JP2000352643A - 光送受信モジュール - Google Patents
光送受信モジュールInfo
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- JP2000352643A JP2000352643A JP11165091A JP16509199A JP2000352643A JP 2000352643 A JP2000352643 A JP 2000352643A JP 11165091 A JP11165091 A JP 11165091A JP 16509199 A JP16509199 A JP 16509199A JP 2000352643 A JP2000352643 A JP 2000352643A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造が容易で半導体レーザ（ＬＤ）から端面
入射型フォトダイオード（ＰＤ）への電気的クロストー
クを抑制した送受信モジュールを提供する。 【解決手段】 ＬＤとＰＤが接近して配置される平面実
装型の送受信光モジュールにおいて、ＰＤ２１を下面に
実装した光信号の受信ＬＳＩ１３を、光導波路２２の端
面に段差１１を形成したＳｉ基板２０に、ＰＤが収納さ
れるように半田バンプ２５により実装される。同一Ｓｉ
基板上に隣接して配置されているＬＤ（図示せず）とは
段差１１によるＳｉ基板との間隙により電気的に分離さ
れるからＬＤからＰＤへの電気的なクロストークは抑制
される。
入射型フォトダイオード（ＰＤ）への電気的クロストー
クを抑制した送受信モジュールを提供する。 【解決手段】 ＬＤとＰＤが接近して配置される平面実
装型の送受信光モジュールにおいて、ＰＤ２１を下面に
実装した光信号の受信ＬＳＩ１３を、光導波路２２の端
面に段差１１を形成したＳｉ基板２０に、ＰＤが収納さ
れるように半田バンプ２５により実装される。同一Ｓｉ
基板上に隣接して配置されているＬＤ（図示せず）とは
段差１１によるＳｉ基板との間隙により電気的に分離さ
れるからＬＤからＰＤへの電気的なクロストークは抑制
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信用の光送受信
モジュールに関し、特にモジュール内の電気的クロスト
ークを防止した高性能の光送受信モジュールに関する。
モジュールに関し、特にモジュール内の電気的クロスト
ークを防止した高性能の光送受信モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信は光ファイバ、半導体レーザ（Ｌ
Ｄ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、フォトダイオード
（ＰＤ）を始めとして、光スイッチ、光変調器、アイソ
レータ、光導波路等の受動、能動素子の高性能、高機能
化により応用範囲が拡大されつつある。近年、より多く
の情報を伝達する要求が高まる中で、コンピュータ端末
間、交換機や大型コンピュータ間のデータ伝送を実時間
で並列に行う並列伝送、あるいは一般家庭への高度情報
サービス等、加入者系への適用が考えられている。
Ｄ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、フォトダイオード
（ＰＤ）を始めとして、光スイッチ、光変調器、アイソ
レータ、光導波路等の受動、能動素子の高性能、高機能
化により応用範囲が拡大されつつある。近年、より多く
の情報を伝達する要求が高まる中で、コンピュータ端末
間、交換機や大型コンピュータ間のデータ伝送を実時間
で並列に行う並列伝送、あるいは一般家庭への高度情報
サービス等、加入者系への適用が考えられている。
【０００３】このような光通信の光加入者系において
は、光素子はもとより光素子を機能的に構成した光送受
信モジュールの低価格化が不可欠とされており、これを
実現するためには、光素子をマイクロオプティック的に
ブロック状に配列する従来の同軸型のモジュール構成か
ら、複数の光素子を同一基板上に配列する平面型光回路
のモジュール構成とすることが望ましいとされている。
は、光素子はもとより光素子を機能的に構成した光送受
信モジュールの低価格化が不可欠とされており、これを
実現するためには、光素子をマイクロオプティック的に
ブロック状に配列する従来の同軸型のモジュール構成か
ら、複数の光素子を同一基板上に配列する平面型光回路
のモジュール構成とすることが望ましいとされている。
【０００４】図４は、従来の双方向光送受信モジュール
の一例を示す図である。図５は、図４に示す光受信部
（円で表記）の拡大図である。この双方向光送受信モジ
ュールは、シリコン（Ｓｉ）基板２０上に端面発光型Ｌ
Ｄ２７、端面入射型ＰＤ２１、光導波路２２、波長フィ
ルタ２９及び光ファイバ２６、２８を配置しており平面
型光回路として構成している。ここで、ＬＤ２７、ＰＤ
２１は画像認識や半田バンプ２５を用いたパッシブアラ
イメントによって位置決めがなされる。
の一例を示す図である。図５は、図４に示す光受信部
（円で表記）の拡大図である。この双方向光送受信モジ
ュールは、シリコン（Ｓｉ）基板２０上に端面発光型Ｌ
Ｄ２７、端面入射型ＰＤ２１、光導波路２２、波長フィ
ルタ２９及び光ファイバ２６、２８を配置しており平面
型光回路として構成している。ここで、ＬＤ２７、ＰＤ
２１は画像認識や半田バンプ２５を用いたパッシブアラ
イメントによって位置決めがなされる。
【０００５】この光送受信モジュールにおいては、光源
であるＬＤ２７から出力された波長１．３μｍの出射光
は光導波路２２に入射する。波長フィルタ２９では入射
光は直進して共通ポートの光ファイバ２８へ伝送されて
光の送信がなされる。一方、光ファイバ２８を経由して
伝送されて来た波長１．３μｍ及び１．５μｍの信号光
は光導波路２９に入射し、波長フィルタ２９で波長１．
３μｍの信号光は直進しＰＤ２１に入射して光の受信が
なされる。また、波長１．５μｍの信号光は反射して出
力ポート２６に伝搬する。
であるＬＤ２７から出力された波長１．３μｍの出射光
は光導波路２２に入射する。波長フィルタ２９では入射
光は直進して共通ポートの光ファイバ２８へ伝送されて
光の送信がなされる。一方、光ファイバ２８を経由して
伝送されて来た波長１．３μｍ及び１．５μｍの信号光
は光導波路２９に入射し、波長フィルタ２９で波長１．
３μｍの信号光は直進しＰＤ２１に入射して光の受信が
なされる。また、波長１．５μｍの信号光は反射して出
力ポート２６に伝搬する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の平面型光回路を
利用した光送受信モジュールは、半導体プロセス技術を
用い、Ｓｉ基板上に導波路、波長フィルタ、光ファイバ
等を形成することにより構成することができるので、製
作コストを低減できる等の利点を有する。
利用した光送受信モジュールは、半導体プロセス技術を
用い、Ｓｉ基板上に導波路、波長フィルタ、光ファイバ
等を形成することにより構成することができるので、製
作コストを低減できる等の利点を有する。
【０００７】しかし、この光送受信モジュールは、ＬＤ
２７及びＰＤ２１が同一基板上に接近して直接配置され
ていることから、ＬＤ２７からＰＤ２１への電気的なク
ロストークが生じ性能面等においても難点がある。
２７及びＰＤ２１が同一基板上に接近して直接配置され
ていることから、ＬＤ２７からＰＤ２１への電気的なク
ロストークが生じ性能面等においても難点がある。
【０００８】通常、ＬＤ２７は数十ｍＡ程度の駆動電流
で動作し、一方、ＰＤ２１には数百ｎＡ程度のフォトカ
レントが流れる。このようにＬＤ２７とＰＤ２とでは流
れる電流に５０ｄＢ程度のレベル差があるから、ＰＤ２
１の受光特性等を考慮するとクロストークは少なくとも
１００ｄＢ程度以下に抑制する必要がある。
で動作し、一方、ＰＤ２１には数百ｎＡ程度のフォトカ
レントが流れる。このようにＬＤ２７とＰＤ２とでは流
れる電流に５０ｄＢ程度のレベル差があるから、ＰＤ２
１の受光特性等を考慮するとクロストークは少なくとも
１００ｄＢ程度以下に抑制する必要がある。
【０００９】つまり、共通のシリコン基板上にＬＤ２７
とＰＤ２１が接近して配置される構成の光送受信モジュ
ールでは、ＬＤ２７に流れる電流がＰＤ２１に流れる電
流に対して極めて大きいことにより、ＰＤ２１における
ＬＤ２７からのクロストークが受光特性等に重大な影響
を及ぼすので、上述のようなクロストーク抑制条件を満
足させる必要がある。
とＰＤ２１が接近して配置される構成の光送受信モジュ
ールでは、ＬＤ２７に流れる電流がＰＤ２１に流れる電
流に対して極めて大きいことにより、ＰＤ２１における
ＬＤ２７からのクロストークが受光特性等に重大な影響
を及ぼすので、上述のようなクロストーク抑制条件を満
足させる必要がある。
【００１０】この対策として、従来よりＬＤ２７とＰＤ
２１の距離を離して配置したり、ＰＤ２１をシリコン基
板に実装せずに外付けで実装することが提案されている
が、このような構成とすると、部品点数、調整コストの
増大を招き、製作コストが増大し、性能面でも問題が生
じる。
２１の距離を離して配置したり、ＰＤ２１をシリコン基
板に実装せずに外付けで実装することが提案されている
が、このような構成とすると、部品点数、調整コストの
増大を招き、製作コストが増大し、性能面でも問題が生
じる。
【００１１】（発明の目的）本発明の目的は上述の問題
点を解決し、製造が容易で低クロストークの光送受信モ
ジュールを提供することにある。
点を解決し、製造が容易で低クロストークの光送受信モ
ジュールを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光送受信モジュ
ールは、送信用の発光素子と受信用の端面入射型受光素
子が近接して配置され、前記端面入射型受光素子の端面
が光導波路の端面と対向して配置されている光送受信モ
ジュールにおいて、前記発光素子と前記光導波路は同一
実装基板上に配置され、前記端面入射型受光素子は受信
ＬＳＩに直接配置され、前記受信ＬＳＩが前記実装基板
上面に実装され、前記端面入射型受光素子は前記光導波
路の端面近傍に設けた前記実装基板の段差によって形成
された空間に配置したことを特徴とする。前記端面入射
型受光素子は半田バンプにより前記受光ＬＳＩに接合
し、前記受信ＬＳＩは半田バンプにより前記実装基板上
に接合すると好適である。
ールは、送信用の発光素子と受信用の端面入射型受光素
子が近接して配置され、前記端面入射型受光素子の端面
が光導波路の端面と対向して配置されている光送受信モ
ジュールにおいて、前記発光素子と前記光導波路は同一
実装基板上に配置され、前記端面入射型受光素子は受信
ＬＳＩに直接配置され、前記受信ＬＳＩが前記実装基板
上面に実装され、前記端面入射型受光素子は前記光導波
路の端面近傍に設けた前記実装基板の段差によって形成
された空間に配置したことを特徴とする。前記端面入射
型受光素子は半田バンプにより前記受光ＬＳＩに接合
し、前記受信ＬＳＩは半田バンプにより前記実装基板上
に接合すると好適である。
【００１３】本発明の光送受信モジュールは、送信用の
発光素子と受信用の端面入射型受光素子が近接して配置
され、前記端面入射型受光素子の端面が光導波路の端面
と対向して配置されている光送受信モジュールにおい
て、前記発光素子と前記光導波路は同一実装基板上に配
置され、前記端面入射型受光素子は、実装基板とは異な
るサブ基板の下面に直接実装され、前記サブ基板は前記
実装基板上面に実装され、前記端面入射型受光素子は前
記光導波路の端面近傍に設けた前記実装基板の段差によ
って形成された空間に配置したことを特徴とする。前記
サブ基板は多層配線基板とし、前記サブ基板は半田バン
プにより前記実装基板上に接合し、前記サブ基板は上面
に受信ＬＳＩを設置すると好適である。
発光素子と受信用の端面入射型受光素子が近接して配置
され、前記端面入射型受光素子の端面が光導波路の端面
と対向して配置されている光送受信モジュールにおい
て、前記発光素子と前記光導波路は同一実装基板上に配
置され、前記端面入射型受光素子は、実装基板とは異な
るサブ基板の下面に直接実装され、前記サブ基板は前記
実装基板上面に実装され、前記端面入射型受光素子は前
記光導波路の端面近傍に設けた前記実装基板の段差によ
って形成された空間に配置したことを特徴とする。前記
サブ基板は多層配線基板とし、前記サブ基板は半田バン
プにより前記実装基板上に接合し、前記サブ基板は上面
に受信ＬＳＩを設置すると好適である。
【００１４】（作用）本発明の光送受信モジュールで
は、端面入射型受光素子ＰＤが発光素子ＬＤの実装され
た基板と分離されて受信ＬＳＩに直接実装される。ＰＤ
を半田バンプにより接合すれば容易に位置合わせが可能
になると同時に、配線長が無視できるので高速信号の受
信にも有利な構成である。受信ＬＳＩは、例えばシリコ
ン基板上にＰＤが下方になるように接合される。ここで
も半田バンプを用いれば容易に位置決めができる。光導
波路とＰＤの受光部の光軸は半田バンプの高さで調整さ
れる。光導波路の終端部近傍の基板は、ＰＤが配置され
るように段差部が形成されている。ＰＤとＬＤは接近し
て配置されているが、ＰＤとＬＤは別基板に配置されて
いるので、従来、問題としていた両者の電気的クロスト
ークは大幅に低減される。また、受信ＬＳＩが多層配線
セラミック基板などのサブ基板上部に実装され、下部に
ＰＤが配置される構造でも高速動作及びモジュールの小
型化等の利点が得られる。
は、端面入射型受光素子ＰＤが発光素子ＬＤの実装され
た基板と分離されて受信ＬＳＩに直接実装される。ＰＤ
を半田バンプにより接合すれば容易に位置合わせが可能
になると同時に、配線長が無視できるので高速信号の受
信にも有利な構成である。受信ＬＳＩは、例えばシリコ
ン基板上にＰＤが下方になるように接合される。ここで
も半田バンプを用いれば容易に位置決めができる。光導
波路とＰＤの受光部の光軸は半田バンプの高さで調整さ
れる。光導波路の終端部近傍の基板は、ＰＤが配置され
るように段差部が形成されている。ＰＤとＬＤは接近し
て配置されているが、ＰＤとＬＤは別基板に配置されて
いるので、従来、問題としていた両者の電気的クロスト
ークは大幅に低減される。また、受信ＬＳＩが多層配線
セラミック基板などのサブ基板上部に実装され、下部に
ＰＤが配置される構造でも高速動作及びモジュールの小
型化等の利点が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の光送受信モジュー
ルの一実施の形態について図面を参照して詳細に説明す
る。図１は、本発明の光送受信モジュールの一実施の形
態を示す図である。図２は、本実施の形態の光受信部の
断面拡大図である。
ルの一実施の形態について図面を参照して詳細に説明す
る。図１は、本発明の光送受信モジュールの一実施の形
態を示す図である。図２は、本実施の形態の光受信部の
断面拡大図である。
【００１６】本実施の形態の光送受信モジュールは、実
装基板２０と、実装基板２０上に取り付けられた、光フ
ァイバ２８と、光導波路２２と、波長フィルタ２９と、
光源となる半導体レーザ等の発光素子ＬＤ２７と、半導
体集積回路（ＬＳＩ）１３と、端面入射型フォトダイオ
ード等の端面入射型受光素子（受光素子ともいう）ＰＤ
２１とから構成されている。
装基板２０と、実装基板２０上に取り付けられた、光フ
ァイバ２８と、光導波路２２と、波長フィルタ２９と、
光源となる半導体レーザ等の発光素子ＬＤ２７と、半導
体集積回路（ＬＳＩ）１３と、端面入射型フォトダイオ
ード等の端面入射型受光素子（受光素子ともいう）ＰＤ
２１とから構成されている。
【００１７】本実施の形態では、実装基板にシリコン
（Ｓｉ）基板２０が使用され、Ｓｉ基板２０上には光受
信部の光導波路、例えば石英系導波路２２が形成され
る。波長フィルタ２９は、誘電体多層膜をガラスあるい
は樹脂基板にコーティングし、Ｓｉ基板にダイシングあ
るいはエッチングで形成した溝に挿入される。
（Ｓｉ）基板２０が使用され、Ｓｉ基板２０上には光受
信部の光導波路、例えば石英系導波路２２が形成され
る。波長フィルタ２９は、誘電体多層膜をガラスあるい
は樹脂基板にコーティングし、Ｓｉ基板にダイシングあ
るいはエッチングで形成した溝に挿入される。
【００１８】図２に示すように、絶縁膜２４上に設けら
れた光導波路２２の光の出射端近傍のＳｉ基板２０に
は、Ｓｉ基板２０上に受光素子ＰＤ２１が配置され、Ｐ
Ｄ２１の受光部と前記光導波路２２の光の出射端とが一
致するように対応して配置するための空間を確保するよ
うに、段差部１１が形成されている。本実施の形態で
は、段差をＳｉ基板２０上の光導波路２２の光出射端の
位置から水平方向の外形が前記ＰＤ２１の外形より若干
大きい凹部で形成し、受光素子ＰＤ２１を配置する段差
部１１としている。この段差部１１は、シリコンの異方
性エッチングなどで形成される。
れた光導波路２２の光の出射端近傍のＳｉ基板２０に
は、Ｓｉ基板２０上に受光素子ＰＤ２１が配置され、Ｐ
Ｄ２１の受光部と前記光導波路２２の光の出射端とが一
致するように対応して配置するための空間を確保するよ
うに、段差部１１が形成されている。本実施の形態で
は、段差をＳｉ基板２０上の光導波路２２の光出射端の
位置から水平方向の外形が前記ＰＤ２１の外形より若干
大きい凹部で形成し、受光素子ＰＤ２１を配置する段差
部１１としている。この段差部１１は、シリコンの異方
性エッチングなどで形成される。
【００１９】受光素子ＰＤ２１は、例えばプリアンプア
ナログ回路、ロジック回路などで構成された受信用の集
積回路ＬＳＩ１３に半田バンプ２５などで正確に位置決
めされて固定される。また、ＬＳＩ１３は、ＰＤ２１が
固定された面をＳｉ基板２０上に向け、ＰＤ２１が前記
段差部に収容され、ＰＤ２１の受光部が光導波路２２の
光軸に一致するようにＳｉ基板２０上に半田バンプ２５
などで正確に位置合わせされ固定される。ここで、ＰＤ
２１の厚さ方向の位置は半田バンプ２５の高さにより調
整され、ＰＤ２１の下面とＳｉ基板２０の前記凹部の上
面とには僅かな間隙を設けるような配置構成とする。
ナログ回路、ロジック回路などで構成された受信用の集
積回路ＬＳＩ１３に半田バンプ２５などで正確に位置決
めされて固定される。また、ＬＳＩ１３は、ＰＤ２１が
固定された面をＳｉ基板２０上に向け、ＰＤ２１が前記
段差部に収容され、ＰＤ２１の受光部が光導波路２２の
光軸に一致するようにＳｉ基板２０上に半田バンプ２５
などで正確に位置合わせされ固定される。ここで、ＰＤ
２１の厚さ方向の位置は半田バンプ２５の高さにより調
整され、ＰＤ２１の下面とＳｉ基板２０の前記凹部の上
面とには僅かな間隙を設けるような配置構成とする。
【００２０】本実施の形態における光送受信モジュール
の光の送受信に関する基本動作は、次のとおりである。
つまり、発光素子ＬＤ２７からの波長１．３μｍの出射
光は、光導波路２２に入射する。波長フィルタ２９では
前記出射光は直進して伝送路である光ファイバ２８に伝
送され送信される。一方、光ファイバ２８を経由して伝
送された、波長１．３μｍ及び１．５μｍの信号光は光
導波路２９に入射し、波長１．３μｍの信号光は波長フ
ィルタ２９を直進し、端面入射型受光素子ＰＤ２１に入
射して光が受信される。また、１．５μｍの信号光は波
長フィルタ２９で反射され出力ポート２６に伝搬され
る。
の光の送受信に関する基本動作は、次のとおりである。
つまり、発光素子ＬＤ２７からの波長１．３μｍの出射
光は、光導波路２２に入射する。波長フィルタ２９では
前記出射光は直進して伝送路である光ファイバ２８に伝
送され送信される。一方、光ファイバ２８を経由して伝
送された、波長１．３μｍ及び１．５μｍの信号光は光
導波路２９に入射し、波長１．３μｍの信号光は波長フ
ィルタ２９を直進し、端面入射型受光素子ＰＤ２１に入
射して光が受信される。また、１．５μｍの信号光は波
長フィルタ２９で反射され出力ポート２６に伝搬され
る。
【００２１】（他の実施の形態）前述の実施の形態では
端面入射型受光素子ＰＤ２１を受信ＬＳＩ１３に直接実
装し、ＬＳＩ１３をＳｉ基板２０上に実装する構成を説
明したが、ＰＤ２１をＬＳＩ１３に直接実装するのでは
なく、例えば多層セラミック基板のようなサブ基板１０
に実装し、前記サブ基板１０の下面をＳｉ基板２０に実
装するように構成することもできる。
端面入射型受光素子ＰＤ２１を受信ＬＳＩ１３に直接実
装し、ＬＳＩ１３をＳｉ基板２０上に実装する構成を説
明したが、ＰＤ２１をＬＳＩ１３に直接実装するのでは
なく、例えば多層セラミック基板のようなサブ基板１０
に実装し、前記サブ基板１０の下面をＳｉ基板２０に実
装するように構成することもできる。
【００２２】図３は、このようなサブ基板を使用した実
施の形態の端面入射型受光素子近傍の拡大断面図であ
る。本実施の形態の光送受信モジュールは、実装基板２
０上に光導波路２２と、端面入射型受光素子ＰＤ２１を
収容する段差部１１とを有し、端面入射型受光素子ＰＤ
２１は、多層セラミック基板のサブ基板１０の下面に半
田バンプ等により実装配置し、前記サブ基板１０を実装
基板２０に半田バンプ等により実装した構成としてい
る。そして、前記多層セラミック基板の場合に上面側に
は光信号の受信用の受信ＬＳＩ１３を半田バンプ等によ
り実装する構成としている。
施の形態の端面入射型受光素子近傍の拡大断面図であ
る。本実施の形態の光送受信モジュールは、実装基板２
０上に光導波路２２と、端面入射型受光素子ＰＤ２１を
収容する段差部１１とを有し、端面入射型受光素子ＰＤ
２１は、多層セラミック基板のサブ基板１０の下面に半
田バンプ等により実装配置し、前記サブ基板１０を実装
基板２０に半田バンプ等により実装した構成としてい
る。そして、前記多層セラミック基板の場合に上面側に
は光信号の受信用の受信ＬＳＩ１３を半田バンプ等によ
り実装する構成としている。
【００２３】また、以上の実施の形態では実装基板２０
において、その上面に端面入射型受光素子ＰＤ２１を収
納する段差を形成するために受光素子の水平方向の形状
に対応する形状の凹部を形成したが、これは、段差によ
って形成された空間に端面入射型受光素子ＰＤ２１が配
置されればよいから、段差部が凹部により形成されるこ
とを必須とするものではないことは明らかである。
において、その上面に端面入射型受光素子ＰＤ２１を収
納する段差を形成するために受光素子の水平方向の形状
に対応する形状の凹部を形成したが、これは、段差によ
って形成された空間に端面入射型受光素子ＰＤ２１が配
置されればよいから、段差部が凹部により形成されるこ
とを必須とするものではないことは明らかである。
【００２４】また、前記段差により形成された空間に収
納された面入射型受光素子ＰＤ２１はその下面が段差底
部との間に間隙が形成されるように収納されると好適で
あるものの、入射型受光素子ＰＤ２１は下面が段差底部
との間に絶縁膜等を形成することにより絶縁性が保たれ
ればよいのであるから、前記間隙を形成することに限定
されるものではないことは云うまでもない。
納された面入射型受光素子ＰＤ２１はその下面が段差底
部との間に間隙が形成されるように収納されると好適で
あるものの、入射型受光素子ＰＤ２１は下面が段差底部
との間に絶縁膜等を形成することにより絶縁性が保たれ
ればよいのであるから、前記間隙を形成することに限定
されるものではないことは云うまでもない。
【００２５】更に、本実施の形態では、波長フィルタと
しては誘電体多層膜を使用した例を示したが、誘電体多
層膜に代え光導波路型マッハツェンダ干渉計などの他の
フィルタを使用することができる。
しては誘電体多層膜を使用した例を示したが、誘電体多
層膜に代え光導波路型マッハツェンダ干渉計などの他の
フィルタを使用することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、端
面入射型受光素子ＰＤは発光素子ＬＤが配置されている
実装基板（Ｓｉ基板）と分離された構成としているの
で、発光素子ＬＤからの電気的クロストークは回避さ
れ、高性能の双方向性の光送受信モジュールを実現する
ことができる。
面入射型受光素子ＰＤは発光素子ＬＤが配置されている
実装基板（Ｓｉ基板）と分離された構成としているの
で、発光素子ＬＤからの電気的クロストークは回避さ
れ、高性能の双方向性の光送受信モジュールを実現する
ことができる。
【００２７】また、多層セラミック基板のようなサブ基
板の上面に受信ＬＳＩを配置し、下面に端面入射型受光
素子ＰＤを配置し、前記サブ基板を実装基板に実装する
ような構成とすることにより、実装基板と端面入射型受
光素子ＰＤとの絶縁特性を一層高めることができるから
電気的クロストークを回避することが可能である。
板の上面に受信ＬＳＩを配置し、下面に端面入射型受光
素子ＰＤを配置し、前記サブ基板を実装基板に実装する
ような構成とすることにより、実装基板と端面入射型受
光素子ＰＤとの絶縁特性を一層高めることができるから
電気的クロストークを回避することが可能である。
【００２８】更に、実装基板上の光導波路端面と端面入
射型受光素子ＰＤとの配置の調整、位置決めは、受信Ｌ
ＳＩ又はサブ基板の実装時の半田バンプの高さにより行
うことができるから調整実装は容易に実現される。光導
波路とＰＤの受光部の配線長が無視できるので高速信号
の受信にも有利であり、高速動作及び光送受信モジュー
ルの小型化等の利点が得られる。
射型受光素子ＰＤとの配置の調整、位置決めは、受信Ｌ
ＳＩ又はサブ基板の実装時の半田バンプの高さにより行
うことができるから調整実装は容易に実現される。光導
波路とＰＤの受光部の配線長が無視できるので高速信号
の受信にも有利であり、高速動作及び光送受信モジュー
ルの小型化等の利点が得られる。
【図１】本発明の光送受信モジュールの一実施の形態の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】本実施の形態の受光部の断面拡大図である。
【図３】他の実施の形態の受光部の断面拡大図である。
【図４】従来の光送受信モジュールの構成図である。
【図５】従来の光送受信モジュールの受光部の断面拡大
図である。
図である。
１０ サブ基板 １１ 段差部 １３ ＬＳＩ ２０ 実装基板 ２１ 端面入射型受光素子ＰＤ ２２ 光導波路 ２４ 絶縁膜 ２５ 半田バンプ ２７ 発光素子ＬＤ ２６、２８ 光ファイバ ２９ 波長フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 BA24 DA03 DA04 DA12 5F088 AA01 BB01 EA09 EA11 FA11 JA03 JA14 KA10
Claims (8)
- 【請求項１】 送信用の発光素子と受信用の端面入射型
受光素子が近接して配置され、前記端面入射型受光素子
の端面が光導波路の端面と対向して配置されている光送
受信モジュールにおいて、前記発光素子と前記光導波路
は同一実装基板上に配置され、前記端面入射型受光素子
は受信ＬＳＩに直接配置され、前記受信ＬＳＩが前記実
装基板上面に実装され、前記端面入射型受光素子は前記
光導波路の端面近傍に設けた前記実装基板の段差によっ
て形成された空間に配置されていることを特徴とする光
送受信モジュール。 - 【請求項２】 前記端面入射型受光素子は半田バンプに
より前記受光ＬＳＩに接合されていることを特徴とする
請求項１記載の光送受信モジュール。 - 【請求項３】 前記受信ＬＳＩは半田バンプにより前記
実装基板上に接合されていることを特徴とする請求項１
又は２記載の光送受信モジュール。 - 【請求項４】 送信用の発光素子と受信用の端面入射型
受光素子が近接して配置され、前記端面入射型受光素子
の端面が光導波路の端面と対向して配置されている光送
受信モジュールにおいて、前記発光素子と前記光導波路
は同一実装基板上に配置され、前記端面入射型受光素子
は、実装基板とは異なるサブ基板の下面に直接実装さ
れ、前記サブ基板は前記実装基板の上面に実装され、前
記端面入射型受光素子は前記光導波路の端面近傍に設け
た前記実装基板の段差によって形成された空間に配置さ
れていることを特徴とする光送受信モジュール。 - 【請求項５】 前記サブ基板は多層配線基板であること
を特徴とする請求項４記載の光送受信モジュール。 - 【請求項６】 前記サブ基板は半田バンプにより前記実
装基板上に接合されていることを特徴とする請求項４又
は５記載の光送受信モジュール。 - 【請求項７】 前記サブ基板は上面に受信ＬＳＩが設置
されていることを特徴とする請求項６記載の光送受信モ
ジュール。 - 【請求項８】 前記実装基板はシリコン基板であること
を特徴とする請求項１乃至５の何れか１つの請求項記載
の光送受信モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11165091A JP2000352643A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 光送受信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11165091A JP2000352643A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 光送受信モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000352643A true JP2000352643A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=15805726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11165091A Pending JP2000352643A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 光送受信モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000352643A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009080204A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 光電気混載パッケージ、光電気混載モジュール |
| JP2010056395A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 露光装置、発光装置 |
| US10261249B2 (en) | 2016-12-01 | 2019-04-16 | Fujitsu Limited | Optical module and method of manufacturing optical module |
-
1999
- 1999-06-11 JP JP11165091A patent/JP2000352643A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009080204A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 光電気混載パッケージ、光電気混載モジュール |
| JP2010056395A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 露光装置、発光装置 |
| JP4710936B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2011-06-29 | 富士ゼロックス株式会社 | 露光装置 |
| US10261249B2 (en) | 2016-12-01 | 2019-04-16 | Fujitsu Limited | Optical module and method of manufacturing optical module |
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