JP2000356680A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線の照射により電荷を生成する半導体結晶と、前記結晶の第１の面および第２の面にそれぞれ設けられた電荷収集電極と、これら電極間にバイアス電圧を印加する手段と、前記電荷収集電極からの出力信号を電圧に変換する電荷増幅器とを備えた半導体放射線検出装置において、
前記電荷増幅器は、前記電荷収集電極からの出力信号のうち所定の閾値以下の信号を遮断する手段を備えたことを特徴とする半導体放射線検出装置。
【請求項２】
前記半導体結晶の温度を検出する手段と、前記温度検出手段で検出した温度に基づき前記遮断する手段の閾値を変更する手段とを備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体放射線検出装置。
【請求項３】
前記所定の閾値は、リーク電流に起因する電子雑音のレベルであることを特徴とする請求項１記載の半導体放射線検出装置。
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