JP2000504151A - ダストパーティクルの集塊物の制御方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 プラズマ内の２つのパーティクル種の温度比を調節することを通じてプラズマ反応器内におけるダストパーティクルの集塊物の形成が制御される。第２のパーティクル種の温度に対する一方のパーティクル種の温度を変化させる１つ以上の温度制御装置により、温度比の調節が為される。プラズマチャンバに供給される中性気体を加熱し又は冷却することにより、中性のパーティクル種の温度をプラズマ内に存在するダストパーティクルの温度に対して調節することができる。これと代替的に、ダストパーティクルを発生する基板を加熱し又は冷却することにより、ダストパーティクルの温度を中性気体のパーティクルに対して上昇させ又は降下させることができる。変形された実施の形態において、プラズマ領域を通じて横断方向に衝撃波を通し、これにより、プラズマ電子の温度に対するプラズマイオンの温度を上昇させることにより、ダストパーティクルの集塊を軽減することができる。ダストパーティクルの集塊物を利用して、プラズマ環境内にて露出面を更に保護することができ、また、この集塊物は、このエネルギ粒子及び放射物に対する保護手段を提供するのに特に適する。

Description

【発明の詳細な説明】 ダストパーティクルの集塊物の制御方法及びその装置 本発明は、ダストパーティクル（ゴミ粒子）の集塊物に関する。特に、本発明 は、このような集塊物の制御された形成及び破壊、並びにその集塊物の応用に関 する。 シリコーンウェーハのエッチング中に観察される、ダストパーティクルが蓄積 して集塊物又は密着群を形成することは、シリコーンチップの商業的な製造時に おける主たる問題であることが判明している。エッチング工程中に生じるダスト パーティクルは、通常、エッチングパターンの厚さと同程度の約ミクロンサイズ （例えば、１０μｍ）の集塊物を形成する。また、１００乃至１０００μｍの範 囲の大きい集塊物も観察される。これらのダストパーティクルの集塊物は、エッ チングパターン内に落ちて、ウェーハ上にて製造される回路を破壊するため、こ の業界における廃物の主要な原因となっている。今日迄、集塊物が形成される状 態及びその理由が理論的に且つ実験的に十分に解明されていなかった。 空中プラズマの研究において本発明者らが行った作業に従って、このことは、 ダストパーティクルの集塊物の形成に関係する力を解明するものであり、また、 かかる集塊物の形成及び破壊を制御するための方法を開発することを可能にする ものであることが分かった。従って、本発明は、ダストパーティクルの集塊物の 形成を制御する方法及び条件を提供し、また、かかる集塊物を制御状態にて破壊 する方法及びその条件を提供するものである。本発明は、ダストパーティクルの 集塊物の用途を更に明らかにするものである。 本発明は、プラズマ内の第１及び第２のパーティクル種（species）の温度比 を調節することを含む、プラズマ内にてダストパーティクルの集塊化を制御する 方法を提供するものである。 この温度比は、パーティクル種の第２のものの温度を著しく変化させることな く、パーティクル種の第１のものの温度を上昇させ又は降下させることにより、 調節することが好ましい。 本発明の第１の実施の形態において、中性気体のパーティクル温度とダストパ ーティクルの温度との比が調節される。この中性気体のパーティクルの温度は、 プラズマに供給される中性気体を加熱し又は冷却することにより調節することが できる。これと代替的に、ダストパーティクルの温度は、ダストパーティクルの 発生源を加熱し又は冷却することにより調節される。 更に、プラズマ内に形成されたダストパーティクルの集塊物の動きは、略直角 をなすことが好ましい外部の電界及び磁界を印加することにより制御することが 好ましい。 第２の実施の形態において、ダストパーティクルの集塊物は、プラズマ電子の 温度とプラズマイオンの温度との比を小さくすることにより減少することができ る。この比は、プラズマイオンの温度を上昇させることにより行われることが好 ましく、また、理想的には、プラズマイオンの温度は、プラズマ電子の温度に略 等しいように上昇させる。 プラズマイオンの温度は、高温気体の放出、パルス状電子ビーム、又はＲＦ注 入によって１つ以上の衝撃波をプラズマに通すことにより上昇させることができ る。 更に別の形態において、本発明は、プラズマ封止容器と、１つ以上の電極を含 むプラズマ発生手段と、プラズマ内の第１及び第２のパーティクル種の温度の比 を制御する温度制御手段とを備える、プラズマ内のダストパーティクルの集塊物 の形成を制御する装置を提供する。 この温度制御手段は、プラズマ封止容器への中性気体の供給源と熱接触させ又 はダストパーティクルの発生源と熱接触させることのできる熱交換器を備えるこ とが好ましい。 これと代替的に、この温度制御手段は、プラズマ封止容器内に配置された、熱 輻射手段を備えるようにしてもよい。これとは別に、該温度制御手段は、衝撃波 発生器と、プラズマを通じて衝撃波を導く手段と、プラズマを通る衝撃波の時間 を制御する弁手段とを備えることが可能である。この衝撃波発生器は、衝撃波が 印加されたプラズマ界の横断方向に伝播するように配置されることが好ましい。 この衝撃波発生器は、高圧の気体放出手段又はパルス式電子ビーム発生器或いは 別個のＲＦ注入手段を備えることができる。 更に別の形態において、変発明は、プラズマ封止容器内にて露出した面に対す る遮蔽体を形成する方法であって、ダストパーティクルの発生源を提供すること と、プラズマ内の第１及び第２のパルス種の温度比を調節し、ダストパーティク ルの集塊物を形成することと、遮蔽すべき露出面に隣接してダストパーティクル の集塊物を配置することとを含む方法を提供する。 ダストパーティクルに言及する本明細書の文言は、例えば、任意の物質のミク ロン以下の粒子及び分子を意味することを意図するものであることを理解すべき である。単に一例としてのみ、ダストパーティクルの集塊物を形成する物質は、 シリコン、シラン、アルミニウム、ガラス、メラミン、ホルムアルデヒド及び炭 素を含むものとする。 ダストパーティクルの集塊物を形成する原因となると考えられる力に関する以 下の説明は、本発明の一層の理解に役立つ、また、ダストパーティクルの集塊物 の形成を制御する装置及び方法についても、添付図面を参照しつつ説明する。添 付図面において、 図１は、本発明によるプラズマ反応器装置の概略図的な線図である。 図２は、本発明による代替的なプラズマ反応器装置の概略図的な線図である。 ダストパーティクルの集塊物の結合エネルギを推定する際に、簡単なモデルが 採用され、このモデルにおいて、球状のダストパーティクルの半径ａは、ダービ ィ（Debye）の遮蔽長さｄ_iよりも著しく短い、すなわち、ａ＜＜ｄ_iであり、ま た、ダストパーティクルの分離距離ｒは、ダービィ遮蔽長さd,よりも遥かに長い （すなわち、ｒ＞＞ｄ_i）であると仮定する。この第２の推定は、ダストパーテ ィクルに作用する力の分析等式を形成するのに役立つが、この分析により得られ る等式は、ダストパーティクルの分離距離に依存せず、従って、ｒは、任意に設 定すべきであることが判明している。パーティクルに集塊物を形成させるプラズ マ反応器内のダストパーティクルの間の力は、主として２つの作用に依存する。 すなわち、プラズマ粒子がダストパーティクルに衝撃を加える結果として、個々 のパーティクルの間に作用する吸引力を伴う衝撃力と、ダストパーティクル間に 作用するクーロン反力とである。この吸引力を伴う衝撃力は、隣接するパーティ クルに対する１つのダストパーティクルの遮蔽効果に起因するものであり、これ により、ダストパーティクルに入射する帯電したプラズマ粒子群が左右非対称と なり、ダストパーティクルに対し正味モーメントを伝達することを可能にする。 イオン及び中性パーティクルの質量は電子よりも大きいため、このモーメントは 、主としてこれらのイオン及び中性パーティクルが衝撃を通じて伝達される。 吸引力を伴う衝撃力とクーロン反力は、それぞれ電位Ｕ_a、Ｕ_cにより次のよう に表すことができる。 ここで、η_aは、３つの部分から成る係数である、すなわち、η_a＝η_b＋η_c＋ η_n（２）であり、η_bは、直接帯電したプラズマ粒子の衝撃力を表し、η_cは、 プラズマのスクリーニングを表し、η_nは、中性粒子の衝撃力を表す。 この等式から、ａ＞＞ｄ_iとして想定したように、吸引力を伴う衝撃力が主た る力であるためには、η_a＞＞１でなければならないことがこの等式から明らか である。 等式（２）から、 ここで、ｋ_iは、イオンの付着係数、ｖ_o＝（ａ／ｄ_i）．√（Ｚ_iｅ|φ。|）／ Ｔ_i、及びｙ＝ｖ／ｖ_Tiである。平均化は、イオン温度Ｔ_i、イオン電荷Ｚ_iｅ（ ｅ＞０）、及び|φ_o|がダストパーティクルに対する浮動電位であるとして、マ ックスウェルのイオン分配に基づいて行われる。 中性パーティクルの場合、中性のものは、それ自体が付着係数ｋ_nにてダスト パーティクルに付着して、付着する前の中性パーティクルの温度はＴ_nとし、ダ ストパーティクルの表面における熱中性子化の後のダストパーティクルの温度は Ｔ_dとすると、次式になる。 ここで、ｎ_nは中性密度、ｎ_iはイオン密度である。このように、ｎ_i／ｎ_nは、 プラズマチャンバ内に中性パーティクル種が採用される場合、通常、10⁵乃至10⁶ 程度であるイオン化の程度を表す。 これらの等式から、プラズマの環境に依存するダストパーティクルの集塊に対 する２つの別個の基準が得られる。すなわち、 等式（７）は、プラズマ反応器内に中性気体が採用される状態に適用される。 等式（６）を基に等式（７）を考えると、Ｔ_d＜Ｔ_nの場合、η_nは正である一方 、このＴ_d＜Ｔ_nであることは、Ｔ_n＞Ｔ_dの場合にのみ集塊物の形成が行われるこ とを意味する。図１には、シリコンチップの製造に一般に使用される型式のプラ ズマ反応器１が図示されている。該プラズマ反応器１は、一対の平行な電極板３ 、４がその内部に取り付けられたチャンバ２を備えている。電極板３の１つは接 地される一方、被駆動電極である電極板４の第２のものは、ＲＦ電源５に接続さ れている。このＲＦ電源は、ＲＦ発生器６と、適合化回路網７とを含むことが便 宜であり、この適合化回路網は、絶縁コンデンサ８を介して被駆動の電極板４に 接続される。通常、エッチングすべきウェーハは、接地した電極板３に配置され ている。勿論、電極及び／又はウェーハの代替的な配置が適宜に採用可能である 。典型的に、該チャンバ２は、２ｍバールの範囲の圧力まで排気される。 該ＲＦ電源５は、典型的に、損失する前の約4.5Ｗの電力、13.56ＭＨｚの周波 数にて被駆動の電極板４を駆動する。この電力の結果、チャンバ内で発生された プラズマに対して、約0.1乃至0.5ＷのＲＦ電力が結合されることになる。こうし た状況下にて、等温プラズマが発生され、この場合、電子の温度（Ｔ_e）は、イ オンの温度（Ｔ_i）よりも高温である、すなわち、Ｔ_e＞＞Ｔ_iとなる。商業的な プラズマエッチング工程にて、典型的に、Ｔ_e／Ｔ_i＝１×10^-2となる。 プラズマ反応器１の作動に関して上記に掲げた数字は、典型的な値であり、プ ラズマ反応器は、上述したものと異なる状態下にて作動させる一方、依然として 、以下に説明するように、ダストパーティクルの集塊物の形成を制御することが 可能であることが理解されよう。 ヘリウムのような中性気体の供給源９は、ポンプを介してプラズマチャンバ２ に接続され、このため、中性気体は、チャンバ内を循環する。このように、中性 気体のパーティクルは、チャンバ２内の主要なパーティクル種となる。通常、中 性気体の密度ｎ_nとイオンの密度ｎ_iとの比は、10⁵乃至10⁶の程度である。 また、中性気体の供給源９は、チャンバ２に供給される中性気体の温度を制御 する温度制御装置１０も備えている。この温度制御装置１０は、気体供給源９を プラズマチャンバへの入口に接続する気体導管と熱的に接触した熱交換器コイル 又はフィンの形態とすることが便宜である。例えば、レーザを採用する、代替的 な温度制御装置１０を採用してもよい。上述したように、チャンバ２に供給され る中性気体Ｔ_nの温度をプラズマ反応器内のダストパーティクルの温度Ｔ_dに対し て調節することは、ダストパーティクル集塊物の成長を制御することを可能にす る。中性気体の温度がダストパーティクルの温度よりも高温、すなわち、Ｔ_n＞ Ｔ_dであるように、中性気体を加熱したとき、集塊物の成長が可能とされ、電極 板の間のプラズマ領域内にて集塊物Ａが形成される。他方、Ｔ_n＜Ｔ_dとなるよう に、中性気体を冷却したならば、ダストパーティクルの集塊物の形成は阻止され る。中性気体とダストパーティクルの温度の差の程度が、形成される集塊物の数 及びそのサイズを決める。 ダストパーティクルの集塊を制御するのは、温度の比であるから、中性気体の 温度を制御することに代えて、又はこれに加えて、ダストパーティクルの温度Ｔ_d を制御することを通して集塊を制御することも可能である。例えば、温度制御 装置１０は、ウェーハの基板と熱的に接触した熱交換器パッドの形態とすること ができる。このことは、基板の温度を制御することを可能にする一方、この温度 制御は、該基板のエッチング中に生じるダストパーティクルの温度を制御する。 更に別の代替例において、該温度制御装置は、プラズマチャンバの１つ以上の 壁に取り付けられた赤外線放出材料の形態とすることができる。この材料は、プ ラズマチャンバ内でダストパーティクルを直接加熱するために使用される。ダス トパーティクルを加熱するときの効率を高めるため、赤外線放射物の波長は、ダ ストパーティクルのサイズ程度であることが好ましい。この材料は、チャンバ内 に取り付けることが好ましいが、これと代替的に、この材料は、赤外線放射物に 対して略透過性であるチャンバ壁の１つ以上の領域に隣接してチャンバの外側に 取り付けてもよい。 勿論、ダストパーティクルの温度と中性気体の温度との比を調節するその他の 温度制御装置を代替的に採用可能であることが理解されよう。 プラズマチャンバ内に集塊物が形成されたならば、ダストパーティクルの集塊 物の析出は、電磁流体運動力の原理を採用して制御することができる。集塊物が 形成される領域を横断して対角状の電解（Ｅ）及び磁界（Ｂ）を印加することに より、集塊物は、その印加された場に対して垂直なドリフト速度を生ずる。この 集塊物のドリフト速度Ｖ_Dは、次式に従って場の大きさにより決まる。 ここで、θは、Ｅの界とＢの界との間の角度であり、90゜であることが好まし い。従って、集塊物の析出及び／又は集合化を制御するため、プラズマ領域を横 断するように電界及び磁界を印加する手段（図示せず）を設けることが好ましい 。 等式（３）、（４）、（５）を基に等式（８）を考えるならば、η_b及びη_cは 、幾分大きい倍率となる比Ｔ_i／Ｔ_eを含むことが理解される。図２には、中性気 体のパーティクルの数が無視可能である環境、すなわち等式（８）が当て嵌まる 環境内にて、ダストパーティクルの集塊物が形成されるのを阻止するための１つ の代替的なプラズマ反応器１１が図示されている。このプラズマ反応器１１は、 図１のものと同様であり、対向した電極板１３、１４がその内部に配置されたチ ャンバ１２を有している。電極板１３の一方は、接地に接続される一方、電極板 １４のもう一方は、図１のＲＦ発生器と同一のＲＦ発生器１５に接続される。ダ ストパーティクル及びプラズマイオンの温度は、室温付近、すなわち３１０Ｋに 全体として保たれる。 この場合にも、電極板の間でダストパーティクルの集塊物が形成されるのを制 御するため温度制御装置２０が設けられる。しかしながら、プラズマイオン及び 電子は、主たるパーティクル種であるから、集塊に対する第２の基準、すなわち 等式（８）が適用になる。従って、この配置において、温度制御装置２０は、プ ラズマ電子の温度Ｔ_eとプラズマイオンの温度Ｔ_iとの比を制御するために使用さ れる。この温度制御装置は、弁２３を有する排出ノズル２２に接続された高圧の 気体発生器２１から成る衝撃波供給源２０の形態をしていることが好ましい。こ の衝撃波供給源２０及びプラズマ反応器１１は、外部から印加された磁界が存在 しないで作動する。排出ノズル２２は、発生器２１により発生された衝撃波をチ ャンバ１２内のプラズマ領域を横断するように導き得るように配置されている。 このように、この発生器２１により発生された衝撃波は、電極板１３、１４の間 の印加されたＲＦ界を横断してチャンバ内の帯電雰囲気内を通って進む。この衝 撃波の時間は、弁２３により制御される。衝撃波の持続時間は、プラズマの周期 ω_p、ダストパーティクルのサイズ、すなわち粒子寸法ａ及びダービィ遮蔽長さ ｄ_iに依存して決まり、次の程度である。 衝撃波の分離度間は、衝撃波が進む距離Ｌ_i（プラズマエッチングの場合、チ ップの長さ）と衝撃波の速度ｖ_shockとの比に依存して決まる。 発生された衝撃波は、プラズマ電子の温度を著しく増すことなく、プラズマイ オンを加熱し、このことは、集塊物の形成を阻止し又は少なくともその形成を遅 くする。また、この衝撃波は、プラズマ内の帯電パーティクルに静電圧力を付与 し、この静電圧力は、ダストパーティクル間の吸引力に打ち勝って、これにより 、集塊物の形成を制御するのに役立つ。10ＭｅＶ程度のエネルギを有する衝撃波 が好ましい。 図２において、衝撃波は、高温の気体を使用して発生されるが、プラズマ界の 横断方向に同様に向けられた別個のアンテナを使用して、15乃至20ＫｅＶ付近、 すなわちＲＦ注入のエネルギにて印加されたＲＦ界の横断方向に向けられたパル ス式の電子ビームを使用して適当な衝撃波を発生させてもよい。これと代替的に 、プラズマイオンと共振するイオン音響波を使用してプラズマイオンを加熱して もよい。イオンの音響波は、プラズマの側部に配置された小型のアンテナを使用 し て発生させる。 ダストパーティクルの集塊物を利用して、放射物で損傷しないように表面を保 護する十分な効果を得ることができる。例えば、ダストの集塊物は、制御可能に 形成し且つ溶融装置の壁に対し噴射してもよく、このことは、有効な壁面積を大 きくし、また、エネルギ粒子及び放射線束に起因する壁の負荷を軽減する効果が ある。ＩＴＥＲのようなトカマックプラズマ反応器の偏向器領域内にて、入射す るエネルギ粒子及び放射線に起因する壁の負荷は、５ＭＷ／ｍ²程度である。こ の負荷の大きさの程度は、壁面からのスパッタリング及び蒸発を生じさせるのに 十分であり、このため、多量のダストを発生させ、表面に腐食を生じさせる。壁 面に対して最初に、適当な材料の細かいダスト層を生じさせることにより、ダス トパーティクルの集塊物の形成を制御する、上述した方法を採用して、壁面に隣 接する集塊物を形成を制御し、入射する放射物及びエネルギ粒子に対する保護体 を形成することができる。効果的なバリアを形成するため、層の厚さ１、ダスト サイズａ及び密度ｎ_dは、次の基準、すなわちｎ_dａ²１＞１を満足する必要があ る。ｎ_d（ａ）＝ａ^-sであるとき、ダストパーティクルのサイズの分布は、ｓ＞ ３であり、次に、最大のダストパーティクル集塊物により、∫ｎ_d（ａ）ａ²ｄａ が求められる。 上述しなかったが、互いに実質的に独立的に、１つのパーティクル種の温度を 変化させる代替的な手段は、勿論、採用可能であり、上述した方法は、上述した 本発明の精神から逸脱せずに代替的なプラズマ環境内にて採用可能である。更に 、温度計及びその他の温度監視装置を採用して、プラズマ反応器の個々のパーテ ィクル種の温度を監視し、これにより、集塊物の形成を更に制御することを可能 にすることができる。例えば、図１に図示したプラズマ反応器の場合、プラズマ チャンバ内に流入する中性気体の温度は、従来の気体温度測定法を使用して監視 することができる。これと代替的に、チャンバ内のパーティクル種の温度は、従 来の温度プローブを使用して測定してもよい。 上述したように、存在する種々のパーティクル種の温度比を適宜に制御するこ とを通じて、ダストパーティクル集塊物の形成を制御し且つその集塊物を使用す ることができる。２つの別個の制御基準に関して説明したが、制御基準は、各場 合にて互いに関連付けられており、また、極端な場合、すなわち、（ｉ）中性パ ーティクルの数が無視し得る場合、（ii）中性パーティクルの数が一般的な技術 的効果を主として決定する場合を表わすものである。このように、制御基準は、 各環境におけるダストパーティクルの集塊化を決する主要なファクタを明らかに する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，Ｓ Ｚ，ＵＧ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ， ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，Ｇ Ｅ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ， ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，Ｐ Ｌ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ， ＶＮ (72)発明者 ツィトヴィッチ，ヴァディム・ニコロヴィ ッチ ロシア連邦 117333 モスクワ，ドミトリ オ・ユリアノーヴァ・ストリート ４，ビ ルディング １，フラット 61

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．プラズマ内のダストパーティクルの集塊を制御する方法であって、プラズ マ内の第１及び第２のパーティクル種の温度比を調節することを含むことを特徴 とする方法。 ２．請求項１に記載の方法であって、前記温度比が、パーティクル種の第２の ものの温度を著しく変化させることなく前記パーティクル種の第１のものの温度 を上昇又は降下させることにより調節される方法。 ３．請求項１又は２に記載の方法であって、ダストパーティクルの温度に対す る中性気体のパーティクルの温度の比が調節される方法。 ４．請求項３に記載の方法であって、中性気体のパーティクルの温度が、プラ ズマに供給される中性気体を加熱し又は冷却することにより調節される方法。 ５．請求項３に記載の方法であって、ダストパーティクルの温度が、ダストパ ーティクルの発生源を加熱し又は冷却することにより調節される方法。 ６．請求項１又は２の一方に記載の方法であって、前記プラズマ電子の温度に 対するプラズマイオンの温度の比が調節される方法。 ７．請求項６に記載の方法であって、１つ以上の横断方向の衝撃波をプラズマ を通じて付与することにより、プラズマイオンの温度がプラズマ電子の温度に対 して上昇するようにする方法。 ８．請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法であって、プラズマ内に形成 されたダストパーティクルの集塊物の動きを制御することを更に含む方法。 ９．請求項８に記載の方法であって、外部の電界及び磁界を付与することによ り、前記プラズマ内のダストパーティクル集塊物の動きが制御される方法。 １０．プラズマ内のダストパーティクル集塊物の形成を制御する装置であって 、 プラズマ封じ込め容器と、１つ以上の電極を含むプラズマ発生手段と、プラズ マ内の第１及び第２のパーティクル種の温度比を制御する温度制御手段とを備え る装置。 １１．請求項１０に記載の装置であって、温度制御手段は、熱交換器装置を含 む装置。 １２．請求項１１に記載の装置であって、前記熱交換器装置は、前記プラズマ 封じ込め容器に対する中性気体の供給源と熱的に接触している装置。 １３．請求項１１に記載の装置であって、前記熱交換器装置は、ダストパーテ ィクルの発生源と熱的に接触している装置。 １４．請求項１０に記載の装置であって、前記温度制御手段は、前記プラズマ 封じ込め容器内に配置された熱輻射材料を有する装置。 １５．請求項１０に記載の装置であって、前記温度制御手段は、衝撃波発生器 と衝撃波を前記プラズマを通じて導く手段とを備える装置。 １６．請求項１５に記載の装置であって、前記衝撃波発生器は、衝撃波が前記 プラズマを通る時間を制御する弁手段を備える装置。 １７．プラズマ封じ込め容器内にて露出した面に対する遮蔽体を形成する方法 であって、ダストパーティクルの発生源を提供することと、プラズマ内の第１及 び第２のパーティクル種の温度比を調節し、ダストパーティクルの集塊物を形成 することと、遮蔽すべき露出面に隣接する位置にダストパーティクルの集塊物を 配置することとを備える装置。 １８．プラズマ封じ込め容器内にて露出面に対する遮蔽体を形成装置であって 、ダストパーティクルの発生源と、プラズマ内の第１及び第２のパーティクル種 の温度比を調節し、ダストパーティクルの集塊物を形成する温度制御手段と、遮 蔽すべき露出面に隣接する位置にダストパーティクルの集塊物を配置する手段と を備える装置。