JP2000344547A - Production of base plate having transmissibility to radio waves and wavelength selectivity - Google Patents

Production of base plate having transmissibility to radio waves and wavelength selectivity

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JP2000344547A
JP2000344547A JP11157704A JP15770499A JP2000344547A JP 2000344547 A JP2000344547 A JP 2000344547A JP 11157704 A JP11157704 A JP 11157704A JP 15770499 A JP15770499 A JP 15770499A JP 2000344547 A JP2000344547 A JP 2000344547A
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JP
Japan
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layer
glass substrate
aln
silver
substrate
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JP11157704A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Nakajima
弘 中嶋
Masaaki Yonekura
正明 米倉
Hideaki Wakabayashi
秀昭 若林
Masanobu Kominami
昌信 小南
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Central Glass Co Ltd
Original Assignee
Central Glass Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a base plate effective in transmissibility to radio waves and visible light and reflects solar heat beams by, after applying an AlN layer on the heated surface of a glass substrate or on a glass substrate, then heating the resulting surface, forming an Ag layer being a continuous layer by a sputtering method or the like and changing the formed layer to the Ag-layer comprising particulate Ag. SOLUTION: An Ag-layer being a continuous layer is obtained by heating the surface of a glass substrate which is coated with a transparent dielectric layer other than AlN or coated with an AlN layer and forming the continuous Ag film by a sputtering method, a CVD method, a thermal spraying method, a vacuum deposition method or an ion-plating method, and the Ag-layer comprising particulate Ag is formed by changing the formed Ag-layer. At this time, the heat treatment is preferably carried out at a temp. of about 100 to 500 deg.C and for about 5 to 180 min. The preferable method for forming film is the sputtering method from viewpoints of uniformity in Ag particle size and productivity. It is possible to further coat the AlN-layer on the Ag-layer comprising particulate Ag.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は建造物、自動車など
の窓ガラス等に到来する電波、および可視光線を効率よ
く透過させることができるとともに、太陽の熱線を反射
して充分な断熱性を発揮できる波長選択基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention can efficiently transmit radio waves and visible light arriving at windows of buildings, automobiles, etc., and exhibit sufficient heat insulation by reflecting the heat rays of the sun. The present invention relates to a wavelength selection substrate that can be used.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、日射を遮蔽することを目的とし
て、導電性薄膜を被覆したり、または導電性薄膜を含む
フィルムを貼り付けた窓ガラスが普及し始めた。このよ
うな窓ガラスを高層ビルに施行するとTV周波数帯域の
電波を反射して、TV画面にゴーストを発生させる原因
となるとともに室内アンテナで衛星放送を受信し難くな
る。また、住宅用窓ガラス或いは自動車用窓ガラスとし
て用いた場合には、携帯電話が通じ難くなる可能性があ
ったり、ガラスアンテナの利得が悪化したりする原因と
なりえる。
2. Description of the Related Art In recent years, window glasses which are coated with a conductive thin film or pasted with a film containing a conductive thin film for the purpose of shielding solar radiation have begun to spread. When such a window glass is applied to a high-rise building, radio waves in the TV frequency band are reflected, causing a ghost on a TV screen and making it difficult to receive satellite broadcasts with an indoor antenna. In addition, when used as a window glass for a house or a window glass for an automobile, it may be difficult for a cellular phone to be connected, or the gain of a glass antenna may be deteriorated.

【0003】このような事情から現状では、ガラス基板
に電気抵抗の比較的高い透明な熱線反射膜を被覆して、
可視光線の透過を一部させるとともに、電波の反射を低
減させて電波障害を防止することが行なわれている。
Under such circumstances, at present, a glass substrate is coated with a transparent heat ray reflective film having a relatively high electric resistance.
It has been practiced to partially prevent the transmission of visible light and reduce the reflection of radio waves to prevent radio interference.

【0004】また、導電性膜付きガラスの場合には、ガ
ラス基板に被覆させた導電性膜を、入射電波の電界方向
に平行な導電性膜の長さを電波の波長の1/20倍以下
になるように分割し、電波障害を防止することが特許第
2620456号公報に示されている。
In the case of glass with a conductive film, the length of the conductive film parallel to the direction of the electric field of the incident radio wave is set to be less than 1/20 times the wavelength of the radio wave. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2620456 discloses that the signal is divided so as to prevent radio interference.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電気抵抗の比較的高い透明な熱線反射膜を被覆する方法
は、電波の反射を低減して電波障害を防止することは出
来るが、熱線遮蔽性能が十分ではなく、生活の快適性に
おいて問題があった。また、特許第2620456号公
報に示された導電性膜を分割する方法は、分割する長さ
が太陽光の大部分を占める可視光、近赤外光の波長より
非常に大きいので、これらの光は全て反射してしまい、
電波障害を防止し充分な日射遮蔽性能を有する電波透過
性波長選択スクリーンガラスは得られるが、可視光の透
過性が確保できないという問題がある。さらに、開口部
のサイズが2m×3mのように大きな窓では、例えば、
衛星放送波を透過させるためには、衛星放送の波長約2
5mmの1/20、少なくとも導電膜を1.25mm平
方に、好ましくは0.5mm平方に切断しなければなら
ない。大面積の導電性膜をこのような小さいセグメント
に、例えば、イットリウム−アルミニウム−ガーネット
レーザで切断するには、長時間を要し現実的でない等の
問題があった。
However, the conventional method of coating a transparent heat ray reflective film having a relatively high electric resistance can reduce the reflection of radio waves and prevent radio wave interference, but the heat ray shielding performance can be reduced. Was not enough and there was a problem in the comfort of life. Further, in the method of dividing the conductive film disclosed in Japanese Patent No. 2620456, the length of division is much larger than the wavelengths of visible light and near-infrared light that occupy most of sunlight. Are all reflected,
Although a radio wave transmitting wavelength-selective screen glass having sufficient solar radiation shielding performance while preventing radio wave interference can be obtained, there is a problem that the transmission of visible light cannot be ensured. Further, in a window having a large opening such as 2 m × 3 m, for example,
To transmit satellite broadcast waves, the wavelength of satellite
1/20 of 5 mm, at least the conductive film must be cut into 1.25 mm square, preferably 0.5 mm square. Cutting a large-area conductive film into such small segments with, for example, an yttrium-aluminum-garnet laser requires a long time and is not practical.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】先に、本発明者等は、特
願平11−90597号において、ガラス基板表面、ま
たはガラス基板上にAlN層(窒化アルミ層)を被覆し
た表面に、スパッタリング法により連続層よりなるAg
層を成膜させたのち、熱処理することにより粒状のAg
に変化生成させたAg層を積層させた電波透過性波長選
択ガラスについて出願した。その後種々検討した結果、
粒状のAg層は連続のAg層を成膜したのちに熱処理す
る方法に限らず、加熱したガラス基板あるいはガラス基
板上にAlN層(窒化アルミ層)を被覆したのち基板を
基板表面に連続層のAg層を成膜することにより粒状の
Ag層に変化生成させても良好な電波透過性波長選択基
板が得られること、さらに成膜はスパッタリング法に限
らずその他の成膜法も適用できることが判明し、本発明
をなすに至った。
First, the present inventors disclosed in Japanese Patent Application No. 11-90597 a method in which a sputtered film was formed on the surface of a glass substrate or a surface of a glass substrate coated with an AlN layer (aluminum nitride layer). Ag consisting of a continuous layer by the method
After the layer is formed, heat treatment is performed to obtain granular Ag.
An application was made for a radio wave transmitting wavelength selective glass in which an Ag layer changed and generated was laminated. After various studies,
The granular Ag layer is not limited to a method in which a continuous Ag layer is formed and then heat-treated. The AlN layer (aluminum nitride layer) is coated on a heated glass substrate or a glass substrate, and then the substrate is coated with a continuous layer on the substrate surface. It has been found that a good radio wave transmitting wavelength selective substrate can be obtained even if the Ag layer is changed into a granular Ag layer by forming a film, and the film formation is not limited to the sputtering method, and other film forming methods can be applied. Thus, the present invention has been accomplished.

【0007】本発明は、TV放送、衛星放送、携帯電話
それぞれの周波数帯域の電波に対して反射率を低減させ
て、電波障害を防止するとともに、充分な日射遮蔽性能
と可視光線透過性を有する電波透過性波長選択基板を提
供することを目的とする。
The present invention reduces the reflectivity of radio waves in the frequency bands of TV broadcasts, satellite broadcasts, and mobile phones to prevent radio interference, and has sufficient solar shading performance and visible light transmittance. It is an object of the present invention to provide a radio wave transmitting wavelength selecting substrate.

【0008】すなわち、本発明の電波透過性波長選択基
板の製造方法は、加熱したガラス基板表面、またはガラ
ス基板上にAlN層(窒化アルミ層)を被覆したのち加
熱した表面に、スパッタリング法、CVD法、熱スプレ
ー法、真空蒸着法、イオンプレーテイング法の内の何れ
かの方法により連続層よりなるAg層を成膜することに
より粒状のAgよりなるAg層に変化生成させることを
特徴とする。
That is, the method for manufacturing a radio wave transmitting wavelength selective substrate according to the present invention comprises the steps of: applying a sputtering method, a CVD method to a heated glass substrate surface, or coating an AlN layer (aluminum nitride layer) on a glass substrate and then heating the surface. The method is characterized in that an Ag layer formed of a continuous layer is formed by any one of a method, a thermal spraying method, a vacuum evaporation method, and an ion plating method to thereby change and generate an Ag layer formed of granular Ag. .

【0009】また、前記で得られた粒状よりなるAg層
の表面に、さらに第2の連続層よりなるAg層を成膜さ
せたのち熱処理することにより該第2の連続層よりなる
Ag層を粒状のAg層に変化生成させることも出来る。
On the surface of the granular Ag layer obtained above, an Ag layer composed of a second continuous layer is further formed and then heat-treated to form an Ag layer composed of the second continuous layer. It can be changed into a granular Ag layer.

【0010】さらに、本発明の電波透過性波長選択基板
の製造方法は、ガラス基板表面、またはガラス基板上に
AlN層(窒化アルミ層)を被覆した表面に、CVD
法、熱スプレー法、真空蒸着法、イオンプレーテイング
法の内のいずれかの方法により、連続層よりなるAg層
を成膜したのち、熱処理をすることにより、粒状のAg
よりなるAg層に変化生成させることを特徴とする。
Further, the method for producing a radio wave transmitting wavelength selective substrate according to the present invention is characterized in that a CVD method is applied to a surface of a glass substrate or a surface of a glass substrate coated with an AlN layer (aluminum nitride layer).
An Ag layer consisting of a continuous layer is formed by any one of the following methods, a thermal spray method, a vacuum evaporation method, and an ion plating method.
It is characterized in that it is changed and generated in an Ag layer composed of.

【0011】またさらに、粒状のAgよりなるAg層上
に、さらに窒化アルミ層を被覆することも出来る。
Furthermore, an aluminum nitride layer can be further coated on the Ag layer made of granular Ag.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の電波透過性波長選択基板
は、ガラス等の耐熱性基板の表面上或いは基板上に透明
誘電体層を被覆した表面に、粒状のAgが分散されてな
るAg層を被覆してなるものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The radio wave transmitting wavelength selective substrate of the present invention is an Ag having a structure in which granular Ag is dispersed on the surface of a heat resistant substrate such as glass or the surface of a substrate coated with a transparent dielectric layer. It is formed by coating a layer.

【0013】粒状のAg層を生成させる代表的な方法と
しては、例えば次の2つの方法により行うことが出来
る。
As a typical method for forming a granular Ag layer, for example, the following two methods can be used.

【0014】第1の方法は、AlN(窒化アルミ)を除
く透明誘電体層を被覆した基板表面に連続層のAgより
なるAg層を成膜したのち、熱処理をすることにより、
該連続層のAgよりなるAg層中のAgを粒状のAgに
変化させて作製することができる。このような方法によ
り得られた粒状のAgは、粒径が大きく、結晶性に優
れ、粒子内の電気伝導性が高いという利点があり、この
ため、高い熱線反射特性が期待できる等の特性が良好と
なり好ましい。
The first method is to form a continuous Ag layer on the surface of a substrate coated with a transparent dielectric layer other than AlN (aluminum nitride), and then heat-treat the Ag layer.
It can be produced by changing Ag in the Ag layer composed of Ag of the continuous layer into granular Ag. Granular Ag obtained by such a method has the advantages of a large particle size, excellent crystallinity, and high electrical conductivity within the particles. Therefore, characteristics such as high heat ray reflection characteristics can be expected. Good and preferable.

【0015】また、第2の方法は、加熱されたAlN
(窒化アルミ)を除く透明誘電体層が被覆された透明基
板の表面に、連続層よりなるAg層を成膜することによ
り直ちに粒状のAgよりなるAg層に変化生成させるこ
とが出来る。このような方法により得られた粒状のAg
は、粒径が均一となり、波長選択性に優れる等の特性が
良好となるので好ましい。
The second method is to use a heated AlN
By forming an Ag layer consisting of a continuous layer on the surface of a transparent substrate covered with a transparent dielectric layer excluding (aluminum nitride), it can be immediately changed into an Ag layer consisting of granular Ag. Granular Ag obtained by such a method
Is preferred because the particle size becomes uniform and characteristics such as excellent wavelength selectivity are improved.

【0016】なお、加熱されたAlN(窒化アルミ)を
除く透明誘電体層が被覆された透明基板の表面に、連続
層よりなるAg層を成膜することにより、直ちに粒状の
Agに変化生成させ、さらにその表面に第2の連続層よ
りなるAg層を成膜させ、熱処理することにより該第2
の連続層よりなるAg層を粒状のAg層に変化生成させ
ることもでき、この方法によれば粒状Agの粒径が揃い
且つ粒径の大きなものが得られるので特に好ましい。な
お、第2の連続層よりなるAg層を成膜するときの基板
温度は、特に限定はないが、Ag粒子の粗粒化のために
は室温付近であることが好ましい。
A continuous Ag layer is formed on the surface of the transparent substrate covered with the transparent dielectric layer except for the heated AlN (aluminum nitride), so that the Ag is immediately changed into granular Ag. Forming an Ag layer comprising a second continuous layer on the surface thereof and performing a heat treatment on the Ag layer.
Can be changed into a granular Ag layer, and this method is particularly preferable because a granular Ag having a uniform particle size and a large particle size can be obtained. The substrate temperature when forming the Ag layer composed of the second continuous layer is not particularly limited, but is preferably around room temperature in order to make Ag particles coarse.

【0017】上記の熱処理温度としては、100℃〜5
00℃、保持時間は5分〜180分程度が好ましいが、
目的とする粒径を得るために特にこの範囲に限定される
ものではない。
The heat treatment temperature is 100 ° C. to 5 ° C.
00 ° C., the holding time is preferably about 5 to 180 minutes,
It is not particularly limited to this range in order to obtain the desired particle size.

【0018】前記の熱処理を施すことにより、連続層よ
りなるAg層を粒状のAg層に変化生成させるメカニズ
ムの詳細は不明であるが、スパッタ法により堆積させた
銀膜は表面エネルギーが高いため、熱エネルギーを与え
ることで、粒子状に分散して表面エネルギーの低い安定
状態になることによるものと考えられる。
Although the details of the mechanism by which the above-mentioned heat treatment is performed to change the continuous Ag layer into a granular Ag layer are unknown, the silver film deposited by the sputtering method has a high surface energy. It is considered that by applying heat energy, the particles are dispersed in a particle state and a stable state with low surface energy is obtained.

【0019】連続層よりなるAg層を成膜する方法は、
スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法、熱スプレー
法、イオンプレーティング法等特に限定されるものでは
ないが、スパッタリング法は生成するAg粒子の均一
性、生産性の点より特に好ましい。
A method for forming a continuous Ag layer is as follows.
The sputtering method, the vacuum evaporation method, the CVD method, the thermal spray method, the ion plating method and the like are not particularly limited, but the sputtering method is particularly preferable in terms of uniformity of Ag particles to be produced and productivity.

【0020】透明基板としては、耐熱性のあるものであ
れば特に限定されるものではないが、ガラス基板が透明
性、耐熱性等の点より特に好ましい。
The transparent substrate is not particularly limited as long as it has heat resistance, but a glass substrate is particularly preferable in terms of transparency, heat resistance and the like.

【0021】また、本発明のAlNを除く透明誘電体膜
としては、Si34、SiAlN等の透明窒化物膜、S
iOxy、TiOxy等の透明酸窒化物膜などが好まし
い。なお、透明酸窒化物膜としては、そのほかにCr、
Zn、Zr、Sn、Ta等の金属元素の少なくとも1種
よりなる金属酸窒化物を用いることもできる。また、S
i、Ti、Cr、Zn、Zr、Sn、Ta等の金属元素
の少なくとも1種よりなる透明金属酸化物を用いること
もできるが、その場合には、最外層の透明酸化物膜を堆
積させる前に、銀微粒子の酸化防止のための金属犠牲層
を数オングストロームから数十オングストローム程度堆
積させておく必要がある。
The transparent dielectric film excluding AlN of the present invention may be a transparent nitride film such as Si 3 N 4 , SiAlN or the like.
iO x N y, a transparent oxynitride film such as TiO x N y is preferred. In addition, as the transparent oxynitride film, Cr,
A metal oxynitride made of at least one kind of metal element such as Zn, Zr, Sn, and Ta can also be used. Also, S
A transparent metal oxide composed of at least one metal element such as i, Ti, Cr, Zn, Zr, Sn, and Ta can be used. In that case, however, before depositing the outermost transparent oxide film, In addition, a metal sacrificial layer for preventing oxidation of silver fine particles needs to be deposited in a thickness of several angstroms to several tens angstroms.

【0022】得られた波長選択基板は、TV放送、衛星
放送、携帯電話それぞれの周波数帯域の電波に対して反
射率を低減させて、電波障害を防止するとともに、充分
な日射遮蔽性能と可視光線透過性を有する電波透過性波
長選択基板である。
The obtained wavelength-selective substrate reduces the reflectivity of radio waves in the frequency bands of TV broadcasting, satellite broadcasting, and cellular phones to prevent radio interference, and has sufficient solar shading performance and visible light. It is a radio wave transmitting wavelength selecting substrate having transparency.

【0023】前記波長選択ガラスの反射率(Rdp)は、
下記(1)式で示されるような理論式により、銀の形状
から算出することができる。(この理論式は、本発明者
が、Journal of Applied Phys
ics Volume 84, Number 11,
6285−8290(1998)ですでに発表してい
る。)
The reflectance (Rdp) of the wavelength selective glass is:
It can be calculated from the shape of silver by a theoretical formula as shown by the following formula (1). (This theoretical formula is expressed by the present inventor as Journal of Applied Physs.
ics Volume 84, Number 11,
6285-8290 (1998). )

【0024】[0024]

【式1】 (Equation 1)

【0025】ここで、Rdp: 反射率 λ : 波長 [nm] AR: 銀微粒子が占める面積率 Rms: 銀層の厚さDの銀多層膜の反射率 D : 銀層の厚さ [nm] Esg: 分割係数(板ガラス基板、または誘電体膜上に
無限繰り返しに配列した完全導体からなる正方形セグメ
ントの長さと入射光の波長の比がLi/λ、前記セグメ
ントが占める面積率がARの系の反射率) Li : 銀微粒子の粒径 [nm] Sr : 粒径Liの銀微粒子の面積率 ni : 粒径Liの銀微粒子の数 以下に、本発明の波長選択ガラスの反射率(Rdp)が、
上記(1)式で示される理論式により、銀の形状から算
出することができることを、以下に示す式(2)〜(1
3)により説明する。
Here, Rdp: reflectance λ: wavelength [nm] AR: area ratio occupied by silver fine particles Rms: reflectance of silver multilayer film having silver layer thickness D D: silver layer thickness [nm] Esg A division coefficient (reflection of a system in which the ratio of the length of a square segment composed of perfect conductors arranged infinitely repeatedly on a glass substrate or a dielectric film to the wavelength of incident light is Li / λ, and the area ratio occupied by the segment is AR) Ratio) Li: particle size of silver fine particles [nm] Sr: area ratio of silver fine particles of particle size Li ni: number of silver fine particles of particle size Li The reflectance (Rdp) of the wavelength selective glass of the present invention is as follows.
The following formulas (2) to (1) show that it can be calculated from the shape of silver by the theoretical formula shown by the above formula (1).
This will be described in 3).

【0026】以下、順を追って、完全導体セグメントを
誘電体基板上に周期的に固定した系の反射率を算出する
電気的な積分方程式を導く方法について説明する。先
ず、理論式による分割係数Esgの求め方について説明す
る。
Hereinafter, a method of deriving an electrical integral equation for calculating the reflectance of a system in which perfect conductor segments are periodically fixed on a dielectric substrate will be described step by step. First, a method of obtaining the division coefficient Esg using a theoretical formula will be described.

【0027】(1)誘起電流分布 下記の計算では、導電体セグメントおよび誘電体基板か
らの放射が電磁界を誘起すると仮定する。
(1) Induced Current Distribution In the following calculations, it is assumed that radiation from the conductor segments and the dielectric substrate induces an electromagnetic field.

【0028】ここで論ずる周期アレーと電磁波の状態を
図1に幾何学的に示す。x軸、y軸の周期単位a、bそ
れぞれの無限周期アレーを誘電体基板上に固定する。基
板の厚さはd、誘電率はεr である。(θi,φi)方向か
ら伝搬してきた電界強度Eiの入射平面波で、周波数選
択スクリーンを照射すると仮定する。αは、(θi,φi)
面内での偏波角である。
FIG. 1 geometrically shows the state of the periodic array and the electromagnetic waves discussed here. An infinite periodic array of each of the x-axis and y-axis periodic units a and b is fixed on a dielectric substrate. The thickness of the substrate is d and the dielectric constant is εr. It is assumed that an incident plane wave having an electric field intensity Ei propagated from the (θi, φi) direction irradiates the frequency selection screen. α is (θi, φi)
This is the polarization angle in the plane.

【0029】[0029]

【式2】 (Equation 2)

【0030】ここで、rは位置ベクトル、k iは入射波の
伝搬ベクトル(電磁波の進行方向の伝搬定数を示す波数
ベクトル)である。
Here, r is a position vector, and ki is a propagation vector of an incident wave (a wave number vector indicating a propagation constant in a traveling direction of an electromagnetic wave).

【0031】電流J cは、入射波によって導電体表面に
誘起されると仮定する。この電流は入射波の位相に比例
する。そして構造が周期的であるので、電流はフーリエ
級数展開が可能である。従って、電流分布は次のように
表現できる。
It is assumed that the current Jc is induced on the conductor surface by the incident wave. This current is proportional to the phase of the incident wave. And since the structure is periodic, the current can be Fourier series expanded. Therefore, the current distribution can be expressed as follows.

【0032】[0032]

【式3】 (Equation 3)

【0033】[0033]

【式4】 (Equation 4)

【0034】導電体からの散乱波によって発生した電磁
界および誘電体表面からの散乱波によって発生した電磁
界を単一電磁界で取り扱うために、誘電体基板表面で誘
起された等価電流Jiと等価磁流Miを次式のように定義
する。
Since the electromagnetic field generated by the scattered wave from the conductor and the electromagnetic field generated by the scattered wave from the dielectric surface are handled by a single electromagnetic field, the equivalent current Ji induced on the dielectric substrate surface is equivalent. The magnetic current Mi is defined as follows.

【0035】[0035]

【式5】 (Equation 5)

【0036】任意形状の導電体はワイヤーセグメントで
電気的に近似できる。電流分布は区分的正弦波(PW
S)函数で表現できる。
A conductor of any shape can be electrically approximated by a wire segment. The current distribution is divided sinusoidally (PW
S) It can be represented by a function.

【0037】[0037]

【式6】 (Equation 6)

【0038】[0038]

【式7】 Equation 7

【0039】(2)放射界(反射電界と反射磁界) 散乱体表面の誘起磁流・誘起電流が放射する電界を反射
電界という。この反射電界は、グリーン函数を用いると
式(8)で表現できる。
(2) Radiation field (reflection electric field and reflection magnetic field) The electric field emitted by the induced magnetic current and induced current on the surface of the scatterer is called a reflected electric field. This reflected electric field can be expressed by Expression (8) using a Green function.

【0040】[0040]

【式8】 (Equation 8)

【0041】(3)電力反射率 (3) Power reflectivity

【0042】 [0042]

【式9】 [Equation 9]

【0043】[0043]

【式10】 (Equation 10)

【0044】[0044]

【式11】 [Equation 11]

【0045】以上、分割係数Esgの求め方について説明
した。次に、(1)式の粒径分布(銀粒子の粒径、面積
率、粒子の数)について求める。
The method for obtaining the division coefficient Esg has been described above. Next, the particle size distribution (the particle size, area ratio, and number of silver particles) of equation (1) is determined.

【0046】(4)銀粒子の平均粒径 (4) Average particle size of silver particles

【0047】[0047]

【式12】 (Equation 12)

【0048】銀粒子の平均粒径(l)は次のように計算
できる。
The average particle size (l) of the silver particles can be calculated as follows.

【0049】[0049]

【式13】 (Equation 13)

【0050】後述の参考例2で述べるように、近赤外域
の遮蔽効率が0.3以上を確保するためには、銀粒子の
平均粒径が10nm以上および銀粒子の厚みが5nm以
上であることが好ましい。なお、銀粒子の粒径が0.5
mm以上になると電波障害の問題が発生するので好まし
くない。次に、前記で示した分割係数Esgと粒径分布か
ら反射率を求める方法について説明する。
As described in Reference Example 2 below, in order to secure a shielding efficiency in the near infrared region of 0.3 or more, the average particle size of silver particles is 10 nm or more and the thickness of silver particles is 5 nm or more. Is preferred. The silver particles had a particle size of 0.5
If the distance is not less than mm, a problem of radio interference occurs, which is not preferable. Next, a method of obtaining the reflectance from the above-described division coefficient Esg and the particle size distribution will be described.

【0051】(5)銀を分散させたAlN系の反射率の
理論式 Ag層の反射率は、銀原子のプラズマ振動の影響を受け
る。それ故、銀を分散させたAlN層の反射率(Rdp)
は表面抵抗率(Rsq)、入射波の波長(λ)と銀の粒径
に依存する。Rdpに対する粒径の影響を、分割係数(E
sg)の項で表現する。
(5) The reflectivity of the AlN-based system in which silver is dispersed
The reflectance of the theoretical Ag layer is affected by the plasma vibration of silver atoms. Therefore, the reflectance (Rdp) of the AlN layer in which silver is dispersed
Depends on the surface resistivity (Rsq), the wavelength (λ) of the incident wave, and the silver particle size. The effect of the particle size on Rdp is determined by the division factor (E
sg).

【0052】厚さ40nmのAlN層上に完全導体の正
方形セグメントを周期的に固定した系の反射率の理論値
をEsgと定義する。理論値は、式(11)を用いて算出
する。この係数は、L/λと面積率(AR)に依存す
る。 L/λは、セグメントの大きさ(銀粒子の粒径に
対応する)と図2に示した入射光の波長の比である。
なお、図2は、AR=22 /32 の分割係数(Esg)と
L/λ(セグメントの大きさと入射光の波長の比を示す
図である。
The theoretical value of the reflectance of a system in which square segments of a perfect conductor are periodically fixed on an AlN layer having a thickness of 40 nm is defined as Esg. The theoretical value is calculated using equation (11). This coefficient depends on L / λ and the area ratio (AR). L / λ is the ratio between the size of the segment (corresponding to the particle size of the silver particles) and the wavelength of the incident light shown in FIG.
Incidentally, FIG. 2 is a diagram showing the ratio of the wavelength of the AR = 2 2/3 2 of division factor (Esg) and L / lambda (segment size and the incident light.

【0053】ARは、L /a、すなわちセグメントの面
積と図1に示した単位セル(最小繰り返し単位)の面積
の比である。AR=2 /3(=0.444)にもかかわ
らず、図2のEsgはL/λ=0.525で、1.0に近づ
く。これは、導体のRsq.と基板の誘電損率が無視でき
るほどに小さい場合、共鳴周波数において入射波のエネ
ルギーが単位セル上の誘起電流に全て変換されることに
起因する。Rdpは、RmsとEsgの積に等しいと仮定し
て、Rdpを求める式(1)を提案する。RmsはAlN
(30nm)/Ag(Dnm)/AlN(10nm)多層膜の反
射率である。なお、DはAg粒子の平均厚みである。
AR is L / a, that is, the ratio of the area of the segment to the area of the unit cell (minimum repeating unit) shown in FIG. Despite AR = 2/3 (= 0.444), Esg in FIG. 2 approaches 1.0 with L / λ = 0.525. This is because when the Rsq. Of the conductor and the dielectric loss factor of the substrate are negligibly small, the energy of the incident wave is all converted to the induced current on the unit cell at the resonance frequency. Assuming that Rdp is equal to the product of Rms and Esg, formula (1) for finding Rdp is proposed. Rms is AlN
(30 nm) / Ag (Dnm) / Reflectance of AlN (10 nm) multilayer film. D is the average thickness of the Ag particles.

【0054】[0054]

【式1】 (Equation 1)

【0055】ここで、Here,

【0056】[0056]

【式14】 (Equation 14)

【0057】ここで、ARo は、薄膜の全面積に対する
銀粒子の占める割合である。
Here, ARo is the ratio of silver particles to the total area of the thin film.

【0058】RmsはRsqとλの函数である。そして、E
sqはL/λに依存するので、式(1)は、RdpがRsq、
λとLに依存することを示している。 Σの項は銀粒子
の粒径分布のRdpへの影響を描写している。 図2に示
したように、L/λの増大に対するEsqの変化が非線形
のため、Σの項が必要である。
Rms is a function of Rsq and λ. And E
Since sq depends on L / λ, equation (1) shows that Rdp is Rsq,
It is shown that it depends on λ and L. The term Σ depicts the effect of silver particle size distribution on Rdp. As shown in FIG. 2, since the change of Esq with respect to the increase of L / λ is nonlinear, the term of Σ is necessary.

【0059】AlN層中のAgの全重量は、Ag層の熱
処理の間一定に保たれるので、DとLは、式(1)と
(14)で表現できる。
Since the total weight of Ag in the AlN layer is kept constant during the heat treatment of the Ag layer, D and L can be expressed by equations (1) and (14).

【0060】[0060]

【式15】 (Equation 15)

【0061】[0061]

【式16】 (Equation 16)

【0062】ここで、Lm は、セグメントの平均長さ、
D0 は、成膜直後の多層膜中のAg層の厚さである。
Where Lm is the average length of the segment,
D0 is the thickness of the Ag layer in the multilayer film immediately after film formation.

【0063】なお、Agは紫外線領域にプラズマ振動数
が存在し、さらに、この周波数の低周波数側に、「銀の
窓」と呼ばれるAgの消衰係数が無限小になる領域があ
るので、Ag粒子の厚みと、誘電体干渉膜の膜厚を制御
すれば、可視光の透過性が確保できる。
Ag has a plasma frequency in the ultraviolet region, and further, there is a region called "silver window" where the extinction coefficient of Ag is infinitely small on the low frequency side. By controlling the thickness of the particles and the thickness of the dielectric interference film, the transmittance of visible light can be secured.

【0064】加熱によりAg膜は、粒子状に分散した状
態に変化する。この粒径は、前記した0.5mmよりは
るかに小さく、また、Ag膜の厚み、熱処理条件などを
制御するこにより、近赤外線を選択的に反射するガラス
が得られる。
The Ag film changes to a state of being dispersed in particles by heating. This particle size is much smaller than the above-mentioned 0.5 mm. By controlling the thickness of the Ag film, heat treatment conditions, and the like, a glass that selectively reflects near infrared rays can be obtained.

【0065】以下、本発明者等が先に出願した明細書の
実施例を参考例として示す。
Hereinafter, examples of the specification filed by the present inventors will be shown as reference examples.

【0066】[0066]

【参考例】参考例1 電波透過性波長選択ガラスは、DCマグネトロン・スパ
ッタリング法により成膜した。 スパッタリング前に、真空槽を2×10-4Paまで真
空引きした。なお、スパッタリング中、ターゲット−ガ
ラス基板間の距離は90mmに固定した。 最下層のAlN層は、純Alターゲット(直径129
mm、厚み10mm)を用いて、反応スパッタで堆積さ
せた。なお、異常放電を防止するために、周波数10k
Hzの矩形パルス波をカソードに印加した。スパッタリ
ング中、N2/Arガス流量比を20/80に調整する
方法で混合ガスの圧力を0.7Paに制御した。 アルゴンのガス圧0.7Paで、純Agターゲット
(直径129mm、厚み5mm)を用いて、中間層のA
g層を堆積させた。 最上段のAlN層を積層する前に、スパッタリング
真空槽内で、成膜直後のAlN/Ag層を2×10-4
a、200℃で加熱処理した。 最上層のAlN層は、最下層のAlN層と同じ方法に
より、純Alターゲット(直径129mm、厚み10m
m)を用いて、反応スパッタで堆積させた。
REFERENCE EXAMPLE Reference Example 1 A radio wave transmitting wavelength selective glass was formed by a DC magnetron sputtering method. Before sputtering, the vacuum chamber was evacuated to 2 × 10 −4 Pa. During sputtering, the distance between the target and the glass substrate was fixed at 90 mm. The lowermost AlN layer is a pure Al target (diameter 129).
mm, and a thickness of 10 mm). In addition, in order to prevent abnormal discharge, the frequency 10 k
Hz rectangular pulse wave was applied to the cathode. During sputtering, the pressure of the mixed gas was controlled at 0.7 Pa by a method of adjusting the N 2 / Ar gas flow ratio to 20/80. Using a pure Ag target (diameter 129 mm, thickness 5 mm) at an argon gas pressure of 0.7 Pa, the intermediate layer A
A g layer was deposited. Before stacking the uppermost AlN layer, the AlN / Ag layer immediately after film formation is placed in a sputtering vacuum chamber at 2 × 10 -4 P
a, Heat treatment was performed at 200 ° C. The uppermost AlN layer is formed by the same method as the lowermost AlN layer by using a pure Al target (diameter 129 mm, thickness 10 m).
m) and deposited by reactive sputtering.

【0067】前記或いはの工程を終了したガラス基
板/AlN層/Ag層からなるサンプルについて、下記
に示す方法により、銀粒子の粒径分布の測定を行った。
The sample composed of the glass substrate / AlN layer / Ag layer after the above-mentioned steps or the above was measured for the particle size distribution of silver particles by the following method.

【0068】A.銀粒子の粒径分布 の工程を終了したガラス基板/AlN層/Ag層から
なるサンプルの表面の状態を、日立S−415を用いた
走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した結果を図3に示
す。なお、図3の各粒子の大きさを Martin法で読み取
った粒径分布を表1に示す。
A. The state of the surface of the sample composed of the glass substrate / AlN layer / Ag layer after the step of silver particle size distribution was observed with a scanning electron microscope (SEM) using Hitachi S-415. The results are shown in FIG. Table 1 shows the particle size distribution obtained by reading the size of each particle in FIG. 3 by the Martin method.

【0069】結果、面積比(銀粒子が占める面積と全面
積の比と定義)は0.20であった。表1の粒径(l)
と数(n)を式(12)と(13)に代入した結果、平
均粒径は87nmとなった。粒径分布は、表2にSr の
関数として示す。の工程を終了したガラス基板/Al
N層/Ag層からなるサンプルの表面の状態を、セイコ
製SPAー250を用いた原子間力顕微鏡(AFM)に
て観察した結果、平均粒子径は168nmで、面積率は
0.38であった。
As a result, the area ratio (defined as the ratio of the area occupied by silver particles to the total area) was 0.20. Particle size (l) in Table 1
And the number (n) were substituted into the expressions (12) and (13), and as a result, the average particle size was 87 nm. The particle size distribution is shown in Table 2 as a function of Sr. Glass substrate after completion of step / Al
As a result of observing the state of the surface of the sample composed of the N layer / Ag layer with an atomic force microscope (AFM) using SPA-250 manufactured by Seiko, the average particle diameter was 168 nm and the area ratio was 0.38. Was.

【0070】[0070]

【表1】 [Table 1]

【0071】[0071]

【表2】 [Table 2]

【0072】B.結晶の配向性 前記およびの工程を終了したガラス基板/AlN層
/Ag層からなるサンプルについて、銀結晶の配向性を
評価した。なお、測定は、CuKαの特性X線を用い理
学製RINT−1500のX線回折(XRD)法で測定
した。
B. Crystal Orientation The sample composed of the glass substrate / AlN layer / Ag layer which had been subjected to the above steps was evaluated for silver crystal orientation. In addition, the measurement was performed by the X-ray diffraction (XRD) method of RINT-1500 manufactured by Rigaku using characteristic X-rays of CuKα.

【0073】結果、の工程が終了した成膜直後のガラ
ス基板/AlN層/Ag層のサンプルにおけるAg層
は、基板に平行にAg(111)面が成長した多結晶銀
を含むことを示している。また、の工程の熱処理を行
うことにより、前記図3で示すようにAg連続層が不連
続な粒子に変化すると、Ag(200)面の回折ピーク
の強度は多少増加した。また、表3は、Ag(111)
面の面間隔が2時間の熱処理の結果、236.6から2
35.9pmに減少することを示している。ピークの半
値幅もまた減少する傾向を示した。
As a result, it is shown that the Ag layer in the glass substrate / AlN layer / Ag layer sample immediately after the film formation after completion of the step contains polycrystalline silver having an Ag (111) plane grown parallel to the substrate. I have. When the Ag continuous layer was changed into discontinuous particles as shown in FIG. 3 by performing the heat treatment in the step, the intensity of the diffraction peak on the Ag (200) plane was slightly increased. Table 3 shows that Ag (111)
As a result of the heat treatment in which the plane spacing was 2 hours, 236.6 to 2
35.9 pm. The half width of the peak also tended to decrease.

【0074】[0074]

【表3】 [Table 3]

【0075】C.反射率 の工程が完了した成膜直後の試料と、の工程を完了
した熱処理試料の反射率スペクトルを測定した。なお、
反射スペクトルは日立製340分光光度計を用いて、室
温で、350から1800nmの範囲で測定した結果を
図4に示す。
C. Reflectance The reflectance spectra of the sample immediately after the film formation in which the step was completed and the heat-treated sample in which the step was completed were measured. In addition,
FIG. 4 shows the results of the measurement of the reflection spectrum in the range of 350 to 1800 nm at room temperature using a Hitachi 340 spectrophotometer.

【0076】Ag層の厚さをの工程が完了した成膜直
後の試料の反射率曲線から求める。4端子マトリックス
法で計算した反射率の理論曲線は、図5に示したよう
に、成膜直後のAg層の厚さが8nmのとき、測定値と
よく一致した。なお、図5は、成膜直後の試料の実験値
(○)と理論値(ー)との反射スペクトルの比較を示し
た図である。理論値は、Ag層の厚さを8nmと仮定し
て計算した。
The thickness of the Ag layer is determined from the reflectance curve of the sample immediately after film formation after the completion of the step. As shown in FIG. 5, the theoretical curve of the reflectance calculated by the four-terminal matrix method was in good agreement with the measured value when the thickness of the Ag layer immediately after film formation was 8 nm. FIG. 5 is a diagram showing a comparison of the reflection spectrum between the experimental value (○) and the theoretical value (-) of the sample immediately after film formation. The theoretical values were calculated assuming that the thickness of the Ag layer was 8 nm.

【0077】一方、表3で、加熱時間が0時間のAg
(111)ピークの半値幅を式(17)[Scherr
erの式]に代入して成膜直後のAg層中の結晶の厚み
を求めた結果、その値は10nmとなった。Ag層の厚
さは、結晶の大きさに等しいことになる。すなわち、A
g層は基板に平行なAg(111)面が成長した多結晶
銀から構成されていることを示している。
On the other hand, in Table 3, Ag having a heating time of 0 hour was used.
The half-width of the (111) peak is calculated by the equation (17) [Scherr
er's equation], and the thickness of the crystal in the Ag layer immediately after film formation was determined. As a result, the value was 10 nm. The thickness of the Ag layer will be equal to the size of the crystal. That is, A
The g layer indicates that the Ag (111) plane parallel to the substrate is composed of the grown polycrystalline silver.

【0078】[0078]

【式17】 (Equation 17)

【0079】ここで、CT : 結晶の厚み [ Å
] λ : 照射X線の波長[ Å ] Δ(2θ) : 半値幅 [radian] θ : X線の入射角度[radian] 図4に示したの工程を完了した熱処理試料の反射率曲
線から、Ag層の熱処理によって波長が780nmより
小さい入射波の反射率は増大し、780nmより長い入
射波の反射率は減少することが示された。この現象は、
粒径が入射波の波長より小さい銀粒子の分散によると考
えられる。
Here, CT: thickness of crystal [結晶
Λ: wavelength of irradiated X-ray [Å] Δ (2θ): half width [radian] θ: incidence angle of X-ray [radian] From the reflectance curve of the heat-treated sample after completing the process shown in FIG. It has been shown that heat treatment of the layer increases the reflectivity of incident waves with wavelengths shorter than 780 nm and decreases the reflectivity of incident waves longer than 780 nm. This phenomenon is
This is considered to be due to the dispersion of silver particles having a particle size smaller than the wavelength of the incident wave.

【0080】図6に示した曲線は、銀微粒子の面積平均
粒径130nm、銀粒子の厚み18nm、面積率0.4
44の波長選択膜の反射率について350nm〜180
0nmの波長範囲で、理論式(1)から求めた理論曲線
である。この曲線は、図6に黒丸で示した実施例の値と
よく一致している。ところが、表4に示したように、S
EMで観測した平均粒径は、理論粒径より小さい値であ
る。この差は、SEM観察では銀の粒径を過小に見積も
ることに原因がある。すなわち、厚さ約3nmの粒子の
裾野から散乱された2次電子の強度は弱いので、粒子の
裾野として検出できなかったためと考えられる。また、
表4に示したように銀微粒子の銀粒子の子の銀粒子の厚
みはX線的に求めた測定値と一致する。本参考例で、理
論式(1)の妥当性が証明できた。
The curve shown in FIG. 6 shows the area average particle diameter of silver fine particles of 130 nm, the thickness of silver particles of 18 nm, and the area ratio of 0.4.
The reflectance of the wavelength selection film of No. 44 is from 350 nm to 180
It is a theoretical curve calculated | required from theoretical formula (1) in the wavelength range of 0 nm. This curve is in good agreement with the values of the embodiment indicated by the black circles in FIG. However, as shown in Table 4, S
The average particle size observed by EM is a value smaller than the theoretical particle size. This difference is caused by underestimating the silver particle size in SEM observation. That is, it is considered that the intensity of the secondary electrons scattered from the base of the particle having a thickness of about 3 nm is weak, and thus the secondary electron cannot be detected as the base of the particle. Also,
As shown in Table 4, the thickness of the silver particles of the silver particles of the silver fine particles coincides with the measured value obtained by X-ray. In this reference example, the validity of the theoretical formula (1) was proved.

【0081】[0081]

【表4】 [Table 4]

【0082】参考例2 参考例1で、理論式(1)の妥当性が証明できたので、
式(1)の理論値から、波長選択膜に適した銀微粒子の
形状を求める。先ず、銀粒子系の遮弊効率(Es)は式
(18)で定義される。
Reference Example 2 In Reference Example 1, the validity of the theoretical formula (1) was proved.
From the theoretical value of the equation (1), the shape of the silver fine particles suitable for the wavelength selection film is obtained. First, the shielding efficiency (Es) of the silver particle system is defined by equation (18).

【0083】[0083]

【式18】 (Equation 18)

【0084】ここで、λ :窓ガラスに入射する電磁波
の波長 Rdp:Agを分散したガラスの反射率 Isr:エアーマス1.0における太陽の放射強度 式(1)のSr はセグメントの種々の平均サイズ(L
i)に対して一定であると仮定して、AR=0.444、
D0=8nmの銀粒子系の最大遮蔽効率を式(1)で計算
する。 図7に示したようにLi=375nmのとき、可
視光および放送波領域で、断熱ガラスの透明性を確保し
ながら、遮蔽効率は最大となる。なお図7は、銀粒子系
の遮弊効率とセグメントの平均サイズを示す図である。
遮弊効率は、AR=22 /32 、Li=18nmと仮定し
て、式(1)から算出した。Li=375nmの反射スペ
クトルの理論曲線を図9に示す。銀粒子分散AlN膜
で、375nmの理論反射スペクトル(−)とLm=130nmの
測定反射スペクトル(●)の比較を示す図である。理論
値はAR=22 /32 、Li=18nmと仮定して、式
(1)から算出した。
Here, λ: wavelength of an electromagnetic wave incident on the window glass Rdp: reflectance of glass in which Ag is dispersed Isr: radiation intensity of the sun at an air mass of 1.0 Sr in the formula (1) is various average sizes of the segments (L
AR = 0.444, assuming constant for i)
The maximum shielding efficiency of the silver particle system of D0 = 8 nm is calculated by the equation (1). As shown in FIG. 7, when Li = 375 nm, the shielding efficiency is maximized in the visible light and broadcast wave regions while ensuring the transparency of the insulating glass. FIG. 7 is a diagram showing the shielding efficiency of silver particles and the average size of segments.
Saegihei efficiency, assuming AR = 2 2/3 2, Li = 18nm, was calculated from the equation (1). FIG. 9 shows a theoretical curve of the reflection spectrum at Li = 375 nm. FIG. 7 is a diagram showing a comparison between a theoretical reflection spectrum (−) at 375 nm and a measured reflection spectrum (●) at Lm = 130 nm in a silver particle-dispersed AlN film. Theoretical values assuming AR = 2 2/3 2, Li = 18nm, was calculated from the equation (1).

【0085】Lm=Li が130nmから375nmまで増
大することにより、反射が最大となる位置は、長波長側
にシフトする。これは、近赤外線のみを反射する波長選
択スクリーンは銀粒子の大きさを調整することにより設
計できることを示している。反射率の理論値は、800
nm以下の波長域で5〜6箇所鋭く減少している。 セグ
メントは周期的に配列されているので、図2の場合、L
/λ=0.626で反射率が鋭く減少する。
As Lm = Li increases from 130 nm to 375 nm, the position where the reflection becomes maximum shifts to the longer wavelength side. This indicates that a wavelength selection screen that reflects only near-infrared rays can be designed by adjusting the size of silver particles. The theoretical value of the reflectance is 800
It sharply decreases at 5 to 6 places in the wavelength range of nm or less. Since the segments are arranged periodically, in the case of FIG.
At /λ=0.626, the reflectivity sharply decreases.

【0086】次に、代表例として、銀微粒子の面積平均
粒径が375nmの場合の波長選択ガラスの近赤外域の
遮蔽効率および可視光の透過率の銀微粒子の厚み依存性
を理論式(1)から求めた結果を表5と表6に示す。な
お、面積率は、代表値として0.444と0.826を
用いた。
Next, as a representative example, the dependence of the shielding efficiency in the near-infrared region of the wavelength-selective glass and the transmittance of visible light on the thickness of the silver fine particles when the area average particle size of the silver fine particles is 375 nm is expressed by a theoretical formula (1). ) Are shown in Tables 5 and 6. The area ratio used was 0.444 and 0.826 as representative values.

【0087】表5と表6より、近赤外域の遮蔽効率が
0.3以上を確保するためには、銀微粒子の厚みが5n
m以上必要であることがわかる。一方、銀微粒子の厚み
が30nmを越えると近赤外域の遮蔽効率は、可視光の
透過性を有しながら飽和に達する。
According to Tables 5 and 6, in order to secure a shielding efficiency in the near infrared region of 0.3 or more, the thickness of the silver fine particles must be 5n.
It is understood that m or more is necessary. On the other hand, when the thickness of the silver fine particles exceeds 30 nm, the shielding efficiency in the near infrared region reaches saturation while transmitting visible light.

【0088】式(17)のScherrerの式から求
められる銀粒子の厚さは、Agの(111)面の回折ピ
ークの半値幅に逆比例するので、粒子厚さの測定限界
は、半値幅の検出限界値で決まる。この値は、現在のX
線回折装置では、0.01度程度である。この値を式
(17)に代入すると、1μmとなる。すなわち、Sc
herrerの式は、銀粒子の厚さが1μm以下の場合
にのみ適応できる。従って、銀微粒子の好ましい厚み
は、5nm〜1μmの範囲である。なお、CuKαの特
性X線の波長は、1.5405Å、Agの(111)面
に対応するX線の入射角度は、38.12/2度であ
る。
The thickness of the silver particle obtained from the Scherrer's equation of the equation (17) is inversely proportional to the half width of the diffraction peak of the (111) plane of Ag. Determined by detection limit. This value is the current X
In a line diffractometer, the angle is about 0.01 degree. Substituting this value into equation (17) results in 1 μm. That is, Sc
The Herrer equation is applicable only when the thickness of the silver particles is 1 μm or less. Therefore, the preferred thickness of the silver fine particles is in the range of 5 nm to 1 μm. The characteristic X-ray wavelength of CuKα is 1.5405 °, and the incident angle of the X-ray corresponding to the (111) plane of Ag is 38.12.2 °.

【0089】[0089]

【表5】 [Table 5]

【0090】[0090]

【表6】 [Table 6]

【0091】代表例として、銀微粒子の厚みが20nm
の場合の波長選択ガラスの近赤外域の遮蔽効果および可
視光透過率の銀微粒子の面積平均粒径依存性を理論式
(1)から求めた結果を表7と表8に示す。表7、およ
び表8より、近赤外域の遮蔽効果が0.3以上を確保す
るためには、銀微粒子の粒径が100nm以上必要であ
ることがわかる。粒径の増大に伴い遮蔽効果は増大する
が、面積率によって異なるがある粒径以上になると減少
する。しかし、遮蔽効率が0.3以下にはならない。と
ころが、粒径が、現在使用されている放送波の内、最も
波長の短い衛星放送波の波長の1/20以上になると電
波障害が問題となる(特許登録番号2620456参
照)ので、銀粒子の粒径は0.5mm以下が望ましい。
As a typical example, the silver fine particles have a thickness of 20 nm.
Table 7 and Table 8 show the results obtained by using the theoretical formula (1) to determine the near-infrared region shielding effect and the dependence of the visible light transmittance on the area average particle diameter of the silver fine particles in the case of the above. From Tables 7 and 8, it can be seen that the particle size of the silver fine particles needs to be 100 nm or more in order to secure the shielding effect in the near infrared region of 0.3 or more. The shielding effect increases with an increase in the particle size, but decreases with a certain particle size or more depending on the area ratio. However, the shielding efficiency does not fall below 0.3. However, if the particle size is 1/20 or more of the wavelength of the shortest satellite broadcast wave among the currently used broadcast waves, radio interference becomes a problem (see Patent Registration No. 2620456). The particle size is desirably 0.5 mm or less.

【0092】[0092]

【表7】 [Table 7]

【0093】[0093]

【表8】 [Table 8]

【0094】[0094]

【実施例】以下、本発明の実施の一例を述べる。但し、
本発明は、これに限定するものではない。
An embodiment of the present invention will be described below. However,
The present invention is not limited to this.

【0095】実施例1 電波透過性波長選択ガラスは、マグネトロン・スパッタ
リング法により成膜した。 スパッタリング前に、真空槽を2×10-4Paまで真
空引きした。なお、スパッタリング中、ターゲット−ガ
ラス基板間の距離は90mmに固定した。 最下層のAlN層は、Alターゲット(直径76m
m、厚み5mm)を用いて、DC反応性スパッタで堆積
させた。反応性ガスにはN2ガスを用い、スパッタリン
グ中、N2ガス流量を調整することにより圧力を1.0P
aに制御した。 真空槽内でガラス基板/AlN層を加熱し、250℃
で保持した。 アルゴンのガス圧1.0Paで、純Agターゲット
(直径76mm、厚み5mm)を用いて、250℃に保
持したガラス基板上にAgを堆積させた。 最上層のAlN層は、最下層のAlN層と同様の方法
により、Alターゲット(直径76mm、厚み5mm)
を用いて、DC反応性スパッタで堆積させた。
Example 1 A radio wave transmitting wavelength selective glass was formed by a magnetron sputtering method. Before sputtering, the vacuum chamber was evacuated to 2 × 10 −4 Pa. During sputtering, the distance between the target and the glass substrate was fixed at 90 mm. The lowermost AlN layer is made of an Al target (having a diameter of 76 m).
m, thickness 5 mm) using DC reactive sputtering. N 2 gas was used as the reactive gas, and the pressure was adjusted to 1.0 P by adjusting the N 2 gas flow rate during sputtering.
a. Heat the glass substrate / AlN layer in a vacuum chamber at 250 ° C
Held in. Ag was deposited on a glass substrate maintained at 250 ° C. using a pure Ag target (diameter: 76 mm, thickness: 5 mm) under an argon gas pressure of 1.0 Pa. The AlN layer as the uppermost layer is made of an Al target (diameter: 76 mm, thickness: 5 mm) in the same manner as the lowermost AlN layer.
Was deposited by DC reactive sputtering.

【0096】前記工程を終了したガラス基板/AlN層
/Ag/AlN層からなるサンプルについて、下記に示
す方法により、電波透過性、銀粒子の平均粒径、平均厚
さ、反射率の測定を行った。
With respect to the sample composed of the glass substrate / AlN layer / Ag / AlN layer after the above steps, the radio wave transmission, the average particle diameter of silver particles, the average thickness and the reflectance were measured by the following methods. Was.

【0097】A.電波透過性 前記の工程を終了したガラス基板/AlN層/Ag層
/AlN層からなるサンプルの表面抵抗率(Ω/sq)
を、シシド電気社製の表面抵抗測定器(MEGARESTA H070
9)で測定した結果、9.9×1012Ω/sq以上であり、
電波透過性は十分満足する。
A. Radio wave permeability Surface resistivity (Ω / sq) of the sample composed of the glass substrate / AlN layer / Ag layer / AlN layer after the above process
The surface resistance measurement device (MEGARESTA H070
As a result of the measurement in 9), it is 9.9 × 10 12 Ω / sq or more,
Radio wave transmission is satisfactory enough.

【0098】B.銀粒子の粒径分布 前記の工程を終了したガラス基板/AlN層/Ag層
からなるサンプルの表面の状態を、日立製作所製S−4
500を用いた電界放射型走査電子顕微鏡(FE−SE
M)で観察し、その画像をCybemetics社製の画像解析ソ
フトImage-ProPLUSを用いて解析した結果、平均粒子径
は335nmで、面積率は0.78であった。
B. Particle Size Distribution of Silver Particles The state of the surface of the sample composed of the glass substrate / AlN layer / Ag layer which has been subjected to the above-mentioned steps is shown by S-4 manufactured by Hitachi, Ltd.
Field emission scanning electron microscope (FE-SE)
M), and the image was analyzed using Image-ProPLUS, an image analysis software manufactured by Cybemetics. As a result, the average particle diameter was 335 nm and the area ratio was 0.78.

【0099】C.銀粒子の平均厚さ 前記の工程を終了したガラス基板/AlN層/Ag層
/AlN層からなるサンプルの銀結晶の配向性を、Cu
Kαの特性X線を用い理学製RINT−1500のX線
回折(XRD)法で測定した。その結果をもとに、Ag
(111)ピークの半値幅を式(17)[Scherr
erの式]に代入して成膜直後のAg層中の結晶の厚み
を求めた結果、その値は27nmであった。
C. Average Thickness of Silver Particles The orientation of the silver crystal of the sample composed of the glass substrate / AlN layer / Ag layer / AlN layer after the above-described steps was determined by Cu
The characteristic X-ray of Kα was measured by an X-ray diffraction (XRD) method of RINT-1500 manufactured by Rigaku. Based on the result, Ag
The half-width of the (111) peak is calculated by the equation (17) [Scherr
er's equation] and the thickness of the crystal in the Ag layer immediately after the film formation was determined. The result was 27 nm.

【0100】[0100]

【式17】 (Equation 17)

【0101】ここで、CT : 結晶の厚み [ Å
] λ : 照射X線の波長[ Å ] Δ(2θ) : 半値幅 [radian] θ : X線の入射角度[radian] D.反射率 前記の工程を完了した試料の反射スペクトルは日立製
U−4000型自記分光光度計を用いて、340nmか
ら1800nmの範囲で測定した。その結果、加熱した
基板にAgを堆積させて、微粒子化することにより、図
9に示すように、波長850nmにおける反射率が80
%と非常に高い値を示した。
Here, CT: thickness of crystal [結晶
Λ: wavelength of irradiated X-rays [Å] Δ (2θ): half-width [radian] θ: incident angle of X-rays [radian] D. Reflectance The reflection spectrum of the sample which has completed the above process is U- The measurement was performed in the range of 340 nm to 1800 nm using a 4000 type self-recording spectrophotometer. As a result, Ag is deposited on the heated substrate to form fine particles, so that the reflectance at a wavelength of 850 nm is 80, as shown in FIG.
% And a very high value.

【0102】実施例2 電波透過性波長選択ガラスは、マグネトロン・スパッタ
リング法により成膜した。 スパッタリング前に、真空槽を2×10-4Paまで真
空引きした。なお、スパッタリング中、ターゲット−ガ
ラス基板間の距離は90mmに固定した。 最下層のAlN層は、Alターゲット(直径76m
m、厚み5mm)を用いて、DC反応性スパッタで堆積
させた。スパッタリング中、N2ガス流量を調整するこ
とにより圧力を1.0Paに制御した。 真空槽内でガラス基板/AlN層を加熱し、250℃
で保持した。 アルゴンのガス圧1.0Paで、純Agターゲット
(直径76mm、厚み5mm)を用いて、250℃に保
持したガラス基板上にAg第一層を堆積させた。 Ag第一層を堆積させた後、ガラス基板温度を室温に
まで冷却した。 室温にまで冷却した後、Ag第二層をAg第一層と同
じスパッタリング条件で堆積させた。 Ag第二層を成膜直後、ガラス基板/Ag第一層/A
g第二層をスパッタリング槽内で2×10-4Pa、20
0℃で2時間加熱処理した。 最上層のAlN層は、最下層のAlN層と同様の方法
により、Alターゲット(直径76mm、厚み5mm)
を用いて、DC反応性スパッタで堆積させた。
Example 2 A radio wave transmitting wavelength selective glass was formed by a magnetron sputtering method. Before sputtering, the vacuum chamber was evacuated to 2 × 10 −4 Pa. During sputtering, the distance between the target and the glass substrate was fixed at 90 mm. The lowermost AlN layer is made of an Al target (having a diameter of 76 m).
m, thickness 5 mm) using DC reactive sputtering. During sputtering, the pressure was controlled at 1.0 Pa by adjusting the N 2 gas flow rate. Heat the glass substrate / AlN layer in a vacuum chamber at 250 ° C
Held in. Using a pure Ag target (diameter: 76 mm, thickness: 5 mm) under an argon gas pressure of 1.0 Pa, an Ag first layer was deposited on a glass substrate maintained at 250 ° C. After depositing the Ag first layer, the glass substrate temperature was cooled to room temperature. After cooling to room temperature, a second Ag layer was deposited under the same sputtering conditions as the first Ag layer. Immediately after forming the Ag second layer, the glass substrate / Ag first layer / A
g The second layer is placed in a sputtering tank at 2 × 10 −4 Pa, 20
Heat treatment was performed at 0 ° C. for 2 hours. The AlN layer as the uppermost layer is made of an Al target (diameter: 76 mm, thickness: 5 mm) by the same method as the lowermost AlN layer.
Was deposited by DC reactive sputtering.

【0103】前記工程を終了したガラス基板/AlN層
/Ag第一層/Ag第二層/AlN層からなるサンプル
について、実施例1と同じ方法により、電波透過性、銀
粒子の平均粒径、平均厚さ、反射率の測定を行った。
For the sample composed of the glass substrate / AlN layer / Ag first layer / Ag second layer / AlN layer after the above steps, the radio wave transmission, the average particle size of silver particles, The average thickness and the reflectance were measured.

【0104】A.電波透過性 前記の工程を終了したガラス基板/AlN層/Ag第
一層/Ag第二層/AlN層からなるサンプルの表面抵
抗率(Ω/sq)を測定した結果、9.9×101 2Ω/sq
以上であり、電波透過性は十分満足する。
A. Radio Wave Transmittance As a result of measuring the surface resistivity (Ω / sq) of the sample composed of the glass substrate / AlN layer / Ag first layer / Ag second layer / AlN layer after the above-mentioned steps, 9 .9 × 10 1 2 Ω / sq
As described above, the radio wave transmittance is sufficiently satisfied.

【0105】B.銀粒子の平均粒径 前記の工程を終了したガラス基板/AlN層/Ag第
一層/Ag第二層層からなるサンプルの表面の状態を、
実施例1と同じ方法で電界放射型走査電子顕微鏡(FE
−SEM)で観察し、その画像を解析した結果、平均粒
子径は350nmで、面積率は0.74であった。
B. Average Particle Size of Silver Particles The state of the surface of the sample composed of the glass substrate / AlN layer / Ag first layer / Ag second layer after the above-mentioned steps is
In the same manner as in Example 1, a field emission scanning electron microscope (FE) was used.
-SEM), and the image was analyzed. As a result, the average particle diameter was 350 nm and the area ratio was 0.74.

【0106】C.Ag粒子の平均厚さ 前記の工程を終了したガラス基板/AlN層/Ag第
一層/Ag第二層/AlN層からなるサンプルの銀結晶
の配向性を、理学製RINT−1500のX線回折(X
RD)法で測定した。その結果をもとに、Ag(11
1)ピークの半値幅を式(17)に代入して成膜直後の
Ag層中の結晶の厚みを求めた結果、その値は28nm
であった。
C. Average Thickness of Ag Particles The orientation of the silver crystal of the sample composed of the glass substrate / AlN layer / Ag first layer / Ag second layer / AlN layer after the above process was completed was measured by RINT-RINT- X-ray diffraction of 1500 (X
RD) method. Based on the result, Ag (11
1) The half-width of the peak was substituted into the equation (17), and the thickness of the crystal in the Ag layer immediately after the film formation was obtained.
Met.

【0107】D.反射率 前記の工程を完了した試料の反射スペクトルを、34
0nmから1800nmの範囲で測定した。その結果、
加熱した基板にAg第一層を堆積させたのち冷却し、A
g第二層膜を堆積させて熱処理することにより、図10
に示すように、波長950nmにおける反射率が73%
と非常に高い値を示した。このように、長波長側で反射
率が最大となるのは、加熱した基板にAg第一層を堆積
させることで、核となる均一なAg微粒子が形成され、
さらに、この上にAg第二層を堆積させて加熱処理する
ことで、このAg核が粗粒化するためであると考えられ
る。
D. Reflectance The reflection spectrum of the sample after completing the above-mentioned steps was
The measurement was performed in a range from 0 nm to 1800 nm. as a result,
The first Ag layer is deposited on the heated substrate and then cooled,
10g by depositing a second layer film and performing a heat treatment.
As shown in the figure, the reflectance at a wavelength of 950 nm is 73%.
And very high values. As described above, the reflectance is maximized on the long wavelength side because uniform Ag fine particles serving as nuclei are formed by depositing the Ag first layer on the heated substrate,
Further, it is considered that the Ag nucleus is coarsened by depositing a second Ag layer thereon and performing a heat treatment.

【0108】[0108]

【発明の効果】本発明は、TV放送、衛星放送、携帯電
話それぞれの周波数帯域の電波に対して反射率を低減さ
せるとともに、充分な日射遮蔽性能と可視光線透過性を
有するので、TV画面にゴーストを発生させたり、携帯
電話が通じなくなったり、或いはガラスアンテナの利得
が悪くなったり等の電波障害がなく、且つ日射を充分に
遮蔽される等快適な生活をすることが可能である。
According to the present invention, the reflectance of radio waves in the respective frequency bands of TV broadcasting, satellite broadcasting, and portable telephones is reduced, and sufficient solar shading performance and visible light transmission are provided. It is possible to live a comfortable life without causing radio interference such as generation of a ghost, loss of communication with a mobile phone, or deterioration of the gain of a glass antenna, and sufficient shielding of solar radiation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】散乱体の幾何学的図面を示す。FIG. 1 shows a geometrical drawing of a scatterer.

【図2】AR=22 /32 の分割係数(Esg)とL/λ
(セグメントの大きさと入射光の波長の比)との関係を
示す図である。
[Figure 2] AR = 2 2/3 2 of the division factor (Esg) and L / λ
FIG. 6 is a diagram illustrating a relationship between (segment size and wavelength ratio of incident light).

【図3】銀分散AlN層のSEM顕微鏡写真を示す図で
ある。
FIG. 3 is a view showing a SEM micrograph of a silver-dispersed AlN layer.

【図4】熱処理前後の反射率を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing reflectance before and after heat treatment.

【図5】成膜直後の試料の実験(○)と理論(−)反射
スペクトルの比較を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a comparison between an experiment (○) and a theoretical (−) reflection spectrum of a sample immediately after film formation.

【図6】銀分散AlN膜の反射スペクトルの実験値
(●)と理論値(−)比較を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a comparison between an experimental value (●) and a theoretical value (−) of the reflection spectrum of a silver-dispersed AlN film.

【図7】銀粒子系の遮蔽効果とセグメントの平均サイズ
との関係を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a shielding effect of a silver particle system and an average size of a segment.

【図8】銀粒子分散AlN膜で、Lm=375nmの理
論反射スペクトル(−)とLm=130nmの測定反射
スペクトル(●)の比較を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a comparison between a theoretical reflection spectrum (−) at Lm = 375 nm and a measurement reflection spectrum (●) at Lm = 130 nm in a silver particle-dispersed AlN film.

【図9】実施例1における電波透過性波長選択ガラスの
反射特性図。
FIG. 9 is a reflection characteristic diagram of the radio wave transmitting wavelength selective glass in Example 1.

【図10】実施例2における電波透過性波長選択ガラス
の反射特性図。
FIG. 10 is a reflection characteristic diagram of the radio wave transmitting wavelength selective glass in Example 2.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小南 昌信 大阪府枚方市北山1丁目47−9 Fターム(参考) 4G059 AA01 AC06 AC30 DA01 DB01 EA12 EB04 GA01 GA02  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Masanobu Konan 1-47-9 Kitayama, Hirakata-shi, Osaka F-term (reference) 4G059 AA01 AC06 AC30 DA01 DB01 EA12 EB04 GA01 GA02

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】加熱したガラス基板表面、またはガラス基
板上にAlN層(窒化アルミ層)を被覆したのち加熱し
た表面に、スパッタリング法、CVD法、熱スプレー
法、真空蒸着法、イオンプレーテイング法の内の何れか
の方法により連続層よりなるAg層を成膜することによ
り粒状のAgよりなるAg層に変化生成させることを特
徴とする電波透過性波長選択基板の製造方法。
1. A sputtering method, a CVD method, a thermal spraying method, a vacuum evaporation method, an ion plating method, on a heated glass substrate surface or on a heated surface after coating an AlN layer (aluminum nitride layer) on the glass substrate. A method for producing a radio wave transmitting wavelength selective substrate, characterized in that an Ag layer made of a continuous layer is formed by any one of the methods described above to thereby change into an Ag layer made of granular Ag.
【請求項2】粒状よりなるAg層の表面に、さらに第2
の連続層よりなるAg層を成膜させたのち熱処理するこ
とにより該第2の連続層よりなるAg層を粒状のAg層
に変化生成させることを特徴とする請求項1記載記載の
電波透過性波長選択基板の製造方法。
2. The method according to claim 2, further comprising the step of:
2. The radio wave transmittance according to claim 1, wherein the Ag layer formed of the second continuous layer is formed into a granular Ag layer by heat treatment after forming the Ag layer formed of the continuous layer. A method for manufacturing a wavelength selection substrate.
【請求項3】ガラス基板表面、またはガラス基板上にA
lN層(窒化アルミ層)を被覆した表面に、CVD法、
熱スプレー法、真空蒸着法、イオンプレーテイング法の
内のいずれかの方法により、連続層よりなるAg層を成
膜したのち、熱処理をすることにより、粒状のAgより
なるAg層に変化生成させることを特徴とする電波透過
性波長選択ガラスの製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein A is on the surface of the glass substrate or on the glass substrate.
The surface coated with the 1N layer (aluminum nitride layer) is coated with a CVD method,
An Ag layer consisting of a continuous layer is formed by any one of a thermal spraying method, a vacuum evaporation method, and an ion plating method, and then heat-treated to be changed into an Ag layer consisting of granular Ag. A method for producing a radio wave transmitting wavelength selective glass, comprising:
【請求項4】粒状のAgよりなるAg層上に、さらに透
明誘電体層を被覆することを特徴とする請求項1乃至3
記載の電波透過性波長選択基板の製造方法。
4. The method according to claim 1, wherein a transparent dielectric layer is further coated on the Ag layer made of granular Ag.
A method for producing the radio wave transmitting wavelength selective substrate according to the above.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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