適用し、これらを所定の条件で
処理させることでコンピュータで自動合成させることが
でき、設計時間の短縮が実現できる。
In addition, conventionally, the size adjustment processing has been performed manually, but by applying the present invention and processing these under predetermined conditions, the images can be automatically synthesized by a computer, and the design time can be reduced. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】サイズ調整可能情報等の演算処理する際の条件
を説明する図である。
FIG. 1 is a diagram for describing conditions when performing arithmetic processing on size-adjustable information and the like.

【図2】本発明の半導体集積回路の製造方法を説明する
図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit according to the present invention.

【図3】本発明を適用した半導体集積回路の製造方法を
説明する図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit to which the present invention is applied.

【図4】従来の半導体集積回路の製造方法を説明する図
である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a conventional method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.

【図5】ブロックに収容される回路図の一例を説明する
図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a circuit diagram accommodated in a block.

【図6】半導体集積回路の構成を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of a semiconductor integrated circuit.

【図7】図6のブロック内の素子の選択例を説明する図
である。
FIG. 7 is a diagram illustrating an example of selecting elements in the block of FIG. 6;

【図8】図6のブロック内の素子の選択例を説明する図
である。
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of selecting elements in the block of FIG. 6;

【図9】自動割付に関するフローチャートを示す図であ
る。
FIG. 9 is a diagram showing a flowchart relating to automatic allocation.

【図10】ブロック内の素子に割り当てられるポートを
説明する図である。
FIG. 10 is a diagram illustrating ports allocated to elements in a block.

【図11】従来の半導体集積回路の製造方法を説明する
図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a conventional method of manufacturing a semiconductor integrated circuit.

【図12】従来の半導体集積回路の製造方法を説明する
図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating a conventional method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ブロック内に準備された各半導体素子を
自動的に順次選択して所望の電子回路を構成するように
コンピュータにより自動割付する半導体集積回路の製造
方法において、 前記コンピュータ内に記憶された前記半導体素子に関す
るサイズ調整可否情報及びサイズ調整可能範囲情報に基
づいて、サイズ調整可能な半導体素子を自動合成するこ
とを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
1. A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit in which each semiconductor element prepared in a block is automatically selected sequentially and automatically allocated by a computer so as to form a desired electronic circuit. A method for automatically synthesizing a size-adjustable semiconductor element based on size adjustment availability information and size-adjustable range information on the semiconductor element.
【請求項2】 前記サイズ調整可能範囲情報には、少な
くとも各半導体素子に対するサイズ調整可能な最小値情
報が格納されており、コンピュータはサイズ調整して自
動合成すべき半導体素子のサイズ調整値が前記最小値を
下回る際には、複数の半導体素子をサイズ調整し、各半
導体素子同士を接続することを特徴とする請求項1に記
載の半導体集積回路の製造方法。
2. The size-adjustable range information stores at least information on the minimum value of the size of each semiconductor element that can be adjusted, and the computer adjusts the size of the semiconductor element and automatically adjusts the size adjustment value of the semiconductor element. 2. The method according to claim 1, wherein when the value is smaller than the minimum value, the plurality of semiconductor elements are adjusted in size and the respective semiconductor elements are connected to each other.
【請求項3】 前記電子回路は、リニア回路であること
を特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路の製造方
法。
3. The method according to claim 1, wherein the electronic circuit is a linear circuit.
【請求項4】 前記リニア回路は、バイポーラ型電子回
路であることを特徴とする請求項3に記載の半導体集積
回路の製造方法。
4. The method according to claim 3, wherein the linear circuit is a bipolar electronic circuit.
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