JP2001006523A - 電子素子 - Google Patents
電子素子Info
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- JP2001006523A JP2001006523A JP17063799A JP17063799A JP2001006523A JP 2001006523 A JP2001006523 A JP 2001006523A JP 17063799 A JP17063799 A JP 17063799A JP 17063799 A JP17063799 A JP 17063799A JP 2001006523 A JP2001006523 A JP 2001006523A
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- Japan
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- carbon film
- amorphous carbon
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- electron
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 冷陰極素子として用いた場合，低い印加電圧
によっても十分に電子を放出することが可能である等高
い実用性を持つ電子素子を提供する。 【解決手段】 電子素子３は，非晶質炭素膜よりなり，
且つ金属結合半径が炭素の原子半径の２倍以上である金
属元素ｍを含有する主体部３ａと，その主体部３ａを被
覆し，且つｓｐ3 性の高い非晶質炭素膜よりなる表面層
３ｂとを有する。
によっても十分に電子を放出することが可能である等高
い実用性を持つ電子素子を提供する。 【解決手段】 電子素子３は，非晶質炭素膜よりなり，
且つ金属結合半径が炭素の原子半径の２倍以上である金
属元素ｍを含有する主体部３ａと，その主体部３ａを被
覆し，且つｓｐ3 性の高い非晶質炭素膜よりなる表面層
３ｂとを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子素子，例えば電
界を印加されることにより電子を放出する冷陰極素子と
して用いられる電子素子に関する。
界を印加されることにより電子を放出する冷陰極素子と
して用いられる電子素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来，電子放出素子としては熱陰極素子
と冷陰極素子とが知られている。
と冷陰極素子とが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】熱陰極素子は真空管に
代表される分野に用いられているが，熱を付与するため
に集積化が困難である，といった問題がある。一方，冷
陰極素子は熱を用いないため集積化が可能な素子とし
て，フラットパネルディスプレイ，電圧増幅素子，高周
波増幅素子等への応用が期待されている。
代表される分野に用いられているが，熱を付与するため
に集積化が困難である，といった問題がある。一方，冷
陰極素子は熱を用いないため集積化が可能な素子とし
て，フラットパネルディスプレイ，電圧増幅素子，高周
波増幅素子等への応用が期待されている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は，例えば冷陰極
素子として用いた場合，低い印加電圧によっても十分に
電子を放出することが可能である等高い実用性を持つ前
記電子素子を提供することを目的とする。
素子として用いた場合，低い印加電圧によっても十分に
電子を放出することが可能である等高い実用性を持つ前
記電子素子を提供することを目的とする。
【０００５】前記目的を達成するため本発明によれば，
非晶質炭素膜よりなり，且つ金属結合半径が炭素の原子
半径の２倍以上である金属元素を含有する主体部と，そ
の主体部を被覆し，且つｓｐ3 性の高い非晶質炭素膜よ
りなる表面層とを有する電子素子が提供される。
非晶質炭素膜よりなり，且つ金属結合半径が炭素の原子
半径の２倍以上である金属元素を含有する主体部と，そ
の主体部を被覆し，且つｓｐ3 性の高い非晶質炭素膜よ
りなる表面層とを有する電子素子が提供される。
【０００６】前記のような金属結合半径を有する金属元
素を非晶質炭素膜よりなる主体部内に存在させると，そ
の内部に歪みが生じ，これにより，主体部の電気絶縁性
を弱める一方，導電性を強めることが可能である。また
表面層を構成するｓｐ3 性の高い非晶質炭素膜は，元来
優れた電界放出特性を有する。このような電子素子より
なる冷陰極素子においては，その放出電界が低められる
ので，その冷陰極素子に対する印加電圧を低くしても十
分な電子放出を現出させることが可能である。
素を非晶質炭素膜よりなる主体部内に存在させると，そ
の内部に歪みが生じ，これにより，主体部の電気絶縁性
を弱める一方，導電性を強めることが可能である。また
表面層を構成するｓｐ3 性の高い非晶質炭素膜は，元来
優れた電界放出特性を有する。このような電子素子より
なる冷陰極素子においては，その放出電界が低められる
ので，その冷陰極素子に対する印加電圧を低くしても十
分な電子放出を現出させることが可能である。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は陰極ユニット１を示し，そ
の陰極ユニット１はＡｌ製陰極板２と，その表面に形成
された電子素子としての冷陰極素子３とよりなる。その
冷陰極素子３は，非晶質炭素膜よりなり，且つ金属結合
半径が炭素の原子半径の２倍以上である金属元素ｍを含
有する主体部３ａと，その主体部３ａに接合され，且つ
ｓｐ3性の高い非晶質炭素膜よりなる表面層３ｂとを有
する。
の陰極ユニット１はＡｌ製陰極板２と，その表面に形成
された電子素子としての冷陰極素子３とよりなる。その
冷陰極素子３は，非晶質炭素膜よりなり，且つ金属結合
半径が炭素の原子半径の２倍以上である金属元素ｍを含
有する主体部３ａと，その主体部３ａに接合され，且つ
ｓｐ3性の高い非晶質炭素膜よりなる表面層３ｂとを有
する。
【０００８】前記のような金属結合半径を有する金属元
素ｍを非晶質炭素膜よりなる主体部３ａ内に存在させる
と，その内部に歪みが生じ，これにより，主体部３ａの
電気絶縁性を弱める一方，導電性を強めることが可能で
ある。また金属元素ｍは主体部３ａの，表面層３ｂとの
界面ｉにも点在する。この場合，前記金属元素ｍが活性
であることから，界面ｉの金属元素ｍは空気中の酸素と
化合して安定な酸化物となり，その酸化物は，微視的で
はあるが，突起ｐをなす。その結果，表面層３ｂはそれ
ら突起ｐに倣って形成された複数の凸部ｒを有する。表
面層３ｂを構成するｓｐ3 性の高い非晶質炭素膜は，元
来優れた電界放出特性を有し，これに各凸部ｒによる電
界集中効果が付加されるので，表面層３ｂの電界放出特
性が一層高められる。
素ｍを非晶質炭素膜よりなる主体部３ａ内に存在させる
と，その内部に歪みが生じ，これにより，主体部３ａの
電気絶縁性を弱める一方，導電性を強めることが可能で
ある。また金属元素ｍは主体部３ａの，表面層３ｂとの
界面ｉにも点在する。この場合，前記金属元素ｍが活性
であることから，界面ｉの金属元素ｍは空気中の酸素と
化合して安定な酸化物となり，その酸化物は，微視的で
はあるが，突起ｐをなす。その結果，表面層３ｂはそれ
ら突起ｐに倣って形成された複数の凸部ｒを有する。表
面層３ｂを構成するｓｐ3 性の高い非晶質炭素膜は，元
来優れた電界放出特性を有し，これに各凸部ｒによる電
界集中効果が付加されるので，表面層３ｂの電界放出特
性が一層高められる。
【０００９】このような冷陰極素子３においては，その
放出電界が低められるので，その冷陰極素子３に対する
印加電圧を低くしても十分な電子放出を現出させること
が可能である。
放出電界が低められるので，その冷陰極素子３に対する
印加電圧を低くしても十分な電子放出を現出させること
が可能である。
【００１０】炭素の原子半径は０．７７Åであり，した
がって前記金属元素ｍとしては，金属結合半径が２．６
６Åのセシウム（Ｃｓ），金属結合半径が２．４７Åの
ルビジウム（Ｒｂ）等が用いられる。
がって前記金属元素ｍとしては，金属結合半径が２．６
６Åのセシウム（Ｃｓ），金属結合半径が２．４７Åの
ルビジウム（Ｒｂ）等が用いられる。
【００１１】表面層３ｂにおいて，Ｘ線光電子分光法
（ＥＳＣＡ，ＸＰＳ）によるＣ1S電子の光電子スペクト
ルの半値幅ＨｗはＨｗ≦２．０ｅＶであることが好まし
い。半値幅Ｈｗは，図２に示すように，表面層３ｂにつ
いて，Ｘ線光電子分光法による分析を行い，得られたＣ
1S電子の光電子スペクトル４から求められる。即ち，ピ
ーク値の２分の１におけるスペクトルの幅（ｅＶ）を半
値幅Ｈｗとする。表面層３ｂにおいて，半値幅Ｈｗを前
記のように設定すると，その放出電界を低めることが可
能である。
（ＥＳＣＡ，ＸＰＳ）によるＣ1S電子の光電子スペクト
ルの半値幅ＨｗはＨｗ≦２．０ｅＶであることが好まし
い。半値幅Ｈｗは，図２に示すように，表面層３ｂにつ
いて，Ｘ線光電子分光法による分析を行い，得られたＣ
1S電子の光電子スペクトル４から求められる。即ち，ピ
ーク値の２分の１におけるスペクトルの幅（ｅＶ）を半
値幅Ｈｗとする。表面層３ｂにおいて，半値幅Ｈｗを前
記のように設定すると，その放出電界を低めることが可
能である。
【００１２】二層構成の非晶質炭素膜は，例えばＳｉよ
りなる冷陰極素子の性能向上を図るべく，その素子の表
面被膜層構成材料としても用いられる。
りなる冷陰極素子の性能向上を図るべく，その素子の表
面被膜層構成材料としても用いられる。
【００１３】主体部３ａおよび表面層３ｂはイオンビー
ム蒸着法により形成され，その形成に際し，入射イオン
としてセシウムイオンを用い，また形成条件を調整する
ことによってセシウムｍを主体部３ａに均一に含有させ
ることが可能となる。イオンビーム蒸着法においては，
正イオンビームまたは負イオンビームが用いられる。こ
の場合，主体部３ａ等の原子密度は正イオンビーム蒸着
法によるもの，負イオンビーム蒸着法によるもの，の順
に高くなる，つまり，導電性はこの順序で強くなり，放
出電界はこの順序で低くなる。この原子密度の差は，負
イオンの内部ポテンシャルエネルギ（電子親和力）が正
イオンのそれ（電離電圧）よりも低いことに起因する。
ム蒸着法により形成され，その形成に際し，入射イオン
としてセシウムイオンを用い，また形成条件を調整する
ことによってセシウムｍを主体部３ａに均一に含有させ
ることが可能となる。イオンビーム蒸着法においては，
正イオンビームまたは負イオンビームが用いられる。こ
の場合，主体部３ａ等の原子密度は正イオンビーム蒸着
法によるもの，負イオンビーム蒸着法によるもの，の順
に高くなる，つまり，導電性はこの順序で強くなり，放
出電界はこの順序で低くなる。この原子密度の差は，負
イオンの内部ポテンシャルエネルギ（電子親和力）が正
イオンのそれ（電離電圧）よりも低いことに起因する。
【００１４】以下，具体例について説明する。
【００１５】図３は公知の超高真空型負イオンビーム蒸
着装置（NIABNIS:Neutral andIonized Alkaline metal
bombardment type heavy Negative Ion Source)を示
す。その装置は，センタアノードパイプ５，フィラメン
ト６，熱遮蔽体７等を有するセシウムプラズマイオン源
８と，サプレッサ９と，高純度高密度炭素よりなるター
ゲット１０を備えたターゲット電極１１と，負イオン引
出し電極１２と，レンズ１３と，マグネット１４を有す
る電子除去体１５と，偏向板１６とを備えている。
着装置（NIABNIS:Neutral andIonized Alkaline metal
bombardment type heavy Negative Ion Source)を示
す。その装置は，センタアノードパイプ５，フィラメン
ト６，熱遮蔽体７等を有するセシウムプラズマイオン源
８と，サプレッサ９と，高純度高密度炭素よりなるター
ゲット１０を備えたターゲット電極１１と，負イオン引
出し電極１２と，レンズ１３と，マグネット１４を有す
る電子除去体１５と，偏向板１６とを備えている。
【００１６】主体部３ａの形成に当っては，（ａ）図３
に示すように，各部に所定の電圧を印加する，（ｂ）セ
シウムプラズマイオン源８によりセシウムの正イオンを
発生させる，（ｃ）セシウムの正イオンによりターゲッ
ト１０をスパッタして炭素等の負イオンを発生させる，
（ｄ）サプレッサ９を介して負イオン引出し電極１２に
より負イオンを引出して負イオンビーム１７を発生させ
る，（ｅ）レンズ１３により負イオンビーム１７を収束
する，（ｆ）電子除去体１５により負イオンビーム１７
に含まれる電子を除去する，（ｇ）偏向板１６により負
イオンのみを陰極板２に向けて飛行させる，といった方
法を採用した。
に示すように，各部に所定の電圧を印加する，（ｂ）セ
シウムプラズマイオン源８によりセシウムの正イオンを
発生させる，（ｃ）セシウムの正イオンによりターゲッ
ト１０をスパッタして炭素等の負イオンを発生させる，
（ｄ）サプレッサ９を介して負イオン引出し電極１２に
より負イオンを引出して負イオンビーム１７を発生させ
る，（ｅ）レンズ１３により負イオンビーム１７を収束
する，（ｆ）電子除去体１５により負イオンビーム１７
に含まれる電子を除去する，（ｇ）偏向板１６により負
イオンのみを陰極板２に向けて飛行させる，といった方
法を採用した。
【００１７】図４は負イオンビーム１７の質量スペクト
ルを示す。この負イオンビーム１７の主たる負イオンは
構成原子数が１であるＣ- イオンと構成原子数が２であ
るＣ2 - イオンである。ただし，イオン電流はＣ- ＞Ｃ
2 - である。
ルを示す。この負イオンビーム１７の主たる負イオンは
構成原子数が１であるＣ- イオンと構成原子数が２であ
るＣ2 - イオンである。ただし，イオン電流はＣ- ＞Ｃ
2 - である。
【００１８】前記方法により，図５に示すように陰極板
２の表面に主体部３ａが形成される。この主体部３ａに
おいては，その内部および表面層３ｂとの界面ｉに複数
のセシウムｍが点在する。図６に示すように界面ｉに点
在する複数のセシウムｍは経時的に酸化して，その酸化
物による突起ｐが形成される。
２の表面に主体部３ａが形成される。この主体部３ａに
おいては，その内部および表面層３ｂとの界面ｉに複数
のセシウムｍが点在する。図６に示すように界面ｉに点
在する複数のセシウムｍは経時的に酸化して，その酸化
物による突起ｐが形成される。
【００１９】次いで，前記同様の負イオンビーム蒸着法
を行って主体部３ａの界面ｉ上に非晶質炭素膜よりなる
表面層３ｂを形成すると共にその層３ｂを主体部３ａに
接合する。これにより，図１に示すように表面層３ｂは
複数の突起ｐに倣って形成された複数の凸部ｒを有す
る。このようにして得られた冷陰極素子３を実施例とす
る。
を行って主体部３ａの界面ｉ上に非晶質炭素膜よりなる
表面層３ｂを形成すると共にその層３ｂを主体部３ａに
接合する。これにより，図１に示すように表面層３ｂは
複数の突起ｐに倣って形成された複数の凸部ｒを有す
る。このようにして得られた冷陰極素子３を実施例とす
る。
【００２０】比較のため，図７に示すように，前記と同
様の方法で前記同様の主体部３ａを陰極板２表面に形成
し，それを大気中に放置したところ，界面ｉに点在する
セシウムｍの酸化物よりなる突起ｐの略全部が円錐状に
成長していた。このような主体部３ａからなる冷陰極素
子３を比較例とする。
様の方法で前記同様の主体部３ａを陰極板２表面に形成
し，それを大気中に放置したところ，界面ｉに点在する
セシウムｍの酸化物よりなる突起ｐの略全部が円錐状に
成長していた。このような主体部３ａからなる冷陰極素
子３を比較例とする。
【００２１】表１は，負イオンビーム蒸着法による実施
例および比較例の形成条件を示す。
例および比較例の形成条件を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】実施例の主体部３ａ形成後，その主体部３
ａの略中央部分についてラマン分光法による分析を行っ
て，それが非晶質であるか否かを調べた。図８は分析結
果を示し，波数１５００cm-1付近を中心としたブロード
なラマンバンドが観察される。このことから主体部３ａ
は非晶質であることが判明した。表面層３ｂおよび比較
例についても図８と同様の結果が得られた。
ａの略中央部分についてラマン分光法による分析を行っ
て，それが非晶質であるか否かを調べた。図８は分析結
果を示し，波数１５００cm-1付近を中心としたブロード
なラマンバンドが観察される。このことから主体部３ａ
は非晶質であることが判明した。表面層３ｂおよび比較
例についても図８と同様の結果が得られた。
【００２４】また原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により実施
例および比較例の表面を撮影してそれらの表面写真を得
た。図９は実施例に関する表面写真の要部拡大写図であ
り，本図より，表面に多数の凸部ｒが点在することが判
る。図１０は比較例に関する表面写真の要部拡大写図で
あり，本図より表面に多数の円錐状突起ｐが点在するこ
とが判る。
例および比較例の表面を撮影してそれらの表面写真を得
た。図９は実施例に関する表面写真の要部拡大写図であ
り，本図より，表面に多数の凸部ｒが点在することが判
る。図１０は比較例に関する表面写真の要部拡大写図で
あり，本図より表面に多数の円錐状突起ｐが点在するこ
とが判る。
【００２５】さらに実施例および比較例について，走査
電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検鏡を行ったところ，実
施例および比較例の内部にセシウムｍの存在が認められ
た。
電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検鏡を行ったところ，実
施例および比較例の内部にセシウムｍの存在が認められ
た。
【００２６】さらにまた，オージエ電子分光法（ＡＥ
Ｓ）により実施例および比較例に関する表面の二次電子
像を撮影したところ，実施例については，表面層３ｂの
表面にセシウムの存在は認められなかったが，比較例の
表面にはセシウムの存在が認められた。
Ｓ）により実施例および比較例に関する表面の二次電子
像を撮影したところ，実施例については，表面層３ｂの
表面にセシウムの存在は認められなかったが，比較例の
表面にはセシウムの存在が認められた。
【００２７】さらに実施例および比較例について，図１
１に示す方法で放出電界の測定を行った。即ち，電圧調
整可能な電源１８にＡｌ製導電板１９を接続し，その導
電板１９上に，中央部に縦０．８cm，横０．８cm（０．
６４cm2 ）の開口２０を有する厚さ１５０μｍのカバー
ガラス２１を載せ，また，そのカバーガラス２１上に陰
極ユニット１の冷陰極素子３を載せ，さらに，その陰極
板２に電流計２２を接続した。次いで，電源１８より導
電板１９に所定の電圧を印加して，電流計２２により電
流を読取った。そして，測定電流と開口２０の面積とか
ら，放出電流密度（μＡ／cm2 ）を求め，実用性を考慮
して，その放出電流密度が８μＡ／cm2に達したとき，
それに対応する電圧とカバーガラス２１の厚さとから放
出電界（Ｖ／μｍ）を求めた。
１に示す方法で放出電界の測定を行った。即ち，電圧調
整可能な電源１８にＡｌ製導電板１９を接続し，その導
電板１９上に，中央部に縦０．８cm，横０．８cm（０．
６４cm2 ）の開口２０を有する厚さ１５０μｍのカバー
ガラス２１を載せ，また，そのカバーガラス２１上に陰
極ユニット１の冷陰極素子３を載せ，さらに，その陰極
板２に電流計２２を接続した。次いで，電源１８より導
電板１９に所定の電圧を印加して，電流計２２により電
流を読取った。そして，測定電流と開口２０の面積とか
ら，放出電流密度（μＡ／cm2 ）を求め，実用性を考慮
して，その放出電流密度が８μＡ／cm2に達したとき，
それに対応する電圧とカバーガラス２１の厚さとから放
出電界（Ｖ／μｍ）を求めた。
【００２８】その結果，実施例の放出電界は０．８Ｖ／
μｍであったが，比較例のそれは１．２Ｖ／μｍであ
り，実施例は比較例に比べて十分に低い放出電界を有す
ることが判明した。
μｍであったが，比較例のそれは１．２Ｖ／μｍであ
り，実施例は比較例に比べて十分に低い放出電界を有す
ることが判明した。
【００２９】なお，主体部３ａが前記のような金属元素
ｍを含有しない場合にも，それ相当の効果が得られる。
この種の冷陰極素子は，フラットパネルディスプレイ，
電圧増幅素子，高周波増幅素子，高精度至近距離レー
ダ，磁気センサ，視覚センサ等に応用される。
ｍを含有しない場合にも，それ相当の効果が得られる。
この種の冷陰極素子は，フラットパネルディスプレイ，
電圧増幅素子，高周波増幅素子，高精度至近距離レー
ダ，磁気センサ，視覚センサ等に応用される。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば，前記のように構成する
ことによって，例えば冷陰極素子として用いることが可
能な，高い実用性を持つ電子素子を提供することができ
る。
ことによって，例えば冷陰極素子として用いることが可
能な，高い実用性を持つ電子素子を提供することができ
る。
【図１】陰極ユニットの実施例の断面図である。
【図２】表面層に関するＸ線光電子分光法によるＣ1S電
子の光電子スペクトルである。
子の光電子スペクトルである。
【図３】超高真空型負イオンビーム蒸着装置の概略図で
ある。
ある。
【図４】前記装置によるビームスペクトルである。
【図５】形成直後の主体部の説明図である。
【図６】経時変化後の主体部の説明図である。
【図７】陰極ユニットの比較例の断面図である。
【図８】主体部に関するラマン分光法による分析結果を
示すチャートである。
示すチャートである。
【図９】実施例に関する原子間力顕微鏡による表面写真
の要部拡大写図である。
の要部拡大写図である。
【図１０】比較例に関する原子間力顕微鏡による表面写
真の要部拡大写図である。
真の要部拡大写図である。
【図１１】放出電界測定方法の説明図である。
１ 陰極ユニット ２ 陰極板 ３ 冷陰極素子（電子素子） ３ａ 主体部 ３ｂ 表面層 ｉ 界面 ｍ 金属元素 ｐ 突起 ｒ 凸部
Claims (7)
- 【請求項１】 非晶質炭素膜よりなり，且つ金属結合半
径が炭素の原子半径の２倍以上である金属元素（ｍ）を
含有する主体部（３ａ）と，その主体部（３ａ）を被覆
し，且つｓｐ3 性の高い非晶質炭素膜よりなる表面層
（３ｂ）とを有することを特徴とする電子素子。 - 【請求項２】 前記表面層（３ｂ）において，Ｘ線光電
子分光法によるＣ1S電子の光電子スペクトルの半値幅Ｈ
ｗがＨｗ≦２．０ｅＶである，請求項１記載の電子素
子。 - 【請求項３】 前記主体部（３ａ）は，前記表面層（３
ｂ）との界面（ｉ）に前記金属元素（ｍ）を含む複数の
突起（ｐ）を有し，前記表面層（３ｂ）は前記突起
（ｐ）に倣って形成された複数の凸部（ｒ）を有する，
請求項１または２記載の電子素子。 - 【請求項４】 前記金属元素（ｍ）はＣｓおよびＲｂの
一方である，請求項１，２または３記載の電子素子。 - 【請求項５】 前記主体部（３ａ）および表面層（３
ｂ）はそれぞれイオンビーム蒸着法により形成されたも
のである，請求項１，２，３または４記載の電子素子。 - 【請求項６】 電界を印加されることにより電子を放出
する冷陰極素子（３）として用いられる，請求項１，
２，３，４または５記載の電子素子。 - 【請求項７】 非晶質炭素膜よりなる主体部（３ａ）
と，その主体部（３ａ）を被覆し，且つｓｐ3 性の高い
非晶質炭素膜よりなる表面層（３ｂ）とを有することを
特徴とする電子素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17063799A JP4104248B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 電子素子の製造方法および電子素子 |
| US09/537,723 US6861790B1 (en) | 1999-03-31 | 2000-03-30 | Electronic element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17063799A JP4104248B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | 電子素子の製造方法および電子素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001006523A true JP2001006523A (ja) | 2001-01-12 |
| JP4104248B2 JP4104248B2 (ja) | 2008-06-18 |
Family
ID=15908577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17063799A Expired - Fee Related JP4104248B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-06-17 | 電子素子の製造方法および電子素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4104248B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003107377A1 (en) | 2002-06-13 | 2003-12-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting device and manufacturing method thereof |
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1999
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