JP2000511210A - 修飾されたでんぷんおよびそれを含むコーティングスリップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 修飾されたでんぷんおよびそれを含むコーティングスリップが記載される。修飾されたでんぷんは、それがカルボキシル基について０．００５〜０．０７０の置換度を有し、７〜２０個の炭素原子を有する炭化水素鎖を含むカチオン性疎水性基については０．００８〜０．０８０の置換度を有し、修飾されたでんぷんの水溶液は、０〜１００℃、好ましくは約３０〜６０℃の範囲において相分離を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】 修飾されたでんぷんおよびそれを含むコーティングスリップ 本発明は、修飾されたでんぷんおよびそれを含むコーティングスリップに関す る。 紙および板紙の製造において、紙ウエッブは、特に、紙の表面をより平坦で緻 密にし、印刷プロセスにおいてより高い品質を達成するようにコーティングスリ ップを適用することにより処理される。そのようなコーティングスリップは、例 えばでんぷんまたはポリマーラテックスの形態にある結合剤および増粘剤を場合 に応じて互いの組み合わせて含有するバインダー系中にクレー、チョーク、二酸 化チタン等のような顔料を含む。バインダー含有量は、通常、１００重量部の顔 料当り約５〜４０重量部、好ましくは約５〜２０重量部のバインダーである。顔 料を分散させるために、好ましくは、１００重量部の顔料当り約０．０３〜１重 量部の量の分散剤もまた含まれる。加えて、コーティングスリップは、光学的白 色化剤、湿潤強力剤、粘度制御剤、着色剤等のような、多数の更なる添加剤を含 み得る。これらの添加剤の含有量は、通常、１００重量部の顔料当り、せいぜい 約５重量部までである。 すべてのコーティングスリップは現存の使用条件の下で扱い得るようなレオロ ジー特性を有さねばならず、それは、低剪断速度でのポンプ搬送から塗布ステー ションにおけるきわめて高い剪断速度での紙ウエッブへの適用までのものを意味 する。同時に、コーティングスリップは、塗布された紙を印刷するときに最適の 結果を与えるようなものであるべきである。このことは、それが紙の表面に適用 され、固定化され、乾燥されるとき、特に、コーティングスリップにより与えら れる表面の被覆および空隙率について強い要求を課す。 コーティングスリップの上記の基準はある程度まで背反したものであり、現在 までに知られているコーティングスリップの一つの欠点は、もしコーティングス リップが良好な被覆および多孔性の塗布層となるバインダー系で作られるならば 、そのレオロジー特性は、紙ウエッブにコーティングスリップを適用することが 困 難になるであろうような程度に悪化し得ることである。一般的に、塗布層の高い 空隙率および悪化した機械的特性、すなわち、破壊時の低い引張り応力および破 壊時の低い引張りエネルギーの間には関係がある。高い空隙率を得ることを望む ことは、仕上げプロセスにおけるダストの形成および悪化した印刷の質の原因と なり得る。 ＷＯ９５／１８１５７はカチオン性でんぷんの製造を開示し、カチオン化させ る化学物質は例えば、２，３−エポキシプロピレントリメチルアンモニウムクロ ライドまたは３−クロロ−２−ヒドロキシプロピレントリメチルアンモニウムク ロライドである。カチオン性でんぷんは疎水性基を含まない。 ＥＰ０５４２２３６は、異なるタイプのでんぷんから出発し、異なる試薬を用 いるカチオン性でんぷん誘導体の製造を開示する。適切なでんぷんの例として、 修飾されていないでんぷん、酸修飾でんぷん、デキストリン化でんぷん、加水分 解されたでんぷん、酸化されたでんぷん、および、例えば、いまだ反応部位を残 しているでんぷんエーテルおよびでんぷんエステルのような誘導体化されたでん ぷんについて言及がなされている。カチオン化試薬として、疎水性基を有する、 および有しない、多数の異なるカチオン化試薬が列挙されている。適用の例とし て、抄紙において、セルロース懸濁液の脱水、およびこの懸濁液に添加された充 填剤の保持についての言及がなされている。固定された含有量のカルボキシル基 およびカチオン性疎水性基の両方を含む修飾されたでんぷんまたは紙の塗布のた めのそのような修飾されたでんぷんの使用は開示されていない。 ＵＳ４，３７３，０９９およびＵＳ４，１４６，５１５は、さらに、酸化され たでんぷんを開示し、それは疎水性基を有さない通常のカチオン化試薬によりカ チオン化されている。 本発明の目的は、特別で、新規である修飾されたでんぷんを用いることにより 、先行技術のコーティングスリップの欠点を減らすかまたは除いたコーティング スリップを提供することである。 本発明の目的は、カルボキシル基と疎水性基との両方を含み、かつ水溶液にお いて相分離を有する修飾されたカチオン性でんぷんにより達せられる。 より具体的には、本発明は、カルボキシル基に関して０．００５〜０．０７０ の置換度、７〜２０個の炭素原子を有する炭化水素鎖を含むカチオン性疎水性基 に関して０．００８〜０．０８０の置換度を有し、修飾されたでんぷんの水溶液 が０〜１００℃の範囲において相分離を有することを特徴とする修飾されたでん ぷんを提供する。 本発明によれば、コーティングスリップもまた提供され、それは上記定義の修 飾されたでんぷんを含むことを特徴とする。 本発明の更なる特徴および利点は続く明細書および伴う請求の範囲から明らか となる。 コーティングスリップにおいて通常用いられるタイプのでんぷんは、化学的に 分解された（酸化された）でんぷんまたは化学的に安定化された（ヒドロキシプ ロピル化された）／化学的に分解された（酸化された）でんぷんである。化学的 に分解された／カチオン化されたでんぷんもまた用いられる。それらと対照的に 、本発明のでんぷんは、一方でカルボキシル基を含むように化学的に分解され（ 酸化され）ることにより、他方で、カチオン性疎水性基を含むことにより修飾さ れる。本発明による修飾されたでんぷんのための原材料として用いられるでんぷ んは、ジャガイモ、トウモロコシ、コムギおよびタピオカからのでんぷんのよう ないかなる既知のいずれの起源のものでもよい。 カルボキシル基は、例えば次亜塩素酸ナトリウムまたは過酸化水素による酸化 により通常の様式において本発明によるでんぷんに導入される。カルボキシル基 についての置換度は、本発明によれば約０．００５〜０．０７０であり、好まし くは約０．０１０〜０．０５０である。酸化されたでんぷんは次の様式で適切に 調製される。ジャガイモでんぷんを約４５％の乾燥含有量まで水中に懸濁させる 。懸濁液のｐＨを水酸化ナトリウムにより９．５のｐＨに調整する。１５０ｇ／ ｌの利用できる塩素の活性物質を有する次亜塩素酸ナトリウムをゆっくりと加え る。反応混合物のｐＨを水酸化ナトリウムを加えることにより９．５に一定に維 持する。反応が完了するとき、すなわちすべての塩素が消費されるとき、反応は 、塩酸による５．５のｐＨへの中和により停止させられ、それから生成物は脱水 され、乾燥の前に洗浄される。この反応を通して、カルボキシル基がでんぷん分 子上に導入される。カルボキシル基の量、すなわち、置換度（ＤＳ）は、加えら れた次 亜塩素酸塩の量により、および反応が実施されたｐＨで制御される。より詳細に ついては、フォンＪ．ポッツェ（Ｐｏｔｚｅ）およびＰ．ハイエンストラ（Ｈｉ ｅｎｓｔｒａ）による論文、「次亜塩素酸塩によるジャガイモでんぷんの酸化に ｅｒ Ｒｅａｋｔｉｏｎｓｂｅｄｉｎｇｕｎｇｅｎ ａｕｆ ｄｉｅ Ｏｘｙｄ 〜２２５ページに参照がなされる。 カルボキシル基の導入に加えて、本発明によるでんぷんはカチオン性疎水性基 の導入により修飾される。カチオン性疎水性基についての置換度は、約０．００ ８〜０．０８０、好ましくは約０．０１０〜０．０３０である。望ましい疎水性 を得るために、疎水性基は７〜２０個の炭素原子、好ましくは１０〜１６個の炭 素原子を有する炭化水素鎖を含む。疎水性基をカチオン性にするために、それら は第４級窒素原子のような正に荷電した原子または基を含む。本発明によれば、 正に荷電した原子または基は、疎水性基に結合するかまたはその部分を構成する ことが好ましいが、しかし本発明は、でんぷんが別々の疎水性基およびカチオン 性基により修飾されることを排除しない。そのような別々の修飾において、カチ オン性基についての置換度は、好ましくは疎水性基のそれと一致すべきである。 カチオン性疎水性基の導入によるでんぷんの修飾は、例えば、でんぷんを上記 の疎水性炭化水素鎖を含む第４級アンモニウム化合物のクロロヒドリン、例えば 、化合物３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルジメチルドデシルアンモニウムク ロライドと反応させることにより起こり得るものである。カチオン性疎水性基の 導入は、下記の様式において適切に起こり得る。ジャガイモでんぷんを約４５％ の乾燥含有量まで水に懸濁させる。懸濁液のｐＨを水酸化ナトリウムにより１１ ．４に調整し、それからカチオン化試薬を加える。反応の間、水酸化ナトリウム を加えることによりｐＨを１１．４に一定に維持する。２４時間後、総窒素量お よび結合窒素量を測定し、反応の収率を定量する。もし結合窒素量が望ましい値 に達しているならば、反応を、塩酸によりｐＨを５．５に調整することにより停 止する。生成物を洗浄し、脱水し、乾燥する。 もしカルボキシル基およびカチオン性疎水性基の導入によりこの様式において でんぷんが修飾され、これらの官能基についての置換度ならびに疎水性基のサイ ズが上記の範囲内において適切な様式で選択されれば、修飾されたでんぷんが得 られ、これは例えばジェットボイラーでの煮沸による水における溶解後、温度が 低くなるとそれは相分離（沈殿）する。それはでんぷんのアミロース画分または アミロペクチン画分であり、または同時に、相分離する両画分である。本発明に よる修飾されたでんぷんの区別的特徴であるこの相分離は、ある、いわゆる上方 臨界溶液温度（ＵＣＳＴ）で起こる。温度がＵＣＳＴを超えて上昇するとき、修 飾されたでんぷんは溶解し、一方、温度がＵＣＳＴを下回って低くなるとき、で んぷんは相分離（沈殿）する。この相分離は可逆的である。ＵＣＳＴ、すなわち 相分離が起こる温度は、本発明による修飾されたでんぷんについて、０〜１００ ℃の範囲内、好ましくは約３０〜６０℃、もっとも好ましくは約５０℃に存在す る。本発明による修飾されたでんぷんの可逆的な相分離は、ＵＣＳＴを下回る温 度の相分離したでんぷん溶液の粘度がＵＣＳＴを超える温度のでんぷん溶液の粘 度よりも低いことの原因となる。この現象は、本発明において、独特で有利な特 性を有するコーティングスリップを提供するために利用される。実際、もし本発 明により修飾されたでんぷんが、塗布用顔料分散液に加えられられれば、そので んぷんのＵＳＣＴを下回る温度での得られたコーティングスリップの粘度は、そ れを超える温度におけるより低いであろう。このことは、製造後のコーティング スリップを、貯蔵し、ポンプ輸送し、およびでんぷんのＵＳＣＴを下回る温度で いずれの問題もなく紙ウエッブに適用でき、同時に、塗布された紙をでんぷんの ＵＣＳＴを超える温度で乾燥セクションにおいて乾燥することは、でんぷんを再 び溶解させ、その疎水性およびカチオン性の基を構造を形成するために利用可能 にする結果となることを意味する。結果として、相対的にみて高い多孔性を有す る、良好に被覆するコーティングスリップが得られる。 本発明のでんぷんは、コーティングスリップにおいて単独でまたはポリマーラ テックスタイプの分散バインダーとともに用いられることが意図されている。 修飾されたでんぷんがラテックスバインダーとともにコーティングスリップに おいて含まれるとき、ＵＣＳＴを超える温度で乾燥した後、修飾されたでんぷん が通常の酸化されたでんぷんにより置換された条件と比較して、より高い空隙率 を有する塗布層が得られるであろう。修飾されたでんぷんを含む層についての破 壊時の引張り応力および破壊時の引張りエネルギーは、通常のでんぷんを含む層 についてよりも低くはないであろう。このことは、カチオン性疎水性基を原因と するでんぷんおよびラテックス／顔料の間の相互作用により説明され得る。 本発明の理解を更に高めるために、非限定的な例により説明がなされるであろ う。例におけるすべての部は、別段の言及がない限り重量に関する。 例１ ０．３部のポリアクリレート分散剤とともに分散された１００部のカオリンク レーおよび１２部の本発明による修飾されたでんぷんからなるコーティングスリ ップを調製した。カオリンクレーは塗布用品質のものであり、イングランドのコ ーンウオール（Ｃｏｒｎｗａｌｌ）のイングリッシュ・チャイナ・クレー・イン ターナショナル社のスペスホワイト（Ｓｐｅｓｗｈｉｔｅ）により供給された。 分散剤は、イングランドのブラッドフォード（Ｂｒａｄｆｏｒｄ）のアライド・ コロイド社（Ａｌｌｉｅｄ Ｃｏｌｌｏｉｄｓ，Ｌｔｄ．）により商品名ディス ペックス（Ｄｉｓｐｅｘ）Ｎ４０の下に供給される低分子ポリアクリル酸ナトリ ウムであった。本発明により修飾されたでんぷんは、次亜塩素酸ナトリウムによ り０．０２０の置換度（ＤＳ）に酸化されたジャガイモでんぷんであった。加え て、そのでんぷんは、カチオン性疎水性基の導入により修飾された。この修飾は 、ジャガイモでんぷんを３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルジメチルドデシル アンモニウムクロライドと反応させることにより行った。カチオン性疎水性基に ついての修飾されたでんぷんの置換度（ＤＳ）は０．０２１であった。修飾され たでんぷんは、ジェットボイラーで１４０℃で煮沸された。煮沸されたでんぷん は約５０℃のＵＣＳＴを有していた。上記組成のコーティングスリップを調製す るために、そのでんぷんを分散されたカオリンクレーに加えた。 コーティングスリップにおける修飾されたでんぷんは約５０℃のＵＣＳＴを有 していたので、コーティングスリップの塑性粘度（２５℃で測定）は、コーティ ングスリップが室温で調製され貯蔵された場合（２２３ｍＰａｓ）よりもコーテ ィングスリップが５５〜６０℃で調製され貯蔵された場合（３１２ｍＰａｓ）の ほうが高かった。室温で、でんぷんは相分離し、それゆえ、コーティングスリッ プの粘度へのそれの効果は、相分離が起きなかった場合より小さかった。 ２３℃および５５〜６０℃で上記のように調製されたコーティングスリップを それぞれウエッブに適用し、２３℃および１０５℃で乾燥し、それから、塗布層 の特性を測定した。得られた結果を表１に記述する。 表１ スリップの調製 乾燥における 乾燥含有量 密度 空隙率 における温度 温度 ℃ ℃ （重量％） （ｋｇ／ｄｍ３） （％） ２３ ２３ ５２．８ １．６６ ３２．３ ２３ １０５ ５２．８ １．４６ ４０．７ ５５〜６０ ２３ ５４．２ １．４７ ４０．３ ５５〜６０ １０５ ５４．２ １．２６ ５１．３ ４０％およびそれを超える空隙率の値は、高いと考えられるべきである。表１ から明白であるように、コーティングスリップがでんぷんのＵＣＳＴを超える温 度で調製される場合および適用された塗布層が１０５℃で乾燥される場合に最も 高い空隙率が得られる。この現象は、吸着を通しての橋架け（ｂｒｉｄｇｉｎｇ ）により説明され得る。 例２ ０．３部のポリアクリレート分散剤により分散された１００部のカオリンクレ ー、６部のカルボキシレート化されたスチレン−ブタジエンラテックスおよび６ 部のでんぷんからなる２つのコーティングスリップを調製した。ラテックスはＤ ｐｉｎｇ）のダウスベリッジ（Ｄｏｗ Ｓｖｅｒｉｇｅ）ＡＢにより供給される 塗布用品質のものであった。カオリンクレーおよび分散剤は、例１において記載 された等級と同一であった。１つのコーティングスリップについては、次亜塩素 酸ナトリウムにより０．０３４の置換度（ＤＳ）に酸化された、ただ酸化だけさ れたジャガイモでんぷんが使用された。このでんぷんは通常に酸化されたでんぷ んの例として用いられ、ジェットボイラーにおいて１２０℃で煮沸された。この でんぷんを含むスリップを「スリップＡ」と称する。他のコーティングスリップ について、０．０２０の置換度に酸化され、加えて０．０２１のＤＳまでのカチ オン性疎水性基の導入により修飾されたでんぷんが使用された。このでんぷんは 、例１のもとで記載されたでんぷんと同一である。このでんぷんをジェットボイ ラー内で１４０℃で煮沸した。このでんぷんを含むスリップを「スリップＢ」と 称した。コーティングスリップを、第１にそのでんぷんを、ついでラテックスを 分散されたカオリンクレーに加えることにより調製した。カオリン懸濁液と混合 したとき、でんぷん溶液の温度は７０℃であった。 スリップＢにおいて含まれるでんぷんが約５０℃のＵＣＳＴを有したことは確 立されていた。この現象はコーティングスリップの調製の間利用された。カチオ ン性基は、ＵＣＳＴを超える温度で、乾燥塗布層の空隙率を大きくする湿潤コー ティングスリップにおいて構造を作り出すだろう。塗布層の乾燥含有量は５７． １％であった。スリップＡの調製のために用いられたでんぷんはカチオン性基を 有しないため、スリップＡは２５℃でスリップＢ（１１９ｍＰａｓ）より低い塑 性粘度（５０ｍＰａｓ）を有した。ＵＣＳＴの存在のために、スリップＢの塑性 粘度は、ＵＣＳＴを有さない第４級アンモニウムでんぷんエーテルが代わりに用 いられる場合よりも有意に低い。このように、もしスリップＡにおけるでんぷん が、ＤＳ＝０．０２０まで酸化され、ＤＳ＝０．００７まで３−クロロ−２−ヒ ドロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロライドにより修飾されたでんぷん に置き換えられるならば、２５℃で２００ｍＰａｓの塑性粘度を有するコーティ ングスリップが得られるであろう。この結果は、特に、ＤＳが増加すると塑性粘 度が通常増加するという事実から考えて、注目すべきである。 上記のように調製されたコーティングスリップＡおよびＢを２３℃で紙ウエッ ブに適用し、２３℃で乾燥し、それから塗布層の特性を測定した。引張り試験装 置（アルベトロン（Ａｌｗｅｔｒｏｎ）ＴＨ１、ローレンツェン＆ベットル（Ｌ ｏｒｅｎｔｚｅｎ＆Ｗｅｔｔｒｅ）、ストックホルム、スウェーデン）で、２３ ℃および５０％の相対湿度で、機械的特性を測定した。これらの試験において、 張りの速度は、１０ｍｍ／ｍｉｎであり、掴み長は１００ｍｍであった。得られ た結果を表２において示す。 層の破壊時の引張りエネルギーは、次のように定義される引張りエネルギー吸 収指数（ＴＥＡ^*） として与えられる（式中、ωは表面重量であり、Ｆは幅当りの張力であり、εは 伸びであり、ε_tは破壊時の伸びである）。 表２ スリップの型 スリップ 密度 空隙率 破壊時の 引張り 乾燥含有量 引張り エネルギー 強度 吸収指数 (重量％) (ｋｇ／ｄｍ³) (％) (ＭＰａ) (Ｊ／ｋｇ) スリップＡ ５７．１ １．７８ ２４．５ １１．５ ３．２ ±２．２ ±１．２ スリップＢ ５７．１ １．７３ ２６．７ １３．４ ４．５ ±１．９ ±１．９ 表２は、通常の酸化されたでんぷんを用いることにより得られたものに比較し て、本発明により修飾されたでんぷんを用いることにより、より高い空隙率が得 られたことを示す。表２はまた、本発明により修飾されたでんぷんを用いること により、塗布層の機械的特性が向上したことをも示す。 例３ すべてが次亜塩素酸ナトリウムで酸化された３つの異なる修飾されたジャガイ モでんぷんの水溶液を、ジェットボイラーにおける煮沸により調製した。でんぷ んについて、１つだけは酸化され（Ｓ−Ｉと称する）、一方、他の２つのでんぷ んはともに酸化され、本発明によるカチオン性疎水性基で修飾された（Ｓ−ＩＩ およびＳ−ＩＩＩと称する）。３つのでんぷんについての置換度（ＤＳ）は表３ において記述される。でんぷんＳ−ＩＩＩは、本発明により規定された範囲内の ＤＳまで３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルジメチルドデシルアンモニウムク ロライドと反応させた。でんぷんＳ−ＩＩは同じ試薬と反応させたが、しかし、 本発明により規定されるよりも低いＤＳまでであった。でんぷんＳ−Ｉが１２０ ℃で煮沸され、一方、でんぷんＳ−ＩＩおよびＳ−ＩＩＩは１４０℃で煮沸され た。 表３ 名称 でんぷんの質 カルボキシル カチオン性疎水性 基のＤＳ 基のＤＳ Ｓ−Ｉ 通常に酸化された ０．０３ ０ Ｓ−ＩＩ 本発明と同じ試薬 で修飾した ０．０２ ０．００４ Ｓ−ＩＩＩ 本発明にしたがって 修飾した ０．０２ ０．２１ ジェットボイラーにかけられたでんぷんを煮沸後、希釈しないで、ならびに５ 重量％溶液に希釈して即座に試験した。希釈しないと、でんぷん濃度は約２０％ であった。でんぷんＳ−ＩＩＩのみが、温度が、０〜１００℃の範囲内のいわゆ る上方臨界溶液温度（ＵＣＳＴ）を下回って下がると急速な相分離を有した。で んぷんＳ−ＩＩＩについて観察された相分離は可逆的であり、５０℃で起こった 。 この例は、０〜１００℃の温度範囲において、通常の酸化されたでんぷんの溶 液においてはＵＣＳＴが現れないことを証明する。この例はまた、０〜１００℃ の温度範囲におけるＵＣＳＴの存在は、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルジ メチルドデシルアンモニウムクロライドと反応させたでんぷんについての一般的 なケースではないことも証明する。０〜１００℃の温度範囲においてＵＣＳＴを 有するために、でんぷんは、本発明により規定された範囲内にＤＳを有さねばな らない。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，Ｓ Ｚ，ＵＧ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＴ，ＡＵ ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ， ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＫ，Ｅ Ｅ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＬ ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ， ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，Ｍ Ｋ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＫ，ＴＪ， ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．カルボキシル基に関して０．００５〜０．０７０の置換度を有し、７〜２ ０個の炭素原子を有する炭化水素鎖を含むカチオン性疎水性基に関して０．００ ８〜０．０８０の置換度を有し、修飾されたでんぷんの水溶液が０〜１００℃の 範囲内で相分離を有することを特徴とする修飾されたでんぷん。 ２．カルボキシル基に関して０．０１０〜０．０５０の置換度を有することを 特徴とする請求項１記載の修飾されたでんぷん。 ３．カチオン性疎水性基に関して０．０１０〜０．０３０の置換度を有するこ とを特徴とする請求項１または２記載の修飾されたでんぷん。 ４．該疎水性基が１０〜１６個の炭素原子を有する炭化水素鎖を含むことを特 徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の修飾されたでんぷん。 ５．水溶液において、約３０〜６０℃の温度で相分離を有することを特徴とす る請求項１ないし４のいずれか１項記載の修飾されたでんぷん。 ６．請求項１記載の修飾されたでんぷんを含むことを特徴とするコーティング スリップ。