JP2000332379A - Formation of conductor pattern - Google Patents

Formation of conductor pattern

Info

Publication number
JP2000332379A
JP2000332379A JP11139546A JP13954699A JP2000332379A JP 2000332379 A JP2000332379 A JP 2000332379A JP 11139546 A JP11139546 A JP 11139546A JP 13954699 A JP13954699 A JP 13954699A JP 2000332379 A JP2000332379 A JP 2000332379A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
paste
conductor
photosensitive
acrylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11139546A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4374653B2 (en
JP2000332379A5 (en
Inventor
Nobuo Matsumura
宣夫 松村
Takenori Kamioka
武則 上岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP13954699A priority Critical patent/JP4374653B2/en
Publication of JP2000332379A publication Critical patent/JP2000332379A/en
Publication of JP2000332379A5 publication Critical patent/JP2000332379A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4374653B2 publication Critical patent/JP4374653B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve use efficiency of paste since paste applied to a part excepting a conductor pattern is removed by developer in a conductor pattern formation method by photosensitive conductor paste. SOLUTION: In a conductor pattern formation method wherein photosensitive conductor paste is used, after a pattern which is larger than a desired pattern is formed by partially applying photosensitive conductor paste on a substrate wherein a pattern is formed, exposure and development are carried out by using a photomask of a desired pattern and a desired pattern is formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は導体パターンの形成
方法に関するものである。
The present invention relates to a method for forming a conductive pattern.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、パソコンおよびPCカードに搭載
するマルチチップモジュール、チップサイズパッケー
ジ、あるいは携帯電話などの移動体通信機器用途の高周
波用フィルター、チップインダクター、積層コンデンサ
ーなどの電子部品あるいはセラミックス多層基板に対し
て、小型化や高密度化、高精細化、高信頼性の要求が高
まってきている。また、プラズマディスプレイなどの表
示装置の高精細化に伴い、電極の微細化への要求も高ま
ってきている。これらの要求に対して、各種の微細な導
体膜形成方法が提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, multi-chip modules mounted on personal computers and PC cards, chip-size packages, or high-frequency filters for mobile communication devices such as mobile phones, chip inductors, multilayer capacitors, and other electronic components or ceramic multilayers. There is an increasing demand for smaller, higher density, higher definition, and higher reliability substrates. In addition, as the definition of a display device such as a plasma display has become higher, the demand for finer electrodes has also increased. To meet these requirements, various methods for forming a fine conductive film have been proposed.

【0003】代表的な方法としては、薄膜法、メッキ法
および厚膜印刷法がある。薄膜法は、スパッタ、蒸着な
どで成膜した後に、フォトリソグラフィー技術で解像度
L/S=20/20μm以上のパターニングが可能であ
るが、この方法では導体膜の膜厚はスパッターや蒸着の
プロセス時間に比例し、厚くするためには長時間を有す
るために薄い膜しか得られず、その結果回路としてのイ
ンピーダンスが高くなるという欠点がある。またメッキ
法では、十分な厚膜を形成するのにメッキ速度が問題に
なり、また大量の金属を含んだメッキ液の廃液が問題と
される。
Typical methods include a thin film method, a plating method, and a thick film printing method. In the thin film method, patterning with a resolution of L / S = 20/20 μm or more is possible by a photolithography technique after forming a film by sputtering, vapor deposition or the like. However, there is a drawback that only a thin film can be obtained because of having a long time to make the film thick, and as a result, the impedance as a circuit becomes high. Further, in the plating method, a plating speed becomes a problem in forming a sufficiently thick film, and a waste of a plating solution containing a large amount of metal becomes a problem.

【0004】一方、スクリーン印刷で導体粉末と樹脂よ
りなるペーストをパターン印刷後、焼成して導体形成さ
れる厚膜印刷法では、導体膜を厚くすることや、抵抗体
などの受動素子を同時形成することが容易であるが、そ
の反面、L/S=50/50μm以下の解像度で、一定
幅のライン形成が困難であり、また断面形状が蒲鉾上に
なり電気的特性面の設計が困難であるという問題があっ
た。
On the other hand, in a thick film printing method in which a paste made of a conductor powder and a resin is printed by screen printing and then baked to form a conductor, a thick conductor film is formed, and passive elements such as resistors are simultaneously formed. On the other hand, on the other hand, it is difficult to form a line of a fixed width with a resolution of L / S = 50/50 μm or less, and it is difficult to design an electric characteristic surface because the cross-sectional shape is on a kamaboko. There was a problem.

【0005】厚膜印刷法の解像性、断面形状を改善する
ものとして、感光性ペースト法がある。これは、厚膜印
刷用の導体ペーストとして感光性を有するものを使用
し、基板全面に印刷後、マスク露光、現像の工程を経る
ことで高解像度の厚膜導体パターンを形成し得るもので
ある。感光性ペーストとしては、金属粉末を光硬化性樹
脂に混合したものが多く用いられる。
As a method for improving the resolution and the sectional shape of the thick film printing method, there is a photosensitive paste method. This uses a photosensitive paste as a conductive paste for thick film printing, and after printing over the entire surface of the substrate, is subjected to a mask exposure and development process, whereby a high-resolution thick film conductive pattern can be formed. . As the photosensitive paste, a mixture of a metal powder and a photocurable resin is often used.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】感光性ペースト法はこ
のように優れた方法ではあるが、非感光性のペーストと
比較して材料の効率に問題があった。即ち、非感光性の
ペーストでは、基板上の所望する導体パターンの部分の
みにスクリーン印刷によりペーストが塗布されることに
なるのに対し、感光性のペーストでは、はじめに基板の
全面にペーストが塗布され、その後に露光、現像によっ
て所望する導体パターン以外の不要な部分に塗布された
ペーストを除去することになる。通常、この除去された
ペーストは除去に用いた現像液と混合された廃液とな
り、再使用することは出来ず、従って多くのペーストが
電極の形成に寄与せず無駄になってしまっていた。ペー
ストに含まれる導体が、金、銀などの貴金属である場合
にはこの問題は更に顕著である。また、プラズマディス
プレイは近年、50インチクラスの大画面の開発が進ん
でおり、非常に大きな基板を用いる為にペースト使用量
が多く、それに比例してこの現像時に無駄になるペース
ト量も多い。さらにプラズマディスプレイの表示電極の
ストライプパターンは、電極幅に比較してはるかに電極
間の幅が大きいために、塗布された感光性導体ペースト
のうち、大半が現像によって除去されてしまうこととな
り、使用効率は半分以下であった。
Although the photosensitive paste method is an excellent method as described above, it has a problem in material efficiency as compared with a non-photosensitive paste. That is, in the case of a non-photosensitive paste, the paste is applied by screen printing only to a desired conductor pattern portion on the substrate, whereas in the case of a photosensitive paste, the paste is first applied to the entire surface of the substrate. Then, the paste applied to unnecessary portions other than the desired conductor pattern by exposure and development is removed. Usually, the removed paste becomes a waste liquid mixed with the developer used for the removal, and cannot be reused. Therefore, many pastes do not contribute to the formation of the electrodes and are wasted. This problem is even more pronounced when the conductor contained in the paste is a noble metal such as gold or silver. In recent years, a large screen of a 50-inch class has been developed for a plasma display, and a large amount of paste is used because a very large substrate is used. In proportion thereto, a large amount of paste is wasted during the development. Furthermore, since the width of the stripe pattern of the display electrode of the plasma display is much larger than the width of the electrode, most of the applied photosensitive conductive paste is removed by development. The efficiency was less than half.

【0007】本発明の目的は、感光性導体ペーストによ
る導体パターン形成方法において、感光性ペーストの使
用効率を向上することにある。
An object of the present invention is to improve the use efficiency of a photosensitive paste in a conductive pattern forming method using a photosensitive conductive paste.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、感光性導体ペ
ーストを用いた導体パターン形成方法において、パター
ンを形成する基板上に感光性導体ペーストを部分的に塗
布することにより所望するパターンよりも大きいパター
ンを形成した後に、所望するパターンのフォトマスクを
用いて露光・現像を行い、所望するパターンを形成する
ことを特徴とする導体パターンの形成方法である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a method for forming a conductive pattern using a photosensitive conductive paste, wherein a photosensitive conductive paste is partially applied onto a substrate on which a pattern is to be formed, so that a desired pattern can be obtained. This is a method for forming a conductor pattern, wherein after forming a large pattern, exposure and development are performed using a photomask of a desired pattern to form a desired pattern.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的に説明す
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be specifically described below.

【0010】本発明は、感光性導体ペーストを用いた導
体パターン形成方法において、パターンを形成する基板
上に感光性導体ペーストを部分的に塗布することにより
所望するパターンよりも大きいパターンを形成した後
に、所望するパターンのフォトマスクを用いて露光・現
像を行い、所望するパターンを形成することによって、
感光性導体ペーストの使用効率を向上することを特徴と
する導体パターンの形成方法である。
The present invention relates to a method for forming a conductive pattern using a photosensitive conductive paste, comprising forming a pattern larger than a desired pattern by partially applying a photosensitive conductive paste on a substrate on which the pattern is to be formed. By performing exposure and development using a photomask of a desired pattern to form a desired pattern,
This is a method for forming a conductive pattern, characterized by improving the use efficiency of a photosensitive conductive paste.

【0011】本発明における感光性導体ペーストの使用
効率とは、基板上に塗布されたペースト量に対する、所
望する導体パターンとして残るペースト量の割合で表さ
れる。この割合は、ペースト重量によって定義してもペ
ースト体積によって定義しても同一であり、さらに塗布
膜厚が均一で、現像後の膜厚もそれに同一である場合に
は、基板に塗布した感光性導体ペースト面積に対する、
所望する導体パターンの面積の割合を用いても同一であ
る。
The use efficiency of the photosensitive conductive paste in the present invention is represented by a ratio of a paste amount remaining as a desired conductive pattern to a paste amount applied on a substrate. This ratio is the same whether it is defined by the paste weight or the paste volume, and when the coating film thickness is uniform and the film thickness after development is also the same, the photosensitive coating applied to the substrate For conductor paste area,
It is the same even if a desired conductor pattern area ratio is used.

【0012】本発明で使用される感光性導体ペーストと
しては、特に限定されるものではないが、感光性樹脂を
バインダーとして金属粉末を分散したものが好ましく用
いられる。
The photosensitive conductor paste used in the present invention is not particularly limited, but a paste obtained by dispersing a metal powder with a photosensitive resin as a binder is preferably used.

【0013】感光性樹脂としては特に限定されるもので
はないが、光硬化性の樹脂が好ましく用いられ、光硬化
性の樹脂としては、ポリマーと、1分子中に2つ以上の
炭素−炭素2重結合を有する多官能モノマーと、光重合
開始剤を必須成分とする、感光性ペースト中の感光性を
担う有機成分を用いることが好ましい。
The photosensitive resin is not particularly limited, but a photo-curable resin is preferably used. As the photo-curable resin, a polymer and two or more carbon-carbon It is preferable to use an organic component that is responsible for photosensitivity in the photosensitive paste and has a polyfunctional monomer having a heavy bond and a photopolymerization initiator as essential components.

【0014】感光性樹脂中のポリマーは特に限定されな
いが、感光性樹脂のパターン加工が、有機溶媒ではなく
アルカリ水溶液現像で行えるためにアルカリ可溶性のポ
リマーであることが望ましい。アルカリ可溶性のポリマ
ーとしては、アクリル系共重合体があげられる。アクリ
ル系共重合体とは、共重合成分に少なくともアクリル系
モノマーを含む共重合体であり、アクリル系モノマーと
は、具体的な例としては、メチルアクリレート、エチル
アクリレート、n−プロピルアクリレート、イソプロピ
ルアクリレート、n−ブチルアクリレート、sec−ブ
チルアクリレート、イソブチルアクリレート、tert
−ブチルアクリレート、n−ペンチルアクリレート、ア
リルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエ
チルアクリレート、ブトキシトリエチレングリコールア
クリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペ
ンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレー
ト、2−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールア
クリレート、グリシジルアクリレート、ヘプタデカフロ
ロデシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、イソボニルアクリレート、2−ヒドロキシプロピ
ルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオク
チルアクリレート、ラウリルアクリレート、2−メトキ
シエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールア
クリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレー
ト、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエ
チルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロ
ロエチルアクリレート、アクリルアミド、アミノエチル
アクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチ
ルアクリレート、1−ナフチルアクリレート、2−ナフ
チルアクリレート、チオフェノールアクリレート、ベン
ジルメルカプタンアクリレートなどのアクリル系モノマ
ー、およびこれらのアクリレートをメタクリレートに代
えたものなどが挙げられる。アクリル系モノマー以外の
共重合成分としては、炭素−炭素2重結合を有する全て
の化合物が使用可能であるが、好ましくはスチレン、p
−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルス
チレン、α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、
ヒドロキシメチルスチレンなどのスチレン類、γ−メタ
クリロシキプロピルトリメトキシシラン、1−ビニル−
2−ピロリドン等が挙げられる。望ましくはアクリル酸
アルキルあるいはメタクリル酸アルキル、より好ましく
は少なくともメタクリル酸メチルを含むことで、熱分解
性の良好な重合体を得ることが出来る。ポリマーがアル
カリ可溶性を有することで現像液として環境に問題のあ
る有機溶媒ではなくアルカリ水溶液を用いることが出来
る。アクリル系共重合体にアルカリ可溶性を付与するた
めには、モノマーとして不飽和カルボン酸等の不飽和酸
を加えることにより達成される。不飽和酸の具体的な例
としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、ク
ロトン酸、マレイン酸、フマル酸、酢酸ビニル、または
これらの酸無水物等が挙げられる。これらを加えること
によるポリマーの酸価は、現像性の観点から80〜14
0の範囲であることが好ましい。
The polymer in the photosensitive resin is not particularly limited, but is preferably an alkali-soluble polymer because the patterning of the photosensitive resin can be performed by an aqueous alkali solution development instead of an organic solvent. Examples of the alkali-soluble polymer include an acrylic copolymer. The acrylic copolymer is a copolymer containing at least an acrylic monomer in a copolymer component, and specific examples of the acrylic monomer include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, and isopropyl acrylate. , N-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, isobutyl acrylate, tert
-Butyl acrylate, n-pentyl acrylate, allyl acrylate, benzyl acrylate, butoxyethyl acrylate, butoxytriethylene glycol acrylate, cyclohexyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, glycerol acrylate, glycidyl acrylate, Heptadecafluorodecyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, isobonyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, isodexyl acrylate, isooctyl acrylate, lauryl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene glycol acrylate, methoxydiethylene glycol acrylate, octafluoro Acrylics such as ethyl acrylate, phenoxyethyl acrylate, stearyl acrylate, trifluoroethyl acrylate, acrylamide, aminoethyl acrylate, phenyl acrylate, phenoxyethyl acrylate, 1-naphthyl acrylate, 2-naphthyl acrylate, thiophenol acrylate, and benzyl mercaptan acrylate Monomers and those obtained by replacing these acrylates with methacrylates are exemplified. As the copolymerization component other than the acrylic monomer, all compounds having a carbon-carbon double bond can be used.
-Methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, α-methylstyrene, chloromethylstyrene,
Styrenes such as hydroxymethylstyrene, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 1-vinyl-
2-pyrrolidone and the like. Desirably, by containing an alkyl acrylate or an alkyl methacrylate, more preferably at least methyl methacrylate, a polymer having good thermal decomposability can be obtained. Since the polymer has alkali solubility, an alkali aqueous solution can be used as a developer instead of an organic solvent having environmental problems. In order to impart alkali solubility to the acrylic copolymer, it is achieved by adding an unsaturated acid such as an unsaturated carboxylic acid as a monomer. Specific examples of the unsaturated acid include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetate, and acid anhydrides thereof. By adding these, the acid value of the polymer is from 80 to 14 from the viewpoint of developability.
It is preferably in the range of 0.

【0015】硬化速度を向上させるためには、ポリマー
の少なくとも一部が、側鎖または分子末端に炭素−炭素
2重結合を有することが好ましい。炭素−炭素2重結合
を有する基としては、ビニル基、アリル基、アクリル
基、メタクリル基などが挙げられる。このような官能基
をポリマーに付加させるには、ポリマー中のメルカプト
基、アミノ基、水酸基、カルボキシル基に対して、グリ
シジル基やイソシアネート基と炭素炭素2重結合を有す
る化合物や、アクリル酸クロライド、メタクリル酸クロ
ライドまたはアリルクロライドを付加反応させてつくる
方法がある。
In order to improve the curing rate, it is preferable that at least a part of the polymer has a carbon-carbon double bond in a side chain or a molecular terminal. Examples of the group having a carbon-carbon double bond include a vinyl group, an allyl group, an acryl group, and a methacryl group. In order to add such a functional group to the polymer, a compound having a glycidyl group or an isocyanate group and a carbon-carbon double bond with respect to a mercapto group, an amino group, a hydroxyl group, and a carboxyl group in the polymer, acrylic acid chloride, There is a method in which methacrylic acid chloride or allyl chloride is produced by an addition reaction.

【0016】グリシジル基と炭素−炭素2重結合を有す
る化合物としては、グリシジルメタクリレート、グリシ
ジルアクリレート、アリルグリシジルエーテル、グリシ
ジルエチルアクリレート、クロトニルグリシジルエーテ
ル、グリシジルクロトネート、グリシジルイソクロトネ
ートなどが挙げられる。イソシアナート基と炭素−炭素
2重結合を有する化合物としては、アクリロイルイソシ
アネート、メタクロイルイソシアネート、アクリロイル
エチルイソシアネート、メタクリロイルエチルイソシア
ネート等がある。
Examples of the compound having a glycidyl group and a carbon-carbon double bond include glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, allyl glycidyl ether, glycidyl ethyl acrylate, crotonyl glycidyl ether, glycidyl crotonate, and glycidyl isocrotonate. Examples of the compound having an isocyanate group and a carbon-carbon double bond include acryloyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, acryloylethyl isocyanate, and methacryloylethyl isocyanate.

【0017】多官能モノマーとしては、1分子中に炭素
−炭素2重結合を2つ以上有する化合物が用いられ、そ
の具体的な例としては、アリル化シクロヘキシルジアク
リレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、
1,3−ブチレングリコールジアクリレート、エチレン
グリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジア
クリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトー
ルモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロー
ルプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリ
レート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネ
オペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリ
コールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジア
クリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメ
チロールプロパントリアクリレート、ビスフェノールA
ジアクリレート、ビスフェノールA−エチレンオキサイ
ド付加物のジアクリレート、ビスフェノールA−プロピ
レンオキサイド付加物のジアクリレート、または上記化
合物のアクリル基を1部または全てメタクリル基に代え
た化合物等が挙げられる。
As the polyfunctional monomer, a compound having two or more carbon-carbon double bonds in one molecule is used, and specific examples thereof include allylated cyclohexyl diacrylate and 1,4-butanediol diacrylate. Acrylate,
1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate,
Polyethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, glycerol diacrylate, methoxylated cyclohexyl diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, propylene glycol diacrylate, polypropylene glycol diacrylate , Triglycerol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, bisphenol A
Examples include diacrylate, diacrylate of a bisphenol A-ethylene oxide adduct, diacrylate of a bisphenol A-propylene oxide adduct, and a compound in which one or all of the acryl group of the above compound is replaced with a methacryl group.

【0018】光重合開始剤としては、市販の光ラジカル
開始剤が好適に使用できる。例えば、2−ベンジル−2
−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)
−ブタノン−1、あるいはビス(2,4,6−トリメチ
ルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、2
−メチル−1[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モ
ルフォリノプロパン−1−オンに、2,4−ジエチルチ
オキサントンなどが例として挙げられるが、本発明に使
用できる光重合開始剤系はこれらに限定されるものでは
ない。
As the photopolymerization initiator, a commercially available photoradical initiator can be suitably used. For example, 2-benzyl-2
-Dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl)
-Butanone-1, or bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, 2
Examples of 2,4-diethylthioxanthone and the like for -methyl-1 [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one include photopolymerization initiator systems which can be used in the present invention. However, the present invention is not limited to this.

【0019】本発明で用いられる金属粉末の形状は、単
分散で凝集がなく、球状あるいは粒状であることが望ま
しい。この場合、球状とは球形率が80個数%以上が好
ましい。球状率の測定は、粉末を光学顕微鏡で300倍
の倍率にて撮影して計数し球状のものの比率を表した。
球状であると露光時に光線の散乱が非常に少なくなり、
膜の内部まで光線を透過させやすい。
The shape of the metal powder used in the present invention is desirably monodisperse, non-agglomerated, spherical or granular. In this case, the spherical shape preferably has a sphericity of 80% by number or more. For the measurement of the spherical ratio, the powder was photographed with an optical microscope at a magnification of 300 times and counted, and the ratio of the spherical particles was expressed.
If it is spherical, light scattering will be very small during exposure,
Light is easily transmitted to the inside of the film.

【0020】本発明で用いられる金属粉末としては、
金、銀、銅、ニッケル、タングステン、モリブデンなど
があるが、特にこれらに限定されるものではない。これ
らのうちでも、比抵抗値の低い金属が好適であることか
ら、金、銀、銅がより好ましい。さらに、金は非常に高
価であること、銅は酸化しやすいので空気中では焼成で
きないことなどから最も好適であるのは銀である。
The metal powder used in the present invention includes:
Examples include gold, silver, copper, nickel, tungsten, and molybdenum, but are not particularly limited thereto. Among these, gold, silver, and copper are more preferable because a metal having a low specific resistance is suitable. Furthermore, silver is the most suitable because gold is very expensive and copper is easily oxidized and cannot be fired in air.

【0021】金属粉末の平均粒子径は、1μm以上、6
μm以下の範囲であることが望ましい。平均粒子径が1
μm未満であると、樹脂に対して同体積の導体粉末を添
加した場合に、粉末の表面積が大きくなり、また空隙が
少なくなるために多くの光を遮り、ペースト内部への光
線透過率を低下させる。6μmより大きい場合は、塗布
した場合の表面粗さが大きくなり、さらにパターン精度
や寸法精度が低下するため好ましくない。
The average particle size of the metal powder is 1 μm or more,
It is desirable that the thickness be in the range of μm or less. Average particle size is 1
If it is less than μm, when the same volume of conductive powder is added to the resin, the surface area of the powder becomes large, and since there are fewer voids, more light is blocked and the light transmittance into the paste is reduced. Let it. If it is larger than 6 μm, the surface roughness when applied is large, and the pattern accuracy and dimensional accuracy are undesirably reduced.

【0022】感光性導体ペーストを部分的に塗布する方
法としては、特に限定されないがスクリーン印刷が好ま
しい。スクリーン印刷は、非感光の厚膜導体ペーストで
パターン形成する場合に用いられていることで実績があ
り、また、数μmから数十μmの厚さの塗布膜を形成す
るのに適した方法である。
The method of partially applying the photosensitive conductor paste is not particularly limited, but screen printing is preferred. Screen printing has a proven track record of being used when forming patterns with non-photosensitive thick film conductor paste, and is a method suitable for forming coating films with a thickness of several μm to several tens of μm. is there.

【0023】膜厚が数μmの場合には、凹版印刷や凸版
印刷、平版印刷や、それらのオフセット印刷など、スク
リーン印刷以外の印刷方法も適用が可能である。
When the film thickness is several μm, printing methods other than screen printing, such as intaglio printing, letterpress printing, planographic printing, and offset printing thereof, can be applied.

【0024】また、バーコーターやロールコーター、カ
ーテンコーター等の塗布方法によって部分的塗布を行う
ことや、微細なノズルからペーストを吐出して部分的に
塗布することも可能である。
It is also possible to perform partial application by a coating method such as a bar coater, a roll coater, or a curtain coater, or to apply a partial paste by discharging a paste from a fine nozzle.

【0025】塗布後、70℃〜100℃で数分から1時
間加熱して、塗布膜を乾燥させる。
After coating, the coated film is heated at 70 ° C. to 100 ° C. for several minutes to 1 hour to dry the coated film.

【0026】部分的な塗布により形成するパターンの形
状や大きさは、所望するパターンの形状や大きさと、部
分的な塗布を行う方法の解像度によって決定される。
The shape and size of a pattern formed by partial coating are determined by the shape and size of a desired pattern and the resolution of a method for performing partial coating.

【0027】所望するパターンの面積が、基板の面積に
対して50%以下である場合、本発明によるペースト使
用量削減の効果は顕著となる。また、部分塗布によって
形成するパターンの面積は、所望するパターンの面積の
100%以上200%以下にすることで、ペーストの使
用効率を効果的に向上できる。
When the area of the desired pattern is 50% or less of the area of the substrate, the effect of reducing the amount of the paste used according to the present invention becomes remarkable. Further, by setting the area of the pattern formed by the partial coating to be 100% or more and 200% or less of the area of the desired pattern, the use efficiency of the paste can be effectively improved.

【0028】ストライプパターンを形成する場合、スク
リーン印刷などの部分塗布では、高精度なストライプが
出来ないため、細いストライプでは縁が波打ったように
なってしまう場合がある。所望するパターンのストライ
プ幅に比べて部分塗布で形成するストライプの幅が十分
に大きくなければ、露光・現像を行った後にもこの波打
ちが残り、最終的に得られるパターンの精度が落ちてし
まう。従って部分塗布によって形成されるストライプの
幅は、所望するストライプパターンの幅の120%以上
が好ましく、より好ましくは150%以上である。ま
た、部分塗布によって形成されるストライプの幅が、所
望するストライプパターンのピッチに比較して十分に小
さくなければ、部分塗布によって基板の多くの面積にペ
ーストが塗布されることになり、ペースト使用量を効果
的に削減することが出来ない。従って部分塗布によって
形成されるストライプの幅は、所望するストライプパタ
ーンのピッチの80%未満が好ましく、より好ましくは
60%未満である。
When a stripe pattern is formed, a high-precision stripe cannot be formed by partial coating such as screen printing, so that a thin stripe may have wavy edges. If the width of the stripe formed by partial coating is not sufficiently large compared to the stripe width of the desired pattern, this waving remains even after exposure and development, and the accuracy of the finally obtained pattern is reduced. Therefore, the width of the stripe formed by the partial coating is preferably 120% or more, more preferably 150% or more of the desired stripe pattern width. If the width of the stripe formed by the partial application is not sufficiently small compared to the pitch of the desired stripe pattern, the paste is applied to a large area of the substrate by the partial application, and the amount of the paste used Cannot be reduced effectively. Therefore, the width of the stripe formed by the partial coating is preferably less than 80% of the desired stripe pattern pitch, and more preferably less than 60%.

【0029】部分的に塗布された感光性導体ペーストの
パターンの上に露光する場合には、所望するパターン形
状のマスクを位置合わせして行う。露光は高圧水銀灯な
どにより、露光量は例えばi線(365nm)における
測定で10〜500mJ/cm2 である。
When exposing the photosensitive conductive paste pattern partially applied, a mask having a desired pattern shape is aligned. The exposure is performed by a high-pressure mercury lamp or the like, and the exposure amount is, for example, 10 to 500 mJ / cm 2 as measured by i-line (365 nm).

【0030】露光後、現像液によって未露光部の感光性
導体ペーストを除去し、水洗して所望の導体パターンを
得る。これら現像と水洗は、浸漬、スプレー、パドルな
どで行うことが出来るが、より高い解像度のパターンが
得られるのでスプレー現像が好ましい。現像液のスプレ
ー時間は20秒から200秒であり、水洗は同じくスプ
レーで10秒から60秒で行う。本発明によれば、この
とき現像液によって除去されるペーストの量は、従来の
感光性ペーストを用いた導体パターン形成方法において
除去されるペーストの量に対して顕著に少なくすること
が出来る。
After the exposure, the unexposed portion of the photosensitive conductor paste is removed with a developing solution and washed with water to obtain a desired conductor pattern. These development and washing can be carried out by dipping, spraying, paddle, etc., but spray development is preferred because a pattern with higher resolution can be obtained. The spraying time of the developing solution is 20 seconds to 200 seconds, and the washing with water is also performed by spraying for 10 seconds to 60 seconds. According to the present invention, the amount of the paste removed by the developer at this time can be significantly smaller than the amount of the paste removed by the conventional method of forming a conductive pattern using a photosensitive paste.

【0031】その後、電気炉、ベルト炉等で焼成を行
い、有機成分を揮発させると共に無機粉末を焼結させる
ことにより導体を形成できる。焼成の雰囲気は、大気
中、または窒素雰囲気で行われる。導体粉末が銅などの
酸化しやすい金属である場合は、酸素を10〜100p
pm含有する窒素雰囲気、水素雰囲気等で、800〜1
000℃の温度で1〜60分保持して焼成し、パターン
を作成する。
Thereafter, firing is performed in an electric furnace, a belt furnace, or the like to volatilize organic components and sinter inorganic powder to form a conductor. The firing is performed in the air or in a nitrogen atmosphere. When the conductor powder is a metal that is easily oxidized such as copper, oxygen is added in an amount of 10 to 100 p.
800-1 in nitrogen atmosphere, hydrogen atmosphere, etc.
A pattern is created by holding at a temperature of 000 ° C. for 1 to 60 minutes and firing.

【0032】本発明の感光性ペーストにより形成するパ
ターンは、基板が大きい場合に特に特にその効果が発揮
されるため、ディスプレイ用途、特にプラズマディスプ
レイの表示電極形成に好適であるが、ノートパソコンや
携帯電話に実装されるMCM(マルチチップモジュー
ル)用基板の電極、CSP(チップサイズパッケージ)
用基板の電極をはじめ、チップインダクター、チップコ
ンデンサーなどのチップ部品の電極、モジュール基板の
電極など、比較的小さなセラミックスまたはガラスセラ
ミックス基板上に導体形成する場合にも適用可能であ
る。
The pattern formed by the photosensitive paste of the present invention is particularly effective when the substrate is large, so that it is suitable for display use, particularly for forming display electrodes of a plasma display. MCM (multi-chip module) substrate electrodes mounted on telephones, CSP (chip size package)
The present invention is also applicable to a case where a conductor is formed on a relatively small ceramic or glass ceramic substrate, such as an electrode of a substrate for use, an electrode of a chip component such as a chip inductor or a chip capacitor, or an electrode of a module substrate.

【0033】[0033]

【実施例】以下の実施例で本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例により何等の制限を受けるも
のではない。以下に述べる要領でペーストの調整を行っ
た。
EXAMPLES The present invention will be described in detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited by these examples. The paste was adjusted as described below.

【0034】 A.銀粉末 88重量部 単分散粒状 平均粒子径2.0μm 比表面積1.2(m2/g) タップ密度 4.0(g/cm3)(大同特殊鋼) B.ポリマー(感光性有機成分中) 8重量部 グリシジルメタクリレート変性メタクリル酸−メタクリル酸メチル共重合体 酸価110 重量平均分子量 10000 (ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)でポリスチレン換算) C.多官能モノマー 4重量部 プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート 3官能モノマー 2重結合当量 157g/mol TPA−330(日本化薬) D.光開始剤 1.2重量部 2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフ
ォリノフェニル)−ブタノン−1(チバスペシャリティ
ケミカルズのイルガキュア369:以下IC369とす
る)。
A. Silver powder 88 parts by weight Monodisperse granular Average particle size 2.0 μm Specific surface area 1.2 (m 2 / g) Tap density 4.0 (g / cm 3 ) (Daido Special Steel) Polymer (in the photosensitive organic component) 8 parts by weight Glycidyl methacrylate-modified methacrylic acid-methyl methacrylate copolymer Acid value 110 Weight average molecular weight 10,000 (converted to polystyrene by gel permeation chromatography (GPC)) B. Polyfunctional monomer 4 parts by weight Propylene oxide-modified trimethylolpropane triacrylate Trifunctional monomer Double bond equivalent 157 g / mol TPA-330 (Nippon Kayaku) 1.2 parts by weight of a photoinitiator 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1 (Irgacure 369 of Ciba Specialty Chemicals: hereinafter referred to as IC369).

【0035】 E.溶剤 10重量部 γブチロラクトン F.分散剤 0.88重量部 分散剤a:“ノプコスパース092”(サンノプコ製) G.レベリング剤 2重量部 LC−951(楠本化成)(有効濃度は10重量%、残りは溶剤) H.ガラスフリット 3重量部 ガラス転移点 461℃;ガラス軟化点 510℃; 平均粒子径 0.9μm;90%粒子径 1.7μm; トップサイズ 3.3μm I.現像液 テトラエチルアンモニウムヒドロキシド 0.1重量%水溶液。E. Solvent 10 parts by weight γ-butyrolactone F. Dispersant 0.88 parts by weight Dispersant a: "NOPCOSPARS 092" (manufactured by San Nopco) Leveling agent 2 parts by weight LC-951 (Kusumoto Kasei) (effective concentration is 10% by weight, the remainder is solvent) Glass frit 3 parts by weight Glass transition point 461 ° C .; Glass softening point 510 ° C .; Average particle size 0.9 μm; 90% particle size 1.7 μm; Top size 3.3 μm Developer 0.1% by weight aqueous solution of tetraethylammonium hydroxide.

【0036】以下の作業は、全て黄色灯下で行った。 ペースト調整 (1)ポリマーと溶剤を混合し、60℃で3時間加熱し
て溶解させた。 (2)ポリマー溶液を室温に冷却し、その他の有機組成
と、金属粉末を混合し、モーターと撹拌羽を用いて20
0rpmで30分室温で均一に混合した。 (3)得られたスラリーを、3本ロール(EXACT
model 50)で混練し、ペーストを得た。
The following operations were all performed under yellow light. Preparation of paste (1) A polymer and a solvent were mixed and heated at 60 ° C. for 3 hours to be dissolved. (2) Cool the polymer solution to room temperature, mix the other organic composition and metal powder, and use a motor and a stirring blade to
The mixture was uniformly mixed at room temperature at 0 rpm for 30 minutes. (3) The obtained slurry was rolled with three rolls (EXACT
Model 50) to obtain a paste.

【0037】パターン加工 幅50μm、ピッチ140μmのストライプパターンの
形成を目的とした。(1)ペーストをガラス基板(12
0mm角、厚み1.2mm)上に、幅55〜120μ
m、ピッチ140μmのストライプパターン(長さ10
0mm)のスクリーンマスク(SUS#325メッシ
ュ)を用いて印刷し、80℃で40分間乾燥した。乾燥
後の厚みは10μmであった。 (3)高圧水銀灯(15mW/cm2)を用いて、パタ
ーンマスクを介してペーストの露光を10秒間行った。
パターンマスクは長さパターン幅50μm、ピッチ14
0μm、長さ100mmのストライプパターンのネガマ
スクを用いた。 (4)アルカリ現像液(0.1%TMAH水溶液)を用
いて、露光後の基板を浸漬し、揺動させて現像し、その
後水シャワーでリンスした。
Pattern processing The purpose was to form a stripe pattern having a width of 50 μm and a pitch of 140 μm. (1) Paste the glass substrate (12
0mm square, 1.2mm thick)
m, stripe pattern with a pitch of 140 μm (length 10
0 mm) using a screen mask (SUS # 325 mesh) and dried at 80 ° C. for 40 minutes. The thickness after drying was 10 μm. (3) The paste was exposed for 10 seconds through a pattern mask using a high-pressure mercury lamp (15 mW / cm 2 ).
The pattern mask has a length pattern width of 50 μm and a pitch of 14
A negative mask having a stripe pattern of 0 μm and a length of 100 mm was used. (4) The exposed substrate was immersed in an alkali developing solution (0.1% TMAH aqueous solution), developed by shaking, and then rinsed with a water shower.

【0038】それぞれのスクリーンマスクの場合におい
て、基板に塗布したペースト量に対して、現像後に導体
パターンとして残るペースト量の割合の百分率をペース
ト使用効率とした。また、それぞれのスクリーンマスク
を用いて、その後露光現像を行った後のパターン形状に
ついても評価した。
In each case of the screen mask, the percentage of the ratio of the paste amount remaining as a conductor pattern after development to the paste amount applied to the substrate was defined as the paste use efficiency. Further, using each screen mask, the pattern shape after exposure and development was evaluated.

【0039】結果は全て表1に示した。The results are all shown in Table 1.

【0040】[0040]

【表1】 [Table 1]

【0041】比較例1はベタ印刷後に露光現像を行った
場合である。実施例1では55μm幅のストライプパタ
ーンのスクリーンマスクを用いた。スクリーン印刷時の
パターンの波打ちが、露光・現像後にも影響し、パター
ン形状はやや劣ったものになったが、ペースト使用効率
は91%と非常に高かった。
Comparative Example 1 is a case where exposure development was performed after solid printing. In the first embodiment, a screen mask having a stripe pattern of 55 μm width was used. The undulation of the pattern during screen printing also affected after exposure and development, and the pattern shape was slightly inferior, but the paste use efficiency was as high as 91%.

【0042】実施例2では、60μm幅のスクリーンマ
スクを用いた。スクリーン印刷時にパターン幅の波打ち
が生じ、露光・現像後にも僅かに影響したためにパター
ン精度はベタ印刷で形成した場合の比較例1に比べると
僅かに劣るが、概ね良好なパターンが得られていた。
In Example 2, a screen mask having a width of 60 μm was used. The pattern width was wavy at the time of screen printing, and the pattern accuracy was slightly inferior to that of Comparative Example 1 formed by solid printing because of slight influence even after exposure and development, but generally a good pattern was obtained. .

【0043】実施例3では、80μm幅のスクリーンマ
スクを用いた。スクリーン印刷時にパターン幅の波打ち
が僅かにみられたが、露光・現像を行い50μm幅のパ
ターンを形成したときには影響せず比較例1のベタ印刷
時と同じ良好なパターンが得られた。
In the third embodiment, a screen mask having a width of 80 μm was used. Although a slight undulation of the pattern width was observed during screen printing, when exposure and development were performed to form a pattern having a width of 50 μm, there was no effect, and the same good pattern as in solid printing of Comparative Example 1 was obtained.

【0044】実施例4では100μm幅のスクリーンマ
スクを用いた。スクリーン印刷時のパターン波打ちはほ
とんど無く、露光・現像後には良好なパターンが得られ
たが、ベタ印刷の比較例1と比べてペースト使用効率は
50%であり、ペーストを節約する効果がやや少なくな
った。
In Example 4, a screen mask having a width of 100 μm was used. There was almost no pattern undulation during screen printing, and a good pattern was obtained after exposure and development. However, the paste use efficiency was 50% as compared with the solid printing comparative example 1, and the effect of saving the paste was slightly reduced. became.

【0045】実施例5では120μm幅のストライプパ
ターンのスクリーンマスクを用いた。得られたパターン
は良好であったが、ペースト使用効率は42%とやや低
いが、ベタ印刷の比較例1の使用効率35%と比較すれ
ば向上している。
In Example 5, a screen mask having a stripe pattern of 120 μm width was used. Although the obtained pattern was good, the use efficiency of the paste was slightly low at 42%, but improved compared with the use efficiency of 35% in Comparative Example 1 for solid printing.

【0046】[0046]

【発明の効果】本発明は上述のような構成を有すること
により、感光性導体ペーストを使用した導体パターン形
成時に、パターン精度を損なうこと無く効果的にペース
ト使用量を削減できるものである。
According to the present invention having the above-described structure, when a conductive pattern is formed using a photosensitive conductive paste, the amount of the paste used can be effectively reduced without impairing the pattern accuracy.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA00 AA02 AB17 AC01 AD01 BC14 BC42 BC43 BC53 CA01 CA09 CA20 CA28 CA35 CB13 CB14 CB52 CC09 EA04 FA03 FA17 FA29 5E339 BB02 BC01 BD01 BD07 BE20 DD02 DD04 EE05 5G301 DA03 DA42 DD01  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H025 AA00 AA02 AB17 AC01 AD01 BC14 BC42 BC43 BC53 CA01 CA09 CA20 CA28 CA35 CB13 CB14 CB52 CC09 EA04 FA03 FA17 FA29 5E339 BB02 BC01 BD01 BD07 BE20 DD02 DD04 EE05 5G301 DA03 DA42 DD01

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】感光性導体ペーストを用いた導体パターン
形成方法において、パターンを形成する基板上に感光性
導体ペーストを部分的に塗布することにより所望するパ
ターンよりも大きいパターンを形成した後に、所望する
パターンのフォトマスクを用いて露光・現像を行い、所
望するパターンを形成することを特徴とする導体パター
ンの形成方法。
In a method for forming a conductor pattern using a photosensitive conductor paste, after a pattern larger than a desired pattern is formed by partially applying a photosensitive conductor paste on a substrate on which a pattern is to be formed, a desired pattern is formed. A method for forming a conductive pattern, comprising: performing exposure and development using a photomask having a desired pattern to form a desired pattern.
【請求項2】所望する導体パターンの面積が、基板の全
面積に対して50%以下であることを特徴とする請求項
1記載の導体パターン形成方法。
2. The method according to claim 1, wherein the area of the desired conductor pattern is 50% or less of the total area of the substrate.
【請求項3】部分塗布によって形成される導体パターン
の面積が、所望する導体パターンの面積に対して100
%以上200%以下であることを特徴とする請求項1記
載の導体パターン形成方法。
3. The area of a conductor pattern formed by partial coating is 100% of the area of a desired conductor pattern.
2. The method for forming a conductive pattern according to claim 1, wherein the concentration is not less than 200% and not more than 200%.
【請求項4】感光性導体ペーストを部分的に塗布するこ
とにより形成される導体パターンと、露光・現像によっ
て形成される所望する導体パターンがともにストライプ
形状であることを特徴とする請求項1記載の導体パター
ン形成方法。
4. A conductive pattern formed by partially applying a photosensitive conductive paste and a desired conductive pattern formed by exposure and development are both striped. Of forming a conductive pattern.
【請求項5】所望する導体パターンのストライプ形状
が、ストライプのピッチがストライプ幅の2倍以上であ
ることを特徴とする請求項2記載の導体パターン形成方
法。
5. The conductor pattern forming method according to claim 2, wherein a desired stripe shape of the conductor pattern is such that the pitch of the stripes is at least twice the stripe width.
【請求項6】感光性導体ペーストを部分的に塗布するこ
とで形成されるストライプパターンの幅が、所望するス
トライプパターンの幅に対して120%以上であり、部
分的に塗布することで形成されるストライプパターンの
ピッチが、所望するストライプパターンのピッチの80
%未満であることを特徴とする請求項3記載の導体パタ
ーン形成方法。
6. A stripe pattern formed by partially applying a photosensitive conductive paste has a width of 120% or more of a desired stripe pattern width, and is formed by partially applying the photosensitive conductor paste. The pitch of the desired stripe pattern is 80 times the pitch of the desired stripe pattern.
4. The method according to claim 3, wherein the amount is less than 0.1%.
【請求項7】感光性導体ペーストを部分的に塗布するこ
とで形成されるストライプパターンの幅が、所望するス
トライプパターンの幅に対して150%以上であり、部
分的に塗布することで形成されるストライプパターンの
ピッチが、所望するストライプパターンのピッチの60
%未満であることを特徴とする請求項3記載の導体パタ
ーン形成方法。
7. A stripe pattern formed by partially applying a photosensitive conductor paste has a width of 150% or more of a desired stripe pattern width, and is formed by partially applying the photosensitive conductor paste. The pitch of the desired stripe pattern is 60 times the pitch of the desired stripe pattern.
4. The method according to claim 3, wherein the amount is less than 0.1%.
【請求項8】感光性導体ペーストの使用効率が50%以
上であることを特徴とする請求項1記載の導体パターン
形成方法。
8. The method according to claim 1, wherein the use efficiency of the photosensitive conductive paste is 50% or more.
【請求項9】感光性導体ペーストを部分的に塗布する方
法が、スクリーン印刷であることを特徴とする請求項1
記載の導体パターン形成方法。
9. The method according to claim 1, wherein the method of partially applying the photosensitive conductive paste is screen printing.
The method for forming a conductor pattern according to the above.
【請求項10】導体の少なくとも一部に銀を含有するこ
とを特徴とする請求項1記載の導体パターン形成方法。
10. The method according to claim 1, wherein at least a part of the conductor contains silver.
【請求項11】導体パターンが、プラズマディスプレイ
用電極であることを特徴とする請求項1記載の導体パタ
ーン形成方法。
11. The method according to claim 1, wherein the conductive pattern is a plasma display electrode.
JP13954699A 1999-05-20 1999-05-20 Method for forming a conductor pattern Expired - Fee Related JP4374653B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13954699A JP4374653B2 (en) 1999-05-20 1999-05-20 Method for forming a conductor pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13954699A JP4374653B2 (en) 1999-05-20 1999-05-20 Method for forming a conductor pattern

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000332379A true JP2000332379A (en) 2000-11-30
JP2000332379A5 JP2000332379A5 (en) 2006-07-06
JP4374653B2 JP4374653B2 (en) 2009-12-02

Family

ID=15247792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13954699A Expired - Fee Related JP4374653B2 (en) 1999-05-20 1999-05-20 Method for forming a conductor pattern

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4374653B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006179322A (en) * 2004-12-22 2006-07-06 Toyota Motor Corp Battery, manufacturing method of battery, and electrolyte leak inspection method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006179322A (en) * 2004-12-22 2006-07-06 Toyota Motor Corp Battery, manufacturing method of battery, and electrolyte leak inspection method
US8603194B2 (en) 2004-12-22 2013-12-10 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Battery, manufacturing method of battery, and check method of electrolyte leakage

Also Published As

Publication number Publication date
JP4374653B2 (en) 2009-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4071171B2 (en) Photosensitive conductive composition and plasma display panel
JP4062805B2 (en) Photosensitive conductive paste for firing and method for forming fine electrode pattern
JP2000277887A (en) Method of forming conductive pattern and manufacturing ceramic multilayer board
JPH10112216A (en) Photosensitive conductive paste, electrode therewith and manufacture thereof
JP2001084833A (en) Conductive resin composition and transfer film for forming electrode
JP3726627B2 (en) Photosensitive conductor paste, electronic component, electronic device
JP2004055402A (en) Conductive paste composition, transcription film for electrode formation, and electrode for plasma display
JP2002056774A (en) Photosensitive black paste
JP2004054085A (en) Photosensitive conducttor paste
JP4151363B2 (en) Photosensitive resin composition and method for producing inorganic shaped article using the same
JP2002072472A (en) Photosensitive paste
JP4306012B2 (en) Photosensitive conductive paste
JPH05212833A (en) Laminate having membrane like photopolymerizable conductive paste composition layer
JP2009076233A (en) Pattern forming method and manufacturing method of circuit board material using the same
JP4374653B2 (en) Method for forming a conductor pattern
JP3975932B2 (en) Photoreactive resin composition, method for producing circuit board, and method for producing ceramic multilayer substrate
JP2001084912A (en) Plasma display panel
JP2001194779A (en) Photosensitive conductor paste
EP1545171A1 (en) Method of forming pattern on ceramic green sheet and conductive paste for use in the method
JP2000284471A (en) Photosensitive paste
JP2000305259A (en) Photosensitive conductor paste
JP5402574B2 (en) Photosensitive conductive paste
JP2005116999A (en) Manufacturing method of shaped article
JP4701520B2 (en) Water-developable photosensitive paste for manufacturing electronic circuit components, method for forming functional material film in electronic circuit components using the same, and method for manufacturing multilayer ceramic substrate
JP2000321768A (en) Photosensitive paste

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060522

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060522

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090414

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090612

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090818

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090831

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120918

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130918

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees