JP2000507704A - 流体センサー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 流体センサー1００は容器１０内の流体２０のレベルを検出する。この流体センサーは流体を検出する検出組立体２００を含み、また検出回路を含む。検出組立体は検出本体２０１を含み、この検出本体は電気的絶縁材を含むと共に第１および第２面２１０，２２０を予め定めた間隔を隔てて形成している。検出本体は第１および第２面の間に空間２５０を形成し、また第１および第２面の間隔空間内を流体が流れることができるようにするポート２５５,２５７を形成している。検出組立体は検出本体の第１および第２面の少なくとも一部分にそれぞれ蒸着された第１および第２の導電層２１２，２２２を含んでいる。検出回路は第１および第２導電層の少なくとも一方に導電結合され、第１および第２面の間隔空間内に流体が存在するか否かに基づいて電気信号を発生する。

Description

【発明の詳細な説明】 流体センサー この特許出願は、仮の米国特許出願第６０／０１４６７３号の出願日である１ ９９６年４月３日の恩恵を請求する。 技術分野 本発明は一般にセンサーの分野に関する。さらに詳しくは、本発明は流体セン サーの分野に関する。 背景技術 容器内の流体レベルを検出して、その流体が或るレベルに達しているかどうか を表示するために各種の流体センサーが知られている。 １つの典型的な流体レベルセンサーは浮動式流体レベルスイッチである。しか しながらこのセンサーは可動部品を有するので、例えば自動車に適用した場合に は、振動する結果として偽似的なスイッチ動作の影響を受けやすい。このセンサ ーの金属接点は摩耗の影響も受けやすく、センサー寿命を短縮する。 発明の説明 流体センサーは流体を検出する検出組立体を含み、また検出回路を含んでいる 。検出組立体は検出本体を含んで成り、この検出本体は電気的絶縁材を含むとと もに、第１面と、この第１面に対して予め定めた間隔を隔てた第２面とを形成し ている。検出本体は第１面と第２面との間に空間を画成しており、またその第１ 面および第２面の間の空間に流体が流入できるようにするためのポートを画成し ている。また検出組立体は検出本体の第１面の少なくとも一部分に蒸着した第１ 導電層と、検出本体の第２面の少なくとも一部分に蒸着した第２導電層とを含ん でいる。検出回路は流体が第１面および第２面の間隔空間内に存在するか否かに 基づいて電気信号を発生するために、第１導電層と第２導電層の少なくとも一方 に導電的に結合される。 流体センサーを製造する方法は、電気的絶縁材を含むと共に第１面およびその 第１面に対して予め定めた間隔を隔てた第２面を画成している検出本体を形成す る段階を含む。検出本体は第１面と第２面との間に空間を画成し、また第１面お よび第２面の間の空間内に流体が流入できるようにするためのポートを画成する 。検出本体の第１面の少なくとも一部分に第１導電層が蒸着され、検出本体の第 ２面の少なくとも一部分に第２導電層が蒸着される。第１導電層および第２導電 層の少なくとも一方に検出回路が導電的に結合される。この検出回路は第１面お よび第２面の間隔空間内に流体が存在するか否かに基づいて電気信号を発生する 。 図面の簡単な説明 本発明は添付図面の各図に、例として図示されるが、これに限定されることは ない。図中の類似する符号は類似部材を示している。図面において、 図１は容器内の流体レベルを検出するために取付けられた流体センサーの斜視 図を示し、 図２は流体センサーの分解斜視図を示し、 図３は流体センサーの側断面図を示し、 図４は図２の線４−４で示される平面から見た流体センサーのコネクタ組立体 の頂視図を示し、 図５は図２の線５−５で示される平面から見た流体センサーのコネクタ組立体 の底視図を示し、 図６は図２の線６−６で示される平面から見た流体センサーの検出組立体の頂 視図を示し、 図７は図２の線６−６で示される平面から見た流体センサーの検出組立体の底 視図を示し、 図８は流体センサーの検出回路の概略線図を示し、そして 図９は流体センサーの検出回路を含む回路組立体を示す。 本発明の実施の態様 図１は容器１０内の流体２０のレベルを検出する流体センサー１００を示して いる。流体センサー１００はいずれかの適当な容器１０内のいずれかの適当な流 体２０のレベルを検出するように構成できる。流体センサー１００は、例えばレ クリエーション用車両や各種自動車に使用できる。流体センサー１００は収容タ ンク内の例えばオイル、作動流体、エタノール、水または凍結防止液のレベルを 検出するのに使用できる。 流体センサー1００は容器１０内を延在するように容器１０に取付けられ、そ の流体センサー1００が位置するレベルに流体２０が達したときに流体２０の存 在を検出するようになされる。流体センサー１００はその位置するレベルで流体 ２０を検出するか否かに基づいて、出力として電気的な流体センサー出力信号を 発生する。 図２および図３を参照すれば、流体センサー１００はその流体を検出するため の検出組立体２００と、電気コネクタ３５０を含むコネクタ組立体３００と、検 出組立体２００で流体が検出されたか否かに基づいて電気的な流体センサー出力 信号を発生し、電気コネクタ３５０へ出力する回路組立体４００とを含む。検出 組立体２００およびコネクタ組立体３００は互いに組合って回路組立体４００を 受入れるように構成される。コネクタ組立体３００はまた検出組立体２００が容 器１０内を延在するような容器１０に対して流体センサー１００を取付ける助け をなすように構成される。 検出組立体２００は検出本体２０１を含む。検出本体２０１は予め定めた間隔 を隔てた関係で表面２１０，２２０を画成している。検出本体２０１は間隔を隔 てた表面２１０，２２０の間に空隙すなわち空間２５０を画成する。図３および 図７に示されるように図示実施例の検出本体２０１は、表面２１０，２２０それ 自体が空間２５０を画成するようにそれらの表面２１０，２２０を画成する。検 出本体２０１は、表面２２０が表面２１０の少なくとも一部分を取囲むように表 面２２０を画成している。図２、図３および図７に示されるように、図示実施例 の検出本体２０１は、表面２１０を内側の一般的に円筒面として画成し、また表 面２２０を表面２１０と同軸な外側の一般的に円筒面として画成する。検出本体 ２０１は例えば電気的絶縁材のような適当材料で形成できる。 検出組立体２００は導電層２１２，２２２を含む。導電層２１２は検出本体２ ０１の表面２１０の少なくとも一部分に蒸着され、導電層２２２は検出本体２０ １の表面２２０の少なくとも一部分に蒸着されている。この導電層２１２，２２ ２はいずれかの適当な導電材で形成できる。蒸着された導電層２１２， ２２２は間隔を隔てた導電プレートであり、検出組立体２００のキャパシタを形 成している。図示した検出組立体２００は、図２、図３および図７に示されるよ うに一般的に円筒形の導電層２１２，２２２で形成された同軸キャパシタを含ん でいる。 検出本体２０１は空間２５０に対する流体の流入および流出を可能にするよう にポート２５５，２５７を画成している。図３および図７に示されるように、図 示実施例の検出本体２０１は空間２５０に対する流体の流入および流出を可能に するためにポート２５５を検出本体２０１の先端２０４に画成している。図示検 出本体２０１は表面２２０を通して空間２５０に対する流体の流入および流出を 可能にするようにポート２５７を画成している。図示ポート２５７は細長く、検 出本体２０１の基端２０３と検出本体２０１の先端２０４との間を一般的に長手 方向に延在している。図示実施例の検出本体２０１は４つのポート２５７を画成 している。 検出組立体２００は導電接点２１４，２２４を含む。検出本体２０１は導電接 点２１４，２２４を支持するために検出本体２０１の基端２０３に取付け面２６ ２を有するキャップ２６０を画成している。図２および図６に示されるように、 図示実施例の取付け面２６２は一般的に円形の形状をしている。 導電接点２１４は取付け面２６２から延在するように形成された接点スタッド の少なくとも一部分に蒸着された導電層２１６を含む。導電接点２２４は取付け 面２６２から延在するように形成された別の接点スタッドの少なくとも一部分に 蒸着された導電層２２６を含む。導電接点２１４，２２４の接点スタッドは、例 えば電気的絶縁材のようないずれかの適当材料で形成できる。図２、図３および 図６に示されるように、導電接点２１４，２２４の接点スタッドは図示実施例で はブロック形状である。導電層２１６，２２６はいずれかの適当な導電材で形成 できる。図示実施例の導電層２２６は、図２、図３および図６に示されるように 取付け面２６２の比較的広い面積を覆うように導電接点２２４を超えて延在する 。 検出本体２０１は取付け面２６２と導電層２１２，２２２との間をそれぞれ延 在するバイアホール（vias）２１８，２２８を画成している。図６および図７に 示されるように、図示実施例のバイアホール２１８，２２８は取付け面２６２と 空間２５０との間を延在している。導電接点２１４，２２４はそれぞれバイアホ ール２１８，２２８を経て導電層２１２，２２２にそれぞれ導電的に接続される 。導電層２１６はバイアホール２１８を通る導電通路によって導電層２１２に導 電的に接続され、導電層２２６はバイアホール２２８を通る導電路によって導電 層２２２にバイアホール２２８を通る導電路によって導電層２２２に導電的に接 続される。 導電接点２１４，２２４は検出組立体２００の電気的インターフェースを形成 する。図２に示されるように、導電接点２１４，２２４は、図示実施例の回路組 立体４００が取付け面２６２上に取付けられたとき、その回路組立体４００の導 電接点パッド４１４，４２４のそれぞれと電気接点を構成する。 検出組立体２００は取付け面２６２に対して回路組立体４００を取付ける助け をなすように構成されている。検出組立体２００は、導電接点２１４，２２４に 対して回路組立体４００を取付ける助けをなすために取付け面２６２から延在す るように形成された押圧構造２６４を含む。この押圧構造２６４は、回路組立体 ４００を取付けるために導電接点２１４，２２４から離れる方向へ撓むことがで き、その後その回路組立体４００を導電接点２１４，２２４に対して押圧するよ うに回路組立体４００に向かって解放される。押圧構造２６４は例えばプラスチ ックのようないずれかの適当材料で形成することができる。図２、図３および図 ６に示されるように、図示実施例の押圧構造２６４は一般的に片持ちビームのよ うに形成される。 検出組立体２００はコネクタ組立体３００と組合うように構成されている。図 ２、図３および図６に示されるように、図示実施例の検出組立体２００は、コネ クタ組立体３００を検出組立体２００と組合わせるときにコネクタ組立体３００ をガイドする助けをなすように、キャップ２６０の外周縁のまわりに位置決めフ ランジ２６６を含んでいる。検出組立体２００はまた整合機構２６８を含んでお り、コネクタ組立体３００の半径方向の配向を検出組立体２００に対して整合さ せる助けをなすように構成されている。図２、図３および図６に示されるように 、図示実施例の整合機構２６８は取付け面２６２から延在するように形成された ブロック形状のキーである。 図示実施例の検出本体２０１は図３に示されるようにモールド成形される本体 部分２０６，２０７を含む。本体部分２０６，２０７は適当な２ショットモール ド成形工程（２回噴射モールド成形工程）を使用して形成される。最初のショッ トではモールド成形される本体部分２０６が電気的絶縁材から形成され、この電 気的絶縁材は、そのモールド成形された本体部分２０６に対する導電材の蒸着に おいて導電層２１２，２１６，２２２，２２６の形成を促進させるのに適当な材 料とされる。モールド成形される本体部分２０７がその後に電気的絶縁材で形成 され、この電気的絶縁材は、導電層２１２，２１６，２２２，２２６の蒸着にお いて蒸着導電材がモールド成形された本体部分２０７の上に集積するのを抑止す るのに適当な材料とされる。 モールド成形された本体部分２０７はモールド成形された本体部分２０６のま わりに形成され、またそのモールド成形された本体部分２０６の領域を選択的に カバーすなわちマスクして、導電層２１２，２１６，２２２，２２６のパターン を形成するようになされる。その後、導電材が検出本体２０１に選択的に蒸着さ れるのであり、蒸着される導電材がモールド成形された本体部分２０６のモール ド成形された本体部分２０７から露出されている領域に集積することで、導電層 ２１２，２１６，２２２，２２６を形成する。 図２、図３、図６および図７に示されるように、図示実施例のモールド成形さ れた本体部分２０６は表面２１０，２１２、導電接点２１４，２２４の接点スタ ッド、およびバイアホール２１８，２２８を形成する。図示されたモールド成形 された本体部分２０７は押圧構造２６４、位置決めフランジ２６６、および整合 機構２６８を形成する。 導電層２１２，２１６，２２２，２２６を蒸着する無電解メッキ処理を使用す る一実施例では、モールド成形される本体部分２０６は適当なメッキ可能樹脂で 形成されることができ、またモールド成形される本体部分２０７は適当なメッキ 不能樹脂で形成されることができる。１つの適当なメッキ可能樹脂は、例えばゼ ネラル・エレクトリック社のＧＥプラスチックス部門から購入できるＵＬＴＥＭ （登録商標）２３１３のようなほぼ３０％のガラスが充填されたプラスチック樹 脂であり、また１つの適当なメッキ不能樹脂は、例えばゼネラル・エレクトリッ ク社のＧＥプラスチックス部門から購入できるＵＬＴＥＭ（登録商標）２２１２ のようなほぼ２０％のガラスが充填されたプラスチック樹脂である。その後、適 当な導電材が検出本体２０１に適当な厚さにメッキされ、モールド成形された本 体部分２０７に応じた形状でモールド成形された本体部分２０６に導電層２１２ ，２１６，２２２，２２６を形成する。一実施例では、例えば検出本体２０１に 約０．０１８ｍｍ（０．０００７インチ）の銅（Ｃｕ）が選択的にメッキされ、 またこの銅メッキの上から例えば約０．００５ｍｍ（０．０００２インチ）のニ ッケル（Ｎｉ）をメッキすることができる。ニッケルメッキは銅メッキを腐食か ら保護するバリヤとして作用し、また導電層２１２，２１６，２２２，２２６の 電気的接触を促す助けをなす。 導電材が導電層２１２，２１６，２２２，２２６を形成するために蒸着される とき、その蒸着された導電材によってバイアホール２１８，２２８を通る導電路 がバイアホール２１８，２２８の内壁面に形成される。バイアホール２１８，２ ２８はその後に、例えばエポキシのような適当材料を充填され、それらのバイア ホール２１８,２２８に残った空間の全てを密封する助けとなすことができる。 コネクタ組立体３００はコネクタ本体３０１を含む。コネクタ本体３０１はプ ラグ容器３５２と、円形容器３６０と、プラグ容器３５２を円形容器３６０から 区画する隔壁３７０とを形成している。図２、図３、図４および図５に示される ように、図示実施例のコネクタ本体３０１は、そのコネクタ本体３０１の基端３ ０３にプラグ容器３５２のマウス部を画成し、またコネクタ本体３０１の先端３ ０４に円形容器３６０のマウス部を画成している。コネクタ本体３０１は例えば 電気的絶縁材のようないずれかの適当材料で形成されることができる。 コネクタ組立体３００は、プラグ容器３５２に支持された導電ピン３２０，３ ３０，３４０を含む。導電ピン３２０は隔壁３７０からからプラグ容器３５２内 を延在するように形成されたピンスタッド３２１の少なくとも一部分に蒸着され た導電層３２２を含む。ピン３３０は隔壁３７０からからプラグ容器３５２内を 延在するように形成された他のピンスタッドの少なくとも一部分に蒸着された導 電層３３２を含む。ピン３４０は隔壁３７０からからプラグ容器３５２内を延在 するように形成された他のピンスタッドの少なくとも一部分に蒸着された導電 層３４２を含む。ピンスタッド３２１を含めてこれらのピンスタッドは例えば電 気的絶縁材のようないずれかの適当材料で形成されることができる。 プラグ容器３５２内のピン３２０，３３０，３４０はコネクタ組立体３００の 電気コネクタ３５０を形成する。図２、図３および図４に示されるように、図示 実施例の電気コネクタ３５０は、ドイツＤＴ０６−３Ｓコネクタを備えた着脱可 能な接続に適当なドイツＤＴ−３ピンコネクタである。図示電気コネクタ３５０ では、ピン３２０は接地信号を導き、ピン３３０は電力信号を導き、ピン３４０ は流体センサーの出力信号を導く。 コネクタ組立体３００は導電層３２６を含む。導電層３２６はいずれかの適当 な導電材で形成されることができる。導電層３２６は円形容器３６０の内側面の 少なくとも一部分に蒸着される。図３および図５に示されるように、図示実施例 の導電層３２６は隔壁３７０を含めて円形容器３６０の内側面すなわち壁面の比 較的広い面積部分をカバーしている。図示された導電層３２６は円形容器３６０ のマウス部の縁を超えて外方へ延在し、コネクタ組立体３００および検出組立体 ２００が組合わされるときに検出組立体２００の図示された導電層２２６と導電 接触する接触面を形成するように成されている。 コネクタ組立体３００は導電接点３３４，３４４を含む。導電接点３３４は、 隔壁３７０から円形容器３６０の内部を延在するように形成された接点スタッド の少なくとも一部分に蒸着された導電層３３６を含む。接点３４４は隔壁３７０ から円形容器３６０の内部を延在するように形成された他の接点スタッドの少な くとも一部分に蒸着された導電層３４６を含む。接点スタッドは例えば導電材の ようないずれかの適当材料で形成されることができる。図３および図５に示され るように、導電接点３３４，３４４の接点スタッドは図示実施例ではブロック形 状である。導電層３３６，３４６はいずれかの適当な導電材で形成されることが できる。 コネクタ本体３０１はプラグ容器３５２と円形容器３６０との間を隔壁３７０ を通して延在するバイアホール３２８，３３８，３４８を形成する。ピン３２０ はバイアホール３２８を通して導電層３２６に導電結合され、またピン３３０， ３４０はそれぞれバイアホール３３８，３４８を通してそれぞれ接点３３４， ３４４に導電結合される。導電層３２２は、バイアホール３２８を通る導電路に よって導電層３２６に導電結合される。導電層３３２は、バイアホール３３８を 通る導電路によって導電層３３６に導電結合される。導電層３４２は、バイアホ ール３４８を通る導電路によって導電層３４６に導電結合される。 接点３３４，３４４はコネクタ組立体３００の電気的インターフェースを形成 する。図２および図３に示されるように、接点３３４，３４４は、図示実施例の 回路組立体４００が円形容器３６０内に取付けられるとき、回路組立体４００の それぞれの導電接点パッド４３４,４４４と電気的に接触するように形成される 。コネクタ組立体３００は回路組立体４００の円形容器３６０内に取付ける助け をなすように構成される。図５に示されるように、図示実施例のコネクタ本体３ ０１は、接点３３４，３４４との適当な接触を得ると共に回路組立体４００を円 形容器３６０内に固定するように回路組立体４００を位置決めするために、円形 容器３６０の反対側面すなわち壁面に沿って溝３６３,３６５を形成している。 コネクタ組立体３００は、接点３３４，３４４に対して回路組立体４００を取付 ける助けをなすために、隔壁３７０から円形容器３６０内を延在するように形成 された押圧構造３６４を含む。押圧構造３６４は接点３３４，３４４から離れる 方向へ撓んで回路組立体４００を取付けた後、取付けられた回路組立体４００に 対して解放されてその回路組立体４００を接点３３４，３４４に押圧するように なすことができる。押圧構造３６４は例えばプラスチックのようないずれかの適 当な材料で形成されることができる。図３および図５に示されるように、図示実 施例の押圧構造３６４は一般的には片持ちビームのように形成される。 コネクタ組立体３００は検出組立体２００と組合うように構成される。円形容 器３６０のマウス部は検出組立体２００の取付け面２６２と組合うように構成さ れる。図３および図５に示されるように、図示実施例のコネクタ本体３０１は円 形容器３６０のマウス部に、取付け面２６２を取囲んで検出組立体２００の位置 決めフランジ２６６に係止するように構成された突出リム３６６を形成している 。図示された導電層３２６はコネクタ組立体３００および２００が組合わされる ときに検出組立体２００の図示された導電層２２６と接触する。 コネクタ本体３０１はまた、回路組立体４００と適当に接触するように接点 ２１４，２２４，３３４，３４４を整合させる助けをなすために、検出組立体２ ００の整合機構２６８と組合うような整合機構３６８を備えて構成されている。 図３および図５に示されるように、図示実施例の整合機構３６８は検出組立体２ ００のブロック形状の整合キー２６８と組合うような円形容器３６０の内側面す なわち壁面に形成されたソケットである。 検出組立体２００とのコネクタ組立体３００の組合わせにおいて、円形容器３ ６０および取付け面２６２は回路組立体４００を収容するハウジングを形成する 。コネクタ組立体３００は、流体センサー１００を形成するために検出組立体２ ００に固定される。一実施例では、リム３６６はキャップ２６０に超音波溶接さ れ、流体センサー１００の内部に収容される回路組立体４００の気密シールの形 成を助ける。 コネクタ組立体３００は検出組立体２００が容器１０内を延在するように流体 センサー１００を容器１０に取付ける助けをなすように構成される。図１、図２ および図３に示されるように、図示実施例のコネクタ本体３０１はそのコネクタ 本体３０１の外周面のまわりにコネクタ本体３０１の先端３０４へ向かうねじ３ ８２を形成している。検出組立体２００は容器１０の壁面の開口を通して挿入さ れることができ、また図示コネクタ組立体３００は適当なソケット１２に螺合さ れて図１に示すように流体センサー１００を容器１０に取付けることができる。 図１、図２、図３および図４に示されるように、図示実施例のコネクタ本体３ ０１はコネクタ本体３０１の外周面のまわりにコネクタ本体３０１の基端３０３ へ向かう六角形のインターフェース３８４を形成して、流体センサー１００をソ ケット１２にねじ込むときに工具を使用できるようにしている。図示コネクタ本 体３０１はまた六角形のインターフェース３８４とねじ３８２との間にコネクタ 本体３０１の外周面のまわりのフランジ３８６を形成している。図示されたコネ クタ組立体３００は、ソケット１２の開口を密封する助けをなすために、フラン ジ３８６とねじ３８２との間にてコネクタ本体３０１の外周面のまわりに取付け られたＯ−リング３８８を含む。Ｏ−リング３８８は例えばフルオロシリコーン のようないずれかの適当材料で形成することができる。 図示実施例のコネクタ本体３０１は図３に示されるようにモールド成形された 本体部分３０６，３０７を含む。モールド成形される本体部分３０６，３０７は 適当な２ショットモールド成形工程を使用して形成される。最初のショットでは モールド成形される本体部分３０６が電気的絶縁材から形成され、この電気的絶 縁材は、そのモールド成形された本体部分２０６に対する導電材の蒸着において 導電層３２２，３２６，３３２，３３６，３４２，３４６の形成を促進させるの に適当な材料とされる。モールド成形される本体部分３０７がその後に電気的絶 縁材で形成され、この電気的絶縁材は、導電層３２２，３２６，３３２，３３６ ，３４２，３４６の蒸着において蒸着導電材がモールド成形された本体部分３０ ７の上に集積するのを抑止するのに適当な材料とされる。 モールド成形された本体部分３０７はモールド成形された本体部分３０６のま わりに形成され、またそのモールド成形された本体部分３０６の領域を選択的に カバーすなわちマスクして、導電層３２２，３２６，３３２，３３６，３４２， ３４６のパターンを形成するようになされる。その後、コネクタ本体３０１に選 択的に導電材が蒸着されるのであり、蒸着される導電材がモールド成形された本 体部分３０６のモールド成形された本体部分３０７から露出されている領域に集 積することで、導電層３２２，３２６，３３２，３３６，３４２，３４６を形成 する。 図２、図３、図４および図５に示されるように、図示実施例のモールド成形さ れた本体部分３０６は、ピン３２０，３３０，３４０のピンスタッド、接点導電 接点３３４，接点３４４の接点スタッド、バイアホール３２８，３３８，３４８ 、円形容器３６０、溝３６３，３６５、および整合機構３６８を形成している。 図示されたモールド成形された本体部分３０７は、プラグ容器３５２、押圧構造 ３６４、リム３６６、ねじ３８２、六角形のインターフェース３８４、およびフ ランジ３８６を形成している。 導電層３２２，３２６，３３２，３３６，３４２，３４６を蒸着する無電解メ ッキ処理を使用する一実施例では、モールド成形される本体部分３０６は適当な メッキ可能樹脂で形成されることができ、またモールド成形される本体部分３０ ７は適当なメッキ不能樹脂で形成されることができる。１つの適当なメッキ可能 樹脂は、例えばゼネラル・エレクトリック社のＧＥプラスチックス部門から 購入できるＵＬＴＥＭ（登録商標）２３１３のようなほぼ３０％のガラスが充填 されたプラスチック樹脂であり、また１つの適当なメッキ不能樹脂は、例えばゼ ネラル・エレクトリック社のＧＥプラスチックス部門から購入できるＵＬＴＥＭ （登録商標）２２１２のようなほぼ２０％のガラスが充填されたプラスチック樹 脂である。その後、適当な導電材がコネクタ本体３０１に適当な厚さにメッキさ れ、モールド成形された本体部分３０７に応じて、モールド成形された本体部分 ３０６に導電層３２２，３２６，３３２，３３６，３４２，３４６を形成して、 導電層３２２，３２６，３３２，３３６，３４２，３４６を形成する。一実施例 では、コネクタ本体３０１に例えば約０．０１８ｍｍ（０．０００７インチ）の 銅（Ｃｕ）が選択的にメッキされ、またこの銅メッキの上から例えば約０．００ ５ｍｍ（０．０００２インチ）のニッケル（Ｎｉ）をメッキすることができる。 ニッケルメッキは銅メッキを腐食から保護するバリヤとして作用し、また導電層 ３２２，３２６，３３２，３３６，３４２，３４６の電気的接触を促す助けをな す。 導電材が導電層３２２，３２６，３３２，３３６，３４２，３４６を形成する ために蒸着されるとき、その蒸着された導電材によってバイアホール３２８，３ ３８，３４８を通る導電路がバイアホール３２８，３３８，３４８の内壁面に形 成される。バイアホール３２８，３３８，３４８はその後に、例えばエポキシの ような適当材料を充填され、それらのバイアホール３２８，３３８，３４８に残 った空間の全てを密封する助けとなすことができる。 回路組立体４００は、検出組立体２００の導電層２１２，２２２の間の空間２ ５０に流体が存在するか否かを判定するために、導電層２１２，２２２の少なく とも一方に導電結合された検出回路を含む。この検出回路はコネクタ組立体３０ ０に導電結合され、検出組立体２００によって流体の存在が検出されたか否かに 基づいて電気的流体センサー出力信号を発生し、それを電気コネクタ３５０へ出 力する。 空間２５０内に流体が存在することはその空間２５０内の空気を追い出し、検 出組立体２００のキャパシタの誘電率を高めるので、空間２５０内の流体の存在 は検出組立体２００の容量を高める。検出回路は検出組立体２００の容量を監視 し、検出組立体２００の容量が予め定めたキャパシタンスの閾値を超えたならば 空間２５０内に流体が存在すると判定する。検出回路の予め定められる容量閾値 は、例えば検出組立体２００によって検出される特定の流体、導電層２１２，２ ２２の間隔距離、および導電層２１２，２２２の表面積によって変わる判定され るときの検出組立体２００のキャパシタの容量に応じて変化する。 回路組立体４００は検出回路および導電接点パッド４１４，４２４，４３４， ４４４を支持するプリント回路基板４０１を含む。図２および図３に示されるよ うに、図示実施例の接点パッド４１４，４２４，４３４，４４４は、回路組立体 ４００が円形容器３６０内で取付け面２６２に取付けられるときに接点２１４， ２２４，３３４，３４４と適当に接触するように、プリント回路基板４０１に配 置される。 図示された回路組立体４００は、ピン３３０、接点３３４、および接点パッド ４３４を経て導かれた電力信号によって付勢され、またピン３２０、導電層３２ ６、導電層２２６、接点２２４、および接点パッド４２４を経て導かれた接地信 号によって接地される。図示実施例の接地された導電層導電層２２６，導電層３ ２６は、回路組立体４００を電磁妨害雑音（ＥＭＩ）から遮断する助けをなす。 図示された回路組立体４００は接点２１４および接点パッド４１４を経て導電 層２１２に導電結合されて、検出組立体２００の検出容量の電圧信号を監視する ようになされる。図示実施例の導電層２２２は、ピン３２０、導電層３２６、お よび導電層２２６を経て導かれた接地信号により接地される。流体が検出組立体 ２００で検出されたか否かに基づいて監視された検出容量の電圧信号により判定 されると、図示された回路組立体４００は流体センサーの電気出力信号を発生し 、それを接点パッド４４４および接点３４４を経て電気コネクタ３５０のピン３ ４０に出力する。 図８に示されるように、図示実施例の回路組立体４００の検出回路はＴフィル タ４５１，４５６、ダイオード４５２、キャパシタ４５３，４５５、基準キャパ シタ４５４、および容量性閾値検出器の専用集積回路（ＣＴＤ−ＡＳＩＣ）４６ ０を含む。図９は図示実施例の回路組立体４００のプリント回路基板４０１ における電気装置４５１〜４５６、４６０の配置を示す。容量性閾値検出器の専 用集積回路（ＣＴＤ−ＡＳＩＣ）４６０の一実施例の回路はベンジャミン・エヌ ・リース氏に付与された米国特許第５４４６４４４号に開示されている。 図示検出回路では、容量性閾値検出器の専用集積回路（ＣＴＤ−ＡＳＩＣ）４ ６０は接点パッド４２４を経て導かれた接地信号で接地され、また接点パッド４ ３４を経て導かれた約＋５ボルトの信号で付勢されている。接点パッド４３４は Ｔフィルタ４５１を経てダイオード４５２の陽極に連結され、ダイオード４５２ の陰極は容量性閾値検出器の専用集積回路（ＣＴＤ−ＡＳＩＣ）４６０を付勢す るために連結される。Ｔフィルタ４５１は放射され伝達された電磁妨害雑音（Ｅ ＭＩ）をフィルタする助けをなす。キャパシタ４５３はダイオード４５２の陽極 とアースとの間に連結される。 基準キャパシタ４５４は容量性閾値検出器の専用集積回路(ＣＴＤ−ＡＳＩＣ) ４６０とアースとの間に連結される。検出組立体２００の導電層２１２，２２２ によって形成されたキャパシタもまた容量性閾値検出器の専用集積回路（ＣＴＤ −ＡＳＩＣ）４６０とアースとの間に連結され、導電層２１２は接点パッド４１ ４を経て容量性閾値検出器の専用集積回路（ＣＴＤ−ＡＳＩＣ）４６０に連結さ れ、導電層２２２は接地される。 容量性閾値検出器の専用集積回路（ＣＴＤ−ＡＳＩＣ）４６０は流体センサー 出力信号を発生してそれをＴフィルタ４５６を経て接点パッド４４４に出力する 。Ｔフィルタ４５１は放射され伝達された電磁妨害雑音（ＥＭＩ）をフィルタす る助けをなす。キャパシタ４５５は容量性閾値検出器の専用集積回路（ＣＴＤ− ＡＳＩＣ）４６０の出力端子とアースとの間に連結される。 検出組立体２００の空間２５０内に流体が存在するか否かを判定するために、 容量性閾値検出器の専用集積回路（ＣＴＤ−ＡＳＩＣ）４６０は基準キャパシタ ４５４と検出組立体２００のキャパシタとを同軸に充電する。容量性閾値検出器 の専用集積回路（ＣＴＤ−ＡＳＩＣ）４６０は、差動増幅器として構成された演 算増幅器（ｏｐ−ａｍｐ）４６２により時間の関数として、基準キャパシタ４５ ４を横断する電圧と、導電層２１２，導電層２２２を横断する電圧とを監視する 。演算増幅器（ｏｐ−ａｍｐ）４６２の非逆転入力が基準キャパシタ４５４ に連結され、演算増幅器（ｏｐ−ａｍｐ）４６２の逆転入力が検出組立体２００ のキャパシタの導電層２１２に連結される。 容量性閾値検出器の専用集積回路（ＣＴＤ−ＡＳＩＣ）４６０により基準キャ パシタ４５４を横断する電圧が検出組立体２００のキャパシタを横断する電圧よ りも急速に増大すると判定されたならば、これは検出組立体２００のキャパシタ が一層大きい容量を有すことを示し、容量性閾値検出器の専用集積回路（ＣＴＤ −ＡＳＩＣ）４６０は接点パッド４４４に約＋５ボルトの信号を出力して、検出 組立体２００により流体の存在が判定されたことを指示するようになす。そうで なくて容量性閾値検出器の専用集積回路（ＣＴＤ−ＡＳＩＣ）４６０によって検 出組立体２００のキャパシタを横断する電圧が基準キャパシタ４５４を横断する 電圧よりも急速に増大すると判定されたならば、これは基準キャパシタ４５４が 一層大きい容量を有すことを示し、容量性閾値検出器の専用集積回路（ＣＴＤ− ＡＳＩＣ）４６０は接点パッド４４４に対して約０ボルトの信号を出力する。 図示回路組立体４００の検出回路のために、適当なＴフィルタ４５１，４５６ は例えば日本のＴＤＫ社から部品番号ＡＣＦ３２１８２５−３３２が購入でき、 また適当なキャパシタ４５３，４５５は、例えば約０．１マイクロファラッドの 容量を有する。図示された検出回路の適当な基準キャパシタ４５４は、例えば検 出組立体２００によって検出される特定流体、導電層２１２，２２２の間隔距離 、および導電層２１２，２２２の表面積に応じて変化する。 一実施例では、図示された検出組立体２００は図示導電層２１２，２２２が約 ３８．１ｍｍ（１．５００インチ）の長さを有し、またそれぞれが約１１．７ｍ ｍ（０．４６インチ）および約１４．７ｍｍ（０．５８インチ）の直径を有する ように表面２１０，２２０を定めており、また図示された検出組立体２００は４ つの図示溝すなわちポート２５７の各々が約３．１８ｍｍ（０．１２５インチ） の幅および約３１．８ｍｍ（１．２５インチ）の長さを有するように定めている 。 例えばオイルまたは作動流体のような約１．７〜約４の相対誘電率を有する流 体を検出するための検出組立体２００のこの実施例では、適当な基準キャパシタ ４５４は例えば約１５ピコファラッドの容量を有する。例えばエタノールのよう な約１２〜約３５の相対誘電率を有する流体を検出するこの実施例の検出組立体 ２００では、適当な基準キャパシタ４５４は例えば約９１ピコファラッドの容量 を有する。例えば水や凍結防止液のような約３４〜約９０の相対誘電率を有する 流体を検出するこの実施例の検出組立体２００では、適当な基準キャパシタ４５ ４は例えば約２４０ピコファラッドの容量を有する。 検出組立体２００によって比較的導電性の強い流体を検出する場合において、 導電層２１２，２２２の間の短絡すなわち比較的抵抗の小さい導通路の形成を防 止する助けをなすために、他の実施例として比較的薄い電気的絶縁層が検出組立 体２００の導電層２１２，２２２の上に形成されることができる。 流体センサー１００は検出組立体２００によって流体が検出されたか否かの判 定のためにソリッドステーツ回路を使用するので、この流体センサー１００は浮 動式の流体レベルスイッチに生じる欠点を解消する。一例として、流体センサー １００は、その流体センサー１００が振動にかかわらずに高い信頼性でスイッチ 走査するような自動車の応用に適している。さらに、流体センサー１００の寿命 はいずれの機械的な摩耗によっても制限されない。 前述において、本発明は特定の代表的な実施例を参照して説明した。しかしな がら添付の請求の範囲の欄に記載された本発明の広い精神または範囲から逸脱せ ずにさまざまな変更および変化を加えられることは明白である。したがって、こ の明細書および図面は限定ではなく説明と考えねばならない。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】１９９８年４月２１日（１９９８．４．２１） 【補正内容】 明細書 流体センサー この特許出願は、仮の米国特許出願第６０／０１４６７３号の出願日である１ ９９６年４月３日の恩恵を請求する。 技術分野 本発明は一般にセンサーの分野に関する。さらに詳しくは、本発明は流体セン サーの分野に関する。 背景技術 容器内の流体レベルを検出して、その流体が或るレベルに達しているかどうか を表示するために各種の流体センサーが知られている。 １つの典型的な流体レベルセンサーは浮動式流体レベルスイッチである。しか しながらこのセンサーは可動部品を有するので、例えば自動車に適用した場合に は、振動する結果として偽似的なスイッチ動作の影響を受けやすい。このセンサ ーの金属接点は摩耗の影響も受けやすく、センサー寿命を短縮する。 ＧＢ−Ａ−２２４８９３９特許明細書は第１および第２容量性プレートを含む 自動ポンプの容量性スイッチを開示しており、これらのプレートは互いの間に空 隙を形成し、その空隙内に流体が流入できるようにすると共に、プレート間に流 体が存在することで生じる容量変化を検出する回路を有している。これらのプレ ートおよび回路はモールド成形されたケーシング内に収容される。 液体レベルのゲージはＦＲ−Ａ−２３３１００４に開示されている。この装置 は２つの平行な直立絶縁プレートを含み、プレート間に介在されたスペーサロッ ドによって間隔を隔てられている。対向する面は導電ストリップを備えており、 この導電ストリップに対して検出回路が連結され、プレート間に流体が存在する ことに基づいて電気信号を発生する。 発明の説明 流体センサーは流体を検出する検出組立体を含み、また検出回路を含んでいる 。 検出組立体は検出本体を含んで成り、この検出本体は電気的絶縁材を含むととも に、第１面と、この第１面に対して予め定めた間隔を隔てた第２面とを形成して いる。検出本体は第１面と第２面との間に空間を画成しており、またその第１面 および第２面の間の空間に流体が流入できるようにするためのポートを画成して おり、ここで前記検出本体は前記第１および第２導電層のパターンを定めるため に第１モールド成形部分と、前記第１モールド成形部分のまわりの第２モールド 成形部分とを含んで成り、前記第１および第２モールド成形部分は異なる材料で 構成されている。また検出組立体は検出本体の第１面の少なくとも一部分に蒸着 した第１導電層と、検出本体の第２面の少なくとも一部分に蒸着した第２導電層 とを含んでいる。検出回路は流体が第１面および第２面の間隔空間内に存在する か否かに基づいて電気信号を発生するために、第１導電層と第２導電層の少なく とも一方に導電的に結合される。 流体センサーを製造する方法は、電気的絶縁材を含むと共に第１面およびその 第１面に対して予め定めた間隔を隔てた第２面を画成している検出本体を形成す る段階を含む。検出本体は第１面と第２面との間に空間を画成し、また第１面お よび第２面の間の空間内に流体が流入できるようにするためのポートを画成する 。この形成段階は前記検出本体の第１部分をモールド成形する段階と、前記第１ モールド成形部分２０６のまわりに前記検出本体の第２部分をモールド成形する 段階とを含み、前記第１および第２モールド成形部分は異なる材料で構成される 。検出本体の第１面の少なくとも一部分に第１導電層が蒸着され、検出本体の第 ２面の少なくとも一部分に第２導電層が蒸着される。第１導電層および第２導電 層の少なくとも一方に検出回路が導電的に結合される。この検出回路は第１面お よび第２面の間隔空間内に流体が存在するか否かに基づいて電気信号を発生する 。 図面の簡単な説明 本発明は添付図面の各図に、例として図示されるが、これに限定されることは ない。図中の類似する符号は類似部材を示している。図面において、 図１は容器内の流体レベルを検出するために取付けられた流体センサーの斜視 図を示し、 図２は流体センサーの分解斜視図を示し、 図３は流体センサーの側断面図を示し、 図４は図２の線４−４で示される平面から見た流体センサーのコネクタ組立体 の頂視図を示し、 図５は図２の線５−５で示される平面から見た流体センサーのコネクタ組立体 の底視図を示し、 図６は図２の線６−６で示される平面から見た流体センサーの検出組立体の頂 視図を示し、 図７は図２の線６−６で示される平面から見た流体センサーの検出組立体の底 視図を示し、 図８は流体センサーの検出回路の概略線図を示し、そして 図９は流体センサーの検出回路を含む回路組立体を示す。 本発明の実施の態様 図１は容器１０内の流体２０のレベルを検出する流体センサー１００を示して いる。流体センサー１００はいずれかの適当な容器１０内のいずれかの適当な流 体２０のレベルを検出するように構成できる。流体センサー１００は、例えばレ クリエーション用車両や各種自動車に使用できる。流体センサー１００は収容タ 請求の範囲 １． ａ） 流体（２０）を検出する検出組立体（２００）であって、 ｉ） 電気的絶縁材を含んで構成され、第１面（２２０）およ び前記第１面（２２０）に対して予め定めた間隔を隔てた第２ 面（２１０）を形成していて、前記第１面（２２０）および前 記第２面（２１０）の間に空間（２５０）を画成し、また前記 第１面および第２面（２２０，２１０）の間の前記空間 （２５０）内部に流体を流せるようにするポート（２５５， ２５７）を形成している検出本体（２０１）と、 ｉｉ） 前記検出本体（２０１）の前記第１面（２２０）の少 なくとも一部分に蒸着された第１導電層（２２２）と、 ｉｉｉ） 前記検出本体（２０１）の前記第２面（２１０）の 少なくとも一部分に蒸着された第２導電層（２１２）と、 を含む前記検出組立体、および ｂ） 前記第１および前記第２面（２２０，２１０）の間の前記空間 （２５０）内部に流体が存在するか否かに基づいて電気信号 を発生するために、前記第１および第２導電層（２２２，２１２）の少な くとも一方に導電結合されたセンサー回路（４００）、 を含み、 前記検出本体（２０１）が前記第１および第２導電層（２２２，２１２）のパ ターンを定めるために前記第１モールド成形部分（２０６）と、前記第１モール ド成形部分（２０６）のまわりに備えられた第２モールド成形部分とを含んで成 ることを特徴とする流体センサー。 ２． 請求項１に記載された流体センサーであって、前記第１面（２２０）が 前記第２面（２１０）の少なくとも一部分を取囲んでいる流体センサー。 ３． 請求項２に記載された流体センサーであって、前記第１面（２２０）が 内側の一般に円筒形の面であり、前記第２面（２１０）が前記第１面（２２０） と同軸の外側の一般に円筒形の面である流体センサー。 ４． 請求項１に記載された流体センサーであって、前記検出本体（２０１） が前記検出回路（４００）に電気的に接触するための接点（２１４，２２４）を 支持する取付け面（２６２）をさらに形成しており、また前記取付け面（２６２ ）と前記第１および第２導電層（２２２，２１２）の一方との間を延在するバイ アホール（２１８，２２８）を形成しており、前記接点(２１４，２２４)は前記 バイアホール（２１８，２２８）を経て前記第１および第２導電層（２２２，２ １２）の前記一方に導電結合されている流体センサー。 ５． 請求項４に記載された流体センサーであって、前記検出回路を支持する プリント回路基板（４０１）をさらに含み、 前記接点(２１４，２２４)は前記取付け面（２６２）から延在する接点スタッ ドに蒸着された導電層(２１６，２２６)を含んでおり、また 前記検出組立体は前記接点(２１４，２２４)に対して前記プリント回路基板( ４０１)を取付けるために前記検出本体（２０１）の前記取付け面（２６２）か ら延在した押圧構造（２６４）をさらに含んでいる流体センサー。 ６． 請求項１に記載された流体センサーであって、前記検出組立体が容器( １０)内を延在して前記容器（１０）内の流体のレベルを検出するように、前記 流体センサーを容器（１０）に取付けるために前記検出組立体に結合されたコネ クタ組立体（３００）をさらに含む流体センサー。 ７． 請求項１に記載された流体センサーであって、 ｃ） 前記検出組立体に連結されたコネクタ組立体（３００）であって 、 ｉ） 電気コネクタ（３５０）のためのプラグ容器（３５２）、 前記検出回路（４００）を収容するための回路容器（３６０）、 前記プラグ容器（３５２）を前記回路容器（３６０）から区画 する隔壁(３７０)、および前記プラグ容器（３５２）と前記 回路容器（３６０）との間を前記隔壁（３７０）を通して延在 するバイアホール（３３８，３４８）を形成しているコネクタ 本体（３０１）と、 ｉｉ） 前記検出回路（４００）に電気的に接触する接点 （３３４，３４４）であって、前記バイアホール（３３８， ３４８）を経て前記電気コネクタ（３５０）に導電結合された （３３４，３４４）接点と、 を含んでいる前記コネクタ組立体（３００）、 をさらに含む流体センサー。 ８． 請求項７に記載された流体センサーであって、前記電気コネクタ（３５ ０）がピン（３２０，３３０，３４０）を含み、前記ピンが前記隔壁（３７０） から前記プラグ容器（３５２）内を延在するピンスタッド（３２１）に蒸着され た導電層を含んでいる流体センサー。 ９． 請求項７に記載された流体センサーであって、前記検出回路を支持する プリント回路基板（４０１）を含み、 前記接点（３３４，３４４）は前記隔壁（３７０）から前記回路容器（３６０ ）内を延在する接点スタッドに蒸着された導電層（３３６，３４６）を含んでお り、前記コネクタ組立体は前記接点（３３４，３４４）に対して前記プリント回 路基板（４０１）を取付けるために前記隔壁（３７０）から前記回路容器（３６ ０）内を延在している押圧構造（３６４）をさらに含んでいる流体センサー。 １０． 請求項１に記載された流体センサーであって、前記検出組立体（２００ ）に連結されたコネクタ組立体（３００）をさらに含み、前記コネクタ組立体（ ３００）は前記検出回路（４００）を収容するための回路容器（３６０）を形成 しているコネクタ本体（３０１）を含んでいる流体センサー。 １１． 請求項１０に記載された流体センサーであって、前記検出本体（２０１ ）は取付け面（２６２）をさらに形成し、また前記コネクタ本体（３０１）は前 記取付け面（２６２）と組合うように構成されたマウスを有する前記回路容器（ ３６０）を形成して、前記回路容器（３６０）および前記取付け面（２６２）は 前記検出回路（４００）を収容するハウジングを形成している流体センサー。 １２． 請求項１０に記載された流体センサーであって、電磁妨害雑音を遮断す るために前記回路容器（３６０）の内側面の少なくとも一部分に蒸着された導電 層（３２６）をさらに含んでいる流体センサー。 １３． 請求項１０に記載された流体センサーであって、前記検出回路（４００ ）を支持するプリント回路基板（４０１）をさらに含み、前記コネクタ本体 （３０１）は前記プリント回路基板（４０１）を前記回路容器に取付けるために 前記回路容器（３６０）の反対両側面に沿って溝（３６３，３６５）を形成して いる流体センサー。 １４． 流体センサー（１００）を製造する方法であって、 ａ） 電気的絶縁材を含み、第１面（２２０）および前記第１面 （２２０）から予め定めた間隔を隔てた第２面（２１０）を形成してい る検出本体（２０１）であって、前記第１面（２２０）および前記第２ 面（２１０）の間に空間（２５０）を形成し、前記第１および前記第２ 面（２２０，２１０）の間の前記空間（２５０）内部を流体が流れるよ うにするポート（２５５，２５７）を形成している前記検出本体 （２０１）を形成する段階、 ｂ） 前記検出本体（２０１）の前記第１面（２２０）の少なくとも一 部分に第１導電層（２２２）を蒸着させる段階、 ｃ） 前記検出本体（２０１）の前記第２面（２１０）の少なくとも一 部分に第２導電層（２１２）を蒸着させる段階、 ｄ） 前記第１および第２導電層(２２２，２１２)の少なくとも一方に 、前記第１および第２面（２２０，２１０）の間の前記空間（２５０） 内部に流体が存在するか否かに基づいて電気信号を発生するようになさ れた検出回路（４００）を導電結合する段階、 を含み、 前記形成段階（ａ）が前記検出本体（２０１）の第１部分（２０６）をモール ド成形する段階と、前記第１モールド成形部分（２０６）のまわりに前記検出本 体（２０１）の第２部分（２０７）をモールド成形し、前記第１および第２導電 層（２２２，２１２）のパターンを定める段階とを含んでおり、前記第１および 第２モールド成形部分（２０６，２０７）は異なる材料で構成される流体センサ ーの製造方法。 １５． 請求項１４に記載された方法であって、前記蒸着段階（ｂ）が無電解メ ッキ処理で前記第１導電層（２２２）をメッキする段階を含んでいる流体センサ ーの製造方法。 １６． 請求項１４に記載された方法であって、前記第１面（２２０）が前記第 ２面（２１０）の少なくとも一部分を取囲むように前記検出本体（２０１）を形 成する段階を前記形成段階（ａ）が含んでいる流体センサーの製造方法。 １７． 請求項１６に記載された方法であって、前記第１面（２２０）が内側の 一般的な円筒面であり、前記第２面（２１０）が前記第１面（２２０）と同軸な 外側の一般的な円筒面であるように、前記検出本体（２０１）を形成する段階を 前記形成段階（ａ）が含んでいる流体センサーの製造方法。 １８． 請求項１４に記載された方法であって、前記検出回路（４００）に電気 的に連結するために前記検出本体の取付け面（２６２）に接点（２１４，２２４ ）を形成する段階をさらに含み、前記接点は前記取付け面（２６２）と第１およ び第２導電層(２２２，２１２)の一方との間を延在するバイアホール（２１８， ２２８）を経て前記一方の導電層に導電結合される流体センサーの製造方法。 １９． 請求項１８に記載された方法であって、前記接点形成段階が前記取付け 面（２６２）から延在する接点スタッドに導電層（２１６，２２６）を蒸着する 段階を含んでおり、また前記導電結合段階（ｄ）が前記検出本体（２０１）の前 記取付け面（２６２）から延在する押圧構造（２６４）によって前記検出回路を 支持するプリント回路基板（４０１）を前記接点に対して取付ける段階を含んで いる流体センサーの製造方法。 ２０． 請求項１４に記載された方法であって、前記検出本体（２０１）が容器 （１０）内を延在して前記容器内部の流体のレベルを検出するように、前記流体 センサーを前記容器（１０）に取付けるコネクタ組立体（３００）を形成する段 階をさらに含んでいる流体センサーの製造方法。 ２１． 請求項１４に記載された方法であって、 電気コネクタ（３５０）のためのプラグ容器（３５２）、前記検出回路（４０ ０）を収容するための回路容器(３６０)、前記プラグ容器（３５２）を前記回路 容器（３６０）から区画する隔壁(３７０)、および前記プラグ容器（３５２）と 前記回路容器（３６０）との間を前記隔壁（３７０）を通して延在するバイアホ ール（３３８，３４８）を形成しているコネクタ本体（３０１）を形成する段階 と、 前記検出回路（４００）に電気的に接触する接点（３３４，３４４）であって 、前記バイアホール（３３８，３４８）を経て前記電気コネクタ（３５０）に導 電結合された接点（３３４，３４４）を形成する段階と、 前記回路容器（３６０）内に前記検出回路（４００）を収容して、前記検出回 路（４００）を前記接点に電気的に連結する段階と、 前記コネクタ本体（３０１）を前記検出本体（２０１）に固定する段階とをさ らに含む流体センサーの製造方法。 ２２． 請求項２１に記載された方法であって、前記隔壁（３７０）から前記プ ラグ容器（３５２）内に延在したピンスタッド（３２１）に導電層（３２２，３ ３２，３４２）を蒸着することで前記電気コネクタのピン（３２０，３３０，３ ４０）を形成する段階をさらに含む流体センサーの製造方法。 ２３． 請求項２１に記載された方法であって、前記形成段階が前記隔壁（３７ ０）から前記回路容器（３６０）内に延在した接点スタッドに導電層（３３６， ３４６）を蒸着する段階を含んでおり、また 前記収容段階が前記隔壁（３７０）から前記回路容器（３６０）内に延在した 押圧構造（３６４）によって前記検出回路を支持するプリント回路基板（４０１ ）を前記接点に対して取付ける段階を含んでいる流体センサーの製造方法。 ２４． 請求項１４に記載された方法であって、 回路容器（３６０）を形成するコネクタ本体（３０１）を形成する段階と、 前記回路容器（３６０）内に前記検出回路（４００）を収容する段階と、 前記コネクタ本体（３０１）を前記検出本体（２０１）に固定する段階とをさ らに含む流体センサーの製造方法。 ２５． 請求項２４に記載された方法であって、前記回路容器（３６０）および 前記取付け面（３６２）が前記検出回路（４００）のハウジングを形成するよう に、前記回路容器（３６０）を前記検出本体（３０１）の取付け面（２６２）と 組合わせる段階を前記固定段階が含んでいる流体センサーの製造方法。 ２６． 請求項２４に記載された方法であって、電磁妨害雑音を遮断するために 前記回路容器（３６０）の内側面の少なくとも一部分に導電層（３２６）を蒸着 する段階をさらに含む流体センサーの製造方法。 ２７． 請求項２４に記載された方法であって、前記収容段階が前記検出回路を 支持するプリント回路基板（４０１）を、前記回路容器（３６０）の反対両側面 に沿って形成された溝（３６３，３６５）によって前記回路容器に取付ける段階 を含んでいる流体センサーの製造方法。 ２８． 請求項２４に記載された方法であって、前記固定段階が前記コネクタ本 体（３０１）を前記検出本体（２０１）に超音波溶接する段階を含んでいる流体 センサーの製造方法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． ａ） 流体を検出する検出組立体であって、 ｉ） 電気的絶縁材を含んで構成され、第１面および前記第１ 面に対して予め定めた間隔を隔てた第２面を形成していて、前 記第１面および前記第２面の間に空間を画成し、また前記第１ 面および第２面の間の前記空間内部に流体を流せるようにする ポートを形成している検出本体と、 ｉｉ） 前記検出本体の前記第１面の少なくとも一部分に蒸着 された第１導電層と、 ｉｉｉ） 前記検出本体の前記第２面の少なくとも一部分に蒸 着された第２導電層と、 を含む前記検出組立体、および ｂ） 前記第１面および前記第２面の間の前記空間内部に流体が存在す るか否かに基づいて電気信号を発生するために、前記第１導電層お よび第２導電層の少なくとも一方に導電結合されたセンサー回路、 を含んで成る流体センサー。 ２． 請求項１に記載された流体センサーであって、前記検出本体が第１のモ ールド成形された部分と、前記第１導電層および第２導電層のパターンを定める ために前記第１モールド成形部分のまわりに備えられた第２のモールド成形され た部分とを含んでいる流体センサー。 ３． 請求項１に記載された流体センサーであって、前記第１面が前記第２面 の少なくとも一部分を囲んでいる流体センサー。 ４． 請求項３に記載された流体センサーであって、前記第１面が内側の幾何 学的に円筒形の面であり、前記第２面が前記第１面と同軸の外側の幾何学的に円 筒形の面である流体センサー。 ５． 請求項１に記載された流体センサーであって、前記検出本体が前記検出 回路に電気的に接触するための接点を支持する取付け面をさらに形成しており、 また前記取付け面と前記第１および第２導電層の一方との間を延在するバイアホ ールを形成しており、前記接点は前記バイアホールを経て前記第１および第２導 電層の前記一方に導電結合されている流体センサー。 ６． 請求項５に記載された流体センサーであって、前記検出回路を支持する プリント回路基板をさらに含み、 前記接点は前記取付け面から延在する接点スタッドに蒸着された導電層を含ん でおり、また 前記検出組立体は前記接点に対して前記プリント回路基板を取付けるために前 記検出本体の前記取付け面から延在した押圧構造をさらに含んでいる流体センサ 。 ７． 請求項１に記載された流体センサーであって、前記検出組立体が容器内 を延在して前記容器内の流体のレベルを検出するように、前記流体センサーを容 器に取付けるために前記検出組立体に結合されたコネクタ組立体をさらに含む流 体センサー。 ８． 請求項１に記載された流体センサーであって、 ｃ） 前記検出組立体に連結されたコネクタ組立体であって、 ｉ） 電気コネクタのためのプラグ容器、前記検出回路を収容 するための回路容器、前記プラグ容器を前記回路容器から区画 する隔壁、および前記プラグ容器と前記回路容器との間を前記 隔壁を通して延在するバイアホールを形成しているコネクタ本 体と、 ｉｉ） 前記検出回路に電気的に接触する接点であって、前記 バイアホールを経て前記電気コネクタに連結された接点と、 を含んでいる前記コネクタ組立体、 をさらに含む流体センサー。 ９． 請求項８に記載された流体センサーであって、前記電気コネクタがピン を含み、前記ピンが前記隔壁から前記プラグ容器内を延在するピンスタッドに蒸 着された導電層を含んでいる流体センサー。 １０． 請求項８に記載された流体センサーであって、前記検出回路を支持する プリント回路基板を含み、 前記接点は前記隔壁から前記回路容器内を延在する接点スタッドに蒸着された 導電層を含んでおり、 前記コネクタ組立体は前記接点に対して前記プリント回路基板を取付けるため に前記隔壁から前記回路容器内を延在している押圧構造をさらに含んでいる流体 センサー。 １１． 請求項１に記載された流体センサーであって、前記検出組立体に連結さ れたコネクタ組立体をさらに含み、前記コネクタ組立体は前記検出回路を収容す るための回路容器を形成しているコネクタ本体を含んでいる流体センサー。 １２． 請求項１１に記載された流体センサーであって、前記検出本体は取付け 面をさらに形成し、また前記コネクタ本体は前記取付け面と組合うように構成さ れたマウスを有する前記回路容器を形成して、前記回路容器および前記取付け面 は前記検出回路を収容するハウジングを形成している流体センサー。 １３． 請求項１１に記載された流体センサーであって、電磁妨害雑音を遮断す るために前記回路容器の内側面の少なくとも一部分に蒸着された導電層をさらに 含んでいる流体センサー。 １４． 請求項１１に記載された流体センサーであって、前記検出回路を支持す るプリント回路基板をさらに含み、前記コネクタ本体は前記プリント回路基板を 前記回路容器に取付けるために前記回路容器の反対両側面に沿って溝を形成して いる流体センサー。 １５． 流体センサーを製造する方法であって、 ａ） 電気的絶縁材を含み、第１面および前記第１面から予め定めた間 隔を隔てた第２面を形成している検出本体であって、前記第１面および 前記第２面の間に空間を形成し、前記第１面および前記第２面の間の空 間内部を流体が流れることのできるようにするポートを形成している前 記検出本体を形成する段階、 ｂ） 前記検出本体の前記第１面の少なくとも一部分に第１導電層を蒸 着させる段階、 ｃ） 前記検出本体の前記第２面の少なくとも一部分に第２導電層を蒸 着させる段階、 ｄ） 前記第１および第２導電層の少なくとも一方に、前記第１および 第２面の間の前記空間内部に流体が存在するか否かに基づいて電気信号 を発生するための検出回路を導電結合する段階、 を含む流体センサーの製造方法。 １６． 請求項１５に記載された方法であって、前記形成段階（ａ）が前記検出 本体の第１部分をモールド成形する段階と、前記第１モールド成形部分のまわり に前記検出本体の第２部分をモールド成形し、前記第１および第２導電層のパタ ーンを定める段階を含んでいる流体センサーの製造方法。 １７． 請求項１５に記載された方法であって、前記蒸着段階（ｂ）が無電解メ ッキ処理で前記第１導電層をメッキする段階を含んでいる流体センサーの製造方 法。 １８． 請求項１５に記載された方法であって、前記第１面が前記第２面の少な くとも一部分を取囲むように前記検出本体を形成する段階を前記形成段階（ａ） が含んでいる流体センサーの製造方法。 １９． 請求項１８に記載された方法であって、前記第１面が内側の一般的な円 筒面であり、前記第２面が前記第１面と同軸な外側の一般的な円筒面であるよう に、前記検出本体を形成する段階を前記形成段階（ａ）が含んでいる流体センサ ーの製造方法。 ２０． 請求項１５に記載された方法であって、前記検出回路に電気的に連結す るために前記検出本体の取付け面に接点を形成する段階をさらに含み前記接点は 前記取付け面と第１および第２導電層の一方との間を延在するバイアホールを経 て前記一方の導電層に導電結合される流体センサーの製造方法。 ２１． 請求項２０に記載された方法であって、前記接点形成段階が前記取付け 面から延在する接点スタッドに導電層を蒸着する段階を含んでおり、 前記導電結合段階（ｄ）が前記検出本体の前記取付け面から延在する押圧構造 によって前記検出回路を支持するプリント回路基板を前記接点に対して取付ける 段階を含んでいる流体センサーの製造方法。 ２２． 請求項１５に記載された方法であって、前記検出本体が容器内を延在し て前記容器内部の流体のレベルを検出するように、前記流体センサーを前記容器 に取付けるコネクタ組立体を形成する段階をさらに含んでいる流体センサーの製 造方法。 ２３． 請求項１５に記載された方法であって、 電気コネクタのためのプラグ容器、前記検出回路を収容するための回路容器、 前記プラグ容器を前記回路容器から区画する隔壁、および前記プラグ容器と前記 回路容器との間を前記隔壁を通して延在するバイアホールを形成しているコネク タ本体を形成する段階と、 前記検出回路に電気的に接触する接点であって、前記バイアホールを経て前記 電気コネクタに導電結合された接点を形成する段階と、 前記回路容器内に前記検出回路を収容して、前記検出回路を前記接点に電気的 に連結する段階と、 前記コネクタ本体を前記検出本体に固定する段階とをさらに含む流体センサー の製造方法。 ２４． 請求項２３に記載された方法であって、前記隔壁から前記プラグ容器内 に延在したピンスタッドに導電層を蒸着することで前記電気コネクタのピンを形 成する段階をさらに含む流体センサーの製造方法。 ２５． 請求項２３に記載された方法であって、前記形成段階が前記隔壁から前 記回路容器内に延在した接点スタッドに導電層を蒸着する段階を含んでおり、ま た 前記収容段階が前記隔壁から前記回路容器内に延在した押圧構造によって前記 検出回路を支持するプリント回路基板を前記接点に対して取付ける段階を含んで いる流体センサーの製造方法。 ２６． 請求項１５に記載された方法であって、 回路容器を形成するコネクタ本体を形成する段階と、 前記回路容器内に前記検出回路を収容する段階と、 前記コネクタ本体を前記検出本体に固定する段階とをさらに含む流体センサー の製造方法。 ２７． 請求項２６に記載された方法であって、前記回路容器および前記取付け 面が前記検出回路のハウジングを形成するように、前記回路容器を前記検出本体 の取付け面と組合わせる段階を前記固定段階が含んでいる流体センサーの製造方 法。 ２８． 請求項２６に記載された方法であって、電磁妨害雑音を遮断するために 前記回路容器の内側面の少なくとも一部分に導電層を蒸着する段階をさらに含む 流体センサーの製造方法。 ２９． 請求項２６に記載された方法であって、前記収容段階が前記検出回路を 支持するプリント回路基板を、前記回路容器の反対両側面に沿って形成された溝 によって前記回路容器に取付ける段階を含んでいる流体センサーの製造方法。 ３０． 請求項２６に記載された方法であって、前記固定段階が前記コネクタ本 体を前記検出本体に超音波溶接する段階を含んでいる流体センサーの製造方法。