JP2000353235A - 指紋認識装置及び指紋採取方法 - Google Patents
指紋認識装置及び指紋採取方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】静電保護対策を指紋認識装置自体に設けること
により、静電保護対策を行っていない半導体指紋センサ
ー素子をも用いることができる有効な指紋認識装置及び
指紋採取方法を提供する。 【解決手段】内部に半導体指紋センサー素子９０，１０
０を設け、この半導体指紋センサー素子の表面に指１９
Ａを当接させることにより指紋を読みとる指紋認識装置
において、半導体指紋センサー素子の表面上に、表面側
が接地レベルに接続された金属プレート１１であり半導
体指紋センサー素子の表面に対面する裏面側に絶縁板１
２を設けた蓋１０を有した指紋認識装置。
により、静電保護対策を行っていない半導体指紋センサ
ー素子をも用いることができる有効な指紋認識装置及び
指紋採取方法を提供する。 【解決手段】内部に半導体指紋センサー素子９０，１０
０を設け、この半導体指紋センサー素子の表面に指１９
Ａを当接させることにより指紋を読みとる指紋認識装置
において、半導体指紋センサー素子の表面上に、表面側
が接地レベルに接続された金属プレート１１であり半導
体指紋センサー素子の表面に対面する裏面側に絶縁板１
２を設けた蓋１０を有した指紋認識装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は指紋認識装置及び指
紋採取方法に係わり、特に静電気破壊を防止した指紋認
識装置及び指紋採取方法に関する。
紋採取方法に係わり、特に静電気破壊を防止した指紋認
識装置及び指紋採取方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な指紋認識装置において、その指
紋読み取り部には光ファイバ等の光学部品を使用してい
る。しかしながらこれらの部品を用いると、高価な装置
となり又小型化が困難になる。
紋読み取り部には光ファイバ等の光学部品を使用してい
る。しかしながらこれらの部品を用いると、高価な装置
となり又小型化が困難になる。
【０００３】これに対してマトリックス状に配列形成し
たセンサ部を有する半導体指紋センサー素子は装置の低
廉化、小型化に適している。
たセンサ部を有する半導体指紋センサー素子は装置の低
廉化、小型化に適している。
【０００４】しかしながらこの半導体指紋センサー素子
を用いた装置では、指紋を採る指が強い静電気を帯びて
いた場合に、この強い静電気によりセンサ部が誤動作を
したり破壊する恐れが生じる。
を用いた装置では、指紋を採る指が強い静電気を帯びて
いた場合に、この強い静電気によりセンサ部が誤動作を
したり破壊する恐れが生じる。
【０００５】このために特開平１１−５３５２４号公報
にはセンサ部を形成した２次元ホォトセンサと凹凸検出
光学素子との間に接地をした透明導電層を設けて静電気
がセンサ部に入るのを遮断する半導体指紋センサー素子
が開示されている。
にはセンサ部を形成した２次元ホォトセンサと凹凸検出
光学素子との間に接地をした透明導電層を設けて静電気
がセンサ部に入るのを遮断する半導体指紋センサー素子
が開示されている。
【０００６】図９を用いてこの技術を説明する。
【０００７】この半導体指紋センサー素子１００は、面
光源３１と、２次元フォトセンサ３２と、透明導電層３
３と、凹凸検出光学素子３４とを有して構成されてい
る。
光源３１と、２次元フォトセンサ３２と、透明導電層３
３と、凹凸検出光学素子３４とを有して構成されてい
る。
【０００８】このために、幅が１００μｍ程度の凹部３
５Ａと幅が２００μｍ程度の凸部３５Ｂとから構成され
た指３５の指紋を採るために指を半導体指紋センサー素
子１００の表面、すなわち凹凸検出光学素子３４の表面
に押しつけた際に、指が強い静電気を帯びていた場合で
も、透明導電層３３により静電気を遮蔽してセンサ部へ
の悪影響を防止することができる。
５Ａと幅が２００μｍ程度の凸部３５Ｂとから構成され
た指３５の指紋を採るために指を半導体指紋センサー素
子１００の表面、すなわち凹凸検出光学素子３４の表面
に押しつけた際に、指が強い静電気を帯びていた場合で
も、透明導電層３３により静電気を遮蔽してセンサ部へ
の悪影響を防止することができる。
【０００９】尚、２次元フォトセンサ３２には、透明基
板４７上の遮光性ボトムゲート電極４１と、ボトムゲー
ト絶縁膜４８と、半導体層４５と、半導体層４５の両側
上にそれぞれ設けたＮ+ シリコン層４４，４４と、遮光
性ソース電極４２と、遮光性ドレイン電極４３と、トッ
プゲート絶縁膜４９と、透明性トップゲート電極４６と
から成る複数のセンサ部４０がマトリックス状に配列さ
れており、トップゲート絶縁膜４９及び透明性トップゲ
ート電極４６をオーバーコート膜５０で被覆している。
板４７上の遮光性ボトムゲート電極４１と、ボトムゲー
ト絶縁膜４８と、半導体層４５と、半導体層４５の両側
上にそれぞれ設けたＮ+ シリコン層４４，４４と、遮光
性ソース電極４２と、遮光性ドレイン電極４３と、トッ
プゲート絶縁膜４９と、透明性トップゲート電極４６と
から成る複数のセンサ部４０がマトリックス状に配列さ
れており、トップゲート絶縁膜４９及び透明性トップゲ
ート電極４６をオーバーコート膜５０で被覆している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの従来
技術では、静電保護対策として指紋認識装置に用いる半
導体指紋センサー素子自体にその解決を求めているか
ら、使用する素子が限定されてしまうという問題点を有
する。
技術では、静電保護対策として指紋認識装置に用いる半
導体指紋センサー素子自体にその解決を求めているか
ら、使用する素子が限定されてしまうという問題点を有
する。
【００１１】したがって本発明の目的は、静電保護対策
を指紋認識装置自体に設けることにより、静電保護対策
を行っていない半導体指紋センサー素子をも用いること
ができる有効な指紋認識装置及び指紋採取方法を提供す
ることである。
を指紋認識装置自体に設けることにより、静電保護対策
を行っていない半導体指紋センサー素子をも用いること
ができる有効な指紋認識装置及び指紋採取方法を提供す
ることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、内部に
半導体指紋センサー素子を設け、該半導体指紋センサー
素子の表面に指を当接させることにより指紋を読みとる
指紋認識装置において、前記半導体指紋センサー素子の
表面上に、表面側が接地レベルに接続された導電体材で
あり前記半導体指紋センサー素子の表面に対面する裏面
側に絶縁体材である蓋を有した指紋認識装置にある。
半導体指紋センサー素子を設け、該半導体指紋センサー
素子の表面に指を当接させることにより指紋を読みとる
指紋認識装置において、前記半導体指紋センサー素子の
表面上に、表面側が接地レベルに接続された導電体材で
あり前記半導体指紋センサー素子の表面に対面する裏面
側に絶縁体材である蓋を有した指紋認識装置にある。
【００１３】この指紋認識装置において、前記蓋の一端
辺側が回転軸に結合し、この回転軸を中心に蓋の開閉動
作を行うようにすることができる。
辺側が回転軸に結合し、この回転軸を中心に蓋の開閉動
作を行うようにすることができる。
【００１４】あるいはこの指紋認識装置において、前記
蓋の両側端辺がそれぞれレールに結合し、このレールを
スライドすることにより蓋の開閉動作を行うようにする
ことができる。
蓋の両側端辺がそれぞれレールに結合し、このレールを
スライドすることにより蓋の開閉動作を行うようにする
ことができる。
【００１５】またこの指紋認識装置において、前記導電
体材は金属プレートであることが好ましい。
体材は金属プレートであることが好ましい。
【００１６】さらにこの指紋認識装置において、前記導
電体材の表面には指の一部が入り込む凹部が形成されて
いることが好ましい。
電体材の表面には指の一部が入り込む凹部が形成されて
いることが好ましい。
【００１７】あるいはこの指紋認識装置において、開き
動作の際に指が接する前記導電体材の表面には凹凸面の
部分が形成されていることができる。
動作の際に指が接する前記導電体材の表面には凹凸面の
部分が形成されていることができる。
【００１８】本発明の他の特徴は、指紋認識装置の内部
に設けられた半導体指紋センサー素子の表面に指の指紋
面を当接させることにより指紋を検査する指紋採取方法
において、前記指紋認識装置には表面側が接地レベルに
接続された導電体材であり裏面側が絶縁体材である蓋が
取り付けられており、前記指の指紋面を前記導電体材の
凹部内で導電体材面に接触させて前記蓋を開けた後、前
記指の指紋面を半導体指紋センサー素子の表面に当接さ
せる指紋採取方法にある。
に設けられた半導体指紋センサー素子の表面に指の指紋
面を当接させることにより指紋を検査する指紋採取方法
において、前記指紋認識装置には表面側が接地レベルに
接続された導電体材であり裏面側が絶縁体材である蓋が
取り付けられており、前記指の指紋面を前記導電体材の
凹部内で導電体材面に接触させて前記蓋を開けた後、前
記指の指紋面を半導体指紋センサー素子の表面に当接さ
せる指紋採取方法にある。
【００１９】この指紋採取方法において、前記導電体材
の表面には指の一部が入り込む凹部が形成されており、
この凹部に前記指を入れることにより前記指の指紋面を
前記導電体材の表面に接触させることが好ましい。
の表面には指の一部が入り込む凹部が形成されており、
この凹部に前記指を入れることにより前記指の指紋面を
前記導電体材の表面に接触させることが好ましい。
【００２０】またこの指紋採取方法において、前記蓋の
一端辺側が回転軸に結合し、この回転軸の軸心を中心に
蓋の開閉動作を行うようにすることができる。
一端辺側が回転軸に結合し、この回転軸の軸心を中心に
蓋の開閉動作を行うようにすることができる。
【００２１】あるいはこの指紋検査方法において、前記
蓋の両側端辺がそれぞれレールに結合し、このレールを
スライドすることにより蓋の開閉動作を行うようにする
ことができる。
蓋の両側端辺がそれぞれレールに結合し、このレールを
スライドすることにより蓋の開閉動作を行うようにする
ことができる。
【００２２】さらにこの指紋採取方法において、前記導
電体材は金属プレートであることが好ましい。
電体材は金属プレートであることが好ましい。
【００２３】このような本発明によれば、指紋認識装置
の蓋を開ける際に、指紋を採る指の静電気が蓋の導電体
材から接地ラインを通して除去されるから、静電保護対
策を行っていない半導体指紋センサー素子を用いても、
静電気によるセンサ部の誤動作や破壊事故は発生しな
い。
の蓋を開ける際に、指紋を採る指の静電気が蓋の導電体
材から接地ラインを通して除去されるから、静電保護対
策を行っていない半導体指紋センサー素子を用いても、
静電気によるセンサ部の誤動作や破壊事故は発生しな
い。
【００２４】また蓋の裏面、すなわち半導体指紋センサ
ー素子と対向する面には絶縁体材が設けられているか
ら、指からの静電気が乗り移った導電体層から、半導体
指紋センサー素子に放電することなく、接地に放電させ
ることができる。
ー素子と対向する面には絶縁体材が設けられているか
ら、指からの静電気が乗り移った導電体層から、半導体
指紋センサー素子に放電することなく、接地に放電させ
ることができる。
【００２５】さらに導電体材の表面に指の指紋面を差し
込む凹部を設けることにより、開閉動作を容易にすると
同時に、凹部を指の指紋面と略同様の湾曲形状にするこ
とにより、開動作において指の指紋面の略全体が導電体
材の凹部面に接触することになり指に蓄積されていた静
電気を有効に接地に放電することができる。
込む凹部を設けることにより、開閉動作を容易にすると
同時に、凹部を指の指紋面と略同様の湾曲形状にするこ
とにより、開動作において指の指紋面の略全体が導電体
材の凹部面に接触することになり指に蓄積されていた静
電気を有効に接地に放電することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明を説明
する。
する。
【００２７】図１は本発明の第１の実施の形態を示す図
であり、（Ａ）は指紋認識装置の蓋を開ける状態を示す
断面図、（Ｂ）は蓋が開いた後、指紋を読みとるために
導体指紋センサー素子の表面に指を当接させた状態を示
す断面図である。図２は本発明の第１の実施の形態の蓋
を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ
−Ｂ部の断面図である。また、図３は本発明の実施の形
態に用いる半導体指紋センサー素子の一例を示す断面図
である。
であり、（Ａ）は指紋認識装置の蓋を開ける状態を示す
断面図、（Ｂ）は蓋が開いた後、指紋を読みとるために
導体指紋センサー素子の表面に指を当接させた状態を示
す断面図である。図２は本発明の第１の実施の形態の蓋
を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ
−Ｂ部の断面図である。また、図３は本発明の実施の形
態に用いる半導体指紋センサー素子の一例を示す断面図
である。
【００２８】先ず、指紋認識装置の外壁板１７に囲まれ
た内部に図３に示すような接地放電用の透明導電層を有
さない半導体指紋センサー素子９０が設けられている。
た内部に図３に示すような接地放電用の透明導電層を有
さない半導体指紋センサー素子９０が設けられている。
【００２９】ここに先に説明した図９に示すような接地
放電用の透明導電層を有する半導体指紋センサー素子１
００を設けることもできる。
放電用の透明導電層を有する半導体指紋センサー素子１
００を設けることもできる。
【００３０】尚、図３の半導体指紋センサー素子９０は
図９の半導体指紋センサー素子１００から透明導電層３
３を削除したものであり、図３において図９と同一もし
くは類似の機能の箇所は同じ符号を付してあるから重複
する説明は省略する。
図９の半導体指紋センサー素子１００から透明導電層３
３を削除したものであり、図３において図９と同一もし
くは類似の機能の箇所は同じ符号を付してあるから重複
する説明は省略する。
【００３１】図１に戻って、半導体指紋センサー素子９
０，１００上には保護用の蓋１０が設けられている。
０，１００上には保護用の蓋１０が設けられている。
【００３２】この蓋は表面側が導電体材としての金属プ
レート１１であり、金属プレート１１の裏面に半導体指
紋センサー素子の全上表面に対面して絶縁体材としての
絶縁板１２が貼り付けられている。
レート１１であり、金属プレート１１の裏面に半導体指
紋センサー素子の全上表面に対面して絶縁体材としての
絶縁板１２が貼り付けられている。
【００３３】例えば、金属プレート１１は厚さ０．５〜
１．０ｍｍのアルミ板もしくは銅板であり、絶縁板１２
は厚さ０．５〜１．０ｍｍのアクリル板もしくはゴム板
であり、絶縁板と半導体指紋センサー素子の上表面との
間隔は０．５〜１．０ｍｍである。
１．０ｍｍのアルミ板もしくは銅板であり、絶縁板１２
は厚さ０．５〜１．０ｍｍのアクリル板もしくはゴム板
であり、絶縁板と半導体指紋センサー素子の上表面との
間隔は０．５〜１．０ｍｍである。
【００３４】さらに、金属プレート１１の一端辺側はモ
リブデンもしくはタングステンの回転軸１３に結合し、
この回転軸１３の両端部分がそれぞれ金属製の軸受け１
４に支持されている。
リブデンもしくはタングステンの回転軸１３に結合し、
この回転軸１３の両端部分がそれぞれ金属製の軸受け１
４に支持されている。
【００３５】また、金属プレート１２の他端辺側の表面
には、突起状の把持部１１Ａが設けられている。
には、突起状の把持部１１Ａが設けられている。
【００３６】さらに、金属プレート１２の表面には人間
の指の指紋面の湾曲に略一致した形状の凹部１１Ｂが形
成されている。
の指の指紋面の湾曲に略一致した形状の凹部１１Ｂが形
成されている。
【００３７】この実施の形態では、金属製の軸受け１４
が接地されているから、軸受け１４及び回転軸１３を通
して金属プレート１１も接地電位に接続されている。
が接地されているから、軸受け１４及び回転軸１３を通
して金属プレート１１も接地電位に接続されている。
【００３８】蓋１０の開動作において、これから指紋を
採取する指、例えば人差し指１９Ａの指紋面を凹部１１
Ｂに入れ、他の指、例えば親指１９Ｂで把持部１１Ａを
把持して、矢印１８に示すように、回転軸１３の軸心を
中心にして蓋１０を回転させる。
採取する指、例えば人差し指１９Ａの指紋面を凹部１１
Ｂに入れ、他の指、例えば親指１９Ｂで把持部１１Ａを
把持して、矢印１８に示すように、回転軸１３の軸心を
中心にして蓋１０を回転させる。
【００３９】この際に、これから指紋を採取する人差し
指１９Ａの指紋面が、凹部１１Ｂの内部の接地されてい
る金属プレート１１の部分に接触しているから、この指
が静電気に帯電していた場合、特にその指紋面が静電気
に帯電していた場合でもこの静電気が金属プレートを介
して接地に放電される。
指１９Ａの指紋面が、凹部１１Ｂの内部の接地されてい
る金属プレート１１の部分に接触しているから、この指
が静電気に帯電していた場合、特にその指紋面が静電気
に帯電していた場合でもこの静電気が金属プレートを介
して接地に放電される。
【００４０】またこの時に、絶縁板１２が設けられてい
るから、金属プレートに乗り移った静電気が半導体指紋
センサー素子の方向に放電されることはない。
るから、金属プレートに乗り移った静電気が半導体指紋
センサー素子の方向に放電されることはない。
【００４１】このような開動作の後、図１（Ｂ）に示す
ように、人差し指１９Ａの指紋面を半導体指紋センサー
素子９０，１００の上表面に押しつけて指紋を採取する
が、図１（Ａ）の工程で人差し指１９Ａの指紋面の静電
気は除去されているから、半導体指紋センサー素子の静
電気による誤動作や破壊の事故は発生しない。
ように、人差し指１９Ａの指紋面を半導体指紋センサー
素子９０，１００の上表面に押しつけて指紋を採取する
が、図１（Ａ）の工程で人差し指１９Ａの指紋面の静電
気は除去されているから、半導体指紋センサー素子の静
電気による誤動作や破壊の事故は発生しない。
【００４２】図４は本発明の第２の実施の形態の蓋を示
す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ
部の断面図である。
す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ
部の断面図である。
【００４３】金属プレート１６及び絶縁膜１２からなる
蓋１５は図１と同様に用いることができる。しかしこの
第２の実施の形態の金属プレート１６の表面には凹部が
形成されておらず、平坦面１６Ｃとなっている。
蓋１５は図１と同様に用いることができる。しかしこの
第２の実施の形態の金属プレート１６の表面には凹部が
形成されておらず、平坦面１６Ｃとなっている。
【００４４】凹部を形成した方が指の接触面積が大きく
なって静電気の接地への放電が有効に行われるが、使用
する半導体指紋センサー素子によって接地した平坦上面
の金属プレートでも問題が発生しない場合は、この第２
の実施の形態の蓋の方が凹部を形成しないだけ廉価な蓋
となる利点がある。
なって静電気の接地への放電が有効に行われるが、使用
する半導体指紋センサー素子によって接地した平坦上面
の金属プレートでも問題が発生しない場合は、この第２
の実施の形態の蓋の方が凹部を形成しないだけ廉価な蓋
となる利点がある。
【００４５】図５は本発明の第３の実施の形態を示す図
であり、（Ａ）は指紋認識装置の蓋を開ける状態を示す
断面図、（Ｂ）は蓋が開いた後、指紋を読みとるために
半導体指紋センサー素子の表面に指を当接させた状態を
示す断面図である。図６は図５（Ａ）のＡ−Ａ部を示す
断面図である。また、図７は本発明の第３の実施の形態
の蓋を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）
のＢ−Ｂ部の断面図である。
であり、（Ａ）は指紋認識装置の蓋を開ける状態を示す
断面図、（Ｂ）は蓋が開いた後、指紋を読みとるために
半導体指紋センサー素子の表面に指を当接させた状態を
示す断面図である。図６は図５（Ａ）のＡ−Ａ部を示す
断面図である。また、図７は本発明の第３の実施の形態
の蓋を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）
のＢ−Ｂ部の断面図である。
【００４６】指紋認識装置の外壁板１７に囲まれた内部
に図３又は図９に示すような半導体指紋センサー素子９
０又は１００が設けられている。
に図３又は図９に示すような半導体指紋センサー素子９
０又は１００が設けられている。
【００４７】半導体指紋センサー素子９０，１００上に
は保護用の蓋２０が設けられている。
は保護用の蓋２０が設けられている。
【００４８】この蓋は表面側が導電体材としての金属プ
レート２１であり、金属プレート２１の裏面に蓋を閉じ
た状態で半導体指紋センサー素子の全上表面に対面して
絶縁体材としての絶縁板２２が貼り付けられている。
レート２１であり、金属プレート２１の裏面に蓋を閉じ
た状態で半導体指紋センサー素子の全上表面に対面して
絶縁体材としての絶縁板２２が貼り付けられている。
【００４９】例えば、金属プレート２１は厚さ０．５〜
１．０ｍｍのアルミ板もしくは銅板であり、絶縁板２２
は厚さ０．５〜１．０ｍｍのアクリル板もしくはゴム板
であり、絶縁板と半導体指紋センサー素子の上表面との
間隔は０．５〜１．０ｍｍである。
１．０ｍｍのアルミ板もしくは銅板であり、絶縁板２２
は厚さ０．５〜１．０ｍｍのアクリル板もしくはゴム板
であり、絶縁板と半導体指紋センサー素子の上表面との
間隔は０．５〜１．０ｍｍである。
【００５０】さらに、金属プレート２１の両側端部はそ
れぞれ金属製のレール２５に乗っており、このレールの
沿って移動可能になっている。
れぞれ金属製のレール２５に乗っており、このレールの
沿って移動可能になっている。
【００５１】また、金属プレート２１の表面には人間の
指の指紋面の湾曲に略一致した形状の凹部２１Ｂが形成
されている。
指の指紋面の湾曲に略一致した形状の凹部２１Ｂが形成
されている。
【００５２】この実施の形態では、金属製のレール２５
が接地されているから、レール２５を通して金属プレー
ト２１も接地電位に接続されている。
が接地されているから、レール２５を通して金属プレー
ト２１も接地電位に接続されている。
【００５３】蓋２０の開動作において、これから指紋を
採取する指、例えば人差し指１９Ａの指紋面を凹部２１
Ｂに入れ、矢印２８に示すように、レール２５の沿って
水平に蓋２０を移動させる。
採取する指、例えば人差し指１９Ａの指紋面を凹部２１
Ｂに入れ、矢印２８に示すように、レール２５の沿って
水平に蓋２０を移動させる。
【００５４】この際に、これから指紋を採取する人差し
指１９Ａの指紋面が、凹部２１Ｂの内部の接地されてい
る金属プレート２１の部分に接触しているから、この
指、特にその指紋面が静電気に帯電していた場合でもこ
の静電気が金属プレートを介して接地に放電される。
指１９Ａの指紋面が、凹部２１Ｂの内部の接地されてい
る金属プレート２１の部分に接触しているから、この
指、特にその指紋面が静電気に帯電していた場合でもこ
の静電気が金属プレートを介して接地に放電される。
【００５５】またこの時に、絶縁板２２が設けられてい
るから、金属プレートに乗り移った静電気が半導体指紋
センサー素子の方向に放電されることはない。
るから、金属プレートに乗り移った静電気が半導体指紋
センサー素子の方向に放電されることはない。
【００５６】このような開動作の後、図５（Ｂ）に示す
ように、人差し指１９Ａの指紋面を半導体指紋センサー
素子９０，１００の上表面に押しつけて指紋を採取する
が、図５（Ａ）の工程で人差し指１９Ａの指紋面の静電
気は除去されているから、半導体指紋センサー素子の静
電気による誤動作や破壊の事故は発生しない。
ように、人差し指１９Ａの指紋面を半導体指紋センサー
素子９０，１００の上表面に押しつけて指紋を採取する
が、図５（Ａ）の工程で人差し指１９Ａの指紋面の静電
気は除去されているから、半導体指紋センサー素子の静
電気による誤動作や破壊の事故は発生しない。
【００５７】この第３の実施の形態の凹部２１Ｂは、指
の接触面積が大きくなって静電気の接地への放電を有効
に行う他に、蓋を水平に移動させるためにも有効であ
る。
の接触面積が大きくなって静電気の接地への放電を有効
に行う他に、蓋を水平に移動させるためにも有効であ
る。
【００５８】図８は本発明の第４の実施の形態の蓋を示
す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ
部の断面図である。
す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ
部の断面図である。
【００５９】金属プレート２６及び絶縁膜２２からなる
蓋２９は第３の実施の形態の図５と同様に用いことがで
きる。あるいは、第１の実施の形態の図１と同様に用い
ることもできる。
蓋２９は第３の実施の形態の図５と同様に用いことがで
きる。あるいは、第１の実施の形態の図１と同様に用い
ることもできる。
【００６０】しかしこの第４の実施の形態の金属プレー
ト２６の表面には指の指紋面に合った凹部は形成されて
おらず、少なくとも指が接触する面がサンドブラスト仕
上げにより多数の細かい凹凸が形成された凹凸面２６Ｂ
になっている。
ト２６の表面には指の指紋面に合った凹部は形成されて
おらず、少なくとも指が接触する面がサンドブラスト仕
上げにより多数の細かい凹凸が形成された凹凸面２６Ｂ
になっている。
【００６１】第３の実施の形態の凹部２１Ｂを用いるか
第４の実施の形態の凹凸面２６Ｂを用いるかは、指の接
触面積による静電気の接地への放電の有効性、蓋を水平
方向に移動させる際の移動容易性、蓋を生産する際の生
産性から決定される。
第４の実施の形態の凹凸面２６Ｂを用いるかは、指の接
触面積による静電気の接地への放電の有効性、蓋を水平
方向に移動させる際の移動容易性、蓋を生産する際の生
産性から決定される。
【００６２】尚、以上の実施の形態では、導電体材とし
て金属プレートを用い、絶縁体材として絶縁板を金属プ
レートの裏面に貼り付けた場合を説明した。
て金属プレートを用い、絶縁体材として絶縁板を金属プ
レートの裏面に貼り付けた場合を説明した。
【００６３】しかし本発明では導電体材として他の材
料、例えば導電性樹脂を用いこともできる。また、絶縁
体材として他の方法、例えば導電体材の裏面に化学的方
法或いは物理的方法により絶縁物質をコーティングする
ことにより形成することも可能である。
料、例えば導電性樹脂を用いこともできる。また、絶縁
体材として他の方法、例えば導電体材の裏面に化学的方
法或いは物理的方法により絶縁物質をコーティングする
ことにより形成することも可能である。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、指
紋認識装置の蓋を開ける際に、指紋を採る指の静電気が
蓋の導電体材から接地ラインを通して除去されるから、
静電保護対策を行っていない半導体指紋センサー素子を
用いても、静電気によるセンサ部の誤動作や破壊事故は
発生しない。
紋認識装置の蓋を開ける際に、指紋を採る指の静電気が
蓋の導電体材から接地ラインを通して除去されるから、
静電保護対策を行っていない半導体指紋センサー素子を
用いても、静電気によるセンサ部の誤動作や破壊事故は
発生しない。
【００６５】また蓋の裏面、すなわち半導体指紋センサ
ー素子と対向する面には絶縁体材が設けられているか
ら、指から導電体材に乗り移った静電気が半導体指紋セ
ンサー素子に放電することなく、接地に放電させること
ができる。
ー素子と対向する面には絶縁体材が設けられているか
ら、指から導電体材に乗り移った静電気が半導体指紋セ
ンサー素子に放電することなく、接地に放電させること
ができる。
【００６６】さらに導電体材の表面に指の指紋面を差し
込む凹部を設けることにより、開閉動作を容易にすると
同時に、凹部を指の指紋面と略同様の湾曲形状にするこ
とにより、開動作において指の指紋面の略全体が導電体
材の凹部面に接触することになり指に蓄積されていた静
電気を有効に接地に放電することができる。
込む凹部を設けることにより、開閉動作を容易にすると
同時に、凹部を指の指紋面と略同様の湾曲形状にするこ
とにより、開動作において指の指紋面の略全体が導電体
材の凹部面に接触することになり指に蓄積されていた静
電気を有効に接地に放電することができる。
【００６７】あるいは導電体材の表面を凹凸面にするこ
とにより指の接触面積が大きくなり、これにより蓋の開
閉動作を容易にすると同時に、指に蓄積されていた静電
気を有効に接地に放電することができる。
とにより指の接触面積が大きくなり、これにより蓋の開
閉動作を容易にすると同時に、指に蓄積されていた静電
気を有効に接地に放電することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す図であり、
（Ａ）は指紋認識装置の蓋を開ける状態を示す断面図、
（Ｂ）は蓋が開いた後、指紋を読みとるために半導体指
紋センサー素子の表面に指を当接させた状態を示す断面
図である。
（Ａ）は指紋認識装置の蓋を開ける状態を示す断面図、
（Ｂ）は蓋が開いた後、指紋を読みとるために半導体指
紋センサー素子の表面に指を当接させた状態を示す断面
図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の蓋を示す図であ
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面
図である。
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面
図である。
【図３】本発明の実施の形態に用いる半導体指紋センサ
ー素子の一例を示す断面図である。
ー素子の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の蓋を示す図であ
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面
図である。
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面
図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態を示す図であり、
（Ａ）は指紋認識装置の蓋を開ける状態を示す断面図、
（Ｂ）は蓋が開いた後、指紋を読みとるために半導体指
紋センサー素子の表面に指を当接させた状態を示す断面
図である。
（Ａ）は指紋認識装置の蓋を開ける状態を示す断面図、
（Ｂ）は蓋が開いた後、指紋を読みとるために半導体指
紋センサー素子の表面に指を当接させた状態を示す断面
図である。
【図６】図５（Ａ）のＡ−Ａ部の断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態の蓋を示す図であ
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面
図である。
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面
図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態の蓋を示す図であ
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面
図である。
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面
図である。
【図９】従来技術を示す断面図である。
１０ 蓋 １１ 金属プレート １１Ａ 金属プレートの把持部 １１Ｂ 金属プレートの凹部 １３ 回転軸 １４ 軸受け １５ 蓋 １６ 金属プレート １６Ｃ 金属プレートの平坦面 １７ 装置の外壁板 １８ 蓋の開け方向 １９Ａ 指紋を採取する指 ２０ 蓋 ２１ 金属プレート ２１Ｂ 金属プレートの凹部 ２２ 絶縁膜 ２５ レール ２６ 金属プレート ２６Ｂ 金属プレートの凹凸面 ２７ 装置の外壁 ２８ 蓋の開け方向 ２９ 蓋 ３１ 面光源 ３２ ２次元フォトセンサ ３３ 透明導電層 ３４ 凹凸検出光学素子 ３５ 指 ３５Ａ 指の指紋の凹部 ３５Ｂ 指の指紋の凸部 ４０ センサ部 ４１ 遮光性ボトムゲート電極 ４２ 遮光性ソース電極 ４３ 遮光性ドレイン電極 ４４ Ｎ+ シリコン層 ４５ 半導体層 ４６ 透明性トップゲート電極 ４７ 透明基板 ４８ ボトムゲート絶縁膜 ４９ トップゲート絶縁膜 ５０ オーバーコート膜 ９０ 接地放電用の透明導電層を有さない半導体指紋
センサー素子 １００ 接地放電用の透明導電層を有する半導体指紋
センサー素子
センサー素子 １００ 接地放電用の透明導電層を有する半導体指紋
センサー素子
Claims (11)
- 【請求項１】 内部に半導体指紋センサー素子を設け、
該半導体指紋センサー素子の表面に指を当接させること
により指紋を読みとる指紋認識装置において、前記半導
体指紋センサー素子の表面上に、表面側が接地された導
電体材であり且つ前記半導体指紋センサー素子の表面に
対面する裏面側が絶縁体材である蓋を有したことを特徴
とする指紋認識装置。 - 【請求項２】 前記蓋の一端辺側が回転軸に結合し、こ
の回転軸の軸心を中心に該蓋の開閉動作を行うことを特
徴とする請求項１記載の指紋認識装置。 - 【請求項３】 前記蓋の両側端辺部がそれぞれレールに
結合し、このレールをスライドすることにより該蓋の開
閉動作を行うことを特徴とする請求項１記載の指紋認識
装置。 - 【請求項４】 前記導電体材は金属プレートであること
を特徴とする請求項１記載の指紋認識装置。 - 【請求項５】 前記導電体材の表面には指の一部が入り
込む凹部が形成されていることを特徴とする請求項１記
載の指紋認識装置。 - 【請求項６】 前記導電体材の表面には凹凸面の部分を
有することを特徴とする請求項１記載の指紋認識装置。 - 【請求項７】 指紋認識装置の内部に設けられた半導体
指紋センサー素子の表面に指の指紋面を当接させること
により指紋を採取する指紋採取方法において、前記指紋
認識装置には表面側が接地された導電体材であり裏面側
が絶縁体材である蓋が取り付けられており、前記指の指
紋面を前記導電体材の表面に接触させて前記蓋を開けた
後、前記指の指紋面を半導体指紋センサー素子の表面に
当接させることを特徴とする指紋採取方法。 - 【請求項８】 前記導電体材の表面には指の一部が入り
込む凹部が形成されており、この凹部に前記指を入れる
ことにより前記指の指紋面を前記導電体材の表面に接触
させることを特徴とする請求項７記載の指紋採取方法。 - 【請求項９】 前記蓋の一端辺側が回転軸に結合し、こ
の回転軸を中心に該蓋の開閉動作を行うことを特徴とす
る請求項７記載の指紋採取方法。 - 【請求項１０】 前記蓋の両側端辺がそれぞれレールに
結合し、このレールをスライドすることにより該蓋の開
閉動作を行うことを特徴とする請求項７記載の指紋採取
方法。 - 【請求項１１】 前記導電体材は金属プレートであるこ
とを特徴とする請求項７記載の指紋検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16386899A JP3231739B2 (ja) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | 指紋認識装置及び指紋採取方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16386899A JP3231739B2 (ja) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | 指紋認識装置及び指紋採取方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000353235A true JP2000353235A (ja) | 2000-12-19 |
| JP3231739B2 JP3231739B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=15782308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16386899A Expired - Fee Related JP3231739B2 (ja) | 1999-06-10 | 1999-06-10 | 指紋認識装置及び指紋採取方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3231739B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002065268A1 (fr) | 2001-02-09 | 2002-08-22 | Sony Corporation | Organe d'entrée |
| JP2002298129A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 指紋照合装置 |
| US7139414B1 (en) | 1999-06-24 | 2006-11-21 | Nec Corporation | Method for removing static electricity in fingerprint-reading apparatus, fingerprint reading apparatus and data terminal provided with fingerprint-reading apparatus |
| JP2017019269A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | 船井電機株式会社 | 射出装置 |
-
1999
- 1999-06-10 JP JP16386899A patent/JP3231739B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7139414B1 (en) | 1999-06-24 | 2006-11-21 | Nec Corporation | Method for removing static electricity in fingerprint-reading apparatus, fingerprint reading apparatus and data terminal provided with fingerprint-reading apparatus |
| WO2002065268A1 (fr) | 2001-02-09 | 2002-08-22 | Sony Corporation | Organe d'entrée |
| US7298242B2 (en) | 2001-02-09 | 2007-11-20 | Sony Corporation | Input device with fingerprint recognition |
| JP2002298129A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 指紋照合装置 |
| JP2017019269A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | 船井電機株式会社 | 射出装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3231739B2 (ja) | 2001-11-26 |
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