JP2000503143A - 温度安定の定分数電圧制御電流源 - Google Patents

温度安定の定分数電圧制御電流源

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ジェンセン,ブレント,アール.
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Abstract

(57)【要約】 電流源(10)は、安定直流入力電圧に応答を示して絶対温度に比例する制御電圧PTATを生成するように作動する制御段(12)と、PTAT制御電圧に応答を示して出力定電流源の本来的に定分数である出力電流を発生するように作動する出力段(14)とを含む。この制御段は、所与の抵抗器の型の温度依存性の制御抵抗器(R)と、温度依存性の制御電流を制御抵抗器に供給する少なくとも1つの制御定電流源とを含む。温度依存性の電流源は、本来のPTAT制御電圧が発生されるような様式で相殺するために制御電流および制御抵抗器の温度依存性が役立つように、所与の抵抗器の型に基づく温度依存性の電流源を含む。出力段は、出力段の出力電流が出力電流源以外全く電流寄与がないように、出力定電流に結合された出力トランジスタ(Q7およびQ8)を含む。出力定電流源の定分数である電流を供給する方法は、(a)制御抵抗器と同じ抵抗器の型に基づて制御電流を発生するステップと、(b)制御電流を制御抵抗器に加え、絶対温度に比例する制御電圧を生じさせるステップと、(c)制御電圧を出力定電流源に結合された電流分割器に制御電圧を加え、出力電流を供給するステップとを含む。

Description

【発明の詳細な説明】 温度安定の定分数電圧制御電流源 発明の背景 本発明は、一般に、アナログ集積回路に関し、より詳細にはアナログ集積回路 によって実現される電流源に関する。 定電流源および定電圧源は、アナログ集積回路においていろいろな目的のため に使用されている。ここで使用されるように、「一定」は、このような発生源( source)の出力レベルが典型的には制御信号を用いて調整(「設定」)されるこ とができるけれども、この発生源の出力は相対的に一定の直流(d.c)レベル のままであることを意味する。一旦、設定されると、定電流源あるいは定電圧源 は温度とともに変わることもでき(すなわち、「温度依存性である」)あるいは 温度に対して安定であることもあり得る。多数の用途では、温度が変化するにつ れて出力が変化しない定電流源あるいは定電圧源を有することが望ましい。しか しながら、いくつかの用途では、温度依存性がある出力を有する定電流源あるい は定電圧源を有することが望ましい。有用な温度依存性は、絶対温度に比例する 温度依存性(PTAT)および絶対温度に相補的である温度依存性(CTAT) を含んでいる。 例えば、アナログ集積回路において実現されるフィルタは、多数の集積回路キ ャパシタを使用する。キャパシタの相対値はかなり完全に一致する傾向にあるの に対して、キャパシタの絶対値(すなわち、実際のキャパシタンス)は、典型的 には集積回路の製造中におけるプロセス変動のために±10%変化する。あいに く、キャパシタの絶対値におけるこれらの変動は、例えば、キャパシタが一部を 形成するフィルタの遮断周波数の対応する変化を引き起こす。例えば、キャパシ タの値が許容範囲の上限にある(すなわち、そのキャパシタがその公称キャパシ タンスよりも約10%大きい)場合、フィルタの遮断周波数は非常に低く、そし てキャパシタの値が許容範囲の下限にある(すなわち、そのキャパシタがその公 称キャパシタンスよりも約10%小さい)場合、フィルタの遮断周波数は非常に 高い。 調節可能な電流源は、下記のようにキャパシタの絶対値の変動によって引き起 こされる遮断周波数のこれらの変動を相殺する(offset)ために使用されること ができる。キャパシタの値が許容範囲の上限にある場合、キャパシタに流し込む ための利用可能な電流を増加させると、遮断周波数を所望の値に増加させる。反 対に、キャパシタの値が許容範囲の下限にある場合、キャパシタに流し込むため の利用可能な電流を減少させると、遮断周波数を所望の値に減少させる。 一定で温度安定な電流源の出力が温度安定である出力抵抗器に結合されるなら ば、その結果は、当業者によって理解されるように、一定で温度安定電圧源であ る。これらの一定で温度安定電圧源は、例えば、比較器等の閾値を調整するため の基準電圧を供給するといった、多数の目的のために有用である。しかしながら、 再び、いくつかの場合、例えばある種の可変利得増幅器の制御におけるように 、制御される回路の温度依存性を打ち消す(cancel)ことが望ましい制御状態に 対して、温度依存性であった一定出力の電圧源を有することは望ましい。 従来技術は、それらの出力を調整してもらうことができる定電流源あるいは定 電圧源の両方を教示している。これは一般的には「トリマ」抵抗を用いて達成さ れ、これは本来、レオスタット(rheostat)、すなわち可変抵抗器である。レオ スタットは、実際的問題として、集積回路に集積することができないので、これ らのトリマ抵抗は個別の外部部品として提供される。これは、高価になりがちで あり、幾分信頼できない傾向があり、電子回路のサイズを実質的に増加させる。 したがって、また、外部トリマ抵抗器を必要としない完全に集積化され、調節可 能な定電流源および/または定電圧源を有することが望ましい。 本発明は、温度安定入力電圧の電圧レベルに応じてPTAT電圧を生成する制 御段と、出力電流源の本来的に定分数である電流出力を引き起こすPTAT制御 電圧に応答を示す出力段とを含む。「1‐VP-P線形入力レンジを有する全n‐ p‐nギルバートセルを使用する2.5Vアクティブローパスフィルタ」(IEEE Journal of Solid State Circuits,Vol.28,No.12,December 1993)というタイ トル付けされたKoyamaら著らによる論文には、入力段および出力段をまた 有するギルバートセルトランスコンダクタが開示されている。提案されたギルバ ートセルトランスコンダクタは、M.Koyamaらの図5および図8に最もよ く示 されている。しかしながら、M.Koyamaらによって提案された回路は、定 電流源あるいは定電圧源として役立たたず、むしろ回路の信号経路におけるトラ ンスコンダクタとして役立つ。当業者によく知られているように、ギルバートセ ルトランスコンダクタは、差動入力電圧信号を差動出力電流信号に変換する。温 度依存性である出力を有することはトランスコンダクタに関して、当然のことな がら、望ましくなく、なぜならこれは変換される信号を歪ませるからである。さ らに、トランスコンダクタとしてのその使用は、2つの電流源I2/2(図5を 参照せよ)といった、いくつかの複合電流源を必要とし、その合計は回路が適切 に作動するための電流源の電流I2に正確に合わなければならない。電流源にお ける電流I2に2つの電流源における電流の和I2/2を正確に合わせる要求は、 図8に見られるように、M.Koyamaらの複合出力段に至らせる。M.Ko yama らは、温度依存の電流出力を望まない(事実ならば、逆を望む)ので、 電流源I1/2、I2/2およびI2を含む様々な電流源の抵抗技術は、彼らの発 明には問題とされない。 発明の概要 本発明は、安定な制御電圧を有する電流源を調節する電気回路である。ここで 使用されるように、「安定な」とは、電圧が温度における変化とともに本質的に 不変のままであり、すなわち電圧は温度依存でないことを意味する。この回路は 、調節可能な電流源を提供するという課題を解決し、その出力は全電流における 温度依存の変化に関係なく、利用可能な全電流の安定部分である。特に、本発明 の電圧制御された電流源は、絶対温度に比例する(PTAT)電流といった温度 とともに変化する電流の倍率変更されたバージョンを発生するために有用である 。 本発明の温度安定され定分数の電圧制御される電流源は、安定な直流入力電圧 に応答を示し、且つPTAT制御電圧を生成するように作動する制御段と、PT AT制御電圧に応答を示し、定分数の出力定電流源である出力電流を生成するよ うに作動する出力段とを含む。この制御段は、所与の抵抗の種類の温度依存制御 抵抗器と、制御抵抗器に温度依存の制御電流を供給する少なくとも1つの制御定 電流源とを含む。制御電流および制御抵抗器の温度依存性は、抵抗の温度依存に 無関係であるPTAT制御電圧を供給するように相殺する傾向がある。出力段は 、出力段の出力電流が出力トランジスタを介する出力定電流源から以外の電流寄 与を全然有しないように、出力定電流源に結合された出力トランジスタを含む。 より詳細には、電圧制御された電流源は、第1の制御定電流源および第2の制 御定電流源を含む一対の制御定電流源と、制御抵抗器と、第1のトランジスタお よび第2のトランジスタを備える一対の制御入力トランジスタと、第3のトラン ジスタおよび第4のトランジスタを備える一対の制御出力トランジスタと、第5 のトランジスタおよび第6のトランジスタを備える一対の電圧フォロワ・トラン ジスタと、第7のトランジスタおよび第8のトランジスタを備える一対の出力ト ランジスタと、出力定電流源とを含む。第1の制御定電流源、第1のトランジス タおよび第3のトランジスタは、第1の電流源と第1のトランジスタとの間に第 1のノードがあり、第1のトランジスタと第3のトランジスタとの間に第2のノ ードがあるように直列に結合される。第2の制御電流源、第2のトランジスタお よび第4のトランジスタは、第2の電流源と第2のトランジスタとの間に第3の ノードがあり、第2のトランジスタと第4のトランジスタとの間に第4のノード があるように直列に結合される。制御抵抗器は、第2のノードと第4のノード間 に結合される。第5のトランジスタは、第3のトランジスタと第1のノードとの 間の電圧フォロワとして役立ち、第6のトランジスタは、第4のトランジスタと 第3のノードとの間の電圧フォロワとして役立つ。第4のトランジスタは、第7 のトランジスタに結合され、第8のトランジスタは、第3のトランジスタに結合 されている。出力定電流源は、第1のトランジスタに印加された直流入力電圧が 本来的に出力定電流源の定分数が第7のトランジスタからの出力電流を作り出す ように第7および第8のトランジスタに結合されている。 定分数の出力定電流源である電流を供給する方法は、(a)制御抵抗器と同じ 抵抗器の種類に基づいている制御電流を発現させる(develop)ステップを含み 、(b)制御電流を制御抵抗器に印加し、制御抵抗器の温度依存性に本来的に無 関係であり且つ絶対温度に比例するPTAT制御電圧を発現させるステップを含 み、(c)出力定電流源に結合された電流分割器にPTAT制御電圧を加えるス テップを含み、この電流分割器は、本来的に出力定電流源の定分数である出力電 流を 提供する。 したがって、本発明の方法および装置は、温度変化における全電流のいかなる 変化にも関係なく、利用可能な全電流の安定な分数である電圧調節可能な電流源 を提供するという問題を解決する。さらに、電流源が制御電圧されるので、トリ マ抵抗に対する要求は除去される。 本発明のこれらの長所および他の長所は、本発明の下記の説明を解釈し、且つ 図面のいくつかの図を検討する際に当業者に明らかになる。 図面の簡単な説明 図1は、本発明に従う温度安定化された定分数の電圧制御された電流源の概略 図である。 図2は、図1の回路において使用することができる本発明の温度安定化された 定電流源の概略図である。 図3は、温度の関数として図1の回路の、そしていくつかの入力電圧のための 出力電流を示すグラフである。 好ましい実施例の詳細な説明 図1では、本発明に従う温度安定化された定分数の電圧制御電流源10は、第 1の段12および第2の段14を含む。(ここでは「制御段」とも参照される) 第1の段12は、安定入力電圧(「制御電圧」)Vcontから絶対温度(PTAT )に比例するPTAT制御電圧VPTを生成する。再び、ここで使用されているよ うな、「安定」とは、本来的に温度に対して変化しないということを意味する。 第2の段14は、「出力段」としても知られていて、VCONTの出力レベルによっ て制御されるように、PTAT制御電圧VPTを出力定電流源IEEの(0から1の 範囲である)本質的に定分数である出力電流IOUTに変換する。換言すると、IE E によって生成された電流は温度とともに増加するので、IOUTは、固定された分 数のIEE値として温度に対して同様に変化する。出力電流源そのものは、必ずし もPTATではないことに注目すべきである。しかしながら、PTAT制御電圧 は、定分数の出力電流源のみが本発明の回路から出力されることを保証する。 第1の段、すなわち「制御」段12は、Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、およ びQ6とラベル付けされた6つのトランジスタを含む。この好ましい実施例では 、トランジスタQ1〜Q6はバイポーラNPNトランジスタである。アナログ集 積回路におけるバイポーラトランジスタの設計および製造は、当業者によく知ら れている。好ましくは、互いに対にされたトランジスタはおよそ同じサイズおよ び動作特性であり、すなわち、トランジスタQ1およびQ2(それぞれ第1およ び第2の「入力トランジスタ」)は動作特性において合わされていて、トランジ スタQ3およびQ4(それぞれ第1および第2の「制御トランジスタ」)は動作 特性において合わされていて、そしてトランジスタQ5およびQ6(それぞれ第 1および第2の「フィードバックトランジスタ」)は動作特性において合わされ ている。本実施例では、トランジスタQ1〜Q6は、本質的に同じ種類のトラン ジスタであることができ、すなわちトランジスタQ1〜Q6は、所望ならば、全 て合わされる(整合される、matched)ことができる。 制御段12は、いくつかの電流源をさらに含む。より詳細には、制御段12は 、第1の電流源Ic1および第2の電流源Ic2を含む整合された2連電流源(matc hed dual current source)16と、一対のバイアス電流源I5およびI6とを含 む。制御段12は、温度依存性の制御抵抗Rおよび出力電流源バイアス、すなわ ち「ヘッドルーム(headroom)」抵抗器REEを含む。 図1において分かるように、整合された電流源16は、Vccと入力トランジ スタQ1およびQ2との間に結合されている。電流源Ic1およびIc2の両方は、 合計2Icのために電流Icを生成する。整合された2連電流源16の好ましい実 現は、引き続いて図2に参照して述べられている。 Ic1、Q1、およびQ3は、第1のノード18が電流源Ic1とトランジスタQ 1との間に形成され、且つ第2のノード20がトランジスタQ1とトランジスタ Q3との間に形成されるように、直列に結合される。「直列」によって、電流が 電流源からトランジスタを直列に通って接地に流れるように、Ic1、Q1、およ びQ3が一緒に結合されることが意味される。より詳細には、電流源Ic1はバイ ポーラトランジスタQ1のコレクタに結合され、トランジスタQ1のエミッタは トランジスタQ3のコレクタに結合される。トランジスタQ3のエミッタは、抵 抗器REEを通って接地に結合される。同じ様に、電流源Ic2、トランジスタQ2 、およびトランジスタQ4は、電流源Ic2とトランジスタQ2との間に第3のノ ード22、およびトランジスタQ2とトランジスタQ4との間に第4のノード2 4を作り出すように直列に結合される。より詳細には、電流源Ic2の出力は、ト ランジスタQ2のコレクタに結合され、トランジスタQ2のエミッタはトランジ スタQ4のコレクタに結合される。トランジスタQ4のエミッタは、抵抗器REE を通って接地に結合される。 トランジスタQ5およびQ6は、VCCとトランジスタQ3およびQ4のベース との間にそれぞれ結合される電圧フォロワ、すなわち「フィードバック」トラン ジスタである。より詳細には、トランジスタQ5およびQ6のコレクタは、VCC に結合される一方で、トランジスタQ5のエミッタは、トランジスタQ3のベー スに結合されて、トランジスタQ6のエミッタは、トランジスタQ4のベースに 結合される。トランジスタQ5およびQ6のベースは、ノード18および22に それぞれ結合される。トランジスタQ1のベースは、入力電圧VCONTに結合され 、またトランジスタQ2のベースは、基準電圧VREFに結合される。電圧VIN= VCONT−VREFは、Q1およびQ2のベース間に発現される(developed)。 トランジスタQ3およびQ4のエミッタは一緒に結合され、バイアスする抵抗 器REEによってVEE(接地)に結合される。トランジスタQ5のエミッタおよび トランジスタQ3のベースは、電流源15によってVEEに結合されて、トランジ スタQ6のエミッタおよびトランジスタQ4のベースは電流源16によってVEE に結合される。前述のように、絶対温度に比例するPTAT電圧VPTは、トラン ジスタQ3およびQ4のベースの両端に発現される。 第2の段、すなわち“出力”段14は、トランジスタQ7およびQ8と出力定 電流源IEEとを含む。トランジスタQ7およびQ8は、好ましくは動作特性にお いて合わされて、好ましくはNPNバイポーラトランジスタである。トランジス タQ7のベースは、トランジスタQ4のベースに結合されて、またトランジスタ Q8のベースは、トランジスタQ3のベースに結合される。トランジスタQ8の コレクタは、VCCに結合されていて、またトランジスタQ7およびQ8のエミッ タは、出力定電流源IEEによってVEEに結合される。トランジスタQ7のコレク タは、出力ノード26において出力電流IOUTを、あるいは代わりに、トランジ スタQ7のコレクタとVCCとの間に接続された出力抵抗器ROUTを付加して出力 ノード26において電圧VOUTを生成する。抵抗ROUTは、電流源として回路を作 動するときには存在しない。引き続いて詳細に説明されるように、トランジスタ Q7およびQ8は、出力電流源IEEの(0と1との間の)どの分数割合がノード 26において供給されるべきであるかを決定する電流分割器(current divider )として役立つ。 端的には、第1の段12は、ノード26において出力されるべきであるIEEの 分数成分を設定するために使用されるのに対して、第2の段14は必要な分割を 実行する。現在のところ実現されているように、VINは、約±200ミリボルト (mV)、つまりは直流0.2ボルトの範囲内で変えられることができる。前述 のように、VINは、入力制御電圧VCONTと基準電圧VREFとの差である。VINが ゼロに等しいとき、抵抗Rには全然電流がなく、トランジスタQ1およびQ2を 流れる電流は、トランジスタQ2およびQ4を流れる電流とほぼ同じである。し たがって、VINがゼロに等しいとき、VPTはゼロに等しく、そして電流IEEは、 トランジスタQ7とQ8との間に同様に分割され、すなわちIOUTは1/2・IE E に等しい。VINが負になるならば、IOUTは、VINがその範囲の下限(例えば、 この例では、−200mV)にあるとき、本来的にゼロであるところまで減少す る。VINは正の方向に増加するとき、IOUTは、VINがその範囲の上限にある( 例えば、この例では、約+200mV)場合、IEEに到達するまで増加する。 本発明における回路10の動作が、より詳細に述べられる。図1に示されるよ うに、トランジスタQ1およびQ2における電流Icは等しい。コレクタ電流が 等しいために、2つのトランジスタのベース‐エミッタ電圧は等しく、全入力電 圧、VINは抵抗器Rの両端に誤差なしに現れる。したがって、抵抗器Rに流れる IRは、必ずトランジスタQ3およびQ4を流れるコレクタ電流の差である。電 圧フォロワトランジスタQ5およびQ6を介するトランジスタQ1およびQ2の コレクタからの負のフィードバックは、トランジスタQ3およびQ4のベース間 に正確な電圧をそれぞれに設定し、そのコレクタ電流における差を適切に維持す る。 本発明では、VINは定義によって安定しているとみなされる。再び、「安定」 によって、ここでは、VINは温度とともに変わらないことが意味されている。VIN は、本発明の一部でないものとして他の回路構成部分によって供給され、チッ プ上で(on-chip)あるいはチップ外(off-chip)でのいずれかにおいて供給さ れてもよい。本発明の好ましい実施例では、VINは、トランジスタQ7からの所 望の分数出力電流を決定するように選択される。したがって、VINは、ある程度 まで、指定される範囲内のVINの実際の値を回路設計者が決定できる点で可変で あるとみなされ得る。しかしながら、動作中、VINは、接続された信号回路の直 流バイアスを調整するために新しい分数の電流出力を確定するためにのみ変更さ れる。 VINは定義によって安定しているので、電流IR=VIN/Rは、Rが安定であ る場合のみ安定であり、これは通常の場合でない。トランジスタQ3およびQ4 における電流に関する式は、 Ic4=Ic+IR (式1) Ic3=Ic−IR (式2) Ic4/Ic3=(Ic+IR)/(Ic−IR) (式3) である。 ICが、図2に関してより詳細に述べられているように、IRと同じ温度依存を 有するようにされるならば、Ic4/Ic3は、温度依存が全然なく、温度にわたっ て安定したままである。この電流の安定な比は、実際、ベースQ3‐Q4(図1 のVPT)の両端にわたる電圧に帰着し、これは全く絶対温度(PTAT)に比例 する。より詳細には、下記の関係が保持される。 VPT=Vbe4−Vbe3 (式4) Vbe3=VTln(Ic3/Is) (式5) Vbe4=VTln(Ic4/Is) (式6) 定義によって、比Ic4/Ic3は温度に関して一定であるので、式7は、比VPT /VTは、温度にわたって一定のままであることを示している。VTはPTAT熱 電圧であり、これは、当業者に良く知られているように、式VT=kT/qによ って示され、ここで、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電子の電荷であ る。VTはPTATに違いないので、またVPTはPTATに違いなく、式7の指 数において一定比を保持する。 PTAT制御電圧VPTは、差動対(「電流分割器」)トランジスタQ7および Q8のベースに結合され、またPTAT制御電圧VPTによって電流比IC7/IC8 が電流比Ic4/Ic3に等しくなることが引き起こされる。その結果、下記に示す ように、コード(code)全使用可能電流に対する出力の比(IC7/IEE)は、全 電流IEEの変化に係わりなく一定である。 Ic7+Ic8=IEE (式8) c7/(IEE−Ic7)=c (式10) Ic7/IEE=c/(I+c)=d (dは定数である) (式11) したがって、安定な入力電圧に対する分数Ic7/IEEの関係は、下記のように 得ることができる。 Ic7/IEE=Ic4/(2*Ic)=(Ic+IR) (2*Ic) =1/2+(VIN/R)(2*Ic)(式12) Ic7/IEE=1/2+VIN/(2*Ic*R) ここで、−Ic*R<VIN<Ic*R (式13) したがって、Ic7=IOUTは、安定した分数のIEEであることが認識される。 IEEが温度とともに変わる傾向があるならば、IOUTは温度にわたって安定した 分数である。多数の最新のアナログ集積回路は、約100℃にわたる温度範囲で 作動するように設計されるので、定電流源IEEによって生成される電流が温度範 囲内において因数2倍で変化し得ることが予想されるにちがいない。したがって 、分数出力IOUTは、定電流源IEEの出力電流の変動とともに変わる。 示されるように、IOUT/IEEは、1/2+VIN/(2*Ic*R)に等しい。 したがって、前述のように、VINがゼロに等しいとき、IOUTは1/2・IEEに 等しい。VINがIc*Rに等しいとき、IOUTはIEEに等しく、VINが−Ic*R に等しいとき、IOUTはゼロに等しい。 回路10における様々な部品に対する実際の値は、当業者によって理解される ように、回路の応用に依存する。一般的には、VCCは、2.5ボルト直流あるそ れ以上、例えば、3ボルト、5ボルト等である。VEEは通常約0ボルト直流(接 地)にある。電流源Ic1およびIc2は、例えば、100マイクロアンペアの電流 源であってもよいし、制御抵抗器Rは、例えば、約2Kオームであってもよい。 これらの値に対しては、VINは、±0.2ボルト(すなわち、現在の例にあるよ うに±200mV)の範囲内で作動し、VREFは約2ボルトにある。IEEは、「 分割される」べきである任意の実際上一定の電流源であってもよく、電流源15 および16(それぞれ第1および第2の「定在電流(standing current)」源) は、トランジスタQ5およびQ6を介して定在電流を供給する単に小さな電流源 (例えば、20マイクロアンペア電流源)である。IEEが100マイクロアンペ ア電流源として選択されるならば、IOUTは100マイクロアンペアに制限され 、10キロオーム(kΩ)抵抗ROUTは、ノード26において直流0〜1ボルト の定電圧出力電圧を供給する。(接地に対して電流2IC1のための経路を与える )抵抗器REEは、出力定電流源IEEの両端に、例えば1/2ボルトの「ヘッドル ーム」を作り出すために供給される。トランジスタQ4のエミッタの電圧がトラ ンジスタQ7のエミッタに映される(ミラーされる、mirrored)ので、これが、 REEの両端の電圧が電流源IEEの両端の電圧と同じであることの理由である。実 世界の(理想的でない)電流源は、作動するために電流源間の小さい電圧を必要 とするので、この「ヘッドルーム」が必要とされる。この例では、REEは約2. 5キロオームである。 図2では、好ましい整合された対電流源16が、より詳細に示されている。こ の回路16は、2つのNPNバイポーラトランジスタT1およびT2と、3つの PNPバイポーラT3、T4、およびT5とを含んでいる。整合された電流源1 6は、また、安定な(温度に対して一定の)電圧源VX、抵抗器R1、および温 度 依存性の抵抗器RXを含む。引き続きより詳細に述べるように、抵抗器RXが図1 の抵抗器Rと同様の(similar)温度特性を有することは本発明とって本質的で ある。 図2において認識されるように、抵抗器R1、トランジスタT1、および電圧 源VXは、VCCとVEEとの間に直列に結合されている。より詳細には、トランジ スタT1のコレクタは、抵抗R1によってVCCに結合され、トランジスタT1の エミッタは、安定な電圧源VXによってVEEに結合されている。トランジスタT 1のベースはそのコレクタに結合されている。 また、図2において認識されるように、トランジスタT3、トランジスタT2 、および抵抗器RXは、またVCCとVEEとの間に直列に結合されている。より詳 細には、トランジスタT3のエミッタはVCCに結合され、トランジスタT3のコ レクタはトランジスタT2のコレクタに結合され、トランジスタT2のエミッタ は抵抗器RXによってVEE(接地)に結合されている。トランジスタT2のベー スは、トランジスタT1のコレクタおよびベースに結合されている。 トランジスタT3のベース(「ダイオード接続トランジスタ」)は、カレント ミラーの一方の半分を形成するためにそのコレクタに結合されている。トランジ スタT4およびT5の各々(それぞれ第1および第2の「ミラーされたトランジ スタ」)は、トランジスタT3と一緒にカレントミラーの他方の半分を形成する 。トランジスタT4およびT5のベースは、トランジスタT3のコレクタおよび ベースに結合されているのに対して、トランジスタT4およびT5のエミッタは 、VCCに結合されている。トランジスタT4のコレクタは、電流IC1を形成し、 トランジスタT5のコレクタは、電流IC2を形成する。これらの電流IC1および IC2の両方は、同じトランジスタT3を用いて映されるので、これらの電流は本 来同じ電流である、すなわちこれらの電流は、両方共に本来的に同一の電流であ り、各々がICの大きさ持つ。 前述のように、VX、安定な(すなわち、温度とともに変わらない)電圧源で ある。このような電圧源の設計および製造は、当業者に良く知られていて、チッ プ上で(on-chip)あるいはチップ外(off-chip)でのいずれかで提供されても よい。VXを発生するための典型的な回路は、アナログ回路設計の当業者に知ら れて いるように、バンドギャップ発生器を含んでいる。最善の性能のために、R1は 、その通常の電流がRXにおける電流に近似するように選択されるべきであるけ れども、図2のR1は、トランジスタT1および電圧源VXを介する電流を制限 するように単に供給される。トランジスタT1およびT2は、抵抗RXの両端に 電圧VXを再生成するために役立つ。これは、トランジスタT1およびT2のベ ース‐エミッタ電圧がほとんど等しいことが理由であり、その結果、VXにほと んど等しい電圧はトランジスタT2のエミッタにわたって現れ、そしてこの電圧 VXが抵抗RXの両端に現れる。 VXは一定であるので、電流VX/RXは、RXが変わるときのみ温度にわたって 変わる。ここで使用されているように、これは、「抵抗型Rに基づく定電流」と 参照される。電流VX/RXは、T2のコレクタおよびトランジスタT3のコレク タに流れる。当業者によって理解されるように、トランジスタT3はダイオード を形成するように接続されている、すなわちダイオード接続されている。トラン ジスタT3、T4およびT5のベース‐エミッタ電圧は同一であるので、T3の コレクタにおいて流れる同一電流、すなわちVX/RXは、前述のように、トラン ジスタT4およびトランジスタT5のコレクタに流れる。 整合された2連電流源16は、図1の抵抗器Rと同じ抵抗器技術に基づいてい る。当業者に理解されるように、集積回路上に供給されることができる(ここで は抵抗器“型”と参照される)多数の型の抵抗器技術がある。例えば、P.Gr eyら著の文献「アナログ集積回路の解析および設計」(第2版、John Wiley & Sons社、コピーライト1977、1978)では、例えば、ベース拡散、エミ ッタ拡散、ピンチ、エピタキシャル、ピンチエピタキシャル、および薄膜の抵抗 器を含むいくつかの抵抗器技術が記載されている。図2の抵抗器RXのために選 択された抵抗器技術および図1の抵抗器Rが同一である限り、どの抵抗器技術が 選択されるかは本発明にとって重要ではない。これは、その温度依存性が同じで あることを保証し、PTAT電圧VPTの顕著な(noted)相殺および生成を見込 んでいる。異なる抵抗器技術が図2のRXおよび図1の抵抗器Rのために使用さ れるならば、電圧VPTはPTATでなく、本発明の回路は所望のように作動しな い。 図3は、いくつかの電圧VINに対して温度Tの関数として出力電流IOUTを示 す グラフである。このグラフは、図1の回路に適用されるものとしてSPICEシ ミュレータを使用して現わされた(developed)。垂直軸にはマイクロアンペア 単位の電流IOUTがあり、水平軸には摂氏(℃)単位の温度がある。IOUTがIEE に等しい場合、すなわち、入力電圧VINがその範囲の最大端にある場合の第1の グラフ(curve)28である。グラフ30は、ゼロ以上の入力電圧VINによって 設定されるように、IOUTがおよそ一定のIEEの3/5であることを示している 。グラフ32では、IOUTがおよそIEEの1/2に等しく、すなわち入力電圧VI N は直流ゼロボルトに等しい。最後に、グラフ34はIEEの1/3に等しく、す なわち入力電圧VINはゼロより小さい。 図3に示されるように、様々なグラフ28〜34は平行でない。これは、これ らのグラフが、最大出力(グラフ28が100%である場合)の分数であるため であり、したがって、その傾斜は変わる。しかしながら、電流IOUTは、電流源 IEEから利用可能な全電流が温度とともに変わるので、全電流IEEの一定の固定 された分数のままである。 本発明の回路および方法は、より大きなシステムおよび/または方法の一部を 形成でき、典型的には形成する。例えば、本発明の回路は、典型的には、“チッ プ”上に集積され、パッケージ組立されるより大きな回路の一部を形成する。し たがって、パッケージ組立された集積回路は、他の電子デバイスと一緒にプリン ト回路(PC)ボードにその集積回路を取り付けることによって、また得られる 回路を電源および他のデバイスおよびシステムに接続することによって、より大 きなシステムの一部を作られる。したがって、本発明のプロセスから結果として 生じる製品は、回路自体、1つあるいはそれ以上の回路を含む集積回路チップ( chips)、より大きなシステム(例えば、PCボードレベルのシステム)、この ようなより大きなシステムを含む製品、等を含むことを理解すべきである。 本発明はいくつかの好ましい実施例に観点で記載されているが、それの代替物 、修正物、変更物および均等物は、明細書の解釈(reading)および図面の検討 (study)に関して当業者に明らかになることが意図されている。従って、下記 の添付の請求の範囲は、本発明の真の精神および範囲内にあるものとして、この ような全て代替物、修正物、変更物および同等物を含んでいることが意図されて いる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェンセン,ブレント,アール. アメリカ合衆国 オレゴン州 ポートラン ド ノース ウェスト チェメケタ レー ン 18056 (72)発明者 マッキャロル,ベンジャミン,ジェイ. アメリカ合衆国 オレゴン州 ポートラン ド ノース ウェスト アンドリュー プ レイス 1736 【要約の続き】 流分割器に制御電圧を加え、出力電流を供給するステッ プとを含む。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 安定な直流入力電圧に応答を示す制御段を備え、前記制御段は、所与の 抵抗器技術の温度依存性のある制御抵抗器、前記制御抵抗器に制御電流を提供す る少なくとも1つの制御定電流源を含み、前記制御定電流源は、前記制御電流が 同様の温度依存性であり、かつ前記制御電流および前記制御抵抗器の温度依存性 が、絶対温度に比例するPTAT制御電圧を与えることを相殺するために資する (tend)ように、前記所与の抵抗器技術に基づく温度依存性の電流源抵抗器を含 み、 前記PTAT制御電圧に応答を示す出力段を備え、前記出力段は出力定電流源 に結合された出力トランジスタを含み、前記出力トランジスタから取られたトラ ンジスタ段の出力電流は前記出力定電流源から以外の電流寄与を全く有せず、前 記制御電圧によって前記出力トランジスタが前記出力電流として前記出力定電流 源の本来的に定分数を出力することが引き起こされる、 温度安定化された定分数の電圧制御電流源。 2.前記制御定電流源は第1の制御電流を提供する第1の制御定電流源であり 、且つ、前記所与の抵抗器技術に基づく電流源抵抗器を含むと共に第2の制御電 流を前記制御抵抗器に供給する第2の制御定電流源を更に備える、請求項1に記 載の温度安定化された定分数の電圧制御電流源。 3.前記第1の制御電流は前記制御抵抗器の第1の側に供給され、且つ前記第 2の制御電流は前記制御抵抗器の第2の側に供給される、請求項2に記載の温度 安定化された定分数の電圧制御電流源。 4.前記第1の制御電流は、入力制御電圧によって制御される第1の入力トラ ンジスタを介して供給され、かつ前記第2の制御電流は、基準電圧によって制御 される第2の入力トランジスタを介して供給される、請求項3に記載の温度安定 化された定分数の電圧制御電流源。 5.前記制御抵抗器の前記第1の側は第1の制御トランジスタによって接地へ 結合され、前記制御抵抗器の前記第2の側は第2の制御トランジスタによって接 地へ結合される、請求項4に記載の温度安定化された定分数の電圧制御電流源。 6.前記第1の制御定電流源によって制御され、かつ前記第1の制御トランジ スタを制御する第1のフィードバックトランジスタと、前記第2の制御定電流源 によって制御され、かつ前記第2の制御トランジスタを制御する第2のフィード バックトランジスタとを更に備える、請求項5に記載の温度安定化された定分数 の電圧制御電流源。 7.前記第1のフィードバックトランジスタを接地に結合する第1の定在電流 源と、前記第2のフィードバックトランジスタを接地に結合する第2の定在電流 源とを更に備える、請求項6に記載の温度安定化された定分数の電圧制御電流源 。 8.前記出力トランジスタは第1の出力トランジスタであり、前記第1の出力 トランジスタおよび前記出力定電流源に結合され前記第1の出力トランジスタと 共に電流分割器を形成する第2の出力トランジスタを更に備え、前記第1の出力 トランジスタは前記第2の制御トランジスタに結合される、請求項5に記載の温 度安定化された定分数の電圧制御電流源。 9.前記第1の制御トランジスタおよび前記第2の制御トランジスタを接地に 結合するヘッドルーム抵抗器を更に備え、前記ヘッドルーム抵抗器は前記出力定 電流源のためのバイアス電圧を供給する、請求項8に記載の温度安定化された定 分数の電圧制御電流源。 10.前記第1の制御定電流源および前記第2の制御定電流源は定電流源の整 合された対である、請求項2に記載の温度安定化された定分数の電圧制御電流源 。 11.前記制御定電流源は、ダイオード接続されたトランジスタと、前記ダイ オード接続されたトランジスタに結合され前記第1の制御電流を提供する第1の ミラートランジスタと、前記ダイオード接続されたトランジスタに結合され前記 第2の制御電流を供給する第2のミラートランジスタとを含み、このような前記 第1の制御電流および前記第2の制御電流は本来的に同じ値である、請求項10 に記載の温度安定化された定分数の電圧制御電流源。 12.前記ダイオード接続されたトランジスタは、前記電流源抵抗器と直列に 結合される、請求項11に記載の温度安定された定分数の電圧制御電流源。 13.第1の制御定電流源および第2の制御定電流源を備える一対の制御定電 流源と、制御抵抗器と、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタを備える 一対の制御入力トランジスタと、第3のトランジスタおよび第4のトランジスタ を備える一対の制御出力トランジスタと、第5のトランジスタおよび第6のトラ ンジスタを備える一対のフィードバックトランジスタと、第7のトランジスタお よび第8のトランジスタを備える一対の出力トランジスタと、出力定電流源とを 備え、 前記第1の制御定電流源、前記第1のトランジスタ、および前記第3のトラン ジスタは、前記第1の電流源と前記第1のトランジスタとの間の第1のノードお よび前記第1のトランジスタと前記第3のトランジスタとの間の第2のノードが あるように直列に結合され、前記第2の制御定電流源、前記第2のトランジスタ 、および前記第4のトランジスタは、前記第2の電流源と前記第2のトランジス タとの間の第3のノードおよび前記第2のトランジスタと前記第4のトランジス タとの間の第4のノードがあるように直列に結合され、前記制御抵抗器は、前記 第2のノードと前記第4のノードとの間に結合され、前記第5のトランジスタは 、前記第3のトランジスタと前記第1のノードとの間に結合され、前記第6のト ランジスタは、前記第4のトランジスタと前記第3のノードとの間に結合され、 前記第4のトランジスタは、前記第7のトランジスタに結合され、前記第8のト ランジスタは、前記第3のトランジスタに結合され、かつ前記出力定電流源は、 前 記第7および第8のトランジスタに結合され、 前記第1のトランジスタに加えられた直流入力電圧が、本来的に前記出力定電 流源の定分数である、前記第7のトランジスタからの出力電流を作り出す、 電圧制御電流源。 14.前記第1の制御定電流源は、ダイオード接続されたトランジスタに結合 される第1のミラートランジスタを備え、かつ前記第2の制御定電流源は、前記 ダイオード接続されたトランジスタに結合された第2のミラートランジスタを備 える、請求項13に記載の電圧制御電流源。 15.前記ダイオード接続されたトランジスタは、前記制御抵抗器と同じ抵抗 器技術に基づいている温度依存性の電流源抵抗器と直列に結合され、前記第3及 び前記第4のトランジスタとの間に発生される(developed)電圧が絶対温度に 比例する、請求項14に記載の電圧制御電流源。 16.制御抵抗器と同じ抵抗器の型に基づいている制御電流を発生する(deve lop)ステップを備え、 前記制御電流を前記制御抵抗器に加え、絶対温度に比例しかつ本来的に前記制 御抵抗器の温度依存と無関係であるPTAT制御電圧を発生するステップを備え 、 出力定電流源に結合された電流分割器に前記PTAT制御電圧を加えるステッ プとを備え、前記電流分割器は、作動温度の範囲にわたって本来的に前記出力定 電流源の定分数である出力電流を供給する、 出力定電流源の定分数である電流を供給する方法。 17.制御電流を発生する前記ステップは、第1の定電流源を用いて第1の制 御電流を発生して前記第1の制御電流を前記制御抵抗器の第1の側に加えるステ ップと、第2の定電流源を用いて第2の制御電流を発生して前記第2の制御電流 を前記制御抵抗器の第2の側に加えるステップとを含み、前記第1の定電流源お よび前記第2の定電流源は前記制御抵抗器と同じ抵抗器の型に基づいている、請 求項16に記載の出力定電流源の定分数である電流を供給する方法。 18.前記出力電流は、前記出力定電流源から得られる電流を除いて、電流を 本来的に全く含まない、請求項第17に記載の出力定電流源の定分数である電流 を供給する方法。 19.出力抵抗器を前記出力電流に結合し出力電圧を得るステップ、を更に備 える請求項17に記載の出力定電流源の定分数である電流を供給する方法。
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