JP2001006132A - 磁気読取りヘッド、磁気ヘッド・アセンブリおよび磁気ディスク・ドライブ - Google Patents

磁気読取りヘッド、磁気ヘッド・アセンブリおよび磁気ディスク・ドライブ

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スピン・バルブ・センサの磁気抵抗係数（ｄ
ｒ／Ｒ）を改善すること。 【解決手段】 磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を増大させる
ために、第１の読取りギャップ層２１６とスピン・バル
ブ・センサ３００の間で二層シード層構造を利用する。
ボトム・スピン・バルブ・センサでは、二層シード層構
造は、第１の読取りギャップ層２１６とピニング層２１
４の間に位置し、トップ・スピン・バルブ・センサで
は、二層シード層構造は、第１の読取りギャップ層２１
６と自由層２０２の間に位置する。ピニング層２１４は
イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であることが好まし
い。二層シード層構造は、金属酸化物である第１のシー
ド層３０４、および非磁性金属である第２のシード層３
０６を含む。好ましい実施形態では、第１のシード層は
酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）、第２のシード層
は銅（Ｃｕ）となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スピン・バルブ・
センサ（spin valve sensor）用のシード層構造に関
し、さらに詳細には、その微細構造を改良することによ
ってスピン・バルブ・センサの磁気抵抗係数を増大させ
る二層シード層構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの心臓部は、磁気ディスク
・ドライブと呼ばれるアセンブリである。磁気ディスク
・ドライブは、回転する磁気ディスクと、書込みおよび
読取りヘッドを有するスライダと、回転するディスクの
上でスライダを支持するサスペンション・アームと、サ
スペンション・アームを揺動させて、回転するディスク
上の選択した円形トラックの上に読取りおよび書込みヘ
ッドを配置するアクチュエータとを含む。ディスクが回
転していないときには、サスペンション・アームがスラ
イダを偏位させてディスク表面と接触させるが、ディス
クが回転しているときには、回転するディスクによって
スライダの空気軸受（ベアリング）表面（ＡＢＳ）の近
傍で空気が渦を巻き、これにより、スライダは回転する
ディスクの表面からわずかに距離をあけて空気軸受の上
に載る。スライダが空気軸受上に載っているときに、書
込みおよび読取りヘッドを利用して、回転するディスク
に磁気的インプレッション（magnetic impression）を
書き込み、またそこから磁気的インプレッションを読み
取る。読取りおよび書込みヘッドは、書込み機能および
読取り機能を実施するようにコンピュータ・プログラム
に従って動作する処理回路に接続される。
【０００３】読取りヘッドは、非磁性かつ電気絶縁性の
第１および第２の読取りギャップ層の間に位置するセン
サを含み、この第１および第２の読取りギャップ層は、
強磁性の第１および第２の遮蔽層の間に位置する。書込
みヘッドは、第１、第２、および第３の絶縁層（絶縁ス
タック）中に埋め込まれたコイル層を含み、この絶縁ス
タックは、第１および第２の磁極片層の間に挟まれる。
書込みヘッドの空気軸受表面（ＡＢＳ）にある非磁性ギ
ャップ層によって、第１および第２の磁極片層の間にギ
ャップが形成される。これらの磁極片層は、バック・ギ
ャップで接続される。コイル層に流れる電流は磁極片中
に磁場を誘導し、この磁場はＡＢＳで磁極片間のギャッ
プを横切ってその周囲を取り巻く。この周囲（fringe）
磁場またはその欠如によって、回転するディスク上の円
形トラックなど、動いている媒体上のトラックに情報が
書き込まれる。
【０００４】最近の読取りヘッドでは、スピン・バルブ
・センサを利用して、回転する磁気ディスクから磁場を
感知する。このセンサは、以下ピンド層（pinned laye
r）と呼ぶ第１および第２の強磁性層と自由層の間に挟
まれた、以下スペーサ層と呼ぶ非磁性の導電層を含む。
第１および第２のリードがスピン・バルブ・センサに接
続され、そこにセンス電流を流す。ピンド層の磁化は、
ヘッドの空気軸受表面（ＡＢＳ）に対して垂直にピニン
グされ、自由層の磁気モーメントは、ＡＢＳと平行に位
置するが、外部磁場に応答して自由に回転する。ピンド
層の磁化は、通常は反強磁性層との交換結合（exchange
coupling）によってピニングされる。
【０００５】スペーサ層の厚さは、センス電流の分路、
ならびに自由層とピンド層の間の磁気的結合が最小限と
なるように選択される。この厚さは、センサを通過する
伝導電子の平均自由行程未満である。この配列では、伝
導電子の一部分がスペーサ層とピンド層および自由層と
の界面で散乱される。ピンド層および自由層の磁化が互
いに平行であるときに、散乱は最小限となり、ピンド層
および自由層の磁化が逆平行であるときに、散乱は最大
限となる。散乱の変化により、スピン・バルブ・センサ
の抵抗がｃｏｓθに比例して変動する。ここでθはピン
ド層の磁化と自由層の磁化の間の角度である。読取りモ
ードでは、スピン・バルブ・センサの抵抗は、回転する
ディスクからの磁場の大きさに比例して変化する。セン
ス電流がスピン・バルブ・センサ中を流れるときには、
抵抗の変化によって電位の変化が引き起こされ、これが
検出され、処理回路で再生信号として処理される。
【０００６】スピン・バルブ・センサは、異方性磁気抵
抗（ＡＭＲ）センサのＭＲ係数より大幅に高い磁気抵抗
（ＭＲ）係数を特徴とする。ＭＲ係数はｄｒ／Ｒとな
る。ここで、ｄｒはスピン・バルブ・センサの抵抗の変
化、Ｒは変化する前のスピン・バルブ・センサの抵抗で
ある。スピン・バルブ・センサは、巨大磁気抵抗（ＧＭ
Ｒ）センサと呼ばれることもある。スピン・バルブ・セ
ンサは、単一のピンド層を利用しているときには、単純
スピン・バルブと呼ばれる。
【０００７】もう１つのタイプのスピン・バルブ・セン
サは、逆平行（ＡＰ）スピン・バルブ・センサである。
ＡＰピンド・スピン・バルブ・センサは、ＡＰピンド構
造が単一のピンド層ではなく複数の薄膜層を有する点
で、単純スピン・バルブ・センサと異なる。ＡＰピンド
構造は、第１および第２の強磁性ピンド層の間に挟まれ
たＡＰ結合層を有する。第１のピンド層の磁気モーメン
トは、反強磁性ピニング層との交換結合によって第１の
方向に配向される。第２のピンド層は自由層のすぐ隣に
あり、第１および第２のピンド層の間のＡＰ結合膜の厚
さが最低限（８Å程度）であるので、第１のピンド層と
逆平行交換結合される。したがって、第２のピンド層の
磁気モーメントは、第１のピンド層の磁気モーメントの
方向と逆平行な第２の方向に配向される。
【０００８】ＡＰピンド構造の第１および第２のピンド
層の磁気モーメントは互いに弱め合うかたちで結合し、
単一のピンド層の磁気モーメントより小さな正味の磁気
モーメントをもたらすので、ＡＰピンド構造は単一のピ
ンド層より好ましい。正味のモーメントの方向は、第１
および第２のピンド層の厚い方によって決定される。減
少した正味の磁気モーメントは、ＡＰピンド構造からの
減少した減磁（demag）場に等しい。反強磁性交換結合
は正味のピニング・モーメントに反比例するので、これ
により第１のピンド層とピニング層の間の交換結合は強
くなる。ＡＰピンド・スピン・バルブ・センサは、米国
特許第５４６５１８５号明細書に記載されている。
【０００９】ボトム（bottom）スピン・バルブ・センサ
では、ピニング層は、スピン・バルブ・センサの底部に
位置する。ピニング層の上に構築されたスピン・バルブ
・センサの諸層には、ピニング層によってその磁気モー
メントがピニングされたピンド層構造、スペーサ層、お
よび信号磁場に応答して自由に回転する磁気モーメント
を有する自由層が含まれる。ボトム・スピン・バルブの
ピニング層に利用される代表的な材料は、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）である。第１のクラスの材料の別の材料は、
アルファ酸化第二鉄（αＦｅ2Ｏ3）である。
【００１０】ボトム・スピン・バルブのピニング層に利
用することができる第２のクラスの材料には、金属であ
るイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）、ニッケルマンガン
（ＮｉＭｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、および鉄マ
ンガン（ＦｅＭｎ）が含まれる。第２のクラスの材料の
利点は、ピニング層をより薄くすることができる点であ
る。第１のクラスの材料である酸化ニッケル（ＮｉＯ）
ピニング層の通常の厚さは４２５Åであるが、第２のク
ラスの材料であるイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）ピニ
ング層の通常の厚さは８０Åである。これには３４５Å
の差がある。ヘッドの線密度を高めるために、読取りギ
ャップ（第１の遮蔽層と第２の遮蔽層の間の間隔）は可
能な限り薄く保つことが望ましいので、イリジウムマン
ガン（ＩｒＭｎ）はピニング層として使用するのに非常
に望ましい。しかし、第２のクラスの材料の欠点の１つ
は、第２のクラスの材料の１つで作成した底部ピニング
層を利用した読取りヘッドの磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）
が、第１のクラスの材料の１つから作成したピニング層
を有する読取りヘッドより低い点である。例えば、酸化
ニッケル（ＮｉＯ）で作成したピニング層を利用した逆
平行ピンド・スピン・バルブ・センサでは、磁気抵抗係
数は約７％であり、イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）か
ら作成したピニング層を利用した逆平行ピンド・スピン
・バルブ・センサは、約４．５％の磁気抵抗係数（ｄｒ
／Ｒ）を有する。どちらの場合も、ピニング層は酸化ア
ルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の第１の読取りギャップ層と境
を接する。単純スピン・バルブ・センサでは、単一のイ
リジウムマンガン（ＩｒＭｎ）ピニング層が酸化アルミ
ニウム（Ａｌ2Ｏ3）の第１の読取りギャップ層の上に直
接載り、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は約４．０％であ
る。イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）は、第１のクラス
の材料より厚さが薄いという利点を有するが、ピニング
層として利用したときに磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）が低
下するという重大な欠点を有する。磁気抵抗係数（ｄｒ
／Ｒ）が低いときには、読取り信号の強度が低く、これ
は磁気ディスク・ドライブの記憶容量の低下を意味す
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一目的は、イ
リジウムマンガン（ＩｒＭｎ）、ニッケルマンガン（Ｎ
ｉＭｎ）、および白金マンガン（ＰｔＭｎ）を含むクラ
スの材料からピニング層を作成する際に、スピン・バル
ブ・センサの磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を改善すること
である。
【００１２】別の目的は、改善された読取りギャップ、
改善された熱安定性、および改善された磁気抵抗係数
（ｄｒ／Ｒ）を有するスピン・バルブ・センサを備えた
読取りヘッドを提供することである。
【００１３】さらに別の目的は、スピン・バルブ・セン
サの磁気抵抗係数を改善する、イリジウムマンガン（Ｉ
ｒＭｎ）のピニング層用のシード層構造を提供すること
である。
【００１４】
【課題を解決するための手段】発明者は、イリジウムマ
ンガン（ＩｒＭｎ）のピニング層と酸化アルミニウムの
第１の読取りギャップ層の間で二層シード層構造を利用
することより、二層シード層構造を省略したときの前述
の４．５％に対して、逆平行ピンド・ボトム・スピン・
バルブ・センサの磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）が８．２４
％となることを発見した。二層シード層構造は、金属酸
化物で作成した第１のシード層、および金属で作成した
第２のシード層を含む。第１のシード層は酸化アルミニ
ウム（Ａｌ2Ｏ3）の第１の読取りギャップ層と境を接
し、第２のシード層は第１のシード層とピニング層の間
に位置する。金属酸化物は、酸化ニッケルマンガン（Ｎ
ｉＭｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、または酸化ニッ
ケル鉄クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）とすることができ、好
ましい金属酸化物は酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎ
Ｏ）である。金属層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム銅
（ＡｌＣｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）、または金銅（Ａ
ｕＣｕ）などの金の合金とすることができ、第２のシー
ド層として好ましい材料は銅（Ｃｕ）である。二層シー
ド層は、逆平行ピンド・スピン・バルブ構造で利用する
ことも、単純スピン・バルブ構造で利用することもでき
る。
【００１５】発明者は、この二層シード層構造を利用す
ることによって、トップ（top）スピン・バルブ・セン
サの磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）も高めることができるこ
とを発見した。トップ・スピン・バルブ・センサでは、
スピン・バルブ・センサの各層の順序が逆転し、ピニン
グ層がスピン・バルブ・センサの頂部にあり、自由層が
スピン・バルブ・センサの底部にある。この二層シード
層構造を用いない場合には、トップ・スピン・バルブ・
センサの磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は約６．０％である
ことが分かった。この二層シード層構造を用いた場合に
は、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は８．０％まで上昇し
た。
【００１６】
【発明の実施の形態】磁気ディスク・ドライブ 次に、図面を参照すると、複数の図面を通じて同じ参照
番号が同じまたは同様の部分を指すが、図１〜図３に
は、磁気ディスク・ドライブ３０が示してある。ドライ
ブ３０は、磁気ディスク３４を支持して回転させるスピ
ンドル３２を含む。スピンドル３２は、モータ制御装置
３８によって制御されたモータ３６が回転させる。結合
された読取りおよび書込み磁気ヘッド４０を備えたスラ
イダ４２は、サスペンション４４およびアクチュエータ
・アーム４６によって支持される。大容量の直接アクセ
ス記憶装置（ＤＡＳＤ）では、図３に示すように、複数
のディスク、スライダ、およびサスペンションを利用す
ることができる。サスペンション４４およびアクチュエ
ータ・アーム４６は、磁気ヘッド４０が磁気ディスク３
４の表面と変換関係（transducing relationship）とな
るようにスライダ４２を位置決めする。モータ３６によ
ってディスク３４が回転すると、スライダは、ディスク
３４の表面と空気軸受表面（ＡＢＳ）４８の間の薄い
（通常は０．０５μｍ）空気クッション（空気軸受）上
で支持される。このときに、磁気ヘッド４０を利用し
て、ディスク３４の表面上の複数の円形トラックに情報
を書き込み、またそこから情報を読み取ることができ
る。処理回路５０は、この情報を表す信号をヘッド４０
と交換し、モータ駆動信号を提供して磁気ディスク３４
を回転させ、制御信号を提供して様々なトラックまでス
ライダを移動させる。図４に、スライダ４２をサスペン
ション４４に取り付けた状態で示す。上述の構成部品
は、図３に示すように、ハウジングのフレーム５４上に
取り付けることができる。
【００１７】図５は、スライダ４２および磁気ヘッド４
０のＡＢＳ図である。スライダは、磁気ヘッド４０を支
持する中央レール５６と、サイド・レール５８および６
０とを有する。レール５６、５８、および６０は、クロ
ス・レール６２から延びる。磁気ディスク３４の回転に
対して、クロス・レール６２がスライダの前縁６４とな
り、磁気ヘッド４０がスライダの後縁６６となる。
【００１８】図６は、書込みヘッド部分７０と、本発明
のスピン・バルブ・センサ７４を利用した読取りヘッド
部分７２とを含む、ピギーバック磁気ヘッド４０の側面
断面図である。図８は、図６のＡＢＳ図である。スピン
・バルブ・センサ７４は、非磁性かつ電気絶縁性の第１
および第２の読取りギャップ層７６と７８の間に挟ま
れ、これらの読取りギャップ層は、強磁性の第１および
第２の遮蔽層８０と８２の間に挟まれる。外部磁場に応
答して、スピン・バルブ・センサ７４の抵抗は変化す
る。センサを流れるセンス電流Ｉsによって、これらの
抵抗の変化は、電位の変化として現れる。次いで、これ
らの電位の変化は、図３に示す処理回路５０によってリ
ードバック信号として処理される。
【００１９】磁気ヘッド４０の書込みヘッド部分７０
は、第１および第２の絶縁層８６と８８の間に挟まれた
コイル層８４を含む。第３の絶縁層９０を利用して、ヘ
ッドを平坦化し、コイル層８４によって引き起こされる
第２の絶縁層中のリプルを解消することができる。第
１、第２、および第３の絶縁層は、当技術分野では「絶
縁スタック」と呼ばれる。コイル層８４、ならびに第
１、第２、および第３の絶縁層８６、８８、および９０
は、第１および第２の磁極片層９２と９４の間に挟まれ
る。第１および第２の磁極片層９２および９４は、バッ
ク・ギャップ９６で磁気的に結合され、ＡＢＳで書込み
ギャップ層１０２によって分離された第１および第２の
磁極端９８および１００を有する。絶縁層１０３は、第
２の遮蔽層８２と第１の磁極片層９２の間に位置する。
第２の遮蔽層８２と第１の磁極片層９２が別個の層であ
るので、このヘッドはピギーバック・ヘッドと呼ばれ
る。図２および図４に示すように、第１および第２のは
んだ接続１０４および１０６は、スピン・バルブ・セン
サ７４からのリードをサスペンション４４上のリード１
１２および１１４に接続し、第３および第４のはんだ接
続１１６および１１８は、コイル８４（図８参照）から
のリード１２０および１２２を、サスペンション上のリ
ード１２４および１２６に接続する。
【００２０】図７および図９は、第２の遮蔽層８２と第
１の磁極片層９２が共通の層であることを除けば、図６
および図８と同様の図である。このタイプのヘッドは、
マージ式（merged）磁気ヘッドと呼ばれる。図６および
図８のピギーバック・ヘッドの絶縁層１０３は省略され
る。
【００２１】図１１は、図６または図８に示す読取りヘ
ッド７２の等角ＡＢＳ図である。読取りヘッド７２は、
反強磁性（ＡＦＭ）のピニング層１３２上に位置する本
発明のスピン・バルブ・センサ１３０を含む。後述する
スピン・バルブ・センサ１３０中の強磁性のピンド層
は、ピニング層１３２の磁気スピンによってピニングさ
れた磁気モーメントを有する。第１および第２のハード
・バイアス（hard bias）／リード層１３４および１３
６が、スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁
部１３８および１４０に接続される。この接続は、当技
術分野では連続接合（contiguous junction）と呼ば
れ、米国特許第５０１８０３７号明細書に完全に記載さ
れている。第１のハード・バイアス／リード層１３４
は、第１のハード・バイアス層１４０および第１のリー
ド層１４２を含み、第２のハード・バイアス／リード層
１３６は、第１のハード・バイアス層１４４および第２
のリード層１４６を含む。ハード・バイアス層１４０お
よび１４４は、スピン・バルブ・センサ１３０を通して
縦方向に磁場を拡大させ、その中の強磁性自由層の磁区
を安定させる。ＡＦＭピニング層１３２と、スピン・バ
ルブ・センサ１３０と、第１および第２のハード・バイ
アス／リード層１３４および１３６は、非磁性かつ電気
絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層１４８と１
５０の間に位置する。第１および第２の読取りギャップ
層１４８および１５０は、強磁性の第１および第２の遮
蔽層１５２と１５４の間に位置する。本発明は、スピン
・バルブ・センサの下に、その磁気抵抗係数（ｄｒ／
Ｒ）を改善するためのシード層構造を設けるものであ
る。
【００２２】以下の４つの例では、スピン・バルブ・セ
ンサの下にある様々な層、およびスピン・バルブ・セン
サの各層は、スパッタリング・チャンバ中でイオン・ビ
ーム・スパッタリングで堆積させたものである。様々な
ターゲットを、低圧のキセノン（Ｘｅ）雰囲気中でイオ
ン・ビーム銃から発出したキセノン（Ｘｅ）イオンでス
パッタリングした。ターゲットからスパッタリングされ
た材料は、基板上に堆積し、層を形成する。スピン・バ
ルブ・センサが完成した後で、このスピン・バルブ・セ
ンサを、所定の期間、磁場の存在下で所定温度でリセッ
トした。例１および例２の逆平行のピンド・スピン・バ
ルブ・センサでは、１００００Ｏｅの磁場の存在下で１
０分間、温度を２３０℃にした。例３〜６の単純スピン
・バルブ・センサでは、５００Ｏｅの磁場の存在下で２
時間、２３０℃の温度でリセットを行った。それぞれの
例で、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）ならびに強磁性結合磁
場（ferromagnetic coupling field）（ＨF）を測定し
た。磁気抵抗（ｄｒ）の変化は、ピニング層と自由層の
磁気モーメントが平行であるときの磁気抵抗と、ピニン
グ層と自由層の磁気モーメントが逆平行であるときのス
ピン・バルブ・センサの磁気抵抗の差である。この値
を、ピニング層と自由層の磁気モーメントが平行である
ときのスピン・バルブ・センサの抵抗（Ｒ）で割る。前
述の強磁性結合磁場（ＨF）は、ピンド層の磁気モーメ
ントによってピンド層から自由層に及ぼされる磁場であ
る。この磁場はセンサのバイアス点に影響を及ぼすの
で、１０Ｏｅなど比較的小さく保たなければならない。
ここで、バイアス点は、信号磁場がない状態でセンス電
流Ｉsをセンサに流したときの、スピン・バルブ・セン
サの伝達曲線（transfer curve）上の点である。バイア
ス点は、伝達曲線の中間に位置しなければならず、中間
位置から偏位している場合には、読取りセンサは読取り
信号の非対称性を有する。読取り信号の非対称性は、読
取り信号の減少および記憶能力の低下を意味する。この
伝達曲線は、印加される磁場の変化に対する磁気抵抗の
変化（ｄｒ）をプロットしたものである。
【００２３】例１ 逆平行（ＡＰ）ピンド・スピン・バルブ・センサ２００
の第１の例を図１２に示す。スピン・バルブ・センサ２
００は、回転する磁気ディスクのトラックからの信号磁
場に応答して第１の方向から自由に回転することができ
る磁気モーメント２０４を有する強磁性自由層２０２を
含む。磁気モーメント２０４は、通常は、図１２の２０
４に示すようにＡＢＳと平行に配向される。スピン・バ
ルブ・センサは、第２の方向に配向された磁気モーメン
ト２０８を有する強磁性ピンド層構造２０６も含む。第
２の方向は、通常はＡＢＳに対して垂直であり、ＡＢＳ
から遠ざかるように、またはＡＢＳに近づくように向け
ることができる。磁気モーメント２０４は回転する磁気
ディスクからの信号磁場に応答して自由に回転するが、
磁気モーメント２０８はピニングされており、自由に回
転することはできない。磁気モーメント２０４が信号磁
場によって上向きに（紙面の奥に向かって）回転する
と、磁気モーメント２０４と２０８はより逆平行に近く
なり、これによりスピン・バルブ・センサの抵抗が大き
くなる。磁気モーメント２０４が下向きに、すなわち紙
面から手前に向かって回転すると、磁気モーメント２０
４と２０８はより平行に近くなり、抵抗が小さくなる。
センス電流Ｉs２１０がセンサに流れると、抵抗の変化
によってセンス電流回路の電位が変化し、この変化を図
３の処理回路５０で処理して、読取り信号を生成する。
【００２４】非磁性かつ導電性のスペーサ層２１２は、
自由層２０２とピンド層構造２０６の間に位置する。反
強磁性（ＡＦＭ）ピニング層２１４は、ピンド層構造２
０６と境を接し、それと交換結合され、磁気モーメント
２０８をＡＢＳに対して垂直にピニングする。ピニング
層２１４は、通常は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）であ
る第１の読取りギャップ層（Ｇ１）上に位置することが
できる。好ましいピンド（pinned）層構造は、図１２に
示す逆平行（ＡＰ）ピンド層である。ＡＰピンド層構造
は、逆平行結合（ＡＰＣ）層２２２によって分離され
た、第１の逆平行（ＡＰ１）層２１８および第２の逆平
行（ＡＰ２）層２２０を含む。ピニング層２１４と第１
の逆平行ピンド層２１８の間の交換結合により、第１の
逆平行ピンド層２１８の磁気モーメント２２４は、図１
２に示すように、ＡＢＳに対して垂直に、またＡＢＳか
ら遠ざかるようにピニングされる。層２１８と２２０の
間に逆平行結合があるので、逆平行ピンド層２２０の磁
気モーメント２０８は、第１の逆平行ピンド層２１８の
磁気モーメント２２４に対して逆平行となる。
【００２５】この例では、ピニング層は８０Åのイリジ
ウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、第１の逆平行ピンド
層２１８は３０Åのコバルト鉄（ＣｏＦｅ）であり、逆
平行結合層２２２は８オングストロームのルテニウム
（Ｒｕ）であり、第２の逆平行結合層２２０は２７Åの
コバルト鉄（ＣｏＦｅ）であり、スペーサ層２１２は２
２Åの銅（Ｃｕ）であり、自由層２０２は４５Åのニッ
ケル鉄（ＮｉＦｅ）および１５Åのコバルト鉄（ＣｏＦ
ｅ）である。キャップ層２２６は、自由層を保護するた
めの、自由層２０２上の５０Åのタンタル（Ｔａ）であ
る。スピン・バルブ・センサ２００をリセットした後
で、上述のように、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は４．５
％であり、強磁性結合磁場（ＨF）は９Ｏｅであった。
イリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）のピニング層２１４は
読取りギャップおよび熱安定性の改善を促進するが、磁
気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は比較的低い。イリジウムマン
ガン（ＩｒＭｎ）のピニング層２１４と第１の読取りギ
ャップ層２１６の間でタンタル（Ｔａ）のシード層を利
用したときには、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は３％から
５％の間となった。本発明の目的は、この磁気抵抗係数
（ｄｒ／Ｒ）を改善することである
【００２６】例２（本発明の第１の実施形態） 図１３のスピン・バルブ・センサ３００は、本発明の第
１の実施形態である。スピン・バルブ・センサ３００
は、第１の読取りギャップ層２１６とピニング層２１４
の間にシード層（ＳＬ）構造３０２が位置することを除
けば、図１２のスピン・バルブ・センサ２００と同じで
ある。シード層構造３０２は、金属酸化物を含む第１の
シード層（ＳＬ１）３０４、および非磁性金属を含む第
２のシード層（ＳＬ２）３０６を有する。第１のシード
層３０４は、第１の読取りギャップ層２１６の上に位置
し、これと境を接し、第２のシード層３０６は、第１の
シード層３０４およびピニング層２１４と境を接し、こ
れらの間に位置する。この例では、第１のシード層３０
４は４０Åの酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）であ
り、第２のシード層３０６は１０Åの銅（Ｃｕ）であ
る。
【００２７】ピニング層２１４をリセットした後で、上
記で論じたように、スピン・バルブ・センサ３００の磁
気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は８．２４％であり、強磁性結
合磁場（ＨF）は６Ｏｅであった。図１３のスピン・バ
ルブ・センサ３００の磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は、図
１２のスピン・バルブ・センサ２００の磁気抵抗係数
（ｄｒ／Ｒ）より大幅に改善されている。この改善は、
酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）の第１のシード層
３０４がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）のピニング層
２１４の望ましい微細構造を助長したこと、および第２
の銅（Ｃｕ）のシード層３１６によって、酸化ニッケル
マンガン（ＮｉＭｎＯ）の第１のシード層３０４の酸素
がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）と混合することが防
止されたこと（この混合はピニングの特性を劣化させる
ことになる）によるものと考えられる。したがって、酸
化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）のテクスチャは銅
（Ｃｕ）に移植され、銅はこの望ましいテクスチャをイ
リジウムマンガン（ＩｒＭｎ）に移植する。ただし、途
中で、銅（Ｃｕ）が、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎ
Ｏ）中の酸素がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）と混合
し、反応することを防止する。酸化ニッケルマンガン
（ＮｉＭｎＯ）を酸化ニッケル（ＮｉＯ）で置き換えた
例でも、同じ結果が得られた。別の例（図示せず）で
は、第２のシード層３０６にルテニウム（Ｒｕ）を利用
した。その結果、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は５％から
６％の間となった。さらに別の例（図示せず）では、第
１の酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）のシード層３
０４を用いずに、銅（Ｃｕ）のシード層を利用したが、
これは非常に低い磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を与えた。
【００２８】例３ 図１４に示すスピン・バルブ・センサ４００は、ピンド
層構造が、この例では２４Åのコバルト鉄（ＣｏＦｅ）
である単一の強磁性ピンド層４０２であることを除け
ば、図１２に示すスピン・バルブ・センサ２００と同じ
である。ピンド層４０２の磁気モーメント４０４は、Ａ
ＢＳに対して垂直に、またＡＢＳに向かうように示して
ある。読取りセンサ４００の磁気抵抗（ｄｒ）を決定す
るのは、磁気モーメント２０４と４０４の間の相対的な
回転である。この例では、ピニング層２１４と第１の読
取りギャップ層２１６の間にシード層はない。
【００２９】ピニング層２１４をリセットした後で、上
記で論じたように、磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）は４．０
％であり、強磁性結合磁場（ＨF）は８Ｏｅであった。
本発明の目的は、この磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を改善
することである。
【００３０】例４（本発明の第２の実施形態） 図１５のスピン・バルブ・センサ５００は、本発明の第
２の実施形態である。このスピン・バルブ・センサは、
第１の読取りギャップ層２１６とピニング層２１４の間
でシード層構造５０２を利用していることを除けば、図
１４のスピン・バルブ・センサ４００と同じである。シ
ード層構造５０２は、金属酸化物の第１のシード層（Ｓ
Ｌ１）５０４を含み、第２のシード層（ＳＬ２）５０６
は非磁性金属である。このセンサでは、第１のシード層
５０４は４０Åの酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）
であり、第２のシード層は１０Åの銅（Ｃｕ）である。
第１のシード層５０４は第１の読取りギャップ層２１６
と境を接し、その上に位置し、第２のシード層５０６
は、第１のシード層５０４とピニング層２１４の間に位
置し、そのそれぞれと境を接する。
【００３１】スピン・バルブ・センサ５００をリセット
した後で、上記で論じたように、磁気抵抗係数（ｄｒ／
Ｒ）は５．６％であり、強磁性結合磁場（ＨF）は０．
１Ｏｅであった。本発明のこの実施形態の磁気抵抗係数
（ｄｒ／Ｒ）は、図１４の例４００の磁気抵抗係数（ｄ
ｒ／Ｒ）より大幅に高い。
【００３２】例５（本発明の第３の実施形態） 図１６のスピン・バルブ・センサ６００は、本発明の第
３の実施形態である。スピン・バルブ・センサ６００
は、強磁性ピンド層構造（Ｐ）６０４と強磁性自由層
（Ｆ）構造６０６の間に非磁性かつ導電性のスペーサ層
（Ｓ）６０２が位置する、トップ・スピン・バルブ・セ
ンサである。自由層構造は、４５Åのニッケル鉄（Ｎｉ
Ｆｅ）および１５Åのコバルト鉄（ＣｏＦｅ）を含む。
ピンド層構造６０４は、図１６に示す単一の強磁性層に
することも、図１３の２０６に示す逆平行（ＡＰ）ピン
ド層構造にすることもできる。反強磁性（ＡＦＭ）ピニ
ング層６１０は、ピンド層構造６０４に交換結合され、
キャップ層６１２は、ピニング層６１０上に、それを保
護するために位置する。この例では、スペーサ層６０２
は２２Åの銅（Ｃｕ）であり、ピンド層構造６０４は２
４Åのコバルト鉄（ＣｏＦｅ）であり、ピニング層６１
０は８０Åのイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）であり、
キャップ層６１２は５０Åのタンタル（Ｔａ）である。
【００３３】第１のシード層（ＳＬ１）６１６および第
２のシード層（ＳＬ２）６１８を有する二層シード層構
造６１４はスピン・バルブ・センサの底部に位置し、第
１のシード層６１６は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の
第１のギャップ層（Ｇ１）６１８上にあり、第２のシー
ド層６１８は第１のシード層６１６と自由層６０６の間
に位置する。二層シード層構造６１４を用いない場合に
は、図１６に示すスピン・バルブ・センサ６００は、
６．０％の磁気抵抗係数（ｄｒ／Ｒ）を有する。図１６
に示すように二層シード層構造６１４を用いた場合に
は、このスピン・バルブ・センサの磁気抵抗係数（ｄｒ
／Ｒ）は８．０％である。トップ・スピン・バルブ中の
二層シード層構造６１４は、図１３および図１５に示す
ボトム・スピン・バルブ中の二層シード層構造と同様に
機能すると考えられる。酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭ
ｎＯ）の第１のシード層６１６は、その上に堆積したス
ピン・バルブ・センサの層に望ましいテクスチャを提供
し、銅（Ｃｕ）の第２のシード層６１８は、第１のシー
ド層６１６中の酸素がその上の層と混合することを防止
する。このテクスチャが確立された後で、自由層６０６
ならびにその上のスピン・バルブ・センサの各層は、ピ
ニング層６１０まで、この望ましいテクスチャを複製す
るものと考えられる。
【００３４】観察 好ましいボトム・スピン・バルブ・センサは、逆平行
（ＡＰ）ピンド・タイプのスピン・バルブ・センサであ
る図１３に示す実施形態３００である。第１の逆平行層
２１８とピニング層２１４の間の交換結合磁場は、図１
５の単層ピンド層４０２とピニング層２１４の間の交換
結合磁場より大幅に大きい。交換結合磁場は、ｔをピン
ド層構造の有効厚さとすると、１／ｔに比例する。図１
３のピンド層構造２０６の有効磁気厚さは、第１および
第２の逆平行ピンド層２１８および２２０の厚さの差で
ある。図１５のピンド層４０２では有効磁気厚さが２４
Åであるのに対して、この差は３Åである。ピニング磁
場（ＨP）は、交換結合を有効磁気厚さで割ったものに
等しい。したがって、図１３のピニング層２１４と逆平
行ピンド層２１８の間のピニング磁場（ＨP）は、交換
結合磁場を３で割ったものであり、図１５のピニング層
２１４とピンド層４０２の間のピニング磁場（ＨP）
は、交換結合磁場を２４で割ったものである。したがっ
て、図１３に示すスピン・バルブ・センサ３００のピニ
ング磁場（ＨP）は、図１５に示すスピン・バルブ・セ
ンサ５００に比べて８倍増強されている。ただし、リセ
ットのために、逆平行ピンド層２１８および２２０の一
方の厚さがもう一方の逆平行ピンド層より厚いことが重
要である。図１３の逆平行ピンド層２１８および２２０
の厚さが逆になった場合でも、同等の交換結合磁場およ
びピニング磁場が得られる。
【００３５】好ましいトップ・スピン・バルブ・センサ
を、図１６の６００および図１７の７００に示す。上記
で述べたように、図１６および図１７のピンド層構造６
０４は、単一の強磁性層にすることも、図１３の２０６
に示す構造などの逆平行（ＡＰ）強磁性ピンド層構造に
することもできる。ＡＰピンド層構造は、ボトム・スピ
ン・バルブ・センサについて上述した利点と同じ利点を
有する。
【００３６】第１のシード層３０４の酸化ニッケルマン
ガン（ＮｉＭｎＯ）は、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化
インジウムマンガン（ＩｒＭｎＯ）、および酸化ニッケ
ル鉄クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）も含む金属酸化物のクラ
スからとったものである。好ましい金属酸化物は酸化ニ
ッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）である。第２のシード層
３０６は、銅（Ｃｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびその合金を含
むクラスからとった非磁性金属である。これらの非磁性
金属は、六方最密（ＨＣＰ）構造のルテニウム（Ｒｕ）
以外は、面心立方（ＦＣＣ）構造である。第２のシード
層３０６は、銅（Ｃｕ）であることが好ましい。第１お
よび第２のシード層３０４および３０６は、可能な限り
薄く保たれるものとする。銅（Ｃｕ）のシード層３０６
の厚さを修正して、自由層のバイアスを改善することが
できる。第１のシード層の好ましい厚さは４０Åであ
り、第２のシード層３０６の好ましい厚さは１０Åであ
る。ただし、本発明の広義の概念では、第１のシード層
の厚さは２０Å〜５００Åの範囲に及ぶことができ、第
２のシード層の厚さは５Å〜５０Åの範囲に及ぶことが
できる。第１の読取りギャップ（Ｇ１）は、完全に第１
のシード層からなることも、酸化アルミニウム（Ａｌ2
Ｏ3）の層を含むこともある。コバルト鉄（ＣｏＦｅ）
の層をコバルト（Ｃｏ）にすることもできること、およ
びコバルト（Ｃｏ）の層をコバルト鉄（ＣｏＦｅ）にす
ることもできることを理解されたい。
【００３７】本発明の趣旨を逸脱することなく、これら
の例の様々な層の磁気モーメントならびにセンス電流Ｉ
sの方向を逆にすることができることを理解されたい。
【００３８】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【００３９】（１）信号磁場に応答して第１の方向から
自由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、
磁気モーメントを有する強磁性ピンド層構造、自由層と
ピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電性のスペ
ーサ層、およびピンド層構造の磁気モーメントを第２の
方向にピニングするためにピンド層構造に交換結合され
た反強磁性ピニング層を含むスピン・バルブ・センサ
と、第１および第２のシード層を有する二層シード層構
造とを含む磁気読取りヘッドであって、第１のシード層
が金属酸化物であり、第２のシード層が非磁性金属であ
り、第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ
・センサの間に位置する、磁気読取りヘッド。 （２）第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭ
ｎＯ）であり、第２のシード層が銅（Ｃｕ）であり、ピ
ニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）である、上
記（１）に記載の磁気読取りヘッド。 （３）スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁
部に接続された、第１および第２のハード・バイアス／
リード層と、非磁性かつ非導電性の第１および第２の読
取りギャップ層と、強磁性の第１および第２の遮蔽層と
を含む磁気読取りヘッドであって、二層シード層構造
と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハー
ド・バイアス／リード層とが第１および第２の読取りギ
ャップ層の間に位置し、第１および第２の読取りギャッ
プ層が第１および第２の遮蔽層の間に位置する、上記
（１）に記載の磁気読取りヘッド。 （４）ピニング層が、イリジウムマンガン（ＩｒＭ
ｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、鉄マンガン（ＦｅＭ
ｎ）、およびニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）を含むグル
ープから選択される、上記（３）に記載の磁気読取りヘ
ッド。 （５）第１のシード層が、酸化ニッケルマンガン（Ｎｉ
ＭｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化ニッケル鉄ク
ロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）、および酸化イリジウムマンガ
ン（ＩｒＭｎＯ）を含むグループから選択される、上記
（４）に記載の磁気読取りヘッド。 （６）第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびそれらの合金
を含む面心立方構造の非磁性金属から選択される、上記
（５）に記載の磁気読取りヘッド。 （７）ピニング層が、第２のシード層とピンド層構造の
間に位置する、上記（６）に記載の磁気読取りヘッド。 （８）ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）で
ある、上記（７）に記載の磁気読取りヘッド。 （９）第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭ
ｎＯ）であり、４０Åの厚さを有する、上記（８）に記
載の磁気読取りヘッド。 （１０）第２のシード層が銅（Ｃｕ）である、上記
（９）に記載の磁気読取りヘッド。 （１１）自由層が第２のシード層とスペーサ層の間に位
置する、上記（６）に記載の磁気読取りヘッド。 （１２）ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）
である、上記（１１）に記載の磁気読取りヘッド。 （１３）酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）である第
１のシード層と、銅（Ｃｕ）である第２のシード層とを
含む、上記（１２）に記載の磁気読取りヘッド。 （１４）読取りヘッドおよび書込みヘッドを有する磁気
ヘッド・アセンブリであって、前記書込みヘッドが、第
１および第２の磁極片層と、第１および第２の磁極片層
の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャップ層
と、第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置
する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれ
た絶縁スタックとを含み、第１および第２の磁極片層
が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置する
ヨーク部分をそれぞれ有し、第１および第２の磁極片層
がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、前記読取
りヘッドが、信号磁場に応答して第１の方向から自由に
回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、磁気モ
ーメントを有する強磁性ピンド層、自由層とピンド層構
造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、およ
びピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピニン
グするための、ピンド層構造に交換結合された反強磁性
ピニング層を含むスピン・バルブ・センサと、第１およ
び第２のシード層を有する二層シード層構造であって、
第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が
非磁性金属であり、第２のシード層が第１のシード層と
スピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード層構
造とを有し、前記読取りヘッドがさらに、スピン・バル
ブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された第１
および第２のハード・バイアス／リード層と、非磁性か
つ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層と、
強磁性の第１の遮蔽層とを含み、二層シード層構造と、
スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハード・
バイアス／リード層とが、第１および第２の読取りギャ
ップ層の間に位置し、第１および第２の読取りギャップ
層が第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する、磁
気ヘッド・アセンブリ。 （１５）ピニング層が、イリジウムマンガン（ＩｒＭ
ｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、鉄マンガン（ＦｅＭ
ｎ）、およびニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）を含むグル
ープから選択される、上記（１４）に記載の磁気ヘッド
・アセンブリ。 （１６）第１のシード層が、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、
酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）、酸化ニッケル鉄
クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）、および酸化イリジウムマン
ガン（ＩｒＭｎＯ）を含むグループから選択される、上
記（１５）に記載の磁気ヘッド・アセンブリ。 （１７）第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびそれらの合金
を含む面心立方構造の非磁性金属から選択される、上記
（１６）に記載の磁気ヘッド・アセンブリ。 （１８）強磁性の第２の遮蔽層、および非磁性の分離層
をさらに含む読取りヘッドであって、分離層が第２の遮
蔽層と第１の磁極片層の間に位置する読取りヘッドを含
む、上記（１７）に記載の磁気ヘッド・アセンブリ。 （１９）ピニング層が、第２のシード層とピンド層構造
の間に位置する、上記（１７）に記載の磁気ヘッド・ア
センブリ。 （２０）ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）
である、上記（１９）に記載の磁気ヘッド・アセンブ
リ。 （２１）第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（Ｎｉ
ＭｎＯ）である、上記（２０）に記載の磁気ヘッド・ア
センブリ。 （２２）第２のシード層が銅（Ｃｕ）である、上記（２
１）に記載の磁気ヘッド・アセンブリ。 （２３）自由層が第２のシード層とスペーサ層の間に位
置する、上記（１７）に記載の磁気ヘッド・アセンブ
リ。 （２４）ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）
である、上記（２３）に記載の磁気ヘッド・アセンブ
リ。 （２５）第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（Ｎｉ
ＭｎＯ）であり、第２のシード層が銅（Ｃｕ）である、
上記（２４）に記載の磁気ヘッド・アセンブリ。 （２６）読取りヘッドおよび書込みヘッドを含む少なく
とも１つの磁気ヘッド・アセンブリを支持する空気軸受
表面（ＡＢＳ）を備えた少なくとも１つのスライダを有
する磁気ディスク・ドライブであって、前記書込みヘッ
ドが、第１および第２の磁極片層と、第１および第２の
磁極片層の磁極端部分の間に位置する非磁性書込みギャ
ップ層と、第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間
に位置する、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め
込まれた絶縁スタックとを含み、第１および第２の磁極
片層が、磁極端部分とバック・ギャップ部分の間に位置
するヨーク部分をそれぞれ有し、第１および第２の磁極
片層がそれらのバック・ギャップ部分で接続され、前記
読取りヘッドが、信号磁場に応答して第１の方向から自
由に回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、磁
気モーメントを有する強磁性ピンド層、自由層とピンド
層構造の間に位置する非磁性かつ導電性のスペーサ層、
およびピンド層構造の磁気モーメントを第２の方向にピ
ニングするための、ピンド層構造に交換結合された反強
磁性ピニング層を含むスピン・バルブ・センサと、第１
および第２のシード層を有する二層シード層構造であっ
て、第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード
層が非磁性金属であり、第２のシード層が第１のシード
層とスピン・バルブ・センサの間に位置する二層シード
層構造とを有し、前記読取りヘッドがさらに、スピン・
バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続された
第１および第２のハード・バイアス／リード層と、非磁
性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャップ層
と、強磁性の第１の遮蔽層とを含み、二層シード層構造
と、スピン・バルブ・センサと、第１および第２のハー
ド・バイアス／リード層とが、第１および第２の読取り
ギャップ層の間に位置し、第１および第２の読取りギャ
ップ層が、第１の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置す
る、ディスク・ドライブであり、さらに、ハウジング
と、ハウジング中で回転自在に支持された磁気ディスク
と、ハウジング中に取り付けられ、磁気ヘッド・アセン
ブリが磁気ディスクと変換関係となるようにＡＢＳを磁
気ディスクに向けた状態で磁気ヘッド・アセンブリを支
持するための支持体と、磁気ディスクを回転させる手段
と、支持体に接続され、磁気ヘッド・アセンブリを前記
磁気ディスクに対して複数の位置に移動させるための位
置決め手段と、磁気ヘッド・アセンブリ、磁気ディスク
を回転させる手段、および位置決め手段に接続された、
磁気ヘッド・アセンブリと信号を交換し、磁気ディスク
の回転を制御し、磁気ヘッド・アセンブリの位置を制御
するための処理手段とを含む磁気ディスク・ドライブ。 （２７）ピニング層が、イリジウムマンガン（ＩｒＭ
ｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、鉄マンガン（ＦｅＭ
ｎ）、およびニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）を含むグル
ープから選択される、上記（２６）に記載の磁気ディス
ク・ドライブ。 （２８）第１のシード層が、酸化ニッケルマンガン（Ｎ
ｉＭｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化ニッケル鉄
クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）、および酸化イリジウムマン
ガン（ＩｒＭｎＯ）を含むグループから選択される、上
記（２７）に記載の磁気ディスク・ドライブ。 （２９）第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびそれらの合金
を含む面心立方構造の非磁性金属から選択される、上記
（２８）に記載の磁気ディスク・ドライブ。 （３０）強磁性の第２の遮蔽層と、非磁性の分離層とを
さらに含む読取りヘッドを含み、分離層が第２の遮蔽層
と第１の磁極片層の間に位置する上記（２９）に記載の
磁気ディスク・ドライブ。 （３１）ピニング層が、第２のシード層とピンド層構造
の間に位置する、上記（２９）に記載の磁気ディスク・
ドライブ。 （３２）ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）
である、上記（３１）に記載の磁気ディスク・ドライ
ブ。 （３３）第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（Ｎｉ
ＭｎＯ）である、上記（３２）に記載の磁気ディスク・
ドライブ。 （３４）第２のシード層が銅（Ｃｕ）である、上記（３
３）に記載の磁気ディスク・ドライブ。 （３５）スピン・バルブ・センサを含む磁気読取りヘッ
ドを作成する方法であって、金属酸化物の第１のシード
層を形成するステップと、第１のシード層の上に、非磁
性金属の第２のシード層を形成するステップと、第２の
シード層が第１のシード層とスピン・バルブ・センサの
間に位置するように、第２のシード層の上に前記スピン
・バルブ・センサを形成するステップとを含む方法。 （３６）ピニング層が、イリジウムマンガン（ＩｒＭ
ｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、鉄マンガン（ＦｅＭ
ｎ）、およびニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）を含むグル
ープの１つから形成される、上記（３５）に記載の方
法。 （３７）第１のシード層が、酸化ニッケルマンガン（Ｎ
ｉＭｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化ニッケル鉄
クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）、および酸化イリジウムマン
ガン（ＩｒＭｎＯ）を含むグループの１つから形成され
る、上記（３６）に記載の方法。 （３８）第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびそれらの合金
を含む面心立方構造の非磁性金属から形成される、上記
（３７）に記載の方法。 （３９）ピニング層が、第２のシード層とピンド層構造
の間に形成される、上記（３８）に記載の方法。 （４０）ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）
で形成される、上記（３９）に記載の方法。 （４１）第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（Ｎｉ
ＭｎＯ）で形成される、上記（４０）に記載の方法。 （４２）第２のシード層が銅（Ｃｕ）で形成される、上
記（４１）に記載の方法。 （４３）自由層が第２のシード層とスペーサ層の間に位
置する、上記（３８）に記載の方法。 （４４）ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）
で形成される、上記（４３）に記載の方法。 （４５）第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（Ｎｉ
ＭｎＯ）で形成され、第２のシード層が銅（Ｃｕ）で形
成される、上記（４４）に記載の方法。 （４６）スピン・バルブ・センサを含む読取りヘッドお
よび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブリを作
成する方法であって、強磁性の第１の遮蔽層を形成し、
第１の遮蔽層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第１の読
取りギャップ層を形成し、第１の読取りギャップ層の上
に、金属酸化物の第１のシード層を形成し、第１のシー
ド層の上に、非磁性の金属の第２のシード層を形成し、
第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・セ
ンサの間に位置するようにして、第２のシード層の上に
前記スピン・バルブ・センサを形成することによって、
読取りヘッドを作成するステップと、第１および第２の
ハード・バイアス／リード層を、スピン・バルブ・セン
サの第１および第２の側縁部に接続するステップと、ス
ピン・バルブ・センサと第１および第２のハード・バイ
アス／リード層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第２の
読取りギャップ層を形成するステップと、第２の読取り
ギャップ層の上に、磁極端領域とバック・ギャップ領域
の間に位置するヨーク領域を有する強磁性の第１の磁極
片層を形成し、少なくとも１つのコイル層がその中に埋
め込まれた絶縁スタックを、第１の磁極片層上の磁極端
領域中に形成し、非磁性かつ電気絶縁性の書込みギャッ
プ層を、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成し、書
込みギャップ層および絶縁スタックの上に、バック・ギ
ャップ領域中で第１の磁極片層に接続された強磁性の第
２の磁極片層を形成することによって、書込みヘッドを
形成するステップとを含む方法。 （４７）ピニング層が、イリジウムマンガン（ＩｒＭ
ｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、鉄マンガン（ＦｅＭ
ｎ）、およびニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）を含むグル
ープの１つから形成される、上記（４６）に記載の方
法。 （４８）第１のシード層が、酸化ニッケルマンガン（Ｎ
ｉＭｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化ニッケル鉄
クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）、および酸化イリジウムマン
ガン（ＩｒＭｎＯ）を含むグループの１つから形成され
る、上記（４７）に記載の方法。 （４９）第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびそれらの合金
を含む面心立方構造の非磁性金属から形成される、上記
（４８）に記載の方法。 （５０）読取りヘッドを作成するステップが、第２の読
取りギャップ層の上に強磁性の第２の遮蔽層を形成する
ステップと、第２の遮蔽層と第１の磁極片層の間に分離
層が位置するように、第２の遮蔽層の上に非磁性の分離
層を形成するステップとをさらに含む、上記（４９）に
記載の方法。 （５１）ピニング層が、第２のシード層とピンド層構造
の間に形成される、上記（４９）に記載の方法。 （５２）ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）
で形成される、上記（５１）に記載の方法。 （５３）第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（Ｎｉ
ＭｎＯ）で形成される、上記（５２）に記載の方法。 （５４）第２のシード層が銅（Ｃｕ）で形成される、上
記（５３）に記載の方法。 （５５）自由層が第２のシード層とスペーサ層の間に位
置する、上記（４９）に記載の方法。 （５６）ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）
で形成される、上記（５５）に記載の方法。 （５７）第１のシード層が酸化ニッケルマンガン（Ｎｉ
ＭｎＯ）で形成され、第２のシード層が銅（Ｃｕ）で形
成される、上記（５６）に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】例示的な磁気ディスク・ドライブを示す平面図
である。
【図２】平面２−２から見たディスク・ドライブの磁気
ヘッドを備えたスライダを示す端面図である。
【図３】複数のディスクおよび磁気ヘッドを利用した磁
気ディスク・ドライブを示す正面図である。
【図４】スライダおよび磁気ヘッドを支持するための例
示的なサスペンション・システムを示す等角図である。
【図５】図２の平面５−５に沿ってとった磁気ヘッドの
ＡＢＳ図である。
【図６】図２の平面６−６から見たスライダおよびピギ
ーバック磁気ヘッドを示す部分図である。
【図７】図２の平面７−７から見たスライダおよびマー
ジ式磁気ヘッドを示す部分図である。
【図８】ピギーバック磁気ヘッドの読取りエレメントお
よび書込みエレメントを示す、図６の平面８−８に沿っ
てとったスライダの部分ＡＢＳ図である。
【図９】マージ式磁気ヘッドの読取りエレメントおよび
書込みエレメントを示す、図７の平面９−９に沿ってと
ったスライダの部分ＡＢＳ図である。
【図１０】コイルの上の全ての材料およびリードを取り
除いた、図６または図７の平面１０−１０に沿ってとっ
た図である。
【図１１】ＡＰピンド・スピン・バルブ（ＳＶ）センサ
を利用した読取りヘッドを示す等角ＡＢＳ図である。
【図１２】ピンド層構造がピニング層と境を接する、発
明者が研究するスピン・バルブの第１の例を示すＡＢＳ
図である。
【図１３】ピニング層と第１の読取りギャップ層との間
で二層シード層を利用した、本発明の一実施形態である
第２の例を示すＡＢＳ図である。
【図１４】単層ピンド層がピニング層と境を接する、発
明者が研究する第３の例を示すＡＢＳ図である。
【図１５】ピニング層と第１の読取りギャップ層との間
で二層シード層を利用した、本発明の第２の実施形態で
ある第４の例を示すＡＢＳ図である。
【図１６】第１のギャップ層とトップ・スピン・バルブ
・センサの自由層との間で二層シード層を利用した、本
発明の第３の実施形態である第５の例を示すＡＢＳ図で
ある。
【符号の説明】
２０２ 強磁性自由層 ２０４ 磁気モーメント ２０６ 強磁性ピンド層構造 ２０８ 磁気モーメント ２１０ センス電流 ２１２ スペーサ層 ２１４ ピニング層 ２１６ 第１の読取りギャップ層 ２１８ 第１の逆平行ピンド層 ２２０ 第２の逆平行ピンド層 ２２２ 逆平行結合層 ２２４ 磁気モーメント ２２６ キャップ層 ３００ スピン・バルブ・センサ ３０２ 二層シード層構造 ３０４ 第１のシード層 ３０６ 第２のシード層
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｚ

Claims (57)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】信号磁場に応答して第１の方向から自由に
    回転する磁気モーメントを有する強磁性自由層、 磁気モーメントを有する強磁性ピンド層構造、 自由層とピンド層構造の間に位置する、非磁性かつ導電
    性のスペーサ層、およびピンド層構造の磁気モーメント
    を第２の方向にピニングするためにピンド層構造に交換
    結合された反強磁性ピニング層を含むスピン・バルブ・
    センサと、 第１および第２のシード層を有する二層シード層構造と
    を含む磁気読取りヘッドであって、 第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が
    非磁性金属であり、 第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・セ
    ンサの間に位置する、磁気読取りヘッド。
  2. 【請求項２】第１のシード層が酸化ニッケルマンガン
    （ＮｉＭｎＯ）であり、第２のシード層が銅（Ｃｕ）で
    あり、ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭｎ）で
    ある、請求項１に記載の磁気読取りヘッド。
  3. 【請求項３】スピン・バルブ・センサの第１および第２
    の側縁部に接続された、第１および第２のハード・バイ
    アス／リード層と、 非磁性かつ非導電性の第１および第２の読取りギャップ
    層と、 強磁性の第１および第２の遮蔽層とを含む磁気読取りヘ
    ッドであって、 二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１
    および第２のハード・バイアス／リード層とが第１およ
    び第２の読取りギャップ層の間に位置し、 第１および第２の読取りギャップ層が第１および第２の
    遮蔽層の間に位置する、請求項１に記載の磁気読取りヘ
    ッド。
  4. 【請求項４】ピニング層が、イリジウムマンガン（Ｉｒ
    Ｍｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、鉄マンガン（Ｆｅ
    Ｍｎ）、およびニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）を含むグ
    ループから選択される、請求項３に記載の磁気読取りヘ
    ッド。
  5. 【請求項５】第１のシード層が、酸化ニッケルマンガン
    （ＮｉＭｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化ニッケ
    ル鉄クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）、および酸化イリジウム
    マンガン（ＩｒＭｎＯ）を含むグループから選択され
    る、請求項４に記載の磁気読取りヘッド。
  6. 【請求項６】第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）、ア
    ルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム
    （Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびそれらの
    合金を含む面心立方構造の非磁性金属から選択される、
    請求項５に記載の磁気読取りヘッド。
  7. 【請求項７】ピニング層が、第２のシード層とピンド層
    構造の間に位置する、請求項６に記載の磁気読取りヘッ
    ド。
  8. 【請求項８】ピニング層がイリジウムマンガン（ＩｒＭ
    ｎ）である、請求項７に記載の磁気読取りヘッド。
  9. 【請求項９】第１のシード層が酸化ニッケルマンガン
    （ＮｉＭｎＯ）であり、４０Åの厚さを有する、請求項
    ８に記載の磁気読取りヘッド。
  10. 【請求項１０】第２のシード層が銅（Ｃｕ）である、請
    求項９に記載の磁気読取りヘッド。
  11. 【請求項１１】自由層が第２のシード層とスペーサ層の
    間に位置する、請求項６に記載の磁気読取りヘッド。
  12. 【請求項１２】ピニング層がイリジウムマンガン（Ｉｒ
    Ｍｎ）である、請求項１１に記載の磁気読取りヘッド。
  13. 【請求項１３】酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）で
    ある第１のシード層と、 銅（Ｃｕ）である第２のシード層とを含む、請求項１２
    に記載の磁気読取りヘッド。
  14. 【請求項１４】読取りヘッドおよび書込みヘッドを有す
    る磁気ヘッド・アセンブリであって、 前記書込みヘッドが、 第１および第２の磁極片層と、 第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する
    非磁性書込みギャップ層と、 第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置す
    る、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた
    絶縁スタックとを含み、 第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギ
    ャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、 第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ
    部分で接続され、 前記読取りヘッドが、 信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気
    モーメントを有する強磁性自由層、 磁気モーメントを有する強磁性ピンド層、 自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性
    のスペーサ層、およびピンド層構造の磁気モーメントを
    第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換
    結合された反強磁性ピニング層を含むスピン・バルブ・
    センサと、 第１および第２のシード層を有する二層シード層構造で
    あって、 第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が
    非磁性金属であり、 第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・セ
    ンサの間に位置する二層シード層構造とを有し、 前記読取りヘッドがさらに、 スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接
    続された第１および第２のハード・バイアス／リード層
    と、 非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャッ
    プ層と、 強磁性の第１の遮蔽層とを含み、 二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１
    および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１お
    よび第２の読取りギャップ層の間に位置し、 第１および第２の読取りギャップ層が第１の遮蔽層と第
    １の磁極片層の間に位置する、磁気ヘッド・アセンブ
    リ。
  15. 【請求項１５】ピニング層が、イリジウムマンガン（Ｉ
    ｒＭｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、鉄マンガン（Ｆ
    ｅＭｎ）、およびニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）を含む
    グループから選択される、請求項１４に記載の磁気ヘッ
    ド・アセンブリ。
  16. 【請求項１６】第１のシード層が、酸化ニッケル（Ｎｉ
    Ｏ）、酸化ニッケルマンガン（ＮｉＭｎＯ）、酸化ニッ
    ケル鉄クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）、および酸化イリジウ
    ムマンガン（ＩｒＭｎＯ）を含むグループから選択され
    る、請求項１５に記載の磁気ヘッド・アセンブリ。
  17. 【請求項１７】第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）、
    アルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム
    （Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびそれらの
    合金を含む面心立方構造の非磁性金属から選択される、
    請求項１６に記載の磁気ヘッド・アセンブリ。
  18. 【請求項１８】強磁性の第２の遮蔽層、および非磁性の
    分離層をさらに含む読取りヘッドであって、 分離層が第２の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する
    読取りヘッドを含む、請求項１７に記載の磁気ヘッド・
    アセンブリ。
  19. 【請求項１９】ピニング層が、第２のシード層とピンド
    層構造の間に位置する、請求項１７に記載の磁気ヘッド
    ・アセンブリ。
  20. 【請求項２０】ピニング層がイリジウムマンガン（Ｉｒ
    Ｍｎ）である、請求項１９に記載の磁気ヘッド・アセン
    ブリ。
  21. 【請求項２１】第１のシード層が酸化ニッケルマンガン
    （ＮｉＭｎＯ）である、請求項２０に記載の磁気ヘッド
    ・アセンブリ。
  22. 【請求項２２】第２のシード層が銅（Ｃｕ）である、請
    求項２１に記載の磁気ヘッド・アセンブリ。
  23. 【請求項２３】自由層が第２のシード層とスペーサ層の
    間に位置する、請求項１７に記載の磁気ヘッド・アセン
    ブリ。
  24. 【請求項２４】ピニング層がイリジウムマンガン（Ｉｒ
    Ｍｎ）である、請求項２３に記載の磁気ヘッド・アセン
    ブリ。
  25. 【請求項２５】第１のシード層が酸化ニッケルマンガン
    （ＮｉＭｎＯ）であり、 第２のシード層が銅（Ｃｕ）である、 請求項２４に記載の磁気ヘッド・アセンブリ。
  26. 【請求項２６】読取りヘッドおよび書込みヘッドを含む
    少なくとも１つの磁気ヘッド・アセンブリを支持する空
    気軸受表面（ＡＢＳ）を備えた少なくとも１つのスライ
    ダを有する磁気ディスク・ドライブであって、 前記書込みヘッドが、 第１および第２の磁極片層と、 第１および第２の磁極片層の磁極端部分の間に位置する
    非磁性書込みギャップ層と、 第１および第２の磁極片層のヨーク部分の間に位置す
    る、少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた
    絶縁スタックとを含み、 第１および第２の磁極片層が、磁極端部分とバック・ギ
    ャップ部分の間に位置するヨーク部分をそれぞれ有し、 第１および第２の磁極片層がそれらのバック・ギャップ
    部分で接続され、 前記読取りヘッドが、 信号磁場に応答して第１の方向から自由に回転する磁気
    モーメントを有する強磁性自由層、 磁気モーメントを有する強磁性ピンド層、 自由層とピンド層構造の間に位置する非磁性かつ導電性
    のスペーサ層、およびピンド層構造の磁気モーメントを
    第２の方向にピニングするための、ピンド層構造に交換
    結合された反強磁性ピニング層を含むスピン・バルブ・
    センサと、 第１および第２のシード層を有する二層シード層構造で
    あって、 第１のシード層が金属酸化物であり、第２のシード層が
    非磁性金属であり、 第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・セ
    ンサの間に位置する二層シード層構造とを有し、 前記読取りヘッドがさらに、 スピン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接
    続された第１および第２のハード・バイアス／リード層
    と、 非磁性かつ電気絶縁性の第１および第２の読取りギャッ
    プ層と、 強磁性の第１の遮蔽層とを含み、 二層シード層構造と、スピン・バルブ・センサと、第１
    および第２のハード・バイアス／リード層とが、第１お
    よび第２の読取りギャップ層の間に位置し、 第１および第２の読取りギャップ層が、第１の遮蔽層と
    第１の磁極片層の間に位置し、 さらに、ハウジングと、 ハウジング中で回転自在に支持された磁気ディスクと、 ハウジング中に取り付けられ、磁気ヘッド・アセンブリ
    が磁気ディスクと変換関係となるようにＡＢＳを磁気デ
    ィスクに向けた状態で磁気ヘッド・アセンブリを支持す
    るための支持体と、 磁気ディスクを回転させる手段と、 支持体に接続され、磁気ヘッド・アセンブリを前記磁気
    ディスクに対して複数の位置に移動させるための位置決
    め手段と、 磁気ヘッド・アセンブリ、磁気ディスクを回転させる手
    段、および位置決め手段に接続された、磁気ヘッド・ア
    センブリと信号を交換し、磁気ディスクの回転を制御
    し、磁気ヘッド・アセンブリの位置を制御するための処
    理手段とを含む磁気ディスク・ドライブ。
  27. 【請求項２７】ピニング層が、イリジウムマンガン（Ｉ
    ｒＭｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、鉄マンガン（Ｆ
    ｅＭｎ）、およびニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）を含む
    グループから選択される、請求項２６に記載の磁気ディ
    スク・ドライブ。
  28. 【請求項２８】第１のシード層が、酸化ニッケルマンガ
    ン（ＮｉＭｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化ニッ
    ケル鉄クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）、および酸化イリジウ
    ムマンガン（ＩｒＭｎＯ）を含むグループから選択され
    る、請求項２７に記載の磁気ディスク・ドライブ。
  29. 【請求項２９】第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）、
    アルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム
    （Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびそれらの
    合金を含む面心立方構造の非磁性金属から選択される、
    請求項２８に記載の磁気ディスク・ドライブ。
  30. 【請求項３０】強磁性の第２の遮蔽層と、 非磁性の分離層とをさらに含む読取りヘッドを含み、 分離層が第２の遮蔽層と第１の磁極片層の間に位置する
    請求項２９に記載の磁気ディスク・ドライブ。
  31. 【請求項３１】ピニング層が、第２のシード層とピンド
    層構造の間に位置する、請求項２９に記載の磁気ディス
    ク・ドライブ。
  32. 【請求項３２】ピニング層がイリジウムマンガン（Ｉｒ
    Ｍｎ）である、請求項３１に記載の磁気ディスク・ドラ
    イブ。
  33. 【請求項３３】第１のシード層が酸化ニッケルマンガン
    （ＮｉＭｎＯ）である、請求項３２に記載の磁気ディス
    ク・ドライブ。
  34. 【請求項３４】第２のシード層が銅（Ｃｕ）である、請
    求項３３に記載の磁気ディスク・ドライブ。
  35. 【請求項３５】スピン・バルブ・センサを含む磁気読取
    りヘッドを作成する方法であって、 金属酸化物の第１のシード層を形成するステップと、 第１のシード層の上に、非磁性金属の第２のシード層を
    形成するステップと、 第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・セ
    ンサの間に位置するように、第２のシード層の上に前記
    スピン・バルブ・センサを形成するステップとを含む方
    法。
  36. 【請求項３６】ピニング層が、イリジウムマンガン（Ｉ
    ｒＭｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、鉄マンガン（Ｆ
    ｅＭｎ）、およびニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）を含む
    グループの１つから形成される、請求項３５に記載の方
    法。
  37. 【請求項３７】第１のシード層が、酸化ニッケルマンガ
    ン（ＮｉＭｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化ニッ
    ケル鉄クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）、および酸化イリジウ
    ムマンガン（ＩｒＭｎＯ）を含むグループの１つから形
    成される、請求項３６に記載の方法。
  38. 【請求項３８】第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）、
    アルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム
    （Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびそれらの
    合金を含む面心立方構造の非磁性金属から形成される、
    請求項３７に記載の方法。
  39. 【請求項３９】ピニング層が、第２のシード層とピンド
    層構造の間に形成される、請求項３８に記載の方法。
  40. 【請求項４０】ピニング層がイリジウムマンガン（Ｉｒ
    Ｍｎ）で形成される、請求項３９に記載の方法。
  41. 【請求項４１】第１のシード層が酸化ニッケルマンガン
    （ＮｉＭｎＯ）で形成される、請求項４０に記載の方
    法。
  42. 【請求項４２】第２のシード層が銅（Ｃｕ）で形成され
    る、請求項４１に記載の方法。
  43. 【請求項４３】自由層が第２のシード層とスペーサ層の
    間に位置する、請求項３８に記載の方法。
  44. 【請求項４４】ピニング層がイリジウムマンガン（Ｉｒ
    Ｍｎ）で形成される、請求項４３に記載の方法。
  45. 【請求項４５】第１のシード層が酸化ニッケルマンガン
    （ＮｉＭｎＯ）で形成され、 第２のシード層が銅（Ｃｕ）で形成される、 請求項４４に記載の方法。
  46. 【請求項４６】スピン・バルブ・センサを含む読取りヘ
    ッドおよび書込みヘッドを有する磁気ヘッド・アセンブ
    リを作成する方法であって、 強磁性の第１の遮蔽層を形成し、 第１の遮蔽層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第１の読
    取りギャップ層を形成し、 第１の読取りギャップ層の上に、金属酸化物の第１のシ
    ード層を形成し、 第１のシード層の上に、非磁性の金属の第２のシード層
    を形成し、 第２のシード層が第１のシード層とスピン・バルブ・セ
    ンサの間に位置するようにして、第２のシード層の上に
    前記スピン・バルブ・センサを形成することによって、 読取りヘッドを作成するステップと、 第１および第２のハード・バイアス／リード層を、スピ
    ン・バルブ・センサの第１および第２の側縁部に接続す
    るステップと、 スピン・バルブ・センサと第１および第２のハード・バ
    イアス／リード層の上に、非磁性かつ電気絶縁性の第２
    の読取りギャップ層を形成するステップと、 第２の読取りギャップ層の上に、磁極端領域とバック・
    ギャップ領域の間に位置するヨーク領域を有する強磁性
    の第１の磁極片層を形成し、 少なくとも１つのコイル層がその中に埋め込まれた絶縁
    スタックを、第１の磁極片層上の磁極端領域中に形成
    し、 非磁性かつ電気絶縁性の書込みギャップ層を、第１の磁
    極片層上の磁極端領域中に形成し、 書込みギャップ層および絶縁スタックの上に、バック・
    ギャップ領域中で第１の磁極片層に接続された強磁性の
    第２の磁極片層を形成することによって、 書込みヘッドを形成するステップとを含む方法。
  47. 【請求項４７】ピニング層が、イリジウムマンガン（Ｉ
    ｒＭｎ）、白金マンガン（ＰｔＭｎ）、鉄マンガン（Ｆ
    ｅＭｎ）、およびニッケルマンガン（ＮｉＭｎ）を含む
    グループの１つから形成される、請求項４６に記載の方
    法。
  48. 【請求項４８】第１のシード層が、酸化ニッケルマンガ
    ン（ＮｉＭｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化ニッ
    ケル鉄クロム（ＮｉＦｅＣｒＯ）、および酸化イリジウ
    ムマンガン（ＩｒＭｎＯ）を含むグループの１つから形
    成される、請求項４７に記載の方法。
  49. 【請求項４９】第２のシード層の材料が、銅（Ｃｕ）、
    アルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム
    （Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびそれらの
    合金を含む面心立方構造の非磁性金属から形成される、
    請求項４８に記載の方法。
  50. 【請求項５０】読取りヘッドを作成するステップが、 第２の読取りギャップ層の上に強磁性の第２の遮蔽層を
    形成するステップと、 第２の遮蔽層と第１の磁極片層の間に分離層が位置する
    ように、第２の遮蔽層の上に非磁性の分離層を形成する
    ステップとをさらに含む、請求項４９に記載の方法。
  51. 【請求項５１】ピニング層が、第２のシード層とピンド
    層構造の間に形成される、請求項４９に記載の方法。
  52. 【請求項５２】ピニング層がイリジウムマンガン（Ｉｒ
    Ｍｎ）で形成される、請求項５１に記載の方法。
  53. 【請求項５３】第１のシード層が酸化ニッケルマンガン
    （ＮｉＭｎＯ）で形成される、請求項５２に記載の方
    法。
  54. 【請求項５４】第２のシード層が銅（Ｃｕ）で形成され
    る、請求項５３に記載の方法。
  55. 【請求項５５】自由層が第２のシード層とスペーサ層の
    間に位置する、請求項４９に記載の方法。
  56. 【請求項５６】ピニング層がイリジウムマンガン（Ｉｒ
    Ｍｎ）で形成される、請求項５５に記載の方法。
  57. 【請求項５７】第１のシード層が酸化ニッケルマンガン
    （ＮｉＭｎＯ）で形成され、 第２のシード層が銅（Ｃｕ）で形成される、 請求項５６に記載の方法。
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