JP2000339606A

JP2000339606A - 磁気ヘッド装置

Info

Publication number: JP2000339606A
Application number: JP11143415A
Authority: JP
Inventors: Kazumasa Shiraishi; 一雅白石; Takeshi Wada; 健和田; Mitsuyoshi Kawai; 満好川合
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-05-24
Filing date: 1999-05-24
Publication date: 2000-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】ＩＣチップの発熱量をより効果的に放熱でき
る磁気ヘッド装置を提供する。【解決手段】少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を
有する磁気ヘッドスライダと、磁気ヘッドスライダを支
持する支持機構と、薄膜磁気ヘッド素子用の回路を搭載
したＩＣチップと、支持機構上に取り付けられておりＩ
Ｃチップがボンディング実装される配線部材とを備えた
磁気ヘッド装置であって、ＩＣチップが、実装に必要と
されるボンディングバンプの他に複数の放熱用ボンディ
ングバンプを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
に用いられる磁気ヘッド装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の磁気ディスク装置では、磁気ヘ
ッド装置のサスペンションの先端部に取り付けられた磁
気ヘッドスライダを、回転する磁気ディスクの表面から
浮上させ、その状態で、この磁気ヘッドスライダに搭載
された薄膜磁気ヘッド素子により磁気ディスクへの記録
及び／又は磁気ディスクからの再生が行われる。

【０００３】近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高
密度記録化に伴い、記録周波数の高周波数化が進んでお
り、これを実現する手段の一つとして提案されているの
が、磁気ヘッド素子用の駆動回路をＩＣチップ化し、支
持機構であるサスペンション上に搭載するようにした磁
気ヘッド装置構造である。この構造をとることにより、
駆動回路から磁気ヘッド素子までの配線距離が短くなる
ので、ヘッド駆動信号に付加される不要なノイズを低減
することが可能となり、その結果、高周波領域における
記録特性が向上する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】この構造を採用した場
合、問題となるのがＩＣチップの発熱である。即ち、記
録時にＩＣチップに流れる書き込み電流によって、この
ＩＣチップが発熱し高温となる可能性があるため、ＩＣ
チップ自体の保護のために放熱対策を考えることが必須
となる。

【０００５】また、より高いノイズ低減効果を得るため
にＩＣチップは、薄膜磁気ヘッド素子の極力近傍に取り
付けるべきであるが、前述の通り、薄膜磁気ヘッド素子
は、磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化のた
めに高い読取り感度を必要とし熱に対しても非常に敏感
であることから、高温となるＩＣチップを磁気ヘッド素
子の近傍に位置させることが難しくなり、その配置に制
限が生じる。最悪の場合、特性を犠牲にして、ＩＣチッ
プの駆動電圧を下げる必要があるかもしれない。

【０００６】そこで、ＩＣチップをサスペンションの磁
気ディスクに対向する側の面上に取り付け、磁気ディス
クが回転することによって生じる空気流によって冷却す
ることが一般に行われているが、空冷によるその冷却効
果は十分ではない。

【０００７】従って本発明は、従来技術の上述した問題
点を解消するものであり、その目的は、ＩＣチップの発
熱量をより効果的に放熱できる磁気ヘッド装置を提供す
ることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、少なく
とも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスラ
イダと、磁気ヘッドスライダを支持する支持機構と、薄
膜磁気ヘッド素子用の回路を搭載したＩＣチップと、支
持機構上に取り付けられておりＩＣチップがボンディン
グ実装される配線部材とを備えた磁気ヘッド装置であっ
て、ＩＣチップが、実装に必要とされるボンディングバ
ンプの他に複数の放熱用ボンディングバンプを備えてい
る磁気ヘッド装置が提供される。

【０００９】ＩＣチップが、実装に必要とされる通常の
ボンディングバンプを備えているのは当然であるが、こ
れらに加えて、複数の放熱用ボンディングバンプを備え
ている。これら余分に設けられた複数の放熱用ボンディ
ングバンプは、ＩＣチップが配線部材にボンディング実
装された際に配線部材又は支持機構に当接している。従
って、ＩＣチップの熱は、通常のボンディングバンプを
介するものに加えてこれら放熱用ボンディングバンプを
介して熱伝導により支持機構側へ逃げるため、非常に効
果的に放熱が行われることとなり、ＩＣチップの発熱温
度の大幅な低減が可能となる。その結果、支持機構であ
るサスペンション上でのＩＣチップの配置に関する設計
の自由度が大幅に増して、高周波数域における磁気特性
を向上させることが可能となる。もちろん、ＩＣチップ
の駆動電圧を低下させねばならないような不都合も生じ
ない。

【００１０】放熱用ボンディングバンプが、放熱専用の
ダミーバンプであることが好ましい。

【００１１】この場合、配線部材が、複数のダミーバン
プにそれぞれ接合された複数のダミーパッドを有してい
ることが好ましい。ダミーパッドが、ダミーバンプの径
より小さな径を有しているかもしれない。

【００１２】配線部材が、複数のダミーバンプに接合さ
れた単一のダミーパッドを有していることも好ましい。

【００１３】配線部材が、ダミーバンプに対応する位置
に接続パッドを有していないことも好ましい。この場
合、配線部材が、ダミーバンプに対応する位置に絶縁層
を有しているかもしれない。

【００１４】また、ダミーバンプに対応する位置に配線
部材が存在せず、ダミーバンプが支持機構に直接接合し
ていることも好ましい。

【００１５】放熱用ボンディングバンプが、電源又はグ
ランドに接続される放熱兼用のボンディングバンプであ
ることも好ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態とし
て、磁気ヘッド装置の全体を示す平面図である。

【００１７】同図に示すように、磁気ヘッド装置は、サ
スペンション１０の先端部に磁気ヘッド素子を備えたス
ライダ１１を固着すると共に、そのサスペンション１０
の途中にヘッド駆動用ＩＣチップ１２を装着して構成さ
れるヘッド−サスペンションアセンブリである。スライ
ダ１１及びヘッド駆動用ＩＣチップ１２は、磁気ディス
ク媒体の表面に対向するように、サスペンション１０の
磁気ディスク媒体と対向する側の面上に取り付けられて
いる。

【００１８】サスペンション１０は、スライダ１１を一
方の端部に設けられた舌部で担持しかつＩＣチップ１２
をその途中で支持する弾性を有するフレクシャ１３と、
フレクシャ１３を支持固着しておりこれも弾性を有する
ロードビーム１４と、ロードビーム１４の基部に設けら
れたベースプレート１５とから主として構成されてい
る。

【００１９】ロードビーム１４は、スライダ１１を磁気
ディスク方向に押さえつけるための弾性を持っている。
一方、フレクシャ１３は、ロードビーム１４との間に設
けられたディンプルを中心とする軟らかい舌部を持ち、
この舌部でスライダ１１を柔軟に支えるような弾性を持
っている。本実施形態のように、フレクシャ１３とロー
ドビーム１４とが独立した部品である３ピース構造のサ
スペンションでは、フレクシャ１３の剛性はロードビー
ム１４の剛性より低くなっている。

【００２０】ＩＣチップ１２内には、ヘッドアンプであ
る駆動回路がＩＣ化されて搭載されている。ＩＣチップ
１２の大きさとしては、単なる一例であるが、１．０ｍ
ｍ×１．０ｍｍ×０．２５ｍｍである。

【００２１】サスペンション１０の長さ方向の中間部に
は、スライダ１１が取り付けられる面と同じ面（磁気デ
ィスク媒体と対向する側の面）上にＩＣチップ１２が実
装されている。なお、この実装位置は、本実施形態で
は、サスペンション１０上の、冷却効果及び電磁気特性
の向上、並びに実装における容易性等から決まる位置に
設定される。

【００２２】フレクシャ１３は、本実施形態では、厚さ
約２５μｍのステンレス鋼板（例えばＳＵＳ３０４Ｔ
Ａ）によって構成されており、ロードビーム１４の幅よ
り小さい一様な幅を有する形状に形成されている。

【００２３】フレクシャ１３上には、薄膜パターンによ
る複数のリード導体(入出力信号線)を含む配線部材１６
が形成されており、この配線部材１６の一端はフレクシ
ャ１３の先端に設けられた磁気ヘッドスライダ１１の端
子電極に接続されており、他端はＩＣチップ１２を介し
て外部回路と接続するための接続パッド１７に接続され
ている。配線部材１６は、フレクシブルプリント基板
（ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔＣｉｒｃｕｉｔ、Ｆ
ＰＣ）のごとく金属薄板上にプリント基板を作成するの
と同じ公知のパターニング方法で形成されている。例え
ば、厚さ約５μｍのポリイミド等の樹脂材料による第１
の絶縁性材料層、パターン化された厚さ約４μｍのＣｕ
層（リード導体層）及び厚さ約５μｍのポリイミド等の
樹脂材料による第２の絶縁性材料層をこの順序でフレク
シャ１３側から順次積層することによって形成される。
ただし、磁気ヘッドスライダ及び外部回路と接続するた
めの接続電極部分並びにＩＣチップ１２との接続パッド
の部分は、Ｃｕ層上にＡｕ層が積層形成されており、そ
の上に絶縁性材料層は形成されていない。

【００２４】ロードビーム１４は、先端に向けて幅が狭
くなる形状の約６０〜６５μｍ厚の弾性を有するステン
レス鋼板で構成されており、フレクシャ１３をその全長
に渡って支持している。ただし、フレクシャ１３とロー
ドビーム１４との固着は、複数の溶接点によるピンポイ
ント固着によってなされている。

【００２５】ベースプレート１５は、ステンレス鋼又は
鉄で構成されており、ロードビーム１４の基部に溶接に
よって固着されている。このベースプレート１５を取り
付け部１８で固定することによって、サスペンション１
０の可動アーム（図示なし）への取り付けが行われる。
なお、フレクシャ１３とロードビーム１４とを別個に設
けず、ベースプレートとフレクシャ−ロードビームとの
２ピース構造のサスペンションとしてもよい。

【００２６】前述したように、サスペンション１０の先
端部において、フレクシャ１３の舌部上には、磁気ヘッ
ド素子を備えたスライダ１１が実装されている。図に示
すように、必要数の入出力信号線を構成する配線部材１
６は、スライダ１１の両側を通り、フレクシャ１３の先
端に延びており、この先端から折り返されて、スライダ
１１に設けられた入出力電極に接続されている。

【００２７】図２は図１の実施形態におけるＩＣチップ
１２の底面を示す斜視図であり、図３は図１の実施形態
におけるサスペンション１０のＩＣチップ１２を実装す
る部分を模式的に示す平面図であり、図４は図１の実施
形態におけるＩＣチップ１２の実装状態を示す断面図で
ある。なお、図４はＩＣチップ１２については図２のＡ
−Ａ線断面に相当している。

【００２８】図２及び図４からも明らかのように、本実
施形態において、ベアチップであるＩＣチップ１２の底
面１２ａには、このＩＣチップ１２の実装の際の電気的
接続に必要とされる通常のボンディングバンプ２０に加
えて、その底面１２ａの空いている部分に多数の放熱専
用のダミーバンプ２１が形成されている。これらダミー
バンプ２１は、ＩＣチップの保護膜上に形成されてお
り、電気的にどこにも接続されていないフローティング
状態となっている。

【００２９】一方、図３に示すように、サスペンション
１０のフレクシャ１３上に設けられた配線部材１６側に
は、ＩＣチップ１２の通常のボンディングバンプ２０に
対応する位置にのみ接続パッド２２が形成されており、
ＩＣチップ１２のダミーバンプ２１に対応する位置には
接続パッドは形成されておらず絶縁材料層が設けられて
いる。

【００３０】図２に示すＩＣチップ１２を裏返して図３
の配線部材１６上の所定位置に載置しボンディング実装
した状態が図４に示されている。配線部材１６は、図４
に示すように、第１の絶縁性材料層２３、パターン化さ
れたリード導体層２４及び第２の絶縁性材料層２５をこ
の順序でフレクシャ１３側から順次積層することによっ
て形成されている。ベアチップであるＩＣチップ１２
は、リード導体層２４の途中に設けられた接続パッド２
２に対して金のボンディングバンプ２０によって接合さ
れている。また、ダミーバンプ２１は絶縁性材料層２５
に接合されている。ＩＣチップ１２の底面と配線部材１
６との間隙には、放熱特性の向上、機械的強度の向上及
びＩＣチップ１２の被覆のためのアンダーフィル材２６
が充填されている。

【００３１】ＩＣチップ１２で生じた熱は、以下の3つ
のルートで伝導し放熱される。まず第１のルートとし
て、ＩＣチップ１２の端子と配線部材１６とを接続して
いるバンプを伝い、サスペンション１０側に伝導する。
第２のルートとして、サスペンション１０とＩＣチップ
１２との隙間に充填されているアンダーフィル材２６を
伝ってサスペンション１０側に伝導する。第３のルート
として、ＩＣチップの周囲の空気を介しての放熱であ
る。この中でも、最も効果的に放熱されるのが、金属同
士の接合であるバンプを伝うルートである。金属は、樹
脂や空気に対して、非常に高い熱伝導率を有しているこ
とは周知の通りである。本発明は、この最も熱伝導率の
高いバンプを増やすことで、より効率良く放熱させてい
るのである。

【００３２】即ち、本実施形態のように、ＩＣチップ１
２に多数のダミーバンプ２１を設けてこれらをサスペン
ション１０側の配線部材１６に接合させることにより、
ＩＣチップ１２の熱が熱伝導によりサスペンション側へ
導かれるため、放熱効果が大幅に向上し、ＩＣチップ１
２の発熱温度の大幅な低減が可能となる。その結果、サ
スペンション１０上でのＩＣチップ１２の配置に関する
設計の自由度が大幅に増して、高周波数域における磁気
特性を向上させることが可能となる。

【００３３】また、ダミーバンプ２１がハンダバンプで
ある場合、その接合相手が樹脂材料による絶縁性材料層
であると、ハンダが溶けにくくなり、ＩＣチップ１２の
底面と配線部材１６の表面との距離を一定値に制御する
ことができる。

【００３４】図５は、本発明の他の実施形態におけるサ
スペンションのＩＣチップを実装する部分を模式的に示
す平面図である。

【００３５】本実施形態においては、ＩＣチップ１２の
構成は図１の実施形態の場合と全く同様である。即ち、
図２に示すように、ベアチップであるＩＣチップ１２の
底面１２ａには、このＩＣチップ１２の実装の際の電気
的接続に必要とされる通常のボンディングバンプ２０に
加えて、その底面１２ａの空いている部分に多数の放熱
専用のダミーバンプ２１が形成されている。これらダミ
ーバンプ２１は、ＩＣチップの保護膜上に形成されてお
り、電気的にどこにも接続されていないフローティング
状態となっている。

【００３６】一方、図５に示すように、サスペンション
１０のフレクシャ１３上に設けられた配線部材１６側に
は、ＩＣチップ１２の通常のボンディングバンプ２０に
対応する位置に接続パッド２２が形成されており、さら
に、ＩＣチップ１２の多数のダミーバンプ２１にそれぞ
れ対応する位置にもＣｕ層パターンによる多数のダミー
パッド２７が形成されている。これらダミーパッド２７
は、通常の接続パッド２２と同じ寸法（径）を有してお
り、電気的にどこにも接続されていないフローティング
状態となっている。

【００３７】従って、磁気ヘッド装置としては、図２に
示すＩＣチップ１２を裏返して図５の配線部材１６上の
所定位置に載置しボンディング実装した状態となってお
り、このとき、ＩＣチップ１２の通常のボンディングバ
ンプ２０は接続パッド２２に、ダミーバンプ２１はダミ
ーパッド２７にそれぞれ接合されている。

【００３８】本実施形態においても、ＩＣチップ１２に
多数のダミーバンプ２１を設けてこれらをサスペンショ
ン１０側の配線部材１６に接合させることにより、ＩＣ
チップ１２の熱が熱伝導によりサスペンション側へ導か
れるため、放熱効果が大幅に向上し、ＩＣチップ１２の
発熱温度の大幅な低減が可能となる。その結果、サスペ
ンション１０上でのＩＣチップ１２の配置に関する設計
の自由度が大幅に増して、高周波数域における磁気特性
を向上させることが可能となる。

【００３９】図６は本発明のさらに他の実施形態におけ
るＩＣチップの底面を示す斜視図であり、図７はこの実
施形態におけるサスペンションのＩＣチップを実装する
部分のみを拡大して示す平面図である。

【００４０】本実施形態においては、ＩＣチップ１２の
構成は図２の場合と多少異なっている。即ち、図６に示
すように、ベアチップであるＩＣチップ１２の底面１２
ａには、このＩＣチップ１２の実装の際の電気的接続に
必要とされる通常のボンディングバンプ２０に加えて、
その底面１２ａの空いている部分に多数の放熱兼用のボ
ンディングバンプ２８及び２９が形成されている。ボン
ディングバンプ２８はＩＣチップ１２内の電源ラインに
接続されており、ボンディングバンプ２９はＩＣチップ
１２内のグランドラインに接続されている。

【００４１】一方、図７に示すように、サスペンション
１０のフレクシャ１３上に設けられた配線部材１６側に
は、ＩＣチップ１２の通常のボンディングバンプ２０に
対応する位置に接続パッド２２が形成されており、さら
に、ＩＣチップ１２の多数の放熱兼用のボンディングバ
ンプ２８及び２９にそれぞれ対応する位置にもＣｕ層及
びＡｕ層の２層パターンによる多数の接続パッド３０及
び３１が形成されている。これら接続パッド３０及び３
１は、通常の接続パッド２２と同じ寸法（径）を有して
おり、接続パッド３０は配線部材１６の電源ラインに接
続されており、接続パッド３１は配線部材１６のグラン
ドラインに接続されている。

【００４２】従って、磁気ヘッド装置としては、図６に
示すＩＣチップ１２を裏返して図７の配線部材１６上の
所定位置に載置しボンディング実装した状態となってお
り、このとき、ＩＣチップ１２の通常のボンディングバ
ンプ２０は接続パッド２２に、電源ボンディングバンプ
２８は電源接続パッド３０に、グランドボンディングバ
ンプ２９はグランド接続パッド３１にそれぞれ接合され
ている。

【００４３】本実施形態においても、ＩＣチップ１２に
多数の放熱兼用ボンディングバンプ２８及び２９を設け
てこれらをサスペンション１０側の配線部材１６の接続
パッドに接合させることにより、電源供給及びグランド
接続として電気的にも有効に機能すると共に、ＩＣチッ
プ１２の熱を熱伝導によりサスペンション側へ導くよう
にも機能する。後者の機能により、放熱効果が大幅に向
上し、ＩＣチップ１２の発熱温度の大幅な低減が可能と
なる。その結果、サスペンション１０上でのＩＣチップ
１２の配置に関する設計の自由度が大幅に増して、高周
波数域における磁気特性を向上させることが可能とな
る。

【００４４】図８は、本発明のまたさらに他の実施形態
におけるサスペンションのＩＣチップを実装する部分を
模式的に示す平面図である。

【００４５】本実施形態においては、ＩＣチップ１２の
構成は図１の実施形態の場合と全く同様である。即ち、
図２に示すように、ベアチップであるＩＣチップ１２の
底面１２ａには、このＩＣチップ１２の実装の際の電気
的接続に必要とされる通常のボンディングバンプ２０に
加えて、その底面１２ａの空いている部分に多数の放熱
専用のダミーバンプ２１が形成されている。これらダミ
ーバンプ２１は、ＩＣチップの保護膜上に形成されてお
り、電気的にどこにも接続されていないフローティング
状態となっている。

【００４６】一方、図８に示すように、サスペンション
１０のフレクシャ１３上に設けられた配線部材１６側に
は、ＩＣチップ１２の通常のボンディングバンプ２０に
対応する位置に接続パッド２２が形成されており、さら
に、ＩＣチップ１２の多数のダミーバンプ２１にそれぞ
れ対応する位置にもＣｕ層パターンによる多数のダミー
パッド３２が形成されている。ただし、これらダミーパ
ッド３２は、通常の接続パッド２２及びダミーバンプ２
１より小さな寸法（径）を有しており、電気的にどこに
も接続されていないフローティング状態となっている。

【００４７】従って、磁気ヘッド装置としては、図２に
示すＩＣチップ１２を裏返して図８の配線部材１６上の
所定位置に載置しボンディング実装した状態となってお
り、このとき、ＩＣチップ１２の通常のボンディングバ
ンプ２０は接続パッド２２に、ダミーバンプ２１はダミ
ーパッド３２にそれぞれ接合されている。

【００４８】本実施形態においても、ＩＣチップ１２に
多数のダミーバンプ２１を設けてこれらをサスペンショ
ン１０側の配線部材１６に接合させることにより、ＩＣ
チップ１２の熱が熱伝導によりサスペンション側へ導か
れるため、放熱効果が大幅に向上し、ＩＣチップ１２の
発熱温度の大幅な低減が可能となる。その結果、サスペ
ンション１０上でのＩＣチップ１２の配置に関する設計
の自由度が大幅に増して、高周波数域における磁気特性
を向上させることが可能となる。

【００４９】しかも、ダミーバンプ２１がハンダバンプ
である場合、その接合相手であるダミーパッド３２の径
がダミーバンプの径より小さく設定されているので、ハ
ンダフィレットの高さが小さくならないため、ＩＣチッ
プ１２の底面と配線部材１６の表面との距離を一定値に
制御することができる。

【００５０】図９は、本発明のさらに他の実施形態にお
けるサスペンションのＩＣチップを実装する部分を模式
的に示す平面図である。

【００５１】本実施形態においても、ＩＣチップ１２の
構成は図１の実施形態の場合と全く同様である。即ち、
図２に示すように、ベアチップであるＩＣチップ１２の
底面１２ａには、このＩＣチップ１２の実装の際の電気
的接続に必要とされる通常のボンディングバンプ２０に
加えて、その底面１２ａの空いている部分に多数の放熱
専用のダミーバンプ２１が形成されている。これらダミ
ーバンプ２１は、ＩＣチップの保護膜上に形成されてお
り、電気的にどこにも接続されていないフローティング
状態となっている。

【００５２】一方、図９に示すように、サスペンション
１０のフレクシャ１３上に設けられた配線部材１６側に
は、ＩＣチップ１２の通常のボンディングバンプ２０に
対応する位置に接続パッド２２が形成されており、さら
に、ＩＣチップ１２の多数のダミーバンプ２１に対応す
る位置にもＣｕ層パターンによるダミーパッド３３が形
成されている。特に、その中央部には、大面積ダミーパ
ッド３３ａが形成されており、多数のダミーバンプ２１
が接合するようになされている。これらダミーパッド３
３は、電気的にどこにも接続されていないフローティン
グ状態となっている。

【００５３】従って、磁気ヘッド装置としては、図２に
示すＩＣチップ１２を裏返して図９の配線部材１６上の
所定位置に載置しボンディング実装した状態となってお
り、このとき、ＩＣチップ１２の通常のボンディングバ
ンプ２０は接続パッド２２に、ダミーバンプ２１はダミ
ーパッド３３及び３３ａにそれぞれ接合されている。

【００５４】本実施形態においても、ＩＣチップ１２に
多数のダミーバンプ２１を設けてこれらをサスペンショ
ン１０側の配線部材１６に接合させることにより、ＩＣ
チップ１２の熱が熱伝導によりサスペンション側へ導か
れるため、放熱効果が大幅に向上し、ＩＣチップ１２の
発熱温度の大幅な低減が可能となる。その結果、サスペ
ンション１０上でのＩＣチップ１２の配置に関する設計
の自由度が大幅に増して、高周波数域における磁気特性
を向上させることが可能となる。特に、多くのダミーバ
ンプ２１を大面積ダミーパッド３３ａに接合させること
で、個々の小さな面積のダミーパッドに接合させる場合
より、放熱面積が大きいので、冷却効果をより高めるこ
とができる。

【００５５】図１０は、本発明のまたさらに他の実施形
態におけるサスペンションのＩＣチップを実装する部分
を模式的に示す平面図である。

【００５６】本実施形態においても、ＩＣチップ１２の
構成は図１の実施形態の場合と全く同様である。即ち、
図２に示すように、ベアチップであるＩＣチップ１２の
底面１２ａには、このＩＣチップ１２の実装の際の電気
的接続に必要とされる通常のボンディングバンプ２０に
加えて、その底面１２ａの空いている部分に多数の放熱
専用のダミーバンプ２１が形成されている。これらダミ
ーバンプ２１は、ＩＣチップの保護膜上に形成されてお
り、電気的にどこにも接続されていないフローティング
状態となっている。

【００５７】一方、図１０に示すように、サスペンショ
ン１０のフレクシャ１３側には、ＩＣチップ１２の通常
のボンディングバンプ２０に対応する位置にのみ配線部
材１６が設けられ、その上に接続パッド２２が形成され
ているが、ＩＣチップ１２の多数のダミーバンプ２１に
対応する位置には、配線部材１６が除去されており、フ
レクシャ１３の金属(ステンレス鋼)が露出している。

【００５８】従って、磁気ヘッド装置としては、図２に
示すＩＣチップ１２を裏返して図１０の配線部材１６上
の所定位置に載置しボンディング実装した状態となって
おり、このとき、ＩＣチップ１２の通常のボンディング
バンプ２０は接続パッド２２に、ダミーバンプ２１はフ
レクシャ１３の直接接合されている。

【００５９】本実施形態においても、ＩＣチップ１２に
多数のダミーバンプ２１を設けてこれらをサスペンショ
ン１０側の配線部材１６に接合させることにより、ＩＣ
チップ１２の熱が熱伝導によりサスペンション側へ導か
れるため、放熱効果が大幅に向上し、ＩＣチップ１２の
発熱温度の大幅な低減が可能となる。その結果、サスペ
ンション１０上でのＩＣチップ１２の配置に関する設計
の自由度が大幅に増して、高周波数域における磁気特性
を向上させることが可能となる。特に、ダミーバンプ２
１がフレクシャ１３の金属面に直接接合させることで、
金属同士の接合となることから、熱伝導による冷却効果
を大幅に高めることができる。

【００６０】また、ダミーバンプ２１がハンダバンプで
ある場合、その接合相手がステンレス鋼であると、ハン
ダが溶けにくくなり、ＩＣチップ１２の底面とフレクシ
ャ１３又は配線部材１６の表面との距離を一定値に制御
することができる。

【００６１】なお、上述した実施形態では、接続パッド
及びダミーパッドの形状が円形状であるが、これらの形
状が角形状又はその他の形状であっても良いことは明ら
かである。また、形状及び大きさが互いに異なっていて
も良い。

【００６２】また、上述した実施形態では、ＩＣチップ
をサスペンション上の配線部材に実装する場合である
が、ＩＣチップをサスペンションから外部へ伸びる配線
部材(金属薄板が裏打ちされていることが望ましい)上に
実装する場合にも、本発明を適用して同様の効果を得る
ことが可能である。

【００６３】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。

【００６４】

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、ＩＣチップが、実装に必要とされる通常のボンディ
ングバンプに加えて、複数の放熱用ボンディングバンプ
を備えている。これら余分に設けられた複数の放熱用ボ
ンディングバンプは、ＩＣチップが配線部材にボンディ
ング実装された際に配線部材又は支持機構に当接してい
る。従って、ＩＣチップの熱は、通常のボンディングバ
ンプを介するものに加えてこれら放熱用ボンディングバ
ンプを介して熱伝導により支持機構側へ逃げるため、非
常に効果的に放熱が行われることとなり、ＩＣチップの
発熱温度の大幅な低減が可能となる。その結果、支持機
構であるサスペンション上でのＩＣチップの配置に関す
る設計の自由度が大幅に増して、高周波数域における磁
気特性を向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態として磁気ヘッド装置の全
体を示す平面図である。

【図２】図１の実施形態におけるＩＣチップの底面を示
す斜視図である。

【図３】図１の実施形態におけるサスペンションのＩＣ
チップを実装する部分を模式的に示す平面図である。

【図４】図１の実施形態におけるＩＣチップの実装状態
を示す断面図である。

【図５】本発明の他の実施形態におけるサスペンション
のＩＣチップを実装する部分を模式的に示す平面図であ
る。

【図６】本発明のさらに他の実施形態におけるＩＣチッ
プの底面を示す斜視図である。

【図７】図６の実施形態におけるサスペンションのＩＣ
チップを実装する部分のみを拡大して示す平面図であ
る。

【図８】本発明のまたさらに他の実施形態におけるサス
ペンションのＩＣチップを実装する部分を模式的に示す
平面図である。

【図９】本発明のさらに他の実施形態におけるサスペン
ションのＩＣチップを実装する部分を模式的に示す平面
図である。

【図１０】本発明のまたさらに他の実施形態におけるサ
スペンションのＩＣチップを実装する部分を模式的に示
す平面図である。

【符号の説明】

１０サスペンション１１磁気ヘッドスライダ１２ＩＣチップ１３フレクシャ１４ロードビーム１５ベースプレート１６配線部材１７、２２、３０、３１接続パッド１８取り付け部２０ボンディングバンプ２１放熱専用のダミーバンプ２３、２５絶縁性材料層２４リード導体層２６アンダーフィル材２７、３２、３３ダミーパッド２８、２９放熱兼用のボンディングバンプ３３ａ大面積ダミーパッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川合満好東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内Ｆターム(参考） 5D042 NA02 PA09 TA07 TA09 TA10 5D091 AA08 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を
有する磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダを
支持する支持機構と、前記薄膜磁気ヘッド素子用の回路
を搭載したＩＣチップと、前記支持機構上に取り付けら
れており前記ＩＣチップがボンディング実装される配線
部材とを備えた磁気ヘッド装置であって、前記ＩＣチッ
プが、実装に必要とされるボンディングバンプの他に複
数の放熱用ボンディングバンプを備えていることを特徴
とする磁気ヘッド装置。
【請求項２】前記放熱用ボンディングバンプが、放熱
専用のダミーバンプであることを特徴とする請求項１に
記載の装置。
【請求項３】前記配線部材が、前記複数のダミーバン
プにそれぞれ接合された複数のダミーパッドを有してい
ることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】前記ダミーパッドが、前記ダミーバンプ
の径より小さな径を有していることを特徴とする請求項
３に記載の装置。
【請求項５】前記配線部材が、複数の前記ダミーバン
プに接合された単一のダミーパッドを有していることを
特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項６】前記配線部材が、前記ダミーバンプに対
応する位置に接続パッドを有していないことを特徴とす
る請求項２に記載の装置。
【請求項７】前記配線部材が、前記ダミーバンプに対
応する位置に絶縁層を有していることを特徴とする請求
項６に記載の装置。
【請求項８】前記ダミーバンプに対応する位置に前記
配線部材が存在せず、該ダミーバンプが前記支持機構に
直接接合していることを特徴とする請求項６に記載の装
置。
【請求項９】前記放熱用ボンディングバンプが、電源
又はグランドに接続される放熱兼用のボンディングバン
プであることを特徴とする請求項１に記載の装置。