JP2000349588A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 通過帯域の近傍の周波数帯域で急峻な減衰特
性を得る。 【解決手段】 １ポートＳＡＷ共振子１（基板上に交叉
指状電極が設けられ、この両側に反射器電極を配置した
構造）をラチス接続したＳＡＷラチス型フィルタ（ラチ
ス接続の１ポートＳＡＷ共振子１ａ，１ｂ，１ｃ，１
ｄ）の出力端に直列接続して１ポートＳＡＷ共振子１ｅ
を設ける。この１ポートＳＡＷ共振子１ｅの出力側に負
荷Ｒが接続される。１ポート弾性表面波共振子１ｅ単体
の共振周波数ｆｒを通過帯域に設定し、反共振周波数ｆ
ａを通過帯域よりも減衰対象の高い周波数帯域に設定す
る。
性を得る。 【解決手段】 １ポートＳＡＷ共振子１（基板上に交叉
指状電極が設けられ、この両側に反射器電極を配置した
構造）をラチス接続したＳＡＷラチス型フィルタ（ラチ
ス接続の１ポートＳＡＷ共振子１ａ，１ｂ，１ｃ，１
ｄ）の出力端に直列接続して１ポートＳＡＷ共振子１ｅ
を設ける。この１ポートＳＡＷ共振子１ｅの出力側に負
荷Ｒが接続される。１ポート弾性表面波共振子１ｅ単体
の共振周波数ｆｒを通過帯域に設定し、反共振周波数ｆ
ａを通過帯域よりも減衰対象の高い周波数帯域に設定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信におけ
る無線装置の受信系、送信系の高周波処理部に使用され
る弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)フィルタに
関し、特に、１ポート弾性表面波（適宜、ＳＡＷと記載
する）共振子を使用したＳＡＷラチス型フィルタに、更
に１ポートＳＡＷ共振子を直列接続及び／又は並列接続
して通過帯域近傍の周波数帯域で優れた減衰特性（急峻
な減衰特性）を得る弾性表面波フィルタに関する。
る無線装置の受信系、送信系の高周波処理部に使用され
る弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)フィルタに
関し、特に、１ポート弾性表面波（適宜、ＳＡＷと記載
する）共振子を使用したＳＡＷラチス型フィルタに、更
に１ポートＳＡＷ共振子を直列接続及び／又は並列接続
して通過帯域近傍の周波数帯域で優れた減衰特性（急峻
な減衰特性）を得る弾性表面波フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近時の移動体通信における無線装置の受
信系、送信系の高周波処理部には、特に小面積で実装可
能であり、かつ、振幅特性及び位相特性を、ほぼ独立し
て任意に設計可能なＳＡＷフィルタが用いられている。
このような ＳＡＷフィルタとして、急峻なスカート特
性（減衰特性）を得るために、交叉指状電極の両側に反
射器電極を配置した構成、いわゆる、１ポートＳＡＷ共
振子が知られている。
信系、送信系の高周波処理部には、特に小面積で実装可
能であり、かつ、振幅特性及び位相特性を、ほぼ独立し
て任意に設計可能なＳＡＷフィルタが用いられている。
このような ＳＡＷフィルタとして、急峻なスカート特
性（減衰特性）を得るために、交叉指状電極の両側に反
射器電極を配置した構成、いわゆる、１ポートＳＡＷ共
振子が知られている。
【０００３】図９は１ポートＳＡＷ共振子の構成を示す
上面図である。図９において、この１ポートＳＡＷ共振
子１は、基板上に交叉指状電極２が設けられ、この両側
に反射器電極３，４を配置して急峻な減衰特性を得てい
る。
上面図である。図９において、この１ポートＳＡＷ共振
子１は、基板上に交叉指状電極２が設けられ、この両側
に反射器電極３，４を配置して急峻な減衰特性を得てい
る。
【０００４】このような１ポートＳＡＷ共振子に関する
先行技術として、特開平３−２０１６１５号公報の「弾
性表面波フィルタ」（出力側に並列してＱ（電圧拡大
率）が高いＳＡＷ共振器を設けて、この共振特性による
鋭い減衰作用から急峻な減衰特性を得る）、及び、特開
平４−９４２０８号公報の「ＳＡＷ共振器フィルタ」
（出力端子にＳＡＷ共振器を並列接続して設け、遮断周
波数近傍に減衰無限大点を実現し、少ない共振器で急峻
な特性を得る）が知られている。
先行技術として、特開平３−２０１６１５号公報の「弾
性表面波フィルタ」（出力側に並列してＱ（電圧拡大
率）が高いＳＡＷ共振器を設けて、この共振特性による
鋭い減衰作用から急峻な減衰特性を得る）、及び、特開
平４−９４２０８号公報の「ＳＡＷ共振器フィルタ」
（出力端子にＳＡＷ共振器を並列接続して設け、遮断周
波数近傍に減衰無限大点を実現し、少ない共振器で急峻
な特性を得る）が知られている。
【０００５】このような移動体通信端末の高周波部に用
いられるＳＡＷフィルタは、低損失で広帯域な伝送特性
が必要であることから１ポートＳＡＷ共振子をラチス接
続したラチス型フィルタ（適宜、ＳＡＷラチス型フィル
タと記載する）や１ポートＳＡＷ共振子をラダー接続し
たラダー型フィルタが多用されている。
いられるＳＡＷフィルタは、低損失で広帯域な伝送特性
が必要であることから１ポートＳＡＷ共振子をラチス接
続したラチス型フィルタ（適宜、ＳＡＷラチス型フィル
タと記載する）や１ポートＳＡＷ共振子をラダー接続し
たラダー型フィルタが多用されている。
【０００６】図１０は、従来のＳＡＷラチス型フィルタ
の構成を示す回路図であり、図１１は従来のＳＡＷラチ
ス型フィルタ実際の伝送特性を示す図である。
の構成を示す回路図であり、図１１は従来のＳＡＷラチ
ス型フィルタ実際の伝送特性を示す図である。
【０００７】図１０において、このＳＡＷラチス型フィ
ルタは、図９に示した１ポートＳＡＷ共振子１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄをラチス接続している。この構成及び特
性にあって、入力側に高周波信号ＲＦが入力されると、
出力側の負荷Ｒに、このラチス接続による図１１に示す
伝送特性によってフィルタリングされた高周波信号ＲＦ
が出力される。
ルタは、図９に示した１ポートＳＡＷ共振子１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄをラチス接続している。この構成及び特
性にあって、入力側に高周波信号ＲＦが入力されると、
出力側の負荷Ｒに、このラチス接続による図１１に示す
伝送特性によってフィルタリングされた高周波信号ＲＦ
が出力される。
【０００８】この種のＳＡＷラチス型フィルタでは、そ
の伝送特性として急峻な減衰特性と共に帯域内リップル
の少ないことが要求されており、特に、通過帯域の近傍
の周波数帯域で急峻な減衰特性を実現する必要がある。
これは、例えばセルラー移動電話システムなどでのチャ
ンネルの使用頻度が高くなり隣接周波数（チャネル）か
らの妨害（混変調など）の除去が高度に要求されるよう
になっためである。
の伝送特性として急峻な減衰特性と共に帯域内リップル
の少ないことが要求されており、特に、通過帯域の近傍
の周波数帯域で急峻な減衰特性を実現する必要がある。
これは、例えばセルラー移動電話システムなどでのチャ
ンネルの使用頻度が高くなり隣接周波数（チャネル）か
らの妨害（混変調など）の除去が高度に要求されるよう
になっためである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように上記従来例
のＳＡＷラチス型フィルタでは、より通過帯域近傍の周
波数帯域で急峻な減衰特性が要求され、その改善が課題
となっている。
のＳＡＷラチス型フィルタでは、より通過帯域近傍の周
波数帯域で急峻な減衰特性が要求され、その改善が課題
となっている。
【００１０】本発明は、このような従来の技術における
課題を解決するものであり、１ポートＳＡＷ共振子を使
用したＳＡＷラチス型フィルタに、更に１ポートＳＡＷ
共振子を直列接続及び／又は並列接続して追加し、通過
帯域近傍の周波数帯域で急峻な減衰特性を得ることが出
来る弾性表面波フィルタの提供を目的とする。
課題を解決するものであり、１ポートＳＡＷ共振子を使
用したＳＡＷラチス型フィルタに、更に１ポートＳＡＷ
共振子を直列接続及び／又は並列接続して追加し、通過
帯域近傍の周波数帯域で急峻な減衰特性を得ることが出
来る弾性表面波フィルタの提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、本発明の弾性表面波フィルタは、弾性表面波ラチス
型フィルタの出力端に、交叉指状電極の片側又は両側に
反射器電極を設けた１ポート弾性表面波共振子を直列接
続し、この１ポート弾性表面波共振子単体の共振周波数
を通過帯域に設定し、かつ、反共振周波数を通過帯域よ
りも減衰対象の高い周波数帯域に設定する構成としてあ
る。
に、本発明の弾性表面波フィルタは、弾性表面波ラチス
型フィルタの出力端に、交叉指状電極の片側又は両側に
反射器電極を設けた１ポート弾性表面波共振子を直列接
続し、この１ポート弾性表面波共振子単体の共振周波数
を通過帯域に設定し、かつ、反共振周波数を通過帯域よ
りも減衰対象の高い周波数帯域に設定する構成としてあ
る。
【００１２】また、本発明の弾性表面波フィルタは、弾
性表面波ラチス型フィルタの出力側に、交叉指状電極の
片側又は両側に反射器電極を設けた１ポート弾性表面波
共振子を並列接続し、この１ポート弾性表面波共振子単
体の反共振周波数を通過帯域に設定し、かつ、共振周波
数を通過帯域よりも減衰対象の低い周波数帯域に設定す
る構成としてある。
性表面波ラチス型フィルタの出力側に、交叉指状電極の
片側又は両側に反射器電極を設けた１ポート弾性表面波
共振子を並列接続し、この１ポート弾性表面波共振子単
体の反共振周波数を通過帯域に設定し、かつ、共振周波
数を通過帯域よりも減衰対象の低い周波数帯域に設定す
る構成としてある。
【００１３】更に、本発明の弾性表面波フィルタは、弾
性表面波ラチス型フィルタの出力端に、交叉指状電極の
片側又は両側に反射器電極を設けた第１の１ポート弾性
表面波共振子を直列接続し、更に、弾性表面波ラチス型
フィルタの出力側に第２の１ポート弾性表面波共振子を
並列接続して追加し、この第１の１ポート弾性表面波共
振子単体の共振周波数を通過帯域に設定し、かつ、反共
振周波数を通過帯域よりも減衰対象の高い周波数帯域に
設定する共に、第２の１ポート弾性表面波共振子単体の
反共振周波数を通過帯域に設定し、かつ、共振周波数を
通過帯域よりも減衰対象の低い周波数帯域に設定する構
成としてある。
性表面波ラチス型フィルタの出力端に、交叉指状電極の
片側又は両側に反射器電極を設けた第１の１ポート弾性
表面波共振子を直列接続し、更に、弾性表面波ラチス型
フィルタの出力側に第２の１ポート弾性表面波共振子を
並列接続して追加し、この第１の１ポート弾性表面波共
振子単体の共振周波数を通過帯域に設定し、かつ、反共
振周波数を通過帯域よりも減衰対象の高い周波数帯域に
設定する共に、第２の１ポート弾性表面波共振子単体の
反共振周波数を通過帯域に設定し、かつ、共振周波数を
通過帯域よりも減衰対象の低い周波数帯域に設定する構
成としてある。
【００１４】また、本発明の弾性表面波フィルタは、前
記弾性表面波ラチス型フィルタの出力端に直列接続する
１ポート弾性表面波共振子が、一つ又は複数の１ポート
弾性表面波共振子を直列接続した構成である。
記弾性表面波ラチス型フィルタの出力端に直列接続する
１ポート弾性表面波共振子が、一つ又は複数の１ポート
弾性表面波共振子を直列接続した構成である。
【００１５】前記弾性表面波ラチス型フィルタの出力端
に並列接続する１ポート弾性表面波共振子が、一つ又は
複数の１ポート弾性表面波共振子を並列接続した構成で
ある。
に並列接続する１ポート弾性表面波共振子が、一つ又は
複数の１ポート弾性表面波共振子を並列接続した構成で
ある。
【００１６】前記記載の弾性表面波フィルタが、無線送
受信装置の受信系及び／又は送信系に適用されるもので
ある。
受信装置の受信系及び／又は送信系に適用されるもので
ある。
【００１７】この構成による本発明の弾性表面波フィル
タは、弾性表面波ラチス型フィルタの出力端に、共振周
波数を通過帯域に設定し、反共振周波数を通過帯域より
も減衰対象の高い周波数帯域に設定した１ポート弾性表
面波共振子を直列接続して追加している。又は、反共振
周波数を通過帯域に設定し、共振周波数を通過帯域より
も減衰対象の低い周波数帯域に設定した１ポート弾性表
面波共振子を並列接続して追加している。更に、この直
列接続及び並列接続を組み合わせた構成としている。
タは、弾性表面波ラチス型フィルタの出力端に、共振周
波数を通過帯域に設定し、反共振周波数を通過帯域より
も減衰対象の高い周波数帯域に設定した１ポート弾性表
面波共振子を直列接続して追加している。又は、反共振
周波数を通過帯域に設定し、共振周波数を通過帯域より
も減衰対象の低い周波数帯域に設定した１ポート弾性表
面波共振子を並列接続して追加している。更に、この直
列接続及び並列接続を組み合わせた構成としている。
【００１８】したがって、急峻な伝送特性を有した１ポ
ート弾性表面波共振子の伝送特性によって、通過帯域近
傍の周波数帯域（高い周波数帯域、低い周波数及びこの
両方）で急峻な減衰特性を得ることが出来るようにな
る。
ート弾性表面波共振子の伝送特性によって、通過帯域近
傍の周波数帯域（高い周波数帯域、低い周波数及びこの
両方）で急峻な減衰特性を得ることが出来るようにな
る。
【００１９】この結果、例えば、セルラー移動電話シス
テムなどでのチャンネルの使用頻度が高い場合にも、隣
接周波数（チャネル）からの妨害（混変調など）の除去
が、より高精度に可能になる。また、通過帯域近傍、す
なわち、高い周波数帯域、低い周波数及びこの両方で急
峻な減衰特性を得ることが出来るため、適用する装置の
伝送特性、すなわち、必要な通過帯域近傍での減衰帯域
を自由に設定できるようになり、装置構成（設計）の自
由度が向上する。
テムなどでのチャンネルの使用頻度が高い場合にも、隣
接周波数（チャネル）からの妨害（混変調など）の除去
が、より高精度に可能になる。また、通過帯域近傍、す
なわち、高い周波数帯域、低い周波数及びこの両方で急
峻な減衰特性を得ることが出来るため、適用する装置の
伝送特性、すなわち、必要な通過帯域近傍での減衰帯域
を自由に設定できるようになり、装置構成（設計）の自
由度が向上する。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の弾性表面波フィル
タの実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。な
お、以下では図９を重複して参照して説明すると共に、
以下の図及び文にあっては図９と同一の構成要素には同
一の参照符号を付した。図１は本発明の弾性表面波フィ
ルタの第１実施形態における構成を示す回路図である。
タの実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。な
お、以下では図９を重複して参照して説明すると共に、
以下の図及び文にあっては図９と同一の構成要素には同
一の参照符号を付した。図１は本発明の弾性表面波フィ
ルタの第１実施形態における構成を示す回路図である。
【００２１】図１において、この弾性表面波フィルタ
は、図９に示した１ポートＳＡＷ共振子１（基板上に交
叉指状電極２が設けられ、この両側に反射器電極３，４
を配置した構造）をラチス接続している。このＳＡＷラ
チス型フィルタは、高周波信号ＲＦが入力されるラチス
接続の１ポートＳＡＷ共振子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄと
共に、出力端に直列接続して追加した１ポートＳＡＷ共
振子１ｅを有している。この１ポートＳＡＷ共振子１ｅ
の出力側に負荷Ｒが接続されている。
は、図９に示した１ポートＳＡＷ共振子１（基板上に交
叉指状電極２が設けられ、この両側に反射器電極３，４
を配置した構造）をラチス接続している。このＳＡＷラ
チス型フィルタは、高周波信号ＲＦが入力されるラチス
接続の１ポートＳＡＷ共振子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄと
共に、出力端に直列接続して追加した１ポートＳＡＷ共
振子１ｅを有している。この１ポートＳＡＷ共振子１ｅ
の出力側に負荷Ｒが接続されている。
【００２２】次に、第１実施形態の動作について説明す
る。まず、ＳＡＷラチス型フィルタの特性について説明
する。図２はＳＡＷラチス型フィルタのリアクタンス特
性及び伝送特性を示す図であり、図３は等価インダクタ
ンス比（Ｌａ／Ｌｂ）とパラメータｎの関係を示す図で
ある。
る。まず、ＳＡＷラチス型フィルタの特性について説明
する。図２はＳＡＷラチス型フィルタのリアクタンス特
性及び伝送特性を示す図であり、図３は等価インダクタ
ンス比（Ｌａ／Ｌｂ）とパラメータｎの関係を示す図で
ある。
【００２３】１ポートＳＡＷ共振子１ｅ単体のリアクタ
ンス特性では、一つの共振周波数ｆｒと一つの反共振周
波数ｆａを有している。したがって、直列腕と並列腕に
１ポートＳＡＷ共振子をラチス接続し、更に、並列腕の
１ポートＳＡＷ共振子の反共振周波数ｆａと直列腕の１
ポートＳＡＷ共振子の共振周波数ｆｒが、ほぼ一致する
ように構成したフィルタは、図２（ａ）で示すリアクタ
ンス特性を有している。
ンス特性では、一つの共振周波数ｆｒと一つの反共振周
波数ｆａを有している。したがって、直列腕と並列腕に
１ポートＳＡＷ共振子をラチス接続し、更に、並列腕の
１ポートＳＡＷ共振子の反共振周波数ｆａと直列腕の１
ポートＳＡＷ共振子の共振周波数ｆｒが、ほぼ一致する
ように構成したフィルタは、図２（ａ）で示すリアクタ
ンス特性を有している。
【００２４】また、伝送特性は、例えば、図３（ｂ）で
示した特性になる。ここで図２（ｂ）の伝送特性でｆ１
からｆ２を理論的な通過帯域とし、かつ、ｆａ，ｆｂを
減衰極とし、「△＝ｆ２−ｆ１ ｎ△＝ｆｂ−ｆａ」の
関係を持つパラメータｎ（ｎ＞１）を規定すると、使用
する１ポートＳＡＷ共振子の等価インダクタンス比は近
似的に次式（１）で表される。
示した特性になる。ここで図２（ｂ）の伝送特性でｆ１
からｆ２を理論的な通過帯域とし、かつ、ｆａ，ｆｂを
減衰極とし、「△＝ｆ２−ｆ１ ｎ△＝ｆｂ−ｆａ」の
関係を持つパラメータｎ（ｎ＞１）を規定すると、使用
する１ポートＳＡＷ共振子の等価インダクタンス比は近
似的に次式（１）で表される。
【００２５】 Ｌａ／Ｌｂ＝１−１／ｎ２ …（１） Ｌａ，Ｌｂ：直列腕と並列腕の等価インダクタンス
【００２６】図３において、ＳＡＷラチス型フィルタで
は、Ｌａ／Ｌｂが、極めて小さい場合に限って、前記し
たパラメーターｎが減少し通過帯域近傍の周波数帯域で
急峻な減衰特性が形成されるが、逆にＬａ／Ｌｂが１に
近づくごとに急激にｎが増加し、急峻な減衰特性は失わ
れる。一方、ＳＡＷラチス型フィルタの設計上、Ｌａ／
Ｌｂが小さくなると通過帯域が狭くなり挿入損失が著し
く増加する。
は、Ｌａ／Ｌｂが、極めて小さい場合に限って、前記し
たパラメーターｎが減少し通過帯域近傍の周波数帯域で
急峻な減衰特性が形成されるが、逆にＬａ／Ｌｂが１に
近づくごとに急激にｎが増加し、急峻な減衰特性は失わ
れる。一方、ＳＡＷラチス型フィルタの設計上、Ｌａ／
Ｌｂが小さくなると通過帯域が狭くなり挿入損失が著し
く増加する。
【００２７】ところで、１ポートＳＡＷ共振子単体の伝
送特性は急峻な伝送特性を有しており、直列に見た場合
には共振周波数ｆｒ付近で損失が最小となり、かつ、反
共振周波数ｆａ付近で損失が最大になる。逆に並列に見
た場合には共振周波数ｆｒ付近で損失が最大となり、反
共振周波数ｆａで損失が最小となる。
送特性は急峻な伝送特性を有しており、直列に見た場合
には共振周波数ｆｒ付近で損失が最小となり、かつ、反
共振周波数ｆａ付近で損失が最大になる。逆に並列に見
た場合には共振周波数ｆｒ付近で損失が最大となり、反
共振周波数ｆａで損失が最小となる。
【００２８】そこで、図１に示すように、従来より用い
られていたＳＡＷラチス型フィルタの出力端に１ポート
ＳＡＷ共振子１ｅを直列に追加接続する。この場合、直
列に接続した１ポートＳＡＷ共振子１ｅの共振周波数ｆ
ｒをＳＡＷラチス型フィルタの通過帯域に設定し、反共
振周波数ｆａを減衰帯域（通過帯域の高い周波数側）に
なるよう設定する。
られていたＳＡＷラチス型フィルタの出力端に１ポート
ＳＡＷ共振子１ｅを直列に追加接続する。この場合、直
列に接続した１ポートＳＡＷ共振子１ｅの共振周波数ｆ
ｒをＳＡＷラチス型フィルタの通過帯域に設定し、反共
振周波数ｆａを減衰帯域（通過帯域の高い周波数側）に
なるよう設定する。
【００２９】図４は、第１実施形態（ＳＡＷラチス型フ
ィルタの出力端に１ポートＳＡＷ共振子１ｅを直列接
続）における伝送特性図である。図４において、１ポー
トＳＡＷ共振子１ｅの持つ急峻な伝送特性と共に、１ポ
ートＳＡＷ共振子１ｅを直列に追加接続した際の共振周
波数ｆｒ（例えば、セルラー移動電話システムの周波数
帯域における８４３．８５０ＭＨｚ、以下の第２及び第
３実施形態でも同様）を通過帯域に設定し、反共振周波
数ｆａを減衰帯域（通過帯域の高い周波数側）になるよ
う設定しているため、図４に示すように前記した図１１
に示す従来のラチス型回路のみの伝送特性と比較して、
通過帯域の高い周波数側で急峻な減衰特性が得られてい
る。
ィルタの出力端に１ポートＳＡＷ共振子１ｅを直列接
続）における伝送特性図である。図４において、１ポー
トＳＡＷ共振子１ｅの持つ急峻な伝送特性と共に、１ポ
ートＳＡＷ共振子１ｅを直列に追加接続した際の共振周
波数ｆｒ（例えば、セルラー移動電話システムの周波数
帯域における８４３．８５０ＭＨｚ、以下の第２及び第
３実施形態でも同様）を通過帯域に設定し、反共振周波
数ｆａを減衰帯域（通過帯域の高い周波数側）になるよ
う設定しているため、図４に示すように前記した図１１
に示す従来のラチス型回路のみの伝送特性と比較して、
通過帯域の高い周波数側で急峻な減衰特性が得られてい
る。
【００３０】図５は第２実施形態の構成を示す回路図で
ある。図５において、高周波信号ＲＦが入力されるラチ
ス接続の１ポートＳＡＷ共振子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ
と共に、出力側に並列接続した１ポートＳＡＷ共振子１
ｆを有している。この１ポートＳＡＷ共振子１ｆの出力
側に負荷Ｒが接続されている。
ある。図５において、高周波信号ＲＦが入力されるラチ
ス接続の１ポートＳＡＷ共振子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ
と共に、出力側に並列接続した１ポートＳＡＷ共振子１
ｆを有している。この１ポートＳＡＷ共振子１ｆの出力
側に負荷Ｒが接続されている。
【００３１】次に、この第２実施形態の動作について説
明する。図６は、第２実施形態の（ＳＡＷラチス型フィ
ルタの出力側に１ポートＳＡＷ共振子１ｆを並列接続）
における伝送特性図である。図６において、１ポートＳ
ＡＷ共振子１ｆの持つ急峻な伝送特性と共に、１ポート
ＳＡＷ共振子１ｆを並列に追加接続した際の反共振周波
数ｆａをフィルタの通過帯域に設定し、共振周波数ｆｒ
を減衰帯域（通過帯域の低い周波数側）になるよう設定
しているため、図６に示すように前記した図１１に示す
従来のラチス型回路のみの伝送特性と比較して、通過帯
域の低い周波数側で急峻な減衰特性が得られている。
明する。図６は、第２実施形態の（ＳＡＷラチス型フィ
ルタの出力側に１ポートＳＡＷ共振子１ｆを並列接続）
における伝送特性図である。図６において、１ポートＳ
ＡＷ共振子１ｆの持つ急峻な伝送特性と共に、１ポート
ＳＡＷ共振子１ｆを並列に追加接続した際の反共振周波
数ｆａをフィルタの通過帯域に設定し、共振周波数ｆｒ
を減衰帯域（通過帯域の低い周波数側）になるよう設定
しているため、図６に示すように前記した図１１に示す
従来のラチス型回路のみの伝送特性と比較して、通過帯
域の低い周波数側で急峻な減衰特性が得られている。
【００３２】図７は第３実施形態の構成を示す回路図で
ある。図７において、高周波信号ＲＦが入力されるラチ
ス接続の１ポートＳＡＷ共振子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ
と共に、このＳＡＷラチス型フィルタの出力端に１ポー
トＳＡＷ共振子１ｅを直列に追加接続する。更に、出力
側に１ポートＳＡＷ共振子１ｆを並列接続する。この１
ポートＳＡＷ共振子１ｅの出力側に負荷Ｒが接続されて
いる。この第３実施形態の構成は、第１及び第２実施形
態の構成を組み合わせたものである。
ある。図７において、高周波信号ＲＦが入力されるラチ
ス接続の１ポートＳＡＷ共振子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ
と共に、このＳＡＷラチス型フィルタの出力端に１ポー
トＳＡＷ共振子１ｅを直列に追加接続する。更に、出力
側に１ポートＳＡＷ共振子１ｆを並列接続する。この１
ポートＳＡＷ共振子１ｅの出力側に負荷Ｒが接続されて
いる。この第３実施形態の構成は、第１及び第２実施形
態の構成を組み合わせたものである。
【００３３】次に、この第３実施形態の動作について説
明する。図８は第３実施形態（ＳＡＷラチス型フィルタ
の出力側に、１ポートＳＡＷ共振子１ｆを並列接続し、
かつ、１ポートＳＡＷ共振子１ｅを直列接続）における
伝送特性図である。
明する。図８は第３実施形態（ＳＡＷラチス型フィルタ
の出力側に、１ポートＳＡＷ共振子１ｆを並列接続し、
かつ、１ポートＳＡＷ共振子１ｅを直列接続）における
伝送特性図である。
【００３４】この第３実施形態は、第１及び第２実施形
態を組み合わせた特性を備えている。すなわち、１ポー
トＳＡＷ共振子１ｅの持つ急峻な伝送特性と共に、１ポ
ートＳＡＷ共振子１ｅを直列に追加接続した際の共振周
波数ｆｒをフィルタの通過帯域に設定し、反共振周波数
ｆａを減衰帯域（通過帯域の高い周波数側）になるよう
設定している。更に、１ポートＳＡＷ共振子１ｆを並列
に追加接続した際の反共振周波数ｆａをフィルタの通過
帯域に設定し、共振周波数ｆｒを減衰帯域（通過帯域の
低い周波数側）になるよう設定している。この結果、図
８に示すように前記した図１１に示す従来のラチス型回
路のみの伝送特性と比較して、通過帯域の高い周波数側
及び低い周波数側でそれぞれに急峻な減衰特性が得られ
ている。
態を組み合わせた特性を備えている。すなわち、１ポー
トＳＡＷ共振子１ｅの持つ急峻な伝送特性と共に、１ポ
ートＳＡＷ共振子１ｅを直列に追加接続した際の共振周
波数ｆｒをフィルタの通過帯域に設定し、反共振周波数
ｆａを減衰帯域（通過帯域の高い周波数側）になるよう
設定している。更に、１ポートＳＡＷ共振子１ｆを並列
に追加接続した際の反共振周波数ｆａをフィルタの通過
帯域に設定し、共振周波数ｆｒを減衰帯域（通過帯域の
低い周波数側）になるよう設定している。この結果、図
８に示すように前記した図１１に示す従来のラチス型回
路のみの伝送特性と比較して、通過帯域の高い周波数側
及び低い周波数側でそれぞれに急峻な減衰特性が得られ
ている。
【００３５】なお、第１実施形態では、一つの１ポート
ＳＡＷ共振子１ｅを直列接続しているが、複数個を接続
して、それぞれの反共振周波数ｆａを所望の減衰帯域幅
が得られるように多少ずらしたスタガー同調方式として
構成しても良い。同様に第２実施形態でも並列接続する
１ポートＳＡＷ共振子１ｆを複数個を接続して、それぞ
れの共振周波数ｆｒを所望の減衰帯域幅が得られるよう
に多少ずらしたスタガー方式として構成しても良い。こ
れは、第３実施形態にも同様に適用できる。
ＳＡＷ共振子１ｅを直列接続しているが、複数個を接続
して、それぞれの反共振周波数ｆａを所望の減衰帯域幅
が得られるように多少ずらしたスタガー同調方式として
構成しても良い。同様に第２実施形態でも並列接続する
１ポートＳＡＷ共振子１ｆを複数個を接続して、それぞ
れの共振周波数ｆｒを所望の減衰帯域幅が得られるよう
に多少ずらしたスタガー方式として構成しても良い。こ
れは、第３実施形態にも同様に適用できる。
【００３６】また、この第１から第３実施形態では、１
ポートＳＡＷ共振子１として基板上の交叉指状電極の両
側に反射器電極を配置した構造を持って説明したが、交
叉指状電極の一方側に一つの反射器電極を設けた構成で
も、特性が劣化するものの、基本的に同様に動作する。
ポートＳＡＷ共振子１として基板上の交叉指状電極の両
側に反射器電極を配置した構造を持って説明したが、交
叉指状電極の一方側に一つの反射器電極を設けた構成で
も、特性が劣化するものの、基本的に同様に動作する。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の弾性表面波フィルタによれば、弾性表面波ラチス型フ
ィルタの出力端に、共振周波数を通過帯域に設定し、反
共振周波数を通過帯域よりも減衰対象の高い周波数帯域
に設定した１ポート弾性表面波共振子を直列接続して追
加している。又は、反共振周波数を通過帯域に設定し、
共振周波数を通過帯域よりも減衰対象の低い周波数帯域
に設定した１ポート弾性表面波共振子を並列接続して追
加し、更に、この直列接続及び並列接続を組み合わせた
構成としている。
の弾性表面波フィルタによれば、弾性表面波ラチス型フ
ィルタの出力端に、共振周波数を通過帯域に設定し、反
共振周波数を通過帯域よりも減衰対象の高い周波数帯域
に設定した１ポート弾性表面波共振子を直列接続して追
加している。又は、反共振周波数を通過帯域に設定し、
共振周波数を通過帯域よりも減衰対象の低い周波数帯域
に設定した１ポート弾性表面波共振子を並列接続して追
加し、更に、この直列接続及び並列接続を組み合わせた
構成としている。
【００３８】この結果、急峻な伝送特性を有した１ポー
ト弾性表面波共振子の伝送特性によって、通過帯域近傍
の周波数帯域（高い周波数帯域、低い周波数及びこの両
方）で急峻な減衰特性を得ることが出来るようになる。
したがって、例えば、セルラー移動電話システムなどで
隣接周波数（チャネル）からの妨害の除去が、より高精
度に可能になる。また、通過帯域近傍、すなわち、高い
周波数帯域、低い周波数及びこの両方で急峻な減衰特性
を得ることが出来るため、適用する装置の伝送特性（必
要な通過帯域近傍での減衰帯域）を自由に設定できるよ
うになり、装置構成（設計）の自由度が向上する。
ト弾性表面波共振子の伝送特性によって、通過帯域近傍
の周波数帯域（高い周波数帯域、低い周波数及びこの両
方）で急峻な減衰特性を得ることが出来るようになる。
したがって、例えば、セルラー移動電話システムなどで
隣接周波数（チャネル）からの妨害の除去が、より高精
度に可能になる。また、通過帯域近傍、すなわち、高い
周波数帯域、低い周波数及びこの両方で急峻な減衰特性
を得ることが出来るため、適用する装置の伝送特性（必
要な通過帯域近傍での減衰帯域）を自由に設定できるよ
うになり、装置構成（設計）の自由度が向上する。
【図１】本発明の弾性表面波フィルタの第１実施形態に
おける構成を示す回路図である。
おける構成を示す回路図である。
【図２】実施形態にあってＳＡＷラチス型フィルタのリ
アクタンス特性及び伝送特性を示す図である。
アクタンス特性及び伝送特性を示す図である。
【図３】実施形態にあって等価インダクタンス比とパラ
メータの関係を示す図である。
メータの関係を示す図である。
【図４】第１実施形態における伝送特性を示す図であ
る。
る。
【図５】第２実施形態の構成を示す回路図である。
【図６】第２実施形態における伝送特性を示す図であ
る。
る。
【図７】第３実施形態の構成を示す回路図である。
【図８】第３実施形態における伝送特性を示す図であ
る。
る。
【図９】従来例にあって１ポートＳＡＷ共振子の構成を
示す上面図である。
示す上面図である。
【図１０】従来のＳＡＷラチス型フィルタの構成を示す
回路図である。
回路図である。
【図１１】従来のＳＡＷラチス型フィルタの伝送特性を
示す図である。
示す図である。
１，１ａ〜１ｆ １ポートＳＡＷ共振子 ２ 交叉指状電極 ３，４ 反射器電極 ＲＦ 高周波信号 Ｒ 負荷
Claims (6)
- 【請求項１】 弾性表面波ラチス型フィルタの出力端
に、交叉指状電極の片側又は両側に反射器電極を設けた
１ポート弾性表面波共振子を直列接続し、 この直列接続した１ポート弾性表面波共振子単体の共振
周波数を通過帯域に設定し、かつ、反共振周波数を通過
帯域よりも減衰対象の高い周波数帯域に設定することを
特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 弾性表面波ラチス型フィルタの出力側
に、交叉指状電極の片側又は両側に反射器電極を設けた
１ポート弾性表面波共振子を並列接続し、 この並列接続の１ポート弾性表面波共振子単体の反共振
周波数を通過帯域に設定し、かつ、共振周波数を通過帯
域よりも減衰対象の低い周波数帯域に設定することを特
徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項３】 弾性表面波ラチス型フィルタの出力端
に、交叉指状電極の片側又は両側に反射器電極を設けた
第１の１ポート弾性表面波共振子を直列接続し、更に、
弾性表面波ラチス型フィルタの出力側に第２の１ポート
弾性表面波共振子を並列接続し、 この第１の１ポート弾性表面波共振子単体の共振周波数
を通過帯域に設定し、かつ、反共振周波数を通過帯域よ
りも減衰対象の高い周波数帯域に設定する共に、第２の
１ポート弾性表面波共振子単体の共振周波数を通過帯域
に設定し、かつ、反共振周波数を通過帯域よりも減衰対
象の低い周波数帯域に設定することを特徴とする弾性表
面波フィルタ。 - 【請求項４】 前記弾性表面波ラチス型フィルタの出力
端に直列接続する１ポート弾性表面波共振子が、 一つ又は複数の１ポート弾性表面波共振子を直列接続し
た構成であることを特徴とする請求項１又は３記載の弾
性表面波フィルタ。 - 【請求項５】 前記弾性表面波ラチス型フィルタの出力
端に並列接続する１ポート弾性表面波共振子が、 一つ又は複数の１ポート弾性表面波共振子を並列接続し
た構成であることを特徴とする請求項２又は３記載の弾
性表面波フィルタ。 - 【請求項６】 前記請求項１から５のいずれかに記載の
弾性表面波フィルタが、 無線送受信装置の受信系及び／又は送信系に適用される
ことを特徴とする弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11154331A JP2000349588A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11154331A JP2000349588A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349588A true JP2000349588A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15581822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11154331A Pending JP2000349588A (ja) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000349588A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003056699A1 (de) * | 2001-12-21 | 2003-07-10 | Epcos Ag | Symmetrisch arbeitendes reaktanzfilter |
| KR100541895B1 (ko) * | 2001-09-21 | 2006-01-16 | 가부시끼가이샤 도시바 | 고주파 필터 |
| US7194247B2 (en) | 2001-09-26 | 2007-03-20 | Nokia Corporation | Dual-channel passband filtering system using acoustic resonators in lattice topology |
-
1999
- 1999-06-01 JP JP11154331A patent/JP2000349588A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100541895B1 (ko) * | 2001-09-21 | 2006-01-16 | 가부시끼가이샤 도시바 | 고주파 필터 |
| US7194247B2 (en) | 2001-09-26 | 2007-03-20 | Nokia Corporation | Dual-channel passband filtering system using acoustic resonators in lattice topology |
| WO2003056699A1 (de) * | 2001-12-21 | 2003-07-10 | Epcos Ag | Symmetrisch arbeitendes reaktanzfilter |
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